知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023077972
(43)【公開日】2023-06-06
(54)【発明の名称】サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ
(51)【国際特許分類】
B41J 2/335 20060101AFI20230530BHJP
B41J 2/34 20060101ALI20230530BHJP
【ＦＩ】
B41J2/335 101A
B41J2/34
B41J2/335 101C
B41J2/335 101E
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021191500
(22)【出願日】2021-11-25
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135389
【弁理士】
【氏名又は名称】臼井 尚
(72)【発明者】
【氏名】仲谷 吾郎
(72)【発明者】
【氏名】中西 雅寿
【テーマコード（参考）】
2C065
【Ｆターム（参考）】
2C065GA01
2C065GB01
2C065HA05
2C065JA02
2C065JA10
2C065JA13
2C065JC02
2C065JC06
2C065JE03
2C065JE04
2C065JE05
2C065JE07
2C065JE08
2C065JE09
2C065JE12
2C065JE19
(57)【要約】
【課題】省電力化を図ったサーマルプリントヘッドを提供する。
【解決手段】サーマルプリントヘッドＡ１は、ヘッド基板１と、抵抗体層４と、配線層３とを備える。抵抗体層４は、ヘッド基板１に支持される。抵抗体層４は、主走査方向ｘに配列された複数の発熱部４１を有する。配線層３は、ヘッド基板１に支持される。配線層３は、複数の発熱部４１への通電経路を構成する。抵抗体層４は、不純物がドープされたドープドシリコン、または、炭化ケイ素から選択される材料を含む。
【選択図】図５
【解決手段】サーマルプリントヘッドＡ１は、ヘッド基板１と、抵抗体層４と、配線層３とを備える。抵抗体層４は、ヘッド基板１に支持される。抵抗体層４は、主走査方向ｘに配列された複数の発熱部４１を有する。配線層３は、ヘッド基板１に支持される。配線層３は、複数の発熱部４１への通電経路を構成する。抵抗体層４は、不純物がドープされたドープドシリコン、または、炭化ケイ素から選択される材料を含む。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
主走査方向に配列された複数の発熱部を有し、前記基板に支持された抵抗体層と、
前記複数の発熱部への通電経路を構成し、前記基板に支持された配線層と、
を備え、
前記抵抗体層は、不純物がドープされたドープドシリコン、または、炭化ケイ素から選択される材料を含む、
サーマルプリントヘッド。
主走査方向に配列された複数の発熱部を有し、前記基板に支持された抵抗体層と、
前記複数の発熱部への通電経路を構成し、前記基板に支持された配線層と、
を備え、
前記抵抗体層は、不純物がドープされたドープドシリコン、または、炭化ケイ素から選択される材料を含む、
サーマルプリントヘッド。
【請求項2】
前記抵抗体層は、炭化ケイ素を含む、
請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項3】
前記抵抗体層は、ドープドシリコンを含む、
請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項4】
前記不純物は、ホウ素、リンあるいはヒ素のいずれかから選択される、
請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項5】
前記配線層は、前記複数の発熱部を露出させつつ、少なくとも一部が前記抵抗体層上に形成されている、
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項6】
前記配線層は、前記基板の厚さ方向に積層された第１導体層および第２導体層を含み、
前記第１導体層は、前記厚さ方向において、前記基板と前記第２導体層との間に位置する、
前記第２導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々よりも小さく、
前記第１導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々と前記第２導体層との間をとる、
請求項５に記載のサーマルプリントヘッド。
前記第１導体層は、前記厚さ方向において、前記基板と前記第２導体層との間に位置する、
前記第２導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々よりも小さく、
前記第１導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々と前記第２導体層との間をとる、
請求項５に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項7】
前記第２導体層の構成材料は、銅あるいはアルミニウムを含む、
請求項６に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項６に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項8】
前記配線層は、複数の第１帯状部と複数の第２帯状部とを含み、
前記複数の発熱部の各々は、前記基板の厚さ方向に見て、前記複数の第１帯状部の各々と前記複数の第２帯状部の各々との間に配置される、
請求項５ないし請求項７のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
前記複数の発熱部の各々は、前記基板の厚さ方向に見て、前記複数の第１帯状部の各々と前記複数の第２帯状部の各々との間に配置される、
請求項５ないし請求項７のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項9】
前記複数の第１帯状部の各々は、前記複数の発熱部の各々に、副走査方向の一方から繋がり、
前記複数の第２帯状部の各々は、前記複数の発熱部の各々に、副走査方向の他方から繋がり、
前記複数の発熱部の各々を挟んで配置される前記複数の第１帯状部の各々と前記複数の第２帯状部の各々とは、副走査方向に見て、重なる、
請求項８に記載のサーマルプリントヘッド。
前記複数の第２帯状部の各々は、前記複数の発熱部の各々に、副走査方向の他方から繋がり、
前記複数の発熱部の各々を挟んで配置される前記複数の第１帯状部の各々と前記複数の第２帯状部の各々とは、副走査方向に見て、重なる、
請求項８に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項10】
前記抵抗体層は、主走査方向に配列された複数の分離部を含み、
前記複数の発熱部の各々は、前記複数の分離部の各々に形成されている、
請求項９に記載のサーマルプリントヘッド。
前記複数の発熱部の各々は、前記複数の分離部の各々に形成されている、
請求項９に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項11】
前記抵抗体層および前記配線層を覆う保護層をさらに備える、
請求項１ないし請求項１０のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項１ないし請求項１０のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項12】
前記基板は、単結晶半導体を含む材料により構成された基材を含む、
請求項１ないし請求項１１のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項１ないし請求項１１のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項13】
前記基板は、前記基材と前記抵抗体層との間に挟まれた絶縁層をさらに含む、
請求項１２に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項１２に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項14】
前記基材は、前記抵抗体層に対向する主面と、前記主面から突き出し、かつ、主走査方向に延びる凸部とを有し、
前記複数の発熱部の各々は、前記凸部の上に形成されている、
請求項１２または請求項１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
前記複数の発熱部の各々は、前記凸部の上に形成されている、
請求項１２または請求項１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項15】
前記単結晶半導体は、シリコンである、
請求項１２ないし請求項１４のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項１２ないし請求項１４のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項16】
請求項１ないし請求項１５のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッドと、
前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンと、
を備えるサーマルプリンタ。
前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンと、
を備えるサーマルプリンタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタに関する。
【背景技術】
【0002】
サーマルプリントヘッドを備えた感熱式あるいは熱転写式のサーマルプリンタが一般に普及している。特許文献１には、従来のサーマルプリントヘッドの一例が開示されている。同文献に記載されたサーマルプリントヘッドは、基板、配線層および抵抗体層を備える。配線層および抵抗体層は、基板上に形成される。抵抗体層は、複数の発熱部を有する。複数の発熱部は、各々に選択的に通電されることにより、印刷媒体を局所的に加熱するものである。特許文献１に記載のサーマルプリントヘッドにおいて、抵抗体層は、ＴａＮ（窒化タンタル）からなる。配線層は、各発熱部への通電経路を構成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１９－１６６８２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
近年、サーマルプリンタにおいて、省電力化が求められている。特に、携帯型であるモバイル用のプリンタにおいては、バッテリー駆動となるので、プリンタの消費電力の低減が必要不可欠となる。そのためには、サーマルプリンタの各構成部品の省電力化が必要となる。
【0005】
本開示は、上記事情に鑑みて考え出されたものであり、その目的は、省電力化を図ったサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の第１の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、基板と、主走査方向に配列された複数の発熱部を有し、前記基板に支持された抵抗体層と、前記複数の発熱部への通電経路を構成し、前記基板に支持された配線層と、を備え、前記抵抗体層は、不純物がドープされたドープドシリコン、または、炭化ケイ素から選択される材料を含む。
