ホーム > 特許ランキング > 三菱マテリアル株式会社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023081351
(43)【公開日】2023-06-09
(54)【発明の名称】絶縁回路基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/20 20060101AFI20230602BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20230602BHJP
H01L 23/36 20060101ALI20230602BHJP
H05K 3/38 20060101ALI20230602BHJP
C04B 37/02 20060101ALI20230602BHJP
【ＦＩ】
H05K3/20 Z
H01L23/12 D
H01L23/12 J
H01L23/36 C
H05K3/38 E
C04B37/02 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022190223
(22)【出願日】2022-11-29
(31)【優先権主張番号】P 2021194467
(32)【優先日】2021-11-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000006264
【氏名又は名称】三菱マテリアル株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100149548
【弁理士】
【氏名又は名称】松沼 泰史
(74)【代理人】
【識別番号】100175802
【弁理士】
【氏名又は名称】寺本 光生
(74)【代理人】
【識別番号】100142424
【弁理士】
【氏名又は名称】細川 文広
(74)【代理人】
【識別番号】100140774
【弁理士】
【氏名又は名称】大浪 一徳
(72)【発明者】
【氏名】櫻井 晶
(72)【発明者】
【氏名】寺▲崎▼ 伸幸
(72)【発明者】
【氏名】五明 美佳
【テーマコード（参考）】
4G026
5E343
5F136
【Ｆターム（参考）】
4G026BA16
4G026BA17
4G026BB22
4G026BB27
4G026BF13
4G026BG02
4G026BH07
5E343AA02
5E343AA05
5E343AA23
5E343BB24
5E343BB28
5E343BB67
5E343CC07
5E343CC17
5E343DD02
5E343ER39
5E343FF02
5E343FF11
5E343GG20
5F136BB04
5F136DA27
5F136EA13
5F136FA02
5F136FA03
5F136FA16
5F136FA18
5F136FA41
(57)【要約】 （修正有）
【課題】セラミックス基板の第一の面及び第二の面に接合用ペーストを安定して印刷し、絶縁回路基板を安定して製造する絶縁回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】方法は、セラミックス基板１１の第一の面及び第二の面にそれぞれ接合用ペーストを印刷する接合用ペースト印刷工程を有し、セラミックス基板の第一の面に接合用ペーストを印刷し、その後、セラミックス基板を反転し、載置面に凹部５２を有する印刷ステージ５０に載置し、第一の面に印刷された接合用ペースト２５が凹部内に収容されるとともに、吸引部５５によってセラミックス基板が固定された状態で、セラミックス基板の第二の面に接合用ペースト２５を印刷する。
【選択図】図５
【解決手段】方法は、セラミックス基板１１の第一の面及び第二の面にそれぞれ接合用ペーストを印刷する接合用ペースト印刷工程を有し、セラミックス基板の第一の面に接合用ペーストを印刷し、その後、セラミックス基板を反転し、載置面に凹部５２を有する印刷ステージ５０に載置し、第一の面に印刷された接合用ペースト２５が凹部内に収容されるとともに、吸引部５５によってセラミックス基板が固定された状態で、セラミックス基板の第二の面に接合用ペースト２５を印刷する。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
セラミックス基板と、前記セラミックス基板の第一の面及び第二の面にそれぞれ金属片が接合されて形成された回路層および金属層と、を備えた絶縁回路基板の製造方法であって、
前記セラミックス基板の第一の面及び第二の面にそれぞれ接合用ペーストを印刷する接合用ペースト印刷工程と、
前記接合用ペーストを介して前記セラミックス基板と前記回路層となる金属片とを積層するとともに、前記接合用ペーストを介して前記セラミックス基板と前記金属層となる金属片とを積層する積層工程と、
前記積層した前記金属片および前記セラミックス基板を加熱処理して、前記金属片と前記セラミックス基板とを接合する接合工程と、
を有し、
前記接合用ペースト印刷工程においては、前記セラミックス基板の第一の面に前記接合用ペーストを印刷し、その後、前記セラミックス基板を反転し、載置面に凹部を有する印刷ステージに載置し、前記セラミックス基板の第二の面に前記接合用ペーストを印刷する構成とされており、
前記印刷ステージにおいては、前記凹部の周縁部に前記セラミックス基板の端部が支持される支持部が形成され、かつ、前記凹部の底面側に吸引部が形成されており、
反転した前記セラミックス基板を載置した際に、第一の面に印刷された前記接合用ペーストが前記凹部内に収容されるとともに、前記吸引部によって前記セラミックス基板が固定された状態で、前記セラミックス基板の第二の面に前記接合用ペーストを印刷することを特徴とする絶縁回路基板の製造方法。
前記セラミックス基板の第一の面及び第二の面にそれぞれ接合用ペーストを印刷する接合用ペースト印刷工程と、
前記接合用ペーストを介して前記セラミックス基板と前記回路層となる金属片とを積層するとともに、前記接合用ペーストを介して前記セラミックス基板と前記金属層となる金属片とを積層する積層工程と、
前記積層した前記金属片および前記セラミックス基板を加熱処理して、前記金属片と前記セラミックス基板とを接合する接合工程と、
を有し、
前記接合用ペースト印刷工程においては、前記セラミックス基板の第一の面に前記接合用ペーストを印刷し、その後、前記セラミックス基板を反転し、載置面に凹部を有する印刷ステージに載置し、前記セラミックス基板の第二の面に前記接合用ペーストを印刷する構成とされており、
