特開 2023-56509 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023056509

(43)【公開日】2023-04-19

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20230412BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201L

H01G4/30 201K

H01G4/30 201M

H01G4/30 515

H01G4/30 512

【審査請求】未請求

【請求項の数】32

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022161514

(22)【出願日】2022-10-06

(31)【優先権主張番号】10-2021-0133381

(32)【優先日】2021-10-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(31)【優先権主張番号】10-2022-0104109

(32)【優先日】2022-08-19

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】クォン、ヨン リム

(72)【発明者】

【氏名】ソン、スー ホワン

(72)【発明者】

【氏名】パク、ジュン ミン

(72)【発明者】

【氏名】パク、セ フン

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC09

5E001AD02

5E001AE02

5E001AE03

5E001AE04

5E001AF06

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC31

5E082CC03

5E082EE04

5E082EE23

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082FG46

5E082GG10

5E082GG11

5E082GG28

5E082JJ03

5E082JJ12

5E082JJ23

(57)【要約】      （修正有）

【課題】高い強度を有して信頼性に優れた積層型電子部品を提供する。
【解決手段】積層型電子部品は、第１方向に交互に配置される第１誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む複数の容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２並びに隣接する容量形成部の間に配置され、第２誘電体層を含む中間層１４０を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、第１面及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、第１面から第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体１１０と、本体上に配置され、内部電極と連結される外部電極と、を含む。第２誘電体層は、グラフェンを含み、第１誘電体層はグラフェンを含まないか又は第２誘電体層に含まれたグラフェンの含量より少ない含量のグラフェンを含む。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１方向に交互に配置される第１誘電体層及び内部電極を含む複数の容量形成部、並びに隣接する容量形成部の間に配置され、第２誘電体層を含む中間層を含み、
前記第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面から第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
前記本体上に配置され、前記内部電極と連結される外部電極と、を含み、
前記第２誘電体層はグラフェンを含み、
前記第１誘電体層はグラフェンを含まないか、又は前記第２誘電体層に含まれたグラフェンの含量より少ない含量のグラフェンを含む、積層型電子部品。

【請求項2】

前記本体は、前記第１方向を基準に最外郭に配置される内部電極上に配置されたカバー部を含み、
前記中間層の平均厚さをｔ１、前記カバー部の平均厚さをｔ２、前記第１誘電体層の平均厚さをｔ３とするとき、ｔ３＜ｔ１＜ｔ２を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記ｔ１及びｔ２はｔ１／ｔ２≦０．８を満たす、請求項２に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記ｔ１及びｔ３はｔ１／ｔ３≧７を満たす、請求項２に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層は、複数の結晶粒及び隣接する結晶粒の間に形成された結晶粒界を含み、
前記第２誘電体層に含まれたグラフェンは、前記第２誘電体層の結晶粒界に配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記第２誘電体層は前記グラフェンを複数個含み、
前記第２誘電体層に含まれた複数のグラフェンのうち少なくとも一つは、
一面が前記第２誘電体層に含まれた複数の結晶粒のうち少なくとも２以上の結晶粒の表面に沿って配置される、請求項５に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記第１誘電体層の結晶粒の平均粒径をＤ１、前記第２誘電体層の結晶粒の平均粒径をＤ２とするとき、
Ｄ２＜Ｄ１を満たす、請求項５に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

（Ｄ１－Ｄ２）／Ｄ１≦０．３を満たす、請求項７に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記第２誘電体層は、ラマン（Ｒａｍａｎ）分析時にＤバンド（Ｄ－ｂａｎｄ）及びＧバンド（Ｇ－ｂａｎｄ）でピークが検出される、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記第１誘電体層は、ラマン分析時にＤバンド及びＧバンドで同時にピークが検出されないか、又は前記第２誘電体層で検出されたＤバンド及びＧバンドのピークより低い強度のＤバンド及びＧバンドのピークが検出される、請求項９に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記第２誘電体層は、Ｇバンドで検出されたピークの強度に対する前記Ｄバンドで検出されたピークの強度比率が０．０３～０．５である、請求項９に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記Ｄバンドは１３００～１４００ｃｍ^－１で検出され、
前記Ｇバンドは１５００～１６００ｃｍ^－１で検出される、請求項９に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記第２誘電体層はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系主成分を含み、
主成分１００重量部に対して前記第２誘電体層に含まれたグラフェンの含量は０．１重量部～１．０重量部である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記第２誘電体層に含まれたグラフェンは、長軸の長さが０．３μｍ～１０μｍである、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項15】

前記第１誘電体層の平均厚さは０．４μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項16】

前記本体は前記中間層を複数個含み、
複数個の前記中間層は互いに離隔して配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項17】

前記複数の容量形成部は前記第１方向に配列される、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項18】

前記内部電極は、第５面及び第６面と離隔して配置され、第３又は第４面と連結されるように配置され、
前記中間層は、前記本体の第３面から第６面と連結される、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項19】

前記カバー部はグラフェンをさらに含む、請求項２に記載の積層型電子部品。

【請求項20】

前記カバー部は、ラマン分析時にＤバンド及びＧバンドでピークが検出される、請求項１９に記載の積層型電子部品。

【請求項21】

前記内部電極は、前記第５面及び第６面と連結されるように配置され、第３又は第４面と連結されるように配置され、
前記中間層は前記本体の第３面から第６面と連結され、
前記第５面及び第６面にはサイドマージン部が配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項22】

前記サイドマージン部はグラフェンをさらに含む、請求項２１に記載の積層型電子部品。

【請求項23】

前記サイドマージン部は、ラマン分析時にＤバンド及びＧバンドでピークが検出される、請求項２２に記載の積層型電子部品。

【請求項24】

前記本体は、前記第１方向を基準に最外郭に配置される内部電極上に配置され、グラフェンを含むカバー部を含む、請求項２２に記載の積層型電子部品。

【請求項25】

第１方向に交互に配置される第１誘電体層及び内部電極を含む複数の容量形成部、並びに隣接する容量形成部の間に配置され、第２誘電体層を含む中間層を含み、
前記第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面から第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
前記本体上に配置され、前記内部電極と連結される外部電極と、を含み、
前記第２誘電体層はグラフェンを含み、
前記中間層の平均厚さをｔ１、前記第１誘電体層の平均厚さをｔ３とするとき、ｔ３＜ｔ１を満たす、積層型電子部品。

【請求項26】

前記本体は、前記第１方向を基準に最外郭に配置される内部電極上に配置されたカバー部を含み、
前記カバー部の平均厚さをｔ２とするとき、ｔ３＜ｔ１＜ｔ２を満たす、請求項２５に記載の積層型電子部品。

【請求項27】

前記本体は前記中間層を複数個含み、
複数個の前記中間層は互いに離隔して配置される、請求項２５に記載の積層型電子部品。

【請求項28】

前記内部電極は、第５面及び第６面と離隔して配置され、第３又は第４面と連結されるように配置され、
前記中間層は前記本体の第３面から第６面と連結される、請求項２５に記載の積層型電子部品。

【請求項29】

前記カバー部はグラフェンをさらに含む、請求項２６に記載の積層型電子部品。

【請求項30】

前記内部電極は、前記第５面及び第６面と連結されるように配置され、第３又は第４面と連結されるように配置され、
前記中間層は前記本体の第３面から第６面と連結され、
前記第５面及び第６面にはサイドマージン部が配置される、請求項２５に記載の積層型電子部品。

【請求項31】

前記サイドマージン部はグラフェンをさらに含む、請求項３０に記載の積層型電子部品。

【請求項32】

前記本体は、前記第１方向を基準に最外郭に配置される内部電極上に配置され、グラフェンを含むカバー部を含む、請求項３１に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は積層型電子部品に関するものである。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話など、様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。

