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特開2023-71123フォトマスクブランクスの製造方法及びフォトマスクの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023071123
(43)【公開日】2023-05-22
(54)【発明の名称】フォトマスクブランクスの製造方法及びフォトマスクの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 1/32 20120101AFI20230515BHJP
G03F 1/00 20120101ALI20230515BHJP
G03F 1/58 20120101ALI20230515BHJP
G03F 1/80 20120101ALI20230515BHJP
【ＦＩ】
G03F1/32
G03F1/00 Z
G03F1/58
G03F1/80
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021183761
(22)【出願日】2021-11-10
(71)【出願人】
【識別番号】302003244
【氏名又は名称】株式会社エスケーエレクトロニクス
(74)【代理人】
【識別番号】100114421
【弁理士】
【氏名又は名称】薬丸 誠一
(72)【発明者】
【氏名】山田 慎吾
(72)【発明者】
【氏名】森山 久美子
【テーマコード（参考）】
2H195
【Ｆターム（参考）】
2H195BB03
2H195BB14
2H195BB17
2H195BB35
2H195BC05
2H195BC09
2H195BC11
(57)【要約】
【課題】フォトマスクの製造時にパターンの寸法制御を容易とし、フォトマスクにおいてパターンの寸法精度を向上することができるフォトマスクブランクスの製造方法及びフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクブランクスの製造方法は、透明基板３の表面が第１のパターンの領域と第２のパターンの領域とに区画され、第１のパターンの領域に第１の機能性膜４が形成され、第２のパターンの領域に第２の機能性膜５が形成されるフォトマスクブランクス２を製造するものである。
【選択図】図２
【解決手段】フォトマスクブランクスの製造方法は、透明基板３の表面が第１のパターンの領域と第２のパターンの領域とに区画され、第１のパターンの領域に第１の機能性膜４が形成され、第２のパターンの領域に第２の機能性膜５が形成されるフォトマスクブランクス２を製造するものである。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
透明基板の表面が第１のパターンの領域と第２のパターンの領域とに区画され、第１のパターンの領域に第１の機能性膜が形成され、第２のパターンの領域に第２の機能性膜が形成されるフォトマスクブランクスの製造方法であって、
透明基板の上に第１の機能性膜が形成された第１次フォトマスクブランクスを準備するフォトマスクブランクス準備工程と、
第１の機能性膜を第１のパターンの領域に対応するパターンでパターニングし、第２のパターンの領域における第１の機能性膜を除去する第１のパターニング工程と、
第１の機能性膜が除去された透明基板の露出部分及び第１の機能性膜の上に第２の機能性膜を形成する機能性膜形成工程と、
第２の機能性膜を第２のパターンの領域に対応するパターンでパターニングし、第１のパターンの領域における第２の機能性膜を除去する第２のパターニング工程とを備える
フォトマスクブランクスの製造方法。
透明基板の上に第１の機能性膜が形成された第１次フォトマスクブランクスを準備するフォトマスクブランクス準備工程と、
第１の機能性膜を第１のパターンの領域に対応するパターンでパターニングし、第２のパターンの領域における第１の機能性膜を除去する第１のパターニング工程と、
第１の機能性膜が除去された透明基板の露出部分及び第１の機能性膜の上に第２の機能性膜を形成する機能性膜形成工程と、
第２の機能性膜を第２のパターンの領域に対応するパターンでパターニングし、第１のパターンの領域における第２の機能性膜を除去する第２のパターニング工程とを備える
フォトマスクブランクスの製造方法。
【請求項2】
第１次フォトマスクブランクスとして、透明基板の上に第１の機能性膜が形成され、第１の機能性膜の上に、第１の機能性膜と異なるエッチング特性を有する中間膜が形成されたフォトマスクブランクスを用い、
第２の機能性膜として、第１の機能性膜と同じエッチング特性を有する膜を用いる
請求項１に記載のフォトマスクブランクスの製造方法。
第２の機能性膜として、第１の機能性膜と同じエッチング特性を有する膜を用いる
請求項１に記載のフォトマスクブランクスの製造方法。
【請求項3】
第１の機能性膜及び第２の機能性膜として、Ｃｒ系の材質の膜を用いる
請求項２に記載のフォトマスクブランクスの製造方法。
請求項２に記載のフォトマスクブランクスの製造方法。
【請求項4】
第１の機能性膜として、露光光の光学特性を調整する機能を有する膜を用い、
第２の機能性膜として、露光光の光学特性を調整する機能であって第１の機能性膜と異なる機能を有する膜を用いる
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のフォトマスクブランクスの製造方法。
第２の機能性膜として、露光光の光学特性を調整する機能であって第１の機能性膜と異なる機能を有する膜を用いる
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のフォトマスクブランクスの製造方法。
【請求項5】
第１の機能性膜又は第２の機能性膜のいずれか一方として、位相シフト膜又はハーフトーン膜を用い、
第１の機能性膜又は第２の機能性膜のいずれか他方として、遮光膜を用いる
請求項４に記載のフォトマスクブランクスの製造方法。
第１の機能性膜又は第２の機能性膜のいずれか他方として、遮光膜を用いる
請求項４に記載のフォトマスクブランクスの製造方法。
【請求項6】
請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のフォトマスクブランクスの製造方法により製造されたフォトマスクブランクスを準備するフォトマスクブランクス準備工程と、
第１の機能性膜及び第２の機能性膜を所定のパターンでパターニングするパターニング工程とを備える
フォトマスクの製造方法。
第１の機能性膜及び第２の機能性膜を所定のパターンでパターニングするパターニング工程とを備える
フォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、フォトマスクブランクスの製造方法及びフォトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
