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2023-8976エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023008976
(43)【公開日】2023-01-19
(54)【発明の名称】エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー
(51)【国際特許分類】
C22C 9/00 20060101AFI20230112BHJP
C22F 1/08 20060101ALN20230112BHJP
C22F 1/00 20060101ALN20230112BHJP
【ＦＩ】
C22C9/00
C22F1/08 B
C22F1/00 604
C22F1/00 613
C22F1/00 623
C22F1/00 630A
C22F1/00 650A
C22F1/00 630K
C22F1/00 661A
C22F1/00 661Z
C22F1/00 681
C22F1/00 682
C22F1/00 683
C22F1/00 685A
C22F1/00 685Z
C22F1/00 686A
C22F1/00 691B
C22F1/00 691C
C22F1/00 691Z
C22F1/00 694A
C22F1/00 694B
【審査請求】有
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022106849
(22)【出願日】2022-07-01
(31)【優先権主張番号】P 2021110693
(32)【優先日】2021-07-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2022060504
(32)【優先日】2022-03-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000006264
【氏名又は名称】三菱マテリアル株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100149548
【弁理士】
【氏名又は名称】松沼 泰史
(74)【代理人】
【識別番号】100175802
【弁理士】
【氏名又は名称】寺本 光生
(74)【代理人】
【識別番号】100142424
【弁理士】
【氏名又は名称】細川 文広
(74)【代理人】
【識別番号】100140774
【弁理士】
【氏名又は名称】大浪 一徳
(72)【発明者】
【氏名】福岡 航世
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 優樹
(72)【発明者】
【氏名】川▲崎▼ 健一郎
(72)【発明者】
【氏名】牧 一誠
(57)【要約】
【課題】厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能なエッジワイズ曲げ加工用銅条、および、このエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造された電子・電気機器用部品、バスバーを提供する。
【解決手段】曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下でエッジワイズ曲げ加工するエッジワイズ曲げ加工用銅条であって、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされ、少なくとも長手方向に延在する片側の端面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）であることを特徴とする。
【選択図】なし
【解決手段】曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下でエッジワイズ曲げ加工するエッジワイズ曲げ加工用銅条であって、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされ、少なくとも長手方向に延在する片側の端面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）であることを特徴とする。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下でエッジワイズ曲げ加工するエッジワイズ曲げ加工用銅条であって、
厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされ、
少なくとも長手方向に延在する片側の端面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）であることを特徴とするエッジワイズ曲げ加工用銅条。
厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされ、
少なくとも長手方向に延在する片側の端面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）であることを特徴とするエッジワイズ曲げ加工用銅条。
【請求項2】
少なくとも長手方向に延在する片側の端面にバリが無く、前記バリの寸法ａ（μｍ）が０であることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
【請求項3】
Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上であることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
【請求項4】
Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を合計で１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内で含むことを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
【請求項5】
導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされていることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
【請求項6】
幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上であることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
【請求項7】
板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
【請求項8】
Ａｇ濃度が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
【請求項9】
Ｈ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｏ濃度が５００ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｃ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
【請求項10】
前記端面がスリット面とされたスリット材であることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
【請求項11】
前記スリット材を引き抜くことで前記端面にバリがないことを特徴とする請求項１０に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
【請求項12】
請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載されたエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されたことを特徴とする電子・電気機器用部品。
【請求項13】
請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載されたエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されたことを特徴とするバスバー。
【請求項14】
通電部にめっき層が形成されていることを特徴とする請求項１３に記載のバスバー。
【請求項15】
エッジワイズ曲げ部と絶縁被覆部とを備えていることを特徴とする請求項１３に記載のバスバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、エッジワイズ曲げ加工によって成形されるバスバー等の電子・電気機器用部品の素材として適したエッジワイズ曲げ加工用銅条、このエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造された電子・電気機器用部品、バスバーに関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来、バスバー等の電子・電気機器用部品には、導電性の高い銅又は銅合金が用いられている。
ここで、電子機器や電気機器等の大電流化にともない、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散のために、これら電子機器や電気機器等に使用される電子・電気機器用部品においては、導電率に優れた無酸素銅等の純銅材が適用されている。
ここで、電子機器や電気機器等の大電流化にともない、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散のために、これら電子機器や電気機器等に使用される電子・電気機器用部品においては、導電率に優れた無酸素銅等の純銅材が適用されている。
【0003】
また、電子・電気機器用部品においては、狭い空間の中でも接続を可能とするために、フラットワイズ曲げだけではなく、エッジワイズ曲げ加工も施される。この場合、曲げ半径Ｒを小さくすることでより狭い空間でも接続が可能となる。
しかしながら、従来の純銅材においては、電子機器や電気機器等に成形する際に必要となる曲げ加工性が不十分であり、特にエッジワイズ曲げなどの厳しい加工を施した際に割れが生じるなどの問題があった。
しかしながら、従来の純銅材においては、電子機器や電気機器等に成形する際に必要となる曲げ加工性が不十分であり、特にエッジワイズ曲げなどの厳しい加工を施した際に割れが生じるなどの問題があった。
【0004】
そこで、特許文献１には、０．２％耐力を１５０ＭＰａ以下とした無酸素銅で形成された平角銅線を備えた絶縁平角銅線が開示されている。
特許文献１に記載された銅圧延板においては、０．２％耐力を１５０ＭＰａ以下に抑えているので、エッジワイズ曲げ加工を施した際の曲げ加工部分における耐電圧特性の低下を抑制することが可能であった。
特許文献１に記載された銅圧延板においては、０．２％耐力を１５０ＭＰａ以下に抑えているので、エッジワイズ曲げ加工を施した際の曲げ加工部分における耐電圧特性の低下を抑制することが可能であった。
【0005】
また、特許文献２には、表面絶縁皮膜の維持のために、断面の四隅に形成される角部に０．０５～０．６ｍｍの曲率半径の面取りを施し、算術平均粗さＲａが０．０５～０．３μｍであり、最大高さＲｚが０．５～２．５μｍであり、二乗平均平方根粗さＲｑと最大高さＲｚの比率（Ｒｑ／Ｒｚ）が０．０６～１．１とされたコイル用平角絶縁導線素材が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０１３－００４４４４号公報
