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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023066949
(43)【公開日】2023-05-16
(54)【発明の名称】高周波電子部品用材料
(51)【国際特許分類】
C01G 23/08 20060101AFI20230509BHJP
C08L 101/00 20060101ALI20230509BHJP
C08K 3/22 20060101ALI20230509BHJP
H05K 1/03 20060101ALI20230509BHJP
【ＦＩ】
C01G23/08
C08L101/00
C08K3/22
H05K1/03 610R
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021177838
(22)【出願日】2021-10-29
(71)【出願人】
【識別番号】000174541
【氏名又は名称】堺化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000914
【氏名又は名称】弁理士法人ＷｉｓｅＰｌｕｓ
(72)【発明者】
【氏名】岸 美保
(72)【発明者】
【氏名】堤 裕司
(72)【発明者】
【氏名】植村 啓宏
(72)【発明者】
【氏名】小澤 晃代
(72)【発明者】
【氏名】家門 彰弘
(72)【発明者】
【氏名】小泉 寿夫
【テーマコード（参考）】
4G047
4J002
【Ｆターム（参考）】
4G047CA02
4G047CB08
4G047CC02
4G047CD04
4G047CD07
4J002AA001
4J002BB031
4J002BB121
4J002BC031
4J002BC071
4J002BD041
4J002BD101
4J002BD121
4J002BG061
4J002BN151
4J002CB001
4J002CC031
4J002CD011
4J002CD021
4J002CD051
4J002CD061
4J002CD071
4J002CD131
4J002CD181
4J002CF001
4J002CF161
4J002CG001
4J002CH071
4J002CK021
4J002CL001
4J002CM041
4J002CP031
4J002DE136
4J002FD206
4J002GQ01
(57)【要約】
【課題】 比誘電率を調整することが可能であって、誘電正接が低い高周波電子部品用材料を提供する。
【解決手段】 測色計により測定されるＬ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるＬ＊値が９０以上であり、熱重量分析装置を用いて室温から２００℃まで１０℃／分で昇温させた際に測定される重量減少率が０．１５％以下である酸化チタンを含むことを特徴とする高周波電子部品用材料。
【選択図】なし
【解決手段】 測色計により測定されるＬ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるＬ＊値が９０以上であり、熱重量分析装置を用いて室温から２００℃まで１０℃／分で昇温させた際に測定される重量減少率が０．１５％以下である酸化チタンを含むことを特徴とする高周波電子部品用材料。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
測色計により測定されるＬ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるＬ＊値が９０以上であり、熱重量分析装置を用いて室温から２００℃まで１０℃／分で昇温させた際に測定される重量減少率が０．１５％以下である酸化チタンを含むことを特徴とする高周波電子部品用材料。
【請求項2】
前記酸化チタンの１ＧＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）が０．０１以下であることを特徴とする請求項１に記載の高周波電子部品用材料。
【請求項3】
前記酸化チタンの１ＧＨｚにおける比誘電率（ε）が８以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波電子部品用材料。
【請求項4】
前記酸化チタンのＢＥＴ比表面積が０．８～２０ｍ２／ｇであることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の高周波電子部品用材料。
【請求項5】
前記酸化チタンは、下記方法により測定されるかさ密度が０．７ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の高周波電子部品用材料。
＜かさ密度の測定方法＞
外径１０ｍｍ、内径７ｍｍのガラス製チューブに試料を入れ、ＪＩＴＡＩ社製ラボ用振動機（ＪＴ－１４）を用い、最大出力下で試料高さが変わらなくなるまで振動させた試料高さと試料重量に基づき、下記式によりかさ密度を求める。
かさ密度（ｇ／ｃｍ３）＝試料重量（ｇ）／｛０．３５ｃｍ×０．３５ｃｍ×３．１４×試料高さ（ｃｍ）｝
＜かさ密度の測定方法＞
外径１０ｍｍ、内径７ｍｍのガラス製チューブに試料を入れ、ＪＩＴＡＩ社製ラボ用振動機（ＪＴ－１４）を用い、最大出力下で試料高さが変わらなくなるまで振動させた試料高さと試料重量に基づき、下記式によりかさ密度を求める。
かさ密度（ｇ／ｃｍ３）＝試料重量（ｇ）／｛０．３５ｃｍ×０．３５ｃｍ×３．１４×試料高さ（ｃｍ）｝
【請求項6】
請求項１～５のいずれかに記載の高周波電子部品用材料と樹脂とを含む樹脂組成物。
【請求項7】
請求項１～５のいずれかに記載の高周波電子部品用材料を製造する方法であって、
該製造方法は、酸化チタンを焼成する工程を含むことを特徴とする高周波電子部品用材料の製造方法。
該製造方法は、酸化チタンを焼成する工程を含むことを特徴とする高周波電子部品用材料の製造方法。
【請求項8】
酸化チタンを含む高周波電子部品用材料を製造する方法であって、
