特開 2023-79630 接続構造体の製造方法及び接続構造体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023079630

(43)【公開日】2023-06-08

(54)【発明の名称】接続構造体の製造方法及び接続構造体

(51)【国際特許分類】

   H01R 43/02 20060101AFI20230601BHJP

   H05K 1/14 20060101ALI20230601BHJP

   H01R 11/01 20060101ALI20230601BHJP

   H01R 12/71 20110101ALI20230601BHJP

【ＦＩ】

H01R43/02 Z

H05K1/14 F

H01R11/01 501

H01R12/71

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021193181

(22)【出願日】2021-11-29

(71)【出願人】

【識別番号】000108410

【氏名又は名称】デクセリアルズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100113424

【弁理士】

【氏名又は名称】野口 信博

(74)【代理人】

【識別番号】100185845

【弁理士】

【氏名又は名称】穂谷野 聡

(72)【発明者】

【氏名】奥宮 秀昭

(72)【発明者】

【氏名】林 直樹

(72)【発明者】

【氏名】青木 和久

(72)【発明者】

【氏名】柄木田 充宏

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 大祐

【テーマコード（参考）】

5E223

5E344

【Ｆターム（参考）】

5E223AB45

5E223BA07

5E223BB05

5E223BB06

5E223CD01

5E223DA05

5E223DB11

5E223DB25

5E344AA01

5E344AA15

5E344AA22

5E344BB02

5E344BB04

5E344CD18

5E344DD03

5E344EE06

(57)【要約】

【課題】コネクタ同士の嵌合による導通不良を抑えることができる接続構造体の製造方法及び接続構造体を提供する。
【解決手段】配線基板上に半田粒子を含有する異方性導電接着剤を配置し、異方性導電接着剤上に、垂直嵌合コネクタのプラグと、表面実装部品とを配置する配置工程と、半田粒子の融点以上に設定されたリフロー炉を用いて、プラグと表面実装部品とを配線基板に接合させる接合工程とを有し、プラグとレセプタクルとを嵌合させた場合の側部におけるプラグ端子面からレセプタクルのピンまでの高さＴ_１が７０μｍ以上１５０μｍ以下に対し、プラグの側部と表面実装部品の側部との距離Ｗが０．２ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

配線基板上に半田粒子を含有する異方性導電接着剤を配置し、前記異方性導電接着剤上に、垂直嵌合コネクタのプラグと、表面実装部品とを配置する配置工程と、
前記半田粒子の融点以上に設定されたリフロー炉を用いて、前記プラグと前記表面実装部品とを前記配線基板に接合させる接合工程とを有し、
前記プラグとレセプタクルとを嵌合させた場合の側部におけるプラグ端子面からレセプタクルのピンまでの高さが７０μｍ以上１５０μｍ以下に対し、前記プラグの側部と前記表面実装部品の側部との距離が０．２ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である接続構造体の製造方法。

【請求項2】

前記配置工程では、１つの表面実装部品を前記プラグの長手方向に亘って配置する請求項１記載の接続構造体の製造方法。

【請求項3】

前記配置工程では、複数の表面実装部品を前記プラグの側部と表面実装部品の側部との距離が０．２ｍｍ～１．５ｍｍに対し、表面実装部品間の距離が１．５以下となるように、前記プラグの長手方向に配置する請求項１記載の接続構造体の製造方法。

【請求項4】

前記異方性導電接着剤の最低溶融粘度が、１５０Ｐａ・s以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。

【請求項5】

配線基板と、垂直嵌合コネクタのプラグと、表面実装部品と、前記配線基板に前記プラグと前記表面実装部品とを接合する接着層とを備え、
前記プラグとレセプタクルとを嵌合させた場合の側部におけるプラグ端子面からレセプタクルのピンまでの高さが７０μｍ以上１５０μｍ以下に対し、前記プラグの側部と前記表面実装部品の側部との距離が０．２ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である接続構造体。

【請求項6】

１つの表面実装部品が、前記プラグの長手方向に亘って実装されてなる請求項５記載の接続構造体。

【請求項7】

複数の表面実装部品が、前記プラグの側部と表面実装部品の側部との距離が０．２ｍｍ～１．５ｍｍに対し、表面実装部品間の距離が１．５以下となるように、前記プラグの長手方向に実装されてなる請求項５記載の接続構造体。

【請求項8】

前記接着層のバインダーの前記プラグの側部への這い上がり高さが、１５０μｍ以下である請求項５乃至７のいずれか１項に記載の接続構造体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本技術は、コネクタを実装する接続構造体の製造方法及び接続構造体に関する。

【背景技術】

【0002】

リジッド基板やフレキシブル基板への表面実装部品（ＳＭＤ：Surface Mount Device）の実装は、一般的に半田ペーストを基板に印刷し、その上に表面実装部品をマウンター搭載して、その後リフロー工程を用いて実装を行っている。

【0003】

一般的な半田ペーストは、ペースト内の半田自体の絶対量が多く、ファインピッチ接続に対しては半田ブリッジが発生するため限界があった。そこで、ファインピッチに対応するにあたり、配線間に残る半田を少なくするため、半田含有量を下げ、更に半田の自己凝集性能を利用したファインピッチ対応の半田含有の異方性導電接着材が提案されている（例えば、特許文献１、２参照。）。

【0004】

従来のリフローによる基板へのコネクタ部品の実装では、異方性導電接着剤のバインダーの張力と濡れ性によって、バインダー樹脂がコネクタ外周に這い上がってしまう。特に、垂直嵌合コネクタの場合、オス・メスで嵌合される必要があるため、コネクタの機能が果たせなくなってしまうことがある。

【0005】

図８は、従来の基板への垂直嵌合コネクタのプラグの実装例を模式的に示す断面図である。図８に示すように、プラグ１０１のピン１１１Ａ、１１１Ｂと、基板１０５の基板端子１５２Ａ、１５２Ｂとを半田１４２Ａ、１４２Ｂにより接合する場合、異方性導電接着剤１０３のバインダーの張力によってバインダー自体がプラグ１０１側に集まり、また、バインダーの濡れ性によってプラグ１０１の外周にバインダーが這い上がってしまう。バインダーの這い上がり高さＴ_０が大きい場合、ピン１１２Ａ、１１２Ｂの表面が絶縁性のバインダーで覆われてしまうため、コネクタのオス・メスを嵌合させた場合、コネクタ同士の導通が取れなくなってしまう。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０１７－０４１４４２号公報

