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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023078051
(43)【公開日】2023-06-06
(54)【発明の名称】測定装置、測定方法及びプログラム
(51)【国際特許分類】
G01R 27/02 20060101AFI20230530BHJP
【ＦＩ】
G01R27/02 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022009521
(22)【出願日】2022-01-25
(31)【優先権主張番号】P 2021191228
(32)【優先日】2021-11-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000227180
【氏名又は名称】日置電機株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】504180239
【氏名又は名称】国立大学法人信州大学
(74)【代理人】
【識別番号】110002468
【氏名又は名称】弁理士法人後藤特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】中山 直人
(72)【発明者】
【氏名】是津 信行
(72)【発明者】
【氏名】安達 剛熙
【テーマコード（参考）】
2G028
【Ｆターム（参考）】
2G028BB10
2G028BC04
2G028CG08
2G028DH05
2G028DH11
2G028HN03
2G028HN09
(57)【要約】
【課題】特定のスラリーに含まれる材料の電気特性を考慮しつつ、スラリーの状態を測定する。
【解決手段】測定装置２は、測定データに示される交流インピーダンスの周波数特性に近似するようスラリー等価回路３０の回路定数を設定する。測定装置２は、設定したスラリー等価回路３０の回路定数に基づいてスラリーＳの状態を示す状態指標を演算する。スラリーＳは、ニッケル及びコバルトを少なくとも含む層状岩塩型の活物質と、カーボンナノチューブを含む導電助剤と、非イオン性高分子を少なくとも含む分散剤と、Ｎメチル２ピロリドンを含む溶媒と、を含む。スラリー等価回路３０は、抵抗素子及び容量素子が互いに並列接続された四つの並列回路３１乃至３４の各々を互いに直列接続した回路からなる。測定装置２は、設定した四つの並列回路３１乃至３４の回路定数に基づいて活物質、導電助剤及び溶媒の少なくとも一つの電気特性を示す特性指標を演算する。
【選択図】図５
【解決手段】測定装置２は、測定データに示される交流インピーダンスの周波数特性に近似するようスラリー等価回路３０の回路定数を設定する。測定装置２は、設定したスラリー等価回路３０の回路定数に基づいてスラリーＳの状態を示す状態指標を演算する。スラリーＳは、ニッケル及びコバルトを少なくとも含む層状岩塩型の活物質と、カーボンナノチューブを含む導電助剤と、非イオン性高分子を少なくとも含む分散剤と、Ｎメチル２ピロリドンを含む溶媒と、を含む。スラリー等価回路３０は、抵抗素子及び容量素子が互いに並列接続された四つの並列回路３１乃至３４の各々を互いに直列接続した回路からなる。測定装置２は、設定した四つの並列回路３１乃至３４の回路定数に基づいて活物質、導電助剤及び溶媒の少なくとも一つの電気特性を示す特性指標を演算する。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電気特性が異なる複数の材料を含むスラリーの交流インピーダンスの周波数特性を示す測定データを取得する取得手段と、
前記測定データに示される前記交流インピーダンスの周波数特性に対して前記スラリーを模擬する所定の等価回路におけるインピーダンスの周波数特性が近似するよう前記所定の等価回路の回路定数を設定する設定手段と、
前記設定手段により設定される前記所定の等価回路の回路定数に基づいて前記スラリーの状態を示す状態指標を演算する演算手段と、を含み、
前記複数の材料は、
ニッケル及びコバルトを少なくとも含む層状岩塩型の活物質と、
カーボンナノチューブを含む導電助剤と、
非イオン性高分子を少なくとも含む分散剤と、
Ｎメチル２ピロリドンを含む溶媒と、
を含み、
前記所定の等価回路は、
抵抗素子及び容量素子が互いに並列接続された四つの並列回路を含み、前記並列回路の各々を互いに直列接続した回路からなり、
前記演算手段は、
前記設定手段により設定される前記四つの並列回路のうちピーク周波数が２２０Ｈｚに最も近い並列回路が前記導電助剤に対応する前記並列回路であると決定し、
前記四つの並列回路のうちピーク周波数が３．９ｋＨｚに最も近い並列回路が前記活物質に対応する前記並列回路であると決定し、
前記四つの並列回路のうちピーク周波数が３１０ｋＨｚに最も近い並列回路、及び、ピーク周波数が１．４ＭＨｚに最も近い並列回路が共に前記溶媒に対応する前記並列回路であると決定し、
前記導電助剤、前記活物質及び前記溶媒のうち少なくとも一つの材料に対応する前記並列回路の回路定数を用いて前記少なくとも一つの材料の電気特性を示す特性指標を演算する、
測定装置。
前記測定データに示される前記交流インピーダンスの周波数特性に対して前記スラリーを模擬する所定の等価回路におけるインピーダンスの周波数特性が近似するよう前記所定の等価回路の回路定数を設定する設定手段と、
前記設定手段により設定される前記所定の等価回路の回路定数に基づいて前記スラリーの状態を示す状態指標を演算する演算手段と、を含み、
前記複数の材料は、
ニッケル及びコバルトを少なくとも含む層状岩塩型の活物質と、
カーボンナノチューブを含む導電助剤と、
非イオン性高分子を少なくとも含む分散剤と、
Ｎメチル２ピロリドンを含む溶媒と、
を含み、
前記所定の等価回路は、
抵抗素子及び容量素子が互いに並列接続された四つの並列回路を含み、前記並列回路の各々を互いに直列接続した回路からなり、
前記演算手段は、
前記設定手段により設定される前記四つの並列回路のうちピーク周波数が２２０Ｈｚに最も近い並列回路が前記導電助剤に対応する前記並列回路であると決定し、
前記四つの並列回路のうちピーク周波数が３．９ｋＨｚに最も近い並列回路が前記活物質に対応する前記並列回路であると決定し、
前記四つの並列回路のうちピーク周波数が３１０ｋＨｚに最も近い並列回路、及び、ピーク周波数が１．４ＭＨｚに最も近い並列回路が共に前記溶媒に対応する前記並列回路であると決定し、
