特開 2023-60769 ペロブスカイト層の結晶状態検査装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023060769

(43)【公開日】2023-04-28

(54)【発明の名称】ペロブスカイト層の結晶状態検査装置

(51)【国際特許分類】

   G01N 21/27 20060101AFI20230421BHJP

   H02S 50/15 20140101ALI20230421BHJP

   H01L 21/66 20060101ALI20230421BHJP

【ＦＩ】

G01N21/27 A

H02S50/15

H01L21/66 L

H01L21/66 X

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021170557

(22)【出願日】2021-10-18

(71)【出願人】

【識別番号】504133110

【氏名又は名称】国立大学法人電気通信大学

(71)【出願人】

【識別番号】000106760

【氏名又は名称】ＣＫＤ株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】591209280

【氏名又は名称】株式会社フジコー

(71)【出願人】

【識別番号】000102212

【氏名又は名称】ウシオ電機株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】000103976

【氏名又は名称】株式会社オリジン

(74)【代理人】

【識別番号】100121821

【弁理士】

【氏名又は名称】山田 強

(74)【代理人】

【識別番号】100125575

【弁理士】

【氏名又は名称】松田 洋

(72)【発明者】

【氏名】早瀬 修二

(72)【発明者】

【氏名】野田 尚彦

(72)【発明者】

【氏名】林 雅博

(72)【発明者】

【氏名】野村 隆利

(72)【発明者】

【氏名】野村 大志郎

(72)【発明者】

【氏名】廣谷 太佑

(72)【発明者】

【氏名】中村 雅規

(72)【発明者】

【氏名】平見 朋之

(72)【発明者】

【氏名】久我 敬之

(72)【発明者】

【氏名】可兒 聡

(72)【発明者】

【氏名】笹原 新平

【テーマコード（参考）】

2G059

4M106

5F151

5F251

【Ｆターム（参考）】

2G059AA03

2G059AA05

2G059BB08

2G059CC03

2G059CC12

2G059DD12

2G059DD16

2G059EE02

2G059EE13

2G059FF04

2G059GG02

2G059GG03

2G059HH02

2G059KK03

2G059KK04

2G059KK05

2G059LL04

2G059MM01

2G059MM05

2G059MM10

2G059NN01

2G059PP04

4M106AA10

4M106AB09

4M106BA04

4M106CA19

4M106CA21

4M106DH12

4M106DH31

4M106DH37

4M106DJ04

4M106DJ20

4M106DJ23

4M106DJ27

4M106DJ38

5F151AA11

5F151KA09

5F251AA11

5F251KA09

(57)【要約】

【課題】太陽電池等の製造ラインにおいてペロブスカイト層の結晶状態をインライン検査することのできる結晶状態検査装置を提供する。
【解決手段】基材に塗布されたペロブスカイト層の原料液から形成された対象膜（Ｗ）に光を照射する照射部（２１，２２）と、照射部により照射された光が対象膜により反射された反射光を受光する受光部（３１，３２）と、受光部により受光された反射光に含まれる所定波長の光の強度に基づいて、対象膜の結晶状態を評価する評価部（４１）と、を備える、ペロブスカイト層の結晶状態検査装置（１０）。
【選択図】 図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材に塗布されたペロブスカイト層の原料液から形成された対象膜に光を照射する照射部と、
前記照射部により照射された前記光が前記対象膜により反射された反射光を受光する受光部と、
前記受光部により受光された前記反射光に含まれる所定波長の光の強度に基づいて、前記対象膜の結晶状態を評価する評価部と、
を備える、ペロブスカイト層の結晶状態検査装置。

【請求項2】

前記評価部は、前記受光部により受光された前記反射光に含まれる赤色光の強度が第１閾値よりも小さい場合に、前記対象膜の結晶状態が３次元構造結晶状態であると評価する、請求項１に記載のペロブスカイト層の結晶状態検査装置。

【請求項3】

前記受光部は、前記照射部により照射された前記光が前記対象膜により反射された反射光を逐次受光し、
前記評価部は、前記受光部により逐次受光された前記反射光に含まれる赤色光の強度が前回の強度よりも低下した時に、前記対象膜において３次元構造結晶ができ始めたと評価する、請求項１又は２に記載のペロブスカイト層の結晶状態検査装置。

【請求項4】

前記評価部は、前記受光部により受光された前記反射光に含まれる緑色光の強度が第２閾値よりも小さい場合に、前記対象膜においてペロブスカイト中間体が形成されていると評価する、請求項１～３のいずれか１項に記載のペロブスカイト層の結晶状態検査装置。

【請求項5】

前記受光部は、前記照射部により照射された前記光が前記対象膜により反射された反射光を逐次受光し、
前記評価部は、前記受光部により逐次受光された前記反射光に含まれる緑色光の強度が前回の強度よりも低下した時に、前記対象膜においてペロブスカイト中間体ができ始めたと評価する、請求項１～４のいずれか１項に記載のペロブスカイト層の結晶状態検査装置。

【請求項6】

前記評価部は、前記受光部により受光された前記反射光に含まれる青色光の強度が第３閾値よりも小さい場合に、前記対象膜においてペロブスカイト中間体が形成されていると評価する、請求項１～５のいずれか１項に記載のペロブスカイト層の結晶状態検査装置。

【請求項7】

前記評価部は、前記ペロブスカイト層のアニール工程が開始されたタイミングを起点として、前記照射部により前記対象膜に前記光を照射し前記受光部により受光された前記反射光に含まれる赤色光の強度が第４閾値よりも小さくなるまでの時間から、同じく前記ペロブスカイト層のアニール工程が開始されたタイミングを起点として、前記照射部により前記対象膜に前記光を照射し前記受光部により受光された前記反射光に含まれる緑色光の強度が第５閾値よりも小さくなるまでの時間を引いた差が、正の値であり且つ所定値よりも小さく、且つ、
同じく前記ペロブスカイト層のアニール工程が開始されたタイミングを起点として、前記照射部により前記対象膜に前記光を照射し前記受光部により受光された前記反射光に含まれる赤色光の強度が前記第４閾値よりも小さくなるまでの時間から、同じく前記ペロブスカイト層のアニール工程が開始されたタイミングを起点として、前記照射部により前記対象膜に前記光を照射し前記受光部により受光された前記反射光に含まれる青色光の強度が第６閾値よりも小さくなるまでの時間を引いた差が、正の値であり且つ前記所定値よりも小さい場合に、前記対象膜の光電変換効率が所定効率よりも高いと評価する、請求項１～６のいずれか１項に記載のペロブスカイト層の結晶状態検査装置。

