特開 2023-78818 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023078818

(43)【公開日】2023-06-07

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20230531BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20230531BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 J

H05K3/46 N

H05K3/46 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021192109

(22)【出願日】2021-11-26

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】古谷 俊樹

【テーマコード（参考）】

5E316

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E316AA35

5E316AA43

5E316BB02

5E316BB13

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC13

5E316CC32

5E316CC37

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE01

5E316FF04

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH07

5E316HH33

5E338AA03

5E338AA16

5E338BB02

5E338BB13

5E338CC01

5E338CD02

5E338EE27

5E338EE33

(57)【要約】

【課題】平坦性に優れた、微細配線を有する配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板は、第１導体層１１と第１導体層１１を覆う第１層間絶縁層１３と第２導体層２１と第１層間絶縁層１３を貫通して第１導体層１１と第２導体層２１とを接続する第１ビア導体１４とを有し、第１層間絶縁層１３は、第１絶縁層１０１と第２絶縁層１０２とを含み、第１絶縁層１０１は、第２絶縁層１０２と対向する面側に部分的に形成されている配線部１１０を含み、配線部１１０は、第１絶縁層１０１に形成される溝１０１ｂを充填する埋込配線層を含んでいる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１導体層と、
前記第１導体層を覆う第１層間絶縁層と、
前記第１層間絶縁層の上に形成されている第２導体層と、
前記第１層間絶縁層を貫通して前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する第１ビア導体と
を備える配線基板であって、
前記第１層間絶縁層は、その厚さ方向に積層された第１絶縁層と第２絶縁層とを含み、
前記第１絶縁層は、前記第１導体層の下面に接する面側と反対側の前記第２絶縁層と対向する面側に部分的に形成されている配線部を含み、
前記配線部は、前記第１絶縁層に形成される溝を充填する埋込配線層を含んでいる。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記埋込配線層に含まれる配線の最も小さい線幅は、第１導体層および第２導体層に含まれる配線の最も小さい線幅より小さい。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記埋込配線層は、信号搬送用の配線を含んでいる。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、
前記第１絶縁層は、前記第１導体層と前記埋込配線層とを接続する第２ビア導体を含み、
前記第２絶縁層は、前記第２導体層と前記埋込配線層とを接続する第３ビア導体を含んでいる。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、前記埋込配線層に含まれる配線のアスペクト比は、２．０以上、かつ、６．０以下であり、前記第１導体層および前記第２導体層に含まれる配線のアスペクト比は、１．０以上、かつ、２．０以下である。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、前記埋込配線層において最も近接する配線同士の配線間距離は、第１導体層および第２導体層において最も近接する配線同士の配線間距離より小さい。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１層間絶縁層と前記第２導体層とにより構成される表面は、少なくとも１つの部品搭載領域を有する配線基板の部品搭載面である。

【請求項8】

請求項７記載の配線基板であって、前記配線部は、前記部品搭載領域と平面視で少なくとも部分的に重なっている。

【請求項9】

請求項７記載の配線基板であって、
前記第２導体層は、前記部品搭載領域内に配置される接続パッドを含み、
前記第２絶縁層は、前記第２導体層と前記埋込配線層とを接続する第３ビア導体を含み、前記埋込配線層は、前記第３ビア導体を介して前記接続パッドに接続されている。