前記印刷ステージにおいては、前記凹部の周縁部に前記セラミックス基板の端部が支持される支持部が形成され、かつ、前記凹部の底面側に吸引部が形成されており、
反転した前記セラミックス基板を載置した際に、第一の面に印刷された前記接合用ペーストが前記凹部内に収容されるとともに、前記吸引部によって前記セラミックス基板が固定された状態で、前記セラミックス基板の第二の面に前記接合用ペーストを印刷することを特徴とする絶縁回路基板の製造方法。
【請求項2】
前記セラミックス基板の第一の面に前記接合用ペーストを印刷した後に、印刷した前記接合用ペーストを乾燥し、その後、前記セラミックス基板の第二の面に前記接合用ペーストを印刷することを特徴とする請求項１に記載の絶縁回路基板の製造方法。
【請求項3】
前記セラミックス基板には、スクライブラインが形成されており、前記凹部には、載置された前記セラミックス基板の前記スクライブラインに対応した位置にリブが設けられていること特徴とする請求項１または請求項２に記載の絶縁回路基板の製造方法。
【請求項4】
前記接合用ペーストは、金属粉末と、アクリル樹脂と、アジピン酸エステルからなる可塑剤と、溶剤と、を含有し、前記可塑剤の含有量が３．２ｍａｓｓ％以上１０．４ｍａｓｓ％以下の範囲内とされるとともに、前記可塑剤の重量Ａと前記アクリル樹脂の重量Ｂとの比Ａ／Ｂが０．２≦Ａ／Ｂ≦１．３の範囲内とされていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の絶縁回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一方の面に形成された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に形成された金属層と、を備えた絶縁回路基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
パワーモジュール、ＬＥＤモジュール及び熱電モジュールにおいては、セラミックス基板の一方の面に導電材料からなる回路層を形成した絶縁回路基板に、パワー半導体素子、ＬＥＤ素子及び熱電素子が接合された構造とされている。
また、上述の絶縁回路基板においては、セラミックス基板の一方の面に導電性の優れた金属片を接合して回路層とし、セラミックス基板の他方の面に放熱性に優れた金属片を接合して金属層を形成した構造のものが提供されている。
さらに、回路層に搭載した素子等において発生した熱を効率的に放散させるために、セラミックス基板の他方の面側にヒートシンクを接合したヒートシンク付き絶縁回路基板も提供されている。
また、上述の絶縁回路基板においては、セラミックス基板の一方の面に導電性の優れた金属片を接合して回路層とし、セラミックス基板の他方の面に放熱性に優れた金属片を接合して金属層を形成した構造のものが提供されている。
さらに、回路層に搭載した素子等において発生した熱を効率的に放散させるために、セラミックス基板の他方の面側にヒートシンクを接合したヒートシンク付き絶縁回路基板も提供されている。
【0003】
例えば、特許文献１には、セラミックス基板の一方の面および他方の面に、銅板を接合することにより回路層および金属層を形成した絶縁回路基板が提案されている。この特許文献１においては、セラミックス基板の一方の面および他方の面に、Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材を介在させて銅板を配置し、加熱処理を行うことにより銅板が接合されている（いわゆる活性金属ろう付け法）。
【0004】
また、特許文献２においては、銅又は銅合金からなる銅板と、ＡｌＮ又はＡｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板とが、ＡｇおよびＴｉを含む接合材を用いて接合されたパワーモジュール用基板が提案されている。
さらに、特許文献３には、銅又は銅合金からなる銅板と、窒化ケイ素からなるセラミックス基板とが、ＡｇおよびＴｉを含む接合材を用いて接合されたパワーモジュール用基板が提案されている。
さらに、特許文献３には、銅又は銅合金からなる銅板と、窒化ケイ素からなるセラミックス基板とが、ＡｇおよびＴｉを含む接合材を用いて接合されたパワーモジュール用基板が提案されている。
【0005】
また、特許文献４には、セラミックス基板の一方の面にアルミニウム板からなる回路層が形成されるとともに他方の面にアルミニウム板からなる金属層が形成された絶縁回路基板が開示されている。ここで、セラミックス基板と回路層及び金属層となるアルミニウム板を接合する際には、Ａｌ－Ｓｉ系ろう材が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特許第３２１１８５６号公報
【特許文献2】特許第５７５７３５９号公報
【特許文献3】特開２０１８－００８８６９号公報
【特許文献4】特許第３１７１２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ところで、セラミックス基板の一方の面に回路層を形成し、セラミックス基板の他方の面に金属層を形成する際には、セラミックス基板の両面に接合用ペーストを印刷する必要がある。
印刷ステージ上にセラミックス基板を載置して、セラミックス基板の一面に接合用ペーストを印刷した後、セラミックス基板を反転して印刷ステージ上に載置し、セラミックス基板の他面に接合用ペーストを印刷することになる。
印刷ステージ上にセラミックス基板を載置して、セラミックス基板の一面に接合用ペーストを印刷した後、セラミックス基板を反転して印刷ステージ上に載置し、セラミックス基板の他面に接合用ペーストを印刷することになる。
【0008】
すると、最初に印刷した接合用ペーストが印刷ステージに接触することになり、印刷時の圧力によって接合用ペーストが印刷ステージに押し付けられ、接合用ペーストの剥離が発生したり、印刷ステージ上の汚れが接合用ペーストに転写したりするおそれがあった。
特に、粘着性を有する接合用ペーストを印刷した場合には、印刷したセラミックス基板が印刷ステージに強固に張り付いてしまい、容易に取り外すことができなくなるおそれがあった。
特に、粘着性を有する接合用ペーストを印刷した場合には、印刷したセラミックス基板が印刷ステージに強固に張り付いてしまい、容易に取り外すことができなくなるおそれがあった。
