特開 2023-67779 電極構造、太陽電池及び太陽光発電モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023067779

(43)【公開日】2023-05-16

(54)【発明の名称】電極構造、太陽電池及び太陽光発電モジュール

(51)【国際特許分類】

   H01L 31/0224 20060101AFI20230509BHJP

【ＦＩ】

H01L31/04 262

【審査請求】有

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022164474

(22)【出願日】2022-10-13

(31)【優先権主張番号】202122636021.0

(32)【優先日】2021-10-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(71)【出願人】

【識別番号】512083920

【氏名又は名称】晶科能源股分有限公司

(71)【出願人】

【識別番号】519095522

【氏名又は名称】ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110000914

【氏名又は名称】弁理士法人ＷｉｓｅＰｌｕｓ

(72)【発明者】

【氏名】徐 ▲強▼

(72)【発明者】

【氏名】周 静

(72)【発明者】

【氏名】邱 彦▲凱▼

【テーマコード（参考）】

5F151

5F251

【Ｆターム（参考）】

5F151AA01

5F151FA06

5F151FA14

5F151FA16

5F151FA17

5F151GA04

5F151HA20

5F151JA02

5F251AA01

5F251FA06

5F251FA14

5F251FA16

5F251FA17

5F251GA04

5F251HA20

5F251JA02

(57)【要約】

【課題】本発明は電極構造、太陽電池及び太陽光発電モジュールを提供する。
【解決手段】電極構造はメイングリッドライン、フィンガーグリッドライン及び溶接点を備え、メイングリッドラインは第１方向に沿って延在し、第２方向に沿って対向配置される２本のサブメイングリッドラインを備え、何れのサブメイングリッドラインも間隔を空けて設けられる第１及び第２サブ部を備え、溶接点は２本のサブメイングリッドラインの第１サブ部の間に介在され且つ第１サブ部に接続され、少なくとも１本のサブメイングリッドラインの第１サブ部は、溶接点から離間する側へ突出し、第２方向は第１方向と交わる。２本のサブメイングリッドラインでタブ線の位置を制限することで、タブ線は溶接点に直接接触可能である。溶接点が第１サブ部に接続され且つ第１サブ部が外部へ拡張されるため、溶接窓が広くなり、溶接点とタブ線の溶接中のボイド現象を効果的に改善できる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

電極構造であって、
メイングリッドラインと、フィンガーグリッドラインと、溶接点とを備え、
前記メイングリッドラインは、第１方向に沿って延在し、前記メイングリッドラインは、第２方向に沿って対向配置される２本のサブメイングリッドラインを備え、何れの前記サブメイングリッドラインも、互いに間隔を空けて設けられる第１サブ部及び第２サブ部を含み、前記溶接点は、２本の前記サブメイングリッドラインの前記第１サブ部の間に介在され、且つ前記第１サブ部に接続され、少なくとも１本の前記サブメイングリッドラインの前記第１サブ部は、前記溶接点から離間する側へ突出し、前記第２方向は、前記第１方向と交わり、
前記フィンガーグリッドラインは、前記第２方向に沿って延在し、前記メイングリッドラインの両側に設けられ、且つ前記サブメイングリッドラインに接続されていることを特徴とする電極構造。

【請求項2】

前記サブメイングリッドラインの両端に接続端部が設けられ、前記接続端部が前記第１サブ部に接続され、互いに接続された前記接続端部及び前記第１サブ部において、前記第１サブ部から前記接続端部へ向かう方向につれて、前記接続端部の前記第２方向における幅が次第に小さくなり、及び／又は、
前記接続端部が前記第２サブ部に接続され、互いに接続された前記接続端部及び前記第２サブ部において、前記第２サブ部から前記接続端部へ向かう方向につれて、前記接続端部の前記第２方向における幅が次第に小さくなることを特徴とする請求項１に記載の電極構造。

【請求項3】

前記第２方向において、１本の前記メイングリッドラインのうち、２本の前記サブメイングリッドラインの前記接続端部の間の距離は、どこでも等しいことを特徴とする請求項２に記載の電極構造。

【請求項4】

前記第２方向において、１本の前記メイングリッドラインのうち、２本の前記サブメイングリッドラインの前記接続端部の間の距離の値範囲は、０．５～３．０ミリメートルであることを特徴とする請求項３に記載の電極構造。