【請求項10】

請求項１記載の配線基板であって、
前記第１導体層は、第２層間絶縁層の上に形成されており、
前記第２層間絶縁層は、第３導体層の上に形成され、前記第３導体層と前記第１導体層とを接続する第４ビア導体を含み、
前記第１ビア導体の長さと前記第４ビア導体の長さとが略等しい。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、微細パターン層が上部面に形成されている絶縁層と微細パターン層よりも大きいパターンピッチを有する回路パターン層が上部面に形成されている絶縁層とを含む多層基板が開示されている。回路パターン層が上部面に形成されている絶縁層は、微細パターン層が上部面に形成されている絶縁層とは異なる、剛性が強い材料で形成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－１３１０１７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の多層基板では、回路パターン層が上部面に形成されている絶縁層は剛性が強い材料で形成し、微細パターン層が上部面に形成される絶縁層は、微細パターンの形成を可能にするためにその表面粗さが小さくなるような材料で形成されている。微細パターン層および微細パターン層が上部面に形成されている絶縁層の平坦性が十分でない場合がある。回路内の接続不良などの問題が生じることがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、第１導体層と、前記第１導体層を覆う第１層間絶縁層と、前記第１層間絶縁層の上に形成されている第２導体層と、前記第１層間絶縁層を貫通して前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する第１ビア導体とを有している。そして、前記第１層間絶縁層は、その厚さ方向に積層された第１絶縁層と第２絶縁層とを含み、前記第１絶縁層は、前記第１導体層の下面に接する面側と反対側の前記第２絶縁層と対向する面側に部分的に形成されている配線部を含み、前記配線部は、前記第１絶縁層に形成される溝を充填する埋込配線層を含んでいる。

【0006】

本発明の実施形態によれば、必要とされる部分のみに、絶縁層内に埋め込まれる形態を有する配線部を含む配線基板が提供され得る。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2A】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図2B】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図2C】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図2D】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図2E】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図2F】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図2G】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図2H】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図2I】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明の一実施形態の配線基板の製造方法が図面を参照しながら説明される。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。図１には、一実施形態の配線基板が有し得る構造の一例として、配線基板１の断面図が示されている。

【0009】

図１に示されるように、配線基板１は、絶縁層（コア絶縁層）２と、コア絶縁層２におけるその厚さ方向において対向する２つの主面（第１面２Ｆおよび第２面２Ｂ）それぞれに形成されている２つの導体層（第３導体層３１および第４導体層４１）と、を含んでいる。コア絶縁層２、第３導体層３１および第４導体層４１によって配線基板１のコア基板１０が構成されている。第３導体層３１はコア絶縁層２の第１面２Ｆ上に形成されており、第４導体層４１は第２面２Ｂ上に形成されている。コア絶縁層２は、コア絶縁層２を貫通し、第３導体層３１と第４導体層４１とを接続するスルーホール導体３を含んでいる。

【0010】

コア基板１０の第１面２Ｆの上には、第１面２Ｆ側から順に、第２層間絶縁層２３、第１導体層１１、第１層間絶縁層１３、第２導体層２１が順に積層されている。一方、コア基板１０の第２面２Ｂの上には、２つの層間絶縁層４０それぞれと２つの導体層４２それぞれとが交互に積層されている。図に示される例では、第１層間絶縁層１３および第２導体層２１で構成される表面が、配線基板１の第１面１Ｆを形成している。また、最も外側の層間絶縁層４０および導体層４２で構成される表面が、配線基板１の第２面１Ｂを形成している。

【0011】

なお、実施形態の説明では、配線基板１の厚さ方向においてコア絶縁層２から遠い側は「上側」若しくは「外側」、「上方」、または単に「上」とも称され、コア絶縁層２に近い側は「下側」若しくは「内側」、「下方」、または単に「下」とも称される。さらに、各導体層および各層間絶縁層において、コア絶縁層２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア絶縁層２側を向く表面は「下面」とも称される。

【0012】

各層間絶縁層１３、２３および４０には、各層間絶縁層を貫通し、各層間絶縁層を介して隣接する導体層同士を接続する接続導体（ビア導体）が形成されている。第２層間絶縁層２３には、第３導体層３１と第１導体層１１とを接続する第４ビア導体４４が形成されている。第１層間絶縁層１３には、第１導体層１１と第２導体層２１とを接続する第１ビア導体１４が形成されている。本実施形態では、第１ビア導体１４の長さと第４ビア導体４４の長さとは略等しい。すなわち、第１層間絶縁層１３の厚さと第２層間絶縁層２３の厚さは略等しい。層間絶縁層４０には、導体層４２同士または第４導体層４１と導体層４２とを接続するビア導体４３が形成されている。