【0009】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、セラミックス基板の第一の面及び第二の面に接合用ペーストを安定して印刷することができ、絶縁回路基板を安定して製造することが可能な絶縁回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上述の課題を解決するために、本発明の態様１の絶縁回路基板の製造方法は、セラミックス基板と、前記セラミックス基板の第一の面及び第二の面にそれぞれ金属片が接合されて形成された回路層および金属層と、を備えた絶縁回路基板の製造方法であって、前記セラミックス基板の第一の面及び第二の面にそれぞれ接合用ペーストを印刷する接合用ペースト印刷工程と、前記接合用ペーストを介して前記セラミックス基板と前記回路層となる金属片とを積層するとともに、前記接合用ペーストを介して前記セラミックス基板と前記金属層となる金属片とを積層する積層工程と、前記積層した前記金属片および前記セラミックス基板を加熱処理して、前記金属片と前記セラミックス基板とを接合する接合工程と、を有し、前記接合用ペースト印刷工程においては、前記セラミックス基板の第一の面に前記接合用ペーストを印刷し、その後、前記セラミックス基板を反転し、載置面に凹部を有する印刷ステージに載置し、前記セラミックス基板の第二の面に前記接合用ペーストを印刷する構成とされており、前記印刷ステージにおいては、前記凹部の周縁部に前記セラミックス基板の端部が支持される支持部が形成され、かつ、前記凹部の底面側に吸引部が形成されており、反転した前記セラミックス基板を載置した際に、第一の面に印刷された前記接合用ペーストが前記凹部内に収容されるとともに、前記吸引部によって前記セラミックス基板が固定された状態で、前記セラミックス基板の第二の面に前記接合用ペーストを印刷することを特徴としている。
【0011】
本発明の態様１の絶縁回路基板の製造方法によれば、セラミックス基板の第一の面及び第二の面に接合用ペーストを印刷する前記接合用ペースト印刷工程において、前記セラミックス基板の第一の面に前記接合用ペーストを印刷し、その後、反転した前記セラミックス基板を、載置面に凹部が形成された印刷ステージに載置し、第一の面に印刷された前記接合用ペーストを前記凹部内に収容するとともに吸引部によって前記セラミックス基板が固定した状態で、前記セラミックス基板の第二の面に前記接合用ペーストを印刷する構成とされているので、前記セラミックス基板の第二の面側に接合用ペーストを印刷する際に、第一の面側に印刷した接合用ペーストが印刷ステージと接触することが抑制され、セラミックス基板の第一の面及び第二の面に接合用ペーストを安定して印刷することができる。また、吸引部によってセラミックス基板が固定されているので、セラミックス基板の第二の面側に接合用ペーストを精度良く印刷することができる。
【0012】
本発明の態様２の絶縁回路基板の製造方法は、本発明の態様１の絶縁回路基板の製造方法において、前記セラミックス基板の第一の面に前記接合用ペーストを印刷した後に、印刷した前記接合用ペーストを乾燥し、その後、前記セラミックス基板の第二の面に前記接合用ペーストを印刷することを特徴としている。
本発明の態様２の絶縁回路基板の製造方法によれば、前記セラミックス基板の第一の面に印刷され、乾燥された前記接合用ペーストが粘着性を有する場合であっても、前記セラミックス基板の第二の面に前記接合用ペーストを印刷する際に、乾燥後の前記接合用ペーストが印刷ステージに接触することが抑制され、セラミックス基板の第一の面及び第二の面に接合用ペーストを安定して印刷することができる。
本発明の態様２の絶縁回路基板の製造方法によれば、前記セラミックス基板の第一の面に印刷され、乾燥された前記接合用ペーストが粘着性を有する場合であっても、前記セラミックス基板の第二の面に前記接合用ペーストを印刷する際に、乾燥後の前記接合用ペーストが印刷ステージに接触することが抑制され、セラミックス基板の第一の面及び第二の面に接合用ペーストを安定して印刷することができる。
【0013】
本発明の態様３の絶縁回路基板の製造方法は、本発明の態様１または態様２の絶縁回路基板の製造方法において、前記セラミックス基板には、スクライブラインが形成されており、前記凹部には、載置された前記セラミックス基板の前記スクライブラインに対応した位置にリブが設けられていることを特徴としている。
本発明の態様３の絶縁回路基板の製造方法によれば、セラミックス基板にスクライブラインが形成されていることから、セラミックス基板の第一の面及び第二の面に接合用ペーストを印刷した後に、セラミックス基板をスクライブラインに沿って分割することで、複数の絶縁回路基板を効率良く製造することができる。また、前記凹部に、載置された前記セラミックス基板の前記スクライブラインに対応した位置にリブが設けられているので、大型のセラミックス基板であっても、吸引固定時や印刷時におけるセラミックス基板のたわみを抑制でき、接合用ペーストの印刷を安定して行うことができる。
本発明の態様３の絶縁回路基板の製造方法によれば、セラミックス基板にスクライブラインが形成されていることから、セラミックス基板の第一の面及び第二の面に接合用ペーストを印刷した後に、セラミックス基板をスクライブラインに沿って分割することで、複数の絶縁回路基板を効率良く製造することができる。また、前記凹部に、載置された前記セラミックス基板の前記スクライブラインに対応した位置にリブが設けられているので、大型のセラミックス基板であっても、吸引固定時や印刷時におけるセラミックス基板のたわみを抑制でき、接合用ペーストの印刷を安定して行うことができる。
【0014】
本発明の態様４の絶縁回路基板の製造方法は、本発明の態様１から態様３のいずれか一つの絶縁回路基板の製造方法において、前記接合用ペーストは、金属粉末と、アクリル樹脂と、アジピン酸エステルからなる可塑剤と、溶剤と、を含有し、前記可塑剤の含有量が３．２ｍａｓｓ％以上１０．４ｍａｓｓ％以下の範囲内とされるとともに、前記可塑剤の重量Ａと前記アクリル樹脂の重量Ｂとの比Ａ／Ｂが０．２≦Ａ／Ｂ≦１．３の範囲内とされていることを特徴としている。