【請求項5】

前記第２方向において、前記接続端部の前記溶接点から離間する側の幅は、０．１ミリメートル以上であり、前記接続端部の前記溶接点に近接する側の幅は、２ミリメートル以下であることを特徴とする請求項２に記載の電極構造。

【請求項6】

１本の前記メイングリッドラインの２本の前記サブメイングリッドラインは、対称的に配置され、
前記第２方向において、隣接する前記第１サブ部の間の最大距離の値範囲は、１．２～１．８ミリメートルであり、
前記第２方向において、隣接する前記第２サブ部の間の距離の値範囲は、０．９～１．５ミリメートルであることを特徴とする請求項１に記載の電極構造。

【請求項7】

前記第１方向において、前記溶接点は、前記サブメイングリッドラインに接触し、接触領域の長さ範囲は、０．５～５．０ミリメートルであることを特徴とする請求項１に記載の電極構造。

【請求項8】

前記第２方向において、前記サブメイングリッドラインの幅範囲は、０．２～０．６ミリメートルであることを特徴とする請求項１に記載の電極構造。

【請求項9】

太陽電池であって、
シリコンウェハと、第１パッシベーション層と、第２パッシベーション層と、請求項１から８の何れか一項に記載の電極構造とを備え、
前記シリコンウェハの一方側には、エミッタ層が設けられ、
前記第１パッシベーション層は、前記エミッタ層の前記シリコンウェハから離間する側に設けられ、
前記第２パッシベーション層は、前記シリコンウェハの前記エミッタ層から離間する側に設けられ、
前記電極構造は、前記第１パッシベーション層の前記シリコンウェハから離間する側に設けられ、及び／又は、前記第２パッシベーション層の前記シリコンウェハから離間する側に設けられていることを特徴とする太陽電池。

【請求項10】

透明蓋板と、上部封止層と、請求項９に記載の太陽電池と、下部封止層と、バックシートとを備えることを特徴とする太陽光発電モジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、太陽光発電技術分野に関し、より具体的に、電極構造、太陽電池及び太陽光発電モジュールに関する。

【背景技術】

【0002】

太陽電池は、太陽光を利用して直接発電する光電半導体薄片であり、「太陽光チップ」又は「光電池」とも呼称される。太陽電池は、複数本のメイングリッドラインの設計を採用することにより、光起電流がメイングリッドラインへ伝送される経路を減少可能であるため、電流がフィンガーグリッドライン上を移動することによる消費を低減することができるとともに、フィンガーグリッドラインの遮蔽面積及び銀スラリーの消費量も減少することができる。複数本のメイングリッドラインに設計された太陽電池が極細タブ線によって電池ストリングを形成するとき、溶接点とタブ線との接触不良によりボイド現象が発生し、太陽電池ストリングの電力が低下して太陽光モジュールの全体の電力損失を招きやすかった。

【0003】

したがって、新型の電極構造、太陽電池及び太陽光発電モジュールを提供することは、解決すべき問題となっている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

これに鑑みて、本発明は、電極構造、太陽電池及び太陽光発電モジュールを提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

第１態様において、本発明は、電極構造を提供する。当該電極構造は、メイングリッドラインと、フィンガーグリッドラインと、溶接点とを備え、
前記メイングリッドラインは、第１方向に沿って延在し、前記メイングリッドラインは、第２方向に沿って対向配置される２本のサブメイングリッドラインを備え、何れの前記サブメイングリッドラインも、互いに間隔を空けて設けられる第１サブ部及び第２サブ部を含み、前記溶接点は、２本の前記サブメイングリッドラインの前記第１サブ部の間に介在され、且つ前記第１サブ部に接続され、少なくとも１本の前記サブメイングリッドラインの前記第１サブ部は、前記溶接点から離間する側へ突出し、前記第２方向は、前記第１方向と交わり、
前記フィンガーグリッドラインは、前記第２方向に沿って延在し、前記メイングリッドラインの両側に設けられ、且つ前記サブメイングリッドラインに接続されている。

