特開 2023-7156 樹脂粒子、導電性粒子、導電材料及び接続構造体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023007156

(43)【公開日】2023-01-18

(54)【発明の名称】樹脂粒子、導電性粒子、導電材料及び接続構造体

(51)【国際特許分類】

   C08G 73/10 20060101AFI20230111BHJP

   C08J 3/16 20060101ALI20230111BHJP

   C08J 7/044 20200101ALI20230111BHJP

   H01R 11/01 20060101ALI20230111BHJP

   H01B 5/00 20060101ALI20230111BHJP

   H01B 1/22 20060101ALI20230111BHJP

   H01B 1/00 20060101ALI20230111BHJP

【ＦＩ】

C08G73/10

C08J3/16 CFG

C08J7/044

H01R11/01 501D

H01B5/00 C

H01B5/00 M

H01B5/00 G

H01B1/22 A

H01B1/22 B

H01B1/00 C

H01B1/00 M

H01B1/00 G

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021110223

(22)【出願日】2021-07-01

(71)【出願人】

【識別番号】000002174

【氏名又は名称】積水化学工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001232

【氏名又は名称】弁理士法人大阪フロント特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】大倉 滉生

(72)【発明者】

【氏名】脇屋 武司

【テーマコード（参考）】

4F006

4F070

4J043

5G301

5G307

【Ｆターム（参考）】

4F006AA38

4F006AB73

4F006BA07

4F006CA08

4F006DA01

4F006DA02

4F006EA01

4F070AA54

4F070DA33

4F070DB03

4F070DB04

4J043PA02

4J043PA04

4J043PC145

4J043PC146

4J043QB15

4J043QB24

4J043QB31

4J043RA35

4J043SA06

4J043TA22

4J043TA32

4J043UA022

4J043UA032

4J043UA041

4J043UA042

4J043UA121

4J043UA122

4J043UA131

4J043UA132

4J043UA761

4J043UB062

4J043UB121

4J043UB152

4J043VA021

4J043VA022

4J043VA041

4J043VA062

4J043XA15

4J043XB27

4J043XB33

4J043YA25

4J043YA26

4J043ZA32

4J043ZA35

4J043ZB05

4J043ZB49

5G301DA03

5G301DA04

5G301DA05

5G301DA06

5G301DA07

5G301DA09

5G301DA10

5G301DA11

5G301DA12

5G301DA13

5G301DA14

5G301DA15

5G301DA23

5G301DA43

5G301DA45

5G301DA51

5G301DA53

5G301DA57

5G301DA59

5G301DD01

5G301DD02

5G301DD03

5G301DD08

5G307AA08

(57)【要約】

【課題】スペーサとして用いた場合に、高温環境下でも、ギャップを効果的に制御し、かつ、接続対象部材の損傷を防止することができる樹脂粒子を提供する。
【解決手段】本発明に係る樹脂粒子では、１００℃～２００℃における線熱膨張係数が、３００ｐｐｍ／℃以下であり、１０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１００Ｎ／ｍｍ^２以上５０００Ｎ／ｍｍ^２以下であり、３０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１００Ｎ／ｍｍ^２以上２０００Ｎ／ｍｍ^２以下である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

１００℃～２００℃における線熱膨張係数が、３００ｐｐｍ／℃以下であり、
１０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１００Ｎ／ｍｍ^２以上５０００Ｎ／ｍｍ^２以下であり、
３０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１００Ｎ／ｍｍ^２以上２０００Ｎ／ｍｍ^２以下である、樹脂粒子。

【請求項2】

１００℃～２００℃における線熱膨張係数が、１００ｐｐｍ／℃以下である、請求項１に記載の樹脂粒子。

【請求項3】

１０％圧縮したときの圧縮弾性率の、３０％圧縮したときの圧縮弾性率に対する比が、１．５以上３．０以下である、請求項１又は２に記載の樹脂粒子。

【請求項4】

熱分解温度が、４００℃以上である、請求項１～３のいずれか１項に記載の樹脂粒子。

【請求項5】

前記樹脂粒子の材料が、２種以上の重合性単量体の重合により形成されたイミド基を有する重合体を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の樹脂粒子。

【請求項6】

アスペクト比が、１．０以上１．１以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載の樹脂粒子。

【請求項7】

粒子径が、０．１μｍ以上１０００μｍ以下である、請求項１～６のいずれか１項に記載の樹脂粒子。

【請求項8】

粒子径のＣＶ値が、１０％以下である、請求項１～７のいずれか１項に記載の樹脂粒子。

【請求項9】

ＢＥＴ比表面積が、０．５ｍ^２／ｇ以上１０．０ｍ^２／ｇ以下である、請求項１～８のいずれか１項に記載の樹脂粒子。

【請求項10】

液晶表示素子用スペーサとして用いられるか、電子部品用接着剤として用いられるか、又は、導電部を有する導電性粒子を得るために用いられる、請求項１～９のいずれか１項に記載の樹脂粒子。

【請求項11】

請求項１～１０のいずれか１項に記載の樹脂粒子と、
前記樹脂粒子の表面上に配置された導電部とを備える、導電性粒子。

【請求項12】

前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質をさらに備える、請求項１１に記載の導電性粒子。

【請求項13】

前記導電部の外表面に突起を有する、請求項１１又は１２に記載の導電性粒子。

【請求項14】

導電性粒子と、バインダー樹脂とを含み、
前記導電性粒子が、請求項１～１０のいずれか１項に記載の樹脂粒子と、前記樹脂粒子の表面上に配置された導電部とを備える、導電材料。

【請求項15】

第１の接続対象部材と、
第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項１～１０のいずれか１項に記載の樹脂粒子を含む、接続構造体。

【請求項16】

前記第１の接続対象部材が表面に第１の電極を有し、
前記第２の接続対象部材が表面に第２の電極を有し、
前記接続部が導電性粒子を含み、
前記導電性粒子が、前記樹脂粒子と、前記樹脂粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、請求項１５に記載の接続構造体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、樹脂粒子に関する。また、本発明は、上記樹脂粒子を用いた導電性粒子、導電材料及び接続構造体に関する。

【背景技術】

【0002】

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー中に導電性粒子が分散されている。

【0003】

上記異方性導電材料は、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）、ガラス基板、ガラスエポキシ基板及び半導体チップ等の様々な接続対象部材の電極間を電気的に接続し、接続構造体を得るために用いられている。また、上記導電性粒子として、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子が用いられることがある。このような導電性粒子を用いた接続構造体は、ディスプレイ装置等の電子機器装置に用いられており、更に自動車のエンジン部やモーター部等にも用いられている。自動車のエンジン部やモーター部は、電子機器装置の部品に比べて非常に高温となる。このため、エンジン部やモーター部に使用される接続構造体、導電材料、導電性粒子及び樹脂粒子においては、熱により分解又は溶融しないように、高い耐熱性が求められる。

【0004】

また、液晶表示素子は、２枚のガラス基板間に液晶が配置されて構成されている。該液晶表示素子では、２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）を均一かつ一定に保つために、ギャップ制御材としてスペーサが用いられている。さらに、該スペーサは、ガラス基板を損傷させないことが望ましい。また、該スペーサは、実装時に破壊されないことが好ましい。該スペーサとして、樹脂粒子が一般に用いられている。

【0005】

下記の特許文献１には、低温域で柔軟性に優れ、耐熱性にも優れるポリウレタンビーズの製造方法が記載されている。上記製造方法は、ポリオール成分及びイソシアネート成分を含むビーズ原材料を、懸濁安定剤を含む水中に粒子状に分散させ、かつ反応させて、ポリウレタンビーズ懸濁液を調製する工程と、該ポリウレタンビーズ懸濁液を固液分離する工程とを有する。また、上記ポリオール成分は、３－メチル－１，５－ペンタンジオールとアジピン酸とを反応させて得たポリエステルポリオールを含有する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０１０―０２４３１９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

