特開 2023-62218 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023062218

(43)【公開日】2023-05-08

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/822 20060101AFI20230426BHJP

   H01L 21/338 20060101ALI20230426BHJP

【ＦＩ】

H01L27/04 A

H01L29/80 H

H01L29/80 G

H01L27/04 D

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020056592

(22)【出願日】2020-03-26

(71)【出願人】

【識別番号】000154325

【氏名又は名称】住友電工デバイス・イノベーション株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100136722

【弁理士】

【氏名又は名称】▲高▼木 邦夫

(74)【代理人】

【識別番号】100174399

【弁理士】

【氏名又は名称】寺澤 正太郎

(74)【代理人】

【氏名又は名称】秋枝 真実

(72)【発明者】

【氏名】岡田 徹

【テーマコード（参考）】

5F038

5F102

【Ｆターム（参考）】

5F038AZ06

5F038CA09

5F038CA20

5F038CD02

5F038CD05

5F038CD13

5F038EZ20

5F102FA10

5F102GB01

5F102GC01

5F102GS09

5F102GV01

(57)【要約】

【課題】複数のソースフィンガ間における電位差を低減しつつ、ゲートフィンガに対する視認性を確保可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に並んで設けられた複数のソースフィンガ、半導体基板上に複数のソースフィンガと交互に並んで設けられた複数のドレインフィンガ、並びに、半導体基板上における隣り合うソースフィンガ及びドレインフィンガの間にそれぞれ設けられた複数のゲートフィンガを有するトランジスタと、複数のゲートフィンガ同士を接続するゲート配線と、複数のドレインフィンガ同士を接続するドレイン配線と、複数のソースフィンガの一端同士を接続するソース配線と、複数のドレインフィンガ、及び複数のドレインフィンガのそれぞれから延びる複数の引出配線のうち少なくとも一方を跨いで配置され、複数のソースフィンガの他端同士を接続するブリッジ配線と、を備える。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体基板と、
前記半導体基板上に第１方向に並んで設けられた複数のソースフィンガ、前記半導体基板上に前記複数のソースフィンガと前記第１方向に交互に並んで設けられた複数のドレインフィンガ、並びに、前記半導体基板上における前記第１方向に隣り合う前記ソースフィンガ及び前記ドレインフィンガの間にそれぞれ設けられた複数のゲートフィンガを有するトランジスタと、
前記複数のゲートフィンガ同士を接続するゲート配線と、
前記複数のドレインフィンガ同士を接続するドレイン配線と、
前記第１方向に交差する第２方向における前記複数のソースフィンガの一端同士を接続するソース配線と、
前記複数のドレインフィンガ、及び前記複数のドレインフィンガのそれぞれから前記第２方向に延びる複数の引出配線のうち少なくとも一方を跨いで配置され、前記第２方向における前記複数のソースフィンガの他端同士を接続するブリッジ配線と、
を備える、
半導体装置。

【請求項2】

前記ドレイン配線は、前記第１方向に隣り合う２つの前記ドレインフィンガを接続する複数の第１バスラインと、前記第１バスラインとは異なる幅を有し、前記複数の第１バスライン同士を接続する第２バスラインと、を有する、
請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記第１バスラインの幅は、前記第２バスラインの幅よりも小さい、
請求項２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記第１バスラインの幅は、前記ブリッジ配線の幅以上である、
請求項２または請求項３に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記半導体基板は、活性領域と、前記活性領域を囲む不活性領域と、を有し、
前記ブリッジ配線は、不活性領域上に配置されている、
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記半導体基板は、活性領域と、前記活性領域を囲む不活性領域と、を有し、
前記ゲート配線は、前記第２方向における前記複数のゲートフィンガの一端同士を接続しており、
前記第２方向における前記複数のソースフィンガの他端、及び前記第２方向における前記複数のゲートフィンガの他端は、前記不活性領域上に位置しており、
前記第２方向における前記複数のソースフィンガの他端は、前記第２方向における前記複数のゲートフィンガの他端よりも前記活性領域から遠い位置にて、前記ブリッジ配線と接続されている、
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置。

【請求項7】

前記ブリッジ配線は、平面視において前記複数のゲートフィンガと重ならない、
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置。

【請求項8】

前記ブリッジ配線は、平面視において前記複数のゲートフィンガと重なる、
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

マイクロ波帯、準ミリ波帯、またはミリ波帯といった高周波帯域の信号の増幅に適した半導体装置として、例えば、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が知られている。

【0003】

電界効果トランジスタの一例として、特許文献１及び特許文献２には、マルチフィンガ型構造の電界効果トランジスタが記載されている。特許文献１に記載された電界効果トランジスタは、互いに並列に配置された複数のゲートフィンガと、各ゲートフィンガを挟んで互いに向かい合うように配置されたソースフィンガ及びドレインフィンガと、を備える。

【0004】

特許文献２に記載された電界効果トランジスタは、複数のゲート電極、複数のソース電極、及び複数のドレイン電極と、複数のソース電極を接続するグランド電極と、ソース電極の表面側に設けられ、複数のソース電極の中央部同士を接続するブリッジ配線と、を備える。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開平８－１７２１０４号公報

【特許文献2】特開２００８－７２０２７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

上記のようなマルチフィンガ型構造の電界効果トランジスタでは、複数のソース電極間におけるソースインダクタンスのばらつきにより、ソースフィンガごとにソース電位が異なる場合がある。このような場合、ゲート－ソース間の電位差にばらつきが生じ、トランジスタの均一動作が乱れ、電界効果トランジスタにおいて不要波が発生する、いわゆる発振現象が発生することがある。

【0007】

発振現象を回避するために、特許文献２に記載された電界効果トランジスタのように、ブリッジ配線によって互いに接続することにより複数のソース電極同士を同電位に維持することが考えられる。しかしながら、特許文献２に記載された電界効果トランジスタにおいては、ブリッジ配線によってゲート電極（ゲートフィンガ）が覆われるので、ゲートフィンガに対する視認性が低下する。この結果、製造過程での不良発見を見過ごすおそれが生じる。また、製造過程において視覚的検査が必要とされる製品において、ゲートフィンガに対する視覚的検査の実施が困難になるという問題も生じる。

【0008】

本開示は、このような問題に鑑みてなされたものであり、複数のソースフィンガ間における電位差を低減しつつ、ゲートフィンガに対する視認性を確保可能な半導体装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

上述した課題を解決するために、一実施形態に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に第１方向に並んで設けられた複数のソースフィンガ、半導体基板上に複数のソースフィンガと第１方向に交互に並んで設けられた複数のドレインフィンガ、並びに、半導体基板上における第１方向に隣り合うソースフィンガ及びドレインフィンガの間にそれぞれ設けられた複数のゲートフィンガを有するトランジスタと、複数のゲートフィンガ同士を接続するゲート配線と、複数のドレインフィンガ同士を接続するドレイン配線と、第１方向に交差する第２方向における複数のソースフィンガの一端同士を接続するソース配線と、複数のドレインフィンガ、及び複数のドレインフィンガのそれぞれから２方向に延びる複数の引出配線のうち少なくとも一方を跨いで配置され、第２方向における複数のソースフィンガの他端同士を接続するブリッジ配線と、を備える。

