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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023058362
(43)【公開日】2023-04-25
(54)【発明の名称】プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20230418BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20230418BHJP
H05H 1/46 20060101ALN20230418BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101G
H01L21/302 101C
H01L21/68 R
H05H1/46 L
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021168353
(22)【出願日】2021-10-13
(71)【出願人】
【識別番号】314012076
【氏名又は名称】パナソニックＩＰマネジメント株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002745
【氏名又は名称】弁理士法人河崎特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】針貝 篤史
(72)【発明者】
【氏名】置田 尚吾
【テーマコード（参考）】
2G084
5F004
5F131
【Ｆターム（参考）】
2G084AA02
2G084BB14
2G084BB21
2G084CC13
2G084CC33
2G084DD03
2G084DD38
2G084FF07
2G084HH11
2G084HH30
5F004BA20
5F004BB13
5F004BB22
5F004BB23
5F004BB25
5F004BB29
5F004BC06
5F004CA04
5F004CA06
5F004DA00
5F004DA18
5F004DB01
5F004EA28
5F131AA02
5F131BA19
5F131BA52
5F131CA06
5F131CA09
5F131CA32
5F131EA03
5F131EB14
5F131EB32
5F131EB81
5F131EB82
(57)【要約】
【課題】保持シートに保持された基板をプラズマ処理する際に、製品の歩留まりを向上させる。
【解決手段】チャンバと、チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、チャンバ内に設けられ、搬送キャリア１０が載置されるステージ１１１と、ステージに載置された搬送キャリアの少なくとも一部を覆うカバー１２４と、カバー１２４とステージ１１１との相対的な距離を、第１距離と、第１距離よりも小さな第２距離とに変更可能な相対位置変更部と、搬送キャリア１０の載置状態の良否を判定する判定部と、制御部と、を備え、判定部は、カバー１２４とステージ１１１との距離が第１距離である状態で、載置状態の良否を判定し、カバー１２４とステージ１１１との距離が第２距離である状態で、プラズマ処理が施される、プラズマ処理装置。
【選択図】図４Ｅ
【解決手段】チャンバと、チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、チャンバ内に設けられ、搬送キャリア１０が載置されるステージ１１１と、ステージに載置された搬送キャリアの少なくとも一部を覆うカバー１２４と、カバー１２４とステージ１１１との相対的な距離を、第１距離と、第１距離よりも小さな第２距離とに変更可能な相対位置変更部と、搬送キャリア１０の載置状態の良否を判定する判定部と、制御部と、を備え、判定部は、カバー１２４とステージ１１１との距離が第１距離である状態で、載置状態の良否を判定し、カバー１２４とステージ１１１との距離が第２距離である状態で、プラズマ処理が施される、プラズマ処理装置。
【選択図】図４Ｅ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
フレームと保持シートとを備える搬送キャリアに保持された基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記チャンバ内に設けられ、前記搬送キャリアが載置されるステージと、
前記ステージに載置された前記搬送キャリアの少なくとも一部を覆うカバーと、
前記カバーと前記ステージとの相対的な距離を、第１距離と、前記第１距離よりも小さな第２距離とに変更可能な相対位置変更部と、
前記搬送キャリアの載置状態を判定する判定部と、
前記プラズマ発生部と前記相対位置変更部とを制御する制御部と、を備え、
前記判定部は、前記カバーと前記ステージとの距離が前記第１距離である状態で、前記載置状態を判定し、
前記カバーと前記ステージとの距離が前記第２距離である状態で、前記プラズマ処理が施される、プラズマ処理装置。
チャンバと、
前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記チャンバ内に設けられ、前記搬送キャリアが載置されるステージと、
前記ステージに載置された前記搬送キャリアの少なくとも一部を覆うカバーと、
前記カバーと前記ステージとの相対的な距離を、第１距離と、前記第１距離よりも小さな第２距離とに変更可能な相対位置変更部と、
前記搬送キャリアの載置状態を判定する判定部と、
前記プラズマ発生部と前記相対位置変更部とを制御する制御部と、を備え、
前記判定部は、前記カバーと前記ステージとの距離が前記第１距離である状態で、前記載置状態を判定し、
前記カバーと前記ステージとの距離が前記第２距離である状態で、前記プラズマ処理が施される、プラズマ処理装置。
【請求項2】
前記ステージに載置された前記搬送キャリアを撮像する撮像部をさらに備え、
前記判定部は、前記カバーと前記ステージとの距離が第１距離である状態で前記撮像部により撮像された撮像データに基づき、前記載置状態を判定する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
前記判定部は、前記カバーと前記ステージとの距離が第１距離である状態で前記撮像部により撮像された撮像データに基づき、前記載置状態を判定する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項3】
前記判定部は、前記撮像データにおける前記フレームの内周側壁の状態に基づき、前記載置状態を判定する、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項4】
前記判定部により前記載置状態が第１状態と判定された場合、
