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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023075801
(43)【公開日】2023-05-31
(54)【発明の名称】デジタイズ装置およびデジタイズ方法
(51)【国際特許分類】
   G01R 33/20 20060101AFI20230524BHJP
【FI】
G01R33/20
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2021188929
(22)【出願日】2021-11-19
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】(出願人による申告)平成30年度、国立研究開発法人科学技術振興機構、産学共創プラットフォーム共同研究推進プログラム委託事業、「超スマート社会実現のカギを握る革新的半導体技術を基盤としたエネルギーイノベーションの創出に関する国立大学法人京都大学による研究開発」、産業技術力強化法第17条の適用を受ける特許出願
(71)【出願人】
【識別番号】000107804
【氏名又は名称】スミダコーポレーション株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】504132272
【氏名又は名称】国立大学法人京都大学
(74)【代理人】
【識別番号】100114971
【弁理士】
【氏名又は名称】青木 修
(72)【発明者】
【氏名】芳井 義治
(72)【発明者】
【氏名】金子 卓樹
(72)【発明者】
【氏名】水落 憲和
(72)【発明者】
【氏名】大木 出
(57)【要約】
【課題】 A/D変換器のノイズフロアと同様のレベル以下の微小なアナログ信号を精度良くデジタイズする。
【解決手段】 物理場発生装置1は、入力信号に対応する磁場または電場を発生する。光学的量子センサ部2は、その磁場または電場に対応する光をセンシング部材で発生し、その光を光電素子で、センサ信号としての電気信号に変換する。A/D変換器3は、そのセンサ信号をデジタイズする。そして、光学的量子センサ部2は、上述のセンシング部材に対して量子操作を行って、上述の磁場または電場に対応する上述の光を上述のセンシング部材に発生させる。
【選択図】 図1
【特許請求の範囲】
【請求項1】
入力信号に対応する磁場または電場を発生する物理場発生装置と、
前記磁場または前記電場に対応する光をセンシング部材で発生し、前記光を光電素子で、センサ信号としての電気信号に変換する光学的量子センサ部と、
前記センサ信号をデジタイズするアナログ/デジタル変換器とを備え、
前記光学的量子センサ部は、前記センシング部材に対して量子操作を行って、前記磁場または前記電場に対応する前記光を前記センシング部材に発生させること、
を特徴とするデジタイズ装置。
【請求項2】
前記光学的量子センサ部は、前記センサ信号のレベルが前記アナログ/デジタル変換器のノイズフロアを超えるように、前記光を前記センシング部材に発生させることを特徴とする請求項1記載のデジタイズ装置。
【請求項3】
前記光電素子と前記アナログ/デジタル変換器との間に、前記センサ信号を増加する増幅回路を備えていないことを特徴とする請求項1または請求項2記載のデジタイズ装置。
【請求項4】
前記光学的量子センサ部は、光検出磁気共鳴測定法または光ポンピング原子磁力測定法に従って、前記センシング部材に対して量子操作を行って、前記磁場または前記電場に対応する前記光を前記センシング部材に発生させることを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれか1項記載のデジタイズ装置。
【請求項5】
入力信号に対応する磁場または電場を発生するステップと、
前記磁場または前記電場に対応する光をセンシング部材で発生し、前記光を光電素子で、センサ信号としての電気信号に変換する光学的量子センシングステップと、
アナログ/デジタル変換器で前記センサ信号をデジタイズするステップとを備え、
前記光学的量子センシングステップでは、前記センシング部材に対して量子操作を行って、前記磁場または前記電場に対応する前記光を前記センシング部材に発生させること、
