特開 2023-84168 電力変換装置のゲート駆動装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023084168

(43)【公開日】2023-06-19

(54)【発明の名称】電力変換装置のゲート駆動装置

(51)【国際特許分類】

   H03K 17/16 20060101AFI20230612BHJP

   H02M 1/08 20060101ALI20230612BHJP

【ＦＩ】

H03K17/16 M

H02M1/08 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021198178

(22)【出願日】2021-12-07

(71)【出願人】

【識別番号】000006105

【氏名又は名称】株式会社明電舎

(74)【代理人】

【識別番号】100086232

【弁理士】

【氏名又は名称】小林 博通

(74)【代理人】

【識別番号】100092613

【弁理士】

【氏名又は名称】富岡 潔

(74)【代理人】

【識別番号】100104938

【弁理士】

【氏名又は名称】鵜澤 英久

(74)【代理人】

【識別番号】100210240

【弁理士】

【氏名又は名称】太田 友幸

(72)【発明者】

【氏名】比嘉 隼

(72)【発明者】

【氏名】林 孝則

(72)【発明者】

【氏名】滝口 昌司

【テーマコード（参考）】

5H740

5J055

【Ｆターム（参考）】

5H740BA11

5H740BC01

5H740BC02

5H740JA01

5H740JB01

5H740KK01

5H740MM03

5H740NN03

5H740NN08

5J055AX26

5J055BX16

5J055CX07

5J055DX09

5J055DX61

5J055EY13

5J055EZ62

5J055FX05

5J055FX13

5J055FX34

5J055GX02

(57)【要約】

【課題】アクティブクランプ回路の温度変化に応じて、サージによる定格電圧超過の抑制とスイッチング損失低減を両立できる電力変換装置のゲート駆動装置を提供する。
【解決手段】半導体スイッチング素子１０のサージ電圧を抑制するアクティブクランプ回路３を備えた電力変換装置のゲート駆動装置において、アクティブクランプ回路３の検出温度の変化を測定し、測定した温度変化量から、半導体スイッチング素子１０のゲート駆動力の調整量を計算する制御器４と、制御器４で計算されたゲート駆動力の調整量に基づいて、ゲート駆動力を調整するためのパラメータを決定する閾値設定部５と、閾値設定部５で決定されたパラメータに応じて前記半導体スイッチング素子１０のゲート駆動力を調整する駆動力調整部６と、を備えた。
【選択図】 図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体スイッチング素子のサージ電圧を抑制するアクティブクランプ回路を備えた電力変換装置のゲート駆動装置において、
前記アクティブクランプ回路の検出温度の変化を測定し、測定した温度変化量から、半導体スイッチング素子のゲート駆動力の調整量を計算する制御器と、
前記制御器で計算されたゲート駆動力の調整量に基づいて、ゲート駆動力を調整するためのパラメータを決定する閾値設定部と、
前記閾値設定部で決定されたパラメータに応じて前記半導体スイッチング素子のゲート駆動力を調整する駆動力調整部と、を備えたことを特徴とする電力変換装置のゲート駆動装置。

【請求項2】

前記制御器は、前記アクティブクランプ回路の検出温度の今回値から前回値を減算した減算出力が、正のときはアップカウントを行い負のときはダウンカウントを行うカウンタを備え、
前記閾値設定部は、指令値との比較によりゲートオン、オフ信号を生成するキャリア信号の山と谷を参照して前記半導体スイッチング素子のスイッチング期間を調べ、前記カウンタのカウント出力値に応じて、半導体スイッチング素子の非スイッチング期間で切り替えるゲートの抵抗値又はキャパシタ値を指定するパラメータを決定し、
前記駆動力調整部は、前記半導体スイッチング素子のゲートの抵抗値又はキャパシタ値を、前記閾値設定部により決定されたパラメータで指定されるゲートの抵抗値又はキャパシタ値に切り替えることを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置のゲート駆動装置。