【0013】

スルーホール導体３は、コア絶縁層２の貫通孔２ａ内に、貫通孔２ａの内部を完全に埋めずに貫通孔２ａの内壁上で所定の厚さを有するように形成されている。すなわち、スルーホール導体３は、スルーホール導体３をコア絶縁層２の厚さ方向に貫く空洞３ａを有しており、全体として貫通孔２ａの内壁に沿う筒状の形体を有している。スルーホール導体３は例えば、金属膜体で構成され得る。

【0014】

空洞３ａは、好ましくは樹脂４によって略完全に埋められている。樹脂４の材料は、空洞３ａを満たし得るものであれば特に限定されない。樹脂４は非導電性であっても導電性であってもよい。樹脂４は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、若しくはフェノール樹脂などの絶縁性樹脂、または、銀粒子などの導電性粒子とエポキシ樹脂などとを含む導電性ペースト若しくは導電性インクであり得る。樹脂４として、コア絶縁層２が有する熱膨張率と近い熱膨張率を有する樹脂などが選択されてもよい。コア絶縁層２内に生じる熱応力が軽減され得る場合がある。

【0015】

第１導体層１１、第２導体層２１、第３導体層３１、第４導体層４１および導体層４２、ならびに、第１ビア導体１４、第４ビア導体４４、ビア導体４３およびスルーホール導体３は、銅またはニッケルなどの任意の金属を用いて形成され得る。第１導体層１１、第２導体層２１、導体層４２、第１ビア導体１４、第４ビア導体４４、およびビア導体４３は、図１の例では２層構造を有しているが、単層構造または任意の層数の積層構造を有し得る。図１の例では、導体層１１、２１、４２およびビア導体１４、４４、４３それぞれは、例えば無電解めっきまたはスパッタリングなどによって形成される金属膜と、金属膜を給電層として用いる電解めっきによって金属膜上に形成されるめっき膜とを含んでいる。第１ビア導体１４は第２導体層２１と一体的に形成されている。第４ビア導体４４は第１導体層１１と一体的に形成されている。そして、ビア導体４３は、導体層４２と一体的に形成されている。

【0016】

図１の例では、スルーホール導体３は、第１めっき膜２ｅにより、貫通孔２ａの内壁上に、内壁を覆うように形成されている。すなわち、第１めっき膜２ｅは、コア絶縁層２の厚さ方向を軸方向として有する筒状の形状で形成されている。第１めっき膜２ｅは、例えば、貫通孔２ａの内壁上に形成されている無電解めっき膜と、無電解めっき膜を給電層として用いて、貫通孔２ａにおいて無電解めっき膜の内側に無電解めっき膜を覆うように形成される電解めっき膜とで形成され得る。しかし、スルーホール導体３は、１以上の任意の数の層数のめっき膜で形成され得る。なお、図１では、第１めっき膜２ｅは、金属膜体として単層で示されている。

【0017】

第３導体層３１および第４導体層４１は、それぞれ、３層以下の層数を有する積層構造を有している。図１の例では、第３導体層３１および第４導体層４１それぞれが有する積層構造は、３層構造である。３層構造は、例えば、コア絶縁層２の第１面２Ｆ上および第２面２Ｂ上それぞれに積層された金属箔２ｃ、金属箔２ｃ上の第１めっき膜２ｅ、および第１めっき膜２ｅ上の第２めっき膜２ｆを含んでいる。第２めっき膜２ｆは、図１では、金属膜体として１層構造の単層で示されているが、第１めっき膜２ｅと同様に、無電解めっき膜と、無電解めっき膜を給電層として用いる電解めっきによって無電解めっき膜上に形成される電解めっき膜とで形成され得る。

【0018】

金属箔２ｃは、任意の金属で形成され得、例えば銅箔やニッケル箔などの箔体である。金属箔２ｃは、例えば、熱圧着によってコア絶縁層２に接合されている銅箔である。第１めっき膜２ｅおよび第２めっき膜２ｆは、例えば銅またはニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。第１めっき膜２ｅおよび第２めっき膜２ｆは、無電解めっき膜の代わりに、スパッタリングによって形成されるスパッタリング膜などの金属膜を含んでいてもよい。

【0019】

しかし、第３導体層３１および第４導体層４１は、３層構造の代わりに、例えば、金属箔２ｃと金属箔２ｃ上に形成されている厚い第１めっき膜２ｅとを含む２層構造で形成されていてもよい。