特許文献１のポリウレタンビーズを樹脂粒子として用いた場合、樹脂粒子及び導電性粒子等の耐熱性をある程度高めることができる。しかしながら、ポリウレタンビーズは一般に熱によって膨張しやすいため、高温環境下（例として、１００℃～２００℃）でポリウレタンビーズを樹脂粒子（スペーサ）として用いた場合に、ギャップを均一かつ一定に制御することは困難であり、またＰＥＴ基板等の接続対象部材を傷つけることがある。さらに、該樹脂粒子を用いて得られる導電性粒子や接続構造体では、該樹脂粒子が熱によって膨張しやすいため、高温環境下において使用された場合に、導電性粒子（特に、導電部）にクラックが発生したり、接続構造体中の導電性粒子の周辺にボイド（気泡）が発生したりすることがある。結果として、接続構造体の接続信頼性が低くなることがある。

【0008】

本発明の目的は、スペーサとして用いた場合に、高温環境下でも、ギャップを効果的に制御し、かつ、接続対象部材の損傷を防止することができる樹脂粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記樹脂粒子を用いた導電性粒子、導電材料及び接続構造体を提供することである。また、本発明の目的は、高温環境下でも、得られる導電性粒子のクラックの発生を抑制することができる樹脂粒子を提供することである。さらに、本発明の目的は、高温環境下でも、得られる接続構造体におけるボイドの発生を抑制することができる樹脂粒子を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の広い局面によれば、１００℃～２００℃における線熱膨張係数が、３００ｐｐｍ／℃以下であり、１０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１００Ｎ／ｍｍ^２以上５０００Ｎ／ｍｍ^２以下であり、３０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１００Ｎ／ｍｍ^２以上２０００Ｎ／ｍｍ^２以下である、樹脂粒子が提供される。

【0010】

本発明に係る樹脂粒子のある特定の局面では、１００℃～２００℃における線熱膨張係数が、１００ｐｐｍ／℃以下である。

【0011】

本発明に係る樹脂粒子のある特定の局面では、１０％圧縮したときの圧縮弾性率の、３０％圧縮したときの圧縮弾性率に対する比が、１．５以上３．０以下である。

【0012】

本発明に係る樹脂粒子のある特定の局面では、熱分解温度が、４００℃以上である。

【0013】

本発明に係る樹脂粒子のある特定の局面では、前記樹脂粒子の材料が、２種以上の重合性単量体の重合により形成されたイミド基を有する重合体を含む。

【0014】

本発明に係る樹脂粒子のある特定の局面では、アスペクト比が、１．０以上１．１以下である。

【0015】

本発明に係る樹脂粒子のある特定の局面では、粒子径が、０．１μｍ以上１０００μｍ以下である。

【0016】

本発明に係る樹脂粒子のある特定の局面では、粒子径のＣＶ値が、１０％以下である。

【0017】

本発明に係る樹脂粒子のある特定の局面では、ＢＥＴ比表面積が、０．５ｍ^２／ｇ以上１０．０ｍ^２／ｇ以下である。

【0018】

本発明に係る樹脂粒子のある特定の局面では、前記樹脂粒子は、液晶表示素子用スペーサとして用いられるか、電子部品用接着剤として用いられるか、又は、導電部を有する導電性粒子を得るために用いられる。

【0019】

本発明の広い局面によれば、上述した樹脂粒子と、前記樹脂粒子の表面上に配置された導電部とを備える、導電性粒子が提供される。

【0020】

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質をさらに備える。

【0021】

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面に突起を有する。

【0022】

本発明の広い局面によれば、導電性粒子と、バインダー樹脂とを含み、前記導電性粒子が、上述した樹脂粒子と、前記樹脂粒子の表面上に配置された導電部とを備える、導電材料が提供される。

【0023】

本発明の広い局面によれば、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した樹脂粒子を含む、接続構造体が提供される。

【0024】

本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記第１の接続対象部材が表面に第１の電極を有し、前記第２の接続対象部材が表面に第２の電極を有し、前記接続部が導電性粒子を含み、前記導電性粒子が、前記樹脂粒子と、前記樹脂粒子の表面上に配置された導電部とを備え、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている。

【発明の効果】

【0025】

本発明に係る樹脂粒子では、１００℃～２００℃における線熱膨張係数が、３００ｐｐｍ／℃以下であり、１０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１００Ｎ／ｍｍ^２以上５０００Ｎ／ｍｍ^２以下であり、３０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１００Ｎ／ｍｍ^２以上２０００Ｎ／ｍｍ^２以下である。本発明に係る樹脂粒子では、上記の構成が備えられているので、スペーサとして用いた場合に、高温環境下でも、ギャップを効果的に制御し、かつ、接続対象部材の損傷を防止することができる。また、本発明に係る樹脂粒子では、上記の構成が備えられているので、高温環境下でも、得られる導電性粒子のクラックの発生を抑制することができる。さらに、本発明に係る樹脂粒子では、上記の構成が備えられているので、高温環境下でも、得られる接続構造体におけるボイドの発生を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0026】

【図1】図１は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂粒子を示す断面図である。

【図2】図２は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

【図3】図３は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

【図4】図４は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

【図5】図５は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体の一例を示す断面図である。

【図6】図６は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂粒子を用いた接続構造体の一例を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0027】

以下、本発明の詳細を説明する。

【0028】

（樹脂粒子）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂粒子を示す断面図である。

【0029】

樹脂粒子１は、球状の粒子である。樹脂粒子１では、１００℃～２００℃における線熱膨張係数が、３００ｐｐｍ／℃以下であり、１０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１００Ｎ／ｍｍ^２以上５０００Ｎ／ｍｍ^２以下であり、３０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１００Ｎ／ｍｍ^２以上２０００Ｎ／ｍｍ^２以下である。

【0030】

樹脂粒子１のように、本発明に係る樹脂粒子では、１００℃～２００℃における線熱膨張係数が、３００ｐｐｍ／℃以下であり、１０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１００Ｎ／ｍｍ^２以上５０００Ｎ／ｍｍ^２以下であり、３０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１００Ｎ／ｍｍ^２以上２０００Ｎ／ｍｍ^２以下である。

【0031】

従来の樹脂粒子では、熱によって膨張しやすいため、高温環境下（例として、１００℃～２００℃）でスペーサとして用いた場合に、ギャップを均一かつ一定に制御することが困難であり、ガラス基板等の接続対象部材を傷つけることがある。また、該樹脂粒子を用いて作製した導電性粒子や接続構造体では、該樹脂粒子が熱によって膨張しやすいため、高温環境下で使用された場合に、導電性粒子（特に、導電部）にクラックが発生したり、接続構造体中の導電性粒子の周辺にボイド（気泡）が発生したりすることがある。結果として、接続構造体の接続信頼性が低くなることがある。

【0032】

本発明に係る樹脂粒子では、上記の構成が備えられているので、スペーサとして用いた場合に、実装時に接続対象部材間で破壊されにくい。結果として、高温環境下でもギャップを効果的に制御することができ、かつ、高温環境下でも接続対象部材の損傷を防止することができる。

【0033】

また、上記樹脂粒子を用いて得られる導電性粒子、上記導電性粒子を含む導電材料、及び上記樹脂粒子又は上記導電性粒子を含む接続構造体において、高温環境下（例として、１００℃～２００℃）でも、導電性粒子（特に、導電部）におけるクラックの発生及び接続構造体におけるボイドの発生を抑制することができる。結果として、接続構造体の接続信頼性を高めることができる。

【0034】

上記樹脂粒子では、１００℃～２００℃における線熱膨張係数が、３００ｐｐｍ／℃以下である。上記樹脂粒子では、１００℃～２００℃における線熱膨張係数は、好ましくは２５０ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは１５０ｐｐｍ／℃以下、さらに好ましくは１００ｐｐｍ／℃以下、特に好ましくは９０ｐｐｍ／℃以下である。上記樹脂粒子の１００℃～２００℃における線熱膨張係数が上記上限以下であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。また、上記樹脂粒子を用いて得られる導電性粒子（特に、導電部）におけるクラックの発生及び接続構造体におけるボイドの発生をより一層効果的に抑制することができる。

