特開 2023-57390 半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023057390

(43)【公開日】2023-04-21

(54)【発明の名称】半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20230414BHJP

   H01L 21/301 20060101ALI20230414BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 601Z

H01L21/78 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021166900

(22)【出願日】2021-10-11

(71)【出願人】

【識別番号】000004260

【氏名又は名称】株式会社デンソー

(71)【出願人】

【識別番号】000003207

【氏名又は名称】トヨタ自動車株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】520124752

【氏名又は名称】株式会社ミライズテクノロジーズ

(71)【出願人】

【識別番号】000236436

【氏名又は名称】浜松ホトニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000110

【氏名又は名称】弁理士法人 快友国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】牛島 隆志

(72)【発明者】

【氏名】加藤 孝三

(72)【発明者】

【氏名】長里 喜隆

(72)【発明者】

【氏名】長屋 正武

(72)【発明者】

【氏名】星 真一

(72)【発明者】

【氏名】河口 大祐

(72)【発明者】

【氏名】原 佳祐

【テーマコード（参考）】

5F057

5F063

【Ｆターム（参考）】

5F057AA04

5F057BA15

5F057BB06

5F057BB09

5F057CA40

5F057DA22

5F063BA43

5F063BA45

5F063CC49

5F063DD27

(57)【要約】

【課題】半導体基板の反りを低減し、デバイス層を半導体基板から良好に剥離することができる技術を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１主面１ａと第２主面１ｂを有する半導体基板１の前記第１主面に溝を形成する溝形成工程であって、前記半導体基板の前記第１主面側にはデバイス構造が形成される、溝形成工程と、前記半導体基板の所定深さを延びる面３にレーザを照射するレーザ照射工程であって、前記レーザは前記第２主面から前記半導体基板の前記所定深さに照射される、レーザ照射工程と、前記デバイス構造が形成されているデバイス層２を前記レーザが照射された面に沿って前記半導体基板から剥離する剥離工程と、を備えており、前記剥離工程は、前記溝が未充填又は前記半導体基板よりも低熱膨張係数の材料で充填された状態で実施される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体装置の製造方法であって、
第１主面（１ａ）と第２主面（１ｂ）を有する半導体基板（１）の前記第１主面に溝を形成する溝形成工程であって、前記半導体基板の前記第１主面側にはデバイス構造が形成される、溝形成工程と、
前記半導体基板の所定深さを延びる面（３）にレーザを照射するレーザ照射工程であって、前記レーザは前記第２主面から前記半導体基板の前記所定深さに照射される、レーザ照射工程と、
前記デバイス構造が形成されているデバイス層（２）を前記レーザが照射された面に沿って前記半導体基板から剥離する剥離工程と、を備えており、
前記剥離工程は、前記溝が未充填又は前記半導体基板よりも低熱膨張係数の材料で充填された状態で実施される、半導体装置の製造方法。

【請求項2】

前記溝形成工程では、前記半導体基板を平面視したときに、前記第１主面において少なくとも一方向に沿って繰り返し現れるように前記溝が形成される、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項3】

前記溝は、前記少なくとも一方向に沿って等間隔に配置されている、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項4】

前記少なくとも一方向に沿って計測した前記溝の最大ピッチは、前記半導体基板の直径の０．０１７７倍以下である、請求項２又は３に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項5】

前記剥離工程では、前記少なくとも一方向において前記半導体基板の一方の端部から他方の端部に向けて前記デバイス層を前記半導体基板から剥離する、請求項２～４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項6】

前記デバイス層には、ダイシングライン（５）で区画された複数のデバイス領域（４）が設けられており、
前記複数のデバイス領域の各々は、前記デバイス構造が形成される領域であり、
前記溝は、前記複数のデバイス領域を横断して伸びている、請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項7】

前記溝は、前記半導体基板を平面視したときに、第１方向に沿って延びる第１の溝（６ａ）と、前記第１方向に直交する第２方向に沿って延びる第２の溝（６ｂ）と、を有しており、
前記第１の溝と前記第２の溝は、平面Ｔ字状に接続されている、請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項8】

