特開 2023-82337 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023082337

(43)【公開日】2023-06-14

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20230607BHJP

   H01L 23/29 20060101ALI20230607BHJP

【ＦＩ】

H01L21/60 301A

H01L23/30 R

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021196043

(22)【出願日】2021-12-02

(71)【出願人】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001195

【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】足立 知樹

【テーマコード（参考）】

4M109

5F044

【Ｆターム（参考）】

4M109AA01

4M109BA04

4M109EA02

4M109GA01

5F044AA02

5F044AA07

5F044CC05

5F044FF03

(57)【要約】

【課題】封止樹脂の熱膨張に起因したボンディングワイヤの断線を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、半導体チップと、ボンディングワイヤと、封止樹脂とを備えている。基板は、主面を有する基材と、主面上に配置されている第１パッド及び第２パッドとを有している。半導体チップは、第２パッド上に配置されている。半導体チップは、第２パッドと対向している底面と、底面の反対面である上面とを有している。上面には、第３パッドが設けられている。ボンディングワイヤは、第１パッドに接合されている第１端と、第１端の反対側の端であり、かつ、第３パッドに接合されている第２端とを有している。ボンディングワイヤは、第１端にあり、かつ第１パッドに接合されているボール部と、ボール部に接続されている基端部とを有している。基端部は、半導体チップ側又は半導体チップとは反対側に向かって倒れている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、半導体チップと、ボンディングワイヤと、封止樹脂とを備え、
前記基板は、主面を有する基材と、前記主面上に配置されている第１パッド及び第２パッドとを有しており、
前記半導体チップは、前記第２パッド上に配置されており、
前記半導体チップは、前記第２パッドと対向している底面と、前記底面の反対面である上面とを有しており、
前記上面には、第３パッドが設けられており、
前記ボンディングワイヤは、前記第１パッドに接合されている第１端と、前記第１端の反対側の端であり、かつ前記第３パッドに接合されている第２端とを有しており、
前記ボンディングワイヤは、前記第１端にあり、かつ前記第１パッドに接合されているボール部と、前記ボール部に接続されている基端部とを有しており、
前記基端部は、前記半導体チップ側又は前記半導体チップとは反対側に向かって倒れており、
前記封止樹脂は、前記第１パッド、前記第２パッド、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを覆うように前記主面上に配置されている、半導体装置。

【請求項2】

平面視における前記半導体チップの面積を前記主面の面積で除した値は、０．４以上である、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

平面視における前記半導体チップの面積を前記主面の面積で除した値は、０．５以上である、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記基端部は、前記半導体チップ側に向かって倒れている、請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記基端部の延在方向と前記主面とがなす角度は、前記第１端が接合されている前記第１パッドの部分及び前記第２端に接合されている前記第３パッドの部分を通る直線と前記主面とがなす角度よりも大きい、請求項４に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記上面上にある前記封止樹脂の厚さを前記第１パッド上にある前記封止樹脂の厚さで除した値は、０．５０以下である、請求項４又は請求項５に記載の半導体装置。

【請求項7】

前記上面上にある前記封止樹脂の厚さを前記第１パッド上にある前記封止樹脂の厚さで除した値は、０．４０以下である、請求項４～請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。

【請求項8】

前記ボンディングワイヤの２５℃における引張強度は、前記ボンディングワイヤの２５０℃における引張強度の０．９倍以上である、請求項１～請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。

【請求項9】

前記ボンディングワイヤの２５０℃における引張強度は、１２０ｍＮ以上である、請求項８に記載の半導体装置。

【請求項10】

前記ボンディングワイヤの２５０℃における伸びは、前記ボンディングワイヤの２５℃における伸びよりも大きい、請求項１～請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特開２０２０－１０２６００号公報（特許文献１）に記載の半導体装置は、基板と、半導体チップと、ボンディングワイヤと、封止樹脂とを有している。半導体チップは、例えば、フォトトランジスタである。

