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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023080407
(43)【公開日】2023-06-09
(54)【発明の名称】ホールセンサ、およびホールセンサの製造方法
(51)【国際特許分類】
G01R 33/02 20060101AFI20230602BHJP
G01R 33/07 20060101ALI20230602BHJP
H10N 52/80 20230101ALI20230602BHJP
【ＦＩ】
G01R33/02 V
G01R33/07
H01L43/04
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021193732
(22)【出願日】2021-11-30
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001195
【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】久保 博稔
【テーマコード（参考）】
2G017
5F092
【Ｆターム（参考）】
2G017AA01
2G017AC06
2G017AC07
2G017AD53
2G017BA05
2G017CB01
5F092AA01
5F092AB01
5F092AC02
5F092BA03
5F092BA06
5F092BA12
5F092BA15
5F092BA23
5F092FA08
(57)【要約】
【課題】磁界の検出感度が向上されたホールセンサを提供する。
【解決手段】第１主面３００Ａを有するホール素子３００と、第１主面３００Ａ側に配置された第１磁性体２０１と、を備え、第１磁性体２０１は、第１主面３００Ａと対向する第１面２０１Ａと、該第１面２０１Ａと対向する第２面２０１Ｂとを有し、第２面２０１Ｂの面積は、第１面２０１Ａの面積よりも大きい。
【選択図】図２
【解決手段】第１主面３００Ａを有するホール素子３００と、第１主面３００Ａ側に配置された第１磁性体２０１と、を備え、第１磁性体２０１は、第１主面３００Ａと対向する第１面２０１Ａと、該第１面２０１Ａと対向する第２面２０１Ｂとを有し、第２面２０１Ｂの面積は、第１面２０１Ａの面積よりも大きい。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１主面を有するホール素子と、
前記第１主面側に配置された第１磁性体と、を備え、
前記第１磁性体は、前記第１主面と対向する第１面を有し、
前記ホール素子の反対側から平面視したときの前記第１磁性体の投影面の面積は、前記第１面の面積よりも大きい、ホールセンサ。
前記第１主面側に配置された第１磁性体と、を備え、
前記第１磁性体は、前記第１主面と対向する第１面を有し、
前記ホール素子の反対側から平面視したときの前記第１磁性体の投影面の面積は、前記第１面の面積よりも大きい、ホールセンサ。
【請求項2】
前記投影面は、前記第１面と対向する平面である、請求項１に記載のホールセンサ。
【請求項3】
前記第１磁性体の前記第１面に垂直な断面は、Ｔ字形状である、請求項２に記載のホールセンサ。
【請求項4】
前記投影面の面積は、前記第１主面の面積以下である、請求項１～請求項３のいずれか１項に記載のホールセンサ。
【請求項5】
前記投影面の面積と、前記第１主面の面積とは同一である、請求項４に記載のホールセンサ。
【請求項6】
前記ホール素子は、前記第１主面と対向する第２主面を有し、
前記ホールセンサは、前記第２主面側に配置された第２磁性体をさらに備える、請求項１～請求項５のいずれか１項に記載のホールセンサ。
前記ホールセンサは、前記第２主面側に配置された第２磁性体をさらに備える、請求項１～請求項５のいずれか１項に記載のホールセンサ。
【請求項7】
前記ホールセンサは、前記ホール素子が配置されるフレームを有し、
前記第２磁性体は、前記ホール素子と、前記フレームとの間に配置された、請求項６に記載のホールセンサ。
前記第２磁性体は、前記ホール素子と、前記フレームとの間に配置された、請求項６に記載のホールセンサ。
【請求項8】
前記ホールセンサは、前記フレームに前記第２磁性体とは反対側に配置された第３磁性体をさらに備える、請求項７に記載のホールセンサ。
【請求項9】
前記ホールセンサは、前記ホール素子が配置されるフレームを有し、
前記フレームは、前記ホール素子と、前記第２磁性体との間に配置されている、請求項６に記載のホールセンサ。
前記フレームは、前記ホール素子と、前記第２磁性体との間に配置されている、請求項６に記載のホールセンサ。
【請求項10】
前記ホールセンサは、前記ホール素子が配置されるフレームを有し、
前記フレームは、前記第２磁性体である、請求項６に記載のホールセンサ。
前記フレームは、前記第２磁性体である、請求項６に記載のホールセンサ。
【請求項11】
前記投影面の面積を前記第１面の面積で除算した値は、１．１以上１６以下である、請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載のホールセンサ。
【請求項12】
主面を有するホール素子を準備することと、
凸部と凹部が形成された層間膜を前記主面に形成することと、
前記凸部および前記凹部を覆うように、磁性体を形成することとを備え、
前記磁性体は、前記主面と対向する磁性体面を有し、
前記ホール素子の反対側から平面視したときの前記磁性体の投影面の面積は、前記磁性体面の面積よりも大きい、ホールセンサの製造方法。
凸部と凹部が形成された層間膜を前記主面に形成することと、
前記凸部および前記凹部を覆うように、磁性体を形成することとを備え、
前記磁性体は、前記主面と対向する磁性体面を有し、
前記ホール素子の反対側から平面視したときの前記磁性体の投影面の面積は、前記磁性体面の面積よりも大きい、ホールセンサの製造方法。
【請求項13】
主面を有するホール素子を準備することと、
磁性体面を有する磁性体を形成することと、
前記主面と前記磁性体面とが対向するように、前記ホール素子と、前記磁性体とを接着剤により接着することとを備え、
前記ホール素子の反対側から平面視したときの前記磁性体の投影面の面積は、前記磁性体面の面積よりも大きい、ホールセンサの製造方法。
磁性体面を有する磁性体を形成することと、
前記主面と前記磁性体面とが対向するように、前記ホール素子と、前記磁性体とを接着剤により接着することとを備え、