前記半導体基板は、六方晶系の半導体であり、
前記溝は、前記半導体基板を平面視したときに、六角形を隙間なく並べたように伸びている、請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書が開示する技術は、半導体装置の製造方法に関する。

【0002】

半導体基板の一方の主面側にデバイス構造を形成した後に、そのデバイス構造が形成されたデバイス層を半導体基板から剥離する技術が開発されている。この技術を利用すると、デバイス層が剥離された後の半導体基板を再利用することができるので、半導体装置の製造コストを低下させることができる。特許文献１は、半導体基板の所定深さを延びる面にレーザを照射することによって半導体基板の内部に変質層を形成し、変質層が形成された面に沿ってデバイス層を半導体基板から剥離する技術を開示する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－１０２５２０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

半導体基板に反りが生じることがある。半導体基板が反っていると、半導体基板内の変質層も反って形成される。このため、デバイス層を半導体基板から剥離するときに、剥離力が変質層に沿って伝わりにくくなり、剥離不良又は半導体基板の破損の原因と成ることがある。本明細書は、半導体基板の反りを低減し、デバイス層を半導体基板から良好に剥離することができる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、第１主面（１ａ）と第２主面（１ｂ）を有する半導体基板（１）の前記第１主面に溝を形成する溝形成工程であって、前記半導体基板の前記第１主面側にはデバイス構造が形成される、溝形成工程と、前記半導体基板の所定深さを延びる面（３）にレーザを照射するレーザ照射工程であって、前記レーザは前記第２主面から前記半導体基板の前記所定深さに照射される、レーザ照射工程と、前記デバイス構造が形成されているデバイス層（２）を前記レーザが照射された面に沿って前記半導体基板から剥離する剥離工程と、を備えることができる。前記剥離工程は、前記溝が未充填又は前記半導体基板よりも低熱膨張係数の材料で充填された状態で実施される。

【0006】

この製造方法では、前記半導体基板に前記溝が形成されることにより、前記半導体基板に加わっている応力が緩和され、前記半導体基板の反りが低減される。さらに、前記溝形成工程で形成された前記溝は、前記剥離工程においても未充填又は低熱膨張係数の材料で充填された状態が維持されている。このため、前記半導体基板の反りが抑えられた状態で前記剥離工程を実施することができる。この製造方法によると、前記デバイス層を前記半導体基板から剥離するときに、剥離力が前記変質層に沿って良好に伝わるので、前記デバイス層を前記半導体基板から良好に剥離することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】半導体装置の製造方法のうちの溝形成工程、レーザ照射工程、剥離工程及びダイシング工程のフローを示す図である。