【0003】

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用できる。コンピュータ、モバイル機器など、各種の電子機器の小型化、高出力化に伴い、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求が増大している。

【0004】

また、最近、自動車用電装部品に対する業界の関心が高まり、積層セラミックキャパシタも自動車あるいはインフォテインメントシステムに使用されるために高信頼性の特性が求められている。

【0005】

積層セラミックキャパシタは、複数の誘電体層と上記誘電体層の間に互いに異なる極性を有する内部電極が交互に積層される構造を有することができる。このとき、上記誘電体層は、圧力を加えると電圧が発生する圧電性、及び電圧を加えると圧力が発生する電歪性を有する。

【0006】

これにより、積層セラミックキャパシタに直流又は交流電圧が印加されるときに内部電極の間で応力が発生し、脆性の高いセラミックの特性により積層セラミックキャパシタに電歪クラックが発生し、積層セラミックキャパシタの信頼性が低下する可能性がある。

【0007】

このような問題点を解決するために、従来は、積層セラミックキャパシタの中央部にバッファ用セラミック層を挿入して積層セラミックキャパシタの強度を改善する方法を適用していたが、厚いバッファ用セラミック層により積層セラミックキャパシタの容量が過度に低下するという問題点が存在する。

【0008】

したがって、積層セラミックキャパシタの容量が過度に低下することなく、積層セラミックキャパシタの強度を効果的に向上させることができる研究が必要な実情である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0009】

【特許文献1】韓国公開特許公報第１０－２０１４－００８８７４６号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

本発明のいくつかの目的の一つは、高い強度を有して信頼性に優れた積層型電子部品を提供することである。

【0011】

本発明のいくつかの目的の一つは、容量に優れた積層型電子部品を提供することである。

【0012】

本発明のいくつかの目的の一つは、耐湿信頼性及び破壊電圧に優れた積層型電子部品を提供することである。

【0013】

但し、本発明の目的は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0014】

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、第１方向に交互に配置される第１誘電体層及び内部電極を含む複数の容量形成部、並びに隣接する容量形成部の間に配置され、第２誘電体層を含む中間層を含み、上記第１方向に対向する第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、上記第１面から第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、上記本体上に配置され、上記内部電極と連結される外部電極と、を含み、上記第２誘電体層はグラフェンを含み、上記第１誘電体層はグラフェンを含まないか、又は上記第２誘電体層に含まれたグラフェンの含量より少ない含量のグラフェンを含むことができる。

【0015】

本発明の他の一実施形態による積層型電子部品は、第１方向に交互に配置される第１誘電体層及び内部電極を含む複数の容量形成部、並びに隣接する容量形成部の間に配置され、第２誘電体層を含む中間層を含み、上記第１方向に対向する第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、上記第１面から第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、上記本体上に配置され、上記内部電極と連結される外部電極と、を含み、上記第２誘電体層はグラフェンを含み、上記中間層の平均厚さをｔ１、上記第１誘電体層の平均厚さをｔ３とするとき、ｔ３＜ｔ１＜ｔ２を満たすことができる。

【発明の効果】

【0016】

本発明の様々な効果の一つとして、高い強度を有して信頼性に優れた積層型電子部品を提供することができる。

【0017】

本発明の様々な効果の一つとして、容量に優れた積層型電子部品を提供することができる。

【0018】

本発明の様々な効果の一つとして、耐湿信頼性及び破壊電圧に優れた積層型電子部品を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示す。

【図2】図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図である。

【図3】図２のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図である。

【図4】積層型電子部品の本体を分解して概略的に示す分解斜視図である。

【図5】図２のＫ１領域の拡大図である。

【図6】図２のＫ２領域の拡大図である。

【図7】図２の変形例を示す。

【図8】本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示す。

【図9】図８のＩＩＩ－ＩＩＩ'線に沿った断面図である。

【図10】図８のＩＶ－ＩＶ'線に沿った断面図である。

【図11】本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示す。

【図12】図１１の本体及びサイドマージン部を分解して概略的に示す分解斜視図である。

【図13】図１１のＶ－Ｖ'線に沿った断面図である。

【図14】図１１の変形例を示す。

【図15】図１４の本体及びサイドマージン部を分解して概略的に示す分解斜視図である。

【図16】図１４のＶＩ－ＶＩ'線に沿った断面図である。

【図17】グラフェンの構造式である。

【図18】グラフェン（ｇｒａｐｈｅｎｅ）を含む第２誘電体層に対するラマン（Ｒａｍａｎ）分析結果を示すグラフである。

【図19】発明例及び比較例の曲げ強度を測定して示すグラフである。

【図20】発明例及び比較例の破壊靭性（Ｆｒａｃｔｕｒｅ ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）を測定して示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために誇張されてもよく、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。

【0021】

そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示されたものに限定されない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素については、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というとき、これは特に反対となる記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0022】

図面において、第１方向は厚さＴ方向又は積層方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。

【0023】

図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図であり、図３は、図２のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図であり、図４は、積層型電子部品の本体を分解して概略的に示す分解斜視図である。

【0024】

図１～図４を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、第１方向に交互に配置される第１誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む複数の容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２、並びに隣接する容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２の間に配置され、第２誘電体層１１２を含む中間層１４０を含み、上記第１方向に対向する第１面１及び第２面２、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３面３及び第４面４、上記第１面から第４面と連結され、第３方向に対向する第５面５及び第６面６を含む本体１１０と、上記本体上に配置され、上記内部電極と連結される外部電極１３１、１３２と、を含み、第２誘電体層１１２はグラフェンを含み、第１誘電体層１１１はグラフェンを含まないか、又は第２誘電体層１１２に含まれたグラフェンの含量より少ない含量のグラフェンを含むことができる。

【0025】

上述したように、積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタは、圧電性及び電歪性を有する誘電体層によって電圧印加時に電歪クラックが発生することがあり、これにより積層セラミックキャパシタの信頼性が低下する可能性がある。

【0026】

これに対し、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、隣接する容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２の間に配置され、第２誘電体層１１２を含む中間層１４０を含み、第２誘電体層１１２がグラフェンを含むことにより、積層型電子部品１００の強度及び信頼性が向上することができる。

【0027】

また、第１誘電体層１１１はグラフェンを含まないか、又は第２誘電体層１１２に含まれたグラフェンの含量より少ない含量のグラフェンを含むことにより、耐湿信頼性及び破壊電圧等の劣化を防止することができる。

【0028】

以下、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００に含まれる各構成についてより詳細に説明する。

【0029】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮や角部の研磨により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

【0030】

本体１１０は、第１方向に対向する第１面１及び第２面２、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３面３及び第４面４、上記第１面から第４面と連結され、第３方向に対向する第５面５及び第６面６を有することができる。

【0031】

本体１１０は、上記第１方向に交互に配置される第１誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含んで容量が形成される複数の容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２を含むことができる。互いに隣接する容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２は、例えば、中間層１４０を間に挟んで上記第１方向に配列されることができる。

【0032】

容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２を形成する複数の第１誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する第１誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

【0033】

第１誘電体層１１１は、セラミック粉末、有機溶剤、添加剤及びバインダーを含むセラミックスラリーを製造し、上記スラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥してセラミックグリーンシートを設けた後、上記セラミックグリーンシートを焼成することによって形成されることができる。セラミック粉末は、十分な静電容量が得られる限り特に制限されないが、例えば、チタン酸バリウム系（ＢａＴｉＯ_３）系粉末を使用することができる。

【0034】

第１誘電体層１１１の平均厚さｔ３は特に限定する必要はない。一方、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化を達成するためには、第１誘電体層１１１の厚さを薄くして積層数を増加させる必要があるが、従来の場合、第１誘電体層１１１の厚さが薄くなるほど、電圧印加時に発生する応力により本体１１０にクラック（ｃｒａｃｋ）が発生しやすく、これにより積層型電子部品１００の信頼性が低下するという問題点がある。