【0035】

上記樹脂粒子の１００℃～２００℃における線熱膨張係数の下限は特に限定されない。上記樹脂粒子の１００℃～２００℃における線熱膨張係数は、０ｐｐｍ／℃以上であってもよい。なお、上記線熱膨張係数の測定温度範囲を１００℃～２００℃としているのは、導電性粒子及び接続構造体等の使用時に想定される温度範囲に基づいて範囲を設定したためである。

【0036】

上記線熱膨張係数は、樹脂粒子を圧縮して作製したペレット状試料について、錠剤成形器を用いて、圧縮荷重法（ＴＭＡ）により、昇温速度５℃／分の条件で測定される。上記線熱膨張係数を測定する測定機としては、Ｓｅｉｋｏ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．製「ＴＭＡ Ｑ４００」等が挙げられる。上記錠剤成形器としては、太洋社製「ＳＴＪ－０１２９－１」等が挙げられる。

【0037】

上記樹脂粒子を１０％圧縮したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、１００Ｎ／ｍｍ^２以上５０００Ｎ／ｍｍ^２以下である。上記１０％Ｋ値は、好ましくは５００Ｎ／ｍｍ^２以上、より好ましくは１０００Ｎ／ｍｍ^２以上、さらに好ましくは２０００Ｎ／ｍｍ^２以上であり、好ましくは４４００Ｎ／ｍｍ^２以下、より好ましくは４０００Ｎ／ｍｍ^２以下、さらに好ましくは３０００Ｎ／ｍｍ^２以下である。上記１０％Ｋ値が上記下限以上及び上記上限以下であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。

【0038】

上記樹脂粒子を３０％圧縮したときの圧縮弾性率（３０％Ｋ値）は、１００Ｎ／ｍｍ^２以上２０００Ｎ／ｍｍ^２以下である。上記３０％Ｋ値は、好ましくは３００Ｎ／ｍｍ^２以上、より好ましくは５００Ｎ／ｍｍ^２以上、さらに好ましくは１０００Ｎ／ｍｍ^２以上であり、好ましくは１９００Ｎ／ｍｍ^２以下、より好ましくは１８００Ｎ／ｍｍ^２以下、さらに好ましくは１５００Ｎ／ｍｍ^２以下である。上記３０％Ｋ値が上記下限以上及び上記上限以下であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。

【0039】

上記樹脂粒子を１０％圧縮したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）の、３０％圧縮したときの圧縮弾性率（３０％Ｋ値）に対する比（１０％Ｋ値／３０％Ｋ値）は、好ましくは１．５以上、より好ましくは１．８以上、さらに好ましくは２．０以上であり、好ましくは３．０以下、より好ましくは２．８以下、さらに好ましくは２．６以下である。上記比（１０％Ｋ値／３０％Ｋ値）が上記下限以上及び上記上限以下であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。

【0040】

上記樹脂粒子の上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値及び３０％Ｋ値）は、以下のようにして測定できる。

【0041】

微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径５０μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、２５℃、圧縮速度０．３ｍＮ／秒、及び最大試験荷重２０ｍＮの条件下で樹脂粒子１個を圧縮する。このときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定する。得られた測定値から、上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値及び３０％Ｋ値）を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ－１００」等が用いられる。上記樹脂粒子における上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値及び３０％Ｋ値）は、任意に選択された５０個の樹脂粒子の上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値及び３０％Ｋ値）を算術平均することにより、算出することが好ましい。

【0042】

１０％Ｋ値及び３０％Ｋ値（Ｎ／ｍｍ^２）＝（３／２^１／２）・Ｆ・Ｓ^－３／２・Ｒ^－１／２
Ｆ：樹脂粒子が１０％又は３０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：樹脂粒子が１０％又は３０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：樹脂粒子の半径（ｍｍ）

【0043】

上記圧縮弾性率は、樹脂粒子の硬さを普遍的かつ定量的に表す。上記圧縮弾性率の使用により、樹脂粒子の硬さを定量的かつ一義的に表すことができる。

【0044】

上記樹脂粒子の圧縮回復率は、好ましくは５％以上、より好ましくは８％以上であり、好ましくは６０％以下、より好ましくは４０％以下である。上記圧縮回復率が上記下限以上及び上記上限以下であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。

【0045】

上記樹脂粒子の圧縮回復率は、以下のようにして測定できる。

【0046】

試料台上に樹脂粒子を散布する。散布された１個の樹脂粒子について、微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径５０μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、２５℃で、樹脂粒子の中心方向に、樹脂粒子が３０％圧縮変形するまで負荷（反転荷重値）を与える。その後、原点用荷重値（０．４０ｍＮ）まで除荷を行う。この間の荷重－圧縮変位を測定し、下記式から圧縮回復率を求めることができる。なお、負荷速度は０．３３ｍＮ／秒とする。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ－１００」等が用いられる。

【0047】

圧縮回復率（％）＝［Ｌ２／Ｌ１］×１００
Ｌ１：負荷を与えるときの原点用荷重値から反転荷重値に至るまでの圧縮変位
Ｌ２：負荷を解放するときの反転荷重値から原点用荷重値に至るまでの除荷変位

【0048】

上記樹脂粒子の熱分解温度は、好ましくは３００℃以上、より好ましくは４００℃以上、さらに好ましくは４５０℃以上、特に好ましくは４７０℃以上である。上記樹脂粒子の熱分解温度が上記下限以上であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。また、上記樹脂粒子を用いて得られる導電性粒子（特に、導電部）におけるクラックの発生及び接続構造体におけるボイドの発生をより一層効果的に抑制することができる。上記樹脂粒子の熱分解温度の上限は、特に限定されない。上記樹脂粒子の熱分解温度は、６００℃以下であってもよい。

【0049】

上記熱分解温度は、示差熱熱重量同時測定装置（例えば、日立ハイテクサイエンス社製「ＴＧ／ＤＴＡ：ＳＴＡ７２００」）を用いて測定可能である。測定結果における重量が初期重量から１０％減少した温度を熱分解温度とする。

【0050】

スペーサとして用いた場合に、高温環境下でも、ギャップを効果的に制御する観点からは、上記樹脂粒子のアスペクト比は、好ましくは１．０以上、より好ましくは１．０を超え、好ましくは１．５以下、より好ましくは１．３以下、さらに好ましくは１．１以下である。上記樹脂粒子のアスペクト比は、長径／短径を示す。上記樹脂粒子のアスペクト比は、任意の樹脂粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、最大径と最小径をそれぞれ長径、短径とし、各樹脂粒子の長径／短径の平均値を算出することにより求めることが好ましい。上記アスペクト比は、平均アスペクト比であることが好ましい。

【0051】

上記樹脂粒子の粒子径は、用途に応じて適宜設定することができる。上記樹脂粒子の粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上であり、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは５００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下、最も好ましくは１０μｍ以下である。上記樹脂粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、樹脂粒子を導電性粒子及びスペーサの用途により一層好適に使用可能になる。

【0052】

上記樹脂粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることが好ましい。上記樹脂粒子の粒子径は、例えば、任意の樹脂粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各樹脂粒子の粒子径の平均値を算出することや、粒度分布測定装置を用いて求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの樹脂粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の樹脂粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、１個当たりの樹脂粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記樹脂粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。

【0053】

また、導電性粒子において、上記樹脂粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。

【0054】

導電性粒子の含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂体を作製する。検査用埋め込み樹脂体中に分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を２５０００倍に設定し、５０個の導電性粒子を無作為に選択し、各導電性粒子の樹脂粒子を観察する。各導電性粒子における樹脂粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して樹脂粒子の粒子径とする。