【請求項3】

前記制御器は、前記アクティブクランプ回路の検出温度の今回値から前回値を減算した減算出力が、正のときはアップカウントを行い負のときはダウンカウントを行うカウンタを備え、
前記閾値設定部は、前記カウンタのカウント出力値に応じて、前記半導体スイッチング素子のゲートを駆動するゲートドライバの出力振幅を指定するパラメータを決定し、
前記駆動力調整部は、前記ゲートドライバと半導体スイッチング素子の間に接続された、ゲート電圧供給用の複数の電源を有した振幅調整器を備え、該振幅調整器によって、ゲートドライバの出力振幅を、前記閾値設定部により決定されたパラメータで指定される出力振幅に調整することを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置のゲート駆動装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、アクティブクランプ回路を備えた電力変換装置のゲート駆動装置に係り、半導体デバイスのサージ電圧とスイッチング損失の低減を両立する技術に関する。

【背景技術】

【0002】

電力変換装置では、半導体スイッチング素子の過電圧破壊または熱破壊を防止するために、半導体スイッチング素子のスイッチングにより発生するサージ電圧および損失が許容値以下になるようゲート駆動回路を設計する必要がある。

【0003】

スイッチング速度に対してスイッチング損失とサージ電圧はトレードオフの関係である。さらに、半導体スイッチング素子が遮断する電流の大きさによって、サージ電圧の大きさが変化するため、想定する負荷上条件においてサージ電圧が半導体スイッチング素子の定格電圧以下になるようにゲート駆動回路のパラメータを調節している。

【0004】

尚、従来アクティブクランプ回路を接続してサージ電圧を抑制する手法は、例えば特許文献１に開示され、電力変換装置の駆動中にゲート駆動回路の駆動力を調整するアクティブゲート方式は例えば非特許文献１に開示されている。

【0005】

また、本発明に関連する、ゲートドライバの出力振幅を調整する回路構成は例えば非特許文献２に開示されている。

【先行技術文献】

【非特許文献】

【0006】

【非特許文献1】Ｈ．Ｏｂａｒａ，Ｋ．Ｗａｄａ，Ｋ．Ｍｉｙａｚａｋｉ，Ｍ．Ｔａｋａｍｉｙａ ａｎｄ Ｔ．Ｓａｋｕｒａｉ，“Ａｃｔｉｖｅ Ｇａｔｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ ｉｎ Ｈａｌｆ－Ｂｒｉｄｇｅ Ｉｎｖｅｒｔｅｒｓ Ｕｓｉｎｇ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ｄｒｉｖｅｒ ＩＣｓ ｔｏＩｍｐｒｏｖｅ Ｂｏｔｈ Ｓｕｒａｇｅ Ｖｏｌｔａｇｅ ａｎｄ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ”，ｉｎ ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，ｖｏｌ．５４，ｎｏ．５，ｐｐ．４６０３－４６１１，Ｓｅｐｔ．－Ｏｃｔ．２０１８，ｄｏｉ：１０．１１０９／ＴＩＡ．２０１８．２８３５８１２．

【非特許文献2】Ｎ．Ｉｄｉｒ，Ｒ．Ｂａｕｓｉｅｒｅ ａｎｄ Ｊ．Ｊ．Ｆｒａｎｃｈａｕｄ．“Ａｃｔｉｖｅ ｇａｔｅ ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ ｏｆ Ｔｕｒｎ－ｏｎ ｄｉ／ｄｔ ａｎｄ Ｔｕｒｎ－ｏｆｆ ｄｖ／ｄｔ ｉｎ ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ”，ｉｎ ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｐｏｗｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ｖｏｌ．２１．ｎｏ．４，ｐｐ．８４９－８５５，Ｊｕｌｙ ２００６

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２０１９－１３５８８４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

特許文献１のようにアクティブクランプ回路を接続することで、サージ電圧を抑制する手法は、定常的にサージ電圧が定格電圧を超える条件ではアクティブクランプ回路が破壊するという問題点がある。

【0009】

一方、非特許文献１に示すような電力変換装置の駆動中にゲート駆動回路の駆動力を調整するアクティブゲート方式では、負荷条件ごとにサージ電圧を耐圧以下にしつつ、スイッチング損失の低減を実現している。しかし、サージ電圧が耐圧以上にならないように事前にゲート駆動回路の駆動力の調整パターンを予め決める必要がある。