該製造方法は、アルカリ金属元素の含有割合が０．１質量％以下である酸化チタンを７００℃以上１２００℃以下の温度で焼成する工程を含むことを特徴とする高周波電子部品用材料の製造方法。
該製造方法は、アルカリ金属元素の含有割合が０．１質量％以下である酸化チタンを７００℃以上１２００℃以下の温度で焼成する工程を含むことを特徴とする高周波電子部品用材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、高周波電子部品用材料に関する。より詳しくは、高周波機器等における無機フィラー等に有用な高周波電子部品用材料に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、日本を含む世界市場においてＡＩ／ＩｏＴ化が進み、スマートフォンやタブレット等の通信装置、ＩｏＴ家電や製造装置、非接触式ＩＣカードやＲＦＩＤの自動認識技術の普及及び、今後の自動運転車の実用化に伴い高周波信号（１ＭＨｚ以上）の伝送が増加している。高周波領域では従来の波長よりも伝送損失が大きいため、比誘電率及び誘電正接の低い材料が必要とされている。その一方で、誘電体デバイスの大きさは対象とする電磁波の波長に比例し、波長は比誘電率が大きいほど短くなることから、デバイスの軽量化、薄型化の観点からは比誘電率が高いもののニーズもあり、用途に応じて比誘電率を調整することが可能な材料が求められている。
【0003】
高誘電率の樹脂材料に関して、例えば、特許文献１には、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）誘電体粉末、（Ｃ）ノニオン性界面活性剤、及び（Ｄ）硬化剤を含有する樹脂組成物が開示され、特許文献２には、所定の熱可塑性樹脂（Ａ）及び所定の無機粒子（Ｂ）を含有することを特徴とする回路基板用または電波レンズ用樹脂組成物が開示されている。
しかし、一般に基盤や封止用途に用いられる樹脂材料のみでは比誘電率と誘電正接を同時に制御することは困難であるため、低誘電正接かつ種々の比誘電率を併せ持つ無機フィラーが求められている。
しかし、一般に基盤や封止用途に用いられる樹脂材料のみでは比誘電率と誘電正接を同時に制御することは困難であるため、低誘電正接かつ種々の比誘電率を併せ持つ無機フィラーが求められている。
【0004】
無機フィラーに関して、特許文献３には、Ｃｌ－濃度が２０ｐｐｍ以下、抽出水電気伝導度が７０μＳ／ｃｍ以下、平均粒子径が１μｍ以上３０μｍ以下である高純度チタン酸バリウム系粉末が開示され、特許文献４には、４００ｎｍ～７００ｎｍの波長の光反射率が ８０％以下であることを特徴とする酸化チタンが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０２０－１０５５２３号公報
【特許文献2】特開１９９９－３２３０４６号公報
【特許文献3】国際公開第２０１７／２１７２３５号
【特許文献4】国際公開第２００９／０８７９５１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
上述のとおり、従来、高周波電子部品に用いられる種々の無機フィラーが開発されているものの、比誘電率の調整と低誘電正接との両立の点で充分ではなかった。
【0007】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、比誘電率を調整することが可能であって、誘電正接が低い高周波電子部品用材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明者らは、高周波電子部品に用いることができる材料について種々検討したところ、測色計により測定されるＬ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるＬ＊値が所定値以上であり、熱重量分析による重量減少率が所定値以下である酸化チタンが、誘電正接が低いことを見いだした。更に、本発明者らは、この要件を満たす酸化チタンは、比表面積や焼成温度を調整することで比誘電率を調整することが可能であることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。
【0009】
すなわち本発明は、測色計により測定されるＬ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるＬ＊値が９０以上であり、熱重量分析装置を用いて室温から２００℃まで１０℃／分で昇温させた際に測定される重量減少率が０．１５％以下である酸化チタンを含む高周波電子部品用材料である。
【0010】
上記酸化チタンは、１ＧＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）が０．０１以下であることが好ましい。
【0011】
上記酸化チタンは、１ＧＨｚにおける比誘電率（ε）が８以上であることが好ましい。
【0012】
上記酸化チタンは、ＢＥＴ比表面積が０．８～２０ｍ２／ｇであることが好ましい。
【0013】
上記酸化チタンは、下記方法により測定されるかさ密度が０．７ｇ／ｃｍ３以上であることが好ましい。
＜かさ密度の測定方法＞
外径１０ｍｍ、内径７ｍｍのガラス製チューブに試料を入れ、ＪＩＴＡＩ社製ラボ用振動機（ＪＴ－１４）を用い、最大出力下で試料高さが変わらなくなるまで振動させた際の試料高さと試料重量に基づき、下記式によりかさ密度を求める。
かさ密度（ｇ／ｃｍ３）＝試料重量（ｇ）／｛０．３５ｃｍ×０．３５ｃｍ×３．１４×試料高さ（ｃｍ）｝
＜かさ密度の測定方法＞
外径１０ｍｍ、内径７ｍｍのガラス製チューブに試料を入れ、ＪＩＴＡＩ社製ラボ用振動機（ＪＴ－１４）を用い、最大出力下で試料高さが変わらなくなるまで振動させた際の試料高さと試料重量に基づき、下記式によりかさ密度を求める。
かさ密度（ｇ／ｃｍ３）＝試料重量（ｇ）／｛０．３５ｃｍ×０．３５ｃｍ×３．１４×試料高さ（ｃｍ）｝
【0014】
本発明はまた、上記高周波電子部品用材料と樹脂とを含む樹脂組成物でもある。
【0015】
本発明は更に、上記高周波電子部品用材料を製造する方法であって、該製造方法は、酸化チタンを焼成する工程を含む高周波電子部品用材料の製造方法でもある。