フォトリソグラフィ技術として、位相シフトマスクやハーフトーンマスクが知られている。位相シフトマスクは、透明基板の一部に位相シフト膜を備え、この部分を通過する光の位相や強度を変えることにより、解像度を向上する機能や焦点深度（ＤＯＦ）を改善する機能を有するフォトマスクである。ハーフトーンマスクは、透明基板の一部にハーフトーン膜を備え、この部分を通過する光の強度を変えることにより、３階調以上の多階調を実現する機能を有するフォトマスクである。
【0003】
この種のフォトマスクは、ｉ）透明基板の上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクスを準備する工程、ｉｉ）遮光膜の上にレジスト膜を形成する工程、ｉｉｉ）レジスト膜に所定のレジストパターンを描画し、不要なレジスト膜を現像により除去し、所定のレジストパターンを形成する工程、ｉｖ）レジストパターンをマスクとして、遮光膜の露出部分をエッチングにより除去する工程、ｖ）残存するレジスト膜を除去する工程、ｖｉ）遮光膜が除去された透明基板の露出部分及び遮光膜の上に位相シフト膜又はハーフトーン膜を形成する工程、ｖｉｉ）位相シフト膜又はハーフトーン膜の上にレジスト膜を形成する工程、ｖｉｉｉ）レジスト膜に所定のレジストパターンを描画し、不要なレジスト膜を現像により除去し、所定のレジストパターンを形成する工程、ｉｘ）レジストパターンをマスクとして、位相シフト膜又はハーフトーン膜の露出部分及び遮光膜の露出部分をエッチングにより除去する工程、ｘ）残存するレジスト膜を除去する工程、を経て製造される。たとえば特許文献１には、工程ｖｉ）としてハーフトーン膜を形成するフォトマスクの製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００５－２５７７１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記従来のフォトマスクの製造方法によれば、遮光部は、遮光膜と位相シフト膜又はハーフトーン膜との積層部で構成される。このため、遮光部をパターニングする際、位相シフト膜又はハーフトーン膜と遮光膜の両方をエッチングする必要がある。しかし、両者のエッチングレートが異なる場合、位相シフト膜又はハーフトーン膜と遮光膜とでサイドエッチング量に差が生じる。この結果、遮光部のエッジにエッジラフネスが生じ、遮光部の寸法精度（遮光部の透過部に対するエッジ位置精度）を所期のとおりに仕上げることが困難となる。また、積層部であることでエッチング時間が単層の場合に比べて長くなることもあり、遮光部の寸法制御（遮光部の透過部に対するエッジ位置制御（ＣＤ（Critical Dimension：限界寸法）制御）が困難となる。
【0006】
そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、フォトマスクの製造時にパターンの寸法制御を容易とし、フォトマスクにおいてパターンの寸法精度を向上することができるフォトマスクブランクスの製造方法及びフォトマスクの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明に係るフォトマスクブランクスの製造方法は、
透明基板の表面が第１のパターンの領域と第２のパターンの領域とに区画され、第１のパターンの領域に第１の機能性膜が形成され、第２のパターンの領域に第２の機能性膜が形成されるフォトマスクブランクスの製造方法であって、
透明基板の上に第１の機能性膜が形成された第１次フォトマスクブランクスを準備するフォトマスクブランクス準備工程と、
第１の機能性膜を第１のパターンの領域に対応するパターンでパターニングし、第２のパターンの領域における第１の機能性膜を除去する第１のパターニング工程と、
第１の機能性膜が除去された透明基板の露出部分及び第１の機能性膜の上に第２の機能性膜を形成する機能性膜形成工程と、
第２の機能性膜を第２のパターンの領域に対応するパターンでパターニングし、第１のパターンの領域における第２の機能性膜を除去する第２のパターニング工程とを備える
フォトマスクブランクスの製造方法である。
透明基板の表面が第１のパターンの領域と第２のパターンの領域とに区画され、第１のパターンの領域に第１の機能性膜が形成され、第２のパターンの領域に第２の機能性膜が形成されるフォトマスクブランクスの製造方法であって、
透明基板の上に第１の機能性膜が形成された第１次フォトマスクブランクスを準備するフォトマスクブランクス準備工程と、
第１の機能性膜を第１のパターンの領域に対応するパターンでパターニングし、第２のパターンの領域における第１の機能性膜を除去する第１のパターニング工程と、
第１の機能性膜が除去された透明基板の露出部分及び第１の機能性膜の上に第２の機能性膜を形成する機能性膜形成工程と、
第２の機能性膜を第２のパターンの領域に対応するパターンでパターニングし、第１のパターンの領域における第２の機能性膜を除去する第２のパターニング工程とを備える
フォトマスクブランクスの製造方法である。
【0008】
ここで、本発明に係るフォトマスクブランクスの製造方法の一態様として、
第１次フォトマスクブランクスとして、透明基板の上に第１の機能性膜が形成され、第１の機能性膜の上に、第１の機能性膜と異なるエッチング特性を有する中間膜が形成されたフォトマスクブランクスを用い、
第２の機能性膜として、第１の機能性膜と同じエッチング特性を有する膜を用いる
との構成を採用することができる。
第１次フォトマスクブランクスとして、透明基板の上に第１の機能性膜が形成され、第１の機能性膜の上に、第１の機能性膜と異なるエッチング特性を有する中間膜が形成されたフォトマスクブランクスを用い、
第２の機能性膜として、第１の機能性膜と同じエッチング特性を有する膜を用いる
との構成を採用することができる。
【0009】
この場合、
第１の機能性膜及び第２の機能性膜として、Ｃｒ系の材質の膜を用いる
との構成を採用することができる。
第１の機能性膜及び第２の機能性膜として、Ｃｒ系の材質の膜を用いる
との構成を採用することができる。
【0010】
また、本発明に係るフォトマスクブランクスの製造方法の他態様として、
第１の機能性膜として、露光光の光学特性を調整する機能を有する膜を用い、
第２の機能性膜として、露光光の光学特性を調整する機能であって第１の機能性膜と異なる機能を有する膜を用いる
との構成を採用することができる。
第１の機能性膜として、露光光の光学特性を調整する機能を有する膜を用い、
第２の機能性膜として、露光光の光学特性を調整する機能であって第１の機能性膜と異なる機能を有する膜を用いる
との構成を採用することができる。
【0011】
この場合、
第１の機能性膜又は第２の機能性膜のいずれか一方として、位相シフト膜又はハーフトーン膜を用い、
第１の機能性膜又は第２の機能性膜のいずれか他方として、遮光膜を用いる