【特許文献2】特開２０１２－１９５２１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ところで、最近では、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散を十分に実現するために、厚みがあるバスバー等が用いられる傾向にある。
ここで、平角銅線の場合には、素材が薄いのでエッジワイズ曲げ性は悪くならず、厚い素材のエッジワイズ曲げ性が考慮されていない。一方、厚みのあるバスバーに用いられる銅材は、厚くなると、形状加工がしにくくなり、結果として切り口である端面の品質が劣化しやすい。また、端面の面積が広くなり、凹凸も多くなるので、エッジワイズ曲げ性は悪くなる。
すなわち、銅材の厚みが増すと、エッジワイズ曲げ加工を施した際に曲げの外側に割れが発生しやすくなり、不均一な形状になるおそれがある。よって、従来よりも厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能な銅材が求められている。
ここで、平角銅線の場合には、素材が薄いのでエッジワイズ曲げ性は悪くならず、厚い素材のエッジワイズ曲げ性が考慮されていない。一方、厚みのあるバスバーに用いられる銅材は、厚くなると、形状加工がしにくくなり、結果として切り口である端面の品質が劣化しやすい。また、端面の面積が広くなり、凹凸も多くなるので、エッジワイズ曲げ性は悪くなる。
すなわち、銅材の厚みが増すと、エッジワイズ曲げ加工を施した際に曲げの外側に割れが発生しやすくなり、不均一な形状になるおそれがある。よって、従来よりも厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能な銅材が求められている。
【0008】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能なエッジワイズ曲げ加工用銅条、このエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造された電子・電気機器用部品、バスバーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
この課題を解決するために、本発明の態様１のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下でエッジワイズ曲げ加工するエッジワイズ曲げ加工用銅条であって、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされ、少なくとも長手方向に延在する片側の端面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）であることを特徴としている。
なお、本発明において、板厚中心部とは、板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域とする。
なお、本発明において、板厚中心部とは、板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域とする。
【0010】
本発明の態様１のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、少なくとも長手方向に延在する片側の端面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）とされており、このバリの寸法ａが制限された端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、端面における応力集中が抑制され、応力が曲げ端面に均等に広がり、割れや破断の発生を抑制することができる。また、エッジワイズ曲げ加工を施した際に、内部にしわが寄りにくく、均一な形状が得られる。なお、本発明の端面は、長手方向に延在するとともに板厚方向に平行な面である。
また、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされているので、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散を十分に実現することができる。
また、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされているので、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散を十分に実現することができる。
【0011】
本発明の態様２のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１のエッジワイズ曲げ加工用銅条において、少なくとも長手方向に延在する片側の端面にバリが無く、前記バリの寸法ａ（μｍ）が０であることを特徴としている。
本発明の態様２のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、バリの寸法ａ（μｍ）が０とされ、バリが無い端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、割れや破断の発生を確実に抑制することができるとともに、内部にしわがさらに寄りにくく、均一な形状が得られる。
本発明の態様２のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、バリの寸法ａ（μｍ）が０とされ、バリが無い端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、割れや破断の発生を確実に抑制することができるとともに、内部にしわがさらに寄りにくく、均一な形状が得られる。
【0012】
本発明の態様３のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１又は態様２のエッジワイズ曲げ加工用銅条において、Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上であることを特徴としている。
本発明の態様３のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上とされ、不純物量が少なく、導電性を確保することが可能となる。
本発明の態様３のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上とされ、不純物量が少なく、導電性を確保することが可能となる。
【0013】
本発明の態様４のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１から態様３のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条において、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を合計で１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内で含むことを特徴としている。
本発明の態様４のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を上述の範囲で含有しているので、銅の母相中にＭｇが固溶することによって、導電率を大きく低下させることなく、強度および耐熱性、エッジワイズ曲げ加工性を向上させることが可能となり、ＣａやＺｒがＣｕと金属間化合物を生成することによって、導電率を大きく低下させることなく、結晶粒径を微細化し、エッジワイズ曲げ加工性を向上させることが可能となる。
本発明の態様４のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を上述の範囲で含有しているので、銅の母相中にＭｇが固溶することによって、導電率を大きく低下させることなく、強度および耐熱性、エッジワイズ曲げ加工性を向上させることが可能となり、ＣａやＺｒがＣｕと金属間化合物を生成することによって、導電率を大きく低下させることなく、結晶粒径を微細化し、エッジワイズ曲げ加工性を向上させることが可能となる。
【0014】
本発明の態様５のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１から態様４のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条において、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされていることを特徴としている。
本発明の態様５のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされているので、通電時の発熱を抑えることができ、電子・電気機器用部品、バスバーに特に適している。
本発明の態様５のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされているので、通電時の発熱を抑えることができ、電子・電気機器用部品、バスバーに特に適している。
【0015】
本発明の態様６のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１から態様５のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条において、幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上であることを特徴としている。
本発明の態様６のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上とされているので、電子・電気機器用部品、バスバー用の素材として特に適している。
本発明の態様６のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上とされているので、電子・電気機器用部品、バスバー用の素材として特に適している。
【0016】
本発明の態様７のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１から態様６のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条において、板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下であることを特徴としている。
本発明の態様７のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下とされているので、さらに曲げ加工性に優れている。また、形状付与加工時にバリの発生を抑制できるため、エッジワイズ曲げ加工の際に、バリを起点として発生する割れを抑制することも可能となる。
本発明の態様７のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下とされているので、さらに曲げ加工性に優れている。また、形状付与加工時にバリの発生を抑制できるため、エッジワイズ曲げ加工の際に、バリを起点として発生する割れを抑制することも可能となる。
【0017】
本発明の態様８のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１から態様７のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条において、Ａｇ濃度が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内であることを特徴としている。