【発明の効果】

【0010】

本開示の一実施形態に係る半導体装置によれば、複数のソースフィンガ間における電位差を低減しつつ、ゲートフィンガに対する視認性を確保可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、一実施形態に係る半導体装置としての増幅素子を備える高周波増幅器の内部構成を示す平面図である。

【図2】図２は、図１に示された増幅素子１１の一部を拡大して示す平面図である。

【図3】図３は、図２に示されたトランジスタ１３の一部を拡大して示す平面図である。

【図4】図４は、図３におけるＩＶ―ＩＶ線に沿った断面図である。

【図5】図５は、比較例に係る増幅素子１１Ｘを示す平面図である。

【図6】図６は、別の比較例に係る増幅素子１１Ｙを示す平面図である。

【図7】図７は、図６におけるＶＩＩ―ＶＩＩ線に沿った断面図である。

【図8】図８は、変形例に係る増幅素子１１Ａを示す平面図である。

【図9】図９は、別の変形例に係る増幅素子１１Ｂを示す平面図である。

【図10】図１０は、更に別の変形例に係る増幅素子１１Ｃの一部を拡大して示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

［本開示の実施形態の説明］
最初に、本開示の実施形態の内容を列記して説明する。一実施形態に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に第１方向に並んで設けられた複数のソースフィンガ、半導体基板上に複数のソースフィンガと第１方向に交互に並んで設けられた複数のドレインフィンガ、並びに、半導体基板上における第１方向に隣り合うソースフィンガ及びドレインフィンガの間にそれぞれ設けられた複数のゲートフィンガを有するトランジスタと、複数のゲートフィンガ同士を接続するゲート配線と、複数のドレインフィンガ同士を接続するドレイン配線と、第１方向に交差する第２方向における複数のソースフィンガの一端同士を接続するソース配線と、複数のドレインフィンガ、及び複数のドレインフィンガのそれぞれから２方向に延びる複数の引出配線のうち少なくとも一方を跨いで配置され、第２方向における複数のソースフィンガの他端同士を接続するブリッジ配線と、を備える。

【0013】

この半導体装置では、複数のソースフィンガがブリッジ配線によって互いに接続されている。したがって、複数のソースフィンガ間における電位差を低減できる。また、第２方向における複数のソースフィンガの一端同士がソース配線によって接続されており、第２方向における複数のソースフィンガの他端同士がブリッジ配線によって接続されている。このため、第２方向におけるトランジスタの中央部では、ソースフィンガ及びドレインフィンガ間に設けられたゲートフィンガがブリッジ配線に覆われていない構成を実現し得る。したがって、ゲートフィンガに対する視認性を確保できる。

【0014】

一実施形態に係る半導体装置において、ドレイン配線は、第１方向に隣り合う２つのドレインフィンガを接続する複数の第１バスラインと、第１バスラインとは異なる幅を有し、複数の第１バスライン同士を接続する第２バスラインと、を有していてもよい。複数のソースフィンガにおける他端同士をブリッジ配線が接続する構成においては、出力合成回路の長さ（第２方向における寸法）が大きくなりやすい。出力合成回路の長さが大きくなると当該出力合成回路におけるインピーダンスも大きく変化するので、対応する整合回路も大きく変更する必要が生じる。これに対し、上記の構成においては、第１バスラインまたは第２バスラインの一方の幅を他方の幅よりも小さくすることによって出力合成回路の長さ（第２方向における寸法）を調整できる。したがって、上記の構成によれば、出力合成回路におけるインピーダンスが変化する程度を軽減し得る。

【0015】

一実施形態に係る半導体装置において、第１バスラインの幅は、第２バスラインの幅よりも小さくてもよい。この場合、第２バスラインの幅を第１バスラインの幅よりも小さくすることによって出力合成回路の長さを調整する場合と比較して、インピーダンスが変化する程度をより軽減できるとともに、出力合成回路において電流密度が大きくなる程度を軽減できる。

【0016】

一実施形態に係る半導体装置において、第１バスラインの幅は、ブリッジ配線の幅以上であってもよい。この場合、第１バスラインの幅がブリッジ配線の幅よりも小さい場合と比較して、第１バスラインにおける電流密度を小さくできる。また、第１バスラインがソース電流を流すのに対し、ブリッジ配線は電位を規定するに過ぎないので、ブリッジ配線の幅を比較的小さくしやすい。このブリッジ配線の幅を第１バスラインの幅と同じかそれよりも小さくすることにより、出力合成回路におけるインピーダンスが変化する程度を軽減し得る。

【0017】

一実施形態に係る半導体装置において、半導体基板は、活性領域と、活性領域を囲む不活性領域と、を有し、ブリッジ配線は、不活性領域上に配置されていてもよい。この場合、活性領域がブリッジ配線に覆われないので、活性領域のゲートフィンガに対する視認性を十分に確保できる。

【0018】

一実施形態に係る半導体装置において、半導体基板は、活性領域と、活性領域を囲む不活性領域と、を有し、ゲート配線は、第２方向における複数のゲートフィンガの一端同士を接続しており、第２方向における複数のゲートフィンガの他端、及び第２方向における複数のゲートフィンガの他端は、不活性領域上に位置しており、第２方向における複数のソースフィンガの他端は、第２方向における複数のゲートフィンガの他端よりも活性領域から遠い位置にて、ブリッジ配線と接続されていてもよい。この場合、第２方向におけるゲートフィンガの他端が不活性領域上に位置している構成において、ゲートフィンガに対する視認性を十分に確保できる。

【0019】

一実施形態に係る半導体装置において、ブリッジ配線は、平面視において複数のゲートフィンガと重ならなくてもよい。この場合、ゲートフィンガに対する視認性をより十分に確保できる。

【0020】

一実施形態に係る半導体装置において、ブリッジ配線は、平面視において複数のゲートフィンガと重なっていてもよい。この場合、例えば、不活性領域上において複数のゲートフィンガがブリッジ配線下までそれぞれ延在している等、ブリッジ配線が平面視において複数のゲートフィンガと重なる構成においても、ゲートフィンガに対する視認性を確保できる。

【0021】

［本開示の実施形態の詳細］
本開示の一実施形態に係る半導体装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明においては、同一要素または同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。説明に際しては、図面に示されたＸＹＺ直交座標系を参照する場合がある。

【0022】

一実施形態に係る半導体装置は、例えば高周波増幅器に用いられる増幅素子である。図１は、本開示の一実施形態に係る増幅素子１１を備える高周波増幅器１の内部構成を示す平面図である。図１に示されるように、高周波増幅器１は、一つの入力端子２、一つの出力端子３、増幅素子部１０、分岐回路基板２０、合成回路基板３０、マッチング回路４０、及びマッチング回路５０を備える。この高周波増幅器１は、一例としてマッチング回路４０，５０を２つずつ備える。また、増幅素子部１０は２つの増幅素子１１を含む。１つの増幅素子１１あたりの出力は例えば３０Ｗであり、増幅素子部１０全体の出力は例えば６０Ｗである。高周波増幅器１は、増幅素子部１０、分岐回路基板２０、合成回路基板３０、及びマッチング回路４０，５０を収容するパッケージ４を備える。

【0023】

パッケージ４は金属製であり、基準電位に接続されている。パッケージ４の平面形状は略長方形状である。パッケージ４は、第１方向において向かい合う端壁４ｃ，４ｄと、第２方向において向かい合う側壁４ａ，４ｂと、を有する。第１方向及び第２方向は互いに交差しており、一例では互いに直交する。本実施形態においては、第１方向がＸ軸方向であり、第２方向がＹ軸方向である。