を特徴とするデジタイズ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、デジタイズ装置およびデジタイズ方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
一般的に、各種センサやセンシング装置などで得られる微小なアナログ信号をA/D(Analog/Digital)変換器 でデジタイズする場合、アナログ信号が、トランジスタなどの能動素子を使用した増幅回路で電圧増幅され、電圧増幅後のアナログ信号がA/D変換器に入力される(例えば特許文献1,2参照)。
【0003】
通常、A/D変換器では、量子化ビット数に応じた量子化ノイズ、および電子回路に起因する熱ノイズなどが発生するため、そのノイズレベルと同様のレベル以下の微小なアナログ信号を電圧増幅せずにA/D変換器で精度良くデジタイズすることは困難である。したがって、上述のように、増幅回路で微小なアナログ信号を増幅する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2008-039641号公報
【特許文献2】特開2011-101776号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上述のように、A/D変換器の前段において増幅回路によって微小なアナログ信号が増幅される場合でも、増幅回路固有のノイズ(熱ノイズなど)が発生する。この増幅回路のノイズフロアは一般的にA/D変換器のノイズフロアより高いため、A/D変換器のノイズフロアと同様のレベル以下の微小なアナログ信号を精度良くデジタイズすることは困難である。
【0006】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、A/D変換器のノイズフロアと同様のレベル以下の微小なアナログ信号を精度良くデジタイズするデジタイズ装置およびデジタイズ方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明に係るデジタイズ装置は、入力信号に対応する磁場または電場を発生する物理場発生装置と、その磁場または電場に対応する光をセンシング部材で発生し、その光を光電素子で、センサ信号としての電気信号に変換する光学的量子センサ部と、そのセンサ信号をデジタイズするアナログ/デジタル変換器とを備える。そして、光学的量子センサ部は、上述のセンシング部材に対して量子操作を行って、上述の磁場または電場に対応する上述の光を上述のセンシング部材に発生させる。
【0008】
本発明に係るデジタイズ方法は、入力信号に対応する磁場または電場を発生するステップと、その磁場または電場に対応する光をセンシング部材で発生し、その光を光電素子で、センサ信号としての電気信号に変換する光学的量子センシングステップと、アナログ/デジタル変換器でそのセンサ信号をデジタイズするステップとを備える。そして、光学的量子センシングステップでは、上述のセンシング部材に対して量子操作を行って、上述の磁場または電場に対応する上述の光を上述のセンシング部材に発生させる。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、A/D変換器のノイズフロアと同様のレベル以下の微小なアナログ信号を精度良くデジタイズするデジタイズ装置およびデジタイズ方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
図1図1は、本発明の実施の形態に係るデジタイズ装置の構成を示すブロック図である。
図2図2は、実施の形態1に係るデジタイズ装置におけるセンサ本体21の構成を示す図である。
図3図3は、実施の形態1に係るデジタイズ装置におけるセンサ信号の一例について説明する図である。
図4図4は、実施の形態2に係るデジタイズ装置におけるセンサ本体21の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、図に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【0012】
実施の形態1.
【0013】
