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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023070761
(43)【公開日】2023-05-22
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 29/78 20060101AFI20230515BHJP
H01L 29/06 20060101ALI20230515BHJP
【ＦＩ】
H01L29/78 652N
H01L29/78 652Q
H01L29/78 652H
H01L29/78 652F
H01L29/78 652S
H01L29/78 652P
H01L29/78 652L
H01L29/78 653A
H01L29/06 301G
H01L29/06 301V
H01L29/06 301M
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021183047
(22)【出願日】2021-11-10
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】中島 脩
(57)【要約】
【課題】半導体装置の外周領域の小型化を図ること。
【解決手段】半導体装置１０は、アクティブ領域１１と、アクティブ領域１１を囲むように枠状に形成されかつ矩形状の外周縁を有する外周領域１２と、を有する半導体層３０を備えている。外周領域１２は、耐圧構造が形成された耐圧構造領域４２と、外周領域１２の外周縁から耐圧構造領域４２の外周縁４２ａまでの領域であって、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａが凹むように形成された特定領域４３と、を含んでいる。特定領域４３内における半導体層３０の表面３０ｓには、コンタクト領域４４が形成されている。外周領域１２の最外周領域を構成する非コラム領域４１には、コンタクト領域４４と電気的に接続された配線５０が形成されている。
【選択図】図６
【解決手段】半導体装置１０は、アクティブ領域１１と、アクティブ領域１１を囲むように枠状に形成されかつ矩形状の外周縁を有する外周領域１２と、を有する半導体層３０を備えている。外周領域１２は、耐圧構造が形成された耐圧構造領域４２と、外周領域１２の外周縁から耐圧構造領域４２の外周縁４２ａまでの領域であって、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａが凹むように形成された特定領域４３と、を含んでいる。特定領域４３内における半導体層３０の表面３０ｓには、コンタクト領域４４が形成されている。外周領域１２の最外周領域を構成する非コラム領域４１には、コンタクト領域４４と電気的に接続された配線５０が形成されている。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
アクティブ領域と、前記アクティブ領域を囲むように枠状に形成されかつ矩形状の外周縁を有する外周領域と、を有する半導体層を備えた半導体装置であって、
前記外周領域は、
耐圧構造が形成された耐圧構造領域と、
前記外周領域の外周縁から前記耐圧構造領域の外周縁までの領域であって、前記半導体層の厚さ方向から視て、前記耐圧構造領域の外周縁が前記アクティブ領域に向けて凹むように形成された特定領域と、
を含み、
前記特定領域内における前記半導体層の表面には、コンタクト領域が形成されており、
前記外周領域の最外周領域には、前記コンタクト領域と電気的に接続された配線が形成されている
半導体装置。
前記外周領域は、
耐圧構造が形成された耐圧構造領域と、
前記外周領域の外周縁から前記耐圧構造領域の外周縁までの領域であって、前記半導体層の厚さ方向から視て、前記耐圧構造領域の外周縁が前記アクティブ領域に向けて凹むように形成された特定領域と、
を含み、
前記特定領域内における前記半導体層の表面には、コンタクト領域が形成されており、
前記外周領域の最外周領域には、前記コンタクト領域と電気的に接続された配線が形成されている
半導体装置。
【請求項2】
前記特定領域は、前記外周領域のコーナ部分に形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記外周領域の対角線における前記耐圧構造領域の長さは、前記外周領域の一辺に垂直な方向における前記耐圧構造領域の長さよりも長い
請求項２に記載の半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記特定領域は、複数形成されている
請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置。
請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記配線は、
内部配線と、
前記内部配線および前記コンタクト領域の双方に電気的に接続された外部配線と、
を含む
請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体装置。
内部配線と、
前記内部配線および前記コンタクト領域の双方に電気的に接続された外部配線と、
を含む
請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記外部配線は、前記内部配線と接続する第１外部コンタクト部を有し、
前記内部配線は、前記半導体層と接続する内部コンタクト部を有し、
前記内部コンタクト部は、前記第１外部コンタクト部よりも前記耐圧構造領域の外周縁寄りに設けられている
請求項５に記載の半導体装置。
前記内部配線は、前記半導体層と接続する内部コンタクト部を有し、
前記内部コンタクト部は、前記第１外部コンタクト部よりも前記耐圧構造領域の外周縁寄りに設けられている
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記外部配線は、前記コンタクト領域と接続する第２外部コンタクト部を有し、
前記第１外部コンタクト部および前記第２外部コンタクト部の双方は、前記特定領域に設けられている
請求項６に記載の半導体装置。
前記第１外部コンタクト部および前記第２外部コンタクト部の双方は、前記特定領域に設けられている
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記内部配線は、前記半導体層の厚さ方向から視て前記コンタクト領域を囲む包囲配線部と、前記最外周領域に形成された最外周配線部と、を有し、
前記最外周配線部の幅寸法は、前記包囲配線部の幅寸法よりも小さい
請求項６または７に記載の半導体装置。
前記最外周配線部の幅寸法は、前記包囲配線部の幅寸法よりも小さい
請求項６または７に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第１外部コンタクト部は、前記包囲配線部に接続されている
請求項８に記載の半導体装置。
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第１外部コンタクト部は、前記コンタクト領域を囲むように形成されている
請求項９に記載の半導体装置。
請求項９に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記耐圧構造領域の内周縁は、前記外周領域の前記コーナ部分に向けて湾曲凸状となる湾曲部を含む
請求項２または３に記載の半導体装置。
請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記半導体層は、第１導電型のドリフト領域と第２導電型のコラム領域とが交互に配列されたスーパージャンクション領域を含む
請求項１～１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
請求項１～１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項13】
前記特定領域には、前記コラム領域が形成されておらず、前記ドリフト領域が形成されている
請求項１２に記載の半導体装置。
請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項14】
前記複数のコラム領域は、前記半導体層の厚さ方向から視て、前記外周領域の一辺に沿う方向に延びたストライプ状に形成されている
請求項１２または１３に記載の半導体装置。
請求項１２または１３に記載の半導体装置。
【請求項15】
前記耐圧構造領域は、第１導電型のドリフト領域と第２導電型のコラム領域とが交互に配列された領域である
請求項１～１４のいずれか一項に記載の半導体装置。
請求項１～１４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項16】
アクティブ領域と、前記アクティブ領域を囲むように枠状に形成されかつ矩形状の外周縁を有する外周領域と、を有する半導体層を備えた半導体装置であって、
前記外周領域の外周縁は、矩形状であって４つの外周縁を有し、
前記外周領域は、
耐圧構造が形成された耐圧構造領域と、
前記耐圧構造領域と前記外周領域の外周縁との間に形成された特定領域と、を含み、
前記特定領域内における前記半導体層の表面には、コンタクト領域が形成されており、
前記外周領域の最外周領域は、
前記特定領域によって構成された第１最外周領域と、
前記コンタクト領域と電気的に接続された配線が形成された第２最外周領域と、を含み、
前記第１最外周領域と前記第２最外周領域とはそれぞれ、互いに異なる１つ以上の外周縁を含む
半導体装置。
前記外周領域の外周縁は、矩形状であって４つの外周縁を有し、
前記外周領域は、
耐圧構造が形成された耐圧構造領域と、
前記耐圧構造領域と前記外周領域の外周縁との間に形成された特定領域と、を含み、
前記特定領域内における前記半導体層の表面には、コンタクト領域が形成されており、
前記外周領域の最外周領域は、
前記特定領域によって構成された第１最外周領域と、
前記コンタクト領域と電気的に接続された配線が形成された第２最外周領域と、を含み、
前記第１最外周領域と前記第２最外周領域とはそれぞれ、互いに異なる１つ以上の外周縁を含む
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
トランジスタが形成されたアクティブ領域と、アクティブ領域を囲む外周領域とを含む半導体層を備えた半導体装置が知られている（たとえば特許文献１参照）。このような半導体装置の外周領域には、ＦＬＲ（Field Limiting Ring）およびＥＱＲ（EQui-potential Ring）といった耐圧構造が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－９３５５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、半導体装置の種類によっては小型化を要求される場合がある。この点において、半導体装置の外周領域には改善の余地がある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決する半導体装置は、アクティブ領域と、前記アクティブ領域を囲むように枠状に形成されかつ矩形状の外周縁を有する外周領域と、を有する半導体層を備えた半導体装置であって、前記外周領域は、耐圧構造が形成された耐圧構造領域と、前記外周領域の外周縁から前記耐圧構造領域の外周縁までの領域であって、前記半導体層の厚さ方向から視て、前記耐圧構造領域の外周縁が前記アクティブ領域に向けて凹むように形成された特定領域と、を含み、前記特定領域内における前記半導体層の表面には、コンタクト領域が形成されており、前記外周領域の最外周領域には、前記コンタクト領域と電気的に接続された配線が形成されている。
【0006】
上記課題を解決する半導体装置は、アクティブ領域と、前記アクティブ領域を囲むように枠状に形成されかつ矩形状の外周縁を有する外周領域と、を有する半導体層を備えた半導体装置であって、前記外周領域の外周縁は、矩形状であって４つの外周縁を有し、前記外周領域は、耐圧構造が形成された耐圧構造領域と、前記耐圧構造領域と前記外周領域の外周縁との間に形成された特定領域と、を含み、前記特定領域内における前記半導体層の表面には、コンタクト領域が形成されており、前記外周領域の最外周領域は、前記特定領域によって構成された第１最外周領域と、前記コンタクト領域と電気的に接続された配線が形成された第２最外周領域と、を含み、前記第１最外周領域と前記第２最外周領域とはそれぞれ、互いに異なる１つ以上の外周縁を含む。
【発明の効果】
【0007】
上記半導体装置によれば、外周領域の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付図面を参照して本開示の半導体装置の実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするため、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするため、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付図面は、本開示の実施形態を例示するものに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0010】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は、本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図していない。
【0011】
［第１実施形態］
図１～図９を参照して、スーパージャンクション型ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）としての第１実施形態の半導体装置１０の構成について説明する。
図１～図９を参照して、スーパージャンクション型ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）としての第１実施形態の半導体装置１０の構成について説明する。
【0012】
（半導体装置の概略構成）
図１に示すように、半導体装置１０は、たとえば矩形平板状に形成されている。半導体装置１０は、装置表面１０ｓと、装置表面１０ｓとは反対側の装置裏面１０ｒ（図４参照）と、４つの装置側面１０ａ～１０ｄと、を有している。装置側面１０ａ～１０ｄは、装置表面１０ｓと装置裏面１０ｒとを繋ぐ面であり、本実施形態では装置表面１０ｓと装置裏面１０ｒとの双方と直交する面である。本実施形態では、半導体装置１０の装置表面１０ｓは、たとえば正方形に形成されている。
図１に示すように、半導体装置１０は、たとえば矩形平板状に形成されている。半導体装置１０は、装置表面１０ｓと、装置表面１０ｓとは反対側の装置裏面１０ｒ（図４参照）と、４つの装置側面１０ａ～１０ｄと、を有している。装置側面１０ａ～１０ｄは、装置表面１０ｓと装置裏面１０ｒとを繋ぐ面であり、本実施形態では装置表面１０ｓと装置裏面１０ｒとの双方と直交する面である。本実施形態では、半導体装置１０の装置表面１０ｓは、たとえば正方形に形成されている。
【0013】
以下の説明において、半導体装置１０の装置表面１０ｓと装置裏面１０ｒとが配列される方向を「ｚ方向」とする。ｚ方向は、半導体装置１０の厚さ方向であるといえる。ｚ方向に直交する方向のうち互いに直交する２方向を「ｘ方向」および「ｙ方向」とする。本実施形態では、装置側面１０ａ，１０ｂは半導体装置１０のｘ方向の両端面を構成し、装置側面１０ｃ，１０ｄは半導体装置１０のｙ方向の両端面を構成している。
【0014】
半導体装置１０は、矩形平板状に形成された半導体層３０を備えている。半導体層３０の４つの側面は装置側面１０ａ～１０ｄに対応している。半導体層３０は、シリコン（Ｓｉ）を含む材料によって形成されている。半導体層３０は、表面３０ｓおよび裏面３０ｒ（ともに図４参照）を有している。表面３０ｓは装置表面１０ｓと同じ側を向く面であり、裏面３０ｒは装置裏面１０ｒと同じ側を向く面である。このため、表面３０ｓおよび裏面３０ｒは、ｚ方向に配列されている。したがって、ｚ方向は「半導体層３０の厚さ方向」であるといえる。また、本明細書における「ｚ方向から視て」とは「半導体層３０の厚さ方向から視て」を意味する。
【0015】
図２に示すように、半導体装置１０は、半導体装置１０の外部と接続するための外部電極として、ソース電極２１、ゲート電極２２、およびドレイン電極２３（図４参照）を備えている。ソース電極２１およびゲート電極２２は、共通の金属膜を含んでいる。この金属膜は、たとえばＡｌＣｕを含む材料（アルミニウムと銅との合金）によって形成されている。
【0016】
ソース電極２１は、ＭＯＳＦＥＴのソースを構成する電極であり、半導体装置１０のメイン電流が流れる電極である。ソース電極２１は、半導体層３０の表面３０ｓ上に形成されている。ソース電極２１のうちｘ方向の中央よりも装置側面１０ａの近くかつｙ方向の中央には、装置側面１０ｂに向けて凹む凹部２１ａが形成されている。
【0017】
ゲート電極２２は、ＭＯＳＦＥＴのゲートを構成する電極であり、半導体装置１０を駆動させるための駆動電圧信号が半導体装置１０の外部から供給される電極である。ゲート電極２２は、半導体層３０の表面３０ｓ上に形成されている。ゲート電極２２は、ソース電極２１の凹部２１ａに入り込むように形成されている。