本発明の態様８のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、Ａｇ濃度が上述の範囲内とされているので、添加されたＡｇが粒界近傍に偏析し、粒界での原子の移動が妨げられ、結晶粒径を微細化することができる。よって、より優れたエッジワイズ曲げ加工性を得ることが可能となる。
本発明の態様８のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、Ａｇ濃度が上述の範囲内とされているので、添加されたＡｇが粒界近傍に偏析し、粒界での原子の移動が妨げられ、結晶粒径を微細化することができる。よって、より優れたエッジワイズ曲げ加工性を得ることが可能となる。
【0018】
本発明の態様９のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１から態様８のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条において、Ｈ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｏ濃度が５００ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｃ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることを特徴としている。
本発明の態様９のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、Ｈ濃度、Ｏ濃度、Ｃ濃度、Ｓ濃度が上述のように規制されているので、欠陥の発生を抑制できるとともに、加工性および導電率の低下を抑制することができる。
本発明の態様９のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、Ｈ濃度、Ｏ濃度、Ｃ濃度、Ｓ濃度が上述のように規制されているので、欠陥の発生を抑制できるとともに、加工性および導電率の低下を抑制することができる。
【0019】
本発明の態様１０のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１から態様９のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条において、前記端面がスリット面とされたスリット材であることを特徴としている。
本発明の態様１０のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、端面がスリット加工されたスリット面とされており、このスリット面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）とされていることから、このスリット面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、端面における応力集中が抑制され、応力が曲げ端面に均等に広がり、割れや破断の発生を十分に抑制することができる。
本発明の態様１０のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、端面がスリット加工されたスリット面とされており、このスリット面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）とされていることから、このスリット面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、端面における応力集中が抑制され、応力が曲げ端面に均等に広がり、割れや破断の発生を十分に抑制することができる。
【0020】
本発明の態様１１のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１から態様１０のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条において、前記のスリット材を引き抜くことで前記端面にバリが無いことを特徴としている。
本発明の態様１１のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、スリット加工されたスリット材に対して引き抜きを行うことで、前記端面にバリが無いため、このバリのない端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、端面における応力集中が抑制され、応力が曲げ端面に均等に広がり、割れや破断の発生を抑制することができる。
本発明の態様１１のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、スリット加工されたスリット材に対して引き抜きを行うことで、前記端面にバリが無いため、このバリのない端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、端面における応力集中が抑制され、応力が曲げ端面に均等に広がり、割れや破断の発生を抑制することができる。
【0021】
本発明の態様１２の電子・電気機器用部品は、態様１から態様１１のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されたことを特徴としている。
本発明の態様１２の電子・電気機器用部品は、上述のように曲げ加工性に優れたエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されているので、割れ等の発生が抑制されており、品質に優れている。
本発明の態様１２の電子・電気機器用部品は、上述のように曲げ加工性に優れたエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されているので、割れ等の発生が抑制されており、品質に優れている。
【0022】
本発明の態様１３のバスバーは、態様１から態様１１のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されたことを特徴としている。
本発明の態様１３のバスバーは、上述のように曲げ加工性に優れたエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されているので、割れ等の発生が抑制されており、品質に優れている。
本発明の態様１３のバスバーは、上述のように曲げ加工性に優れたエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されているので、割れ等の発生が抑制されており、品質に優れている。
【0023】
本発明の態様１４のバスバーは、態様１３のバスバーにおいて、通電部にめっき層が形成されていることを特徴としている。
本発明の態様１４のバスバーによれば、他の部材と接触して通電する通電部にめっき層が形成されているので、酸化等を抑制することができ、他の部材との接触抵抗を低く抑えることができる。
本発明の態様１４のバスバーによれば、他の部材と接触して通電する通電部にめっき層が形成されているので、酸化等を抑制することができ、他の部材との接触抵抗を低く抑えることができる。
【0024】
本発明の態様１５のバスバーは、態様１３又は態様１４のバスバーにおいて、エッジワイズ曲げ部と絶縁被覆部とを備えていることを特徴としている。
本発明の態様１５のバスバーによれば、端面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）とされていることから、エッジワイズ曲げ部における割れ等の欠陥の発生が抑制されており、絶縁被覆部の損傷を抑制することができる。
本発明の態様１５のバスバーによれば、端面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）とされていることから、エッジワイズ曲げ部における割れ等の欠陥の発生が抑制されており、絶縁被覆部の損傷を抑制することができる。
【発明の効果】
【0025】
本発明によれば、厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能なエッジワイズ曲げ加工用銅条、このエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造された電子・電気機器用部品、バスバーを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1A】本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されたバスバーの一例を示す説明図であり、上面図を示す。
【図2A】本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条の、角部に傾斜がある場合の断面の拡大説明図である。
【図2B】本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条の、角部に曲面がある場合の断面の拡大説明図である。
【図3】本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条の製造方法のフロー図である。
【図4A】実施例の結果を示す説明図であり、比較例を示す。
【図4B】実施例の結果を示す説明図であり、比較例を示す。
【図4C】実施例の結果を示す説明図であり、本発明例を示す。
【図4D】実施例の結果を示す説明図であり、本発明例を示す。
【発明を実施するための形態】
【0027】
以下に、本発明の一実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品（バスバー）について説明する。
【0028】
まず、本実施形態であるバスバー１０について説明する。本実施形態であるバスバー１０は、図１Ａに示すように、エッジワイズ曲げ部１３が設けられている。
また、本実施形態であるバスバー１０は、図１Ｂに示すように、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０と、このエッジワイズ曲げ加工用銅条２０の表面に形成されためっき層１５と、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０を被覆する絶縁被覆部１７と、を備えている。
本実施形態であるバスバー１０は、後述するエッジワイズ曲げ加工用銅条２０に対してエッジワイズ曲げ加工を行うことによって製造される。ここで、エッジワイズ曲げ加工の条件は、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下とされている。特に限定されないが、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗは、０．０５以上であってもよい。
また、本実施形態であるバスバー１０は、図１Ｂに示すように、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０と、このエッジワイズ曲げ加工用銅条２０の表面に形成されためっき層１５と、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０を被覆する絶縁被覆部１７と、を備えている。
本実施形態であるバスバー１０は、後述するエッジワイズ曲げ加工用銅条２０に対してエッジワイズ曲げ加工を行うことによって製造される。ここで、エッジワイズ曲げ加工の条件は、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下とされている。特に限定されないが、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗは、０．０５以上であってもよい。