【0020】

各導体層１１、２１、３１、４１、４２は、それぞれ、任意の導体パターンを含み得る。図１の例では、第３導体層３１および第４導体層４１は、平面視でスルーホール導体３と重なる位置に設けられている導体パッド５を含んでいる。なお「平面視」は、実施形態の配線基板をその厚さ方向に沿う視線で見ることを意味している。

【0021】

すなわち、導体パッド５は、スルーホール導体３の所謂スルーホールパッドの機能を有している。導体パッド５は、また、平面視で貫通孔２ａおよび空洞３ａと重なる位置に設けられている。導体パッド５は、貫通孔２ａおよび空洞３ａを塞いでいる。したがって、導体パッド５は、スルーホール導体３の所謂蓋パッドでもある。貫通孔２ａおよび空洞３ａは、第３導体層３１が有する導体パッド５と第４導体層４１が有する導体パッド５とに挟まれている。このような蓋パッドである導体パッド５が設けられていると、図１に示されているように、配線基板１の第４ビア導体４４やビア導体４３がスルーホール導体３の直上に設けられ得る。

【0022】

本実施形態では、第１層間絶縁層１３は、２層構造を有している。２層構造は、第２層間絶縁層２３および第１導体層１１上に積層されている第１絶縁層１０１と、第１絶縁層１０１の上の第２絶縁層１０２とを含んでいる。第１絶縁層１０１は、第２絶縁層１０２と対向する面側に部分的に形成されている配線部１１０を含んでいる。すなわち、配線部１１０は、第１絶縁層１０１の外側の表面から内側に向かって埋没する形態を有する埋込配線層として形成され、比較的微細なパターンに形成されている微細配線ＦＷを有するように形成されている。なお、図１には、２つの層間絶縁層４０のうち外側の層間絶縁層４０が絶縁層４０１および絶縁層４０２で構成される２層構造を有している例が示されているが、層間絶縁層４０は１層構造であってもよい。層間絶縁層４０が２層構造である場合、導体層４２同士を接続するビア導体４３は、図１に示されているように、２層を同時に貫通するように形成される。

【0023】

コア絶縁層２、第２層間絶縁層２３、層間絶縁層４０、ならびに第１層間絶縁層１３すなわち第１絶縁層１０１および第２絶縁層１０２は、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）またはフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂が例示される。各絶縁層は、さらに、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、またはムライトなどの微粒子からなる無機フィラー（図示せず）を含んでいてもよい。図１の例では、コア絶縁層２は、ガラス繊維やアラミド繊維などで形成される芯材（補強材）２ｄを含んでいる。

【0024】

図１の例においては、配線部１１０は、金属膜層（無電解めっき膜層）１１１および電解めっき膜層１１２の２層構造で構成されている。第１絶縁層１０１に形成されている溝１０１ｂの内面が金属膜層１１１によって被覆されている。溝１０１ｂ内における金属膜層１１１の内側が、電解めっき膜層１１２によって充填されている。

【0025】

微細配線ＦＷは、その線幅および配線間距離が比較的小さい配線パターンに形成されている。例えば、微細配線ＦＷにおいては、最も小さい線幅および配線間距離が０．５μｍ～３．０μｍ程度である。好ましくは、埋込配線層に含まれる微細配線ＦＷの最も小さい線幅は、第１導体層１１および第２導体層２１に含まれる配線の最も小さい線幅より小さく形成されている。また、埋込配線層に含まれる微細配線ＦＷは、最も近接する配線同士の配線間距離が、第１導体層１１および第２導体層２１において最も近接する配線同士の配線間距離より小さくなるように形成され得る。

【0026】

微細配線ＦＷのアスペクト比は、第１導体層１１および第２導体層２１に含まれる配線のアスペクト比よりも大きい。例えば、微細配線ＦＷのアスペクト比は、２．０以上、かつ、６．０以下とされ得る。一方、第１導体層１１および第２導体層２１に含まれる配線のアスペクト比は、１．０以上、かつ、２．０以下であり得る。