前記導電助剤、前記活物質及び前記溶媒のうち少なくとも一つの材料に対応する前記並列回路の回路定数を用いて前記少なくとも一つの材料の電気特性を示す特性指標を演算する、
測定装置。
【請求項2】
請求項１に記載の測定装置であって、
前記容量素子は、ＣＰＥである、
測定装置。
前記容量素子は、ＣＰＥである、
測定装置。
【請求項3】
請求項１又は請求項２に記載の測定装置であって、
前記演算手段は、前記材料の前記特性指標に基づいて前記スラリーの前記状態指標を演算する、
測定装置。
前記演算手段は、前記材料の前記特性指標に基づいて前記スラリーの前記状態指標を演算する、
測定装置。
【請求項4】
電気特性が異なる複数の材料を含むスラリーの状態を測定する測定方法であって、
前記スラリーの交流インピーダンスの周波数特性を示す測定データを取得する取得ステップと、
前記測定データに示される前記交流インピーダンスの周波数特性に対して前記スラリーを模擬する所定の等価回路におけるインピーダンスの周波数特性が近似するよう前記所定の等価回路の回路定数を設定する設定ステップと、
前記設定ステップにおいて設定される前記所定の等価回路の回路定数に基づいて前記スラリーの状態を示す状態指標を演算する演算ステップと、を含み、
前記複数の材料は、
ニッケル及びコバルトを少なくとも含む層状岩塩型の活物質と、
カーボンナノチューブを含む導電助剤と、
非イオン性高分子を少なくとも含む分散剤と、
Ｎメチル２ピロリドンを含む溶媒と、
を含み、
前記所定の等価回路は、
抵抗素子及び容量素子が互いに並列接続された四つの並列回路を含み、前記並列回路の各々を互いに直列接続した回路からなり、
前記演算ステップは、
前記設定ステップにおいて設定される前記四つの並列回路のうちピーク周波数が２２０Ｈｚに最も近い並列回路が前記導電助剤に対応する並列回路であると決定し、
前記四つの並列回路のうちピーク周波数が３．９ｋＨｚに最も近い並列回路が前記活物質に対応する並列回路であると決定し、
前記四つの並列回路のうちピーク周波数が３１０ｋＨｚに最も近い並列回路、及び、ピーク周波数が１．４ＭＨｚに最も近い並列回路が共に前記溶媒に対応する並列回路であると決定し、
前記導電助剤、前記活物質及び前記溶媒の少なくとも一つの材料に対応する前記並列回路の回路定数を用いて前記少なくとも一つの材料の電気特性を示す特性指標を演算する、
測定方法。
前記スラリーの交流インピーダンスの周波数特性を示す測定データを取得する取得ステップと、
前記測定データに示される前記交流インピーダンスの周波数特性に対して前記スラリーを模擬する所定の等価回路におけるインピーダンスの周波数特性が近似するよう前記所定の等価回路の回路定数を設定する設定ステップと、
前記設定ステップにおいて設定される前記所定の等価回路の回路定数に基づいて前記スラリーの状態を示す状態指標を演算する演算ステップと、を含み、
前記複数の材料は、
ニッケル及びコバルトを少なくとも含む層状岩塩型の活物質と、
カーボンナノチューブを含む導電助剤と、
非イオン性高分子を少なくとも含む分散剤と、
Ｎメチル２ピロリドンを含む溶媒と、
を含み、
前記所定の等価回路は、
抵抗素子及び容量素子が互いに並列接続された四つの並列回路を含み、前記並列回路の各々を互いに直列接続した回路からなり、
前記演算ステップは、
前記設定ステップにおいて設定される前記四つの並列回路のうちピーク周波数が２２０Ｈｚに最も近い並列回路が前記導電助剤に対応する並列回路であると決定し、
前記四つの並列回路のうちピーク周波数が３．９ｋＨｚに最も近い並列回路が前記活物質に対応する並列回路であると決定し、
前記四つの並列回路のうちピーク周波数が３１０ｋＨｚに最も近い並列回路、及び、ピーク周波数が１．４ＭＨｚに最も近い並列回路が共に前記溶媒に対応する並列回路であると決定し、
前記導電助剤、前記活物質及び前記溶媒の少なくとも一つの材料に対応する前記並列回路の回路定数を用いて前記少なくとも一つの材料の電気特性を示す特性指標を演算する、
測定方法。
【請求項5】
電気特性が異なる複数の材料を含むスラリーの状態を測定するコンピュータに、
前記スラリーの交流インピーダンスの周波数特性を示す測定データを取得する取得ステップと、
前記測定データに示される前記交流インピーダンスの周波数特性に対して前記スラリーを模擬する所定の等価回路におけるインピーダンスの周波数特性が近似するよう前記所定の等価回路の回路定数を設定する設定ステップと、
前記設定ステップにおいて設定される前記所定の等価回路の回路定数に基づいて前記スラリーの状態を示す状態指標を演算する演算ステップと、を実行させるためのプログラムであって、
前記複数の材料は、
ニッケル及びコバルトを少なくとも含む層状岩塩型の活物質と、
カーボンナノチューブを含む導電助剤と、
非イオン性高分子を少なくとも含む分散剤と、
Ｎメチル２ピロリドンを含む溶媒と、
を含み、
前記所定の等価回路は、
抵抗素子及び容量素子が互いに並列接続された四つの並列回路を含み、前記並列回路の各々を互いに直列接続した回路からなり、
前記演算ステップは、
前記設定ステップにおいて設定される前記四つの並列回路のうちピーク周波数が２２０Ｈｚに最も近い並列回路が前記導電助剤に対応する並列回路であると決定し、
前記四つの並列回路のうちピーク周波数が３．９ｋＨｚに最も近い並列回路が前記活物質に対応する並列回路であると決定し、
前記四つの並列回路のうちピーク周波数が３１０ｋＨｚに最も近い並列回路、及び、ピーク周波数が１．４ＭＨｚに最も近い並列回路が共に前記溶媒に対応する並列回路であると決定し、
前記導電助剤、前記活物質及び前記溶媒の少なくとも一つの材料に対応する前記並列回路の回路定数を用いて前記少なくとも一つの材料の電気特性を示す特性指標を演算する、
プログラム。
前記スラリーの交流インピーダンスの周波数特性を示す測定データを取得する取得ステップと、
前記測定データに示される前記交流インピーダンスの周波数特性に対して前記スラリーを模擬する所定の等価回路におけるインピーダンスの周波数特性が近似するよう前記所定の等価回路の回路定数を設定する設定ステップと、
前記設定ステップにおいて設定される前記所定の等価回路の回路定数に基づいて前記スラリーの状態を示す状態指標を演算する演算ステップと、を実行させるためのプログラムであって、
前記複数の材料は、
ニッケル及びコバルトを少なくとも含む層状岩塩型の活物質と、
カーボンナノチューブを含む導電助剤と、
非イオン性高分子を少なくとも含む分散剤と、
Ｎメチル２ピロリドンを含む溶媒と、
を含み、
前記所定の等価回路は、
抵抗素子及び容量素子が互いに並列接続された四つの並列回路を含み、前記並列回路の各々を互いに直列接続した回路からなり、