【請求項8】

前記照射部により照射された前記光が前記対象膜の複数箇所により反射された反射光をそれぞれ受光する前記受光部を備え、
前記評価部は、前記受光部によりそれぞれ受光された前記反射光に含まれる所定波長の光の強度に基づいて、前記対象膜の前記複数箇所の結晶状態を評価する、請求項１～７のいずれか１項に記載のペロブスカイト層の結晶状態検査装置。

【請求項9】

前記照射部により照射された前記光の強度を検出する検出部と、
前記検出部により検出された前記強度に基づいて、前記照射部の劣化を判定する判定部と、を備える、請求項１～８のいずれか１項に記載のペロブスカイト層の結晶状態検査装置。

【請求項10】

前記ペロブスカイト層の一般式は、ＡＢＸ３で表され、
前記Ａは、アルカリ金属イオン、ルビジウムイオン、メチルアンモニウムイオン、エチルアンモニウムイオン、フォルムアミジウムイオン、グアニジウムイオン、及びアルキルアンモニウムイオンの少なくとも１つであり、
前記Ｂは、IV族元素のゲルマニウムイオン（Ｇｅ２＋）、スズイオン（Ｓｎ２＋）、鉛イオン（Ｐｂ２＋）、III族元素のインジウムイオン（Ｉｎ３＋）、及びV族元素のアンチモン（Ｓｂ）の少なくとも１つであり、
前記Ｘは、VII族元素のフッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、及びヨウ素（Ｉ）の少なくとも１つである、請求項１～９のいずれか１項に記載のペロブスカイト層の結晶状態検査装置。

【請求項11】

メチルアンモニウムイオン（ＭＡ＋）、鉛イオン（Ｐｂ２＋）、ヨウ素イオン（Ｉ－）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）として、
前記原料液は、ＭＡＩ及びＰｂＩ２がＤＭＳＯを含む溶媒に溶かされた溶液である、請求項１～１０のいずれか１項に記載のペロブスカイト層の結晶状態検査装置。

【請求項12】

メチルアンモニウムイオン（ＭＡ＋）、鉛イオン（Ｐｂ２＋）、ヨウ素イオン（Ｉ－）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）として、
前記ペロブスカイト中間体は、ＭＡ２Ｐｂ３Ｉ８・２（ＤＭＳＯ）である、請求項４～６のいずれか１項に記載のペロブスカイト層の結晶状態検査装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、太陽電池等に用いられるペロブスカイト層の結晶状態を検査する装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、太陽電池に用いられる透明導電膜の膜厚を分析する装置がある（特許文献１参照）。特許文献１に記載の装置では、透明導電膜に光を照射し、反射した光を少なくとも２つの波長に分光し、これらの波長の光強度を演算することにより、透明導電膜の膜厚を算出している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特許第４５４４８４６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、ペロブスカイト層を用いた太陽電池の製造ラインにおいてペロブスカイト層の結晶状態を、製造ラインを稼働させている状態でリアルタイム検査する、すなわちインライン検査する装置は、未だ実用化されていない。

【0005】

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その主たる目的は、太陽電池等の製造ラインにおいてペロブスカイト層の結晶状態をインライン検査することのできる結晶状態検査装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するための第１の手段は、ペロブスカイト層の結晶状態検査装置であって、
基材に塗布されたペロブスカイト層の原料液から形成された対象膜に光を照射する照射部と、
前記照射部により照射された前記光が前記対象膜により反射された反射光を受光する受光部と、
前記受光部により受光された前記反射光に含まれる所定波長の光の強度に基づいて、前記対象膜の結晶状態を評価する評価部と、
を備える。

【0007】

上記構成によれば、基材に塗布されたペロブスカイト層の原料液から対象膜が形成されている。照射部は、対象膜に光を照射する。受光部は、前記照射部により照射された前記光が前記対象膜により反射された反射光を受光する。

【0008】

ここで、本願発明者は、ペロブスカイト層の原料液からペロブスカイト層が形成される際に、受光部により受光された前記反射光に含まれる所定波長の光の強度が、ペロブスカイト層の結晶状態に応じて変化することに着目した。この点、評価部は、前記受光部により受光された前記反射光に含まれる所定波長の光の強度に基づいて、前記対象膜の結晶状態を評価する。したがって、ペロブスカイト層の結晶状態を非破壊で検査することができるため、太陽電池等の製造ラインにおいてペロブスカイト層の結晶状態をインライン検査することができる。

【0009】

第２の手段では、前記評価部は、前記受光部により受光された前記反射光に含まれる赤色光の強度が第１閾値よりも小さい場合に、前記対象膜の結晶状態が３次元構造結晶状態であると評価する。

【0010】

本願発明者は、ペロブスカイト層の原料液からペロブスカイト層が形成される際に、受光部により受光された前記反射光に含まれる赤色光の強度が、ペロブスカイト層における３次元構造結晶（ペロブスカイト構造）の形成量に応じて変化することに着目した。詳しくは、ペロブスカイト層において、３次元構造結晶ができ始めると反射光に含まれる赤色光の強度が低下し始め、３次元構造結晶ができあがると赤色光の強度が０に近くなる。したがって、前記評価部は、前記受光部により受光された前記反射光に含まれる赤色光の強度が第１閾値よりも小さい場合に、前記対象膜の結晶状態が３次元構造結晶状態（ペロブスカイト構造が支配的）であると評価することにより、対象膜が３次元構造結晶状態になったことを特定することができる。

【0011】

第３の手段では、前記受光部は、前記照射部により照射された前記光が前記対象膜により反射された反射光を逐次受光し、前記評価部は、前記受光部により逐次受光された前記反射光に含まれる赤色光の強度が前回の強度よりも低下した時に、前記対象膜において３次元構造結晶ができ始めたと評価する。