【0055】

上記樹脂粒子の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、好ましくは１５％以下、より好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下である。上記ＣＶ値が上記上限以下であると、樹脂粒子を導電性粒子及びスペーサの用途により一層好適に使用可能になる。

【0056】

上記ＣＶ値は、下記式で表される。

【0057】

ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：樹脂粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：樹脂粒子の粒子径の平均値

【0058】

上記樹脂粒子の形状は、特に限定されない。上記樹脂粒子の形状は、球状であってもよく、球状以外の形状であってもよく、扁平状等の形状であってもよい。

【0059】

上記樹脂粒子のＢＥＴ比表面積は、好ましくは０．５ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは１．０ｍ^２／ｇ以上、さらに好ましくは１．５ｍ^２／ｇ以上であり、好ましくは１０．０ｍ^２／ｇ以下、より好ましくは８．０ｍ^２／ｇ以下、さらに好ましくは５．０ｍ^２／ｇ以下である。上記樹脂粒子のＢＥＴ比表面積が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記樹脂粒子が実装時に接続対象部材間で破壊されにくい。結果として、高温環境下でもギャップを効果的に制御することができる。

【0060】

上記樹脂粒子のＢＥＴ比表面積は、ＢＥＴ法に準拠して、窒素の吸着等温線から測定することができる。上記樹脂粒子のＢＥＴ比表面積の測定装置としては、カンタクローム・インスツルメンツ社製「ＮＯＶＡ４２００ｅ」等が挙げられる。

【0061】

上記樹脂粒子の用途は特に限定されない。上記樹脂粒子は、様々な用途に好適に用いられる。使用時の上記樹脂粒子の圧縮条件を変更することにより、樹脂粒子の厚みを好適に変化させることができる。

【0062】

上記樹脂粒子は、スペーサに用いられるか、電子部品用接着剤に用いられるか、導電部を有する導電性粒子を得るために用いられるか、又は、積層造形用材料に用いられることが好ましい。上記樹脂粒子は、スペーサに用いられるか、電子部品用接着剤に用いられるか、又は、導電部を有する導電性粒子を得るために用いられることがより好ましい。上記樹脂粒子は、スペーサとして用いられるか、電子部品用接着剤として用いられるか、又は、導電部を有する導電性粒子を得るために用いられることがより好ましい。上記導電性粒子において、上記導電部は、上記樹脂粒子の表面上に形成される。

【0063】

上記樹脂粒子は、スペーサに用いられるか又はスペーサとして用いられることが好ましい。上記スペーサの使用方法としては、液晶表示素子用スペーサ、ギャップ制御用スペーサ、応力緩和用スペーサ、及び調光積層体用スペーサ等が挙げられる。上記ギャップ制御用スペーサは、スタンドオフ高さ及び平坦性を確保するための積層チップのギャップ制御、並びに、ガラス面の平滑性及び接着剤層の厚みを確保するための光学部品のギャップ制御等に用いることができる。上記応力緩和用スペーサは、センサチップ等の応力緩和、及び２つの接続対象部材を接続している接続部の応力緩和等に用いることができる。上記センサチップとしては、例えば、半導体センサチップ等が挙げられる。

【0064】

上記樹脂粒子は、液晶表示素子用スペーサに用いられるか又は液晶表示素子用スペーサとして用いられることが好ましく、液晶表示素子用周辺シール剤に用いられることが好ましい。上記樹脂粒子は、液晶表示用スペーサとして用いられるか、電子部品用接着剤として用いられるか、又は、導電部を有する導電性粒子を得るために用いられることが好ましい。上記液晶表示素子用周辺シール剤において、上記樹脂粒子は、スペーサとして機能することが好ましい。上記樹脂粒子は、良好な圧縮変形特性を有するので、上記樹脂粒子をスペーサとして用いて基板間に配置したり、表面に導電部を形成して導電性粒子として用いて電極間を電気的に接続したりした場合に、スペーサ又は導電性粒子が、基板間又は電極間に効率的に配置される。さらに、上記樹脂粒子では、スペーサの凝集及び移動を抑制することができるので、上記液晶表示素子用スペーサを用いた液晶表示素子及び上記導電性粒子を用いた接続構造体において、接続不良及び表示不良が生じ難くなる。

【0065】

上記樹脂粒子は、電子部品用接着剤に用いられるか又は電子部品用接着剤として用いられることが好ましい。上記電子部品用接着剤としては、液晶パネル用接着剤、積層基板用接着剤、基板回路用接着剤、及びカメラモジュール用接着剤等が挙げられる。上記積層基板としては、例えば、半導体センサチップ等が挙げられる。上記電子部品用接着剤に用いられる樹脂粒子又は上記電子部品用接着剤として用いられる樹脂粒子は、接着性能を有する接着性樹脂粒子であることが好ましい。上記樹脂粒子が接着性樹脂粒子であると、圧着をして樹脂粒子が硬化する際に、樹脂粒子と積層対象部材とを良好に接着することができる。上記樹脂粒子は単体で、電子部品用接着剤として用いることができる。他の接着成分を用いずに、上記樹脂粒子は、電子部品用接着剤として用いることができる。上記樹脂粒子を電子部品用接着剤に用いる場合、単体で電子部品用接着剤として用いなくてもよく、他の接着成分と共に用いられてもよい。また、上記樹脂粒子が接着性能を有する接着性樹脂粒子である場合は、スペーサ兼電子部品用接着剤として用いることもできる。上記樹脂粒子をスペーサ兼電子部品用接着剤として用いる場合、スペーサと接着剤とが別の材料によって構成される場合と比較して、ギャップ制御性や応力緩和性等のスペーサに求められる物性と、接着性との両立をより一層高度に実現することができる。

【0066】

上記樹脂粒子は、積層造形用材料に用いられることが好ましい。上記樹脂粒子を上記積層造形用材料に用いる場合、例えば、上記樹脂粒子を立体的に積層して特定の形状を形成した後に、硬化させることによって立体的な造形物を形成することができる。

【0067】

以下、樹脂粒子の他の詳細を説明する。なお、本明細書において、「（メタ）アクリレート」は「アクリレート」と「メタクリレート」との一方又は双方を意味し、「（メタ）アクリル」は「アクリル」と「メタクリル」との一方又は双方を意味する。

【0068】

（樹脂粒子の他の詳細）
上記樹脂粒子の材料は特に限定されない。上記樹脂粒子の材料は、有機材料であることが好ましい。上記樹脂粒子は、多孔構造を有する粒子であってもよく、中実構造を有する粒子であってもよい。上記多孔構造は、複数の細孔を有する構造を意味している。上記中実構造は、複数の細孔を有しない構造を意味している。

【0069】

上記有機材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、イソシアネート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及びジビニルベンゼン重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン重合体は、ジビニルベンゼン共重合体であってもよい。上記ジビニルベンゼン共重合体等としては、ジビニルベンゼン－スチレン共重合体及びジビニルベンゼン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。

【0070】

上記樹脂粒子の材料は、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ウレタン樹脂、イソシアネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フェノール樹脂、又はエチレン性不飽和基を有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。上記樹脂粒子の材料は、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フェノール樹脂、又はエチレン性不飽和基を有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることがより好ましい。本発明の特性を有する樹脂粒子を容易に得る観点からは、上記樹脂粒子の材料は、ポリイミド樹脂であることがさらに好ましい。上記樹脂粒子の材料が、上記の好ましい態様を満足すると、樹脂粒子のＣＶ値を下げることができ、ギャップ制御性をより一層高めることができる。また、得られる接続構造体の接続信頼性をより一層高めることができる。