【0018】
図４に示すように、ドレイン電極２３は、ＭＯＳＦＥＴのドレインを構成する電極であり、半導体装置１０のメイン電流が流れる電極である。つまり、半導体装置１０においては、ドレイン電極２３からソース電極２１に向けてメイン電流が流れる。ドレイン電極２３は、半導体層３０の裏面３０ｒに形成されている。より詳細には、ドレイン電極２３は、半導体層３０の裏面３０ｒの全体にわたり形成されている。このため、ドレイン電極２３は、装置裏面１０ｒを構成している。
【0019】
図３に示すように、半導体層３０は、複数のアクティブセル１１Ａ（図４参照）が形成されたアクティブ領域１１と、アクティブ領域１１を囲むようにアクティブ領域１１の外側に設けられた外周領域１２と、を有している。ここで、アクティブセル１１Ａとは、トランジスタが形成されたメインセルを意味する。つまり、アクティブ領域１１は、トランジスタが形成された領域である。
【0020】
図２および図３を合わせて参照して、アクティブ領域１１上には、ソース電極２１が設けられている。ソース電極２１は、アクティブ領域１１の大部分にわたり形成されている。ｚ方向から視たアクティブ領域１１の形状は、ソース電極２１の凹部２１ａに対応して凹んだ凹形状である。つまり、ｚ方向から視たアクティブ領域１１の形状は、ｚ方向から視たソース電極２１の形状と類似した形状である。アクティブ領域１１の凹形状の部分には、ゲート電極２２が設けられている。つまり、ゲート電極２２の直下には、アクティブセル１１Ａ（図４参照）が形成されていない。
【0021】
図３に示すように、本実施形態では、ｚ方向から視て、装置表面１０ｓの四隅となるコータ部分に対応するアクティブ領域１１の最外周の４つのコーナ部分１１Ｃは、装置表面１０ｓのコーナ部分に向けて凸状となる湾曲部を含む形状を有している。
【0022】
なお、ｚ方向から視たアクティブ領域１１の最外周の４つのコーナ部分１１Ｃの形状は任意に変更可能である。一例では、ｚ方向から視たアクティブ領域１１の最外周の４つのコーナ部分１１Ｃの形状は、面取りされたような傾斜部を含む形状であってもよい。また一例では、ｚ方向から視たアクティブ領域１１の最外周の４つのコーナ部分１１Ｃの形状は、階段状であってもよい。
【0023】
外周領域１２は、半導体装置１０の絶縁耐圧を向上させる終端構造が設けられた領域である。外周領域１２は、半導体層３０の表面３０ｓの外周部分に形成された環状の領域である。外周領域１２は、半導体層３０の表面３０ｓのうちアクティブ領域１１以外の領域であるといえる。外周領域１２は矩形状であり、第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄを有している。外周領域１２の第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄは、ｚ方向から視て、装置側面１０ａ～１０ｄによって形成される装置表面１０ｓの辺に対応している。装置表面１０ｓの各辺を構成する第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄは、装置表面１０ｓと装置側面１０ａ～１０ｄとの間に形成されている。
【0024】
図２に示すように、外周領域１２には、ゲート電極２２が設けられている。外周領域１２には、ゲートフィンガー２４と、ＦＬＲ（Field Limiting Ring）部２５と、等電位リング（ＥＱＲ：EQui-potential Ring）２６と、がさらに設けられている。
【0025】
ゲートフィンガー２４は、アクティブ領域１１のうちゲート電極２２から離れた部分においてもゲート電極２２に供給された駆動電圧信号を速やかに供給するように構成されている。ゲートフィンガー２４は、ゲート電極２２に接続されている。
【0026】
本実施形態では、ゲートフィンガー２４は、ｚ方向から視て、ソース電極２１を囲むように設けられている。ゲートフィンガー２４は、ｚ方向から視て、アクティブ領域１１を囲むように設けられているともいえる。ゲートフィンガー２４は、タングステン（Ｗ）またはポリシリコンを含む材料によって形成されている。本実施形態では、１本のゲートフィンガー２４として例示したが、ゲートフィンガー２４は複数設けられていてもよい。
【0027】
なお、ｚ方向から視たゲートフィンガー２４の形状は任意に変更可能である。一例では、ゲートフィンガー２４は、ソース電極２１と装置側面１０ｂとのｘ方向の間に配置された部分の一部が切り離された形状であってもよい。つまり、ゲートフィンガー２４は、ソース電極２１と装置側面１０ｂとのｘ方向の間に配置された部分において、ｙ方向において隙間をあけて対向する第１端部および第２端部を有していてもよい。この場合、ソース電極２１は、ゲートフィンガー２４の第１端部と第２端部とのｙ方向の間にも設けられていてもよい。そして半導体装置１０は、ソース電極２１と一体に形成され、ゲートフィンガー２４およびゲート電極２２を取り囲むように設けられた引き回し配線部を備えていてもよい。
【0028】
ＦＬＲ部２５は、半導体装置１０の耐圧向上のための終端構造であり、ゲートフィンガー２４の外方に設けられている。ＦＬＲ部２５は、ソース電極２１およびゲート電極２２を囲む環状に形成されている。ＦＬＲ部２５は、外周領域１２における電界を緩和し、外部イオンからの影響を抑制することによって半導体装置１０の耐圧を向上させる機能を有している。
【0029】
等電位リング２６は、半導体装置１０の耐圧向上のための終端構造であり、ＦＬＲ部２５を囲むように形成されている。等電位リング２６は、半導体層３０の表面３０ｓのうちの最外周に設けられている。
【0030】
図１に示すように、半導体装置１０は、ソース電極２１、ゲート電極２２、ゲートフィンガー２４、ＦＬＲ部２５、および等電位リング２６を覆うパッシベーション膜１５を備えている。パッシベーション膜１５は、半導体装置１０を半導体装置１０の外部から保護する保護膜である。パッシベーション膜１５は、たとえばポリイミド（ＰＩ）を含む材料によって形成された有機絶縁膜である。パッシベーション膜１５は、半導体層３０の表面３０ｓの全体にわたり形成されている。このため、パッシベーション膜１５は、装置表面１０ｓを構成している。
【0031】
パッシベーション膜１５には、ソース電極２１の一部を露出させる第１開口部１５Ａと、ゲート電極２２の一部を露出させる第２開口部１５Ｂとが形成されている。ソース電極２１のうち第１開口部１５Ａによって露出した部分は、ソース電極パッドを構成している。ゲート電極２２のうち第２開口部１５Ｂによって露出した部分は、ゲート電極パッドを構成している。
【0032】
【0033】
図４に示すように、半導体層３０は、裏面３０ｒ寄りの部分に形成されたｎ＋型のドレイン領域３１を有している。ドレイン領域３１は、半導体層３０の裏面３０ｒの全域にわたり形成されている。つまり、ドレイン領域３１は、裏面３０ｒを構成している。本実施形態では、ドレイン領域３１は、ｎ＋型の半導体基板によって構成されている。ドレイン領域３１のｎ型不純物濃度は、たとえば１×１０１８ｃｍ－３以上１×１０２１ｃｍ－３以下である。
【0034】
ドレイン領域３１のｚ方向に沿う寸法（ドレイン領域３１の厚さ）は、たとえば５０μｍ以上４００μｍ以下である。ドレイン領域３１の厚さは、１００μｍ以上であることが好ましい。
【0035】
半導体層３０の裏面３０ｒに形成されたドレイン電極２３は、ドレイン領域３１との間でオーミック接触を形成している。ドレイン電極２３は、チタン（Ｔｉ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、パラジウム（Ｐｄ）層、金（Ａｕ）層、銀（Ａｇ）層、およびＡｌ層のうち少なくとも１つを含む材料によって形成されている。
【0036】
ドレイン電極２３は、Ｔｉ層、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層、Ａｇ層、およびＡｌ層のうち少なくとも２種を任意の順序で積層させた積層構造を有していてもよい。ドレイン電極２３は、オーミック電極としてＴｉ層を含むことが好ましい。ドレイン電極２３は、半導体層３０の裏面３０ｒからＴｉ層、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層およびＡｇ層の順に積層された積層構造であってもよい。
【0037】
半導体層３０は、表面３０ｓ寄りの部分に形成されたｎ型のドリフト領域３２を有している。ドリフト領域３２は、半導体層３０の表面３０ｓの全域にわたり形成されている。つまり、ドリフト領域３２は、表面３０ｓを構成している。ドリフト領域３２は、ドレイン領域３１と電気的に接続されている。ドレイン領域３１およびドリフト領域３２の境界は、半導体層３０の表面３０ｓに対して平行に延びている。ここで、本実施形態では、ｎ型が「第１導電型」に対応し、ｐ型が「第２導電型」に対応している。
【0038】
本実施形態では、ドリフト領域３２は、半導体基板（ドレイン領域３１）の上に形成されたｎ型のエピタキシャル層によって形成されている。ドリフト領域３２のｎ型不純物濃度は、ドレイン領域３１のｎ型不純物濃度よりも低く、たとえば１×１０１５ｃｍ－３以上１×１０１７ｃｍ－３以下である。
【0039】
ドリフト領域３２のｚ方向に沿う寸法（ドリフト領域３２の厚さ）は、ドレイン領域３１の厚さよりも薄い。ドリフト領域３２の厚さは、たとえば１０μｍ以上５０μｍ以下である。
【0040】
半導体層３０は、ドリフト領域３２のうち表面３０ｓ寄りの部分に形成されたスーパージャンクション領域３３（以下、「ＳＪ領域３３」）を有している。本実施形態では、ＳＪ領域３３は、ｚ方向から視て、ドリフト領域３２の最外周領域を除く、ドリフト領域３２の略全域にわたり形成されている。ここで、ドリフト領域３２の最外周領域は、外周領域１２の最外周領域でもある。このため、ＳＪ領域３３は、アクティブ領域１１の全域と、外周領域１２のうち最外周領域を除く、外周領域１２の略全域にわたり形成されているともいえる。
【0041】
ＳＪ領域３３には、複数のコラム領域３４が設けられている。各コラム領域３４は、半導体層３０の表面３０ｓからｚ方向に沿って延びたコラムトレンチ３４Ａにｐ型のポリシリコン３４Ｂが埋め込まれることによって構成されている。なお、本実施形態では、半導体装置１０は、半導体層３０にＳＪ領域３３が形成された構造として説明したが、これに限られない。半導体装置１０は、たとえば半導体層３０にトレンチ型のＭＯＳＦＥＴ構造が形成された構造であってもよい。
【0042】
コラムトレンチ３４Ａは、側壁３４ｗおよび底壁３４ｂを有している。本実施形態では、側壁３４ｗは、半導体層３０の表面３０ｓ寄りに形成された第１側壁３４ｗａと、第１側壁３４ｗａに対して半導体層３０の裏面３０ｒ寄りに形成された第２側壁３４ｗｂと、を有している。第１側壁３４ｗａに対応するコラムトレンチ３４Ａの深さは、第２側壁３４ｗｂに対応するコラムトレンチ３４Ａの深さよりも浅い。第１側壁３４ｗａは、第２側壁３４ｗｂに対してコラムトレンチ３４Ａの深さ方向（ｚ方向）に対して直交する方向に膨出するように形成されている。
【0043】
本実施形態では、コラムトレンチ３４Ａの底壁３４ｂは、半導体層３０の裏面３０ｒに向けて凸となる湾曲状に形成されている。なお、コラムトレンチ３４Ａの底壁３４ｂの形状は任意に変更可能である。
【0044】
コラムトレンチ３４Ａの深さは、ドリフト領域３２の厚さよりも浅い。すなわち、コラムトレンチ３４Ａの底壁３４ｂは、ドリフト領域３２とドレイン領域３１との境界よりも半導体層３０の表面３０ｓ寄りに設けられている。コラムトレンチ３４Ａのｚ方向に沿う寸法（コラムトレンチ３４Ａの深さ）は、たとえば１０μｍ以上４０μｍ以下である。コラムトレンチ３４Ａの深さは、１０μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
【0045】
ポリシリコン３４Ｂは、ポリシリコン３４Ｂのうち半導体層３０から露出する表面が半導体層３０の表面３０ｓと連なるように形成されている。本実施形態では、ポリシリコン３４Ｂの表面は、半導体層３０の表面３０ｓと面一である。ポリシリコン３４Ｂのｐ型不純物濃度は、たとえば１×１０１５ｃｍ－３以上１×１０１８ｃｍ－３以下である。
【0046】
ポリシリコン３４Ｂのうち第１側壁３４ｗａに対応する部分、換言するとポリシリコン３４Ｂのうち半導体層３０の表面３０ｓ寄りの部分には、ｎ＋型のソース領域３５が形成されている。ソース領域３５のｎ型不純物濃度は、ドリフト領域３２のｎ型不純物濃度よりも高く、たとえば１×１０１９ｃｍ－３以上１×１０２０ｃｍ－３以下である。
【0047】
半導体層３０の表面３０ｓ上には、ゲート絶縁膜３６が設けられている。ゲート絶縁膜３６には、ソース領域３５の一部およびポリシリコン３４Ｂの一部を露出する開口部３６Ａが形成されている。ゲート絶縁膜３６は、たとえばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミナ膜、タンタル酸化膜等を用いることができる。
【0048】
ゲート絶縁膜３６上には、ゲート層３７が形成されている。ゲート層３７は、ゲート電極２２（図２参照）と電気的に接続される層であり、たとえばポリシリコンによって形成されている。なお、ゲート層３７は、ゲート電極２２と同じ材料によって形成されていてもよい。
【0049】
半導体層３０の表面３０ｓ上には、ゲート絶縁膜３６およびゲート層３７を覆うように層間絶縁膜３８が設けられている。層間絶縁膜３８は、たとえば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）膜等を適用することができる。層間絶縁膜３８の一部は、ゲート絶縁膜３６の開口部３６Ａに入り込んでいる。層間絶縁膜３８には、ソース領域３５の一部およびポリシリコン３４Ｂの一部を露出する開口部３８Ａが形成されている。
【0050】
層間絶縁膜３８上には、ソース電極２１が形成されている。ソース電極２１は、層間絶縁膜３８の開口部３８Ａ内に入り込んでいる。つまり、ソース電極２１は、ソース領域３５およびポリシリコン３４Ｂの双方と接している。図４では図示していないが、ソース電極２１上にはパッシベーション膜１５（図１参照）が設けられている。
【0051】
図５に示すように、本実施形態では、ＳＪ領域３３においては、ｚ方向から視て、複数のコラム領域３４は、ｙ方向に沿って延びたストライプ状に形成されている。このように、ＳＪ領域３３は、ｚ方向から視て、ｘ方向にドリフト領域３２とコラム領域３４とが交互に配置されることによって形成されている。本実施形態では、ｙ方向が「外周領域の第１辺に沿う方向」に対応している。
【0052】
なお、ストライプ状となる複数のコラム領域３４が延びる方向は任意に変更可能である。一例では、ｚ方向から視て、複数のコラム領域３４は、ｘ方向に延びたストライプ状に形成されていてもよい。この場合、ＳＪ領域３３は、ｚ方向から視て、ｙ方向にドリフト領域３２とコラム領域３４とが交互に配置されることによって形成されている。この場合においては、ｘ方向が「外周領域の第１辺に沿う方向」に対応している。
【0053】
なお、図５では、便宜上、コラム領域３４が図示されている一方、ゲート電極２２、ソース電極２１等は図示されていない。各コラム領域３４の大きさについても概略で示したものであり、実際の複数のコラム領域３４の大きさを示したものではない。
【0054】
（外周領域の詳細な構成）
図５～図９を参照して、外周領域１２の詳細な構成について説明する。図５は、半導体層３０の表面３０ｓを概略的に示す平面図である。図６は、半導体層３０の表面３０ｓに後述する内部配線５１および外部配線５２の第１外部コンタクト部５２Ａおよび第２外部コンタクト部５２Ｂを形成した概略的な平面図である。図６および図９では、便宜上、複数のコラム領域３４を省略して示している。
図５～図９を参照して、外周領域１２の詳細な構成について説明する。図５は、半導体層３０の表面３０ｓを概略的に示す平面図である。図６は、半導体層３０の表面３０ｓに後述する内部配線５１および外部配線５２の第１外部コンタクト部５２Ａおよび第２外部コンタクト部５２Ｂを形成した概略的な平面図である。図６および図９では、便宜上、複数のコラム領域３４を省略して示している。
【0055】
図５に示すように、半導体装置１０は、外周領域１２のうち最外周部分（ドリフト領域３２の最外周領域）に、非コラム領域４１を有している。非コラム領域４１は、ｚ方向から視て、ＳＪ領域３３を取り囲む領域であって、複数のコラム領域３４が形成されたＳＪ領域３３に対して、コラム領域３４が形成されていない領域である。つまり、外周領域１２は、ＳＪ領域３３と非コラム領域４１とを有している。外周領域１２におけるＳＪ領域３３は、耐圧構造が形成された耐圧構造領域４２である。図５では、便宜上、非コラム領域４１と耐圧構造領域４２との境界を境界線ＢＬ１で示し、耐圧構造領域４２とアクティブ領域１１との境界を境界線ＢＬ２で示している。
【0056】
耐圧構造領域４２は、外周領域１２の内周部分に対応し、アクティブ領域１１を囲む領域である。耐圧構造領域４２は、ドリフト領域３２と複数のコラム領域３４とが交互に配列された領域である。耐圧構造領域４２における各コラム領域３４は、図４に示すアクティブセル１１Ａにおける各コラム領域３４とは異なり、ソース領域３５が形成されていない。このため、図７および図８に示すように、耐圧構造領域４２におけるコラムトレンチ３４Ａの側壁３４ｗは、第２側壁３４ｗｂによって構成されている。
【0057】
【0058】