【0007】
本開示の第２の側面によって提供されるサーマルプリンタは、第１の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドと、前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンと、を備える。
【発明の効果】
【0008】
本開示のサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタによれば、省電力化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
本開示のサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタの好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。以下では、同一あるいは類似の構成要素に、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
【0011】
本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」を含む。また、「ある方向に見てある物Ａがある物Ｂに重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、「ある物Ａ（の構成材料）がある材料Ｃを含む」とは、「ある物Ａ（の構成材料）がある材料Ｃからなる場合」、および、「ある物Ａ（の構成材料）の主成分がある材料Ｃである場合」を含む。
【0012】
〔第１実施形態〕
図１～図５は、第１実施形態にかかるサーマルプリントヘッドＡ１を示す。サーマルプリントヘッドＡ１は、ヘッド基板１、保護層２、配線層３、抵抗体層４、接続基板５、複数のワイヤ６１、複数のドライバＩＣ７、保護樹脂７８および放熱部材８を備える。
図１～図５は、第１実施形態にかかるサーマルプリントヘッドＡ１を示す。サーマルプリントヘッドＡ１は、ヘッド基板１、保護層２、配線層３、抵抗体層４、接続基板５、複数のワイヤ６１、複数のドライバＩＣ７、保護樹脂７８および放熱部材８を備える。
【0013】
説明の便宜上、ヘッド基板１の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」という。以下の説明では、厚さ方向ｚの一方を上方といい、他方を下方ということがある。なお、「上」、「下」、「上方」、「下方」、「上面」および「下面」などの記載は、厚さ方向ｚにおける各部品、部位等の相対的位置関係を示すものであり、必ずしも重力方向との関係を規定する用語ではない。さらに、サーマルプリントヘッドＡ１における主走査方向を「主走査方向ｘ」といい、サーマルプリントヘッドＡ１における副走査方向を「副走査方向ｙ」という。
【0014】
サーマルプリントヘッドＡ１は、印刷媒体（図示略）に印字を施するサーマルプリンタＰｒ（図３参照）に組み込まれるものである。サーマルプリンタＰｒは、サーマルプリントヘッドＡ１およびプラテンローラ９１を備える。プラテンローラ９１は、サーマルプリントヘッドＡ１に正対する。印刷媒体は、サーマルプリントヘッドＡ１とプラテンローラ９１との間に挟まれ、このプラテンローラ９１によって、副走査方向ｙに搬送される。このような印刷媒体としては、たとえばバーコードシールおよびレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。プラテンローラ９１に替えて、平坦なゴムからなるプラテンを使用してもよい。このプラテンは、大きな曲率半径を有する円柱状のゴムにおける、断面視して弓形状の一部を含む。本開示において、「プラテン」という用語は、プラテンローラ９１と平坦なプラテンとの双方を含む。
【0015】
ヘッド基板１は、配線層３および抵抗体層４を支持する。ヘッド基板１は、主走査方向ｘを長手方向とする細長矩形状である。ヘッド基板１は、基材１０および絶縁層１９を含む。
【0016】
基材１０は、単結晶半導体を含んでおり、当該単結晶半導体は、たとえばシリコン（Ｓｉ）である。基材１０は、図４および図５に示すように、第１主面１１および第１裏面１２を有する。第１主面１１および第１裏面１２は、厚さ方向ｚに離間し、かつ、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。配線層３および抵抗体層４は、厚さ方向ｚにおいて、第１主面１１の側に設けられる。第１主面１１が、特許請求の範囲に記載の「主面」に相当し、第１裏面１２が、特許請求の範囲に記載の「裏面」に相当する。
【0017】
基材１０は、凸部１３を有する。凸部１３は、図４および図５に示すように、第１主面１１から厚さ方向ｚに突出しており、主走査方向ｘに長く延びる。図示された例においては、凸部１３は、基材１０のうちの副走査方向ｙ下流寄りに配置されている。凸部１３は、基材１０の一部であることから、単結晶半導体であるシリコン（Ｓｉ）を含む。図５に示すように、凸部１３は、頂部１３０、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂおよび一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂを有する。
【0018】
頂部１３０は、凸部１３のうち、第１主面１１からの厚さ方向ｚに沿う距離が最も大きい部位である。頂部１３０は、たとえば第１主面１１と略平行な面である。頂部１３０は、厚さ方向ｚ視において、主走査方向ｘに長く延びる細長矩形状である。
【0019】
一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂは、図５に示すように、頂部１３０の副走査方向ｙ両側に繋がっている。第１傾斜部１３１Ａは、副走査方向ｙの上流側から頂部１３０に繋がる。第１傾斜部１３１Ｂは、副走査方向ｙの下流側から頂部１３０に繋がる。図５に示すように、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂはそれぞれ、第１主面１１に対して、角度α１だけ傾斜している（第１傾斜角度α１を以て傾斜している）。一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂはそれぞれ、厚さ方向ｚ視において主走査方向ｘに長く延びる細長矩形状の平面である。なお、凸部１３は、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂに繋がり、頂部１３０の主走査方向ｘ両端に隣接する傾斜部（図示略）を有していてもよい。
【0020】
一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂは、図５に示すように、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂに対して、副走査方向ｙにおいて頂部１３０と反対側から繋がる。第２傾斜部１３２Ａは、副走査方向ｙにおいて、第１傾斜部１３１Ａと第１主面１１とに挟まれている。第２傾斜部１３２Ａは、副走査方向ｙの上流側から第１傾斜部１３１Ａに繋がり、副走査方向ｙの下流側から第１主面１１に繋がる。第２傾斜部１３２Ｂは、副走査方向ｙにおいて、第１傾斜部１３１Ｂと第１主面１１とに挟まれている。第２傾斜部１３２Ｂは、副走査方向ｙの下流側から第１傾斜部１３１Ｂに繋がり、副走査方向ｙの上流側から第１主面１１に繋がる。図５に示すように、一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂはそれぞれ、第１主面１１に対して、角度α２だけ傾斜している（第２傾斜角度α２を以て傾斜している）。角度α２は、角度α１よりも大きい。一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂはそれぞれ、厚さ方向ｚ視において主走査方向ｘに長く延びる細長矩形状の平面である。一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂはそれぞれ、第１主面１１に繋がっている。なお、凸部１３は、一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂに繋がり、頂部１３０の主走査方向ｘ両端の主走査方向ｘ外方に位置する傾斜部（図示略）を有していてもよい。
【0021】
基材１０において、第１主面１１は（１００）面である。後述の製造方法によって形成された凸部１３において、第１主面１１に対する各第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂの傾斜角度α１（図５参照）は、たとえば３０．１度であり、第１主面１１に対する各第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂの傾斜角度α２（図５参照）は、たとえば５４．７度である。
【0022】
ヘッド基板１の大きさは、特に限定されないが、一例を挙げると、次の通りである。厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、７２５μｍである。この厚さは、第１裏面１２から頂部１３０までの厚さ方向ｚに沿う寸法である。凸部１３の厚さ方向ｚ寸法は、１５０μｍ以上３００μｍ以下であり、一例では、１７５μｍである。主走査方向ｘ寸法は、５０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下である。副走査方向ｙ寸法は、２．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である。
【0023】
絶縁層１９は、図４および図５に示すように、第１主面１１および凸部１３を覆う。絶縁層１９は、基材１０の第１主面１１側を、より確実に絶縁するために設けられる。絶縁層１９は、たとえばＴＥＯＳ（オルトケイ酸テトラエチル）を原料ガスとして成膜される酸化ケイ素（ＴＥＯＳ－ＳｉＯ2）を含む。絶縁層１９は、ＴＥＯＳ－ＳｉＯ2の代わりに、たとえば他の方法によって成膜された酸化ケイ素（ＳｉＯ2）あるいは窒化ケイ素（ＳｉＮ）を含んでもよい。絶縁層１９の厚さは特に限定されないが、その一例を挙げるとたとえば５μｍ以上１５μｍ以下（好ましくは５μｍ以上１０μｍ以下）である。
【0024】
抵抗体層４は、ヘッド基板１に支持されており、図４および図５に示すように、絶縁層１９を介して基材１０に支持されている。抵抗体層４は、副走査方向ｙにおける単位長さ当たりの抵抗値が配線層３よりも大きい（高抵抗である）。抵抗体層４は、たとえば不純物（ドーパント）がドープされたシリコン（詳細にはポリシリコン）を含む。以下では、不純物がドープされたシリコンを「ドープドシリコン」という。当該不純物（ドーパント）は、たとえばホウ素、リンあるいはヒ素のいずれかである。不純物の添加（ドープ）によって、抵抗体層４の抵抗値が調整される。抵抗体層４の厚さは、特に限定されないが、その一例を挙げると、０．０２μｍ以上０．１μｍ以下（好ましくは０．０８μｍ程度）である。抵抗体層４は、複数の発熱部４１を有する。理解の便宜上、図２において、複数の発熱部４１に、ドット状の模様を描画する。
【0025】