【図2】半導体装置の製造過程における半導体基板の断面図を模式的に示す図であり、図３のII-II線に対応した断面図である。

【図3】半導体基板を平面視したときのデバイス領域の配置を模式的に示す図である。

【図4】半導体装置の製造過程における半導体基板の断面図を模式的に示す図であり、図５のIV-IV線に対応した断面図である。

【図5】半導体基板を平面視したときの溝の配置を模式的に示す図である。

【図6】半導体装置の製造過程における半導体基板の断面図を模式的に示す図である。

【図7】半導体装置の製造過程における半導体基板の断面図を模式的に示す図である。

【図8】半導体装置の製造過程における半導体基板から剥離されたデバイス層の断面図を模式的に示す図である。

【図9】半導体基板を平面視したときの溝の配置の変形例を模式的に示す拡大図である。

【図10】半導体基板を平面視したときの溝の配置の変形例を模式的に示す拡大図である。

【図11】半導体基板の直径と溝ピットの関係を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、溝形成工程と、レーザ照射工程と、剥離工程と、を備えることができる。前記溝形成工程では、第１主面と第２主面を有する半導体基板の前記第１主面に溝を形成する。前記半導体基板は、特に限定されるものではないが、化合物半導体であってもよい。前記半導体基板は、一例ではあるが、窒化ガリウムを含む窒化物半導体、炭化珪素、酸化ガリウムであってもよい。本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、前記半導体基板を再利用できることから、高価な化合物半導体の前記半導体基板に適用した場合に特に有用である。前記半導体基板の前記第１主面側にはデバイス構造が形成される。前記レーザ照射工程では、前記半導体基板の所定深さを延びる面にレーザを照射する。前記レーザ照射工程では、前記溝が形成されていない前記第２主面から前記半導体基板の前記所定深さに前記レーザが照射される。前記剥離工程は、前記デバイス構造が形成されているデバイス層を前記レーザが照射された面に沿って前記半導体基板から剥離する。前記剥離工程では、前記溝が未充填又は前記半導体基板よりも低熱膨張係数の材料で充填された状態で実施される。

【0009】

前記溝形成工程では、前記半導体基板を平面視したときに、前記第１主面において少なくとも一方向に沿って繰り返し現れるように前記溝が形成されてもよい。前記溝が繰り返し現れるように形成されるので、前記少なくとも一方向における前記半導体基板の反りが低減される。この場合、前記溝は、前記少なくとも一方向に沿って等間隔に配置されていてもよい。

【0010】

前記溝が繰り返し現れるように形成される場合において、前記少なくとも一方向に沿って計測した前記溝の最大ピッチが、前記半導体基板の直径の０．０１７７倍以下であってもよい。ここで、溝のピッチとは、隣り合う溝間の距離をいう。この製造方法によると、剥離成功率が大幅に改善され得る。

【0011】

前記溝が繰り返し現れるように形成される場合において、前記剥離工程では、前記少なくとも一方向において前記半導体基板の一方の端部から他方の端部に向けて前記デバイス層を前記半導体基板から剥離してもよい。前記半導体基板の反りが低減された方向において前記デバイス層を前記半導体基板から剥離するので、前記デバイス層を前記半導体基板から良好に剥離することができる。

【0012】

前記デバイス層には、ダイシングラインで区画された複数のデバイス領域が設けられていてもよい。この場合、前記複数のデバイス領域の各々は、前記デバイス構造が形成される領域である。前記溝は、前記複数のデバイス領域を横断して伸びていてもよい。

【0013】

前記溝は、前記半導体基板を平面視したときに、第１方向に沿って延びる第１の溝と、前記第１方向に直交する第２方向に沿って延びる第２の溝と、を有していてもよい。前記第１の溝と前記第２の溝は、平面Ｔ字状に接続されていてもよい。この製造方法によると、前記第１の溝と前記第２の溝が接続する部分における応力が緩和され、前記半導体基板の破損が抑えられる。

【0014】

前記半導体基板は、六方晶系の半導体であってもよい。この場合、前記溝は、前記半導体基板を平面視したときに、六角形を隙間なく並べたように伸びていてもよい。この製造方法によると、前記半導体基板を平面視したときに、３つの方向に沿って前記溝が繰り返し現れるように形成されるので、前記半導体基板の反りが全体でバランスよく低減される。また、前記溝が接続する部分における前記溝と溝の間の角度が鈍角になるので、その部分における応力が緩和され、前記半導体基板の破損が抑えられる。

【実施例0015】

以下、図面を参照し、半導体装置の製造方法のうちの溝形成工程、レーザ照射工程、剥離工程及びダイシング工程について説明する。なお、溝形成工程、レーザ照射工程、剥離工程及びダイシング工程以外の他の各種工程、例えばデバイス構造を形成する工程等は、既知の製造技術を利用することができる。なお、デバイス構造を形成する工程は、溝形成工程とレーザ照射工程の間に実施されてもよい。

【0016】

図１に、溝形成工程（ステップＳ１）、レーザ照射工程（ステップＳ２）、剥離工程（ステップＳ３）及びダイシング工程（ステップＳ４）のフローを示す。本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、図２及び図３に示す半導体基板１に対してこれら工程を実行することにより、複数の半導体装置（チップともいう）を製造する。