耐圧構造領域４２は、ｚ方向から視て、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａがアクティブ領域１１に向けて凹んだ凹部４２ｂを有している。ここで、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａは、耐圧構造領域４２と非コラム領域４１との境界であり、境界線ＢＬ１によって定義できる。このため、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａ（境界線ＢＬ１）は、耐圧構造領域４２における最外周のコラム領域３４によって規定できる。耐圧構造領域４２の外周縁４２ａは、ＳＪ領域３３の外周縁であるともいえる。
【0059】
本実施形態では、凹部４２ｂは、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃに形成されている。ここで、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃとは、ｚ方向から視て、半導体層３０の表面３０ｓの四隅に対応するコーナ部分である。
【0060】
図５に示す例において、凹部４２ｂは、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａのうち装置側面１０ａに沿う一辺４２ａａを装置側面１０ｂ（図３参照）に向けて凹ませ、装置側面１０ｃに沿う一辺４２ａｂを装置側面１０ｄ（図３参照）に向けて凹ませた段差状に形成されている。つまり、凹部４２ｂは、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａのうち外周領域１２のコーナ部分１２Ｃに対応するコーナ部分を矩形状に切り欠いた形状となる。本実施形態では、凹部４２ｂは、装置側面１０ｃに沿う直線４２ｂａと、装置側面１０ａに沿う直線４２ｂｂと、によって画定されている。このように、耐圧構造領域４２の外周形状は、４つのコーナ部分１２Ｃに対応する部分が切り欠かれた矩形枠状である。
【0061】
耐圧構造領域４２の内周縁４２ｃは、アクティブ領域１１の外枠形状に沿った形状となる。つまり、耐圧構造領域４２の内周縁４２ｃは、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃに対応する部分がコーナ部分１２Ｃに向けて湾曲凸状となる湾曲部４２ｄを有する略矩形枠状である。ここで、耐圧構造領域４２の内周縁４２ｃは、耐圧構造領域４２とアクティブ領域１１との境界であり、境界線ＢＬ２によって定義できる。ここで、本実施形態では、耐圧構造領域４２の内周縁４２ｃのうち外周領域１２のコーナ部分１２Ｃに対応する部分は、アクティブ領域１１の最外周のコーナ部分１１Ｃに対応している。
【0062】
なお、耐圧構造領域４２の内周縁４２ｃの形状は任意に変更可能である。一例では、耐圧構造領域４２の内周縁４２ｃのうち外周領域１２のコーナ部分１２Ｃに対応する部分は、湾曲部４２ｄに代えて、面取りされた傾斜形状となる傾斜部を有していてもよい。また一例では、耐圧構造領域４２の内周縁４２ｃのうち外周領域１２のコーナ部分１２Ｃに対応する部分は、湾曲部４２ｄに代えて、階段状となる段差部を有していてもよい。
【0063】
図６に示すように、本実施形態では、外周領域１２の対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬ１は、外周領域１２の一辺に沿う耐圧構造領域４２において一辺に垂直な方向における長さＬ２（耐圧構造領域４２の幅寸法）よりも長くなる。ここで、外周領域１２の対角線ＤＬは、矩形状をなす外周領域１２の第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄの頂点ＴＰと、頂点ＴＰから最短となるアクティブ領域１１の外周縁（耐圧構造領域４２の内周縁４２ｃ）上の点とを通る直線である。この対角線ＤＬは、たとえば矩形状をなす外周領域１２の外周縁の頂点ＴＰを通る直線のうち外周領域１２の一辺との間で成す角度が４５度であるものをいう。本実施形態において、外周領域１２の対角線ＤＬは、ｚ方向から視て正方形状である半導体層３０の対角線であるともいえる。図６に示す例において、対角線ＤＬは、第１外周縁１２ａと第３外周縁１２ｃとの交点と第２外周縁１２ｂと第４外周縁１２ｄ（ともに図３参照）との交点を結んだ直線である。本実施形態では、外周領域１２の第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄに垂直な方向は、ｘ方向またはｙ方向となる。
【0064】
耐圧構造領域４２における外周領域１２の対角線ＤＬ上には、凹部４２ｂおよび湾曲部４２ｄの双方が形成されている。このため、耐圧構造領域４２の長さＬ１は、対角線ＤＬにおける湾曲部４２ｄと凹部４２ｂとの間の距離であるといえる。
【0065】
非コラム領域４１は、等電位リング２６（図２参照）が形成される領域である。非コラム領域４１は、外周領域１２の第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄ（図３参照）を含む領域である。非コラム領域４１は、外周領域１２の最外周領域を構成しているといえる。非コラム領域４１は、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂに入り込むように形成されている。
【0066】
非コラム領域４１は、特定領域４３を含んでいる。各特定領域４３は、コラム領域３４が形成されておらず、ドリフト領域３２が形成されている領域である。特定領域４３は、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂに入り込む領域を含んでいる。つまり、特定領域４３は、外周領域１２の第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄから耐圧構造領域４２の外周縁までの領域であって、ｚ方向から視て、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａがアクティブ領域１１に向けて凹むように形成された領域である。特定領域４３は、非コラム領域４１のうち耐圧構造領域４２の外周縁４２ａから凹んだ領域であるともいえる。本実施形態では、特定領域４３は、外周領域１２の各コーナ部分１２Ｃに形成されている。つまり、特定領域４３は、複数（本実施形態では４個）形成されている。図５では、特定領域４３を半導体層３０内の二点鎖線によって画定している。より詳細には、図５で示された特定領域４３は、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂの直線４２ｂａから第１外周縁１２ａまで第３外周縁１２ｃに沿う方向に延びる二点鎖線の直線ＰＬ１と、凹部４２ｂの直線４２ｂｂから第３外周縁１２ｃまで第１外周縁１２ａに沿う方向に延びる二点鎖線の直線ＰＬ２と、直線４２ｂａと、直線４２ｂｂと、第１外周縁１２ａと、第３外周縁１２ｃとに囲まれた領域である。
【0067】
図５、図６、および図８に示すように、非コラム領域４１には、ｎ＋型のコンタクト領域４４が設けられている。
コンタクト領域４４は、ドレイン電極２３と電気的に接続された領域であり、ドリフト領域３２の電位を安定化させるための領域である。コンタクト領域４４のｎ型不純物濃度は、ドリフト領域３２のｎ型不純物濃度よりも高く、たとえば１×１０１８ｃｍ－３以上１×１０２１ｃｍ－３以下である。
コンタクト領域４４は、ドレイン電極２３と電気的に接続された領域であり、ドリフト領域３２の電位を安定化させるための領域である。コンタクト領域４４のｎ型不純物濃度は、ドリフト領域３２のｎ型不純物濃度よりも高く、たとえば１×１０１８ｃｍ－３以上１×１０２１ｃｍ－３以下である。
【0068】
本実施形態では、コンタクト領域４４は、特定領域４３に形成されている。コンタクト領域４４は、外周領域１２の各コーナ部分１２Ｃに形成されているといえる。図５に示すように、ｚ方向から視て、コンタクト領域４４は、対角線ＤＬに沿う方向において耐圧構造領域４２と隣り合う部分が面取りされた傾斜部４４ａを有する略矩形状である。このように、コンタクト領域４４は、非コラム領域４１のうちコーナ部分１２Ｃに対応する領域に形成されている。つまり、コンタクト領域４４は、耐圧構造領域４２を囲む環状に形成されていない。コンタクト領域４４は、対角線ＤＬに沿う方向において耐圧構造領域４２と間隔をあけて形成されている。図８に示すように、コンタクト領域４４は、半導体層３０の表面３０ｓに形成されている。このように、コンタクト領域４４は、特定領域４３内における半導体層３０の表面３０ｓに形成されているといえる。
【0069】
図８に示すように、半導体層３０には、コンタクト領域４４を覆うｐ型の第１ウェル領域４５と、第１ウェル領域４５のうちコンタクト領域４４側に形成されたｐ＋型の第２ウェル領域４６と、が設けられている。第２ウェル領域４６は、第１ウェル領域４５の一部に形成されている。第１ウェル領域４５および第２ウェル領域４６の双方は、特定領域４３に形成されている。第１ウェル領域４５は、コンタクト領域４４と同様に非コラム領域４１のうちコーナ部分１２Ｃ（図５参照）に対応する領域に形成されている。第１ウェル領域４５は、アクティブ領域１１（図５参照）を囲む環状に形成されておらず、対角線ＤＬ（図５参照）に沿う方向において耐圧構造領域４２と間隔をあけて形成されている。
【0070】
第２ウェル領域４６のｐ型不純物濃度は、第１ウェル領域４５のｐ型不純物濃度よりも高い。第１ウェル領域４５のｐ型不純物濃度は、たとえば、１×１０１５ｃｍ－３以上１×１０１８ｃｍ－３以下である。第２ウェル領域４６のｐ型不純物濃度は、たとえば１×１０１８ｃｍ－３以上１×１０２１ｃｍ－３以下である。
【0071】
【0072】
図７および図８に示すように、等電位リング２６は、コンタクト領域４４と電気的に接続される配線５０を有している。配線５０は、外周領域１２に形成されている。図２に示すとおり、配線５０は、アクティブ領域１１を囲む環状に形成されている。
【0073】
図７および図８に示すように、配線５０は、内部配線５１と、内部配線５１およびコンタクト領域４４の双方に電気的に接続された外部配線５２と、を含んでいる。
内部配線５１は、ｚ方向から視て、非コラム領域４１に位置している。内部配線５１は、半導体層３０の表面３０ｓのうち外周領域１２に対応する領域を覆う絶縁膜６１上に形成されている。絶縁膜６１は、酸化膜であり、たとえばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）によって形成されている。絶縁膜６１のうち耐圧構造領域４２よりも外周部分（非コラム領域４１）には、開口部６１Ａが設けられている。本実施形態では、ｚ方向から視て、絶縁膜６１の外周縁は、コンタクト領域４４の内周縁と同じ位置となるように形成されている。このため、絶縁膜６１は、コンタクト領域４４を覆っていない。
内部配線５１は、ｚ方向から視て、非コラム領域４１に位置している。内部配線５１は、半導体層３０の表面３０ｓのうち外周領域１２に対応する領域を覆う絶縁膜６１上に形成されている。絶縁膜６１は、酸化膜であり、たとえばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）によって形成されている。絶縁膜６１のうち耐圧構造領域４２よりも外周部分（非コラム領域４１）には、開口部６１Ａが設けられている。本実施形態では、ｚ方向から視て、絶縁膜６１の外周縁は、コンタクト領域４４の内周縁と同じ位置となるように形成されている。このため、絶縁膜６１は、コンタクト領域４４を覆っていない。
【0074】
内部配線５１は、開口部６１Ａおよび開口部６１Ａよりも外周部分に主に設けられている。内部配線５１は、絶縁膜６１の外周端部を覆うように設けられている。本実施形態では、内部配線５１の外周縁は、ｚ方向から視て、コンタクト領域４４の内周縁と隣り合う位置となるように形成されている。
【0075】
図３および図６に示すように、内部配線５１は、耐圧構造領域４２を囲む環状に形成されている。内部配線５１の内周縁は、耐圧構造領域４２よりも外側に間隔をあけて設けられている。図６に示すように、内部配線５１は、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂに入り込むように設けられている。内部配線５１は、特定領域４３においてはコンタクト領域４４よりも内方に位置し、特定領域４３以外の領域においては外周領域１２の最外周に位置している。
【0076】
内部配線５１のうち特定領域４３に対応する部分を包囲配線部５３とし、内部配線５１のうち特定領域４３以外の領域に対応する部分を最外周配線部５４とする。包囲配線部５３は、隣り合う最外周配線部５４の端部同士を接続する配線であり、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂに入り込んだ配線である。最外周配線部５４は、外周領域１２の最外周領域（非コラム領域４１）に形成された配線であり、内部配線５１のうち第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄに沿って延びる配線である。最外周配線部５４は、ｚ方向から視て、第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄと隣り合う位置に形成されている。つまり、最外周配線部５４は、外周領域１２の最外周に位置している。図６では、便宜上、包囲配線部５３と最外周配線部５４との境界ＢＤを二点鎖線で示している。
【0077】
図９は、図６の包囲配線部５３およびその周辺を拡大した拡大図である。
図９に示すように、包囲配線部５３は、ｚ方向から視て、コンタクト領域４４を囲むように形成されている。包囲配線部５３は、ｚ方向から視て、対角線ＤＬと直交する方向に延びる第１部分５３Ａと、ｘ方向に沿って延びる第２部分５３Ｂと、ｙ方向に沿って延びる第３部分５３Ｃと、を有している。
図９に示すように、包囲配線部５３は、ｚ方向から視て、コンタクト領域４４を囲むように形成されている。包囲配線部５３は、ｚ方向から視て、対角線ＤＬと直交する方向に延びる第１部分５３Ａと、ｘ方向に沿って延びる第２部分５３Ｂと、ｙ方向に沿って延びる第３部分５３Ｃと、を有している。
【0078】
第１部分５３Ａは、対角線ＤＬに沿う方向においてコンタクト領域４４の傾斜部４４ａと隣り合う位置に設けられている。ｚ方向から視て、第１部分５３Ａは、傾斜部４４ａが延びる方向に沿う方向に延びている。
【0079】
第１部分５３Ａは、第２部分５３Ｂと第３部分５３Ｃとの間に設けられている。図示された例においては、第２部分５３Ｂは、第１部分５３Ａに対して第１外周縁１２ａ寄りに位置し、第１部分５３Ａと最外周配線部５４とを接続している。第３部分５３Ｃは、第１部分５３Ａに対して第３外周縁１２ｃ寄りに位置し、第１部分５３Ａと最外周配線部５４とを接続している。
【0080】
包囲配線部５３の第１部分５３Ａの幅寸法ＷＡは、第２部分５３Ｂの幅寸法ＷＢおよび第３部分５３Ｃの幅寸法ＷＣの双方よりも大きい。ここで、第１部分５３Ａの幅寸法ＷＡは、対角線ＤＬにおける第１部分５３Ａの寸法によって定義できる。第２部分５３Ｂの幅寸法ＷＢは、第２部分５３Ｂのｙ方向の寸法によって定義できる。第３部分５３Ｃの幅寸法ＷＣは、第３部分５３Ｃのｘ方向の寸法によって定義できる。
【0081】
第１部分５３Ａの幅寸法ＷＡは、最外周配線部５４の幅寸法ＷＤよりも大きい。第２部分５３Ｂの幅寸法ＷＢおよび第３部分５３Ｃの幅寸法ＷＣの双方は、最外周配線部５４の幅寸法ＷＤよりも大きい。ここで、最外周配線部５４の幅寸法ＷＤは、ｚ方向から視て、最外周配線部５４が延びる方向と直交する方向の寸法によって定義できる。
【0082】
図６に示すように、内部配線５１は、半導体層３０と接続する内部コンタクト部５１Ａを有している。より詳細には、内部コンタクト部５１Ａは、開口部６１Ａを介してドリフト領域３２に接している。内部配線５１は、たとえばポリシリコンによって形成されている。
【0083】
内部コンタクト部５１Ａは、内部配線５１の幅方向における内部配線５１の中央よりも耐圧構造領域４２寄りに形成されている。ここで、内部配線５１の幅方向は、ｚ方向から視て、内部配線５１が環状に延びる方向と直交する方向によって定義できる。内部コンタクト部５１Ａは、耐圧構造領域４２を囲む環状に形成されている。
【0084】
図９に示すように、包囲配線部５３における内部コンタクト部５１Ａは、包囲配線部５３の第１部分５３Ａが延びる方向（ｚ方向から視て対角線ＤＬと直交する方向）に延びる第１部分５１ＡＡと、ｘ方向に延びる第２部分５１ＡＢと、ｙ方向に延びる第３部分５１ＡＣと、を有している。
【0085】
第１部分５１ＡＡは、ｚ方向から視て、包囲配線部５３の第１部分５３Ａと重なる位置に設けられている。第１部分５１ＡＡは、ｚ方向から視て、対角線ＤＬを跨ぐように設けられている。第２部分５１ＡＢは、ｚ方向から視て、包囲配線部５３の第１部分５３Ａと重なる位置および第２部分５３Ｂと重なる位置の双方に設けられている。第３部分５１ＡＣは、ｚ方向から視て、包囲配線部５３の第１部分５３Ａと重なる位置および第３部分５３Ｃと重なる位置の双方に設けられている。
【0086】
第１部分５１ＡＡと包囲配線部５３の第１部分５３Ａの外周縁との間の距離ＤＡＡは、第２部分５１ＡＢと包囲配線部５３の第２部分５３Ｂの外周縁との間の距離ＤＡＢよりも大きい。距離ＤＡＡは、第３部分５１ＡＣと包囲配線部５３の第３部分５３Ｃの外周縁との間の距離ＤＡＣよりも大きい。距離ＤＡＡは、最外周配線部５４における内部コンタクト部５１Ａと最外周配線部５４の外周縁との間の距離ＤＢよりも大きい。また、距離ＤＡＢおよび距離ＤＡＣの双方は、距離ＤＢよりも大きい。