【0010】

本発明は、上記課題を解決するものであり、その目的は、アクティブクランプ回路の温度変化に応じて、サージによる定格電圧超過の抑制とスイッチング損失低減を両立できる電力変換装置のゲート駆動装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0011】

上記課題を解決するための請求項１に記載の電力変換装置のゲート駆動装置は、
半導体スイッチング素子のサージ電圧を抑制するアクティブクランプ回路を備えた電力変換装置のゲート駆動装置において、
前記アクティブクランプ回路の検出温度の変化を測定し、測定した温度変化量から、半導体スイッチング素子のゲート駆動力の調整量を計算する制御器と、
前記制御器で計算されたゲート駆動力の調整量に基づいて、ゲート駆動力を調整するためのパラメータを決定する閾値設定部と、
前記閾値設定部で決定されたパラメータに応じて前記半導体スイッチング素子のゲート駆動力を調整する駆動力調整部と、を備えたことを特徴とする。

【0012】

請求項２に記載の電力変換装置のゲート駆動装置は、請求項１において、
前記制御器は、前記アクティブクランプ回路の検出温度の今回値から前回値を減算した減算出力が、正のときはアップカウントを行い負のときはダウンカウントを行うカウンタを備え、
前記閾値設定部は、指令値との比較によりゲートオン、オフ信号を生成するキャリア信号の山と谷を参照して前記半導体スイッチング素子のスイッチング期間を調べ、前記カウンタのカウント出力値に応じて、半導体スイッチング素子の非スイッチング期間で切り替えるゲートの抵抗値又はキャパシタ値を指定するパラメータを決定し、
前記駆動力調整部は、前記半導体スイッチング素子のゲートの抵抗値又はキャパシタ値を、前記閾値設定部により決定されたパラメータで指定されるゲートの抵抗値又はキャパシタ値に切り替えることを特徴とする。

【0013】

請求項３に記載の電力変換装置のゲート駆動装置は、請求項１において、
前記制御器は、前記アクティブクランプ回路の検出温度の今回値から前回値を減算した減算出力が、正のときはアップカウントを行い負のときはダウンカウントを行うカウンタを備え、
前記閾値設定部は、前記カウンタのカウント出力値に応じて、前記半導体スイッチング素子のゲートを駆動するゲートドライバの出力振幅を指定するパラメータを決定し、
前記駆動力調整部は、前記ゲートドライバと半導体スイッチング素子の間に接続された、ゲート電圧供給用の複数の電源を有した振幅調整器を備え、該振幅調整器によって、ゲートドライバの出力振幅を、前記閾値設定部により決定されたパラメータで指定される出力振幅に調整することを特徴としている。

【発明の効果】

【0014】

本発明によれば、電力変換装置の駆動条件に関係なくサージ電圧制御とスイッチング損失の低減を両立することができる。

【0015】

例えば、アクティブクランプ回路が動作しておらずアクティブクランプ回路の温度が上昇していない場合、ゲート駆動力を増加させることでスイッチング損失が低減される。また、アクティブクランプの動作によりアクティブクランプ回路の温度が上昇した場合、ゲート駆動力を低下させることでサージ電圧が抑制される。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】アクティブクランプを用いたゲートドライブ回路の構成図。

【図2】アクティブゲート方式の説明図。

【図3】本実施形態例のゲートドライブ回路の概略図。

【図4】本発明の実施例１のゲートドライブ回路図。

【図5】本発明の実施例１における閾値設定部および制御器の構成図。

【図6】本発明の実施例２のゲートドライブ回路図。

【図7】本発明の実施例２における振幅調整部および制御器の構成図。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明するが、本発明は下記の実施形態例に限定されるものではない。図１は、アクティブクランプを用いたゲートドライブシステムの構成を示し、１は、コントローラ内で電圧指令とキャリア信号の比較により決定されるゲートオン、ゲートオフ信号（ＯＮ，ＯＦＦ信号）によって電力変換装置の半導体スイッチング素子１０のゲートを駆動するゲートドライバである。