【0035】

これに対し、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００の場合、複数の容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２の間に配置される中間層１４０を含んで高い強度を有することにより、第１誘電体層１１１の厚さが薄い場合でも、クラックの発生を防止し、信頼性を向上させることができる。これにより、第１誘電体層１１１の平均厚さｔ３は０．４μｍ以下であることができ、この場合、本発明によるクラック防止及び信頼性の向上効果が顕著となることができる。

【0036】

ここで、第１誘電体層１１１の平均厚さｔ３は、内部電極１２１、１２２の間に配置される第１誘電体層１１１の平均厚さを意味することができる。第１誘電体層１１１の平均厚さｔ３は、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの第１誘電体層１１１の多数の地点、例えば、第２方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２で指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の第１誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、第１誘電体層１１１の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0037】

内部電極１２１、１２２は、第１誘電体層１１１と交互に配置されることができ、例えば、互いに異なる極性を有する一対の電極である第１内部電極１２１と第２内部電極１２２とが第１誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように配置されることができる。複数の第１内部電極１２１及び複数の第２内部電極１２２は、その間に配置された第１誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。

【0038】

内部電極１２１、１２２は、本体１１０の第５面５及び第６面６と離隔して配置され、第３面３又は第４４と連結されるように配置されることができる。例えば、複数の第１内部電極１２１は、それぞれ第４面４、第５面５、第６面６と離隔し、第３面３と連結されるように配置されることができる。また、複数の第２内部電極１２２は、それぞれ第３面３、第５面５及び第６面６と離隔し、第４面４と連結されるように配置されることができる。

【0039】

内部電極１２１、１２２に含まれる導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上であってもよいが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【0040】

内部電極１２１、１２２は、セラミックグリーンシート上に所定の厚さで導電性金属を含む内部電極用導電性ペーストを塗布し焼成することにより形成されることができる。また、容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２は、上記内部電極用導電性ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを積層して焼成することにより形成されることができる。内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【0041】

内部電極１２１、１２２の平均厚さは特に限定する必要はない。このとき、内部電極１２１、１２２の厚さは、内部電極１２１、１２２の第１方向のサイズを意味することができる。一方、上述したように、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００の場合、複数の容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２の間に配置される中間層１４０を含んで高い強度を有することにより、内部電極１２１、１２２の厚さが薄い場合でも、クラックの発生を防止して信頼性を向上させることができる。これにより、内部電極１２１、１２２の平均厚さは０．４μｍ以下であることができ、この場合、本発明によるクラック防止及び信頼性の向上効果が顕著となることができる。

【0042】

ここで、内部電極１２１、１２２の平均厚さは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの内部電極１２１、１２２の多数の地点、例えば、第２方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２で指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0043】

本体１１０は、上記第１方向を基準に最外郭に配置される内部電極１２１、１２２上に配置されるカバー部１１３、１１４を含むことができる。例えば、カバー部１１３、１１４は、上記第１方向を基準に最上部に配置された内部電極１２１、１２２上に配置される第１カバー部１１３及び最下部に配置された内部電極１２１、１２２上に配置される第２カバー部１１４を含むことができ、カバー部１１３、１１４は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。カバー部１１３、１１４は、内部電極を含まないことを除いては、第１誘電体層１１１と同じ構成を有することができ、後述するように第２誘電体層１１２と同じ構成を有することもできる。

【0044】

カバー部１１３、１１４の平均厚さｔ２は特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化のために、カバー部１１３、１１４の平均厚さｔ２は２０μｍ以下であってもよい。上述したように、カバー部１１３、１１４の平均厚さｔ２が２０μｍ以下の場合であっても、容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２の間に中間層１４０を配置すると、クラックの発生を防止して信頼性を向上させることができる。ここで、カバー部１１３、１１４の平均厚さｔ２は、第１カバー部１１３及び第２カバー部１１４のそれぞれの平均厚さを意味する。

【0045】

カバー部１１３、１１４の平均厚さｔ２は、カバー部１１３、１１４の第１方向への平均サイズを意味することができ、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面において等間隔である５個の地点で測定した第１方向のサイズを平均した値であることができる。

【0046】

容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２は、第１誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２の上記第３方向の両端面上に配置されたマージン部１１５、１１６を含むことができる。すなわち、マージン部１１５、１１６は、本体１１０を第１方向及び第３方向に切断した断面において内部電極１２１、１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。このとき、マージン部１１５、１１６は、本体１１０の第５面５と連結される第１マージン部１１５及び本体１１０の第６面６と連結される第２マージン部１１６を含むことができる。

【0047】

マージン部１１５、１１６は、内部電極１２１、１２２を含まないことを除いては、容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２の第１誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。

【0048】

マージン部１１５、１１６は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0049】

マージン部１１５、１１６は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成される箇所を除き、内部電極用導電性ペーストを塗布し焼成することにより形成されたものであってもよい。

【0050】

マージン部１１５、１１６の平均厚さは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化のために、マージン部１１５、１１６の平均厚さは２０μｍ以下であってもよい。上述したように、マージン部１１５、１１６の平均厚さが２０μｍ以下の場合であっても、容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２の間に中間層１４０を配置すると、クラックの発生を防止して信頼性を向上させることができる。ここで、マージン部１１５、１１６の平均厚さは、第１マージン部１１５及び第２マージン部１１６のそれぞれの平均厚さを意味する。

【0051】

マージン部１１５、１１６の平均厚さは、マージン部１１５、１１６の第３方向の平均サイズを意味することができ、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面において、等間隔である５個の地点で測定した第３方向のサイズを平均した値であることができる。

【0052】

外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されて第１面１、第２面２、第５面５及び第６面６のそれぞれの一部まで延びることができる。外部電極１３１、１３２は、複数の第１内部電極１２１及び複数の第２内部電極１２２とそれぞれ連結された第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。

【0053】

外部電極１３１、１３２は、金属などのような、電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を用いて形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに、多層構造を有してもよい。例えば、外部電極１３１、１３２は導電性金属を含むことができ、外部電極１３１、１３２に含まれる導電性金属としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）及び／又はこれらを含む合金などが挙げられる。

【0054】

外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されて内部電極１２１、１２２と連結される第１電極層１３１ａ、１３２ａ、及び第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置される第２電極層１３２ａ、１３２ｂを含むことができる。

【0055】

第１電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０の第３面３及び第４面４を導電性金属及びガラスを含む外部電極用導電性ペーストにディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）した後、焼成することにより形成されることができる。あるいは、導電性金属及びガラスを含むシートを転写する方式で形成されることもできる。したがって、第１電極層１３１ａ、１３２ａは、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であってもよい。

【0056】

また、第１電極層１３１ａ、１３１ｂは、例えば、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。第１電極層１３１ａ、１３１ｂは、導電性金属及び樹脂を含むペーストを塗布及び硬化する方法で形成されることができる。

【0057】

第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれる導電性金属としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）及び／又はこれらを含む合金などが挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【0058】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは実装特性を向上させることができる。第２電極層１３１ｂ、１３２ｂの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及び／又はこれらを含む合金などを含むめっき層であってもよく、複数の層で形成されてもよい。第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、例えば、ニッケル（Ｎｉ）めっき層又は錫（Ｓｎ）めっき層であってもよく、ニッケル（Ｎｉ）めっき層及び錫（Ｓｎ）めっき層が順次に形成された形態であってもよい。また、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、複数のニッケル（Ｎｉ）めっき層及び／又は複数の錫（Ｓｎ）めっき層を含むこともできる。

【0059】

図面では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、これに限定されるものではなく、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

【0060】

本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、複数の容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２の間に配置され、第２誘電体層１１２を含み、本体１１０の第３面３、第４面４、第５面５、第６面６と連結される中間層１４０を含み、第２誘電体層１１２はグラフェンを含む。