図1は、本発明の実施の形態に係るデジタイズ装置の構成を示すブロック図である。図1に示すデジタイズ装置は、物理場発生装置1と、光学的量子センサ部2と、アナログ/デジタル変換器(A/D変換器,ADC)3とを備える。
【0014】
物理場発生装置1は、物理場発生装置1の入力端子1aを介して入力される入力信号(電気信号)に対応する磁場を発生する。例えば、物理場発生装置1は、導電性のコイルや配線でその磁場を発生する。
【0015】
なお、この入力信号は、単一周波数の交流信号でもよいし、複数の周波数成分を有する所定周期の交流信号でもよいし、直流信号でもよい。つまり、上述の磁場は、入力信号に応じた、単一周波数の交流磁場、複数の周波数成分を有する所定周期の交流磁場、直流磁場などとなる。同様に、上述の電場は、入力信号に応じた、単一周波数の交流電場、複数の周波数成分を有する所定周期の交流電場、直流電場などとなる。
【0016】
光学的量子センサ部2は、センサ本体21と光電素子22とを備え、センサ本体21において、物理場発生装置1で発生した磁場に対応する光(観測光)をセンシング部材で発生し、光電素子22によって、その光をセンサ信号としての電気信号に変換する。光電素子22は、フォトダイオードやフォトトランジスターなどであって、入射する観測光の強度に対応するセンサ信号を生成する。
【0017】
具体的には、光学的量子センサ部2(具体的にはセンサ本体21)は、センシング部材に対して量子操作を行って、物理場発生装置1で発生した磁場に対応する光をセンシング部材に発生させる。
【0018】
実施の形態1では、光学的量子センサ部2(具体的にはセンサ本体21)は、光検出磁気共鳴測定法(ODMR)に従って、センシング部材に対して量子操作を行って、上述の観測光をセンシング部材に発生させる。
【0019】
図2は、実施の形態1に係るデジタイズ装置におけるセンサ本体21の構成を示す図である。実施の形態1では、ODMRのために、例えば図2に示すように、センサ本体21は、センシング部材としての磁気共鳴部材41、高周波磁場発生器42、および磁石43、高周波電源44、発光装置45、およびコントローラ46を備える。
【0020】
磁気共鳴部材41は、結晶構造を有し、物理場発生装置1で発生した磁場に対応して電子スピン量子状態が変化するとともに、結晶格子における欠陥および不純物の配列方向に応じた周波数のマイクロ波で(ラビ振動に基づく)電子スピン量子操作の可能な部材である。つまり、上述の磁場内に、磁気共鳴部材41が配置される。
【0021】
この実施の形態では、磁気共鳴部材41は、複数(つまり、アンサンブル)の特定カラーセンタを有する光検出磁気共鳴部材である。この特定カラーセンタは、ゼーマン分裂可能なエネルギ準位を有し、かつ、ゼーマン分裂時のエネルギ準位のシフト幅が互いに異なる複数の向きを取り得る。
【0022】
ここでは、磁気共鳴部材41は、単一種別の特定カラーセンタとして複数のNV(Nitrogen Vacancy)センタを含むダイヤモンドなどの部材である。NVセンタの場合、基底状態がms=0,+1,-1の三重項状態であり、ms=+1の準位およびms=-1の準位がゼーマン分裂する。NVセンタが、ms=+1およびms=-1の準位の励起状態から基底状態へ遷移する際に、所定の割合で蛍光を伴い、残りの割合のNVセンタは、励起状態(ms=+1またはms=-1)から基底状態(ms=0)へ無輻射で遷移する。
【0023】
なお、磁気共鳴部材41に含まれるカラーセンタは、NVセンタ以外のカラーセンタでもよい。
【0024】
高周波磁場発生器42は、マイクロ波を磁気共鳴部材41に印加して、磁気共鳴部材41の電子スピン量子操作を行う。例えば、高周波磁場発生器42は、板状コイルであって、マイクロ波を放出する略円形状のコイル部と、そのコイル部の両端から延び基板に固定される端子部とを備える。高周波電源44は、そのマイクロ波の電流を生成して高周波磁場発生器42に導通させる。そのコイル部は、その両端面部分において、磁気共鳴部材41を挟むように所定の間隔で互いに平行な2つの電流を導通させ、上述のマイクロ波を放出する。ここでは、コイル部は板状コイルであるが、表皮効果により、コイル部の端面部分をマイクロ波の電流が流れるため、2つの電流が形成される。これにより、磁気共鳴部材41に略均一な強度のマイクロ波が印加される。
【0025】
