特開 2023-82795 放射線検出パネル及び放射線検出パネルの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023082795

(43)【公開日】2023-06-15

(54)【発明の名称】放射線検出パネル及び放射線検出パネルの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G01T 1/20 20060101AFI20230608BHJP

【ＦＩ】

G01T1/20 L

G01T1/20 E

G01T1/20 G

G01T1/20 D

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021196732

(22)【出願日】2021-12-03

(71)【出願人】

【識別番号】503382542

【氏名又は名称】キヤノン電子管デバイス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】長井 真也

(72)【発明者】

【氏名】會田 博之

【テーマコード（参考）】

2G188

【Ｆターム（参考）】

2G188BB02

2G188CC15

2G188CC17

2G188CC19

2G188CC22

2G188DD05

2G188DD42

2G188DD44

(57)【要約】

【課題】 防湿カバーを容易に剥がすことのできる放射線検出パネル及び放射線検出パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】 放射線検出パネルは、複数の光電変換部を有する光電変換基板２と、シンチレータ層５と、防湿カバー７と、光電変換基板２と防湿カバー７とを接合する接合体８と、を備える。光電変換基板２、防湿カバー７、及び接合体８は、第２非検出領域ＮＤＡ２側に開口し、検出領域ＤＡ側に凹んだ隙間Ａを形成している。
【選択図】図９

【特許請求の範囲】

【請求項1】

検出領域、前記検出領域の周囲に位置する枠状の第１非検出領域、及び前記第１非検出領域の外側の第２非検出領域に位置し、前記検出領域に位置した複数の光電変換部を有する光電変換基板と、
前記検出領域に位置し、前記光電変換基板の上に設けられたシンチレータ層と、
前記検出領域及び前記第１非検出領域に位置し、前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を挟み、前記シンチレータ層を覆った防湿カバーと、
前記第１非検出領域に位置し、前記光電変換基板と前記防湿カバーとの間に位置し、前記光電変換基板と前記防湿カバーとを接合する接合体と、を備え、
前記光電変換基板、前記防湿カバー、及び前記接合体は、前記第２非検出領域側に開口し前記検出領域側に凹んだ隙間を形成している、
放射線検出パネル。

【請求項2】

前記防湿カバーが前記第１非検出領域にて前記光電変換基板に最も接近する位置のうち最も前記検出領域側の位置を第１位置とすると、
前記接合体は、前記第１位置より前記検出領域側にて前記光電変換基板と前記防湿カバーとを接合している、
請求項１に記載の放射線検出パネル。

【請求項3】

前記接合体は、前記隙間と前記防湿カバーとの間に位置し前記防湿カバーに接着している第１部分を有する、
請求項１に記載の放射線検出パネル。

【請求項4】

前記接合体は、前記光電変換基板と前記隙間との間に位置し前記光電変換基板に接着している第２部分を有する、
請求項１又は３に記載の放射線検出パネル。

【請求項5】

前記第２部分は、前記防湿カバーに重なっていない突出部を含み、
前記第１非検出領域が前記検出領域及び前記第２非検出領域の各々と隣合う方向において、前記突出部の長さは２ｍｍ以内である、
請求項４に記載の放射線検出パネル。

【請求項6】

第２長さは、第１長さ以上であり、
前記第１非検出領域が前記検出領域及び前記第２非検出領域の各々と隣合う方向において、前記第１長さは第２位置から第３位置までの長さであり、前記第２長さは前記第３位置から第４位置までの長さであり、前記第２位置は前記防湿カバーの外周縁に重なる位置であり、前記第３位置は前記隙間のうち最も前記検出領域側の位置であり、前記第４位置は前記接合体が前記光電変換基板に接着している範囲内のうち最も前記検出領域側の位置である、
請求項１に記載の放射線検出パネル。

【請求項7】

第２距離は、第１距離を超え、
前記第２距離は、前記防湿カバーの外周縁に重なる第２位置における前記光電変換基板と前記防湿カバーとの間の距離であり、
前記第１距離は、前記第１非検出領域のうち前記第２位置と前記検出領域との間にて前記防湿カバーが前記光電変換基板に最も接近する第１位置における前記光電変換基板と前記防湿カバーとの間の距離である、
請求項１に記載の放射線検出パネル。

【請求項8】

前記防湿カバーは、アルミニウム、アルミニウム合金、又は積層体で形成され、
前記積層体は、樹脂層、並びにアルミニウム若しくはアルミニウム合金で形成され前記樹脂層に積層された金属層を有している、
請求項１に記載の放射線検出パネル。

【請求項9】

前記接合体は、紫外線硬化型接着剤で形成されている、
請求項１に記載の放射線検出パネル。

【請求項10】

前記シンチレータ層と対向して設けられ、前記シンチレータ層が発する光を前記複数の光電変換部側に反射する光反射層をさらに備える、
請求項１に記載の放射線検出パネル。

【請求項11】

前記光電変換基板、前記防湿カバー、及び前記接合体で囲まれた空間は、真空である、
請求項１乃至１０の何れか１項に記載の放射線検出パネル。

【請求項12】

検出領域、前記検出領域の周囲に位置する枠状の第１非検出領域、及び前記第１非検出領域の外側の第２非検出領域に位置し、前記検出領域に位置した複数の光電変換部を有する光電変換基板を用意し、
前記検出領域にてシンチレータ層を前記光電変換基板の上に設け、
防湿カバーを用意し、
前記光電変換基板及び前記防湿カバーの一方に接着剤を塗布し、
前記接着剤を仮硬化し、
前記防湿カバーを、前記検出領域、前記第１非検出領域の接合領域、及び前記第１非検出領域のうち前記接合領域より前記第２非検出領域側の非接合領域に対向させ、
前記接着剤が前記接合領域に位置している状態にて、前記光電変換基板及び前記防湿カバーの他方を仮硬化した前記接着剤に接着させ、前記防湿カバー及び前記光電変換基板によって前記シンチレータ層を挟み、前記防湿カバーによって前記シンチレータ層を覆い、
前記防湿カバーによって前記シンチレータ層を覆った後に前記接着剤を本硬化し、前記光電変換基板と前記防湿カバーとの間に位置し前記光電変換基板と前記防湿カバーとを接合する接合体を形成し、
前記光電変換基板、前記防湿カバー、及び本硬化した前記接合体により、前記第２非検出領域側に開口し前記検出領域側に凹んだ隙間を形成する、
放射線検出パネルの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、放射線検出パネル及び放射線検出パネルの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

放射線検出器として、例えばＸ線検出器（Ｘ線平面検出器）が知られている。Ｘ線検出器のＸ線検出パネルは、Ｘ線を蛍光に変換するシンチレータ層と、蛍光を電気信号に変換する光電変換基板と、を備えている。シンチレータ層は、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を含んでいる。また、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、Ｘ線検出パネルは、シンチレータ層の上に設けられた光反射層をさらに備える場合もある。

【0003】

ここで、水蒸気などに起因する特性の劣化を抑制するために、シンチレータ層と光反射層は、外部雰囲気から隔離する必要がある。そこで、高い防湿性能が得られる構造として、シンチレータ層と光反射層をハット形状の防湿カバーで覆い、防湿カバーの周縁部を光電変換基板に接着する技術が提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特許第４７６４４０７号明細書

【特許文献2】特許第６７４９０３８号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本実施形態は、防湿カバーを容易に剥がすことのできる放射線検出パネル及び放射線検出パネルの製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態に係る放射線検出パネルは、
検出領域、前記検出領域の周囲に位置する枠状の第１非検出領域、及び前記第１非検出領域の外側の第２非検出領域に位置し、前記検出領域に位置した複数の光電変換部を有する光電変換基板と、
前記検出領域に位置し、前記光電変換基板の上に設けられたシンチレータ層と、
前記検出領域及び前記第１非検出領域に位置し、前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を挟み、前記シンチレータ層を覆った防湿カバーと、
前記第１非検出領域に位置し、前記光電変換基板と前記防湿カバーとの間に位置し、前記光電変換基板と前記防湿カバーとを接合する接合体と、を備え、
前記光電変換基板、前記防湿カバー、及び前記接合体は、前記第２非検出領域側に開口し前記検出領域側に凹んだ隙間を形成している。