前記制御部は、前記相対位置変更部によって前記カバーと前記ステージとの距離を前記第２距離に変更させてから、前記プラズマ発生部により前記プラズマを発生させる、請求項１～３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、前記相対位置変更部によって前記カバーと前記ステージとの距離を前記第２距離に変更させてから、前記プラズマ発生部により前記プラズマを発生させる、請求項１～３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項5】
前記判定部により前記載置状態が第２状態と判定された場合、
前記制御部は、前記カバーと前記ステージとの距離が前記第２距離よりも大きい状態で、前記搬送キャリアの前記ステージへの載置を再度行わせる、請求項１～４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、前記カバーと前記ステージとの距離が前記第２距離よりも大きい状態で、前記搬送キャリアの前記ステージへの載置を再度行わせる、請求項１～４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項6】
フレームと保持シートとを備える搬送キャリアに保持された基板を、チャンバと、前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記チャンバ内に設けられ、前記搬送キャリアが載置されるステージと、前記搬送キャリアが前記ステージに載置された状態で前記搬送キャリアの少なくとも一部を覆うカバーと、を備えるプラズマ処理装置の前記ステージに載置する載置工程と、
前記カバーと前記ステージとの距離が第１距離である状態で、前記搬送キャリアの載置状態を判定する判定工程と、を備え、
前記判定工程において前記載置状態が第１状態と判定された場合、
前記カバーと前記ステージとの距離を前記第１距離よりも小さな第２距離に変更してから、前記チャンバ内にプラズマを発生させ、発生させた前記プラズマを前記基板に照射してプラズマ処理を行う、プラズマ処理方法。
前記カバーと前記ステージとの距離が第１距離である状態で、前記搬送キャリアの載置状態を判定する判定工程と、を備え、
前記判定工程において前記載置状態が第１状態と判定された場合、
前記カバーと前記ステージとの距離を前記第１距離よりも小さな第２距離に変更してから、前記チャンバ内にプラズマを発生させ、発生させた前記プラズマを前記基板に照射してプラズマ処理を行う、プラズマ処理方法。
【請求項7】
前記判定工程は、前記カバーと前記ステージとの距離が前記第１距離である状態で、前記ステージに載置された前記搬送キャリアを撮像する撮像工程を含み、
前記撮像工程で撮像された撮像データに基づき、前記載置状態を判定する、請求項６に記載のプラズマ処理方法。
前記撮像工程で撮像された撮像データに基づき、前記載置状態を判定する、請求項６に記載のプラズマ処理方法。
【請求項8】
前記判定工程では、前記撮像データにおける前記フレームの内周側壁の状態に基づき、前記載置状態を判定する、請求項７に記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関し、特に、保持シートに保持された基板をプラズマ処理するためのプラズマ処理の方法に関する。
【背景技術】
【0002】
基板をダイシングする方法として、レジストマスクを形成した基板（ウエハ）にプラズマエッチングを施して個々のチップに分割するプラズマダイシングが知られている。
【0003】
特許文献１は、基板をプラズマ・ダイシングする方法であって、処理チャンバ内に加工物支持部を供給するステップと、基板をキャリア支持部上に配置して加工物を形成するステップと、加工物を加工物支持部上へロードするステップと、加工物の上方に配置されたカバー・リングを設けるステップと、プラズマ源によってプラズマを生成するステップと、生成されたプラズマによって加工物をエッチングするステップと、を含む方法を開示している。
【0004】
基板は、通常、基板を固定するための接着剤が一面に設けられた保持シートに接着固定される。保持シートは、ダイシングテープとも呼ばれる。基板は、ハンドリング性向上のため、保持シートと保持シートの外周部に配置されたフレームとを備える搬送キャリア（キャリア支持部）に保持させた状態で、プラズマ処理装置内のステージに載置され、プラズマ処理が行われる。搬送キャリアがプラズマに直接晒され、ダメージを受けるのを抑制するために、誘電体製の保護カバーが、フレームおよび保持シートの露出部分を覆っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特表２０１４－５１３８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
保護カバーと搬送キャリアとの間の離間距離が大きいほど、保護カバーと保持シートとの間の空間で放電が発生し易く、テープダメージが発生し易くなる。このため、保護カバーは、搬送キャリアに近接して配置される。保護カバーと保持シートとの間の距離は、例えば、２ｍｍ程度である。
【0007】
一方で、搬送キャリアをステージに固定する際に、基板または保持シートの一部が浮き上がり、あるいはしわが寄った状態でステージに固定される場合がある。基板または保持シートが浮いた状態で保護カバーを下降させると、保護カバーが保持シートと接触し、テープがダメージを受ける場合がある。また、基板が浮いた状態でプラズマ処理が実施されることで、基板がステージにより十分冷却されず高温になったり、ウエハが破損したりする場合がある。また、プラズマエッチングが不均一になり、加工ばらつきが大きくなる場合がある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一局面は、フレームと保持シートとを備える搬送キャリアに保持された基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、チャンバと、前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記チャンバ内に設けられ、前記搬送キャリアが載置されるステージと、前記ステージに載置された前記搬送キャリアの少なくとも一部を覆うカバーと、前記カバーと前記ステージとの相対的な距離を、第１距離と、前記第１距離よりも小さな第２距離とに変更可能な相対位置変更部と、前記搬送キャリアの載置状態を判定する判定部と、前記プラズマ発生部と前記相対位置変更部とを制御する制御部と、を備え、前記判定部は、前記カバーと前記ステージとの距離が前記第１距離である状態で、前記載置状態を判定し、前記カバーと前記ステージとの距離が前記第２距離である状態で、前記プラズマ処理が施される、プラズマ処理装置に関する。
【0009】