NVセンタの場合、ダイヤモンド結晶において、欠陥(空孔)(V)および不純物としての窒素(N)によってカラーセンタが形成されており、ダイヤモンド結晶内の欠陥(空孔)(V)に対して、隣接する窒素(N)の取り得る位置(つまり空孔と窒素との対の配列方向)は4種類あり、それらの配列方向のそれぞれに対応するゼーマン分裂後のサブ準位(つまり、基底からのエネルギ準位)が互いに異なる。したがって、マイクロ波の周波数に対する静磁場によるゼーマン分裂後の蛍光強度の特性において、それぞれの向きi(i=1,2,3,4)に対応して、互いに異なる4つのディップ周波数対(fi+,fi-)が現れる。ここでは、この4つのディップ周波数対のうちのいずれかのディップ周波数に対応して、上述のマイクロ波の周波数(波長)が設定される。
【0026】
また、磁石43は、磁気共鳴部材41に静磁場(直流磁場)を印加し、磁気共鳴部材41内の複数の特定カラーセンタ(ここでは、複数のNVセンタ)のエネルギ準位をゼーマン分裂させる。ここでは、磁石43は、リング型の永久磁石であり、例えば、フェライト磁石、アルニコ磁石、サマコバ磁石などである。なお、磁石43は、電磁石でもよい。
【0027】
また、磁気共鳴部材41において、上述の欠陥および不純物の配列方向が、上述の静磁場の向き(および印加磁場の向き)に略一致するように、磁気共鳴部材41の結晶が形成され、磁気共鳴部材41の向きが設定される。
【0028】
さらに、この実施の形態では、励起光を磁気共鳴部材41に照射するために、発光装置45から磁気共鳴部材41までの光学系(図示せず)が設けられており、また、磁気共鳴部材41からの蛍光(観測光)を検出するために、磁気共鳴部材41から光電素子22までの光学系(図示せず)が設けられている。
【0029】
観測光は、例えば複合放物面型集光器(CPC)などの光学系によって光電素子22へ向けて集光される。例えば、CPC上に磁気共鳴部材41が配置され、磁気共鳴部材41内のカラーセンタから全方位に出射する蛍光のうち、この光学系によって広い立体角(例えば、全方位の所定割合以上)に出射する蛍光が集光される。
【0030】
発光装置45は、光源としてのレーザダイオードなどを備え、その光源で、磁気共鳴部材41に照射すべき励起光として、所定波長のレーザ光を出射する。
【0031】
コントローラ46は、所定の測定シーケンスに従って、(a)高周波電源44および発光装置45を制御して、上述のマイクロ波およびレーザ光で量子操作を行って、センサ本体21において観測光を発生させ、光電素子22においてセンサ信号を生成させる。例えば、コントローラ46は、制御プログラムに従って動作するコンピュータを備え、そのコンピュータは、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)などを備え、制御プログラムをRAMにロードしてCPUで実行することで、上述の動作を実行する。
【0032】
図3は、実施の形態1に係るデジタイズ装置におけるセンサ信号の一例について説明する図である。この測定シーケンスは、上述の磁場の周波数などに従って設定される。例えば、入力信号が比較的低周波数の交流信号である場合、図3に示すように、その1周期において、複数回(n回)、ラムゼイパルスシーケンス(つまり、直流磁場の測定シーケンスSQ1~SQn)で、入力信号に対応する上述の磁場の測定が実行され、センサ信号として測定値BM1~BMnが得られる。これにより、各測定シーケンス時点での磁場強度に対応するレベルのセンサ信号が生成される。
【0033】
また、例えば、上述の磁場が比較的高周波数の交流磁場である場合には、この測定シーケンスには、スピンエコーパルスシーケンス(ハーンエコーシーケンスなど)が適用されるようにしてもよい。ただし、測定シーケンスは、これらに限定されるものではない。例えば、上述の磁場の周期がT2緩和時間以上である場合には、上述のように複数回のラムゼイパルスシーケンスで磁場測定が実行され、上述の磁場の周期がT2緩和時間より短い場合には、スピンエコーパルスシーケンス(ハーンエコーシーケンスなど)が適用されるようにしてもよい。また、上述の磁場の周期がT2緩和時間の1/2より短い場合には、Qdyne法に従って磁場測定を行うようにしてもよい。
【0034】
図1に戻り、A/D変換器3は、(入力信号をデジタイズせずに)上述のセンサ信号をデジタイズし、これにより、入力信号に対応する出力信号としてのデジタル信号を生成し、A/D変換器3の出力端子3aを介して出力する。