【0007】

また、一実施形態に係る放射線検出パネルの製造方法は、
検出領域、前記検出領域の周囲に位置する枠状の第１非検出領域、及び前記第１非検出領域の外側の第２非検出領域に位置し、前記検出領域に位置した複数の光電変換部を有する光電変換基板を用意し、
前記検出領域にてシンチレータ層を前記光電変換基板の上に設け、
防湿カバーを用意し、
前記光電変換基板及び前記防湿カバーの一方に接着剤を塗布し、
前記接着剤を仮硬化し、
前記防湿カバーを、前記検出領域、前記第１非検出領域の接合領域、及び前記第１非検出領域のうち前記接合領域より前記第２非検出領域側の非接合領域に対向させ、
前記接着剤が前記接合領域に位置している状態にて、前記光電変換基板及び前記防湿カバーの他方を仮硬化した前記接着剤に接着させ、前記防湿カバー及び前記光電変換基板によって前記シンチレータ層を挟み、前記防湿カバーによって前記シンチレータ層を覆い、
前記防湿カバーによって前記シンチレータ層を覆った後に前記接着剤を本硬化し、前記光電変換基板と前記防湿カバーとの間に位置し前記光電変換基板と前記防湿カバーとを接合する接合体を形成し、
前記光電変換基板、前記防湿カバー、及び本硬化した前記接合体により、前記第２非検出領域側に開口し前記検出領域側に凹んだ隙間を形成する。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、比較例に係るＸ線検出器を示す断面図である。

【図2】図２は、上記Ｘ線検出器の支持基板、Ｘ線検出パネル、回路基板、及び複数のＦＰＣを示す斜視図であり、画像伝送部を併せて示す図である。

【図3】図３は、上記Ｘ線検出パネルの一部を示す拡大断面図である。

【図4】図４は、上記Ｘ線検出パネル、回路基板、及び複数のＦＰＣを示す回路図である。

【図5】図５は、上記Ｘ線検出パネルを示す平面図である。

【図6】図６は、上記Ｘ線検出パネルを線ＶＩ－ＶＩに沿って示す断面図である。

【図7】図７は、第１の実施形態に係るＸ線検出パネルを示す平面図である。

【図8】図８は、図７のＸ線検出パネルを線ＶＩＩＩ－ＶＩＩＩに沿って示す断面図であり、ＦＰＣを併せて示す図である。

【図9】図９は、図８のＸ線検出パネルの一部を示す拡大断面図である。

【図10】図１０は、上記第１の実施形態に係るＸ線検出パネルの製造方法を説明するための図であり、光電変換基板、シンチレータ層、及び接着剤を示す断面図であり、光電変換基板の上に接着剤が塗布された状態を示す図である。

【図11】図１１は、図１０に続き、上記第１の実施形態に係るＸ線検出パネルの製造方法を説明するための図であり、光電変換基板、シンチレータ層、接着剤、及び防湿カバーを示す断面図であり、光電変換基板及び接着剤に防湿カバーが対向している状態を示す図である。

【図12】図１２は、第２の実施形態に係るＸ線検出パネルを示す断面図であり、ＦＰＣを併せて示す図である。

【図13】図１３は、図１２のＸ線検出パネルの一部を示す拡大断面図である。

【図14】図１４は、上記第２の実施形態に係るＸ線検出パネルの製造方法を説明するための図であり、光電変換基板、シンチレータ層、及び接着剤を示す断面図であり、光電変換基板の上に接着剤が塗布された状態を示す図である。

【図15】図１５は、図１４に続き、上記第２の実施形態に係るＸ線検出パネルの製造方法を説明するための図であり、光電変換基板、シンチレータ層、接着剤、及び防湿カバーを示す断面図であり、真空の雰囲気中において接着剤に防湿カバーを接着している状態を示す図である。

【図16】図１６は、図１５に続き、上記第２の実施形態に係るＸ線検出パネルの製造方法を説明するための図であり、光電変換基板、シンチレータ層、接着剤、及び防湿カバーを示す断面図であり、光電変換基板、シンチレータ層、接着剤、及び防湿カバーの周りの雰囲気を真空から大気圧に置換している状態を示す図である。

【図17】図１７は、上記第２の実施形態の変形例１に係るＸ線検出パネルの一部を示す拡大断面図である。

【図18】図１８は、上記第２の実施形態の変形例２に係るＸ線検出パネルの一部を示す拡大断面図である。

【図19】図１９は、第３の実施形態に係るＸ線検出パネルを示す断面図であり、ＦＰＣを併せて示す図である。

【図20】図２０は、第４の実施形態に係るＸ線検出パネルの一部を示す拡大断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に、本発明の各実施形態及び比較例について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0010】

（比較例）
まず、比較例に係るＸ線検出器１の構成について説明する。図１は、比較例に係るＸ線検出器１を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、Ｘ線画像検出器であり、Ｘ線検出パネルを利用するＸ線平面検出器である。また、Ｘ線検出器１は、放射線像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサでもある。Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療用途等に用いられている。

【0011】

図１に示すように、Ｘ線検出器１は、Ｘ線検出モジュール１０、支持基板１２、回路基板１１、スペーサ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ、筐体５１、入射窓５２等を備えている。Ｘ線検出モジュール１０は、Ｘ線検出パネルＰＮＬ、ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）２ｅ１等を備えている。Ｘ線検出パネルＰＮＬは、支持基板１２と入射窓５２との間に位置している。Ｘ線検出パネルＰＮＬは、入射窓５２と対向した防湿カバー７を備えている。

【0012】

入射窓５２は、筐体５１の開口に取付けられている。入射窓５２はＸ線を透過させる。そのため、Ｘ線は入射窓５２を透過してＸ線検出パネルＰＮＬに入射される。入射窓５２は、板状に形成され、筐体５１内部を保護する機能を有している。入射窓５２は、Ｘ線吸収率の低い材料で薄く形成することが望ましい。これにより、入射窓５２で生じる、Ｘ線の散乱と、Ｘ線量の減衰とを低減することができる。そして、薄くて軽いＸ線検出器１を実現することができる。
Ｘ線検出モジュール１０、支持基板１２、回路基板１１等は、筐体５１及び入射窓５２で囲まれた空間の内部に収容されている。

【0013】

Ｘ線検出パネルＰＮＬは、薄い部材を積層して構成されているため、軽く機械的強度の低いものである。このため、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、粘着シートを介して支持基板１２の平坦な一面に固定されている。支持基板１２は、例えばアルミニウム合金で板状に形成され、Ｘ線検出パネルＰＮＬを安定して保持するために必要な強度を有している。これにより、Ｘ線検出器１に外部から振動や衝撃が加わった際におけるＸ線検出パネルＰＮＬの破損を抑制することができる。

【0014】

支持基板１２の他面には、スペーサ９ａ，９ｂを介して回路基板１１が固定されている。スペーサ９ａ，９ｂを使用することで、主に金属から構成される支持基板１２から回路基板１１までの電気的絶縁距離を保持することができる。
筐体５１の内面には、スペーサ９ｃ，９ｄを介して回路基板１１が固定されている。スペーサ９ｃ，９ｄを使用することで、主に金属から構成される筐体５１から回路基板１１までの電気的絶縁距離を保持することができる。筐体５１は、回路基板１１及びスペーサ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを介して支持基板１２等を支持している。

【0015】

回路基板１１にはＦＰＣ２ｅ１に対応するコネクタが実装され、ＦＰＣ２ｅ１はコネクタを介して回路基板１１に電気的に接続されている。ＦＰＣ２ｅ１とＸ線検出パネルＰＮＬとの接続には、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）を利用した熱圧着法が用いられる。この方法により、Ｘ線検出パネルＰＮＬの複数の微細なパッドと、ＦＰＣ２ｅ１の複数の微細なパッドとの電気的接続が確保され、ＦＰＣ２ｅ１がＸ線検出パネルＰＮＬに物理的に固定される。なお、Ｘ線検出パネルＰＮＬのパッドに関しては後述する。

【0016】

上記のように、回路基板１１は、上記コネクタ、ＦＰＣ２ｅ１等を介してＸ線検出パネルＰＮＬに電気的に接続されている。回路基板１１は、Ｘ線検出パネルＰＮＬを電気的に駆動し、かつ、Ｘ線検出パネルＰＮＬからの出力信号を電気的に処理するものである。

【0017】

図２は、比較例に係るＸ線検出器１の支持基板１２、Ｘ線検出パネルＰＮＬ、回路基板１１、複数のＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２、及び画像伝送部４を示す斜視図である。なお、図２には、Ｘ線検出器１の全ての部材を示していない。後述する接合体等、Ｘ線検出器１のいくつかの部材の図示は、図２において省略している。

【0018】

図２に示すように、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光電変換基板２、シンチレータ層５等を備えている。光電変換基板２は、基板（基材）２ａ、複数の光電変換部２ｂ、複数の制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、複数のデータライン（又はシグナルライン）２ｃ２等を有している。なお、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、及びデータライン２ｃ２の数、配置等は図２の例に限定されるものではない。

【0019】

複数の制御ライン２ｃ１は、行方向Ｘに延在し、列方向Ｙに所定の間隔をあけて並べられている。複数のデータライン２ｃ２は、列方向Ｙに延在し、複数の制御ライン２ｃ１と交差し、行方向Ｘに所定の間隔をあけて並べられている。なお、行方向Ｘ及び列方向Ｙは、互いに直交している。

【0020】

光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の面側に複数設けられている。光電変換部２ｂは、制御ライン２ｃ１とデータライン２ｃ２とにより区画された四角形状の領域に設けられている。１つの光電変換部２ｂは、Ｘ線画像の１つの画素に対応する。複数の光電変換部２ｂは、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並べられている。上記のことから、光電変換基板２は、アレイ基板である。