本発明の態様４の絶縁回路基板の製造方法によれば、前記接合用ペーストが、アクリル樹脂と、アジピン酸エステルからなる可塑剤と、を含有しており、前記可塑剤の含有量が３．２ｍａｓｓ％以上１０．４ｍａｓｓ％以下の範囲内とされるとともに、前記可塑剤の重量Ａと前記アクリル樹脂の重量Ｂとの比Ａ／Ｂが０．２≦Ａ／Ｂ≦１．３の範囲内とされているので、十分な粘着力を有することになるが、セラミックス基板の第一の面及び第二の面に接合用ペーストを安定して印刷することができる。
本発明の態様４の絶縁回路基板の製造方法によれば、前記接合用ペーストが、アクリル樹脂と、アジピン酸エステルからなる可塑剤と、を含有しており、前記可塑剤の含有量が３．２ｍａｓｓ％以上１０．４ｍａｓｓ％以下の範囲内とされるとともに、前記可塑剤の重量Ａと前記アクリル樹脂の重量Ｂとの比Ａ／Ｂが０．２≦Ａ／Ｂ≦１．３の範囲内とされているので、十分な粘着力を有することになるが、セラミックス基板の第一の面及び第二の面に接合用ペーストを安定して印刷することができる。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、セラミックス基板の第一の面及び第二の面に接合用ペーストを安定して印刷することができ、絶縁回路基板を安定して製造することが可能な絶縁回路基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の実施形態である絶縁回路基板の製造方法によって製造された絶縁回路基板を用いたパワーモジュールの断面説明図である。
【図2】本発明の実施形態である絶縁回路基板の製造方法を示すフロー図である。
【図3】本発明の実施形態である絶縁回路基板の製造方法を示す説明図である。
【図4】本発明の実施形態である絶縁回路基板の製造方法における接合用ペースト印刷工程を示す説明図である。
【図5】接合用ペースト印刷工程において用いられる印刷ステージの概略説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下に、本発明の実施形態について、添付した図面を参照して説明する。
【0018】
図１に、本発明の実施形態である絶縁回路基板の製造方法によって製造された絶縁回路基板１０、および、この絶縁回路基板１０を用いたパワーモジュール１を示す。
【0019】
このパワーモジュール１は、絶縁回路基板１０と、この絶縁回路基板１０の一方側（図１において上側）にはんだ層２を介して接合された半導体素子３と、絶縁回路基板１０の他方側（図１において下側）に配設されたヒートシンク３１と、を備えている。
【0020】
はんだ層２は、例えばＳｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｉｎ系、若しくはＳｎ－Ａｇ－Ｃｕ系のはんだ材（いわゆる鉛フリーはんだ材）とされている。
半導体素子３は、半導体を備えた電子部品であり、必要とされる機能に応じて種々の半導体素子が選択される。
半導体素子３は、半導体を備えた電子部品であり、必要とされる機能に応じて種々の半導体素子が選択される。
【0021】
絶縁回路基板１０は、図１に示すように、絶縁層となるセラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の第一の面（図１において上面）に配設された回路層１２と、セラミックス基板１１の第二の面（図１において下面）に形成された金属層１３と、を備えている。
【0022】
セラミックス基板１１（絶縁層）は、回路層１２と金属層１３との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いＡｌＮ（窒化アルミニウム）やＳｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）等で構成されている。また、セラミックス基板１１の厚さは、０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の範囲内に設定されている。本実施形態では、セラミックス基板としてＡｌＮ（窒化アルミニウム）を用い、厚さは０．６３５ｍｍに設定されている。
なお、セラミックス基板１１としてＳｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）を用いる場合、厚さは０．３２ｍｍとすることが好ましい。
なお、セラミックス基板１１としてＳｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）を用いる場合、厚さは０．３２ｍｍとすることが好ましい。
【0023】
回路層１２は、図３に示すように、セラミックス基板１１の第一の面に銅、銅合金、アルミニウム、又は、アルミニウム合金からなる金属片２２が接合されることにより形成されている。銅又は銅合金としては、無酸素銅やタフピッチ銅等を用いることができる。アルミニウム又はアルミニウム合金としては純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上のアルミニウム（いわゆる４Ｎアルミニウム）やＡ３００３合金、Ａ６０６３合金などの圧延板等を用いることができる。本実施形態においては、回路層１２を構成する金属片２２として、無酸素銅の圧延板を打抜いたものが用いられている。
この回路層１２には、上述の金属片２２をパターン状に接合することで回路パターンが形成されており、その第一の面（図１において上面）が、半導体素子３が搭載される搭載面とされている。ここで、回路層１２の厚さは０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では０．８ｍｍに設定されている。
この回路層１２には、上述の金属片２２をパターン状に接合することで回路パターンが形成されており、その第一の面（図１において上面）が、半導体素子３が搭載される搭載面とされている。ここで、回路層１２の厚さは０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では０．８ｍｍに設定されている。
【0024】
金属層１３は、図３に示すように、セラミックス基板１１の第二の面に銅、銅合金、アルミニウム、又は、アルミニウム合金からなる金属片２３が接合されることにより形成されている。金属片２３としては、無酸素銅やタフピッチ銅、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上のアルミニウム（いわゆる４Ｎアルミニウム）やＡ３００３合金、Ａ６０６３合金などの圧延板等で構成されたものを用いることができる。本実施形態においては、金属層１３を構成する金属片２３として、無酸素銅の圧延板が用いられている。ここで、金属層１３の厚さは０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では０．８ｍｍに設定されている。
