知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
特開2023-82293サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023082293
(43)【公開日】2023-06-14
(54)【発明の名称】サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法
(51)【国際特許分類】
B41J 2/335 20060101AFI20230607BHJP
B41J 2/34 20060101ALI20230607BHJP
【ＦＩ】
B41J2/335 101F
B41J2/34
B41J2/335 101H
B41J2/335 101C
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021195952
(22)【出願日】2021-12-02
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135389
【弁理士】
【氏名又は名称】臼井 尚
(72)【発明者】
【氏名】仲谷 吾郎
【テーマコード（参考）】
2C065
【Ｆターム（参考）】
2C065GA01
2C065GB01
2C065JC02
2C065JC06
2C065JF03
2C065JF07
2C065JF12
2C065JF14
2C065JH08
2C065JH11
(57)【要約】
【課題】印字効率の向上を図ったサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】サーマルプリントヘッドＡ１は、ヘッド基板１と、主走査方向ｘに配列された複数の発熱部４１を有し、ヘッド基板１に支持された抵抗体層４と、複数の発熱部４１への通電経路を構成し、ヘッド基板１に支持された配線層３と、抵抗体層４および配線層３を覆う保護層２と、を備える。保護層２は、シリコン元素を含む第１層２１を含む。第１層２１の屈折率は、シリコン元素と窒素元素とが化学量論組成比で構成されるシリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）の屈折率よりも高く、真性半導体である真性シリコンの屈折率以下である。
【選択図】図４
【解決手段】サーマルプリントヘッドＡ１は、ヘッド基板１と、主走査方向ｘに配列された複数の発熱部４１を有し、ヘッド基板１に支持された抵抗体層４と、複数の発熱部４１への通電経路を構成し、ヘッド基板１に支持された配線層３と、抵抗体層４および配線層３を覆う保護層２と、を備える。保護層２は、シリコン元素を含む第１層２１を含む。第１層２１の屈折率は、シリコン元素と窒素元素とが化学量論組成比で構成されるシリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）の屈折率よりも高く、真性半導体である真性シリコンの屈折率以下である。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
主走査方向に配列された複数の発熱部を有し、前記基板に支持された抵抗体層と、
前記複数の発熱部への通電経路を構成し、前記基板に支持された配線層と、
前記抵抗体層および前記配線層を覆う保護層と、
を備え、
前記保護層は、シリコン元素を含む第１層を含み、
前記第１層の屈折率は、シリコン元素と窒素元素とが化学量論組成比で構成されるシリコン窒化物の屈折率よりも高く、真性半導体である真性シリコンの屈折率以下である、
サーマルプリントヘッド。
主走査方向に配列された複数の発熱部を有し、前記基板に支持された抵抗体層と、
前記複数の発熱部への通電経路を構成し、前記基板に支持された配線層と、
前記抵抗体層および前記配線層を覆う保護層と、
を備え、
前記保護層は、シリコン元素を含む第１層を含み、
前記第１層の屈折率は、シリコン元素と窒素元素とが化学量論組成比で構成されるシリコン窒化物の屈折率よりも高く、真性半導体である真性シリコンの屈折率以下である、
サーマルプリントヘッド。
【請求項2】
前記第１層の屈折率は、２．０５以上３．８８２以下である、
請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項3】
前記第１層の屈折率は、３．８８２よりも小さい、
請求項２に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項２に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項4】
前記第１層は、シリコン元素と窒素元素との化合物であって、前記化学量論組成比で構成されたシリコン窒化物よりもシリコン元素の含有割合が多い、
請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項5】
前記保護層は、前記第１層を覆う第２層をさらに含む、
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項6】
前記第２層は、シリコン炭化物である、
請求項５に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項５に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項7】
前記基板は、単結晶半導体により構成される基材を含む、
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項8】
前記基板は、前記基材と前記抵抗体層との間に挟まれた絶縁層をさらに含む、
請求項７に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項７に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項9】
前記抵抗体層は、前記絶縁層の一部を露出させつつ前記絶縁層上に形成され、
前記配線層は、前記複数の発熱部を露出させつつ前記抵抗体層上に形成され、
前記保護層は、前記配線層上に形成される、
請求項８に記載のサーマルプリントヘッド。
前記配線層は、前記複数の発熱部を露出させつつ前記抵抗体層上に形成され、
前記保護層は、前記配線層上に形成される、
請求項８に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項10】
前記配線層は、前記抵抗体層の一部を露出させつつ前記抵抗体層上に積層された第１導体層と、前記第１導体層の一部を露出させつつ前記第１導体層上に積層された第２導体層とを含み、
前記第２導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々よりも小さく、
前記第１導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々と前記第２導体層との間をとる、
請求項９に記載のサーマルプリントヘッド。
前記第２導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々よりも小さく、
前記第１導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々と前記第２導体層との間をとる、
請求項９に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項11】
前記第１導体層の構成材料は、Ｔｉを含み、
前記第２導体層の構成材料は、Ｃｕを含む、
請求項１０に記載のサーマルプリントヘッド。
前記第２導体層の構成材料は、Ｃｕを含む、
請求項１０に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項12】
前記基材は、前記抵抗体層に対向する主面と、前記主面から突き出し、かつ、主走査方向に延びる凸部とを有し、
前記複数の発熱部の各々は、前記凸部の上に形成されている、
請求項７ないし請求項１１のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
前記複数の発熱部の各々は、前記凸部の上に形成されている、
請求項７ないし請求項１１のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項13】
前記単結晶半導体は、シリコンである、
請求項７ないし請求項１２のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
請求項７ないし請求項１２のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項14】
基材を準備する工程と、
主走査方向に配列された複数の発熱部を有し、前記基材に支持された抵抗体層を形成する工程と、
前記複数の発熱部への通電経路を構成し、前記基材に支持された配線層を形成する工程と、
前記抵抗体層および前記配線層を覆う保護層を形成する工程と、
を含み、
前記保護層を形成する工程は、シリコン元素を含む第１層を形成する工程を含み、
前記第１層を形成する工程では、アンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）とを含む原料ガスを用いる成膜処理を行い、
前記原料ガスにおけるアンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）との比率（ＮＨ3／ＳｉＨ4）は、０．１以上４以下である、
サーマルプリントヘッドの製造方法。
主走査方向に配列された複数の発熱部を有し、前記基材に支持された抵抗体層を形成する工程と、
前記複数の発熱部への通電経路を構成し、前記基材に支持された配線層を形成する工程と、
前記抵抗体層および前記配線層を覆う保護層を形成する工程と、
を含み、
前記保護層を形成する工程は、シリコン元素を含む第１層を形成する工程を含み、
前記第１層を形成する工程では、アンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）とを含む原料ガスを用いる成膜処理を行い、
前記原料ガスにおけるアンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）との比率（ＮＨ3／ＳｉＨ4）は、０．１以上４以下である、
サーマルプリントヘッドの製造方法。
【請求項15】
前記成膜処理は、プラズマＣＶＤにより行われる、
請求項１４に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