【0021】

各々の光電変換部２ｂは、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２ｂ２と、を有している。ＴＦＴ２ｂ２は、対応する一の制御ライン２ｃ１と、対応する一のデータライン２ｃ２とに接続されている。光電変換素子２ｂ１はＴＦＴ２ｂ２に電気的に接続されている。

【0022】

制御ライン２ｃ１は、ＦＰＣ２ｅ１を介して回路基板１１に電気的に接続されている。回路基板１１は、ＦＰＣ２ｅ１を介して複数の制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を与える。データライン２ｃ２は、ＦＰＣ２ｅ２を介して回路基板１１に電気的に接続されている。光電変換素子２ｂ１によって変換された画像データ信号Ｓ２（光電変換部２ｂに蓄積された電荷）は、ＴＦＴ２ｂ２、データライン２ｃ２、及びＦＰＣ２ｅ２を介して回路基板１１に伝送される。

【0023】

Ｘ線検出器１は、画像伝送部４を備えている。画像伝送部４は、配線４ａを介して回路基板１１に接続されている。なお、画像伝送部４は、回路基板１１に組込まれてもよい。画像伝送部４は、図示しない複数のアナログ－デジタル変換器によりデジタル信号に変換された画像データの信号に基づいて、Ｘ線画像を生成する。生成されたＸ線画像のデータは、画像伝送部４から外部の機器に向けて出力される。

【0024】

図３は、比較例に係るＸ線検出パネルＰＮＬの一部を示す拡大断面図である。
図３に示すように、光電変換基板２は、基板２ａ、複数の光電変換部２ｂ、絶縁層２１，２２，２３，２４，２５を有している。複数の光電変換部２ｂは、検出領域ＤＡに位置している。各々の光電変換部２ｂは、光電変換素子２ｂ１と、ＴＦＴ２ｂ２と、を備えている。

【0025】

ＴＦＴ２ｂ２は、ゲート電極ＧＥ、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥを有している。光電変換素子２ｂ１は、フォトダイオードで構成されている。なお、光電変換素子２ｂ１は、光を電荷に変換するように構成されていればよい。

【0026】

基板２ａは、板状の形状を有し、絶縁材料で形成されている。上記絶縁材料としては、無アルカリガラスなどのガラスを挙げることができる。比較例において、基板２ａは、ガラスで形成されているが、樹脂等の有機絶縁材料で形成されてもよい。基板２ａの平面形状は、例えば四角形である。基板２ａの厚みは、例えば０．５乃至０．７ｍｍである。絶縁層２１は、基板２ａの上に設けられている。

【0027】

絶縁層２１の上に、ゲート電極ＧＥが形成されている。ゲート電極ＧＥは、上記制御ライン２ｃ１に電気的に接続されている。絶縁層２２は、絶縁層２１及びゲート電極ＧＥの上に設けられている。半導体層ＳＣは、絶縁層２２の上に設けられ、ゲート電極ＧＥに対向している。半導体層ＳＣは、非晶質半導体としての非晶質シリコン、多結晶半導体としての多結晶シリコン等の半導体材料で形成されている。

【0028】

絶縁層２２及び半導体層ＳＣの上に、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが設けられている。ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、上記制御ライン２ｃ１、及び上記データライン２ｃ２は、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成されている。

【0029】

ソース電極ＳＥは、半導体層ＳＣのソース領域に電気的に接続されている。また、ソース電極ＳＥは、上記データライン２ｃ２に電気的に接続されている。ドレイン電極ＤＥは、半導体層ＳＣのドレイン領域に電気的に接続されている。

【0030】

絶縁層２３は、絶縁層２２、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥの上に設けられている。光電変換素子２ｂ１は、ドレイン電極ＤＥに電気的に接続されている。絶縁層２４は、絶縁層２３及び光電変換素子２ｂ１の上に設けられている。バイアス線ＢＬは、絶縁層２４の上に設けられ、絶縁層２４に形成されたコンタクトホールを通り光電変換素子２ｂ１に接続されている。絶縁層２５は、絶縁層２４及びバイアス線ＢＬの上に設けられている。

【0031】

絶縁層２１，２２，２３，２４，２５は、無機絶縁材料、有機絶縁材料等の絶縁材料で形成されている。無機絶縁材料としては、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、及び酸窒化物絶縁材料を挙げることができる。有機絶縁材料としては樹脂を挙げることができる。

【0032】

シンチレータ層５は、光電変換基板２（複数の光電変換部２ｂ）の上に設けられている。シンチレータ層５は、少なくとも検出領域ＤＡに位置し、複数の光電変換部２ｂの上方を覆っている。シンチレータ層５は、入射されるＸ線を光（蛍光）に変換するように構成されている。

【0033】

なお、光電変換素子２ｂ１は、シンチレータ層５から入射される光を電荷に変換する。変換された電荷は光電変換素子２ｂ１に蓄積される。ＴＦＴ２ｂ２は、光電変換素子２ｂ１への蓄電及び光電変換素子２ｂ１からの放電を切替えることができる。なお、光電変換素子２ｂ１の自己容量が不十分である場合、光電変換基板２はコンデンサ（蓄積キャパシタ）をさらに有し、光電変換素子２ｂ１で変換された電荷をコンデンサに蓄積してもよい。

【0034】

シンチレータ層５は、タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）で形成されている。真空蒸着法を用いてシンチレータ層５を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ層５が得られる。シンチレータ層５の厚みは、例えば、６００μｍである。シンチレータ層５の最表面において、シンチレータ層５の柱状結晶の太さは、８乃至１２μｍである。

【0035】

シンチレータ層５を形成する材料は、ＣｓＩ：Ｔｌに限定されるものではない。シンチレータ層５は、タリウム賦活ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ：Ｔｌ）、ナトリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｎａ）、ユーロピウム賦活臭化セシウム（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）、ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）等で形成されてもよい。

【0036】

なお、真空蒸着法を用いてシンチレータ層５を形成する際には、開口を有するマスクが用いられる。この場合、光電変換基板２上の開口に対峙する領域にシンチレータ層５が形成される。また、蒸着によるシンチレータ材は、マスクの表面にも堆積する。そして、シンチレータ材は、マスクの開口の近傍にも堆積し、開口の内部に徐々に張り出すように結晶が成長する。マスクから開口の内部に結晶が張り出すと、開口の近傍において、光電変換基板２へのシンチレータ材の蒸着が抑制される。そのため、図２に示したように、シンチレータ層５の周縁近傍は、外側になるに従い厚みが漸減している。

【0037】

又は、シンチレータ層５は、マトリクス状に並べられ、光電変換部２ｂに一対一で設けられ、それぞれ四角柱状の形状を有する複数のシンチレータ部を有してもよい。そのようなシンチレータ層５を形成する際、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ）蛍光体粒子をバインダ材と混合したシンチレータ材を、光電変換基板２上に塗布し、シンチレータ材を焼成して硬化させる。その後、ダイサによりダイシングするなどし、シンチレータ材に格子状の溝部を形成する。上記の場合、複数のシンチレータ部の間には、空気又は酸化防止用の窒素（Ｎ_２）等の不活性ガスが封入される。又は、複数のシンチレータ部の間の空間は、大気圧より減圧された空間に設定されてもよい。

【0038】

比較例において、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光反射層６をさらに備えている。光反射層６は、シンチレータ層５のＸ線の入射側に設けられている。光反射層６は、少なくとも検出領域ＤＡに位置し、シンチレータ層５の上面を覆っている。光反射層６は、光（蛍光）の利用効率を高めて感度特性の向上を図るために設けられている。すなわち、光反射層６は、シンチレータ層５において生じた光のうち、光電変換部２ｂが設けられた側とは反対側に向かう光を反射して、光電変換部２ｂに向かうようにする。ただし、光反射層６は、必ずしも必要ではなく、Ｘ線検出パネルＰＮＬに求められる感度特性などに応じて設ければよい。

【0039】

例えば、酸化チタン（ＴｉＯ_２）等からなる光散乱性粒子と、樹脂と、溶媒とを混合した塗布材料をシンチレータ層５上に塗布し、続いて塗布材料を乾燥することで光反射層６を形成することができる。

【0040】

なお、光反射層６の構造及び光反射層６の製造方法は、上記の例に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層をシンチレータ層５上に成膜することで光反射層６を形成してもよい。又は、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属層を含むシートや、光散乱性粒子を含む樹脂シート等をシンチレータ層５の上に設けることで光反射層６を形成してもよい。