【0025】
ヒートシンク３１は、絶縁回路基板１０側の熱を放散するためのものである。ヒートシンク３１は、熱伝導性が良好な材質で構成されており、本実施形態においては、アルミニウム又はアルミニウム合金（例えばＡ６０６３合金等）で構成されている。このヒートシンク３１の厚さは、３ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内に設定されている。
なお、ヒートシンク３１と絶縁回路基板１０の金属層１３とは、固相拡散接合されている。
なお、ヒートシンク３１と絶縁回路基板１０の金属層１３とは、固相拡散接合されている。
【0026】
【0027】
（接合用ペースト印刷工程Ｓ０１）
まず、セラミックス基板１１の第一の面のうち複数の金属片２２が接合される予定の領域に、本実施形態である接合用ペースト２５を印刷する。また、セラミックス基板１１の第二の面のうち金属片２３が接合される予定の領域に、本実施形態である接合用ペースト２５を印刷する。そして、印刷した接合用ペースト２５を乾燥させることで、図３に示すように、セラミックス基板１１の第一の面及び第二の面に、乾燥後の接合用ペースト２５ａを配置する。
なお、接合用ペースト２５の塗布厚さは、乾燥後の接合用ペースト２５ａにおいて５μｍ以上２０μｍ以下の範囲内となるように、設定することが好ましい。また、アクリル樹脂の含有量は３．２ｍａｓｓ％以上８．０ｍａｓｓ％以下の範囲内とすることが好ましい。
また、アジピン酸エステルからなる可塑剤として、例えば、アジピン酸ジイソノニル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ビス（２－エチルヘキシル）、アジピン酸ビス（２－ブトキシエチル）などを用いることができる。溶剤としては、α－テルピネオール、テキサノール(イソ酪酸３－ヒドロキシ－２，２，４－トリメチルペンチル)やブチルカルビトールアセタートなどを用いることができる。
まず、セラミックス基板１１の第一の面のうち複数の金属片２２が接合される予定の領域に、本実施形態である接合用ペースト２５を印刷する。また、セラミックス基板１１の第二の面のうち金属片２３が接合される予定の領域に、本実施形態である接合用ペースト２５を印刷する。そして、印刷した接合用ペースト２５を乾燥させることで、図３に示すように、セラミックス基板１１の第一の面及び第二の面に、乾燥後の接合用ペースト２５ａを配置する。
なお、接合用ペースト２５の塗布厚さは、乾燥後の接合用ペースト２５ａにおいて５μｍ以上２０μｍ以下の範囲内となるように、設定することが好ましい。また、アクリル樹脂の含有量は３．２ｍａｓｓ％以上８．０ｍａｓｓ％以下の範囲内とすることが好ましい。
また、アジピン酸エステルからなる可塑剤として、例えば、アジピン酸ジイソノニル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ビス（２－エチルヘキシル）、アジピン酸ビス（２－ブトキシエチル）などを用いることができる。溶剤としては、α－テルピネオール、テキサノール(イソ酪酸３－ヒドロキシ－２，２，４－トリメチルペンチル)やブチルカルビトールアセタートなどを用いることができる。
【0028】
本実施形態で用いられる接合用ペースト２５は、金属粉末と、アクリル樹脂と、アジピン酸エステルからなる可塑剤と、溶剤と、を含有するものとされている。
そして、接合用ペースト２５は、可塑剤の含有量が３．２ｍａｓｓ％以上１０．４ｍａｓｓ％以下の範囲内とされるとともに、可塑剤の重量Ａとアクリル樹脂の重量Ｂとの比Ａ／Ｂが０．２≦Ａ／Ｂ≦１．３の範囲内とされている。
そして、接合用ペースト２５は、可塑剤の含有量が３．２ｍａｓｓ％以上１０．４ｍａｓｓ％以下の範囲内とされるとともに、可塑剤の重量Ａとアクリル樹脂の重量Ｂとの比Ａ／Ｂが０．２≦Ａ／Ｂ≦１．３の範囲内とされている。
【0029】
なお、本実施形態である接合用ペースト２５においては、接合用ペーストを１００ｍａｓｓ％として、金属粉末の含有量は、５０ｍａｓｓ％以上９０ｍａｓｓ％以下の範囲内とすることが好ましく、溶剤の含有量は、５．８ｍａｓｓ％以上３１．６ｍａｓｓ％以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、各含有量は、接合用ペースト２５全体を１００ｍａｓｓ％とした時である。
なお、各含有量は、接合用ペースト２５全体を１００ｍａｓｓ％とした時である。
【0030】
また、金属粉末は、接合する部材に応じて適宜選択される。ＡｌＮやＳｉ３Ｎ４からなるセラミックス基板と銅または銅合金を接合する際は、ＡｇとＣｕとＴｉ等、活性金属または活性金属の水素化物が含有されているろう材を用いる。ＡｌＮやＳｉ３Ｎ４からなるセラミックス基板とアルミニウムまたはアルミニウム合金を接合する際は、アルミニウムとケイ素、またはアルミニウムと銅等が混合されたろう材を用いる。
本実施形態では、ＡｌＮからなるセラミックス基板１１と無酸素銅からなる金属片２２，２３を接合することから、金属粉末として、Ａｇ粉末と活性金属であるＴｉ粉末との混合粉末を用いている。また、ＡｇとＴｉの混合比（質量比）は、Ａｇ／Ｔｉ＝１．２以上２６．７以下の範囲内としている。ＡｌＮやＳｉ３Ｎ４からなるセラミックス基板とアルミニウムまたはアルミニウム合金を接合する際は、アルミニウムとケイ素、またはアルミニウムと銅等の混合粉末を用いる。
さらに、金属粉末の平均粒径は、１μｍ以上５μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
本実施形態では、ＡｌＮからなるセラミックス基板１１と無酸素銅からなる金属片２２，２３を接合することから、金属粉末として、Ａｇ粉末と活性金属であるＴｉ粉末との混合粉末を用いている。また、ＡｇとＴｉの混合比（質量比）は、Ａｇ／Ｔｉ＝１．２以上２６．７以下の範囲内としている。ＡｌＮやＳｉ３Ｎ４からなるセラミックス基板とアルミニウムまたはアルミニウム合金を接合する際は、アルミニウムとケイ素、またはアルミニウムと銅等の混合粉末を用いる。