【特許文献2】特開２０１６－２１９８０８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本技術は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、コネクタ同士の嵌合による導通不良を抑えることができる接続構造体の製造方法及び接続構造体を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本技術に係る接続構造体の製造方法は、配線基板上に半田粒子を含有する異方性導電接着剤を配置し、前記異方性導電接着剤上に、垂直嵌合コネクタのプラグと、表面実装部品とを配置する配置工程と、前記半田粒子の融点以上に設定されたリフロー炉を用いて、前記プラグと前記表面実装部品とを前記配線基板に接合させる接合工程とを有し、前記プラグとレセプタクルとを嵌合させた場合の側部におけるプラグ端子面からレセプタクルのピンまでの高さが７０μｍ以上１５０μｍ以下に対し、前記プラグの側部と前記表面実装部品の側部との距離が０．２ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である。

【0009】

本技術に係る接続構造体は、配線基板と、垂直嵌合コネクタのプラグと、表面実装部品と、前記配線基板に前記プラグと前記表面実装部品とを接合する接着層とを備え、前記プラグとレセプタクルとを嵌合させた場合の側部におけるプラグ端子面からレセプタクルのピンまでの高さが７０μｍ以上１５０μｍ以下に対し、前記プラグの側部と前記表面実装部品の側部との距離が０．２ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である。

【発明の効果】

【0010】

本技術によれば、垂直嵌合コネクタのプラグの側部と表面実装部品の側部との距離を所定範囲とすることにより、プラグの側部にバインダーが這い上がるのを抑制し、コネクタ同士の嵌合による導通不良を抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、垂直嵌合コネクタのプラグの短手方向の一例を模式的に示す断面図である。

【図2】図２は、垂直嵌合コネクタのレセプタクルの短手方向の一例を模式的に示す断面図である。

【図3】図３は、図１に示すプラグと図２に示すレセプタクルとを嵌合させた短手方向の状態を模式的に示す断面図である。

【図4】図４は、本技術を適用させた配置工程の一例を模式的に示す断面図である。

【図5】図５は、本技術を適用させた接続構造体の一例を模式的に示す断面図である。

【図6】図６は、本技術を適用させた接続構造体の他の例を模式的に示す平面図である。

【図7】図７は、プラグの長手方向に複数の周辺部品を実装する場合の周辺部品間の距離を評価する試験を説明するための平面図である。

【図8】図８は、従来の基板への垂直嵌合コネクタのプラグの実装例を模式的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、本技術の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
１．接続構造体の製造方法
２．接続構造体
３．熱硬化性接続材料
４．実施例

【0013】

＜１．接続構造体の製造方法＞
本実施の形態に係る接続構造体の製造方法は、配線基板上に半田粒子を含有する異方性導電接着剤を配置し、異方性導電接着剤上に、垂直嵌合コネクタのプラグと、表面実装部品とを配置する配置工程と、半田粒子の融点以上に設定されたリフロー炉を用いて、プラグと表面実装部品とを配線基板に接合させる接合工程とを有し、プラグとレセプタクルとを嵌合させた場合の側部におけるプラグ端子面からレセプタクルのピンまでの高さが７０μｍ以上１５０μｍ以下に対し、プラグの側部と表面実装部品の側部との距離が０．２ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である。これにより、プラグの側部にバインダーが這い上がるのを抑制し、コネクタ同士の嵌合による導通不良を抑えることができる。ここで、接続構造体とは、二つの材料または部材が電気的に接続されたものをいう。また、接合とは、二つの材料または部材をつなぎ合わせることをいう。

【0014】

図１は、垂直嵌合コネクタのプラグの短手方向の一例を模式的に示す断面図であり、図２は、垂直嵌合コネクタのレセプタクルの短手方向の一例を模式的に示す断面図であり、図３は、図１に示すプラグと図２に示すレセプタクルとを嵌合させた短手方向の状態を模式的に示す断面図である。

【0015】

図１に示すように、垂直嵌合コネクタのプラグ１は、第１のオス型のピン１１Ａと、第２のオス型のピン１１Ｂと、第１のオス型のピン１１Ａから底面に伸び、短手方向の外側に伸びた第１のプラグ端子１２Ａと、第２のオス型のピン１１Ｂから底面に伸び、短手方向の外側に伸びた第２のプラグ端子１２Ｂと、これらを固定する絶縁樹脂とを備える。絶縁樹脂は、例えばポリアミド、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）などからなり、例えば樹脂成形により、ピン１１Ａ、１１Ｂ及びプラグ端子１２Ａ、１２Ｂを長手方向に所定のピッチで固定する。また、プラグ端子１２Ａ、１２Ｂの端部には、それぞれリードが形成され、プラグ端子１２Ａ、１２Ｂは、表面実装型のリードアレイを構成する。

【0016】

図２に示すように、垂直嵌合コネクタのレセプタクル２は、第１のメス型のピン２１Ａと、第２のメス型のピン２１Ｂと、第１のメス型のピン２１Ａから底面に伸び、短手方向の外側に伸びたレセプタクル端子列２２Ａと、第２のメス型のピン２１Ｂから底面に伸び、短手方向の外側に伸びた第２のレセプタクル端子２２Ｂと、ピン２１Ａ、２１Ｂ及びレセプタクル端子２２Ａ、２２Ｂを長手方向に所定のピッチで固定する絶縁樹脂とを備える。絶縁樹脂は、例えばポリアミド、ＬＣＰなどからなり、例えば樹脂成形により、ピン２１Ａ、２１Ｂ及びレセプタクル端子２２Ａ、２２Ｂを長手方向に所定のピッチで固定する。また、レセプタクル端子２２Ａ、２２Ｂの端部には、それぞれリードが形成され、レセプタクル端子２２Ａ、２２Ｂは、表面実装型のリードアレイを構成する。

【0017】

図３に示すように、オス型のピン１１Ａ、１１Ｂと、メス型のピン２１Ａ、ピン２１Ｂとを嵌合させた場合の側部におけるプラグ端子１２Ａ、１２Ｂの底面からレセプタクル２のピン２１Ａ、２１Ｂまでの高さＴ_１は、７０μｍ以上１５０μｍ以下であり、好ましくは７０μｍ以上１４０μｍ以下、より好ましくは７０μｍ以上１３０μｍ以下である。この高さＴ_１が高くなると、垂直嵌合コネクタが高背化してしまい、接続構造体の小型化の観点から好ましくない。なお、レセプタクル２のメス型のピン２１Ａ、２１Ｂは、凹型の形状をしているが、高さＴ_１は、凹型の形状のピン２１Ａ、２１Ｂのレセプタクル２側部側、すなわちレセプタクル端子２２Ａ、２２Ｂ側を測定する。