【0003】

基板は、基材と、第１パッド及び第２パッドとを有している。基材は、主面を有している。第１パッド及び第２パッドは、基材の主面上に配置されている。半導体チップは、底面と、上面とを有している。半導体チップは、底面が第２パッドと対向するように、第２パッド上に配置されている。半導体チップの上面には、第３パッドが設けられている。ボンディングワイヤは、第１端と第２端とを有しており、かつ第１端において第１パッドに接合されているとともに第２端において第３パッドに接合されている。封止樹脂は、第１パッド、第２パッド、半導体チップ及びボンディングワイヤを覆うように、基材の主面上に配置されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２０－１０２６００号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

特許文献１に記載の半導体装置では、封止樹脂の熱膨張に起因して、ボンディングワイヤに断線が生じるおそれがある。本開示は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、本開示は、封止樹脂の熱膨張に起因したボンディングワイヤの断線を抑制可能な半導体装置を提供するものである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の半導体装置は、基板と、半導体チップと、ボンディングワイヤと、封止樹脂とを備えている。基板は、主面を有する基材と、主面上に配置されている第１パッド及び第２パッドとを有している。半導体チップは、第２パッド上に配置されている。半導体チップは、第２パッドと対向している底面と、底面の反対面である上面とを有している。上面には、第３パッドが設けられている。ボンディングワイヤは、第１パッドに接合されている第１端と、第１端の反対側の端であり、かつ、第３パッドに接合されている第２端とを有している。ボンディングワイヤは、第１端にあり、かつ第１パッドに接合されているボール部と、ボール部に接続されている基端部とを有している。基端部は、半導体チップ側又は半導体チップとは反対側に向かって倒れている。封止樹脂は、第１パッド、第２パッド、半導体チップ及びボンディングワイヤを覆うように主面上に配置されている。

【発明の効果】

【0007】

本開示の半導体装置によると、封止樹脂の熱膨張に起因したボンディングワイヤの断線を抑制可能である。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、半導体装置１００の平面図である。

【図2】図２は、図１中のＩＩ－ＩＩにおける断面図である。

【図3】図３は、図２の部分的な拡大図である。

【図4】図４は、半導体装置１００Ａの断面図である。

【図5】図５は、図４の部分的な拡大図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本開示の実施形態の詳細を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。

【0010】

（第１実施形態）
第１実施形態に係る半導体装置を説明する。第１実施形態に係る半導体装置を、半導体装置１００とする。

【0011】

＜半導体装置１００の構成＞
図１は、半導体装置１００の平面図である。図１中では、封止樹脂４０の図示が省略されている。図２は、図１中のＩＩ－ＩＩにおける断面図である。図３は、図２の部分的な拡大図である。図１から図３に示されるように、半導体装置１００は、基板１０と、半導体チップ２０と、ボンディングワイヤ３０と、封止樹脂４０とを有している。

【0012】

基板１０は、基材１１と、パッド１２、パッド１３、パッド１４及びパッド１５と、導体層１６及び導体層１７とを有している。基材１１は、主面１１ａと、主面１１ｂとを有している。主面１１ａ及び主面１１ｂは、厚さ方向における基材１１の端面である。主面１１ｂは、主面１１ａの反対面である。基材１１は、例えば、ＢＴ（Bismaleimide Triazine）レジンにより形成されている。基材１１は、平面視において、矩形状である。

【0013】

パッド１２及びパッド１３は、主面１１ａ上に配置されている。パッド１２及びパッド１３は、例えば、平面視において基材１１の長手方向に沿って並んでいる。パッド１４及びパッド１５は、主面１１ｂ上に配置されている。パッド１４及びパッド１５は、それぞれ、平面視においてパッド１２及びパッド１３と重なるように配置されている。パッド１２、パッド１３、パッド１４及びパッド１５は、例えば、銅又は銅合金により形成されている。

【0014】

基材１１には、貫通穴１１ｃ及び貫通穴１１ｄが形成されている。貫通穴１１ｃ及び貫通穴１１ｄは、基材１１を厚さ方向に沿って貫通している。貫通穴１１ｃは平面視においてパッド１２及びパッド１４と重なるように配置されており、貫通穴１１ｄは平面視においてパッド１３及びパッド１５と重なるように配置されている。導体層１６及び導体層１７は、それぞれ、貫通穴１１ｃ及び貫通穴１１ｄに埋め込まれている。導体層１６は、パッド１２とパッド１４とを電気的に接続している。導体層１７は、パッド１３とパッド１５とを電気的に接続している。導体層１６及び導体層１７は、例えば、銅又は銅合金により形成されている。

