特開2023-70012IP Force 特許公報全文掲載

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要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】放熱性に優れる、ソリッドステートドライブを提供する。
【解決手段】ソリッドステートドライブとも称される半導体メモリデバイスは、半導体パッケージから熱を奪うために、伝導性コーティング１３６などの熱伝導性構成要素を含む。コーティングはまた、電磁干渉の遮蔽及び吸収を提供するために導電性であってもよい。基板１００を含む半導体デバイスは、ソリッドステートドライブを形成するために、はんだボールによってエッジコネクタプリント回路基板に固着されてもよい。また、基板１００は省略されてもよく、半導体メモリダイ１２０、コントローラダイ１２４及び他の電子構成要素は、ソリッドステートドライブを形成するために、エッジコネクタプリント回路基板に直接的に表面実装されてもよい。
【選択図】図１０

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本技術の実施形態による、基板及びその基板を使用する半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフロー図である。
【図2】 本技術の一実施形態による、基板のパネルの上面図である。
【図3】 本技術の一実施形態による、組み立てプロセスの第１の工程における半導体デバイスの基板の上面図である。
【図4A】 本技術の一実施形態による、組み立てプロセスの第１の工程における半導体デバイスの基板の底面図である。
【図4B】 本技術の代替的な実施形態による、組み立てプロセスの第１の工程における半導体デバイスの基板の底面図である。
【図5】 本技術の実施形態による、基板上に実装された、いくつかのメモリダイの側面図である。
【図6】 本技術の実施形態による、基板上に実装された、いくつかのメモリダイ、コントローラダイ、及びヒートスプレッダブロックの側面図である。
【図7】 本技術の実施形態による、基板にワイヤボンディングされたいくつかのメモリダイの側面図である。
【図8】 本技術の実施形態による、封入された半導体デバイスの側面図である。
【図9】 本技術の実施形態による、ヒートスプレッダブロックがデバイスの表面で露出している、封入された半導体デバイスの側面図である。
【図10】 本技術の実施形態による、熱伝導性コーティングで封入された半導体デバイスのそれぞれ側面図及び斜視図である。
【図11】 本技術の実施形態による、熱伝導性コーティングで封入された半導体デバイスのそれぞれ側面図及び斜視図である。
【図12】 本技術の代替的な実施形態による、熱伝導性コーティングで封入された半導体デバイスの側面図である。
【図13】 ＬＧＡパッケージとして構成された本技術の実施形態による、半導体デバイスの側面図である。
【図14】 メモリカード内で使用される本技術の実施形態による、ＬＧＡ半導体デバイスの上面図である。
【図15】 ＰＣＢなどのホストデバイスに実装されたＢＧＡパッケージとして構成された本技術の実施形態による、半導体デバイスの側面図である。
【図16】 ＰＣＢなどのホストデバイスの第１の表面に実装された本技術の実施形態による、複数のＢＧＡ半導体デバイスの側面図である。
【図17】 ＰＣＢなどのホストデバイスの第１及び第２の対向面に実装された本技術の実施形態による、複数のＢＧＡ半導体デバイスの側面図である。
【図18】 ＵＳＢメモリ記憶デバイス内に構成された本技術の実施形態による、ＢＧＡ半導体デバイスの上面図である。
【図19】 エッジコネクタカード上のＳＳＤ内に構成された本技術の実施形態による、ＢＧＡ半導体デバイスの上面図である。
【図20】 ＳＳＤの更なる例内に構成された本技術の実施形態による、ＢＧＡ半導体デバイスの上面図である。
【図21】 様々な数のメモリダイを有する半導体デバイスを含むホストデバイスの様々な構成の側面図である。
【図22】 様々な数のメモリダイを有する半導体デバイスを含むホストデバイスの様々な構成の側面図である。
【図23】 様々な数のメモリダイを有する半導体デバイスを含むホストデバイスの様々な構成の側面図である。
【図24】 本技術の実施形態による、ＳＳＤエッジコネクタカードの側面図及び上面図である。
【図25】 本技術の実施形態による、ＳＳＤエッジコネクタカードの側面図及び上面図である。
【図26】 本技術の実施形態による、ＳＳＤエッジコネクタカードの側面図及び上面図である。

選択図 図10出願人が指定した本件の代表的な図

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