【0006】

第２態様において、本発明は、太陽電池を更に提供する。当該太陽電池は、シリコンウェハと、第１パッシベーション層と、第２パッシベーション層と、上記電極構造とを備え、
前記シリコンウェハの一方側には、エミッタ層が設けられ、
前記第１パッシベーション層は、前記エミッタ層の前記シリコンウェハから離間する側に設けられ、
前記第２パッシベーション層は、前記シリコンウェハの前記エミッタ層から離間する側に設けられ、
前記電極構造は、前記第１パッシベーション層の前記シリコンウェハから離間する側に設けられ、及び／又は、前記第２パッシベーション層の前記シリコンウェハから離間する側に設けられている。

【0007】

第３態様において、本発明は、太陽光発電モジュールを更に提供する。当該太陽光発電モジュールは、透明蓋板と、上部封止層と、上記太陽電池と、下部封止層と、バックシートとを備える。

【発明の効果】

【0008】

従来技術よりも、本発明に係る電極構造、太陽電池及び太陽光発電モジュールは、少なくとも以下の有利な作用効果を奏する。
メイングリッドラインが第１方向に沿って延在し、メイングリッドラインが、第２方向に沿って対向配置される２本のサブメイングリッドラインを備え、何れのサブメイングリッドラインも互いに間隔を空けて設けられる第１サブ部及び第２サブ部を備え、タブ線の取付時に、タブ線を１本のメイングリッドラインの２本のサブメイングリッドラインの間に制限し、溶接点に直接接触可能であり、タブ線と溶接点との間の溶接引張力の向上に寄与し、モジュール化過程に亀裂が発生する確率も低減することができる。また、溶接点が２本のサブメイングリッドラインの第１サブ部の間に介在され且つ第１サブ部に接続され、少なくとも１本のサブメイングリッドラインの第１サブ部が溶接点から離間する側へ突出し、第２方向が第１方向に交わり、溶接点が第１サブ部に接続され且つ第１サブ部が外部へ拡張されるため、溶接窓が広くなり、電極構造の所在する平面に垂直な方向においてサブメイングリッドラインの高さと溶接点の高さとに差が存在しても、タブ線と溶接点との接続に影響を与えず、更に、タブ線が少しずれても、タブ線が少なくとも部分的に溶接点に接続されるため、溶接点とタブ線との溶接過程におけるボイド現象を効果的に改善することができる。

【0009】

無論、本発明の何れかの製品の実施には、上述した全ての作用効果を同時に奏する必要がない。

【0010】

以下のように図面を参照しながら本発明の例示的な実施例の詳細な記述を説明することにより、本発明の他の特徴及びそのメリットは、明確になるだろう。

【0011】

明細書に組み込まれて明細書の一部を構成する図面は、本発明の実施例を示しつつ、その説明とともに本発明の原理を解釈するために用いられる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明に係る太陽電池の平面構造模式図である。

【図2】本発明に係る別の太陽電池の平面構造模式図である。

【図3】図１のＡでの拡大図である。

【図4】図３のＡ－Ａ’に沿う断面図である。

【図5】本発明に係る太陽光発電モジュールの構造模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、図面を参照して本発明の各種の例示的な実施例を詳細に記述する。注意すべきことは、別途詳細に説明しない限り、これらの実施例に記述された部品及びステップの相対的な配置、数値条件式及び数値が本発明の範囲を制限しない。

【0014】

以下では、少なくとも１つの例示的な実施例の記述が実に説明的なものに過ぎず、決して本発明及びその応用や使用に対する如何なる制限にもならない。

【0015】

当業者にとって既知の技術、方法及び機器について詳細に議論しないが、適切な場合には、前記技術、方法及び機器が明細書の一部と見なされるべきである。

【0016】

ここで示され且つ議論された全ての例において、如何なる具体的な値も、制限的なものではなく、例示的なものとして解釈されるべきである。したがって、例示的な実施例の他の例では、異なる値を有してもよい。

【0017】

注意すべきことは、類似する符号及びアルファベットが後の図面において類似する要素を示すため、ある要素が、１つの図面で定義されると、後の図面において更に議論される必要がない。