【0016】
本発明は更に、酸化チタンを含む高周波電子部品用材料を製造する方法であって、該製造方法は、アルカリ金属元素の含有割合が０．１質量％以下である酸化チタンを７００℃以上１２００℃以下の温度で焼成する工程を含む高周波電子部品用材料の製造方法でもある。
【発明の効果】
【0017】
本発明の高周波電子部品用材料は、上述の構成よりなり、比誘電率を調整することが可能であって、誘電正接が低いため、高周波機器等における無機フィラー等に好適に用いることができる。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下に本発明の好ましい形態について具体的に説明するが、本発明は以下の記載のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下に記載される本発明の個々の好ましい形態を２又は３以上組み合わせた形態も、本発明の好ましい形態に該当する。
【0019】
本発明の高周波電子部品用材料は、測色計により測定されるＬ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるＬ＊値が９０以上であり、熱重量分析装置を用いて室温から２００℃まで１０℃／分で昇温させた際に測定される重量減少率（以下、熱重量分析による重量減少率ともいう。）が０．１５％以下である。
酸化チタンは結晶中に酸素欠陥が増えるとｎ型半導体化することで電子伝導性が増加し、これに伴って誘電正接が高くなる。本発明者らは、酸化チタンは酸素欠損が増加するにつれて色調が白色→黄色→灰色→青色と変化し、Ｌ＊値が低下すること、すなわち、酸化チタンの色調と誘電正接との相関関係を見いだし、上記Ｌ＊値が９０以上であれば、誘電正接が充分に低いものとなり、高周波電子部品用材料として好適に用いることができることを見いだした。
また、酸化チタンは、表面の水酸基や吸着水の影響により誘電正接が高くなるが、上記熱重量分析による重量減少率が０．１５％以下であれば、誘電正接が充分に低いものとなり、高周波電子部品用材料として好適に用いることができる。
酸化チタンは外部からの紫外線照射や加熱等のエネルギー供給によって酸素欠陥が増える傾向にあり、例えば加熱等により酸化チタン表面の水酸基や吸着水を減少させようとしても、酸素欠陥が増えることとなり、誘電正接を低減することは難しいため、本発明の高周波電子部品用材料において、酸素欠陥の増加の抑制と酸化チタン表面の水酸基や吸着水の量が少ないこととを両立し、誘電正接を充分に低減することができることは、特に技術的意義が高い。
酸化チタンは結晶中に酸素欠陥が増えるとｎ型半導体化することで電子伝導性が増加し、これに伴って誘電正接が高くなる。本発明者らは、酸化チタンは酸素欠損が増加するにつれて色調が白色→黄色→灰色→青色と変化し、Ｌ＊値が低下すること、すなわち、酸化チタンの色調と誘電正接との相関関係を見いだし、上記Ｌ＊値が９０以上であれば、誘電正接が充分に低いものとなり、高周波電子部品用材料として好適に用いることができることを見いだした。
また、酸化チタンは、表面の水酸基や吸着水の影響により誘電正接が高くなるが、上記熱重量分析による重量減少率が０．１５％以下であれば、誘電正接が充分に低いものとなり、高周波電子部品用材料として好適に用いることができる。
酸化チタンは外部からの紫外線照射や加熱等のエネルギー供給によって酸素欠陥が増える傾向にあり、例えば加熱等により酸化チタン表面の水酸基や吸着水を減少させようとしても、酸素欠陥が増えることとなり、誘電正接を低減することは難しいため、本発明の高周波電子部品用材料において、酸素欠陥の増加の抑制と酸化チタン表面の水酸基や吸着水の量が少ないこととを両立し、誘電正接を充分に低減することができることは、特に技術的意義が高い。
【0020】
上記Ｌ＊値として好ましくは９２以上であり、より好ましくは９３以上であり、更に好ましくは９４以上であり、特に好ましくは９５以上である。また、Ｌ＊値として好ましくは９９以下である。
【0021】
上記熱重量分析による重量減少率として好ましくは０．１２％以下であり、より好ましくは０．１％以下である。
【0022】
上記高周波電子部品用材料における酸化チタンは、１ＧＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）が０．０１以下であることが好ましい。より好ましくは０．００５以下であり、更に好ましくは０．００３以下であり、特に好ましくは０．００１以下である。
上記１ＧＨｚにおける誘電正接は、実施例に記載の方法により測定することができる。
上記１ＧＨｚにおける誘電正接は、実施例に記載の方法により測定することができる。
【0023】
上記高周波電子部品用材料における酸化チタンは、１ＧＨｚにおける比誘電率（ε）が８以上であることが好ましい。より好ましくは１０以上であり、更に好ましくは１２以上であり、特に好ましくは１５以上である。１ＧＨｚにおける比誘電率（ε）の上限は特に制限されないが、１００以下であることが好ましい。
上記１ＧＨｚにおける比誘電率は、実施例に記載の方法により測定することができる。
上記１ＧＨｚにおける比誘電率は、実施例に記載の方法により測定することができる。
【0024】
上記高周波電子部品用材料における酸化チタンは、ＢＥＴ比表面積が０．８～２０ｍ２／ｇであることが好ましい。酸化チタンのＢＥＴ比表面積を制御することにより高周波電子部品用材料の比誘電率を調整することができる。ＢＥＴ比表面積としてより好ましくは０．８～１８ｍ２／ｇであり、更に好ましくは０．８～１５ｍ２／ｇであり、特に好ましくは０．８～１３ｍ２／ｇである。
上記ＢＥＴ比表面積は、実施例に記載の方法により測定することができる。
上記ＢＥＴ比表面積は、実施例に記載の方法により測定することができる。
【0025】
上記高周波電子部品用材料における酸化チタンは、上記方法により測定されるかさ密度が０．７ｇ／ｃｍ３以上であることが好ましい。これにより、誘電正接をより充分に低減することができる。上記かさ密度としてより好ましくは０．８ｇ／ｃｍ３以上であり、更に好ましくは１．０ｇ／ｃｍ３以上である。かさ密度の上限は特に制限されないが、ルチル型酸化チタンの密度４．２ｇ／ｃｍ３以下である。