【0015】

半導体チップ２０は、例えば、フォトトランジスタが形成されている半導体チップである。但し、半導体チップ２０は、これに限られるものではない。半導体チップ２０の半導体基板は、例えば、単結晶シリコンにより形成されている。半導体チップ２０の半導体基板は、シリコンよりも熱膨張率が低い材料（例えば、ガリウムヒ素）により形成されていてもよい。

【0016】

半導体チップ２０は、底面２０ａと、上面２０ｂとを有している。底面２０ａ及び上面２０ｂは、厚さ方向における半導体チップ２０の端面である。上面２０ｂは、底面２０ａの反対面である。半導体チップ２０は、底面２０ａがパッド１３と対向するように、パッド１３上に配置されている。半導体チップ２０は、パッド２１を有している。パッド２１は、上面２０ｂに設けられている。パッド２１は、例えば銅又は銅合金により形成されている。図示されていないが、半導体チップ２０は、裏面に設けられている裏面電極をさらに有している。

【0017】

半導体チップ２０とパッド１３との間には、接続層２２が配置されている。接続層２２により、半導体チップ２０が、基板１０（パッド１３）に電気的及び機械的に接続されている。接続層２２は、例えば、導電性接着剤により形成されている。

【0018】

平面視における半導体チップ２０の面積を、面積Ｓ１とする。主面１１ａの面積を、面積Ｓ２とする。面積Ｓ１を面積Ｓ２で除した値は、０．４以上であることが好ましい。面積Ｓ１を面積Ｓ２で除した値は、０．５以上であることがさらに好ましい。

【0019】

ボンディングワイヤ３０は、第１端３０ａと、第２端３０ｂとを有している。ボンディングワイヤ３０は、第１端３０ａにおいて、パッド１２に接合されている。第２端３０ｂは、第１端３０ａの反対側の端である。ボンディングワイヤ３０は、第２端３０ｂにおいて、パッド２１に接合されている。なお、ボンディングワイヤ３０は、第１端３０ａにおいてパッド１２に接合された後に、第２端３０ｂにおいてパッド２１に接合される。

【0020】

ボンディングワイヤ３０は、ボール部３１と、ワイヤ部３２とを有している。ボール部３１は、第１端３０ａにある。ボンディングワイヤ３０は、ボール部３１において、パッド１２に接合されている。ワイヤ部３２は、ボール部３１から延在しているボンディングワイヤ３０の部分である。ボール部３１側にあるワイヤ部３２の端部が、基端部３３である。なお、ボール部３１と基端部３３との境界を、ボンディングワイヤ３０のネック部ということがある。

【0021】

基材１１の幅方向（基材１１の長手方向に直交する方向）における断面視において、基端部３３の延在方向と主面１１ａとのなす角度を、角度θ１とする。角度θ１は、鋭角である（９０°未満である）。このことを別の観点から言えば、基端部３３は、半導体チップ２０側へと倒れている。基材１１の幅方向に直交する断面視において、第１端３０ａが接合されているパッド１２の部分及び第２端３０ｂが接合されているパッド２１の部分を通る直線を、直線Ｌとする。基材１１の幅方向に直交する断面視において、直線Ｌと主面１１ａとのなす角度を、角度θ２とする。角度θ１は、角度θ２よりも大きいことが好ましい。

【0022】

ボンディングワイヤ３０は、例えば、金又は金合金により形成されている。２５０℃におけるボンディングワイヤ３０の引張強度は、１２０ｍＮ以上であることが好ましい。２５０℃におけるボンディングワイヤ３０の引張強度は、室温（２５℃）におけるボンディングワイヤ３０の引張強度の０．９倍以上であることが好ましい。ボンディングワイヤ３０の引張強度は、引張試験機により測定される。２５０℃におけるボンディングワイヤ３０の伸びは、室温におけるボンディングワイヤ３０の伸びよりも大きいことが好ましい。ボンディングワイヤ３０の伸びは、引張試験機により測定される。