【0018】

図１を参照すると、図１は、本発明に係る太陽電池２００の平面構造模式図である。

【0019】

本実施例に係る電極構造１００は、メイングリッドライン１、フィンガーグリッドライン２及び溶接点３を備える。
メイングリッドライン１は、第１方向Ｘに沿って延在し、メイングリッドライン１は、第２方向Ｙに沿って対向配置される２本のサブメイングリッドライン４を備え、何れのサブメイングリッドライン４も、互いに間隔を空けて設けられる第１サブ部５及び第２サブ部６を備え、溶接点３は、２本のサブメイングリッドライン４の第１サブ部５の間に介在され且つ第１サブ部５に接続され、少なくとも１本のサブメイングリッドライン４の第１サブ部５は、溶接点３から離間する側へ突出し、第２方向Ｙは、第１方向Ｘに交わり、
フィンガーグリッドライン２は、第２方向Ｙに沿って延在し、メイングリッドライン１の両側に設けられ、且つサブメイングリッドライン４に接続されている。

【0020】

説明すべきことは、図１は、何れの第１サブ部５も溶接点３から離間する側へ突出する場合のみを示すが、１本のメイングリッドライン１に設けられ且つ１本のみのサブメイングリッドライン４の第１サブ部５が溶接点３から離間する側へ突出してもよく、１本のメイングリッドライン１に設けられ且つ２本のサブメイングリッドライン４の溶接点３から離間する側へ突出する第１サブ部５が交互に設けられてもよく、ここでは詳しく説明しない。図１は、第１方向Ｘにおいて第２サブ部６の長さが何れも等しい場合を示し、実際の応用時、第２サブ部６の第１方向Ｘにおける長さによって１本のサブメイングリッドライン４における隣接する２つの第１サブ部５の間の距離を調整してもよい。また、図１におけるメイングリッドライン１、フィンガーグリッドライン２及び溶接点３の数は、単に例示であり、需要に応じて調整されてもよい。

【0021】

理解できるように、フィンガーグリッドライン２の役割は、キャリアを収集してメイングリッドライン１に伝送することであり、メイングリッドライン１は、収集された電流を溶接点３に伝導し、溶接点３は、タブ線に接続され、電流を取り出す。メイングリッドライン１及びフィンガーグリッドライン２は、スクリーン印刷の方式で一体化して製造されてもよく、メイングリッドライン１及びフィンガーグリッドライン２は、それぞれ印刷されてもよく、ここで限定されない。メイングリッドライン１及びフィンガーグリッドライン２の材質は、通常、銀を採用するが、これに限定されない。需要に応じてアルミニウム又は他の材料を採用してもよい。メイングリッドライン１が２本のサブメイングリッドライン４を含むと設定することにより、タブ線を１本のメイングリッドライン１の２本のサブメイングリッドライン４の間に制限することができ、タブ線を直接溶接点３に接触させ、タブ線及び溶接点３の溶接中の亀裂を減少し、溶接中の亀裂による再修理率を低減することができる。試験により、再修理率が３９%低減され、層再修理率が１６．９３%から１０．３１%まで低減されたことが分かる。

【0022】

従来技術よりも、本実施例に係る電極構造１００は、少なくとも以下の有利な作用効果を奏する。

【0023】

メイングリッドライン１が第１方向Ｘに沿って延在し、メイングリッドライン１が、第２方向Ｙに沿って対向配置される２本のサブメイングリッドライン４を備え、何れのサブメイングリッドライン４も互いに間隔を空けて設けられる第１サブ部５及び第２サブ部６を備え、タブ線の取付時に、タブ線を１本のメイングリッドライン１の２本のサブメイングリッドライン４の間に制限し、溶接点３に直接接触可能であり、タブ線と溶接点３との間の溶接引張力の向上に寄与し、モジュール化過程に亀裂が発生する確率も低減することができる。また、溶接点３が２本のサブメイングリッドライン４の第１サブ部５の間に介在され且つ第１サブ部５に接続され、少なくとも１本のサブメイングリッドライン４の第１サブ部５が溶接点３から離間する側へ突出し、第２方向Ｙが第１方向Ｘに交わり、溶接点３が第１サブ部５に接続され且つ第１サブ部５が外部へ拡張されるため、溶接窓が広くなり、電極構造１００の所在する平面に垂直な方向においてサブメイングリッドライン４の高さと溶接点３の高さとに差が存在しても、タブ線と溶接点３との接続に影響を与えず、更に、タブ線が少しずれても、タブ線が少なくとも部分的に溶接点３に接続されるため、溶接点３とタブ線との溶接過程におけるボイド現象を効果的に改善することができる。