請求項１４に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、従来のサーマルプリントヘッドの一例が開示されている。同文献に記載されたサーマルプリントヘッドは、基板（放熱性基板）、電極配線、発熱抵抗体、および、保護層（耐摩耗保護層）を備える。電極配線および発熱抵抗体は、基板上に形成される。電極配線は、発熱抵抗体に通電するためのものである。発熱抵抗体は、発熱源であり、主走査方向に所定のピッチで一列に並んで複数形成されている。保護層は、電極配線および発熱抵抗体を覆う。保護層は、たとえばシリコン酸化物（ＳｉＯ2）からなる。このようなサーマルプリントヘッドは、発熱抵抗体への通電によって発生した熱を、保護層を介して印刷媒体に伝導することで、印刷媒体への印字を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１２－１１６１３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
サーマルプリントヘッドは、たとえば省電力化のために、発熱抵抗体が発した熱を効率よく印刷媒体へ伝達させて、印字効率を向上させることが求められる。
【0005】
本開示は、上記事情に鑑みて考え出されたものであり、その目的は、印字効率の向上を図ったサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の第１の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、基板と、主走査方向に配列された複数の発熱部を有し、前記基板に支持された抵抗体層と、前記複数の発熱部への通電経路を構成し、前記基板に支持された配線層と、前記抵抗体層および前記配線層を覆う保護層と、を備え、前記保護層は、シリコン元素を含む第１層を含み、前記第１層の屈折率は、シリコン元素と窒素元素とが化学量論組成比で構成されるシリコン窒化物の屈折率よりも高く、真性半導体である真性シリコンの屈折率以下である。
【0007】
本開示の第２の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法は、基材を準備する工程と、主走査方向に配列された複数の発熱部を有し、前記基材に支持された抵抗体層を形成する工程と、前記複数の発熱部への通電経路を構成し、前記基材に支持された配線層を形成する工程と、前記抵抗体層および前記配線層を覆う保護層を形成する工程と、を含み、前記保護層を形成する工程は、シリコン元素を含む第１層を形成する工程を含み、前記第１層を形成する工程では、アンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）とを含む原料ガスを用いる成膜処理を行い、前記原料ガスにおけるアンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）との比率（ＮＨ3／ＳｉＨ4）は、０．１以上４以下である。
【発明の効果】
【0008】
本開示のサーマルプリントヘッドによれば、印字効率の向上を図ることができる。また、本開示のサーマルプリントヘッドの製造方法によれば、印字効率の向上を図ったサーマルプリントヘッドを製造できる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
本開示のサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法の好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。以下では、同一あるいは類似の構成要素に、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
【0011】
本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」を含む。また、「ある方向に見てある物Ａがある物Ｂに重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。
【0012】
図１～図５は、実施形態にかかるサーマルプリントヘッドＡ１を示している。サーマルプリントヘッドＡ１は、ヘッド基板１、保護層２、配線層３、抵抗体層４、接続基板５、複数のワイヤ６１、複数のドライバＩＣ７、保護樹脂７８および放熱部材８を備える。
【0013】
説明の便宜上、ヘッド基板１の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」という。以下の説明では、厚さ方向ｚの一方を上方といい、他方を下方ということがある。なお、「上」、「下」、「上方」、「下方」、「上面」および「下面」などの記載は、厚さ方向ｚにおける各部品、部位等の相対的位置関係を示すものであり、必ずしも重力方向との関係を規定する用語ではない。また、「平面視」とは、厚さ方向ｚに見たときをいう。さらに、サーマルプリントヘッドＡ１における主走査方向を「主走査方向ｘ」といい、サーマルプリントヘッドＡ１における副走査方向を「副走査方向ｙ」という。
【0014】
サーマルプリントヘッドＡ１は、印刷媒体（図示略）に印字を施するサーマルプリンタＰｒ（図３参照）に組み込まれるものである。サーマルプリンタＰｒは、サーマルプリントヘッドＡ１およびプラテンローラ９１を備える。プラテンローラ９１は、サーマルプリントヘッドＡ１に正対する。印刷媒体を、サーマルプリントヘッドＡ１とプラテンローラ９１との間に挟まれ、このプラテンローラ９１によって、副走査方向ｙに搬送される。このような印刷媒体としては、たとえばバーコードシールおよびレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。プラテンローラ９１に替えて、平坦なゴムからなるプラテンを使用してもよい。このプラテンは、大きな曲率半径を有する円柱状のゴムにおける、断面視して弓形状の一部を含む。本開示において、「プラテン」という用語は、プラテンローラ９１と平坦なプラテンとの双方を含む。
【0015】
ヘッド基板１は、配線層３および抵抗体層４を支持する。ヘッド基板１は、主走査方向ｘを長手方向とする細長矩形状である。ヘッド基板１は、基材１０および絶縁層１９を含む。
【0016】
基材１０は、単結晶半導体により構成され、当該単結晶半導体は、たとえばシリコン（Ｓｉ）である。基材１０は、図４および図５に示すように、第１主面１１および第１裏面１２を有する。第１主面１１および第１裏面１２は、厚さ方向ｚに離間し、かつ、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。配線層３および抵抗体層４は、厚さ方向ｚにおいて、第１主面１１の側に設けられる。
【0017】
基材１０は、凸部１３を有する。凸部１３は、図４および図５に示すように、第１主面１１から厚さ方向ｚに突出しており、主走査方向ｘに長く延びる。図示された例においては、凸部１３は、基材１０のうちの副走査方向ｙ下流寄りに配置されている。凸部１３は、基材１０の一部であることから、単結晶半導体であるシリコン（Ｓｉ）により構成される。図５に示すように、凸部１３は、頂部１３０、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂおよび一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂを有する。
【0018】
頂部１３０は、凸部１３のうち、第１主面１１からの厚さ方向ｚに沿う距離が最も大きい部位である。頂部１３０は、たとえば第１主面１１と略平行な面である。頂部１３０は、厚さ方向ｚ視において、主走査方向ｘに長く延びる細長矩形状である。
【0019】
一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂは、図５に示すように、頂部１３０の副走査方向ｙ両側に繋がっている。第１傾斜部１３１Ａは、副走査方向ｙの上流側から頂部１３０に繋がる。第１傾斜部１３１Ｂは、副走査方向ｙの下流側から頂部１３０に繋がる。図５に示すように、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂはそれぞれ、第１主面１１に対して、角度α１だけ傾斜している（第１傾斜角度α１を以て傾斜している）。一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂはそれぞれ、厚さ方向ｚ視において主走査方向ｘに長く延びる細長矩形状の平面である。なお、凸部１３は、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂに繋がり、頂部１３０の主走査方向ｘ両端に隣接する傾斜部（図示略）を有していてもよい。
【0020】
一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂは、図５に示すように、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂに対して、副走査方向ｙにおいて頂部１３０と反対側から繋がる。第２傾斜部１３２Ａは、副走査方向ｙにおいて、第１傾斜部１３１Ａと第１主面１１とに挟まれている。第２傾斜部１３２Ａは、副走査方向ｙの上流側から第１傾斜部１３１Ａに繋がり、副走査方向ｙの下流側から第１主面１１に繋がる。第２傾斜部１３２Ｂは、副走査方向ｙにおいて、第１傾斜部１３１Ｂと第１主面１１とに挟まれている。第２傾斜部１３２Ｂは、副走査方向ｙの下流側から第１傾斜部１３１Ｂに繋がり、副走査方向ｙの上流側から第１主面１１に繋がる。図５に示すように、一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂはそれぞれ、第１主面１１に対して、角度α２だけ傾斜している（第２傾斜角度α２を以て傾斜している）。角度α２は、角度α１よりも大きい。一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂはそれぞれ、厚さ方向ｚ視において主走査方向ｘに長く延びる細長矩形状の平面である。一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂはそれぞれ、第１主面１１に繋がっている。なお、凸部１３は、一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂに繋がり、頂部１３０の主走査方向ｘ両端の主走査方向ｘ外方に位置する傾斜部（図示略）を有していてもよい。