さらに、金属粉末の平均粒径は、１μｍ以上５μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
【0031】
ここで、接合用ペースト印刷工程Ｓ０１について、図４および図５を用いて説明する。
接合用ペースト印刷工程Ｓ０１においては、例えば、図５に示す印刷ステージ５０を用いて、セラミックス基板１１の第一の面及び第二の面に接合用ペースト２５を印刷する。
接合用ペースト印刷工程Ｓ０１においては、例えば、図５に示す印刷ステージ５０を用いて、セラミックス基板１１の第一の面及び第二の面に接合用ペースト２５を印刷する。
【0032】
この印刷ステージ５０においては、図５に示すように、セラミックス基板１１が載置される載置面に開口する凹部５２が形成されている。この凹部５２の載置面における開口面積は、セラミックス基板１１の面積よりもわずかに小さくされており、凹部５２の周縁部にセラミックス基板１１の端部が支持される支持部５３が形成されている。なお、本実施形態においては、凹部５２に、リブ５４が形成されている。リブの幅は０．５ｍｍ以上とすることが好ましい。印刷した接合用ペースト２５の端部からリブ５４までの距離は０．１ｍｍ以上とすることが好ましい。
また、この凹部５２の底面側には、吸引部５５が形成されている。この吸引部５５は、凹部５２の底面側に配置されてチャンバー５６と、凹部５２の底面に開口するとともにチャンバー５６に連通する吸引孔５７と、吸引装置５８とを備えている。
また、この凹部５２の底面側には、吸引部５５が形成されている。この吸引部５５は、凹部５２の底面側に配置されてチャンバー５６と、凹部５２の底面に開口するとともにチャンバー５６に連通する吸引孔５７と、吸引装置５８とを備えている。
【0033】
ここで、凹部５２の深さは、印刷される接合用ペースト２５の印刷厚さの１０倍以上２０倍以下の範囲内となるように設定することが好ましい。
また、凹部５２の周縁部に形成される支持部５３の幅は１ｍｍ以上となるように設定することが好ましい。
さらに、支持部５３の端部と印刷される接合用ペースト２５の端部との距離が０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下の範囲内となるように、凹部５２及び支持部５３を形成することが好ましい。
また、凹部５２の周縁部に形成される支持部５３の幅は１ｍｍ以上となるように設定することが好ましい。
さらに、支持部５３の端部と印刷される接合用ペースト２５の端部との距離が０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下の範囲内となるように、凹部５２及び支持部５３を形成することが好ましい。
【0034】
接合用ペースト印刷工程Ｓ０１においては、セラミックス基板１１を印刷ステージ５０の凹部５２の上に載置する。
なお、本実施形態においては、セラミックス基板１１には、分割するためのスクライブライン１１Ａが形成されており、このスクライブライン１１Ａが、凹部５２のリブ５４に位置するように、セラミックス基板１１が印刷ステージ５０上に載置する。
なお、本実施形態においては、セラミックス基板１１には、分割するためのスクライブライン１１Ａが形成されており、このスクライブライン１１Ａが、凹部５２のリブ５４に位置するように、セラミックス基板１１が印刷ステージ５０上に載置する。
【0035】
そして、吸引部５５で吸引することによってセラミックス基板１１を固定し、セラミックス基板１１の第一の面に接合用ペースト２５を印刷する。
なお、このときの吸引圧力を０．０５ＭＰａ以上０．２ＭＰａ以下の範囲内とすることが好ましい。また、スキージ圧（印圧）を０．１ＭＰａ以上０．２ＭＰａ以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、このときの吸引圧力を０．０５ＭＰａ以上０．２ＭＰａ以下の範囲内とすることが好ましい。また、スキージ圧（印圧）を０．１ＭＰａ以上０．２ＭＰａ以下の範囲内とすることが好ましい。
【0036】
次に、セラミックス基板１１の第一の面に印刷した接合用ペースト２５を乾燥させ、乾燥後の接合用ペースト２５ａを形成する。乾燥条件は、乾燥温度を１００℃以上１５５℃以下の範囲内、乾燥時間を５分以上３０分以下の範囲内、とすることが好ましい。この乾燥工程でほとんどの溶媒は揮発する。乾燥雰囲気としては、大気雰囲気、窒素やアルゴンなどの不活性雰囲気、真空雰囲気などで乾燥することができる。
本実施形態では、接合用ペースト２５が、上述のように、アクリル樹脂とアジピン酸エステルからなる可塑剤とを含有し、可塑剤の含有量が３．２ｍａｓｓ％以上１０．４ｍａｓｓ％以下の範囲内とされるとともに、可塑剤の重量Ａとアクリル樹脂の重量Ｂとの比Ａ／Ｂが０．２≦Ａ／Ｂ≦１．３の範囲内とされていることから、乾燥後にも可塑剤が残存してアクリル樹脂の粘着性が確保されることで、乾燥後の接合用ペースト２５ａにおいて粘着力が発現することになる。
本実施形態では、接合用ペースト２５が、上述のように、アクリル樹脂とアジピン酸エステルからなる可塑剤とを含有し、可塑剤の含有量が３．２ｍａｓｓ％以上１０．４ｍａｓｓ％以下の範囲内とされるとともに、可塑剤の重量Ａとアクリル樹脂の重量Ｂとの比Ａ／Ｂが０．２≦Ａ／Ｂ≦１．３の範囲内とされていることから、乾燥後にも可塑剤が残存してアクリル樹脂の粘着性が確保されることで、乾燥後の接合用ペースト２５ａにおいて粘着力が発現することになる。
【0037】
次に、第一の面に接合用ペースト２５（乾燥後の接合用ペースト２５ａ）が印刷されたセラミックス基板１１を反転して、印刷ステージ５０の凹部５２の上に載置する。なお、本実施形態においては、セラミックス基板１１には、分割するためのスクライブライン１１Ａが形成されており、このスクライブライン１１Ａが、凹部５２のリブ５４に位置するように、セラミックス基板１１が印刷ステージ５０上に載置する。このように、セラミックス基板１１を載置することで、セラミックス基板１１の第一の面に印刷された接合用ペースト２５（乾燥後の接合用ペースト２５ａ）が凹部５２に収容されることになる。
【0038】
そして、吸引部５５で吸引することによってセラミックス基板１１を固定し、セラミックス基板１１の第二の面に接合用ペースト２５を印刷する。