【0027】

配線部１１０の埋込配線層は、第２ビア導体２４を介して第１導体層１１と接続されている。すなわち、第１絶縁層１０１には、埋込配線層と第１導体層１１とを接続する第２ビア導体２４が形成されている。また、配線部１１０の埋込配線層は、第３ビア導体３４を介して第２導体層２１と接続されている。すなわち、第２絶縁層１０２には、埋込配線層と第２導体層２１とを接続する第３ビア導体３４が形成されている。

【0028】

第２導体層２１の導体パターンは接続パッド２１ｐを含んでいる。接続パッド２１ｐは、配線基板１の使用時において配線基板１に実装される部品（図示せず）を載置し得るように形成されている。すなわち、接続パッド２１ｐは外部の部品が配線基板１に搭載される際の接続部として使用される部品実装パッドであり、配線基板１の第１面１Ｆは部品が搭載され得る少なくとも１つの部品搭載領域Ａを有する部品実装面であり得る。部品実装パッド（接続パッド）２１ｐには、例えば、はんだなどの接合材（図示せず）を介して電子部品の電極が電気的および機械的に接続され得る。配線基板１に搭載され得る部品としては、例えば、半導体集積回路装置やトランジスタなどの能動部品のような電子部品が例示される。

【0029】

配線基板１の第２面１Ｂは、外部の配線基板、例えば任意の電気機器のマザーボードなどの外部要素に配線基板１自体が実装される場合に、外部要素に接続される接続面であり得る。また、第２面１Ｂは、第１面１Ｆと同様に、半導体集積回路装置のような電子部品が実装される部品実装面であってもよい。第２面１Ｂを構成する接続パッド４２ｐは、これらに限定されない任意の基板、電気部品、または機構部品などと接続され得る。

【0030】

図１に示される例においては、配線部（埋込配線層）１１０は、第３ビア導体３４を介して第２導体層２１の部品実装パッド（接続パッド）２１ｐに接続されている。配線部（埋込配線層）１１０は、配線基板１の部品実装面側のみに形成され得る。さらに、配線部（埋込配線層）１１０は、配線基板１の部品搭載領域Ａの下方のみに、部分的に形成され得る。例えば、配線部（埋込配線層）１１０は、部品搭載領域Ａと平面視で少なくとも部分的に重なるように形成され得る。すなわち、本実施形態では、第１絶縁層１０１の表面の全面ではなく、所定の領域にのみ埋込配線層が形成されている。埋込配線層が形成されていない領域においては、第１導体層１１と第２導体層２１とを接続する第１ビア導体１４が、図１に示されるように、第１絶縁層１０１および第２絶縁層１０２の２層を貫通するように形成されている。所定の位置にのみ埋込配線層を形成することにより、微細配線ＦＷを含む埋込配線層および第１絶縁層１０１の表面の平坦性が良好に保持され得る。微細配線ＦＷ間での短絡や埋込配線層と導体層の間の接続不良などの不良が引き起こされる虞がない。配線基板１の製造歩留まりが向上すると考えられる。

【0031】

第２ビア導体２４および第３ビア導体３４は、第１ビア導体１４や第４ビア導体４４、およびビア導体４３と同様の材料および構造で形成され得る。すなわち、第２ビア導体２４および第３ビア導体３４は、銅またはニッケルなどの任意の金属を用いて形成されてよい。第２ビア導体２４および第３ビア導体３４は、例えば、それぞれ、無電解めっきまたはスパッタリングなどによって形成される金属膜と、金属膜を給電層として用いる電解めっきによって形成されるめっき膜とで形成されてよい。第２ビア導体２４は配線部（埋込配線層）１１０と一体的に形成されている。第３ビア導体３４は第２導体層２１と一体的に形成されている。

【0032】

第２ビア導体２４および第３ビア導体３４それぞれのビア径は、第１ビア導体１４、第４ビア導体４４およびビア導体４３のビア径よりも小さい。すなわち、第１層間絶縁層１３は、少なくとも２種類の異なるビア径をもつビア導体を含んでいる。なお、ここで「ビア径」とは、各ビア導体のトップ径（ビア導体における、配線基板１の表面側の端面の直径）であり、該端面の外周に属する２点間の距離の内の最大の値を意味している。