【0012】

上記構成によれば、前記受光部は、前記照射部により照射された前記光が前記対象膜により反射された反射光を逐次受光する。本願発明者は、ペロブスカイト層において、３次元構造結晶ができ始めると反射光に含まれる赤色光の強度が低下し始めることに着目した。したがって、前記評価部は、前記受光部により逐次受光された前記反射光に含まれる赤色光の強度が前回の強度よりも低下した時に、前記対象膜において３次元構造結晶ができ始めたと評価することにより、前記対象膜において３次元構造結晶ができ始めた時点を特定することができる。

【0013】

第４の手段では、前記評価部は、前記受光部により受光された前記反射光に含まれる緑色光の強度が第２閾値よりも小さい場合に、前記対象膜においてペロブスカイト中間体が形成されていると評価する。

【0014】

本願発明者は、ペロブスカイト層の原料液からペロブスカイト層が形成される際に、受光部により受光された前記反射光に含まれる緑色光の強度が、ペロブスカイト層におけるペロブスカイト中間体の有無に応じて変化することに着目した。詳しくは、ペロブスカイト層において、ペロブスカイト中間体ができ始めると反射光に含まれる緑色光の強度が低下し始め、ペロブスカイト中間体ができあがると緑色光の強度が０に近くなる。したがって、前記評価部は、前記受光部により受光された前記反射光に含まれる緑色光の強度が第２閾値よりも小さい場合に、前記対象膜においてペロブスカイト中間体が形成されている（大部分がペロブスカイト中間体に変化している）と評価することにより、対象膜がペロブスカイト中間体になったことを特定することができる。なお、ペロブスカイト中間体から３次元構造結晶状態に移行することによりペロブスカイト中間体が減少しても、反射光に含まれる緑色光の強度は０に近い状態で維持される。

【0015】

第５の手段では、前記受光部は、前記照射部により照射された前記光が前記対象膜により反射された反射光を逐次受光し、前記評価部は、前記受光部により逐次受光された前記反射光に含まれる緑色光の強度が前回の強度よりも低下した時に、前記対象膜においてペロブスカイト中間体ができ始めたと評価する。

【0016】

上記構成によれば、前記受光部は、前記照射部により照射された前記光が前記対象膜により反射された反射光を逐次受光する。本願発明者は、ペロブスカイト層において、ペロブスカイト中間体ができ始めると反射光に含まれる緑色光の強度が低下し始めることに着目した。したがって、前記評価部は、前記受光部により逐次受光された前記反射光に含まれる緑色光の強度が前回の強度よりも低下した時に、前記対象膜においてペロブスカイト中間体ができ始めたと評価することにより、前記対象膜においてペロブスカイト中間体ができ始めた時点を特定することができる。

【0017】

第６の手段では、前記評価部は、前記受光部により受光された前記反射光に含まれる青色光の強度が第３閾値よりも小さい場合に、前記対象膜においてペロブスカイト中間体が形成されていると評価する。

【0018】

本願発明者は、ペロブスカイト層の原料液からペロブスカイト層が形成される際に、受光部により受光された前記反射光に含まれる青色光の強度が、ペロブスカイト層におけるペロブスカイト中間体の有無に応じて変化することに着目した。詳しくは、ペロブスカイト層において、ペロブスカイト中間体ができあがると反射光に含まれる青色光の強度が０に近くなる。したがって、前記評価部は、前記受光部により受光された前記反射光に含まれる青色光の強度が第３閾値よりも小さい場合に、前記対象膜においてペロブスカイト中間体が形成されている（大部分がペロブスカイト中間体に変化している）と評価することにより、対象膜がペロブスカイト中間体になったことを特定することができる。なお、ペロブスカイト中間体から３次元構造結晶状態に移行することによりペロブスカイト中間体が減少しても、反射光に含まれる青色光の強度は０に近い状態で維持される。

【0019】

本願発明者は、対象膜においてペロブスカイト中間体が形成されてから３次元構造結晶が形成されるまでの時間が短いほど、対象膜の光電変換効率が高いことに着目した。

【0020】

この点、第７の手段では、前記評価部は、前記ペロブスカイト層のアニール工程が開始されたタイミングを起点として、前記照射部により前記対象膜に前記光を照射し前記受光部により受光された前記反射光に含まれる赤色光の強度が第４閾値よりも小さくなるまでの時間から、同じく前記ペロブスカイト層のアニール工程が開始されたタイミングを起点として、前記照射部により前記対象膜に前記光を照射し前記受光部により受光された前記反射光に含まれる緑色光の強度が第５閾値よりも小さくなるまでの時間を引いた差が、正の値であり且つ所定値よりも小さく、且つ、同じく前記ペロブスカイト層のアニール工程が開始されたタイミングを起点として、前記照射部により前記対象膜に前記光を照射し前記受光部により受光された前記反射光に含まれる赤色光の強度が前記第４閾値よりも小さくなるまでの時間から、同じく前記ペロブスカイト層のアニール工程が開始されたタイミングを起点として、前記照射部により前記対象膜に前記光を照射し前記受光部により受光された前記反射光に含まれる青色光の強度が第６閾値よりも小さくなるまでの時間を引いた差が、正の値であり且つ前記所定値よりも小さい場合に、前記対象膜の光電変換効率が所定効率よりも高いと評価する。こうした構成によれば、対象膜においてペロブスカイト中間体が形成され始めてから３次元構造結晶が形成され終わるまでの時間が所定値よりも小さい場合に、対象膜の光電変換効率が所定変換効率よりも高いと評価することにより、対象膜の光電変換効率が所定変換効率よりも高いことを特定することができる。

【0021】

第８の手段では、前記照射部により照射された前記光が前記対象膜の複数箇所により反射された反射光をそれぞれ受光する前記受光部を備え、前記評価部は、前記受光部によりそれぞれ受光された前記反射光に含まれる所定波長の光の強度に基づいて、前記対象膜の前記複数箇所の結晶状態を評価する。こうした構成によれば、対象膜の複数箇所の結晶状態を一度に評価することができるため、大型の対象膜の検査を可能にしたり、検査を高速化したりすることができる。

【0022】

前記照射部により照射された前記光の強度が経時変化等が原因で低下した場合、前記受光部により受光される反射光の強度が低下する。この場合、反射光に含まれる所定波長の光の強度に基づいて前記対象膜の結晶状態を評価する評価部が、結晶状態を誤評価するおそれがある。