【0024】

パッケージ４は、長方形状の平坦な底板４ｅを有する。底板４ｅは、Ｙ軸方向及びＸ軸方向によって規定される平面に沿って延びている。側壁４ａ，４ｂは底板４ｅの一対の辺（Ｙ軸方向に沿って延びる辺）に沿って立設しており、端壁４ｃ，４ｄは底板４ｅの別の一対の辺（Ｘ軸方向に沿って延びる辺）に沿って立設している。なお、パッケージ４は、図示しない蓋部を更に有する。蓋部は、側壁４ａ，４ｂ及び端壁４ｃ，４ｄによって形成される上部開口を封止する。

【0025】

入力端子２は、金属製の配線パターンであって、高周波信号を高周波増幅器１の外部から入力する。高周波信号は、マルチキャリア伝送方式に基づく信号であって、キャリア信号の周波数が互いに異なる複数の信号を重畳してなる。キャリア信号の周波数帯域は、例えば５００ＭＨｚ以下である。入力端子２は、Ｘ軸方向における端壁４ｃの中央部に設けられており、パッケージ４の外部から内部へ延在している。

【0026】

増幅素子部１０は、パッケージ４の底板４ｅ上であって、Ｙ軸方向におけるパッケージ４の略中央部に配置されている。増幅素子部１０の各増幅素子１１は、半導体基板１２と、半導体基板１２上に設けられたトランジスタ１３と、複数の配線とを備える。トランジスタ１３は例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であり、一実施例では高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）である。半導体基板１２の平面形状は、Ｘ軸方向を長手方向とする長方形状である。半導体基板１２は、Ｙ軸方向及びＸ軸方向によって規定される平面に沿って延びている。半導体基板１２は、Ｘ軸方向に沿って延びる一対の１２ａ，１２ｂ（図２参照）を有する。端辺１２ａは入力端子２と向かい合っており、端辺１２ｂは出力端子３と向かい合っている。半導体基板１２上には、例えば複数のトランジスタ１３が設けられている。

【0027】

図２は、図１に示された増幅素子１１の一部を拡大して示す平面図である。図３は、図２に示されたトランジスタ１３の一部を拡大して示す平面図である。図２及び図３に示されるように、半導体基板１２は、活性領域Ｒ１と、活性領域Ｒ１の周囲に設けられた不活性領域Ｒ２，Ｒ３とを有する。なお、各図においては、図示の便宜上、活性領域Ｒ１と不活性領域Ｒ２，Ｒ３との間には僅かな隙間が設けられているが、実際には不活性領域Ｒ２，Ｒ３は活性領域Ｒ１に接している。

【0028】

活性領域Ｒ１はトランジスタとして動作する領域である。不活性領域Ｒ２，Ｒ３は電気的に不活性化された領域である。不活性領域Ｒ２，Ｒ３は、互いに隣り合うトランジスタ１３同士の電気的な分離、及びトランジスタ１３の動作領域の限定のために設けられる。不活性領域Ｒ２は、活性領域Ｒ１に対してＹ軸方向における一方側（図１における入力端子２側）に位置する。不活性領域Ｒ３は、活性領域Ｒ１に対してＹ軸方向における他方側（図１における出力端子３側）に位置する。すなわち、不活性領域Ｒ２と、活性領域Ｒ１と、不活性領域Ｒ３とは、Ｙ軸方向に沿ってこの順に並んでいる。

【0029】

トランジスタ１３は、複数のソースフィンガ６１、複数のドレインフィンガ６２、及び複数のゲートフィンガ６３を有する。複数のソースフィンガ６１、複数のドレインフィンガ６２、及び複数のゲートフィンガ６３は、活性領域Ｒ１上に設けられ、Ｙ軸方向にそれぞれ延在する導電体である。本実施形態においては、一例として、１つのトランジスタ１３が、５つのソースフィンガ６１と、４つのドレインフィンガ６２と、８つのゲートフィンガ６３を有している。

【0030】

複数のソースフィンガ６１は、半導体基板１２の活性領域Ｒ１上に、Ｘ軸方向に並んで設けられている。各ソースフィンガ６１は、半導体基板１２と向かい合う裏面においてソース電極６１ａを構成している。各ソース電極６１ａは、半導体基板１２上において活性領域Ｒ１の内部に位置している。Ｙ軸方向における各ソースフィンガ６１の一端６１ｂは端辺１２ａ側に位置しており、Ｙ軸方向における各ソースフィンガ６１の他端６１ｃは端辺１２ｂ側に位置している。各ソースフィンガ６１は、Ｙ軸方向における活性領域Ｒ１の一端から他端まで延びている。

【0031】

複数のドレインフィンガ６２は、半導体基板１２の活性領域Ｒ１上に、複数のソースフィンガ６１とＸ軸方向に交互に並んで設けられている。各ドレインフィンガ６２は、半導体基板１２と向かい合う裏面においてドレイン電極６２ａを構成している。各ドレイン電極６２ａは、半導体基板１２上において活性領域Ｒ１の内部に位置している。各ドレインフィンガ６２のＹ軸方向における一端６２ｂは端辺１２ａ側に位置しており、各ドレインフィンガ６２のＹ軸方向における他端６２ｃは端辺１２ｂ側に位置している。各ドレインフィンガ６２は、Ｙ軸方向における活性領域Ｒ１の一端から他端まで延びている。

【0032】

複数のゲートフィンガ６３は、半導体基板１２の活性領域Ｒ１上においてＸ軸方向に隣り合うソースフィンガ６１及びドレインフィンガ６２の間にそれぞれ設けられている。ゲートフィンガ６３と当該ゲートフィンガ６３に隣り合うソースフィンガ６１とはＸ軸方向に所定の間隔をもって配置されている。同様に、ゲートフィンガ６３と当該ゲートフィンガ６３に隣り合うドレインフィンガ６２とはＸ軸方向に所定の間隔をもって配置されている。各ゲートフィンガ６３は、半導体基板１２と向かい合う裏面においてゲート電極６３ａ（図３参照）を構成している。各ゲートフィンガ６３のＹ軸方向における一端６３ｂは端辺１２ａ側に位置しており、各ゲートフィンガ６３のＹ軸方向における他端６３ｃは端辺１２ｂ側に位置している。

【0033】

各ゲートフィンガ６３は、半導体基板１２上においてＹ軸方向における活性領域Ｒ１の一端から他端にわたって延び、不活性領域Ｒ２，Ｒ３まで延在している。換言すると、複数のゲートフィンガ６３は、それぞれ、活性領域Ｒ１上に位置する部分と、不活性領域Ｒ２上に位置する部分と、不活性領域Ｒ３上に位置する部分と、を有する。つまり、複数のゲート電極６３ａも、それぞれ、活性領域Ｒ１上に位置する部分と、不活性領域Ｒ２上に位置する部分と、不活性領域Ｒ３上に位置する部分と、を有する。本実施形態においては、各ゲートフィンガ６３における一端６３ｂが不活性領域Ｒ２上に位置し、他端６３ｃが不活性領域Ｒ３上に位置している。