本発明の他の一局面は、フレームと保持シートとを備える搬送キャリアに保持された基板を、チャンバと、前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記チャンバ内に設けられ、前記搬送キャリアが載置されるステージと、前記搬送キャリアが前記ステージに載置された状態で前記搬送キャリアの少なくとも一部を覆うカバーと、を備えるプラズマ処理装置の前記ステージに載置する載置工程と、前記カバーと前記ステージとの距離が第１距離である状態で、前記搬送キャリアの載置状態を判定する判定工程と、を備え、前記判定工程において前記載置状態が第１状態と判定された場合、前記カバーと前記ステージとの距離を前記第１距離よりも小さな第２距離に変更してから、前記チャンバ内にプラズマを発生させ、発生させた前記プラズマを前記基板に照射してプラズマ処理を行う、プラズマ処理方法に関する。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、基板または保持シートの一部がステージから浮き上がった状態でプラズマ処理が実施されることを抑制でき、基板の歩留まりおよび生産効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本発明の実施形態に係る基板を保持した搬送キャリアを概略的に示す上面図（ａ）およびそのＢ－Ｂ線での断面図（ｂ）である。
【図2】本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の基本的な構造を断面で示す概念図である。
【図3】本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法の一部の工程を示すフローチャートである。
【図4A】本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法における各工程において、カバーとステージの位置関係を示す概念図である。
【図4B】本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法における各工程において、カバーとステージの位置関係を示す概念図である。
【図4C】本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法における各工程において、カバーとステージの位置関係を示す概念図である。
【図4D】本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法における各工程において、カバーとステージの位置関係を示す概念図である。
【図4E】本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法における各工程において、カバーとステージの位置関係を示す概念図である。
【図4F】本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法における各工程において、カバーとステージの位置関係を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置は、フレームと保持シートとを備える搬送キャリアに保持された基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、チャンバと、チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、チャンバ内に設けられ、搬送キャリアが載置されるステージと、ステージに載置された搬送キャリアの少なくとも一部を覆うカバーと、を備える。プラズマ処理装置は、さらに、カバーとステージとの相対的な距離を、第１距離と、第１距離よりも小さな第２距離とに変更可能な相対位置変更部と、搬送キャリアの載置状態を判定する判定部と、プラズマ発生部と相対位置変更部とを制御する制御部と、を備える。
【0013】
判定部は、カバーとステージとの距離が第１距離である状態で、搬送キャリアの載置状態を判定する。一方で、カバーとステージとの距離が第２距離である状態で、プラズマ処理が施される。すなわち、判定部による搬送キャリアの載置状態の判定は、カバーとステージとの距離がプラズマ処理を行う状態よりも大きな状態で、すなわち搬送キャリアに対してカバーが十分に離間した状態で行われる。これにより、載置状態が不良であることにより発生するその後の処理エラーの発生を未然に防止できる。例えば、載置状態が不良であった場合の搬出においてカバーとの接触による搬送エラーを回避できる。結果、基板の歩留まりおよび生産効率が向上する。
判定部は、搬送キャリアの載置状態が第１状態または第２状態のいずれかに該当するかを判定する。第１状態は載置が良好な場合であり、第２状態は載置不良がある場合である。
判定部は、搬送キャリアの載置状態が第１状態または第２状態のいずれかに該当するかを判定する。第１状態は載置が良好な場合であり、第２状態は載置不良がある場合である。
【0014】
判定部による搬送キャリアの載置状態の判定は、搬送キャリアのステージへの載置状態を撮像した撮像データに基づき行ってもよい。好ましくは、プラズマ処理装置は、ステージに載置された搬送キャリアを撮像する撮像部をさらに備える。判定部は、カバーとステージとの距離が第１距離である状態で撮像部により撮像された撮像データに基づき、載置状態を判定することができる。
【0015】
この場合、載置状態の判定を、搬送キャリアのフレームの内周側壁の状態に基づき行ってもよい。例えば、撮像部は、搬送キャリアの載置面（基板の主面）から僅かに傾いた方向から、フレームの内周側壁を含む搬送キャリアの載置状態を撮像する。フレームの材質が金属材料である場合、光を反射するため、撮像データから画像解析によりフレームと基板または保持シートとを識別することは容易である。ここで、基板または保持シートの一部がステージから浮き上がっている場合、基板の主面から僅かに傾いた方向から見ると、フレームの内周側壁は浮き上がった基板または保持シートの影に隠れてしまい、撮像データにおいてフレームを識別し難くなる。よって、撮像データにおけるフレームの内周側壁の状態に基づき、搬送キャリアの載置状態を容易に判定することができる。
【0016】
判定部により載置状態が第１状態（良好）と判定された場合、制御部は、相対位置変更部にカバーとステージとの距離を第２距離に変更させてから、プラズマ発生部によりプラズマを発生させる。発生したプラズマを用いて、プラズマ処理が実施される。一方、判定部により載置状態が第２状態（不良）と判定された場合、制御部は、搬送キャリアとカバーとの距離を第２距離に変更させず、カバーとステージとの距離が第２距離よりも大きい状態で、搬送キャリアのステージへの載置を再度行わせる。この場合、搬送キャリアとカバーとが十分に離間した状態で載置工程がリトライされるため、リトライ処理の際に搬送キャリアがカバーに接触することによるエラーの発生を回避できる。
【0017】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら、詳細に説明する。
【0018】