前記ホール素子の反対側から平面視したときの前記磁性体の投影面の面積は、前記磁性体面の面積よりも大きい、ホールセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、ホールセンサ、およびホールセンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、磁界を検出するホールセンサが開示されている。このホールセンサは、基板と、該基板上に配置された感磁層と、該感磁層上に配置された磁性膜とを備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１６－５８４２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ホールセンサは、ビデオ、パソコンなど様々な電子機器に搭載され、磁界の検出感度のさらなる向上が望まれている。
【0005】
本開示は、上記のような課題を解決するためになされたものであって、その目的は、磁界の検出感度が向上されたホールセンサ、およびホールセンサの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示のホールセンサは、ホール素子と、第１磁性体と、を備える。ホール素子は、第１主面を有する。第１磁性体は、第１主面側に配置されている。第１磁性体は、第１主面と対向する第１面を有する。ホール素子の反対側から平面視したときの第１磁性体の投影面の面積は、第１面の面積よりも大きい。
【0007】
本開示のホールセンサの製造方法は、主面を有するホール素子を準備することと、凸部と凹部が形成された層間膜を主面に形成することと、凸部および凹部を覆うように、磁性体を形成することとを備える。磁性体は、主面と対向する磁性体面を有する。ホール素子の反対側から平面視したときの磁性体の投影面の面積は、磁性体面の面積よりも大きい。
【0008】
本開示のホールセンサの製造方法は、主面を有するホール素子を準備することと、磁性体面を有する磁性体を形成することと、主面と磁性体面とが対向するように、ホール素子と、磁性体とを接着剤により接着することとを備える。ホール素子の反対側から平面視したときの磁性体の投影面の面積は、磁性体面の面積よりも大きい。
【発明の効果】
【0009】
本開示によれば、磁界の検出感度が向上されたホールセンサ、およびホールセンサの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【0012】
＜第１の実施の形態＞
［磁気センサ］
現在、磁気センサは、我々の身の回りにあるビデオ、パソコン、携帯電話、デジタルカメラ、エアコン、洗濯機、および自動車などに使用されている。よって、磁界の検出感度が高いホールセンサが望まれている。本実施の形態では、磁界の検出感度が高いホールセンサを説明する。
［磁気センサ］
現在、磁気センサは、我々の身の回りにあるビデオ、パソコン、携帯電話、デジタルカメラ、エアコン、洗濯機、および自動車などに使用されている。よって、磁界の検出感度が高いホールセンサが望まれている。本実施の形態では、磁界の検出感度が高いホールセンサを説明する。
【0013】
図１は、本実施の形態に従うホールセンサ１００が適用される磁気センサ１０００の構成例である。磁気センサ１０００は、ホールセンサ１００と、検出回路５００とを備える。ホールセンサ１００は、第１電極３５１と、第２電極３５２とを有する。検出回路５００は、電流源６０２と、検出部６０４と、制御部６０６とを有する。制御部６０６は、電流源６０２および検出部６０４を制御する。電流源６０２は、第１電極３５１と電気的に接続されている。検出部６０４は、第２電極３５２と電気的に接続されている。
【0014】
制御部６０６の制御により、電流源６０２は、ホールセンサ１００に対して駆動電流Ｊを第１電極３５１を経由して供給する。ホールセンサ１００は、該駆動電流Ｊにより後述のホール素子に作用する磁界に応じて発生したホール電圧を出力する。該ホール電圧は、第２電極３５２経由で、検出部６０４に出力される。検出部６０４は、ホールセンサ１００から出力されたホール電圧に基づいて、ホールセンサ１００に作用する磁界を検出する。また、電流源６０２の代わりに、電圧源を備えるようにしてもよい。電圧源は、ホールセンサ１００においてホール電圧を発生させるための駆動電圧をホールセンサ１００に供給するものである。
【0015】
［ホールセンサ］
図２は、ホールセンサ１００を説明するための図である。本実施の形態においては、ホールセンサ１００の厚み方向をＺ軸方向とする。また、Ｚ軸方向と直交する２軸をＸ軸およびＹ軸とする。Ｘ軸方向は、ホールセンサ１００に対して印加される駆動電流Ｊの方向とする。Ｙ軸方向は、発生するホール電圧の方向とする。図２は、ホールセンサ１００のＸＺ平面（Ｙ軸に垂直な平面）における断面図である。
図２は、ホールセンサ１００を説明するための図である。本実施の形態においては、ホールセンサ１００の厚み方向をＺ軸方向とする。また、Ｚ軸方向と直交する２軸をＸ軸およびＹ軸とする。Ｘ軸方向は、ホールセンサ１００に対して印加される駆動電流Ｊの方向とする。Ｙ軸方向は、発生するホール電圧の方向とする。図２は、ホールセンサ１００のＸＺ平面（Ｙ軸に垂直な平面）における断面図である。
【0016】
図２の例では、ホールセンサ１００は、ホール素子３００と、第１磁性体２０１と、層間膜３２１と、ホール素子３００と、層間膜３０５と、第１基板３１１と、第２基板３１２と、フレーム３１３とを備える。図２の例では、フレーム３１３、第１基板３１１、第２基板３１２、ホール素子３００、層間膜３２１と、第１磁性体２０１とが積層されている。Ｚ軸方向は、これらの部材の積層方向でもある。
【0017】
フレーム３１３は、薄板形状を有する。フレーム３１３に、ホールセンサ１００のフレーム３１３以外の部材（ホール素子３００および第１磁性体２０１など）が配置される。したがって、磁気センサ１０００内において、フレーム３１３以外の部材を安定して配置させることができる。
【0018】
フレーム３１３の素材は、たとえば、銅である。フレーム３１３には、第１基板３１１が配置される。第１基板３１１は、ガリウム砒素（Gallium Arsenide）基板、ヒ化インジウム（Indium Arsenide）基板、シリコン基板（silicon）基板、または、その他の半導体基板により構成される。ガリウム砒素基板は、「ＧａＡｓ基板」とも称される。また、ヒ化インジウム基板は、「ＩｎＡｓ基板」とも称される。第１基板３１１の両端には、第１電極３５１および第２電極３５２（図１参照）が形成される。
【0019】