【0018】

プラグ１側部のバインダーの這い上り高さが、プラグ１とレセプタクル２との嵌合状態の側部におけるプラグ端子１２Ａ、１２Ｂの底面からレセプタクル２のピン２１Ａ、２１Ｂまでの高さＴ_１よりも大きい場合、プラグ１とレセプタクル２との嵌合不足が発生し、導通不良が発生してしまう。本実施の形態では、垂直嵌合コネクタのプラグの周辺に表面実装部品を実装し、プラグの側部と表面実装部品の側部との距離を所定範囲とすることにより、プラグの側部にバインダーが這い上がるのを抑制する。

【0019】

以下、図４及び図５を参照して、配線基板上に半田粒子を含有する異方性導電フィルムを配置し、異方性導電フィルム上に、垂直嵌合コネクタのプラグと、表面実装部品とを配置する配置工程と、半田粒子の融点以上に設定されたリフロー炉を用いて、プラグと表面実装部品とを配線基板に接合させる接合工程とについて説明する。

【0020】

［配置工程］
図４は、本技術を適用させた配置工程を模式的に示す断面図である。配置工程では、配線基板５上に半田粒子４１を含有する異方性導電接着剤４を配置し、異方性導電接着剤４上に、垂直嵌合コネクタのプラグ１と、表面実装部品３とを配置する。例えば、ツールを用いてプラグ１のプラグ端子１２Ａ、１２Ｂと配線基板５の基板端子５２Ａ、５２Ｂとを位置合わせするとともに、表面実装部品３の表面実装用の端子と配線基板５の端子５３とを位置合わせし、異方性導電接着剤４上にプラグ１及び表面実装部品３を搭載する。ツールは、一般的にはマウンターのツールとなるが、プラグ１及び表面実装部品３を吸着する吸着機構を備えることが好ましく、加熱型ピックアップツールであってもよい。また、異方性導電接着剤は、ペースト状であってもフィルム状であってもよい。ペースト状のものを表面実装部品の搭載時にフィルム状に近い形態としてもよい。

【0021】

また、配置工程では、プラグ１とレセプタクル２とを嵌合させた場合の側部におけるプラグ端子面からレセプタクル２のピンまでの高さＴ_１が７０μｍ以上１５０μｍ以下に対し、プラグ１の側部と表面実装部品３の側部との距離Ｗが０．２ｍｍ以上３．０ｍｍ以下の条件となるように、プラグ１と表面実装部品３とを配置する。好ましい配置条件は、上記範囲の高さＴ_１に対して距離Ｗが０．２ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり、より好ましい配置条件は、上記範囲の高さＴ_１に対して距離Ｗが０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。距離Ｗが０．２ｍｍとなると、プラグ端子１２Ａ、１２Ｂの端部のリードに干渉してしまい、距離Ｗが２．０ｍｍを超えると、プラグ１の側部に異方性導電接着剤４のバインダーが這い上がるのを抑制することが困難となる。

【0022】

配置工程では、１つの表面実装部品３をプラグ１の長手方向に亘って配置することが好ましい。また、複数の表面実装部品３をプラグ１の長手方向に好ましくは１．５ｍｍ以下の距離、より好ましくは１．０ｍｍ以下の距離、さらに好ましくは０．５ｍｍ以下の距離で配置する。このように表面実装部品３をプラグ１の長手方向に配置することにより、ピン１１Ａ、１１Ｂが並んだ長手方向に亘ってプラグ１の側部に異方性導電接着剤４のバインダーが這い上がるのを抑制することができる。また、プラグ１の側部と表面実装部品３の側部との距離Ｗと表面実装部品３間の距離Ｗｓとの関係から、プラグ１の側部と表面実装部品３の側部との距離Ｗが０．２ｍｍ～１．５ｍｍに対し、表面実装部品３間の距離Ｗｓが１．５ｍｍ～０．２ｍｍの関係となるように配置することが好ましい。これにより、這い上がり高さを１２０μｍ以下とすることができる。

【0023】

また、配置工程では、ツールにてプラグ１及び表面実装部品３側から押圧する仮圧着であってもよい。仮圧着条件としては、好ましくは２．０ＭＰａ以下、より好ましくは１．５ＭＰａ以下、さらに好ましくは１．０ＭＰａ以下である。

【0024】

プラグ１及び表面実装部品３を押圧した場合、半田粒子４１の平均粒径に対する異方性導電接着剤４の厚みの比の上限は、好ましくは３．０以下、より好ましくは２．０以下、さらに好ましくは１．５以下である。プラグ１及び表面実装部品３の端子列と配線基板５の端子列との距離を半田粒子径の近傍まで異方性導電接着剤４を押し込むことにより、基板と部品間にある残留気泡を低減させ、接着性を高めることができる。

【0025】

［接合工程］
接合工程では、半田粒子４１の融点以上に設定されたリフロー炉を用いて、プラグ１と表面実装部品３とを配線基板５に接合させ、プラグ１と表面実装部品３とを配線基板５に一括実装させる。

【0026】

リフロー炉としては、大気圧リフロー、真空リフロー、大気圧オーブン、オートクレーブ（加圧オーブン）などが挙げられ、これらの中でも、接合部に内包する気泡を排除することができる真空リフロー、オートクレーブなどを用いることが好ましい。リフロー炉は、機械的な加圧をせずに無荷重で加熱接合させることができるため、プラグ１、表面実装部品３及び配線基板５のダメージを抑制することができる。

【0027】

リフロー炉におけるピーク温度（最高到達温度）の下限は、半田粒子４１が溶融する温度以上であって、異方性導電接着剤４が硬化を始める温度以上であれば良く、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１８０℃以上、さらに好ましくは２００℃以上である。また、リフロー炉におけるピーク温度の上限は、３００℃以下、より好ましくは２９０℃以下、さらに好ましくは２８０℃以下である。

【0028】

リフロー炉では、加熱により異方性導電接着剤４が溶融し、半田融点以上である本加熱により電極間の半田粒子４１がバインダー流動などで移動・凝集して溶融し、半田が電極に濡れ広がり、冷却によりプラグ１のプラグ端子１２Ａ、１２Ｂと配線基板５の基板端子５２Ａ、５２Ｂとが半田接合されるとともに、表面実装部品３の端子と配線基板５の端子とが半田接合される。