【0023】

この点、第９の手段では、前記照射部により照射された前記光の強度を検出する検出部と、前記検出部により検出された前記強度に基づいて、前記照射部の劣化を判定する判定部と、を備える。こうした構成によれば、照射部の劣化を判定することができるため、照射部の劣化に起因する結晶状態の誤評価を抑制することができる。

【0024】

具体的には、第１０の手段のように、前記ペロブスカイト層の一般式は、ＡＢＸ３で表され、前記Ａは、アルカリ金属イオン、ルビジウムイオン、メチルアンモニウムイオン、エチルアンモニウムイオン、フォルムアミジウムイオン、グアニジウムイオン、及びアルキルアンモニウムイオンの少なくとも１つであり、前記Ｂは、IV族元素のゲルマニウムイオン（Ｇｅ２＋）、スズイオン（Ｓｎ２＋）、鉛イオン（Ｐｂ２＋）、III族元素のインジウムイオン（Ｉｎ３＋）、及びV族元素のアンチモン（Ｓｂ）の少なくとも１つであり、前記Ｘは、VII族元素のフッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、及びヨウ素（Ｉ）の少なくとも１つである、といった構成を採用することができる。

【0025】

具体的には、第１１の手段のように、メチルアンモニウムイオン（ＭＡ＋）、鉛イオン（Ｐｂ２＋）、ヨウ素イオン（Ｉ－）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）として、前記原料液は、ＭＡＩ及びＰｂＩ２がＤＭＳＯを含む溶媒に溶かされた溶液である、といった構成を採用することができる。

【0026】

具体的には、第１２の手段のように、メチルアンモニウムイオン（ＭＡ＋）、鉛イオン（Ｐｂ２＋）、ヨウ素イオン（Ｉ－）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）として、前記ペロブスカイト中間体は、ＭＡ２Ｐｂ３Ｉ８・２（ＤＭＳＯ）である、といった構成を採用することができる。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】検査装置を示す模式図。

【図2】光源とカメラの配置を示す模式図。

【図3】塗布直後において反射光に含まれるＲ光（赤色光）、Ｇ光（緑色光）、Ｂ光（青色光）の階調を示すグラフ。

【図4】ペロブスカイト中間体の増加中において反射光に含まれるＲＧＢ光の強度を示すグラフ。

【図5】ペロブスカイト中間体ができあがり３次元構造結晶増加中において反射光に含まれるＲＧＢ光の強度を示すグラフ。

【図6】３次元構造結晶ができあがった状態において反射光に含まれるＲＧＢ光の強度を示すグラフ。

【図7】ＭＡ（メチルアンモニウム）に対するＦＡ（ホルムアミジウム）の混合比と飽和時間と光電変換効率との関係を示すグラフ。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下、ペロブスカイト太陽電池で用いられるペロブスカイト層の結晶状態を検査する検査装置に具現化した一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。

【0029】

図１に示すように、検査装置１０（結晶状態検査装置）は、搬送装置１１、光源２１，２２、カメラ３１，３２、評価部４１、表示部４２、位置センサ４３、エンコーダ４４等を備えている。

【0030】

搬送装置１１は、被検査対象となるワークＷを水平状態に保って、搬送方向（Ｙ方向）に搬送する。ワークＷは、例えば基材（ガラス基板或いはフレキシブル基板等）上に、基材側から透明導電膜、電子輸送層または正孔輸送層、ペロブスカイト層（光電変換層、対象層）、正孔輸送層または電子輸送層、電極が積層されて形成されている。搬送装置１１は、ワークＷの２辺を搬送方向と略平行にして搬送する。なお、以下の説明に際し、搬送方向をＹ方向、これに水平面内で直交する方向をＸ方向と記載する場合がある。

【0031】

光源２１，２２（照射部）は、搬送装置１１の上方に、ワークＷのＸ方向の２つの位置をそれぞれ照らすように固定されている。光源２１，２２から照射された光は、斜めからワークＷへ入射して例えばスポット状に表面を照らす。光源２１，２２は、青色光、緑色光、及び赤色光を含む可視光（波長３８０～８００［ｎｍ］）を出射する光源であり、例えばハロゲンランプや、蛍光灯、ＬＥＤ等を採用することができる。

【0032】

カメラ３１，３２（受光部）は、それぞれ光源２１，２２に対応して設けられている。カメラ３１，３２は、可視光を撮影可能なカラーカメラである。カメラ３１，３２は、ワークＷにおいて光源２１，２２によってそれぞれ照らされた位置を撮影するように、搬送装置１１の上方に固定されている。カメラ３１，３２は、光源２１，２２により照射された光がワークＷにより反射された反射光を受光するように、斜めに配置されている。

【0033】

図２は、１組の光源２１とカメラ３１の配置を示す模式図である。光源２１は、光の入射方向と搬送方向Ｙに直交する直交面Ｖとがなす角度（入射角）が角度θ１になるように配置されている。角度θ１は、例えば１５～７５［°］である。一方、カメラ３１は、その直交面Ｖとなす角度（反射角）がθ２となる反射光を受光するように配置されている。角度θ２は、例えば１５～７５［°］である。角度θ１と角度θ２とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。１組の光源２２とカメラ３２の配置も、１組の光源２１とカメラ３１の配置と同様である。

【0034】

カメラ３１，３２の焦点位置は、ワークＷの上側表面に設定されている。カメラ３１，３２の焦点を、ワークＷの上側表面に合わせることで、表面以外、特にガラス基板のペロブスカイト層と反対側の表面で反射した散乱反射光を受光することが防止されるため、より正確な検査を行うことができる。

【0035】

なお、光源２１，２２から照射された光が、ワークＷで反射してカメラ３１，３２に入射するまでの光学系は、黒色化するなど光を透過や反射しにくくした筐体等によって遮光されている。その光学系が遮光されていることで、外部からの光の影響を受けず、正確な検査を行うことができる。

【0036】

図１に戻り、カメラ３１，３２は評価部４１に接続されている。評価部４１は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、記憶装置、入出力インターフェース等を備えるマイコンとして構成されている。カメラ３１，３２は、評価部４１からの指示に応答して、撮影した画像（受光画像信号）を評価部４１へ送信する。この受光画像信号は、反射光に含まれる赤色光（赤色の波長）の強度（輝度）を示す赤色強度Ｒ（赤色の波長の強度）、緑色光（緑色の波長）の強度（輝度）を示す緑色強度Ｇ（緑色の波長の強度）、及び青色光（青色の波長）の強度（輝度）を示す青色強度Ｂ（青色の波長の強度）を含んでいる。各色の強度は、例えば０～２５５階調で示される。