との構成を採用することができる。
第１の機能性膜又は第２の機能性膜のいずれか一方として、位相シフト膜又はハーフトーン膜を用い、
第１の機能性膜又は第２の機能性膜のいずれか他方として、遮光膜を用いる
との構成を採用することができる。
【0012】
また、本発明に係るフォトマスクの製造方法は、
上記いずれかのフォトマスクブランクスの製造方法により製造されたフォトマスクブランクスを準備するフォトマスクブランクス準備工程と、
第１の機能性膜及び第２の機能性膜を所定のパターンでパターニングするパターニング工程とを備える
フォトマスクの製造方法である。
上記いずれかのフォトマスクブランクスの製造方法により製造されたフォトマスクブランクスを準備するフォトマスクブランクス準備工程と、
第１の機能性膜及び第２の機能性膜を所定のパターンでパターニングするパターニング工程とを備える
フォトマスクの製造方法である。
【発明の効果】
【0013】
本発明によれば、透明基板の上に第１の機能性膜及び第２の機能性膜が互いにエッジを接して同一平面状に並ぶように形成される複合型のフォトマスクブランクスが製造される。このフォトマスクブランクスにおいて、第１の機能性膜及び第２の機能性膜の実質的な積層部は存在せず、フォトマスクのパターンのエッジは、それぞれ実質的に単層である第１の機能性膜及び第２の機能性膜の上に規定される。これは、フォトマスクのパターンのエッジにエッジラフネスが生じにくいこと、そして、エッチング時間が短くなることを意味する。このため、本発明によれば、フォトマスクの製造時にパターンの寸法制御を容易とし、フォトマスクにおいてパターンの寸法精度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【発明を実施するための形態】
【0015】
＜フォトマスクの構成＞
まず、本発明の一実施形態に係るフォトマスクの構成について説明する。
まず、本発明の一実施形態に係るフォトマスクの構成について説明する。
【0016】
図１に示すように、フォトマスク１は、透過部（白抜き部分）と、半透過部（ハッチング部分）と、遮光部（黒塗り部分）とを備える３階調の多階調フォトマスクである。透過部は、透明基板３で構成され、半透過部は、半透過膜４で構成され、遮光部は、遮光膜５で構成される。すなわち、半透過膜４及び遮光膜５が積層されていない透明基板３の露出部分が透過部となり、透明基板３の上に半透過膜４が積層される部分が半透過部となり、透明基板３の上に遮光膜５が積層される部分が遮光部となる。
【0017】
半透過部は、所定形状（本実施形態においては、矩形状）の単位要素（アイランド（島））が互いに所定間隔を有して２次元配列されるアイランドパターンの形態で形成される。遮光部は、半透過部の領域以外の領域を埋めるように形成される。透過部は、所定形状（本実施形態においては、矩形状）の単位要素（ホール（穴）７Ａ，７Ｂ）が互いに所定間隔を有してかつ半透過部の領域及び遮光部の領域のそれぞれに内在するようにして２次元配列されるホールパターン７の形態で形成される。
【0018】
透明基板３は、合成石英ガラス等の基板である。透明基板３は、フォトマスク１を用いた露光工程で使用される露光光に含まれる代表波長（たとえば、ｉ線、ｈ線又はｇ線）に対して９５％以上の透過率を有する。なお、露光光は、たとえば、ｉ線、ｈ線又はｇ線であってもよく、又はこれらの少なくとも２つの光を含む混合光であってもよい。あるいは、露光光は、これらの光に対して波長帯域が短波長側及び／又は長波長側へシフト又は拡張されたものであってもよい。一例として、露光光の波長帯域は、３６５ｎｍ～４３６ｎｍのブロードバンドから３００ｎｍ～４５０ｎｍに拡張されたものが適用可能である。ただし、露光光は、これらに限定されるものではない。
【0019】
半透過膜４は、Ｃｒ又はＣｒ系化合物、Ｎｉ又はＮｉ系化合物、Ｔｉ又はＴｉ系化合物、Ｓｉ系化合物、金属シリサイド化合物等の公知の材質のうち、Ｃｒ系の材質が用いられる。本実施形態においては、半透過膜４は、Ｃｒ系化合物が用いられる。半透過膜４は、位相シフト膜である。あるいは、半透過膜４は、ハーフトーン膜であってもよい。半透過膜４は、露光光に含まれる代表波長に対し、透明基板３の透過率よりも低く、遮光膜５の透過率よりも高い透過率を有し、代表波長に対して５％ないし７０％の透過率になるように設定される。なお、半透過膜４は、窒素含有量を調整することで、フォトマスク１の面内での透過率分布を改善した半透過型金属膜であってもよい。また、半透過膜４は、他の元素を含有させることで、半透過部における光学濃度（ＯＤ値）を変更することも可能である。半透過膜４は、スパッタ法、蒸着法等により、透明基板３の上に成膜される。
【0020】
遮光膜５は、半透過膜４と同じ材質が用いられる。本実施形態においては、遮光膜５は、Ｃｒ系化合物が用いられる。遮光膜５は、露光光に含まれる代表波長に対して１％以下の透過率を有する。あるいは、遮光部における光学濃度（ＯＤ値）が２．７以上を満たせばよい。一例として、遮光膜５は、第１成膜層と、第２成膜層とを備える積層構造である。第１成膜層は、Ｃｒ膜で構成され、遮光性を目的とする。第２成膜層は、酸化クロム膜で構成され、反射抑制を目的とする。この場合、第１成膜層の透過率が１％より高くても、第１成膜層及び第２成膜層の積層透過率が１％以下であればよい。遮光膜５は、スパッタ法、蒸着法等により、透明基板３の上に成膜される。
【0021】
半透過膜４及び遮光膜５は、同じ材質が用いられることにより、エッチング特性が同じである。しかし、半透過膜４及び遮光膜５と、後述する中間膜６とは、材質が異なることにより、エッチング特性が異なる。すなわち、半透過膜４及び遮光膜５は、中間膜６に対してエッチング選択性を有し、中間膜６は、半透過膜４及び遮光膜５に対してエッチング選択性を有する。
【0022】
＜フォトマスクブランクスの構成＞
次に、本発明の一実施形態に係るフォトマスクブランクスであって、フォトマスク１の元となるフォトマスクブランクスの構成について説明する。
次に、本発明の一実施形態に係るフォトマスクブランクスであって、フォトマスク１の元となるフォトマスクブランクスの構成について説明する。
【0023】
図２に示すように、フォトマスクブランクス２は、フォトマスク１のホールパターン７が形成される前の状態のものである。すなわち、フォトマスクブランクス２は、透明基板３の表面（の有効領域）全面に透過部を有さずに半透過膜４及び遮光膜５が互いにエッジを接して同一平面状に並ぶように形成されたものである。なお、同一平面状ということではあるが、半透過膜４及び遮光膜５の各膜厚が必ずしも同じ厚みということではない。たとえば、半透過膜４の膜厚が遮光膜５の膜厚よりも小さい場合やこの逆の場合は当然にあり得る。
【0024】
＜フォトマスクブランクスの第１の製造方法＞
次に、本発明の実施形態１に係るフォトマスクブランクス２の製造方法（フォトマスクブランクス２の第１の製造方法）について説明する。