まず、本発明で使用される搬送キャリアの一実施形態について、図１（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明する。図１（ａ）は、基板１とこれを保持する搬送キャリア１０とを概略的に示す上面図であり、図１（ｂ）は、基板１および搬送キャリア１０の図１（ａ）に示すＢ－Ｂ線での断面図である。図１（ａ）に示すように、搬送キャリア１０は、フレーム２および保持シート３を備えている。保持シート３は、その外周部がフレーム２に固定されている。基板１は、保持シート３に貼着されて、搬送キャリア１０に保持される。なお、図１では、フレーム２および基板１が共に略円形である場合について図示するが、これに限定されるものではない。
【0019】
（基板）
基板１は、プラズマ処理の対象物である。基板１は、例えば、本体部の一方の表面に、半導体回路、電子部品素子、ＭＥＭＳ等の回路層を形成した後、回路層とは反対側である本体部の裏面を研削し、厚みを薄くすることにより作製される。基板１を個片化することにより、上記回路層を有する電子部品（図示せず）が得られる。
基板１は、プラズマ処理の対象物である。基板１は、例えば、本体部の一方の表面に、半導体回路、電子部品素子、ＭＥＭＳ等の回路層を形成した後、回路層とは反対側である本体部の裏面を研削し、厚みを薄くすることにより作製される。基板１を個片化することにより、上記回路層を有する電子部品（図示せず）が得られる。
【0020】
基板１の大きさは特に限定されず、例えば、最大径５０ｍｍ～３００ｍｍ程度である。基板１の厚みは、通常、２５～１５０μｍ程度と、非常に薄い。そのため、基板１自体は、剛性（自己支持性）をほとんど有さない。そこで、ほぼ平坦なフレーム２に保持シート３の外周部を固定し、この保持シート３に基板１を貼着する。これにより、基板１の搬送等の取り扱いが容易となる。基板１の形状も特に限定されず、例えば、円形、角型である。また、基板１には、オリエンテーションフラット（オリフラ）、ノッチ等の切欠き（いずれも図示せず）が設けられていてもよい。
【0021】
基板の本体部の材質も特に限定されず、例えば、半導体、誘電体、金属、あるいはこれらの積層体等が挙げられる。半導体としては、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などが例示できる。誘電体としては、ポリイミドなどの樹脂膜、低誘電率膜（Ｌｏｗ－ｋ膜）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）などが例示できる。
【0022】
基板１の保持シート３に貼着していない面には、所望の形状にマスクが形成されている（図示せず）。マスクが形成されている部分は、プラズマによるエッチングから保護される。マスクが形成されていない部分は、その表面から裏面までがプラズマによりエッチングされ得る。マスクとしては、例えば、レジスト膜を露光および現像することにより形成されるレジストマスクを用いることができる。また、マスクは、例えば、基板１の表面に形成された樹脂膜あるいは樹脂フィルムをレーザスクライブにより開口して、形成されてもよい。
【0023】
（フレーム）
フレーム２は、基板１の全体と同じかそれ以上の面積の開口を有した枠体であり、所定の幅および略一定の薄い厚みを有している。フレーム２は、保持シート３および基板１を保持した状態で搬送できる程度の剛性を有している。
フレーム２は、基板１の全体と同じかそれ以上の面積の開口を有した枠体であり、所定の幅および略一定の薄い厚みを有している。フレーム２は、保持シート３および基板１を保持した状態で搬送できる程度の剛性を有している。
【0024】
フレーム２の開口の形状は特に限定されないが、例えば、円形や、矩形、六角形など多角形であってもよい。フレーム２には、位置決めのためのノッチ２ａやコーナーカット２ｂが設けられていてもよい。フレーム２の材質としては、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属や、樹脂等が挙げられる。フレーム２の一方の面には、保持シート３の一方の面の外周縁付近が貼着される。
【0025】
（保持シート）
保持シート３は、例えば、粘着剤を有する面（粘着面３ａ）と粘着剤を有しない面（非粘着面３ｂ）とを備えている。粘着面３ａの外周縁は、フレーム２の一方の面に貼着しており、フレーム２の開口を覆っている。また、粘着面３ａのフレーム２の開口から露出した部分には、基板１が貼着される。
保持シート３は、例えば、粘着剤を有する面（粘着面３ａ）と粘着剤を有しない面（非粘着面３ｂ）とを備えている。粘着面３ａの外周縁は、フレーム２の一方の面に貼着しており、フレーム２の開口を覆っている。また、粘着面３ａのフレーム２の開口から露出した部分には、基板１が貼着される。
【0026】
粘着面３ａは、紫外線（ＵＶ）の照射によって粘着力が減少する粘着成分からなることが好ましい。ダイシング後に紫外線照射を行うことにより、個片化された基板（電子部品）が粘着面３ａから容易に剥離され、ピックアップされ易いためである。例えば、保持シート３は、フィルム状の基材の片面にＵＶ硬化型アクリル粘着剤を、５～２０μｍの厚みに塗布することにより得られる。
【0027】
フィルム状の基材の材質は特に限定されず、例えば、ポリエチレンおよびポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル等の熱可塑性樹脂が挙げられる。基材には、伸縮性を付加するためのゴム成分（例えば、エチレン－プロピレンゴム（ＥＰＭ）、エチレン－プロピレン－ジエンゴム（ＥＰＤＭ）等）、可塑剤、軟化剤、酸化防止剤、導電性材料等の各種添加剤が配合されていても良い。また、上記熱可塑性樹脂は、アクリル基等の光重合反応を示す官能基を有していてもよい。基材の厚みは、例えば、５０～１５０μｍである。プラズマ処理の際、搬送キャリア１０は、ステージと非粘着面３ｂとが接するように、ステージに載置される。
【0028】
【0029】
プラズマ処理装置１００は、ステージ１１１を備えている。搬送キャリア１０は、保持シート３の基板１を保持している面が上方を向くように、ステージ１１１に搭載される。ステージ１１１は、搬送キャリア１０の全体を載置できる程度の大きさを備える。ステージ１１１の上方には、フレーム２および保持シート３の少なくとも一部を覆うとともに、基板１の少なくとも一部を露出させるための窓部１２４Ｗを有するカバー１２４が配置されている。
【0030】
ステージ１１１およびカバー１２４は、処理室（真空チャンバ１０３）内に配置されている。真空チャンバ１０３は、上部が開口した概ね円筒状であり、上部開口は蓋体である誘電体部材１０８により閉鎖されている。真空チャンバ１０３を構成する材料としては、アルミニウム、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、表面をアルマイト加工したアルミニウム等が例示できる。誘電体部材１０８を構成する材料としては、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、石英（ＳｉＯ2）等の誘電体材料が例示できる。誘電体部材１０８の上方には、上部電極としてのアンテナ１０９が配置されている。アンテナ１０９は、第１高周波電源１１０Ａと電気的に接続されている。ステージ１１１は、真空チャンバ１０３内の底部側に配置される。