【0029】
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０は、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされており、少なくとも長手方向に延在する片側の端面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）とされている。
ここで、板厚中心部とは、板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域とする。
ここで、板厚中心部とは、板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域とする。
【0030】
なお、本実施形態においては、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０は、スリット加工されたものとされ、端面がスリット面とされていることが好ましい。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上であることが好ましい。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上であることが好ましい。
【0031】
ここで、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上であることが好ましい。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を合計で１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内で含んでいてもよい。
さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ａｇ濃度が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内とされていてもよい。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｈ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｏ濃度が５００ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｃ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましい。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を合計で１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内で含んでいてもよい。
さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ａｇ濃度が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内とされていてもよい。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｈ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｏ濃度が５００ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｃ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましい。
【0032】
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされていることが好ましい。
さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下であることが好ましい。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、表面と端面との角部に傾斜や曲面があってもよい。
さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下であることが好ましい。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、表面と端面との角部に傾斜や曲面があってもよい。
【0033】
ここで、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、上述のように、形状、成分組成、組織、各種特性を規定した理由について以下に説明する。
【0034】
（厚みｔ）
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、厚みｔを１ｍｍ以上とすることにより、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散を十分に実現することが可能となる。
一方、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、厚みｔを１０ｍｍ以下とすることにより、エッジワイズ曲げ加工を施した際に、内部にしわが寄りにくく、均一な形状に成形することが可能となる。
なお、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の厚みｔの下限は、１．２ｍｍ以上とすることが好ましく、１．５ｍｍ以上とすることがさらに好ましい。一方、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の厚みｔの上限は、９．０ｍｍ以下とすることが好ましく、８．０ｍｍ以下とすることがさらに好ましい。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、厚みｔを１ｍｍ以上とすることにより、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散を十分に実現することが可能となる。
一方、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、厚みｔを１０ｍｍ以下とすることにより、エッジワイズ曲げ加工を施した際に、内部にしわが寄りにくく、均一な形状に成形することが可能となる。
なお、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の厚みｔの下限は、１．２ｍｍ以上とすることが好ましく、１．５ｍｍ以上とすることがさらに好ましい。一方、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の厚みｔの上限は、９．０ｍｍ以下とすることが好ましく、８．０ｍｍ以下とすることがさらに好ましい。
【0035】
（幅Ｗ）
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、幅Ｗを十分広くすることによって、大電流、大電圧に提供でき、かつ通電による発熱を抑制することが可能となる。そこで、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の幅Ｗは、１０ｍｍ以上とすることが好ましく、１５ｍｍ以上とすることがさらに好ましく、２０ｍｍ以上とすることがより好ましい。また特に限定されないが、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の幅Ｗは６０ｍｍ以下であってもよい。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、幅Ｗを十分広くすることによって、大電流、大電圧に提供でき、かつ通電による発熱を抑制することが可能となる。そこで、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の幅Ｗは、１０ｍｍ以上とすることが好ましく、１５ｍｍ以上とすることがさらに好ましく、２０ｍｍ以上とすることがより好ましい。また特に限定されないが、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の幅Ｗは６０ｍｍ以下であってもよい。
【0036】
（端面のバリ）
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、少なくとも長手方向に延在する片側の端面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部（板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域）の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）である場合には、上述のようにバリの寸法ａ（μｍ）が制限された端面をエッジワイズ曲げの外側として、エッジワイズ曲げを施した際に、端面において局所的に応力が集中することが抑制され、曲げ端面における割れや破断の発生を抑制することが可能となる。ここで、バリの寸法ａ（μｍ）は、ＪＩＳ Ｂ ００５１に規定された方法で測定される。また、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄが２００μｍ未満のときに、ａ＜（１００－Ｄ／２）を満足することが好ましい。
なお、後述するように面取り加工や引抜加工、押し出し加工、鍛造加工、切削加工、研磨加工などを行うことで、例えばスリット加工時に発生した端面のバリを除去することが可能となる。
ここで、バリの寸法ａは、１００μｍ以下とすることが好ましく、９０μｍ以下とすることがさらに好ましく、８０μｍ以下とすることがより好ましく、０μｍとすること（すなわち、バリが無いこと）が最も好ましい。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、少なくとも長手方向に延在する片側の端面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部（板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域）の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）である場合には、上述のようにバリの寸法ａ（μｍ）が制限された端面をエッジワイズ曲げの外側として、エッジワイズ曲げを施した際に、端面において局所的に応力が集中することが抑制され、曲げ端面における割れや破断の発生を抑制することが可能となる。ここで、バリの寸法ａ（μｍ）は、ＪＩＳ Ｂ ００５１に規定された方法で測定される。また、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄが２００μｍ未満のときに、ａ＜（１００－Ｄ／２）を満足することが好ましい。
なお、後述するように面取り加工や引抜加工、押し出し加工、鍛造加工、切削加工、研磨加工などを行うことで、例えばスリット加工時に発生した端面のバリを除去することが可能となる。
ここで、バリの寸法ａは、１００μｍ以下とすることが好ましく、９０μｍ以下とすることがさらに好ましく、８０μｍ以下とすることがより好ましく、０μｍとすること（すなわち、バリが無いこと）が最も好ましい。
【0037】
（幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔ）
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、幅Ｗと厚みｔの比Ｗ／ｔが２以上とされている場合には、電子・電気機器用部品、バスバー用の素材として特に適している。
なお、幅Ｗと厚みｔの比Ｗ／ｔの下限は、３以上であることがさらに好ましく、４以上であることがより好ましい。一方、幅Ｗと厚みｔの比Ｗ／ｔの上限に特に制限はないが、５０以下であることが好ましく、４０以下であることがさらに好ましい。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、幅Ｗと厚みｔの比Ｗ／ｔが２以上とされている場合には、電子・電気機器用部品、バスバー用の素材として特に適している。
なお、幅Ｗと厚みｔの比Ｗ／ｔの下限は、３以上であることがさらに好ましく、４以上であることがより好ましい。一方、幅Ｗと厚みｔの比Ｗ／ｔの上限に特に制限はないが、５０以下であることが好ましく、４０以下であることがさらに好ましい。
【0038】
（Ｃｕ）
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ｃｕの含有量が高く、相対的に不純物濃度が少ない程、導電率が高くなる。このため、本実施形態では、Ｃｕの含有量を９９．９０ｍａｓｓ％以上とすることが好ましい。
なお、本実施形態のエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、さらに導電率を向上させるためには、Ｃｕの含有量を９９．９３ｍａｓｓ％以上とすることがさらに好ましく、９９．９５ｍａｓｓ％以上とすることがより好ましい。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ｃｕの含有量が高く、相対的に不純物濃度が少ない程、導電率が高くなる。このため、本実施形態では、Ｃｕの含有量を９９．９０ｍａｓｓ％以上とすることが好ましい。
なお、本実施形態のエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、さらに導電率を向上させるためには、Ｃｕの含有量を９９．９３ｍａｓｓ％以上とすることがさらに好ましく、９９．９５ｍａｓｓ％以上とすることがより好ましい。
【0039】
（Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上）
Ｍｇは、銅の母相中に固溶することで、導電率を大きく低下させることなく、強度を向上させる作用効果を有する元素である。また、Ｍｇを母相中に固溶させることにより、強度や耐熱性が向上する。さらに、Ｍｇを添加することで組織の均一化、加工硬化能の向上が得られ、エッジワイズ曲げの加工性が向上する。このため、強度、耐熱性、エッジワイズ曲げ加工性等を向上させるために、Ｍｇを添加してもよい。
また、ＣａやＺｒを添加した場合には、ＣａやＺｒがＣｕと金属間化合物を生成し、導電率を大きく低下させることなく、組織の均一化、加工硬化能、結晶粒径を微細化し、エッジワイズ曲げ加工性をさらに向上させることが可能となる。このため、エッジワイズ曲げ加工性等を向上させるために、ＣａやＺｒを添加してもよい。
Ｍｇは、銅の母相中に固溶することで、導電率を大きく低下させることなく、強度を向上させる作用効果を有する元素である。また、Ｍｇを母相中に固溶させることにより、強度や耐熱性が向上する。さらに、Ｍｇを添加することで組織の均一化、加工硬化能の向上が得られ、エッジワイズ曲げの加工性が向上する。このため、強度、耐熱性、エッジワイズ曲げ加工性等を向上させるために、Ｍｇを添加してもよい。
また、ＣａやＺｒを添加した場合には、ＣａやＺｒがＣｕと金属間化合物を生成し、導電率を大きく低下させることなく、組織の均一化、加工硬化能、結晶粒径を微細化し、エッジワイズ曲げ加工性をさらに向上させることが可能となる。このため、エッジワイズ曲げ加工性等を向上させるために、ＣａやＺｒを添加してもよい。
【0040】
ここで、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ超えとすることで、上述の作用効果を奏することが可能となる。一方、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量を１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることにより、導電性の低下を抑制することができる。
このため、本実施形態において、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を添加する場合には、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることが好ましい。
このため、本実施形態において、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を添加する場合には、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることが好ましい。
【0041】
なお、強度、耐熱性、エッジワイズ曲げ加工性等をさらに向上させるためには、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量の下限を２０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがより好ましく、３０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがさらに好ましく、４０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることが一層好ましい。一方、導電率の低下をさらに抑制するためには、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量の上限を９０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることがより好ましく、８０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることがさらに好ましく、７０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることが一層好ましい。
【0042】
（Ａｇ）
銅中に微量に添加されたＡｇは、粒界近傍に偏析することとなる。これにより、粒界での原子の移動が妨げられ、結晶粒径が微細化し、より優れる曲げ加工性を得ることが可能となる。
ここで、Ａｇ濃度を５ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることで、上述の作用効果を奏することが可能となる。一方、Ａｇの含有量を２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることにより、導電性の低下を抑制することができるとともに製造コストの増加を抑制することができる。
このため、本実施形態において、Ａｇを含有する場合には、Ａｇ濃度を５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
銅中に微量に添加されたＡｇは、粒界近傍に偏析することとなる。これにより、粒界での原子の移動が妨げられ、結晶粒径が微細化し、より優れる曲げ加工性を得ることが可能となる。
ここで、Ａｇ濃度を５ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることで、上述の作用効果を奏することが可能となる。一方、Ａｇの含有量を２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることにより、導電性の低下を抑制することができるとともに製造コストの増加を抑制することができる。
このため、本実施形態において、Ａｇを含有する場合には、Ａｇ濃度を５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
【0043】
なお、確実に結晶粒径の微細化を図るためには、Ａｇ濃度の下限を６ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがさらに好ましく、７ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがより好ましく、８ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることが一層好ましい。一方、導電率の低下及び製造コストの増加をさらに抑制するためには、Ａｇ濃度の上限を１８ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、１６ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましく、１４ｍａｓｓｐｐｍ以下することが一層好ましい。
【0044】
（Ｈ）
Ｈ（水素）は、鋳造時にＯ（酸素）と結びついて水蒸気となり、鋳塊中にブローホール欠陥を生じさせる元素である。このブローホール欠陥は、鋳造時には割れ、圧延時にはふくれおよび剥がれ等の欠陥の原因となる。これらの割れ、ふくれ及び剥がれ等の欠陥は、応力集中して破壊の起点となる。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｈ濃度を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｈ濃度は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
Ｈ（水素）は、鋳造時にＯ（酸素）と結びついて水蒸気となり、鋳塊中にブローホール欠陥を生じさせる元素である。このブローホール欠陥は、鋳造時には割れ、圧延時にはふくれおよび剥がれ等の欠陥の原因となる。これらの割れ、ふくれ及び剥がれ等の欠陥は、応力集中して破壊の起点となる。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｈ濃度を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｈ濃度は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
【0045】
（Ｏ）
Ｏ（酸素）は、銅合金中の各成分元素と反応して酸化物を形成する元素である。これらの酸化物は、破壊の起点となるため、加工性が低下し、製造を困難とする。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｏ濃度を５００ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｏ濃度は、４００ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、２００ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、１００ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより一層好ましく、さらに５０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが最適である。