前記演算ステップは、
前記設定ステップにおいて設定される前記四つの並列回路のうちピーク周波数が２２０Ｈｚに最も近い並列回路が前記導電助剤に対応する並列回路であると決定し、
前記四つの並列回路のうちピーク周波数が３．９ｋＨｚに最も近い並列回路が前記活物質に対応する並列回路であると決定し、
前記四つの並列回路のうちピーク周波数が３１０ｋＨｚに最も近い並列回路、及び、ピーク周波数が１．４ＭＨｚに最も近い並列回路が共に前記溶媒に対応する並列回路であると決定し、
前記導電助剤、前記活物質及び前記溶媒の少なくとも一つの材料に対応する前記並列回路の回路定数を用いて前記少なくとも一つの材料の電気特性を示す特性指標を演算する、
プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、測定装置、測定方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、活物質及び導電助剤を含むペーストの品質を判定する手法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１５－２２２６５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上述の手法では、ペーストと同じようにスラリーの状態を測定することは可能であるものの、スラリーに含まれる材料の電気特性を考慮したうえでスラリーの状態を測定することは難しかった。
【0005】
本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、特定のスラリーに含まれる材料の電気特性を考慮しつつ、スラリーの状態を測定することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明のある一つの態様によれば、測定装置は、電気特性が異なる複数の材料を含むスラリーの交流インピーダンスの周波数特性を示す測定データを取得する取得手段を含む。さらに測定装置は、前記測定データに示される前記交流インピーダンスの周波数特性に対して前記スラリーを模擬する所定の等価回路におけるインピーダンスの周波数特性が近似するよう前記所定の等価回路の回路定数を設定する設定手段を含む。そして測定装置は、前記設定手段により設定される前記所定の等価回路の回路定数に基づいて前記スラリーの状態を示す状態指標を演算する演算手段を含む。前記複数の材料は、ニッケル及びコバルトを少なくとも含む層状岩塩型の活物質と、カーボンナノチューブを含む導電助剤と、非イオン性高分子を少なくとも含む分散剤と、Ｎメチル２ピロリドンを含む溶媒と、を含む。前記所定の等価回路は、抵抗素子及び容量素子が互いに並列接続された四つの並列回路を含み、前記並列回路の各々を互いに直列接続した回路からなる。前記演算手段は、前記設定手段により設定される前記四つの並列回路のうちピーク周波数が２２０Ｈｚに最も近い並列回路が前記導電助剤に対応する並列回路であると決定し、前記四つの並列回路のうちピーク周波数が３．９ｋＨｚに最も近い並列回路が前記活物質に対応する並列回路であると決定する。そして前記演算手段は、前記四つの並列回路のうちピーク周波数が３１０ｋＨｚに最も近い並列回路、及び、ピーク周波数が１．４ＭＨｚに最も近い並列回路が共に前記溶媒に対応する並列回路であると決定する。さらに前記演算手段は、前記導電助剤、前記活物質及び前記溶媒の少なくとも一つの材料に対応する前記並列回路の回路定数を用いて前記少なくとも一つの材料の電気特性を示す特性指標を演算する。
【発明の効果】
【0007】
上述のスラリーを模擬する所定の等価回路の周波数特性を測定データに近似させることにより、並列回路の各々はスラリーを構成する材料の電気特性に対して相関性を有することを発明者らは知見した。
【0008】
それゆえ、本態様によれば、並列回路の時定数によってその並列回路に対応する材料が特定されるので、特定された材料の電気特性を、その材料に対応する並列回路の回路定数に基づいて求めることが可能となる。このため、特定のスラリーに含まれる材料の電気特性を考慮しつつスラリーの状態を測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。本明細書においては、全体を通じて、同一の要素には同一の符号を付する。
【0011】
図１は、本実施形態における測定システムの構成を示す概略図である。
【0012】
測定システム１００は、スラリーＳの状態を測定するための状態測定システムである。
【0013】
スラリーＳは、電気特性が異なる複数の材料を含有する混合液であり、液槽Ｘに貯蔵されている。スラリーＳには、導電助剤Ｘａ及び活物質Ｘｂが溶媒Ｘｃに混合されている。
【0014】
スラリーＳは、カーボンナノチューブを少なくとも含む導電助剤Ｘａと、ニッケル及びコバルトを少なくとも含む活物質Ｘｂと、非イオン性高分子を少なくとも含む分散剤と、Ｎメチル２ピロリドンを含む溶媒Ｘｃと、を含む。
【0015】
導電助剤Ｘａとしては、例えば、短尺、長尺、単層（シングル）又は多層（マルチ）などの一種類のカーボンナノチューブ、或いは、これらのうち少なくとも二種類以上のカーボンナノチューブが用いられる。
【0016】
活物質Ｘｂとしては、ニッケル及びコバルトを少なくとも含む層状岩塩型の活物質が用いられる。例えば、活物質Ｘｂとしては、ニッケルと、コバルトと、マンガン、アルミニウム、チタン及びマグネシウムのいずれか一つの物質と、を固溶した層状岩塩型の活物質が用いられる。本実施形態では、活物質ＸｂとしてNaFeO2型構造を持つ層状岩塩型の活物質が用いられ、具体例として、ニッケル・コバルト・マンガン酸リチウム（ＮＣＭ）及びニッケル・コバルト・アルミニウムの酸化物（ＮＣＡ）などが挙げられる。
【0017】
また、非イオン性高分子としては、例えば、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、グリセリン脂肪酸エステル、脂肪アルコールエトキシレート、及びポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルが挙げられる。分散剤としては、非イオン性高分子の他に、例えば、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルセルロースナトリウム、及び、これらをナノファイバー状に加工したものなどが挙げられる。
【0018】