【0033】

微細配線ＦＷは信号搬送用の配線である場合があり、その信号は高周波信号であり得る。従って、配線部（埋込配線層）１１０が埋め込まれている第１絶縁層１０１は高周波特性に優れていることが好ましい。配線に接する絶縁層が、比較的高い値の誘電率、誘電正接を有する場合、配線で伝送される高周波信号の誘電損失（伝送損失）が比較的大きい。誘電損失は、信号の周波数が高ければ大きくなる傾向にあり、特に、マイクロ波、ミリ波領域の高周波信号が伝送される場合には、誘電損失が顕著になり得る。従って、配線部（埋込配線層）１１０が埋め込まれている第１絶縁層１０１は、比較的、誘電率および誘電正接の小さい材料が使用されることが好ましく、例えば、周波数１ＧＨｚにおける比誘電率が３．３以下、かつ、誘電正接が０．０３以下であることが好ましい。

【0034】

上述の、絶縁層の比誘電率および誘電正接について、配線部（埋込配線層）１１０直上の第２絶縁層１０２も同様に周波数１ＧＨｚにおける比誘電率が３．３以下、かつ、誘電正接が０．０３以下であることがさらに好ましい。配線部（埋込配線層）１１０が接する絶縁層が全て高周波特性に優れたものであることで、配線部（埋込配線層）１１０はさらに優れた信号伝送品質を有し得る。

【0035】

図２Ａ～図２Ｉを参照して、図１に示される配線基板１が製造される場合を例に、製造方法が説明される。なお、以下に説明される製造方法において形成される各構成要素は、特に異なる記載が無い限り、図１の配線基板１の説明において対応する構成要素の材料として例示された材料を用いて形成され得る。

【0036】

先ず、コア絶縁層２とコア絶縁層２の両面に積層されている金属箔２ｃとを備える基板（出発基板）が用意される。コア絶縁層２は、例えばエポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、またはフェノール樹脂などの任意の絶縁性樹脂によって形成されている。図２Ａに示されるように、コア絶縁層２は芯材２ｄを含んでいる。しかし、コア絶縁層２は芯材２ｄを含んでいなくてもよい。金属箔２ｃは、例えば銅やニッケルなどの任意の金属から形成されている。金属箔２ｃは、例えば熱圧着などの任意の方法でコア絶縁層２の両面それぞれに接合されている。例えば、出発基板として、両面銅張積層板が用意されてもよい。

【0037】

次いで、コア絶縁層２および金属箔２ｃを貫く貫通孔２ａが形成される。貫通孔２ａは、例えば、炭酸ガスレーザー光などのレーザー光を、コア絶縁層２の第１面２Ｆ側および／または第２面２Ｂ側から照射することによって形成され得る。貫通孔２ａはまた、ドリル加工によって形成されてもよい。貫通孔２ａは任意の形成方法を用いて形成されてよい。

【0038】

次いで、金属箔２ｃにおけるコア絶縁層２と反対側の表面の全面および貫通孔２ａを向いて露出する端面、ならびに貫通孔２ａの内壁に、第１めっき膜２ｅが形成される。第１めっき膜２ｅは、例えば、無電解めっき膜と電解めっき膜とで形成される。無電解めっきによって銅またはニッケルなどの任意の金属からなる無電解めっき膜が形成された後、この無電解めっき膜を給電層として用いる電解めっきによって、無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成される。無電解めっき膜の代わりに、スパッタリングによって形成されるスパッタリング膜などの金属膜が形成されてもよい。第１めっき膜２ｅは、単層のめっき膜で形成されていてもよい。所望の厚さを有する第１めっき膜２ｅが形成される。