【0018】

尚、キャリア信号とは、電力変換装置内の半導体スイッチング素子のオン、オフ指令信号を決めるために用いる、山と谷がある三角波状の制御信号である。電力変換装置が正弦波状の電圧または電流を出力するインバータの場合、キャリアと正弦波状の制御信号との比較に基づいて、各半導体スイッチング素子のオン、オフ指令信号（ＯＮ，ＯＦＦ信号）が決定されてゲート駆動回路（ゲートドライバ１）に入力される。

【0019】

ゲートドライバ１の出力側はゲート抵抗２（又は図示省略のキャパシタ）を介して半導体スイッチング素子１０のゲートに接続されている。図示の半導体スイッチング素子１０は、例えばブリッジ接続される複数の素子のうち１個を表しており、例えばＩＧＢＴで構成されている。

【0020】

ゲートドライバ１は半導体スイッチング素子１０のゲート容量を充放電することでスイッチングを行っている。

【0021】

ゲート駆動回路の駆動力は、ゲート抵抗２（又は図示省略のキャパシタ）の値やゲート電圧を変更することで調整される。

【0022】

３は、半導体スイッチング素子１０のコレクタ－ゲート間に接続されたアクティブクランプ回路でありダイオードを備えている。半導体スイッチング素子１０のサージ電圧がアクティブクランプ回路３のダイオードの降伏電圧を超えると、該ダイオードがオンし、半導体スイッチング素子１０の電圧をダイオードの電圧と略同じ値にクランプし、素子１０の過電圧破壊を抑制する。

【0023】

尚、アクティブクランプ回路３のダイオードは、アバランシェダイオードやツェナーダイオードを用いる。

【0024】

図１のアクティブクランプ方式を用いたゲートドライブ回路では、アクティブクランプ回路３のツェナーダイオードの降伏電圧以上になると、半導体スイッチング素子１０のゲートに電流を流す。降伏電圧を半導体スイッチング素子１０の耐圧以下に設計することでサージ電圧によるスイッチング素子の破壊を防ぐ。

【0025】

しかし、定常的なサージ電圧が発生した場合、アクティブクランプ回路３が損失により熱破壊してしまう。そのため、過電流時や故障時の数回のみ発生するサージ電圧のみにしか保護できない。したがって、サージ電圧のワースト条件に合わせて駆動力を下げなければならず（ゲート抵抗の増加）、スイッチング損失が増加する課題がある。

【0026】

図２はアクティブゲートを用いたゲートドライブシステムの構成を示し、ゲートドライバ１と半導体スイッチング素子１０の間には、半導体スイッチング素子１０のゲート駆動力を調整してスイッチング速度を調整する駆動力調整部６が接続されている。

【0027】

この駆動力調整部６は、ゲートドライバ１の出力の振幅、抵抗値などを変更することでゲート駆動力を調整する。

【0028】

図２のアクティブゲート方式は、電力変換装置の駆動条件に合わせてゲート駆動回路の駆動力が調整可能な方式であり、これによりサージ電圧の大きさに合わせて駆動力を調整するため、スイッチング損失を低減することができる。

【0029】

しかし、スイッチング損失が最小となる駆動力は主回路構成や半導体スイッチング素子により変化するため、最適なスイッチングパターンは事前に取得する必要がある。また、事前に取得した最適なスイッチングパターンであっても劣化や温度によってサージ電圧が変化し、半導体スイッチング素子を破壊する可能性がある。

【0030】

図３は本実施形態例のゲートドライブ回路の概略を示し、図１、図２と同一部分は同一符号をもって示している。４は、アクティブクランプ回路３の検出温度Ｔｃを入力とし、アクティブクランプ回路３の温度変化を測定することでアクティブクランプの駆動状態を検出し、半導体スイッチング素子１０のゲート駆動力の調整量を計算する制御器である。

【0031】

５は、制御器４で計算されたゲート駆動力の調整量に基づいて、ゲート駆動力を調整するためのパラメータを決定する閾値設定部である。この閾値設定部５が決定するパラメータは、例えばゲート抵抗値又はキャパシタ値をどの値とするか、やゲートドライバ１の出力振幅の大きさを決定するパラメータである。