【0034】

複数の配線は、ソース配線６４と、ドレイン配線６５と、ゲート配線６６とを含む。ソース配線６４は、導電性の配線であり、複数のソースフィンガ６１のＹ軸方向における一端６１ｂ同士を電気的に接続する。また、ソース配線６４は、半導体基板１２上に設けられた複数のソースパッド１４と電気的に接続される。ソース配線６４は、ソースバスライン６４ａと複数の接続配線６４ｂとを有する。ソースバスライン６４ａは、半導体基板１２における不活性領域Ｒ２上に設けられ、Ｘ軸方向に延在している。複数の接続配線６４ｂは、それぞれ、半導体基板１２におけるソースバスライン６４ａとソースフィンガ６１の一端６１ｂとの間に設けられ、Ｙ軸方向に延在している。各接続配線６４ｂは、ソースバスライン６４ａとソースフィンガ６１とを電気的に接続する。

【0035】

ドレイン配線６５は、導電性の配線であり、複数のドレインフィンガ６２における他端６２ｃ同士を電気的に接続する。また、ドレイン配線６５は、半導体基板１２上に設けられた信号出力端としてのドレインパッド１６と電気的に接続される。ドレイン配線６５は、複数の中間バスライン６５ａ（第１バスライン）とドレインバスライン６５ｂ（第２バスライン）とを有する。中間バスライン６５ａの数は、例えばドレインフィンガ６２の半数とされる。

【0036】

各中間バスライン６５ａは、Ｘ軸方向に隣り合う２つのドレインフィンガ６２を電気的に接続する。各中間バスライン６５ａは、バスライン部６５１ａ（第１バスライン）と２つの引出部６５２ａ（引出配線）と引出部６５３ａとを有する。バスライン部６５１ａは、不活性領域Ｒ３上に設けられ、Ｘ軸方向に延在している。各引出部６５２ａは、半導体基板１２におけるバスライン部６５１ａとドレインフィンガ６２の他端６２ｃとの間に設けられ、他端６２ｃからＹ軸方向に延在している。各引出部６５２ａは、バスライン部６５１ａとドレインフィンガ６２とを電気的に接続する。各引出部６５３ａは、半導体基板１２におけるバスライン部６５１ａとドレインバスライン６５ｂとの間に設けられ、Ｙ軸方向に延在している。各引出部６５３ａは、バスライン部６５１ａとドレインバスライン６５ｂとを電気的に接続する。高周波増幅器１の動作時において、各引出部６５３ａには２ドレインフィンガ分（すなわち、４ゲートフィンガ分）の電流が流れる。

【0037】

ドレインバスライン６５ｂは、複数の中間バスライン６５ａ同士を電気的に接続する。また、ドレインバスライン６５ｂは、半導体基板１２上に設けられた複数のドレインパッド１６と電気的に接続される。ドレインバスライン６５ｂは、バスライン部６５１ｂ（第２バスライン）と引出部６５２ｂとを有する。バスライン部６５１ｂは、不活性領域Ｒ３上に設けられ、Ｘ軸方向に延在している。バスライン部６５１ｂは、中間バスライン６５ａにおけるバスライン部６５１ａの幅Ｄ１（ここでは、Ｙ軸方向における寸法）とは異なる幅Ｄ２（ここでは、Ｙ軸方向における寸法）を有する。具体的には、幅Ｄ１が幅Ｄ２よりも小さい。本実施形態において、幅Ｄ１は１５μｍであり、幅Ｄ２は３５μｍである。各引出部６５２ｂは、半導体基板１２におけるバスライン部６５１ｂとドレインパッド１６との間に設けられ、Ｙ軸方向に延在している。各引出部６５２ｂは、バスライン部６５１ｂとドレインパッド１６とを電気的に接続する。高周波増幅器１の動作時において、引出部６５２ｂには全フィンガ分（本実施形態では、４ドレインフィンガ分であって８ゲートフィンガ分）の電流が流れる。

【0038】

ゲート配線６６は、導電性の配線であり、複数のゲートフィンガ６３における一端６３ｂ同士を電気的に接続する。また、ゲート配線６６は、半導体基板１２上に設けられた信号入力端としてのゲートパッド（不図示）と電気的に接続される。ゲート配線６６は、半導体基板１２上における不活性領域Ｒ２上に設けられ、Ｘ軸方向に延在するゲートバスラインによって構成されている。ゲート配線６６は、一部のソースフィンガ６１（本実施形態では、３つのソースフィンガ６１）とソースバスライン６４ａとによってＹ軸方向に挟まれており、一部の接続配線６４ｂ（本実施形態では、３つの接続配線６４ｂ）下を潜ってＸ軸方向に延在している。言い換えると、ソース配線６４における一部の接続配線６４ｂは、ゲート配線６６上に重なる部分を有する。

【0039】

ソースパッド１４及びゲートパッドは、半導体基板１２の不活性領域Ｒ２上において端辺１２ａに沿って交互に並んでいる。ドレインパッド１６は、半導体基板１２の不活性領域Ｒ３上において端辺１２ｂに沿って並んでいる。各ソースパッド１４は、増幅素子１１を厚さ方向（ここでは、Ｚ軸方向）に貫通するビアホール１５を介してパッケージ４（図１参照）の底板４ｅ（図１参照）と電気的に接続され、基準電位とされている。各増幅素子１１は、各ゲートパッドに入力された高周波信号を増幅し、増幅後の高周波信号を各ドレインパッド１６から出力する。

【0040】

増幅素子１１においては、活性領域Ｒ１と端辺１２ａとの間にトランジスタ１３への入力回路が構成されており、活性領域Ｒ１と端辺１２ｂとの間にトランジスタ１３からの出力合成回路が構成されている。図２に示されるように、出力合成回路の長さＤ３（ここでは、Ｙ軸方向における寸法）は、活性領域Ｒ１の境界のうちＹ軸方向において最も端辺１２ｂに近い位置と、ドレイン配線６５におけるドレインバスライン６５ｂのバスライン部６５１ｂのうちＹ軸方向において最も活性領域Ｒ１から遠い位置とによって規定される。本実施形態において、長さＤ３は８５μｍである。

【0041】

続けて、図４を更に参照する。図４は、図３におけるＩＶ―ＩＶ線に沿った断面図である。図２、図３及び図４に示されるように、増幅素子１１は、ソースエアブリッジ６７を更に有している。ソースエアブリッジ６７は、増幅素子１１における上記の出力合成回路に含まれる導電性の配線であり、複数のソースフィンガ６１同士を電気的に接続する。ソースエアブリッジ６７は、エアブリッジ配線６７１（ブリッジ配線）と複数の接続配線６７２とを有する。

【0042】

各接続配線６７２は、複数のソースフィンガ６１のＹ軸方向における他端６１ｃのそれぞれから不活性領域Ｒ３上をＹ軸方向に沿って延びている。エアブリッジ配線６７１は、不活性領域Ｒ３上に配置されており、Ｘ軸方向に延在している。エアブリッジ配線６７１は、複数の引出部６５２ａを跨いで配置されており、各接続配線６７２に接合されたエアブリッジ構造を有している。エアブリッジ配線６７１は、各接続配線６７２を介して複数のソースフィンガ６１のＹ軸方向における他端６１ｃ同士を接続している。図３に示されるように、各接続配線６７２は、Ｙ軸方向において各ゲートフィンガ６３の他端６３ｃよりも活性領域Ｒ１から遠い位置まで延在している。そして、各接続配線６７２は、不活性領域Ｒ３上における各ゲートフィンガ６３の他端６３ｃよりも活性領域Ｒ１から遠い位置にて、エアブリッジ配線６７１と接続されている。換言すると、各ソースフィンガ６１の他端６１ｃは、不活性領域Ｒ３上における各ゲートフィンガ６３の他端６３ｃよりも活性領域Ｒ１から遠い位置にて、エアブリッジ配線６７１と接続されている。つまり、エアブリッジ配線６７１は、平面視において複数のゲートフィンガ６３と重ならない位置に配置されている。エアブリッジ配線６７１の幅Ｄ４（ここでは、Ｙ軸方向における寸法）は、中間バスライン６５ａにおけるバスライン部６５１ａの幅Ｄ１以下である。本実施形態において、幅Ｄ４は幅Ｄ１と同じであり、１５μｍである。