【0039】

金属箔２ｃの貫通孔２ａに露出している端面上および貫通孔２ａの内壁上への第１めっき膜２ｅの形成により、貫通孔２ａ内に、第１めっき膜２ｅによって構成されていて空洞３ａを中央部に有するスルーホール導体３が形成される。コア絶縁層２の第１面２Ｆおよび第２面２Ｂ上には、それぞれ、金属箔２ｃおよび第１めっき膜２ｅが順に積層される。樹脂４が空洞３ａ内へ充填され、固化された後、コア絶縁層２の第１面２Ｆ側および第２面２Ｂ側の表面全面に第２めっき膜２ｆが形成される。第２めっき膜２ｆは、第１めっき膜２ｅと同様に、無電解めっき膜と電解めっき膜とで形成され得る。例えば、コア絶縁層２の第１面２Ｆ側および第２面２Ｂ側の表面全面に無電解めっき膜が形成され、この無電解めっき膜を給電層として用いて無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成されて、これら２層で第２めっき膜２ｆが構成され得る。

【0040】

この結果、金属箔２ｃと第１めっき膜２ｅと第２めっき膜２ｆとから構成される第３導体層３１および第４導体層４１が、コア絶縁層２の第１面２Ｆ側および第２面２Ｂ側それぞれに形成される。サブトラクティブ法によって第３導体層３１および第４導体層４１をパターニングすることによって所定の導体パターンを備えるコア基板１０が得られる。第３導体層３１および第４導体層４１は、貫通孔２ａおよび空洞３ａを塞ぐ導体パッド５を含んでいる。

【0041】

図２Ｂに示されるように、コア絶縁層２の第１面２Ｆ側に第２層間絶縁層２３および第１導体層１１が形成され、コア絶縁層２の第２面２Ｂ側に層間絶縁層４０および導体層４２が形成される。第２層間絶縁層２３および層間絶縁層４０の形成では、コア絶縁層２の第１面２Ｆおよび第３導体層３１の上、ならびに、コア絶縁層２の第２面２Ｂおよび第４導体層４１の上に、例えばフィルム状のエポキシ樹脂が積層され、加熱および加圧される。その結果、第２層間絶縁層２３および層間絶縁層４０が形成される。第２層間絶縁層２３には第４ビア導体４４を形成するための貫通孔２３ａが、および、層間絶縁層４０にはビア導体４３を形成するための貫通孔４０ａが例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。

【0042】

第１導体層１１および導体層４２は、それぞれ、例えばセミアディティブ法によって形成される。すなわち、第２層間絶縁層２３および層間絶縁層４０の表面、および貫通孔２３ａ、４０ａ内に無電解めっきやスパッタリングによって金属膜が形成される。その金属膜を給電層として用いる電解めっきを含むパターンめっきによってめっき膜が形成される。その後、金属膜の不要部分が例えばエッチングなどで除去される。その結果、所定の導体パターンを含む、第１導体層１１および導体層４２が形成される。貫通孔２３ａ内には第４ビア導体４４が形成され、貫通孔４０ａ内にはビア導体４３が形成される。

【0043】

次いで、図２Ｃに示されるように、図２Ｂを参照して説明された方法と同様の方法で、コア絶縁層２の第１面２Ｆ側に第１絶縁層１０１が形成され、コア絶縁層２の第２面２Ｂ側に絶縁層４０１が形成される。

【0044】

次いで、図２Ｄに示されるように、第１絶縁層１０１に、レーザー加工により貫通孔１０１ａが形成される。貫通孔１０１ａは第１絶縁層１０１を貫通する第２ビア導体２４（図１参照）が形成されるべき位置に形成される。貫通孔１０１ａの形成には、１０μｍ程度の比較的長い波長の炭酸ガスレーザーが用いられ得る。また、比較的波長が短く、絶縁層の加工において比較的優れた直進性を有するエキシマレーザーなどを利用した加工によって、溝１０１ｂが形成される。しかし、貫通孔１０１ａと溝１０１ｂとが一緒にエキシマレーザーによって形成されてもよい。溝１０１ｂは、第１絶縁層１０１に埋め込まれる埋込配線層の形態の配線部１１０が有するべき配線パターンに従って形成される。

【0045】

次いで、図２Ｅに示されるように、第１絶縁層１０１の上側の面全体（貫通孔１０１ａの内部、溝１０１ｂの内部、および、第１絶縁層１０１の上面）を被覆するように金属膜層１１１が形成される。例えば、第１絶縁層１０１の上側の面全体に、無電解めっきまたはスパッタリングなどによって金属膜層１１１が形成される。金属膜層１１１は貫通孔１０１ａ、および、溝１０１ｂの内面、ならびに、第１絶縁層１０１の上面の全域を被覆する。