【0026】
上記高周波電子部品用材料における酸化チタンの結晶相は特に制限されないが、ルチル型構造が他の構造に比べて結晶の密度が高く、比誘電率も高くなるため、ルチル型結晶相を主相とするものであることが好ましい。酸化チタン粉粒体の粉末Ｘ線回折パターン（ＣｕＫα、２θ＝１０～７０°の測角範囲）において、ルチル型酸化チタンのメインピーク（回折角２θ＝２７．４°）のピーク強度と、アナタース型酸化チタンのメインピーク（回折角２θ＝２７．４°）のピーク強度を足し合わせたものをルチル型酸化チタンのメインピーク強度で割り付けた値をルチル率（％）として表記した。
上記主相とはルチル率が５０％以上を意味する。さらにルチル率が８０％以上であることが好ましい。より好ましくは８５％以上であり、最も好ましくは９０％以上である。
粉末Ｘ線回折パターンの具体的な測定条件は、実施例において後述する。
なお、ＸＲＤ測定データ全体にノイズが多い場合は、ＸＲＤに付属の解析ソフト（例えば、株式会社リガク製Ｘ線回折装置（ＲＩＮＴ－ＴＴＲ３）付属の粉末Ｘ線回折パターン総合解析ソフトウェアＰＤＸＬ２）等を用いて、スムージング、バックグランド除去を実施してから判定を行ってもよい。
上記主相とはルチル率が５０％以上を意味する。さらにルチル率が８０％以上であることが好ましい。より好ましくは８５％以上であり、最も好ましくは９０％以上である。
粉末Ｘ線回折パターンの具体的な測定条件は、実施例において後述する。
なお、ＸＲＤ測定データ全体にノイズが多い場合は、ＸＲＤに付属の解析ソフト（例えば、株式会社リガク製Ｘ線回折装置（ＲＩＮＴ－ＴＴＲ３）付属の粉末Ｘ線回折パターン総合解析ソフトウェアＰＤＸＬ２）等を用いて、スムージング、バックグランド除去を実施してから判定を行ってもよい。
【0027】
上記高周波電子部品用材料における酸化チタンは、表面処理剤により表面処理されたものであってもよいが、表面処理剤としては、水酸基が少ないものが好ましい。
上記表面処理剤として具体的には、ヘキサメチルジシラザンや３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
上記表面処理剤として具体的には、ヘキサメチルジシラザンや３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【0028】
上記高周波電子部品用材料は、上記酸化チタンを含むものであればよいが、上記酸化チタンの含有割合としては、高周波電子部品用材料１００質量％に対して８０～１００質量％であることが好ましい。より好ましくは９０～１００質量％であり、最も好ましくは１００質量％である。
【0029】
上記高周波電子部品用材料は、上記酸化チタン以外のその他の成分を含んでいてもよい。
上記その他の成分としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ等のアルカリ金属元素及びその酸素原子を含む化合物や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ，Ｚｒ，Ｎｂ、Ｓｎ等のアルカリ金属以外の元素及びその酸素原子を含む化合物が挙げられる。
アルカリ金属元素及びその酸素原子を含む酸素化合物の含有割合としては、酸化チタン１００質量％に対して１質量％以下であることが好ましい。より好ましくは、０．０７質量％以下であり、更に好ましくは０．０５質量％以下である。
上記アルカリ金属元素以外の元素及びその酸素原子を含む化合物の含有割合としては、高周波電子部品用材料１００質量％に対して２０質量％以下であることが好ましい。より好ましくは１０質量％以下であり、最も好ましくは５質量％以下である。
上記その他の成分としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ等のアルカリ金属元素及びその酸素原子を含む化合物や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ，Ｚｒ，Ｎｂ、Ｓｎ等のアルカリ金属以外の元素及びその酸素原子を含む化合物が挙げられる。
アルカリ金属元素及びその酸素原子を含む酸素化合物の含有割合としては、酸化チタン１００質量％に対して１質量％以下であることが好ましい。より好ましくは、０．０７質量％以下であり、更に好ましくは０．０５質量％以下である。
上記アルカリ金属元素以外の元素及びその酸素原子を含む化合物の含有割合としては、高周波電子部品用材料１００質量％に対して２０質量％以下であることが好ましい。より好ましくは１０質量％以下であり、最も好ましくは５質量％以下である。
【0030】
＜高周波電子部品用材料の製造方法＞
本発明の高周波電子部品用材料の製造方法は特に制限されないが、酸化チタンを焼成する工程を行って製造することが好ましい。これにより、比誘電率を調整することが可能であって、従来よりも誘電正接が低い高周波電子部品用材料を得ることができる。
上記酸化チタンを焼成する工程を含む高周波電子部品用材料の製造方法もまた本発明の１つである。
本発明の高周波電子部品用材料の製造方法は特に制限されないが、酸化チタンを焼成する工程を行って製造することが好ましい。これにより、比誘電率を調整することが可能であって、従来よりも誘電正接が低い高周波電子部品用材料を得ることができる。
上記酸化チタンを焼成する工程を含む高周波電子部品用材料の製造方法もまた本発明の１つである。
【0031】
上記高周波電子部品用材料の製造方法は、アルカリ金属元素の含有割合が０．１質量％以下である酸化チタンを７００℃以上１２００℃以下の温度で焼成する工程を含むものであることが好ましい。これにより酸化チタンにおいて酸素欠陥が増加することをより充分に抑制し、高周波電子部品用材料の誘電正接をより充分に低減することができる。
【0032】
上記酸化チタンのアルカリ金属元素の含有割合としてより好ましくは酸化チタン１００質量％に対して０．０７質量％以下であり、更に好ましくは０．０５質量％以下である。