【0041】

なお、ペースト状の塗布材料をシンチレータ層５の上に塗布し、上記塗布材料を乾燥する場合は、乾燥に伴い塗布材料が収縮するので、シンチレータ層５に引っ張り応力が加わり、シンチレータ層５が光電変換基板２から剥離する場合がある。そのため、シート状の光反射層６を、シンチレータ層５の上に設けることが好ましい。この場合、光反射層６を、例えば、両面テープなどを用いて、シンチレータ層５の上に接合することもできるが、光反射層６をシンチレータ層５の上に載置する方が好ましい。シート状の光反射層６をシンチレータ層５の上に載置すれば、光反射層６の膨張または収縮に起因した、光電変換基板２からシンチレータ層５の剥離を容易に抑制することができる。

【0042】

防湿カバー（防湿体）７は、シンチレータ層５及び光反射層６を覆っている。防湿カバー７は、空気中に含まれる水分により、光反射層６の特性やシンチレータ層５の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。防湿カバー７は、シンチレータ層５の露出部分を完全に覆っている。防湿カバー７は光反射層６等との間に隙間を空けてもよいし、防湿カバー７は光反射層６等と接触してもよい。

【0043】

防湿カバー７は、金属を含むシートで形成されている。上記金属としては、アルミニウムを含む金属、銅を含む金属、マグネシウムを含む金属、タングステンを含む金属、ステンレス、コバール等を挙げることができる。防湿カバー７が金属を含んでいる場合、防湿カバー７は、水分の透過を、防止したり、大幅に抑制したりすることができる。

【0044】

図４は、比較例に係るＸ線検出パネルＰＮＬ、回路基板１１、及び複数のＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２を示す回路図である。
図２乃至図４に示すように、回路基板１１には、読み出し回路１１ａおよび信号検出回路１１ｂが設けられている。なお、これらの回路を１つの基板に設けることもできるし、これらの回路を複数の基板に分けて設けることもできる。ＦＰＣ２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、読み出し回路１１ａとそれぞれ電気的に接続されている。ＦＰＣ２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、信号検出回路１１ｂとそれぞれ電気的に接続されている。

【0045】

読み出し回路１１ａは、ＴＦＴ２ｂ２のオン状態とオフ状態を切り替える。読み出し回路１１ａは、複数のゲートドライバ１１ａａと行選択回路１１ａｂとを有する。行選択回路１１ａｂには、Ｘ線検出器１の外部に設けられた図示しない画像処理部などから制御信号Ｓ１が入力される。行選択回路１１ａｂは、Ｘ線画像の走査方向に従って、対応するゲートドライバ１１ａａに制御信号Ｓ１を入力する。ゲートドライバ１１ａａは、対応する制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を入力する。

【0046】

例えば、読み出し回路１１ａは、ＦＰＣ２ｅ１を介して、制御信号Ｓ１を複数の制御ライン２ｃ１に順に入力する。制御ライン２ｃ１に入力された制御信号Ｓ１によりＴＦＴ２ｂ２がオン又はオフされ、ＴＦＴ２ｂ２がオン状態となることで、光電変換素子２ｂ１からの電荷（画像データ信号Ｓ２）がＦＰＣ２ｅ２に出力される。

【0047】

信号検出回路１１ｂは、複数の積分回路１１ｂａ、複数の選択回路１１ｂｂ、及び複数のＡＤコンバータ１１ｂｃを有している。１つの積分回路１１ｂａは、１つのデータライン２ｃ２と電気的に接続されている。積分回路１１ｂａは、複数の光電変換部２ｂからの画像データ信号Ｓ２を順に受信する。そして、積分回路１１ｂａは、一定時間内に流れる電流を積分し、その積分値に対応した電圧を選択回路１１ｂｂへ出力する。この様にすれば、所定の時間内にデータライン２ｃ２を流れる電流の値（電荷量）を電圧値に変換することが可能となる。すなわち、積分回路１１ｂａは、シンチレータ層５において発生した蛍光の強弱分布に対応した画像データ情報を、電位情報へと変換する。

【0048】

選択回路１１ｂｂは、読み出しを行う積分回路１１ｂａを選択し、電位情報へと変換された画像データ信号Ｓ２を順に読み出す。ＡＤコンバータ１１ｂｃは、読み出された画像データ信号Ｓ２をデジタル信号に順に変換する。デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２は、配線を介して画像処理部に入力される。なお、デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２は、無線により画像処理部に送信されてもよい。画像処理部は、デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいてＸ線画像を構成する。なお、画像処理部は、回路基板１１と一体化することもできる。

【0049】

図５は、Ｘ線検出パネルＰＮＬを示す平面図である。図５において、シンチレータ層５には右上がりの斜線を付し、接合体８には右下がりの斜線を付している。図６は、Ｘ線検出パネルＰＮＬを線ＶＩ－ＶＩに沿って示す断面図である。

【0050】

図５及び図６に示すように、光電変換基板２は、検出領域ＤＡと、検出領域ＤＡの周囲に位置する枠状の第１非検出領域ＮＤＡ１と、第１非検出領域ＮＤＡ１の外側の第２非検出領域ＮＤＡ２と、に位置している。本実施形態において、第２非検出領域ＮＤＡ２は枠状の形状を有している。

【0051】

シンチレータ層５は、少なくとも検出領域ＤＡに位置している。光電変換基板２は、さらに複数のパッド２ｄ１及び複数のパッド２ｄ２を有している。パッド２ｄ１及びパッド２ｄ２は、第２非検出領域ＮＤＡ２に位置している。本実施形態において、複数のパッド２ｄ１は基板２ａの左辺に沿って並べられ、複数のパッド２ｄ２は基板２ａの下辺に沿って並べられている。なお、図５には複数のパッドを模式的に示しており、複数のパッドの個数、形状、サイズ、位置、及びピッチは、図５に示す例に限定されるものではない。

【0052】

１つの制御ライン２ｃ１は、検出領域ＤＡ、第１非検出領域ＮＤＡ１、及び第２非検出領域ＮＤＡ２を延在し、複数のパッド２ｄ１のうちの１つと電気的に接続されている。１つのデータライン２ｃ２は、検出領域ＤＡ、第１非検出領域ＮＤＡ１、及び第２非検出領域ＮＤＡ２を延在し、複数のパッド２ｄ２のうちの１つと電気的に接続されている。
１つのパッド２ｄ１にはＦＰＣ２ｅ１に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続され、１つのパッド２ｄ２にはＦＰＣ２ｅ２に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている（図２）。

【0053】

Ｘ線検出パネルＰＮＬは、接合体８をさらに備えている。接合体８は、シンチレータ層５の周囲に設けられている。接合体８は、第１非検出領域ＮＤＡ１に位置し、枠状の形状を有し、シンチレータ層５の周囲を連続的に延在している。接合体８は、光電変換基板２（例えば、上記絶縁層２５）に接合されている。

【0054】

防湿カバー７は、図５に示す平面図において、シンチレータ層５を完全に覆っている。図６に示すように、シンチレータ層５のうち光電変換基板２及び接合体８で覆われていない部分は、防湿カバー７で完全に覆われている。防湿カバー７は、接合体８に接合されている。例えば、大気圧よりも減圧された環境において防湿カバー７と接合体８とを接合すれば、防湿カバー７を光反射層６等に接触させることができる。また、一般的に、シンチレータ層５には、その体積の１０乃至４０％程度の空隙が存在する。そのため、空隙にガスが含まれていると、Ｘ線検出器１を航空機などで輸送した場合にガスが膨張して防湿カバー７が破損する恐れがある。大気圧よりも減圧された環境において防湿カバー７と接合体８とを接合すれば、Ｘ線検出器１が航空機などで輸送された場合であっても防湿カバー７の破損を抑制することができる。上記のことから、接合体８と防湿カバー７とにより画された空間の圧力は、大気圧よりも低くした方が好ましい。

【0055】

接合体８は、光電変換基板２と防湿カバー７との間に位置し、紫外線硬化型接着剤で形成されている。紫外線硬化型接着剤に紫外線を照射することで、紫外線硬化型接着剤からなる接合体８は、光電変換基板２と防湿カバー７とを接合する。

【0056】

図５に示すように、平面視において、接合体８は防湿カバー７の外周縁より外側に位置している。図６に示すように、光電変換基板２と防湿カバー７との間に隙間（空間）は存在していない。防湿カバー７は、光電変換基板２と対向する側の下面７ａと、下面７ａとは反対側の上面７ｂと、下面７ａと上面７ｂとをつなぐ側面７ｃと、を有している。接合体８は、防湿カバー７の端部の下面７ａ、上面７ｂ、及び側面７ｃに接着し、防湿カバー７の端部を包んでいる。
比較例に係るＸ線検出器１は、上記のように構成されている。

【0057】

上記のように構成された比較例に係るＸ線検出器１によれば、防湿カバー７を接合体８に一度接着すると、防湿カバー７を接合体８から剥がすことが非常に困難になってしまう。何故なら、防湿カバー７を接合体８から剥がす基点が存在しないためである。言い換えると、防湿カバー７の端部は接合体８で包まれており、例えばＸ線検出パネルＰＮＬの外側から防湿カバー７の端部をピンセットで摘むことができないためである。