【0087】
図７および図８に示すように、外部配線５２は、絶縁膜６１および内部配線５１の双方を覆う層間絶縁膜６２上に形成されている。層間絶縁膜６２は、アクティブ領域１１の層間絶縁膜３８（図４参照）と一体に形成されている。このため、層間絶縁膜６２は、層間絶縁膜３８と同じ材料によって形成されている。また、層間絶縁膜６２は、外周領域１２の全体を覆っている。このため、層間絶縁膜６２は、コンタクト領域４４を覆っている。本実施形態では、層間絶縁膜６２の膜厚は、絶縁膜６１の膜厚よりも薄い。なお、層間絶縁膜６２の膜厚および絶縁膜６１の膜厚はそれぞれ任意に変更可能である。絶縁膜６１の膜厚が層間絶縁膜６２の膜厚以下であってもよい。層間絶縁膜６２は、たとえば、ＮＳＧ（None-doped Silicate Glass）、ＢＰＳＧ（Boron Phosphorous Silicate Glass）によって構成されている。外部配線５２上には、パッシベーション膜１５が設けられている。パッシベーション膜１５は、外部配線５２の全体を覆っている。
【0088】
外部配線５２は、たとえばソース電極２１およびゲート電極２２（ともに図２参照）と共通の金属膜によって形成されている。金属膜は、たとえばＡｌＣｕを含む材料によって形成されている。
【0089】
外部配線５２は、ｚ方向から視て、内部配線５１と重なる位置に設けられている。このため、外部配線５２は、ｚ方向から視て、非コラム領域４１に位置している。外部配線５２の厚さは、内部配線５１の厚さよりも厚い。外部配線５２の厚さは、絶縁膜６１の厚さおよび層間絶縁膜６２の厚さの双方よりも厚い。
【0090】
図７に示すように、外部配線５２のうち最外周配線部５４を覆う部分は、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａ（図６参照）を覆うように設けられている。一方、図８に示すように、外部配線５２のうち包囲配線部５３を覆う部分は、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａよりも外方に位置するように設けられている。図２に示すように、ｚ方向から視て、外部配線５２は、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂ（図６参照）を覆うように形成されている。
【0091】
図８に示すように、外部配線５２は、内部配線５１と接続する第１外部コンタクト部５２Ａと、コンタクト領域４４と接続する第２外部コンタクト部５２Ｂと、を有している。
第１外部コンタクト部５２Ａは、層間絶縁膜６２を膜厚方向（ｚ方向）に貫通するように設けられている。図６に示すように、第１外部コンタクト部５２Ａは、特定領域４３に設けられている。一方、第１外部コンタクト部５２Ａは、特定領域４３以外の領域には設けられていない。このため、第１外部コンタクト部５２Ａは、耐圧構造領域４２を囲む環状には形成されていない。
第１外部コンタクト部５２Ａは、層間絶縁膜６２を膜厚方向（ｚ方向）に貫通するように設けられている。図６に示すように、第１外部コンタクト部５２Ａは、特定領域４３に設けられている。一方、第１外部コンタクト部５２Ａは、特定領域４３以外の領域には設けられていない。このため、第１外部コンタクト部５２Ａは、耐圧構造領域４２を囲む環状には形成されていない。
【0092】
第１外部コンタクト部５２Ａは、ｚ方向から視て包囲配線部５３と重なる位置に設けられている。第１外部コンタクト部５２Ａは、包囲配線部５３に接続されている。第１外部コンタクト部５２Ａは、ｚ方向から視て、コンタクト領域４４を囲むように形成されている。
【0093】
図９に示すように、第１外部コンタクト部５２Ａは、内部コンタクト部５１Ａに対してコンタクト領域４４寄りに設けられている。対角線ＤＬに沿う方向において、第１外部コンタクト部５２Ａは、内部コンタクト部５１Ａとコンタクト領域４４との間に設けられているといえる。このため、内部コンタクト部５１Ａは、第１外部コンタクト部５２Ａよりも耐圧構造領域４２の外周縁４２ａ寄りに設けられているといえる。
【0094】
第１外部コンタクト部５２Ａは、包囲配線部５３の第１部分５３Ａが延びる方向（ｚ方向から視て対角線ＤＬと直交する方向）に延びる第１部分５２ＡＡと、ｘ方向に延びる第２部分５２ＡＢと、ｙ方向に延びる第３部分５２ＡＣと、を有している。
【0095】
第１部分５２ＡＡは、ｚ方向から視て、内部コンタクト部５１Ａの第１部分５１ＡＡと平行となる。第１部分５２ＡＡは、対角線ＤＬに沿う方向において内部コンタクト部５１Ａの第１部分５１ＡＡとコンタクト領域４４との間に設けられている。第１部分５２ＡＡは、対角線ＤＬに沿う方向においてコンタクト領域４４よりも内部コンタクト部５１Ａの第１部分５１ＡＡ寄りに形成されている。
【0096】
第２部分５２ＡＢは、ｙ方向において内部コンタクト部５１Ａの第２部分５１ＡＢとコンタクト領域４４との間に設けられている。第２部分５２ＡＢは、ｙ方向においてコンタクト領域４４よりも内部コンタクト部５１Ａの第２部分５１ＡＢ寄りに形成されている。
【0097】
第３部分５２ＡＣは、ｘ方向において内部コンタクト部５１Ａの第３部分５１ＡＣとコンタクト領域４４との間に設けられている。第３部分５２ＡＣは、ｘ方向においてコンタクト領域４４よりも内部コンタクト部５１Ａの第３部分５１ＡＣ寄りに形成されている。
【0098】
図８に示すように、内部配線５１上に形成された層間絶縁膜６２には、内部配線５１を露出する開口部６２Ａが形成されている。第１外部コンタクト部５２Ａは、層間絶縁膜６２の開口部６２Ａを介して内部配線５１に接している。
【0099】
第２外部コンタクト部５２Ｂは、特定領域４３に設けられている。より詳細には、第２外部コンタクト部５２Ｂは、ｚ方向から視て、コンタクト領域４４と重なる位置に設けられている。図９に示すように、第２外部コンタクト部５２Ｂは、内部配線５１よりも外周領域１２の外周縁寄りに設けられている。また、第２外部コンタクト部５２Ｂは、第１外部コンタクト部５２Ａよりも外周領域１２の外周縁寄りに設けられている。第１外部コンタクト部５２Ａは、ｚ方向から視て、第２外部コンタクト部５２Ｂを囲むように形成されているといえる。
【0100】
図８に示すように、コンタクト領域４４上に形成された層間絶縁膜６２には、コンタクト領域４４を露出する開口部６２Ｂが形成されている。第２外部コンタクト部５２Ｂは、層間絶縁膜６２の開口部６２Ｂを介してコンタクト領域４４に接している。本実施形態では、第２外部コンタクト部５２Ｂの先端は、半導体層３０の厚さ方向（ｚ方向）にコンタクト領域４４を貫通して第２ウェル領域４６に接している。第２外部コンタクト部５２Ｂの側面は、コンタクト領域４４と接している。
【0101】
図６および図７に示すように、第１外部コンタクト部５２Ａおよび第２外部コンタクト部５２Ｂの双方は、特定領域４３以外の領域には設けられていない。つまり、図７に示すように、特定領域４３以外の領域においては、内部配線５１が外周領域１２の最外周に位置している。
【0102】
（作用）
図６および図１０～図１２を参照して、本実施形態の作用について説明する。
図１０は第１比較例の半導体装置１０Ｘの外周領域のコーナ部分を示し、図１１は第２比較例の半導体装置１０Ｙの外周領域のコーナ部分を示している。以下の説明においては、各比較例の半導体装置１０Ｘ，１０Ｙにおいて、第１実施形態の半導体装置１０と共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
図６および図１０～図１２を参照して、本実施形態の作用について説明する。
図１０は第１比較例の半導体装置１０Ｘの外周領域のコーナ部分を示し、図１１は第２比較例の半導体装置１０Ｙの外周領域のコーナ部分を示している。以下の説明においては、各比較例の半導体装置１０Ｘ，１０Ｙにおいて、第１実施形態の半導体装置１０と共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0103】
図１０に示すように、第１比較例の半導体装置１０Ｘにおいては、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃに対応するＳＪ領域３３が対角線ＤＬに沿った方向に凸となる湾曲状に形成されている。つまり、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃに対応する耐圧構造領域４２の外周縁４２ａが対角線ＤＬに沿った方向に凸となる湾曲状に形成されている。ここで、図１０に示すように、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａのうちコーナ部分１２Ｃに対応する領域の全てが円弧で形成されると、対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬＸ１は、外周領域１２の一辺に垂直な耐圧構造領域４２の幅寸法である長さＬＸ２と等しい。
【0104】
ここで、耐圧構造領域４２のうち外周領域１２のコーナ部分１２Ｃに対応する領域では、半導体層３０の電界は、ｘ方向またはｙ方向よりも対角線ＤＬに沿った方向に延びる。このため、対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬＸ１に対して、半導体層３０において空乏層が十分に伸びることができない。その結果、想定されたブレイクダウン時の電圧よりも低い電圧でリーク電流が生じてしまう。
【0105】
対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さを長くするため、図１１に示すように、第２比較例の半導体装置１０Ｙにおいては、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａのうちコーナ部分１２Ｃに対応する領域が矩形状に形成されている。これにより、対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬＹ１は、外周領域１２の一辺に垂直な方向（ｘ方向またはｙ方向）における耐圧構造領域４２の長さＬＹ２よりも長くなる。
【0106】
第２比較例の半導体装置１０Ｙでは、ｚ方向から視て、耐圧構造領域４２を囲むように内部配線５１が設けられている。さらに、ｚ方向から視て、内部配線５１を囲むようにコンタクト領域４４が設けられている。加えて、外部配線５２の第１外部コンタクト部５２Ａは内部配線５１に沿って環状に形成され、第２外部コンタクト部５２Ｂはコンタクト領域４４に沿って環状に形成されている。
【0107】
図１１に示すように、第２比較例の半導体装置１０Ｙでは、外周領域１２の全周にわたり内部配線５１とコンタクト領域４４とが並ぶように設けられている。このため、第２比較例の半導体装置１０Ｙは、大型化してしまう。加えて、外周領域１２の全周にわたり第１外部コンタクト部５２Ａが形成されているため、内部配線５１は、外周領域１２の全周にわたり内部コンタクト部５１Ａと第１外部コンタクト部５２Ａとが並ぶように設けられている。このため、内部配線５１は、外周領域１２の全周にわたり内部コンタクト部５１Ａと第１外部コンタクト部５２Ａとを形成するためのスペースが必要となる。その結果、半導体装置１０Ｙの全周にわたって幅寸法の大きな外周領域１２が必要となり、半導体装置１０Ｙの小型化を妨げてしまう。
【0108】
この点、図６に示すように、本実施形態の半導体装置１０では、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃに特定領域４３を設定したため、耐圧構造領域４２の必要な長さＬ１，Ｌ２を確保しつつ、コンタクト領域４４および各外部コンタクト部５２Ａ，５２Ｂを形成する領域を確保できる。また、ｚ方向から視た特定領域４３の形状が矩形状であるとしても、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａの凹部４２ｂとアクティブ領域１１との間の最短距離となる耐圧構造領域４２の長さＬ１を確保できる。したがって、想定されたブレイクダウン時の電圧よりも低い電圧でリーク電流が生じることを抑制できる。このように、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂの大きさ、換言すると特定領域４３の大きさは、耐圧構造領域４２の長さＬ１が耐圧構造領域４２の長さＬ２よりも長くなり、かつ想定されたブレイクダウン時の電圧よりも低い電圧でリーク電流が生じることを抑制できる長さとなるように設定されている。
【0109】
また、本実施形態の半導体装置１０では、特定領域４３は、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃのみに形成されており、外周領域１２の全周にわたり形成されていない。つまり、本実施形態の半導体装置１０では、特定領域４３に形成されたコンタクト領域４４は、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃのみに形成されており、外周領域１２の全周にわたり形成されていない。このため、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃ以外の領域では、外周領域１２の最外周に内部配線５１が形成されている。換言すると、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃ以外の領域では、ｚ方向から視て、内部配線５１は、第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄと隣り合う位置に形成されている。これにより、図１２に示すように、本実施形態の半導体装置１０は、第２比較例の半導体装置１０Ｙと比較して、コンタクト領域４４の分だけ非コラム領域４１を小さくすることができる。
【0110】
加えて、図６に示すように、本実施形態の半導体装置１０では、特定領域４３に形成された外部配線５２の第１外部コンタクト部５２Ａおよび第２外部コンタクト部５２Ｂの双方は、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃのみに形成されており、外周領域１２の全周にわたり形成されていない。これにより、図１２に示すように、本実施形態の半導体装置１０の外周領域１２のコーナ部分１２Ｃ以外の領域における内部配線５１の幅寸法ＷＤは、第２比較例の半導体装置１０Ｙの外周領域１２のコーナ部分１２Ｃ（図１１参照）以外の領域における内部配線５１の幅寸法ＷＤよりも小さくなる。このため、非コラム領域４１の幅寸法をさらに小さくすることができる。したがって、図１２に示すとおり、本実施形態の半導体装置１０は、第２比較例の半導体装置１０Ｙと比較して、外周領域１２を小さくすることができる。
【0111】
（効果）
本実施形態の半導体装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）半導体装置１０は、アクティブ領域１１と、アクティブ領域１１を囲むように枠状に形成されかつ第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄを有する外周領域１２と、を有する半導体層３０を備えている。外周領域１２には、耐圧構造が形成された耐圧構造領域４２と、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａから凹んだ特定領域４３と、が形成されている。特定領域４３内における半導体層３０の表面３０ｓには、コンタクト領域４４が形成されている。外周領域１２の最外周領域を構成する非コラム領域４１には、コンタクト領域４４と電気的に接続された配線５０が形成されている。
本実施形態の半導体装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）半導体装置１０は、アクティブ領域１１と、アクティブ領域１１を囲むように枠状に形成されかつ第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄを有する外周領域１２と、を有する半導体層３０を備えている。外周領域１２には、耐圧構造が形成された耐圧構造領域４２と、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａから凹んだ特定領域４３と、が形成されている。特定領域４３内における半導体層３０の表面３０ｓには、コンタクト領域４４が形成されている。外周領域１２の最外周領域を構成する非コラム領域４１には、コンタクト領域４４と電気的に接続された配線５０が形成されている。
【0112】
この構成によれば、非コラム領域４１には、配線５０が形成されている一方、コンタクト領域４４が形成されていない。これにより、外周領域１２の全周にわたりコンタクト領域４４が形成される構成と比較して、半導体装置１０の小型化を図ることができる。
【0113】
（１－２）特定領域４３は、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃに形成されている。