上記酸化チタンにおけるアルカリ金属元素の含有割合は、実施例に記載の方法により測定することができる。
上記酸化チタンにおけるアルカリ金属元素の含有割合は、実施例に記載の方法により測定することができる。
【0033】
上記焼成工程における焼成温度を調節することにより、高周波電子部品用材料の比誘電率を調節することができる。焼成温度としては７００℃以上１２００℃以下であることが好ましく、より好ましくは８００～１１５０℃であり、更に好ましくは９００～１１５０℃である。
【0034】
上記焼成工程における焼成時間としてより好ましくは１～１００時間であり、更に好ましくは４～３０時間である。
【0035】
＜樹脂組成物＞
本発明はまた、上記高周波電子部品用材料と樹脂とを含む樹脂組成物でもある。
本発明の高周波電子部品用材料は、誘電正接が低いため、樹脂のみの場合よりも、上記樹脂組成物の誘電正接を充分に低減することができる。
本発明はまた、上記高周波電子部品用材料と樹脂とを含む樹脂組成物でもある。
本発明の高周波電子部品用材料は、誘電正接が低いため、樹脂のみの場合よりも、上記樹脂組成物の誘電正接を充分に低減することができる。
【0036】
上記樹脂組成物における高周波電子部品用材料の割合は特に制限されないが、樹脂組成物１００体積％に対して５～７５体積％であることが好ましい。より好ましくは１０～７０体積％であり、更に好ましくは１５～６５体積％である。
【0037】
上記樹脂組成物は、樹脂組成物１００質量％に対する高周波電子部品用材料の割合が、１５～９２質量％であることが好ましい。より好ましくは３０～９０質量％であり、更に好ましくは４０～８８質量％である。
【0038】
上記樹脂組成物は、樹脂組成物１００質量％に対する樹脂の割合が、８～８５質量％であることが好ましい。より好ましくは１０～７０質量％であり、更に好ましくは１２～６０質量％である。
【0039】
上記樹脂組成物に含まれる樹脂としては特に制限されないが、熱硬化性樹脂、常温硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、放射線硬化性樹脂等各種のものを用いることができる。
具体的には例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、フッ素樹脂、ポリメタクリル酸メチル、エチレン・アクリル酸エチル共重合体（ＥＥＡ）樹脂、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリアセタール、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルイミド、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体（ＡＢＳ）樹脂、液晶樹脂（ＬＣＰ）、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
これらの樹脂の中でエポキシ樹脂は、高い電気絶縁性、耐水性、耐薬品性、耐食性、高接着性に優れることから電子部品材料に好適である。
具体的には例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、フッ素樹脂、ポリメタクリル酸メチル、エチレン・アクリル酸エチル共重合体（ＥＥＡ）樹脂、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリアセタール、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルイミド、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体（ＡＢＳ）樹脂、液晶樹脂（ＬＣＰ）、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
これらの樹脂の中でエポキシ樹脂は、高い電気絶縁性、耐水性、耐薬品性、耐食性、高接着性に優れることから電子部品材料に好適である。
【0040】
上記エポキシ樹脂の具体例としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルカテコール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられる。中でも、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等が好ましい。エポキシ樹脂は１種又は２種以上を使用することができる。
【0041】
上記樹脂組成物は、更に硬化剤を含むことが好ましい。
上記硬化剤としては特に制限されないが、例えば、チオール系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤等が挙げられる。中でもチオール系硬化剤が好ましい。
上記硬化剤としては特に制限されないが、例えば、チオール系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤等が挙げられる。中でもチオール系硬化剤が好ましい。
【0042】
チオール系硬化剤としては、例えば、３，３’－ジチオジプロピオン酸、トリメチロールプロパントリス（チオグリコレート）、ペンタエリスリトールテトラキス（チオグリコレート）、エチレングリコールジチオグリコレート、１，４－ビス（３－メルカプトブチリルオキシ）ブタン、トリス［（３－メルカプトプロピオニルオキシ）－エチル］－イソシアヌレート（ＴＥＭＰＩＣ）、１，３，５－トリス（３－メルカプトブチルオキシエチル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトプロピオネート）（ＴＭＭＰ）、ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトプロピオネート）（ＰＥＭＰ）、ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトブチレート）、ジペンタエリスリトールヘキサキス（３－メルカプトプロピオネート）（ＤＰＭＰ）等のポリオールとメルカプト有機酸のエステル化反応によって得られるチオール化合物等が挙げられる。