【0017】

図２に示されるように、半導体基板１は、各々が平面で相互に平行に延びている上面１ａと下面１ｂを有している。これら上面１ａと下面１ｂは、主面とも称される。半導体基板１は、特に限定されるものではないが、この例では窒化ガリウム基板である。半導体基板１の所定深さを延びる面３は、後述するように、レーザが照射される面、すなわち、レーザの複数の集光点が集まった面である。本明細書では、半導体基板１のうちのレーザが照射される面３よりも上側の部分、すなわち、半導体基板１から剥離される部分をデバイス層２という。なお、以下では、半導体基板１の上面１ａに平行な一方向をｘ方向とし、半導体基板１の上面１ａに平行であってｘ方向に直交する方向をｙ方向とし、ｘ方向及びｙ方向に直交する方向をｚ方向（半導体基板１の厚み方向ともいう）とする。

【0018】

図２及び図３に示されるように、半導体基板１のデバイス層２には、ダイシングライン５で区画された複数のデバイス領域４が設けられている。複数のデバイス領域４の各々には、デバイス構造が形成される。デバイス構造は、特に限定されるものではないが、例えばスイッチング素子構造である。具体的には、スイッチング素子構造は、半導体基板１の上面１ａに直交する方向から見たときに（以下、「半導体基板１を平面視したときに」という）、デバイス領域４の中央側に配置されている素子領域と、その素子領域の周囲に配置されている終端領域と、を有している。素子領域は、絶縁ゲートが配置されている領域であり、電流が流れる領域である。終端領域は、耐圧構造（例えば、ガードリング又はリサーフ層）が配置されている領域である。このようなスイッチング素子構造の種類としては、一例ではあるが、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）又はＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）が挙げられる。

【0019】

図４及び図５に示されるように、溝形成工程（図１のステップＳ１）では、ドライエッチング技術を利用して、半導体基板１の上面１ａに溝６が形成される。この例では、溝６は、ｙ方向に沿って延びるとともにｘ方向に繰り返し現れるように形成された複数の第１の溝６ａと、ｘ方向に沿って延びるとともにｙ方向に繰り返し現れるように形成された複数の第２の溝６ｂと、を有している。複数の第１の溝６ａの各々は、ｙ方向において半導体基板１の一方の端面から他方の端面まで伸びており、ｘ方向において等間隔に配置されている。複数の第２の溝６ｂの各々も同様に、ｘ方向において半導体基板１の一方の端面から他方の端面まで伸びており、ｙ方向において等間隔に配置されている。なお、図５では、図面の明瞭化を目的として、これら複数の第１の溝６ａ及び複数の第２の溝６ｂの一部のみを図示している。

【0020】

複数の第１の溝６ａの一部は、複数のデバイス領域４を横断するように伸びており、デバイス領域４に形成されるデバイス構造の素子領域内を伸びている。同様に、複数の第２の溝６ｂの一部も、複数のデバイス領域４を横断するように伸びており、デバイス領域４に形成されるデバイス構造の素子領域内を伸びている。このような第１の溝６ａ及び第２の溝６ｂの配置は、デバイス構造の素子領域の面積を減らすことになるので、デバイス構造が流せる最大電流を低下させる。このため、第１の溝６ａ及び第２の溝６ｂの配置は、後述の応力緩和とデバイス構造の電気特性の双方を考慮して適宜設定される。

【0021】

溝形成工程を実施する前の半導体基板１は、例えば結晶成長処理及びアニール処理等の工程中に加わる熱応力により、下面１ｂが凸となるように反った状態であることが多い。溝形成工程を実施すると、半導体基板１の熱応力が緩和され、半導体基板１の反りが低減される。溝形成工程の後、デバイス構造を形成する工程が実施される。