【0071】

本発明の特性を有する樹脂粒子を容易に得る観点からは、上記樹脂粒子の材料は、２種以上の重合性単量体の重合により形成されたイミド基を有する重合体であることが特に好ましい。上記２種以上の重合性単量体の重合により形成されたイミド基を有する重合体は、２つの酸無水物基を有する重合性単量体と、２つのアミノ基を有する重合性単量体との重合体であることが最も好ましい。上記２つの酸無水物を有する重合性単量体は、上記２つの酸無水物を有する重合性単量体のエステル化誘導体であってもよく、上記２つの酸無水物を有する重合性単量体のカルボン酸誘導体であってもよい。上記樹脂粒子の材料が、上記の好ましい態様を満足すると、樹脂粒子のＣＶ値を下げることができ、ギャップ制御性をより一層高めることができる。また、得られる接続構造体の接続信頼性をより一層高めることができる。

【0072】

上記２つの酸無水物基を有する重合性単量体としては、４，４’－（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物、ピロメリット酸無水物、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン－１，４，５，８－テトラカルボン酸二無水物、９，９－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）フルオレン二無水物、１，２，３，４－シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４－シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５－シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、ジシクロヘキシル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．２］オクト－７－エン－２，３，５，６－テトラカルボン酸二無水物、エチレンジアミン四酢酸二無水物、及びこれらのエステル化誘導体並びにカルボン酸誘導体等が挙げられる。樹脂粒子の粒子径のＣＶ値を下げ、ギャップ制御性をより一層高める観点からは、上記２つの酸無水物基を有する重合性単量体は、４，４’－（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物又はそのエステル化誘導体並びにカルボン酸誘導体であることが好ましい。

【0073】

上記２つのアミノ基を有する重合性単量体としては、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、１，３－フェニレンジアミン、１，３－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１，８－ジアミノオクタン、１，６－ジアミノヘキサン、１，４－ジアミノブタン、１，２－ジアミノエタン及び１，２－ビス（２－アミノエトキシ）エタン等が挙げられる。樹脂粒子のＣＶ値を下げ、ギャップ制御性をより一層高める観点からは、上記２つのアミノ基を有する重合性単量体は、４，４’－ジアミノジフェニルエーテルであることが好ましい。

【0074】

熱分解温度を高め、本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、２種以上の重合性単量体の重合により形成されたイミド基を有する重合体の分子量１００％中、存在するイミド基の分子量の合計（以下、「イミド基の含有率」とすることがある）は、好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上、さらに好ましくは２５％以上である。上記イミド基の含有率が上記下限以上であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。

【0075】

上記樹脂粒子は、上記主鎖にイミド基を有する重合性単量体を重合させることによって得ることができる。上記の重合方法としては特に限定されず、ラジカル重合、イオン重合、重縮合（縮合重合、縮重合）、付加縮合、リビング重合、及びリビングラジカル重合等の公知の方法が挙げられる。また、他の重合方法としては、ラジカル重合開始剤の存在下での懸濁重合が挙げられる。

【0076】

（導電性粒子）
上記導電性粒子は、上述した樹脂粒子と、上記樹脂粒子の表面上に配置された導電部とを備える。

【0077】

図２は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

【0078】

図２に示す導電性粒子１１は、樹脂粒子１と、樹脂粒子１の表面上に配置された導電部２とを有する。導電部２は、樹脂粒子１の表面を被覆している。導電性粒子１１は、樹脂粒子１の表面が導電部２により被覆された被覆粒子である。

【0079】

図３は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

【0080】

図３に示す導電性粒子２１は、樹脂粒子１と、樹脂粒子１の表面上に配置された導電部２２とを有する。図３に示す導電性粒子２１では、導電部２２のみが、図２に示す導電性粒子１１と異なる。導電部２２は、内層である第１の導電部２２Ａと外層である第２の導電部２２Ｂとを有する。樹脂粒子１の表面上に、第１の導電部２２Ａが配置されている。第１の導電部２２Ａの表面上に、第２の導電部２２Ｂが配置されている。

【0081】

図４は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

【0082】

図４に示す導電性粒子３１は、樹脂粒子１と、導電部３２と、複数の芯物質３３と、複数の絶縁性物質３４とを有する。

【0083】

導電部３２は、樹脂粒子１の表面上に配置されている。導電性粒子３１は表面に、複数の突起３１ａを有する。導電部３２は外表面に、複数の突起３２ａを有する。このように、上記導電性粒子は、表面に突起を有していてもよく、導電部の外表面に突起を有していてもよい。複数の芯物質３３が、樹脂粒子１の表面上に配置されている。複数の芯物質３３は導電部３２内に埋め込まれている。芯物質３３は、突起３１ａ，３２ａの内側に配置されている。導電部３２は、複数の芯物質３３を被覆している。複数の芯物質３３により導電部３２の外表面が隆起されており、突起３１ａ，３２ａが形成されている。

【0084】

導電性粒子３１は、導電部３２の外表面上に配置された絶縁性物質３４を有する。導電部３２の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁性物質３４により被覆されている。絶縁性物質３４は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、上記導電性粒子は、導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。

【0085】

上記導電部を形成するための金属は特に限定されない。上記金属としては、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）及びはんだ等が挙げられる。電極間の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記金属は、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、銅又は金であることが好ましく、ニッケル又はパラジウムであることが好ましい。

【0086】

導電性粒子１１，３１のように、上記導電部は、１つの層により形成されていてもよい。導電性粒子２１のように、上記導電部は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、上記導電部は、２層以上の積層構造を有していてもよい。導電部が複数の層により形成されている場合には、最外層は、金層、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は錫と銀とを含む合金層であることが好ましく、金層であることがより好ましい。最外層がこれらの好ましい導電部である場合には、電極間の接続信頼性をより一層高めることができる。また、最外層が金層である場合には、耐腐食性をより一層高めることができる。

【0087】

上記樹脂粒子の表面上に導電部を形成する方法は特に限定されない。上記導電部を形成する方法としては、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを樹脂粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。導電部をより一層容易に形成する観点からは、上記導電部を形成する方法は、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。

【0088】

上記導電性粒子を１０％圧縮したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、好ましくは１８０Ｎ／ｍｍ^２以上、より好ましくは１８００Ｎ／ｍｍ^２以上、さらに好ましくは３６００Ｎ／ｍｍ^２以上であり、好ましくは９０００Ｎ／ｍｍ^２以下、より好ましくは７０００Ｎ／ｍｍ^２以下、さらに好ましくは５０００Ｎ／ｍｍ^２以下である。上記１０％Ｋ値が上記下限以上及び上記上限以下であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。

【0089】

上記導電性粒子を３０％圧縮したときの圧縮弾性率（３０％Ｋ値）は、好ましくは１８０Ｎ／ｍｍ^２以上、より好ましくは９００Ｎ／ｍｍ^２以上、さらに好ましくは１８００Ｎ／ｍｍ^２以上であり、好ましくは３６００Ｎ／ｍｍ^２以下、より好ましくは３０００Ｎ／ｍｍ^２以下、さらに好ましくは２５００Ｎ／ｍｍ^２以下である。上記３０％Ｋ値が上記下限以上及び上記上限以下であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。

【0090】

上記導電性粒子における上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値及び３０％Ｋ値）は、上記樹脂粒子における圧縮弾性率（１０％Ｋ値及び３０％Ｋ値）と同様にして測定できる。

【0091】

上記圧縮弾性率は、導電性粒子の硬さを普遍的かつ定量的に表す。上記圧縮弾性率の使用により、導電性粒子の硬さを定量的かつ一義的に表すことができる。

【0092】

上記導電性粒子の圧縮回復率は、好ましくは５％以上、より好ましくは８％以上であり、好ましくは６０％以下、より好ましくは４０％以下である。上記圧縮回復率が上記下限以上及び上記上限以下であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。

【0093】

上記導電性粒子の上記圧縮回復率は、上記樹脂粒子における圧縮回復率と同様にして測定できる。

【0094】

上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは１．０μｍ以上であり、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは５００μｍ以下、より一層好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下である。上記導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が十分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成され難くなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が樹脂粒子の表面から剥離し難くなる。また、上記導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を導電材料の用途に好適に用いることができる。