【0043】
上記硬化剤の配合量は特に限定されないが、上記樹脂の官能基と等量反応する硬化剤を用いる場合、上記樹脂の官能基量に対して、６０～１００当量であることが好ましい。また、触媒として機能する硬化剤を用いる場合、上記硬化剤の配合量は、上記樹脂１００質量％に対して６０～１００質量％であることが好ましい。
【0044】
上記樹脂組成物は、更に硬化促進剤を含むことが好ましい。
上記硬化促進剤としては特に制限されないが、例えば、アミン系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホスホニウム系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。中でもイミダゾール系硬化促進剤が好ましい。
上記硬化促進剤としては特に制限されないが、例えば、アミン系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホスホニウム系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。中でもイミダゾール系硬化促進剤が好ましい。
【0045】
上記硬化促進剤の配合量は、上記樹脂１００質量％に対して０．０１～５質量％であることが好ましい。
【0046】
上記樹脂組成物は、上記高周波電子部品用材料、樹脂、硬化剤及び硬化促進剤以外のその他の成分を含んでいてもよい。
上記その他の成分としては特に制限されないが、上記高周波電子部品用材料以外の無機粒子、低応力化剤、シランカップリング剤、表面処理剤、難燃助剤、難燃剤、着色剤、離型剤等が挙げられる。
上記その他の成分の含有割合は、樹脂組成物１００質量％に対して０～１０質量％であることが好ましい。より好ましくは０～５質量％であり、更に好ましくは０～２質量％である。
上記その他の成分としては特に制限されないが、上記高周波電子部品用材料以外の無機粒子、低応力化剤、シランカップリング剤、表面処理剤、難燃助剤、難燃剤、着色剤、離型剤等が挙げられる。
上記その他の成分の含有割合は、樹脂組成物１００質量％に対して０～１０質量％であることが好ましい。より好ましくは０～５質量％であり、更に好ましくは０～２質量％である。
【0047】
上記高周波電子部品用材料以外の無機粒子としては特に制限されないが、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ジルコニウム、チタン酸亜鉛、二酸化チタン等のチタン化合物等が挙げられる。
【0048】
＜高周波電子部品用材料、樹脂組成物の用途＞
本発明の高周波電子部品用材料は、誘電正接が低いため、本発明の高周波電子部品用材料、樹脂組成物は、高周波機器等の回路基板、封止材、絶縁材、アンダーフィル、レジストインキ等に好適に用いることができる。
高周波機器の周波帯としては１ＭＨｚ以上であることが好ましい。より好ましくは１０ＭＨｚ以上であり、更に好ましくは１００ＭＨｚ以上であり、特に好ましくは１ＧＨｚ以上である。また、高周波機器の周波帯として好ましくは５００ＧＨｚ以下である。
本発明の高周波電子部品用材料は、誘電正接が低いため、本発明の高周波電子部品用材料、樹脂組成物は、高周波機器等の回路基板、封止材、絶縁材、アンダーフィル、レジストインキ等に好適に用いることができる。
高周波機器の周波帯としては１ＭＨｚ以上であることが好ましい。より好ましくは１０ＭＨｚ以上であり、更に好ましくは１００ＭＨｚ以上であり、特に好ましくは１ＧＨｚ以上である。また、高周波機器の周波帯として好ましくは５００ＧＨｚ以下である。
【実施例0049】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「％」は「質量％」を意味するものとする。
【0050】
≪物性評価≫
以下の手順により、得られた高周波電子部品用材料の物性を評価した。
＜Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における明度Ｌ＊値、色度ａ＊値、ｂ＊値＞
測色計（日本電色工業社製、商品名「ＳＥ２０００」）を用いて、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における明度Ｌ＊値、色度ａ＊値、ｂ＊値を測定した。
以下の手順により、得られた高周波電子部品用材料の物性を評価した。
＜Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における明度Ｌ＊値、色度ａ＊値、ｂ＊値＞
測色計（日本電色工業社製、商品名「ＳＥ２０００」）を用いて、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における明度Ｌ＊値、色度ａ＊値、ｂ＊値を測定した。
【0051】
＜比表面積（ＢＥＴ－ＳＳＡ）＞
ＪＩＳ Ｚ８８３０（２０１３年）の規定に準じ、試料を窒素雰囲気中、２００℃で６０分間熱処理した後、比表面積測定装置（マウンテック社製、商品名「Ｍａｃｓｏｒｂ ＨＭ－１２２０」）を用いて、比表面積（ＢＥＴ－ＳＳＡ）を測定した。
ＪＩＳ Ｚ８８３０（２０１３年）の規定に準じ、試料を窒素雰囲気中、２００℃で６０分間熱処理した後、比表面積測定装置（マウンテック社製、商品名「Ｍａｃｓｏｒｂ ＨＭ－１２２０」）を用いて、比表面積（ＢＥＴ－ＳＳＡ）を測定した。
【0052】
＜複素誘電率実部、誘電正接＞
誘電率測定装置ＡＤＭＳ０１Ｎｃ１（エーイーティ―社製）、および付属の１ＧＨｚ共振器を用いて高周波電子部品用材料の複素誘電率実部、誘電正接を測定した。
誘電率測定装置ＡＤＭＳ０１Ｎｃ１（エーイーティ―社製）、および付属の１ＧＨｚ共振器を用いて高周波電子部品用材料の複素誘電率実部、誘電正接を測定した。
【0053】
＜熱重量分析＞
粉末の熱重量分析は示差熱・熱重量同時測定装置ＳＴＡ７３００（日立ハイテクサイエンス社）を用い、１０℃／分で室温から１０００℃まで昇温した際の重量を測定した。測定結果より、２００℃における初期重量に対する重量変化率を求めた。