【0046】

次いで、図２Ｆに示されるように、この金属膜層１１１をシード層として電解めっきが施されて電解めっき膜層１１２が形成される。電解めっき膜層１１２は、貫通孔１０１ａ、溝１０１ｂの金属膜層１１１の内側を充填すると共に、第１絶縁層１０１の上面全域を覆っている。

【0047】

次いで、図２Ｇに示されるように、金属膜層１１１および電解めっき膜層１１２の、第１絶縁層１０１の上面より上の部分が研磨により除去される。第１絶縁層１０１の上面が露出した状態となり、微細配線ＦＷを有する配線部１１０の、第２ビア導体２４と一体化された形成が完了する。金属膜層１１１および電解めっき膜層１１２の研磨は、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）により実施され得る。

【0048】

次いで、図２Ｈに示されるように、図２Ｂを参照して説明された方法と同様の方法で、コア絶縁層２の第１面２Ｆ側に第２絶縁層１０２が形成され、コア絶縁層２の第２面２Ｂ側に絶縁層４０２が形成される。

【0049】

その後、図２Ｉに示されるように、第３ビア導体３４を形成するための貫通孔１０２ａが第２絶縁層１０２に、および、第１ビア導体１４を形成するための貫通孔１３ａが第２絶縁層１０２および第１絶縁層１０１を貫通して、すなわち第１層間絶縁層１３に、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。また、ビア導体４３を形成するための貫通孔４０ａが絶縁層４０２および絶縁層４０１を貫通して、すなわち層間絶縁層４０に、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。次いで、図２Ｂを参照して説明された方法と同様の方法で、コア絶縁層２の第１面２Ｆ側で第２導体層２１が第１ビア導体１４および第３ビア導体３４と一体的に形成され、コア絶縁層２の第２面２Ｂ側で導体層４２がビア導体４３と一体的に形成される。第２導体層２１は、部品実装用の接続パッド２１ｐを含む導体パターンに形成される。導体層４２は、外部要素との接続用の接続パッド４２ｐを含むパターンに形成される。以上の工程を経ることによって図１の例の配線基板１が完成する。

【0050】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、ならびに、本明細書において例示される構造、形状、および材料を備えるものに限定されない。例えば、微細配線を有する配線部は、配線基板を構成する導体層の内の任意の単数または複数の導体層に部分的に形成されていてもよい。配線基板は、コア基板の両面側において任意の層数の絶縁層および導体層を有し得る。また、配線基板の最外側の導体層および絶縁層の上にソルダーレジストが形成されていてもよい。配線基板の最外側の絶縁層上に露出する接続パッド２１ｐ、４２ｐの表面には、保護膜（図示せず）が形成されてもよい。例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、またはＳｎなどからなる保護膜がめっき法により形成され得る。有機材の吹き付けによりＯＳＰ膜が形成されてもよい。

【0051】

本実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されず、その条件や順序等は適宜変更されてよい。現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。

【符号の説明】

【0052】

１ 配線基板
２ コア絶縁層
２ａ コア絶縁層の貫通孔
２ｃ 金属箔
２ｅ 第１めっき膜
２ｆ 第２めっき膜
３ スルーホール導体
３ａ 空洞
４ 樹脂
５ 導体パッド
１０ コア基板
１１ 第１導体層
１３ 第１層間絶縁層
１４ 第１ビア導体
２１ 第２導体層
２１ｐ 接続パッド
２３ 第２層間絶縁層
２４ 第２ビア導体
３１ 第３導体層
３４ 第３ビア導体
４０ 層間絶縁層
４２ 導体層
４２ｐ 接続パッド
４３ ビア導体
４４ 第４ビア導体
１０１ 第１絶縁層
１０２ 第２絶縁層
１１０ 配線部
Ａ 部品搭載領域
ＦＷ 微細配線

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図2E】

【図2F】

【図2G】

【図2H】

【図2I】