【0061】

図１７はグラフェンの構造式である。図１７を参照すると、グラフェンは炭素原子からなっており、原子１つの厚さからなる薄い膜状である。すなわち、グラフェンは２次元の板状構造を有する。グラフェンは約０．２ｎｍの厚さで物理的、化学的安定性が非常に高く、銅よりも伝導度が１００倍以上大きく、機械的強度も鋼より２００倍以上強いことが知られている。

【0062】

したがって、第２誘電体層１１２がグラフェンを含むことにより、中間層１４０は、第１誘電体層１１１に比べて高い強度及び破壊靭性（Ｆｒａｃｔｕｒｅ ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有することができ、これにより、積層型電子部品１００への電圧印加時に発生する応力による電歪クラックの発生を防止することができる。

【0063】

また、第２誘電体層１１２がグラフェンを含むことにより、中間層１４０は、従来のバッファ用セラミック層に比べて薄い厚さを有しても、高い強度及び破壊靭性を有するため、従来に比べて中間層１４０の厚さを薄く形成することができるため、中間層１４０による積層型電子部品１００の容量低下を最小化することができる。

【0064】

また、積層型電子部品の外部を構成するカバー部１１３、１１４、マージン部１１５、１１６、又は後述するサイドマージン部Ｍ１、Ｍ２にグラフェンが含まれる場合と異なり、中間層１４０は、隣接する容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２の間、すなわち本体１１０の内部に配置されることで、高温環境でもグラフェンが酸化、燃焼及び破壊されることを防止することができる。これにより、積層型電子部品の強度及び信頼性をより効果的に改善することができる。

【0065】

第２誘電体層１１２は、チタン酸バリウム系（ＢａＴｉＯ_３）系主成分及びグラフェンが添加されたセラミックグリーンシートを焼成することにより形成することができる。上記グラフェンを含むセラミックグリーンシートは、例えば、セラミック粉末、有機溶剤、グラフェンを含む添加剤及びバインダーを含むセラミックスラリーを製造し、上記スラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥することにより形成することができる。あるいは、上記バインダーにグラフェンを混合し、これをボールミリング（Ｂａｌｌ－ｍｉｌｌｉｎｇ）してグラフェンを上記バインダーに予め分散させた後、上記グラフェンが分散したバインダーと、セラミック粉末、有機溶剤及び添加剤などを混合してセラミックスラリーを製造し、これを用いてセラミックグリーンシートを形成することもできる。但し、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、グラフェン粉末が混合されたセラミック粉末を用いて上記セラミックグリーンシートを形成することもできる。第２誘電体層１１２は、グラフェンを含むことを除いては、第１誘電体層１１１と同じ構成を有することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

【0066】

中間層１４０は、上記グラフェンが添加されたセラミックグリーンシートを一つ以上積層し焼成することにより形成されることができる。すなわち、中間層１４０は、内部電極用導電性ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを積層する過程に、別途作製されたグラフェンを含むセラミックグリーンシートを一つ以上積層する過程を挿入することにより、隣接する容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２の間に配置され、第２誘電体層１１２を含む中間層１４０を形成することができる。

【0067】

より具体的に、一つ以上のセラミックグリーンシートを積層して第２カバー部１１４を積層し、内部電極用導電性ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを複数個積層して第２容量形成部Ａｃ２を積層した後、グラフェンを含むセラミックグリーンシートを一つ以上積層して中間層１４０を積層することができる。その後、内部電極用導電性ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを複数個積層して第２容量形成部Ａｃ１を積層し、セラミックグリーンシートを積層して第１カバー部１１３を積層することで積層体を設けることができる。このとき、上記グラフェンを含むセラミックグリーンシートのうち、上記第１方向を基準に最上部に積層されたセラミックグリーンシート上には、内部電極用導電性ペーストが塗布されていてもよい。これにより、第１容量形成部Ａｃ１の最下部に配置された内部電極と第２容量形成部Ａｃ２の最上部に配置された内部電極との間には、第２誘電体層からなる中間層１４０が形成されることができる。

【0068】

但し、本発明はこれに限定されるものではなく、製造工程をより簡単にするために、中間層１４０を形成する複数のセラミックグリーンシートのうち、第１方向を基準に最上部に積層されたセラミックグリーンシートはグラフェンを含まず、内部電極用導電性ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートであってもよい。これにより、中間層１４０は第１誘電体層１１１を１つ含むこともできる。

【0069】

本発明の一実施形態によると、第１誘電体層１１１はグラフェンを含まないか、又は第２誘電体層１１２に含まれたグラフェンの含量より少ない含量のグラフェンを含む。

【0070】

グラフェンは様々な利点を有する物質ではあるが、積層型電子部品１００の電気的特性と直接に関連した第１誘電体層１１１に含まれる場合、第１誘電体層の結晶粒の粒径が不均衡になったり、焼結駆動を抑制して積層型電子部品１００の強度の不均衡を招いたりすることがある。

【0071】

また、第１誘電体層１１１にグラフェンが含まれる場合、誘電率の向上などの一部有利な効果があり得るが、グラフェンの低い分散性により全てのグラフェンの位置を制御することは難しいため、積層型電子部品１００の耐湿信頼性や破壊電圧などが劣化するという問題点が発生することがある。

【0072】

したがって、本発明の一実施形態による積層型電子部品の場合、第１誘電体層１１１がグラフェンを含まないか、又は第２誘電体層１１２に含まれたグラフェンの含量より少ない含量のグラフェンを含むことにより、耐湿信頼性及び破壊電圧が劣化するという問題点を防止することができる。

【0073】

すなわち、上記耐湿信頼性及び破壊電圧が劣化する問題点を防止するために、第１誘電体層１１１がグラフェンを含まないことが好ましいが、本発明はこれに限定されるものではなく、第１誘電体層１１１の誘電率の向上のために、第２誘電体層１１２に含まれたグラフェンの含量より少ない含量のグラフェンを含むこともできる。

【0074】

一方、第２誘電体層１１２に含まれたグラフェンの含量は、目標強度、積層型電子部品のサイズ、積層数を考慮して設定することができ、特に限定する必要はない。

【0075】

但し、第２誘電体層１１２に含まれたチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系主成分１００重量部に対して第２誘電体層１１２に含まれたグラフェンの含量は、０．１重量部～１．０重量部であることができる。

【0076】

第２誘電体層１１２に含まれたグラフェンの含量が主成分１００重量部に対して０．１重量部未満である場合、積層型電子部品の強度の上昇効果が不十分である可能性があり、主成分１００重量部に対して１．０重量部を超える場合、グラフェンの分散性が悪化し、粘度が上昇してグラフェンが均一に分布されにくいという問題点が発生する可能性がある。

【0077】

第１誘電体層１１１がグラフェンを含む場合、第１誘電体層１１１に含まれたグラフェンの含量は、第２誘電体層１１２に含まれたグラフェンの含量より少なければよく、その含量を特に限定する必要はない。例えば、第１誘電体層１１１に含まれたグラフェンの含量は、主成分１００重量部に対して１．０重量部未満であってもよい。

【0078】

第２誘電体層１１２に含まれたグラフェンの長さは、目標強度、後述する第２誘電体層１１２の結晶粒の平均粒径などを考慮して決定することができ、特に限定する必要はない。

【0079】

但し、第２誘電体層１１２に含まれたグラフェンは、長軸の長さが０．３μｍ～１０μｍであることができる。上記範囲を満たす場合、上記グラフェンが第２誘電体層１１２に含まれた複数の結晶粒を適切なレベルで覆って存在することができる。これにより、積層型電子部品に発生する電歪クラックの発生を防止し、積層型電子部品の強度及び信頼性をさらに効果的に改善することができる。