【0095】

上記導電性粒子の粒子径は、導電性粒子が真球状である場合には直径を意味し、導電性粒子が真球状以外の形状である場合には、その体積相当の真球と仮定した際の直径を意味する。

【0096】

上記導電性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることがより好ましい。上記導電性粒子の粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの導電性粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の導電性粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。レーザー回折式粒度分布測定では、１個当たりの導電性粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記導電性粒子の粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定により算出することが好ましい。

【0097】

上記導電部の厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．３μｍ以下である。上記導電部の厚みは、導電部が多層である場合には導電部全体の厚みである。上記導電部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、十分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子が十分に変形する。

【0098】

上記導電部が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電部の厚みは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは０．５μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以下である。上記最外層の導電部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電部による被覆が均一になり、耐腐食性が十分に高くなり、かつ電極間の接続信頼性をより一層高めることができる。また、上記最外層が金層である場合に、金層の厚みが薄いほど、コストが低くなる。

【0099】

上記導電部の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。上記導電部の厚みについては、任意の導電部の厚み５箇所の平均値を１個の導電性粒子の導電部の厚みとして算出することが好ましく、導電部全体の厚みの平均値を１個の導電性粒子の導電部の厚みとして算出することがより好ましい。上記導電部の厚みは、任意の導電性粒子５０個について、各導電性粒子の導電部の厚みの平均値を算出することにより求めることが好ましい。上記導電部の厚みは、平均厚みであることが好ましい。

【0100】

上記導電性粒子は、導電部の外表面に突起を有することが好ましい。上記導電性粒子は、表面に突起を有することが好ましい。上記突起は複数であることが好ましい。導電部の表面並びに導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。突起を有する導電性粒子を用いた場合には、電極間に導電性粒子を配置して圧着させることにより、突起により上記酸化被膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子の導電部とをより一層確実に接触させることができ、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。さらに、導電性粒子が表面に絶縁性物質を備える場合に、又は導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の絶縁性物質又はバインダー樹脂をより一層効果的に排除できる。このため、電極間の接続信頼性をより一層高めることができる。

【0101】

上記導電性粒子の表面に突起を形成する方法としては、樹脂粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、及び樹脂粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、さらに無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。また、突起を形成するために、上記芯物質を用いなくてもよい。

【0102】

上記突起を形成する方法としては、以下の方法等も挙げられる。樹脂粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成する途中段階で芯物質を添加する方法。無電解めっきにより芯物質を用いずに突起を形成する方法として、無電解めっきにより金属核を発生させ、樹脂粒子又は導電部の表面に金属核を付着させ、さらに無電解めっきにより導電部を形成する方法。

【0103】

上記導電性粒子は、上記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質をさらに備えることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止することができる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。導電性粒子が上記導電部の表面に突起を有する場合には、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質をより一層容易に排除できる。上記絶縁性物質は、絶縁性樹脂層又は絶縁性粒子であることが好ましく、絶縁性粒子であることがより好ましい。上記絶縁性粒子は、絶縁性樹脂粒子であることが好ましい。

【0104】

上記導電部の外表面、及び絶縁性粒子の表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。導電部の外表面と絶縁性粒子の表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。導電部の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミン等の高分子電解質を介して絶縁性粒子の表面の官能基と化学結合していてもよい。

【0105】

（導電材料）
上記導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散され、導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。

【0106】

上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分（熱可塑性化合物）又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

【0107】

上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン－ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル－スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。

【0108】

上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。

【0109】

上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法は、従来公知の分散方法を用いることができ特に限定されない。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法としては、例えば、以下の方法等が挙げられる。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記導電性粒子を水又は有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、上記バインダー樹脂中に添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記バインダー樹脂を水又は有機溶剤等で希釈した後、上記導電性粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。

【0110】

上記導電材料の２５℃での粘度（η２５）は、好ましくは３０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上であり、好ましくは４００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３００Ｐａ・ｓ以下である。上記導電材料の２５℃での粘度が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記粘度（η２５）は、配合成分の種類及び配合量により適宜調整することができる。

【0111】

上記粘度（η２５）は、例えば、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）等を用いて、２５℃及び５ｒｐｍの条件で測定することができる。

【0112】

上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは異方性導電フィルムであることが好ましい。

【0113】

上記導電材料１００重量％中、上記バインダー樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上であり、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。

【0114】

上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上であり、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、より一層好ましくは４０重量％以下、さらに好ましくは２０重量％以下、特に好ましくは１０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができ、かつ、電極間の接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。

【0115】

（接続構造体）
上述した樹脂粒子を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。

【0116】

上記樹脂粒子を用いた上記接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。上記接続構造体では、上記接続部が、上記樹脂粒子を含む。上記接続構造体では、上記接続部が、上記樹脂粒子により形成されているか、又は上記樹脂粒子を含む組成物により形成されていることが好ましい。

【0117】

また、上述した導電性粒子、又は上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。

【0118】

上記導電性粒子を用いた上記接続構造体は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。上記接続構造体では、上記接続部が、導電性粒子を含む。上記接続構造体では、上記接続部が、導電性粒子により形成されているか、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されていることが好ましい。上記導電性粒子は、上述した樹脂粒子と、上記樹脂粒子の表面上に配置された導電部とを備える。上記接続構造体では、上記第１の電極と上記第２の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている。

【0119】

上記導電性粒子が単独で用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。即ち、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とが上記導電性粒子により接続される。上記接続構造体を得るために用いられる上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。

【0120】

図５は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体の一例を示す断面図である。

【0121】

図５に示す接続構造体４１は、第１の接続対象部材４２と、第２の接続対象部材４３と、第１の接続対象部材４２と第２の接続対象部材４３とを接続している接続部４４とを備える。接続部４４は、導電性粒子１１とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている。図５では、図示の便宜上、導電性粒子１１は略図的に示されている。導電性粒子１１にかえて、導電性粒子２１，３１等の他の導電性粒子を用いてもよい。

【0122】

第１の接続対象部材４２は表面（上面）に、複数の第１の電極４２ａを有する。第２の接続対象部材４３は表面（下面）に、複数の第２の電極４３ａを有する。第１の電極４２ａと第２の電極４３ａとが、１つ又は複数の導電性粒子１１により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材４２，４３が導電性粒子１１により電気的に接続されている。

【0123】

上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧時の圧力は、好ましくは４０ＭＰａ以上、より好ましくは６０ＭＰａ以上であり、好ましくは９０ＭＰａ以下、より好ましくは７０ＭＰａ以下である。上記加熱時の温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上であり、好ましくは１４０℃以下、より好ましくは１２０℃以下である。

【0124】

上記第１の接続対象部材及び第２の接続対象部材は、特に限定されない。上記第１の接続対象部材及び第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、半導体パッケージ、ＬＥＤチップ、ＬＥＤパッケージ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記第１の接続対象部材及び第２の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。

【0125】

上記導電材料は、電子部品を接続するための導電材料であることが好ましい。上記導電ペーストはペースト状の導電材料であり、ペースト状の状態で接続対象部材上に塗工されることが好ましい。

【0126】

上記導電性粒子、上記導電材料及び上記接続材料は、タッチパネルにも好適に用いられる。従って、上記接続対象部材は、フレキシブル基板であるか、又は樹脂フィルムの表面上に電極が配置された接続対象部材であることも好ましい。上記接続対象部材は、フレキシブル基板であることが好ましく、樹脂フィルムの表面上に電極が配置された接続対象部材であることが好ましい。上記フレキシブル基板がフレキシブルプリント基板等である場合に、フレキシブル基板は一般に電極を表面に有する。

【0127】

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極、ＳＵＳ電極、及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。