【0024】

幾つかの実施例において、図１及び図２を参照すると、図２は、本発明に係る別の太陽電池２００の平面構造模式図であり、サブメイングリッドライン４の両端に接続端部７が設けられ、接続端部７が第１サブ部５に接続され、互いに接続された接続端部７及び第１サブ部５において、第１サブ部５から接続端部７へ向かう方向につれて、接続端部７の第２方向Ｙにおける幅が次第に小さくなり、及び／又は、
接続端部７が第２サブ部６に接続され、互いに接続された接続端部７及び第２サブ部６において、第２サブ部６から接続端部７へ向かう方向につれて、接続端部７の第２方向Ｙにおける幅が次第に小さくなる。

【0025】

説明すべきことは、図１は、接続端部７の両端が何れも第１サブ部５に接続されていることを示し、図２は、接続端部７の両端が何れも第２サブ部６に接続されていることを示す。接続端部７の一方端が第１サブ部５に接続され、且つ他方端が第２サブ部６に接続されていると設置可能であり、ここでは詳しく説明しない。電極構造１００の所在する平面方向における接続端部７の正投影は、台形又は三角形等であってもよい。図１と図２は、全ての溶接点３が何れも同じサイズの矩形である場合のみを示すが、具体的に設置するとき、第１方向Ｘに沿って順次配列された複数の溶接点３のうち、頭部の溶接点３と尾部の溶接点３とのサイズが中間部分の溶接点３のサイズよりも僅かに大きいと、タブ線のずれを防止することができるため、実際の需要に応じて調整されてもよい。また、図１及び図２は、本発明の実施例を採用した電極構造１００の電池の個片が２分割個片であることを示すが、無論、実際の需要に応じて複数分割個片の設計を採用してもよく、これについて限定されない。

【0026】

理解できるように、第１方向Ｘにおいて、２つの隣接する溶接点３の間のサブメイングリッドライン４が電流伝導を行うとき、この２つの溶接点３のうちの何れか１つの溶接点３へ電流を伝導してもよい。第１方向Ｘにおいて、頭部の溶接点３と電極構造１００の縁部との間のサブメイングリッドライン４は、電流を頭部の溶接点３にしか伝導することができない。同様に、第１方向Ｘにおいて、尾部の溶接点３と電極構造１００の縁部との間のサブメイングリッドライン４は、電流を尾部の溶接点３にしか伝導することができない。したがって、サブメイングリッドライン４の両端において接続端部７の第２方向Ｙにおける幅を徐変設計とすることにより、電極構造１００の縁部の電流収集に有利であり、導電効率を向上させ、電極構造１００の縁部の黒ずみ現象を改善することができる。

【0027】

幾つかの選択可能な実施例において、図３を参照すると、図３は、図１のＡでの拡大図であり、第２方向Ｙにおいて、１本のメイングリッドライン１のうち、２本のサブメイングリッドライン４の接続端部７の間の距離は、どこでも等しい。

【0028】

理解できるように、１本のメイングリッドライン１の２本のサブメイングリッドライン４において、２つの対向された接続端部７の間の領域の、電極構造１００の所在する平面の方向における投影は、矩形であり、この矩形領域内には、タブ線が設けられている。このような設置により、タブ線が１本のメイングリッドライン１の２本のサブメイングリッドライン４の間に位置することを保証可能であり、タブ線が接続端部７に接続されることや、接続端部７と溶接点３との間の高度差によるボイド現象を回避することができる。

【0029】

幾つかの選択可能な実施例において、第２方向Ｙにおいて、１本のメイングリッドライン１のうち、２本のサブメイングリッドライン４の接続端部７の間の距離の値範囲は、０．５～３．０ミリメートルである。

