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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023070911
(43)【公開日】2023-05-22
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 23/50 20060101AFI20230515BHJP
H01L 29/78 20060101ALI20230515BHJP
H01L 23/28 20060101ALI20230515BHJP
【ＦＩ】
H01L23/50 H
H01L29/78 652Q
H01L23/50 U
H01L23/28 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】19
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021183368
(22)【出願日】2021-11-10
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135389
【弁理士】
【氏名又は名称】臼井 尚
(72)【発明者】
【氏名】塩見 淳
(72)【発明者】
【氏名】閻 紀旺
(72)【発明者】
【氏名】中島 あゆ美
(72)【発明者】
【氏名】大宮 正毅
【テーマコード（参考）】
4M109
5F067
【Ｆターム（参考）】
4M109AA01
4M109BA02
4M109EA02
4M109EB11
4M109EC09
4M109FA04
5F067AA05
5F067AB01
5F067AB10
5F067BE02
5F067BE07
5F067DA11
5F067DE09
5F067DE10
5F067EA02
5F067EA04
(57)【要約】
【課題】 樹脂部とリードとの密着性を向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体素子１と、半導体素子１に導通する第１リード２と、半導体素子１と、第１リード２の少なくとも一部と、を覆う樹脂部８と、を備え、第１リード２は、第１凹凸形状Ｕｎ１と第１凹凸形状Ｕｎ１よりも粗さが細かい第２凹凸形状Ｕｎ２とが重ね合わされた形状である粗化領域Ｕｎ０を有し、粗化領域Ｕｎ０は、樹脂部８に接する。
【選択図】 図８
【解決手段】 半導体素子１と、半導体素子１に導通する第１リード２と、半導体素子１と、第１リード２の少なくとも一部と、を覆う樹脂部８と、を備え、第１リード２は、第１凹凸形状Ｕｎ１と第１凹凸形状Ｕｎ１よりも粗さが細かい第２凹凸形状Ｕｎ２とが重ね合わされた形状である粗化領域Ｕｎ０を有し、粗化領域Ｕｎ０は、樹脂部８に接する。
【選択図】 図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体素子と、
前記半導体素子に導通するリードと、
前記半導体素子と、前記リードの少なくとも一部と、を覆う樹脂部と、を備え、
前記リードは、第１凹凸形状と前記第１凹凸形状よりも粗さが細かい第２凹凸形状とが重ね合わされた形状である粗化領域を有し、
前記粗化領域は、前記樹脂部に接する、半導体装置。
前記半導体素子に導通するリードと、
前記半導体素子と、前記リードの少なくとも一部と、を覆う樹脂部と、を備え、
前記リードは、第１凹凸形状と前記第１凹凸形状よりも粗さが細かい第２凹凸形状とが重ね合わされた形状である粗化領域を有し、
前記粗化領域は、前記樹脂部に接する、半導体装置。
【請求項2】
前記第１凹凸形状は、各々が第１特定方向に延びる複数の溝である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第２凹凸形状は、各々が第２特定方向に延びる複数の溝である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第１特定方向と前記第２特定方向とは、互いに交差している、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第１特定方向と前記第２特定方向とは、直交している、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第１特定方向と前記第２特定方向とは、互いに平行である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第２凹凸形状は、離散配置された複数の凹部である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第１凹凸形状は、離散配置された複数の凹部である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第２凹凸形状は、複数の溝である、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第２凹凸形状は、離散配置された複数の凹部である、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記半導体素子は、第１方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面を有し、
前記リードは、前記半導体素子が搭載された第１パッド部を有する第１リードを含み、
前記第１パッド部は、前記素子裏面が接合された第１平滑領域および前記第１方向に沿って視て前記半導体素子から離れており且つ前記第１平滑領域よりも粗い領域である前記粗化領域としての第１粗化領域を含む第１パッド主面を有する、請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
前記リードは、前記半導体素子が搭載された第１パッド部を有する第１リードを含み、
前記第１パッド部は、前記素子裏面が接合された第１平滑領域および前記第１方向に沿って視て前記半導体素子から離れており且つ前記第１平滑領域よりも粗い領域である前記粗化領域としての第１粗化領域を含む第１パッド主面を有する、請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項12】
前記リードは、前記第１方向と直角である第２方向において前記第１パッド部と並んで配置された第２パッド部を有する第２リードを含み、
前記半導体素子に接合された第１ボンディング部および前記第２パッド部に接合された第２ボンディング部を有する導通部材を備え、
前記第２パッド部は、前記第２ボンディング部が接合された第２平滑領域および前記第１方向に沿って視て前記第２ボンディング部から離れており且つ前記第２平滑領域よりも粗い領域である前記粗化領域としての第２粗化領域を含む第２パッド主面を有する、請求項１１に記載の半導体装置。
前記半導体素子に接合された第１ボンディング部および前記第２パッド部に接合された第２ボンディング部を有する導通部材を備え、
前記第２パッド部は、前記第２ボンディング部が接合された第２平滑領域および前記第１方向に沿って視て前記第２ボンディング部から離れており且つ前記第２平滑領域よりも粗い領域である前記粗化領域としての第２粗化領域を含む第２パッド主面を有する、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項13】
前記第１粗化領域は、前記第１平滑領域に対して前記第２パッド部側に位置する第１部を含む、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項14】
前記第１粗化領域は、前記第１平滑領域に対して前記第２パッド部とは反対側に位置する第２部を含む、請求項１２または１３に記載の半導体装置。
【請求項15】
前記第１粗化領域は、前記第１方向および前記第２方向と直角である第３方向において前記第１平滑領域に隣接する第３部を含む、請求項１２ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項16】
前記第２粗化領域は、前記第２平滑領域に対して前記第１パッド部側に位置する第１部を含む、請求項１２ないし１５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項17】
前記第２粗化領域は、前記第２平滑領域に対して前記第１パッド部とは反対側に位置する第２部を含む、請求項１２ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項18】
前記第２粗化領域は、前記第１方向および前記第２方向と直角である第３方向において前記第２平滑領域に隣接する第３部を含む、請求項１２ないし１７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項19】
リードの表面に第１レーザ光を照射することにより、第１凹凸形状を有する粗化領域を形成する工程と、
前記粗化領域に第２レーザ光を照射することにより、前記第１凹凸形状よりも粗さが細かい第２凹凸形状を、前記第１凹凸形状に重ね合わせるように形成する工程と、
前記リードに半導体素子を導通させる工程と、
前記半導体素子および前記粗化領域を覆う樹脂部を形成する工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
前記粗化領域に第２レーザ光を照射することにより、前記第１凹凸形状よりも粗さが細かい第２凹凸形状を、前記第１凹凸形状に重ね合わせるように形成する工程と、
前記リードに半導体素子を導通させる工程と、
前記半導体素子および前記粗化領域を覆う樹脂部を形成する工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、半導体素子、複数のリード、ワイヤおよび樹脂部を備える。半導体素子は、あるリードに搭載されている。ワイヤは、半導体素子と他のリードとに接続されている。樹脂部は、半導体素子、ワイヤおよび複数のリードを覆っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００６－３０３２１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
リードと樹脂部との密着性が不十分であると、亀裂等の発生が懸念される。
【0005】
