特開2023-57517レーザ半導体素子及びその製造方法

発明の名称　レーザ半導体素子及びその製造方法

出願人　鴻富泰精密電子（煙台）有限公司　（識別番号 520166796）

　　　　特許公開件数ランキング 30447 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 24615 位（0件）（共同出願を含む）

出願人　鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司　（識別番号 500080546）

　　　　特許公開件数ランキング 6922 位（5件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 5520 位（5件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2023-57517

公報発行日　2023年4月21

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2023-57517

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