Ｏ（酸素）は、銅合金中の各成分元素と反応して酸化物を形成する元素である。これらの酸化物は、破壊の起点となるため、加工性が低下し、製造を困難とする。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｏ濃度を５００ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｏ濃度は、４００ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、２００ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、１００ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより一層好ましく、さらに５０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが最適である。
【0046】
（Ｃ）
Ｃ（炭素）は、溶湯の脱酸作用を目的として、溶解、鋳造において溶湯表面を被覆するように使用されるものであり、不可避的に混入するおそれがある元素である。Ｃ濃度は、鋳造時のＣの巻き込みが多くなると高くなる。これらのＣや複合炭化物、Ｃの固溶体の偏析は、冷間加工性を劣化させる。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｃ濃度を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｃ濃度は、５ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、１ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
Ｃ（炭素）は、溶湯の脱酸作用を目的として、溶解、鋳造において溶湯表面を被覆するように使用されるものであり、不可避的に混入するおそれがある元素である。Ｃ濃度は、鋳造時のＣの巻き込みが多くなると高くなる。これらのＣや複合炭化物、Ｃの固溶体の偏析は、冷間加工性を劣化させる。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｃ濃度を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｃ濃度は、５ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、１ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
【0047】
（Ｓ）
Ｓ（硫黄）は、銅中に含有されることにより、導電率を大幅に低下させる。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｓ濃度を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｓ濃度は、５ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、１ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
Ｓ（硫黄）は、銅中に含有されることにより、導電率を大幅に低下させる。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｓ濃度を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｓ濃度は、５ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、１ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
【0048】
（その他の不可避不純物）
上述した元素以外のその他の不可避的不純物としては、Ａｌ，Ａｓ，Ｂ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｓｃ，希土類元素，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏｓ，Ｐ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎ，Ｓ，Ｓｂ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｌｉ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
ここで、これらの不可避不純物は、導電率を低下させるおそれがあることから、総量で０．０４ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．０３ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましく、０．０２ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、さらには０．０１ｍａｓｓ％以下とすることが好ましい。
また、これらの不可避不純物のそれぞれの含有量の上限は、３０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、１５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましい。
上述した元素以外のその他の不可避的不純物としては、Ａｌ，Ａｓ，Ｂ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｓｃ，希土類元素，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏｓ，Ｐ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎ，Ｓ，Ｓｂ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｌｉ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
ここで、これらの不可避不純物は、導電率を低下させるおそれがあることから、総量で０．０４ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．０３ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましく、０．０２ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、さらには０．０１ｍａｓｓ％以下とすることが好ましい。
また、これらの不可避不純物のそれぞれの含有量の上限は、３０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、１５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましい。
【0049】
（導電率）
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、導電率が十分に高いと、通電時の発熱が抑えられるため、バスバーに特に適している。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上であることが好ましい。
なお、導電率は、９７．５％ＩＡＣＳ以上であることがさらに好ましく、９８．０％ＩＡＣＳ以上であることがより好ましく、さらには９８．５％ＩＡＣＳ以上であることが好ましく、９９．０％ＩＡＣＳ以上であることが最も好ましい。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、導電率が十分に高いと、通電時の発熱が抑えられるため、バスバーに特に適している。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上であることが好ましい。
なお、導電率は、９７．５％ＩＡＣＳ以上であることがさらに好ましく、９８．０％ＩＡＣＳ以上であることがより好ましく、さらには９８．５％ＩＡＣＳ以上であることが好ましく、９９．０％ＩＡＣＳ以上であることが最も好ましい。
【0050】
（板厚中心部の平均結晶粒径）
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、板厚中心部（板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域）における平均結晶粒径が微細であると、優れた曲げ加工性を得ることが可能となる。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、板厚中心部の平均結晶粒径を５０μｍ以下とすることが好ましい。
なお、板厚中心部（板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域）における平均結晶粒径は、４０μｍ以下であることがさらに好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましく、２５μｍ以下がより一層好ましい。また、板厚中心部の平均結晶粒径の下限に特に制限はないが、実質的には１μｍ以上となる。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、板厚中心部（板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域）における平均結晶粒径が微細であると、優れた曲げ加工性を得ることが可能となる。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、板厚中心部の平均結晶粒径を５０μｍ以下とすることが好ましい。
なお、板厚中心部（板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域）における平均結晶粒径は、４０μｍ以下であることがさらに好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましく、２５μｍ以下がより一層好ましい。また、板厚中心部の平均結晶粒径の下限に特に制限はないが、実質的には１μｍ以上となる。
【0051】
次に、このような構成とされた本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０の製造方法について、図３に示すフロー図を参照して説明する。
【0052】
（溶解・鋳造工程Ｓ０１）
まず、銅原料を溶解して銅溶湯を得る。必要であればＭｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上やＡｇを添加して成分調整を行う。なお、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上やＡｇを添加する場合には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、リサイクル材およびスクラップ材を用いてもよい。
ここで、銅原料は、Ｃｕの含有量が９９．９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる４ＮＣｕ、あるいは９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕとすることが好ましい。
溶解時においては、水素濃度低減のため、Ｈ２Ｏの蒸気圧が低い不活性ガス雰囲気（例えばＡｒガス）による雰囲気溶解を行い、溶解時の保持時間は最小限に留めることが好ましい。