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、樹脂部とリードとの密着性を向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子に導通するリードと、前記半導体素子と、前記リードの少なくとも一部と、を覆う樹脂部と、を備え、前記リードは、第１凹凸形状と前記第１凹凸形状よりも粗さが細かい第２凹凸形状とが重ね合わされた形状である粗化領域を有し、前記粗化領域は、前記樹脂部に接する。
【0007】
本開示の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、リードの表面に第１レーザ光を照射することにより、第１凹凸形状を有する粗化領域を形成する工程と、前記粗化領域に第２レーザ光を照射することにより、前記第１凹凸形状よりも粗さが細かい第２凹凸形状を、前記第１凹凸形状に重ね合わせるように形成する工程と、前記リードに半導体素子を導通させる工程と、前記半導体素子および前記粗化領域を覆う樹脂部を形成する工程と、を備える。
【発明の効果】
【0008】
本開示の一実施形態によれば、樹脂部とリードとの密着性を向上させることができる。
【0009】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【0012】
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。
【0013】
＜第１実施形態＞
図１～図１２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１は、半導体素子１、第１リード２、第２リード３、第２リード４、導通部材６１、導通部材６２および樹脂部８を備えている。
図１～図１２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１は、半導体素子１、第１リード２、第２リード３、第２リード４、導通部材６１、導通部材６２および樹脂部８を備えている。
【0014】
図１は、半導体装置Ａ１を示す斜視図である。図２は、半導体装置Ａ１を示す斜視図である。図３は、半導体装置Ａ１を示す平面図である。図４は、半導体装置Ａ１の第２パッド部を示す平面図である。図５は、半導体装置Ａ１の第２パッド部を示す平面図である。図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、半導体装置Ａ１を示す要部拡大断面図である。図８は、半導体装置Ａ１の第１粗化領域の一例を示す要部拡大断面図である。図９は、半導体装置Ａ１の第２粗化領域の一例を示す要部拡大断面図である。図１０は、図３のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。図１１は、図３のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。図１２は、図３のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。これらの図において、ｚ方向は、本開示の第１方向に相当し、ｙ方向は、本開示の第２方向に相当し、ｘ方向は、本開示の第３方向に相当する。
【0015】
〔半導体素子１〕
半導体素子１は、半導体装置Ａ１の機能中枢となる電子部品であり、半導体材料からなる。このような半導体材料としては、Ｓｉ（シリコン）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）およびＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）などがあるが、これらに限定されない。半導体素子１は、たとえば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）などのパワー半導体チップである。本実施形態においては、半導体素子１がＭＯＳＦＥＴである場合を示すが、これに限定されず、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor；絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）などの他のトランジスタ、あるいは、ショットキーバリアダイオードやファーストリカバリダイオードなどのダイオードであってもよい。
半導体素子１は、半導体装置Ａ１の機能中枢となる電子部品であり、半導体材料からなる。このような半導体材料としては、Ｓｉ（シリコン）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）およびＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）などがあるが、これらに限定されない。半導体素子１は、たとえば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）などのパワー半導体チップである。本実施形態においては、半導体素子１がＭＯＳＦＥＴである場合を示すが、これに限定されず、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor；絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）などの他のトランジスタ、あるいは、ショットキーバリアダイオードやファーストリカバリダイオードなどのダイオードであってもよい。
【0016】
本実施形態の半導体素子１は、素子主面１ａ、素子裏面１ｂ、複数の主面電極１１およびドレイン電極１２を有する。素子主面１ａは、ｚ方向の一方側（図１、図２および図６における図中上側）を向く面である。素子裏面１ｂは、ｚ方向において素子主面１ａとは反対側の他方側（図１、図２および図６における図中下側）を向く面である。
【0017】
図１～図３に示すように、複数の主面電極１１は、素子主面１ａに形成されている。本実施形態においては、複数の主面電極１１は、ゲート電極１１１およびソース電極１１２を含む。ゲート電極１１１は、スイッチング素子としての半導体装置Ａ１にゲート電圧が印加される電極である。ソース電極１１２は、入出力端子として用いられる電極である。図示された例においては、ゲート電極１１１は、ソース電極１１２よりも小さい。また、ゲート電極１１１は、素子主面１ａのｘ方向一方側（図３における図中左側）に偏って配置されている。ドレイン電極１２は、素子裏面１ｂに形成されており、ソース電極１１２とともに、入出力端子として用いられる電極である。
【0018】
〔第１リード２〕
第１リード２は、半導体素子１が搭載される部材である。第１リード２は、導電性材料である第１金属よりなる。本実施形態における第１金属としては、たとえばＣｕ（銅）が挙げられるが、これに限定されず、Ｎｉ（ニッケル）、または、Ｃｕ（銅）やＮｉ（ニッケル）の合金、４２アロイなどであってもよい。第１リード２は、平面視矩形状のＣｕなどの薄肉金属板から、打ち抜き加工、切り取り加工、曲げ加工などにより適切な形に形成される。図１～図３、図６、図１０および図１１に示すように、本実施形態の第１リード２は、第１パッド部２１、延出部２２、突出部２３および連結部２４を有する。
第１リード２は、半導体素子１が搭載される部材である。第１リード２は、導電性材料である第１金属よりなる。本実施形態における第１金属としては、たとえばＣｕ（銅）が挙げられるが、これに限定されず、Ｎｉ（ニッケル）、または、Ｃｕ（銅）やＮｉ（ニッケル）の合金、４２アロイなどであってもよい。第１リード２は、平面視矩形状のＣｕなどの薄肉金属板から、打ち抜き加工、切り取り加工、曲げ加工などにより適切な形に形成される。図１～図３、図６、図１０および図１１に示すように、本実施形態の第１リード２は、第１パッド部２１、延出部２２、突出部２３および連結部２４を有する。
【0019】
第１パッド部２１は、第１パッド主面２１ａおよび第１パッド裏面２１ｂを有する。第１パッド主面２１ａは、ｚ方向の一方側を向いており、第１パッド裏面２１ｂは、ｚ方向の他方側を向いている。第１パッド主面２１ａには、半導体素子１が搭載される。第１パッド部２１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に沿って視て略矩形状である。また、図６および図１０～図１２に示すように、本実施形態においては、第１パッド裏面２１ｂは、樹脂部８から露出している。
【0020】
第１パッド主面２１ａは、第１平滑領域２１１および第１粗化領域２１２を有する。第１粗化領域２１２は、本開示の粗化領域Ｕｎ０の一例である。なお、図２～図５において、複数の離散点からなるハッチングは、粗化手段によって粗化された領域を示している。また、図２～図５において、複数の平行線からなるハッチングは、めっきが施された領域を示している。図７は、図６の一部を拡大した要部拡大断面図である。図示された例の第１パッド主面２１ａは、めっき等が施されておらず、Ｃｕ等の第１金属が露出した面である。第１平滑領域２１１は、半導体素子１の素子裏面１ｂが接合された領域である。本実施形態においては、素子裏面１ｂに形成されたドレイン電極１２が、導通接合材１９によって第１平滑領域２１１に導通接合されている。また、図示された例においては、導通接合材１９が第１平滑領域２１１の略全域に広がっている。なお、導通接合材１９が第１平滑領域２１１のいずれの箇所に付着するかは、何ら限定されない。第１平滑領域２１１は、ｚ方向に沿って視て半導体素子１のすべてを内包しており、半導体素子１から全方向に延出している。第１平滑領域２１１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、略矩形状である。
【0021】
第１粗化領域２１２は、ｚ方向に沿って視て半導体素子１から離れておりかつ第１平滑領域２１１よりも粗い領域である。第１粗化領域２１２が第１平滑領域２１１よりも粗い構成とする手段は、何ら限定されない。本実施形態では、第１平滑領域２１１が一般的なリードフレームの材料となる金属板の表面によって構成されている。また、第１粗化領域２１２が、後述の第１レーザ光Ｌ１および第２レーザ光Ｌ２を用いた粗化手段によって粗化された領域である。粗化に用いられるレーザの種類は何ら限定されず、ＵＶレーザ、ＩＲレーザ、Ｇｒｅｅｎレーザ等が適宜例示される。また、レーザ光以外の粗化手段として、たとえば電子ビームが挙げられる。図示された例の第１粗化領域２１２は、第１パッド主面２１ａの端縁に到達している。