【0037】

位置センサ４３及びエンコーダ４４は、評価部４１に接続されている。位置センサ４３は、搬送されてきたワークＷの先端部分が、光源２１，２２からの光の入射位置、すなわち、カメラ３１，３２にて撮影する撮影位置に到達したか否かを検出する。位置センサ４３は、ワークＷがその撮影位置に到達したことを検出したら、検査スタート信号Ｓを生成して評価部４１へ送信する。

【0038】

エンコーダ４４は、設定回転角毎、すなわち、ワークＷが設定距離移動する毎に、位置信号Ｐを発生して評価部４１へ送信する。なお、エンコーダ４４により、位置センサ４３を兼ねることもできる。

【0039】

表示部４２は、例えば液晶ディスプレイ等により構成されており、評価部４１からの指令に基づいて検査結果を表示する。

【0040】

評価部４１は、位置センサ４３から検査スタート信号Ｓを受信した後に、位置信号Ｐを受信する毎に、トリガ信号Ｔをカメラ３１，３２へ送信する。カメラ３１，３２は、トリガ信号Ｔを受信する毎に撮影を行い、受光画像信号を評価部４１へ送信する。評価部４１は、検査スタート信号Ｓと位置信号Ｐとに基づいて、ワークＷにおける位置（Ｙ方向における座標位置）を算出する。そして、評価部４１は、カメラ３１，３２から受信した受信画像信号と、算出した位置とを対応付けて記憶する。評価部４１は、カメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる赤色光、緑色光、及び青色光の強度に基づいて、ワークＷに含まれるペロブスカイト層の結晶状態を評価する。

【0041】

次に、ペロブスカイト層の形成方法について説明する。

【0042】

まず、ペロブスカイト層を形成するための光吸収剤溶液を調製する。ペロブスカイト層の一般式は、ＡＢＸ３で表される。光吸収剤溶液（原料液）は、ペロブスカイト化合物の原料であるＡＸとＢＸ２とを含有する。ここで、Ａは、アルカリ金属イオン、ルビジウムイオン、メチルアンモニウムイオン、エチルアンモニウムイオン、フォルムアミジウムイオン、グアニジウムイオン、及びアルキルアンモニウムイオンの少なくとも１つである。Ｂは、IV族元素のゲルマニウムイオン（Ｇｅ２＋）、スズイオン（Ｓｎ２＋）、鉛イオン（Ｐｂ２＋）、III族元素のインジウムイオン（Ｉｎ３＋）、及びV族元素のアンチモン（Ｓｂ）の少なくとも１つである。Ｘは、VII族元素のフッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、及びヨウ素（Ｉ）の少なくとも１つである。

【0043】

この光吸収剤溶液において、所望するペロブスカイト層の特性に応じて、ＡＸとＢＸ２とのモル比が調整される。光吸収剤としてペロブスカイト化合物を形成する場合、ＡＸとＢＸ２とのモル比は、１：１０～１０：１であることが好ましい。この光吸収剤溶液は、ＡＸとＢＸ２とを所定のモル比で混合した後に加熱することにより、調製できる。この形成液は通常溶液であるが、懸濁液でもよい。加熱する条件は、特に限定されないが、加熱温度は３０～２００℃が好ましく、７０～１５０℃がさらに好ましい。加熱時間は０．５～１００分が好ましく、１～３０分がさらに好ましい。

【0044】

光吸収剤溶液に使用される溶媒は、上記ＡＸ及びＢＸ２を溶解することができる限り特に制限はないが、極性溶媒が好ましく、具体的には、γ－ブチロラクトン、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、イソプロパノール等が挙げられる。本実施形態では、メチルアンモニウムイオン（ＭＡ＋）、鉛イオン（Ｐｂ２＋）、ヨウ素イオン（Ｉ－）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）として、光吸収剤溶液は、ＭＡＩ及びＰｂＩ２がＤＭＳＯを含む溶媒に溶かされた溶液である。

【0045】

次に、調製した光吸収剤溶液を、基材に成膜された透明導電膜の上に成膜された電子輸送層又は正孔輸送層の上に塗布する（塗布工程）。塗布方法としては、インクジェットプリント、スピンコート、スクリーン印刷、ロールコート、ディップコート、スプレーコート、ナイフコート、バーコート、ダイコート、カーテンコート等を採用することができる、本実施形態では、膜厚、製膜性等の観点から、スピンコートを採用している。スピンコートの条件は、所望の膜厚に応じて、適宜設定することができる。光吸収剤溶液が塗布されると、ペロブスカイト中間体ができ始める。本実施形態では、ペロブスカイト中間体は、ＭＡ２Ｐｂ３Ｉ８・２（ＤＭＳＯ）である。

【0046】

次に、塗布された光吸収剤溶液を加熱して乾燥させる（アニール工程、加熱工程）。加熱温度は、２０～３００℃であり、好ましくは５０～１７０℃である。塗布された光吸収剤溶液が加熱されると、３次元構造結晶（ペロブスカイト構造）ができ始める。本実施形態では、３次元構造結晶は、ＭＡＰｂＩ３（ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３）である。なお、その他の３次元構造結晶としては、（ＣＨ３（ＣＨ２）ＮＨ３）ＰｂＩ３、（ＣＨ３（ＣＨ２）２ＮＨ３）ＰｂＩ３、（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＮＨ３）ＰｂＩ３等を採用することもできる。また、これらの２種以上を組み合わせて用いることもできる。

【0047】

光電変換膜の厚みは、低温（２００℃以下）処理においても光電変換効率を向上させやすい観点から、１０～５０００［ｎｍ］が好ましく、１００～１０００［ｎｍ］がより好ましい。

【0048】

なお、上記ＡＸを含有する溶液と、上記ＢＸ２を含有する溶液とを、別々に塗布し、必要により乾燥させてペロブスカイト層を形成する方法を採用することもできる。この方法では、いずれの溶液を先に塗布してもよいが、好ましくはＢＸ２溶液を先に塗布する。この方法におけるＡＸとＢＸ２とのモル比、塗布条件および乾燥条件は、上記方法と同じである。さらに他の方法として、上記光吸収剤溶液の溶剤を除去した化合物または混合物を用いた、真空蒸着等の乾式法を採用することもできる。例えば、上記ＡＸおよび上記ＢＸ２を、同時または順次、蒸着させる方法が挙げられる。