【0080】

第２誘電体層１１２に含まれるグラフェンの種類は特に限定する必要はない。すなわち、上記グラフェンは様々な形態のグラフェンを含むことができる。例えば、上記グラフェンは、多層グラフェン（Ｆｅｗ Ｌａｙｅｒ Ｇｒａｐｈｅｎｅ）、ナノグラフェン板状体（Ｎａｎｏｓｉｚｅｄ Ｇｒａｐｈｅｎｅ Ｐｌａｔｅ）、及びグラフェンナノリボン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ Ｎａｎｏｒｉｂｂｏｎ）など、様々な形態のグラフェンを含むことができる。

【0081】

また、上記グラフェンは、ボールミリング（Ｂａｌｌ－Ｍｉｌｉｎｇ）工程により形成されたグラフェンフレーク（Ｇｒａｐｈｅｎｅ Ｆｌａｋｅ）及び化学気相蒸着法（ＣＶＤ）により形成されたＣＶＤグラフェンなど、様々な工程により形成されたグラフェンを含むことができる。

【0082】

また、上記グラフェンは、９９ａｔ％以上の炭素原子からなる純粋グラフェン（Ｐｒｉｓｔｉｎｅ Ｇｒａｐｈｅｎｅ）、１ａｔ％以上２０ａｔ％以下の酸素原子を含む酸化グラフェン（ＧＯ；Ｇｒａｐｈｅｎｅ Ｏｘｉｄｅ）及び還元されたグラフェン酸化物（ＲＧＯ；Ｒｅｄｕｃｅｄ Ｇｒａｐｈｅｎｅ Ｏｘｉｄｅ）のうち一つ以上を含むことができるが、本発明はこれらに限定されるものではなく、水素（Ｈ）、窒素（Ｎ）、ホウ素（Ｂ）、フルオリン（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、ブロミン（Ｂｒ）及びヨウ素（Ｉ）など、様々な非炭素原子を含むグラフェンを含むこともできる。

【0083】

一実施形態において、中間層１４０の平均厚さｔ１は、カバー部１１４、１１５の平均厚さｔ２より薄く、第１誘電体層１１１の平均厚さｔ３より厚いことができる（ｔ３＜ｔ１＜ｔ２）。上記条件を満たすことにより、積層型電子部品の容量が過度に低下することなく、積層型電子部品の強度を効果的に改善することができる。

【0084】

中間層１４０の平均厚さｔ１がカバー部１１４、１１５の平均厚さｔ２より厚い場合、積層型電子部品の容量が過度に低下する可能性がある。また、中間層１４０の平均厚さｔ１が第１誘電体層１１１の平均厚さｔ３より薄い場合、積層型電子部品の強度の改善効果が僅かである可能性がある。

【0085】

積層型電子部品の容量が過度に低下する問題点を防止するために、カバー部１１４、１１５の平均厚さｔ２に対する中間層１４０の平均厚さｔ１の比率ｔ１／ｔ２は、例えば、０．８以下であってもよい。上記ｔ１／ｔ２比率の下限は、特に限定する必要はないが、例えば０．０１以上であってもよい。

【0086】

また、積層型電子部品の強度を効果的に改善するために、第１誘電体層１１１の平均厚さｔ３に対する中間層１４０の平均厚さｔ１の比率ｔ１／ｔ３は、例えば７以上であってもよい。上記ｔ１／ｔ３比率の上限は特に限定する必要はないが、例えば１００以下であってもよい。

【0087】

中間層１４０の平均厚さｔ１は、中間層１４０の第１方向の平均サイズを意味することができる。中間層１４０の厚さは、中間層１４０と最も隣接した２つの内部電極１２１、１２２の間の第１方向の距離を意味することができる。また、中間層１４０の平均厚さｔ１は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で測定した本体１１０の第１方向及び第２方向の断面において等間隔である５個の地点で測定した第１方向のサイズを平均した値であることができる。一方、中間層１４０が複数個配置される場合、複数個の中間層１４０のそれぞれの平均厚さを意味することができる。

【0088】

図５は、図２のＫ１領域の拡大図であり、図６は、図２のＫ２領域の拡大図である。

【0089】

一実施形態において、第１誘電体層１１１及び第２誘電体層１１１、１１２は、複数の結晶粒１１ａ、１２ａ及び隣接する結晶粒の間に形成された結晶粒界１１ｂ、１２ｂを含み、第２誘電体層１１２に含まれたグラフェン１２ｃは、第２誘電体層１１２の結晶粒界１２ｂに配置されることができる。また、第２誘電体層１１２に含まれた複数のグラフェン１２ｃのうち少なくとも一つは、一面が第２誘電体層１１２に含まれた複数の結晶粒１２ａのうち少なくとも２以上の結晶粒１２ａの表面に沿って配置されることができる。

【0090】

第２誘電体層１１２に含まれたグラフェン１２ｃは、第２誘電体層１１２の結晶粒界１２ｂに配置され、第２誘電体層１１２に含まれた複数の結晶粒１２ａのうち少なくとも２以上の結晶粒１２ａの表面に沿って配置されることによって、グラフェン１２ｃは、第２誘電体層１１２に含まれた複数の結晶粒１２ａを適切なレベルで覆って存在することができる。

【0091】

これにより、積層型電子部品に加わる応力を効果的に分散して電歪クラック等を防止し、積層型電子部品の強度及び信頼性をさらに効果的に改善することができる。

【0092】

一実施形態において、第２誘電体層１１２の結晶粒１２ａの平均粒径Ｄ２は、第１誘電体層の結晶粒１１ａの平均粒径Ｄ１より小さくてもよい（Ｄ２＜Ｄ１）。また、第１誘電体層１１１の平均粒径Ｄ１及び第２誘電体層１１２の平均粒径Ｄ２は、０＜（Ｄ１－Ｄ２）／Ｄ１≦０．３を満たすことができる。

【0093】

このような結晶粒の平均粒径の差は、第２誘電体層１１２に含まれたグラフェン１２ｃによるものであり、第２誘電体層１１２は第１誘電体層１１１より平均粒径が小さくて高靭性を有することができる。これにより、電歪クラックを効果的に防止し、積層型電子部品の強度及び信頼性を向上させることができる。

【0094】

第１誘電体層１１１の結晶粒１１ａの平均粒径Ｄ１及び第２誘電体層１１２の結晶粒１２ａの平均粒径Ｄ２は、結晶粒の結晶粒界の或る地点から他の地点に直線を引いたとき、最大値を有する線を長軸、上記長軸に直交する直線のうち最大値を有するものを短軸とし、上記長軸と短軸の平均値を結晶粒のサイズとすることができる。また、５００個以上の結晶粒のサイズを平均した値を結晶粒の平均粒径とすることができる。

【0095】

また、結晶粒１１ａ、１２ａの平均粒径Ｄ１、Ｄ２は、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして得られた画像イメージから測定することができる。このとき、倍率は結晶粒のサイズに応じて異ならせることができ、５００個以上の結晶粒のサイズが測定可能になるように倍率を調節することができる。但し、一つの画像イメージに５００個以上の結晶粒が含まれるように倍率を調節して測定する必要はなく、複数の画像イメージに含まれた結晶粒の総個数が５００個以上になるように倍率を調節し、複数の画像イメージから測定することができる。

【0096】

一実施形態において、第２誘電体層１１２は、ラマン（Ｒａｍａｎ）分析時にＤバンド（Ｄ－ｂａｎｄ）及びＧバンド（Ｇ－ｂａｎｄ）でピーク（ｐｅａｋ）が検出されることができる。より具体的に、第２誘電体層１１２は、ラマン分析時にＧバンドで検出されたピークの強度が、Ｄバンドで検出されたピークの強度より高いことができる。また、第２誘電体層１１２は、ラマン分析時に２Ｄバンドでもピークが検出されることができる。