【0022】
第１粗化領域２１２の具体的な形状や大きさ等は、何ら限定されない。本実施形態においては、図３に示すように、第１粗化領域２１２は、第１部２１２１、第２部２１２２および一対の第３部２１２３を含む。第１部２１２１は、第１平滑領域２１１に対してｙ方向における一方側（後述の第２パッド部３１および第２パッド部４１が位置する側）に位置する。第２部２１２２は、第１平滑領域２１１に対して第１部２１２１（および後述の第２パッド部３１および第２パッド部４１）とは反対側に位置する。一対の第３部２１２３は、ｘ方向において第１平滑領域２１１の両側に隣接している。図示された例においては、第１粗化領域２１２は、第１部２１２１、第２部２１２２および一対の第３部２１２３を含むことにより、ｚ方向に沿って視て第１平滑領域２１１を囲む矩形環状をなしている。
【0023】
ここで、第１粗化領域２１２の寸法の一例を挙げる。例えば、第１部２１２１のｙ方向寸法は、第１平滑領域２１１のうちｙ方向において第１部２１２１と半導体素子１との間に位置する部分のｙ方向寸法よりも小である。また、第２部２１２２のｙ方向寸法は、第１平滑領域２１１のうちｙ方向において第２部２１２２と半導体素子１との間に位置する部分のｙ方向寸法よりも小である。また、第３部２１２３のｘ方向寸法は、第１平滑領域２１１のうちｘ方向において第３部２１２３と半導体素子１との間に位置する部分のｘ方向寸法よりも小である。
【0024】
図８は、第１粗化領域２１２の一部をさらに拡大した要部斜視図である。ここで、第１粗化領域２１２および後述の第２粗化領域３１２、第２粗化領域４１２は、本開示の粗化領域Ｕｎ０の具体例である。粗化領域Ｕｎ０は、第１凹凸形状Ｕｎ１と第２凹凸形状Ｕｎ２とが重ね合わされた形状である。第１凹凸形状Ｕｎ１は、第２凹凸形状Ｕｎ２を形成する工程よりも先に行われる工程で形成されている。第２凹凸形状Ｕｎ２は、第１凹凸形状Ｕｎ１を形成した後に形成されており、第１凹凸形状Ｕｎ１よりも粗さが細かい。第１凹凸形状Ｕｎ１および第２凹凸形状Ｕｎ２の具体的な形状は、何ら限定されない。図示された例においては、第１凹凸形状Ｕｎ１および第２凹凸形状Ｕｎ２のそれぞれは、複数の溝である。より具体的には、第２凹凸形状Ｕｎ２の好ましい例として、ＬＩＰＳＳ（Laser-Induced Periodic Surface Structures：レーザ誘起周期構造）が挙げられる。粗化領域Ｕｎ０は、樹脂部８に接している。
【0025】
第１凹凸形状Ｕｎ１の複数の溝は、第１特定方向Ｎ１に沿って延びている。第２凹凸形状Ｕｎ２の複数の溝は、第２特定方向Ｎ２に沿って延びている。第１特定方向Ｎ１と第２特定方向Ｎ２との相対関係は、何ら限定されない。図示された例においては、第１特定方向Ｎ１と第２特定方向Ｎ２とは、互いに交差しており、さらに直交している。半導体装置Ａ１において、第１特定方向Ｎ１および第２特定方向Ｎ２とｘ方向、ｙ方向およびｚ方向との関係は何ら限定されない。図示された例においては、第１特定方向Ｎ１および第２特定方向Ｎ２は、ｚ方向に直交する方向であり、ｘ方向およびｙ方向のいずれかと一致する場合がある。
【0026】
第１凹凸形状Ｕｎ１および第２凹凸形状Ｕｎ２のそれぞれが複数の溝によって構成される場合、第２凹凸形状Ｕｎ２の複数の溝の深さまたは波長が、第１凹凸形状Ｕｎ１の複数の溝の深さまたは波長よりも小さい構成となる。第１凹凸形状Ｕｎ１の複数の溝の波長は、たとえば２５μｍ以上３０μｍ以下であり、第２凹凸形状Ｕｎ２の複数の溝の波長は、たとえば０．８μｍ以上１．９μｍ以下である。また、第１凹凸形状Ｕｎ１の複数の溝の深さは、たとえば５μｍ以上３０μｍ以下であり、第２凹凸形状Ｕｎ２の複数の溝の深さは、たとえば０．２μｍ以上０．４μｍ以下である。
【0027】
また、本実施形態の第１パッド部２１は、図３、図１１および図１２に示すように、係止部２５１が形成されている。係止部２５１は、第１パッド部２１の周縁部からｘ方向またはｙ方向に突出した形状部分を有する部位である。係止部２５１は、たとえば、樹脂部８の一部と係合することにより、樹脂部８による第１パッド部２１の保持力を高めるために設けられている。
【0028】
延出部２２は、図１～図３および図１０に示すように、第１パッド部２１に対してｙ方向における一方側（後述の第２パッド部３１および第２パッド部４１が位置する側）に延出する部位である。延出部２２の形状は特に限定されず、図示された例においては、延出部２２は、根元部２２１、屈曲部２２２および先端部２２３を有する。
【0029】
根元部２２１は、第１パッド部２１からｙ方向の一方側に延出しており、ｙ方向に沿った形状である。屈曲部２２２は、根元部２２１のｙ方向先端に繋がっており、ｘ方向に沿って視てｚ方向の一方側（図１０における図中上側）に屈曲した形状部位である。先端部２２３は、屈曲部２２２に繋がっており、屈曲部２２２からｙ方向に沿ってｙ方向の一方側に延出している。図示された例においては、先端部２２３の一部が、樹脂部８から突出している。
【0030】
突出部２３は、図１～図３および図１０に示すように、第１パッド部２１に対してｙ方向の他方側に位置する部位である。突出部２３の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に沿って視てｘ方向を長手方向とする略長矩形状であり、そのほとんどが樹脂部８から露出している。
【0031】
連結部２４は、第１パッド部２１と突出部２３とを連結する部位である。図３に示すように、図示された例の連結部２４は、貫通孔２４１を有する。貫通孔２４１は、連結部２４をｚ方向に貫通している。
【0032】
また、本実施形態の延出部２２は、めっき部２２４を有する。めっき部２２４は、第１リード２を構成するＣｕ等の第１金属上にめっきによって形成された第２金属からなる金属層である。めっき部２２４を構成する第２金属は何ら限定されず、たとえばＮｉやＡｇ等である。
【0033】
〔第２リード３〕
第２リード３は、後述の導通部材６１が接合される部材である。第２リード３は、導電性材料である第１金属よりなる。本実施形態における第１金属としては、たとえばＣｕが挙げられるが、これに限定されず、Ｎｉ（ニッケル）、または、ＣｕやＮｉの合金、４２アロイなどであってもよい。第２リード３は、平面視矩形状のＣｕなどの薄肉金属板から、打ち抜き加工、切り取り加工、曲げ加工などにより適切な形に形成される。図１～図４、および図６に示すように、本実施形態の第２リード３は、第２パッド部３１および端子部３２を有する。
第２リード３は、後述の導通部材６１が接合される部材である。第２リード３は、導電性材料である第１金属よりなる。本実施形態における第１金属としては、たとえばＣｕが挙げられるが、これに限定されず、Ｎｉ（ニッケル）、または、ＣｕやＮｉの合金、４２アロイなどであってもよい。第２リード３は、平面視矩形状のＣｕなどの薄肉金属板から、打ち抜き加工、切り取り加工、曲げ加工などにより適切な形に形成される。図１～図４、および図６に示すように、本実施形態の第２リード３は、第２パッド部３１および端子部３２を有する。
【0034】
第２パッド部３１は、第２パッド主面３１ａおよび第２パッド裏面３１ｂを有する。第２パッド主面３１ａは、ｚ方向の一方側を向いており、第２パッド裏面３１ｂは、ｚ方向の他方側を向いている。第２パッド主面３１ａには、後述の導通部材６１が接合される。第２パッド部３１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に沿って視て略矩形状である。また、図６に示すように、本実施形態においては、第２パッド主面３１ａおよび第２パッド裏面３１ｂは、樹脂部８に覆われている。
【0035】
図１～図３および図６に示すように、本実施形態においては、第２パッド部３１は、ｚ方向に沿って視て第１パッド部２１に対してｙ方向の一方側に位置しており、延出部２２のｘ方向の一方側に位置している。また、第２パッド部３１は、第１パッド部２１および延出部２２よりもｚ方向の一方側（図６における図中上側）に位置している。
【0036】
図３および図４に示すように、第２パッド主面３１ａは、第２平滑領域３１１および第２粗化領域３１２を有する。第２粗化領域３１２は、本開示の粗化領域Ｕｎ０の一例である。図７は、図６の一部を拡大した要部拡大断面図である。図示された例の第２パッド主面３１ａは、めっきが施されている。めっきによって形成される金属層を構成する第２金属は何ら限定されず、たとえばＮｉ（ニッケル）やＡｇ（銀）等が挙げられる。第２平滑領域３１１は、導通部材６１の後述の第２ボンディング部６１２が接合された領域である。第２平滑領域３１１は、ｚ方向に沿って視て第２ボンディング部６１２のすべてを内包しており、半導体素子１から全方向に延出している。第２平滑領域３１１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、略矩形状である。図示された例の第２平滑領域３１１は、めっきが施された平滑領域である。また、第２平滑領域３１１のｘ方向寸法は、好ましくは、第２ボンディング部６１２のｘ方向寸法の２倍以上である。
【0037】
第２粗化領域３１２は、ｚ方向に沿って視て第２ボンディング部６１２から離れており、かつ第２平滑領域３１１よりも粗い領域である。第２粗化領域３１２が第２平滑領域３１１よりも粗い構成とする手段は、何ら限定されない。たとえば、第２平滑領域３１１が一般的なリードフレームの材料となる金属板の表面によって構成されている。また、第２粗化領域３１２が、後述の第１レーザ光Ｌ１および第２レーザ光Ｌ２を用いた粗化手段によって粗化された領域である。粗化に用いられるレーザの種類は何ら限定されず、ＵＶレーザ、ＩＲレーザ、Ｇｒｅｅｎレーザ等が適宜例示される。また、レーザ光以外の粗化手段として、たとえば電子ビームが挙げられる。図示された例においては、第２粗化領域３１２は、第２パッド主面３１ａの端縁に到達している。
【0038】
第２粗化領域３１２の具体的な形状や大きさ等は、何ら限定されない。本実施形態においては、図４に示すように、第２粗化領域３１２は、第１部３１２１、第２部３１２２および一対の第３部３１２３を含む。第１部３１２１は、第２平滑領域３１１に対してｙ方向における他方側（第１パッド部２１が位置する側）に位置する。第２部３１２２は、第２平滑領域３１１に対して第１部３１２１（および第１パッド部２１）とは反対側に位置する。一対の第３部３１２３は、ｘ方向において第２平滑領域３１１の両側に隣接している。図示された例においては、第２粗化領域３１２は、第１部３１２１、第２部３１２２および一対の第３部３１２３を含むことにより、ｚ方向に沿って視て第２平滑領域３１１を囲む矩形環状をなしている。