【0029】

リフローは、昇温工程と降温工程のほか、一定温度に維持する工程（キープ工程）を含んでいてもよい。最も高温となるピーク工程があってもよく、昇温もしくは降温の途中でピーク工程を含んでいてもよい。昇温工程は、バインダーを溶融させる工程（例えば１２０℃まで）と、半田粒子が溶融し塗れ広がる工程（例えば１２０～１７５℃）の２段階となっていてもよい。そのため昇温速度は一例として１０～１２０℃／ｍｉｎでもよく、２０～１００℃／ｍｉｎでもよい。キープ工程（例えば１７５～１８０℃）の維持時間は、バインダーを硬化させる工程ともなる。この温度は、一例として温度１６０～２３０℃であり、５～１０℃程度の差があってもよく、ピーク温度と同じでもよい。この時間は適宜選択でき、例えば０．５ｍｉｎ以上や０．７５ｍｉｎ以上であり、長すぎると製造効率が悪化するので、例えば５ｍｉｎ以下や３ｍｉｎ以下である。

【0030】

例えば、異方性導電接着剤４のバインダーが熱硬化性である場合、リフロー工程の昇温・維持・降温と、バインダーの熱硬化性の挙動を合わせることにより、リフロー工程における樹脂溶融、端子間での半田粒子の挟持、半田溶融・樹脂硬化を最適化することができる。バインダーの熱硬化性の挙動は、ＤＳＣ測定やレオメーターによる粘度測定により知ることができる。

【0031】

図５は、本技術を適用させた接続構造体の一例を模式的に示す断面図である。接続構造体は、プラグ１のプラグ端子１２Ａ、１２Ｂと配線基板５の基板端子５２Ａ、５２Ｂとが半田４２Ａ、４２Ｂで接合されるとともに、表面実装部品３の端子と配線基板５の端子とが半田４２Ｃで接合されて構成される。また、接続構造体は、プラグ１と表面実装部品３とが配置工程における配置条件のままの距離で実装される。

【0032】

本実施の形態に係る接続構造体の製造方法によれば、プラグとレセプタクルとを嵌合させた場合の側部におけるプラグ端子面からレセプタクルのピンまでの高さＴ_１に対し、プラグの側部と表面実装部品の側部との距離を所定の条件とすることにより、プラグの側部においてバインダーが這い上がるプラグ端子面からの高さＴ_２を低減し、コネクタ同士の嵌合による導通不良を抑えることができる。

【0033】

＜２．接続構造体＞
本実施の形態に係る接続構造体は、配線基板と、垂直嵌合コネクタのプラグと、表面実装部品と、配線基板にプラグと表面実装部品とを接合する接着層とを備え、プラグとレセプタクルとを嵌合させた場合の側部におけるプラグ端子面からレセプタクルのピンまでの高さが７０μｍ以上１５０μｍ以下に対し、プラグの側部と表面実装部品の側部との距離が０．２ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である。プラグの側部にバインダーが這い上がるのを抑制し、コネクタ同士の嵌合による導通不良を抑えることができる。

【0034】

図４及び図５に示すように、接続構造体は、プラグ端子１２Ａ、１２Ｂを有するプラグ１と、プラグ端子１２Ａ、１２Ｂに対応する基板端子５２Ａ、５２Ｂを有する配線基板３と、プラグ端子１２Ａ、１２Ｂと基板端子５２Ａ、５２Ｂとを半田４２Ａ、４２Ｂにより接合するとともに、表面実装部品３の端子と配線基板５の端子５３とを半田４２Ｃにより接合する接着層とを備える。

【0035】

プラグ１は、第１のオス型のピン１１Ａと、第２のオス型のピン１１Ｂと、第１のオス型のピン１１Ａから底面に伸び、短手方向の外側に伸びた第１のプラグ端子１２Ａと、第２のオス型のピン１１Ｂから底面に伸び、短手方向の外側に伸びた第２のプラグ端子１２Ｂと、これらを固定する絶縁樹脂とを備える。

【0036】

プラグ端子１２Ａ、１２Ｂ及び基板端子５２Ａ、５２Ｂにおける隣接端子間距離（スペース間距離）の最小値の上限は、好ましくは０．８ｍｍ以下、より好ましくは０．３ｍｍ以下、さらに好ましくは０．２ｍｍ以下である。また、プラグ端子１２Ａ、１２Ｂ及び基板端子５２Ａ、５２Ｂにおける隣接端子間の距離の最小値の下限は、好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以上、さらに好ましくは７０μｍ以上である。これ以下となるとショート発生のリスクが高くなる。また、プラグ端子１２Ａ、１２Ｂの表面は、金メッキされていることが好ましい。

【0037】

表面実装部品３としては、半田リフローにより接合可能なものであれば特に限定されるものではなく、例えば、コネクタ、ＩＣ（Integrated Circuit）やＬＳＩ（Large Scale Integration）のパッケージ、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、スイッチなどが挙げられる。

【0038】

配線基板５は、基材５１上にプラグ端子１２Ａ、１２Ｂに対応する基板端子５２Ａ、５２Ｂを備える。配線基板５は、所謂プリント配線板（ＰＷＢ）として広義に定義できるものであればよく、リジット基板であっても、フレキシブル基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）であってもよい。基材５１種類による基板例としては、例えば、ガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板などが挙げられる。

【0039】

基板端子５２Ａ、５２Ｂの隣接端子間には、ソルダーレジストに用いられる短絡防止の加工（壁や溝など）が形成されていないことが経済性の観点から好ましい。例えば、基板端子５２Ａ、５２Ｂの隣接端子間のスペース部の高さの上限は、好ましくは基板端子５２Ａ、５２Ｂの高さの１００μｍ以下、より好ましくは３５μｍ以下、さらに好ましくは１２μｍ以下である。また、基板端子５２Ａ、５２Ｂの隣接端子間の端子からの高さの下限は、基板端子５２Ａ、５２Ｂの高さと同じ（端子間が水平で基板面と同一であり、端子の隆起がない状態、基板の接続面がフラットな状態）であってもよく、基板に設けられた基板端子５２Ａ、５２Ｂが基板平面より突出していてもよい。また、基板端子５２Ａ、５２Ｂの表面は、金メッキされていることが好ましい。