この構成によれば、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃにおいては半導体層３０のうちアクティブ領域１１と第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄ（装置側面１０ａ～１０ｄ）との間の距離が大きくなるため、特定領域４３がコーナ部分１２Ｃに形成されたとしても、外周領域１２の対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬ１を確保できる。したがって、想定されたブレイクダウン時の電圧よりも低い電圧でリーク電流が生じることを抑制できる。
この構成によれば、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃにおいては半導体層３０のうちアクティブ領域１１と第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄ（装置側面１０ａ～１０ｄ）との間の距離が大きくなるため、特定領域４３がコーナ部分１２Ｃに形成されたとしても、外周領域１２の対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬ１を確保できる。したがって、想定されたブレイクダウン時の電圧よりも低い電圧でリーク電流が生じることを抑制できる。
【0114】
（１－３）外周領域１２の対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬ１は、外周領域１２の一辺に垂直な方向における耐圧構造領域４２の長さＬ２よりも長い。
この構成によれば、電界が広がりやすい対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬ１が長くなることによって、想定されたブレイクダウン電圧よりも低い電圧でリーク電流が生じることを抑制できる。
この構成によれば、電界が広がりやすい対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬ１が長くなることによって、想定されたブレイクダウン電圧よりも低い電圧でリーク電流が生じることを抑制できる。
【0115】
（１－４）特定領域４３は、複数形成されている。
この構成によれば、外部配線５２とドレイン電極２３とを安定して電気的に接続することができる。
この構成によれば、外部配線５２とドレイン電極２３とを安定して電気的に接続することができる。
【0116】
（１－５）外部配線５２は、内部配線５１と接続する第１外部コンタクト部５２Ａと、コンタクト領域４４と接続する第２外部コンタクト部５２Ｂと、を有している。第１外部コンタクト部５２Ａおよび第２外部コンタクト部５２Ｂの双方は、特定領域４３に設けられている。
【0117】
この構成によれば、外周領域１２のうち特定領域４３以外の領域に第１外部コンタクト部５２Ａおよび第２外部コンタクト部５２Ｂが設けられていないため、外周領域１２の幅寸法（ｚ方向から視て、外周領域１２が延びる方向と直交する方向の寸法）を小さくすることができる。したがって、半導体装置１０の小型化を図ることができる。
【0118】
（１－６）第１外部コンタクト部５２Ａは、内部配線５１の包囲配線部５３に接続されている。
この構成によれば、第１外部コンタクト部５２Ａおよび包囲配線部５３ともに特定領域４３に形成されているため、包囲配線部５３に接続された第１外部コンタクト部５２Ａの長さを短くできる。
この構成によれば、第１外部コンタクト部５２Ａおよび包囲配線部５３ともに特定領域４３に形成されているため、包囲配線部５３に接続された第１外部コンタクト部５２Ａの長さを短くできる。
【0119】
（１－７）第１外部コンタクト部５２Ａは、コンタクト領域４４を囲むように形成されている。
この構成によれば、ｚ方向から視て、第１外部コンタクト部５２Ａの面積を大きくすることができる。したがって、第１外部コンタクト部５２Ａにおける電気抵抗の増加を抑制できる。
この構成によれば、ｚ方向から視て、第１外部コンタクト部５２Ａの面積を大きくすることができる。したがって、第１外部コンタクト部５２Ａにおける電気抵抗の増加を抑制できる。
【0120】
（１－８）耐圧構造領域４２の内周縁４２ｃは、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃに向けて湾曲凸状となる湾曲部４２ｄを含んでいる。
この構成によれば、耐圧構造領域４２の内周縁４２ｃが湾曲部４２ｄを含まない矩形状に形成された場合と比較して、外周領域１２の対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬ１を大きくすることができる。これにより、想定されるブレイクダウン電圧よりも低い電圧でリーク電流が発生することを抑制できる。
この構成によれば、耐圧構造領域４２の内周縁４２ｃが湾曲部４２ｄを含まない矩形状に形成された場合と比較して、外周領域１２の対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬ１を大きくすることができる。これにより、想定されるブレイクダウン電圧よりも低い電圧でリーク電流が発生することを抑制できる。
【0121】
（１－９）外周領域１２のうち第１外周縁１２ａおよび第３外周縁１２ｃを含むコーナ部分１２Ｃに形成されたコンタクト領域４４は、第１外周縁１２ａおよび第３外周縁１２ｃを含む領域に形成されている。
【0122】
この構成によれば、コンタクト領域４４が外周領域１２のコーナ部分１２Ｃのうち外周領域１２の外周縁を含む位置に形成されるため、対角線ＤＬに沿う方向において耐圧構造領域４２の凹部４２ｂの位置を第１外周縁１２ａおよび第３外周縁１２ｃ寄りに設けることができる。これにより、ｚ方向から視たコンタクト領域４４の面積を確保しつつ、対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬ１を大きくすることができる。なお、他のコーナ部分１２Ｃに形成されたコンタクト領域４４も同様に外周領域１２の第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄを含む位置に形成されるため、同様の効果が得られる。
【0123】
（１－１０）コンタクト領域４４のうち対角線ＤＬに沿う方向において耐圧構造領域４２と隣り合う部分は、面取りされた傾斜部４４ａを含んでいる。内部配線５１の包囲配線部５３のうちコンタクト領域４４の傾斜部４４ａに隣り合う部分は、傾斜部４４ａに沿って延びている。
【0124】
この構成によれば、包囲配線部５３の幅寸法を大きくできるとともに耐圧構造領域４２の凹部４２ｂを小さくすることができる。これにより、対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬ１を大きくすることができる。
【0125】
［第２実施形態］
図１３～図１６を参照して、第２実施形態の半導体装置１０について説明する。本実施形態の半導体装置１０は、第１実施形態の半導体装置１０と比較して、特定領域４３の位置が異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体装置１０と共通の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図１３～図１６を参照して、第２実施形態の半導体装置１０について説明する。本実施形態の半導体装置１０は、第１実施形態の半導体装置１０と比較して、特定領域４３の位置が異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体装置１０と共通の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
【0126】
図１３に示すように、アクティブ領域１１を囲む外周領域１２のうち耐圧構造領域４２の外周縁４２ａには、４個の凹部４２ｂが設けられている。凹部４２ｂは、外周領域１２のうち第１外周縁１２ａのｙ方向の中央、第２外周縁１２ｂのｙ方向の中央、第３外周縁１２ｃのｘ方向の中央、および第４外周縁１２ｄのｘ方向の中央にそれぞれ設けられている。
【0127】
特定領域４３は、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａの凹部４２ｂに対応する箇所に設けられている。すなわち、特定領域４３は、耐圧構造領域４２のうち第１外周縁１２ａのｙ方向の中央、第２外周縁１２ｂのｙ方向の中央、第３外周縁１２ｃのｘ方向の中央、および第４外周縁１２ｄのｘ方向の中央の４箇所に設けられている。つまり、特定領域４３は、複数形成されている。特定領域４３は、ｚ方向から視て、耐圧構造領域４２の外周縁４２ａから半導体装置１０の内側に向けて凹んだ領域であるともいえる。一方、本実施形態では、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃには特定領域４３が形成されていない。
【0128】
図１４および図１５は、半導体層３０の表面３０ｓにおいて、外周領域１２のうち第３外周縁１２ｃのｘ方向の中央に設けられた特定領域４３、および第２外周縁１２ｂと第３外周縁１２ｃとからなるコーナ部分１２Ｃの拡大図を示している。
【0129】
図１４に示すように、ｚ方向から視た特定領域４３の形状は、ｘ方向が長辺となり、ｙ方向が短辺となる矩形状である。特定領域４３には、コンタクト領域４４が形成されている。本実施形態では、コンタクト領域４４は、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃには形成されていない。また、コンタクト領域４４は、耐圧構造領域４２を囲む環状に形成されていない。コンタクト領域４４は、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂよりも外方に設けられている。図示された例においては、コンタクト領域４４は、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂよりも第３外周縁１２ｃ寄りに設けられている。ｚ方向から視たコンタクト領域４４の形状は、ｘ方向が長辺となり、ｙ方向が短辺となる矩形状である。つまり、コンタクト領域４４は、外周領域１２の第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄのうち最も近い外周縁に沿う方向を長辺とし、当該外周縁と直交する方向を短辺とする矩形状に形成されているといえる。また、コンタクト領域４４は、ｚ方向から視て、半導体装置１０のうち最も近い装置側面に沿う方向が長辺となり、ｚ方向から視て当該装置側面と直交する方向が短辺となる矩形状に形成されているともいえる。
【0130】
耐圧構造領域４２の凹部４２ｂは、コンタクト領域４４に向けて開口している。ｚ方向から視た凹部４２ｂの形状は、短辺および長辺を有する矩形凹状となる。凹部４２ｂの長辺は、第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄ（図１３参照）のうち凹部４２ｂに対応する外周縁に沿う方向に延びている。第１外周縁１２ａおよび第２外周縁１２ｂに対応する凹部４２ｂのｚ方向から視た形状は、ｙ方向が長辺となり、ｘ方向が短辺となる矩形凹状である。第３外周縁１２ｃおよび第４外周縁１２ｄに対応する凹部４２ｂのｚ方向から視た形状は、ｙ方向が短辺となり、ｘ方向が長辺となる矩形凹状である。つまり、図１４に示すとおり、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂの深さ寸法Ｈは、凹部４２ｂの開口幅Ｗよりも小さい。凹部４２ｂの開口幅Ｗは、コンタクト領域４４の長辺の長さよりも大きい。
【0131】
図１６に示すように、コンタクト領域４４の直下には、第１実施形態と同様に、第１ウェル領域４５および第２ウェル領域４６が形成されている。第１ウェル領域４５および第２ウェル領域４６の双方は、コンタクト領域４４と重なる位置に設けられている。つまり、本実施形態では、第１ウェル領域４５および第２ウェル領域４６の双方は、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃには形成されていない。また、第１ウェル領域４５は、ｚ方向から視て、特定領域４３内に設けられている。つまり、第１ウェル領域４５は、ｚ方向から視て、特定領域４３からはみ出していない。
【0132】
図１４に示すように、耐圧構造領域４２の内周縁４２ｃは、アクティブ領域１１の外枠形状に沿った形状となる。つまり、耐圧構造領域４２の内周縁４２ｃは、第１実施形態と同様に、湾曲部４２ｄを有する略矩形枠状である。このため、外周領域１２の対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬ１は、外周領域１２の一辺に垂直な方向における耐圧構造領域４２の長さＬ２よりも長くなる。
【0133】
図１５に示すように、本実施形態では、等電位リング２６の配線５０における内部配線５１は、第１実施形態の内部配線５１と比較して、ｚ方向から視た形状が異なる。一方、内部配線５１を構成する材料は、第１実施形態の内部配線５１と同じである。
【0134】
本実施形態の内部配線５１は、第１実施形態と同様に、包囲配線部５３および最外周配線部５４を有している。なお、便宜上、包囲配線部５３と最外周配線部５４との境界を一点鎖線で示している。
【0135】
包囲配線部５３は、第１実施形態とは異なり、コーナ部分１２Ｃに設けられていない。図１３に示すように、包囲配線部５３は、各特定領域４３に対応する位置、すなわち耐圧構造領域４２のうち第１外周縁１２ａのｙ方向の中央、第２外周縁１２ｂのｙ方向の中央、第３外周縁１２ｃのｘ方向の中央、および第４外周縁１２ｄのｘ方向の中央の４箇所に設けられている。
【0136】
図１５に示すように、包囲配線部５３は、特定領域４３に設けられ、コンタクト領域４４を包囲するように形成されている。図示された例においては、包囲配線部５３は、ｙ方向においてコンタクト領域４４と隣り合う第１部分５３Ａと、ｘ方向においてコンタクト領域４４と隣り合う第２部分５３Ｂおよび第３部分５３Ｃと、を有している。第１部分５３Ａは、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂに入り込んだ部分である。
【0137】
本実施形態では、第１部分５３Ａの幅寸法ＷＡは、第２部分５３Ｂの幅寸法ＷＢよりも大きい。第１部分５３Ａの幅寸法ＷＡは、第３部分５３Ｃの幅寸法ＷＣよりも大きい。第１部分５３Ａの幅寸法ＷＡは、最外周配線部５４の幅寸法ＷＤよりも大きい。第２部分５３Ｂの幅寸法ＷＢおよび第３部分５３Ｃの幅寸法ＷＣは、最外周配線部５４の幅寸法ＷＤと等しい。
【0138】
ここで、第１部分５３Ａの幅寸法ＷＡは、ｚ方向から視て、第１部分５３Ａが延びる方向（ｘ方向）と直交する方向（ｙ方向）の寸法によって定義できる。第２部分５３Ｂの幅寸法ＷＢは、ｚ方向から視て、第２部分５３Ｂが延びる方向（ｙ方向）と直交する方向（ｘ方向）の寸法によって定義できる。第３部分５３Ｃの幅寸法ＷＣは、ｚ方向から視て、第３部分５３Ｃが延びる方向（ｙ方向）と直交する方向（ｘ方向）の寸法によって定義できる。図示された例において、最外周配線部５４の幅寸法ＷＤは、最外周配線部５４が延びる方向（たとえばｘ方向）と直交する方向（たとえばｙ方向）の寸法によって定義できる。
【0139】
最外周配線部５４は、内部配線５１のうち包囲配線部５３以外の部分である。このため、本実施形態では、最外周配線部５４は、第１実施形態とは異なり、コーナ部分１２Ｃに設けられている。
【0140】
内部配線５１の内部コンタクト部５１Ａは、内部配線５１の幅方向における内部配線５１の中央よりも耐圧構造領域４２寄りに形成されている。内部コンタクト部５１Ａは、耐圧構造領域４２を囲む環状に形成されている。包囲配線部５３における内部コンタクト部５１Ａは、ｚ方向から視て、包囲配線部５３と同様の形状に形成されている。
【0141】
図１３に示すように、外部配線５２は、半導体層３０の表面３０ｓの外周縁に沿って延びる環状に形成されている。外部配線５２は、特定領域４３を覆うように形成されている。このため、外部配線５２のうち特定領域４３に対応する第１外部配線５２Ｃの幅寸法ＷＰは、外部配線５２のうち特定領域４３以外の領域に対応する第２外部配線５２Ｄの幅寸法ＷＱよりも大きい。
【0142】
外部配線５２は、第１実施形態と同様に、内部配線５１と接続する第１外部コンタクト部５２Ａと、コンタクト領域４４と接続する第２外部コンタクト部５２Ｂと、を有している。
【0143】
図１６に示すように、第１外部コンタクト部５２Ａは、層間絶縁膜６２を膜厚方向（ｚ方向）に貫通して内部配線５１と接している。図１５に示すように、第１外部コンタクト部５２Ａは、特定領域４３に設けられている。一方、第１外部コンタクト部５２Ａは、特定領域４３以外の領域には設けられていない。このため、第１外部コンタクト部５２Ａは、耐圧構造領域４２を囲む環状には形成されていない。
【0144】
第１外部コンタクト部５２Ａは、ｚ方向から視て包囲配線部５３と重なる位置に設けられている。第１外部コンタクト部５２Ａは、包囲配線部５３に接続されている。
第１外部コンタクト部５２Ａは、内部コンタクト部５１Ａに対してコンタクト領域４４寄りに設けられている。第１外部コンタクト部５２Ａは、内部コンタクト部５１Ａとコンタクト領域４４との間に設けられているといえる。このため、内部コンタクト部５１Ａは、第１外部コンタクト部５２Ａよりも耐圧構造領域４２の外周縁４２ａ寄りに設けられているといえる。第１外部コンタクト部５２Ａは、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂに入り込んでいる。