【0049】

検査装置１０は、上記塗布工程後のワークＷ、アニール工程中のワークＷ、アニール工程後のワークＷのいずれかにおいて、ペロブスカイト層の結晶状態を評価する。

【0050】

図３は、塗布直後において反射光に含まれるＲ光（赤色光）、Ｇ光（緑色光）、Ｂ光（青色光）の階調を示すグラフである。なお、例えば赤色光（Ｒ光）の波長の中央値は７００［ｎｍ］、緑色光（Ｇ光）の波長の中央値は５４６［ｎｍ］、青色光（Ｂ光）の波長の中央値は４３６［ｎｍ］である。以降のグラフにおいても、Ｒ光、Ｇ光、Ｂ光の波長は同様である。なお、各色の波長は、受光部（カラーカメラ或いはカラーセンサ）の受光素子の特性によって多少異なる。

【0051】

光吸収剤溶液の塗布直後は、塗布膜の状態は光吸収剤溶液と同様であり、ペロブスカイト中間体及び３次元構造結晶ができていない状態である。赤色光の強度は、略２５５階調（最大値）であり、ワークＷは赤色光を高反射率で反射し、赤色光を吸収していない。緑色光の強度は、略２５５階調（最大値）であり、ワークＷは緑色光を高反射率で反射し、緑色光を吸収していない。青色光の強度は、略１２８階調（中間値）であり、ワークＷは青色光を中反射率で反射し、青色光をやや吸収している。

【0052】

図４は、ペロブスカイト中間体の増加中において反射光に含まれるＲＧＢ光の強度を示すグラフである。アニール工程が始まると、ペロブスカイト中間体ができ始めるが、３次元構造結晶はまだでき始めていない。ペロブスカイト中間体では、２次元的に電子が広がっており、電子の広がりが広いほど、緑色の長波域の光を吸収する。赤色光の強度は、略２５５階調（最大値）であり、ワークＷは赤色光を吸収せず、赤色光を高反射率で反射している。ワークＷは緑色光を吸収し始めるため、ワークＷによる緑色光の反射率が低下し始める。これにより、緑色光の強度は、略２５５階調（最大値）から低下する。青色光は、アニール工程前の光吸収剤に吸収されて、その強度は略１２８階調（中間値）であり、ワークＷは、青色光をやや吸収しているため、青色光を中反射率で反射している。

【0053】

図５は、ペロブスカイト中間体ができあがり３次元構造結晶増加中において反射光に含まれるＲＧＢ光の強度を示すグラフである。アニール工程が始まると、ペロブスカイト中間体ができ始め、ペロブスカイト中間体が３次元構造結晶に変化して３次元構造結晶ができ始める。３次元構造結晶では、ペロブスカイト結晶が３次元的に広がっており、ペロブスカイト中間体よりもさらに長波長の光を吸収する。ワークＷは赤色光を吸収し始め、ワークＷによる赤色光の反射率が低下し始める。これにより、赤色光の強度は、略２５５階調（最大値）から低下する。ワークＷは、緑色光及び青色光を略吸収したまま、緑色光及び青色光を反射しない。これにより、緑色光及び青色光の強度は、閾値Ｔｈよりも低くなる。閾値Ｔｈは、例えば２５階調（最大値の略１割）である。

【0054】

図６は、３次元構造結晶ができあがった状態において反射光に含まれるＲＧＢ光の強度を示すグラフである。アニール工程が終了すると、ペロブスカイト中間体の大分部が３次元構造結晶に変化し、３次元構造結晶ができあがる（支配的になる）。ワークＷは、赤色光、緑色光、及び青色光を略吸収するため、赤色光、緑色光、及び青色光を略反射しなくなる。これにより、赤色光、緑色光、及び青色光の強度は、閾値Ｔｈよりも低くなる。閾値Ｔｈは、例えば２５階調（最大値の略１割）である。ただし、ワークＷに含まれるペロブスカイト層の結晶状態が正常（良好）でない場合は、上記の特性から外れることとなる。

【0055】

以上に基づいて、カメラ３１，３２は、光源２１，２２により照射された光がワークＷにより反射された反射光を逐次受光し、評価部４１は、カメラ３１，３２により逐次受光された反射光に含まれる緑色光の強度が前回の強度よりも低下した時に、ワークＷにおいてペロブスカイト中間体ができ始めたと評価する。そして、評価部４１は、カメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる緑色光の強度が閾値Ｔｈ（第２閾値）よりも小さい場合に、ワークＷにおいてペロブスカイト中間体が形成されていると評価する。

【0056】

また、評価部４１は、カメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる青色光の強度が閾値Ｔｈ（第３閾値）よりも小さい場合に、ワークＷにおいてペロブスカイト中間体が形成されていると評価する。

【0057】

また、カメラ３１，３２は、光源２１，２２により照射された光がワークＷにより反射された反射光を逐次受光し、評価部４１は、カメラ３１，３２により逐次受光された反射光に含まれる赤色光の強度が前回の撮影時の強度よりも低下した時に、ワークＷにおいて３次元構造結晶ができ始めたと評価する。そして、評価部４１は、カメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる赤色光の強度が閾値Ｔｈ（第１閾値）よりも小さい場合に、ワークＷの結晶状態が３次元構造結晶状態であると評価する。

【0058】

図７は、ＭＡ（メチルアンモニウム）に対するＦＡ（ホルムアミジウム）の混合比と飽和時間（ペロブスカイト中間体、ペロブスカイト結晶の３次元構造結晶の形成が完了するまでの時間）と光電変換効率との関係を示すグラフである。ペロブスカイト層において、ホルムアミジウム（ＦＡ）の混合比Ｘ、すなわちメチルアンモニウムの混合比（１－Ｘ）を変化させると、アニール工程を始めてから反射光に含まれるＲＧＢ光の強度が閾値Ｔｈよりも低くなるまでの飽和時間が変化する。ＲＧＢの各グラフは、アニール工程を始めてから反射光に含まれるＲＧＢ光の強度がそれぞれ閾値Ｔｈよりも低くなるまでの飽和時間を示している。