複数の発熱部４１は、各々に選択的に通電されることにより、印刷媒体を局所的に加熱する。各発熱部４１は、抵抗体層４のうち配線層３から露出した領域である。複数の発熱部４１は、主走査方向ｘに沿って配列されており、主走査方向ｘにおいて互いに離間する。各発熱部４１の形状は特に限定されず、例えば厚さ方向ｚ視において副走査方向ｙを長手方向とする矩形状である。各発熱部４１は、凸部１３上に配置されている。図５に示す例では、各発熱部４１は、第１傾斜部１３１Ｂから頂部１３０に跨って形成されている。各発熱部４１の副走査方向ｙ上流側の端縁は、頂部１３０上に位置し、各発熱部４１の副走査方向ｙ下流側の端縁は、第１傾斜部１３１Ｂ上に位置する。各発熱部４１は、凸部１３上に配置されていれば、図５に示す例に限定されない。
【0026】
サーマルプリントヘッドＡ１では、抵抗体層４は、図２、図４および図５に示すように、複数の分離部４０を含む。複数の分離部４０は、互いに離間する。図２に示すように、複数の分離部４０は、厚さ方向ｚ視において、副走査方向ｙを長手方向とする矩形状である。複数の分離部４０は、主走査方向ｘに沿って配列され、互いに略平行に配置される。各分離部４０の副走査方向ｙの両端にはそれぞれ、配線層３が接続されている。各分離部４０のうち、配線層３に接続された両端に挟まれた中間部分が、各発熱部４１となる。複数の発熱部４１は、各発熱部４１にそれぞれ１つずつ形成される。
【0027】
配線層３は、複数の発熱部４１に通電するための通電経路を構成する。配線層３は、ヘッド基板１に支持されている。配線層３は、図２、図４および図５に示すように、各分離部４０の副走査方向ｙの両端にそれぞれ接続される。図４および図５に示すように、配線層３と各分離部４０（抵抗体層４）との接続部分において、配線層３は、各分離部４０（抵抗体層４）の上に積層される。
【0028】
【0029】
複数の中継電極３３の各々は、図２に示すように、２つの帯状部３３１および連結部３３２を含む。２つの帯状部３３１は、副走査方向ｙに延びる帯状である。２つの帯状部３３１は、互いに略平行に配置された状態で、主走査方向ｘに離間する。２つの帯状部３３１はそれぞれ、隣接する発熱部４１にそれぞれ接続している。図２に示す例では、２つの帯状部３３１はそれぞれ、副走査方向ｙの下流側から各発熱部４１に繋がっている。各帯状部３３１の先端（副走査方向ｙにおいて連結部３３２に繋がる側と反対側の端部）は、厚さ方向ｚ視において、各分離部４０に重なり、図４および図５に示すように、各分離部４０上に積層されている。２つの帯状部３３１の主走査方向ｘの各寸法は、略同じである。連結部３３２は、２つの帯状部３３１よりも副走査方向ｙ下流側に位置する。連結部３３２は、２つの帯状部３３１のそれぞれに繋がる。連結部３３２は、主走査方向ｘに延びる帯状である。複数の中継電極３３は、主走査方向ｘに等ピッチで配列されている。複数の中継電極３３のそれぞれは、開口を副走査方向ｙ上流側に向けたＵ字形状をなし、角部が直角に屈曲する。複数の中継電極３３はそれぞれ、複数の発熱部４１の副走査方向ｙ下流側に位置する。
【0030】
共通電極３１は、図２に示すように、複数の直行部３１１、複数の分岐部３１２、複数の帯状部３１３および連結部３１４を含む。複数の直行部３１１はそれぞれ、副走査方向ｙに延びる帯状である。複数の直行部３１１は、副走査方向ｙに等ピッチで配列される。複数の直行部３１１の各先端側（副走査方向ｙ下流側）には、分岐部３１２および２つの帯状部３１３が設けられている。当該２つの帯状部３１３は、隣接する発熱部４１にそれぞれ接続している。図２に示す例では、当該２つの帯状部３１３はそれぞれ、副走査方向ｙの上流側から発熱部４１に繋がっている。各帯状部３１３の先端（副走査方向ｙにおいて分岐部３１２に繋がる側と反対側の端部）は、厚さ方向ｚ視において、各分離部４０に重なり、図４および図５に示すように、各分離部４０上に積層されている。各帯状部３１３の主走査方向ｘの寸法は、各帯状部３３１の主走査方向ｘの寸法と略同じである。また、各帯状部３１３は、副走査方向ｙに見て、各帯状部３３１に重なる。複数の分岐部３１２はそれぞれ、各直行部３１１の先端に接続される。複数の分岐部３１２はそれぞれ、副走査方向ｙにおいて２つの帯状部３１３に繋がる各端部と反対側の端部に、各直行部３１１が接続されている。２つの帯状部３１３はそれぞれ、副走査方向ｙの上流側から発熱部４１に繋がっている。連結部３１４は、複数の直行部３１１の基端側（副走査方向ｙ上流側）に位置して、主走査方向ｘに沿って延びている。連結部３１４には、複数の直行部３１１がそれぞれ繋がっている。連結部３１４は、ワイヤ６１および接続基板５の配線を介して、コネクタ５９に接続されており、駆動電圧が印加される。
【0031】
複数の個別電極３２はそれぞれ、共通電極３１に対して逆極性となる。複数の個別電極３２は、図２に示すように、主走査方向ｘに離間して配列されている。複数の個別電極３２はそれぞれ、図２に示すように、帯状部３２１およびパッド部３２２を含む。各個別電極３２において、帯状部３２１は、副走査方向ｙに延びる帯状であり、発熱部４１の副走査方向ｙ上流側に位置する。図２に示す例では、帯状部３２１は、先端側（副走査方向ｙ下流側）で発熱部４１に接続されている。各帯状部３２１の先端（副走査方向ｙにおいてパッド部３２２に繋がる側と反対側の端部）は、厚さ方向ｚ視において、各分離部４０に重なり、図４および図５に示すように、各分離部４０上に積層されている。帯状部３２１の主走査方向ｘの寸法は、各帯状部３３１の主走査方向ｘの寸法と略同じである。また、帯状部３２１の副走査方向ｙ下流側の端部は、副走査方向ｙに見て帯状部３３１に重なる。各個別電極３２において、パッド部３２２は、帯状部３２１の副走査方向ｙ上流側の端部に設けられている。パッド部３２２は、ワイヤ６１を介して、複数のドライバＩＣ７のいずれかの出力パッド７２（後述）のいずれかに接続している。
【0032】
サーマルプリントヘッドＡ１では、図２に示すように、共通電極３１の各直行部３１１が、２つの個別電極３２の帯状部３２１に挟まれて配置されている。各中継電極３３の２つの帯状部３３１の一方が接続される発熱部４１は、共通電極３１に接続しており、当該中継電極３３の２つの帯状部３３１の他方が接続される発熱部４１は、複数の個別電極３２のいずれかに接続している。したがって、各個別電極３２が通電することで、これに接続する発熱部４１と、当該発熱部４１に中継電極３３を介して接続する発熱部４１とに電流が流れて、これらの発熱部４１が発熱する。つまり、２つの発熱部４１が同時に発熱し、同時に発熱する２つの発熱部４１で１ｄｏｔとなる。サーマルプリントヘッドＡ１では、各発熱部４１が通電したとき、各発熱部４１には、副走査方向ｙに沿って電流が流れる。サーマルプリントヘッドＡ１においては、複数の帯状部３３１が、特許請求の範囲に記載の「複数の第１帯状部」に相当し、複数の帯状部３１３および複数の帯状部３２１が、特許請求の範囲に記載の「複数の第２帯状部」に相当する。
【0033】
配線層３（共通電極３１、複数の個別電極３２および複数の中継電極３３）は、導電性材料を含む単層および複数層によって構成される。サーマルプリントヘッドＡ１では、図４および図５に示すように、配線層３（共通電極３１、複数の個別電極３２および複数の中継電極３３）は、図４および図５に示すように、厚さ方向ｚに積層された第１導体層３０１および第２導体層３０２を含んで構成される。
【0034】
第１導体層３０１は、図４および図５に示すように、ヘッド基板１と第２導体層３０２との間に位置する。第１導体層３０１は、副走査方向ｙにおける単位長さ当たりの抵抗値が、抵抗体層４よりも小さく（低抵抗であり）、かつ、第２導体層３０２よりも大きい（高抵抗である）。たとえば、第１導体層３０１の電気伝導率は、たとえば１０-6～１０-7Ωｍである。第１導体層３０１の構成材料は、たとえばチタンを含むが、チタンの代わりに、タンタル、ガリウム、スズ、白金、白金イリジウム、タリウム、バナジウムあるいはクロムのいずれかを含んでもよい。第１導体層３０１は、採用される構成材料により形成方法が適宜選定されるが、たとえばスパッタリング法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、めっきなどによって形成される。たとえば、第１導体層３０１の構成材料がチタンの場合、第１導体層３０１はスパッタリング法により形成される。第１導体層３０１の厚さは特に限定されないが、その一例を挙げると０．１μｍ以上０．２μｍ以下である。
【0035】
第２導体層３０２は、図４および図５に示すように、第１導体層３０１上に形成されている。第２導体層３０２は、第１導体層３０１を部分的に覆っている。よって、第１導体層３０１は、第２導体層３０２から露出する部分がある。本実施形態では、抵抗体層４の一部を覆う配線層３は、第２導体層３０２から露出する第１導体層３０１の一部である。第２導体層３０２は、副走査方向ｙにおける単位長さ当たりの抵抗値が、抵抗体層４および第１導体層３０１よりも小さい（低抵抗である）。たとえば、第２導体層３０２の電気抵抗率は、１０-7Ωｍ以下である。好ましくは、第２導体層３０２は、第１導体層３０１よりも熱伝導度が高い。第２導体層３０２は、たとえば銅を含む。この構成と異なり、第２導体層３０２は、銅の代わりに、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、金、銀、ニッケルあるいはタングステンのいずれかを含んでもよい。第２導体層３０２は、採用される構成材料により形成方法が適宜選定されるが、たとえばスパッタリング法やＣＶＤ法、めっきなどによって形成される。たとえば、第２導体層３０２の構成材料が銅を含む場合、第２導体層３０２はスパッタリング法により形成される。なお、第２導体層３０２の構成材料が金、銀、ニッケルである場合、一般的にはめっきにより形成されるが、この場合、第２導体層３０２は、シード層（たとえば銅）などを含んでいてもよい。第２導体層３０２は、第１導体層３０１よりも厚い。第２導体層３０２の厚さは、使用する材料、配線層３に流れる電流の値などに依存する。第２導体層３０２の厚さの一例を挙げると０．５μｍ以上５μｍ以下である。
【0036】
サーマルプリントヘッドＡ１では、図２および図５から理解されるように、各帯状部３１３（共通電極３１）、各帯状部３２１（各個別電極３２）、および、各帯状部３３１（各中継電極３３）のそれぞれのうちの各発熱部４１に繋がる部分は、第２導体層３０２から露出する第１導体層３０１によって構成されている。つまり、各帯状部３１３（共通電極３１）、各帯状部３２１（各個別電極３２）、および、各帯状部３３１（各中継電極３３）のそれぞれは、第１導体層３０１のみで構成された部分と、第１導体層３０１と第２導体層３０２とが積層された部分とを含む。この構成とは異なり、各発熱部４１に繋がる当該部分は、第１導体層３０１上に第２導体層３０２が積層された構成であってもよい。つまり、各帯状部３１３（共通電極３１）、各帯状部３２１（各個別電極３２）、および、各帯状部３３１（各中継電極３３）のそれぞれは、形成範囲のすべてにおいて、第１導体層３０１と第２導体層３０２とが積層されている。
【0037】
保護層２は、配線層３および抵抗体層４を保護する。保護層２は、図４および図５に示すように、配線層３および抵抗体層４を覆う。サーマルプリンタＰｒの使用時において、保護層２には、プラテンローラ９１により印刷媒体が押し当てられる。保護層２は、絶縁性材料により構成される。保護層２の構成材料は、たとえば窒化ケイ素を含むが、窒化ケイ素の代わりに、酸化ケイ素、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、あるいは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などのいずれかを含んでもよい。保護層２は、先述の絶縁性材料を含む単層または複数層によって構成される。たとえば、保護層２は、窒化ケイ素により構成される下層と、炭化ケイ素により構成される上層とを含む構成でもよい。保護層２の厚さは特に限定されないが、その一例を挙げると１．０μｍ以上１０μｍ以下である。