第１外部コンタクト部５２Ａは、内部コンタクト部５１Ａに対してコンタクト領域４４寄りに設けられている。第１外部コンタクト部５２Ａは、内部コンタクト部５１Ａとコンタクト領域４４との間に設けられているといえる。このため、内部コンタクト部５１Ａは、第１外部コンタクト部５２Ａよりも耐圧構造領域４２の外周縁４２ａ寄りに設けられているといえる。第１外部コンタクト部５２Ａは、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂに入り込んでいる。
【0145】
第２外部コンタクト部５２Ｂは、特定領域４３に設けられている。より詳細には、第２外部コンタクト部５２Ｂは、ｚ方向から視て、コンタクト領域４４と重なる位置に設けられている。第２外部コンタクト部５２Ｂは、内部配線５１よりも外周領域１２の外周縁寄りに設けられている。また、第２外部コンタクト部５２Ｂは、第１外部コンタクト部５２Ａよりも外周領域１２の外周縁寄りに設けられている。図１６に示すとおり、第２外部コンタクト部５２Ｂの先端は、第１実施形態と同様に、コンタクト領域４４および第２ウェル領域４６の双方に接している。
【0146】
（効果）
本実施形態の半導体装置１０によれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果が得られる。
本実施形態の半導体装置１０によれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果が得られる。
【0147】
（２－１）特定領域４３は、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃとは異なる位置に設けられている。
この構成によれば、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃにおける耐圧構造領域４２に凹部４２ｂが形成されていないため、対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬ１を長くすることができる。
この構成によれば、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃにおける耐圧構造領域４２に凹部４２ｂが形成されていないため、対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬ１を長くすることができる。
【0148】
（２－２）耐圧構造領域４２の外周縁４２ａの凹部４２ｂの深さ寸法Ｈは、凹部４２ｂの開口幅Ｗよりも小さい。
この構成によれば、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂの底部と耐圧構造領域４２の内周縁４２ｃとの間の距離である耐圧構造領域４２の幅寸法の低減を抑制できる。したがって、想定されたブレイクダウン時の電圧よりも低い電圧でリーク電流が生じることを抑制できるとともに半導体装置１０の小型化を図ることができる。
この構成によれば、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂの底部と耐圧構造領域４２の内周縁４２ｃとの間の距離である耐圧構造領域４２の幅寸法の低減を抑制できる。したがって、想定されたブレイクダウン時の電圧よりも低い電圧でリーク電流が生じることを抑制できるとともに半導体装置１０の小型化を図ることができる。
【0149】
（２－３）第３外周縁１２ｃに対応するコンタクト領域４４は、第３外周縁１２ｃから半導体装置１０の内側に向かい、かつｚ方向から視て、第３外周縁１２ｃが延びる方向を長辺とする矩形状に形成されている。
【0150】
この構成によれば、第３外周縁１２ｃに対応するコンタクト領域４４の短辺は、ｚ方向から視て第３外周縁１２ｃと直交する方向となるため、当該コンタクト領域４４に隣り合う耐圧構造領域４２の凹部４２ｂの深さ寸法Ｈを小さくすることができる。したがって、耐圧構造領域４２のうち凹部４２ｂが形成された部分の幅寸法の低減を抑制できる。なお、第１外周縁１２ａに対応するコンタクト領域４４、第２外周縁１２ｂに対応するコンタクト領域４４、および第４外周縁１２ｄに対応するコンタクト領域４４についても同様の効果が得られる。
【0151】
［変更例］
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。また、上記各実施形態および以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。また、上記各実施形態および以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
【0152】
・第１実施形態において、包囲配線部５３から第２部分５３Ｂおよび第３部分５３Ｃの少なくとも一方を省略してもよい。この場合、第１部分５３Ａは最外周配線部５４に接続されている。また、包囲配線部５３から第１部分５３Ａを省略してもよい。この場合、第２部分５３Ｂと第３部分５３Ｃとが互いに接続されている。
【0153】
・第１実施形態において、特定領域４３におけるコンタクト領域４４の形状および内部配線５１の包囲配線部５３の形状はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、図１７に示すように、コンタクト領域４４の形状は、三角形状であってもよい。より詳細には、コンタクト領域４４は、ｚ方向から視て第１外周縁１２ａを含む第１辺４４ｐ、ｚ方向から視て第３外周縁１２ｃを含む第２辺４４ｑ、および第１辺４４ｐと第２辺４４ｑとを結ぶ第３辺４４ｒと、を有している。図示された例においては、第３辺４４ｒは、対角線ＤＬを跨ぐとともにｚ方向から視て対角線ＤＬと直交する方向に延びている。
【0154】
内部配線５１の包囲配線部５３は、コンタクト領域４４の第３辺４４ｒが延びる方向に沿った方向に延びている。
内部配線５１の内部コンタクト部５１Ａの第１部分５１ＡＡは、ｚ方向から視て包囲配線部５３と重なる位置に設けられている。第１部分５１ＡＡは、包囲配線部５３の幅方向において包囲配線部５３の中央よりも耐圧構造領域４２寄りに設けられている。ここで、包囲配線部５３の幅方向は、対角線ＤＬに沿った方向である。
内部配線５１の内部コンタクト部５１Ａの第１部分５１ＡＡは、ｚ方向から視て包囲配線部５３と重なる位置に設けられている。第１部分５１ＡＡは、包囲配線部５３の幅方向において包囲配線部５３の中央よりも耐圧構造領域４２寄りに設けられている。ここで、包囲配線部５３の幅方向は、対角線ＤＬに沿った方向である。
【0155】
外部配線５２の第１外部コンタクト部５２Ａは、ｚ方向から視て包囲配線部５３と重なる位置に設けられており、コンタクト領域４４の第３辺４４ｒが延びる方向に沿った方向に延びている。第１外部コンタクト部５２Ａは、包囲配線部５３の幅方向において内部コンタクト部５１Ａとコンタクト領域４４との間に設けられている。
【0156】
耐圧構造領域４２の外周縁４２ａのうち外周領域１２のコーナ部分１２Ｃに対応する部分には、外周縁４２ａが凹んだ部分として面取りされた傾斜部４２ｅが形成されている。図示された例においては、傾斜部４２ｅは、コンタクト領域４４の第３辺４４ｒが延びる方向に沿った方向に延びている。この場合、特定領域４３は、傾斜部４２ｅと、第１外周縁１２ａと、第３外周縁１２ｃとによって囲まれた領域として形成されている。
【0157】
・第２実施形態において、外部配線５２の第１外部コンタクト部５２Ａの形状は任意に変更可能である。一例では、図１８に示すように、第１外部コンタクト部５２Ａは、ｚ方向から視て、コンタクト領域４４を囲うように形成されていてもよい。より詳細には、ｚ方向から視た第１外部コンタクト部５２Ａの形状は、コンタクト領域４４に向けて開口する凹形状である。コンタクト領域４４は、第１外部コンタクト部５２Ａの凹部内に入り込んでいるともいえる。
【0158】
第１外部コンタクト部５２Ａは、コンタクト領域４４の長辺方向に延びる第１部分５２ＡＡと、第１部分５２ＡＡの第１端部から第３外周縁１２ｃに向けて延びる第２部分５２ＡＢと、第１部分５２ＡＡの第２端部から第３外周縁１２ｃに向けて延びる第３部分５２ＡＣと、を有している。ここで、第１部分５２ＡＡの第１端部および第２端部は、第１部分５２ＡＡが延びる方向の両端部のうちいずれかである。図示された例においては、第１部分５２ＡＡの第１端部は、第１部分５２ＡＡが延びる方向における第１外周縁１２ａ（図１３参照）寄りの端部である。第１部分５２ＡＡの第２端部は、第１部分５２ＡＡが延びる方向における第２外周縁１２ｂ（図１３参照）寄りの端部である。また、図示された例においては、第１部分５２ＡＡ、第２部分５２ＡＢ、および第３部分５２ＡＣは一体に形成されている。
【0159】
第１部分５２ＡＡは、ｚ方向から視て、内部配線５１の包囲配線部５３の第１部分５３Ａと重なる位置に設けられている。第１部分５２ＡＡが延びる方向における第１部分５２ＡＡの長さは、コンタクト領域４４の長辺の長さよりも長い。
【0160】
第２部分５２ＡＢは、ｚ方向から視て、包囲配線部５３の第１部分５３Ａおよび第２部分５３Ｂと重なる位置に設けられている。第２部分５２ＡＢは、ｚ方向から視て、内部配線５１の内部コンタクト部５１Ａとコンタクト領域４４とのｘ方向の間に設けられている。このため、図示された例においては、包囲配線部５３の第２部分５３Ｂの幅寸法は、第２実施形態の包囲配線部５３の第２部分５３Ｂの幅寸法よりも大きい。一例では、包囲配線部５３の第２部分５３Ｂの幅寸法は、第１部分５３Ａの幅寸法と等しい。
【0161】
第３部分５２ＡＣは、ｚ方向から視て、包囲配線部５３の第１部分５３Ａおよび第３部分５３Ｃと重なる位置に設けられている。第３部分５２ＡＣは、ｚ方向から視て、内部コンタクト部５１Ａとコンタクト領域４４とのｘ方向の間に設けられている。このため、図示された例においては、包囲配線部５３の第３部分５３Ｃの幅寸法は、第２実施形態の包囲配線部５３の第３部分５３Ｃの幅寸法よりも大きい。包囲配線部５３の第３部分５３Ｃの幅寸法は、第１部分５３Ａの幅寸法と等しい。
【0162】
・各実施形態において、第２ウェル領域４６を省略してもよい。この場合、外部配線５２の第２外部コンタクト部５２Ｂは第１ウェル領域４５と接する。また、第１ウェル領域４５および第２ウェル領域４６の双方を省略してもよい。この場合、第２外部コンタクト部５２Ｂの先端は、コンタクト領域４４に接している。つまり、第２外部コンタクト部５２Ｂはコンタクト領域４４を貫通していない。
【0163】
・各実施形態において、特定領域４３の個数は任意に変更可能である。一例では、特定領域４３は、１個、２個、または３個であってもよい。また、特定領域４３は、５個以上であってもよい。なお、コンタクト領域４４は、特定領域４３の数に応じて設けられている。たとえば、特定領域４３が１個の場合、コンタクト領域４４は１個である。
【0164】
・各実施形態において、ＳＪ領域３３におけるコラム領域３４の配置態様は任意に変更可能である。一例では、ＳＪ領域３３において複数のコラム領域３４が格子状に配置されていてもよい。
【0165】
・各実施形態において、アクティブ領域１１のセル構造は任意に変更可能である。一例では、図１９に示すように、半導体装置１０は、トレンチゲート構造を有していてもよい。より詳細には、アクティブ領域１１において半導体層３０の表面３０ｓには、ｐ型のチャネル領域７１が形成されている。チャネル領域７１はボディ領域とも呼ばれる。チャネル領域７１は、たとえばアクティブ領域１１の全体にわたり形成されている。チャネル領域７１のｐ型不純物濃度は、たとえばコラム領域３４のポリシリコン３４Ｂのｐ型不純物濃度よりも高い。チャネル領域７１のｐ型不純物濃度は、たとえば１×１０１５ｃｍ－３以上１×１０１８ｃｍ－３以下である。
【0166】
半導体装置１０は、アクティブ領域１１において半導体層３０の表面３０ｓに形成された複数のトレンチゲート構造７２を有している。各トレンチゲート構造７２は、チャネル領域７１からドリフト領域３２までにわたりに形成されている。各トレンチゲート構造７２は、トレンチ７３、ゲート絶縁層７４、およびゲート電極７５を有している。
【0167】
各トレンチ７３は、半導体層３０の表面３０ｓから裏面３０ｒに向けて掘り下げることによって形成されている。各トレンチ７３の深さ寸法（各トレンチ７３のｚ方向の寸法）は、各コラム領域３４の深さ寸法（各コラム領域３４のｚ方向の寸法）よりも小さい。各トレンチ７３の深さ寸法は、たとえば０．１μｍ以上５μｍ以下である。
【0168】
ゲート絶縁層７４は、各トレンチ７３の内壁に形成されている。ゲート絶縁層７４は、ＳｉＯ２層、窒化シリコン（ＳｉＮ）層、窒化酸化シリコン（ＳｉＯＮ）層、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）層、ケイ酸ハフニウム（ＨｆＳｉＯ）層、および窒素添加ケイ酸ハフニウム（ＨｆＳｉＯＮ）層のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。一例では、ゲート絶縁層７４は、シリコン酸化膜によって形成されている。
【0169】
ゲート電極７５は、ゲート絶縁層７４上においてトレンチ７３に埋め込まれるように設けられている。ゲート電極７５は、たとえばポリシリコンによって形成されている。
ソース領域３５は、チャネル領域７１のうち半導体層３０の表面３０ｓ寄りに形成されている。ソース領域３５は、複数のトレンチ７３の配列方向において各トレンチ７３の両側に形成されている。
ソース領域３５は、チャネル領域７１のうち半導体層３０の表面３０ｓ寄りに形成されている。ソース領域３５は、複数のトレンチ７３の配列方向において各トレンチ７３の両側に形成されている。
【0170】
半導体装置１０は、アクティブ領域１１において半導体層３０の表面３０ｓ寄りに形成されたｐ＋型の複数のコンタクト領域７６を有している。コンタクト領域７６は、インベース領域とも呼ばれる。コンタクト領域７６のｐ型不純物濃度は、コラム領域３４のポリシリコン３４Ｂのｐ型不純物濃度よりも高い。コンタクト領域７６のｐ型不純物濃度は、たとえば１×１０１９ｃｍ－３以上１×１０２１ｃｍ－３以下である。
【0171】
各コンタクト領域７６は、トレンチ７３の配列方向において、トレンチ７３の側方に間隔をあけて形成されている。各コンタクト領域７６は、コラム領域３４と重なるように形成されている。各コンタクト領域７６は、コラム領域３４よりも幅広に形成されている。各コンタクト領域７６は、ソース領域３５に接続されている。このように、図示された例においては、アクティブ領域１１において、チャネル領域７１、トレンチゲート構造７２、およびソース領域３５を含むＦＥＴ構造が形成されている。
【0172】
・第１実施形態において、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂの形状は任意に変更可能である。一例では、図２０に示すように、凹部４２ｂの直線４２ｂａ，４２ｂｂの間には、面取りされた傾斜部４２ｆが形成されている。図示された例においては、傾斜部４２ｆは、第１外周縁１２ａから第２外周縁１２ｂ（図３参照）に向かうにつれて第４外周縁１２ｄ（図３参照）から第３外周縁１２ｃに向けて傾斜している。
【0173】
この構成によれば、対角線ＤＬにおける耐圧構造領域４２の長さＬ１を大きくすることができる。なお、凹部４２ｂの形状は、図２０に示す形状に限られず、たとえば凹部４２ｂの直線４２ｂａ，４２ｂｂの間に階段状の部分が形成されていてもよい。
【0174】
・各実施形態において、外周領域１２の構成は任意に変更可能である。一例では、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂ（図９参照）を省略してもよい。この場合、コンタクト領域４４は、たとえば外周領域１２の第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄのうち互いに離れた２つの外周縁と隣り合う位置に形成されていてもよい。より詳細には、半導体装置１０の非コラム領域４１は、外周領域１２の最外周を構成する領域（最外周領域）であり、第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄを含む環状に形成されている。非コラム領域４１は、構造が異なる２つの領域としての第１最外周領域１２Ｐおよび第２最外周領域１２Ｑを含んでいる。第１最外周領域１２Ｐは、特定領域４３を含む領域である。特定領域４３内にはコンタクト領域４４が形成されている。第２最外周領域１２Ｑは、内部配線５１が形成された領域である。
【0175】
一例では、図２１に示すように、第１最外周領域１２Ｐは、第３外周縁１２ｃおよび第４外周縁１２ｄとｙ方向に隣り合う位置に設けられている。このため、コンタクト領域４４は、第３外周縁１２ｃおよび第４外周縁１２ｄとｙ方向に隣り合う位置に設けられている。
【0176】
装置側面１０ｃとｙ方向に隣り合う第１最外周領域１２Ｐ（特定領域４３）に設けられたコンタクト領域４４Ｃは、第３外周縁１２ｃが延びる方向（ｘ方向）に沿って第３外周縁１２ｃの全体にわたり形成されている。図示された例においては、ｚ方向から視て、コンタクト領域４４Ｃは、第３外周縁１２ｃを含んでいる。またｚ方向から視て、コンタクト領域４４Ｃは、第１外周縁１２ａおよび第２外周縁１２ｂを含んでいる。つまり、コンタクト領域４４Ｃのｘ方向の両端縁は、第１外周縁１２ａおよび第２外周縁１２ｂまで延びている。
【0177】