次に、本発明の実施形態１に係るフォトマスクブランクス２の製造方法（フォトマスクブランクス２の第１の製造方法）について説明する。
【0025】
概略的には、当該製造方法は、透明基板３の表面が第１のパターンの領域と第２のパターンの領域とに区画され、第１のパターンの領域に第１の機能性膜が形成され、第２のパターンの領域に第２の機能性膜が形成されるフォトマスクブランクス２であって、第１のパターンの領域が半透過膜４の領域であり、第２のパターンの領域が遮光膜５の領域であり、第１の機能性膜が半透過膜４であり、第２の機能膜が遮光膜５であるフォトマスクブランクス２の製造方法である。なお、機能性膜とは、露光光の光学特性を調整する機能を有する膜をいう。機能性膜には、露光光の位相を変える機能を有する位相シフト膜、露光光の透過率を調整する機能を有する半透過膜、露光光を遮光する機能を有する遮光膜などがある。
【0026】
具体的には、当該製造方法は、
ｉ）フォトマスクブランクス準備工程（工程１）
ｉｉ）レジスト膜形成工程（工程２）
ｉｉｉ）描画工程（工程３）
ｉｖ）現像工程（工程４）
ｖ）中間膜エッチング工程（工程５）
ｖｉ）半透過膜エッチング工程（工程６）
ｖｉｉ）レジスト膜除去工程（工程７）
ｖｉｉｉ）遮光膜形成工程（工程８）
ｉｘ）レジスト膜形成工程（工程９）
ｘ）描画工程（工程１０）
ｘｉ）現像工程（工程１１）
ｘｉｉ）遮光膜エッチング工程（工程１２）
ｘｉｉｉ）中間膜エッチング工程（工程１３）
ｘｉｖ）レジスト膜除去工程（工程１４）
ｘｖ）仕上げ工程（工程１５）
を備える。
ｉ）フォトマスクブランクス準備工程（工程１）
ｉｉ）レジスト膜形成工程（工程２）
ｉｉｉ）描画工程（工程３）
ｉｖ）現像工程（工程４）
ｖ）中間膜エッチング工程（工程５）
ｖｉ）半透過膜エッチング工程（工程６）
ｖｉｉ）レジスト膜除去工程（工程７）
ｖｉｉｉ）遮光膜形成工程（工程８）
ｉｘ）レジスト膜形成工程（工程９）
ｘ）描画工程（工程１０）
ｘｉ）現像工程（工程１１）
ｘｉｉ）遮光膜エッチング工程（工程１２）
ｘｉｉｉ）中間膜エッチング工程（工程１３）
ｘｉｖ）レジスト膜除去工程（工程１４）
ｘｖ）仕上げ工程（工程１５）
を備える。
【0027】
なお、レジスト膜形成工程（工程２）からレジスト膜除去工程（工程７）まで、レジスト膜形成工程（工程９）からレジスト膜除去工程（工程１４）まで、をそれぞれパターニング工程という。前者のパターニング工程では、フォトマスクブランクス２の半透過膜４がパターニングされ、後者のパターニング工程では、フォトマスクブランクス２の遮光膜５がパターニングされる。
【0028】
フォトマスクブランクス準備工程（工程１）では、図３（ａ）に示すように、透明基板３の上に半透過膜４が形成され、半透過膜４の上に中間膜（エッチングストッパ膜）６が形成され、これにより、透明基板３の上に半透過膜４及び中間膜６が積層形成されたフォトマスクブランクス（第１次フォトマスクブランクス）が準備される。中間膜６は、非Ｃｒ系の材質が用いられる。本実施形態においては、中間膜６は、Ｎｉ、Ｔｉ又はモリブデンシリサイド化合物が用いられる。半透過膜４及び中間膜６は、それぞれ、スパッタ法、蒸着法等により成膜される。
【0029】
１回目のレジスト膜形成工程（工程２）では、図３（ｂ）に示すように、中間膜６の上にレジストが均一に塗布されて、レジスト膜８が形成される。レジストは、塗布法やスプレイ法により塗布される。
【0030】
１回目の描画工程（工程３）では、図３（ｃ）に示すように、描画装置の電子ビーム又はレーザを用いてレジスト膜８に露光光が照射され、フォトマスクブランクス２の半透過膜４の領域に対応するレジストパターンが描画される。なお、１回目の描画工程（工程３）では、レジストパターンの描画に加え、２回目の描画工程（工程１０）における描画の位置を合わせるためのマーク（アライメントマーク）が描画される。図示しないが、アライメントマークは、たとえば、レジストパターンを囲う外囲領域の適宜の３箇所又は４箇所に形成される。
【0031】
１回目の現像工程（工程４）では、図３（ｄ）に示すように、不要なレジスト膜８（部分８ａ）が現像により除去され、レジストパターンが形成される。現像は、現像液に浸漬することにより行われる。なお、描画工程（工程３）及び現像工程（工程４）を合わせて、レジストパターン形成工程という。
【0032】
中間膜エッチング工程（工程５）では、図４（ａ）に示すように、レジストパターンをエッチング処理用マスクとして、中間膜６の露出部分がエッチングにより除去される。エッチングは、ドライエッチング、ウェットエッチングのいずれでも構わないが、大型サイズのフォトマスクであれば、ウェットエッチングが好ましい。エッチャントは、エッチング液やエッチングガスが用いられる。いずれのエッチャントであっても、中間膜６に対するエッチング選択性を有するエッチャント（半透過膜４をエッチングしないエッチャント）が用いられる。
【0033】
半透過膜エッチング工程（工程６）では、図４（ｂ）に示すように、中間膜６をエッチング処理用マスクとして、半透過膜４の露出部分がエッチングにより除去される。エッチングは、ドライエッチング、ウェットエッチングのいずれでも構わないが、大型サイズのフォトマスクであれば、ウェットエッチングが好ましい。エッチャントは、エッチング液やエッチングガスが用いられる。いずれのエッチャントであっても、半透過膜４に対するエッチング選択性を有するエッチャント（中間膜６をエッチングしないエッチャント）が用いられる。
【0034】
１回目のレジスト膜除去工程（工程７）では、図４（ｃ）に示すように、レジスト膜８が除去される。レジスト膜８の除去は、アッシング法やレジスト剥離液に浸漬することにより行われる。
【0035】
遮光膜形成工程（工程８）では、図５（ａ）に示すように、半透過膜４が除去された透明基板３の露出部分及び半透過膜４の上に遮光膜５が形成される。遮光膜５は、スパッタ法、蒸着法等により成膜される。
【0036】
２回目のレジスト膜形成工程（工程９）では、１回目のレジスト膜形成工程（工程２）と同様、図５（ｂ）に示すように、遮光膜５の上にレジストが塗布されて、レジスト膜８が形成される。レジストは、塗布法やスプレイ法により塗布される。
【0037】
２回目の描画工程（工程１０）では、１回目の描画工程（工程３）と同様、図５（ｃ）に示すように、描画装置の電子ビーム又はレーザを用いてレジスト膜８に露光光が照射され、フォトマスクブランクス２の遮光膜５の領域に対応するレジストパターンが描画される。描画装置は、１回目の描画工程（工程３）で使用された描画装置と同じ装置である。２回目の描画工程（工程１０）にあたり、描画装置は、１回目の描画工程（工程３）において形成されたアライメントマークを検出し、透明基板３の位置合わせを行う。
【0038】