【0043】

エアブリッジ配線６７１は、複数の接続部６７ａと、複数の中継部６７ｂとを有する（図４参照）。接続部６７ａの数はソースフィンガ６１と同数とされる。複数の接続部６７ａは、複数の接続配線６７２にそれぞれ接合される部分である。複数の中継部６７ｂは、Ｘ軸方向に隣り合う２つの接続部６７ａの間にそれぞれ位置し、当該２つの接続部６７ａ同士をそれぞれ連結する部分である。エアブリッジ配線６７１は、各中継部６７ｂにおいて引出部６５２ａを跨いでいる。複数の中継部６７ｂのそれぞれは、接続部６７ａよりも半導体基板１２から遠ざかる向きに突出しており、引出部６５２ａと離間している。

【0044】

再び図１を参照する。分岐回路基板２０は、パッケージ４の底板４ｅ上に配置されている。分岐回路基板２０は、Ｙ軸方向に沿って入力端子２及び増幅素子部１０と並んで配置され、入力端子２と増幅素子部１０との間に位置する。分岐回路基板２０は、セラミック製の基板２１と、基板２１の主面上に設けられた分岐回路２２とを有する。基板２１の平面形状は例えば長方形であり、一方の長辺２１ａは入力端子２と向かい合っており、他方の長辺２１ｂはマッチング回路４０を介して増幅素子部１０と向かい合っている。基板２１の裏面はパッケージ４の底板４ｅと向かい合っている。基板２１の一方の短辺２１ｃはパッケージ４の側壁４ａの近傍に位置しており、基板２１の他方の短辺２１ｄはパッケージ４の側壁４ｂの近傍に位置している。すなわち、基板２１は、Ｘ軸方向においてパッケージ４の一端近傍から他端近傍にわたって延在している。

【0045】

分岐回路２２は、基板２１の主面上に設けられた配線パターン２３を含む。配線パターン２３は、ボンディングワイヤ９ａを介して入力端子２と電気的に接続されている。高周波信号は、Ｘ軸方向における基板２１の中央部から配線パターン２３に入力される。配線パターン２３は、Ｙ軸方向に沿った基板２１の中心線に関して線対称な形状を有する。配線パターン２３は、ボンディングワイヤ９ａとの接続点を起点として二分岐を繰り返し、最終的に８つの金属パッド２３ａに至る。８つの金属パッド２３ａは、長辺２１ｂに沿って並んで配列されている。互いに隣り合う金属パッド２３ａ同士は、膜抵抗を介して互いに接続されており、ウィルキンソン型カプラを構成する。これにより、増幅素子部１０の複数のゲートパッド間のアイソレーションを確保しつつ、入力端子２から見た、増幅素子部１０の入力インピーダンスの整合を図っている。なお、図には、代表して１つの膜抵抗２３ｂのみ図示している。８つの金属パッド２３ａは、ボンディングワイヤ９ｂを介して、マッチング回路４０と電気的に接続されている。

【0046】

マッチング回路４０は、パッケージ４の底板４ｅ上に配置され、Ｙ軸方向において分岐回路基板２０と増幅素子部１０との間に配置されている。マッチング回路４０は、例えばダイキャパシタであり、誘電体基板の主面上に複数の金属パッド（不図示）を有する。金属パッドの数は、例えば金属パッド２３ａと同数とされる。複数の金属パッドは、Ｘ軸方向に沿って一列に配列されている。各金属パッドは、ボンディングワイヤ９ｂを介して、対応する金属パッド２３ａと電気的に接続されるとともに、ボンディングワイヤ９ｃを介して、増幅素子部１０の対応するゲートパッドと電気的に接続されている。

【0047】

マッチング回路４０においては、ボンディングワイヤ９ｂ及び９ｃによるインダクタンス成分と、これらのインダクタンス成分の間のノードと基準電位（底板４ｅ）との間に接続された、金属パッドのキャパシタンスとによって、Ｔ型フィルタ回路が構成される。マッチング回路４０は、このＴ型フィルタ回路によってインピーダンス変換を行う。通常、増幅素子部１０においてゲートパッドからトランジスタ内部を見込んだインピーダンスは、伝送線の特性インピーダンス（例えば５０Ω）と異なる。マッチング回路４０は、このインピーダンスを、Ｔ型フィルタ回路により入力端子２からパッケージ４内部を見込んだ５０Ωに変換する。

【0048】

マッチング回路５０は、パッケージ４の底板４ｅ上に配置され、Ｙ軸方向において増幅素子部１０と合成回路基板３０との間に配置されている。マッチング回路４０は、マッチング回路４０と同様に、例えば平行平板型キャパシタ（ダイキャパシタ）であり、誘電体基板の主面上に複数の金属パッド（不図示）を有する。金属パッドの数は、例えば金属パッド２３ａと同数とされる。複数の金属パッドは、Ｘ軸方向に沿って一列に配列されている。各金属パッドは、ボンディングワイヤ９ｄを介して、増幅素子部１０の対応するドレインパッド１６と電気的に接続されるとともに、ボンディングワイヤ９ｅを介して、合成回路基板３０の対応する金属パッド３３ａ（後述）と電気的に接続されている。

【0049】

マッチング回路５０においても、ボンディングワイヤ９ｄ及び９ｅによるインダクタンス成分と、これらのインダクタンス成分の間のノードと基準電位（底板４ｅ）との間に接続された、金属パッドのキャパシタンスとによって、Ｔ型フィルタ回路が構成される。マッチング回路５０は、このＴ型フィルタ回路によってインピーダンス変換を行う。通常、増幅素子部１０においてドレインパッド１６からトランジスタ内部を見込んだインピーダンスは、伝送線の特性インピーダンス（例えば５０Ω）と異なり、大概は５０Ωより小さい値である。マッチング回路５０は、このインピーダンスを、Ｔ型フィルタ回路により出力端子３からパッケージ４内部を見込んだ５０Ωに変換する。

【0050】

合成回路基板３０は、パッケージ４の底板４ｅ上に配置されている。合成回路基板３０は、Ｙ軸方向に沿って増幅素子部１０及び出力端子３と並んで配置され、増幅素子部１０と出力端子３との間に位置する。合成回路基板３０は、セラミック製の基板３１と、基板３１の主面上に設けられた合成回路３２とを有する。基板３１の平面形状は例えば長方形であり、一方の長辺３１ａはマッチング回路５０を介して増幅素子部１０と向かい合っており、他方の長辺３１ｂは出力端子３と向かい合っている。基板３１の裏面はパッケージ４の底板４ｅと向かい合っている。基板３１の一方の短辺３１ｃはパッケージ４の側壁４ａの近傍に位置しており、基板３１の他方の短辺３１ｄはパッケージ４の側壁４ｂの近傍に位置している。すなわち、基板３１は、Ｘ軸方向においてパッケージ４の一端近傍から他端近傍にわたって延在している。