第２基板３１２は、第１基板３１１よりも小さい。第２基板３１２は、第１基板３１１に配置される。第２基板３１２は、ガリウム砒素基板、ヒ化インジウム基板、シリコン基板、または、その他の半導体基板により構成される。第１基板３１１と、第２基板３１２とは同一の素材としてもよく、異なる素材としてもよい。第２基板３１２は配線層として機能する。
【0020】
第２基板３１２上に、ホール素子３００および層間膜３０５が配置される。層間膜３０５は、たとえば、酸化被膜である。また、ホール素子３００は、ガリウム砒素基板、ヒ化インジウム基板、シリコン、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）およびその他の半導体などにより構成される。
【0021】
本実施形態においては、ホール素子３００は、直方体もしくは立法体形状を有する（後述の図３参照）。なお、ホール素子３００は、他の形状としてもよい。他の形状は、たとえば、薄板形状、円柱形状、および多角柱形状などのいずれかの形状である。
【0022】
また、ホール素子３００は、第１主面３００Ａと、第２主面３００Ｂとを有する。第１主面３００Ａと、第２主面３００Ｂとは、Ｚ軸方向において互いに反対側に位置する面である。より具体的には、第１主面３００Ａと、第２主面３００Ｂとは、Ｚ軸方向において互いに対向する面としてもよい。典型的には、第１主面３００Ａと、第２主面３００Ｂとは平面であり、第１主面３００Ａと第２主面３００Ｂとは平行である。なお、本実施の形態の「平面」は、完全な平面のみならず、磁界の検出感度を向上させる上で若干の凹部または凸部などが形成された面としてもよい。また、本実施の形態の「平行」は、完全な平行のみならず、磁界の検出感度を向上させる上で２つの延長面が接するような関係であってもよい。
【0023】
第１主面３００Ａは、磁束（磁界）が入力される面である。第１主面３００Ａに入力された磁束（磁界）に基づいてホール電圧が発生する。
【0024】
ホール素子３００は、第２主面３００Ｂが第２基板３１２と対向するように、該第２基板３１２に配置される。
【0025】
第１磁性体２０１は、ホール素子３００の第１主面３００Ａ側に配置される。第１磁性体２０１は、第１面２０１Ａと、第２面２０１Ｂとを有する。第１面２０１Ａと、第２面２０１Ｂとは、Ｚ軸方向において互いに反対側に位置する面である。より具体的には、第１面２０１Ａと、第２面２０１Ｂとは、Ｚ軸方向において互いに対向する面としてもよい。典型的には、第１面２０１Ａと、第２面２０１Ｂとは平面であり、第１面２０１Ａと第２面２０１Ｂとは平行である。
【0026】
第１磁性体２０１、および後述の第２磁性体、第３磁性体は、磁性半導体、酸化物磁性体、および金属磁性体のいずれかで構成されてもよい。金属磁性体は、たとえば、パーマロイ (permalloy)である。
【0027】
また、第１磁性体２０１、第２磁性体、および第３磁性体は、ＧａＭｎＡｓにより構成されてもよい。ＧａＭｎＡｓは、ＧａＡｓ基板上のエピタキシャル成長により形成される。製法は、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）または有機金属気相堆積法（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）などが適用される。
【0028】
また、第１磁性体２０１、第２磁性体、および第３磁性体は、ＩｎＭｎＡｓにより構成されてもよい。ＩｎＭｎＡｓは、ＩｎＡｓ基板上のエピタキシャル成長により形成される。製法は、ＭＢＥやＭＯＣＶＤなどが適用可能である。第１磁性体２０１、第２磁性体、および第３磁性体は、同一の素材としてもよく、異なる素材としてもよい。
【0029】
第１磁性体２０１は、第１面２０１Ａが、第１主面３００Ａと対向するように、ホール素子３００に配置される。図２では、第１面２０１Ａと、第１主面３００Ａとの間に層間膜３２１が介在されている例が示されている。しかしながら、ホールセンサ１００は、この層間膜３２１を備えていなくてもよい。また、図２の例では、第１磁性体２０１の第１面２０１Ａに垂直な断面（つまり、ＸＺ平面における断面）は、Ｔ字形状である。
【0030】
また、便宜上、第１磁性体２０１を、第１磁性部２５１と第２磁性部２５２とに分けて説明する場合がある。第１磁性部２５１は、第１磁性体２０１のうち第１面２０１Ａを有する部材である。第２磁性部２５２は、第１磁性体２０１のうち第２面２０１Ｂを有する部材である。なお、第１磁性体２０１は、第１磁性部２５１と第２磁性部２５２とが一体化した構造としてもよい。また、第１磁性体２０１は、第１磁性部２５１と第２磁性部２５２とが別個である構造としてもよい。
【0031】
第１磁性部２５１の厚みＬ１（Ｚ軸方向の長さ）は、典型的には、５μｍ以上２０μｍ以下の値であることが好ましいことが、発明者により確認されている。本実施の形態では、Ｌ１＝１５μｍである。また、第２磁性部２５２の厚みＬ２（Ｚ軸方向の長さ）は、典型的には、０．１μｍ以上２０μｍ以下の値であることが好ましいことが、発明者により確認されている。本実施の形態では、Ｌ２＝１５μｍである。ホール素子３００の厚みＬ３（Ｚ軸方向の長さ）は、典型的には、０．４μｍ以上１．５μｍ以下の値である。また、第１磁性部２５１のＸ軸方向における長さＬ４は、たとえば、５０μｍである。
【0032】
【0033】
図４は、第１磁性体２０１を第２面２０１ＢからＺ軸方向から平面視した図である。図４の例では、第１磁性部２５１の第１面２０１Ａが破線で示されており、第２磁性部２５２の第２面２０１Ｂが実線で示されている。図４の例では、第１面２０１Ａおよび第２面２０１Ｂは共に矩形状となっている。なお、第１面２０１Ａおよび第２面２０１Ｂの少なくとも一方は、他の形状であってもよい。他の形状は、たとえば、円形、三角形、長方形、またはＰ角形（Ｐは５以上の整数）としてもよい。また、図４に示すように、第２面２０１Ｂの面積Ｓ２の面積は、第１面２０１Ａの面積Ｓ１よりも大きい。
【0034】
つまり、以下の式（１）が成立する。
【0035】
Ｓ２＞Ｓ１ （１）
また、本実施の形態では、第２面２０１Ｂと第１主面３００Ａとでは、形状および面積は同一である。したがって、第１主面３００Ａの面積も面積Ｓ２となる。
また、本実施の形態では、第２面２０１Ｂと第１主面３００Ａとでは、形状および面積は同一である。したがって、第１主面３００Ａの面積も面積Ｓ２となる。
【0036】
［集磁効果］
図５は、本実施の形態のホールセンサ１００の集磁効果を説明するための図である。第１磁性体２０１に入力される磁束を「磁束φ」とし、第１面２０１Ａの磁束密度を「Ｂ１」とし、第２面２０１Ｂの磁束密度を「Ｂ２」とする。また、図５で説明したように、第１面２０１Ａの面積は、「Ｓ１」であり、第２面２０１Ｂの面積は、「Ｓ２」である。また、本実施の形態では、面積Ｓ２は、１９０×１９０μｍ２であり、面積Ｓ１は、５０×５０μｍ２である。