ただし、アライメントの精度を上げても、アライメントずれを完全になくすことは非常に困難である。そこで、２回目の描画工程（工程１０）では、アライメントずれを考慮したレジストパターンが設定される。具体的には、フォトマスクブランクス２の遮光膜５のエッジを外側にオフセット（＋オフセット）することにより、半透過膜４、中間膜６及び遮光膜５の積層部のエッジ部にラップ量Ｌでラップする（重なる）ようなレジストパターンが設定される。ラップ量Ｌは、たとえば０．３μｍ以上０．５μｍ以下の値である。
【0039】
２回目の現像工程（工程１１）では、１回目の現像工程（工程４）と同様、図５（ｄ）に示すように、不要なレジスト膜８（部分８ａ）が現像により除去され、レジストパターンが形成される。現像は、現像液に浸漬することにより行われる。なお、描画工程（工程１０）及び現像工程（工程１１）を合わせて、レジストパターン形成工程という。
【0040】
遮光膜エッチング工程（工程１２）では、図６（ａ）に示すように、レジストパターンをエッチング処理用マスクとして、遮光膜５の露出部分がエッチングにより除去される。エッチングは、ドライエッチング、ウェットエッチングのいずれでも構わないが、大型サイズのフォトマスクであれば、ウェットエッチングが好ましい。エッチャントは、エッチング液やエッチングガスが用いられる。いずれのエッチャントであっても、遮光膜５に対するエッチング選択性を有するエッチャント（中間膜６をエッチングしないエッチャント）が用いられる。
【0041】
中間膜エッチング工程（工程１３）では、図６（ｂ）に示すように、遮光膜５（遮光膜５が残存しない場合は、レジストパターン）をエッチング処理用マスクとして、中間膜６の露出部分がエッチングにより除去される。エッチングは、ドライエッチング、ウェットエッチングのいずれでも構わないが、大型サイズのフォトマスクであれば、ウェットエッチングが好ましい。エッチャントは、エッチング液やエッチングガスが用いられる。いずれのエッチャントであっても、中間膜６に対するエッチング選択性を有するエッチャント（半透過膜４をエッチングしないエッチャント）が用いられる。
【0042】
２回目のレジスト膜除去工程（工程１４）では、１回目のレジスト膜除去工程（工程７）と同様、図６（ｃ）に示すように、レジスト膜８が除去される。レジスト膜８の除去は、アッシング法やレジスト剥離液に浸漬することにより行われる。
【0043】
仕上げ工程（工程１５）では、図６（ｄ）に示すように、上記ラップによって残存する中間膜６及び遮光膜５の残渣９が除去される。残渣９は、幅が狭く、剛性が低いため、洗浄等により簡単に除去することができる。あるいは、遮光膜エッチング工程（工程１２）において遮光膜５がサイドエッチングされ、中間膜エッチング工程（工程１３）において中間膜６がサイドエッチングされることにより、残渣９が残存しないようであれば、仕上げ工程（工程１５）は不要である。
【0044】
以上の工程１ないし工程１５を経て、第２次フォトマスクブランクスであるフォトマスクブランクス２が完成する。
【0045】
＜フォトマスクブランクスの第２の製造方法＞
次に、本発明の実施形態２に係るフォトマスクブランクス２の製造方法（フォトマスクブランクス２の第２の製造方法）について説明する。
次に、本発明の実施形態２に係るフォトマスクブランクス２の製造方法（フォトマスクブランクス２の第２の製造方法）について説明する。
【0046】
概略的には、当該製造方法は、透明基板３の表面が第１のパターンの領域と第２のパターンの領域とに区画され、第１のパターンの領域に第１の機能性膜が形成され、第２のパターンの領域に第２の機能性膜が形成されるフォトマスクブランクス２であって、第１のパターンの領域が遮光膜５の領域であり、第２のパターンの領域が半透過膜４の領域であり、第１の機能性膜が遮光膜５であり、第２の機能膜が半透過膜４であるフォトマスクブランクス２の製造方法である。
【0047】
具体的には、当該製造方法は、
ｉ）フォトマスクブランクス準備工程（工程１）
ｉｉ）レジスト膜形成工程（工程２）
ｉｉｉ）描画工程（工程３）
ｉｖ）現像工程（工程４）
ｖ）中間膜エッチング工程（工程５）
ｖｉ）遮光膜エッチング工程（工程６）
ｖｉｉ）レジスト膜除去工程（工程７）
ｖｉｉｉ）半透過膜形成工程（工程８）
ｉｘ）レジスト膜形成工程（工程９）
ｘ）描画工程（工程１０）
ｘｉ）現像工程（工程１１）
ｘｉｉ）半透過膜エッチング工程（工程１２）
ｘｉｉｉ）中間膜エッチング工程（工程１３）
ｘｉｖ）レジスト膜除去工程（工程１４）
ｘｖ）仕上げ工程（工程１５）
を備える。
ｉ）フォトマスクブランクス準備工程（工程１）
ｉｉ）レジスト膜形成工程（工程２）
ｉｉｉ）描画工程（工程３）
ｉｖ）現像工程（工程４）
ｖ）中間膜エッチング工程（工程５）
ｖｉ）遮光膜エッチング工程（工程６）
ｖｉｉ）レジスト膜除去工程（工程７）
ｖｉｉｉ）半透過膜形成工程（工程８）
ｉｘ）レジスト膜形成工程（工程９）
ｘ）描画工程（工程１０）
ｘｉ）現像工程（工程１１）
ｘｉｉ）半透過膜エッチング工程（工程１２）
ｘｉｉｉ）中間膜エッチング工程（工程１３）
ｘｉｖ）レジスト膜除去工程（工程１４）
ｘｖ）仕上げ工程（工程１５）
を備える。
【0048】
なお、レジスト膜形成工程（工程２）からレジスト膜除去工程（工程７）まで、レジスト膜形成工程（工程９）からレジスト膜除去工程（工程１４）まで、をそれぞれパターニング工程という。前者のパターニング工程では、フォトマスクブランクス２の遮光膜５がパターニングされ、後者のパターニング工程では、フォトマスクブランクス２の半透過膜４がパターニングされる。
【0049】
第２の製造方法が第１の製造方法と異なる点は、第１の製造方法では、半透過膜４が先にパターニングされ、遮光膜５が後にパターニングされるのに対し、第２の製造方法では、遮光膜５が先にパターニングされ、半透過膜４が後にパターニングされる点である。これに関連する事項以外については、両者は、同じである。そこで、以下においては、異なる点について記載し、同じ点については、第１の製造方法についての記載と同様であるとして、記載を省略する。
【0050】
フォトマスクブランクス準備工程（工程１）では、図７（ａ）に示すように、透明基板３の上に遮光膜５が形成され、遮光膜５の上に中間膜（エッチングストッパ膜）６が形成され、これにより、透明基板３の上に遮光膜５及び中間膜６が積層形成されたフォトマスクブランクス（第１次フォトマスクブランクス）が準備される。
【0051】
１回目の描画工程（工程３）では、図７（ｃ）に示すように、フォトマスクブランクス２の遮光膜５の領域に対応するレジストパターンが描画される。
【0052】
中間膜エッチング工程（工程５）では、図８（ａ）に示すように、レジストパターンをエッチング処理用マスクとして、中間膜６の露出部分がエッチングにより除去される。エッチャントは、中間膜６に対するエッチング選択性を有するエッチャント（遮光膜５をエッチングしないエッチャント）が用いられる。
【0053】