【0051】

合成回路３２は、増幅素子部１０の複数のドレインパッド１６から出力される信号を合成して一の出力信号とする。合成回路３２は、基板３１の主面上に設けられた配線パターン３３を含む。配線パターン３３は、Ｙ軸方向に沿った基板３１の中心線に関して線対称な形状を有する。配線パターン３３は、４つの金属パッド３３ａを含む。４つの金属パッド３３ａは、長辺３１ａに沿って並んで配列されている。互いに隣り合う金属パッド３３ａ同士は、膜抵抗を介して互いに接続されており、ウィルキンソン型カプラを構成する。これにより、増幅素子部１０の複数のドレインパッド１６間のアイソレーションを確保しつつ、出力端子３から見た、増幅素子部１０の出力インピーダンスの整合を図っている。なお、図には、代表して１つの膜抵抗３３ｂのみ図示している。各金属パッド３３ａは、ボンディングワイヤ９ｅを介して、マッチング回路５０の対応する２つの金属パッドと電気的に接続されている。配線パターン３３は、４つの金属パッド３３ａから結合を繰り返しつつ、最終的にボンディングワイヤ９ｆとの接続点に至る。配線パターン３３は、ボンディングワイヤ９ｆを介して、出力端子３と電気的に接続されている。増幅後の高周波信号は、Ｘ軸方向における基板３１の中央部から出力端子３に出力される。

【0052】

出力端子３は、金属製の配線パターンであって、増幅後の高周波信号を高周波増幅器１の外部へ出力する。出力端子３は、Ｘ軸方向における端壁４ｄの中央部に設けられており、パッケージ４の内部から外部へ延在している。

【0053】

［作用効果］
以上説明した増幅素子１１の作用効果について説明する。まず、比較例を説明する。図５は、比較例に係る増幅素子１１Ｘを示す平面図である。増幅素子１１Ｘは、ドレイン配線６５に代えてドレイン配線６５Ｘを備える点において増幅素子１１と相違している。また、増幅素子１１Ｘは、ソースエアブリッジ６７を備えていない。増幅素子１１Ｘは、その他の点において増幅素子１１と同様に構成されている。以下では、主に相違点について説明する。

【0054】

ドレイン配線６５Ｘは、中間バスライン６５ａに代えて中間バスライン６５ｃを有する点においてドレイン配線６５と相違し、その他の点においてドレイン配線６５と同様に構成されている。中間バスライン６５ｃは、バスライン部６５１ａに代えてバスライン部６５１ｃを有する点において中間バスライン６５ａと相違し、その他の点において中間バスライン６５ａと同様に構成されている。バスライン部６５１ｃは、ドレインバスライン６５ｂにおけるバスライン部６５１ｂの幅Ｄ２と同じ幅Ｄ１１（ここでは、Ｙ軸方向における寸法）を有する点においてバスライン部６５１ａと相違し、その他の点においてバスライン部６５１ａと同様に構成されている。なお、増幅素子１１Ｘにおける出力合成回路の長さＤ１３（ここでは、Ｙ軸方向における寸法）は、増幅素子１１における出力合成回路の長さＤ３と同じである。

【0055】

上記のような増幅素子１１Ｘでは、複数のソース電極６１ａ間におけるソースインダクタンスのばらつきにより、ソースフィンガ６１ごとにソース電位が異なる場合がある。このような場合、ゲート－ソース間の電位差にばらつきが生じ、トランジスタとしての均一動作が乱れ、トランジスタ１３において不要波が発生する、いわゆる発振現象が発生することがある。この発振現象を回避するために、複数のソースフィンガ６１同士を接続して複数のソース電極６１ａ同士を同電位に維持することが考えられる。

【0056】

また、図６は、別の比較例に係る増幅素子１１Ｙを示す平面図である。図７は、図６におけるＶＩＩ―ＶＩＩ線に沿った断面図である。増幅素子１１Ｙは、ソースエアブリッジ６７Ｙを備える点において増幅素子１１Ｘと相違し、その他の点において増幅素子１１Ｘと同様に構成されている。

【0057】

ソースエアブリッジ６７Ｙは、ソースエアブリッジ６７と同様に、導電性の配線であり、複数のソースフィンガ６１同士を電気的に接続する。ソースエアブリッジ６７Ｙは、ソースエアブリッジ６７におけるエアブリッジ配線６７１と同様に、複数の接続部６７ａと、複数の中継部６７ｂとを有する（図７参照）。ただし、ソースエアブリッジ６７Ｙは、ソースエアブリッジ６７とは異なり、増幅素子１１Ｙにおける出力合成回路には含まれない配線である。

【0058】

ソースエアブリッジ６７Ｙは、活性領域Ｒ１上に配置されており、複数のソースフィンガ６１のＹ軸方向における中央部同士を接続している。したがって、ソースエアブリッジ６７Ｙは、ゲートフィンガ６３及びドレインフィンガ６２の両方を跨いでいる。ソースエアブリッジ６７Ｙの幅Ｄ１４（ここでは、Ｙ軸方向における寸法）は、中間バスライン６５ｃにおけるバスライン部６５１ｃの幅Ｄ１１よりも小さい。例えば、幅Ｄ１４は２０μｍである。

【0059】

上記の増幅素子１１Ｙのように、複数のソース電極６１ａ（ソースフィンガ６１）同士をソースエアブリッジ６７Ｙ（エアブリッジ配線）によって接続することにより、当該複数のソース電極６１ａ同士を同電位に維持しようとする場合、ソース－ドレイン間の容量増加を抑制し得る点では利点がある。一方で、ソースエアブリッジ６７Ｙによって各ゲートフィンガ６３の中央部が覆われるので、各ゲートフィンガ６３に対する視認性が低下してしまう。この結果、製造過程での不良発見を見過ごすおそれが生じる。また、例えば、高信頼性を要求されるアプリケーション向け製品に増幅素子１１Ｙが用いられる場合等では、製造過程または完成品において複数（例えば全て）のゲートフィンガ６３に対する視覚的検査が必要とされることが考えられる。しかしながら、増幅素子１１Ｙでは、このように製造過程または完成品において視覚的検査が必要とされる場合に、全てのゲートフィンガ６３に対する視覚的検査の実施が困難になるという問題が生じる。

【0060】

これに対し、本実施形態に係る増幅素子１１では、複数のソースフィンガ６１がソースエアブリッジ６７のエアブリッジ配線６７１によって互いに接続されている。したがって、複数のソースフィンガ６１間における電位差を低減できる。また、複数のソースフィンガ６１の一端６１ｂ同士がソース配線６４によって接続されており、複数のソースフィンガ６１の他端６１ｃ同士がエアブリッジ配線６７１によって接続されている。このため、トランジスタ１３におけるＹ軸方向の中央部では、ソースフィンガ６１及びドレインフィンガ６２間に設けられたゲートフィンガ６３が、エアブリッジ配線６７１に覆われていない構成を実現し得る。したがって、ゲートフィンガ６３に対する視認性を確保できる。