【0038】
保護層２は、図５に示すように、複数のパッド用開口２９を有する。各パッド用開口２９は、保護層２を厚さ方向ｚに貫通する。複数のパッド用開口２９はそれぞれ、各個別電極３２のパッド部３２２を露出させている。図示された例と異なり、複数のパッド用開口２９に導電性材料を充填させてもよい。この場合、この導電性材料上にめっき層を形成してもよい。このめっき層の構成は特に限定されないが、一例を挙げると、導電性材料の表面からニッケル、パラジウム、金の順に積層されている。
【0039】
接続基板５は、図１～図３に示すように、ヘッド基板１に対して副走査方向ｙ上流側に配置されている。接続基板５は、たとえばプリント基板であり、各ドライバＩＣ７やコネクタ５９（後述）が搭載される。接続基板５の形状などは特に限定されないが、本実施形態においては、主走査方向ｘを長手方向とする矩形状である。接続基板５は、図３に示すように、第２主面５１および第２裏面５２を有する。第２主面５１は、基材１０の第１主面１１と同じ側を向く面であり、第２裏面５２は、基材１０の第１裏面１２と同じ側を向く面である。本実施形態においては、第２主面５１は、第１主面１１よりも厚さ方向ｚ図中下方に位置する。
【0040】
接続基板５には、図２に示すように、複数の制御電極５５が形成されている。各制御電極５５は、第２主面５１に配置され、かつ、ドライバＩＣ７よりも副走査方向ｙ上流側に配置されている。各制御電極５５は、副走査方向ｙに沿って延びる。各制御電極５５は、それぞれワイヤ６１を介して、ドライバＩＣ７の入力パッド７１（後述）のいずれかに接続され、接続基板５の配線を介してコネクタ５９に接続している。
【0041】
複数のドライバＩＣ７はそれぞれ、複数の発熱部４１を選択駆動するために、発熱させる発熱部４１に個別に電流を流すためのものである。ドライバＩＣ７の数は、発熱部４１の個数に応じて、適宜変更される。各ドライバＩＣ７の通電制御は、コネクタ５９、接続基板５の配線および制御電極５５を介して、サーマルプリントヘッドＡ１外から入力される指令信号に従う。各ドライバＩＣ７は、接続基板５の第２主面５１に搭載され、複数のワイヤ６１を介して、複数の個別電極３２および複数の制御電極５５に接続されている。
【0042】
各ドライバＩＣ７の上面には、図２に示すように、複数の入力パッド７１および複数の出力パッド７２が配置されている。複数の入力パッド７１は、各ドライバＩＣ７を制御するための各種信号などが入力される端子である。複数の入力パッド７１は、各ドライバＩＣ７の上面のうち、副走査方向ｙ上流側の端部寄りに配置されている。各入力パッド７１は、各ワイヤ６１を介して、各制御電極５５に接続されている。複数の出力パッド７２は、発熱部４１を駆動する電流を流す端子である。複数の出力パッド７２は、各ドライバＩＣ７の上面のうち、副走査方向ｙ下流側の端部寄りに配置されている。各出力パッド７２は、各ワイヤ６１を介して、各個別電極３２のパッド部３２２に接続されている。
【0043】
保護樹脂７８は、複数のドライバＩＣ７および複数のワイヤ６１を覆う。保護樹脂７８は、たとえば絶縁性樹脂からなりたとえば黒色である。保護樹脂７８は、図１および図３に示すように、ヘッド基板１と接続基板５とに跨るように形成されている。
【0044】
コネクタ５９は、サーマルプリントヘッドＡ１をサーマルプリンタＰｒに接続するために用いられる。コネクタ５９は、接続基板５に取り付けられており、接続基板５の配線パターン（図示略）および制御電極５５を介して、ドライバＩＣ７の入力パッド７１に接続されている。
【0045】
放熱部材８は、ヘッド基板１および接続基板５を支持しており、複数の発熱部４１によって生じた熱の一部を、ヘッド基板１を介して外部へと放熱するためのものである。放熱部材８は、たとえばアルミニウム等の金属を含むブロック状の部材である。放熱部材８は、図３に示すように、第１支持面８１および第２支持面８２を有する。第１支持面８１および第２支持面８２は、各々が厚さ方向ｚ上側を向いている。第１支持面８１は、第２支持面８２よりも副走査方向ｙ下流側に位置する。図３に示すように、第１支持面８１には、基材１０の第１裏面１２が接合され、第２支持面８２には、接続基板５の第２裏面５２が接合されている。
【0046】
次に、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一例（第１製造方法）について、図６～図１９を参照して、説明する。図６は、サーマルプリントヘッドＡ１の第１製造方法を示すフローチャートである。図７、図８、図１０、図１２および図１４～図１８は、サーマルプリントヘッドＡ１の第１製造方法の一工程を示す要部断面図であって、図４に対応する。図９および図１９は、サーマルプリントヘッドＡ１の第１製造方法の一工程を示す要部拡大断面図であって、図５の断面に対応する。図１１および図１３は、サーマルプリントヘッドＡ１の第１製造方法の一工程を示す要部平面図であって、図２に対応する。
【0047】
図６に示すように、サーマルプリントヘッドＡ１の第１製造方法は、基材準備工程Ｓ１１、基材加工工程Ｓ１２、絶縁層形成工程Ｓ１３、抵抗体層形成工程Ｓ１４１、配線層形成工程Ｓ１５、保護層形成工程Ｓ１６、個片化工程Ｓ１７１および組立工程Ｓ１７２を含む。
【0048】
〔基材準備工程Ｓ１１〕
まず、図７に示すように、基材１０Ｋを用意する。基材１０Ｋは、構成材料に単結晶半導体を含み、たとえば、シリコンウェハの一部分である。１枚のシリコンウェハは複数の基材１０Ｋを含む。以下の図では、シリコンウェハの一部分であって１個のサーマルプリントヘッドＡ１に対応する１個の基材１０Ｋ（ヘッド基板１）を対象にして図示する。基材１０Ｋの厚さ（言い換えればシリコンウェハの厚さ）は特に限定されないが、本実施形態においては、たとえば７２５μｍ程度である。図７に示すように、基材１０Ｋは、互いに反対側を向く主面１１Ｋおよび裏面１２Ｋを有する。主面１１Ｋは、（１００）面である。
まず、図７に示すように、基材１０Ｋを用意する。基材１０Ｋは、構成材料に単結晶半導体を含み、たとえば、シリコンウェハの一部分である。１枚のシリコンウェハは複数の基材１０Ｋを含む。以下の図では、シリコンウェハの一部分であって１個のサーマルプリントヘッドＡ１に対応する１個の基材１０Ｋ（ヘッド基板１）を対象にして図示する。基材１０Ｋの厚さ（言い換えればシリコンウェハの厚さ）は特に限定されないが、本実施形態においては、たとえば７２５μｍ程度である。図７に示すように、基材１０Ｋは、互いに反対側を向く主面１１Ｋおよび裏面１２Ｋを有する。主面１１Ｋは、（１００）面である。
【0049】
【0050】
一回目のエッチングでは、主面１１Ｋを所定のマスク層で覆った後、たとえばＫＯＨ（水酸化カリウム）を用いた異方性エッチングを行う。この異方性エッチングで用いる薬剤は、ＫＯＨではなくＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を用いてもよいが、ＫＯＨを用いた方が、処理速度（エッチング速度）が速い。その後、マスク層を除去する。これにより、図８に示すように、基材１０Ｋには凸部１３Ｋが形成される。凸部１３Ｋは、主面１１Ｋから突出しており、主走査方向ｘに長く延びる。凸部１３Ｋは、頂部１３０Ｋおよび一対の傾斜部１３２Ｋを有する。頂部１３０Ｋは、主面１１Ｋと平行な面であり、主面１１Ｋと同じ（１００）面である。頂部１３０Ｋは、上記マスク層で覆われていた部分である。一対の傾斜部１３２Ｋは、頂部１３０Ｋの副走査方向ｙ両側に位置しており、頂部１３０Ｋと主面１１Ｋとの間に介在している。一対の傾斜部１３２Ｋはそれぞれ、頂部１３０Ｋおよび主面１１Ｋに対して傾斜した平面である。一対の傾斜部１３２Ｋのそれぞれと、主面１１Ｋおよび頂部１３０Ｋとがなす角度は、５４．７度である。
【0051】
二回目のエッチングでは、たとえばＴＭＡＨを用いた異方性エッチングを行う。この異方性エッチングで用いる薬剤は、ＴＭＡＨではなくＫＯＨを用いてもよいが、ＴＭＡＨを用いた方が、エッチングによって形成される面（たとえば後述の一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂ）が平滑な面になる。この異方性エッチングにより、図９に示すように、基材１０Ｋが、第１主面１１、第１裏面１２および凸部１３を有する基材１０となる。凸部１３は、頂部１３０、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂおよび一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂを有する。頂部１３０は、頂部１３０Ｋであった部分であり、一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂは、一対の傾斜部１３２Ｋであった部分である。一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂは、頂部１３０Ｋと一対の傾斜部１３２Ｋとの境界がＴＭＡＨによりエッチングされた部分である。第１主面１１に対する各第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂの角度α１（図９参照）は、３０．１度であり、第１主面１１に対する各第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂの角度α２（図９参照）は、５４．７度である。
【0052】
〔絶縁層形成工程Ｓ１３〕
次いで、図１０示すように、絶縁層１９を形成する。絶縁層形成工程Ｓ１３では、たとえばＣＶＤを用いて、ＴＥＯＳを原料ガスとして形成される酸化ケイ素（ＴＥＯＳ－ＳｉＯ2）を基材１０に堆積させる。絶縁層１９の形成方法は、これに限定されない。形成された絶縁層１９は、たとえば、第１主面１１の全面および凸部１３を覆う。これにより、基材１０および絶縁層１９を含むヘッド基板１が形成される。
次いで、図１０示すように、絶縁層１９を形成する。絶縁層形成工程Ｓ１３では、たとえばＣＶＤを用いて、ＴＥＯＳを原料ガスとして形成される酸化ケイ素（ＴＥＯＳ－ＳｉＯ2）を基材１０に堆積させる。絶縁層１９の形成方法は、これに限定されない。形成された絶縁層１９は、たとえば、第１主面１１の全面および凸部１３を覆う。これにより、基材１０および絶縁層１９を含むヘッド基板１が形成される。
【0053】
〔抵抗体層形成工程Ｓ１４１〕
次いで、図１１～図１４に示すように、抵抗体層４を形成する。図６に示すように、抵抗体層形成工程Ｓ１４１では、Ｐ－ＣＶＤ処理Ｓ１４１１、アニール処理Ｓ１４１２および部分除去処理Ｓ１４１３を行う。
次いで、図１１～図１４に示すように、抵抗体層４を形成する。図６に示すように、抵抗体層形成工程Ｓ１４１では、Ｐ－ＣＶＤ処理Ｓ１４１１、アニール処理Ｓ１４１２および部分除去処理Ｓ１４１３を行う。
【0054】
Ｐ－ＣＶＤ処理Ｓ１４１１では、たとえばプラズマＣＶＤにより、図１１および図１２に示すように、抵抗体膜４Ｋを形成する。Ｐ－ＣＶＤ処理Ｓ１４１１で形成される抵抗体膜４Ｋは、不純物（たとえばホウ素、リンあるいはヒ素のいずれか）がドープされたシリコン（ドープドシリコン）の薄膜である。図１１および図１２に示す例では、抵抗体膜４Ｋは、絶縁層１９上の略全面に形成される。なお、抵抗体膜４Ｋの形成範囲は、図１１に示す例に限定されない。