遮光膜エッチング工程（工程６）では、図８（ｂ）に示すように、中間膜６をエッチング処理用マスクとして、遮光膜５の露出部分がエッチングにより除去される。エッチャントは、遮光膜５に対するエッチング選択性を有するエッチャント（中間膜６をエッチングしないエッチャント）が用いられる。
【0054】
半透過膜形成工程（工程８）では、図９（ａ）に示すように、遮光膜５が除去された透明基板３の露出部分及び遮光膜５の上に半透過膜４が形成される。
【0055】
２回目の描画工程（工程１０）では、図９（ｃ）に示すように、フォトマスクブランクス２の半透過膜４の領域に対応するレジストパターンが描画される。ただし、レジストパターンは、フォトマスクブランクス２の半透過膜４のエッジを外側にオフセット（＋オフセット）することにより、遮光膜５、中間膜６及び半透過膜４の積層部のエッジ部にラップ量Ｌでラップする（重なる）ようなレジストパターンである。
【0056】
半透過膜エッチング工程（工程１２）では、図１０（ａ）に示すように、レジストパターンをエッチング処理用マスクとして、半透過膜４の露出部分がエッチングにより除去される。エッチャントは、半透過膜４に対するエッチング選択性を有するエッチャント（中間膜６をエッチングしないエッチャント）が用いられる。
【0057】
中間膜エッチング工程（工程１３）では、図１０（ｂ）に示すように、半透過膜４（半透過膜４が残存しない場合は、レジストパターン）をエッチング処理用マスクとして、中間膜６の露出部分がエッチングにより除去される。エッチャントは、中間膜６に対するエッチング選択性を有するエッチャント（遮光膜５をエッチングしないエッチャント）が用いられる。
【0058】
＜フォトマスクブランクスの第３の製造方法＞
次に、本発明の実施形態３に係るフォトマスクブランクス２の製造方法（フォトマスクブランクス２の第３の製造方法）について説明する。
次に、本発明の実施形態３に係るフォトマスクブランクス２の製造方法（フォトマスクブランクス２の第３の製造方法）について説明する。
【0059】
概略的には、当該製造方法は、透明基板３の表面が第１のパターンの領域と第２のパターンの領域とに区画され、第１のパターンの領域に第１の機能性膜が形成され、第２のパターンの領域に第２の機能性膜が形成されるフォトマスクブランクス２であって、第１のパターンの領域が半透過膜４の領域であり、第２のパターンの領域が遮光膜５の領域であり、第１の機能性膜が半透過膜４であり、第２の機能膜が遮光膜５であるフォトマスクブランクス２の製造方法である。
【0060】
具体的には、当該製造方法は、
ｉ）フォトマスクブランクス準備工程（工程１）
ｉｉ）レジスト膜形成工程（工程２）
ｉｉｉ）描画工程（工程３）
ｉｖ）現像工程（工程４）
ｖ）半透過膜エッチング工程（工程５）
ｖｉ）レジスト膜除去工程（工程６）
ｖｉｉ）遮光膜形成工程（工程７）
ｖｉｉｉ）レジスト膜形成工程（工程８）
ｉｘ）描画工程（工程９）
ｘ）現像工程（工程１０）
ｘｉ）遮光膜エッチング工程（工程１１）
ｘｉｉ）レジスト膜除去工程（工程１２）
ｘｉｉｉ）仕上げ工程（工程１３）
を備える。
ｉ）フォトマスクブランクス準備工程（工程１）
ｉｉ）レジスト膜形成工程（工程２）
ｉｉｉ）描画工程（工程３）
ｉｖ）現像工程（工程４）
ｖ）半透過膜エッチング工程（工程５）
ｖｉ）レジスト膜除去工程（工程６）
ｖｉｉ）遮光膜形成工程（工程７）
ｖｉｉｉ）レジスト膜形成工程（工程８）
ｉｘ）描画工程（工程９）
ｘ）現像工程（工程１０）
ｘｉ）遮光膜エッチング工程（工程１１）
ｘｉｉ）レジスト膜除去工程（工程１２）
ｘｉｉｉ）仕上げ工程（工程１３）
を備える。
【0061】
なお、レジスト膜形成工程（工程２）からレジスト膜除去工程（工程６）まで、レジスト膜形成工程（工程８）からレジスト膜除去工程（工程１２）まで、をそれぞれパターニング工程という。前者のパターニング工程では、フォトマスクブランクス２の半透過膜４がパターニングされ、後者のパターニング工程では、フォトマスクブランクス２の遮光膜５がパターニングされる。
【0062】
第３の製造方法が第１の製造方法と異なる点は、第３の製造方法では、ｉ）中間膜６が積層されず、透明基板３の上に半透過膜４のみが形成されるフォトマスクブランクスを第１次フォトマスクブランクスとして使用する点、及び、これに伴い、第１の製造方法の中間膜エッチング工程（工程５）及び中間膜エッチング工程（工程１３）が無い点、ｉｉ）半透過膜４又は遮光膜５のいずれか一方は、たとえばＣｒ系の材質の膜が用いられ、いずれか他方は、非Ｃｒ系の材質の膜が用いられ、これにより、半透過膜４と遮光膜５とは、材質が異なることにより、エッチング特性が異なる点、及び、これに伴い、使用するエッチャントが異なる点である。これに関連する事項以外については、両者は、同じである。そこで、第３の製造方法については、第１の製造方法についての記載と同様であるとして、記載を省略する。
【0063】
＜フォトマスクブランクスの第４の製造方法＞
次に、本発明の実施形態４に係るフォトマスクブランクス２の製造方法（フォトマスクブランクス２の第４の製造方法）について説明する。
次に、本発明の実施形態４に係るフォトマスクブランクス２の製造方法（フォトマスクブランクス２の第４の製造方法）について説明する。
【0064】
概略的には、当該製造方法は、透明基板３の表面が第１のパターンの領域と第２のパターンの領域とに区画され、第１のパターンの領域に第１の機能性膜が形成され、第２のパターンの領域に第２の機能性膜が形成されるフォトマスクブランクス２であって、第１のパターンの領域が遮光膜５の領域であり、第２のパターンの領域が半透過膜４の領域であり、第１の機能性膜が遮光膜５であり、第２の機能膜が半透過膜４であるフォトマスクブランクス２の製造方法である。
【0065】
具体的には、当該製造方法は、
ｉ）フォトマスクブランクス準備工程（工程１）
ｉｉ）レジスト膜形成工程（工程２）
ｉｉｉ）描画工程（工程３）
ｉｖ）現像工程（工程４）
ｖ）遮光膜エッチング工程（工程５）
ｖｉ）レジスト膜除去工程（工程６）
ｖｉｉ）半透過膜形成工程（工程７）
ｖｉｉｉ）レジスト膜形成工程（工程８）
ｉｘ）描画工程（工程９）
ｘ）現像工程（工程１０）
ｘｉ）半透過膜エッチング工程（工程１１）
ｘｉｉ）レジスト膜除去工程（工程１２）
ｘｉｉｉ）仕上げ工程（工程１３）
を備える。
ｉ）フォトマスクブランクス準備工程（工程１）
ｉｉ）レジスト膜形成工程（工程２）
ｉｉｉ）描画工程（工程３）
ｉｖ）現像工程（工程４）
ｖ）遮光膜エッチング工程（工程５）
ｖｉ）レジスト膜除去工程（工程６）
ｖｉｉ）半透過膜形成工程（工程７）
ｖｉｉｉ）レジスト膜形成工程（工程８）
ｉｘ）描画工程（工程９）
ｘ）現像工程（工程１０）
ｘｉ）半透過膜エッチング工程（工程１１）
ｘｉｉ）レジスト膜除去工程（工程１２）
ｘｉｉｉ）仕上げ工程（工程１３）
を備える。
【0066】