【0040】

接着層は、プラグ端子１２Ａ、１２Ｂと基板端子５２Ａ、５２Ｂとを接合する半田４２Ａ、４２Ｂを備える。接着層は、後述する異方性導電接着剤が硬化したものであり、プラグ端子１２Ａ、１２Ｂと基板端子５２Ａ、５２Ｂとを半田４２Ａ、４２Ｂにより接合するとともに、表面実装部品３の端子と配線基板５の端子とを半田４２Ｃにより接合する。一つの基板端子５２Ａ、５２Ｂ内には、複数の半田接合箇所が存在してもよく、複数の半田接合箇所以外は、バインダーによる接着箇所が存在してもよい。なお、プラグ端子１２Ａ、１２Ｂと基板端子５２Ａ、５２Ｂとの電極同士が直接接触し、バインダーがこれを保持してもよい。また、電極同士で接続している近傍の半田粒子が、これを補助するように働いてもよい。半田粒子は、電極間に挟持されていてもよく、電極間が直接接続した後に、その周辺に存在する半田粒子が溶融し、接合に寄与してもよい。

【0041】

また、接続構造体は、プラグ１とレセプタクル２とを嵌合させた場合の側部におけるプラグ端子面からレセプタクル２のピンまでの高さＴ_１が７０μｍ以上１５０μｍ以下に対し、プラグ１の側部と表面実装部品３の側部との距離Ｗが０．２ｍｍ以上３．０ｍｍ以下の条件で実装される。好ましい実装条件は、上記範囲の高さＴ_１に対して距離Ｗが０．２ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり、より好ましい実装条件は、上記範囲の高さＴ_１に対して距離Ｗが０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。距離Ｗが０．２ｍｍとなると、プラグ端子１２Ａ、１２Ｂの端部のリードに干渉することや、レセプタクルとの嵌合が困難となることがある。また、距離Ｗが２．０ｍｍを超えると、プラグ１の側部においてバインダーが這い上がるプラグ端子面からの高さＴ_２を低減することが困難となる。

【0042】

図６は、本技術を適用させた接続構造体の他の例を模式的に示す平面図である。接続構造体は、１つの表面実装部品３がプラグ１の一方の側面に、長手方向に亘って実装されてなることが好ましい。また、図６に示すように、接続構造体は、複数の表面実装部品３がプラグ１の一方の側面に、長手方向に所定の距離Ｗｓで実装されてなることが好ましい。

【0043】

図６に示す接続構造体は、プラグ１と、複数もしくは複数種類の表面実装部品３とを備え、複数の表面実装部品３は、プラグ１の側部と表面実装部品３の側部とが所定の距離Ｗとなるように実装され、プラグ１の第１のピン１１Ａの側面及び第２のピン１２Ａの側面に、長手方向に亘って所定の距離Ｗｓの間隔となるように実装される。なお、図６に示すプラグ１のＡ－Ａ断面は、図４及び図５に示すプラグ１の短手方向の断面である。

【0044】

複数の表面実装部品３は、プラグ１の長手方向に好ましくは１．５ｍｍ以下の距離Ｗｓ、より好ましくは１．０ｍｍ以下の距離Ｗｓ、さらに好ましくは０．５ｍｍ以下の距離Ｗｓで実装する。このように表面実装部品３をプラグ１の長手方向に実装することにより、ピン１１Ａ、１１Ｂが並んだ長手方向に亘ってプラグ１の側部に異方性導電接着剤４のバインダーが這い上がるのを抑制することができる。

【0045】

また、プラグ１の側部と表面実装部品３の側部との距離Ｗと表面実装部品３間の距離Ｗｓとの関係から、プラグ１の側部と表面実装部品３の側部との距離Ｗが０．２ｍｍ～１．５ｍｍに対し、表面実装部品３間の距離Ｗｓが１．５ｍｍ以下の関係となるように実装することが好ましい。これにより、這い上がり高さＴ_２を１２０μｍ以下とすることができる。

【0046】

本実施の形態に係る接続構造体によれば、プラグとレセプタクルとを嵌合させた場合の側部におけるプラグ端子面からレセプタクルのピンまでの高さに対し、プラグの側部と表面実装部品の側部との距離を所定の条件とすることにより、プラグの側部にバインダーが這い上がるのを抑制し、コネクタ同士の嵌合による導通不良を抑えることができる。また、本実施の形態に係る接続体は、ＢＧＡ（Ball grid array）などで広く使われている半田粒子により接続されており、接続信頼性が高いため、センサー機器、車載用機器、ＩｏＴ（Internet of Things）機器など、多くの用途に適用することができる。

【0047】

＜３．異方性導電接着剤＞
本実施の形態に係る異方性導電接着剤は、半田粒子を含有し、最低溶融粘度が、１５０Ｐａ・ｓ以下、好ましくは１００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは８０Ｐａ・ｓ以下、さらに好ましくは５０Ｐａ・ｓ以下である。最低溶融粘度を高くすると、リフローにおいてプラグの側部にバインダーが這い上がるのを抑制することができるものの、無荷重では半田粒子の流動が悪化し、凝集溶融することができず、端子間の半田接続に支障を来たす虞がある。また、異方性導電接着剤の最低溶融粘度が１５０Ｐａ・ｓ以下の場合、バインダーのプラグの側部への這い上がり高さは約１５５μｍの一定値となるが、プラグの側部と表面実装部品の側部との距離を所定の条件とすることにより、プラグの側部においてバインダーが這い上がるプラグ端子面からの高さＴ_２を１５０μｍ以下とすることができる。

【0048】

また、異方性導電接着剤の最低溶融粘度到達温度は、好ましくは半田粒子の融点の±５０℃、より好ましくは半田粒子の融点の±４０℃、さらに好ましくは半田粒子の溶点の±３０℃である。これにより、半田溶融前に最低溶融粘度に到達して樹脂を溶融させ、樹脂溶融後に半田粒子を溶融させ、その後、樹脂を硬化させることができるため、良好な半田接合を得ることができる。ここで、異方性導電接着剤の最低溶融粘度到達温度は、例えば、回転式レオメーター（ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製）を用い、測定圧力５ｇ、温度範囲３０～２００℃、昇温速度１０℃／分、測定周波数１０Ｈｚ、測定プレート直径８ｍｍ、測定プレートに対する荷重変動５ｇの条件で測定し、粘度が最低値（最低溶融粘度）となる温度をいう。