【0097】

ここで、上記Ｄバンドは、ラマンスペクトル分析において１３００～１４００ｃｍ^－１で検出され、上記Ｇバンドは、ラマンスペクトル分析において１５００～１６００ｃｍ^－１で検出され、２Ｄバンドは、ラマンスペクトル分析において２６００～２８００ｃｍ^－１で検出されることができる。

【0098】

Ｇバンドで現れるピークは黒鉛系物質から共通して発見されるピークを示すことができ、Ｄバンドで現れるピークは結晶内の欠陥によるピークを示すことができる。Ｄバンドで現れるピークの強度が高いほど、グラフェン内に欠陥が多く存在することを意味することができる。２Ｄバンドは、１３００～１４００ｃｍ^－１のエネルギーを有するフォノンによる非弾性散乱が２回連続して発生した場合に現れることができる。特に、多層構造を有するグラフェンの場合、様々な散乱が発生し、これにより２Ｄバンドで検出されるピークの強度が増加することができる。すなわち、２Ｄバンドで現れるピークの強度が高いほどグラフェンの層数が高いことを意味することができる。

【0099】

一般的に、グラフェンはエッジ（ｅｄｇｅ）に存在するｓｐ^３欠陥によりＤバンド及びＧバンドでピークが検出され、グラフェンの他の炭素同素体であるグラファイトはＧバンドでのみピークが検出され、Ｄバンドではピークが検出されない。

【0100】

したがって、ラマン分析法によりグラフェンの存在の有無及び他の炭素同素体との区別が可能であり、第２誘電体層１１２のラマン分析時にＧバンド及びＤバンドでピークが検出されるいうのは、第２誘電体層１１２にグラフェンが含まれていることを意味することができる。

【0101】

一実施形態において、第１誘電体層１１１は、ラマン分析時にＤバンド及びＧバンドで同時にピークが検出されないか、又は第２誘電体層１１２で検出されたＤバンド及びＧバンドのピークより低い強度のＤバンド及びＧバンドのピークが検出されることがある。

【0102】

第１誘電体層１１１のラマン分析時にＤバンド及びＧバンドで同時にピークが検出されないというのは、第１誘電体層１１１がグラフェンを含まないことを意味することができる。

【0103】

また、第１誘電体層１１１のラマン分析時に第２誘電体層１１２で検出されたＤバンド及びＧバンドのピークより低い強度のＤバンド及びＧバンドのピークが検出されるというのは、第１誘電体層１１１が第２誘電体層１１２に含まれたグラフェンの含量より少ない含量のグラフェンを含むことを意味することができる。

【0104】

上述したように、グラフェンが第１誘電体層１１１に直接に含まれる場合、積層型電子部品の強度の不均衡を招くことがあり、耐湿信頼性や破壊電圧などが劣化するという問題点が発生する可能性がある。

【0105】

したがって、第１誘電体層１１１のラマン分析時にＤバンド及びＧバンドで同時にピークが検出されないことが好ましいが、本発明はこれに限定されるものではなく、誘電率の向上のために第１誘電体層１１１が第２誘電体層１１２に含まれたグラフェンの含量より少ない含量のグラフェンを含む場合、第１誘電体層１１１のラマン分析時に第２誘電体層１１２で検出されたＤバンド及びＧバンドのピークより低い強度のＤバンド及びＧバンドのピークが検出されることもある。

【0106】

一実施形態において、第２誘電体層１１２は、上記Ｇバンドで検出されたピークの強度に対する上記Ｄバンドで検出されたピークの強度比率が０．０３～０．５であることができる。

【0107】

このとき、上記Ｇバンドで検出されたピークの強度に対する上記Ｄバンドで検出されたピークの強度比率は、グラフェンの品質を示すものであり、上記比率が低いほどグラフェン内に欠陥が少なく、上記比率が高いほどグラフェン内に欠陥が多いことを意味することができる。

【0108】

第２誘電体層１１２は、上記比率を満たす欠陥の少ないグラフェン、例えば、炭素原子の比率が９０ａｔ％以上であるグラフェンを含むことにより、積層型電子部品の強度及び信頼性を向上させることができる。第２誘電体層１１２に含まれたグラフェンが上記比率から外れた場合、高温環境で上記グラフェンが酸化、燃焼、及び破壊されることがある。

【0109】

図７は、図２の変形例を示すものである。図７を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００の本体２１０は、中間層１４０を複数個含み、複数個の中間層１４０は互いに離隔して配置されることができる。

【0110】

図７では、３つの容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２、Ａｃ３及び隣接する容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２、Ａｃ３の間に配置される中間層１４０を２つ含む本体２１０を示しているが、本発明はこれに制限されるものではない。例えば、本体２１０は互いに離隔して配置された中間層１４０を３つ以上含むことができ、中間層１４０の個数の上限は特に制限されるものではないが、例えば、１０個以下であってもよい。

【0111】

本発明の一実施形態による積層型電子部品２００の場合、中間層１４０が複数個配置されることにより、本体２１０の内部において強度が脆弱な各領域に中間層１４０が配置されることができ、積層型電子部品の強度及び信頼性をより効果的に改善することができる。

【0112】

図８は、本発明の一実施形態による積層型電子部品３００の斜視図を概略的に示すものであり、図９は、図８のＩＩＩ－ＩＩＩ'線に沿った断面図であり、図１０は、図８のＩＶ－ＩＶ'線に沿った断面図である。

【0113】

図８～図１０を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品３００の本体３１０は、上記第１方向を基準に最外郭に配置される内部電極１２１、１２２上に配置されるカバー部３１３、３１４を含み、カバー部３１３、３１４はグラフェンを含むことができる。積層型電子部品３００の外部を構成するカバー部３１３、３１４がグラフェンを含むことにより、積層型電子部品に上記第１方向に加わる応力を効果的に分散させ、積層型電子部品の強度及び信頼性をより効果的に改善することができる。

【0114】

カバー部３１３、３１４は、例えば、上記第１方向を基準に最外郭に配置される内部電極１２１、１２２上に第２誘電体層１１２を複数個積層して形成することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

【0115】

一実施形態において、カバー部３１３、３１４は、ラマン分析時にＤバンド及びＧバンドでピークが検出されることができる。

【0116】

上述したように、カバー部３１３、３１４のラマン分析時にＧバンド及びＤバンドでピークが検出されるというのは、カバー部３１３、３１４にグラフェンが含まれていることを意味することができる。

【0117】

図１１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品４００の斜視図を概略的に示すものであり、図１２は、図１１の本体及びサイドマージン部を分解して概略的に示す分解斜視図であり、図１３は、図１１のＶ－Ｖ'線に沿った断面図である。

【0118】

本発明の一実施形態による積層型電子部品４００の本体４１０は、本体４１０の第５面５及び第６面６と連結されるように配置され、第３面３又は第４面４と連結されるように配置される内部電極４２１、４２２を含むことができる。

【0119】

より具体的に、内部電極４２１、４２２は、本体４１０の第３面３、第５面５及び第６面６と連結されるように配置され、第４面４と離隔するように配置される第１内部電極４２１を含み、本体４１０の第４面４、第５面５、第６面６と連結されるように配置され、第３面３と離隔するように配置される内部電極４２２を含むことができる。

【0120】

本発明の一実施形態による積層型電子部品４００は、本体４１０の第５面５及び第６面６に配置されるサイドマージン部Ｍ１、Ｍ２を含むことができる。より具体的に、サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２は、本体４１０の第５面５に配置される第１サイドマージン部Ｍ１、及び本体４１０の第６面６に配置される第２サイドマージン部Ｍ２を含むことができる。

【0121】

すなわち、内部電極４２１、４２２は、本体４１０の第５面５及び第６面６においてサイドマージン部Ｍ１、Ｍ２と連結されることができ、本体４１０の第３面３、第４面４、第５面５、第６面６と連結される中間層１４０は、本体４１０の第５面５及び第６面６においてサイドマージン部Ｍ１、Ｍ２と連結されることができる。