【0061】

また、本実施形態のように、ドレイン配線６５は、Ｘ軸方向に隣り合う２つのドレインフィンガ６２を接続する複数のバスライン部６５１ａと、バスライン部６５１ａとは異なる幅Ｄ２を有し、複数のバスライン部６５１ａ同士を接続するバスライン部６５１ｂと、を有していてもよい。複数のソースフィンガ６１における他端６１ｃ同士をエアブリッジ配線６７１が接続する構成では、増幅素子１１Ｘ，１１Ｙにおける出力合成回路の長さＤ１３と比較して、増幅素子１１における出力合成回路の長さＤ３が大きくなりやすい。出力合成回路の長さＤ３が大きくなると当該出力合成回路におけるインピーダンスも大きくなるので、対応する整合回路（例えば、図１のマッチング回路５０）も大きく変更する必要が生じ得る。

【0062】

これに対し、上記の構成においては、バスライン部６５１ａまたはバスライン部６５１ｂの一方の幅を他方の幅よりも小さくすることによって出力合成回路の長さＤ３が調整される。したがって、上記の構成によれば、出力合成回路におけるインピーダンスが変化する程度を軽減できる。また、上記実施形態においては、長さＤ３が長さＤ１３と同じである。したがって、増幅素子１１Ｘ，１１Ｙが用いられていた製品（例えば、高周波増幅器）において、他の構成を変更することなく、増幅素子１１Ｘ，１１Ｙを増幅素子１１に変更することが可能となる。

【0063】

本実施形態のように、中間バスライン６５ａにおけるバスライン部６５１ａの幅Ｄ１は、ドレインバスライン６５ｂにおけるバスライン部６５１ｂの幅Ｄ２よりも小さくてもよい。この構成によれば、幅Ｄ２を幅Ｄ１よりも小さくすることによって出力合成回路の長さＤ３を調整する場合と比較して、インピーダンスが変化する程度をより軽減できる。また、上述したように、高周波増幅器１の動作時において、各中間バスライン６５ａにおける各引出部６５３ａには２ドレインフィンガ分（すなわち、４ゲートフィンガ分）の電流が流れ、ドレインバスライン６５ｂにおける各引出部６５２ｂには全フィンガ分（本実施形態では、４ドレインフィンガ分であって８ゲートフィンガ分）の電流が流れることとなる。つまり、各バスライン部６５１ａには２ゲートフィンガ分の電流が流れ、バスライン部６５１ｂには４ゲートフィンガ分の電流が流れる。したがって、より大量の電流が流れるバスライン部６５１ｂの幅Ｄ２が幅Ｄ１よりも大きいことにより、幅Ｄ２が幅Ｄ１よりも小さい場合と比較して、出力合成回路におけるインピーダンスが変化する程度を軽減し得る。

【0064】

本実施形態のように、バスライン部６５１ａの幅Ｄ１は、エアブリッジ配線６７１の幅Ｄ４以上であってもよい。この構成によれば、幅Ｄ１が幅Ｄ４よりも小さい場合と比較して、バスライン部６５１ａにおける電流密度を小さくできる。また、バスライン部６５１ａがソース電流を流すのに対し、エアブリッジ配線６７１は電位を規定するに過ぎないので、幅Ｄ４を比較的小さくしやすい。この幅Ｄ４を幅Ｄ１と同じかそれよりも小さくすることにより、出力合成回路におけるインピーダンスが変化する程度を軽減し得る。

【0065】

本実施形態のように、半導体基板１２は、活性領域Ｒ１と、活性領域Ｒ１を囲む不活性領域Ｒ２，Ｒ３と、を有していてもよい。エアブリッジ配線６７１は、不活性領域Ｒ３上に配置されていてもよい。上述したように、活性領域Ｒ１は、トランジスタとして動作させる領域であることから、活性領域Ｒ１においては、特に、ゲートフィンガ６３に対する視覚的検査が求められる。上記の構成によれば、活性領域Ｒ１がエアブリッジ配線６７１に覆われないので、活性領域Ｒ１においてゲートフィンガ６３に対する視認性を十分に確保できる。

【0066】

本実施形態のように、ゲート配線６６は、複数のゲートフィンガ６３の一端６３ｂ同士を接続していてもよい。複数のソースフィンガ６１の他端６１ｃ、及び複数のゲートフィンガ６３の他端６３ｃは、不活性領域Ｒ３上に位置していてもよい。複数のソースフィンガ６１の他端６１ｃは、複数のゲートフィンガ６３の他端６３ｃよりも活性領域Ｒ１から遠い位置にて、エアブリッジ配線６７１と接続されていてもよい。この構成によれば、ゲートフィンガ６３の他端６３ｃが不活性領域Ｒ３上に位置している構成において、ゲートフィンガ６３に対する視認性を十分に確保できる。

【0067】

本実施形態のように、エアブリッジ配線６７１は、平面視において複数のゲートフィンガ６３と重ならなくてもよい。この構成によれば、ゲートフィンガ６３に対する視認性をより十分に確保できる。

【0068】

［変形例］
以上の実施形態は、本開示に係る半導体装置の一実施形態について説明したものである。本開示に係る半導体装置は、上述した各実施形態を任意に変更したものとすることができる。

【0069】

図８は、変形例に係る増幅素子１１Ａを示す平面図である。増幅素子１１Ａは、ドレイン配線６５に代えてドレイン配線６５Ａを備える点において増幅素子１１と相違し、その他の点において増幅素子１１と同様に構成されている。ドレイン配線６５Ａは、中間バスライン６５ａに代えて中間バスライン６５ｄを備える点、及びドレインバスライン６５ｂに代えてドレインバスライン６５ｅを備える点においてドレイン配線６５と相違し、その他の点においてドレイン配線６５と同様に構成されている。

【0070】

中間バスライン６５ｄは、バスライン部６５１ａに代えてバスライン部６５１ｄを有する点において中間バスライン６５ａと相違し、その他の点において中間バスライン６５ａと同様に構成されている。バスライン部６５１ｄは、バスライン部６５１ａの幅Ｄ１とは異なる幅Ｄ５（ここでは、Ｙ軸方向における寸法）を有する。ドレインバスライン６５ｅは、バスライン部６５１ｂに代えてバスライン部６５１ｅを有する点においてドレインバスライン６５ｂと相違し、その他の点においてドレインバスライン６５ｂと同様に構成されている。バスライン部６５１ｅは、バスライン部６５１ｂの幅Ｄ２とは異なる幅Ｄ６（ここでは、Ｙ軸方向における寸法）を有する。バスライン部６５１ｄ及びバスライン部６５１ｅは、その他の点においてバスライン部６５１ａ及びバスライン部６５１ｂとそれぞれ同様に構成されている。幅Ｄ５は、幅Ｄ６とは異なり、幅Ｄ６よりも大きい。一例として、幅Ｄ５は３５μｍであり、幅Ｄ６は１５μｍである。

【0071】

この増幅素子１１Ａにおいても、増幅素子１１と同様に、複数のソースフィンガ６１の他端６１ｃがエアブリッジ配線６７１によって互いに接続されている。したがって、複数のソースフィンガ６１間における電位差を低減できるとともに、ゲートフィンガ６３に対する視認性を確保できる。このように、増幅素子１１Ａによれば、増幅素子１１と同様の構成を備えることにより、上述した各効果が得られる。