【0059】

Ｇ光の強度が閾値Ｔｈ（第５閾値）よりも低くなるまでの飽和時間は、ペロブスカイト中間体ができあがるまでの時間を示している。Ｂ光の強度が閾値Ｔｈ（第６閾値）よりも低くなるまでの飽和時間は、ペロブスカイト中間体ができあがるまでの時間を示している。Ｒ光の強度が閾値Ｔｈ（第４閾値）よりも低くなるまでの飽和時間は、３次元構造結晶ができあがるまでの時間を示している。このため、Ｒ光の強度が閾値Ｔｈよりも低くなるまでの飽和時間から、Ｇ光の強度が閾値Ｔｈよりも低くなるまでの飽和時間を引いた時間差Δｔ１は、アニール工程が始まってからペロブスカイト中間体ができあがるまでの時間と、アニール工程が始まってから３次元構造結晶ができあがるまでの時間の差を示している。同様に、Ｒ光の強度が閾値Ｔｈよりも低くなるまでの飽和時間から、Ｂ光の強度が閾値Ｔｈよりも低くなるまでの飽和時間を引いた時間差Δｔ２は、アニール工程が始まってからペロブスカイト中間体ができあがるまでの時間と、アニール工程が始まってから３次元構造結晶ができあがるまでの時間の差を示している。なお、ＦＡの混合比Ｘが０．４よりも大きくなると、Ｇ光に吸収を持つ相が形成されやすくなり、Ｇ光の強度が閾値Ｔｈよりも低くなるまでの飽和時間が長くなる。

【0060】

領域Ａにおいて、完成したペロブスカイト層の光電変換効率が高くなることに、本願発明者は着目した。すなわち、本願発明者は、ワークＷにおいてアニール工程が始まってからペロブスカイト中間体ができあがるまでの時間と、同じくアニール工程が始まってから３次元構造結晶ができあがるまでの時間の差が短いほど、ワークＷの光電変換効率が高いことに着目した。領域Ａでは、時間差Δｔ１が正の値であり且つ所定値よりも小さく、時間差Δｔ２が正の値であり且つ所定値よりも小さい。そこで、評価部４１は、時間差Δｔ１が正の値であり且つ所定値よりも小さく、且つ、時間差Δｔ２が正の値であり且つ所定値よりも小さい場合に、ワークＷの光電変換効率が所定効率よりも高いと評価する。

【0061】

以上詳述した本実施形態は、以下の利点を有する。

【0062】

・本願発明者は、光吸収剤溶液からペロブスカイト層が形成される際に、カメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる所定波長の光の強度が、ペロブスカイト層の結晶状態に応じて変化することに着目した。この点、評価部４１は、カメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる所定波長の光の強度に基づいて、ワークＷ（ワークＷに含まれる対象膜）の結晶状態を評価する。したがって、ペロブスカイト層の結晶状態を非破壊で検査することができるため、太陽電池等の製造ラインにおいてペロブスカイト層の結晶状態をインライン検査することができる。

【0063】

・本願発明者は、光吸収剤溶液からペロブスカイト層が形成される際に、カメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる赤色光の強度が、ペロブスカイト層における３次元構造結晶（ペロブスカイト構造）の有無に応じて変化することに着目した。詳しくは、ペロブスカイト層において、３次元構造結晶ができ始めると反射光に含まれる赤色光の強度が低下し始め、３次元構造結晶ができあがると赤色光の強度が０に近くなる。したがって、評価部４１は、カメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる赤色光の強度が閾値Ｔｈ（第１閾値）よりも小さい場合に、ワークＷの結晶状態が３次元構造結晶状態（ペロブスカイト構造が支配的）であると評価することにより、ワークＷが３次元構造結晶状態になったことを特定することができる。

【0064】

・カメラ３１，３２は、光源２１，２２により照射された光がワークＷにより反射された反射光を逐次受光する。本願発明者は、ペロブスカイト層において、３次元構造結晶ができ始めると反射光に含まれる赤色光の強度が低下し始めることに着目した。したがって、評価部４１は、カメラ３１，３２により逐次受光された反射光に含まれる赤色光の強度が前回の強度よりも低下した時に、ワークＷにおいて３次元構造結晶ができ始めたと評価することにより、ワークＷにおいて３次元構造結晶ができ始めた時点を特定することができる。

【0065】

・本願発明者は、光吸収剤溶液からペロブスカイト層が形成される際に、カメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる緑色光の強度が、ペロブスカイト層におけるペロブスカイト中間体の有無に応じて変化することに着目した。詳しくは、ペロブスカイト層において、ペロブスカイト中間体ができ始めると反射光に含まれる緑色光の強度が低下し始め、ペロブスカイト中間体ができあがると緑色光の強度が０に近くなる。したがって、評価部４１は、カメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる緑色光の強度が閾値Ｔｈ（第２閾値）よりも小さい場合に、ワークＷにおいてペロブスカイト中間体が形成されている（大部分がペロブスカイト中間体に変化している）と評価することにより、ワークＷがペロブスカイト中間体になったことを特定することができる。なお、ペロブスカイト中間体から３次元構造結晶状態に移行することによりペロブスカイト中間体が減少しても、反射光に含まれる緑色光の強度は０に近い状態で維持される。

【0066】

・カメラ３１，３２は、光源２１，２２により照射された光がワークＷにより反射された反射光を逐次受光する。本願発明者は、ペロブスカイト層において、ペロブスカイト中間体ができ始めると反射光に含まれる緑色光の強度が低下し始めることに着目した。したがって、評価部４１は、カメラ３１，３２により逐次受光された反射光に含まれる緑色光の強度が前回の強度よりも低下した時に、ワークＷにおいてペロブスカイト中間体ができ始めたと評価することにより、ワークＷにおいてペロブスカイト中間体ができ始めた時点を特定することができる。

【0067】

・本願発明者は、光吸収剤溶液からペロブスカイト層が形成される際に、カメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる青色光の強度が、ペロブスカイト層におけるペロブスカイト中間体の有無に応じて変化することに着目した。詳しくは、ペロブスカイト層において、ペロブスカイト中間体ができあがると反射光に含まれる青色光の強度が０に近くなる。したがって、評価部４１は、カメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる青色光の強度が閾値Ｔｈ（第３閾値）よりも小さい場合に、ワークＷにおいてペロブスカイト中間体が形成されている（大部分がペロブスカイト中間体に変化している）と評価することにより、ワークＷがペロブスカイト中間体になったことを特定することができる。なお、ペロブスカイト中間体から３次元構造結晶状態に移行することによりペロブスカイト中間体が減少しても、反射光に含まれる青色光の強度は０に近い状態で維持される。