【0021】
基材１０において、第１主面１１は（１００）面である。後述の製造方法によって形成された凸部１３において、第１主面１１に対する各第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂの傾斜角度α１（図５参照）は、たとえば３０．１度であり、第１主面１１に対する各第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂの傾斜角度α２（図５参照）は、たとえば５４．７度である。
【0022】
ヘッド基板１の大きさは、特に限定されないが、一例を挙げると、次の通りである。厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、７２５μｍである。この厚さは、第１裏面１２から頂部１３０までの厚さ方向ｚに沿う寸法である。凸部１３の厚さ方向ｚ寸法は、１５０μｍ以上３００μｍ以下であり、一例では、１７５μｍである。主走査方向ｘ寸法は、５０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下である。副走査方向ｙ寸法は、２．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である。
【0023】
絶縁層１９は、図４および図５に示すように、第１主面１１および凸部１３を覆う。絶縁層１９は、基材１０の第１主面１１側を、より確実に絶縁するために設けられる。絶縁層１９は、絶縁性材料からなり、当該絶縁性材料としては、たとえばＴＥＯＳ（オルトケイ酸テトラエチル）を原料ガスとして成膜されるＳｉＯ2（ＴＥＯＳ－ＳｉＯ2）が採用される。ＴＥＯＳ－ＳｉＯ2の代わりに、たとえば他の方法によって成膜されたシリコン酸化物あるいはシリコン窒化物が採用されてもよい。絶縁層１９の厚さは特に限定されないが、その一例を挙げるとたとえば５μｍ以上１５μｍ以下（好ましくは５μｍ以上１０μｍ以下）である。
【0024】
抵抗体層４は、ヘッド基板１に支持されており、図４および図５に示すように、絶縁層１９を介して基材１０に支持されている。抵抗体層４は、複数の発熱部４１を有する。理解の便宜上、図２において、複数の発熱部４１に、ドット状の模様を描画する。
【0025】
複数の発熱部４１は、各々に選択的に通電されることにより、印刷媒体を局所的に加熱する。各発熱部４１は、抵抗体層４のうち配線層３から露出した領域である。複数の発熱部４１は、主走査方向ｘに沿って配列されており、主走査方向ｘにおいて互いに離間する。各発熱部４１の形状は特に限定されず、例えば厚さ方向ｚ視において副走査方向ｙを長手方向とする矩形状である。抵抗体層４は、配線層３よりも高抵抗な材料からなる。抵抗体層４の構成材料としては、たとえばＴａＮが採用されるが、ＴａＮの代わりに、ＴａＳｉＯ2、ＴｉＯＮ、ＰｏｌｙＳｉ、Ｔａ2Ｏ5、ＲｕＯ2、ＲｕＴｉＯあるいはＴａＳｉＮなどを採用してもよい。抵抗体層４の形成方法は特に限定されないが、たとえばスパッタリング法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、めっきなどによって形成され、採用される構成材料により適宜選定される。たとえば、抵抗体層４の構成材料がＴａＮの場合、抵抗体層４はスパッタリング法により形成される。抵抗体層４の厚さは特に限定されないが、その一例を挙げると０．０２μｍ以上０．１μｍ以下（好ましくは０．０８μｍ程度）である。
【0026】
各発熱部４１は、凸部１３上に配置されている。図５に示す例では、各発熱部４１は、第１傾斜部１３１Ｂから頂部１３０に跨って形成されている。各発熱部４１の副走査方向ｙ上流側の端縁は、頂部１３０上に位置し、各発熱部４１の副走査方向ｙ下流側の端縁は、第１傾斜部１３１Ｂ上に位置する。各発熱部４１は、凸部１３上に配置されていれば、図５に示す例に限定されない。
【0027】
【0028】
【0029】
複数の中継電極３３の各々は、図２に示すように、２つの帯状部３３１および連結部３３２を含む。２つの帯状部３３１は、副走査方向ｙに延びる帯状である。２つの帯状部３３１は、互いに略平行に配置された状態で、主走査方向ｘに離間する。２つの帯状部３３１はそれぞれ、隣接する発熱部４１にそれぞれ接続している。図２に示す例では、２つの帯状部３３１はそれぞれ、副走査方向ｙの下流側から各発熱部４１に繋がっている。２つの帯状部３３１の主走査方向ｘの各寸法は、略同じである。連結部３３２は、２つの帯状部３３１よりも副走査方向ｙ下流側に位置する。連結部３３２は、２つの帯状部３３１のそれぞれに繋がる。連結部３３２は、主走査方向ｘに延びる帯状である。複数の中継電極３３は、主走査方向ｘに等ピッチで配列されている。複数の中継電極３３のそれぞれは、開口を副走査方向ｙ上流側に向けたＵ字形状をなし、角部が直角に屈曲する。複数の中継電極３３はそれぞれ、複数の発熱部４１の副走査方向ｙ下流側に位置する。
【0030】
共通電極３１は、図２に示すように、複数の直行部３１１、複数の分岐部３１２、複数の帯状部３１３および連結部３１４を含む。複数の直行部３１１はそれぞれ、副走査方向ｙに延びる帯状である。複数の直行部３１１は、副走査方向ｙに等ピッチで配列される。複数の直行部３１１の各先端側（副走査方向ｙ下流側）には、分岐部３１２および２つの帯状部３１３が設けられている。当該２つの帯状部３１３は、隣接する発熱部４１にそれぞれ接続している。図２に示す例では、当該２つの帯状部３１３はそれぞれ、副走査方向ｙの上流側から発熱部４１に繋がっている。各帯状部３１３の主走査方向ｘの寸法は、各帯状部３３１の主走査方向ｘの寸法と略同じである。また、各帯状部３１３は、副走査方向ｙに見て、各帯状部３３１に重なる。複数の分岐部３１２はそれぞれ、各直行部３１１の先端に接続される。複数の分岐部３１２はそれぞれ、副走査方向ｙにおいて２つの帯状部３１３に繋がる各端部と反対側の端部に、各直行部３１１が接続されている。２つの帯状部３１３はそれぞれ、副走査方向ｙの上流側から発熱部４１に繋がっている。連結部３１４は、複数の直行部３１１の基端側（副走査方向ｙ上流側）に位置して、主走査方向ｘに沿って延びている。連結部３１４には、複数の直行部３１１がそれぞれ繋がっている。連結部３１４は、ワイヤ６１および接続基板５の配線を介して、コネクタ５９に接続されており、駆動電圧が印加される。
【0031】
複数の個別電極３２はそれぞれ、共通電極３１に対して逆極性となる。複数の個別電極３２は、図２に示すように、主走査方向ｘに離間して配列されている。複数の個別電極３２はそれぞれ、図２に示すように、帯状部３２１およびパッド部３２２を含む。各個別電極３２において、帯状部３２１は、副走査方向ｙに延びる帯状であり、発熱部４１の副走査方向ｙ上流側に位置する。図２に示す例では、帯状部３２１は、先端側（副走査方向ｙ下流側）で発熱部４１に接続されている。帯状部３２１の主走査方向ｘの寸法は、各帯状部３３１の主走査方向ｘの寸法と略同じである。また、帯状部３２１の副走査方向ｙ下流側の端部は、副走査方向ｙに見て帯状部３３１に重なる。各個別電極３２において、パッド部３２２は、帯状部３２１の副走査方向ｙ上流側の端部に設けられている。パッド部３２２は、ワイヤ６１を介して、複数のドライバＩＣ７のいずれかの出力パッド７２（後述）のいずれかに接続している。
【0032】
サーマルプリントヘッドＡ１では、図２に示すように、共通電極３１の各直行部３１１が、２つの個別電極３２の帯状部３２１に挟まれて配置されている。各中継電極３３の２つの帯状部３３１の一方が接続される発熱部４１は、共通電極３１に接続しており、当該中継電極３３の２つの帯状部３３１の他方が接続される発熱部４１は、複数の個別電極３２のいずれかに接続している。したがって、各個別電極３２が通電することで、これに接続する発熱部４１と、当該発熱部４１に中継電極３３を介して接続する発熱部４１とに電流が流れて、これらの発熱部４１が発熱する。つまり、２つの発熱部４１が同時に発熱する。サーマルプリントヘッドＡ１では、各発熱部４１が通電したとき、各発熱部４１には、副走査方向ｙに沿って電流が流れる。
【0033】
【0034】
第１導体層３０１は、図４および図５に示すように、抵抗体層４上に形成されている。第１導体層３０１は、副走査方向ｙにおける単位長さ当たりの抵抗値が、抵抗体層４よりも低抵抗であり、かつ、第２導体層３０２よりも高抵抗な材料からなる。たとえば、第１導体層３０１の電気伝導率は、たとえば１０-6～１０-7Ωｍである。第１導体層３０１の構成材料としては、たとえばＴｉ（チタン）が採用されるが、Ｔｉの代わりに、Ｔａ、Ｇａ、Ｓｎ、ＰｔＩｒ、Ｐｔ、Ｔｌ（タリウム）、Ｖ（バナジウム）あるいはＣｒなどを採用してもよい。第１導体層３０１の形成方法は特に限定されないが、たとえばスパッタリング法やＣＶＤ法、めっきなどによって形成され、採用される構成材料により適宜選定される。たとえば、第１導体層３０１の構成材料がＴｉの場合、第１導体層３０１はスパッタリング法により形成される。第１導体層３０１の厚さは特に限定されないが、その一例を挙げると０．１μｍ以上０．２μｍ以下である。
【0035】
第２導体層３０２は、図４および図５に示すように、第１導体層３０１上に形成されている。第２導体層３０２は、第１導体層３０１を部分的に覆っている。よって、第１導体層３０１は第２導体層３０２から露出する部分がある。第２導体層３０２は、副走査方向ｙにおける単位長さ当たりの抵抗値が、抵抗体層４および第１導体層３０１よりも低抵抗な材料からなる。たとえば、第２導体層３０２の電気抵抗率は、１０-7Ωｍ以下である。好ましくは、第２導体層３０２は、第１導体層３０１よりも熱伝導度が高い材料からなる。第２導体層３０２の構成材料は、たとえばＣｕが採用されるが、Ｃｕの代わりに、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ａｇ、ＮｉあるいはＷ（タングステン）などを採用してもよい。第２導体層３０２の形成方法は特に限定されないが、たとえばスパッタリング法やＣＶＤ法、めっきなどによって形成され、採用される構成材料により適宜選定される。たとえば、第２導体層３０２の構成材料がＣｕの場合、第２導体層３０２はスパッタリング法により形成される。なお、第２導体層３０２の構成材料がＡｕ、Ａｇ、Ｎｉである場合、一般的にはめっきにより形成されるが、この場合、第２導体層３０２は、シード層（たとえばＣｕ）などを含んでいてもよい。第２導体層３０２は、第１導体層３０１よりも厚い。第２導体層３０２の厚さは、使用する材料、配線層３に流れる電流の値などに依存する。第２導体層３０２の厚さの一例を挙げると０．５μｍ以上５μｍ以下である。
【0036】