図５は、本実施の形態のホールセンサ１００の集磁効果を説明するための図である。第１磁性体２０１に入力される磁束を「磁束φ」とし、第１面２０１Ａの磁束密度を「Ｂ１」とし、第２面２０１Ｂの磁束密度を「Ｂ２」とする。また、図５で説明したように、第１面２０１Ａの面積は、「Ｓ１」であり、第２面２０１Ｂの面積は、「Ｓ２」である。また、本実施の形態では、面積Ｓ２は、１９０×１９０μｍ２であり、面積Ｓ１は、５０×５０μｍ２である。
【0037】
磁束密度Ｂ１、磁束密度Ｂ２、面積Ｓ１、および面積Ｓ２を用いると、以下の式（２）が成立する。
【0038】
φ＝Ｂ１・Ｓ１＝Ｂ２・Ｓ２ （２）
したがって、以下の式（３）および式（４）が成立する。
したがって、以下の式（３）および式（４）が成立する。
【0039】
Ｂ１＝φ／Ｓ１ （３）
Ｂ２＝φ／Ｓ２ （４）
また、式（１）、式（３）、式（４）から以下の式（５）が成立する。
Ｂ２＝φ／Ｓ２ （４）
また、式（１）、式（３）、式（４）から以下の式（５）が成立する。
【0040】
Ｂ１＞Ｂ２ （５）
図５においては、磁束が矢印で示されている。図５に示すように、第２面２０１Ｂから入力された磁束は、第２磁性部２５２を通過する。そして、第１面２０１Ａを有する第１磁性部２５１に入力されることにより、磁束密度は増加する。したがって、式（５）に示すように、磁束密度Ｂ１は、磁束密度Ｂ２よりも大きくなる。
図５においては、磁束が矢印で示されている。図５に示すように、第２面２０１Ｂから入力された磁束は、第２磁性部２５２を通過する。そして、第１面２０１Ａを有する第１磁性部２５１に入力されることにより、磁束密度は増加する。したがって、式（５）に示すように、磁束密度Ｂ１は、磁束密度Ｂ２よりも大きくなる。
【0041】
また、ホール素子３００で生じるホール電圧Ｖと、ホール素子３００に対して掛かる磁界の磁束密度Ｂとは、以下の式（６）が成立する。
【0042】
Ｖ＝α・Ｂ （６）
ここで、αは１より大きい比例定数である。式（６）に示すように、磁束密度Ｂが大きいほど、ホール電圧Ｖ（またはホール電圧Ｖの絶対値）は大きくなる。また、ホール素子３００に対して掛かる磁界の磁束密度Ｂは、磁束密度Ｂ１と同一とみなすことができる。
ここで、αは１より大きい比例定数である。式（６）に示すように、磁束密度Ｂが大きいほど、ホール電圧Ｖ（またはホール電圧Ｖの絶対値）は大きくなる。また、ホール素子３００に対して掛かる磁界の磁束密度Ｂは、磁束密度Ｂ１と同一とみなすことができる。
【0043】
仮に、第１面積Ｓ１と第２面積Ｓ２とが同一であるホールセンサ（以下、「比較例のホールセンサ」と称される。）では、Ｂ１＝Ｂ２となることから、ホール電圧Ｖを大きくできず、ホールセンサの磁界の検出感度を向上させることができない。
【0044】
これに対し、本実施の形態のホールセンサ１００においては、式（５）に示すように、磁束密度Ｂ１を磁束密度Ｂ２よりも大きくすることができる。よって、比較例のホールセンサと比較して、本実施の形態のホールセンサ１００は、ホール電圧を大きくすることができる。その結果、ホールセンサ１００は、比較例のホールセンサと比較して、磁界の検出感度を向上させることができる。
【0045】
また、第２面２０１Ｂの面積は大きいほど、より多くの磁束を第１磁性体２０１に入力させることができ、その結果、磁束密度Ｂ１を大きくすることができる。しかしながら、第２面２０１Ｂの面積が過度に大きい場合には、ホールセンサ１００のＸＹ平面におけるサイズが巨大化してしまう。
【0046】
また、第２面２０１Ｂの第２面積Ｓ２は大きいほど、多くの磁束を第１磁性体２０１に入力させることができる。しかしながら、第２面２０１Ｂの第２面積Ｓ２が過度に大きいと、ホールセンサ１００のサイズの増大化を招く。そこで、本実施の形態では、第２面２０１Ｂの第２面積Ｓ２は、第１主面３００Ａの面積と同一である。このような構成により、ホールセンサのサイズを抑制できつつ、第１面の磁束密度Ｂ１を高めることができる。
【0047】
なお、変形例として、第２面２０１Ｂの第２面積Ｓ２は、第１主面３００Ａの面積未満としてもよい。このような構成によれば、ホールセンサ１００のサイズを抑制できる。
【0048】
また、面積Ｓ２を面積Ｓ１で除算した値（比率Ｐ）は、本実施の形態では、１４．４４である。この比率Ｐの好ましい範囲は、１．１以上１６以下であることが発明者により確認されている。
【0049】
［第１磁性体の他の形状］
次に、第１磁性体２０１の他の形状を説明する。また、第２面２０１Ｂの面積Ｓ２が、第１面２０１Ａの面積Ｓ１より大きければ、第１磁性体２０１は他の形状であってもよい。図６～図１１は、他の形状を有する変形例の第１磁性体２０１を第２面２０１ＢからＺ軸方向において平面視した図である。なお、図６～図１１においては、第１磁性部２５１の第１面２０１Ａが破線で示されており、第２磁性部２５２の第２面２０１Ｂが実線で示されている。
次に、第１磁性体２０１の他の形状を説明する。また、第２面２０１Ｂの面積Ｓ２が、第１面２０１Ａの面積Ｓ１より大きければ、第１磁性体２０１は他の形状であってもよい。図６～図１１は、他の形状を有する変形例の第１磁性体２０１を第２面２０１ＢからＺ軸方向において平面視した図である。なお、図６～図１１においては、第１磁性部２５１の第１面２０１Ａが破線で示されており、第２磁性部２５２の第２面２０１Ｂが実線で示されている。
【0050】
図６の例では、第２面２０１Ｂは、円形状である。つまり、第２磁性部２５２は円柱形状となっている。また、第１面２０１Ａは、矩形状である。つまり、第１磁性部２５１は直方体形状となっている。
【0051】
図７の例では、第２面２０１Ｂは、多角形状（図７では、六角形状）である。つまり、第２磁性部２５２は多角柱形状（図７では、六角柱形状）となっている。また、第１面２０１Ａは、矩形状である。つまり、第１磁性部２５１は直方体形状となっている。
【0052】
図８の例では、第２面２０１Ｂは、矩形状である。つまり、第２磁性部２５２は直方体形状となっている。また、第１面２０１Ａは、円形状である。つまり、第１磁性部２５１は円柱形状となっている。
【0053】
図９の例では、第２面２０１Ｂは、矩形状である。つまり、第２磁性部２５２は直方体形状となっている。また、第１面２０１Ａは、六角形形状である。つまり、第１磁性部２５１は六角柱形状となっている。
【0054】