【0031】
真空チャンバ１０３には、ガス導入口１０３ａが接続されている。ガス導入口１０３ａには、プラズマ発生用ガスの供給源であるプロセスガス源１１２およびアッシングガス源１１３が、それぞれ配管によって接続されている。また、真空チャンバ１０３には、排気口１０３ｂが設けられており、排気口１０３ｂには、真空チャンバ１０３内のガスを排気して減圧するための真空ポンプを含む減圧機構１１４が接続されている。
【0032】
搬送キャリア１０の側方において、真空チャンバ１０３の側面には窓１３０が設けられている。窓１３０は、例えば透明なガラス製であり、窓１３０を介して、搬送キャリア１０がステージ１１１に載置された状態を視認可能である。
【0033】
撮像部１３１は、真空チャンバ１０３の窓１３０に近接して配置されている。撮像部１３１は、例えばＣＣＤカメラである。撮像部１３１は、窓１３０を介して、搬送キャリア１０（例えば、フレーム２の内周側壁を含む領域）を撮像し、撮像データを取得する。撮像部１３１による撮像データを画像解析することにより、搬送キャリア１０のステージ１１１への載置状態の良否を判定することができる。載置状態の良否判定は、後述する制御部内に設けられた判定部により行われ得る。
【0034】
ステージ１１１は、それぞれ略円形の電極層１１５と、金属層１１６と、電極層１１５および金属層１１６を支持する基台１１７と、電極層１１５、金属層１１６および基台１１７を取り囲む外周部１１８とを備える。外周部１１８は導電性および耐エッチング性を有する金属により構成されており、電極層１１５、金属層１１６および基台１１７をプラズマから保護する。外周部１１８の上面には、円環状の外周リング１２９が配置されている。外周リング１２９は、外周部１１８の上面をプラズマから保護する役割をもつ。電極層１１５および外周リング１２９は、例えば、上記の誘電体材料により構成される。
【0035】
電極層１１５の内部には、静電吸着機構を構成するＥＳＣ電極１１９と、第２高周波電源１１０Ｂに電気的に接続された高周波電極部１２０とが配置されている。ＥＳＣ電極１１９には、直流電源１２６が電気的に接続されている。静電吸着機構は、ＥＳＣ電極１１９および直流電源１２６により構成されている。静電吸着機構によって、保持シート３はステージ１１１に押し付けられて固定される。以下、保持シート３をステージ１１１に固定する固定機構として、静電吸着機構を備える場合を例に挙げて説明するが、これに限定されない。保持シート３のステージ１１１への固定は、図示しないクランプによって行われてもよい。
【0036】
金属層１１６は、例えば、表面にアルマイト被覆を形成したアルミニウム等により構成される。金属層１１６内には、冷媒流路１２７が形成されている。冷媒流路１２７は、ステージ１１１を冷却する。ステージ１１１が冷却されることにより、ステージ１１１に搭載された保持シート３が冷却されるとともに、ステージ１１１にその一部が接触しているカバー１２４も冷却される。これにより、基板１や保持シート３が、プラズマ処理中に加熱されることによって損傷されることが抑制される。冷媒流路１２７内の冷媒は、冷媒循環装置１２５により循環される。
【0037】
ステージ１１１の外周付近には、ステージ１１１を貫通する複数の支持部１２２が配置されている。支持部１２２は、昇降機構１２３Ａにより昇降駆動される。搬送キャリア１０が真空チャンバ１０３内に搬送されると、所定の位置まで上昇した支持部１２２に受け渡される。支持部１２２は、搬送キャリア１０のフレーム２を支持する。支持部１２２の上端面がステージ１１１と同じレベル以下にまで降下することにより、搬送キャリア１０は、ステージ１１１の所定の位置に搭載される。
【0038】
カバー１２４の端部には、複数の昇降ロッド１２１が連結しており、カバー１２４を昇降可能にしている。昇降ロッド１２１は、昇降機構１２３Ｂにより昇降駆動される。昇降機構１２３Ｂによるカバー１２４の昇降の動作は、昇降機構１２３Ａとは独立して行うことができる。
【0039】
昇降ロッド１２１および昇降機構１２３Ｂは、相対位置変更部を構成し、カバー１２４とステージ１１１との相対的な距離を、第１距離と、第１距離よりも小さな第２距離との間で変更する。しかしながら、相対位置変更部による距離の変更方法については、昇降ロッド１２１を用いる方法に限定されるものではない。
カバー１２４とステージ１１１との距離が第１距離ｄ１の状態で、搬送キャリア１０のステージ１１１への載置状態が判定される。判定の結果、載置状態が第１状態（良好）と判定された場合には、相対位置変更部は、カバー１２４を下降させることにより、カバー１２４とステージ１１１との距離を第２距離ｄ２に変更する。その後、カバー１２４とステージ１１１との距離が第２距離ｄ２の状態で、プラズマ処理が行われる。
カバー１２４とステージ１１１との距離が第１距離ｄ１の状態で、搬送キャリア１０のステージ１１１への載置状態が判定される。判定の結果、載置状態が第１状態（良好）と判定された場合には、相対位置変更部は、カバー１２４を下降させることにより、カバー１２４とステージ１１１との距離を第２距離ｄ２に変更する。その後、カバー１２４とステージ１１１との距離が第２距離ｄ２の状態で、プラズマ処理が行われる。
【0040】
誘電体部材１０８、アンテナ１０９、第１高周波電源１１０Ａ、第２高周波電源１１０Ｂ、プロセスガス源１１２、減圧機構１１４、および、高周波電極部１２０は、プラズマ発生部を構成する。
【0041】
制御装置１２８は、第１高周波電源１１０Ａ、第２高周波電源１１０Ｂ、プロセスガス源１１２、アッシングガス源１１３、減圧機構１１４、冷媒循環装置１２５、昇降機構１２３Ａ、昇降機構１２３Ｂおよび静電吸着機構を含むプラズマ処理装置１００を構成する要素の動作を制御する。制御装置１２８は、また、判定部を有し、撮像部１３１が取得した撮像データに基づき、搬送キャリア１０のステージ１１１への載置状態の良否を判定する。
【0042】
【0043】
図４Ａ～図４Ｆは、プラズマ処理方法における各工程において、カバーとステージの位置関係を示す概念図である。なお、図４Ａ～図４Ｆでは、発明の理解を容易とするため、外周部１１８、外周リング１２９、およびガス導入経路などの記載を省略している。
【0044】
本発明の一実施形態に係るプラズマ処理方法は、フレームと保持シートとを備える搬送キャリアに保持された基板を、チャンバと、チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、チャンバ内に設けられ、搬送キャリアが載置されるステージと、搬送キャリアがステージに載置された状態で搬送キャリアの少なくとも一部を覆うカバーと、を備えるプラズマ処理装置のステージに載置する載置工程と、カバーとステージとの距離が第１距離である状態で、前記搬送キャリアの載置状態を判定する判定工程と、を備える。判定工程において載置状態が第１状態（良好）と判定された場合、カバーとステージとの距離を第１距離よりも小さな第２距離に変更してから、チャンバ内にプラズマを発生させ、発生させたプラズマを基板に照射してプラズマ処理を行う。