【0055】
アニール処理Ｓ１４１２では、抵抗体膜４Ｋを熱処理する。アニール処理Ｓ１４１２によって、抵抗体膜４Ｋが再結晶化し、抵抗体膜４Ｋの不純物拡散および膜質改善などが行われる。
【0056】
部分除去処理Ｓ１４１３では、図１３および図１４に示すように、アニール処理Ｓ１４１２後の抵抗体膜４Ｋを部分的に除去し、抵抗体膜４Ｋのパターニングを行う。たとえば、部分除去処理Ｓ１４１３では、抵抗体膜４Ｋに対してリソグラフィパターニングを施した後、抵抗体膜４Ｋの一部を除去する。当該除去の方法は、特に限定されないが、たとえばドライエッチングまたはウェットエッチングである。ドライエッチングで用いる薬剤は、抵抗体膜４Ｋの材料に応じて適宜変更すればよいが、たとえばフッ素系ガスが用いられる。また、ウェットエッチングで用いる薬剤は、抵抗体膜４Ｋの材料に応じて適宜変更すればよいが、たとえばフッ酸と硝酸との混合溶液が用いられる。これにより、パターニングされた抵抗体層４が形成される。形成された抵抗体層４は、上述したように複数の分離部４０に分割されている。
【0057】
〔配線層形成工程Ｓ１５〕
次いで、図１５～図１９に示すように、配線層３を形成する。図６に示すように、配線層形成工程Ｓ１５は、第１成膜処理Ｓ１５１、第２成膜処理Ｓ１５２および部分除去処理Ｓ１５３を有する。
次いで、図１５～図１９に示すように、配線層３を形成する。図６に示すように、配線層形成工程Ｓ１５は、第１成膜処理Ｓ１５１、第２成膜処理Ｓ１５２および部分除去処理Ｓ１５３を有する。
【0058】
第１成膜処理Ｓ１５１では、図１５に示すように、抵抗体膜４Ｋ上に第１導体膜３０１Ｋを形成する。第１導体膜３０１Ｋは、たとえばスパッタリング法によって成膜される。第１導体膜３０１Ｋの構成材料は、たとえばチタンを含む。たとえば、第１導体膜３０１Ｋは、Ｔｉにより構成される薄膜である。形成される第１導体膜３０１Ｋは、抵抗体層４の略全面を覆う。
【0059】
第２成膜処理Ｓ１５２では、図１６に示すように、第１導体膜３０１Ｋ上に第２導体膜３０２Ｋを形成する。第２導体膜３０２Ｋは、たとえばめっきあるいはスパッタリング法などによって成膜される。第２導体膜３０２Ｋの構成材料は、たとえば銅を含む。このとき、第２導体膜３０２Ｋは、第１導体膜３０１Ｋの略全面を覆う。
【0060】
部分除去処理Ｓ１５３では、図１７～図１９に示すように、第１導体膜３０１Ｋおよび第２導体膜３０２Ｋをそれぞれ、部分的に除去する。部分除去処理Ｓ１５３では、まず、第２導体膜３０２Ｋに対してリソグラフィパターニングを施した後、第２導体膜３０２Ｋの一部を除去する。これにより、図１７に示すように、第２導体膜３０２Ｋがパターニングされ、第２導体層３０２が形成される。次いで、第１導体膜３０１Ｋに対してリソグラフィパターニングを施した後、第１導体膜３０１Ｋの一部を除去する。これにより、図１８および図１９に示すように、第１導体膜３０１Ｋがパターニングされ、第１導体層３０１が形成される。第１導体膜３０１Ｋおよび第２導体膜３０２Ｋの部分除去の方法は、特に限定されないが、たとえばドライエッチングである。ドライエッチングで用いる薬剤は、第１導体膜３０１Ｋおよび第２導体膜３０２Ｋの各材料に応じて選択すればよいが、たとえばフッ素系ガスあるいは塩素系ガスが用いられる。なお、第１導体膜３０１Ｋおよび第２導体膜３０２Ｋの部分除去は、ドライエッチングではなく、ウェットエッチングであってもよい。ウェットエッチングで用いる薬剤は、たとえば硫酸（Ｈ2ＳＯ4）および過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）の混合溶液である。
【0061】
上記配線層形成工程Ｓ１５（第１成膜処理Ｓ１５１、第２成膜処理Ｓ１５２および部分除去処理Ｓ１５３）により、第１導体層３０１および第２導体層３０２を含む配線層３が形成され、当該配線層３は、共通電極３１、複数の個別電極３２および複数の中継電極３３を有する。また、各分離部４０に配線層３が接続され、各分離部４０（抵抗体層４）に発熱部４１が形成される。
【0062】
〔保護層形成工程Ｓ１６〕
次いで、配線層３および抵抗体層４を覆う保護層２を形成する。保護層形成工程Ｓ１６では、たとえばＣＶＤ法を用いて、絶縁層１９、配線層３および抵抗体層４上に、窒化ケイ素を堆積させる。なお、堆積させる材料は、たとえば窒化ケイ素の代わりに、酸化ケイ素、炭化ケイ素、あるいは、窒化アルミニウムなどのいずれかでもよい。その後、保護層２をエッチング等によって部分的に除去することにより、パッド用開口２９を形成する。なお、保護層２が複数層により構成される場合には、堆積させた窒化ケイ素を下層とし、当該下層上に、たとえばスパッタリング法により炭化ケイ素の薄膜を堆積させる。また、保護層２を形成する際、保護層２の形成範囲を調整することで、保護層２を部分的に除去することなく、パッド用開口２９を形成してもよい。
次いで、配線層３および抵抗体層４を覆う保護層２を形成する。保護層形成工程Ｓ１６では、たとえばＣＶＤ法を用いて、絶縁層１９、配線層３および抵抗体層４上に、窒化ケイ素を堆積させる。なお、堆積させる材料は、たとえば窒化ケイ素の代わりに、酸化ケイ素、炭化ケイ素、あるいは、窒化アルミニウムなどのいずれかでもよい。その後、保護層２をエッチング等によって部分的に除去することにより、パッド用開口２９を形成する。なお、保護層２が複数層により構成される場合には、堆積させた窒化ケイ素を下層とし、当該下層上に、たとえばスパッタリング法により炭化ケイ素の薄膜を堆積させる。また、保護層２を形成する際、保護層２の形成範囲を調整することで、保護層２を部分的に除去することなく、パッド用開口２９を形成してもよい。
【0063】
〔個片化工程Ｓ１７１〕
次いで、基材１０を適宜ヘッド基板１ごとに分割する。なお、基材準備工程Ｓ１１において、１つのヘッド基板１に対応する基材１０が準備されていた場合には、個片化工程Ｓ１７１を行わなくてもよい。個片化工程Ｓ１７１は、基材１０の素材に応じて、たとえばレーザダイシングあるいはブレードダイシングなどが選択される。本実施形態では、ブレードダイシングにより個片化工程Ｓ１７１が行われる。
次いで、基材１０を適宜ヘッド基板１ごとに分割する。なお、基材準備工程Ｓ１１において、１つのヘッド基板１に対応する基材１０が準備されていた場合には、個片化工程Ｓ１７１を行わなくてもよい。個片化工程Ｓ１７１は、基材１０の素材に応じて、たとえばレーザダイシングあるいはブレードダイシングなどが選択される。本実施形態では、ブレードダイシングにより個片化工程Ｓ１７１が行われる。
【0064】
〔組立工程Ｓ１７２〕
その後、ヘッド基板１および接続基板５の放熱部材８への取付け、ドライバＩＣ７の実装、複数のワイヤ６１のボンディング、および、保護樹脂７８の形成などを行う。
その後、ヘッド基板１および接続基板５の放熱部材８への取付け、ドライバＩＣ７の実装、複数のワイヤ６１のボンディング、および、保護樹脂７８の形成などを行う。
【0065】
以上のように、図６に示す工程を経ることで、図１～図５に示すサーマルプリントヘッドＡ１が製造される。上記したサーマルプリントヘッドＡ１の第１製造方法は、一例であって、これに限定されない。なお、サーマルプリントヘッドＡ１の他の製造方法については、後述する。
【0066】
サーマルプリントヘッドＡ１、および、サーマルプリントヘッドＡ１備えるサーマルプリンタＰｒの作用および効果は、次の通りである。
【0067】
サーマルプリントヘッドＡ１では、抵抗体層４は、不純物がドープされたシリコン（ドープドシリコン）を含む。ドープドシリコンはＴａＮよりも高抵抗であるので、抵抗体層４は、ＴａＮで構成された例と比べて高抵抗となる。ある物に電流を流した時の発熱量は、ある物の抵抗値に比例するので、抵抗体層４の抵抗値が高い程、発熱部４１の発熱量を増大させることができる。したがって、サーマルプリントヘッドＡ１は、抵抗体層４の高抵抗化に伴い、駆動電流を低減できる。つまり、サーマルプリントヘッドＡ１は、駆動電流を低減できるため、省電力化を図ることが可能となる。
【0068】
サーマルプリントヘッドＡ１では、抵抗体層４は、上記抵抗体層形成工程Ｓ１４１で示す各処理（Ｐ－ＣＶＤ処理Ｓ１４１１、アニール処理Ｓ１４１２および部分除去処理Ｓ１４１３）によって形成される。このような形成処理では、抵抗体層４の厚さ（抵抗体膜４Ｋの膜厚）の均一化を図ることができる。抵抗体層４の厚さにばらつきがあれば、各発熱部４１の発熱量にばらつきが生じる。その結果、印字品質の低下を招く。一方、サーマルプリントヘッドＡ１では、抵抗体層４の厚さの均一化を図ることができるので、抵抗体層４の厚さのばらつきが抑制される。つまり、サーマルプリントヘッドＡ１は、印字品質の低下を抑制できる。
【0069】
サーマルプリントヘッドＡ１では、その製造方法（第１製造方法）において、配線層３を形成する前に、抵抗体層４を形成する。サーマルプリントヘッドＡ１の第１製造方法では、抵抗体層形成工程Ｓ１４のアニール処理Ｓ１４１２において、熱処理を行う。仮に、配線層３が先に形成されていた場合、アニール処理Ｓ１４１２における温度条件によっては、配線層３の損傷および配線層３の熱酸化などで、配線層３が適切に形成されない虞がある。そこで、サーマルプリントヘッドＡ１の第１製造方法では、抵抗体層４を配線層３よりも先に形成することで、配線層３の損傷および配線層３の熱酸化などが抑制されるので、配線層３を適切に形成することができる。
【0070】
サーマルプリンタＰｒは、その構成部品として、サーマルプリントヘッドＡ１を備える。サーマルプリントヘッドＡ１は、上述の通り、省電力化を図ることで可能である。したがって、サーマルプリンタＰｒは、省電力を図ることができる。
【0071】
【0072】
図２０は、サーマルプリントヘッドＡ１の第２製造方法を示すフローチャートである。図２０に示すように、サーマルプリントヘッドＡ１の第２製造方法は、図６に示す第１製造方法と比較して、抵抗体層形成工程Ｓ１４１の代わりに、抵抗体層形成工程Ｓ１４２を含む。
【0073】
抵抗体層形成工程Ｓ１４２は、図２０に示すように、スパッタ処理Ｓ１４２１、不純物添加処理Ｓ１４２２、アニール処理Ｓ１４２３および部分除去処理Ｓ１４２４を含む。
【0074】
スパッタ処理Ｓ１４２１では、たとえばスパッタリング法により、抵抗体膜４Ｋを形成する。第２製造方法において、形成される抵抗体膜４Ｋは、不純物がドープされていないシリコン（ノンドープドシリコン）を含む。スパッタ処理Ｓ１４２１における抵抗体膜４Ｋの形成範囲は、図１１に示す範囲と同じである。
【0075】
不純物添加処理Ｓ１４２２では、たとえばスパッタリング法により、不純物（たとえばホウ素、リンあるいはヒ素のいずれか）を抵抗体膜４Ｋに添加（注入）する。不純物添加処理Ｓ１４２２によって、抵抗体膜４Ｋ（ノンドープドシリコン）に、不純物がドープされる。
【0076】
アニール処理Ｓ１４２３は、アニール処理Ｓ１４１２と同様に行われる。つまり、アニール処理Ｓ１４２３では、抵抗体膜４Ｋを熱処理し、抵抗体膜４Ｋを再結晶化させる。
【0077】
部分除去処理Ｓ１４２４は、部分除去処理Ｓ１４１３と同様に、抵抗体膜４Ｋの部分除去を行い、抵抗体膜４Ｋのパターニングを行う。これにより、抵抗体層４が形成される。
【0078】
図２１は、サーマルプリントヘッドＡ１の第３製造方法を示すフローチャートである。当該サーマルプリントヘッドＡ１の第３製造方法は、図６に示す第１製造方法と比較して、抵抗体層形成工程Ｓ１４１の代わりに、抵抗体層形成工程Ｓ１４３を含む。
【0079】
抵抗体層形成工程Ｓ１４３は、図２１に示すように、ＬＰ－ＣＶＤ処理Ｓ１４３１、不純物添加処理Ｓ１４３２、アニール処理Ｓ１４３３および部分除去処理Ｓ１４３４を含む。