【0068】

・本願発明者は、ワークＷにおいてアニール工程が始まってからペロブスカイト中間体ができあがるまでの時間と、同じくアニール工程が始まってから３次元構造結晶ができあがるまでの時間の差が短いほど、ワークＷの光電変換効率が高いことに着目した。この点、評価部４１は、アニール工程が開始されたタイミングを起点として、光源２１，２２によりワークＷに光を照射しカメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる赤色光の強度が閾値Ｔｈ（第４閾値）よりも小さくなるまでの時間から、同じくアニール工程が開始されたタイミングを起点として、光源２１，２２によりワークＷに光を照射しカメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる緑色光の強度が閾値Ｔｈ（第５閾値）よりも小さくなるまでの時間を引いた時間差Δｔ１が、正の値であり且つ所定値よりも小さく、且つ、同じくアニール工程が開始されたタイミングを起点として、光源２１，２２によりワークＷに光を照射しカメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる赤色光の強度が閾値Ｔｈよりも小さくなるまでの時間から、同じくアニール工程が開始されたタイミングを起点として、光源２１，２２によりワークＷに光を照射しカメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる青色光の強度が閾値Ｔｈ（第６閾値）よりも小さくなるまでの時間を引いた時間差Δｔ２が、正の値であり且つ所定値よりも小さい場合に、ワークＷの光電変換効率が所定効率よりも高いと評価する。こうした構成によれば、ワークＷにおいてアニール工程が開始されたタイミングを起点として、ペロブスカイト中間体が形成されるまでの時間と、同じくアニール工程が開始されたタイミングを起点として、３次元構造結晶が形成されるまでの時間の差が所定値よりも小さい場合に、ワークＷの光電変換効率が所定変換効率よりも高いと評価することにより、ワークＷの光電変換効率が所定変換効率よりも高いことを特定することができる。

【0069】

・光源２１，２２により照射された光がワークＷの複数箇所により反射された反射光をそれぞれ受光するカメラ３１，３２を備え、評価部４１は、カメラ３１，３２によりそれぞれ受光された反射光に含まれる所定波長の光の強度に基づいて、ワークＷの複数箇所の結晶状態を評価する。こうした構成によれば、ワークＷの複数箇所の結晶状態を一度に評価することができるため、大型のワークＷの検査を可能にしたり、検査を高速化したりすることができる。

【0070】

なお、上記実施形態を、以下のように変更して実施することもできる。上記実施形態と同一の部分については、同一の符号を付すことにより説明を省略する。

【0071】

・上記実施形態では、光源２１，２２（照射部）は、搬送装置１１の上方に、ワークＷのＸ方向の２つの位置をそれぞれ照らすように固定されていた。これに対して、光源２１，２２（照射部）は、搬送装置１１の上方に、ワークＷのＹ方向の２つの位置をそれぞれ照らすように固定されていてもよい。そして、カメラ３１，３２（受光部）は、それぞれ光源２１，２２に対応して設けられていてもよい。この場合も、大型のワークＷの検査を可能にしたり、検査を高速化したりすることができる。なお、Ｘ方向に複数の光源及びカメラを設け、且つＹ方向に複数の光源及びカメラを設けることもできる。また、光源及びカメラを１つずつのみ設けることもできる。

【0072】

・光源２１，２２により照射された光の強度が低下した場合、カメラ３１，３２により受光される反射光の強度が低下する。この場合、反射光に含まれる所定波長の光の強度に基づいてワークＷの結晶状態を評価する評価部４１が、結晶状態を誤評価するおそれがある。

【0073】

そこで、検査装置１０は、光源２１，２２により照射された光の強度を検出する検出部５１を備え、評価部４１は、検出部５１により検出された強度に基づいて、光源２１，２２の劣化を判定する判定部を備えていてもよい。こうした構成によれば、光源２１，２２の劣化を判定することができるため、光源２１，２２の劣化に起因する結晶状態の誤評価を抑制することができる。

【0074】

・ワークＷの光電変換効率の評価を省略することもできる。

【0075】

・評価部４１は、カメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる青色光の強度が閾値Ｔｈ（第３閾値）よりも小さい場合に、ワークＷにおいてペロブスカイト中間体が形成されていると評価することを省略することもできる。

【0076】

・評価部４１は、カメラ３１，３２により逐次受光された反射光に含まれる緑色光の強度が前回の強度よりも低下した時に、ワークＷにおいてペロブスカイト中間体ができ始めたと評価することを省略することもできる。

【0077】

・評価部４１は、カメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる緑色光の強度が閾値Ｔｈ（第２閾値）よりも小さい場合に、ワークＷにおいてペロブスカイト中間体が形成されていると評価することを省略することもできる。

【0078】

・評価部４１は、カメラ３１，３２により逐次受光された反射光に含まれる赤色光の強度が前回の強度よりも低下した時に、ワークＷにおいて３次元構造結晶ができ始めたと評価することを省略することもできる。

【0079】

・評価部４１は、カメラ３１，３２により受光された反射光に含まれる赤色光の強度が閾値Ｔｈ（第１閾値）よりも小さい場合に、ワークＷの結晶状態が３次元構造結晶状態であると評価することを省略することもできる。

【0080】

・すなわち、評価部４１は、上記複数の評価のうち、少なくとも１つの評価を実行すればよい。

【0081】

・カメラ３１，３２に代えて、所定波長の光の強度を検出するカラーセンサを採用することもできる。カラーセンサとして、例えば赤色光、緑色光、及び青色光の強度をそれぞれ検出するセンサを採用することができる。

【0082】

・ワークＷは、ガラス基板に限らず、樹脂基板、樹脂ロール、半導体基板等の上にペロブスカイト層を形成するものであってもよい。

【0083】

なお、上記の各変更例を組み合わせて実施することもできる。

【符号の説明】

【0084】

１０…検査装置、２１…光源（照射部）、２２…光源（照射部）、３１…カメラ（受光部）、３２…カメラ（受光部）、４１…評価部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】