なお、レジスト膜形成工程（工程２）からレジスト膜除去工程（工程６）まで、レジスト膜形成工程（工程８）からレジスト膜除去工程（工程１２）まで、をそれぞれパターニング工程という。前者のパターニング工程では、フォトマスクブランクス２の遮光膜５がパターニングされ、後者のパターニング工程では、フォトマスクブランクス２の半透過膜４がパターニングされる。
【0067】
第４の製造方法が第３の製造方法と異なる点は、第３の製造方法では、半透過膜４が先にパターニングされ、遮光膜５が後にパターニングされるのに対し、第４の製造方法では、遮光膜５が先にパターニングされ、半透過膜４が後にパターニングされる点である。これに関連する事項以外については、両者は、同じである。そこで、第４の製造方法については、第１の製造方法及び第２の製造方法についての記載と同様であるとして、記載を省略する。
【0068】
＜フォトマスクの製造方法＞
次に、本発明の一実施形態に係るフォトマスク１の製造方法について説明する。
次に、本発明の一実施形態に係るフォトマスク１の製造方法について説明する。
【0069】
当該製造方法は、
ｉ）フォトマスクブランクス準備工程（工程１）
ｉｉ）レジスト膜形成工程（工程２）
ｉｉｉ）描画工程（工程３）
ｉｖ）現像工程（工程４）
ｖ）膜エッチング工程（工程５）
ｖｉ）レジスト膜除去工程（工程６）
を備える。
ｉ）フォトマスクブランクス準備工程（工程１）
ｉｉ）レジスト膜形成工程（工程２）
ｉｉｉ）描画工程（工程３）
ｉｖ）現像工程（工程４）
ｖ）膜エッチング工程（工程５）
ｖｉ）レジスト膜除去工程（工程６）
を備える。
【0070】
なお、レジスト膜形成工程（工程２）からレジスト膜除去工程（工程７）までをパターニング工程という。パターニング工程では、フォトマスク１の透過部がパターニングされる。
【0071】
フォトマスクブランクス準備工程（工程１）では、図１５（ａ）に示すように、上記フォトマスクブランクス２のいずれかの製造方法により製造されたフォトマスクブランクス２（第２次フォトマスクブランクス）が準備される。
【0072】
レジスト膜形成工程（工程２）では、図１５（ｂ）に示すように、半透過膜４及び遮光膜５の上にレジストが均一に塗布されて、レジスト膜８が形成される。レジストは、塗布法やスプレイ法により塗布される。
【0073】
描画工程（工程３）では、図１５（ｃ）に示すように、描画装置の電子ビーム又はレーザを用いてレジスト膜８に露光光が照射され、フォトマスク１の透過部（ホールパターン７）の領域に対応するレジストパターンが描画される。
【0074】
ただし、半透過膜４及び遮光膜５はエッチング特性が同じであるものの、両者のエッチングレートが異なる場合、膜エッチング工程（工程５）において、半透過膜４と遮光膜５とでサイドエッチング量に差が生じる。この結果、フォトマスク１のホールパターン７のうち、半透過部の領域に内在するホール７Ａ，…又は遮光部の領域に内在するホール７Ｂ，…の少なくとも一方の寸法精度（フォトマスク１の半透過部又は遮光部の少なくとも一方の透過部に対するエッジ位置精度）が悪くなる。そこで、描画工程（工程３）では、エッチングレートの差を考慮したレジストパターンが設定される。具体的には、たとえば半透過膜４が遮光膜５よりもエッチングレートが高いとした場合、図１７（ａ）及び（ｂ）に示すホール７Ａ，７Ｂが本来的な寸法形状であるのに対し、図１７（ｃ）に示すように、半透過部の領域に内在するホール７Ａ，…に対し、エッジを内側にオフセット（－オフセット）するか、図１７（ｄ）に示すように、遮光部の領域に内在するホール７Ｂ，…に対し、エッジを外側にオフセット（＋オフセット）するようなレジストパターンが設定される。もちろん、半透過膜４及び遮光膜５のエッチングレートが同じ又は近似する場合は、オフセット処理は不要である。
【0075】
なお、エッチングレートに関する別の手法としては、半透過膜４及び遮光膜５のエッチングレートが同じ又は近似するように半透過膜４及び遮光膜５を形成（成膜）するという方法が採用され得る。これは、フォトマスクブランクス２の製造段階において、半透過膜４の膜厚方向で含有化合物の組成比を変え、組成傾斜によりエッチングレートを調整するというものである。たとえば、膜厚方向でエッチングが進行する方向に向けてエッチング困難性を高くすることにより、エッチングレートを遅くするという方法が可能である。あるいは、その逆の調整方法も可能である。
【0076】
現像工程（工程４）では、図１５（ｄ）に示すように、不要なレジスト膜８（部分８ａ）が現像により除去され、レジストパターンが形成される。現像は、現像液に浸漬することにより行われる。なお、描画工程（工程３）及び現像工程（工程４）を合わせて、レジストパターン形成工程という。
【0077】
膜エッチング工程（工程５）では、図１６（ａ）に示すように、レジストパターンをエッチング処理用マスクとして、半透過膜４及び遮光膜５の露出部分がエッチングにより除去される。エッチングは、ドライエッチング、ウェットエッチングのいずれでも構わないが、大型サイズのフォトマスクであれば、ウェットエッチングが好ましい。エッチャントは、エッチング液やエッチングガスが用いられる。
【0078】
ただし、上記フォトマスクブランクス２の第３の製造方法及び第４の製造方法により製造されたフォトマスクブランクス２である場合、半透過膜４と遮光膜５とはエッチング特性が異なり、使用するエッチャントが異なるため、膜エッチング工程（工程５）は、図１６（ｂ）に示す、半透過膜エッチング工程（工程５－１）と、図１６（ｃ）に示す、遮光膜エッチング工程（工程５－２）とに分けられる。順序はどちらが先でも構わない。
【0079】
レジスト膜除去工程（工程６）では、図１６（ｄ）に示すように、レジスト膜８が除去される。レジスト膜８の除去は、アッシング法やレジスト剥離液に浸漬することにより行われる。
【0080】
以上の工程１ないし工程６を経て、フォトマスク１が完成する。
【0081】
＜実施形態による効果＞
上記フォトマスクブランクス２の各製造方法によれば、透明基板３の上に半透過膜４及び遮光膜５が互いにエッジを接して同一平面状に並ぶように形成される複合型のフォトマスクブランクス２、すなわち、光学特性が異なる２つの領域を有するフォトマスクブランクス２が製造される。このフォトマスクブランクス２において、半透過膜４及び遮光膜５の実質的な積層部は存在せず、フォトマスク１のパターンのエッジは、それぞれ実質的に単層である半透過膜４及び遮光膜５の上に規定される。すなわち、フォトマスク１のパターンは、全体的に膜厚が小さく、アスペクト比（パターンの寸法と高さの比）が小さいフォトマスクブランクス２にパターニングされる。これは、フォトマスク１のパターンのエッジにエッジラフネスが生じにくいこと、そして、エッチング時間が短くなることを意味する。このため、フォトマスク１の製造時にパターンの寸法制御を容易とし、フォトマスク１においてパターンの寸法精度を向上することができる。