【0080】
ＬＰ－ＣＶＤ処理Ｓ１４３１では、たとえばＬＰ－ＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）法により、抵抗体膜４Ｋを形成する。第３製造方法において、形成される抵抗体膜４Ｋは、不純物がドープされていないシリコン（ノンドープドシリコン）を含む。ＬＰ－ＣＶＤ処理Ｓ１４３１における抵抗体膜４Ｋの形成範囲は、図１１に示す範囲と同じである。
【0081】
不純物添加処理Ｓ１４３２は、不純物添加処理Ｓ１４２２と同様に行われる。つまり、不純物添加処理Ｓ１４３２では、たとえばスパッタリング法により、不純物（たとえばホウ素、リンあるいはヒ素のいずれか）を抵抗体膜４Ｋに添加する。不純物添加処理Ｓ１４２２によって、抵抗体膜４Ｋ（ノンドープドシリコン）に、不純物がドープされる。
【0082】
アニール処理Ｓ１４３３は、アニール処理Ｓ１４１２と同様に行われる。つまり、アニール処理Ｓ１４３３では、抵抗体膜４Ｋを熱処理し、抵抗体膜４Ｋを再結晶化させる。
【0083】
部分除去処理Ｓ１４３４は、部分除去処理Ｓ１４１３と同様に、抵抗体膜４Ｋの部分除去を行い、抵抗体膜４Ｋのパターニングを行う。これにより、抵抗体層４が形成される。
【0084】
図２２は、サーマルプリントヘッドＡ１の第４製造方法を示すフローチャートである。当該サーマルプリントヘッドＡ１の第４製造方法は、図６に示す第１製造方法と比較して、抵抗体層形成工程Ｓ１４１の代わりに、抵抗体層形成工程Ｓ１４４を含む。
【0085】
抵抗体層形成工程Ｓ１４４は、図２２に示すように、ＬＰ－ＣＶＤ処理Ｓ１４４１、アニール処理Ｓ１４４２および部分除去処理Ｓ１４４３を含む。
【0086】
ＬＰ－ＣＶＤ処理Ｓ１４４１では、上記第３製造方法におけるＬＰ－ＣＶＤ処理Ｓ１４３１と同様に、たとえばＬＰ－ＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）法により、抵抗体膜４Ｋを形成する。ただし、第４製造方法において、形成される抵抗体膜４Ｋは、上記第１製造方法におけるＰ－ＣＶＤ処理Ｓ１４１１と同様に、不純物（たとえばホウ素、リンあるいはヒ素のいずれか）がドープされたシリコン（ドープドシリコン）を含む。ＬＰ－ＣＶＤ処理Ｓ１４４１における抵抗体膜４Ｋの形成範囲は、たとえば図１１に示す範囲と同じである。
【0087】
アニール処理Ｓ１４４２は、アニール処理Ｓ１４１２と同様に行われる。つまり、アニール処理Ｓ１４４２では、抵抗体膜４Ｋを熱処理し、抵抗体膜４Ｋを再結晶化させる。
【0088】
部分除去処理Ｓ１４４３は、部分除去処理Ｓ１４１３と同様に、抵抗体膜４Ｋの部分除去を行い、抵抗体膜４Ｋのパターニングを行う。これにより、抵抗体層４が形成される。
【0089】
上記第２製造方法ないし上記第４製造方法においても、上記第１製造方法と同様に、サーマルプリントヘッドＡ１を製造できる。また、上記第２製造方法ないし上記第４製造方法における各抵抗体層形成工程Ｓ１４２，Ｓ１４３，Ｓ１４４においても、上記第１製造方法における抵抗体層形成工程Ｓ１４１と同様に、抵抗体層４の厚さ（抵抗体膜４Ｋの膜厚）の均一化を図ることができる。
【0090】
上記サーマルプリントヘッドＡ１の第１製造方法ないし第４製造方法において、抵抗体膜４Ｋは、図１１に示す範囲、つまり、ヘッド基板１の略全面に形成される例を示したが、抵抗体膜４Ｋの形成範囲は、これに限定されない。たとえば、図２３に示すように、抵抗体膜４Ｋは、ヘッド基板１の一部を覆うように形成されてもよい。理解の便宜上、図２３においては、後に形成される複数の分離部４０を想像線（二点鎖線）で示す。このようにヘッド基板１の一部に抵抗体膜４Ｋを形成する場合、抵抗体膜４Ｋは、厚さ方向ｚ視において、後に形成される複数の分離部４０のすべて（抵抗体層４）を内包するように形成されていればよい。
【0091】
次に、第１実施形態の変形例にかかる各サーマルプリントヘッドＡ２，Ａ３について、説明する。
【0092】
【0093】
図２４および図２５に示すように、サーマルプリントヘッドＡ２では、配線層３は、各発熱部４１を露出させつつ、抵抗体層４の上に形成されている。したがって、抵抗体層４（各発熱部４１を除く）は、厚さ方向ｚに見て、配線層３に重なる。このような抵抗体層４は、たとえば、抵抗体層形成工程Ｓ１４１における部分除去処理Ｓ１４１３において、後に形成される配線層３の形成範囲を考慮して、抵抗体膜４Ｋの部分除去（パターニング）を行うことで、形成される。
【0094】
図２６は、第１実施形態の第２変形例にかかるサーマルプリントヘッドＡ３を示している。サーマルプリントヘッドＡ３は、サーマルプリントヘッドＡ１と比較して、配線層３が単層で構成されている点で異なる。
【0095】
図２６に示すように、サーマルプリントヘッドＡ３では、配線層３は、単層で構成され、構成材料に銅を含む。なお、配線層３は、銅ではなく、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、金、銀、ニッケルあるいはタングステンのいずれかを含んでもよい。このような配線層３は、たとえば、配線層形成工程Ｓ１５における第１成膜処理Ｓ１５１を行わないことで、形成されうる。
【0096】
上記した各サーマルプリントヘッドＡ２，Ａ３においても、サーマルプリントヘッドＡ１と同様に、抵抗体層４は、ドープドシリコンを含むので、サーマルプリントヘッドＡ１と同様の効果を奏する。
【0097】
〔第２実施形態〕
図２７は、第２実施形態にかかるサーマルプリントヘッドＢ１を示す。図２７は、サーマルプリントヘッドＢ１を示す要部拡大断面図であって、図５の断面に対応する。サーマルプリントヘッドＢ１は、サーマルプリントヘッドＡ１と比較して、抵抗体層４の構成材料が異なる。その他の構成は、特段の断りがない限り、サーマルプリントヘッドＡ１と同様である。たとえば、サーマルプリントヘッドＢ１は、サーマルプリントヘッドＡ１と同様に、サーマルプリンタＰｒに組み込まれる。
図２７は、第２実施形態にかかるサーマルプリントヘッドＢ１を示す。図２７は、サーマルプリントヘッドＢ１を示す要部拡大断面図であって、図５の断面に対応する。サーマルプリントヘッドＢ１は、サーマルプリントヘッドＡ１と比較して、抵抗体層４の構成材料が異なる。その他の構成は、特段の断りがない限り、サーマルプリントヘッドＡ１と同様である。たとえば、サーマルプリントヘッドＢ１は、サーマルプリントヘッドＡ１と同様に、サーマルプリンタＰｒに組み込まれる。
【0098】
サーマルプリントヘッドＢ１では、抵抗体層４は、ドープドシリコンではなく、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む。
【0099】
【0100】
図２８に示すように、サーマルプリントヘッドＢ１の製造方法は、基材準備工程Ｓ２１、基材加工工程Ｓ２２、絶縁層形成工程Ｓ２３、抵抗体層形成工程Ｓ２４、配線層形成工程Ｓ２５、保護層形成工程Ｓ２６、個片化工程Ｓ２７１および組立工程Ｓ２７２を含む。これらのうち、基材準備工程Ｓ２１、基材加工工程Ｓ２２、絶縁層形成工程Ｓ２３、配線層形成工程Ｓ２５、保護層形成工程Ｓ２６、個片化工程Ｓ２７１および組立工程Ｓ２７２はそれぞれ、基材準備工程Ｓ１１、基材加工工程Ｓ１２、絶縁層形成工程Ｓ１３、配線層形成工程Ｓ１５、保護層形成工程Ｓ１６、個片化工程Ｓ１７１および組立工程Ｓ１７２と同様に行われる。つまり、サーマルプリントヘッドＢ１の第１製造方法は、サーマルプリントヘッドＡ１の第１製造方法と比較して、抵抗体層形成工程Ｓ１４の代わりに、抵抗体層形成工程Ｓ２４を含む。
【0101】
抵抗体層形成工程Ｓ２４は、図２８に示すように、抵抗体層形成工程Ｓ２４は、成膜処理Ｓ２４１および部分除去処理Ｓ２４２を含む。
【0102】
成膜処理Ｓ２４１では、たとえばスパッタリング法によって、絶縁層１９上に抵抗体膜４Ｋを形成する。成膜処理Ｓ２４１で形成される抵抗体膜４Ｋは、たとえば炭化ケイ素を含む薄膜である。成膜処理Ｓ２４１における抵抗体膜４Ｋの形成範囲は、図１１に示す例と同じである。つまり、抵抗体膜４Ｋは、絶縁層１９の略全面を覆うように形成される。
【0103】
部分除去処理Ｓ２４２では、成膜処理Ｓ２４１で形成した抵抗体膜４Ｋを部分的に除去し、抵抗体膜４Ｋのパターニングを行う。たとえば、部分除去処理Ｓ２４２では、抵抗体膜４Ｋに対してリソグラフィパターニングを施した後、抵抗体膜４Ｋの一部を除去する。抵抗体膜４Ｋの部分除去の方法は、特に限定されないが、たとえばドライエッチングである。ドライエッチングで用いる薬剤は、抵抗体膜４Ｋの材料に応じて適宜変更すればよいが、たとえばフッ素系ガスあるいは塩素系ガスが用いられる。これにより、図１３および図１４と同様にパターニングされた抵抗体層４が形成される。形成された抵抗体層４は、複数の分離部４０に分割されている。
【0104】
サーマルプリントヘッドＢ１、および、サーマルプリントヘッドＢ１を備えるサーマルプリンタＰｒの作用および効果は、次の通りである。
【0105】
サーマルプリントヘッドＢ１では、抵抗体層４は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む。炭化ケイ素はドープドシリコンと同様にＴａＮよりも高抵抗であるので、抵抗体層４は、ＴａＮで構成された例と比べて高抵抗となる。したがって、サーマルプリントヘッドＢ１は、サーマルプリントヘッドＡ１と同様に、抵抗体層４の高抵抗化に伴い、駆動電流を低減できる。つまり、サーマルプリントヘッドＢ１は、駆動電流を低減できるため、省電力化を図ることが可能となる。
【0106】
サーマルプリンタＰｒは、その構成部品として、サーマルプリントヘッドＢ１を備える。サーマルプリントヘッドＢ１は、上述の通り、省電力化を図ることで可能である。したがって、サーマルプリンタＰｒは、省電力を図ることができる。
【0107】
【0108】
図２９に示すように、サーマルプリントヘッドＢ２は、サーマルプリントヘッドＡ２と同様に、配線層３が、各発熱部４１を露出させつつ、抵抗体層４の上に形成されている。したがって、サーマルプリントヘッドＢ２の抵抗体層４（各発熱部４１を除く）は、サーマルプリントヘッドＡ２の抵抗体層４と同様に、厚さ方向ｚに見て、配線層３に重なる。
【0109】
サーマルプリントヘッドＢ２は、上記サーマルプリントヘッドＢ１の製造方法における部分除去処理Ｓ２４２（抵抗体層形成工程Ｓ２４の一処理）において、後に形成される配線層３の形成範囲を考慮して、抵抗体膜４Ｋの部分除去（パターニング）を行うことで、形成できる。なお、サーマルプリントヘッドＢ２は、たとえば、図３０に示す製造方法によって、製造することも可能である。このようなサーマルプリントヘッドＢ２の製造方法の他の例について、図３０～図３４を参照して、以下に説明する。
【0110】
図３０は、サーマルプリントヘッドＢ２の製造方法を示すフローチャートである。図３０に示すように、サーマルプリントヘッドＢ２の製造方法は、基材準備工程Ｓ３１、基材加工工程Ｓ３２、絶縁層形成工程Ｓ３３、抵抗体膜形成工程Ｓ３４、配線膜形成工程Ｓ３５、除去工程Ｓ３６、保護層形成工程Ｓ３７、個片化工程Ｓ３８１および組立工程Ｓ３８２を含む。これらのうち、基材準備工程Ｓ３１、基材加工工程Ｓ３２、絶縁層形成工程Ｓ３３、保護層形成工程Ｓ３７、個片化工程Ｓ３８１および組立工程Ｓ３８２はそれぞれ、基材準備工程Ｓ２１、基材加工工程Ｓ２２、絶縁層形成工程Ｓ２３、保護層形成工程Ｓ２６、個片化工程Ｓ２７１および組立工程Ｓ２７２と同様に行われる。つまり、サーマルプリントヘッドＢ２の製造方法は、サーマルプリントヘッドＢ１の製造方法と比較して、抵抗体層４および配線層３を形成する処理が異なる。