【0122】

サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２は、内部電極４２１、４２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極４２１、４２２が本体４１０の第５面５及び第６面６と連結されるように切断した後、本体４１０の第５面５及び第６面６に第１誘電体層１１１又は第２誘電体層１１２を積層して形成することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

【0123】

サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２の平均厚さは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品４００の小型化及び高容量化のために、サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２の平均厚さは２０μｍ以下であってもよい。サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２の平均厚さが２０μｍ以下の場合であっても、容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２の間に中間層１４０を配置すると、クラックの発生を防止し、積層型電子部品の信頼性を向上させることができる。サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２の平均厚さとは、第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部のそれぞれの平均厚さを意味することができる。

【0124】

サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２の平均厚さは、サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２の第３方向の平均サイズを意味することができ、積層型電子部品４００の第１方向及び第３方向の断面において、等間隔である５個の地点で測定した第３方向のサイズを平均した値であることができる。

【0125】

一実施形態において、本体４１０の第１方向の中央部領域に対応する上記第１サイドマージン部領域又は第２サイドマージン部領域の厚さｔｍ１に対して第１方向を基準に最外郭に配置される内部電極４２１、４２２の末端と接する第１サイドマージン部領域又は第２サイドマージン領域の厚さｔｍ２の比率は１．０以下であってもよい。

【0126】

本体４１０の第１方向の中央部領域に対応する上記第１サイドマージン部領域又は第２サイドマージン部領域の厚さｔｍ１に対して第１方向を基準に最外郭に配置される内部電極４２１、４２２の末端と接する第１サイドマージン部領域又は第２サイドマージン部領域の厚さｔｍ２の比率の下限値は特に制限されるものではないが、０．９以上であることが好ましい。

【0127】

従来は、サイドマージン部を、セラミックスラリーを塗布又は印刷する方式で形成したため、サイドマージン部の位置別厚さのばらつきが激しかった。具体的に、従来の場合には、本体の第１方向の中央部領域に対応する第１又は第２サイドマージン部領域の厚さが他の領域の厚さに比べて厚く形成されていた。

【0128】

例えば、従来の場合、本体の第１方向の中央部領域に対応する第１サイドマージン部領域又は第２サイドマージン部領域の厚さに対して第１方向を基準に最外郭に配置される内部電極の末端と接する第１又サイドマージン部領域は第２サイドマージン部領域の厚さの比率は０．９未満程度であって、そのばらつきが大きい。

【0129】

このようにサイドマージン部の位置別厚さのばらつきが大きい従来の場合、同一サイズの積層型電子部品において、サイドマージン部が占める部分が大きいため、容量形成部のサイズを大きく確保することができず、高容量の確保に困難がある。

【0130】

これに対し、本発明の一実施形態によると、本体４１０の第１方向の中央部領域に対応する上記第１サイドマージン部領域又は第２サイドマージン部領域の厚さｔｍ１に対して第１方向を基準に最外郭に配置される内部電極４２１、４２２の末端と接する上記第１サイドマージン部領域又は第２サイドマージン部領域の厚さｔｍ２の比率は０．９以上１．０以下であるため、第１サイドマージン部Ｍ１及び第２サイドマージン部Ｍ２の第１方向のサイズを小さく形成して容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２のサイズを大きく確保することができる。

【0131】

一方、本体４１０の第１方向の中央部領域に対応する第１サイドマージン部領域又は第２サイドマージン部領域の厚さｔｍ１に対して本体４１０の角と接する上記第１サイドマージン部領域又は第２サイドマージン部領域の厚さｔｍ３の比率は１．０以下であってもよい。

【0132】

本体の第１方向の中央部領域に対応する上記第１サイドマージン部領域又は第２サイドマージン部領域の厚さｔｍ１に対して上記本体４１０の角と接する上記第１サイドマージン部領域又は第２サイドマージン部領域の厚さｔｍ３の比率の下限値は特に制限されるものではないが、０．９以上であることが好ましい。

【0133】

上記の特徴により、サイドマージン部の領域別厚さのばらつきが少なく、容量形成部のサイズを大きく確保することができ、これにより高容量積層型電子部品の実現が可能である。

【0134】

一実施形態において、サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２はグラフェンをさらに含むことができる。積層型電子部品４００の外部を構成するサイドマージン部Ｍ１、Ｍ２がグラフェンを含むことにより、積層型電子部品に上記第３方向に加わる応力を効果的に分散させ、積層型電子部品の強度及び信頼性を改善することができる。

【0135】

サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２は、第２誘電体層１１２を積層して形成されることによりグラフェンを含むことができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

【0136】

一実施形態において、サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２は、ラマン分析時にＤバンド及びＧバンドでピークが検出されることができる。

【0137】

上述したように、サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２のラマン分析時にＧバンド及びＤバンドでピークが検出されるというのは、サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２にグラフェンが含まれていることを意味することができる。

【0138】

図１４は、図１１の変形例を示すものであり、図１５は、図１４の本体及びサイドマージン部を分解して概略的に示す分解斜視図であり、図１６は、図１４のＶＩ－ＶＩ'線に沿った断面図である。

【0139】

図１４～図１６に示すように、本発明の一実施形態による積層型電子部品５００の本体５１０は、グラフェンを含むカバー部５１３、５１４を含むことができる。

【0140】

積層型電子部品５００の外部を構成するカバー部５１３、５１４及びサイドマージン部Ｍ１、Ｍ２がグラフェンを含むことにより、積層型電子部品に上記第１方向及び第３方向に加わる応力を効果的に分散させ、積層型電子部品の強度及び信頼性をさらに効果的に改善することができる。

【0141】

一実施形態において、サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２及びカバー部５１３、５１４は、ラマン分析時にＤバンド及びＧバンドでピークが検出されることができる。

【0142】

上述したように、サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２及びカバー部５１３、５１４のラマン分析時にＧバンド及びＤバンドでピークが検出されるというのは、サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２及びカバー部５１３、５１４にグラフェンが含まれていることを意味することができる。

【0143】

以下、本発明の一実施形態による積層型電子部品について詳細に説明する。但し、本発明の一実施形態による積層型電子部品は、上述した本発明の他の一実施形態と同様の構成を有することができる。したがって、上述した説明と重複する内容は省略する。

【0144】

図１～図４を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、第１方向に交互に配置される第１誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む複数の容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２、並びに隣接する容量形成部Ａｃ１、Ａｃ２の間に配置され、第２誘電体層１１２を含む中間層１４０を含み、上記第１方向に対向する第１面１及び第２面２、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３面３及び第４面４、上記第１面から第４面と連結され、上記第３方向に対向する第５面５及び第６面６を含む本体１１０と、上記本体上に配置され、上記内部電極と連結される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記第２誘電体層はグラフェンを含み、上記中間層の平均厚さをｔ１、上記第１誘電体層の平均厚さをｔ３とするとき、ｔ３＜ｔ１を満たすことができる。

【0145】

上述のように、第２誘電体層１１２がグラフェンを含むことにより、中間層１４０は、第１誘電体層１１１に比べて高い強度及び破壊靭性（Ｆｒａｃｔｕｒｅ ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有することができ、そのような強度及び破壊靭性の向上効果はｔ３＜ｔ１を満たすことにより、さらに顕著となることができる。これにより、積層型電子部品１００への電圧印加時に発生する応力による電歪クラックの発生を防止することができる。

【0146】

一実施形態において、カバー部１１４、１１５の平均厚さｔ２をｔ２とするとき、ｔ３＜ｔ１＜ｔ２を満たすことができる。上述したように、中間層１４０の平均厚さｔ１がカバー部１１４、１１５の平均厚さｔ２より厚い場合、積層型電子部品の容量が過度に低下する可能性がある。