【0128】

また、上記樹脂粒子は、液晶表示素子用スペーサとして好適に用いることができる。上記樹脂粒子が液晶表示素子用スペーサとして用いられた場合は、ギャップを効果的に制御し、基板が損傷することを防止することができる。上記第１の接続対象部材は、第１の液晶表示素子用部材であってもよい。上記第２の接続対象部材は、第２の液晶表示素子用部材であってもよい。上記接続部は、上記第１の液晶表示素子用部材と上記第２の液晶表示素子用部材とが対向した状態で、上記第１の液晶表示素子用部材と上記第２の液晶表示素子用部材との外周をシールしているシール部であってもよい。

【0129】

上記樹脂粒子は、液晶表示素子用周辺シール剤に用いることもできる。液晶表示素子は、第１の液晶表示素子用部材と、第２の液晶表示素子用部材とを備える。液晶表示素子は、上記第１の液晶表示素子用部材と上記第２の液晶表示素子用部材とが対向した状態で、上記第１の液晶表示素子用部材と上記第２の液晶表示素子用部材との外周をシールしているシール部と、上記シール部の内側で、上記第１の液晶表示素子用部材と上記第２の液晶表示素子用部材との間に配置されている液晶とをさらに備える。この液晶表示素子では、液晶滴下工法が適用され、かつ上記シール部が、液晶滴下工法用シール剤を熱硬化させることにより形成されている。

【0130】

図６は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂粒子を用いた接続構造体の一例を示す断面図である。

【0131】

図６に示す接続構造体８１は、液晶表示素子である。接続構造体８１は、接続対象部材として、一対の透明ガラス基板８２を有する。透明ガラス基板８２は、対向する面に絶縁膜（図示せず）を有する。絶縁膜の材料としては、例えば、ＳｉＯ_２等が挙げられる。透明ガラス基板８２における絶縁膜上に透明電極８３が形成されている。透明電極８３の材料としては、ＩＴＯ等が挙げられる。透明電極８３は、例えば、フォトリソグラフィーによりパターニングして形成可能である。透明ガラス基板８２の表面上の透明電極８３上に、配向膜８４が形成されている。配向膜８４の材料としては、ポリイミド等が挙げられる。

【0132】

一対の透明ガラス基板８２間には、液晶８５が封入されている。一対の透明ガラス基板８２間には、複数の樹脂粒子１が配置されている。樹脂粒子１は、液晶表示素子用スペーサとして用いられている。複数の樹脂粒子１により、一対の透明ガラス基板８２の間隔が規制されている。一対の透明ガラス基板８２の縁部間には、シール剤８６が配置されている。シール剤８６によって、液晶８５の外部への流出が防がれている。シール剤８６には、樹脂粒子１と粒径のみが異なる樹脂粒子１Ａが含まれている。

【0133】

上記液晶表示素子において１ｍｍ^２あたりの液晶表示素子用スペーサの配置密度は、好ましくは１０個／ｍｍ^２以上であり、好ましくは１０００個／ｍｍ^２以下である。上記配置密度が１０個／ｍｍ^２以上であると、セルギャップがより一層均一になる。上記配置密度が１０００個／ｍｍ^２以下であると、液晶表示素子のコントラストがより一層良好になる。

【0134】

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

【0135】

（実施例１）
（１）樹脂粒子の作製
温度計、冷却管、原料供給口を備えた反応容器に、４，４’－（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物５．６重量部と、エタノール９８重量部とを入れ、１時間撹拌することで均一に溶解させた。次に、８０℃まで昇温しエタノールを加熱還流させながら、８時間撹拌することで、ジエチルエステル体化合物のエタノール溶液を得た。

【0136】

次いで、温度計、冷却管、原料供給口を備えた反応容器に、得られたエタノール溶液に、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル２．５重量部を加えて、１時間撹拌し、均一に溶解させた。次に、８０℃まで昇温しエタノールを加熱還流させながら、５時間撹拌した。反応終了後、エバポレーターによりエタノールを留去することで、モノマー塩を得た。

【0137】

さらに、温度計、冷却管、原料供給口を備えた反応容器に、上記モノマー塩と、分散安定剤（富士フイルム和光純薬社製「ＰＶＰ Ｋ－３０」）１．３重量部と、反応溶媒としてエチレングリコール２９６重量部とを加え、１時間撹拌し、均一に溶解させた。次に、２００℃まで加熱し、エチレングリコールを加熱還流させながら、２４時間撹拌した後、分級操作することで樹脂粒子を得た。

【0138】

（２）導電性粒子の作製
パラジウム触媒液を５重量％含むアルカリ溶液１００重量部に、超音波分散器を用いて、得られた樹脂粒子１０重量部を分散させた後、溶液をろ過することにより、樹脂粒子を取り出した。次いで、樹脂粒子をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、樹脂粒子の表面を活性化させた。表面が活性化された樹脂粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、分散液を得た。次に、ニッケル粒子スラリー（平均粒子径１００ｎｍ）１ｇを３分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された樹脂粒子を得た。芯物質が付着された樹脂粒子を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液Ａを得た。

【0139】

また、前期工程用ニッケルめっき液として、硫酸ニッケル５００ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１５０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１５０ｇ／Ｌ、及びめっき安定剤６ｍｌ／Ｌの混合液をアンモニアにてｐＨ８に調整しためっき液を用意した。このめっき液１５０ｍｌを、２０ｍｌ／分の添加速度で定量ポンプを通して、懸濁液Ａに滴下した。反応温度は、５０℃に設定した。その後、ｐＨが安定するまで撹拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解めっき前期工程を行った。

【0140】

次に、後期工程用ニッケルめっき液として、硫酸ニッケル５００ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン８０ｇ／Ｌ、及びタングステン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌの混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ１１に調整しためっき液を用意した。このめっき液３５０ｍｌを、１０ｍｌ／分の添加速度で定量ポンプを通して、無電解めっき前期工程後の懸濁液Ａに滴下した。反応温度は、３０℃に設定した。その後、ｐＨが安定するまで撹拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解めっき後期工程を行った。その後、懸濁液Ａをろ過して粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、樹脂粒子と樹脂粒子の表面上に配置されたニッケル導電層（導電部）とを有し、該導電部の外表面に突起を有する導電性粒子を得た。

【0141】

（３）導電材料（異方性導電ペースト）の作製
得られた導電性粒子７重量部と、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂２５重量部と、フルオレン型エポキシ樹脂４重量部と、フェノールノボラック型エポキシ樹脂３０重量部と、ＳＩ－６０Ｌ（三新化学工業社製）とを配合して、３分間脱泡及び撹拌することで、導電材料（異方性導電ペースト）を得た。

【0142】

（４）接続構造体の作製
Ｌ／Ｓが１５μｍ／１５μｍであるＡｌ－Ｎｄ合金配線にＩＺＯ電極パターンが上面に形成された厚み０．５ｍｍの透明ＰＥＴ基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが１５μｍ／１５μｍである金電極パターンが下面に形成された半導体チップを用意した。上記透明ＰＥＴ基板上に、得られた異方性導電ペーストを厚さ３０μｍとなるように塗布し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、バンプ面積あたり３０ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を１８５℃で硬化させて、接続構造体を得た。

【0143】

（実施例２）
樹脂粒子の作製の際に、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル２．５重量部の代りに１，３－フェニレンジアミン１．４重量部を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、樹脂粒子、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

【0144】

（実施例３）
樹脂粒子の作製の際に、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル２．５重量部の代りに１，３－ジ（アミノメチル）シクロヘキサン（Ｃｉｓ型構造体及びｔｒａｎｓ型構造体の混合物）１．８重量部を用いた。また、分散安定剤の添加量を１．３重量部から１．２重量部に変更し、反応溶媒の添加量を２９６重量部から２７０重量部に変更した。上記の変更をしたこと以外は、実施例１と同様にして、樹脂粒子、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

【0145】

（実施例４）
樹脂粒子の作製の際に、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル２．５重量部の代りに１，８－ジアミノオクタン１．８重量部を用いた。また、分散安定剤の添加量を１．３重量部から１．２重量部に変更し、反応溶媒の添加量を２９６重量部から２７１重量部に変更した。上記の変更をしたこと以外は、実施例１と同様にして、樹脂粒子、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