図１０の例では、第２面２０１Ｂは、矩形状である。つまり、第２磁性部２５２は直方体形状となっている。また、第１面２０１Ａは、十字形状である。図１０の例では、第１磁性体２０１を第２面２０１ＢからＺ軸方向において平面視した場合に、第１面２０１Ａの十字形状の先端の４つの辺が、それぞれ、第２面２０１Ｂの矩形状の４つの辺に接している。図１０の例では、第１磁性部２５１は、途中が十字形状で底面（第１面２０１Ａ）が矩形である柱形状となっている。
【0055】
図１１の例では、第２面２０１Ｂは、矩形状である。つまり、第２磁性部２５２は直方体形状となっている。また、第１面２０１Ａは、十字形状である。図１１の例では、第１磁性体２０１を第２面２０１ＢからＺ軸方向において平面視した場合に、第１面２０１Ａの十字形状の先端が、それぞれ、第２面２０１Ｂの矩形状の４つの頂点に接している。図１１の例では、第１磁性部２５１は、途中が十字形状で底面（第１面２０１Ａ）が矩形である柱形状となっている。
【0056】
図１２～図１５は、他の形状を有する変形例の第１磁性体２０１をＹ軸方向において平面視した図である。図１２および図１３の例では、便宜上、第１磁性部２５１と第２磁性部２５２との区別のための破線が付されている。
【0057】
図１２の例では、第２磁性部２５２の第１磁性部２５１との接合箇所にテーパ部２５４が形成されている。図１３の例では、第２磁性部２５２から第１面２０１Ａに亘ってテーパ部２５５が形成されている。換言すると、第１磁性部２５１の外周面がテーパ面となっている。
【0058】
図１４の例では、図１４（Ａ）と、図１４（Ｂ）とが示されている。図１４（Ａ）は、変形例の第１磁性体２０１をＹ軸方向において平面視した図である。図１４（Ｂ）は、該変形例の第１磁性体２０１を第２面２０１ＢからＺ軸方向において平面視した図である。
【0059】
【0060】
図１４（Ｂ）では、投影面２０１Ｘが示されている。ここで、投影面２０１Ｘとは、ホール素子３００の反対側から（第２面２０１Ｂから）第１磁性体２０１を平面視したときの面である。換言すれば、投影面２０１Ｘとは、Ｚ軸方向と垂直な平面に対して、第１磁性体２０１を投影させた場合に該平面に投影される面である。図１４（Ｂ）の例では、投影面２０１Ｘは、太線で囲まれた面である。投影面２０１Ｘは、第２面２０１Ｂに対応する。また、図１４（Ｂ）の例では、第１面２０１Ａは破線で示されている。
【0061】
図１５の例では、図１５（Ａ）と、図１５（Ｂ）とが示されている。図１５（Ａ）は、変形例の第１磁性体２０１をＹ軸方向において平面視した図である。図１５（Ｂ）は、該変形例の第１磁性体２０１を第２面２０１ＢからＺ軸方向において平面視した図である。
【0062】
図１５の第１磁性体２０１は、図１３で示した第１磁性体２０１の中央部に穴２０１Ｄが形成されたものである。穴２０１Ｄの断面は、三角形状である。また、第１面２０１Ａは、矩形状である。図１５（Ｂ）では、投影面２０１Ｘが示されている。また、図１５（Ｂ）の例では、第１面２０１Ａは破線で示されている。
【0063】
図１４（Ｂ）または図１５（Ｂ）に示すように、投影面２０１Ｘの面積は、第１面２０１Ａの面積よりも大きい。このような構成であれば、投影面２０１Ｘの磁束密度ＢＸよりも、磁束密度Ｂ１を大きくすることができる。よって、図１４および図１５に示す第１磁性体２０１を備えるホールセンサであっても、磁界の検出感度を向上させることができる。
【0064】
また、本実施の形態においては、図６～図１５に記載の第１磁性体２０１の第１面２０１Ａに垂直な断面（つまり、ＸＺ平面における断面）は、Ｔ字形状または略Ｔ字形状である。なお、図６～図１５のうちのいずれかの第１磁性体の断面は、他の形状に属するとしてもよい。たとえば、図１５の第１磁性体２０１の断面は、Ｖ字形状に属するとしてもよい。また、図６、７、１０、１１において、第１面２０１Ａは、他の形状であってもよい。他の形状は、たとえば、円形、三角形、長方形またはＰ角形（Ｐは５以上の整数）としてもよい。
【0065】
＜第２の実施の形態＞
第２の実施の形態のホールセンサは、第１磁性体２０１の他に、第２磁性体２０２を有する。図１６～図１９は、第２の実施の形態の各例を説明するための図である。図１６～図１９の例では、第２磁性体２０２は、ホール素子３００の第２主面３００Ｂ側に配置されている。
第２の実施の形態のホールセンサは、第１磁性体２０１の他に、第２磁性体２０２を有する。図１６～図１９は、第２の実施の形態の各例を説明するための図である。図１６～図１９の例では、第２磁性体２０２は、ホール素子３００の第２主面３００Ｂ側に配置されている。
【0066】
図１６は、第１例のホールセンサ１００Ａの断面図である。ホールセンサ１００Ａにおいては、第２磁性体２０２が、第１基板３１１と、フレーム３１３との間に配置される。図１６の例では、第２磁性体２０２は、第２基板３１２との間に第２磁性体２０２が配置される。
【0067】
第２磁性体２０２は、ホール素子３００の裏メタルとして形成されてもよい。また、第２磁性体２０２は、ホール素子３００の第２主面３００Ｂに接着剤などにより貼り付けて形成されもよい。
【0068】
ホールセンサ１００Ａの構成により、第１磁性体２０１と第２磁性体２０２とは、第１の実施の形態のホールセンサ１００と比較して強固な磁束のループを形成することができる。よって、第１例のホールセンサ１００Ａは、ホールセンサ１００と比較して、磁束密度Ｂ１をより増加させることができる。
【0069】
図１７は、第２例のホールセンサ１００Ｂの断面図である。ホールセンサ１００Ｂにおいては、フレーム３１３は、ホール素子３００と、第２磁性体２０２との間に配置されている。換言すれば、第２磁性体２０２は、フレーム３１３において、第１磁性体２０１およびホール素子３００とは反対側に配置される。第２磁性体２０２は、フレーム３１３に接着剤などにより貼り付けて形成される。
【0070】
ホールセンサ１００Ｂの構成であっても、第１磁性体２０１と第２磁性体２０２とは、第１の実施の形態のホールセンサ１００と比較して強固な磁束のループを形成することができる。よって、第１例のホールセンサ１００Ａは、ホールセンサ１００と比較して、磁束密度Ｂ１をより増加させることができる。
【0071】
図１８は、第３例のホールセンサ１００Ｃの断面図である。ホールセンサ１００Ｃの第２磁性体２０２は、メッキにより形成される。第２磁性体２０２は、第１基板３１１と、フレーム３１３との間に配置される。
【0072】
ここで、磁束のループを形成するためには、第２磁性体２０２の厚みがある程度確保されていることが好ましい。しかしながら、第２磁性体２０２は、メッキにより形成されることから、該第２磁性体２０２の厚みは薄くなる傾向にある。