【0039】
第２粗化領域３１２の具体的形状の一例は、たとえば、図８に示した構成となる。また、図９は、第２粗化領域３１２の一部をさらに拡大した断面図である。この第２粗化領域３１２は、第１凹凸形状Ｕｎ１を構成する複数の凹部３１２ａおよび複数の凸部３１２ｂを有する。複数の凹部３１２ａおよび複数の凸部３１２ｂは、交互に並んで配置されている。図示された例においては、複数の凹部３１２ａは、第２リード３の第１金属であるＣｕが露出した領域である。一方、複数の凸部３１２ｂは、めっきによって形成された金属層３１９を構成する第２金属であり、たとえばＮｉ（ニッケル）によって構成されている。このような第２粗化領域３１２は、めっきを用いて金属層３１９により第１金属を覆った後に、第２粗化領域３１２を形成した場合に見られる構成である。すなわち、金属層３１９の厚さよりも、第２粗化領域３１２の凹凸寸法（凹部３１２ａの底部から凸部３１２ｂの頂部までの寸法）の方が大きい。
【0040】
端子部３２は、図１～図３および図６に示すように、第２パッド部３１に対してｙ方向における一方側に延出する部位である。端子部３２は、たとえば、半導体装置Ａ１を回路基板等に実装する際に用いられる。端子部３２の形状は特に限定されず、図示された例においては、端子部３２は、根元部３２１、屈曲部３２２および先端部３２３を有する。
【0041】
根元部３２１は、第２パッド部３１からｙ方向の一方側に延出しており、ｙ方向に沿った形状である。根元部３２１の一部は、樹脂部８から露出している。屈曲部３２２は、根元部３２１のｙ方向先端に繋がっており、ｘ方向に沿って視てｚ方向の他方側（図６における図中下側）に屈曲した形状部位である。先端部３２３は、屈曲部３２２に繋がっており、屈曲部３２２からｙ方向に沿ってｙ方向の一方側に延出している。
【0042】
〔第２リード４〕
第２リード４は、後述の導通部材６２が接合される部材である。第２リード４は、導電性材料である第１金属よりなる。本実施形態における第１金属としては、たとえばＣｕが挙げられるが、これに限定されず、Ｎｉ（ニッケル）、または、ＣｕやＮｉの合金、４２アロイなどであってもよい。第２リード４は、平面視矩形状のＣｕなどの薄肉金属板から、打ち抜き加工、切り取り加工、曲げ加工などにより適切な形に形成される。図１～図３、図５および図１１に示すように、本実施形態の第２リード４は、第２パッド部４１および端子部４２を有する。
第２リード４は、後述の導通部材６２が接合される部材である。第２リード４は、導電性材料である第１金属よりなる。本実施形態における第１金属としては、たとえばＣｕが挙げられるが、これに限定されず、Ｎｉ（ニッケル）、または、ＣｕやＮｉの合金、４２アロイなどであってもよい。第２リード４は、平面視矩形状のＣｕなどの薄肉金属板から、打ち抜き加工、切り取り加工、曲げ加工などにより適切な形に形成される。図１～図３、図５および図１１に示すように、本実施形態の第２リード４は、第２パッド部４１および端子部４２を有する。
【0043】
第２パッド部４１は、第２パッド主面４１ａおよび第２パッド裏面４１ｂを有する。第２パッド主面４１ａは、ｚ方向の一方側を向いており、第２パッド裏面４１ｂは、ｚ方向の他方側を向いている。第２パッド主面４１ａには、後述の導通部材６２が接合される。第２パッド部４１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に沿って視て略矩形状である。また、図６に示すように、本実施形態においては、第２パッド主面４１ａおよび第２パッド裏面４１ｂは、樹脂部８に覆われている。
【0044】
図１～図３および図６に示すように、本実施形態においては、第２パッド部４１は、ｚ方向に沿って視て第１パッド部２１に対してｙ方向の一方側に位置しており、延出部２２のｘ方向の他方側に位置している。また、第２パッド部４１は、第１パッド部２１および延出部２２よりもｚ方向の一方側（図１０における図中上側）に位置しており、第２パッド部３１とｚ方向位置が略同じである。
【0045】
図３および図５に示すように、第２パッド主面４１ａは、第２平滑領域４１１および第２粗化領域４１２を有する。第２粗化領域４１２は、本開示の粗化領域Ｕｎ０の一例である。図示された例の第２パッド主面４１ａは、めっきが施されている。めっきによって形成される金属層を構成する第２金属は何ら限定されず、たとえばＮｉ（ニッケル）やＡｇ（銀）等が挙げられる。第２平滑領域４１１は、導通部材６２の後述の第２ボンディング部６２２が接合された領域である。第２平滑領域４１１は、ｚ方向に沿って視て第２ボンディング部６２２のすべてを内包しており、半導体素子１から全方向に延出している。第２平滑領域４１１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、略矩形状である。図示された例の第２平滑領域４１１は、めっきが施された平滑領域である。また、第２平滑領域４１１のｘ方向寸法は、好ましくは、第２ボンディング部６２２のｘ方向寸法の２倍以上である。
【0046】
第２粗化領域４１２は、ｚ方向に沿って視て第２ボンディング部６２２から離れておりかつ第２平滑領域４１１よりも粗い領域である。第２粗化領域４１２が第２平滑領域４１１よりも粗い構成とする手段は、何ら限定されない。たとえば、第２粗化領域３１２と同様に、第２平滑領域４１１が一般的なリードフレームの材料となる金属板の表面によって構成されている。また、第２粗化領域４１２が、後述の第１レーザ光Ｌ１および第２レーザ光Ｌ２を用いた粗化手段によって粗化された領域である。粗化に用いられるレーザの種類は何ら限定されず、ＵＶレーザ、ＩＲレーザ、Ｇｒｅｅｎレーザ等が適宜例示される。また、レーザ光以外の粗化手段として、たとえば電子ビームが挙げられる。図示された例においては、第２粗化領域４１２は、第２パッド主面４１ａの端縁に到達している。
【0047】
第２粗化領域４１２の具体的な形状や大きさ等は、何ら限定されない。本実施形態においては、図５に示すように、第２粗化領域４１２は、第１部４１２１、第２部４１２２および一対の第３部４１２３を含む。第１部４１２１は、第２平滑領域４１１に対してｙ方向における他方側（第１パッド部２１が位置する側）に位置する。第２部４１２２は、第２平滑領域４１１に対して第１部４１２１（および第１パッド部２１）とは反対側に位置する。一対の第３部４１２３は、ｘ方向において第２平滑領域４１１の両側に隣接している。図示された例においては、第２粗化領域４１２は、第１部４１２１、第２部４１２２および一対の第３部４１２３を含むことにより、ｚ方向に沿って視て第２平滑領域４１１を囲む矩形環状をなしている。
【0048】
第２粗化領域４１２の具体的な詳細構成は、何ら限定されず、たとえば、図９に示した第２粗化領域３１２と同様の構成である。
【0049】
端子部４２は、図１～図３および図１１に示すように、第２パッド部４１に対してｙ方向における一方側に延出する部位である。端子部４２は、たとえば、半導体装置Ａ１を回路基板等に実装する際に用いられる。端子部４２の形状は特に限定されず、図示された例においては、端子部４２は、根元部４２１、屈曲部４２２および先端部４２３を有する。
【0050】
根元部４２１は、第２パッド部４１からｙ方向の一方側に延出しており、ｙ方向に沿った形状である。根元部４２１の一部は、樹脂部８から露出している。屈曲部４２２は、根元部４２１のｙ方向先端に繋がっており、ｘ方向に沿って視てｚ方向の他方側（図６における図中下側）に屈曲した形状部位である。先端部４２３は、屈曲部４２２に繋がっており、屈曲部４２２からｙ方向に沿ってｙ方向の一方側に延出している。
【0051】
〔導通部材６１〕
導通部材６１は、半導体素子１のゲート電極１１１と第２リード３とを導通させるためのものである。導通部材６１の具体的構成は何ら限定されず、たとえば金属からなるワイヤやリボンが挙げられる。導通部材６１を構成する金属としては、たとえばＡｕ、Ａｌ等の金属やこれらの合金が挙げられる。Ａｌ合金としては、たとえばＡｌにＦｅ、Ｓｉ、Ｎｉのいずれかが添加されたＡｌ合金が挙げられる。本実施形態においては、導通部材６１は、Ａｕからなるワイヤである。
導通部材６１は、半導体素子１のゲート電極１１１と第２リード３とを導通させるためのものである。導通部材６１の具体的構成は何ら限定されず、たとえば金属からなるワイヤやリボンが挙げられる。導通部材６１を構成する金属としては、たとえばＡｕ、Ａｌ等の金属やこれらの合金が挙げられる。Ａｌ合金としては、たとえばＡｌにＦｅ、Ｓｉ、Ｎｉのいずれかが添加されたＡｌ合金が挙げられる。本実施形態においては、導通部材６１は、Ａｕからなるワイヤである。
【0052】
図１～図３および図６に示すように、導通部材６１は、第１ボンディング部６１１および第２ボンディング部６１２を有する。第１ボンディング部６１１は、半導体素子１のゲート電極１１１にボンディングされている。第２ボンディング部６１２は、第２リード３の第２パッド部３１の第２パッド主面３１ａの第２平滑領域３１１にボンディングされている。導通部材６１を形成する工程においては、第１ボンディング部６１１および第２ボンディング部６１２の形成順序は何ら限定されない。導通部材６１の形成は、たとえばキャピラリボンディングによってなされる。
【0053】
〔導通部材６２〕
導通部材６１は、半導体素子１のソース電極１１２と第２リード４とを導通させるためのものである。導通部材６２の具体的構成は何ら限定されず、たとえば金属からなるワイヤやリボンが挙げられる。導通部材６１を構成する金属としては、たとえばＡｕ、Ａｌ等の金属やこれらの合金が挙げられる。Ａｌ合金としては、たとえばＡｌにＦｅ、Ｓｉ、Ｎｉのいずれかが添加されたＡｌ合金が挙げられる。本実施形態においては、導通部材６２は、ＡｌまたはＡｌ合金からなるワイヤである。この場合、導通部材６２の直径は、導通部材６１の直径よりも大きい。
導通部材６１は、半導体素子１のソース電極１１２と第２リード４とを導通させるためのものである。導通部材６２の具体的構成は何ら限定されず、たとえば金属からなるワイヤやリボンが挙げられる。導通部材６１を構成する金属としては、たとえばＡｕ、Ａｌ等の金属やこれらの合金が挙げられる。Ａｌ合金としては、たとえばＡｌにＦｅ、Ｓｉ、Ｎｉのいずれかが添加されたＡｌ合金が挙げられる。本実施形態においては、導通部材６２は、ＡｌまたはＡｌ合金からなるワイヤである。この場合、導通部材６２の直径は、導通部材６１の直径よりも大きい。