粉末の熱重量分析は示差熱・熱重量同時測定装置ＳＴＡ７３００（日立ハイテクサイエンス社）を用い、１０℃／分で室温から１０００℃まで昇温した際の重量を測定した。測定結果より、２００℃における初期重量に対する重量変化率を求めた。
【0054】
＜ＸＲＤ測定＞
Ｘ線回折装置（ＲＩＮＴ―ＴＴＲ３、Ｒｉｇａｋｕ製）を用いて、以下の条件により測定した。
光学系：平行ビーム光学系（長尺スリット：ＰＳＡ２００／分解能：０．０５７°）
管電圧：５０ｋＶ
電流：３００ｍＡ
測定方法：連続スキャン
測定範囲（２θ）：１０°～７０°
サンプリング幅：０．０４°
スキャンスピード：５°／ｍｉｎ
ルチル率は上記条件で得られたＸＲＤに付属の解析ソフト（例えば、株式会社リガク製Ｘ線回折装置（ＲＩＮＴ－ＴＴＲ３）を用いて式１に基づいて算出した。
ルチル率（％）＝ルチル型酸化チタンのメインピーク強度/（ルチル型酸化チタンのメインピーク強度+アナタース型酸化チタンのメインピーク強度）×１００（％）
ルチル型酸化チタンのメインピーク：２θ＝２７．４°
アナタース型酸化チタンのメインピーク強度：２θ＝２５．３°
なお、ＸＲＤ測定データ全体にノイズが多い場合は、ＸＲＤに付属の解析ソフト（例えば、株式会社リガク製Ｘ線回折装置（ＲＩＮＴ－ＴＴＲ３）付属の粉末Ｘ線回折パターン総合解析ソフトウェアＰＤＸＬ２）等を用いて、スムージング、バックグランド除去を実施してから判定を行ってもよい。
各成分のメインピークがソフトウェア上ピークとして検出されなかった際には、検出バラつきを考慮し、各成分共に５％以下として算出を行った。例えばアナタース型酸化チタンのメインピークが確認されなかった際にはルチル率９５％以上とした。
Ｘ線回折装置（ＲＩＮＴ―ＴＴＲ３、Ｒｉｇａｋｕ製）を用いて、以下の条件により測定した。
光学系：平行ビーム光学系（長尺スリット：ＰＳＡ２００／分解能：０．０５７°）
管電圧：５０ｋＶ
電流：３００ｍＡ
測定方法：連続スキャン
測定範囲（２θ）：１０°～７０°
サンプリング幅：０．０４°
スキャンスピード：５°／ｍｉｎ
ルチル率は上記条件で得られたＸＲＤに付属の解析ソフト（例えば、株式会社リガク製Ｘ線回折装置（ＲＩＮＴ－ＴＴＲ３）を用いて式１に基づいて算出した。
ルチル率（％）＝ルチル型酸化チタンのメインピーク強度/（ルチル型酸化チタンのメインピーク強度+アナタース型酸化チタンのメインピーク強度）×１００（％）
ルチル型酸化チタンのメインピーク：２θ＝２７．４°
アナタース型酸化チタンのメインピーク強度：２θ＝２５．３°
なお、ＸＲＤ測定データ全体にノイズが多い場合は、ＸＲＤに付属の解析ソフト（例えば、株式会社リガク製Ｘ線回折装置（ＲＩＮＴ－ＴＴＲ３）付属の粉末Ｘ線回折パターン総合解析ソフトウェアＰＤＸＬ２）等を用いて、スムージング、バックグランド除去を実施してから判定を行ってもよい。
各成分のメインピークがソフトウェア上ピークとして検出されなかった際には、検出バラつきを考慮し、各成分共に５％以下として算出を行った。例えばアナタース型酸化チタンのメインピークが確認されなかった際にはルチル率９５％以上とした。
【0055】
＜蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）によるアルカリ金属元素の含有量の測定＞
走査型蛍光Ｘ線分析装置ＺＳＸ ＰｒｉｍｕｓＩＩ（株式会社リガク製）を用いてナトリウム又はカリウム含有量を測定した。検出された場合にはそれらをアルカリ金属の割合とした。
走査型蛍光Ｘ線分析装置ＺＳＸ ＰｒｉｍｕｓＩＩ（株式会社リガク製）を用いてナトリウム又はカリウム含有量を測定した。検出された場合にはそれらをアルカリ金属の割合とした。
【0056】
＜実施例１＞
ルチル型酸化チタン（堺化学工業社製、商品名「ＳＴＲ－１００Ｎ」、比表面積１００ｍ２／ｇ、略称Ｒ１）２０ｇをアルミナ製るつぼに入れ、焼成炉にて９００℃で４時間焼成を行い、高周波電子部品用材料を得た。上記焼成工程における昇温及び降温は２００℃／時間とした。
ルチル型酸化チタン（堺化学工業社製、商品名「ＳＴＲ－１００Ｎ」、比表面積１００ｍ２／ｇ、略称Ｒ１）２０ｇをアルミナ製るつぼに入れ、焼成炉にて９００℃で４時間焼成を行い、高周波電子部品用材料を得た。上記焼成工程における昇温及び降温は２００℃／時間とした。
【0057】
＜実施例２＞
ルチル型酸化チタン（堺化学工業社製、商品名「ＳＴＲ－１００Ｎ」、比表面積１００ｍ２／ｇ、略称Ｒ１）２０ｇをアルミナ製るつぼに入れ、焼成炉にて１１００℃で４時間焼成を行い、高周波電子部品用材料を得た。上記焼成工程における昇温及び降温は２００℃／時間とした。
ルチル型酸化チタン（堺化学工業社製、商品名「ＳＴＲ－１００Ｎ」、比表面積１００ｍ２／ｇ、略称Ｒ１）２０ｇをアルミナ製るつぼに入れ、焼成炉にて１１００℃で４時間焼成を行い、高周波電子部品用材料を得た。上記焼成工程における昇温及び降温は２００℃／時間とした。
【0058】
＜実施例３＞
アナターゼ型酸化チタン（堺化学工業社製、商品名「ＳＳＰ－Ｎ」、比表面積２７０ｍ２／ｇ、略称Ａ１）２０ｇをアルミナ製るつぼに入れ、焼成炉にて１１００℃で４時間焼成を行い、高周波電子部品用材料を得た。上記焼成工程における昇温及び降温は２００℃／時間とした。
アナターゼ型酸化チタン（堺化学工業社製、商品名「ＳＳＰ－Ｎ」、比表面積２７０ｍ２／ｇ、略称Ａ１）２０ｇをアルミナ製るつぼに入れ、焼成炉にて１１００℃で４時間焼成を行い、高周波電子部品用材料を得た。上記焼成工程における昇温及び降温は２００℃／時間とした。
【0059】
＜実施例４＞
アナターゼ型酸化チタン（昭和タイタニウム社製、商品名「Ｆ１Ａ」、比表面積２０ｍ２／ｇ、略称Ａ２）２０ｇをアルミナ製るつぼに入れ、焼成炉にて１１００℃で４時間焼成を行い、高周波電子部品用材料を得た。上記焼成工程における昇温及び降温は２００℃／時間とした。
アナターゼ型酸化チタン（昭和タイタニウム社製、商品名「Ｆ１Ａ」、比表面積２０ｍ２／ｇ、略称Ａ２）２０ｇをアルミナ製るつぼに入れ、焼成炉にて１１００℃で４時間焼成を行い、高周波電子部品用材料を得た。上記焼成工程における昇温及び降温は２００℃／時間とした。
【0060】
＜比較例１、２＞