【0111】
抵抗体膜形成工程Ｓ３４では、上記成膜処理Ｓ２４１（抵抗体層形成工程Ｓ２４の一処理）と同様の処理を行い、図３１に示すように、絶縁層１９上に抵抗体膜４Ｋを形成する。抵抗体膜形成工程Ｓ３４は、つまり、抵抗体膜形成工程Ｓ３４では、スパッタリング法により、抵抗体膜４Ｋを形成する。形成される抵抗体膜４Ｋは、炭化ケイ素を含む薄膜である。抵抗体膜形成工程Ｓ３４における抵抗体膜４Ｋの形成範囲は、図１１に示す例と同じである。つまり、抵抗体膜４Ｋは、絶縁層１９の略全面を覆うように形成される。
【0112】
【0113】
第１成膜処理Ｓ３５１では、図３２に示すように、抵抗体膜４Ｋ上に第１導体膜３０１Ｋを形成する。第１導体膜３０１Ｋは、たとえばスパッタリング法によって成膜される。第１導体膜３０１Ｋは、たとえばチタンを含む薄膜である。このとき、第１導体膜３０１Ｋは、抵抗体膜４Ｋの略全面を覆っている。
【0114】
第２成膜処理Ｓ３５２では、図３３に示すように、第１導体膜３０１Ｋ上に第２導体膜３０２Ｋを形成する。第２導体膜３０２Ｋは、たとえばめっきあるいはスパッタリング法などによって成膜される。第２導体膜３０２Ｋは、たとえば銅を含む薄膜である。このとき、第２導体膜３０２Ｋは、第１導体膜３０１Ｋの略全面を覆っている。これにより、図３３に示すように、第１導体膜３０１Ｋおよび第２導体膜３０２Ｋを含む配線膜３Ｋが形成される。
【0115】
除去工程Ｓ３６は、図３４に示すように、第２導体膜３０２Ｋ、第１導体膜３０１Ｋおよび抵抗体膜４Ｋを、それぞれ部分的に適宜除去する。図３０に示すように、除去工程Ｓ３６は、第１部分除去処理Ｓ３６１、第２部分除去処理Ｓ３６２、および第３部分除去処理Ｓ３６３を含む。
【0116】
第１部分除去処理Ｓ３６１では、第２導体膜３０２Ｋの部分的な除去を行う。これにより、第２導体膜３０２Ｋのパターニングが行われ、第２導体層３０２が形成される。第２部分除去処理Ｓ３６２では、第１導体膜３０１Ｋの部分的な除去を行う。これにより、第１導体膜３０１Ｋのパターニングが行われ、第１導体層３０１が形成される。第３部分除去処理Ｓ３６３では、抵抗体膜４Ｋの部分的な除去を行う。これにより、抵抗体膜４Ｋのパターニングが行われ、抵抗体層４が形成される。形成された第１導体層３０１および第２導体層３０２は、図３４に示すように、上記配線層３を構成する。配線層３は、共通電極３１、複数の個別電極３２および複数の中継電極３３を有する。形成された抵抗体層４は、複数の発熱部４１を有し、発熱部４１毎に分割されている。
【0117】
第１部分除去処理Ｓ３６１および第２部分除去処理Ｓ３６２において、第２導体膜３０２Ｋおよび第１導体膜３０１Ｋの部分除去の方法は、特に限定されないが、たとえばドライエッチングにより行われる。ドライエッチングで用いる薬剤は、第１導体膜３０１Ｋおよび第２導体膜３０２Ｋの各材料に応じて選択すればよいが、たとえばフッ素系ガスあるいは塩素系ガスが用いられる。たとえば、アルミニウムは、フッ素系ガスを用いたドライエッチングが可能である。
【0118】
第３部分除去処理Ｓ３６３において、抵抗体膜４Ｋの部分除去の方法は、特に限定されないが、たとえばドライエッチングである。ドライエッチングで用いる薬剤は、抵抗体膜４Ｋの材料に応じて適宜変更すればよいが、たとえばフッ素系ガスが用いられる。配線膜３Ｋ（第１導体膜３０１Ｋおよび第２導体膜３０２Ｋ）の構成材料がアルミニウムを含む場合、フッ素系ガスを用いたドライエッチングによって、配線膜３Ｋおよび抵抗体膜４Ｋを除去することが可能である。つまり、エッチング手法およびエッチング剤を変えることなく、配線膜３Ｋおよび抵抗体膜４Ｋのエッチングが可能となる。
【0119】
サーマルプリントヘッドＢ２においても、サーマルプリントヘッドＢ１と同様に、抵抗体層４は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含むので、サーマルプリントヘッドＢ１と同様の効果を奏する。
【0120】
各サーマルプリントヘッドＢ１，Ｂ２において、配線層３は、第１導体層３０１と第２導体層３０２とが積層されたものではく、サーマルプリントヘッドＡ３と同様に、単層であってもよい。
【0121】
上記第１実施形態および上記第２実施形態にかかる各サーマルプリントヘッドＡ１，Ａ２，Ａ３，Ｂ１，Ｂ２において、凸部１３は、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂのそれぞれを有さず、頂部１３０および一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂを有する構成であってもよい。この場合、頂部１３０と一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂとがそれぞれ直接接する。また、各サーマルプリントヘッドＡ１，Ａ２，Ａ３，Ｂ１，Ｂ２において、基材１０は、凸部１３を有していなくてもよい。
【0122】
上記第１実施形態および上記第２実施形態にかかる各サーマルプリントヘッドＡ１，Ａ２，Ａ３，Ｂ１，Ｂ２において、配線層３の構成は、図示された例に限定されない。図３５および図３６はそれぞれ、変形例にかかるサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図であって、配線層３の構成が異なる例を示す。
【0123】
図３５は、変形例にかかるサーマルプリントヘッドの一例を示しており、図３５に示す要部拡大平面図は、図２に対応する。図３５に示す変形例では、配線層３は、サーマルプリントヘッドＡ１の配線層３と同様に、共通電極３１および複数の個別電極３２を有するが、サーマルプリントヘッドＡ１の配線層３と異なり、複数の中継電極３３をいずれも有していない。
【0124】
図３５に示す例において、共通電極３１は、複数の帯状部３１３、連結部３１４および迂回部３１５を含む。連結部３１４は、ヘッド基板１の副走査方向ｙの下流側の端縁寄りに配置されている。連結部３１４は、主走査方向ｘに延びる帯状である、複数の帯状部３１３はそれぞれ、連結部３１４から各発熱部４１に向けて副走査方向ｙに延びる。複数の帯状部３１３は、主走査方向ｘに等ピッチで配列されている。迂回部３１５は、連結部３１４の主走査方向ｘの一端から副走査方向ｙに延びる。
【0125】
図３５に示す例において、各発熱部４１は、副走査方向ｙにおいて共通電極３１の各帯状部３１３と各個別電極３２の帯状部３２１とに挟まれている。各帯状部３２１は、副走査方向ｙの上流側から、各発熱部４１に繋がり、各帯状部３１３は、副走査方向ｙの下流側から各発熱部４１に繋がる。図３５に示すサーマルプリントヘッドにおいては、複数の帯状部３１３、特許請求の範囲に記載の「複数の第１帯状部」に相当し、複数の帯状部３２１が、特許請求の範囲に記載の「複数の第２帯状部」に相当する。
【0126】
図３６は、変形例にかかるサーマルプリントヘッドの他の例を示している。図３６に示す例では、配線層３は、上記図３５に示す変形例と同様に、共通電極３１および複数の個別電極３２を有するが、複数の中継電極３３のいずれも有していない。
【0127】
図３６に示す例において、各帯状部３１３と各帯状部３２１とは、一部ずつが主走査方向ｘに沿って交互に配置されている。抵抗体層４は、複数の分離部４０に分割されておらず、これらの各帯状部３１３および各帯状部３２１に重なるように、主走査方向ｘに延びる帯状に形成されている。このような構成では、図３６に示すように、厚さ方向ｚ視において、主走査方向ｘにおいて各帯状部３１３と各帯状部３２１とに挟まれた領域が各発熱部４１となる。
【0128】
また、図３６に示す例では、厚さ方向ｚ視において、配線層３と抵抗体層４が重なる部分においては、抵抗体層４が配線層３の厚さ方向ｚ下方に配置されている。この構成と異なり、各サーマルプリントヘッドＢ１，Ｂ２においては、抵抗体層４が配線層３の厚さ方向ｚ上方に配置されていてもよい。
【0129】
図３５および図３６に示す各サーマルプリントヘッドにおいても、各サーマルプリントヘッドＡ１，Ａ２，Ａ３，Ｂ１，Ｂ２と同様の効果を奏する。よって、本開示のサーマルプリントヘッドは、図３５および図３６に示す各変形例から理解されるように、配線層３の構成は、サーマルプリントヘッドの仕様に応じて適宜変更可能である。
【0130】
上記第１実施形態および上記第２実施形態にかかる各サーマルプリントヘッドＡ１，Ａ２，Ａ３，Ｂ１，Ｂ２において、基材１０は、単結晶半導体で構成されたものに限定されず、たとえばセラミックスにより構成されてもよい。図３７は、変形例にかかるサーマルプリントヘッドを示す要部断面図であって、基材１０がセラミックスにより構成された例を示す。なお、図３７に示す例では、サーマルプリントヘッドＡ１において、基材１０をセラミックスにより構成した例を示す。図３７に示す例では、厚さ方向ｚ視において、配線層３と抵抗体層４が重なる部分において、抵抗体層４が配線層３の厚さ方向ｚ下方に配置されている。この例とは異なり、各サーマルプリントヘッドＢ１，Ｂ２においては、抵抗体層４が配線層３の厚さ方向ｚ上方に配置されていてもよい。
【0131】
図３７に示す例において、ヘッド基板１は、基材１０およびグレーズ層１５を含む。基材１０は、先述の通り、セラミックスにより構成される。当該セラミックスとしては、たとえば窒化アルミニウムまたはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などの熱伝導率が比較的高いものが採用されうる。グレーズ層１５は、基材１０の第１主面１１に形成されている。グレーズ層１５は、たとえば非晶質ガラスなどのガラス材料からなる。図３７に示すように、グレーズ層１５は、部分グレーズ１５１およびガラス層１５２を含んでいる。図３７示す例と異なり、グレーズ層１５は、ガラス層１５２を含まず、部分グレーズ１５１のみで構成されてもよい。あるいは、ヘッド基板１がグレーズ層１５を含んでいなくてもよい。
【0132】
部分グレーズ１５１は、主走査方向ｘに長く延びている。部分グレーズ１５１は、主走査方向ｘ視において、厚さ方向ｚに膨出している。部分グレーズ１５１は、図３７に示すように、主走査方向ｘに直交する平面による断面（ｙ－ｚ断面）が、円弧状である。部分グレーズ１５１は、抵抗体層４のうち発熱する部分（後述の発熱部４１）を印刷媒体に押し当てる易くするために、設けられる。また、部分グレーズ１５１は、発熱部４１からの熱を蓄積する蓄熱層として、設けられている。部分グレーズ１５１は、厚さ方向ｚの寸法（最大寸法）が、ガラス層１５２よりも大きい。ガラス層１５２は、部分グレーズ１５１に隣接して形成されており、上面が平坦な形状である。ガラス層１５２は、部分グレーズ１５１の一部に重なっている。
【0133】
図３７に示すサーマルプリントヘッドにおいても、各サーマルプリントヘッドＡ１，Ａ２，Ａ３，Ｂ１，Ｂ２と同様の効果を奏する。よって、本開示のサーマルプリントヘッドは、図３７に示す変形例から理解されるように、ヘッド基板１の構成は、サーマルプリントヘッドの仕様に応じて適宜変更可能である。
【0134】
本開示にかかるサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタは、上記した実施形態に限定されるものではない。本開示のサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、本開示のサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタは、以下の付記に関する実施形態を含む。
〔付記１〕
基板と、
主走査方向に配列された複数の発熱部を有し、前記基板に支持された抵抗体層と、