【0045】
（１）準備工程
まず、搬送キャリア１０を準備する。搬送キャリア１０は、保持シート３をフレーム２の一方の面に貼着し、固定することにより得られる。このとき、図１（ｂ）に示すように、保持シート３の粘着面３ａをフレームに対向させる。次いで、保持シート３の粘着面３ａに基板１を貼着することにより、基板１を搬送キャリア１０に保持させる。
まず、搬送キャリア１０を準備する。搬送キャリア１０は、保持シート３をフレーム２の一方の面に貼着し、固定することにより得られる。このとき、図１（ｂ）に示すように、保持シート３の粘着面３ａをフレームに対向させる。次いで、保持シート３の粘着面３ａに基板１を貼着することにより、基板１を搬送キャリア１０に保持させる。
【0046】
（２）搬入工程
次に、基板１が保持された搬送キャリア１０を真空チャンバ１０３内に搬入する。
次に、基板１が保持された搬送キャリア１０を真空チャンバ１０３内に搬入する。
【0047】
【0048】
昇降ロッド１２１および支持部１２２を駆動させ、真空チャンバ１０３内においてカバー１２４を所定の位置まで上昇させるとともに、支持部１２２を上昇した状態で待機させる。図４Ｂは、このときのカバー１２４とステージ１１１の位置関係を示している。このとき、カバー１２４とステージ１１１との距離は、第１距離ｄ１である。
【0049】
続いて、図示しないシャッターを開き、搬送アームを介して、搬送アームに保持された搬送キャリア１０が真空チャンバ１０３内に搬入される。搬送キャリア１０がステージ１１１上方の所定の位置に到達すると、支持部１２２に搬送キャリア１０が受け渡される。搬送キャリア１０は、保持シート３の基板１を保持している面が上方を向くように、支持部１２２の上端面に載置される。図４Ｃは、このときのカバー１２４とステージ１１１の位置関係を示している。
【0050】
（３）載置工程
搬送キャリア１０が支持部１２２に受け渡されると、搬送アーム２２１を退出させて、シャッターを閉じ、真空チャンバ１０３を密閉状態とする。その後、支持部１２２を降下させる。支持部１２２の上端面が、ステージ１１１と同じレベル以下にまで降下することにより、搬送キャリア１０は、ステージ１１１に載置される。図４Ｄは、このときのカバー１２４とステージ１１１の位置関係を示している。カバー１２４は下降させていないので、カバー１２４とステージ１１１との距離は、第１距離ｄ１のままである。
搬送キャリア１０が支持部１２２に受け渡されると、搬送アーム２２１を退出させて、シャッターを閉じ、真空チャンバ１０３を密閉状態とする。その後、支持部１２２を降下させる。支持部１２２の上端面が、ステージ１１１と同じレベル以下にまで降下することにより、搬送キャリア１０は、ステージ１１１に載置される。図４Ｄは、このときのカバー１２４とステージ１１１の位置関係を示している。カバー１２４は下降させていないので、カバー１２４とステージ１１１との距離は、第１距離ｄ１のままである。
【0051】
続いて、ステージ１１１に載置された搬送キャリア１０をステージ１１１上に固定する。ステージ１１１がＥＳＣ電極１１９を備える場合、ＥＳＣ電極１１９に電圧を印加することにより、搬送キャリア１０の保持シート３とステージ１１１との間に吸着力を発生させ、保持シート３、ひいては搬送キャリア１０を、ステージ１１１に固定することができる。
【0052】
ＥＳＣ電極１１９は、単極型と双極型の２つの型式に大別される。
単極型のＥＳＣ電極１１９は、少なくとも１つの電極を含む。単極型のＥＳＣ電極１１９に２以上の電極が含まれる場合、いずれにも同じ極性の電圧が印加される。単極型のＥＳＣ電極１１９を備える静電吸着機構は、吸着メカニズムとしてクーロン力を利用する。ＥＳＣ電極１１９に電圧を印加することにより、誘電体からなるステージ１１１の表面に誘電分極による電荷を誘起させるとともに、ステージ１１１の上に載置された保持シート３を帯電させる。その結果、ステージ１１１の表面に誘起された電荷と帯電した保持シート３との間でクーロン力が働き、搬送キャリア１０がステージ１１１に吸着される。なお、保持シート３を帯電させるためには、真空チャンバ１０３内でプラズマを発生させ、発生したプラズマに保持シート３を曝せばよい。
単極型のＥＳＣ電極１１９は、少なくとも１つの電極を含む。単極型のＥＳＣ電極１１９に２以上の電極が含まれる場合、いずれにも同じ極性の電圧が印加される。単極型のＥＳＣ電極１１９を備える静電吸着機構は、吸着メカニズムとしてクーロン力を利用する。ＥＳＣ電極１１９に電圧を印加することにより、誘電体からなるステージ１１１の表面に誘電分極による電荷を誘起させるとともに、ステージ１１１の上に載置された保持シート３を帯電させる。その結果、ステージ１１１の表面に誘起された電荷と帯電した保持シート３との間でクーロン力が働き、搬送キャリア１０がステージ１１１に吸着される。なお、保持シート３を帯電させるためには、真空チャンバ１０３内でプラズマを発生させ、発生したプラズマに保持シート３を曝せばよい。
【0053】
一方、双極型のＥＳＣ電極１１９は、正極および負極を備え、正極および負極にそれぞれ極性の異なる電圧が印加される。双極型のＥＳＣ電極１１９としては、例えば、櫛形電極が用いられる。正極には、直流電源１２６からＶ１の電圧が印加され、負極には、直流電源１２６から－Ｖ１の電圧が印加される。
【0054】
双極型のＥＳＣ電極１１９を備える静電吸着機構の吸着メカニズムとしては、クーロン力を利用する場合と、ジョンソン・ラーベック力を利用する場合とがある。吸着メカニズムに応じて、ＥＳＣ電極１１９の構造やＥＳＣ電極１１９を構成する材料（例えば、セラミックス）が適宜選択される。いずれの吸着メカニズムの場合も、正極および負極にそれぞれ極性の異なる電圧を印加することにより、ＥＳＣ電極と保持シート３との間に吸着力が生じ、搬送キャリア１０をステージ１１１に吸着させることができる。なお、双極型の場合は、単極型の場合と異なり、吸着させるために保持シート３を帯電させる必要はない。
【0055】
双極型のＥＳＣ電極は、正極と負極への電圧の印加の方法によって、単極型として機能させることもできる。具体的には、正極と負極に同一極性の電圧を印加することにより、単極型のＥＳＣ電極として利用できる。
【0056】
ＥＳＣ電極１１９が双極型である場合、搬送キャリア１０が支持部１２２に受け渡された後、直流電源１２６からＥＳＣ電極１１９に電圧を印加する。これにより、保持シート３がステージ１１１に接触すると同時にステージ１１１に吸着されて、保持シート３はステージ１１１に固定される。なお、ＥＳＣ電極１１９への電圧の印加は、保持シート３がステージ１１１に載置された後（接触した後）に、開始されてもよい。
【0057】
（４）判定工程
載置工程の後、搬送キャリアの載置状態を判定する判定工程が行われる。ここでは、窓１３０を介して、真空チャンバ１０３内の搬送キャリア１０の載置状態を撮像部１３１を用いて撮影し、撮像データを画像解析する。これにより、保持シート３のステージ１１１への載置状態、ひいては、保持シート３を介した基板１のステージ１１１への載置状態を判定する。