【0058】

接合体８に異物が噛み込んだ場合、防湿カバー７に孔が開いていた場合等、接合体８及び防湿カバー７に異常があった場合に、防湿カバー７を接合体８から剥がすことができなくなってしまう。ひいては、光電変換基板２、シンチレータ層５等を含むＸ線検出パネルＰＮＬが不良品となり、光電変換基板２及びシンチレータ層５を再利用することができなくなってしまう。

【0059】

（第１の実施形態）
次に、第１の実施形態に係るＸ線検出器１の構成及びＸ線検出器１の製造方法について説明する。Ｘ線検出器１は、本実施形態で説明する構成以外、上記比較例と同様に構成されている。図７は、第１の実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬを示す平面図である。図７において、シンチレータ層５には右上がりの斜線を付し、接合体８には右下がりの斜線を付している。図８は、図７のＸ線検出パネルＰＮＬを線ＶＩＩＩ－ＶＩＩＩに沿って示す断面図であり、ＦＰＣ２ｅ１を併せて示す図である。

【0060】

図７及び図８に示すように、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光電変換基板２、シンチレータ層５、防湿カバー（又は、防湿体）７、及び接合体８を備えている。Ｘ線検出パネルＰＮＬは、上述した光反射層６無しに形成されている。光電変換基板２は、検出領域ＤＡ、第１非検出領域ＮＤＡ１、及び第２非検出領域ＮＤＡ２に位置している。光電変換基板２は、検出領域ＤＡに位置した複数の光電変換部２ｂ等を有している（図２及び図３）。シンチレータ層５は、少なくとも検出領域ＤＡに位置し、光電変換基板２の上に設けられている。

【0061】

防湿カバー７は、検出領域ＤＡ及び第１非検出領域ＮＤＡ１に位置している。平面視において、防湿カバー７は、接合体８の外周縁より外側に位置している。防湿カバー７は、光電変換基板２とともにシンチレータ層５を挟み、シンチレータ層５を覆っている。防湿カバー７は、外部からシンチレータ層５への水蒸気の浸入を防止することができる。防湿カバー７は、防湿材として、例えばアルミニウムで形成されている。なお、防湿カバー７は、アルミニウム以外の防湿材で形成されてもよく、例えばアルミニウム合金で形成されてもよい。

【0062】

接合体８は、第１非検出領域ＮＤＡ１に位置し、枠状の形状を有し、シンチレータ層５の周囲を連続的に延在している。接合体８は、光電変換基板２と防湿カバー７との間に位置し、光電変換基板２と防湿カバー７とを接合している。接合体８は、紫外線硬化型接着剤で形成されている。

【0063】

防湿カバー７は、シンチレータ層５の外側において全周にわたって接合体８に接着している。防湿カバー７は、光電変換基板２及び接合体８とともにシンチレータ層５を密閉した空間を形成している。そのため、Ｘ線検出パネルＰＮＬの外部からシンチレータ層５への水蒸気の浸入は抑制される。光電変換基板２、防湿カバー７、及び接合体８で囲まれた空間は、大気圧より減圧された空間であり、真空である。上記空間は、０．７気圧以下に減圧された空間である方が望ましい。本実施形態において、防湿カバー７は、シンチレータ層５の表面に接している。

【0064】

ＦＰＣ２ｅ１は、光電変換基板２の第２非検出領域ＮＤＡ２に重なっている。ＦＰＣ２ｅ１は、光電変換基板２の第１非検出領域ＮＤＡ１に重なっていない。ＦＰＣ２ｅ１は、接続材ＡＤにより光電変換基板２（Ｘ線検出パネルＰＮＬ）に固定され、パッド２ｄ１に電気的に接続されている。接続材ＡＤはＡＣＦで形成されている。

【0065】

図９は、図８のＸ線検出パネルＰＮＬの一部を示す拡大断面図である。
図９に示すように、光電変換基板２、防湿カバー７、及び接合体８は、第１非検出領域ＮＤＡ１に隙間Ａを形成している。隙間Ａは、空間である。隙間Ａは、第２非検出領域ＮＤＡ２側に開口し、検出領域ＤＡ側に凹んでいる。

【0066】

防湿カバー７の端部は接合体８で包まれていない。そのため、例えばピンセットの一片をＸ線検出パネルＰＮＬの外側から隙間Ａに差し込み、防湿カバー７の端部をピンセットで摘むことができる。これにより、防湿カバー７を接合体８から良好に剥がすことができる。接合体８及び防湿カバー７に異常があった場合、不良品のＸ線検出パネルＰＮＬを廃棄するのではなく、不良品のＸ線検出パネルＰＮＬを修理することができる。修理する場合、不良品のＸ線検出パネルＰＮＬのうち、不良の防湿カバー７や接合体８のみを廃棄することができる。不良品のＸ線検出パネルＰＮＬのうち、良品の光電変換基板２及びシンチレータ層５に関しては再利用することができる。そのため、製造コストの低減や、製造時間の低減を図ることができる。また、仕損費を最小に抑えることができ、必要資源を削減する効果を得ることができる。

【0067】

防湿カバー７が第１非検出領域ＮＤＡ１にて光電変換基板２に最も接近する位置のうち最も検出領域ＤＡ側の位置を第１位置Ｐ１とする。接合体８は、第１位置Ｐ１より検出領域ＤＡ側に位置し、かつ、第１位置Ｐ１より第２非検出領域ＮＤＡ２側に位置している。接合体８は、第１位置Ｐ１より検出領域ＤＡ側にて、光電変換基板２と防湿カバー７とを接合している。

【0068】

このため、接合体８が第１位置Ｐ１より検出領域ＤＡ側にて光電変換基板２と防湿カバー７とを接合していない場合と比較し、隙間Ａを検出領域ＤＡ側に一層凹ませることができる。何故なら、第１位置Ｐ１より検出領域ＤＡ側にて、接合体８と光電変換基板２とが接合される面積、及び接合体８と防湿カバー７とが接合される面積を、それぞれ確保することができるためである。例えば、ピンセットの一片を隙間Ａに深く挿入することができるため、防湿カバー７の端部をピンセットで良好に摘むことができる。

【0069】

ここで、防湿カバー７の外周縁に重なる位置を第２位置Ｐ２とする。隙間Ａのうち最も検出領域ＤＡ側の位置を第３位置Ｐ３とする。接合体８が光電変換基板２に接着している範囲内のうち最も検出領域ＤＡ側の位置を第４位置Ｐ４とする。また、第１非検出領域ＮＤＡ１が検出領域ＤＡ及び第２非検出領域ＮＤＡ２の各々と隣合う方向において、第２位置Ｐ２から第３位置Ｐ３までの長さを第１長さＬ１とし、第３位置Ｐ３から第４位置Ｐ４までの長さを第２長さＬ２とする。図９において、第１非検出領域ＮＤＡ１が検出領域ＤＡ及び第２非検出領域ＮＤＡ２の各々と隣合う方向は、行方向Ｘである。

【0070】

すると、本実施形態において、第２長さＬ２は、第１長さＬ１以上である（Ｌ２≧Ｌ１）。
そのため、光電変換基板２、防湿カバー７、及び接合体８が隙間Ａを形成しても、接合体８と光電変換基板２とが接合される面積、及び接合体８と防湿カバー７とが接合される面積を、それぞれ確保することができる。
また、第２長さＬ２は、第１長さＬ１を超えている方が望ましい（Ｌ２＞Ｌ１）。接合体８を介した透湿経路を十分に長くとることができるため、製品信頼性の高いＸ線検出器１を得ることができる。

【0071】

なお、第２位置Ｐ２から第１位置Ｐ１までの範囲内において、光電変換基板２のシンチレータ層５側の面と防湿カバー７の下面７ａとは平行である。そのため、上記範囲内において、防湿カバー７は光電変換基板２に最も接近している。
本実施形態のＸ線検出器１は、上述したように構成されている。

【0072】

次に、本実施形態のＸ線検出器１の製造方法について説明する。ここでは、Ｘ線検出器１の製造方法のうち、Ｘ線検出パネルＰＮＬの製造方法について説明する。図１０は、本第１の実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬの製造方法を説明するための図であり、光電変換基板２、シンチレータ層５、及び接着剤８０を示す断面図であり、光電変換基板２の上に接着剤８０が塗布された状態を示す図である。図１１は、図１０に続き、本第１の実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬの製造方法を説明するための図であり、光電変換基板２、シンチレータ層５、接着剤８０、及び防湿カバー７を示す断面図であり、光電変換基板２及び接着剤８０に防湿カバー７が対向している状態を示す図である。

【0073】

図１０に示すように、Ｘ線検出パネルＰＮＬの製造が開始されると、まず、光電変換基板２を用意する。光電変換基板２は、検出領域ＤＡ、第１非検出領域ＮＤＡ１、及び第２非検出領域ＮＤＡ２に位置し、検出領域ＤＡに位置した複数の光電変換部２ｂを有している（図２及び図３）。