そして、成分調整された銅溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
まず、銅原料を溶解して銅溶湯を得る。必要であればＭｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上やＡｇを添加して成分調整を行う。なお、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上やＡｇを添加する場合には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、リサイクル材およびスクラップ材を用いてもよい。
ここで、銅原料は、Ｃｕの含有量が９９．９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる４ＮＣｕ、あるいは９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕとすることが好ましい。
溶解時においては、水素濃度低減のため、Ｈ２Ｏの蒸気圧が低い不活性ガス雰囲気（例えばＡｒガス）による雰囲気溶解を行い、溶解時の保持時間は最小限に留めることが好ましい。
そして、成分調整された銅溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
【0053】
（均質化／溶体化工程Ｓ０２）
次に、得られた鋳塊の均質化および溶体化のために加熱処理を行う。鋳塊の内部には、凝固の過程において不純物が偏析で濃縮することにより発生した金属間化合物等が存在することがある。そこで、これらの偏析および金属間化合物等を消失または低減させるために、鋳塊を３００℃以上１０８０℃以下にまで加熱する加熱処理を行うことで、鋳塊内において、不純物を均質に拡散させる。なお、この均質化／溶体化工程Ｓ０２は、非酸化性または還元性雰囲気中で実施することが好ましい。
次に、得られた鋳塊の均質化および溶体化のために加熱処理を行う。鋳塊の内部には、凝固の過程において不純物が偏析で濃縮することにより発生した金属間化合物等が存在することがある。そこで、これらの偏析および金属間化合物等を消失または低減させるために、鋳塊を３００℃以上１０８０℃以下にまで加熱する加熱処理を行うことで、鋳塊内において、不純物を均質に拡散させる。なお、この均質化／溶体化工程Ｓ０２は、非酸化性または還元性雰囲気中で実施することが好ましい。
【0054】
ここで、加熱温度が３００℃未満では、溶体化が不完全となり、組織の不均一化や母相中に金属間化合物が残存するおそれがある。一方、加熱温度が１０８０℃を超えると、銅素材の一部が液相となり、組織や表面状態が不均一となるおそれがある。よって、加熱温度を３００℃以上１０８０℃以下の範囲に設定している。
なお、後述する粗圧延の効率化と組織の均一化のために、前述の均質化／溶体化工程Ｓ０２の後に熱間圧延を実施してもよい。熱間加工温度は、３００℃以上１０８０℃以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、後述する粗圧延の効率化と組織の均一化のために、前述の均質化／溶体化工程Ｓ０２の後に熱間圧延を実施してもよい。熱間加工温度は、３００℃以上１０８０℃以下の範囲内とすることが好ましい。
【0055】
（粗圧延工程Ｓ０３）
所定の形状に加工するために、粗圧延を行う。なお、この粗圧延工程Ｓ０３における温度条件は特に限定はないが、再結晶を抑制するために、あるいは寸法精度の向上のため、冷間または温間圧延となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。ここで、材料中に均一にひずみが導入されることで、後述する中間熱処理工程Ｓ０４で均一な再結晶粒が得られる。そのため、総加工率（減面率）は５０％以上とすることが好ましく、６０％以上とすることがより好ましく、７０％以上とすることがさらに好ましい。また、１パス当たりの加工率（減面率）は１０％以上とすることが好ましく、１５％以上とすることがより好ましく、２０％以上とすることがさらに好ましい。
所定の形状に加工するために、粗圧延を行う。なお、この粗圧延工程Ｓ０３における温度条件は特に限定はないが、再結晶を抑制するために、あるいは寸法精度の向上のため、冷間または温間圧延となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。ここで、材料中に均一にひずみが導入されることで、後述する中間熱処理工程Ｓ０４で均一な再結晶粒が得られる。そのため、総加工率（減面率）は５０％以上とすることが好ましく、６０％以上とすることがより好ましく、７０％以上とすることがさらに好ましい。また、１パス当たりの加工率（減面率）は１０％以上とすることが好ましく、１５％以上とすることがより好ましく、２０％以上とすることがさらに好ましい。
【0056】
（中間熱処理工程Ｓ０４）
粗圧延工程Ｓ０３後に、再結晶組織にするために熱処理を実施する。なお、粗圧延工程Ｓ０３と中間熱処理工程Ｓ０４は繰り返し実施してもよい。
ここで、この中間熱処理工程Ｓ０４が実質的に最後の再結晶熱処理となるため、この工程で得られた再結晶組織の結晶粒径は最終的な結晶粒径にほぼ等しくなる。そのため、この中間熱処理工程Ｓ０４では、板厚中心の平均結晶粒径が５０μｍ以下となるように、適宜、熱処理条件を選定することが好ましい。
粗圧延工程Ｓ０３後に、再結晶組織にするために熱処理を実施する。なお、粗圧延工程Ｓ０３と中間熱処理工程Ｓ０４は繰り返し実施してもよい。
ここで、この中間熱処理工程Ｓ０４が実質的に最後の再結晶熱処理となるため、この工程で得られた再結晶組織の結晶粒径は最終的な結晶粒径にほぼ等しくなる。そのため、この中間熱処理工程Ｓ０４では、板厚中心の平均結晶粒径が５０μｍ以下となるように、適宜、熱処理条件を選定することが好ましい。
【0057】
（上前圧延工程Ｓ０５）
中間熱処理工程Ｓ０４後の銅素材を所定の形状に加工するため、上前圧延を行ってもよい。なお、この上前圧延工程Ｓ０５における温度条件は、圧延時の再結晶を抑制するために、冷間、または温間加工となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。
また、圧延率は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、１％以上３０％以下の範囲内とすることが好ましい。
中間熱処理工程Ｓ０４後の銅素材を所定の形状に加工するため、上前圧延を行ってもよい。なお、この上前圧延工程Ｓ０５における温度条件は、圧延時の再結晶を抑制するために、冷間、または温間加工となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。
また、圧延率は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、１％以上３０％以下の範囲内とすることが好ましい。
【0058】
（機械的表面処理工程Ｓ０６）
上前加工工程Ｓ０５後に、機械的表面処理を行う。機械的表面処理は、表面近傍に圧縮応力を与える処理であり、表面近傍の圧縮応力によってフラットワイズ曲げ加工時に発生する割れを抑制させ、曲げ加工性を向上させる効果がある。
機械的表面処理は、ショットピーニング処理、ブラスト処理、ラッピング処理、ポリッシング処理、バフ研磨、グラインダー研磨、サンドペーパー研磨、テンションレベラー処理、１パス当りの圧下率が低い軽圧延（１パス当たりの圧下率１～１０％とし３回以上繰り返す）など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
上前加工工程Ｓ０５後に、機械的表面処理を行う。機械的表面処理は、表面近傍に圧縮応力を与える処理であり、表面近傍の圧縮応力によってフラットワイズ曲げ加工時に発生する割れを抑制させ、曲げ加工性を向上させる効果がある。
機械的表面処理は、ショットピーニング処理、ブラスト処理、ラッピング処理、ポリッシング処理、バフ研磨、グラインダー研磨、サンドペーパー研磨、テンションレベラー処理、１パス当りの圧下率が低い軽圧延（１パス当たりの圧下率１～１０％とし３回以上繰り返す）など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
【0059】
（仕上熱処理工程Ｓ０７）
次に、機械的表面処理工程Ｓ０６によって得られた銅材に対して、含有元素の粒界への偏析および残留ひずみの除去のため、仕上熱処理を実施してもよい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。
熱処理温度は、１００℃以上５００℃以下の範囲内とすることが好ましい。なお、この仕上熱処理工程Ｓ０７においては、中間熱処理工程Ｓ０４で得られた結晶粒径の粗大化を避けるように、熱処理条件（温度、時間）を設定する必要がある。例えば４５０℃では０．１秒から１０秒程度保持することが好ましく、２５０℃では１分から１００時間保持することが好ましい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。熱処理の方法は特に限定はないが、製造コスト低減の効果から、連続焼鈍炉による短時間の熱処理が好ましい。
さらに、上述の上前圧延工程Ｓ０５、機械的表面処理工程Ｓ０６、仕上熱処理工程Ｓ０７を、繰り返し実施してもよい。
また、仕上熱処理工程Ｓ０７の後に金属めっき（Ｓｎめっき、Ｎｉめっき、又は、Ａｇめっき等）を施してもよい。
次に、機械的表面処理工程Ｓ０６によって得られた銅材に対して、含有元素の粒界への偏析および残留ひずみの除去のため、仕上熱処理を実施してもよい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。
熱処理温度は、１００℃以上５００℃以下の範囲内とすることが好ましい。なお、この仕上熱処理工程Ｓ０７においては、中間熱処理工程Ｓ０４で得られた結晶粒径の粗大化を避けるように、熱処理条件（温度、時間）を設定する必要がある。例えば４５０℃では０．１秒から１０秒程度保持することが好ましく、２５０℃では１分から１００時間保持することが好ましい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。熱処理の方法は特に限定はないが、製造コスト低減の効果から、連続焼鈍炉による短時間の熱処理が好ましい。
さらに、上述の上前圧延工程Ｓ０５、機械的表面処理工程Ｓ０６、仕上熱処理工程Ｓ０７を、繰り返し実施してもよい。
また、仕上熱処理工程Ｓ０７の後に金属めっき（Ｓｎめっき、Ｎｉめっき、又は、Ａｇめっき等）を施してもよい。
【0060】
（仕上加工工程Ｓ０８）
次に材料強度の調整、形状付与を目的として、必要に応じて適宜加工を施してもよい。冷間、または温間加工となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。また、加工率（減面率）は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、１％以上３０％以下の範囲内とすることが好ましい。この加工は、圧延、引抜加工、押し出し加工、鍛造加工、切削加工、研磨加工などが挙げられる。
次に材料強度の調整、形状付与を目的として、必要に応じて適宜加工を施してもよい。冷間、または温間加工となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。また、加工率（減面率）は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、１％以上３０％以下の範囲内とすることが好ましい。この加工は、圧延、引抜加工、押し出し加工、鍛造加工、切削加工、研磨加工などが挙げられる。