なお、このときの吸引圧力を０．０５ＭＰａ以上０．２ＭＰａ以下の範囲内とすることが好ましい。また、スキージ圧（印圧）を０．１ＭＰａ以上０．２ＭＰａ以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、このときの吸引圧力を０．０５ＭＰａ以上０．２ＭＰａ以下の範囲内とすることが好ましい。また、スキージ圧（印圧）を０．１ＭＰａ以上０．２ＭＰａ以下の範囲内とすることが好ましい。
【0039】
次に、セラミックス基板１１の第二の面に印刷した接合用ペースト２５を乾燥させ、乾燥後の接合用ペースト２５ａを形成する。乾燥条件は、乾燥温度を１００℃以上１５５℃以下の範囲内、乾燥時間を５分以上３０分以下の範囲内、とすることが好ましい。
このようにして、セラミックス基板１１の第一の面及び第二の面に接合用ペースト２５（乾燥後の接合用ペースト２５ａ）が印刷されることになる。
このようにして、セラミックス基板１１の第一の面及び第二の面に接合用ペースト２５（乾燥後の接合用ペースト２５ａ）が印刷されることになる。
【0040】
（積層工程Ｓ０２）
次に、乾燥後の接合用ペースト２５ａを介して、分割したセラミックス基板１１の第一の面に回路層１２となる金属片２２を積層し、セラミックス基板１１の第二の面に金属層１３となる金属片２３を積層する。
本実施形態においては、積層工程Ｓ０２では、乾燥後の接合用ペースト２５ａを介して積層したセラミックス基板１１と金属片２２，２３を積層方向に加圧してもよい。このときの加圧条件は、加圧圧力が０．０５ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下の範囲内、加圧時間が５秒以上６０秒以下の範囲内とすることが好ましい。
次に、乾燥後の接合用ペースト２５ａを介して、分割したセラミックス基板１１の第一の面に回路層１２となる金属片２２を積層し、セラミックス基板１１の第二の面に金属層１３となる金属片２３を積層する。
本実施形態においては、積層工程Ｓ０２では、乾燥後の接合用ペースト２５ａを介して積層したセラミックス基板１１と金属片２２，２３を積層方向に加圧してもよい。このときの加圧条件は、加圧圧力が０．０５ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下の範囲内、加圧時間が５秒以上６０秒以下の範囲内とすることが好ましい。
【0041】
本実施形態においては、接合用ペースト２５として、金属粉末と、アクリル樹脂と、アジピン酸エステルからなる可塑剤と、溶剤と、を含有し、可塑剤の含有量が３．２ｍａｓｓ％以上１０．４ｍａｓｓ％以下の範囲内とされるとともに、可塑剤の重量Ａとアクリル樹脂の重量Ｂとの比Ａ／Ｂが０．２≦Ａ／Ｂ≦１．３の範囲内とされたものを用いているので、乾燥後に十分な粘着力を有しており、積層した金属片２２，２３の位置ずれを抑制することが可能となる。
【0042】
（接合工程Ｓ０３）
そして、乾燥後の接合用ペースト２５ａを介して積層したセラミックス基板１１と金属片２２，２３とを熱処理して接合する。加熱温度は金属片によって適宜選択される。金属片が銅や銅合金であった場合は、ＡｇとＣｕの共晶点以上、アルミニウムまたはアルミニウム合金であった場合はアルミニウムと接合用金属ペースト内に含まれる金属との共晶点以上とされている。
本実施形態では金属層２２，２３として無酸素銅が用いられているため、接合工程Ｓ０３における加熱温度は、ＡｇとＣｕの共晶点温度以上とされており、具体的には、７９０℃以上８３０℃以下の範囲内とされている。また、接合工程Ｓ０３における保持時間は、５分以上６０分以下の範囲内とされている。なお、接合工程Ｓ０３における加熱温度は、８００℃以上８２０℃以下の範囲内とすることが好ましい。また、接合工程Ｓ０３における保持時間は、１０分以上３０分以下の範囲内とすることが好ましい。
さらに、加熱保持後の冷却速度は、特に限定はないが、２℃／ｍｉｎ以上１０℃／ｍｉｎ以下の範囲内とすることが好ましい。
そして、乾燥後の接合用ペースト２５ａを介して積層したセラミックス基板１１と金属片２２，２３とを熱処理して接合する。加熱温度は金属片によって適宜選択される。金属片が銅や銅合金であった場合は、ＡｇとＣｕの共晶点以上、アルミニウムまたはアルミニウム合金であった場合はアルミニウムと接合用金属ペースト内に含まれる金属との共晶点以上とされている。
本実施形態では金属層２２，２３として無酸素銅が用いられているため、接合工程Ｓ０３における加熱温度は、ＡｇとＣｕの共晶点温度以上とされており、具体的には、７９０℃以上８３０℃以下の範囲内とされている。また、接合工程Ｓ０３における保持時間は、５分以上６０分以下の範囲内とされている。なお、接合工程Ｓ０３における加熱温度は、８００℃以上８２０℃以下の範囲内とすることが好ましい。また、接合工程Ｓ０３における保持時間は、１０分以上３０分以下の範囲内とすることが好ましい。
さらに、加熱保持後の冷却速度は、特に限定はないが、２℃／ｍｉｎ以上１０℃／ｍｉｎ以下の範囲内とすることが好ましい。
【0043】
（分割工程Ｓ０４）
次に、第一の面に金属片２２を接合し、第二の面に金属片２３を接合したセラミックス基板１１を、スクライブライン１１Ａに沿って分割する。
次に、第一の面に金属片２２を接合し、第二の面に金属片２３を接合したセラミックス基板１１を、スクライブライン１１Ａに沿って分割する。
【0044】
以上のような工程によって、本実施形態である絶縁回路基板１０が製造される。
【0045】
（ヒートシンク接合工程Ｓ０５）
次に、この絶縁回路基板１０の金属層１３の他方側にヒートシンク３１を積層し、絶縁回路基板１０とヒートシンク３１とが積層した積層体を、加圧装置を用いて積層方向に加圧した状態で真空加熱炉に装入し、アルミニウムと銅との共晶温度未満の加熱温度で保持することにより、金属層１３とヒートシンク３１を固相拡散接合する。
このヒートシンク接合工程Ｓ０５における接合条件は、真空条件は１０－３Ｐａ以下、加熱温度は５１０℃以上５４５℃以下の範囲内、加熱温度での保持時間が４５分以上１２０分以下の範囲内に設定されている。
次に、この絶縁回路基板１０の金属層１３の他方側にヒートシンク３１を積層し、絶縁回路基板１０とヒートシンク３１とが積層した積層体を、加圧装置を用いて積層方向に加圧した状態で真空加熱炉に装入し、アルミニウムと銅との共晶温度未満の加熱温度で保持することにより、金属層１３とヒートシンク３１を固相拡散接合する。
このヒートシンク接合工程Ｓ０５における接合条件は、真空条件は１０－３Ｐａ以下、加熱温度は５１０℃以上５４５℃以下の範囲内、加熱温度での保持時間が４５分以上１２０分以下の範囲内に設定されている。