本実施形態のスラリーＳにおいては、溶媒ＸｃがＮメチル２ピロリドン（ＮＭＰ）であり、活物質Ｘｂがニッケル・コバルト・マンガン酸リチウム（ＮＣＭ）であり、分散剤が少なくともポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）を含む。そして第一の導電助剤Ｘａが単相のカーボンナノチューブ（ｓｗ－ＣＮＴ）であり、第二の導電助剤Ｘａが多層のカーボンナノチューブ（ｍｗ－ＣＮＴ）である。スラリーＳには、バインダは含まれていない。
【0019】
測定システム１００は、スラリーＳを収容する液槽Ｘに浸される電極部１と、電極部１に接続された測定装置２と、を備える。
【0020】
電極部１は、スラリーＳに交流信号を印加するための部品である。本実施形態における電極部１は、互いに対向するように液槽Ｘの周壁に設けられる一対の電極から構成されている。電極部１は、これに限定されるものではなく、例えば、複数の電極から構成されてもよい。
【0021】
スラリーＳに印加される交流信号は、正弦波に限らず、例えば三角波であってもよい。また、交流信号は、交流電圧に限らず、例えば交流電流であってもよい。
【0022】
測定装置２は、スラリーＳの状態を測定するためにスラリーＳに含まれる材料の電気特性を測定する装置である。本実施形態における測定装置２は、スラリーＳの状態を示す状態指標を演算する。本実施形態における状態指標は、スラリーＳの電気伝導性を評価するための指標であり、この状態指標としては、例えば、スラリーＳの直流抵抗、特定材料の抵抗比率、及び均一性などが挙げられる。
【0023】
測定装置２は、例えば、コンピュータで実現され、プロセッサ、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース、及びこれらを相互に接続するバスなどによって構成される。
【0024】
測定装置２は、測定部２１と、記憶部２２と、操作部２３と、表示部２４と、処理部２５と、を含む。
【0025】
測定部２１は、交流インピーダンス法に従ってスラリーＳにおける交流インピーダンスの周波数特性を測定する。ここにいう交流インピーダンスとは、実部及び虚部に分解可能な複素インピーダンスのことである。
【0026】
本実施形態において、測定部２１は、例えば定電圧電源（ＣＶ）又は定電流電源（ＣＣ）によって構成され、電極部１を構成する一対の電極間に位置するスラリーＳに交流信号として交流電圧を印加する。測定部２１は、交流電圧を印加した状態でスラリーＳに生じる応答信号として応答電流を検出する。
【0027】
そして、測定部２１は、電極間に印加される交流電圧の周波数を徐々に変化させながらスラリーＳに流れる応答電流を周波数ごとに検出する。交流電圧の振幅は、例えば１００［ｍＶ］であり、交流電圧を掃引するための掃引周波数範囲は、例えば１０［Ｈｚ］から１０［ＭＨｚ］である。
【0028】
測定部２１は、検出した各周波数における応答電流及び交流電圧に基づいてスラリーＳにおける各周波数の交流インピーダンスを演算する。このように、測定部２１は、スラリーＳにおける交流インピーダンスの周波数特性を測定する。
【0029】
測定部２１は、演算したスラリーＳにおける交流インピーダンスの周波数特性を示す測定データを生成し、生成した測定データを処理部２５に出力する。
【0030】
記憶部２２は、ＲＡＭ及びＲＯＭによって構成される。記憶部２２には、スラリーＳに含まれる材料の電気的特性を測定する測定処理を実行させるためのプログラムが記憶される。すなわち、記憶部２２は、処理部２５の動作プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体である。なお、記憶部２２は、処理部２５と一体に構成されてもよい。
【0031】
操作部２３は、スラリーＳに対する測定処理の開始及び停止などを指示するための各種の操作スイッチを備える。操作部２３は、これらの操作に応じた操作信号を処理部２５に出力する。なお、操作部２３は、操作スイッチの代わりに表示部２４の表示画面内に設けられるタッチ操作部によって構成されてもよい。
【0032】
表示部２４は、処理部２５の指示に従って測定結果等を表示する。表示部２４は、例えば、ＬＥＤディスプレイ又は液晶パネルなどによって構成される。
【0033】
処理部２５は、あらかじめ定められたスラリーＳの電気特性を模擬する等価回路の回路定数を設定（算出）する設定手段、及び、スラリーＳの状態を示す状態指標を演算する演算手段として機能する。以下では、スラリーＳの電気特性を模擬する等価回路のことをスラリー等価回路と称し、スラリー等価回路の回路構成については図３を参照して後述する。
【0034】
処理部２５は、測定部２１から上記の測定データを取得し、その測定データに示される交流インピーダンスの周波数特性に対してスラリー等価回路におけるインピーダンスの周波数特性が近似するようスラリー等価回路の回路定数を設定する。
【0035】
すなわち、処理部２５は、スラリーＳにおける交流インピーダンスの周波数特性とスラリー等価回路のインピーダンスの周波数特性とが一致するように等価回路解析を実行する。
【0036】
処理部２５は、設定したスラリー等価回路の回路定数に基づいてスラリーＳの状態指標を演算する。処理部２５は、演算した状態指標を結果情報として記憶部２２に記録する。
【0037】
処理部２５は、例えば、コンピュータを構成する一又は複数のプロセッサによって構成される。プロセッサとしては、ＣＰＵ（Central Processing Unit）又はＭＰＵ（Micro Processing Unit）などが挙げられる。
【0038】
なお、本実施形態では測定装置２に測定部２１、記憶部２２、操作部２３及び表示部２４が備えられているが、これらのうち少なくとも一つを測定装置２の構成から省略してもよい。
【0039】
【0040】
【0041】
以下では、測定データに基づいて生成されたナイキスト線図のことを実測ナイキスト線図と称する。実測ナイキスト線図は、図２に示すように、大きさの異なる二つの半円弧を重ねたような曲線を示す。
【0042】
図３Ａは、処理部２５における等価回路解析に用いられるスラリー等価回路の回路構成を示す回路図である。
【0043】
スラリー等価回路３０は、スラリーＳの電気特性を模擬する所定の等価回路である。スラリー等価回路３０は、等価回路の要素として四つの並列回路３１乃至３４を含み、並列回路３１乃至３４の各々を互いに直列接続した回路からなる。
【0044】
並列回路３１乃至３４の各々については、直流抵抗成分を示す抵抗素子と容量性を示す容量素子とが互いに並列接続されている。容量素子としては、例えば、コンデンサ及びＣＰＥ（コンスタント・フェーズ・エレメント）が挙げられる。本実施形態では、精度向上の観点から、容量素子としてＣＰＥが採用されている。