【0030】

説明すべきことは、第２方向Ｙにおいて、１本のメイングリッドライン１のうち、２本のサブメイングリッドライン４の接続端部７の間の距離が０．５ミリメートルよりも小さいときに、溶接に対する要求が高くなり、２本のサブメイングリッドライン４の接続端部７の間の距離が３．０ミリメートルよりも大きいときに、伝送効率へ影響を与える。本実施例では、１本のメイングリッドライン１のうち、２本のサブメイングリッドライン４の接続端部７の間の距離の値範囲を０．５～３．０ミリメートルと設定することにより、溶接需要を満たしつつ、伝送効率を保証することもできる。

【0031】

理解できるように、第２方向Ｙにおいて、１本のメイングリッドライン１のうちの２本のサブメイングリッドライン４の接続端部７の間の距離は、タブ線の第２方向Ｙにおける幅に依存し、調整可能である。第２方向Ｙにおいて、１本のメイングリッドライン１のうち、２本のサブメイングリッドライン４の接続端部７の間の距離の値範囲を０．５～３．０ミリメートルと設定することは、最適な方案であるが、これに限定されない。

【0032】

幾つかの選択可能な実施例において、第２方向Ｙにおいて、接続端部７の溶接点３から離間する側の幅は、０．１ミリメートル以上であり、接続端部７の溶接点３に近接する側の幅は、２ミリメートル以下である。

【0033】

説明すべきことは、接続端部７を形成する方式として一般的にスラリー印刷の方式が採用されているが、この方式では、第２方向Ｙにおいて、接続端部７の溶接点３から離間する側の幅を０．１ミリメートルよりも小さくすることは、困難である。その一方、第２方向Ｙにおいて、接続端部７の溶接点３に近接する側の幅が２ミリメートルよりも大きいと、このような電極構造１００を採用した太陽電池の両面率に影響を与えてしまう。本実施例では、第２方向Ｙにおいて、接続端部７の溶接点３から離間する側の幅が０．１ミリメートル以上であり、接続端部７の溶接点３に近接する側の幅が２ミリメートル以下であると設定することにより、印刷要求を満たしつつ、このような電極構造１００を採用した太陽電池の両面率も保証することができる。

【0034】

理解できるように、接続端部７の形状及びサイズは、メイングリッドライン１のサイズに応じて設計され、メイングリッドライン１の第２方向Ｙにおける幅の変更とともに変更される。第２方向Ｙにおいて、接続端部７の溶接点３から離間する側の幅が決まったときに、接続端部７の第２方向Ｙにおける幅が徐変設計であり、接続端部７の溶接点３に近接する側の第２方向Ｙにおける幅は、必然として、接続端部７の溶接点３から離間する側の第２方向Ｙにおける幅よりも大きい。ここで、第２方向Ｙにおいて、接続端部７の溶接点３から離間する側の幅が０．１ミリメートル以上であり、接続端部７の溶接点３に近接する側の幅が２ミリメートル以下であると設定することは、最適な設計方案であるが、これに限定されない。

【0035】

幾つかの選択可能な実施例において、溶接点３の数は、少なくとも３つである。

【0036】

説明すべきことは、溶接点３の数が偶数、例えば４つ、６つ、８つ等を採用することが多いが、具体的な設定は、実際の需要に応じて調整可能である。

【0037】

理解できるように、溶接点３の数が複数であると設定可能であり、全電極構造１００を複数段溶接点３に分割する設計により、電流伝導がより均一になり、電極構造１００の効率の向上に有利であるとともに、モジュールＥＬが一層明るくなり、モジュール電力の向上にも有利になる。

【0038】

幾つかの選択可能な実施例において、引き続き図３を参照すると、１本のメイングリッドライン１の２本のサブメイングリッドライン４は、対称的に配置され、第２方向Ｙにおいて、隣接する第１サブ部５の間の最大距離ｌ_１の値範囲は、１．２～１．８ミリメートルであり、第２方向Ｙにおいて、隣接する第２サブ部６の間の距離ｌ_２の値範囲は、０．９～１．５ミリメートルである。

【0039】

説明すべきことは、第２方向Ｙにおいて、隣接する第１サブ部５の間の最大距離ｌ_１が１．２ミリメートルよりも小さいと、溶接点３の第２方向Ｙにおける幅が減少され、溶接点３とタブ線との間の接触面積が減少される。第２方向Ｙにおいて、隣接する第１サブ部５の間の最大距離ｌ_１が１．８ミリメートルよりも大きいと、溶接点３の第２方向Ｙにおける幅が増加され、不必要な浪費を引き起こす。第２方向Ｙにおいて、隣接する第２サブ部６の間の距離ｌ_２は、隣接する第１サブ部５の間の最大距離ｌ_１よりも小さい。