載置工程の後、搬送キャリアの載置状態を判定する判定工程が行われる。ここでは、窓１３０を介して、真空チャンバ１０３内の搬送キャリア１０の載置状態を撮像部１３１を用いて撮影し、撮像データを画像解析する。これにより、保持シート３のステージ１１１への載置状態、ひいては、保持シート３を介した基板１のステージ１１１への載置状態を判定する。
【0058】
例えば、図４Ｄに示すように、撮像部１３１は、ステージ１１１に載置された状態で搬送キャリア１０の側方となる位置に配置され、搬送キャリアの載置面（基板１の主面）から僅かに傾いた角度から、搬送キャリア１０を撮影する。撮像部１３１は、特に、搬送キャリア１０のフレーム２の内周側壁を含む領域を撮影する。撮像データにフレームの内周側壁が含まれるように、撮像部１３１の撮像の角度および撮像範囲が調整される。
【0059】
基板または保持シートにおいてステージ１１１からの浮き上がりがなく、搬送キャリアの載置状態が良好である場合、撮像データにはフレーム２の内周側壁の情報が含まれる。しかしながら、例えば図４Ｅに示すように、一部領域において保持シートがステージ１１１から浮き上がっている場合、浮き上がり部分によってフレームの内周側壁の少なくとも一部が隠れ、撮像データに現れなくなる。よって、撮像データからフレームの内周側壁に相当する領域を画像解析により求めることで、搬送キャリアの載置状態を判定できる。例えば、撮像データにおけるフレームの内周側壁に相当する領域の面積を求め、面積が所定値以上であれば載置状態は第１状態（良好）であり、所定値未満であれば載置状態は第２状態（不良）であると判定すればよい。
【0060】
しかしながら、搬送キャリアの載置状態の判定方法については、上記の撮像部１３１を用いた方法に限られるものではない。例えば、保持シート３に対向するステージ１１１の表面に判定用ガス孔を設ける方法、あるいは、変位センサまたは温度センサを設けることにより、搬送キャリアの載置状態の良否を判定してもよい。
【0061】
判定用ガス孔を設ける方法では、判定用ガス孔を介して判定用ガスを導入する際のガス圧力の時間変化に基づき、搬送キャリアの載置状態の良否を判定することができる。保持シート３がステージ１１１から浮き上がっている場合、保持シート３とステージ１１１との間に隙間が生じる。これに対し、搬送キャリアの載置状態が良好である場合、保持シート３はステージ１１１と密着しており、判定用ガス孔は保持シート３で塞がれている。よって、例えば判定用ガスを一定流量で判定用ガス孔から導入する場合、保持シート３とステージ１１１との間に隙間があると、圧力が所定値に到達するまでに時間を要する。よって、圧力が所定値に達するまでの時間（あるいは、判定用ガスを導入してから所定期間経過後のガス圧力）を測定することで、搬送キャリアの載置状態を判定することができる。
【0062】
変位センサを用いる場合、変位センサは、搬送アームに取り付けられた状態で、ステージ１１１の上方を移動し、搬送キャリアがステージに載置された状態における基板の高さを測定する。変位センサとしては、特に限定されないが、非接触式が好ましい、非接触式の変位センサとしては、光学式（レーザ式）、渦電流式、超音波式などが挙げられる。温度センサを用いる場合、ステージを所定温度（例えば、－１０℃以下）に冷却し、ステージに載置された基板１の表面の温度を測定する。搬送キャリアの載置状態が第１状態（良好）である場合、基板１の表面温度は一様に低いが、保持シート３がステージ１１１から浮き上がった部分がある（第２状態）と、その部分の温度が高くなる。温度センサとしては、特に限定されないが、非接触式が好ましい、非接触式の温度センサとしては、赤外線放射エネルギーを測定する放射温度計が挙げられる。放射温度計は、例えば、真空チャンバ１０３の上方に設けられた覗き窓に対向するように、真空チャンバ１０３の外側に設置される。
【0063】
搬送キャリア１０のステージ１１１への載置状態が第１状態（良好）であると判定された場合、後述するプラズマエッチング工程に進む。一方、搬送キャリア１０のステージ１１１への載置状態が第２状態（不良）であると判定されると、搬送キャリア１０は真空チャンバ１０３から搬出され、その後、載置工程が再度試みられる。あるいは、再び支持部１２２を上昇させ、搬送キャリア１０がステージ１１１から離間した状態から、載置工程が再度試みられる。リトライにおいて、支持部１２２を上昇あるいは降下させる間に、支持部１２２を小さく昇降させてもよい。これにより、保持シート３のシワが解消され、保持シートの浮き上がりが解消され易くなる。
【0064】
（５）プラズマ処理工程
判定工程において、上記の載置状態が良好であると判定されると、昇降ロッド１２１を駆動させ、カバー１２４を所定の位置にまで降下させる。これにより、カバー１２４とステージ１１１との距離は、第１距離ｄ１よりも小さな第２距離ｄ２に変更される。図４Ｆは、このときのカバー１２４とステージ１１１の位置関係を示している。第２距離ｄ２は、カバー１２４が保持シート３に接触することなくフレーム２を覆うことができる距離に調節されている。これにより、フレーム２および保持シート３の基板１を保持していない部分の一部は、カバー１２４によって覆われ、基板１はカバー１２４の窓部１２４Ｗから露出する。第２距離ｄ２は特に限定されないが、例えば、０．５ｍｍ～１．５ｍｍ程度である。第２距離ｄ２は、カバー１２４の一部であって、ステージ１１１に載置された搬送キャリアの保持シートに対向する部分と、ステージ１１１と、の最短距離である。
判定工程において、上記の載置状態が良好であると判定されると、昇降ロッド１２１を駆動させ、カバー１２４を所定の位置にまで降下させる。これにより、カバー１２４とステージ１１１との距離は、第１距離ｄ１よりも小さな第２距離ｄ２に変更される。図４Ｆは、このときのカバー１２４とステージ１１１の位置関係を示している。第２距離ｄ２は、カバー１２４が保持シート３に接触することなくフレーム２を覆うことができる距離に調節されている。これにより、フレーム２および保持シート３の基板１を保持していない部分の一部は、カバー１２４によって覆われ、基板１はカバー１２４の窓部１２４Ｗから露出する。第２距離ｄ２は特に限定されないが、例えば、０．５ｍｍ～１．５ｍｍ程度である。第２距離ｄ２は、カバー１２４の一部であって、ステージ１１１に載置された搬送キャリアの保持シートに対向する部分と、ステージ１１１と、の最短距離である。
【0065】
カバー１２４は、例えば、略円形の外形輪郭を有したドーナツ形であり、一定の幅および薄い厚みを備えている。カバー１２４の内径（窓部１２４Ｗの直径）はフレーム２の内径よりも小さく、カバー１２４の外径はフレーム２の外径よりも大きい。したがって、搬送キャリア１０をステージの所定の位置に搭載し、カバー１２４を降下させると、カバー１２４は、フレーム２と保持シート３の少なくとも一部を覆うことができる。窓部１２４Ｗからは、基板１の少なくとも一部が露出する。カバー１２４は、例えば、セラミックス（例えば、アルミナ、窒化アルミニウムなど）や石英などの誘電体や、アルミニウムあるいは表面がアルマイト処理されたアルミニウムなどの金属で構成される。