サーマルプリントヘッドＡ１では、図２および図５から理解されるように、各帯状部３１３（共通電極３１）、各帯状部３２１（各個別電極３２）、および、各帯状部３３１（各中継電極３３）のそれぞれのうちの各発熱部４１に繋がる部分は、第２導体層３０２から露出する第１導体層３０１によって構成されている。つまり、各帯状部３１３（共通電極３１）、各帯状部３２１（各個別電極３２）、および、各帯状部３３１（各中継電極３３）のそれぞれは、第１導体層３０１のみで構成された部分と、第１導体層３０１と第２導体層３０２とが積層された部分とを含む。この構成とは異なり、各発熱部４１に繋がる当該部分は、第１導体層３０１上に第２導体層３０２が積層された構成であってもよい。つまり、各帯状部３１３（共通電極３１）、各帯状部３２１（各個別電極３２）、および、各帯状部３３１（各中継電極３３）のそれぞれは、形成範囲のすべてにおいて、第１導体層３０１と第２導体層３０２とが積層されている。
【0037】
保護層２は、配線層３および抵抗体層４を保護する。保護層２は、図４および図５に示すように、配線層３および抵抗体層４を覆う。なお、図１および図２においては、保護層２を省略する。保護層２は、サーマルプリントヘッドＡ１における表層である。保護層２は、第１層２１および第２層２２を含む。
【0038】
第１層２１は、保護層２における下層である。第１層２１は、第２層２２よりも、ヘッド基板１、配線層３および抵抗体層４に近い側に配置される。第１層２１は、絶縁層１９、配線層３および抵抗体層４を覆う。第１層２１の組成は、シリコン元素を含む。第１層２１の屈折率は、シリコン元素と窒素元素とが化学量論組成比で構成されるシリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）よりも大きく、真性半導体である真性シリコン（Ｓｉ）以下である。このシリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）は、シリコン元素と窒素元素とが、化学量論的に、理想的な比率で組成されたものであり、以下では「真性シリコン窒化物」という。真性シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）において、窒素（Ｎ）／シリコン（Ｓｉ）の化学量論的な組成比は、１．３３（≒４／３）である。本開示の第１層２１の屈折率は、たとえば２．０５以上３．８８２以下（好ましくは２．２以上３．８８２以下）である。本開示における屈折率の数値例はすべて、波長が６３２．８ｎｍの光に対する値である。本実施形態では、第１層２１は、シリコン元素と窒素元素との化合物であって、先述の真性シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）よりもシリコン元素の含有割合が多い。以下では、真性シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）よりもシリコン元素の含有割合が多いシリコン窒化物を「シリコンリッチ窒化物」という。シリコンリッチ窒化物において、窒素（Ｎ）／シリコン（Ｓｉ）の化学量論的な組成比は、１．３３（≒４／３）よりも大きい。本実施形態では、第１層２１は、たとえばシリコンリッチ窒化物により構成される。真性シリコン（Ｓｉ）の屈折率は、３．８８２であり、このように第１層２１がシリコンリッチ窒化物である構成では、第１層２１の屈折率は、（２．０５以上）３．８８２よりも小さい。本実施形態と異なる例において、第１層２１は、真性シリコンにより構成されてもよい。この場合、第１層２１の屈折率は、３．８８２である。第１層２１の厚さ方向ｚの寸法は、たとえば１μｍ以上１０μｍ以下（好ましくは３．２μｍ）である。
【0039】
第２層２２は、保護層２における上層である。第２層２２は、第１層２１を覆う。サーマルプリントヘッドＡ１において、図３に示すように、プラテンローラ９１により、印刷媒体が第２層２２に押し当てられる。第２層２２の組成は、たとえばシリコン炭化物（ＳｉＣ）である。第２層２２の厚さ方向ｚの寸法は、たとえば１μｍ以上１０μｍ以下（好ましくは４．０μｍ）である。
【0040】
保護層２は、図５に示すように、複数のパッド用開口２９を有する。各パッド用開口２９は、保護層２（第１層２１および第２層２２）を厚さ方向ｚに貫通する。複数のパッド用開口２９はそれぞれ、各個別電極３２のパッド部３２２を露出させている。図示された例と異なり、複数のパッド用開口２９に導電性材料を充填させてもよい。この場合、この導電性材料上にめっき層を形成してもよい。このめっき層の構成は特に限定されないが、一例を挙げると、導電性材料の表面からＮｉ、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｕの順に積層されている。
【0041】
接続基板５は、図１～図３に示すように、ヘッド基板１に対して副走査方向ｙ上流側に配置されている。接続基板５は、たとえばＰＣＢ基板であり、各ドライバＩＣ７やコネクタ５９（後述）が搭載される。接続基板５の形状などは特に限定されないが、本実施形態においては、主走査方向ｘを長手方向とする矩形状である。接続基板５は、図３に示すように、第２主面５１および第２裏面５２を有する。第２主面５１は、基材１０の第１主面１１と同じ側を向く面であり、第２裏面５２は、基材１０の第１裏面１２と同じ側を向く面である。本実施形態においては、第２主面５１は、第１主面１１よりも厚さ方向ｚ図中下方に位置する。
【0042】
接続基板５には、図２に示すように、複数の制御電極５５が形成されている。各制御電極５５は、第２主面５１に配置され、ドライバＩＣ７よりも副走査方向ｙ上流側に配置されている。各制御電極５５は、副走査方向ｙに沿って延びる。各制御電極５５は、それぞれワイヤ６１を介して、ドライバＩＣ７の入力パッド７１（後述）のいずれかに接続され、接続基板５の配線を介してコネクタ５９に接続している。
【0043】
複数のドライバＩＣ７はそれぞれ、複数の発熱部４１を選択駆動するために、発熱させる発熱部４１に個別に電流を流すためのものである。ドライバＩＣ７の数は、発熱部４１の個数に応じて、適宜変更される。各ドライバＩＣ７の通電制御は、コネクタ５９、接続基板５の配線および制御電極５５を介して、サーマルプリントヘッドＡ１外から入力される指令信号に従う。各ドライバＩＣ７は、接続基板５の第２主面５１に搭載され、複数のワイヤ６１を介して、複数の個別電極３２および複数の制御電極５５に接続されている。
【0044】
各ドライバＩＣ７の上面には、図２に示すように、複数の入力パッド７１および複数の出力パッド７２が配置されている。複数の入力パッド７１は、各ドライバＩＣ７を制御するための各種信号などが入力される端子である。複数の入力パッド７１は、各ドライバＩＣ７の上面のうち、副走査方向ｙ上流側の端部寄りに配置されている。各入力パッド７１は、各ワイヤ６１を介して、各制御電極５５に接続されている。複数の出力パッド７２は、発熱部４１を駆動する電流を流す端子である。複数の出力パッド７２は、各ドライバＩＣ７の上面のうち、副走査方向ｙ下流側の端部寄りに配置されている。各出力パッド７２は、各ワイヤ６１を介して、各個別電極３２のパッド部３２２に接続されている。
【0045】
保護樹脂７８は、複数のドライバＩＣ７および複数のワイヤ６１を覆う。保護樹脂７８は、たとえば絶縁性樹脂からなりたとえば黒色である。保護樹脂７８は、図１および図３に示すように、ヘッド基板１と接続基板５とに跨るように形成されている。
【0046】
コネクタ５９は、サーマルプリントヘッドＡ１をサーマルプリンタＰｒに接続するために用いられる。コネクタ５９は、接続基板５に取り付けられており、接続基板５の配線パターン（図示略）および制御電極５５を介して、ドライバＩＣ７の入力パッド７１に接続されている。
【0047】
放熱部材８は、ヘッド基板１および接続基板５を支持しており、複数の発熱部４１によって生じた熱の一部を、ヘッド基板１を介して外部へと放熱するためのものである。放熱部材８は、たとえばＡｌ（アルミニウム）等の金属からなるブロック状の部材である。放熱部材８は、図３に示すように、第１支持面８１および第２支持面８２を有する。第１支持面８１および第２支持面８２は、各々が厚さ方向ｚ上側を向いている。第１支持面８１は、第２支持面８２よりも副走査方向ｙ下流側に位置する。図３に示すように、第１支持面８１には、基材１０の第１裏面１２が接合され、第２支持面８２には、接続基板５の第２裏面５２が接合されている。
【0048】
次に、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一例について、図６～図１６を参照して、説明する。図６は、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一例を示すフローチャートである。図７、図８、図１０～図１３、図１５および図１６は、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一工程を示す要部断面図であって、図４に対応する。図９および図１４は、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一工程を示す要部拡大断面図であって、図５の断面に対応する。
【0049】
図６に示すように、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法は、基材準備工程Ｓ１１、基材加工工程Ｓ１２、絶縁層形成工程Ｓ１３、抵抗体膜形成工程Ｓ１４、配線膜形成工程Ｓ１５、除去工程Ｓ１６、保護層形成工程Ｓ１７、個片化工程Ｓ１８１および組立工程Ｓ１８２を含む。
【0050】
〔基材準備工程Ｓ１１〕
まず、図７に示すように、基材１０Ｋを用意する。基材１０Ｋは、単結晶半導体からなり、たとえば、Ｓｉウェハの一部分である。１枚のＳｉウェハは複数の基材１０Ｋを含む。以下の図では、Ｓｉウェハの一部分であって１個のサーマルプリントヘッドＡ１に対応する１個の基材１０Ｋ（ヘッド基板１）を対象にして図示する。基材１０Ｋの厚さ（言い換えればＳｉウェハの厚さ）は特に限定されないが、本実施形態においては、たとえば７２５μｍ程度である。図７に示すように、基材１０Ｋは、互いに反対側を向く主面１１Ｋおよび裏面１２Ｋを有する。主面１１Ｋは、（１００）面である。
まず、図７に示すように、基材１０Ｋを用意する。基材１０Ｋは、単結晶半導体からなり、たとえば、Ｓｉウェハの一部分である。１枚のＳｉウェハは複数の基材１０Ｋを含む。以下の図では、Ｓｉウェハの一部分であって１個のサーマルプリントヘッドＡ１に対応する１個の基材１０Ｋ（ヘッド基板１）を対象にして図示する。基材１０Ｋの厚さ（言い換えればＳｉウェハの厚さ）は特に限定されないが、本実施形態においては、たとえば７２５μｍ程度である。図７に示すように、基材１０Ｋは、互いに反対側を向く主面１１Ｋおよび裏面１２Ｋを有する。主面１１Ｋは、（１００）面である。