【0073】
そこで、ホールセンサ１００Ｃは、第３磁性体２０３も備える。ホールセンサ１００Ｃは、第２磁性体２０２の厚みに加えて、第３磁性体２０３の厚みも加わることから、第１磁性体２０１、第２磁性体２０２、および第３磁性体２０３が、磁束のループを形成することができる。また、第３磁性体２０３についてもメッキにより形成される。また、第３磁性体２０３は、フレーム３１３において、第１磁性体２０１、第２磁性体２０２、およびホール素子３００とは反対側に配置される。
【0074】
ホールセンサ１００Ｃによれば、第２磁性体２０２がメッキにより形成されることから、磁束のループを形成するための第２磁性体２０２の厚みを確保することができない場合がある。そこで、ホールセンサ１００Ｃにおいては、第３磁性体２０３を有する。したがって、第２磁性体２０２および第３磁性体２０３がメッキで形成される場合であっても、第１磁性体２０１とは別の磁性体のある程度の厚みを確保できることから、磁束のループを形成することができる。
【0075】
図１９は、第４例のホールセンサ１００Ｄの断面図である。ホールセンサ１００Ｄは、フレーム３１３が、第２磁性体２０２である。つまり、フレーム３１３と、第２磁性体２０２とが兼用される。ホールセンサ１００Ｄにより、磁束のループを形成することができる。さらに、ホールセンサ１００Ｄにより、フレーム３１３と、第２磁性体２０２とが兼用されることから、フレームと第２磁性体とが別個であるホールセンサと比較して、部品点数を抑制できる。
【0076】
［ホールセンサの製造方法］
次に、ホールセンサの製造方法を説明する。図２０は、ホールセンサの第１の製造方法を説明するための図である。なお、図２０、後述の図２１～図２５においては、ホールセンサのうちの第１磁性体２０１およびホール素子３００について示す。また、図２０～図２２、および図２４については、図２などと比較して、第１磁性体２０１およびホール素子３００の寸法が異なるように記載されている。
次に、ホールセンサの製造方法を説明する。図２０は、ホールセンサの第１の製造方法を説明するための図である。なお、図２０、後述の図２１～図２５においては、ホールセンサのうちの第１磁性体２０１およびホール素子３００について示す。また、図２０～図２２、および図２４については、図２などと比較して、第１磁性体２０１およびホール素子３００の寸法が異なるように記載されている。
【0077】
図２０（Ａ）に示すように、第１主面３００Ａ（主面）を有するホール素子３００が準備される。次に、図２０（Ｂ）に示すように、第１主面３００Ａ上に層間膜３０５が形成される。層間膜３０５は、たとえば、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により形成される。
【0078】
次に、図２０（Ｃ）に示すように、層間膜３０５上に、レジスト５０１が形成される。レジスト５０１は、たとえば、樹脂（ポリマー）、感光剤、添加剤、および溶剤を主成分とする混合物である。レジスト５０１は、たとえば、樹脂（ポリマー）、感光剤、添加剤、および溶剤の少なくとも１つを主成分とする混合物である。レジスト５０１は、層間膜３０５の両端に形成される。また、レジスト５０１により、パターンが形成される。このパターンとは、第１磁性体２０１（図３参照）を形成するためのパターンである。
【0079】
次に、図２０（Ｄ）に示すように、図２０（Ｃ）の状態で、層間膜３０５に対してエッチング処理が実行される。このエッチング処理により、層間膜３０５に凸部３０５Ａおよび凹部３０５Ｂが形成される。このエッチング処理により、凸部３０５Ａと凹部３０５Ｂが形成された層間膜３０５が第１主面３００Ａに形成される。よって、第１主面３００Ａに凸部３０５Ａと凹部３０５Ｂが形成される。
【0080】
図２１は、図２０（Ｄ）の状態のホール素子３００などをＺ軸方向から平面視した図である。図２１の例では、矩形状の第１主面３００Ａの周縁に層間膜３０５（凸部３０５Ａ）が形成されている。また、第１主面３００Ａの凸部３０５Ａの他の領域は、凹部３０５Ｂとなる。換言すれば、層間膜３０５の中央部に凹部３０５Ｂが形成されており、残りの部分が、凸部３０５Ａとなる。
【0081】
次に、図２０（Ｅ）に示すように、凸部３０５Ａおよび凹部３０５Ｂが覆うように、所定の方法で第１磁性体２０１（磁性体）が形成される。所定の方法は、たとえば、スパッタリング、蒸着、メッキなどのいずれかの手法である。また、第１磁性体２０１は、第１主面３００Ａと対向する第１面２０１Ａ（磁性体面）を有する。そして、第２面２０１Ｂの面積は、第１面２０１Ａの面積よりも大きくなる。
【0082】
なお、特に図示しないが、上述の第２磁性体および第３磁性体が、所定のタイミングで積層されるようにしてもよい。
【0083】
【0084】
図２２（Ｂ）に示すように、第１主面３００Ａの中央部にレジスト５０１が形成される。そして、図２２（Ｃ）に示すように、レジスト５０１および、第１主面３００Ａのレジスト以外の領域に、所定の方法で層間膜が形成される。この所定の方法は、たとえば、ＣＶＤ法またはスパッタリングである。
【0085】
【0086】
図２３は、第１の製造方法または第２の製造方法のフローチャートである。ステップＳ２でホール素子３００が準備される（図２０（Ａ）または図２２（Ａ））。次に、ステップＳ４において、凸部３０５Ａと凹部３０５Ｂが形成された層間膜３０５を第１主面３００Ａに形成される（図２０（Ｄ）または図２２（Ｄ）参照）。図２０（Ｂ）および図２０（Ｃ）で説明した処理、または、図２２（Ｂ）および図２２（Ｃ）で説明した処理が実行されることにより、ステップＳ４の処理は、実行される。
【0087】
【0088】
図２０～図２３で説明した製造手法により比較的簡易にホールセンサ１００は製造されることができる。特に、図２などで説明したように第１磁性体２０１の形状は、第１面２０１Ａと、該第１面２０１Ａと対向する第２面２０１Ｂとを有することが好ましい。このような第１磁性体２０１を有するホールセンサは、図２０～図２３で説明した比較的簡易な製造手法により製造されることができる。
【0089】
また、第１磁性体２０１の第１面２０１Ａに垂直な断面は、Ｔ字形状であることが好ましい。このような第１磁性体２０１を有するホールセンサは、図２０～図２３で説明した比較的簡易な製造手法により製造されることができる。
【0090】
図２４は、ホールセンサの第３の製造方法を説明するための図である。図２４（Ａ）に示すように、第１主面３００Ａ（主面）を有するホール素子３００が準備される。また、第１磁性体２０１が別の工程で所定の手法により製造される。この所定の手法は、パンチング処理またはエッチング処理(もしくは整形して焼結)という手法である。