【0074】

続いて、少なくとも検出領域ＤＡにてシンチレータ層５を光電変換基板２の上に設ける。例えば、真空蒸着法を用いてシンチレータ層５を光電変換基板２の上に形成する。その後、防湿カバー７を用意する。次いで、光電変換基板２及び防湿カバー７の一方に添加剤を含有した接着剤８０を塗布する。本実施形態において、光電変換基板２にディスペンサー等を用いて接着剤８０を塗布する。また、従来よりも少しシンチレータ層５側に接着剤８０を塗布する。

【0075】

ここで、接着剤８０は、紫外線硬化型接着剤である。この場合、接着剤８０としては、エポキシ系でカチオン重合型の接着剤を用いることが好ましい。また、接着剤８０の透湿を抑制するため、添加剤として無機材質のフィラーを用いることが好ましい。

【0076】

その後、接着剤８０を仮硬化する。接着剤８０を仮硬化する際、接着剤８０に照射する紫外線の光量や、紫外線を照射する時間を調整することにより、完全に硬化していない状態の接着剤８０を得ることができる。紫外線は、接着剤８０に直接、照射されてもよい。また、紫外線は、光電変換基板２の外側から出射され、光電変換基板２を透過して接着剤８０に照射されてもよい。

【0077】

図１１に示すように、次いで、防湿カバー７を、検出領域ＤＡ、接合領域ＮＤＡ１ａ、及び非接合領域ＮＤＡ１ｂに対向させる。なお、接合領域ＮＤＡ１ａは第１非検出領域ＮＤＡ１に含まれている。非接合領域ＮＤＡ１ｂは、第１非検出領域ＮＤＡ１のうち接合領域ＮＤＡ１ａより第２非検出領域ＮＤＡ２側の領域である。

【0078】

続いて、接着剤８０が接合領域ＮＤＡ１ａに位置している状態にて、光電変換基板２及び防湿カバー７の他方を仮硬化した接着剤８０に接着させる。本実施形態において、防湿カバー７を仮硬化した接着剤８０に接着させる。これにより、防湿カバー７及び光電変換基板２によってシンチレータ層５を挟むことができ、防湿カバー７によってシンチレータ層５を覆うことができる。

【0079】

接着剤８０は仮硬化されているため、接着剤８０の粘度は高い。接着剤８０は高粘度を有しているため、防湿カバー７を接着剤８０に接着させても、接着剤８０の広がりを抑制することができる。これにより、接着剤８０が防湿カバー７の外周縁に重なる位置まで広がる事態を回避することができる。又は、隙間Ａを確保することができる（図９）。

【0080】

その後、接着剤８０を本硬化する。接着剤８０を本硬化する際、紫外線は、光電変換基板２の外側から接着剤８０に照射した方が望ましい。これにより、光電変換基板２を透過した紫外線を接着剤８０に照射することができる。なお、紫外線を防湿カバー７の外側から接着剤８０に照射することは望ましくない。何故なら、アルミニウム製の防湿カバー７は、紫外線を透過させ難いためである。

【0081】

上述したように、接着剤８０を本硬化することにより、接着剤８０に基づいた接合体８を形成することができる。そして、接合体８は、光電変換基板２と防湿カバー７とを接合することができる。なお、接合体８は、光電変換基板２と防湿カバー７との間に位置している。

【0082】

また、光電変換基板２、防湿カバー７、及び本硬化した接合体８により、第２非検出領域ＮＤＡ２側に開口し、検出領域ＤＡ側に凹んだ隙間Ａが形成される。これにより、Ｘ線検出パネルＰＮＬの製造が終了する。

【0083】

上記のように構成された第１の実施形態に係るＸ線検出器１及びＸ線検出器１の製造方法によれば、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光電変換基板２と、シンチレータ層５と、防湿カバー７と、接合体８と、を備えている。光電変換基板２、防湿カバー７、及び接合体８は、隙間Ａを形成している。光電変換基板２と防湿カバー７との間の隙間Ａにより、防湿カバー７の周縁部に接合体８が接着していない領域を設けることができる。防湿カバー７の上記領域を基点として、防湿カバー７を光電変換基板２と垂直方向（光電変換基板２のシンチレータ層５と対向する側の面の法線方向）に引っ張ることができ、防湿カバー７を接合体８から容易に剥がすことができる。

【0084】

Ｘ線検出パネルＰＮＬの製造方法において、防湿カバー７を接着剤８０に接着させる前に、接着剤８０を仮硬化している。防湿カバー７を接着剤８０に接着させた際の接着剤８０の広がりを抑制することができるため、例えば、隙間Ａを確保することができる。
上記のことから、防湿カバー７を容易に剥がすことのできるＸ線検出パネルＰＮＬ及びＸ線検出パネルＰＮＬの製造方法を得ることができる。

【0085】

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係るＸ線検出器１の構成及びＸ線検出器１の製造方法について説明する。Ｘ線検出器１は、本実施形態で説明する構成以外、上記第１の実施形態と同様に構成されている。図１２は、第２の実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬを示す断面図であり、ＦＰＣ２ｅ１を併せて示す図である。図１３は、図１２のＸ線検出パネルＰＮＬの一部を示す拡大断面図である。

【0086】

図１２及び図１３に示すように、本実施形態は、防湿カバー７の周縁部の形状及び接合体８の形状に関し上記第１の実施形態と相違している。接合体８は、第１部分８ａ及び第２部分８ｂを有している。第１部分８ａは、隙間Ａと防湿カバー７との間に位置し、防湿カバー７に接着している。第２部分８ｂは、光電変換基板２と隙間Ａとの間に位置し、光電変換基板２に接着している。本実施形態において、隙間Ａは、接合体８の第１部分８ａと第２部分８ｂとの間に位置している。

【0087】

第２部分８ｂは、防湿カバー７に重なっていない突出部８ｂ１を含んでいる。言い換えると、突出部８ｂ１は、第２部分８ｂのうち第２位置Ｐ２を越えて第２非検出領域ＮＤＡ２側に突出した部分である。

【0088】

突出部８ｂ１のうち最も第２非検出領域ＮＤＡ２側の位置を第５位置Ｐ５とする。突出部８ｂ１は長さＬ３を有している。長さＬ３は、第１非検出領域ＮＤＡ１が検出領域ＤＡ及び第２非検出領域ＮＤＡ２の各々と隣合う方向における突出部８ｂ１の長さである。図１３において、長さＬ３は、行方向Ｘにおける第２位置Ｐ２から第５位置Ｐ５までの突出部８ｂ１の長さである。本実施形態において、長さＬ３は、実質的に１ｍｍである。

【0089】

長さＬ３は、２ｍｍ以内である方が望ましい。これにより、接合体８がパッド２ｄ１を覆ったり、接合体８がＦＰＣ２ｅ１に接触したりする事態を回避することができる。また、行方向Ｘにおける防湿カバー７からパッド２ｄ１までの距離を長くしなくとも上記事態を回避することができるため、狭額縁化を図ることができ、例えば、行方向Ｘにおける防湿カバー７からパッド２ｄ１までの距離の拡大を抑制することができる。例示すると、光電変換基板２の第１非検出領域ＮＤＡ１及び第２非検出領域ＮＤＡ２の行方向Ｘの幅の拡大を抑制することができる。

【0090】

また、上記のように、接合体８は第１部分８ａ及び第２部分８ｂを有している。図１３を参照すると、接合体８が第１部分８ａ及び第２部分８ｂを有していない場合と比較し、接合体８と防湿カバー７との界面、及び接合体８と光電変換基板２との界面を、それぞれ長くすることができる。そのため、接合体８は第１部分８ａ及び第２部分８ｂを有している方が、シンチレータ層５が存在する気密空間内に、上記界面を伝った水分の浸入を抑制することができる。
さらに、接合体８と光電変換基板２とが接合される面積、及び接合体８と防湿カバー７とが接合される面積を、それぞれ大きくすることができるため、接合体８に対する光電変換基板２及び防湿カバー７のそれぞれの接着強度を高めることができる。

【0091】

ここで、防湿カバー７が第１非検出領域ＮＤＡ１にて光電変換基板２に最も接近する位置（第１位置Ｐ１）における光電変換基板２と防湿カバー７との間の距離を第１距離Ｄ１とする。一方、防湿カバー７の外周縁に重なる位置（第２位置Ｐ２）における光電変換基板２と防湿カバー７との間の距離を第２距離Ｄ２とする。なお、第１位置Ｐ１は、第１非検出領域ＮＤＡ１のうち第２位置Ｐ２と検出領域ＤＡとの間の位置である。第１距離Ｄ１及び第２距離Ｄ２は、それぞれ、行方向Ｘ及び列方向Ｙに直交する方向の長さである。

【0092】

本実施形態において、第２距離Ｄ２は第１距離Ｄ１を超えている。例えば、第２距離Ｄ２が第１距離Ｄ１と同一である場合と比較して、ピンセットの一片を隙間Ａに挿入する方向の自由度が高くなり、ピンセットの一片を隙間Ａに挿入し易くなり、防湿カバー７の端部をピンセットで良好に摘むことができる。
本実施形態のＸ線検出器１は、上述したように構成されている。