【0147】

図７を参照すると、一実施形態において、積層型電子部品２２０の本体２１０は中間層１４０を複数個含み、複数個の中間層１４０は互いに離隔して配置されることができる。

【0148】

上述したように、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００の場合、中間層１４０が複数個配置されることにより、本体２１０の内部において強度が脆弱な各領域に中間層１４０が配置されることができ、積層型電子部品の強度及び信頼性をより効果的に改善することができる。

【0149】

図８～図１０を参照すると、一実施形態において、カバー部３１３、３１４はグラフェンを含むことができる。

【0150】

上述したように、積層型電子部品３００の外部を構成するカバー部３１３、３１４がグラフェンを含むことにより、積層型電子部品に上記第１方向に加わる応力を効果的に分散させ、積層型電子部品の強度及び信頼性をより効果的に改善することができる。

【0151】

図１１～図１３を参照すると、一実施形態において、サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２はグラフェンをさらに含むことができる。積層型電子部品４００の外部を構成するサイドマージン部Ｍ１、Ｍ２がグラフェンを含むことにより、積層型電子部品に上記第３方向に加わる応力を効果的に分散させ、積層型電子部品の強度及び信頼性を改善することができる。

【0152】

図１４～図１６を参照すると、一実施形態において、サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２及びカバー部５１３、５１４はグラフェンを含むことができる。

【0153】

上述したように、積層型電子部品５００の外部を構成するカバー部５１３、５１４及びサイドマージン部Ｍ１、Ｍ２がグラフェンを含むことにより、積層型電子部品に上記第１方向及び第３方向に加わる応力を効果的に分散させ、積層型電子部品の強度及び信頼性をさらに効果的に改善することができる。

【0154】

（実験例）
＜第２誘電体層のラマン分析＞
まず、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）粉末を含むスラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥して複数個のセラミックグリーンシートを設けた。

【0155】

上記セラミックグリーンシート上に内部電極用導電性ペーストを塗布し、上記内部電極用導電性ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを複数回積層した後、焼成して第１誘電体層及び内部電極を含む本体を形成し、上記本体の外部に外部電極を形成してサンプルを製造した。

【0156】

このとき、別途作製されたグラフェンを含むセラミックグリーンシートを複数回積層し、内部電極用導電性ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを積層する過程に挿入することにより、隣接する容量形成部の間に配置され、第２誘電体層を含む中間層を形成した。

【0157】

その後、サンプルの第２方向への長さが半分である地点まで第２方向と垂直な方向にサンプルをポリシング（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）した後、サンプルの第２方向と垂直な断面に露出した第２誘電体層に対するラマン（Ｒａｍａｎ）分析を行った。ラマン分析は、レーザ波長：５３２ｎｍ、露出時間：１０秒、累積回数：３回、レーザパワー（ＮＤ ｆｉｌｔｅｒ）：５％、倍率：１００倍の条件で行った。

【0158】

図１８は、グラフェン（ｇｒａｐｈｅｎｅ）を含む第２誘電体層のラマン（Ｒａｍａｎ）分析結果を示すグラフである。

【0159】

図１８を参照すると、第２誘電体層に対するラマン分析時に１３００～１４００ｃｍ^－１でＤバンドのピークが検出されることが確認でき、１５００～１６００ｃｍ^－１でＧバンドのピークが検出されることが確認できる。また、第２誘電体層は、ラマン分析時に２６００～２８００ｃｍ^－１で２Ｄバンドのピークが検出されることが確認できる。これにより、第２誘電体層がグラフェンを含むことが確認できる。

【0160】

また、第２誘電体層は、ラマン分析時にＧバンドで検出されたピークの強度が、Ｄバンドで検出されたピークの強度より高いことを確認することができる。これにより、第２誘電体層は、欠陥の少ないグラフェン、例えば、炭素原子の比率が９０ａｔ％以上であるグラフェンを含むことが確認できる。

【0161】

＜曲げ強度の評価＞
本体の内部に第２誘電体層を含む中間層が配置された発明例、並びに第２誘電体層及び中間層を含まない比較例をそれぞれ３２個ずつ設けた。このとき、発明例の第２誘電体層には、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）１００重量部に対して０．５重量部のグラフェンを添加した。このとき、第２誘電体層の包含の有無を除いては、発明例及び比較例は同じ条件で製造され、発明例及び比較例は、焼成前の第１方向のサイズが１ｍｍ、第２方向のサイズが７ｍｍ、第３方向のサイズが１．８ｍｍのサイズで作製された。

【0162】

次に、発明例及び比較例に対する３点曲げ強度テストにより、それぞれの曲げ強度を測定した。上記曲げ強度テストは、ＴＩＲＡ社の万能材料試験機により評価し、試験片を支持する一対の支持台間の距離は５ｍｍに設定した。このとき、曲げ強度値とは、発明例及び比較例のそれぞれに第１方向と垂直な方向に力を加えたとき、試験片が破壊されるまで測定された応力のうち最大応力値を意味する。

【0163】

図１９は、発明例及び比較例の曲げ強度を測定して示すグラフである。図１９を参照すると、発明例は、比較例に比べて曲げ強度が優れていることが確認できる。これは、グラフェンを含む第２誘電体層が高い強度を有するためであり、これにより積層型電子部品の曲げ強度が改善できることを確認することができる。

【0164】

＜破壊靭性（Ｆｒａｃｔｕｒｅ ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）の評価＞
焼成温度（１１４０℃、１１５０℃、１１６０℃又は１１７０℃）に応じて本体の内部に第２誘電体層を含む中間層が配置された発明例、及び第２誘電体層を含まない比較例をそれぞれ２０個ずつ設けた。発明例の第２誘電体層には、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）１００重量部に対して０．２５重量部のグラフェンを添加し、第２誘電体層の包含の有無を除いては、発明例及び比較例は同じ条件及び同じサイズで製造された。

【0165】

次に、発明例及び比較例の破壊靭性（Ｆｒａｃｔｕｒｅ ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）を測定した。破壊靭性はビッカース（Ｖｉｃｋｅｒｓ）マイクロ圧入試験により測定し、発明例及び比較例のそれぞれの上面のうち第２方向及び第３方向への長さが半分である中央地点に１００ｇの荷重を加えたとき、上記圧入により形成されたクラックの長さによって破壊靭性を測定した。

【0166】

図２０は、発明例及び比較例の破壊靭性（Ｆｒａｃｔｕｒｅ ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）を測定して示すグラフである。より具体的に、焼成温度による発明例及び比較例の破壊靭性（Ｆｒａｃｔｕｒｅ ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）及び曲げ強度（Ｆｌｅｘｕｒａｌ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）を測定して示すグラフである。

【0167】

図２０を参照すると、発明例は、比較例に比べて破壊靭性が高いことが確認できる。これは、グラフェンを含む第２誘電体層が高い破壊靭性を有するためであり、これにより、グラフェンを含む第２誘電体層が積層型電子部品に発生したクラックの伝播を抑制できることが確認できる。

【0168】

本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当該技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。

【0169】

なお、「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態に説明された事項が他の一実施形態において説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明と理解することができる。

【符号の説明】

【0170】

１００、２００、３００、４００、５００：積層型電子部品
１１０、２１０、３１０、４１０、５１０：本体
１１１：第１誘電体層
１１２：第２誘電体層
１１３、１１４、３１３、３１４、５１３、５１４：カバー部
１１５、１１６：マージン部
１２１、１２２、４２１、４２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１３１ａ、１３２ａ：第１電極層
１３１ｂ、１３２ｂ：第２電極層
１４０：中間層
１１ａ、１２ａ：結晶粒
１１ｂ、１２ｂ：結晶粒界
１２ｃ：グラフェン
Ｍ１、Ｍ２：サイドマージン部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】