【0035】
この実施の形態では、特に、光学的量子センサ部2(具体的にはセンサ本体21)は、センサ信号のレベルがA/D変換器3のノイズフロア(A/D変換器3に使用されているトランジスタの熱ノイズ、1/fノイズなど)を超えるように、上述の観測光をセンシング部材に発生させる。
【0036】
ここで、センシング部材の効率(実施の形態1では、磁気共鳴部材41におけるカラーセンタの種類、数など)、観測光の集光効率(実施の形態1では、カラーセンタの発光量に対する光電素子22への入射光量)、光電素子22の変換効率(入射光量に対するセンサ信号のレベル)などの因子に応じて、センサ信号のレベル(振幅)が変わるため、A/D変換器3のノイズフロア(既知)に応じて、センサ信号のレベルがA/D変換器3のノイズフロアを超えるように、これらの因子の値が決定される。これにより、例えば、光学的量子センサ部2の感度は、1.5pT/Hz1/2以上とされる。
【0037】
また、一般的に、A/D変換器のノイズは、量子化ノイズおよび熱ノイズを含んでおり、高分解能のA/D変換器では、量子化ノイズに比べ熱ノイズが支配的となる。当該実施の形態におけるA/D変換器3は、高分解能のA/D変換器とされ、センサ信号のレベルが熱ノイズのノイズレベルを超えるように、上述の因子の値が決定される。
【0038】
また、A/D変換器3の基準電圧は、センサ信号のレンジ(レベル最小値とレベル最大値)に応じて、設定される。なお、A/D変換器の基準電圧を低くすることで、量子化ノイズは小さくなるが、熱ノイズについては小さくならない。
【0039】
なお、入力信号のレベル(またはレンジ)および物理場発生装置1の電磁変換効率は既知である。
【0040】
また、この実施の形態では、特に、当該デジタイズ装置は、光電素子22とA/D変換器3との間に、センサ信号を電気的に増加する増幅回路を備えていない。さらに、この実施の形態では、入力信号の信号源と物理場発生装置1との間に入力信号を電気的に増加する増幅回路が設けられていない。つまり、この実施の形態では、A/D変換器3より上流側に、ノイズ源となる電気的な増幅回路が設けられていない。そのような増幅回路では、A/D変換器3と同様に熱ノイズが発生し増幅されるため、A/D変換器3に入力される信号にノイズが重畳するため、このように増幅回路が設けられていないことが好ましい。
【0041】
なお、高周波電源44およびコントローラ46とA/D変換器3とは電気的に分離しており、高周波電源44およびコントローラ46で発生する電気的なノイズはA/D変換器3に侵入しないようになっている。
【0042】
次に、実施の形態1に係るデジタイズ装置の動作について説明する。
【0043】
入力信号が物理場発生装置1に印加されると、物理場発生装置1において、入力信号のレベルに対応する強度の磁場が発生し、光学的量子センサ部2のセンサ本体21に印加される。
【0044】
センサ本体21では、上述のように測定シーケンスが実行され、その磁場の強度に応じた光量の光が発生する。実施の形態1では、ODMRに従って、磁気共鳴部材41に、その磁場の強度に応じた光量の光を発生させる。
【0045】
そして、光電素子22が、その光を受光し、受光光量に応じたレベルのセンサ信号を生成し、A/D変換器3に出力する。
【0046】
A/D変換器3は、そのセンサ信号をデジタイズして、入力信号に対応するデジタル信号を生成し、出力信号として出力する。
【0047】
以上のように、上記実施の形態1によれば、物理場発生装置1は、入力信号に対応する磁場を発生する。光学的量子センサ部2は、その磁場に対応する光をセンシング部材で発生し、その光を光電素子で、センサ信号としての電気信号に変換する。A/D変換器3は、そのセンサ信号をデジタイズする。そして、光学的量子センサ部2は、上述のセンシング部材に対して量子操作を行って、上述の磁場に対応する上述の光を上述のセンシング部材に発生させる。
【0048】
これにより、微弱な入力信号ではなく、比較的レベルの大きいセンサ信号をデジタイズすることで、入力信号に対応したデジタル信号が精度良く得られる。したがって、A/D変換器3のノイズレベルと同様のレベル以下の微小なアナログ信号が精度良くデジタイズされる。
【0049】
実施の形態2.