【0049】

異方性導電接着剤は、フィルム状、又はペースト状のいずれであってもよい。また、ペーストを接続時にフィルム状にしても、部品を搭載することでフィルムに近い形態としてもよい。ペースト状の場合、基板上に所定量を均一に塗布することができればよく、例えば、ディスペンス、スタンピング、スクリーン印刷等の塗布方法を用いることができ、必要に応じて乾燥させてもよい。フィルム状の場合、フィルム厚により接合材料（例えば、異方性導電接合材料）の量を均一化することができるだけでなく、取り扱い易いので作業効率を高くすることができる。

【0050】

異方性導電接着剤がフィルム状である場合、半田粒子の平均粒径に対する異方性導電接着剤の厚みの比の下限は、好ましくは０．６以上、より好ましくは０．８以上、さらに好ましくは０．９以上である。半田粒子の平均粒径に対する異方性導電接着剤の厚みの比が大きい場合、前述の配置工程において、半田粒子の電極間への挟持が容易になるが、フィルムにした場合に取り扱い性の難易度が高くなる虞がある。

【0051】

また、半田粒子の平均粒径に対する異方性導電接着剤の厚みの比の上限は、好ましくは３．０以下、より好ましくは２．０以下、さらに好ましくは１．５以下である。

【0052】

フィルム厚みは、１μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下を測定できる公知のマイクロメータやデジタルシックネスゲージ（例えば、株式会社ミツトヨ：ＭＤＥ－２５Ｍ、最小表示量０．０００１ｍｍ）を用いて測定することができる。フィルム厚みは、１０箇所以上を測定し、平均して求めればよい。但し、粒子径よりもフィルム厚みが薄い場合には、接触式の厚み測定器は適さないので、レーザー変位計（例えば、株式会社キーエンス、分光干渉変位タイプＳＩ－Ｔシリーズなど）を用いることが好ましい。ここで、フィルム厚みとは、バインダー樹脂層のみの厚みであり、粒子径は含まない。

【0053】

異方性導電接着剤のバインダーは、熱硬化性であっても、熱可塑性であってもよいが、リフロー工程による温度制御により溶融・硬化可能な熱硬化性であることが好ましい。以下では、熱硬化性バインダー（絶縁性バインダー）について説明する。

【0054】

［熱硬化型バインダー］
熱硬化性バインダーは、発熱ピーク温度が、半田粒子の融点よりも高いことが好ましく、半田粒子の融点よりも低い溶融温度を有するものであることが好ましい。ここで、発熱ピーク温度は、回転式レオメーター（サーモフィッシャー社製）を用い、測定圧力１Ｎ温度範囲３０～２００℃、昇温速度１０℃／分、測定周波数１Ｈｚ、測定プレート直径８ｍｍの条件で測定することができる。これにより、加熱により熱硬化性バインダーが溶融し、半田粒子が端子間に挟持された状態で半田が溶融するため、ファインピッチの電極を備える電子部品を接合させることができる。

【0055】

熱硬化型バインダーとしては、（メタ）アクリレート化合物と熱ラジカル重合開始剤とを含む熱ラジカル重合型樹脂組成物、エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤とを含む熱カチオン重合型樹脂組成物、エポキシ化合物と熱アニオン重合開始剤とを含む熱アニオン重合型樹脂組成物などが挙げられる。また、公知の粘着剤組成物を用いてもよい。なお、（メタ）アクリルモノマーとは、アクリルモノマー、及びメタクリルモノマーのいずれも含む意味である。

【0056】

以下では、具体例として、固形エポキシ樹脂と、液状エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤とを含有する熱アニオン重合型樹脂組成物を例に挙げて説明する。

【0057】

固形エポキシ樹脂は、常温で固形であり、分子内に１つ以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であれば、特に限定されるものではなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等であってもよい。これにより、フィルム形状を維持することができる。なお、常温とは、ＪＩＳ Ｚ ８７０３で規定する２０℃±１５℃（５℃～３５℃）の範囲である。

【0058】

液状エポキシ樹脂は、常温で液状であれば、特に限定されるものではなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等であってもよく、ウレタン変性のエポキシ樹脂であっても構わない。

【0059】

液状エポキシ樹脂の配合量は、固形エポキシ樹脂１００質量部に対し、好ましくは１６０質量部以下、より好ましくは１００質量部以下、さらに好ましくは７０質量部以下である。液状エポキシ樹脂の配合量が多くなると、フィルム形状を維持することが困難となる。また、液状エポキシ樹脂の配合量が多くなると、熱硬化後の硬化物性が一般的に高架橋密度による高弾性となるため、ストレス緩和能力が小さくなる。

【0060】

エポキシ樹脂硬化剤は、熱で硬化が開始する熱硬化剤であれば、特に限定されるものではなく、例えば、アミン、イミダゾール等のアニオン系硬化剤、スルホニウム塩等のカチオン系硬化剤が挙げられる。また、硬化剤は、フィルム化させる際に使用される溶剤に対して耐性が得られるようにマイクロカプセル化されていてもよい。

【0061】

［半田粒子］
半田粒子は、例えばＪＩＳ Ｚ ３２８２－１９９９に規定されている、Ｓｎ－Ｐｂ系、Ｐｂ－Ｓｎ－Ｓｂ系、Ｓｎ－Ｓｂ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ｂｉ系、Ｂｉ－Ｓｎ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｉｎ系、Ｓｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ａｇ系、Ｐｂ－Ａｇ系などから、電極材料や接続条件などに応じて適宜選択することができる。Ｂｉ系の半田は、靭性の低い合金であるため、半田の金属結合部におけるクラック発生などの懸念があるものの、本技術を適用することにより、ストレスを緩和し、半田の金属結合部におけるクラック発生を抑制し、接続抵抗値の上昇を抑えることができる。

【0062】

半田粒子の融点の下限は、好ましくは１１０℃以上、より好ましくは１２０℃以上、さらに好ましくは１３０℃以上。半田粒子の融点の上限は、２００℃以下でもよく、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１６０℃以下、さらに好ましくは１５０℃以下である。また、半田粒子は、表面を活性化させる目的でフラックス化合物が直接表面に結合されていても構わない。表面を活性化させることで電極部との金属結合を促進することができる。