【0051】
【0052】
一回目のエッチングでは、主面１１Ｋを所定のマスク層で覆った後、たとえばＫＯＨ（水酸化カリウム）を用いた異方性エッチングを行う。この異方性エッチングで用いる薬剤は、ＫＯＨではなくＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を用いてもよいが、ＫＯＨを用いた方が、処理速度（エッチング速度）が速い。その後、マスク層を除去する。これにより、図８に示すように、基材１０Ｋには凸部１３Ｋが形成される。凸部１３Ｋは、主面１１Ｋから突出しており、主走査方向ｘに長く延びる。凸部１３Ｋは、頂部１３０Ｋおよび一対の傾斜部１３２Ｋを有する。頂部１３０Ｋは、主面１１Ｋと平行な面であり、主面１１Ｋと同じ（１００）面である。頂部１３０Ｋは、上記マスク層で覆われていた部分である。一対の傾斜部１３２Ｋは、頂部１３０Ｋの副走査方向ｙ両側に位置しており、頂部１３０Ｋと主面１１Ｋとの間に介在している。一対の傾斜部１３２Ｋはそれぞれ、頂部１３０Ｋおよび主面１１Ｋに対して傾斜した平面である。一対の傾斜部１３２Ｋのそれぞれと、主面１１Ｋおよび頂部１３０Ｋとがなす角度は、５４．７度である。
【0053】
二回目のエッチングでは、たとえばＴＭＡＨを用いた異方性エッチングを行う。この異方性エッチングで用いる薬剤は、ＴＭＡＨではなくＫＯＨを用いてもよいが、ＴＭＡＨを用いた方が、エッチングによって形成される面（たとえば後述の一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂ）が平滑な面になる。この異方性エッチングにより、図９に示すように、基材１０Ｋが、第１主面１１、第１裏面１２および凸部１３を有する基材１０となる。凸部１３は、頂部１３０、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂおよび一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂを有する。頂部１３０は、頂部１３０Ｋであった部分であり、一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂは、一対の傾斜部１３２Ｋであった部分である。一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂは、頂部１３０Ｋと一対の傾斜部１３２Ｋとの境界がＴＭＡＨによりエッチングされた部分である。第１主面１１に対する各第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂの角度α１（図９参照）は、３０．１度であり、第１主面１１に対する各第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂの角度α２（図９参照）は、５４．７度である。
【0054】
〔絶縁層形成工程Ｓ１３〕
次いで、図１０示すように、絶縁層１９を形成する。絶縁層１９の形成は、たとえばＣＶＤを用いて、ＴＥＯＳを原料ガスとして形成されるＳｉＯ2を基材１０に堆積させることによって行う。絶縁層１９の形成方法は、これに限定されない。形成された絶縁層１９は、第１主面１１の全面および凸部１３を覆う。これにより、基材１０および絶縁層１９を含むヘッド基板１が形成される。
次いで、図１０示すように、絶縁層１９を形成する。絶縁層１９の形成は、たとえばＣＶＤを用いて、ＴＥＯＳを原料ガスとして形成されるＳｉＯ2を基材１０に堆積させることによって行う。絶縁層１９の形成方法は、これに限定されない。形成された絶縁層１９は、第１主面１１の全面および凸部１３を覆う。これにより、基材１０および絶縁層１９を含むヘッド基板１が形成される。
【0055】
〔抵抗体膜形成工程Ｓ１４〕
次いで、図１１に示すように、抵抗体膜４Ｋを形成する。抵抗体膜形成工程Ｓ１４では、たとえばスパッタリングによって絶縁層１９上にＴａＮの薄膜を形成する。抵抗体膜４Ｋの形成方法は、これに限定されない。抵抗体膜４Ｋは、絶縁層１９の略全面を覆うように形成される。
次いで、図１１に示すように、抵抗体膜４Ｋを形成する。抵抗体膜形成工程Ｓ１４では、たとえばスパッタリングによって絶縁層１９上にＴａＮの薄膜を形成する。抵抗体膜４Ｋの形成方法は、これに限定されない。抵抗体膜４Ｋは、絶縁層１９の略全面を覆うように形成される。
【0056】
【0057】
第１成膜処理Ｓ１５１では、図１２に示すように、抵抗体膜４Ｋ上に第１導体膜３０１Ｋを形成する。第１導体膜３０１Ｋは、たとえばスパッタリング法によって成膜される。第１導体膜３０１Ｋは、たとえばＴｉからなる薄膜である。このとき、第１導体膜３０１Ｋは、抵抗体膜４Ｋの略全面を覆っている。
【0058】
第２成膜処理Ｓ１５２では、図１３に示すように、第１導体膜３０１Ｋ上に第２導体膜３０２Ｋを形成する。第２導体膜３０２Ｋは、たとえばめっきあるいはスパッタリング法などによって成膜される。第２導体膜３０２Ｋは、たとえばＣｕからなる。このとき、第２導体膜３０２Ｋは、第１導体膜３０１Ｋの略全面を覆っている。
【0059】
〔除去工程Ｓ１６〕
次いで、第２導体膜３０２Ｋ、第１導体膜３０１Ｋおよび抵抗体膜４Ｋを、それぞれ部分的に適宜除去し、図１４に示すように、配線層３および抵抗体層４を形成する。図６に示すように、除去工程Ｓ１６は、第１部分除去処理Ｓ１６１、第２部分除去処理Ｓ１６２、および第３部分除去処理Ｓ１６３を有する。
次いで、第２導体膜３０２Ｋ、第１導体膜３０１Ｋおよび抵抗体膜４Ｋを、それぞれ部分的に適宜除去し、図１４に示すように、配線層３および抵抗体層４を形成する。図６に示すように、除去工程Ｓ１６は、第１部分除去処理Ｓ１６１、第２部分除去処理Ｓ１６２、および第３部分除去処理Ｓ１６３を有する。
【0060】
第１部分除去処理Ｓ１６１では、第２導体膜３０２Ｋの部分的な除去を行う。第２部分除去処理Ｓ１６２では、第１導体膜３０１Ｋの部分的な除去を行う。第３部分除去処理Ｓ１６３では、抵抗体膜４Ｋの部分的な除去を行う。第１部分除去処理Ｓ１６１、第２部分除去処理Ｓ１６２および第３部分除去処理Ｓ１６３はそれぞれ、たとえばエッチングにより行う。第１部分除去処理Ｓ１６１により、第２導体層３０２が形成され、第２部分除去処理Ｓ１６２により、第１導体層３０１が形成され、第３部分除去処理Ｓ１６３により、抵抗体層４が形成される。第３部分除去処理Ｓ１６３は、第１部分除去処理Ｓ１６１および第２部分除去処理Ｓ１６２の前に行われてもよい。形成された第１導体層３０１および第２導体層３０２は、上記配線層３を構成し、配線層３は、共通電極３１、複数の個別電極３２および複数の中継電極３３を有する。形成された抵抗体層４は、複数の発熱部４１を有し、発熱部４１毎に分割されている。
【0061】
〔保護層形成工程Ｓ１７〕
次いで、配線層３および抵抗体層４を覆う保護層２を形成する。図６に示すように、保護層形成工程Ｓ１７は、第１層形成工程Ｓ１７１、第２層形成工程Ｓ１７２、および、部分除去工程Ｓ１７３を有する。
次いで、配線層３および抵抗体層４を覆う保護層２を形成する。図６に示すように、保護層形成工程Ｓ１７は、第１層形成工程Ｓ１７１、第２層形成工程Ｓ１７２、および、部分除去工程Ｓ１７３を有する。
【0062】
第１層形成工程Ｓ１７１では、図１５に示すように、基材１０の厚さ方向ｚ上方の全面にわたって、第１層２１を形成する。第１層形成工程Ｓ１７１では、アンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）とを含む原料ガスを用いて、成膜処理を行う。当該成膜処理は、たとえばプラズマＣＶＤである。先述の原料ガスは、アンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）との比率（ＮＨ3／ＳｉＨ4）が、０．１以上４以下である。この原料ガスにおけるアンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）との比率（ＮＨ3／ＳｉＨ4）を「混合比率」ということがある。なお、当該原料ガスには、アンモニア（ＮＨ3）およびシラン（ＳｉＨ4）の他、窒素（Ｎ2）も含まれる。また、プラズマＣＶＤ装置の成膜室の温度は、３２０℃以上４２０℃以下（たとえば４００℃）である。このような成膜処理により、第１層２１として、屈折率が真性シリコン窒化物よりも大きく真性シリコン以下であるシリコンリッチ窒化物が形成される。なお、第１層形成工程Ｓ１７１で行う成膜処理は、プラズマＣＶＤではなく、熱ＣＶＤであってもよい。
【0063】
第２層形成工程Ｓ１７２では、図１６に示すように、第１層２１を覆う第２層２２を形成する。第２層形成工程Ｓ１７２では、たとえばスパッタリングによりシリコン炭化物（ＳｉＣ）の薄膜を第１層２１に堆積させる。なお、第２層２２の形成は、スパッタリングに限定されない。
【0064】
部分除去工程Ｓ１７３では、第１層２１および第２層２２を部分的に除去し、第１層２１および第２層２２を厚さ方向ｚに貫通するパッド用開口２９を形成する。部分除去工程Ｓ１７３では、たとえば第１層２１および第２層２２に対してリソグラフィパターニングを施した後、第１層２１および第２層２２の一部を除去する。当該除去は、たとえば反応性イオンエッチングにより行われる。これにより、パッド用開口２９から複数の個別電極３２の一部ずつ（パッド部３２２）が露出する。なお、第１層形成工程Ｓ１７１における第１層２１の形成および第２層形成工程Ｓ１７２における第２層２２の形成において、これらの形成範囲を調整して、パッド用開口２９が形成される場合には、部分除去工程Ｓ１７３を行わなくてもよい。
【0065】
〔個片化工程Ｓ１８１〕
次いで、基材１０を適宜ヘッド基板１ごとに分割する。なお、基材準備工程Ｓ１１において、１つのヘッド基板１に対応する基材１０が準備されていた場合には、個片化工程Ｓ１８１を行わなくてもよい。個片化工程Ｓ１８１は、基材１０の素材に応じて、たとえばレーザダイシングあるいはブレードダイシングなどが選択される。本実施形態では、ブレードダイシングにより個片化工程Ｓ１８１が行われる。
次いで、基材１０を適宜ヘッド基板１ごとに分割する。なお、基材準備工程Ｓ１１において、１つのヘッド基板１に対応する基材１０が準備されていた場合には、個片化工程Ｓ１８１を行わなくてもよい。個片化工程Ｓ１８１は、基材１０の素材に応じて、たとえばレーザダイシングあるいはブレードダイシングなどが選択される。本実施形態では、ブレードダイシングにより個片化工程Ｓ１８１が行われる。