ルチル型酸化チタン（堺化学工業社製、商品名「ＳＴＲ－１００Ｎ」、比表面積１００ｍ２／ｇ、略称Ｒ１）、アナターゼ型酸化チタン（堺化学工業社製、商品名「Ａ１２０」、比表面積９ｍ２／ｇ、略称Ａ３）をそれぞれ比較例１、２の高周波電子部品用材料とした。
ルチル型酸化チタン（堺化学工業社製、商品名「ＳＴＲ－１００Ｎ」、比表面積１００ｍ２／ｇ、略称Ｒ１）、アナターゼ型酸化チタン（堺化学工業社製、商品名「Ａ１２０」、比表面積９ｍ２／ｇ、略称Ａ３）をそれぞれ比較例１、２の高周波電子部品用材料とした。
【0061】
＜比較例３＞
アナターゼ型酸化チタン（堺化学工業社製、商品名「Ａ１２０」、比表面積９ｍ２／ｇ、略称Ａ３）２０ｇをアルミナ製るつぼに入れ、焼成炉にて１１００℃で４時間焼成を行い、高周波電子部品用材料を得た。上記焼成工程における昇温及び降温は２００℃／時間とした。
アナターゼ型酸化チタン（堺化学工業社製、商品名「Ａ１２０」、比表面積９ｍ２／ｇ、略称Ａ３）２０ｇをアルミナ製るつぼに入れ、焼成炉にて１１００℃で４時間焼成を行い、高周波電子部品用材料を得た。上記焼成工程における昇温及び降温は２００℃／時間とした。
【0062】
＜比較例４＞
ルチル型酸化チタン（堺化学工業社製、商品名「ＳＴＲ－１００Ｎ」、比表面積１００ｍ２／ｇ、略称Ｒ１）２０ｇをアルミナ製るつぼに入れ、焼成炉にて１２５０℃で４時間焼成を行い、高周波電子部品用材料を得た。上記焼成工程における昇温及び降温は２００℃／時間とした。
ルチル型酸化チタン（堺化学工業社製、商品名「ＳＴＲ－１００Ｎ」、比表面積１００ｍ２／ｇ、略称Ｒ１）２０ｇをアルミナ製るつぼに入れ、焼成炉にて１２５０℃で４時間焼成を行い、高周波電子部品用材料を得た。上記焼成工程における昇温及び降温は２００℃／時間とした。
【0063】
実施例１～４及び比較例１～４の高周波電子部品用材料の物性を表１に示した。
【0064】
【表1】
【0065】
＜樹脂評価＞
実施例及び比較例で得られた高周波電子部品用材料が５０体積％となるように、表２の配合量のとおり、エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製エピクロン８５０）、多官能チオールエポキシ樹脂硬化剤（ＳＣ有機化学製ＴＭＭＰ)、イミダゾール（四国化成工業社製キュアゾール２Ｅ４ＭＺ）を軟膏容器に入れ、攪拌脱泡装置（シンキー社製、あわとり練太郎ＡＲＥ－３１０）を用いて回転数２０００ｒｐｍで分散を５分間、回転数２２００ｒｐｍで脱泡を１分間行って混合後、縦６０ｍｍ横１０ｍｍ深さ１ｍｍのテフロン（登録商標）製の型に投入した。その後、加熱式油圧プレス機（東洋精機製作所製、製品名 ミニテストプレスＭＰ－ＷＮＨ）を用いて０．５ＭＰａの設定圧力、１００℃で１時間プレスして樹脂を硬化させ、複素比誘電率測定用樹脂試験片を作製した。作製した樹脂試験片に対して、誘電率測定装置ＡＤＭＳ０１Ｎｃ１（エーイーティ―社製）、及び付属の１０ＧＨｚ共振器を用いて、１０ＧＨｚにおける複素比誘電率実数部（ε）、誘電正接（ｔａｎδ）を測定した。結果を表２に示した。
実施例及び比較例で得られた高周波電子部品用材料が５０体積％となるように、表２の配合量のとおり、エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製エピクロン８５０）、多官能チオールエポキシ樹脂硬化剤（ＳＣ有機化学製ＴＭＭＰ)、イミダゾール（四国化成工業社製キュアゾール２Ｅ４ＭＺ）を軟膏容器に入れ、攪拌脱泡装置（シンキー社製、あわとり練太郎ＡＲＥ－３１０）を用いて回転数２０００ｒｐｍで分散を５分間、回転数２２００ｒｐｍで脱泡を１分間行って混合後、縦６０ｍｍ横１０ｍｍ深さ１ｍｍのテフロン（登録商標）製の型に投入した。その後、加熱式油圧プレス機（東洋精機製作所製、製品名 ミニテストプレスＭＰ－ＷＮＨ）を用いて０．５ＭＰａの設定圧力、１００℃で１時間プレスして樹脂を硬化させ、複素比誘電率測定用樹脂試験片を作製した。作製した樹脂試験片に対して、誘電率測定装置ＡＤＭＳ０１Ｎｃ１（エーイーティ―社製）、及び付属の１０ＧＨｚ共振器を用いて、１０ＧＨｚにおける複素比誘電率実数部（ε）、誘電正接（ｔａｎδ）を測定した。結果を表２に示した。
【0066】
【表2】
【0067】
表１から確認されるとおり、実施例１、２ではＲ１原体を用い、１ＧＨｚにおけるｔａｎδは同程度であるが、実施例２では焼成温度（熱処理温度）を１１００℃に上げることによりＢＥＴ比表面積が低下し、結晶子径の増大に伴うεの増加が確認された。一方で同じくＲ１原体を用いても比較例１のように焼成なしでは、表面水酸基が多いため、２００℃までの重量減少が多く確認され、ｔａｎδが十分に下がらない。また比較例４ではＲ１を１２５０℃で焼成するとＬ値の低下が確認され、ｔａｎδが増加することを確認した。
実施例２と比較例３との比較から、アルカリ金属元素の少ない原体を用いることにより、Ｌ値を高く保つことができ、ｔａｎδを低下させることができることが確認された。アルカリ金属元素がより少ない原体Ａ１、Ａ２を用いた実施例３、４ではＬ値をより高く保ったまま、比表面積及び表面水酸基を充分に減少させることができ、ｔａｎδを低下させながら、εをさらに高く調整することが可能であることが理解できる。
実施例２と比較例３との比較から、アルカリ金属元素の少ない原体を用いることにより、Ｌ値を高く保つことができ、ｔａｎδを低下させることができることが確認された。アルカリ金属元素がより少ない原体Ａ１、Ａ２を用いた実施例３、４ではＬ値をより高く保ったまま、比表面積及び表面水酸基を充分に減少させることができ、ｔａｎδを低下させながら、εをさらに高く調整することが可能であることが理解できる。
【0068】
表２から確認されるとおり、実施例は１０ＧＨｚにおけるεが６．３から１３．９まで広範囲の値を示しており、かつ、比較例は何れも樹脂のみの場合に対するｔａｎδの割合が１００％以上であるのに対して、実施例は何れも１００％未満を示した。これらの結果から、本発明の高周波電子部品用材料は、比誘電率を調整することが可能であって、誘電正接が低いことが確認されたため、高周波機器等における無機フィラー等に好適に用いることができる。