【0023】

封止樹脂４０は、パッド１２、パッド１３、半導体チップ２０及びボンディングワイヤ３０を覆うように、主面１１ａ上に配置されている。封止樹脂４０は、例えば、透明樹脂により形成されている。封止樹脂４０の具体例としては、エポキシ樹脂が挙げられる。封止樹脂４０の熱膨張率は、例えば、基材１１の熱膨張率よりも大きい。

【0024】

パッド１２上にある封止樹脂４０の厚さを、厚さＴ１とする。上面２０ｂ上にある封止樹脂４０の厚さを、厚さＴ２とする。厚さＴ２を厚さＴ１で除した値は、０．５以下であることが好ましい。厚さＴ２を厚さＴ１で除した値は、０．４以下であることがさらに好ましい。

【0025】

＜半導体装置１００の効果＞
以下に、半導体装置１００の効果を説明する。

【0026】

半導体装置１００は、使用中に、温度サイクルを受けることがある。封止樹脂４０の熱膨張率は、基材１１の熱膨張率よりも大きい。そのため、半導体装置１００では、温度サイクルを受けた際に、封止樹脂４０の熱膨張と基材１１の熱膨張との差に起因して、ボンディングワイヤ３０が、ボンディングワイヤ３０と半導体チップ２０との間（以下「ポケット部」ということがある）にある封止樹脂４０の部分から、半導体チップ２０とは反対側に向く応力を受ける。

【0027】

封止樹脂４０の多くの部分がボンディングワイヤ３０の周囲に集中している場合（より具体的には、面積Ｓ１を面積Ｓ２で除した値が０．４又は０．５以上である場合、厚さＴ２を厚さＴ１で除した値が０．５以下又は０．４以下である場合）には、封止樹脂４０の熱膨張の多くがボンディングワイヤ３０の周囲に集中してしまうため、上記の応力が特に大きくなる。

【0028】

しかしながら、半導体装置１００では、基端部３３が半導体チップ２０側に倒れているため、ポケット部にある封止樹脂４０の部分が小さくなる。その結果、半導体装置１００によると、ポケット部にある封止樹脂４０の部分からボンディングワイヤ３０に作用する応力が小さくなり、封止樹脂４０の熱膨張に起因したボンディングワイヤ３０の断線を抑制可能である。

【0029】

半導体装置１００では、基端部３３が半導体チップ２０側に倒れているため、ボンディングワイヤ３０のループ高さ（ボンディングワイヤの３０のループの頂点とパッド１２の上面との間の距離）が小さくなり、厚さＴ１を小さくしてもボンディングワイヤ３０が封止樹脂４０から露出しにくくなる。すなわち、半導体装置１００によると、半導体装置１００を低背化しつつ、封止樹脂４０の熱膨張に起因したボンディングワイヤ３０の断線を抑制可能である。

【0030】

２５０℃におけるボンディングワイヤ３０の引張強度が室温におけるボンディングワイヤ３０の引張強度の０．９倍以上である場合、封止樹脂４０が熱膨張した際でもボンディングワイヤ３０の引張強度が維持されているため、半導体装置１００が温度サイクルを受けた際にボンディングワイヤ３０の断線をさらに抑制可能である。２５０℃におけるボンディングワイヤ３０の伸びが室温におけるボンディングワイヤ３０の伸びよりも大きい場合、封止樹脂４０が熱膨張した際でもボンディングワイヤ３０の変形能が維持されているため、封止樹脂４０の膨張に追従してボンディングワイヤ３０が変形可能であり、封止樹脂４０の熱膨張に起因したボンディングワイヤ３０の断線をさらに抑制可能である。

【0031】

角度θ１が角度θ２以下である場合、ボンディングワイヤ３０のネック部に負荷が加わりやすい。そのため、角度θ１を角度θ２よりも大きくすることにより、ボンディングワイヤ３０のネック部において断線が生じることを抑制可能である。

【0032】

＜第１温度サイクル試験＞
半導体装置１００の効果を確認するため、第１温度サイクル試験を行った。第１温度サイクル試験には、サンプル１及びサンプル２が供された。サンプル１では、基端部３３が半導体チップ２０側に倒れている。すなわち、サンプル１は、半導体装置１００に対応している。サンプル２は、角度θ１が９０°になっている点を除き、サンプル１と同一の構成になっている。