【0045】
容量素子ＣＰＥは、静電容量Ｃに対して、種々の外乱を考慮することのできる因子を含む要素である。容量素子ＣＰＥのインピーダンスＺＣＰＥは、次式（１）により表される。
【0046】
【数1】
ｊは、虚数単位であり、
ωは、角周波数であり、
Ｔは、ＣＰＥ定数であり、
ｐは、ＣＰＥ指数（ＺＣＰＥの次数）である。
【0047】
上式（１）に示したように、容量素子ＣＰＥのインピーダンスＺＣＰＥは、ＣＰＥ定数ＴとＣＰＥ指数ｐとによって構成される。例えば、インピーダンスＺＣＰＥが単純な容量性挙動を示す場合に、ＣＰＥ指数ｐは、「０．０」から「１．０」までの範囲内の値をとる。ｐ＝１のとき、インピーダンスＺＣＰＥは、通常の静電容量Ｃの値を示す。
【0048】
図３Ａに示すように、並列回路３１には、抵抗素子Ｒ１及び容量素子ＣＰＥ１が互いに並列接続され、並列回路３２には、抵抗素子Ｒ２及び容量素子ＣＰＥ２が互いに並列接続されている。同様に、並列回路３３には、抵抗素子Ｒ３及び容量素子ＣＰＥ３が互いに並列接続され、並列回路３４には、抵抗素子Ｒ４及び容量素子ＣＰＥ４が互いに並列接続されている。
【0049】
なお、以下では抵抗素子Ｒ１乃至Ｒ４の一つを単に抵抗素子Ｒと称し、容量素子ＣＰＥ１乃至ＣＰＥ４の一つを単に容量素子ＣＰＥと称する。
【0050】
図３Ｂは、図３Ａに示したスラリー等価回路３０におけるインピーダンスの周波数特性を、図２に示した実測ナイキスト線図に近似したときの並列回路３１乃至３４の各々のインピーダンスの周波数特性を示す観念図である。
【0051】
発明者らは、スラリー等価回路３０を用いてスラリーＳの等価回路解析を実施したところ、解析結果である四つの並列回路３１乃至３４の各々の電気特性は、スラリーＳの導電助剤Ｘａ、活物質Ｘｂ及び溶媒Ｘｃのいずれかの電気特性に対して相関性を示すことを知見した。
【0052】
それゆえ、ナイキスト線図における四つの並列回路３１乃至３４によって形成される円弧のピーク周波数は、それぞれスラリーＳの導電助剤Ｘａ、活物質Ｘｂ及び溶媒Ｘｃの電気特性に起因して定まることを発明者らは見出した。ここにいうピーク周波数とは、並列回路３１乃至３４の各々によって形成される虚部リアクタンス（－Ｘ）がピークとなる極点の周波数のことである。
【0053】
具体的には、四つの並列回路３１乃至３４の各ピーク周波数は、図３Ｂに示すように、実部電気抵抗（Ｒｓ）が低い順に、それぞれ１．４［ＭＨｚ］、３１０［ＭＨｚ］、３．９［ｋＨｚ］及び２２０［Ｈｚ］である。
【0054】
そして、ピーク周波数が２２０［Ｈｚ］である円弧を描く並列回路の電気特性は、導電助剤Ｘａの電気特性に対応し、ピーク周波数が３．９［ｋＨｚ］である円弧を描く並列回路の電気特性は、活物質Ｘｂの電気特性に対応する。また、ピーク周波数が１．４［ＭＨｚ］である円弧を描く並列回路、及びピーク周波数が３１０［ｋＨｚ］である円弧を描く並列回路の双方を合成した電気特性は、溶媒Ｘｃの電気特性に対応する。
【0055】
このような対応関係を有することを、スラリー等価回路３０を用いてスラリーＳの等価回路解析を実施したことにより、発明者らは見出した。
【0056】
図４は、記憶部２２に記憶される対応テーブル４０の一例を示す図である。
【0057】
対応テーブル４０には、並列回路３１乃至３４の各々のピーク周波数と、スラリーＳに含まれる材料と、の相関関係が示されている。対応テーブル４０に示されたピーク周波数は、実験及びシミュレーションなどによって得られた値である。
【0058】
対応テーブル４０において、例えば、並列回路３１乃至３４のうちピーク周波数が２２０［Ｈｚ］付近である並列回路は、スラリーＳの導電助剤Ｘａとして用いられる単相のカーボンナノチューブ（ｓｗ－ＣＮＴ）及び多層のカーボンナノチューブ（ｍｗ－ＣＮＴ）の電気特性と相関することが示されている
【0059】
また、並列回路３１乃至３４のうちピーク周波数が３．９［ｋＨｚ］付近である並列回路は、スラリーＳの活物質Ｘｂとして用いられるニッケル・コバルト・マンガン酸リチウム（ＮＣＭ）の電気特性と相関することが示されている。
【0060】
また、並列回路３１乃至３４のうちピーク周波数が３１０［ｋＨｚ］付近及び１．４［ＭＨｚ］付近である二つの並列回路は、スラリーＳの溶媒Ｘｃとして用いられるＮメチル２ピロリドン（ＮＭＰ）の電気特性と相関することが示されている。
【0061】
このように、対応テーブル４０を参照することにより、処理部２５は、スラリーＳに含まれる導電助剤Ｘａ、活物質Ｘｂ及び溶媒Ｘｃの少なくとも一つの電気特性を推定することが可能となる。
【0062】
次に、測定装置２を構成する処理部２５の機能について図３を参照して説明する。
【0063】
【0064】
処理部２５は、データ取得部２５１と、等価回路解析部２５２と、演算部２５３と、を備える。
【0065】
データ取得部２５１は、測定部２１から、スラリーＳの交流インピーダンスの周波数特性を示す測定データを取得する。そしてデータ取得部２５１は、取得した測定データを等価回路解析部２５２に出力する。
【0066】
等価回路解析部２５２は、データ取得部２５１からの測定データに示された交流インピーダンスの周波数特性に対してスラリー等価回路３０におけるインピーダンスの周波数特性が近似するよう、スラリー等価回路３０の回路定数を設定する設定手段として機能する。ここにいうインピーダンスの周波数特性とは、周波数掃引範囲内の各周波数の複素インピーダンスのことである。
【0067】
本実施形態における等価回路解析部２５２は、スラリー等価回路３０を用いて上記の測定データに対する等価回路解析を実行する。
【0068】
具体例として、等価回路解析部２５２は、測定データに示された各周波数の交流インピーダンスに基づいて実測ナイキスト線図を作成する。
【0069】
続いて等価回路解析部２５２は、スラリー等価回路３０におけるインピーダンスの周波数特性に基づく等価回路ナイキスト線図が実測ナイキスト線図に重なるよう、スラリー等価回路３０の回路定数を調整してフィッティングを行う。
【0070】
上述したスラリー等価回路３０の回路定数は、抵抗素子Ｒ１乃至Ｒ４の各々の抵抗値、並びに、容量素子ＣＰＥ１乃至ＣＰＥ４の各々の静電容量Ｃ及びＣＰＥ指数ｐである。
【0071】
そして等価回路解析部２５２は、等価回路ナイキスト線図と実測ナイキスト線図との一致度合いが最も高いときのスラリー等価回路３０の回路定数を取得し、取得した回路定数を演算部２５３に出力する。
【0072】