前記複数の発熱部への通電経路を構成し、前記基板に支持された配線層と、
を備え、
前記抵抗体層は、不純物がドープされたドープドシリコン、または、炭化ケイ素から選択される材料を含む、サーマルプリントヘッド。
〔付記２〕
前記抵抗体層は、炭化ケイ素を含む、付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記３〕
前記抵抗体層は、ドープドシリコンを含む、付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記４〕
前記不純物は、ホウ素、リンあるいはヒ素のいずれかから選択される、付記３に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記５〕
前記配線層は、前記複数の発熱部を露出させつつ、少なくとも一部が前記抵抗体層上に形成されている、付記１ないし付記４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記６〕
前記配線層は、前記基板の厚さ方向に積層された第１導体層および第２導体層を含み、
前記第１導体層は、前記厚さ方向において、前記基板と前記第２導体層との間に位置する、
前記第２導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々よりも小さく、
前記第１導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々と前記第２導体層との間をとる、付記５に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記７〕
前記第２導体層の構成材料は、銅あるいはアルミニウムを含む、付記６に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記８〕
前記配線層は、複数の第１帯状部と複数の第２帯状部とを含み、
前記複数の発熱部の各々は、前記基板の厚さ方向に見て、前記複数の第１帯状部の各々と前記複数の第２帯状部の各々との間に配置される、付記５ないし付記７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記９〕
前記複数の第１帯状部の各々は、前記複数の発熱部の各々に、副走査方向の一方から繋がり、
前記複数の第２帯状部の各々は、前記複数の発熱部の各々に、副走査方向の他方から繋がり、
前記複数の発熱部の各々を挟んで配置される前記複数の第１帯状部の各々と前記複数の第２帯状部の各々とは、副走査方向に見て、重なる、付記８に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１０〕
前記抵抗体層は、主走査方向に配列された複数の分離部を含み、
前記複数の発熱部の各々は、前記複数の分離部の各々に形成されている、付記９に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１１〕
前記抵抗体層および前記配線層を覆う保護層をさらに備える、付記１ないし付記１０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１２〕
前記基板は、単結晶半導体を含む材料により構成された基材を含む、付記１ないし付記１１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１３〕
前記基板は、前記基材と前記抵抗体層との間に挟まれた絶縁層をさらに含む、付記１２に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１４〕
前記基材は、前記抵抗体層に対向する主面と、前記主面から突き出し、かつ、主走査方向に延びる凸部とを有し、
前記複数の発熱部の各々は、前記凸部の上に形成されている、付記１２または付記１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１５〕
前記単結晶半導体は、シリコンである、付記１２ないし付記１４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１６〕
付記１ないし付記１５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンと、を備えるサーマルプリンタ。
〔付記１〕
基板と、
主走査方向に配列された複数の発熱部を有し、前記基板に支持された抵抗体層と、
前記複数の発熱部への通電経路を構成し、前記基板に支持された配線層と、
を備え、
前記抵抗体層は、不純物がドープされたドープドシリコン、または、炭化ケイ素から選択される材料を含む、サーマルプリントヘッド。
〔付記２〕
前記抵抗体層は、炭化ケイ素を含む、付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記３〕
前記抵抗体層は、ドープドシリコンを含む、付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記４〕
前記不純物は、ホウ素、リンあるいはヒ素のいずれかから選択される、付記３に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記５〕
前記配線層は、前記複数の発熱部を露出させつつ、少なくとも一部が前記抵抗体層上に形成されている、付記１ないし付記４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記６〕
前記配線層は、前記基板の厚さ方向に積層された第１導体層および第２導体層を含み、
前記第１導体層は、前記厚さ方向において、前記基板と前記第２導体層との間に位置する、
前記第２導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々よりも小さく、
前記第１導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々と前記第２導体層との間をとる、付記５に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記７〕
前記第２導体層の構成材料は、銅あるいはアルミニウムを含む、付記６に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記８〕
前記配線層は、複数の第１帯状部と複数の第２帯状部とを含み、
前記複数の発熱部の各々は、前記基板の厚さ方向に見て、前記複数の第１帯状部の各々と前記複数の第２帯状部の各々との間に配置される、付記５ないし付記７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記９〕
前記複数の第１帯状部の各々は、前記複数の発熱部の各々に、副走査方向の一方から繋がり、
前記複数の第２帯状部の各々は、前記複数の発熱部の各々に、副走査方向の他方から繋がり、
前記複数の発熱部の各々を挟んで配置される前記複数の第１帯状部の各々と前記複数の第２帯状部の各々とは、副走査方向に見て、重なる、付記８に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１０〕
前記抵抗体層は、主走査方向に配列された複数の分離部を含み、
前記複数の発熱部の各々は、前記複数の分離部の各々に形成されている、付記９に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１１〕
前記抵抗体層および前記配線層を覆う保護層をさらに備える、付記１ないし付記１０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１２〕
前記基板は、単結晶半導体を含む材料により構成された基材を含む、付記１ないし付記１１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１３〕
前記基板は、前記基材と前記抵抗体層との間に挟まれた絶縁層をさらに含む、付記１２に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１４〕
前記基材は、前記抵抗体層に対向する主面と、前記主面から突き出し、かつ、主走査方向に延びる凸部とを有し、
前記複数の発熱部の各々は、前記凸部の上に形成されている、付記１２または付記１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１５〕
前記単結晶半導体は、シリコンである、付記１２ないし付記１４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１６〕
付記１ないし付記１５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンと、を備えるサーマルプリンタ。
【符号の説明】
【0135】
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ｂ１，Ｂ２：サーマルプリントヘッド
Ｐｒ ：サーマルプリンタ
１ ：ヘッド基板
１０，１０Ｋ：基材
１１ ：第１主面
１１Ｋ ：主面
１２ ：第１裏面
１２Ｋ ：裏面
１３，１３Ｋ：凸部
１３０，１３０Ｋ：頂部
１３１Ａ，１３１Ｂ：第１傾斜部
１３２Ａ，１３２Ｂ：第２傾斜部
１３２Ｋ ：傾斜部
１５ ：グレーズ層
１５１ ：部分グレーズ
１５２ ：ガラス層
１９ ：絶縁層
２ ：保護層
２９ ：パッド用開口
３ ：配線層
３Ｋ ：配線膜
３０１ ：第１導体層
３０１Ｋ ：第１導体膜
３０２ ：第２導体層
３０２Ｋ ：第２導体膜
３１ ：共通電極
３１１ ：直行部
３１２ ：分岐部
３１３ ：帯状部
３１４ ：連結部
３１５ ：迂回部
３２ ：個別電極
３２１ ：帯状部
３２２ ：パッド部
３３ ：中継電極
３３１ ：帯状部
３３２ ：連結部
４ ：抵抗体層
４Ｋ ：抵抗体膜
４０ ：分離部
４１ ：発熱部
５ ：接続基板
５１ ：第２主面
５２ ：第２裏面
５５ ：制御電極
５９ ：コネクタ
６１ ：ワイヤ
７ ：ドライバＩＣ
７１ ：入力パッド
７２ ：出力パッド
７８ ：保護樹脂
８ ：放熱部材
８１ ：第１支持面
８２ ：第２支持面
９１ ：プラテンローラ
Ｐｒ ：サーマルプリンタ
１ ：ヘッド基板
１０，１０Ｋ：基材
１１ ：第１主面
１１Ｋ ：主面
１２ ：第１裏面
１２Ｋ ：裏面
１３，１３Ｋ：凸部
１３０，１３０Ｋ：頂部
１３１Ａ，１３１Ｂ：第１傾斜部
１３２Ａ，１３２Ｂ：第２傾斜部
１３２Ｋ ：傾斜部
１５ ：グレーズ層
１５１ ：部分グレーズ
１５２ ：ガラス層
１９ ：絶縁層
２ ：保護層
２９ ：パッド用開口
３ ：配線層
３Ｋ ：配線膜
３０１ ：第１導体層
３０１Ｋ ：第１導体膜
３０２ ：第２導体層
３０２Ｋ ：第２導体膜
３１ ：共通電極
３１１ ：直行部
３１２ ：分岐部
３１３ ：帯状部
３１４ ：連結部
３１５ ：迂回部
３２ ：個別電極
３２１ ：帯状部
３２２ ：パッド部
３３ ：中継電極
３３１ ：帯状部
３３２ ：連結部
４ ：抵抗体層
４Ｋ ：抵抗体膜
４０ ：分離部
４１ ：発熱部
５ ：接続基板
５１ ：第２主面
５２ ：第２裏面
５５ ：制御電極
５９ ：コネクタ
６１ ：ワイヤ
７ ：ドライバＩＣ
７１ ：入力パッド
７２ ：出力パッド
７８ ：保護樹脂
８ ：放熱部材
８１ ：第１支持面
８２ ：第２支持面
９１ ：プラテンローラ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】