【0040】

理解できるように、第２方向Ｙにおいて、隣接する第１サブ部５の間の最大距離ｌ_１の値範囲が１．２～１．８ミリメートルであり、第２方向Ｙにおいて、隣接する第２サブ部６の間の距離ｌ_２の値範囲が０．９～１．５ミリメートルであることは、最適選択であり、溶接点３とタブ線との良好な溶接に有利になる。

【0041】

幾つかの選択可能な実施例において、第１方向Ｘにおいて、溶接点３は、サブメイングリッドライン４に接触し、接触領域の長さ範囲は、０．５～５．０ミリメートルである。

【0042】

説明すべきことは、第１方向Ｘにおいて、接触領域の長さ範囲が０．５ミリメートルよりも小さいとき、溶接に不利になる一方、第１方向Ｘにおいて、接触領域の長さ範囲が５．０ミリメートルよりも大きいとき、銀スラリーの浪費を引き起こし、領域が過多に遮蔽されてしまう。本実施例では、第１方向Ｘにおいて、溶接点３がサブメイングリッドライン４に接触し、接触領域の長さ範囲が０．５～５．０ミリメートルであると設定することにより、溶接に有利になるとともに、銀スラリーの使用量も節約されてコストダウンになる。

【0043】

理解できるように、タブ線が溶接点３に溶接されるとき、溶接点３は、第１サブ部５にフィットし、溶接点３の第１方向Ｘにおける長さは、第１サブ部５の第１方向Ｘにおける長さ以下である。第１方向Ｘにおいて、接触領域の長さ範囲が０．５～５．０ミリメートルであることは、最適選択であり、接触の有効性を保証することができるが、これに限定されず、需要に応じて調整されてもよい。

【0044】

幾つかの選択可能な実施例において、第２方向Ｙにおいて、サブメイングリッドライン４の幅範囲は、０．２～０．６ミリメートルである。

【0045】

説明すべきことは、第２方向Ｙにおいて、サブメイングリッドライン４の幅が０．２ミリメートルよりも小さいとき、電流伝導効率に影響を与える一方、サブメイングリッドライン４の幅が０．６ミリメートルよりも大きいとき、電流伝導効率が向上するが、本実施例の電極構造１００を採用した太陽電池の両面率が低減される。本実施では、第２方向Ｙにおいて、サブメイングリッドライン４の幅範囲が０．２～０．６ミリメートルであると設定することにより、サブメイングリッドライン４の電流伝送効率を満たしつつ、本実施例の電極構造１００を採用した太陽電池の両面率も保証することができる。

【0046】

理解できるように、従来技術において、メイングリッドライン１の第２方向Ｙにおける幅の値範囲が１．０～１．５ミリメートルであるのに対して、本実施例に係るメイングリッドライン１の第２方向Ｙにおける幅の値範囲は、０．４～１．２ミリメートルである。これにより、本実施例に係るメイングリッドライン１の第２方向Ｙにおける幅は、従来技術よりも狭くなり、銀スラリーの使用量を低減可能であり、遮蔽領域を減少することができ、本実施例の電極構造１００を採用した太陽電池の両面率を向上させる。本実施例では、第２方向Ｙにおいて、サブメイングリッドライン４の幅範囲が０．２～０．６ミリメートルであることは、最適選択であるが、実際の需要に応じて、メイングリッドライン１の第２方向Ｙにおける幅を従来技術よりも広くしたり等しくしたりすることも可能であり、ここで限定されない。

【0047】

本発明に係る太陽電池２００は、図４を参照可能であり、図４は、図３のＡ－Ａ’に沿う断面図である。

【0048】

本実施例に係る太陽電池２００は、シリコンウェハ８と、第１パッシベーション層１０と、第２パッシベーション層１１と、電極構造１００とを備え、シリコンウェハ８の一方側には、エミッタ層９が設けられ、第１パッシベーション層１０は、エミッタ層９のシリコンウェハ８から離間する側に設けられ、第２パッシベーション層１１は、シリコンウェハ８のエミッタ層９から離間する側に設けられ、電極構造１００は、第１パッシベーション層１０のシリコンウェハ８から離間する側に設けられ、及び／又は、第２パッシベーション層１１のシリコンウェハ８から離間する側に設けられ、電極構造１００は、上記電極構造１００である。