【0033】

第１温度サイクル試験の温度サイクルは、－４０℃で３０分間の保持、２５℃で１０分間の保持、１００℃で３０分間の保持及び２５℃で１０分間の保持を順次行うことが、１サイクルとされた。また、第１温度サイクル試験の前処理として、１００℃で２４時間のベーキングが行われ、湿度６０パーセントの環境下における６０℃で４０時間の保持が行われ、基板への実装リフローが行われた。第１温度サイクル試験には、２５個のサンプル１及び２５個のサンプル２が用いられた。

【0034】

表１には、第１温度サイクル試験の結果が示されている。表１に示されるように、第１温度サイクル試験では、３００サイクルの温度サイクルが加えられた時点で、５個のサンプル２にボンディングワイヤ３０の細りが確認された。５００サイクルの温度サイクルが加えられた時点で、３個のサンプル２にボンディングワイヤ３０の細りが確認され、３個のサンプル２にボンディングワイヤ３０の断線が確認された。

【0035】

他方で、５００サイクルの温度サイクルが加えられた時点でも、ボンディングワイヤ３０に細り又は断線が確認されたサンプル１の数は、０個であった。この比較から、基端部３３を半導体チップ２０側に倒すことにより封止樹脂４０の熱膨張に起因したボンディングワイヤ３０の断線を抑制可能であることが、明らかになった。

【0036】

【表1】

【0037】

＜第２温度サイクル試験＞
２５０℃におけるボンディングワイヤ３０の引張強度が室温におけるボンディングワイヤ３０の引張強度の０．９倍以上であることを、条件Ａとする。２５０℃におけるボンディングワイヤ３０の伸びが室温におけるボンディングワイヤ３０の伸びよりも大きいことを、条件Ｂとする。条件Ａ又は条件Ｂを満たすことによる効果を確認するため、第２温度サイクル試験が行われた。第２温度サイクル試験には、サンプル３からサンプル５が供された。サンプル３からサンプル５は、半導体装置１００に対応している。なお、第２温度サイクル試験は、第１温度サイクル試験と同様の方法により行われた。

【0038】

サンプル３のボンディングワイヤ３０は、室温における引張強度が８０ｍＮであり、２５０℃における引張強度が３８ｍＮである。サンプル３のボンディングワイヤは、室温における伸びが４．１パーセントであり、２５０℃における伸びが４．６パーセントである。そのため、サンプル３のボンディングワイヤ３０は、条件Ｂを満たしているが、条件Ａを満たしていない。

【0039】

サンプル４のボンディングワイヤ３０は、室温における引張強度が１３６ｍＮであり、２５０℃における引張強度が１２４ｍＮである。サンプル４のボンディングワイヤは、室温における伸びが４．６パーセントであり、２５０℃における伸びが１．７パーセントである。そのため、サンプル４のボンディングワイヤ３０は、条件Ａを満たしているが、条件Ｂを満たしていない。

【0040】

サンプル５のボンディングワイヤ３０は、室温における引張強度が１０６ｍＮであり、２５０℃における引張強度が８３ｍＮである。サンプル５のボンディングワイヤは、室温における伸びが４．６パーセントであり、２５０℃における伸びが１．８パーセントである。そのため、サンプル５のボンディングワイヤ３０は、条件Ａ及び条件Ｂのいずれも満たしていない。

【0041】

第２温度サイクル試験の結果が、表２に示されている。表２に示されるように、サンプル３及びサンプル４では、細りの確認されたボンディングワイヤ３０の数及び断線の確認されたボンディングワイヤ３０の数が、サンプル５よりも少なかった。この比較から、条件Ａ及び条件Ｂのいずれかが満たされることにより封止樹脂４０の熱膨張に起因したボンディングワイヤ３０の断線を抑制可能であることが、明らかになった。

【0042】

また、サンプル４では、細りの確認されたボンディングワイヤ３０の数及び断線の確認されたボンディングワイヤ３０の数が、サンプル３よりも少なかった。この比較から、条件Ａが満たされることにより封止樹脂４０の熱膨張に起因したボンディングワイヤ３０の断線を抑制可能であることが、明らかになった。