【0032】

６は、ゲートドライバ１と半導体スイッチング素子１０の間に設けられ、前記閾値設定部５で決定されたパラメータに応じてゲート駆動力を調整する駆動力調整部である。

【0033】

図３の構成において、アクティブクランプの動作状態によって、ゲート駆動回路の駆動力を調整する。例えば、アクティブクランプ回路３が動作していない条件では、駆動力調整部６によりゲート駆動回路の駆動力を増加させることでスイッチング損失を低減する。

【0034】

一方、駆動力の増加を続けるとサージ電圧が増加するため、アクティブクランプの動作によりアクティブクランプ回路３の温度が上昇する。次に、アクティブクランプ回路３の温度上昇に従い、駆動力制御部６のゲート駆動量を低下させることでサージ電圧を低減させる。以上を繰り返すことで、駆動条件ごとにサージ電圧とスイッチング損失の低減を両立させる。

【実施例0035】

本実施例１ではアクティブクランプ回路の温度変化に応じてゲート抵抗値を切り替えてゲート駆動力を調整するように構成した。図４は実施例１のゲートドライブ回路の構成を表し、図３と同一部分は同一符号をもって示しており、図５は図４の閾値設定部５と制御器４の構成を示している。

【0036】

本発明の駆動力調整部６は、実施例１においては図４に示す複数のスイッチＳ１～Ｓｎ（ｎは正数）およびゲート抵抗６０，６１₁～６１_nを備えている。

【0037】

ゲートドライバ１と半導体スイッチング素子１０のゲートの間にはゲート抵抗６０が接続されている。ゲート抵抗６０には、スイッチＳおよびゲート抵抗６１の直列回路がｎ個並列に接続されている（図示、スイッチＳ１～Ｓｎ、ゲート抵抗６１₁～６１_n）。

【0038】

前記スイッチＳ１～Ｓｎは、ゲート抵抗値が、閾値設定部５で決定されたゲート抵抗値になるようにオン、オフ制御されるスイッチである。このため、スイッチＳ１～Ｓｎがオフ制御された場合はゲート抵抗６０のみによるゲート抵抗値となり、スイッチＳ１～Ｓｎのいずれかがオン制御された場合は、そのオン制御されたスイッチに接続されているゲート抵抗（６１₁～６１_n）とゲート抵抗６０の並列合成抵抗値となる。

【0039】

図５において４１は、アクティブクランプ回路３の検出温度Ｔｃの前回値を保存する遅延器である。４２は、検出温度Ｔｃの今回値から遅延器４１に保存された前回値を減算する減算器である。４３は、減算器４２の減算出力ΔＴｃ（温度偏差分）を入力とし、入力が負なら－１を、入力が０なら０を、入力が正なら＋１を各々出力する符号関数器である。４４は、符号関数器４３の出力が＋１のときはアップカウントを行い、－１のときはダウンカウントを行うカウンタである。

【0040】

前記遅延器４１、減算器４２、符号関数器４３およびカウンタ４４によって本発明の制御器（４）を構成している。

【0041】

５１はゲート駆動力を調整するパラメータを決定するマルチプレクサ（閾値設定部（５））であり、図４の各スイッチＳ１～Ｓｎのオン、オフの組み合わせから、カウンタ４４の出力値（アクティブクランプ回路３の温度変化量に相当する値）に対応するゲート抵抗値となるように、オンするスイッチＳ１～Ｓｎを決定する。

【0042】

尚、閾値設定部５（マルチプレクサ５１）による各スイッチＳ１～Ｓｎの切り替えは、キャリア信号の山と谷を参照して半導体スイッチング素子１０のスイッチング期間を調べ、半導体スイッチング素子１０の非スイッチング期間で切り替えるものである。

【0043】

実施例１の構成（図４、図５）では、制御器４内の減算器４２によってアクティブクランプ回路３の温度変化を検出する。尚、アクティブクランプ回路３の温度上昇は外気温の変化よりも時定数が早いため、例えば高周波分のみ抽出する。