【0093】

次に、本実施形態のＸ線検出器１の製造方法について説明する。ここでは、Ｘ線検出器１の製造方法のうち、Ｘ線検出パネルＰＮＬの製造方法について説明する。図１４は、第２の実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬの製造方法を説明するための図であり、光電変換基板２、シンチレータ層５、及び接着剤８０を示す断面図であり、光電変換基板２の上に接着剤８０が塗布された状態を示す図である。

【0094】

図１５は、図１４に続き、第２の実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬの製造方法を説明するための図であり、光電変換基板２、シンチレータ層５、接着剤８０、及び防湿カバー７を示す断面図であり、真空の雰囲気中において接着剤８０に防湿カバー７を接着している状態を示す図である。図１６は、図１５に続き、第２の実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬの製造方法を説明するための図であり、光電変換基板２、シンチレータ層５、接着剤８０、及び防湿カバー７を示す断面図であり、光電変換基板２、シンチレータ層５、接着剤８０、及び防湿カバー７の周りの雰囲気を真空から大気圧に置換している状態を示す図である。

【0095】

図１４に示すように、Ｘ線検出パネルＰＮＬの製造が開始されると、まず、光電変換基板２を用意する。続いて、少なくとも検出領域ＤＡにてシンチレータ層５を光電変換基板２の上に設ける。その後、防湿カバー７を用意する。次いで、第１非検出領域ＮＤＡ１のうち塗布領域ＮＤＡ１ｃに接着剤８０を塗布する。塗布領域ＮＤＡ１ｃは、シンチレータ層５より第２非検出領域ＮＤＡ２側の領域である。ここで、接着剤８０は、紫外線硬化型接着剤である。本実施形態において、光電変換基板２にディスペンサー等を用いて接着剤８０を塗布する。但し、防湿カバー７に接着剤８０を塗布してもよい。
その後、接着剤８０を仮硬化する。本第２の実施形態において、接着剤８０の露光量を上記第１の実施形態の露光量より少なくしている。例えば、上記第１の実施形態より、接着剤８０に照射する紫外線の強度を低くしたり、接着剤８０に紫外線を照射する時間を短くしたり、している。これにより、接着剤８０は、上記第１の実施形態より粘度が低く抑えられた状態に保持される。

【0096】

図１５に示すように、次いで、真空雰囲気中にて、防湿カバー７を第１非検出領域ＮＤＡ１及び検出領域ＤＡに対向させる。引き続き、真空雰囲気中にて、防湿カバー７及び光電変換基板２を低粘度の接着剤８０にて接着させる。これにより、防湿カバー７及び光電変換基板２によってシンチレータ層５を挟むことができ、防湿カバー７によってシンチレータ層５を覆うことができる。接着剤８０は低粘度を有しているため、防湿カバー７及び光電変換基板２にて接着剤８０を挟むと、接着剤８０は広がる。例えば、図示したように、塗布領域ＮＤＡ１ｃの外側まで広がり得る。但し、接着剤８０を第２非検出領域ＮＤＡ２まで広がらないようにしている。

【0097】

図１６に示すように、その後、光電変換基板２、接着剤８０、及び防湿カバー７の周囲の雰囲気を大気解放する。これにより、防湿カバー７は大気圧によってシンチレータ層５側に押し付けられる。言い換えると、大気圧によって力点に応力Ｆ１がかかる。この時、光電変換基板２から離れる方向に、防湿カバー７の端部（作用点）に、てこの力Ｆ２かかる。これにより、接着剤８０に互いに分離された第１部分８０ａと第２部分８０ｂとが形成され、隙間Ａができる。

【0098】

図１３に示すように、その後、接着剤８０を本硬化する。接着剤８０を本硬化する際、紫外線は、光電変換基板２の外側から接着剤８０に照射した方が望ましい。上述したように、接着剤８０を本硬化することにより、接着剤８０に基づいた接合体８を形成することができる。第１部分８ａは第１部分８０ａに基づいており、第２部分８ｂは第２部分８０ｂに基づいている。そして、接合体８は、光電変換基板２と防湿カバー７とを接合することができる。なお、接合体８は、光電変換基板２と防湿カバー７との間に位置している。

【0099】

また、光電変換基板２、防湿カバー７、及び本硬化した接合体８により、第２非検出領域ＮＤＡ２側に開口し、検出領域ＤＡ側に凹んだ隙間Ａが保持される。これにより、Ｘ線検出パネルＰＮＬの製造が終了する。

【0100】

上記のように構成された第２の実施形態に係るＸ線検出器１及びＸ線検出器１の製造方法によれば、本第２の実施形態は、上述した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0101】

Ｘ線検出パネルＰＮＬの製造方法において、防湿カバー７を低粘度の接着剤８０に接着させた後、防湿カバー７等の周囲の雰囲気を大気解放している。これにより、接合体８の第１部分８ａ及び第２部分８ｂを形成したり、光電変換基板２と防湿カバー７との間に隙間Ａを形成したり、することができる。

【0102】

また、てこの原理の支点Ｐｏとなる位置における第１距離Ｄ１は、第２距離Ｄ２未満である。第１位置Ｐ１において、接合体８を介した透湿経路を狭くすることができるため、製品信頼性が高く、製品寿命の長期化を図ることのできるＸ線検出器１を得ることができる。また、光電変換基板２と防湿カバー７との間の隙間Ａが広がるため、より防湿カバー７を接合体８から剥がすことが容易になる。なお、第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間において、光電変換基板２と防湿カバー７との間の距離は第２距離Ｄ２を超えてもよく、Ｄ２＞Ｄ１であれば上記効果を得ることができる。
上記のことから、防湿カバー７を容易に剥がすことのできるＸ線検出パネルＰＮＬ及びＸ線検出パネルＰＮＬの製造方法を得ることができる。

【0103】

（評価結果）
次に、いくつかのＸ線検出パネルＰＮＬについて評価する。ここで用意したＸ線検出パネルＰＮＬのサンプルは、上記第１実施形態のＸ線検出パネルＰＮＬ及び上記第２実施形態のＸ線検出パネルＰＮＬである。隙間Ａについて評価すると、上記２種類のＸ線検出パネルＰＮＬに、ピンセットの一片を差し込むだけの隙間Ａが形成されていることを確認することができた。

【0104】

また、上記第１実施形態のＸ線検出パネルＰＮＬに関しては、さらに、信頼性について評価する。上記第１実施形態のＸ線検出パネルＰＮＬに関し、第１長さＬ１及び第２長さＬ２がそれぞれ１ｍｍとなるサンプルを用意した（Ｌ１＝Ｌ２＝１ｍｍ）。信頼性試験は、２種類行い、それぞれ次の条件の下で行った。

【0105】

第１信頼性試験：高温高湿試験（温度が６０℃であり、相対湿度が９０％ＲＨである環境下にＸ線検出パネルＰＮＬを２００時間置いた後にＸ線検出パネルＰＮＬの品質を評価する試験。）
第２信頼性試験：冷熱サイクル試験（Ｘ線検出パネルＰＮＬが置かれている環境の温度を、－２０℃と＋６０℃との間で変化させ、サイクル数を３０回としてＸ線検出パネルＰＮＬの品質を評価する試験。一のサイクルの期間は、Ｘ線検出パネルＰＮＬが－２０℃の環境にさらされる第１期間と、第１期間に続きＸ線検出パネルＰＮＬが＋６０℃の環境にさらされる第２期間と、を含んでいる。）

【0106】

上記２種類の信頼性試験を行った結果、Ｘ線検出パネルＰＮＬの品質に問題が無いことを確認することができた、そのため、Ｘ線検出パネルＰＮＬの製品信頼性が確保されていることを確認することができた。
なお、第１長さＬ１と第２長さＬ２との和を固定した場合、第１長さＬ１が小さくなり、第２長さＬ２が大きくなった方が、Ｘ線検出パネルＰＮＬの製品信頼性は向上する。上述したように、Ｌ１＝Ｌ２の関係を持つＸ線検出パネルＰＮＬで製品信頼性は確保されている。そのため、Ｌ２＞Ｌ１の関係を持つＸ線検出パネルＰＮＬに関しては、十分な製品信頼性が確保されていると言うことができる。

【0107】

（第２の実施形態の変形例１）
次に、上記第２実施形態の変形例１に係るＸ線検出器１の構成について説明する。Ｘ線検出器１は、本変形例１で説明する構成以外、上記第２実施形態と同様に構成されている。図１７は、第２の実施形態の変形例１に係るＸ線検出パネルＰＮＬの一部を示す拡大断面図である。

【0108】

図１７に示すように、接合体８は、第２部分８ｂを有している。接合体８は、第１部分８ａ無しに構成されてもよい。本変形例１においても、上記第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。防湿カバー７と隙間Ａとの間に第１部分８ａ（接合体８）は存在していない。そのため、防湿カバー７を接合体８から容易に剥がすことができる。