第４外周縁１２ｄとｙ方向に隣り合う第１最外周領域１２Ｐ（特定領域４３）に設けられたコンタクト領域４４Ｄは、第４外周縁１２ｄが延びる方向（ｘ方向）に沿って第４外周縁１２ｄの全体にわたり形成されている。図示された例においては、ｚ方向から視て、コンタクト領域４４Ｄは、第４外周縁１２ｄを含んでいる。またｚ方向から視て、コンタクト領域４４Ｄは、第１外周縁１２ａおよび第２外周縁１２ｂを含んでいる。つまり、コンタクト領域４４Ｄのｘ方向の両端縁は、第１外周縁１２ａおよび第２外周縁１２ｂまで延びている。
【0178】
第２最外周領域１２Ｑは、第１外周縁１２ａおよび第２外周縁１２ｂとｘ方向に隣り合う位置に設けられている。第１外周縁１２ａおよび第２外周縁１２ｂとｘ方向に隣り合う位置には、コンタクト領域４４が設けられておらず、内部配線５１が設けられている。
【0179】
図２２は、第１最外周領域１２Ｐのうち第１外周縁１２ａ付近の拡大図を示している。
図２２に示すように、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂが省略されているため、耐圧構造領域４２のコーナ部分は矩形状に形成されている。このため、外周領域１２の対角線ＬＡにおける耐圧構造領域４２の長さＬ３が大きくなる。ここで、外周領域１２の対角線ＬＡは、第１実施形態の対角線ＤＬとは異なる。対角線ＬＡは、耐圧構造領域４２のコーナ部分の頂点ＴＱと半導体層３０の中心とを結ぶ直線によって形成されている。対角線ＬＡにおける耐圧構造領域４２の長さＬ３は、対角線ＬＡ上における耐圧構造領域４２の長さである。
図２２に示すように、耐圧構造領域４２の凹部４２ｂが省略されているため、耐圧構造領域４２のコーナ部分は矩形状に形成されている。このため、外周領域１２の対角線ＬＡにおける耐圧構造領域４２の長さＬ３が大きくなる。ここで、外周領域１２の対角線ＬＡは、第１実施形態の対角線ＤＬとは異なる。対角線ＬＡは、耐圧構造領域４２のコーナ部分の頂点ＴＱと半導体層３０の中心とを結ぶ直線によって形成されている。対角線ＬＡにおける耐圧構造領域４２の長さＬ３は、対角線ＬＡ上における耐圧構造領域４２の長さである。
【0180】
内部配線５１は、ｚ方向から視て、半導体層３０の全周にわたり形成されている。内部配線５１は、第３外周縁１２ｃおよび第４外周縁１２ｄに沿って延びる第１内部配線部５１Ｐと、第１外周縁１２ａおよび第２外周縁１２ｂに沿って延びる第２内部配線部５１Ｑと、を含んでいる。第１内部配線部５１Ｐは、内部配線５１のうちコンタクト領域４４と耐圧構造領域４２とのｙ方向の間の部分である。第２内部配線部５１Ｑは、第２最外周領域１２Ｑに形成されている。
【0181】
図示された例においては、内部配線５１の幅寸法は一定である。一例では、内部配線５１の幅寸法は、上記各実施形態の包囲配線部５３の第２部分５３Ｂの幅寸法ＷＢ（図９参照）と等しい。内部コンタクト部５１Ａは、上記各実施形態と同様に、内部配線５１の全周にわたり形成されている。
【0182】
このような構成によれば、対角線ＬＡにおける耐圧構造領域４２の長さＬ３を大きくすることができるため、想定されたブレイクダウン時の電圧よりも低い電圧でリーク電流が生じることを抑制できる。加えて、第１外周縁１２ａおよび第２外周縁１２ｂと隣り合う位置にコンタクト領域４４が形成されていない分、半導体装置１０のｘ方向の小型化を図ることができる。
【0183】
・図２１に示す変更例において、第２最外周領域１２Ｑの構成は任意に変更可能である。一例では、図２３に示すように、第１外部コンタクト部５２Ａは、第２内部配線部５１Ｑには形成されていなくてもよい。この場合、第２内部配線部５１Ｑの幅寸法は、第１内部配線部５１Ｐの幅寸法よりも小さい。これにより、半導体装置１０のｘ方向の小型化を図ることができる。
【0184】
・図２１に示す変更例において、第１最外周領域１２Ｐが第１外周縁１２ａおよび第２外周縁１２ｂとｘ方向に隣り合う位置に設けられ、第２最外周領域１２Ｑが第３外周縁１２ｃおよび第４外周縁１２ｄとｙ方向に隣り合う位置に設けられていてもよい。
【0185】
・図２１に示す変更例において、第１最外周領域１２Ｐが第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄのうち１つの外周縁と隣り合う位置に設けられていてもよい。つまり、第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄのうち残りの３つの外周縁と隣り合う位置には、第２最外周領域１２Ｑが設けられている。
【0186】
一例では、図２４に示すように、第１最外周領域１２Ｐは、第３外周縁１２ｃと隣り合う位置に設けられていてもよい。この場合、図２５に示すように、第１外部コンタクト部５２Ａは、内部配線５１のうちコンタクト領域４４とｙ方向に隣り合う部分のみに設けられている。このように、第１最外周領域１２Ｐと第２最外周領域１２Ｑとはそれぞれ、第１～第４外周縁１２ａ～１２ｄのうち互いに異なる１つ以上の外周縁を含んでいればよい。
【0187】
・図２１に示す変更例において、第１外部コンタクト部５２Ａの長さおよび第２外部コンタクト部５２Ｂの長さはそれぞれ任意に変更可能である。各外部コンタクト部５２Ａ，５２Ｂの長さの一例を図２６に示す。図２６は、便宜上、半導体層３０の概略的な平面図に各外部コンタクト部５２Ａ，５２Ｂを示している。
【0188】
図２６に示すように、第１外部コンタクト部５２Ａおよび第２外部コンタクト部５２Ｂの双方は、外周領域１２のコーナ部分１２Ｃに設けられている。換言すると、第１外部コンタクト部５２Ａおよび第２外部コンタクト部５２Ｂの双方は、隣り合うコーナ部分１２Ｃの間の領域に設けられていない。第２外部コンタクト部５２Ｂは、コンタクト領域４４Ｃ，４４Ｄのｘ方向の両端部に設けられているともいえる。
【0189】
なお、図２６に示す変更例では第１外部コンタクト部５２Ａの長さおよび第２外部コンタクト部５２Ｂの長さの双方を短くしたが、これに限られない。第１外部コンタクト部５２Ａの長さおよび第２外部コンタクト部５２Ｂの長さの一方を短くしてもよい。また、第１外部コンタクト部５２Ａおよび第２外部コンタクト部５２Ｂの位置は、図２６に示す外周領域１２のコーナ部分１２Ｃに限らず、任意に変更可能である。また、図２４に示す変更例においても同様に、第１外部コンタクト部５２Ａの長さおよび第２外部コンタクト部５２Ｂの長さの少なくとも一方を図２６に示すように短くしてもよい。
【0190】
・各実施形態において、半導体層３０内の各領域の導電型が反転された構造が採用されてもよい。すなわち、ｐ型の領域がｎ型の領域とされ、ｎ型の領域がｐ型の領域とされてもよい。
【0191】
・各実施形態における半導体装置１０の半導体層３０は、ＳＪ領域３３が形成されたＳＪ構造に限られず、コラム領域３４が形成されていないプレーナ構造またはゲートトレンチ構造であってもよい。この場合、耐圧構造領域４２は、コラム領域３４が形成されていない構造として、たとえばトレンチフィールドプレート構造であってもよい。
【0192】
本明細書に記載の様々な例のうちの１つまたは複数を、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本明細書において、「ＡおよびＢのうちの少なくとも１つ」とは、「Ａのみ、または、Ｂのみ、または、ＡおよびＢの両方」を意味するものとして理解されるべきである。
本明細書において、「ＡおよびＢのうちの少なくとも１つ」とは、「Ａのみ、または、Ｂのみ、または、ＡおよびＢの両方」を意味するものとして理解されるべきである。
【0193】
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」との双方の意味を含む。したがって、「第１部材が第２部材上に形成される」という表現は、或る実施形態では第１部材が第２部材に接触して第２部材上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１部材が第２部材に接触することなく第２部材の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１部材と第２部材との間に他の部材が形成される構造を排除しない。
【0194】
本開示で使用されるｚ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるｚ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えば、ｘ方向が鉛直方向であってもよく、またはｙ方向が鉛直方向であってもよい。
【0195】
［付記］
上記実施形態および変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のため、付記に記載した構成について実施形態中の対応する符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
上記実施形態および変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のため、付記に記載した構成について実施形態中の対応する符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
【0196】
（付記１）
アクティブ領域（１１）と、前記アクティブ領域（１１）を囲むように枠状に形成されかつ矩形状の外周縁（１０ａ～１０ｄ）を有する外周領域（１２）と、を有する半導体層（３０）を備えた半導体装置（１０）であって、
前記外周領域（１２）は、
耐圧構造が形成された耐圧構造領域（４２）と、
前記外周領域（１２）の外周縁（１２ａ～１２ｄ）から前記耐圧構造領域（４２）の外周縁までの領域であって、前記半導体層（３０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記耐圧構造領域（４２）の外周縁（４２ａ）が前記アクティブ領域（１１）に向けて凹むように形成された特定領域（４３）と、
を含み、
前記特定領域（４３）内における前記半導体層（３０）の表面（３０ｓ）には、コンタクト領域（４４）が形成されており、
前記外周領域（１２）の最外周領域（４１）には、前記コンタクト領域（４４）と電気的に接続された配線（５０）が形成されている
半導体装置（１０）。
アクティブ領域（１１）と、前記アクティブ領域（１１）を囲むように枠状に形成されかつ矩形状の外周縁（１０ａ～１０ｄ）を有する外周領域（１２）と、を有する半導体層（３０）を備えた半導体装置（１０）であって、
前記外周領域（１２）は、
耐圧構造が形成された耐圧構造領域（４２）と、
前記外周領域（１２）の外周縁（１２ａ～１２ｄ）から前記耐圧構造領域（４２）の外周縁までの領域であって、前記半導体層（３０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記耐圧構造領域（４２）の外周縁（４２ａ）が前記アクティブ領域（１１）に向けて凹むように形成された特定領域（４３）と、
を含み、
前記特定領域（４３）内における前記半導体層（３０）の表面（３０ｓ）には、コンタクト領域（４４）が形成されており、
前記外周領域（１２）の最外周領域（４１）には、前記コンタクト領域（４４）と電気的に接続された配線（５０）が形成されている
半導体装置（１０）。
【0197】
（付記２）
前記特定領域（４３）は、前記外周領域（１２）のコーナ部分（１２Ｃ）に形成されている
付記１に記載の半導体装置。
前記特定領域（４３）は、前記外周領域（１２）のコーナ部分（１２Ｃ）に形成されている
付記１に記載の半導体装置。
【0198】
（付記３）
前記外周領域（１２）の対角線（ＤＬ）における前記耐圧構造領域（４２）の長さ（Ｌ１）は、前記外周領域（１２）の一辺に垂直な方向における前記耐圧構造領域（４２）の長さ（Ｌ２）よりも長い
付記２に記載の半導体装置。
前記外周領域（１２）の対角線（ＤＬ）における前記耐圧構造領域（４２）の長さ（Ｌ１）は、前記外周領域（１２）の一辺に垂直な方向における前記耐圧構造領域（４２）の長さ（Ｌ２）よりも長い
付記２に記載の半導体装置。
【0199】
（付記４）
前記特定領域（４３）は、複数形成されている
付記１～３のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記特定領域（４３）は、複数形成されている
付記１～３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0200】
（付記５）
前記配線（５０）は、
内部配線（５１）と、
前記内部配線（５１）および前記コンタクト領域（４４）の双方に電気的に接続された外部配線（５２）と、
を含む
付記１～４のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記配線（５０）は、
内部配線（５１）と、
前記内部配線（５１）および前記コンタクト領域（４４）の双方に電気的に接続された外部配線（５２）と、
を含む
付記１～４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0201】
（付記６）
前記外部配線（５２）は、前記内部配線（５１）と接続する第１外部コンタクト部（５２Ａ）を有し、
前記内部配線（５１）は、前記半導体層（３０）と接続する内部コンタクト部（５１Ａ）を有し、
前記内部コンタクト部（５１Ａ）は、前記第１外部コンタクト部（５２Ａ）よりも前記耐圧構造領域（４２）の外周縁（４２ａ）寄りに設けられている
付記５に記載の半導体装置。
前記外部配線（５２）は、前記内部配線（５１）と接続する第１外部コンタクト部（５２Ａ）を有し、
前記内部配線（５１）は、前記半導体層（３０）と接続する内部コンタクト部（５１Ａ）を有し、
前記内部コンタクト部（５１Ａ）は、前記第１外部コンタクト部（５２Ａ）よりも前記耐圧構造領域（４２）の外周縁（４２ａ）寄りに設けられている
付記５に記載の半導体装置。
【0202】
（付記７）
前記外部配線（５２）は、前記コンタクト領域（４４）と接続する第２外部コンタクト部（５２Ｂ）を有し、
前記第１外部コンタクト部（５２Ａ）および前記第２外部コンタクト部（５２Ｂ）の双方は、前記特定領域（４３）に設けられている
付記６に記載の半導体装置。
前記外部配線（５２）は、前記コンタクト領域（４４）と接続する第２外部コンタクト部（５２Ｂ）を有し、
前記第１外部コンタクト部（５２Ａ）および前記第２外部コンタクト部（５２Ｂ）の双方は、前記特定領域（４３）に設けられている
付記６に記載の半導体装置。
【0203】
（付記８）
前記内部配線（５１）は、前記半導体層（３０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て前記コンタクト領域（４４）を囲む包囲配線部（５３）と、前記最外周領域（４１）に形成された最外周配線部（５４）と、を有し、
前記最外周配線部（５４）の幅寸法（ＷＤ）は、前記包囲配線部（５３）の幅寸法（ＷＢ）よりも小さい
付記６または７に記載の半導体装置。
前記内部配線（５１）は、前記半導体層（３０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て前記コンタクト領域（４４）を囲む包囲配線部（５３）と、前記最外周領域（４１）に形成された最外周配線部（５４）と、を有し、
前記最外周配線部（５４）の幅寸法（ＷＤ）は、前記包囲配線部（５３）の幅寸法（ＷＢ）よりも小さい
付記６または７に記載の半導体装置。
【0204】
（付記９）
前記第１外部コンタクト部（５２Ａ）は、前記包囲配線部（５３）に接続されている
付記８に記載の半導体装置。
前記第１外部コンタクト部（５２Ａ）は、前記包囲配線部（５３）に接続されている
付記８に記載の半導体装置。
【0205】
（付記１０）
前記第１外部コンタクト部（５２Ａ）は、前記コンタクト領域（４４）を囲むように形成されている
付記９に記載の半導体装置。
前記第１外部コンタクト部（５２Ａ）は、前記コンタクト領域（４４）を囲むように形成されている
付記９に記載の半導体装置。
【0206】
（付記１１）
前記耐圧構造領域（４２）の内周縁（４２ｃ）は、前記外周領域（１２）の前記コーナ部分（１２Ｃ）に向けて湾曲凸状となる湾曲部（４２ｄ）を含む
付記２または３に記載の半導体装置。
前記耐圧構造領域（４２）の内周縁（４２ｃ）は、前記外周領域（１２）の前記コーナ部分（１２Ｃ）に向けて湾曲凸状となる湾曲部（４２ｄ）を含む
付記２または３に記載の半導体装置。
【0207】
（付記１２）
前記半導体層（３０）は、第１導電型のドリフト領域（３２）と第２導電型のコラム領域（３４）とが交互に配列されたスーパージャンクション領域（３３）を含む
付記１～１１のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記半導体層（３０）は、第１導電型のドリフト領域（３２）と第２導電型のコラム領域（３４）とが交互に配列されたスーパージャンクション領域（３３）を含む
付記１～１１のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0208】
（付記１３）
前記特定領域（４３）には、前記コラム領域（３４）が形成されておらず、前記ドリフト領域（３２）が形成されている
付記１２に記載の半導体装置。
前記特定領域（４３）には、前記コラム領域（３４）が形成されておらず、前記ドリフト領域（３２）が形成されている
付記１２に記載の半導体装置。
【0209】
（付記１４）
前記複数のコラム領域（３４）は、前記半導体層（３０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記外周領域（１２）の第１辺に沿う方向に延びたストライプ状に形成されている