演算部２５３は、等価回路解析部２５２により設定されるスラリー等価回路３０の回路定数に基づいてスラリーＳに含まれる材料の電気特性を示す特性指標を演算する演算手段として機能する。
【0073】
本実施形態における演算部２５３は、並列回路特定部２５３Ａと材料状態演算部２５３Ｂとを備える。
【0074】
並列回路特定部２５３Ａは、等価回路解析部２５２によって得られる四つの並列回路３１乃至３４の時定数に基づいて、四つの並列回路３１乃至３４の中からスラリーＳを構成する材料（Ｘａ乃至Ｘｃ）の各々に対応する並列回路を決定する。
【0075】
具体的には、まず、並列回路特定部２５３Ａは、並列回路３１乃至３４のピーク周波数を求める。より詳細には、並列回路特定部２５３Ａは、四つの並列回路３１乃至３４の各々について、抵抗素子Ｒの抵抗値と、容量素子ＣＰＥの静電容量Ｃと、容量素子ＣＰＥのＣＰＥ指数ｐと、をそれぞれ乗じて時定数（Ｒ×Ｃ×ｐ）を算出する。そして並列回路特定部２５３Ａは、並列回路３１乃至３４の時定数（Ｒ×Ｃ×ｐ）の逆数を取ることにより、並列回路３１乃至３４のピーク周波数を取得する。
【0076】
そして、並列回路特定部２５３Ａは、図４に示した対応テーブル４０を記憶部２２から読み出す。そして並列回路特定部２５３Ａは、読み出した対応テーブル４０を参照し、四つの並列回路３１乃至３４のうち、ピーク周波数を表す時定数の逆数が２２０Ｈｚに最も近い並列回路が導電助剤Ｘａに対応する並列回路であると決定する。以下では、並列回路３１が導電助剤Ｘａに対応する並列回路と仮定する。
【0077】
同様に、並列回路特定部２５３Ａは、対応テーブル４０を参照し、四つの並列回路３１乃至３４のうち時定数の逆数が３．９［ｋＨｚ］に最も近い並列回路が活物質Ｘｂに対応する並列回路であると決定する。以下では、並列回路３２が活物質Ｘｂに対応する並列回路と仮定する。
【0078】
同様に、並列回路特定部２５３Ａは、対応テーブル４０を参照し、四つの並列回路３１乃至３４のうち時定数の逆数が３１０［ｋＨｚ］に最も近い並列回路と、時定数の逆数が１．４［ＭＨｚ］に最も近い並列回路と、が共に溶媒Ｘｃに対応する並列回路であると決定する。以下では、並列回路３３及び３４が溶媒Ｘｃに対応する二つの並列回路と仮定する。
【0079】
なお。本実施形態の並列回路特定部２５３Ａではピーク周波数を求めるにあたり時定数の逆数が用いられたが、これに限られるものではない。例えば、並列回路特定部２５３Ａは、次式（２）のように、並列回路３１乃至３４の各々について、抵抗素子Ｒの抵抗値と、容量素子ＣＰＥのＣＰＥ指数ｐ及びＣＰＥ定数Ｔと、を用いてピーク周波数を求めるものであってもよい。
【0080】
【数2】
【0081】
続いて、材料状態演算部２５３Ｂの機能について説明する。
【0082】
材料状態演算部２５３Ｂは、並列回路３１乃至３４の少なくとも一つの並列回路の回路定数に基づいて、その並列回路に対応する材料の特性指標を演算する。本実施形態の特性指標としては、例えば、各材料（Ｘａ乃至Ｘｃ）における直流抵抗、静電容量及び均一性などが挙げられる。
【0083】
例えば、材料状態演算部２５３Ｂは、スラリーＳを構成する材料の一つである導電助剤Ｘａに対応する並列回路３１の回路定数を用いて導電助剤Ｘａの特性指標を演算する。
【0084】
具体的には、材料状態演算部２５３Ｂは、並列回路３１の回路定数のうち、抵抗素子Ｒ１の抵抗値をスラリーＳにおける導電助剤Ｘａの直流抵抗として算出し、容量素子ＣＰＥ１の静電容量Ｃ１にＣＰＥ指数ｐ１を乗じた値をスラリーＳにおける導電助剤Ｘａの電気容量として算出する。さらに材料状態演算部２５３Ｂは、並列回路３１の回路定数のうち容量素子ＣＰＥ１のＣＰＥ指数ｐ１をスラリーＳにおける導電助剤Ｘａの均一性として算出する。
【0085】
同様に、材料状態演算部２５３Ｂは、スラリーＳを構成する材料の一つである活物質Ｘｂに対応する並列回路３２の回路定数を用いて活物質Ｘｂの特性指標を演算する。
【0086】
具体的には、材料状態演算部２５３Ｂは、並列回路３２の回路定数のうち抵抗素子Ｒ２の抵抗値を活物質Ｘｂの直流抵抗として算出し、容量素子ＣＰＥ２の静電容量Ｃ２にＣＰＥ指数ｐ２を乗じた値を活物質Ｘｂの電気容量として算出する。さらに材料状態演算部２５３Ｂは、並列回路３２の回路定数のうち容量素子ＣＰＥ２のＣＰＥ指数ｐ２を、活物質Ｘｂの均一性として算出する。
【0087】
同様に、材料状態演算部２５３Ｂは、スラリーＳを構成する材料の一つである溶媒Ｘｃに対応する並列回路３３の回路定数を用いて溶媒Ｘｃの特性指標として演算する。
【0088】
具体的には、材料状態演算部２５３Ｂは、並列回路３３及び３４の回路定数のうち抵抗素子Ｒ３の抵抗値と抵抗素子Ｒ４の抵抗値との和（Ｒ３＋Ｒ４）を溶媒Ｘｃの直流抵抗として取得する。そして材料状態演算部２５３Ｂは、容量素子ＣＰＥ３の静電容量Ｃ３にＣＰＥ指数ｐ３を乗じた値と容量素子ＣＰＥ３の静電容量Ｃ３にＣＰＥ指数ｐ３を乗じた値との合成値を溶媒Ｘｃの静電容量として算出する。
【0089】
材料状態演算部２５３Ｂは、取得した材料の特性指標に基づいてスラリーＳの状態指標を演算する。
【0090】
例えば、材料状態演算部２５３Ｂは、次式（３）のように、導電助剤Ｘａの直流抵抗（Ｒ１）、活物質Ｘｂの直流抵抗（Ｒ２）及び溶媒Ｘｃの直流抵抗（Ｒ３＋Ｒ４）を用いて、スラリーＳの直流抵抗ＤＣＲを算出する。
【0091】
ＤＣＲ ＝ Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３＋Ｒ４ ・・・（３）
【0092】
または、材料状態演算部２５３Ｂは、次式（４）のように、導電助剤Ｘａの直流抵抗に相当する並列回路３１の抵抗素子Ｒ１の抵抗値、及び式（３）で得られるスラリーＳの直流抵抗ＤＣＲを用いて、スラリーＳの抵抗比率Ｒｒａｔｉｏを算出する。
【0093】
Ｒｒａｔｉｏ ＝ Ｒ１／ＤＣＲ ・・・（４）
【0094】
抵抗比率Ｒｒａｔｉｏは、スラリーＳに形成される多数の導電経路のうち導電助剤Ｘａによって形成される導電経路が占める割合を表す。スラリーＳの抵抗比率Ｒｒａｔｉｏが大きいほど、導電助剤Ｘａのネットワークが良好に形成されていると推定される。導電助剤Ｘａの均一性に着目する理由は、スラリーＳの電気伝導性において電気抵抗が最も低い導電助剤Ｘａの影響が重要となるからである。
【0095】
あるいは、材料状態演算部２５３Ｂは、次式（５）のように、導電助剤Ｘａの均一性に相関する並列回路３１における容量素子ＣＰＥ１のＣＰＥ指数ｐ１を用いて、スラリーＳにおける均一性Ｕ（Uniformity）を算出する。
【0096】
Ｕ ＝ ｐ１ ・・・（５）