上記フォトマスクブランクス２の各製造方法によれば、透明基板３の上に半透過膜４及び遮光膜５が互いにエッジを接して同一平面状に並ぶように形成される複合型のフォトマスクブランクス２、すなわち、光学特性が異なる２つの領域を有するフォトマスクブランクス２が製造される。このフォトマスクブランクス２において、半透過膜４及び遮光膜５の実質的な積層部は存在せず、フォトマスク１のパターンのエッジは、それぞれ実質的に単層である半透過膜４及び遮光膜５の上に規定される。すなわち、フォトマスク１のパターンは、全体的に膜厚が小さく、アスペクト比（パターンの寸法と高さの比）が小さいフォトマスクブランクス２にパターニングされる。これは、フォトマスク１のパターンのエッジにエッジラフネスが生じにくいこと、そして、エッチング時間が短くなることを意味する。このため、フォトマスク１の製造時にパターンの寸法制御を容易とし、フォトマスク１においてパターンの寸法精度を向上することができる。
【0082】
具体的には、図１８に示すように、半透過膜４及び遮光膜５は、それぞれ実質的に単層であり、フォトマスク１のホールパターン７のホール７Ａ，…は、半透過膜４の領域に形成され、ホール７Ｂ，…は、遮光膜５の領域に形成される。このため、フォトマスク１において、各ホール７Ａの寸法ＳＡ及び各ホール７Ｂの寸法ＳＢは、設計に忠実な仕上がりとなる。これにより、積層部にホールパターンを形成する場合に比べ、各ホール７Ａ，７Ｂの寸法精度を向上することができ、設計に忠実な高精度なホールパターン７をパターニングすることができる。
【0083】
また、上記フォトマスク１の製造方法によれば、半透過膜４に対するホール７Ａ，…のパターニングと、遮光膜５に対するホール７Ｂ，…のパターニングは、別々のパターニング工程ではなく、１回のパターニング工程で行われる。このため、アライメントずれは当然に生じ得ず、フォトマスク１において、隣り合うホール７Ａ，７Ｂの距離Ｄといった各ホール７Ａ，７Ｂの相対位置関係は、設計に忠実な仕上がりとなる。これにより、各ホール７Ａ，７Ｂの位置精度を向上することができ、この点においても、設計に忠実な高精度なホールパターン７をパターニングすることができる。
【0084】
また、上記フォトマスクブランクス２の第１の製造方法及び第２の製造方法によれば、半透過膜４及び遮光膜５として、Ｃｒ系の材質の膜が用いられる。Ｃｒ系は、高圧及び薬品に対する耐性があり、膜強度がある。このため、一般的なフォトマスクと同等の洗浄耐性を得ることができる。
【0085】
＜その他の実施形態＞
なお、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
なお、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【0086】
上記フォトマスクブランクス２の第１の製造方法及び第２の製造方法においては、第１の機能性膜及び第２の機能性膜として、エッチング特性が同じであるものが選択される（なお、本書全般において、エッチング特性が「同じ」、膜の材質が「同じ」という場合、これは「近似」の概念を含むものである。）。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。たとえば、ｉ）第１の機能性膜として、第２の機能性膜、中間膜のそれぞれとエッチング特性が異なるものが選択され、第２の機能性膜として、第１の機能性膜、中間膜のそれぞれとエッチング特性が異なるものが選択されるようにしてもよい。あるいは、ｉｉ）第１の機能性膜として、第２の機能性膜、中間膜のそれぞれとエッチング特性が異なるものが選択され、第２の機能性膜として、第１の機能性膜とエッチング特性が異なるが、中間膜とエッチング特性が同じであるものが選択されるようにしてもよい。
【0087】
また、上記フォトマスクブランクス２の各製造方法においては、残渣９が除去され、積層部が完全に無くなるようにされる。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。たとえば、フォトマスクにおいてパターンのエッジが掛からない（通らない）箇所であれば、図１９に示すように、積層部１０が残存するようにしてもよい。この場合、ラップ量Ｌは、大きめに設定され、たとえば１μｍ以上１０μｍ以下の値である。なお、図１９は、上記フォトマスクブランクス２の第１の製造方法に対応した図面である。
【0088】
また、フォトマスクブランクスとしては、上記フォトマスクブランクス２の上に、さらに異なる透過率を有する半透過膜が形成されるものであってもよい。この場合、下層の半透過膜４（第１の半透過膜）は、上層の半透過膜（第２の半透過膜）によって透過率が再調整される。すなわち、第２の半透過膜は、透過率調整膜として機能する。
【0089】
また、フォトマスクブランクスとしては、上記フォトマスクブランクス２の上に位相シフト膜が形成されるものであってもよい。この場合、下層の半透過膜４は、位相シフト効果に影響しない程度、すなわち、位相シフト量が０度以上２０度以下に設定するようにしてもよい。
【0090】
また、上記実施形態においては、フォトマスク１のパターンは、ホールパターン７である。しかし、ホールパターンは一例に過ぎず、本発明は、これに限定されるものではない。フォトマスクのパターンとしては、パターンのエッジが、第１の機能性膜の領域（第１のパターンの領域）と第２の機能性膜の領域（第２のパターンの領域）の境界を通過せず、第１の機能性膜の領域及び第２の機能性膜の領域の各領域内に設定されるパターン、及び、パターンのエッジが、第１の機能性膜の領域と第２の機能性膜の領域の境界を通過し、第１の機能性膜の領域と第２の機能性膜の領域とに跨って設定されるパターン、の両方を含み、各種のパターンを適宜採用することができる。
【0091】
また、上記実施形態においては、第１の機能性膜又は第２の機能性膜のいずれか一方は、半透過膜４であり、いずれか他方は、遮光膜５である。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。第１の機能性膜及び第２の機能性膜として、各種の機能性膜の中から適宜の機能性膜を選択することができる。たとえば、半透過膜としての用途でない位相シフト膜であってもよい。
【0092】
また、物理的に干渉するものでない限り、以上に記載した技術要素を他の実施形態ないし例に適用すること、以上に記載した技術要素を他の実施形態ないし例に係る技術要素と置換すること、以上に記載した技術要素同士を組み合わせること等は、当然に可能であり、これは、本発明が当然に意図するところである。
【符号の説明】
【0093】
１…フォトマスク、２…フォトマスクブランクス、３…透明基板、４…半透過膜、５…遮光膜、６…中間膜（エッチングストッパ膜）、７…ホールパターン、７Ａ…半透過部におけるホール、７Ｂ…遮光部におけるホール、８…レジスト膜、８ａ…部分、９…残渣、１０…積層部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】