【0072】

また、上記の構成によれば、バスライン部６５１ｅの幅Ｄ６をバスライン部６５１ｄの幅Ｄ５よりも小さくすることによって出力合成回路の長さＤ３が調整される。したがって、上記の構成によれば、増幅素子１１と同様に、出力合成回路におけるインピーダンスが変化する程度を軽減できる。また、上記変形例においても、増幅素子１１Ａにおける出力合成回路が長さＤ１３と同じ長さＤ３を有する。したがって、増幅素子１１Ｘ，１１Ｙが用いられていた製品（例えば、高周波増幅器）において、他の構成を変更することなく、増幅素子１１Ｘ，１１Ｙを増幅素子１１Ａに変更することが可能となる。

【0073】

図９は、別の変形例に係る増幅素子１１Ｂを示す平面図である。増幅素子１１Ｂは、ドレイン配線６５に代えてドレイン配線６５Ｂを備える点において増幅素子１１と相違し、その他の点において増幅素子１１と同様に構成されている。ドレイン配線６５Ｂは、中間バスライン６５ａに代えて中間バスライン６５ｆを備える点においてドレイン配線６５と相違し、その他の点においてドレイン配線６５と同様に構成されている。

【0074】

中間バスライン６５ｆは、バスライン部６５１ａに代えてバスライン部６５１ｆを有する点において中間バスライン６５ａと相違し、その他の点において中間バスライン６５ａと同様に構成されている。バスライン部６５１ｆは、バスライン部６５１ａの幅Ｄ１とは異なる幅Ｄ７（ここでは、Ｙ軸方向における寸法）を有する。バスライン部６５１ｆは、その他の点においてバスライン部６５１ａと同様に構成されている。幅Ｄ７は幅Ｄ２と同じである。例えば、幅Ｄ７は３５μｍである。

【0075】

この増幅素子１１Ｂにおいても、増幅素子１１と同様に、複数のソースフィンガ６１の他端６１ｃがエアブリッジ配線６７１によって互いに接続されている。したがって、複数のソースフィンガ６１間における電位差を低減できるとともに、ゲートフィンガ６３に対する視認性を確保できる。このように、増幅素子１１Ｂによれば、増幅素子１１と同様の構成を備えることにより、上述した各効果が得られる。

【0076】

図１０は、更に別の変形例に係る増幅素子１１Ｃの一部を拡大して示す平面図である。増幅素子１１Ｃは、複数のゲートフィンガ６３に代えて複数のゲートフィンガ６３Ｃを備える点において増幅素子１１と相違し、その他の点において増幅素子１１と同様に構成されている。ゲートフィンガ６３Ｃは、ゲートフィンガ６３のＹ軸方向における長さよりも大きい長さを有する点においてゲートフィンガ６３と相違している。各ゲートフィンガ６３Ｃの他端６３ｃは、ソースフィンガ６１の他端６１ｃ及びドレインフィンガ６２の他端６２ｃよりもＹ軸方向に大きく突出している。不活性領域Ｒ３上においては、各ゲートフィンガ６３Ｃの他端６３ｃがエアブリッジ配線６７１下までＹ軸方向に延在している。言い換えると、エアブリッジ配線６７１は、平面視においてゲートフィンガ６３Ｃの少なくとも一部と重なる。

【0077】

この増幅素子１１Ｃにおいても、増幅素子１１と同様に、複数のソースフィンガ６１の他端６１ｃがエアブリッジ配線６７１によって互いに接続されている。したがって、複数のソースフィンガ６１間における電位差を低減できるとともに、ゲートフィンガ６３Ｃに対する視認性を確保できる。このように、増幅素子１１Ｃによれば、不活性領域Ｒ３上において複数のゲートフィンガ６３Ｃがエアブリッジ配線６７１下までそれぞれ延在し、エアブリッジ配線６７１が平面視において複数のゲートフィンガ６３Ｃと重なる構成においても、ゲートフィンガに対する視認性を確保できる。

【0078】

また、上記実施形態及び各変形例においては、エアブリッジ配線６７１が不活性領域Ｒ３上に配置されているが、例えばエアブリッジ配線６７１の少なくとも一部が活性領域Ｒ１上に配置されていてもよい。不活性領域Ｒ３上には、各ソースフィンガ６１の他端６１ｃ、及び各ゲートフィンガ６３の他端６３ｃが、Ｙ軸方向において互いに同じ位置まで延在していてもよい。また、上記実施形態及び各変形例においては、エアブリッジ配線６７１が複数の引出部６５２ａを跨いでいるが、エアブリッジ配線６７１が複数のドレインフィンガ６２のそれぞれにおける少なくとも一部を跨いでいてもよい。エアブリッジ配線６７１は、複数のドレインフィンガ６２、及び複数の引出部６５２ａの両方を跨いでいてもよい。また、上記実施形態及び各変形例においては、ブリッジ配線としてエアブリッジ配線６７１を例示して説明したが、ブリッジ配線はエアブリッジ構造でなくてもよい。例えば、複数のドレインフィンガ６２及び複数の引出部６５２ａのうちの少なくとも一方とブリッジ配線との間に、絶縁体が介在していてもよい。

【符号の説明】

【0079】

１…高周波増幅器
２…入力端子
３…出力端子
４…パッケージ
４ａ，４ｂ…側壁
４ｃ，４ｄ…端壁
４ｅ…底板
９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｆ…ボンディングワイヤ
１０…増幅素子部
１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｘ，１１Ｙ…増幅素子（半導体装置）
１２…半導体基板
１２ａ，１２ｂ…端辺
１３…トランジスタ
１４…ソースパッド
１５…ビアホール
１６…ドレインパッド
２０…分岐回路基板
２１…基板
２１ａ，２１ｂ…長辺
２１ｃ，２１ｄ…短辺
２２…分岐回路
２３…配線パターン
２３ａ…金属パッド
２３ｂ…膜抵抗
３０…合成回路基板
３１…基板
３１ａ，３１ｂ…長辺
３１ｃ，３１ｄ…短辺
３２…合成回路
３３…配線パターン
３３ａ…金属パッド
３３ｂ…膜抵抗
４０，５０…マッチング回路
６１…ソースフィンガ
６１ａ…ソース電極
６１ｂ…一端
６１ｃ…他端
６２…ドレインフィンガ
６２ａ…ドレイン電極
６２ｂ…一端
６２ｃ…他端
６３，６３Ｃ…ゲートフィンガ
６３ａ…ゲート電極
６３ｂ…一端
６３ｃ…他端
６４…ソース配線
６４ａ…ソースバスライン
６４ｂ…接続配線
６５，６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｘ…ドレイン配線
６５ａ，６５ｃ，６５ｄ，６５ｆ…中間バスライン
６５ｂ，６５ｅ…ドレインバスライン
６６…ゲート配線
６７，６７Ｙ…ソースエアブリッジ
６７ａ…接続部
６７ｂ…中継部
６５１ａ，６５１ｃ，６５１ｄ，６５１ｆ…バスライン部（第１バスライン）
６５１ｂ，６５１ｅ…バスライン部（第２バスライン）
６５２ａ…引出部（引出配線）
６５２ｂ，６５３ａ…引出部
６７１…エアブリッジ配線（ブリッジ配線）
６７２…接続配線
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６，Ｄ７，Ｄ１１，Ｄ１４…幅
Ｄ３，Ｄ１３…長さ
Ｒ１…活性領域
Ｒ２，Ｒ３…不活性領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】