【0054】
図１～図３および図１１に示すように、導通部材６２は、第１ボンディング部６２１および第２ボンディング部６２２を有する。第１ボンディング部６２１は、半導体素子１のソース電極１１２にボンディングされている。第２ボンディング部６２２は、第２リード４の第２パッド部４１の第２パッド主面４１ａの第２平滑領域４１１にボンディングされている。導通部材６２を形成する工程においては、第１ボンディング部６２１および第２ボンディング部６２２の形成順序は何ら限定されない。導通部材６２の形成は、たとえばウエッジボンディングによってなされる。
【0055】
〔樹脂部８〕
樹脂部８は、半導体素子１、第１リード２、第２リード３および第２リード４の一部ずつ、導通部材６１および導通部材６２を覆っている。樹脂部８は、電気絶縁性を有する熱硬化性の合成樹脂である。本実施形態においては、樹脂部８は、黒色のエポキシ樹脂であり、適宜フィラーが混入していてもよい。樹脂部８は、図１～図３、図６、図１０および図１１に示すように、樹脂主面８１、樹脂裏面８２、樹脂端面８３、樹脂端面８４および一対の樹脂側面８５を有している。
樹脂部８は、半導体素子１、第１リード２、第２リード３および第２リード４の一部ずつ、導通部材６１および導通部材６２を覆っている。樹脂部８は、電気絶縁性を有する熱硬化性の合成樹脂である。本実施形態においては、樹脂部８は、黒色のエポキシ樹脂であり、適宜フィラーが混入していてもよい。樹脂部８は、図１～図３、図６、図１０および図１１に示すように、樹脂主面８１、樹脂裏面８２、樹脂端面８３、樹脂端面８４および一対の樹脂側面８５を有している。
【0056】
樹脂主面８１および樹脂裏面８２は、ｚ方向において、互いに反対側を向き、かつ、離間している。樹脂主面８１は、素子主面１ａと同じ方向を向き、樹脂裏面８２は、素子裏面１ｂと同じ方向を向く。樹脂端面８３、樹脂端面８４および一対の樹脂側面８５の各々は、樹脂主面８１および樹脂裏面８２に挟まれている。樹脂端面８３は、ｙ方向の一方側を向いている。樹脂端面８４は、ｙ方向の他方側を向いている。一対の樹脂側面８５は、ｙ方向の両側を向いている。
【0057】
本実施形態においては、樹脂裏面８２から第１パッド裏面２１ｂが露出している。また、樹脂端面８３から延出部２２、端子部３２および端子部４２が突出している。また、樹脂端面８４から突出部２３が突出している。
【0058】
【0059】
図１３に示す工程では、第１リード２の第１パッド部２１、第２リード３の第２パッド部３１および第２リード４の第２パッド部４１において、粗化領域Ｕｎ０としての第１粗化領域２１２、第２粗化領域３１２および第２粗化領域４１２となるべき領域に、第１レーザ光Ｌ１を照射する。第１レーザ光Ｌ１は、上述の第１凹凸形状Ｕｎ１を形成しうるレーザ光であれば何ら限定されず、ＵＶレーザ、ＩＲレーザ、Ｇｒｅｅｎレーザ等が適宜例示される。第１レーザ光Ｌ１を、たとえば第１特定方向Ｎ１に沿って複数回走査することにより、第１特定方向Ｎ１に沿った複数の溝からなる第１凹凸形状Ｕｎ１を形成する。
【0060】
次に、図１４に示す工程では、粗化領域Ｕｎ０としての第１粗化領域２１２、第２粗化領域３１２および第２粗化領域４１２となるべき領域に、第２レーザ光Ｌ２を照射する。第２レーザ光Ｌ２は、上述の第２凹凸形状Ｕｎ２を形成しうるレーザ光であれば何ら限定されず、たとえば波長１０３０ｎｍのレーザ光を用い、たとえばパルス幅２５６ｆｓで照射する。これにより、たとえばＬＩＰＳＳとされた第２凹凸形状Ｕｎ２が形成され、第１凹凸形状Ｕｎ１と第２凹凸形状Ｕｎ２とが重ね合わされた形状である粗化領域Ｕｎ０が得られる。
【0061】
図１５に示すように、本製造方法では、第１凹凸形状Ｕｎ１を形成した後に、第１凹凸形状Ｕｎ１よりも粗さが細かい第２凹凸形状Ｕｎ２を形成する。このため、第１凹凸形状Ｕｎ１の全体的な凹凸形状が維持されたまま、表面の形状がより微細な第２凹凸形状Ｕｎ２とされる。このような２段階の加工を経ることにより、第１凹凸形状Ｕｎ１と第２凹凸形状Ｕｎ２とが重ね合わされた形状が実現される。この後は、第１パッド部２１への半導体素子１の搭載、導通部材６１および導通部材６２のボンディング、および樹脂部８の形成等の工程を経ることにより、半導体装置Ａ１が得られる。
【0062】
次に、半導体装置Ａ１の作用について説明する。
【0063】
第１粗化領域２１２、第２粗化領域３１２および第２粗化領域４１２を具体例とする粗化領域Ｕｎ０は、図８に示すように、第１凹凸形状Ｕｎ１と第２凹凸形状Ｕｎ２とが重ね合わされた形状である。第２凹凸形状Ｕｎ２は、第１凹凸形状Ｕｎ１よりも粗さが細かい。これにより、単に第１凹凸形状Ｕｎ１のみの形状とされた場合と比べて、第２凹凸形状Ｕｎ２をさらに有することにより、第１リード２、第２リード３および第２リード４と樹脂部８との接触面積を増大させることが可能である。また、粗化領域Ｕｎ０に樹脂部８がより微細に入り込んだ構造が実現可能である。したがって、第１リード２、第２リード３および第２リード４と樹脂部８との密着性を向上させることが可能であり、亀裂等の発生を抑制することができる。
【0064】
図１３～図１５を参照して説明したように、第１レーザ光Ｌ１を用いて第１凹凸形状Ｕｎ１を形成した後に、第２レーザ光Ｌ２を用いて第２凹凸形状Ｕｎ２を形成することにより、第１凹凸形状Ｕｎ１と第２凹凸形状Ｕｎ２とが重ね合わされた形状である粗化領域Ｕｎ０をより確実に形成することが可能である。また、第１レーザ光Ｌ１の照射条件を適宜変更することによって第１凹凸形状Ｕｎ１の性状を適宜調整可能であり、また、第２レーザ光Ｌ２の照射条件を適宜変更することによって第２凹凸形状Ｕｎ２の性状を適宜調整可能である。したがって、第１凹凸形状Ｕｎ１と第２凹凸形状Ｕｎ２とをそれぞれ独立して所望の性状に仕上げることができる。第２レーザ光Ｌ２を用いてＬＩＰＳＳとして構成された第２凹凸形状Ｕｎ２は、樹脂部８との密着性を高めるのに好ましい。
【0065】
本実施形態によれば、図２～図５および図７～図９に示すように、第１パッド部２１に第１粗化領域２１２が形成され、第２パッド部３１に第２粗化領域３１２が形成されている。第１粗化領域２１２および第２粗化領域３１２と樹脂部８とが、局所的な係合関係を構築することにより、第１パッド部２１および第２パッド部３１と樹脂部８との剥離等を抑制することができる。一方、半導体素子１は、第１平滑領域２１１に搭載されている。これにより、半導体素子１と第１パッド部２１との接合強度の低下を回避することができる。また、導通部材６１の第２ボンディング部６１２は、第２平滑領域３１１に接合されている。発明者の知見によれば、第２ボンディング部６１２は、より平滑な部位に接合することが、接合強度の向上に好ましい。また、第２パッド部４１に第２平滑領域４１１および第２粗化領域４１２が設けられていることからも、同様の効果が期待できる。したがって、半導体装置Ａ１の適切な動作を図りつつ、樹脂部８と第１リード２、第２リード３および第２リード４との密着性を向上させることができる。また、第２パッド部４１に第２平滑領域４１１および第２粗化領域４１２が設けられていることからも、同様の効果が期待できる。
【0066】
図３に示すように、第１粗化領域２１２は、第１部２１２１を含む。これにより、第２パッド部３１や第２パッド部４１が配置されている側から、第１パッド部２１と樹脂部８との剥離が生じることを回避することができる。また、第１粗化領域２１２は、第２部２１２２を含む。これにより、第２パッド部３１や第２パッド部４１が配置されている側とは反対側、すなわち突出部２３の側から、第１パッド部２１と樹脂部８との剥離が生じることを回避することができる。また、第１粗化領域２１２は、第３部２１２３を含む。これにより、ｘ方向の外側から第１パッド部２１と樹脂部８との剥離が生じることを回避することができる。さらに、第１粗化領域２１２が第１パッド主面２１ａの端縁に到達している構成は、第１パッド部２１と樹脂部８との剥離が生じることを回避するのに好ましい。
【0067】
図４に示すように、第２粗化領域３１２は、第１部３１２１を含む。これにより、第１パッド部２１が配置されている側から、第２パッド部３１と樹脂部８との剥離が生じることを回避することができる。また、第２粗化領域３１２は、第２部３１２２を含む。これにより、第１パッド部２１が配置されている側とは反対側、すなわち端子部３２の側から、第２パッド部３１と樹脂部８との剥離が生じることを回避することができる。また、第２粗化領域３１２は、第３部３１２３を含む。これにより、ｘ方向の外側から第２パッド部３１と樹脂部８との剥離が生じることを回避することができる。さらに、第２粗化領域３１２が第２パッド主面３１ａの端縁に到達している構成は、第２パッド部３１と樹脂部８との剥離が生じることを回避するのに好ましい。
【0068】
図５に示すように、第２粗化領域４１２は、第１部４１２１を含む。これにより、第１パッド部２１が配置されている側から、第２パッド部４１と樹脂部８との剥離が生じることを回避することができる。また、第２粗化領域４１２は、第２部４１２２を含む。これにより、第１パッド部２１が配置されている側とは反対側、すなわち端子部４２の側から、第２パッド部４１と樹脂部８との剥離が生じることを回避することができる。また、第２粗化領域４１２は、第３部４１２３を含む。これにより、ｘ方向の外側から第２パッド部４１と樹脂部８との剥離が生じることを回避することができる。さらに、第２粗化領域４１２が第２パッド主面４１ａの端縁に到達している構成は、第２パッド部４１と樹脂部８との剥離が生じることを回避するのに好ましい。
【0069】
図３に示すように、第１平滑領域２１１は、めっき等が施されておらず、第１金属であるたとえばＣｕが露出した平滑な面である。これは、半導体素子１を導通接合材１９によって接合するのに好ましい。図３～図５に示すように、第２平滑領域３１１および第２平滑領域４１１には、Ｎｉ等の第２金属がめっきによって設けられている。これにより、第２ボンディング部６１２や第２ボンディング部６２２の接合強度を高めることができる。
【0070】
図９に示すように、第２粗化領域３１２は、複数の微細突起３１２ｃを有する。これにより、第２パッド部３１と樹脂部８との剥離防止効果をさらに高めることができる。また、発明者の知見によれば、Ｇｒｅｅｎレーザを用いて第２粗化領域３１２を形成した場合に、複数の第２粗化領域３１２cが生じやすい。また、第１金属であるＣｕ等にめっきによって第２金属であるＮｉ等からなる金属層３１９を形成した後に、Ｇｒｅｅｎレーザ等のレーザを用いた粗化処理を行っている。これにより、図９に示すように、第１金属からなる凹部３１２ａと、第２金属からなる凸部３１２ｂとが形成され、適切な粗化を行うことができる。