【0046】
【0047】
以上のような構成とされた本実施形態である絶縁回路基板の製造方法によれば、接合用ペースト印刷工程Ｓ０１において、セラミックス基板１１の第一の面に接合用ペースト２５を印刷し、乾燥させた後、反転したセラミックス基板１１を印刷ステージ５０の上に載置し、セラミックス基板１１の第一の面に印刷された接合用ペースト２５（乾燥後の接合用ペースト２５ａ）を凹部５２に収容し、吸引部５５によってセラミックス基板１１が固定された状態で、セラミックス基板１１の第二の面に接合用ペースト２５を印刷する構成とされているので、第二の面側に接合用ペースト２５を印刷する際に、第一の面側に印刷した接合用ペースト２５（乾燥後の接合用ペースト２５ａ）が印刷ステージ５０と接触することが抑制され、セラミックス基板１１の第一の面及び第二の面に接合用ペースト２５を安定して印刷することができる。また、吸引部５５によってセラミックス基板１１が固定されているので、セラミックス基板１１の第二の面側に接合用ペースト２５を精度良く印刷することができる。
【0048】
本実施形態においては、セラミックス基板１１の第一の面に接合用ペースト２５を印刷した後に、印刷した接合用ペースト２５を乾燥し、その後、セラミックス基板１１の第二の面に接合用ペースト２５を印刷する構成としているので、乾燥後の接合用ペースト２５ａが粘着性を有する場合であっても、セラミックス基板１１の第二の面に接合用ペースト２５を印刷する際に、乾燥後の接合用ペースト２５ａが印刷ステージ５０に接触することが抑制され、セラミックス基板１１の第一の面及び第二の面に接合用ペースト２５を安定して印刷することができる。
【0049】
また、本実施形態においては、セラミックス基板１１にスクライブライン１１Ａが形成されており、印刷ステージ５０の凹部５２に、載置されたセラミックス基板１１のスクライブライン１１Ａに対応した位置にリブ５４が設けられているので、大型のセラミックス基板１１であっても、吸引固定時や印刷時におけるセラミックス基板１１のたわみを抑制でき、接合用ペースト２５の印刷を安定して行うことができる。また、接合用ペースト２５を印刷した後に、セラミックス基板１１をスクライブライン１１Ａに沿って分割することで、複数の絶縁回路基板１０を効率良く製造することが可能となる。
【0050】
さらに、本実施形態においては、接合用ペースト２５として、金属粉末と、アクリル樹脂と、アジピン酸エステルからなる可塑剤と、溶剤と、を含有し、前記可塑剤の含有量が３．２ｍａｓｓ％以上１０．４ｍａｓｓ％以下の範囲内とされるとともに、前記可塑剤の重量Ａと前記アクリル樹脂の重量Ｂとの比Ａ／Ｂが０．２≦Ａ／Ｂ≦１．３の範囲内とされたものを用いているので、十分な粘着力を有することになるが、上述のように凹部５２を有する印刷ステージ５０を用いているので、セラミックス基板１１の第一の面及び第二の面に接合用ペースト２５を安定して印刷することができる。
【0051】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【0052】
例えば、本実施形態では、絶縁回路基板の回路層にパワー半導体素子を搭載してパワーモジュールを構成するものとして説明したが、これに限定されることはない。例えば、絶縁回路基板にＬＥＤ素子を搭載してＬＥＤモジュールを構成してもよいし、絶縁回路基板の回路層に熱電素子を搭載して熱電モジュールを構成してもよい。
【0053】
また、本実施形態では、絶縁回路基板（金属層）とヒートシンクとを固相拡散接合によって接合するものとして説明したが、これに限定されることはなく、ろう付け、ＴＬＰ等の他の接合方法を適用してもよい。
さらに、本実施形態では、ヒートシンクをアルミニウムから成るものとして説明したが、これに限定されることはなく、銅等で構成されていてもよいし、内部に冷却媒体が流通される流路を備えたものであってもよい。
さらに、本実施形態では、ヒートシンクをアルミニウムから成るものとして説明したが、これに限定されることはなく、銅等で構成されていてもよいし、内部に冷却媒体が流通される流路を備えたものであってもよい。
【0054】
また、本実施形態では、スクライブラインが形成されたセラミックス基板を用いており、印刷ステージの凹部にリブを形成したものとして説明したが、これに限定されることはなく、スクライブラインが形成されていないセラミックス基板に対して、リブが形成されていない凹部を有する印刷ステージを用いて、接合用ペーストを印刷するものであってもよい。
【0055】
さらに、本実施形態では、接合用ペーストを印刷した後に乾燥させる構成として説明したが、これに限定されることはなく、乾燥を実施しなくてもよい。
また、本実施形態では、接合用ペーストとして、金属粉末と、アクリル樹脂と、アジピン酸エステルからなる可塑剤と、溶剤と、を含有するものを、例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、他の組成の接合用ペーストを用いてもよい。
さらに、本実施形態ではセラミックス基板１１の第一の面に回路層１２を形成し、第二の面に金属層１３を形成したが、第一の面に金属層１３を形成し、第二の面に回路層１２を形成してもよい。
また、本実施形態では、接合用ペーストとして、金属粉末と、アクリル樹脂と、アジピン酸エステルからなる可塑剤と、溶剤と、を含有するものを、例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、他の組成の接合用ペーストを用いてもよい。
さらに、本実施形態ではセラミックス基板１１の第一の面に回路層１２を形成し、第二の面に金属層１３を形成したが、第一の面に金属層１３を形成し、第二の面に回路層１２を形成してもよい。
【符号の説明】
【0056】
１ パワーモジュール
３ 半導体素子
１０ 絶縁回路基板
１１ セラミックス基板
１２ 回路層
１３ 金属層
２２ 金属片
２３ 金属片
２５ 接合用ペースト
５０ 印刷ステージ
５２ 凹部
５３ 支持部
５４ リブ
５５ 吸引部
３ 半導体素子
１０ 絶縁回路基板
１１ セラミックス基板
１２ 回路層
１３ 金属層
２２ 金属片
２３ 金属片
２５ 接合用ペースト
５０ 印刷ステージ
５２ 凹部
５３ 支持部
５４ リブ
５５ 吸引部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】