【0097】
ＣＰＥ指数ｐ１＝１．０のとき、導電助剤Ｘａの緩和過程が均一であり、導電助剤Ｘａの分布に偏りを持たないため、導電助剤ＸａがスラリーＳ中に均一に分布していると推定される。一方で、ＣＰＥ指数ｐ１が小さくなるにつれて、導電助剤Ｘａの緩和過程での不均一が大きくなり、スラリーＳの導電助剤Ｘａが不均一であると推定される。導電助剤Ｘａの均一性に着目する理由は、スラリーＳの均一性において導電経路が最も多い導電助剤Ｘａの影響が支配的となるからである。
【0098】
材料状態演算部２５３Ｂは、算出したスラリーＳの直流抵抗ＤＣＲ、抵抗比率Ｒｒａｔｉｏ及び均一性Ｕなどの状態指標と、導電助剤Ｘａ、活物質Ｘｂ及び溶媒Ｘｃの特性指標と、を測定結果として記憶部２２に出力する。
【0099】
次に、コンピュータを構成する測定装置２の動作について図６を参照して説明する。
【0100】
図６は、本実施形態における測定装置２によるスラリーＳの状態を測定するための測定方法の処理手順例を示すフローチャートである。
【0101】
ステップＳ１において測定装置２は、スラリーＳの交流インピーダンスの周波数特性を示す測定データを取得する。
【0102】
上記のスラリーＳを構成する複数の材料として、活物質Ｘｂとして作用するニッケル・コバルト・マンガン酸リチウム（ＮＣＭ）と、導電助剤Ｘａとして作用する単相のカーボンナノチューブ（ｓｗ－ＣＮＴ）及び多層のカーボンナノチューブ（ｍｗ－ＣＮＴ）と、が含まれる。さらに複数の材料として、分散剤として作用するポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）と、溶媒Ｘｃとして作用するＮメチル２ピロリドン（ＮＭＰ）と、が含まれる。
【0103】
ステップＳ２において測定装置２は、ステップＳ１で取得した測定データに基づいて、スラリー等価回路３０を用いた等価回路解析を実行する。具体的には、測定装置２は、測定データに示される交流インピーダンスの周波数特性に対してスラリー等価回路３０におけるインピーダンスの周波数特性が近似するよう、スラリー等価回路３０の回路定数を設定する。
【0104】
上記のスラリー等価回路３０は、抵抗素子Ｒ及び容量素子ＣＰＥが互いに並列接続された四つの並列回路３１乃至３４を含み、並列回路３１乃至３４の各々を互いに直列接続した回路からなる。
【0105】
ステップＳ３及びＳ４において測定装置２は、ステップＳ２で設定されたスラリー等価回路３０の回路定数に基づいて、スラリーＳに含まれる材料（Ｘａ乃至Ｘｃ）の電気特性を示す特性指標を、スラリーＳの状態を示す状態指標として演算する。
【0106】
具体的には、ステップＳ３において測定装置２は、ステップＳ２で設定された四つの並列回路３１乃至３４のうちピーク周波数が２２０Ｈｚに最も近い並列回路が導電助剤Ｘａに対応する並列回路であると決定し、ピーク周波数が３．９ｋＨｚに最も近い並列回路が活物質Ｘｂに対応する並列回路であると決定する。さらに測定装置２は、四つの並列回路３１乃至３４のうちピーク周波数が３１０ｋＨｚに最も近い並列回路、及び、ピーク周波数が１．４ＭＨｚに最も近い並列回路が共に溶媒Ｘｃに対応する並列回路であると決定する。このように、測定装置２は、四つの並列回路３１乃至３４のピーク周波数に基づいて、導電助剤Ｘａ、活物質Ｘｂ及び溶媒Ｘｃに対応する並列回路を決定する。
【0107】
そして、ステップＳ４において測定装置２は、導電助剤Ｘａ、活物質Ｘｂ及び溶媒Ｘｃのうち少なくとも一つの材料に対応する並列回路の回路定数を用いることにより、当該並列回路に対応する少なくとも一つの材料の電気特性を示す特性指標を演算する。さらに測定装置２は、例えば、演算した特性指標に基づいて、上記の式（３）乃至（５）のうち少なくとも一つのスラリーＳの状態指標を算出する。
【0108】
ステップＳ４の処理が完了すると、本実施形態における測定方法についての一連の処理手順が終了する。
【0109】
上記実施形態ではスラリーＳの活物質Ｘｂとしてニッケル・コバルト・マンガン酸リチウム（ＮＣＭ）が用いられたが、これに限られず、活物質Ｘｂは、ニッケル及びコバルトを少なくとも含む層状岩塩型の活物質であればよい。例えば、ニッケルと、コバルトと、マンガン、アルミニウム、チタン及びマグネシウムのいずれか一つの物質と、を固溶したNaFeO2型構造を持つ層状岩塩型の活物質などが挙げられる。具体例としては、ニッケル・コバルト・アルミニウムの酸化物（ＮＣＡ）などが用いられてもよい。このような活物質を含むスラリーＳであっても、測定装置２は、上記と同じ測定処理を実行することにより、スラリーＳに含まれる材料の電気特性を考慮しつつ、スラリーＳの状態を測定することができる。
【0110】
次に、本実施形態による作用効果について説明する。
【0111】
本実施形態における測定装置２は、電気特性が異なる複数の材料（Ｘａ乃至Ｘｃ）を含むスラリーＳの状態を測定するための装置であり、データ取得部２５１と、等価回路解析部２５２と、演算部２５３と、を含む。データ取得部２５１は、スラリーＳの交流インピーダンスの周波数特性を示す測定データを取得する取得手段として機能する。等価回路解析部２５２は、データ取得部２５１が取得した測定データに示される交流インピーダンスの周波数特性に対してスラリーＳを模擬するスラリー等価回路３０におけるインピーダンスの周波数特性が近似するようスラリー等価回路３０の回路定数を設定する設定手段として機能する。演算部２５３は、等価回路解析部２５２により設定されるスラリー等価回路３０の回路定数に基づいてスラリーＳの状態を示す状態指標を演算する演算手段として機能する。
【0112】
上述したスラリーＳを構成する複数の材料は、ニッケル及びコバルトを少なくとも含む層状岩塩型の活物質Ｘｂと、カーボンナノチューブを含む導電助剤Ｘａと、非イオン性高分子を少なくとも含む分散剤と、Ｎメチル２ピロリドンを含む溶媒Ｘｃと、を含む。活物質Ｘｂとしては、例えば、ニッケル・コバルト・マンガン酸リチウム（ＮＣＭ）又はニッケル・コバルト・アルミニウムの酸化物（ＮＣＡ）が用いられ、非イオン性高分子としては、例えば、ポリビニルピロリドンが用いられる。
【0113】
上述したスラリー等価回路３０は、抵抗素子Ｒ及び容量素子ＣＰＥが互いに並列接続された四つの並列回路３１乃至３４を含み、並列回路３１乃至３４の各々を互いに直列接続した所定の等価回路からなる。
【0114】