【0071】
また、複数の凹部３１２ａは、第２リード３の第１金属であるＣｕが露出した領域である。一方、複数の凸部３１２ｂは、めっきによって形成された金属層３１９を構成する第２金属であり、たとえばＮｉによって構成されている。このように、凹部３１２ａが、金属層３１９を貫通し、第１金属に到達した構成の場合、樹脂部８の剥離が、顕著に抑制される効果が、発明者の試験によって確認された。
【0072】
【0073】
＜粗化領域Ｕｎ０の第１変形例＞
図１６は、粗化領域Ｕｎ０の第１変形例を示している。同図に示す例においては、第１特定方向Ｎ１と第２特定方向Ｎ２とが一致している。すなわち、第１凹凸形状Ｕｎ１を構成する複数の溝と、第２凹凸形状Ｕｎ２を構成する複数の溝とが、互いに平行に延びている。
図１６は、粗化領域Ｕｎ０の第１変形例を示している。同図に示す例においては、第１特定方向Ｎ１と第２特定方向Ｎ２とが一致している。すなわち、第１凹凸形状Ｕｎ１を構成する複数の溝と、第２凹凸形状Ｕｎ２を構成する複数の溝とが、互いに平行に延びている。
【0074】
＜粗化領域Ｕｎ０の第２変形例＞
図１７は、粗化領域Ｕｎ０の第２変形例を示している。同図に示す例においては、第１特定方向Ｎ１と第２特定方向Ｎ２とが交差しており、互いのなす角度がたとえば４５°である。すなわち、第１凹凸形状Ｕｎ１を構成する複数の溝と、第２凹凸形状Ｕｎ２を構成する複数の溝とが、４５°の角度をなしている。
図１７は、粗化領域Ｕｎ０の第２変形例を示している。同図に示す例においては、第１特定方向Ｎ１と第２特定方向Ｎ２とが交差しており、互いのなす角度がたとえば４５°である。すなわち、第１凹凸形状Ｕｎ１を構成する複数の溝と、第２凹凸形状Ｕｎ２を構成する複数の溝とが、４５°の角度をなしている。
【0075】
【0076】
＜粗化領域Ｕｎ０の第３変形例＞
図１８～図２０は、粗化領域Ｕｎ０の第３変形例を示している。本変形例においては、第１凹凸形状Ｕｎ１が上述の複数の溝によって構成されており、第２凹凸形状Ｕｎ２が、離散的に配置された複数の凹部によって構成されている。
図１８～図２０は、粗化領域Ｕｎ０の第３変形例を示している。本変形例においては、第１凹凸形状Ｕｎ１が上述の複数の溝によって構成されており、第２凹凸形状Ｕｎ２が、離散的に配置された複数の凹部によって構成されている。
【0077】
第１凹凸形状Ｕｎ１は、たとえば上述の第１レーザ光Ｌ１を用いた加工によって形成される。第２凹凸形状Ｕｎ２は、たとえば第２レーザ光Ｌ２を複数の点状に照射することによって形成される。
【0078】
＜粗化領域Ｕｎ０の第４変形例＞
図２１～図２３は、粗化領域Ｕｎ０の第４変形例を示している。本変形例においては、第１凹凸形状Ｕｎ１および第２凹凸形状Ｕｎ２が、離散的に配置された複数の凹部によって構成されている。第２凹凸形状Ｕｎ２を構成する複数の凹部の各々は、第１凹凸形状Ｕｎ１を構成する複数の凹部の各々よりも小さい。
図２１～図２３は、粗化領域Ｕｎ０の第４変形例を示している。本変形例においては、第１凹凸形状Ｕｎ１および第２凹凸形状Ｕｎ２が、離散的に配置された複数の凹部によって構成されている。第２凹凸形状Ｕｎ２を構成する複数の凹部の各々は、第１凹凸形状Ｕｎ１を構成する複数の凹部の各々よりも小さい。
【0079】
＜粗化領域Ｕｎ０の第５変形例＞
図２４～図２６は、粗化領域Ｕｎ０の第５変形例を示している。本変形例においては、第１凹凸形状Ｕｎ１が離散的に配置された複数の凹部によって構成され、第２凹凸形状Ｕｎ２が複数の溝によって構成されている。第２凹凸形状Ｕｎ２を構成する複数の溝の粗さは、第１凹凸形状Ｕｎ１を構成する複数の凹部の粗さよりも小さい。
図２４～図２６は、粗化領域Ｕｎ０の第５変形例を示している。本変形例においては、第１凹凸形状Ｕｎ１が離散的に配置された複数の凹部によって構成され、第２凹凸形状Ｕｎ２が複数の溝によって構成されている。第２凹凸形状Ｕｎ２を構成する複数の溝の粗さは、第１凹凸形状Ｕｎ１を構成する複数の凹部の粗さよりも小さい。
【0080】
図３変形例～第５変形例から理解されるように、第１凹凸形状Ｕｎ１および第２凹凸形状Ｕｎ２の具体的な凹凸形状は何ら限定されず、種々の凹凸形状を相互に適宜組み合わせて採用することができる。
【0081】
＜第２粗化領域３１２ 変形例＞
図２７は、第２粗化領域３１２の変形例の一部をさらに拡大した断面図である。本変形例の第２粗化領域３１２は、第１凹凸形状Ｕｎ１は、金属層３１９内にとどまっている。すなわち、第１凹凸形状Ｕｎ１（粗化領域Ｕｎ０）においては、第２リード３の第１金属であるＣｕは露出していない。
図２７は、第２粗化領域３１２の変形例の一部をさらに拡大した断面図である。本変形例の第２粗化領域３１２は、第１凹凸形状Ｕｎ１は、金属層３１９内にとどまっている。すなわち、第１凹凸形状Ｕｎ１（粗化領域Ｕｎ０）においては、第２リード３の第１金属であるＣｕは露出していない。
【0082】
本変形例によっても、樹脂部８と第１リード２、第２リード３および第２リード４との密着性を向上させることができる。また、本変形例から理解されるように、第２粗化領域３１２は、上述の凹部３１２ａにおいて第２リード３の第１金属が露出する場合に限定されず、第１金属が露出しない場合がありうる。このような構成であっても、凹部３１２ａおよび凸部３１２ｂを有することにより、樹脂部８との密着を促進することができる。
【0083】
＜第１実施形態 第１変形例＞
図２８は、半導体装置Ａ１の第１変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１１においては、第１パッド部２１に上述の第１粗化領域２１２が形成されている一方、第２パッド部３１および第２パッド部４１には、上述の第２粗化領域３１２および第２粗化領域４１２が形成されていない。
図２８は、半導体装置Ａ１の第１変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１１においては、第１パッド部２１に上述の第１粗化領域２１２が形成されている一方、第２パッド部３１および第２パッド部４１には、上述の第２粗化領域３１２および第２粗化領域４１２が形成されていない。
【0084】
本変形例によっても、樹脂部８と第１リード２との密着性を向上させることができる。また、本変形例から理解されるように、第２粗化領域３１２および第２粗化領域４１２を有さない構成であってもよい。
【0085】
＜第１実施形態 第２変形例＞
図２９は、半導体装置Ａ１の第２変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１２においては、第２パッド部３１に第２粗化領域３１２が形成され、第２パッド部４１に第２粗化領域４１２が形成されている一方、第１パッド部２１に上述の第１粗化領域２１２が形成されている一方、第１パッド部２１には、上述の第１粗化領域２１２が形成されていない。
図２９は、半導体装置Ａ１の第２変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１２においては、第２パッド部３１に第２粗化領域３１２が形成され、第２パッド部４１に第２粗化領域４１２が形成されている一方、第１パッド部２１に上述の第１粗化領域２１２が形成されている一方、第１パッド部２１には、上述の第１粗化領域２１２が形成されていない。
【0086】
本変形例によっても、樹脂部８と第２リード３および第２リード４との密着性を向上させることができる。また、本変形例から理解されるように、第１粗化領域２１２を有さない構成であってもよい。
【0087】
＜第１実施形態 第３変形例＞
図３０は、半導体装置Ａ１の第３変形例を示している。本例の半導体装置Ａ１３は、半導体素子１Ａおよび導通部材６３をさらに備えている。
図３０は、半導体装置Ａ１の第３変形例を示している。本例の半導体装置Ａ１３は、半導体素子１Ａおよび導通部材６３をさらに備えている。
【0088】
半導体素子１Ａは、たとえばダイオードである。第１パッド部２１の第１パッド主面２１ａは、２つの第１平滑領域２１１を有する。一方の第１平滑領域２１１に半導体素子１が搭載されており、他方の第１平滑領域２１１に半導体素子１Ａが搭載されている。
【0089】
本変形例の第１粗化領域２１２は、第１部２１２１、第２部２１２２、一対の第３部２１２３に加えて第４部２１２４を有する。第４部２１２４は、ｙ方向に延びた形状であり、第１部２１２１と第２部２１２２とに繋がっている。第４部２１２４は、２つの第１平滑領域２１１を互いに区画している。
【0090】
導通部材６３は、第１ボンディング部６３１および第２ボンディング部６３２を有している。導通部材６３の材質は特に限定されず、たとえばＡｕやＡｌおよびこれらの合金からなる。第１ボンディング部６３１は、半導体素子１Ａの主面電極１１Ａに接合されている。第２ボンディング部６３２は、第２リード４の第２パッド主面４１ａの第２平滑領域４１１に接合されている。すなわち、本例においては、１つの第２粗化領域４１２に、第２ボンディング部６２２と第２ボンディング部６３２とが接合されている。
【0091】
このような変形例によっても、半導体装置Ａ１３の適切な動作を図りつつ、樹脂部８と第１リード２、第２リード３および第２リード４との密着性を向上させることができる。また、本変形例から理解されるように、本開示の半導体装置は、２つあるいは３つ以上の複数の半導体素子を備える構成であってもよい。また、本開示の第２粗化領域には、２つあるいは３つ以上の複数の導通部材が接合される構成であってもよい。
【0092】
＜第１実施形態 第４変形例＞
図３１は、半導体装置Ａ１の第４変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１４は、半導体素子１の構成が上述の例と異なっている。本変形例の半導体装置Ａ１は、たとえばダイオードである。
図３１は、半導体装置Ａ１の第４変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１４は、半導体素子１の構成が上述の例と異なっている。本変形例の半導体装置Ａ１は、たとえばダイオードである。
【0093】