【0091】
図２４（Ｂ）に示すように、第１主面３００Ａの中央部に接着剤５１１が塗布される。そして、図２４（Ｃ）に示すように、ホール素子３００の第１主面３００Ａと第１磁性体２０１の第１面２０１Ａ（磁性体面）とが対向するように、ホール素子３００と、第１磁性体２０１とが接着剤５１１により接着される。また、図２４の例では、接着剤５１１はホール素子３００に塗布されたが、第１磁性体２０１の第１面２０１Ａに塗布されるようにしてもよい。
【0092】
図２５は、第３の製造方法のフローチャートである。ステップＳ１２でホール素子３００が準備される（図２４（Ａ））。次に、ステップＳ１４において、第１磁性体２０１が形成される。なお、第１磁性体２０１は予め形成されていてもよい。そして、ホール素子３００と、第１磁性体２０１とが接着剤５１１により接着される。
【0093】
図２４または図２５で説明した第３の製造手法であっても、ホールセンサは製造されることができる。また、図２０～図２５で説明した製造手法により、図６～図１５で説明した第１磁性体２０１を有するホールセンサが製造されてもよい。また、図２０～図２５で説明した製造手法により、ホールセンサ１００Ａ～ホールセンサ１００Ｄ（図１６～図１９参照）が製造されてもよい。
【0094】
【0095】
図２６は、図２７～図３０の構成を説明するための図である。図２６では、第１磁性体２０１の第２面２０１ＢをＸＹ平面で四等分するための直線Ｍ１および直線Ｍ２が示されている。直線Ｍ１は、Ｘ軸方向に沿った直線であり、直線Ｍ２は、Ｙ軸方向に沿った直線である。
【0096】
また、図２６では、ホール素子３００の第１主面３００ＡをＸＹ平面で四等分するための直線Ｎ１および直線Ｎ２が示されている。直線Ｎ１は、Ｘ軸方向に沿った直線であり、直線Ｎ２は、Ｙ軸方向に沿った直線である。
【0097】
このシミュレーション結果では、磁性体部材２０１Ｐと、ホール素子部材３００Ｐとを用いて説明する。磁性体部材２０１Ｐは、第１磁性体２０１を上記四等分した部材である。ホール素子部材３００Ｐは、ホール素子３００を上記四等分した部材である。また、直線Ｍ１および直線Ｍ２の交点が、磁性体部材２０１Ｐの頂部２０１Ｍとなる。また、直線Ｎ１および直線Ｎ２の交点が、ホール素子部材３００Ｐの頂部３００Ｍとなる。
【0098】
また、図２６の四等分されていない第１磁性体２０１およびホール素子について、Ｌ１＝１０μｍであり、Ｌ２＝５μｍであり、Ｌ３＝８５μｍであり、第２面２０１Ｂおよび第１主面３００Ａの面積は、１９０×１９０μｍ２であり、第１面２０１Ａの面積は、５０×５０μｍ２である。
【0099】
図２７は、実験例１、実験例５、および実験例６の部材の斜視図である。実験例１、実験例５、および実験例６の部材は、磁性体部材２０１Ｐと、ホール素子部材３００Ｐとを有する。図２８は、実験例２の部材の斜視図である。実験例２の部材は、第１磁性部２５１が上記四等分された磁性体部材２５１Ｐと、ホール素子部材３００Ｐとを有する。図２９は、実験例３の部材の斜視図である。図２９においては、ホール素子部材３００Ｐを有しており、磁性体部材を有していない。図３０は、実験例４の部材の斜視図である。実験例４の部材は、第２磁性部２５２が上記四等分された磁性体部材２５２Ｐと、ホール素子部材３００Ｐとを有する。
【0100】
【0101】
図３１は、実験例１～実験例６のシミュレーション結果などをまとめた表である。実験例１～４、６の頂部３００Ｍの初期磁束密度は、１００ｍＴである。初期磁束密度は、磁性体部材を装着するまでの頂部３００Ｍの初期密度である。実験例５の頂部３００Ｍの初期磁束密度は、２５ｍＴである。
【0102】
図２７でも説明したように、実験例１、実験例５、および実験例６の磁性体の種別は、第１磁性体２０１である。図２８でも説明したように、実験例２の磁性体の種別は、第１磁性部２５１である。図２９でも説明したように、実験例３においては磁性体は設けられていない。図３０でも説明したように、実験例４の磁性体の種別は、第２磁性部２５２である。実験例１、実験例２、実験例４、および実験例５の磁性体の比透磁率は、７００００である。実験例６の磁性体の比透磁率は、３５９０００である。
【0103】
以上のような、シミュレーション条件において、実験例１の頂部３００Ｍの磁束密度は、６４１ｍＴとなった。実験例２の頂部３００Ｍの磁束密度は、３１４ｍＴとなった。実験例３の頂部３００Ｍの磁束密度は、１３１ｍＴとなった。実験例４の頂部３００Ｍの磁束密度は、２００ｍＴとなった。実験例５の頂部３００Ｍの磁束密度は、１６０ｍＴとなった。実験例６の頂部３００Ｍの磁束密度は、６４２ｍＴとなった。頂部３００Ｍの磁束密度は、磁束密度Ｂ１と同一とみなすことができる。
【0104】
図３２～図３７は、それぞれ、実験例１～６のホール素子部材３００Ｐの頂部３００Ｍおよび他の部分の磁束密度を示す図である。図３２～図３７においては、左側に示すように、磁束密度の強度はハッチングの種別およびハッチングを構成する斜線の密度で表現されている。
【0105】
図３２は、実験例１の磁束密度を示す図である。図３３は、実験例２の磁束密度を示す図である。図３４は、実験例３の磁束密度を示す図である。図３５は、実験例４の磁束密度を示す図である。図３６は、実験例５の磁束密度を示す図である。図３７は、実験例６の磁束密度を示す図である。
【0106】
図３８は、実験例１～実験例６の頂部３００Ｍの磁束密度（磁束密度Ｂ１）を示す図である。図３８の縦軸は、実験例３（磁性体を有していない実験例）の頂部３００Ｍの磁束密度を「１」と規格化した場合の数値（以下、「規格化数値」と称される。）である。
【0107】
図３８に示すように、実験例３の規格化数値は、１である。実験例４の規格化数値は、約１．５である。実験例２の規格化数値は、約２．４である。実験例１、５、６の規格化数値は、約５である。
【0108】
図３８に示すように、本実施形態のホールセンサである実験例１、５、６は、実験例１のホールセンサの約５倍の集磁効果を有する。また、本実施形態のホールセンサである実験例１、５、６は、実験例４のホールセンサの約３．２倍の集磁効果を有する。また、本実施形態のホールセンサである実験例１、５、６は、実験例２のホールセンサの約２倍の集磁効果を有する。以上により、本実施の形態のホールセンサは、磁界の検出感度が向上されていることが証明された。
【0109】
＜付記＞
上述したような本実施の形態は、以下のような技術思想を含む。
上述したような本実施の形態は、以下のような技術思想を含む。
【0110】