【0063】

半田粒子の平均粒径は、表面実装部品の第１の端子列及び配線基板の第２の端子列における端子間距離（スペース間距離）の最小値の０．５倍以下であることが好ましく、０．３倍以下であることがより好ましく、０．２倍以下であることがさらに好ましい。このようなスペース間距離及び半田粒子の平均粒径との関係より、リフロー炉を用いて、表面実装部品の第１の端子列と配線基板の第２の端子列とを接合させることができる。半田粒子の平均粒径が表面実装部品の第１の端子列及び配線基板の第２の端子列における端子間距離の最小値の０．５倍より大きくなると、ショートが発生する可能性が高くなる。

【0064】

半田粒子の平均粒径の下限は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上である。これにより、フィルムの塗布厚みを一定にすることができる。半田粒子の平均粒径が０．５μｍより小さいと電極部と良好な半田接合状態を得ることができず、信頼性が悪化する傾向にある。また、半田粒子の平均粒径の上限は、５０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。

【0065】

平均粒径は、金属顕微鏡、光学顕微鏡、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）等の電子顕微鏡などを用いた観察画像において、例えばＮ＝２０以上、好ましくはＮ＝５０以上、さらに好ましくはＮ＝２００以上で測定した粒子の長軸径の平均値であり、粒子が球形の場合は、粒子の直径の平均値である。また、観察画像を公知の画像解析ソフト（「ＷｉｎＲＯＯＦ」：三谷商事（株）、「Ａ像くん（登録商標）」：旭化成エンジニアリング株式会社など）を用いて計測された測定値、画像型粒度分布測定装置（例として、ＦＰＩＡ－３０００（マルバーン社））を用いて測定した測定値（Ｎ＝１０００以上）であってもよい。観察画像や画像型粒度分布測定装置から求めた平均粒径は、粒子の最大長の平均値とすることができる。なお、異方性導電接着剤を作製する際には、簡易的にレーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における頻度の累積が５０％になる粒径（Ｄ５０）、算術平均径（体積基準であることが好ましい）などのメーカー値を用いることができる。

【0066】

また、半田粒子の最大径は、平均粒径の２００％以下、好ましくは平均粒径の１５０％以下、より好ましくは平均粒径の１２０％以下とすることができる。半田粒子の最大径が、上記範囲であることにより、半田粒子を電極間に挟持させ、半田粒子の溶融により電極間を接合させることができる。

【0067】

また、複数の半田粒子が凝集した凝集体である場合、凝集体の大きさを前述の半田粒子の平均粒径や最大径と同等にしてもよく、半田粒子の平均粒径や最大径を上述の値より小さくしてもよい。個々の半田粒子の大きさは、前述した画像観察により求めることができる。

【0068】

半田粒子は、バインダー中に分散されていることが好ましく、半田粒子はランダム配置であっても、一定の規則で配置されていても良い。また、半田粒子は、複数個が凝集した凝集体であってもよい。

【0069】

半田粒子の配合量の質量比範囲の下限は、好ましくは３０ｗｔ％以上、より好ましくは４０ｗｔ％以上、さらに好ましくは５０ｗｔ％以上である。また、半田粒子の配合量の体積比範囲の下限は、好ましくは５ｖｏｌ％以上、より好ましくは８ｖｏｌ％以上、さらに好ましくは１２ｖｏｌ％以上である。半田粒子の配合量は、前述の質量比範囲又は体積比範囲を満たすことにより、優れた導通性、放熱性、及び接着性を得ることができる。半田粒子がバインダー中に存在する場合には、体積比を用いてもよく、異方性導電接合材料を製造する場合（半田粒子がバインダーに存在する前）には、質量比を用いてもよい。質量比は、配合物の比重や配合比などから体積比に変換することができる。半田粒子の配合量が少なすぎると優れた導通性、放熱性、及び接着性が得られなくなり、配合量が多すぎると異方性が損なわれ易くなり、優れた導通信頼性が得られ難くなる。

【0070】

［他の添加剤］
異方性導電接着剤には、上述したバインダー、半田粒子に加えて、本発明の効果を損なわない範囲で、従来、接着剤として使われている種々の添加剤を配合することができる。添加剤の粒子径は、半田粒子の平均粒子径よりも小さいことが望ましいが、電極間接合を阻害しない大きさであれば特に限定はない。

【0071】

前述の異方性導電接着剤は、例えば、絶縁性バインダー、半田粒子を溶剤中で混合し、この混合物を、バーコーターにより、剥離処理フィルム上に所定厚みとなるように塗布した後、乾燥させて溶媒を揮発させることにより得ることができる。また、混合物をバーコーターにより剥離処理フィルム上に塗布した後、加圧により所定厚みとしてもよい。また、半田粒子の分散性を高くするために、溶媒を含んだ状態で高シェアをかけることが好ましい。例えば、公知のバッチ式遊星攪拌装置を用いることができる。また、異方性導電接着剤の残溶剤量は、好ましくは２％以下、より好ましくは１％以下である。

【実施例0072】

＜４．実施例＞
本実施例では、半田粒子を含有する異方性導電フィルムを用いてコネクタ部品と周辺部品とを所定距離に配置してリジッド基板に実装した。そして、実装体の絶縁評価、及び接続抵抗値評価を行った。なお、本実施例は、これらに限定されるものではない。

【0073】

［異方性導電フィルムの作製］
固形エポキシ樹脂（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、三菱ケミカル（株）、ＪＥＲ４００７Ｐ）を８０質量部、液状エポキシ樹脂（ジシクロペンタジエン骨格エポキシ樹脂、ＡＤＥＫＡ（株）、ＥＰ４０８８Ｌ）を２０質量部、エポキシ樹脂硬化剤（イミダゾール系硬化剤、四国化成工業（株）、キュアゾール２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ）を５質量部、フラックス化合物（グルタル酸（１，３－プロパンジカルボン酸）、東京化成（株））を３質量部、及び平均粒子径２０μｍの半田粒子（ＭＣＰ－１３７、５ＮＰｌｕｓ ｉｎｃ、Ｓｎ－５８Ｂｉ合金、固相線温度１３８℃）を２００質量部配合し、厚み３５μｍの異方性導電フィルムを作製した。また、異方性導電接着剤の最低溶融粘度は約１００Ｐａ・ｓであった。