本変形例の導通部材６１および導通部材６２は、第１ボンディング部６１１および第１ボンディング部６２１がいずれも主面電極１１に接合されている。導通部材６１および導通部材６２は、いずれもがたとえばＡｌあるいはＡｌ合金からなる。第２ボンディング部６１２は、第２平滑領域３１１に接合されており、第２ボンディング部６２２は、第２平滑領域４１１に接合されている。このような構成においては、第２リード３および第２リード４は、電気的に同電位の導通部材となる。
【0094】
このような変形例によっても、半導体装置Ａ１４の適切な動作を図りつつ、樹脂部８と第１リード２、第２リード３および第２リード４との密着性を向上させることができる。また、本変形例から理解されるように、本開示の半導体素子の種類は何ら限定されない。また、本開示の導通部材および第２リードは、半導体素子の構成等に応じて適宜設定される。
【0095】
＜第２実施形態＞
図３２～図３６は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ２は、半導体素子１、第１リード２、第２リード３、第２リード４、導通部材６１、複数の導通部材６２および樹脂部８を備えている。
図３２～図３６は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ２は、半導体素子１、第１リード２、第２リード３、第２リード４、導通部材６１、複数の導通部材６２および樹脂部８を備えている。
【0096】
図３２は、半導体装置Ａ２を示す斜視図である。図３３は、半導体装置Ａ２を示す平面図である。図３４は、図３３のＸＸＸＩＶ－ＸＸＸＩＶ線に沿う断面図である。図３５は、図３３のＸＸＸＶ－ＸＸＸＶ線に沿う断面図である。図３６は、ＸＸＸＶＩ－ＸＸＸＶＩ線に沿う断面図である。
【0097】
半導体素子１は、たとえば半導体装置Ａ１の半導体素子１と同様の構成であり、ゲート電極１１１およびソース電極１１２を含む複数の主面電極１１とドレイン電極１２とを有する。
【0098】
第１リード２は、第１パッド部２１を有する。第１パッド部２１の構成は、半導体装置Ａ１の第１パッド部２１と類似している。また、本実施形態の第１パッド部２１には、係止部２５２、係止部２５３および係止部２５４が形成されている。係止部２５２、係止部２５３および係止部２５４は、係止部２５１と同様に樹脂部８による第１パッド部２１の保持力を向上させるためのものである。係止部２５２と係止部２５３とは、ｙ方向に並んで形成されている。係止部２５４は、第１パッド部２１からｙ方向において第２リード３および第２リード４が位置する側に突出するように設けられている。
【0099】
第２リード３の第２パッド部３１の形状は、半導体装置Ａ１における第２パッド部３１とは異なっている。また、本実施形態の第２平滑領域３１１は、ｙ方向に対して傾いた方向に細長く延びた形状である。
【0100】
導通部材６１の第１ボンディング部６１１は、半導体素子１のゲート電極１１１に接合されている。第２ボンディング部６１２は、第２平滑領域３１１に接合されている。本実施形態においては、第２ボンディング部６１２の長手方向と第２平滑領域３１１の長手方向とが略一致するように、第２ボンディング部６１２が第２平滑領域３１１に接合されている。導通部材６１は、たとえばＡｕからなるワイヤである。
【0101】
本実施形態の第２リード４は、第２パッド部４１と複数の端子部４２と延出部４３とを有する。
【0102】
本実施形態の第２パッド部４１は、ｚ方向に沿って視てｘ方向に長く延びた形状である。本実施形態の第２パッド主面４１ａは、複数の第２平滑領域４１１と第２粗化領域４１２とを有する。複数の第２平滑領域４１１は、各々がｙ方向を長手方向とする長矩形状であり、ｘ方向に互いに離間配置されている。隣接する第２平滑領域４１１の間には、第２粗化領域４１２の一部が配置されている。
【0103】
複数の端子部４２は、第２パッド部４１からｙ方向に延出しており、ｘ方向に互いに離間配置されている。延出部４３は、第２パッド部４１からｘ方向に延出しており、ｘ方向において２つの端子部４２の間に配置されている。
【0104】
複数の導通部材６２は、各々の第１ボンディング部６２１が、半導体素子１のソース電極１１２に接合されている。複数の導通部材６２の第２ボンディング部６２２は、複数の第２平滑領域４１１に個別に接合されている。第２ボンディング部６２２の長手方向と第２平滑領域４１１の長手方向とは、互いに略一致しており、略ｙ方向に沿っている。
【0105】
本実施形態の樹脂部８は、２つの凹部８５１を有する。凹部８５１は、樹脂主面８１および一対の樹脂側面８５から凹んだ部位である。
【0106】
本実施形態によっても、半導体装置Ａ２の適切な動作を図りつつ、樹脂部８と第１リード２、第２リード３および第２リード４との密着性を向上させることができる。また、複数の導通部材６２が、１つのソース電極１１２（主面電極１１）に接合される構成であってもよい。また、複数の導通部材６２の第２ボンディング部６２２が、１つの第２パッド部４１に設けられた複数の第２平滑領域４１１に個別に接合された構成であってもよい。
【0107】
＜第２実施形態 第１変形例＞
図３７は、半導体装置Ａ２の第１変形例を示している。本実施形態の半導体装置Ａ２１は、半導体素子１、第１リード２、第２リード３、第２リード４、第２リード５、導通部材６１、複数の導通部材６２、導通部材６３および樹脂部８を備える。
図３７は、半導体装置Ａ２の第１変形例を示している。本実施形態の半導体装置Ａ２１は、半導体素子１、第１リード２、第２リード３、第２リード４、第２リード５、導通部材６１、複数の導通部材６２、導通部材６３および樹脂部８を備える。
【0108】
本実施形態においては、半導体素子１の複数の主面電極１１が、ゲート電極１１１、ソース電極１１２およびソースセンス電極１１３を含んでいる。
【0109】
ソースセンス電極１１３は、たとえばゲート電極１１１と同様の形状および大きさとされており、ゲート電極１１１とともにｘ方向に並んで配置されている。
【0110】
第２リード４は、第２リード３に対してｘ方向に離間して配置されており、第２パッド部４１、複数の端子部４２および延出部４３を有する。
【0111】
第２リード５は、第２リード３（および第２リード４）と類似の構成である。本実施形態においては、第２リード５は、ｘ方向において第２リード３と第２リード４との間に配置されている。第２リード５は、第２パッド部５１および端子部５２を有する。第２パッド部５１および端子部５２の構成は、第２パッド部４１および端子部４２と類似している。また、第２パッド部５１には、第２平滑領域５１１および第２粗化領域５１２が設けられている。第２平滑領域５１１および第２粗化領域５１２の構成は、たとえば第２平滑領域４１１および第２粗化領域４１２と類似している。
【0112】
導通部材６１は、第１ボンディング部６１１がゲート電極１１１に接合されており、第２ボンディング部６１２が第２平滑領域３１１に接合されている。複数の導通部材６２は、第１ボンディング部６２１がソース電極１１２に接合されており、第２ボンディング部６２２がフクスの第２平滑領域４１１に個別に接合されている。導通部材６３は、第１ボンディング部６３１および第２ボンディング部６３２を有する。導通部材６３の構成は、たとえば導通部材６１と類似している。第１ボンディング部６１１は、ソースセンス電極１１３に接合されており、第２ボンディング部６３２は、第２平滑領域５１１に接合されている。
【0113】
本変形例によっても、半導体装置Ａ２１の適切な動作を図りつつ、樹脂部８と第１リード２、第２リード３、第２リード４および第２リード５との密着性を向上させることができる。また、本実施形態から理解されるように複数の主面電極１１の構成は何ら限定されない。また、複数の主面電極１１の構成に応じて、第２リード３および第２リード４に加えて第２リード５等の別の第２リードをさらに備える構成であってもよい。
【0114】
本開示に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【0115】
〔付記１〕
半導体素子と、
前記半導体素子に導通するリードと、
前記半導体素子と、前記リードの少なくとも一部と、を覆う樹脂部と、を備え、
前記リードは、第１凹凸形状と前記第１凹凸形状よりも粗さが細かい第２凹凸形状とが重ね合わされた形状である粗化領域を有し、
前記粗化領域は、前記樹脂部に接する、半導体装置。
〔付記２〕
前記第１凹凸形状は、各々が第１特定方向に延びる複数の溝である、付記１に記載の半導体装置。
〔付記３〕
前記第２凹凸形状は、各々が第２特定方向に延びる複数の溝である、付記２に記載の半導体装置。
〔付記４〕
前記第１特定方向と前記第２特定方向とは、互いに交差している、付記３に記載の半導体装置。
〔付記５〕
前記第１特定方向と前記第２特定方向とは、直交している、付記４に記載の半導体装置。
〔付記６〕
前記第１特定方向と前記第２特定方向とは、互いに平行である、付記３に記載の半導体装置。
〔付記７〕
前記第２凹凸形状は、離散配置された複数の凹部である、付記２に記載の半導体装置。
〔付記８〕
前記第１凹凸形状は、離散配置された複数の凹部である、付記１に記載の半導体装置。
〔付記９〕
前記第２凹凸形状は、複数の溝である、付記８に記載の半導体装置。
〔付記１０〕
前記第２凹凸形状は、離散配置された複数の凹部である、付記８に記載の半導体装置。
〔付記１１〕
前記半導体素子は、第１方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面を有し、
前記リードは、前記半導体素子が搭載された第１パッド部を有する第１リードを含み、
前記第１パッド部は、前記素子裏面が接合された第１平滑領域および前記第１方向に沿って視て前記半導体素子から離れており且つ前記第１平滑領域よりも粗い領域である前記粗化領域としての第１粗化領域を含む第１パッド主面を有する、付記１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１２〕
前記リードは、前記第１方向と直角である第２方向において前記第１パッド部と並んで配置された第２パッド部を有する第２リードを含み、
前記半導体素子に接合された第１ボンディング部および前記第２パッド部に接合された第２ボンディング部を有する導通部材を備え、
前記第２パッド部は、前記第２ボンディング部が接合された第２平滑領域および前記第１方向に沿って視て前記第２ボンディング部から離れており且つ前記第２平滑領域よりも粗い領域である前記粗化領域としての第２粗化領域を含む第２パッド主面を有する、付記１１に記載の半導体装置。