【0066】
支持部１２２およびカバー１２４が所定の位置に配置されると、プロセスガス源１１２からガス導入口１０３ａを通って、プロセスガスが真空チャンバ１０３内部に導入される。一方、減圧機構１１４は、真空チャンバ１０３内のガスを排気口１０３ｂから排気し、真空チャンバ１０３内を所定の圧力に維持する。続いて、アンテナ１０９に第１高周波電源１１０Ａから高周波電力を投入し、真空チャンバ１０３内にプラズマＰを発生させる。発生したプラズマＰは、イオン、電子、ラジカルなどから構成される。基板１に形成されたレジストマスクから露出した部分の表面から裏面までが、発生したプラズマＰとの物理化学的反応によって除去（エッチング）され、基板１は個片化される。
【0067】
ここで、第２高周波電源１１０Ｂから高周波電極部１２０に、例えば１００ｋＨｚ以上の高周波電力を投入してもよい。イオンの基板１への入射エネルギーは、第２高周波電源１１０Ｂから高周波電極部１２０に印加された高周波電力によって制御することができる。高周波電極部１２０に高周波電力が投入されることにより、ステージ１１１の表面にバイアス電圧が発生し、このバイアス電圧によって基板１に入射するイオンが加速され、エッチング速度が増加する。
【0068】
エッチングの条件（プラズマを発生させる条件）は、基板１の材質などに応じて設定される。例えば、基板１がＳｉの場合、真空チャンバ１０３内に、六フッ化硫黄（ＳＦ６）などを原料とするプラズマを発生させることにより、基板１はエッチングされる。この場合、例えば、プロセスガス源１１２から、ＳＦ６ガスを１００～８００ｓｃｃｍで供給しながら、減圧機構１１４により真空チャンバ１０３の圧力を１０～５０Ｐａに制御する。このとき、アンテナ１０９に１０００～５０００Ｗの周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給するとともに、高周波電極部１２０に５０～１０００Ｗの１００ｋＨｚ以上（例えば、４００～５００ｋＨｚ、あるいは、１３．５６ＭＨｚ）の高周波電力を供給する。
【0069】
エッチング中の搬送キャリア１０の温度上昇を抑えるため、冷媒循環装置１２５により、ステージ１１１内に循環させる冷媒の温度を－２０から２０℃に設定することが好ましい。これにより、保持シート３とステージ１１１との接触状態が良好であれば、プラズマ処理中の保持シート３の温度は、例えば６０℃以下に制御される。そのため、保持シート３の熱的ダメージが抑制される。
【0070】
プラズマダイシングの場合、レジストマスクから露出した基板１の表面は、垂直にエッチングされることが望ましい。この場合、上記のように、ＳＦ６などのフッ素系ガスのプラズマによるエッチングステップと、パーフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）などのフッ化炭素ガスのプラズマによる保護膜堆積ステップとを、交互に繰り返してもよい。
【0071】
エッチングによって基板１が個片化された後、アッシングが実行される。アッシング用のプロセスガス（例えば、酸素ガスや、酸素ガスとフッ素を含むガスとの混合ガス等）を、アッシングガス源１１３から真空チャンバ１０３内に導入する。一方、減圧機構１１４による排気を行い、真空チャンバ１０３内を所定の圧力に維持する。第１高周波電源１１０Ａからの高周波電力の投入により、真空チャンバ１０３内には酸素プラズマが発生し、カバー１２４の窓部１２４Ｗから露出している個片化された基板１（電子部品）の表面のレジストマスクが完全に除去される。
【0072】
（６）搬出工程
アッシングが終了すると、真空チャンバ１０３内のガスが排出され、シャッターを開いて、個片化された基板１を保持する搬送キャリア１０が、搬送アーム２２１によって、プラズマ処理装置１００から搬出される。搬送キャリア１０の搬出プロセスは、上記のような基板１をステージ１１１に搭載する手順とは逆の手順で行われても良い。すなわち、カバー１２４を所定の位置にまで上昇させた後、ＥＳＣ電極１１９への印加電圧をゼロにして、搬送キャリア１０のステージ１１１への吸着を解除し、支持部１２２を上昇させる。支持部１２２が所定の位置まで上昇した後、搬送キャリア１０は搬出される。
アッシングが終了すると、真空チャンバ１０３内のガスが排出され、シャッターを開いて、個片化された基板１を保持する搬送キャリア１０が、搬送アーム２２１によって、プラズマ処理装置１００から搬出される。搬送キャリア１０の搬出プロセスは、上記のような基板１をステージ１１１に搭載する手順とは逆の手順で行われても良い。すなわち、カバー１２４を所定の位置にまで上昇させた後、ＥＳＣ電極１１９への印加電圧をゼロにして、搬送キャリア１０のステージ１１１への吸着を解除し、支持部１２２を上昇させる。支持部１２２が所定の位置まで上昇した後、搬送キャリア１０は搬出される。
【産業上の利用可能性】
【0073】
本発明のプラズマ処理方法は、ステージの上方にカバーを備えるプラズマ処理装置を用いてプラズマ処理を行う場合に有用である。
【符号の説明】
【0074】
１：基板、１Ａ：外周部、１Ｂ：中央部
２：フレーム、２ａ：ノッチ、２ｂ：コーナーカット
３：保持シート、３ａ：粘着面、３ｂ：非粘着面
１０：搬送キャリア
１００：プラズマ処理装置
１０３：真空チャンバ、１０３ａ：ガス導入口、１０３ｂ：排気口、１０８：誘電体部材、１０９：アンテナ、１１０Ａ：第１高周波電源、１１０Ｂ：第２高周波電源、１１１：ステージ、１１２：プロセスガス源、１１３：アッシングガス源、１１４：減圧機構、１１５：電極層、１１６：金属層、１１７：基台、１１８：外周部、１１９：ＥＳＣ電極、１２０：高周波電極部、１２１：昇降ロッド、１２２：支持部、１２３Ａ、１２３Ｂ：昇降機構、１２４：カバー、１２４Ｗ：窓部、１２５：冷媒循環装置、１２６：直流電源、１２７：冷媒流路、１２８：制御装置、１２９：外周リング
１３０：窓、１３１：撮像部
２：フレーム、２ａ：ノッチ、２ｂ：コーナーカット
３：保持シート、３ａ：粘着面、３ｂ：非粘着面
１０：搬送キャリア
１００：プラズマ処理装置
１０３：真空チャンバ、１０３ａ：ガス導入口、１０３ｂ：排気口、１０８：誘電体部材、１０９：アンテナ、１１０Ａ：第１高周波電源、１１０Ｂ：第２高周波電源、１１１：ステージ、１１２：プロセスガス源、１１３：アッシングガス源、１１４：減圧機構、１１５：電極層、１１６：金属層、１１７：基台、１１８：外周部、１１９：ＥＳＣ電極、１２０：高周波電極部、１２１：昇降ロッド、１２２：支持部、１２３Ａ、１２３Ｂ：昇降機構、１２４：カバー、１２４Ｗ：窓部、１２５：冷媒循環装置、１２６：直流電源、１２７：冷媒流路、１２８：制御装置、１２９：外周リング
１３０：窓、１３１：撮像部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】