【0049】

説明すべきことは、図４は、単に太陽電池２００がＰＥＲＣ両面電池であることを示し、第２パッシベーション層１１のシリコンウェハ８から離間する側に電極構造１００が設けられているが、電極構造１００は、第１パッシベーション層１０のシリコンウェハ８から離間する側のみに設けられてもよく、第２パッシベーション層１１のシリコンウェハ８から離間する側のみに設けられてもよい。更に、第１パッシベーション層１０のシリコンウェハ８から離間する側と、第２パッシベーション層１１のシリコンウェハ８から離間する側とのどちらにも電極構造１００が設けられて太陽電池２００の両面率を向上させてもよい。太陽電池２００は、Ｎ型ＴＯＰＣｏｎ電池又は他のタイプの電池であってもよい。Ｎ型ＴＯＰＣｏｎ電池は、第１パッシベーション層１０、エミッタ層９、シリコンウェハ８、極薄酸化層、ドープトポリシリコン層及び裏面パッシベーション層を備える。

【0050】

理解できるように、本発明の実施例に係る太陽電池２００は、本発明の実施例に係る電極構造１００の有利な作用効果を有する。詳細は、上記各実施例における電極構造１００に対する具体的な説明を参照すればよく、本実施例においてここで繰り返し説明しない。

【0051】

本発明は、太陽光発電モジュール３００を更に提供する。図５を参照すると、図５は、本発明に係る太陽光発電モジュール３００の構造模式図である。

【0052】

本実施例に係る太陽光発電モジュール３００は、透明蓋板１２、上部封止層１３、太陽電池２００、下部封止層１４及びバックシート１５を備え、太陽電池２００は、上記太陽電池２００である。理解できるように、本発明の実施例に係る太陽光発電モジュール３００は、本発明の実施例に係る太陽電池２００の有利な作用効果を有する。詳細は、上記各実施例における太陽電池２００に対する具体的な説明を参照すればよく、本実施例においてここで繰り返し説明しない。

【0053】

上記実施例から分かるように、本発明に係る電極構造、太陽電池及び太陽光発電モジュールは、少なくとも以下の有利な作用効果を奏する。

【0054】

メイングリッドラインが第１方向に沿って延在し、メイングリッドラインが、第２方向に沿って対向配置される２本のサブメイングリッドラインを備え、何れのサブメイングリッドラインも互いに間隔を空けて設けられる第１サブ部及び第２サブ部を備え、タブ線の取付時に、タブ線を１本のメイングリッドラインの２本のサブメイングリッドラインの間に制限し、溶接点に直接接触可能であり、タブ線と溶接点との間の溶接引張力の向上に寄与し、モジュール化過程に亀裂が発生する確率も低減することができる。また、溶接点が２本のサブメイングリッドラインの第１サブ部の間に介在され且つ第１サブ部に接続され、少なくとも１本のサブメイングリッドラインの第１サブ部が溶接点から離間する側へ突出し、第２方向が第１方向に交わり、溶接点が第１サブ部に接続され且つ第１サブ部が外部へ拡張されるため、溶接窓が広くなり、電極構造の所在する平面に垂直な方向においてサブメイングリッドラインの高さと溶接点の高さとに差が存在しても、タブ線と溶接点との接続に影響を与えず、更に、タブ線が少しずれても、タブ線が少なくとも部分的に溶接点に接続されるため、溶接点とタブ線との溶接過程におけるボイド現象を効果的に改善することができる。

【0055】

例によって本発明の幾つかの特定の実施例を詳細に説明したが、当業者であれば理解できるように、上記例が単に説明用のものであり、本発明の範囲を制限するためのものではない。当業者が本発明の範囲及び精神を逸脱しない限り、上記実施例を変更することが可能であることは、理解されるべきである。本発明の範囲は、添付する請求項によって限定される。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】