〔付記１３〕
前記第１粗化領域は、前記第１平滑領域に対して前記第２パッド部側に位置する第１部を含む、付記１２に記載の半導体装置。
〔付記１４〕
前記第１粗化領域は、前記第１平滑領域に対して前記第２パッド部とは反対側に位置する第２部を含む、付記１２または１３に記載の半導体装置。
〔付記１５〕
前記第１粗化領域は、前記第１方向および前記第２方向と直角である第３方向において前記第１平滑領域に隣接する第３部を含む、付記１２ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１６〕
前記第２粗化領域は、前記第２平滑領域に対して前記第１パッド部側に位置する第１部を含む、付記１２ないし１５のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１７〕
前記第２粗化領域は、前記第２平滑領域に対して前記第１パッド部とは反対側に位置する第２部を含む、付記１２ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１８〕
前記第２粗化領域は、前記第１方向および前記第２方向と直角である第３方向において前記第２平滑領域に隣接する第３部を含む、付記１２ないし１７のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１９〕
リードの表面に第１レーザ光を照射することにより、第１凹凸形状を有する粗化領域を形成する工程と、
前記粗化領域に第２レーザ光を照射することにより、前記第１凹凸形状よりも粗さが細かい第２凹凸形状を、前記第１凹凸形状に重ね合わせるように形成する工程と、
前記リードに半導体素子を導通させる工程と、
前記半導体素子および前記粗化領域を覆う樹脂部を形成する工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
半導体素子と、
前記半導体素子に導通するリードと、
前記半導体素子と、前記リードの少なくとも一部と、を覆う樹脂部と、を備え、
前記リードは、第１凹凸形状と前記第１凹凸形状よりも粗さが細かい第２凹凸形状とが重ね合わされた形状である粗化領域を有し、
前記粗化領域は、前記樹脂部に接する、半導体装置。
〔付記２〕
前記第１凹凸形状は、各々が第１特定方向に延びる複数の溝である、付記１に記載の半導体装置。
〔付記３〕
前記第２凹凸形状は、各々が第２特定方向に延びる複数の溝である、付記２に記載の半導体装置。
〔付記４〕
前記第１特定方向と前記第２特定方向とは、互いに交差している、付記３に記載の半導体装置。
〔付記５〕
前記第１特定方向と前記第２特定方向とは、直交している、付記４に記載の半導体装置。
〔付記６〕
前記第１特定方向と前記第２特定方向とは、互いに平行である、付記３に記載の半導体装置。
〔付記７〕
前記第２凹凸形状は、離散配置された複数の凹部である、付記２に記載の半導体装置。
〔付記８〕
前記第１凹凸形状は、離散配置された複数の凹部である、付記１に記載の半導体装置。
〔付記９〕
前記第２凹凸形状は、複数の溝である、付記８に記載の半導体装置。
〔付記１０〕
前記第２凹凸形状は、離散配置された複数の凹部である、付記８に記載の半導体装置。
〔付記１１〕
前記半導体素子は、第１方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面を有し、
前記リードは、前記半導体素子が搭載された第１パッド部を有する第１リードを含み、
前記第１パッド部は、前記素子裏面が接合された第１平滑領域および前記第１方向に沿って視て前記半導体素子から離れており且つ前記第１平滑領域よりも粗い領域である前記粗化領域としての第１粗化領域を含む第１パッド主面を有する、付記１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１２〕
前記リードは、前記第１方向と直角である第２方向において前記第１パッド部と並んで配置された第２パッド部を有する第２リードを含み、
前記半導体素子に接合された第１ボンディング部および前記第２パッド部に接合された第２ボンディング部を有する導通部材を備え、
前記第２パッド部は、前記第２ボンディング部が接合された第２平滑領域および前記第１方向に沿って視て前記第２ボンディング部から離れており且つ前記第２平滑領域よりも粗い領域である前記粗化領域としての第２粗化領域を含む第２パッド主面を有する、付記１１に記載の半導体装置。
〔付記１３〕
前記第１粗化領域は、前記第１平滑領域に対して前記第２パッド部側に位置する第１部を含む、付記１２に記載の半導体装置。
〔付記１４〕
前記第１粗化領域は、前記第１平滑領域に対して前記第２パッド部とは反対側に位置する第２部を含む、付記１２または１３に記載の半導体装置。
〔付記１５〕
前記第１粗化領域は、前記第１方向および前記第２方向と直角である第３方向において前記第１平滑領域に隣接する第３部を含む、付記１２ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１６〕
前記第２粗化領域は、前記第２平滑領域に対して前記第１パッド部側に位置する第１部を含む、付記１２ないし１５のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１７〕
前記第２粗化領域は、前記第２平滑領域に対して前記第１パッド部とは反対側に位置する第２部を含む、付記１２ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１８〕
前記第２粗化領域は、前記第１方向および前記第２方向と直角である第３方向において前記第２平滑領域に隣接する第３部を含む、付記１２ないし１７のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１９〕
リードの表面に第１レーザ光を照射することにより、第１凹凸形状を有する粗化領域を形成する工程と、
前記粗化領域に第２レーザ光を照射することにより、前記第１凹凸形状よりも粗さが細かい第２凹凸形状を、前記第１凹凸形状に重ね合わせるように形成する工程と、
前記リードに半導体素子を導通させる工程と、
前記半導体素子および前記粗化領域を覆う樹脂部を形成する工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【0116】
Ａ１，Ａ１１，Ａ１３，Ａ１４，Ａ２，Ａ２１：半導体装置
１，１Ａ ：半導体素子
１ａ ：素子主面
１ｂ ：素子裏面
２ ：第１リード
３，４，５：第２リード
８ ：樹脂部
１１ ：主面電極
１１Ａ ：主面電極
１２ ：ドレイン電極
１９ ：導通接合材
２１ ：第１パッド部
２１ａ ：第１パッド主面
２１ｂ ：第１パッド裏面
２２ ：延出部
２３ ：突出部
２４ ：連結部
３１ ：第２パッド部
３１ａ ：第２パッド主面
３１ｂ ：第２パッド裏面
３２ ：端子部
４１ ：第２パッド部
４１ａ ：第２パッド主面
４１ｂ ：第２パッド裏面
４２ ：端子部
４３ ：延出部
５１ ：第２パッド部
５２ ：端子部
６１，６２，６３：導通部材
８１ ：樹脂主面
８２ ：樹脂裏面
８３，８４：樹脂端面
８５ ：樹脂側面
１１１ ：ゲート電極
１１２ ：ソース電極
１１３ ：ソースセンス電極
２１１ ：第１平滑領域
２１２ ：第１粗化領域
２２１ ：根元部
２２２ ：屈曲部
２２３ ：先端部
２２４ ：めっき部
２４１ ：貫通孔
２５１，２５２，２５３：係止部
２５４ ：係止部
３１１ ：第２平滑領域
３１２ ：第２粗化領域
３１２ａ ：凹部
３１２ｂ ：凸部
３１２c ：第２粗化領域
３１２ｃ ：微細突起
３１９ ：金属層
３２１ ：根元部
３２２ ：屈曲部
３２３ ：先端部
４１１ ：第２平滑領域
４１２ ：第２粗化領域
４２１ ：根元部
４２２ ：屈曲部
４２３ ：先端部
５１１ ：第２平滑領域
５１２ ：第２粗化領域
６１１，６２１，６３１：第１ボンディング部
６１２，６２２，６３２：第２ボンディング部
８５１ ：凹部
２１２１ ：第１部
２１２２ ：第２部
２１２３ ：第３部
２１２４ ：第４部
３１２１ ：第１部
３１２２ ：第２部
３１２３ ：第３部
４１２１ ：第１部
４１２２ ：第２部
４１２３ ：第３部
Ｌ１ ：第１レーザ光
Ｌ２ ：第２レーザ光
Ｎ１ ：第１特定方向
Ｎ２ ：第２特定方向
Ｕｎ０ ：粗化領域
Ｕｎ１ ：第１凹凸形状
Ｕｎ２ ：第２凹凸形状
１，１Ａ ：半導体素子
１ａ ：素子主面
１ｂ ：素子裏面
２ ：第１リード
３，４，５：第２リード
８ ：樹脂部
１１ ：主面電極
１１Ａ ：主面電極
１２ ：ドレイン電極
１９ ：導通接合材
２１ ：第１パッド部
２１ａ ：第１パッド主面
２１ｂ ：第１パッド裏面
２２ ：延出部
２３ ：突出部
２４ ：連結部
３１ ：第２パッド部
３１ａ ：第２パッド主面
３１ｂ ：第２パッド裏面
３２ ：端子部
４１ ：第２パッド部
４１ａ ：第２パッド主面
４１ｂ ：第２パッド裏面
４２ ：端子部
４３ ：延出部
５１ ：第２パッド部
５２ ：端子部
６１，６２，６３：導通部材
８１ ：樹脂主面
８２ ：樹脂裏面
８３，８４：樹脂端面
８５ ：樹脂側面
１１１ ：ゲート電極
１１２ ：ソース電極
１１３ ：ソースセンス電極
２１１ ：第１平滑領域
２１２ ：第１粗化領域
２２１ ：根元部
２２２ ：屈曲部
２２３ ：先端部
２２４ ：めっき部
２４１ ：貫通孔
２５１，２５２，２５３：係止部
２５４ ：係止部
３１１ ：第２平滑領域
３１２ ：第２粗化領域
３１２ａ ：凹部
３１２ｂ ：凸部
３１２c ：第２粗化領域
３１２ｃ ：微細突起
３１９ ：金属層
３２１ ：根元部
３２２ ：屈曲部
３２３ ：先端部
４１１ ：第２平滑領域
４１２ ：第２粗化領域
４２１ ：根元部
４２２ ：屈曲部
４２３ ：先端部
５１１ ：第２平滑領域
５１２ ：第２粗化領域
６１１，６２１，６３１：第１ボンディング部
６１２，６２２，６３２：第２ボンディング部
８５１ ：凹部
２１２１ ：第１部
２１２２ ：第２部
２１２３ ：第３部
２１２４ ：第４部
３１２１ ：第１部
３１２２ ：第２部
３１２３ ：第３部
４１２１ ：第１部
４１２２ ：第２部
４１２３ ：第３部
Ｌ１ ：第１レーザ光
Ｌ２ ：第２レーザ光
Ｎ１ ：第１特定方向
Ｎ２ ：第２特定方向
Ｕｎ０ ：粗化領域
Ｕｎ１ ：第１凹凸形状
Ｕｎ２ ：第２凹凸形状
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】