そして演算部２５３は、等価回路解析部２５２により設定される四つの並列回路３１乃至３４のうちピーク周波数が２２０Ｈｚに最も近い並列回路が導電助剤Ｘａに対応する並列回路であると決定し、ピーク周波数が３．９ｋＨｚに最も近い並列回路が活物質Ｘｂに対応する並列回路であると決定する。また、演算部２５３は、四つの並列回路３１乃至３４のうちピーク周波数が３１０ｋＨｚに最も近い並列回路、及び、ピーク周波数が１．４ＭＨｚに最も近い並列回路が共に溶媒Ｘｃに対応する並列回路であると決定する。
【0115】
さらに演算部２５３は、導電助剤Ｘａ、活物質Ｘｂ及び溶媒Ｘｃのうち少なくとも一つの材料に対応する並列回路の回路定数を用いて、当該並列回路に対応する少なくとも一つの材料の電気特性を示す特性指標を演算する。
【0116】
また、本実施形態における測定方法は、電気特性が異なる複数の材料（Ｘａ乃至Ｘｃ）を含むスラリーＳの状態を測定する方法である。この測定方法は、スラリーＳの交流インピーダンスの周波数特性を示す測定データを取得する取得ステップ（Ｓ１）と、取得された測定データに示される交流インピーダンスの周波数特性に対してスラリーＳを模擬するスラリー等価回路３０におけるインピーダンスの周波数特性が近似するようスラリー等価回路３０の回路定数を設定する設定ステップ（Ｓ２）とを含む。さらに測定方法は、設定されたスラリー等価回路３０の回路定数に基づいてスラリーＳの状態を示す状態指標を演算する演算ステップ（Ｓ３及びＳ４）を含む。
【0117】
上記の演算ステップにおいては、設定された四つの並列回路３１乃至３４のうちピーク周波数が２２０Ｈｚに最も近い並列回路が導電助剤Ｘａに対応する並列回路であると決定し、ピーク周波数が３．９ｋＨｚに最も近い並列回路が活物質Ｘｂに対応する並列回路であると決定する。さらに、四つの並列回路３１乃至３４のうちピーク周波数が３１０ｋＨｚに最も近い並列回路、及び、ピーク周波数が１．４ＭＨｚに最も近い並列回路が共に溶媒Ｘｃに対応する並列回路であると決定する。
【0118】
そして、導電助剤Ｘａ、活物質Ｘｂ及び溶媒Ｘｃのうち少なくとも一つの材料に対応する並列回路の回路定数を用いて、当該並列回路に対応する少なくとも一つの材料の電気特性を示す特性指標を演算する。
【0119】
さらに、本実施形態におけるプログラムは、上記測定方法を実行するためのプログラムである。
【0120】
これらを構成するにあたり、発明者らは、上述のスラリーＳを模擬するスラリー等価回路３０のインピーダンスの周波数特性を測定データに近似させることによって、並列回路の各々はスラリーＳを構成する材料の電気特性に対して相関性を有することを知見した。
【0121】
より詳細には、並列回路３１乃至３４のうち、ナイキスト線図におけるピーク周波数が２２０［Ｈｚ］付近である並列回路は、スラリーＳにおける導電助剤Ｘａの電気特性に対して相関性を有し、ナイキスト線図におけるピーク周波数が３．９［ｋＨｚ］付近である並列回路は、スラリーＳにおける活物質Ｘｂの電気特性に対して相関性を有する。さらにナイキスト線図におけるピーク周波数が３１０［ｋＨｚ］付近及び１．４［ＭＨｚ］付近である二つの並列回路は、スラリーＳの溶媒Ｘｃの電気特性に対して相関性を有する。
【0122】
それゆえ、これらの構成を採用することにより、並列回路３１乃至３４のピーク周波数に基づいて並列回路３１乃至３４の各々に対応する材料が決定されるので、決定された材料の電気特性を、その材料に対応する並列回路の回路定数に基づいて求めることが可能となる。したがって、特定のスラリーＳに含まれる材料の電気特性を考慮しつつ、スラリーＳの状態を測定することができる。
【0123】
例えば、演算部２５３は、四つの並列回路３１乃至３４のうち時定数の逆数が２２０［Ｈｚ］に最も近い並列回路がスラリーＳの導電助剤Ｘａに対応する並列回路であると決定する。そして演算部２５３は、決定した並列回路の回路定数に基づいてスラリーＳにおける導電助剤Ｘａの電気特性を示す特性指標を演算する。このように、決定した並列回路の回路定数に基づく特性指標を求めることにより、スラリーＳの導電助剤Ｘａの電気特性を測定することができる。
【0124】
あるいは、演算部２５３は、四つの並列回路３１乃至３４のうち時定数の逆数が３．９［ｋＨｚ］に最も近い並列回路がスラリーＳの活物質Ｘｂに対応する並列回路であると決定する。そして演算部２５３は、決定した並列回路の回路定数に基づいてスラリーＳにおける活物質Ｘｂの電気特性を示す特性指標を演算する。このように、決定した並列回路の回路定数に基づく特性指標を求めることにより、スラリーＳにおける活物質Ｘｂの電気特性を測定することができる。
【0125】
または、演算部２５３は、四つの並列回路３１乃至３４のうち時定数の逆数が３１０［ｋＨｚ］に最も近い並列回路、及び、時定数の逆数が１．４［ＭＨｚ］に最も近い並列回路が、共にスラリーＳの溶媒Ｘｃに対応する並列回路であると決定する。そして演算部２５３は、決定した並列回路の各々の回路定数に基づいてスラリーＳの溶媒Ｘｃの特性指標を演算する。このように、決定した並列回路の回路定数に基づく特性指標を求めることにより、スラリーＳにおける溶媒Ｘｃの電気特性を測定することができる。
【0126】
また、本実施形態における並列回路３１乃至３４の各々の容量素子はＣＰＥ（コンスタント・フェーズ・エレメント）である。この構成によれば、容量素子としてコンデンサを採用する場合に比べて、スラリーＳにおける材料の電気特性についての測定精度を高めることができる。
【0127】
また、本実施形態における演算部２５３は、スラリーＳを構成する材料の特性指標に基づいてスラリーＳの状態指標を演算する。例えば、演算部２５３は、上式（３）乃至（５）のように、スラリーＳの直流抵抗ＤＣＲ、抵抗比率Ｒｒａｔｉｏ及び均一性Ｕを演算する。
【0128】
この構成によれば、スラリーＳを構成する材料の特性指標を考慮しつつ、スラリーＳの電気伝導性を評価することができる。
【0129】
以上、本実施形態について説明したが、上記実施形態は、本発明の適用例の一部を示したに過ぎず、本発明の技術的範囲を上記実施形態の具体的構成に限定する趣旨ではない。
【0130】
例えば、測定部２１は、測定装置２とは別体に構成されてもよい。
【符号の説明】
【0131】
１ 電極部
２ 測定装置
２５ 処理部
２５１ データ取得部（取得手段）
２５２ 等価回路解析部（設定手段）
２５３ 演算部（演算手段）
Ｘａ 導電助剤
Ｘｂ 活物質
Ｘｃ 溶媒
Ｓ スラリー
２ 測定装置
２５ 処理部
２５１ データ取得部（取得手段）
２５２ 等価回路解析部（設定手段）
２５３ 演算部（演算手段）
Ｘａ 導電助剤
Ｘｂ 活物質
Ｘｃ 溶媒
Ｓ スラリー
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5】
【図6】