【0066】
〔組立工程Ｓ１８２〕
その後、ヘッド基板１および接続基板５の放熱部材８への取付け、ドライバＩＣ７の実装、複数のワイヤ６１のボンディング、および、保護樹脂７８の形成などを行う。以上、図６に示す工程を経ることで、図１～図５に示すサーマルプリントヘッドＡ１が製造される。
その後、ヘッド基板１および接続基板５の放熱部材８への取付け、ドライバＩＣ７の実装、複数のワイヤ６１のボンディング、および、保護樹脂７８の形成などを行う。以上、図６に示す工程を経ることで、図１～図５に示すサーマルプリントヘッドＡ１が製造される。
【0067】
上記したサーマルプリントヘッドＡ１の製造方法は、一例であって、これに限定されない。たとえば第１層形成工程Ｓ１７１において、シリコンリッチ窒化物により構成された第１層２１を形成する例を記載したが、この例とは異なり、真性シリコンにより構成された第１層２１を形成してもよい。この場合の真性シリコンの成膜は、周知の成膜技術を利用すればよい。
【0068】
サーマルプリントヘッドＡ１およびサーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の作用および効果は、次の通りである。
【0069】
サーマルプリントヘッドＡ１は、配線層３および抵抗体層４（複数の発熱部４１）を覆う保護層２を備える。保護層２は、シリコン元素を含む第１層２１を含む。第１層２１の屈折率は、真性シリコン窒化物（シリコン元素と窒素元素とが化学量論組成比で構成されるシリコン窒化物Ｓｉ3Ｎ4）の屈折率よりも大きく、真性シリコン（Ｓｉ）の屈折率以下である。特許文献１に記載のサーマルプリントヘッドでは、本開示のサーマルプリントヘッドＡ１の保護層２に対応する耐摩耗保護層は、たとえばシリコン酸化物（ＳｉＯ2）により構成される。このシリコン酸化物（ＳｉＯ2）の屈折率は、真性シリコン窒化物の屈折率よりも小さい。つまり、サーマルプリントヘッドＡ１の第１層２１の屈折率は、真性シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）の屈折率よりも大きく、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）の屈折率は、真性シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）の屈折率よりも小さい。したがって、第１層２１の屈折率は、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）の屈折率よりも大きい。本願発明者の研究によれば、屈折率と熱伝導率とは相関関係があり、屈折率が大きいほど、熱伝導率が大きくなるとの知見を得た。たとえば、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）の熱伝導率は、１．３８Ｗ／ｍＫであり、真性シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）の熱伝導率は、２７Ｗ／ｍＫであり、真性シリコン（Ｓｉ）の熱伝導率は、１６８Ｗ／ｍＫであるので、屈折率が大きい程、熱伝導率が大きいという相関がある。したがって、本開示の第１層２１は、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）で構成される場合よりも熱伝導率が大きい。これにより、サーマルプリントヘッドＡ１は、従来（特許文献１に記載）のサーマルプリントヘッドよりも、第１層２１の熱伝導率が向上するので、各発熱部４１が発した熱を効率よく印字媒体に伝達することが可能となる。つまり、サーマルプリントヘッドＡ１は、印字効率の向上を図ることができる。
【0070】
サーマルプリントヘッドＡ１では、第１層２１の屈折率は、２．０５以上であり３．８８２以下である。真性シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）の屈折率は、たとえば、２．０２３であり、真性シリコン（Ｓｉ）の屈折率は、たとえば３．８８２である。なお、上記シリコン酸化物（ＳｉＯ2）の屈折率は、たとえば１．４５７である。したがって、第１層２１の屈折率を上記数値範囲内にすることで、第１層２１の屈折率は、真性シリコン窒化物の屈折率よりも大きく、真性シリコンの屈折率以下となる。つまり、サーマルプリントヘッドＡ１は、第１層２１の屈折率を、２．０５以上３．８８２以下とすることで、第１層２１の熱伝導率を向上させることができる。これにより、サーマルプリントヘッドＡ１は、各発熱部４１が発した熱を効率よく印刷媒体に伝達させ、印字効率の向上を図ることができる。
【0071】
サーマルプリントヘッドＡ１では、第１層２１は、シリコン元素と窒素元素との化合物であって、真性シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）よりもシリコン元素の含有割合が多い。つまり、第１層２１は、シリコンリッチ窒化物により構成される。本願発明者の研究によれば、シリコン窒化物において、シリコンの含有割合が多い程、屈折率が大きくなるとの知見を得た。したがって、サーマルプリントヘッドＡ１では、第１層２１をシリコンリッチ窒化物により構成することで、真性シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）よりも、屈折率を大きくできるので、第１層２１は、真性シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）で構成される場合よりも熱伝導率が大きい。つまり、サーマルプリントヘッドＡ１は、第１層２１が真性シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）で構成される場合よりも、第１層２１の熱伝導率を向上させることができる。これにより、サーマルプリントヘッドＡ１は、各発熱部４１が発する熱を効率よく印刷媒体に伝達することが可能となるので、印字効率の向上を図ることができる。
【0072】
サーマルプリントヘッドＡ１では、第１層２１は、シリコンリッチ窒化物で構成される。真性シリコン（Ｓｉ）の屈折率は３．８８２であるので、この構成では、第１層２１の屈折率が（２．０５以上）３．８８２未満となる。サーマルプリントヘッドＡ１において、第１層２１を真性シリコンで構成し、第１層２１の屈折率を３．８８２としても、先述の通り、第１層２１の熱伝導率を向上させて、印字効率の向上を図ることができる。一方で、シリコンリッチ窒化物は、真性シリコン（Ｓｉ）よりも耐湿性が良い。つまり、サーマルプリントヘッドＡ１は、第１層２１をシリコンリッチ窒化物で構成することで、第１層２１を真性シリコン（Ｓｉ）で構成した場合よりも、耐湿性を向上させることができる。これにより、サーマルプリントヘッドＡ１は、印字効率を向上させつつ、耐湿性を向上させることができる。
【0073】
サーマルプリントヘッドＡ１では、保護層２は、第１層２１を覆う第２層２２をさらに含む。第２層２２は、たとえばシリコン炭化物（ＳｉＣ）により構成される。シリコン炭化物で構成された第２層２２は、シリコン窒化物で構成される第１層２１よりも、熱伝導率が高く且つビッカース硬さが大きい。したがって、サーマルプリントヘッドＡ１は、印字効率の向上を図りつつ、印刷媒体の搬送による保護層２の摩耗を効果的に抑制できる。
【0074】
サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法では、保護層２を形成する工程（保護層形成工程Ｓ１７）を含む。保護層形成工程Ｓ１７は、シリコン元素を含む第１層２１を形成する工程を含み、当該第１層２１を形成する工程では、アンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）とを含む原料ガスを用いる成膜処理を行う。そして、この成膜処理で用いる原料ガスにおいて、アンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）との比率（ＮＨ3／ＳｉＨ4）は、０．１以上４以下である。このような製造方法では、保護層２の第１層２１として、真性シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）よりもシリコン元素の含有割合が多いシリコンリッチ窒化物が形成される。したがって、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法によれば、シリコンリッチ窒化物により構成される第１層２１を形成できるので、先述の通り、第１層２１の熱伝導率が向上される。つまり、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法は、印字効率の向上を図ったサーマルプリントヘッドＡ１を製造できる。
【0075】
また、形成される第１層２１の屈折率は、上記アンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）との比率（混合比率）に対して、たとえば図１７に示す相関関係がある。図１７に示すグラフでは、横軸に混合比率をとり、縦軸に屈折率をとる。図１７に示すように、混合比率に応じて、第１層２１の屈折率が変化し、シラン（ＳｉＨ4）に対するアンモニア（ＮＨ3）の比率が大きい程、形成されるシリコン窒化物の屈折率が小さくなる。つまり、アンモニア（ＮＨ3）に対してシラン（ＳｉＨ4）が多い程、形成されるシリコン窒化物の屈折率が大きくなる。このような図１７に示す相関関係に基づいて、上記第１層形成工程Ｓ１７１の成膜処理において、原料ガスのアンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）との比率（ＮＨ3／ＳｉＨ4）を、０．１以上４以下とすることで、第１層２１（シリコンリッチ窒化物）の屈折率を、真性シリコン窒化物の屈折率より大きく真性シリコンの屈折率以下にすることができる。したがって、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法は、印字効率の向上を図ったサーマルプリントヘッドＡ１を製造できる。
【0076】
サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法では、第１層形成工程Ｓ１７１の成膜処理において、シラン（ＳｉＨ4）の流量が、真性シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）を成膜する際の流量よりも多い。この構成によれば、第１層２１として、シリコンリッチ窒化物を形成することができ、屈折率を向上させることができる。形成される第１層２１の屈折率は、第１層形成工程Ｓ１７１の成膜処理におけるシラン（ＳｉＨ4）の流量に対して、たとえば図１８に示す相関関係がある。なお、図１８は、アンモニア（ＮＨ3）の流量を、４０００ｓｃｃｍとした場合の相関関係を示している。図１８に示すグラフにおいて、横軸にシラン（ＳｉＨ4）の流量をとり、縦軸に屈折率をとる。図１８に示すように、シラン（ＳｉＨ4）の流量が多い程、第１層２１の屈折率は大きくなる。これは、シラン（ＳｉＨ4）の流量が多い程、形成される第１層２１（シリコンリッチ窒化物）のシリコン元素の含有割合が多くなるためである。したがって、第１層形成工程Ｓ１７１の成膜処理において、シラン（ＳｉＨ4）の流量を、真性シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）を成膜する際の流量よりも多くすることで、形成されるシリコン窒化物（第１層２１）の屈折率を大きくして、熱伝導率を向上させることができる。つまり、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法では、印字効率の向上を図ったサーマルプリントヘッドＡ１を製造できる。
【0077】
上記実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１において、凸部１３は、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂのそれぞれを有さず、頂部１３０および一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂを有する構成であってもよい。この場合、頂部１３０と一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂとがそれぞれ直接接する。また、上記実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１において、基材１０は、凸部１３を有していなくてもよい。
【0078】
上記実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１において、保護層２は、第２層２２を含まず、たとえば図１９に示すように、第１層２１のみで構成されてもよい。図１９は、変形例にサーマルプリントヘッドを示す要部断面図であって、保護層２が第２層２２を含まない例を示す。図１９に示すサーマルプリントヘッドにおいても、サーマルプリントヘッドＡ１と同様に、各発熱部４１が発する熱を効率よく印刷媒体に伝達させ、印字効率の向上を図ることができる。ただし、先述の通り、保護層２の摩耗を抑制する上で、保護層２は、第１層２１上に第２層２２が形成されていることが好ましい。
【0079】
上記実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１において、配線層３の構成は、図示された例に限定されない。図２０および図２１はそれぞれ、変形例にかかるサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図であって、配線層３の構成が異なる例を示す。
【0080】
図２０は、変形例にかかるサーマルプリントヘッドの一例を示しており、図２０の要部拡大平面図は、図２に対応する。図２０に示す変形例では、配線層３は、サーマルプリントヘッドＡ１の配線層３と同様に、共通電極３１および複数の個別電極３２を有するが、サーマルプリントヘッドＡ１の配線層３と異なり、複数の中継電極３３をいずれも有していない。
【0081】
図２０に示す例において、共通電極３１は、複数の帯状部３１３、連結部３１４および迂回部３１５を含む。連結部３１４は、ヘッド基板１の副走査方向ｙの下流側の端縁寄りに配置されている。連結部３１４は、主走査方向ｘに延びる帯状である、複数の帯状部３１３はそれぞれ、連結部３１４から各発熱部４１に向けて副走査方向ｙに延びる。複数の帯状部３１３は、主走査方向ｘに等ピッチで配列されている。迂回部３１５は、連結部３１４の主走査方向ｘの一端から副走査方向ｙに延びる。
【0082】
図２０に示す例において、各発熱部４１は、副走査方向ｙにおいて共通電極３１の各帯状部３１３と各個別電極３２の帯状部３２１とに挟まれている。各帯状部３２１は、副走査方向ｙの上流側から、各発熱部４１に繋がり、各帯状部３１３は、副走査方向ｙの下流側から各発熱部４１に繋がる。
【0083】
図２１は、変形例にかかるサーマルプリントヘッドの他の例を示している。図２１に示す例では、配線層３は、上記図２０に示す変形例と同様に、共通電極３１および複数の個別電極３２を有するが、複数の中継電極３３のいずれも有していない。
【0084】
図２１に示す例において、各帯状部３１３と各帯状部３２１とは、一部ずつが主走査方向ｘに沿って交互に配置されている。抵抗体層４は、これらの各帯状部３１３および各帯状部３２１に重なるように、主走査方向ｘに延びる帯状に形成されている。このような構成では、図２１に示すように、厚さ方向ｚに見て、主走査方向ｘにおいて各帯状部３１３と各帯状部３２１とに挟まれた領域が各発熱部４１となる。
【0085】
また、図２１に示す例では、厚さ方向ｚに見て、配線層３と抵抗体層４が重なる部分においては、抵抗体層４が配線層３の厚さ方向ｚ下方に配置されている。この構成と異なり、抵抗体層４が配線層３の厚さ方向ｚ上方に配置されていてもよい。
【0086】
図２０および図２１に示す各サーマルプリントヘッドにおいても、サーマルプリントヘッドＡ１と同様の効果を奏する。よって、本開示のサーマルプリントヘッドは、図２０および図２１に示す各変形例から理解されるように、配線層３の構成は、サーマルプリントヘッドの仕様に応じて適宜変更可能である。
【0087】
上記実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１において、基材１０は、単結晶半導体で構成されたものに限定されず、たとえばセラミックスにより構成されてもよい。図２２は、変形例にかかるサーマルプリントヘッドを示す要部断面図であって、基材１０がセラミックスにより構成された例を示す。なお、図２２に示す例では、保護層２は、第１層２１のみを含むが、サーマルプリントヘッドＡ１と同様に、第１層２１および第２層２２を含む構成でもよい。また、図２２に示す例では、厚さ方向ｚに見て、配線層３と抵抗体層４が重なる部分において、抵抗体層４が配線層３の厚さ方向ｚ上方に配置されている。
【0088】
図２２に示す例において、ヘッド基板１は、基材１０およびグレーズ層１５を含む。基材１０は、先述の通り、セラミックスにより構成される。当該セラミックスとしては、たとえばＡｌＮ（窒化アルミニウム）やＡｌ2Ｏ3（アルミナ）などの熱伝導率が比較的高いものが採用されうる。グレーズ層１５は、基材１０の第１主面１１に形成されている。グレーズ層１５は、たとえば非晶質ガラスなどのガラス材料からなる。図２２に示すように、グレーズ層１５は、部分グレーズ１５１およびガラス層１５２を含んでいる。図２２に示す例と異なり、グレーズ層１５は、ガラス層１５２を含まず、部分グレーズ１５１のみで構成されてもよい。あるいは、ヘッド基板１がグレーズ層１５を含んでいなくてもよい。
【0089】
部分グレーズ１５１は、主走査方向ｘに長く延びている。部分グレーズ１５１は、主走査方向ｘ視において、厚さ方向ｚに膨出している。部分グレーズ１５１は、図２２に示すように、主走査方向ｘに直交する平面による断面（ｙ－ｚ断面）が、円弧状である。部分グレーズ１５１は、抵抗体層４のうち発熱する部分（後述の発熱部４１）を印刷媒体に押し当て易くするために、設けられる。また、部分グレーズ１５１は、発熱部４１からの熱を蓄積する蓄熱層として、設けられている。部分グレーズ１５１は、厚さ方向ｚの寸法（最大寸法）が、ガラス層１５２よりも大きい。ガラス層１５２は、部分グレーズ１５１に隣接して形成されており、上面が平坦な形状である。ガラス層１５２は、部分グレーズ１５１の一部に重なっている。
【0090】
図２２に示すサーマルプリントヘッドにおいても、サーマルプリントヘッドＡ１と同様の効果を奏する。よって、本開示のサーマルプリントヘッドは、図２２に示す変形例から理解されるように、ヘッド基板１の構成は、サーマルプリントヘッドの仕様に応じて適宜変更可能である。
【0091】
本開示にかかるサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法は、上記した実施形態に限定されるものではない。本開示のサーマルプリントヘッドの各部の具体的な構成、および、本開示のサーマルプリントヘッドの製造方法の各工程の具体的な処理は、種々に設計変更自在である。たとえば、本開示のサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法は、以下の付記に関する実施形態を含む。
〔付記１〕
基板と、
主走査方向に配列された複数の発熱部を有し、前記基板に支持された抵抗体層と、
前記複数の発熱部への通電経路を構成し、前記基板に支持された配線層と、
前記抵抗体層および前記配線層を覆う保護層と、
を備え、
前記保護層は、シリコン元素を含む第１層を含み、
前記第１層の屈折率は、シリコン元素と窒素元素とが化学量論組成比で構成されるシリコン窒化物の屈折率よりも高く、真性半導体である真性シリコンの屈折率以下である、サーマルプリントヘッド。
〔付記２〕
前記第１層の屈折率は、２．０５以上３．８８２以下である、付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記３〕
前記第１層の屈折率は、３．８８２よりも小さい、付記２に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記４〕
前記第１層は、シリコン元素と窒素元素との化合物であって、前記化学量論組成比で構成されたシリコン窒化物よりもシリコン元素の含有割合が多い、付記３に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記５〕
前記保護層は、前記第１層を覆う第２層をさらに含む、付記１ないし付記４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記６〕
前記第２層は、シリコン炭化物である、付記５に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記７〕