【0022】

図６に示されるように、レーザ照射工程（図１のステップＳ２）では、半導体基板１の所定深さを延びる面３にレーザが照射される。レーザは、溝６が形成されていない半導体基板１の下面１ｂから半導体基板１の所定深さで集光するように照射される。レーザは、半導体基板（この例では窒化ガリウム基板）に対して透過性を有する波長域のレーザである。集光点の位置では、半導体基板１を構成する結晶（この例では、窒化ガリウムの単結晶）が加熱されて分解される。その結果、集光点の位置に、半導体基板１を構成する結晶の構成原子の析出層等（この例では、ガリウムの析出層等）によって構成された変質層が形成される。変質層の強度は、半導体基板１を構成する結晶よりも低い。したがって、変質層の強度は、その周囲の結晶よりも低くなる。

【0023】

図７に示されるように、剥離工程（図１のステップＳ３）では、デバイス構造が形成されているデバイス層２が、レーザが照射された面３に沿って半導体基板１から剥離される。具体的には、半導体基板１の上面１ａと下面１ｂの各々に粘着シートが貼り付けられ、それら粘着シートを引き離すように操作することで、デバイス層２が半導体基板１から剥離される。この例では、ｘ方向における半導体基板１の一方の端部（紙面左側の端部）から他方の端部（紙面右側の端部）に向けてデバイス層２を半導体基板１から剥離する。この剥離工程では、溝形成工程で形成された溝６が未充填のまま維持されている。このため、半導体基板１の反りが抑えられた状態が維持されているので、レーザ照射によって形成された変質層は、半導体基板１内において同一平面に延びた状態となっている。この結果、デバイス層２を半導体基板１から剥離するときに、図中矢印に示すように、剥離力が変質層に沿って良好に伝わることができるので、デバイス層２を半導体基板１から良好に剥離することができる。

【0024】

また、上記したように、この剥離工程では、ｘ方向における半導体基板１の一方の端部から他方の端部に向けてデバイス層２を半導体基板１から剥離する。半導体基板１の反りは、溝６のピッチが狭く、溝６が繰り返し現れる方向において良好に低減される。半導体基板１では、ｘ方向が溝６のピッチが最小となる方向であり、ｘ方向における反りが良好に低減されている。この剥離工程では、ｘ方向に向けてデバイス層２を半導体基板１から剥離するので、剥離力が変質層に沿って良好に伝わることができる。同様の理由により、剥離工程では、ｙ方向における半導体基板１の一方の端部から他方の端部に向けてデバイス層２を半導体基板１から剥離してもよい。

【0025】

この例の剥離工程では、溝形成工程で形成された溝６が未充填のまま維持されていた。この例に代えて、半導体基板１の材料（この例では窒化ガリウム基板）よりも低熱膨張係数の材料で溝６が充填されてもよい。低熱膨張係数の材料で溝６を充填することにより、半導体基板１の反りを抑えながら、溝６内に残ったプロセス残渣による異物の発生を抑えることができる。このような低熱膨張係数の材料としては、特に限定されるものではないが、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、窒化シリコン（ＳｉＮ）であってもよい。これら絶縁材料が用いられていると、デバイス構造の終端領域において耐圧構造の一部として利用することもできる。

【0026】

なお、デバイス層２が剥離された後の半導体基板１は、半導体装置の製造に再利用される。例えば、半導体基板１の剥離面に対して研磨及びエッチング等を実施した後に、エピタキシャル結晶成長技術を利用して剥離面上にエピタキシャル層を成膜することにより、成膜したエピタキシャル層にデバイス構造を形成することができる。

【0027】

図８に示されるように、ダイシング工程（図１のステップＳ４）では、半導体基板１から剥離されたデバイス層２に対して研磨工程及び電極形成工程等を実施した後、デバイス層２から複数のデバイス（ダイともいう）が切り出され、半導体装置が完成する。

【0028】

上記実施例では、半導体基板１を平面視したときに、第１の溝６ａと第２の溝６ｂが交差するように配置されていた。この例に代えて、図９に示す変形例のように、半導体基板１を平面視したときに、第１の溝６ａと第２の溝６ｂが平面Ｔ字状に接続されていてもよい。上記実施例の交差する場合に比して、第１の溝６ａと第２の溝６ｂの接続部における応力が緩和され、半導体基板１の破損が抑えられる。