【0109】

（第２の実施形態の変形例２）
次に、上記第２実施形態の変形例２に係るＸ線検出器１の構成について説明する。Ｘ線検出器１は、本変形例２で説明する構成以外、上記第２実施形態と同様に構成されている。図１８は、第２の実施形態の変形例２に係るＸ線検出パネルＰＮＬの一部を示す拡大断面図である。

【0110】

図１８に示すように、接合体８は、第１部分８ａを有している。接合体８は、第２部分８ｂ無しに構成されてもよい。本変形例２においても、上記第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0111】

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係るＸ線検出器１について説明する。Ｘ線検出器１は、本実施形態で説明する構成以外、上記第１の実施形態と同様に構成されている。図１９は、第３の実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬを示す断面図であり、ＦＰＣ２ｅ１を併せて示す図である。
図１９に示すように、第３の実施形態においても、光電変換基板２、防湿カバー７、及び接合体８は、第１非検出領域ＮＤＡ１に隙間Ａを形成している。

【0112】

Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光反射層６をさらに備えている。光反射層６は、シンチレータ層５と対向して設けられている。光反射層６は、少なくとも検出領域ＤＡに位置し、シンチレータ層５のうち防湿カバー７と対向する側の面（上面）５ｓを覆っている。
防湿カバー７は、シンチレータ層５及び光反射層６を覆っている。そのため、防湿カバー７は、シンチレータ層５及び光反射層６の両方を、水分から保護したり、物理的に保護したり、することができる。

【0113】

光反射層６は、シンチレータ層５が発する光を複数の光電変換部２ｂ側に反射する（図２及び図３）。すなわち、光反射層６は、シンチレータ層５において生じた光のうち、光電変換部２ｂが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部２ｂに向かうようにする。光反射層６は、光（蛍光）の利用効率を高めて感度特性の向上を図るために設けられている。

【0114】

例えば、酸化チタン（ＴｉＯ_２）等からなる複数の光散乱性粒子（複数の光散乱性物質）と、樹脂系バインダと、溶媒とを混合した塗布材料をシンチレータ層５上に塗布し、続いて塗布材料を乾燥することで光反射層６を形成することができる。光反射層６は、複数の光散乱性粒子と、樹脂系バインダと、から成る。

【0115】

なお、光反射層６の構造及び光反射層６の製造方法は、上記の例に限定されるものではなく、種々変形可能である。
例えば、光反射層６は、金属層である。光反射層６は、シンチレータ層５の面５ｓに接し面５ｓに固定されている。又は、光反射層６は、防湿カバー７の下面７ａに接し下面７ａに固定されている。銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層を、面５ｓ又は下面７ａに成膜することで光反射層６を形成することができる。
又は、光反射層６は、ポリエステル樹脂に酸化チタン（ＴｉＯ_２）等からなる複数の光散乱性粒子（複数の光散乱性物質）が分散されたシートでもよい。

【0116】

シンチレータ層５の上にシート状の光反射層６を載置する場合、及び防湿カバー７の下面７ａに光反射層６を形成した場合、光反射層６をシンチレータ層５に押し付ける形で配置することが望ましい。何故なら、シンチレータ層５と光反射層６との間に隙間があると、シンチレータ層５で生じた光が上記隙間で散乱し、Ｘ線検出器１から出力される画像の解像度の低下を招くためである。

【0117】

例えば、防湿カバー７は、光電変換基板２及び接合体８とともにシンチレータ層５及び光反射層６を密閉した空間を形成することができる。上記空間は、大気圧より減圧された空間である。光反射層６はシンチレータ層５の面５ｓを押圧した状態に保持されるため、光反射層６を面５ｓに接触させることができる。
上記のように構成された第３の実施形態に係るＸ線検出器１によれば、本第３の実施形態は、上述した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0118】

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係るＸ線検出器１について説明する。Ｘ線検出器１は、本実施形態で説明する構成以外、上記第１の実施形態と同様に構成されている。図２０は、第４の実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬの一部を示す拡大断面図である。
図２０に示すように、第４の実施形態においても、光電変換基板２、防湿カバー７、及び接合体８は、第１非検出領域ＮＤＡ１に隙間Ａを形成している。

【0119】

防湿カバー７は、積層体で形成されている。防湿カバー７は、金属層３１及び樹脂層３２を有している。金属層３１は樹脂層３２に積層されている。金属層３１は、検出領域ＤＡ及び第１非検出領域ＮＤＡ１に位置している。金属層３１は、大気中に含まれる水分により、シンチレータ層５の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。金属層３１は、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成されている。なお、金属層３１は、銅を含む金属、マグネシウムを含む金属、タングステンを含む金属、ステンレス、コバール等で形成されてもよい。金属層３１を含む防湿カバー７は、防湿機能を有し、水分の透過を、防止したり、大幅に抑制したりすることができる。

【0120】

また、金属層３１は、光反射層として機能してもよい。金属層３１の光反射機能は、光（蛍光）の利用効率を高めて感度特性の向上を図ることができる。すなわち、金属層３１は、シンチレータ層５において生じた光のうち、光電変換部２ｂが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部２ｂに向かうようにする。

【0121】

樹脂層３２は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、テフロン（登録商標）、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、弾性ゴム等の材料で形成することができる。金属層３１は、スパッタリング法、ラミネート法等を用いて形成することができる。

【0122】

金属層３１は、シンチレータ層５と樹脂層３２との間に位置している。樹脂層３２により金属層３１を覆うことができるので、外力などにより金属層３１が受け得る損傷を抑制することができる。また、金属層３１が樹脂層３２よりもシンチレータ層５側に設けられていれば、樹脂層３２を介した透湿によるシンチレータ層５の特性の劣化を抑制することができる。

【0123】

本実施形態において、金属層３１だけではなく樹脂層３２も、検出領域ＤＡ及び第１非検出領域ＮＤＡ１に位置している。平面視において、樹脂層３２は、金属層３１と同一の形状及び同一の面積を有し、金属層３１に完全に重なっている。樹脂層３２の輪郭は、平面視にて、金属層３１の輪郭と一致している。

【0124】

上記のように構成された第４の実施形態に係るＸ線検出器１によれば、本第４の実施形態は、上述した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0125】

なお、防湿カバー７において、金属層３１と樹脂層３２との位置関係は逆であってもよい。この場合、第４の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、防湿カバー７は、金属層３１及び樹脂層３２だけではなく第３の層をさらに備えてもよい。第３の層としては、他の金属層、他の樹脂層が挙げられる。この場合も、第４の実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0126】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。必要に応じて、複数の実施形態及び複数の変形例の２以上を組合せることも可能である。

【0127】

例えば、接合体８は、熱可塑性樹脂を含む材料で形成されてもよい。接合体８は、熱可塑性樹脂を主成分として含む材料で形成されている。接合体８は、１００％熱可塑性樹脂で形成されてもよい。又は、接合体８は、熱可塑性樹脂に添加物が混在した材料で形成されてもよい。接合体８が熱可塑性樹脂を主成分として含んでいれば、接合体８は、加熱により、光電変換基板２と防湿カバー７とを接合することができる。

【0128】

熱可塑性樹脂は、ナイロン、ＰＥＴ（Polyethyleneterephthalate）、ポリウレタン、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ＡＢＳ（Acrylonitrile Butadiene Styrene）、アクリル、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン等を利用することができる。

【0129】

上述した技術は、上記Ｘ線検出器１及び上記Ｘ線検出器１の製造方法への適用に限定されるものではない。上記技術は、他のＸ線検出器等の各種の放射線検出器、及び他のＸ線検の製造方法に適用することができる。放射線検出器は、Ｘ線検出パネルＰＮＬの替わりに、放射線を検出する放射線検出パネルを備えていればよい。

【符号の説明】

【0130】

１…Ｘ線検出器、ＰＮＬ…Ｘ線検出パネル、２…光電変換基板、２ａ…基板、
２ｂ…光電変換部、２ｂ１…光電変換素子、２ｂ２…ＴＦＴ、２ｄ１，２ｄ２…パッド、
５…シンチレータ層、６…光反射層、７…防湿カバー、７ａ…下面、７ｂ…上面、
７ｃ…側面、３１…金属層、３２…樹脂層、８…接合体、８ａ…第１部分、
８ｂ…第２部分、８ｂ１…突出部、８０…接着剤、８０ａ…第１部分、
８０ｂ…第２部分、ＤＡ…検出領域、ＮＤＡ１…第１非検出領域、
ＮＤＡ１ａ…接合領域、ＮＤＡ１ｂ…非接合領域、ＮＤＡ１ｃ…塗布領域、
ＮＤＡ２…第２非検出領域、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５…位置、Ａ…隙間、
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…長さ、Ｄ１，Ｄ２…距離、Ｘ…行方向、Ｙ…列方向。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】