前記基板は、単結晶半導体により構成される基材を含む、付記１ないし付記６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記８〕
前記基板は、前記基材と前記抵抗体層との間に挟まれた絶縁層をさらに含む、付記７に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記９〕
前記抵抗体層は、前記絶縁層の一部を露出させつつ前記絶縁層上に形成され、
前記配線層は、前記複数の発熱部を露出させつつ前記抵抗体層上に形成され、
前記保護層は、前記配線層上に形成される、付記８に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１０〕
前記配線層は、前記抵抗体層の一部を露出させつつ前記抵抗体層上に積層された第１導体層と、前記第１導体層の一部を露出させつつ前記第１導体層上に積層された第２導体層とを含み、
前記第２導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々よりも小さく、
前記第１導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々と前記第２導体層との間をとる、付記９に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１１〕
前記第１導体層の構成材料は、Ｔｉを含み、
前記第２導体層の構成材料は、Ｃｕを含む、付記１０に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１２〕
前記基材は、前記抵抗体層に対向する主面と、前記主面から突き出し、かつ、主走査方向に延びる凸部とを有し、
前記複数の発熱部の各々は、前記凸部の上に形成されている、付記７ないし付記１１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１３〕
前記単結晶半導体は、シリコンである、付記７ないし付記１２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１４〕
基材を準備する工程と、
主走査方向に配列された複数の発熱部を有し、前記基材に支持された抵抗体層を形成する工程と、
前記複数の発熱部への通電経路を構成し、前記基材に支持された配線層を形成する工程と、
前記抵抗体層および前記配線層を覆う保護層を形成する工程と、
を含み、
前記保護層を形成する工程は、シリコン元素を含む第１層を形成する工程を含み、
前記第１層を形成する工程では、アンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）とを含む原料ガスを用いる成膜処理を行い、
前記原料ガスにおけるアンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）との比率（ＮＨ3／ＳｉＨ4）は、０．１以上４以下である、サーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記１５〕
前記成膜処理は、プラズマＣＶＤにより行われる、付記１４に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記１〕
基板と、
主走査方向に配列された複数の発熱部を有し、前記基板に支持された抵抗体層と、
前記複数の発熱部への通電経路を構成し、前記基板に支持された配線層と、
前記抵抗体層および前記配線層を覆う保護層と、
を備え、
前記保護層は、シリコン元素を含む第１層を含み、
前記第１層の屈折率は、シリコン元素と窒素元素とが化学量論組成比で構成されるシリコン窒化物の屈折率よりも高く、真性半導体である真性シリコンの屈折率以下である、サーマルプリントヘッド。
〔付記２〕
前記第１層の屈折率は、２．０５以上３．８８２以下である、付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記３〕
前記第１層の屈折率は、３．８８２よりも小さい、付記２に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記４〕
前記第１層は、シリコン元素と窒素元素との化合物であって、前記化学量論組成比で構成されたシリコン窒化物よりもシリコン元素の含有割合が多い、付記３に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記５〕
前記保護層は、前記第１層を覆う第２層をさらに含む、付記１ないし付記４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記６〕
前記第２層は、シリコン炭化物である、付記５に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記７〕
前記基板は、単結晶半導体により構成される基材を含む、付記１ないし付記６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記８〕
前記基板は、前記基材と前記抵抗体層との間に挟まれた絶縁層をさらに含む、付記７に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記９〕
前記抵抗体層は、前記絶縁層の一部を露出させつつ前記絶縁層上に形成され、
前記配線層は、前記複数の発熱部を露出させつつ前記抵抗体層上に形成され、
前記保護層は、前記配線層上に形成される、付記８に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１０〕
前記配線層は、前記抵抗体層の一部を露出させつつ前記抵抗体層上に積層された第１導体層と、前記第１導体層の一部を露出させつつ前記第１導体層上に積層された第２導体層とを含み、
前記第２導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々よりも小さく、
前記第１導体層は、副走査方向における単位長さ当たりの抵抗値が前記複数の発熱部の各々と前記第２導体層との間をとる、付記９に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１１〕
前記第１導体層の構成材料は、Ｔｉを含み、
前記第２導体層の構成材料は、Ｃｕを含む、付記１０に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１２〕
前記基材は、前記抵抗体層に対向する主面と、前記主面から突き出し、かつ、主走査方向に延びる凸部とを有し、
前記複数の発熱部の各々は、前記凸部の上に形成されている、付記７ないし付記１１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１３〕
前記単結晶半導体は、シリコンである、付記７ないし付記１２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１４〕
基材を準備する工程と、
主走査方向に配列された複数の発熱部を有し、前記基材に支持された抵抗体層を形成する工程と、
前記複数の発熱部への通電経路を構成し、前記基材に支持された配線層を形成する工程と、
前記抵抗体層および前記配線層を覆う保護層を形成する工程と、
を含み、
前記保護層を形成する工程は、シリコン元素を含む第１層を形成する工程を含み、
前記第１層を形成する工程では、アンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）とを含む原料ガスを用いる成膜処理を行い、
前記原料ガスにおけるアンモニア（ＮＨ3）とシラン（ＳｉＨ4）との比率（ＮＨ3／ＳｉＨ4）は、０．１以上４以下である、サーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記１５〕
前記成膜処理は、プラズマＣＶＤにより行われる、付記１４に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
【符号の説明】
【0092】
Ｐｒ ：サーマルプリンタ
Ａ１ ：サーマルプリントヘッド
１ ：ヘッド基板
１０，１０Ｋ：基材
１１ ：第１主面
１１Ｋ ：主面
１２ ：第１裏面
１２Ｋ ：裏面
１３，１３Ｋ：凸部
１３０，１３０Ｋ：頂部
１３１Ａ，１３１Ｂ：第１傾斜部
１３２Ａ，１３２Ｂ：第２傾斜部
１３２Ｋ ：傾斜部
１５ ：グレーズ層
１５１ ：部分グレーズ
１５２ ：ガラス層
１９ ：絶縁層
２ ：保護層
２１ ：第１層
２２ ：第２層
２９ ：パッド用開口
３ ：配線層
３Ｋ ：配線膜
３０１ ：第１導体層
３０１Ｋ ：第１導体膜
３０２ ：第２導体層
３０２Ｋ ：第２導体膜
３１ ：共通電極
３１１ ：直行部
３１２ ：分岐部
３１３ ：帯状部
３１４ ：連結部
３１５ ：迂回部
３２ ：個別電極
３２１ ：帯状部
３２２ ：パッド部
３３ ：中継電極
３３１ ：帯状部
３３２ ：連結部
４ ：抵抗体層
４Ｋ ：抵抗体膜
４１ ：発熱部
５ ：接続基板
５１ ：第２主面
５２ ：第２裏面
５５ ：制御電極
５９ ：コネクタ
６１ ：ワイヤ
７ ：ドライバＩＣ
７１ ：入力パッド
７２ ：出力パッド
７８ ：保護樹脂
８ ：放熱部材
８１ ：第１支持面
８２ ：第２支持面
９１ ：プラテンローラ
Ａ１ ：サーマルプリントヘッド
１ ：ヘッド基板
１０，１０Ｋ：基材
１１ ：第１主面
１１Ｋ ：主面
１２ ：第１裏面
１２Ｋ ：裏面
１３，１３Ｋ：凸部
１３０，１３０Ｋ：頂部
１３１Ａ，１３１Ｂ：第１傾斜部
１３２Ａ，１３２Ｂ：第２傾斜部
１３２Ｋ ：傾斜部
１５ ：グレーズ層
１５１ ：部分グレーズ
１５２ ：ガラス層
１９ ：絶縁層
２ ：保護層
２１ ：第１層
２２ ：第２層
２９ ：パッド用開口
３ ：配線層
３Ｋ ：配線膜
３０１ ：第１導体層
３０１Ｋ ：第１導体膜
３０２ ：第２導体層
３０２Ｋ ：第２導体膜
３１ ：共通電極
３１１ ：直行部
３１２ ：分岐部
３１３ ：帯状部
３１４ ：連結部
３１５ ：迂回部
３２ ：個別電極
３２１ ：帯状部
３２２ ：パッド部
３３ ：中継電極
３３１ ：帯状部
３３２ ：連結部
４ ：抵抗体層
４Ｋ ：抵抗体膜
４１ ：発熱部
５ ：接続基板
５１ ：第２主面
５２ ：第２裏面
５５ ：制御電極
５９ ：コネクタ
６１ ：ワイヤ
７ ：ドライバＩＣ
７１ ：入力パッド
７２ ：出力パッド
７８ ：保護樹脂
８ ：放熱部材
８１ ：第１支持面
８２ ：第２支持面
９１ ：プラテンローラ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】