【0043】

【表2】

【0044】

（第２実施形態）
第２実施形態に係る半導体装置を説明する。第２実施形態に係る半導体装置を、半導体装置１００Ａとする。ここでは、半導体装置１００と異なる点を主に説明し、重複する説明は繰り返さないものとする。

【0045】

＜半導体装置１００Ａの構成＞
以下に、半導体装置１００Ａの構成を説明する。

【0046】

図４は、半導体装置１００Ａの断面図である。図４には、図３に対応する位置における断面が示されている。図５は、図４の部分的な拡大図である。図４及び図５に示されるように、半導体装置１００Ａは、基板１０と、半導体チップ２０と、ボンディングワイヤ３０と、封止樹脂４０とを有している。この点に関して、半導体装置１００Ａの構成は、半導体装置１００の構成と共通している。

【0047】

半導体装置１００Ａでは、角度θ１が鈍角になっている。すなわち、半導体装置１００Ａでは、基材１１の幅方向に直交する断面視において、基端部３３が、半導体チップ２０とは反対側に倒れている。この点に関して、半導体装置１００Ａの構成は、半導体装置１００の構成と共通している。なお、半導体装置１００Ａでは、ボンディングワイヤ３０が封止樹脂４０から露出することを避けるため、厚さＴ２を厚さＴ１で除した値が０．５を超えていてもよい。

【0048】

＜半導体装置１００Ａの効果＞
以下に、半導体装置１００Ａの効果を説明する。

【0049】

半導体装置１００Ａでは、基端部３３が半導体チップ２０とは反対側に倒れていることにより、ボンディングワイヤ３０のループ高さが高くなっているとともに、ボンディングワイヤ３０が長くなっている。そのため、半導体装置１００Ａによると、封止樹脂４０の膨張に追従してボンディングワイヤ３０が変形しやすく、封止樹脂４０の熱膨張に起因したボンディングワイヤ３０の断線を抑制可能である。

【0050】

＜第３温度サイクル試験＞
半導体装置１００Ａの効果を確認するため、第３温度サイクル試験が行われた。第３温度サイクル試験には、サンプル６及びサンプル７が供された。サンプル６では、基端部３３が半導体チップ２０とは反対側に倒れている。すなわち、サンプル６は、半導体装置１００Ａに対応している。サンプル７は、角度θ１が９０°になっている点を除き、サンプル６と同一の構成になっている。サンプル７は、第１温度サイクル試験におけるサンプル２と同一のサンプルである。なお、第３温度サイクル試験は、第１温度サイクル試験と同様の方法により行われた。

【0051】

表３には、第３温度サイクル試験の結果が示されている。表３に示されるように、第３温度サイクル試験では、３００サイクルの温度サイクルが加えられた時点で、５個のサンプル７にボンディングワイヤ３０の細りが確認された。５００サイクルの温度サイクルが加えられた時点で、３個のサンプル７にボンディングワイヤ３０の細りが確認され、３個のサンプル２にボンディングワイヤ３０の断線が確認された。

【0052】

他方で、５００サイクルの温度サイクルが加えられた時点でも、ボンディングワイヤ３０に細り又は断線が確認されたサンプル６の数は、０個であった。この比較から、基端部３３を半導体チップ２０とは反対側に倒すことにより封止樹脂４０の熱膨張に起因したボンディングワイヤ３０の断線を抑制可能であることが、明らかになった。

【0053】

【表3】

【0054】

以上のように本開示の実施形態について説明を行ったが、上述の実施形態を様々に変形することも可能である。また、本発明の範囲は、上述の実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含むことが意図される。

【符号の説明】

【0055】

１００，１００Ａ 半導体装置、１０ 基板、１１ 基材、１１ａ，１１ｂ 主面、１１ｃ，１１ｄ 貫通穴、１２，１３，１４，１５ パッド、１６，１７ 導体層、２０ 半導体チップ、２０ａ 底面、２０ｂ 上面、２１ パッド、２２ 接続層、３０ ボンディングワイヤ、３０ａ 第１端、３０ｂ 第２端、３１ ボール部、３２ ワイヤ部、３３ 基端部、４０ 封止樹脂、Ｌ 直線、Ｔ１，Ｔ２ 厚さ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】