（第１項） 本開示のホールセンサは、第１主面を有するホール素子と、前記第１主面側に配置された第１磁性体と、を備え、前記第１磁性体は、前記第１主面と対向する第１面を有し、前記ホール素子の反対側から平面視したときの前記第１磁性体の投影面の面積は、前記第１面の面積よりも大きい。
【0111】
このような構成によれば、投影面の面積と第１面の面積とが同一であるホールセンサと比較して、ホール素子と対向する第１面の磁束密度を高めることができる。したがって、ホール素子で生じるホール電圧を高めることができることから、磁界の検出感度を向上させることができる。
【0112】
（第２項） 第１項に記載のホールセンサにおいて、前記投影面は、前記第１面と対向する平面である。
【0113】
このような構成によれば、ホールセンサの製造を簡素化できる。
【0114】
（第３項） 第１項に記載のホールセンサにおいて、前記第１磁性体の前記第１面に垂直な断面は、Ｔ字形状である。
【0115】
このような構成によれば、ホールセンサの製造を簡素化できる。
【0116】
（第４項） 第１項～第３項のいずれか１項に記載のホールセンサにおいて、前記投影面の面積は、前記第１主面の面積以下である。
【0117】
このような構成によれば、ホールセンサのサイズを抑制できる。
【0118】
（第５項） 第４項に記載のホールセンサにおいて、前記投影面の面積と、前記第１主面の面積とは同一である。
【0119】
このような構成によれば、ホールセンサのサイズを抑制できつつ、第１面の磁束密度を高めることができる。
【0120】
（第６項） 第１項～第５項のいずれか１項に記載のホールセンサにおいて、前記ホール素子は、前記第１主面と対向する第２主面を有し、前記ホールセンサは、前記第２主面側に配置された第２磁性体をさらに備える。
【0121】
このような構成によれば、磁束のループを形成できることから、第１面の磁束密度を高めることができる。よって、磁界の検出感度をさらに向上させることができる。
【0122】
（第７項） 第６項に記載のホールセンサにおいて、前記ホールセンサは、前記ホール素子が配置されるフレームを有し、前記第２磁性体は、前記ホール素子と、前記フレームとの間に配置されている。
【0123】
このような構成によれば、磁束のループを形成できることから、第１面の磁束密度を高めることができる。よって、磁界の検出感度をさらに向上させることができる。
【0124】
（第８項） 第７項に記載のホールセンサにおいて、前記ホールセンサは、前記フレームに前記第２磁性体とは反対側に配置された第３磁性体をさらに備える。
【0125】
このような構成によれば、第２磁性体をメッキで形成して、該第２磁性体の厚みが薄い場合であっても、第３磁性体を備えていることから、磁束のループを形成できる。よって、第１面の磁束密度を高めることができる。
【0126】
（第９項） 第６項に記載のホールセンサにおいて、前記ホールセンサは、前記ホール素子が配置されるフレームを有し、前記フレームは、前記ホール素子と、前記第２磁性体との間に配置されている。
【0127】
このような構成によれば、磁束のループを形成できることから、第１面の磁束密度を高めることができる。よって、磁界の検出感度をさらに向上させることができる。
【0128】
（第１０項） 第６項に記載のホールセンサにおいて、前記ホールセンサは、前記ホール素子が配置されるフレームを有し、前記フレームは、前記第２磁性体である。
【0129】
このような構成によれば、フレームと第２磁性体とが別個であるホールセンサと比較して、部品点数を抑制できる。
【0130】
（第１１項） 第１項～第１０項のいずれか１項に記載のホールセンサにおいて、前記投影面の面積を前記第１面の面積で除算した値は、１．１以上１６以下である。
【0131】
このような構成によれば、ホール素子と対向する第１面の磁束密度を効果的に高めることができる。
【0132】
（第１２項） 本開示のホールセンサの製造方法は、主面を有するホール素子を準備することと、主面に形成された凸部と凹部を覆うように、磁性体を形成することとを備え、前記磁性体は、前記主面と対向する磁性体面を有し、前記ホール素子の反対側から平面視したときの前記磁性体の投影面の面積は、前記磁性体面の面積よりも大きい。
【0133】
このような構成によれば、投影面の面積と第１面の面積とが同一であるホールセンサと比較して、ホール素子と対向する第１面の磁束密度を高めることができるホールセンサを製造できる。したがって、ホール素子で生じるホール電圧を高めることができることから、磁界の検出感度を向上させるホールセンサを製造できる。
【0134】
（第１３項） 本開示のホールセンサの製造方法は、主面を有するホール素子を準備することと、磁性体面を有する磁性体を形成することと、前記主面と前記磁性体面とが対向するように、前記ホール素子と、前記磁性体とを接着剤により接着することとを備え、前記ホール素子の反対側から平面視したときの前記磁性体の投影面の面積は、前記磁性体面の面積よりも大きい。
【0135】
このような構成によれば、投影面の面積と第１面の面積とが同一であるホールセンサと比較して、ホール素子と対向する第１面の磁束密度を高めることができるホールセンサを製造できる。したがって、ホール素子で生じるホール電圧を高めることができることから、磁界の検出感度を向上させるホールセンサを製造できる。
【0136】
今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【0137】
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ ホールセンサ、２０１ 第１磁性体、２０１Ａ 第１面、２０１Ｂ 第２面、２０１Ｃ，２０１Ｄ 溝部、２０１Ｍ，３００Ｍ 頂部、２０１Ｘ 投影面、２０２ 第２磁性体、２０３ 第３磁性体、２５１ 第１磁性部、２５２ 第２磁性部、３００ ホール素子、３００Ａ 第１主面、３００Ｂ 第２主面、３０５ 層間膜、３０５Ａ 凸部、３０５Ｂ 凹部、３１１ 第１基板、３１２ 第２基板、３１３ フレーム、３２１ 層間膜、３５１ 第１電極、３５２ 第２電極、５００ 検出回路、５０１ レジスト、５１１ 接着剤、６０２ 電流源、６０４ 検出部、６０６ 制御部、１０００ 磁気センサ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
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【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】