【0074】

［コネクタの実装］
下記コネクタ部品、周辺部品、及び基板を準備し、基板上に異方性導電フィルムを載せ、基板の配線に合わせてコネクタ部品と周辺部品とを所定距離の間隔で搭載し、下記リフロー条件のリフロー工程を通してコネクタ部品及び周辺部品を実装した。
コネクタ部品：片側１０ピン（両側２０ピン）、０．３５mmピッチプラグコネクタ、ヒロセ電機(株)、ＢＭ２３ＦＲ０．６-２０ＤＰ－０．３５V（８９５）
周辺部品：片側１０ピン（両側２０ピン）、０．３５ｍｍピッチレセプタクルコネクタ、ヒロセ電機(株)、ＢＭ２３ＦＲ０．６－２０ＤＳ－０．３５Ｖ（８９５）
基板：上記プラグコネクタに対応するリジッド基板（デクセリアルズ評価用ガラスエポキシ基板、Ｎｉ－Ａｕメッキ）
嵌合用コネクタ：片側１０ピン（両側２０ピン）、０．３５ｍｍピッチレセプタクルコネクタ、ヒロセ電機（株）、ＢＭ２３ＦＲ０．６－２０ＤＳ－０．３５Ｖ（８９５）、プラグとレセプタクルとを嵌合させた場合の側部におけるプラグ端子面（実装面）からレセプタクルのピンまでの高さ：１２０μｍ
リフロー条件：１５０℃～２６０℃－１００ｓｅｃ、ピークトップ２６０℃

【0075】

［実装体の評価］
図５に示すような断面図おいて、プラグコネクタの側部と周辺部品の側部との距離Ｗが所定値である実装体について、プラグコネクタの側部において異方性導電フィルムのバインダーが這い上がるプラグ端子面からの高さＴ_２を測定した。また、プラグコネクタを実装した実装体に嵌合用のレセプタクルコネクタを嵌合させ、各ピンについて電流１ｍＡを流したときの抵抗値を測定し、中央値を算出した。抵抗値の中央値が０．１Ωを超えるピンが１以上ある実装体を「ＮＧ」と評価し、それ以外の実装体を「ＯＫ」と評価した。

【0076】

表１に、バインダーの這い上がり高さの測定結果及び導通試験の評価結果を示す。

【0077】

【表1】

【0078】

比較例１では、プラグコネクタの側部に周辺部品を実装していないため、這い上がり高さＴ_２が１５６μｍであり、嵌合後の導通評価がＮＧであった。比較例２、３では、プラグコネクタの側部に周辺部品を実装したが、プラグコネクタの側部と周辺部品の側部との距離Ｗが２．０ｍｍ以上であるため、這い上がり高さＴ_２がプラグ端子面からレセプタクルのピンまでの高さＴ_１よりも大きく（Ｔ_１＜Ｔ_２）、嵌合後の導通評価がＮＧであった。

【0079】

実施例１～４では、プラグコネクタの側部と周辺部品の側部との距離Ｗが０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であるため、這い上がり高さＴ_２を抑制することができ、這い上がり高さＴ_２をプラグ端子面からレセプタクルのピンまでの高さＴ_１以下とすることができた（Ｔ_１＞Ｔ_２）。実施例３、４では、プラグコネクタの側部と周辺部品の側部との距離Ｗが小さいため、レセプタクルコネクタを嵌合させることができなかったが、側部の幅が小さいレセプタクルコネクタを用いることにより、嵌合させることが可能となる。なお、プラグコネクタの側部と周辺部品の側部との距離Ｗを０．２ｍｍ未満とすることは、プラグコネクタのリード端子や、レセプタクルコネクタの嵌合の都合から困難である。

【0080】

また、プラグコネクタの側部に周辺部品を実装することにより、這い上がり高さＴ_２を７０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲に抑制することができることから、プラグとレセプタクルとを嵌合させた場合の側部におけるプラグ端子面からレセプタクルのピンまでの高さが７０μｍ以上１５０μｍ以下である垂直嵌合コネクタにおいて、本技術の効果が得られることが分かった。また、プラグコネクタの側部と周辺部品の側部との距離を０．２ｍｍ以上３．０ｍｍ以下に配置し、リフロー工程で一括実装することにより、バインダーがコネクタの側部に這い上がることを抑制することができることが分かった。

【0081】

［複数の周辺部品を備える実装体の評価］
図７は、プラグの長手方向に複数の周辺部品を実装する場合の周辺部品間の距離を評価する試験を説明するための平面図である。図７に示すような平面図において、プラグ１の側部と周辺部品である表面実装部品３の側部との距離Ｗを０．２ｍｍとし、表面実装部品３間の距離Ｗｓを所定値として２つの表面実装部品３を実装した。バインダーが這い上がるプラグ端子面からの高さＴ_２の測定位置は、表面実装部品３間の距離Ｗｓの中間点とした。

【0082】

表２に、周辺部品間の距離に対するバインダーの這い上がり高さの測定結果を示す。

【0083】

【表2】

【0084】

比較例４、５では、周辺部品間の距離Ｗｓが１．８ｍｍ以上であるため、這い上がり高さＴ_２がプラグ端子面からレセプタクルのピンまでの高さＴ_１よりも大きかった（Ｔ_１＜Ｔ_２）。実施例４～８では、周辺部品間の距離Ｗｓが０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であるため、周辺部品の側面側にもバインダーが引き込まれ、這い上がり高さＴ_２を抑制することができ、這い上がり高さＴ_２をプラグ端子面からレセプタクルのピンまでの高さＴ_１以下とすることができた（Ｔ１＞Ｔ２）。

【0085】

また、プラグコネクタの側部と周辺部品の側部との距離Ｗと周辺部品間の距離Ｗｓとの関係から、プラグコネクタの側部と周辺部品の側部との距離Ｗが０．２ｍｍ～１．５ｍｍに対し、周辺部品間の距離Ｗｓを１．５ｍｍ～０．２ｍｍの関係とすることにより、這い上がり高さＴ_２を１２０μｍ以下とすることができることが分かった。

【符号の説明】

【0086】

１ プラグ、２ レセプタクル、３ 表面実装部品、４ 異方性導電接着剤、５ 配線基板、１１Ａ，１１Ｂ ピン、１２Ａ，１２Ｂ プラグ端子、２１Ａ，２１Ｂ ピン、２２Ａ，２２Ｂ レセプタクル端子、４１ 半田粒子、５１ 基材、５２Ａ，５２Ｂ 基板端子、５３ 端子、 １０１ プラグ、１０３ 異方性導電接着剤、１０５ 基板、１１１Ａ，１１１Ｂ ピン、１５２Ａ，１５２Ｂ 基板端子、１４２Ａ、１４２Ｂ 半田

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】