【0044】

次に温度変化の正負を符号関数器４３でとることでアクティブクランプの動作状態がわかり、サージ電圧の大小が明らかになる。例えば温度変化が正になるとサージ電圧が大きいため、アクティブクランプが動作していると推定できる。

【0045】

カウンタ４４ではアクティブクランプ回路３の温度変化を入力とし、カウント値を出力する。次に、マルチプレクサ５１は、前記カウント出力値にしたがって、ゲート駆動力を調整するパラメータを決定する（前記カウント出力値に対応したゲート抵抗値に切り替えるためのスイッチＳ１～Ｓｎのオン信号を出力する）。

【0046】

なお、温度変化量がゼロもしくは負となる場合は駆動力を増加させることでスイッチング損失を低下させる。

【実施例0047】

本実施例２では、アクティブクランプ回路の温度変化に応じてゲートドライバの出力振幅を調整することで、ゲート駆動力を調整するように構成した。図６は実施例２のゲートドライブ回路の構成を表し、図３と同一部分は同一符号をもって示しており、図７は図６の振幅調整器６２、制御器４、閾値設定部５の構成を示している。

【0048】

図６においてゲートドライバ１の出力側は、ゲートドライバ１の出力振幅を、閾値設定部５により決定されたパラメータで指定される出力振幅に調整する振幅調整器６２およびゲート抵抗２を介して半導体スイッチング素子１０のゲートに接続されている。

【0049】

図６の振幅調整器６２は、図７において次のように構成されている。すなわち各コレクタを、互いに電圧値の異なる複数のオンゲート電圧供給用電源Ｖｇ１～Ｖｇｎに各々接続したＮＰＮトランジスタ６２₁～６２_nと、コレクタが前記ＮＰＮトランジスタ６２₁～６２_nの各エミッタに共通接続され、エミッタが１つのオフゲート電圧供給用電源－Ｖｇに接続されたＰＮＰトランジスタ６３とを有し、ＮＰＮトランジスタ６２₁～６２_nとＰＮＰトランジスタ６３の共通接続点をゲート抵抗２に接続している。

【0050】

図６の制御器４は、図７において、実施例１（図５）と同様の遅延器４１、減算器４２、符号関数器４３およびカウンタ４４により構成されている。

【0051】

図６の閾値設定部５は、図７のセレクタ５２によって次のように構成されている。すなわち、セレクタ５２はカウンタ４４のカウント出力値に応じて、使用するオン時のゲート電圧を選択するセレクタであり、入力端子５２ａにはゲートドライバ１の出力電圧（ゲート電圧Ｖｇ）が供給され、出力端子５２ｂ₁～５２ｂ_nはＮＰＮトランジスタ６２₁～６２_nの各ベースに接続されている。

【0052】

また、ゲートドライバ１の出力電圧（ゲート電圧Ｖｇ）はＰＮＰトランジスタ６３のベースにも供給されるように構成している。

【0053】

上記構成において、カウンタ４４のカウント出力値に応じて、セレクタ５２により選択されたＮＰＮトランジスタ（６２₁～６２_n）がオンされることにより、カウンタ４４のカウント出力値、すなわちアクティブクランプ回路３の温度変化に応じたゲートドライバ１の出力振幅が決定される。

【0054】

具体的には、ゲートドライバ１の出力振幅は、セレクタ５２の切り替えによりオン制御されたＮＰＮトランジスタ（６２₁～６２_n）に接続されているオンゲート電圧供給用電源（Ｖｇ１～Ｖｇｎ）の大きさに調整される。

【0055】

本実施例２では、ゲートドライバ１の出力振幅を調整することで、スイッチング速度とゲート駆動回路の駆動力を調整する。振幅増加時はゲート駆動力が上がり、振幅低下によりゲート駆動力が下がる。例えばアクティブクランプが動作し、温度変化（カウンタ４４の出力値）が正になるとゲートドライバ出力の振幅を下げることでゲート駆動力を低下させる。

【0056】

尚、ゲートドライバ１の出力振幅を調整する具体的回路構成として、例えば非特許文献２に記載の構成を用いることも可能である。