【0029】

また、図１０に示す変形例のように、半導体基板１を平面視したときに、溝６が六角形を隙間なく並べたように伸びていてもよい。さらに、溝６は、正六角形が隙間なく並べられたハニカム構造となるように伸びていてもよい。この例では、半導体基板１が六方晶系の窒化ガリウム基板であり、半導体基板１の厚み方向（ｚ軸）がｃ軸である。また、六角形を構成する各辺がｍ面、ａ面又は他の任意の面と平行となるように伸びている。この変形例では、半導体基板１を平面視したときに、１２０°の角度で分かれた３つの方向に沿って溝６が繰り返し現れるように形成されるので、半導体基板１の反りが全体でバランスよく低減される。また、溝６が接続する部分における溝６と溝６の間の角度が鈍角になるの、その部分における応力が緩和され、半導体基板１の破損が抑えられる。

【0030】

また、上記実施例及び変形例はいずれも、半導体基板１の上面において、溝６が途切れることなく連続して伸びている例であった。これらの例に代えて、又は、これらの例に加えて、溝が分散して配置されていてもよい。例えば、半導体基板１を平面視したときに、デバイス領域４内において一巡するような溝が形成されていてもよく、ダイシングライン５に沿ってデバイス領域４の周囲を一巡するような溝が形成されていてもよい。

【0031】

溝６の断面形状は、特に限定されるものではないが、例えば底面が下方に向けて凸状の曲面で形成されていてもよい。このような断面形状の溝６では、溝６の底部に加わる応力が緩和され、半導体基板１の破損が抑えられる。

【0032】

また、溝６の深さは、特に限定されるものではないが、エピタキシャル層よりも深くてもよい。半導体基板１の反りは、エピタキシャル層を結晶成長させるときにエピタキシャル層に加わる応力（主に、引っ張り応力）が原因の１つであると考えられる。このため、溝６をエピタキシャル層よりも深く形成することで、半導体基板１の反りを効果的に低減することができる。

【0033】

（溝のピッチについて）
上記実施例の半導体基板１において、以下の条件で剥離試験を実施した。
半導体基板１の直径：５０ｍｍ
半導体基板１の厚み：０．４ｍｍ
第１の溝６ａの幅：１０μｍ
第１の溝６ａの深さ：１０μｍ
第１の溝６ａのピッチ：１ｍｍ
第２の溝６ｂの幅：１０μｍ
第２の溝６ｂの深さ：１０μｍ
第２の溝６ｂのピッチ：１ｍｍ

【0034】

上記剥離試験の結果、溝を形成しない場合に比して、良好に剥離される確率（剥離成功率）が大幅に改善されることが確認された。具体的には、溝を形成しない例の剥離成功率が２５％であるのに対し、溝を形成した例では剥離成功率が７５％であった。以下に示すＳＥＭＩ規格に対応したウェハの寸法において、上記剥離試験と同様の荷重分布となるための溝のピッチを単純梁等分布荷重の式を用いて計算し、それをプロットしたのが図１１である。ｘ軸が半導体基板の直径であり、ｙ軸が溝のピッチである。

【表1】

【0035】

図１１の回帰直線から、溝６のピッチが半導体基板１の直径の０．０１７７倍であると、剥離試験と同等の剥離成功率が得られることが示唆された。この結果から、半導体基板を平面視したときに、一方の主面において少なくとも一方向に沿って繰り返し現れるように形成された溝において、その少なくとも一方向に沿って計測した溝の最大ピッチが半導体基板の直径の０．０１７７倍以下であれば、剥離試験と同等又はそれ以上の剥離成功率が得られることが示唆された。

【0036】

以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの１つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。

【符号の説明】

【0037】

１：半導体基板、 ２：デバイス層、 ４：デバイス領域、 ５：ダイシングライン、 ６：溝、 ６ａ：第１の溝、 ６ｂ：第２の溝、

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】