付記１２または１３に記載の半導体装置。
前記複数のコラム領域（３４）は、前記半導体層（３０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記外周領域（１２）の第１辺に沿う方向に延びたストライプ状に形成されている
付記１２または１３に記載の半導体装置。
【0210】
（付記１５）
前記耐圧構造領域（４２）は、第１導電型のドリフト領域（３２）と第２導電型のコラム領域（３４）とが交互に配列された領域である
付記１～１４のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記耐圧構造領域（４２）は、第１導電型のドリフト領域（３２）と第２導電型のコラム領域（３４）とが交互に配列された領域である
付記１～１４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0211】
（付記１６）
アクティブ領域（１１）と、前記アクティブ領域（１１）を囲むように枠状に形成されかつ矩形状の外周縁（１２ａ～１２ｄ）を有する外周領域（１２）と、を有する半導体層（３０）を備えた半導体装置であって、
前記外周領域（１２）の外周縁は、矩形状であって４つの外周縁（１２ａ～１２ｄ）を有し、
前記外周領域（１２）は、
耐圧構造が形成された耐圧構造領域（４２）と、
前記耐圧構造領域（４２）と前記外周領域（１２）の外周縁（１２ａ～１２ｄ）との間に形成された特定領域（４３）と、を含み、
前記特定領域（４３）内における前記半導体層（３０）の表面（３０ｓ）には、コンタクト領域（４４）が形成されており、
前記外周領域（１２）の最外周領域（４１）は、
前記特定領域（４３）によって構成された第１最外周領域（１２Ｐ）と、
前記コンタクト領域（４４）と電気的に接続された配線（５０）が形成された第２最外周領域（１２Ｑ）と、を含み、
前記第１最外周領域（１２Ｐ）と前記第２最外周領域（１２Ｑ）とはそれぞれ、互いに異なる１つ以上の外周縁を含む
半導体装置。
アクティブ領域（１１）と、前記アクティブ領域（１１）を囲むように枠状に形成されかつ矩形状の外周縁（１２ａ～１２ｄ）を有する外周領域（１２）と、を有する半導体層（３０）を備えた半導体装置であって、
前記外周領域（１２）の外周縁は、矩形状であって４つの外周縁（１２ａ～１２ｄ）を有し、
前記外周領域（１２）は、
耐圧構造が形成された耐圧構造領域（４２）と、
前記耐圧構造領域（４２）と前記外周領域（１２）の外周縁（１２ａ～１２ｄ）との間に形成された特定領域（４３）と、を含み、
前記特定領域（４３）内における前記半導体層（３０）の表面（３０ｓ）には、コンタクト領域（４４）が形成されており、
前記外周領域（１２）の最外周領域（４１）は、
前記特定領域（４３）によって構成された第１最外周領域（１２Ｐ）と、
前記コンタクト領域（４４）と電気的に接続された配線（５０）が形成された第２最外周領域（１２Ｑ）と、を含み、
前記第１最外周領域（１２Ｐ）と前記第２最外周領域（１２Ｑ）とはそれぞれ、互いに異なる１つ以上の外周縁を含む
半導体装置。
【0212】
（付記１７）
前記外周領域（１２）の４つの外周縁は、互いに離れた第１外周縁（１２ａ）および第２外周縁（１２ｂ）と、前記第１外周縁（１２ａ）および前記第２外周縁（１２ｂ）と直交し、互いに離れた第３外周縁（１２ｃ）および第４外周縁（１２ｄ）と、であり、
前記第１最外周領域（１２Ｐ）は、前記第３外周縁（１２ｃ）および前記第４外周縁（１２ｄ）を含むように形成され、
前記第２最外周領域（１２Ｑ）は、前記第１外周縁（１２ａ）および前記第２外周縁（１２ｂ）と前記耐圧構造領域（４２）との間の領域を含むように形成されている
付記１６に記載の半導体装置。
前記外周領域（１２）の４つの外周縁は、互いに離れた第１外周縁（１２ａ）および第２外周縁（１２ｂ）と、前記第１外周縁（１２ａ）および前記第２外周縁（１２ｂ）と直交し、互いに離れた第３外周縁（１２ｃ）および第４外周縁（１２ｄ）と、であり、
前記第１最外周領域（１２Ｐ）は、前記第３外周縁（１２ｃ）および前記第４外周縁（１２ｄ）を含むように形成され、
前記第２最外周領域（１２Ｑ）は、前記第１外周縁（１２ａ）および前記第２外周縁（１２ｂ）と前記耐圧構造領域（４２）との間の領域を含むように形成されている
付記１６に記載の半導体装置。
【0213】
（付記１８）
前記外周領域（１２）の４つの外周縁は、互いに離れた第１外周縁（１２ａ）および第２外周縁（１２ｂ）と、前記第１外周縁（１２ａ）および前記第２外周縁（１２ｂ）と直交し、互いに離れた第３外周縁（１２ｃ）および第４外周縁（１２ｄ）と、であり、
前記第１最外周領域（１２Ｐ）は、前記第１外周縁（１２ａ）、前記第２外周縁（１２ｂ）、前記第３外周縁（１２ｃ）、および前記第４外周縁（１２ｄ）のいずれか１つを含むように形成され、
前記第２最外周領域（１２Ｑ）は、前記第１最外周領域（１２Ｐ）が含む外周縁以外の残りの３つの外周縁を含むように形成されている
付記１６に記載の半導体装置。
前記外周領域（１２）の４つの外周縁は、互いに離れた第１外周縁（１２ａ）および第２外周縁（１２ｂ）と、前記第１外周縁（１２ａ）および前記第２外周縁（１２ｂ）と直交し、互いに離れた第３外周縁（１２ｃ）および第４外周縁（１２ｄ）と、であり、
前記第１最外周領域（１２Ｐ）は、前記第１外周縁（１２ａ）、前記第２外周縁（１２ｂ）、前記第３外周縁（１２ｃ）、および前記第４外周縁（１２ｄ）のいずれか１つを含むように形成され、
前記第２最外周領域（１２Ｑ）は、前記第１最外周領域（１２Ｐ）が含む外周縁以外の残りの３つの外周縁を含むように形成されている
付記１６に記載の半導体装置。
【0214】
（付記１９）
前記コンタクト領域（４４）のうち前記外周領域（１２）の対角線（ＤＬ）に沿う方向において前記耐圧構造領域（４２）と隣り合う部分は、面取りされた傾斜部（４４ａ）を含み、
前記配線（５０）は、内部配線（５１）を含み、
前記内部配線（５１）は、前記半導体層（３０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て前記コンタクト領域（４４）を囲む包囲配線部（５３）と、前記最外周領域（４１）に形成された最外周配線部（５４）と、を有し、
前記包囲配線部（５３）のうち前記コンタクト領域（４４）の前記傾斜部（４４ａ）と隣り合う部分は、前記傾斜部（４４ａ）に沿って延びている
付記２または３に記載の半導体装置。
前記コンタクト領域（４４）のうち前記外周領域（１２）の対角線（ＤＬ）に沿う方向において前記耐圧構造領域（４２）と隣り合う部分は、面取りされた傾斜部（４４ａ）を含み、
前記配線（５０）は、内部配線（５１）を含み、
前記内部配線（５１）は、前記半導体層（３０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て前記コンタクト領域（４４）を囲む包囲配線部（５３）と、前記最外周領域（４１）に形成された最外周配線部（５４）と、を有し、
前記包囲配線部（５３）のうち前記コンタクト領域（４４）の前記傾斜部（４４ａ）と隣り合う部分は、前記傾斜部（４４ａ）に沿って延びている
付記２または３に記載の半導体装置。
【0215】
（付記２０）
前記外周領域（１２）の４つの外周縁は、互いに離れた第１外周縁（１２ａ）および第２外周縁（１２ｂ）と、前記第１外周縁（１２ａ）および前記第２外周縁（１２ｂ）と直交し、互いに離れた第３外周縁（１２ｃ）および第４外周縁（１２ｄ）と、であり、
前記耐圧構造領域（４２）の外周縁（４２ａ）は、前記特定領域（４３）が入り込む凹部（４２ｂ）を有し、
前記凹部（４２ｂ）は、前記第３外周縁（１２ｃ）に沿う方向に延びる第１直線（４２ｂａ）と、前記第１外周縁（１２ａ）に沿う方向に延びる第２直線（４２ｂｂ）と、によって形成された段差状である
付記２、３、または１９に記載の半導体装置。
前記外周領域（１２）の４つの外周縁は、互いに離れた第１外周縁（１２ａ）および第２外周縁（１２ｂ）と、前記第１外周縁（１２ａ）および前記第２外周縁（１２ｂ）と直交し、互いに離れた第３外周縁（１２ｃ）および第４外周縁（１２ｄ）と、であり、
前記耐圧構造領域（４２）の外周縁（４２ａ）は、前記特定領域（４３）が入り込む凹部（４２ｂ）を有し、
前記凹部（４２ｂ）は、前記第３外周縁（１２ｃ）に沿う方向に延びる第１直線（４２ｂａ）と、前記第１外周縁（１２ａ）に沿う方向に延びる第２直線（４２ｂｂ）と、によって形成された段差状である
付記２、３、または１９に記載の半導体装置。
【0216】
（付記２１）
前記半導体層（３０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記包囲配線部（５３）が延びる方向と直交する方向を前記包囲配線部（５３）の幅方向とし、
前記内部コンタクト部（５１Ａ）は、前記包囲配線部（５３）の前記幅方向の中央よりも前記耐圧構造領域（４２）の外周縁（４２ａ）寄りに設けられている
付記８に記載の半導体装置。
前記半導体層（３０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記包囲配線部（５３）が延びる方向と直交する方向を前記包囲配線部（５３）の幅方向とし、
前記内部コンタクト部（５１Ａ）は、前記包囲配線部（５３）の前記幅方向の中央よりも前記耐圧構造領域（４２）の外周縁（４２ａ）寄りに設けられている
付記８に記載の半導体装置。
【0217】
（付記２２）
前記特定領域（４３）は、前記外周領域（１２）のコーナ部分（１２Ｃ）とは異なる領域に設けられ、
前記特定領域（４３）に設けられた前記コンタクト領域（４４）は、前記外周領域（１２）の外周縁（１２ｃ）を含むように形成されており、かつ前記半導体層（３０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記外周領域（１２）の外周縁（１２ｃ）が延びる方向が長辺となる矩形状に形成されている
付記１に記載の半導体装置。
前記特定領域（４３）は、前記外周領域（１２）のコーナ部分（１２Ｃ）とは異なる領域に設けられ、
前記特定領域（４３）に設けられた前記コンタクト領域（４４）は、前記外周領域（１２）の外周縁（１２ｃ）を含むように形成されており、かつ前記半導体層（３０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記外周領域（１２）の外周縁（１２ｃ）が延びる方向が長辺となる矩形状に形成されている
付記１に記載の半導体装置。
【0218】
以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識することができる。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれるすべての代替、変形、および変更を包含することが意図されている。
【符号の説明】
【0219】
１０…半導体装置
１０ｓ…装置表面
１０ｒ…装置裏面
１０ａ～１０ｄ…装置側面
１０Ｘ…第１比較例の半導体装置
１０Ｙ…第２比較例の半導体装置
１１…アクティブ領域
１１Ａ…アクティブセル
１１Ｃ…コーナ部分
１２…外周領域
１２ａ…第１外周縁
１２ｂ…第２外周縁
１２ｃ…第３外周縁
１２ｄ…第４外周縁
１２Ｃ…コーナ部分
１２Ｐ…第１最外周領域
１２Ｑ…第２最外周領域
１５…パッシベーション膜
１５Ａ…第１開口部
１５Ｂ…第２開口部
２１…ソース電極
２２…ゲート電極
２３…ドレイン電極
２４…ゲートフィンガー
２５…ＦＬＲ部
２６…等電位リング
３０…半導体層
３０ｓ…表面
３０ｒ…裏面
３１…ドレイン領域
３２…ドリフト領域
３３…ＳＪ領域（スーパージャンクション領域）
３４…コラム領域
３４Ａ…コラムトレンチ
３４Ｂ…ポリシリコン
３４ｗ…側壁
３４ｗａ…第１側壁
３４ｗｂ…第２側壁
３４ｂ…底壁
３５…ソース領域
３６…ゲート絶縁膜
３６Ａ…開口部
３７…ゲート層
３８…層間絶縁膜
４１…非コラム領域（最外周領域）
４２…耐圧構造領域
４２ａ…外周縁
４２ａａ，４２ａｂ…一辺
４２ｂ…凹部
４２ｂａ，４２ｂｂ…直線
４２ｃ…内周縁
４２ｄ…湾曲部
４２ｅ…傾斜部
４２ｆ…傾斜部
４３…特定領域
４４，４４Ｃ，４４Ｄ…コンタクト領域
４４ａ…傾斜部
４４ｐ…第１辺
４４ｑ…第２辺
４４ｒ…第３辺
４５…第１ウェル領域
４６…第２ウェル領域
５０…配線
５１…内部配線
５１Ａ…内部コンタクト部
５１ＡＡ…第１部分
５１ＡＢ…第２部分
５１ＡＣ…第３部分
５１Ｐ…第１内部配線部
５１Ｑ…第２内部配線部
５２…外部配線
５２Ａ…第１外部コンタクト部
５２ＡＡ…第１部分
５２ＡＢ…第２部分
５２ＡＣ…第３部分
５２Ｂ…第２外部コンタクト部
５２Ｃ…第１外部配線
５２Ｄ…第２外部配線
５３…包囲配線部
５３Ａ…第１部分
５３Ｂ…第２部分
５３Ｃ…第３部分
５４…最外周配線部
６１…絶縁膜（酸化膜）
６１Ａ…開口部
６２…層間絶縁膜
６２Ａ…開口部
７１…チャネル領域
７２…トレンチゲート構造
７３…トレンチ
７４…ゲート絶縁層
７５…ゲート電極
７６…コンタクト領域
ＢＬ１，ＢＬ２…境界線
ＰＬ１，ＰＬ２…直線
ＤＬ，ＬＡ…対角線
Ｌ１，Ｌ３…外周領域の対角線における耐圧構造領域の長さ
Ｌ２…外周領域の一辺に垂直な方向における耐圧構造領域の長さ
ＬＸ１…第１比較例の外周領域の対角線における耐圧構造領域の長さ
ＬＸ２…第１比較例の外周領域の一辺に垂直な方向における耐圧構造領域の長さ
ＬＹ１…第２比較例の外周領域の対角線における耐圧構造領域の長さ
ＬＹ２…第２比較例の外周領域の一辺に垂直な方向における耐圧構造領域の長さ
ＷＡ…包囲配線部の第１部分の幅寸法
ＷＢ…包囲配線部の第２部分の幅寸法
ＷＣ…包囲配線部の第３部分の幅寸法
ＷＤ…最外周配線部の幅寸法
ＤＡＡ…内部コンタクト部の第１部分と包囲配線部の第１部分の外周縁との間の距離
ＤＡＢ…内部コンタクト部の第２部分と包囲配線部の第２部分の外周縁との間の距離
ＤＡＣ…内部コンタクト部の第３部分と包囲配線部の第３部分の外周縁との間の距離
ＤＢ…内部コンタクト部と最外周配線部との間の距離
ＢＤ…境界
ＴＰ…頂点
ＷＰ…第１外部配線の幅寸法
ＷＱ…第２外部配線の幅寸法
Ｈ…耐圧構造領域の凹部の深さ
Ｗ…耐圧構造領域の凹部の開口幅
１０ｓ…装置表面
１０ｒ…装置裏面
１０ａ～１０ｄ…装置側面
１０Ｘ…第１比較例の半導体装置
１０Ｙ…第２比較例の半導体装置
１１…アクティブ領域
１１Ａ…アクティブセル
１１Ｃ…コーナ部分
１２…外周領域
１２ａ…第１外周縁
１２ｂ…第２外周縁
１２ｃ…第３外周縁
１２ｄ…第４外周縁
１２Ｃ…コーナ部分
１２Ｐ…第１最外周領域
１２Ｑ…第２最外周領域
１５…パッシベーション膜
１５Ａ…第１開口部
１５Ｂ…第２開口部
２１…ソース電極
２２…ゲート電極
２３…ドレイン電極
２４…ゲートフィンガー
２５…ＦＬＲ部
２６…等電位リング
３０…半導体層
３０ｓ…表面
３０ｒ…裏面
３１…ドレイン領域
３２…ドリフト領域
３３…ＳＪ領域（スーパージャンクション領域）
３４…コラム領域
３４Ａ…コラムトレンチ
３４Ｂ…ポリシリコン
３４ｗ…側壁
３４ｗａ…第１側壁
３４ｗｂ…第２側壁
３４ｂ…底壁
３５…ソース領域
３６…ゲート絶縁膜
３６Ａ…開口部
３７…ゲート層
３８…層間絶縁膜
４１…非コラム領域（最外周領域）
４２…耐圧構造領域
４２ａ…外周縁
４２ａａ，４２ａｂ…一辺
４２ｂ…凹部
４２ｂａ，４２ｂｂ…直線
４２ｃ…内周縁
４２ｄ…湾曲部
４２ｅ…傾斜部
４２ｆ…傾斜部
４３…特定領域
４４，４４Ｃ，４４Ｄ…コンタクト領域
４４ａ…傾斜部
４４ｐ…第１辺
４４ｑ…第２辺
４４ｒ…第３辺
４５…第１ウェル領域
４６…第２ウェル領域
５０…配線
５１…内部配線
５１Ａ…内部コンタクト部
５１ＡＡ…第１部分
５１ＡＢ…第２部分
５１ＡＣ…第３部分
５１Ｐ…第１内部配線部
５１Ｑ…第２内部配線部
５２…外部配線
５２Ａ…第１外部コンタクト部
５２ＡＡ…第１部分
５２ＡＢ…第２部分
５２ＡＣ…第３部分
５２Ｂ…第２外部コンタクト部
５２Ｃ…第１外部配線
５２Ｄ…第２外部配線
５３…包囲配線部
５３Ａ…第１部分
５３Ｂ…第２部分
５３Ｃ…第３部分
５４…最外周配線部
６１…絶縁膜（酸化膜）
６１Ａ…開口部
６２…層間絶縁膜
６２Ａ…開口部
７１…チャネル領域
７２…トレンチゲート構造
７３…トレンチ
７４…ゲート絶縁層
７５…ゲート電極
７６…コンタクト領域
ＢＬ１，ＢＬ２…境界線
ＰＬ１，ＰＬ２…直線
ＤＬ，ＬＡ…対角線
Ｌ１，Ｌ３…外周領域の対角線における耐圧構造領域の長さ
Ｌ２…外周領域の一辺に垂直な方向における耐圧構造領域の長さ
ＬＸ１…第１比較例の外周領域の対角線における耐圧構造領域の長さ
ＬＸ２…第１比較例の外周領域の一辺に垂直な方向における耐圧構造領域の長さ
ＬＹ１…第２比較例の外周領域の対角線における耐圧構造領域の長さ
ＬＹ２…第２比較例の外周領域の一辺に垂直な方向における耐圧構造領域の長さ
ＷＡ…包囲配線部の第１部分の幅寸法
ＷＢ…包囲配線部の第２部分の幅寸法
ＷＣ…包囲配線部の第３部分の幅寸法
ＷＤ…最外周配線部の幅寸法
ＤＡＡ…内部コンタクト部の第１部分と包囲配線部の第１部分の外周縁との間の距離
ＤＡＢ…内部コンタクト部の第２部分と包囲配線部の第２部分の外周縁との間の距離
ＤＡＣ…内部コンタクト部の第３部分と包囲配線部の第３部分の外周縁との間の距離
ＤＢ…内部コンタクト部と最外周配線部との間の距離
ＢＤ…境界
ＴＰ…頂点
ＷＰ…第１外部配線の幅寸法
ＷＱ…第２外部配線の幅寸法
Ｈ…耐圧構造領域の凹部の深さ
Ｗ…耐圧構造領域の凹部の開口幅
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】