【0146】

（比較例１）
種粒子として平均粒子径０．８５μｍのポリスチレン粒子を用意した。上記ポリスチレン粒子０．８５重量部と、イオン交換水５００重量部と、ポリビニルアルコールの５重量％水溶液１２０重量部とを混合し、混合液を調製した。上記混合液を超音波により分散させた後、セパラブルフラスコに入れて、均一に撹拌した。

【0147】

次に、モノマーとしてイソボルニルアクリレート１９重量部と、ジビニルベンゼン（純度９６重量％）５重量部と、重合開始剤として過酸化ベンゾイル（日油社製「ナイパーＢＷ」）１．３重量部と、ラウリル硫酸トリエタノールアミン７．４重量部と、エタノール２２重量部とをイオン交換水３５０重量部に添加し、乳化液を調製した。

【0148】

セパラブルフラスコ中の上記混合液に、上記乳化液を２回に分けて添加し、８時間撹拌し、種粒子にモノマーを吸収させて、モノマーが膨潤した種粒子を含む懸濁液を得た。

【0149】

その後、ポリビニルアルコールの５重量％水溶液１７０重量部を添加し、加熱を開始して８５℃で１１時間反応させ、樹脂粒子を得た。

【0150】

得られた樹脂粒子を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

【0151】

（比較例２）
イソボルニルアクリレートを添加しなかったこと、及びジビニルベンゼン（純度９６重量％）の添加量を５重量部から２４重量部に変更したこと以外は、比較例１と同様にして、樹脂粒子、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

【0152】

（比較例３）
イソボルニルアクリレート１９重量部をテトラアクリレート（新中村化学工業社製「ＮＫエステルＡ－ＴＭＭＴ」）１２重量部に変更したこと、及びジビニルベンゼン（純度９６重量％）の添加量を５重量部から１２重量部に変更したこと以外は、比較例１と同様にして、樹脂粒子、導電性粒子、導電材料、及び接続構造体を得た。

【0153】

（評価）
（１）樹脂粒子の粒子径（数平均粒子径）及び樹脂粒子の粒子径のＣＶ値
得られた樹脂粒子について、粒度分布測定装置（ベックマンコールター社製「Ｍｕｌｔｉｓｉｚｅｒ４」）を用いて、約１０００００個の樹脂粒子の粒子径を測定し、平均値を算出した。また、樹脂粒子の粒子径の測定結果から、樹脂粒子の粒子径のＣＶ値を下記式から算出した。

【0154】

ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：樹脂粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：樹脂粒子の粒子径の平均

【0155】

（２）樹脂粒子のアスペクト比
得られた樹脂粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、アスペクト比を求めた。なお、上記アスペクト比として、任意の樹脂粒子５０個のアスペクト比の平均値を採用した。

【0156】

（３）ＢＥＴ比表面積
得られた樹脂粒子のＢＥＴ比表面積を、測定装置（カンタクローム・インスツルメンツ社製「ＮＯＶＡ４２００ｅ」）を用いて、ＢＥＴ法に準拠して窒素の吸着等温線から測定した。

【0157】

（４）線熱膨張係数
得られた樹脂粒子と同一組成の板状試料を作製し、測定機（Ｓｅｉｋｏ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．製「ＴＭＡ Ｑ４００」）を用いて、圧縮荷重法（ＴＭＡ）により、昇温速度５℃／分の条件で線熱膨張係数を測定した。

【0158】

（５）熱分解温度
示差熱熱重量同時測定装置（日立ハイテクサイエンス社製「ＴＧ／ＤＴＡ：ＳＴＡ７２００」）を用いて、得られた樹脂粒子の熱分解温度を測定した。なお熱分解温度は、測定結果における重量が初期重量から１０％減少した温度である。

【0159】

（６）樹脂粒子の１０％Ｋ値、３０％Ｋ値及び比（１０％Ｋ値／３０％Ｋ値）
得られた樹脂粒子の１０％圧縮したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）及び３０％圧縮したときの圧縮弾性率（３０％Ｋ値）を上述した方法により測定した。また、計算により比（１０％Ｋ値／３０％Ｋ値）を求めた。なお、微小圧縮試験機として、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ－１００」）を用いた。

【0160】

（７）ギャップ制御性
得られた接続構造体をオーブン内で２００℃まで加熱し、温度を保持したまま１時間放置した。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、接続部（異方性導電ペースト層）の最小厚み及び最大厚みを測定した。ギャップ制御性を、以下の基準で判定した。

【0161】

［ギャップ制御性の判定基準］
○：最大厚みが最小厚みの１．２倍未満
△：最大厚みが最小厚みの１．２倍以上１．４倍未満
×：最大厚みが最小厚みの１．４倍以上

【0162】

（８）接続対象部材の損傷防止性
（７）で評価した接続構造体について、光学顕微鏡を用いて、ＰＥＴ基板表面上の１ｍｍ×１ｍｍ当たりの損傷の数を計測した。接続対象部材の損傷防止性を、以下の基準で判定した。

【0163】

［接続対象部材の損傷防止性の判定基準］
○：ＰＥＴ基板表面の損傷の数が０個以上５個以下
×：ＰＥＴ基板表面の損傷の数が６個以上

【0164】

（９）ボイド抑制性
得られた接続構造体１００個を、オーブン内で３００℃まで加熱し、温度を保持したまま１時間放置した。放置後の接続構造体を、クロスセクションポリッシャ（日本電子社製「ＩＢ－１９５３０ＣＰ」）を用いて、接続部の断面を切り出した。電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ－ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率１００００倍に設定し、導電性粒子の周辺でボイド（気泡）の有無を観察した。ボイド抑制性を、以下の基準で判定した。

【0165】

［ボイド抑制性の判定基準］
〇〇：ボイドが発生している接続構造体が１個以下
〇：ボイドが発生している接続構造体が２個以上５個以下
△：ボイドが発生している接続構造体が６個以上１０個以下
×：ボイドが発生している接続構造体が１１個以上

【0166】

（１０）クラック抑制性
得られた導電性粒子５ｇを、オーブン内で３００℃まで加熱し、温度を保持したまま１時間放置した。放置後の導電性粒子を、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ－ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率１００００倍に設定し、１００個の導電性粒子を無作為に選択し、導電部のクラックの有無を観察した。クラック抑制性を、以下の基準で判定した。

【0167】

［クラック抑制性の判定基準］
〇〇：クラックが発生している導電性粒子が１個以下
〇：クラックが発生している導電性粒子が２個以上５個以下
△：クラックが発生している導電性粒子が６個以上１０個以下
×：クラックが発生している導電性粒子が１１個以上

【0168】

（１１）接続信頼性（上下の電極間）
得られた接続構造体２０個の上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。接続信頼性を以下の基準で判定した。

【0169】

［接続信頼性の判定基準］
○○：接続抵抗の平均値が２．０Ω以下
○：接続抵抗の平均値が２．０Ωを超え３．０Ω以下
×：接続抵抗の平均値が３．０Ωを超える

【0170】

結果を以下の表１に示す。

【0171】

【表1】

【符号の説明】

【0172】

１，１Ａ…樹脂粒子
２…導電部
１１…導電性粒子
２１…導電性粒子
２２…導電部
２２Ａ…第１の導電部
２２Ｂ…第２の導電部
３１…導電性粒子
３１ａ…突起
３２…導電部
３２ａ…突起
３３…芯物質
３４…絶縁性物質
４１…接続構造体
４２…第１の接続対象部材
４２ａ…第１の電極
４３…第２の接続対象部材
４３ａ…第２の電極
４４…接続部
８１…接続構造体（液晶表示素子）
８２…透明ガラス基板（接続対象部材）
８３…透明電極
８４…配向膜
８５…液晶
８６…シール剤

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】