【0050】
実施の形態2では、光学的量子センサ部2は、ODMRの代わりに、光ポンピング原子磁力測定法(OPAM)に従って、センシング部材に対して量子操作を行って、磁場に対応する光をセンシング部材に発生させる。
【0051】
図4は、実施の形態2に係るデジタイズ装置におけるセンサ本体21の構成を示す図である。実施の形態2では、OPAMのために、センサ本体21は、セル61と、磁石62と、発光装置63,64とを備える。
【0052】
セル61は、透過性のあるガラスセルなどであって、センシング部材61aとしてのアルカリ金属原子(K,Rb,Csなど)がバッファガスとともにセル61に封入されている。磁石62は、センシング部材に静磁気を印加する磁石であって、上述のような永久磁石でもよいし電磁石でもよい。
【0053】
発光装置63は、ポンプ光を生成し、センシング部材61aに照射する。発光装置64は、プローブ光を生成し、センシング部材61aに照射する。OPAMの測定シーケンスでは、ポンプ光による光ポンピングによってセンシング部材にスピン偏極が生じ、磁場に応じたスピン偏極の回転がプローブ光の磁気光学回転で測定される。具体的には、観測光(つまり、磁気光学回転後のプローブ光)の偏向回転角が検出される。観測光の偏向回転角は、4ディテクタ法などで、複数の光電素子22で検出される。複数の光電素子22で検出される場合には、それらのセンサ信号は、複数のA/D変換器3でそれぞれデジタイズされ、複数のデジタル信号とされた後に演算処理(差分演算など)されるようにしてもよい。
【0054】
なお、実施の形態2に係るデジタイズ装置のその他の構成および動作については、実施の形態1と同様であるので、その説明を省略する。
【0055】
実施の形態3.
【0056】
実施の形態3では、光学的量子センサ部2は、センシング部材に対して量子操作を行って、電場に対応する光をセンシング部材に発生させる。実施の形態3では、物理場発生装置1は、物理場発生装置1の入力端子1aを介して入力される入力信号(電気信号)に対応する電場を発生し、光学的量子センサ部2は、センサ本体21において、物理場発生装置1で発生した電場に対応する光(観測光)をセンシング部材で発生し、光電素子22によって、その光をセンサ信号としての電気信号に変換する。
【0057】
例えば、物理場発生装置1は、対となる電極板でその電場を発生する。なお、この入力信号は、単一周波数の交流信号でもよいし、複数の周波数成分を有する所定周期の交流信号でもよいし、直流信号でもよい。つまり、上述の電場は、入力信号に応じた、単一周波数の交流電場、複数の周波数成分を有する所定周期の交流電場、直流電場などとなる。
【0058】
なお、実施の形態3に係るデジタイズ装置のその他の構成および動作については、実施の形態1または2と同様であるので、その説明を省略する。ただし、ODMRやOPAMで使用されるセンシング部材には、電場によって量子状態が変化し同様の測定シーケンスでその電場を測定可能なものが使用される。
【0059】
なお、上述の実施の形態に対する様々な変更および修正については、当業者には明らかである。そのような変更および修正は、その主題の趣旨および範囲から離れることなく、かつ、意図された利点を弱めることなく行われてもよい。つまり、そのような変更および修正が請求の範囲に含まれることを意図している。
【0060】
例えば、実施の形態1~3において、センサ本体21における測定方法は、上述のODMRおよびOPAMに限定されず、物理場に応じたセンシング部材を使用しセンシング部材に対する量子操作を行って物理場強度に応じた観測光を検出可能な測定方法であれば、他の方法でもよい。
【0061】
また、実施の形態1~3において、出力信号の値(デジタル値)が入力信号のレベルに一致するように、出力信号に対して所定の演算処理を行うようにしてもよい。
【0062】
さらに、実施の形態2,3において、OPAMの測定シーケンスにおいて複数の光電素子22で得られた検出信号の差分を差動アンプで生成し、単一のセンサ信号として出力し、そのセンサ信号をA/D変換器3でデジタイズするようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【0063】
本発明は、例えば、微小な信号のアナログ/デジタル変換に適用可能である。
【符号の説明】
【0064】
1 物理場発生装置
2 光学的量子センサ部
3 A/D変換器
22 光電素子
図1
図2
図3
図4