【0061】
（形状付与加工工程Ｓ０９）
仕上熱処理工程Ｓ０７または仕上加工工程Ｓ０８後の銅材に対して、所望の形状に加工するために必要に応じて形状付与加工を行う。
形状付与加工は、スリット加工、プッシュバック加工、打ち抜き加工、引抜加工、スウェージング加工、コンフォーム加工など一般的に使用される種々の方法が使用できる。また、精密せん断法のスリット加工を用いてもよい。具体的には、半せん断と逆せん断で材料を分離するカウンタカット加工や、半せん断とロールによる押圧で材料を分離するロールスリット加工など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
なお、形状付与加工後に、バリの寸法ａ（μｍ）をａ＜（１００－Ｄ／２）にするために、必要に応じてバリ処理を行う。バリ処理はサンドペーパー、研磨シート、ロータリーバー、研磨ディスク、研磨ベルト、ブラスト処理、面取り加工、押し出し加工、鍛造加工、切削加工、研磨加工など一般的に使用される種々の方法が使用できる。加工率（減面率）は１％以上３０％以下の範囲内が好ましい。
なお、形状付与加工としてプッシュバック加工、引抜加工、スウェージング加工、コンフォーム加工、精密せん断法のスリット加工などを使用する場合、バリ処理は行わなくてもよい。またこの加工を行う前に熱処理を行ってもよい。
仕上熱処理工程Ｓ０７または仕上加工工程Ｓ０８後の銅材に対して、所望の形状に加工するために必要に応じて形状付与加工を行う。
形状付与加工は、スリット加工、プッシュバック加工、打ち抜き加工、引抜加工、スウェージング加工、コンフォーム加工など一般的に使用される種々の方法が使用できる。また、精密せん断法のスリット加工を用いてもよい。具体的には、半せん断と逆せん断で材料を分離するカウンタカット加工や、半せん断とロールによる押圧で材料を分離するロールスリット加工など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
なお、形状付与加工後に、バリの寸法ａ（μｍ）をａ＜（１００－Ｄ／２）にするために、必要に応じてバリ処理を行う。バリ処理はサンドペーパー、研磨シート、ロータリーバー、研磨ディスク、研磨ベルト、ブラスト処理、面取り加工、押し出し加工、鍛造加工、切削加工、研磨加工など一般的に使用される種々の方法が使用できる。加工率（減面率）は１％以上３０％以下の範囲内が好ましい。
なお、形状付与加工としてプッシュバック加工、引抜加工、スウェージング加工、コンフォーム加工、精密せん断法のスリット加工などを使用する場合、バリ処理は行わなくてもよい。またこの加工を行う前に熱処理を行ってもよい。
【0062】
このようにして、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０が製出されることになる。
【0063】
以上のような構成とされた本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、少なくとも長手方向に延在する片側の端面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）とされていることから、このバリの寸法ａ（μｍ）が制限された端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、端面における応力集中が抑制され、応力が曲げ端面に均等に広がり、割れや破断の発生を抑制することができる。また、エッジワイズ曲げ加工を施した際に、内部にしわが寄りにくく、均一な形状が得られる。
【0064】
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされているので、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散を十分に実現することができる。また、エッジワイズ曲げ加工を施した際に、内部にしわが寄りにくく、均一な形状が得られる。
【0065】
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、少なくとも長手方向に延在する片側の端面にバリが無く、前記バリの寸法ａ（μｍ）が０である場合には、バリの寸法ａ（μｍ）が０とされ、バリが無い端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、割れや破断の発生を確実に抑制することができる。
【0066】
ここで、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上である場合には、バスバー用の素材として特に適している。
【0067】
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上である場合には、不純物量が少なく、導電性を確保することが可能となる。
【0068】
さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を合計で１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内で含む場合には、銅の母相中にＭｇが固溶することによって、導電率を大きく低下させることなく、強度および耐熱性、エッジワイズ曲げ加工性を向上させることが可能となり、また、ＣａやＺｒはＣｕと金属間化合物を生成することによって、導電率を大きく低下させることなく、結晶粒径を微細化し、エッジワイズ曲げ加工性を向上させることが可能となる。
【0069】
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ａｇ濃度が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内である場合には、添加されたＡｇが粒界近傍に偏析し、粒界での原子の移動が妨げられ、結晶粒径を微細化することができる。
【0070】
さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ｈ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｏ濃度が５００ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｃ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下である場合には、欠陥の発生を抑制できるとともに、加工性および導電率の低下を抑制することができる。
【0071】
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされている場合には、導電性に十分に優れており、通電時の発熱を抑えることができ、バスバーに特に適している。
【0072】
さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下である場合には、さらに曲げ加工性に優れている。また、形状付与加工時にバリの発生を抑制できるため、エッジワイズ曲げ加工の際に、バリを起点として発生する割れを抑制することも可能となる。
【0073】
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、端面がスリット面とされたスリット材とされている場合には、スリット面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）とされていることから、このような端面（スリット面）をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、端面における応力集中が抑制され、応力が曲げ端面に均等に広がり、割れや破断の発生を抑制することができる。
【0074】
また、本実施形態である電子・電気機器用部品（バスバー１０）においては、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０を用いて製造されたものであるので、割れ等の発生が抑制されており、品質に優れている。
【0075】
さらに、本実施形態であるバスバー１０において、他の部材と接触して通電する通電部表面にめっき層１５が形成されている場合には、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の酸化等を抑制することができ、他の部材との接触抵抗を低く抑えることができる。
【0076】
また、本実施形態であるバスバー１０において、エッジワイズ曲げ部１３と絶縁被覆部１７とを備えている場合には、エッジワイズ曲げ部１３における割れ等の欠陥の発生が抑制されており、絶縁被覆部１７の損傷を抑制することができる。絶縁被覆部１７は、一般に利用されている絶縁被覆材で構成されていてもよい。一般に利用されている絶縁被覆材としては、例えばポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエステルイミド、ポリウレタン、ポリエステルなどの電気絶縁性に優れる樹脂が挙げられる。
【実施例0077】
以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
帯溶融精製法により、Ｃｕの含有量が９９．９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる３ＮＣｕと、Ｃｕの含有量９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕからなる原料を用いて各種添加元素を１ｍａｓｓ％含む母合金を作製し、準備した。
上述の銅原料を高純度グラファイト坩堝内に装入して、Ａｒガス雰囲気とされた雰囲気炉内において高周波溶解した。
得られた銅溶湯を、断熱材（イソウール）鋳型に注湯することにより、表１，２に示す成分組成の鋳塊を製出した。なお、鋳塊の大きさは、厚さ約８０ｍｍ×幅約５００ｍｍとした。
帯溶融精製法により、Ｃｕの含有量が９９．９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる３ＮＣｕと、Ｃｕの含有量９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕからなる原料を用いて各種添加元素を１ｍａｓｓ％含む母合金を作製し、準備した。
上述の銅原料を高純度グラファイト坩堝内に装入して、Ａｒガス雰囲気とされた雰囲気炉内において高周波溶解した。
得られた銅溶湯を、断熱材（イソウール）鋳型に注湯することにより、表１，２に示す成分組成の鋳塊を製出した。なお、鋳塊の大きさは、厚さ約８０ｍｍ×幅約５００ｍｍとした。
【0078】
得られた鋳塊に対して、Ａｒガス雰囲気中において、９００℃、１時間の加熱を行い、次いで酸化被膜を除去するために表面研削を実施し、所定の大きさに切断を行った。
その後、適宜最終厚みになる様に厚みを調整して切断を行った。切断されたそれぞれの試料は表１，２に記載の条件で粗圧延を行った。次いで、表３，４に記載の結晶粒径が得られるように、中間熱処理を実施した。次に、表１，２に記載された条件にて上前圧延工程を実施した。次に、表１，２に記載された条件にて機械的表面処理工程を実施した。次に、２５０℃で１分保持の条件で仕上げ熱処理を実施した。また、表３，４に記載の厚みｔが得られるように、仕上加工工程を実施した。さらに、表３，４に記載の板幅Ｗが得られるように形状付与加工工程と角部処理を実施した。また、長さは２００ｍｍから６００ｍｍとした。
その後、適宜最終厚みになる様に厚みを調整して切断を行った。切断されたそれぞれの試料は表１，２に記載の条件で粗圧延を行った。次いで、表３，４に記載の結晶粒径が得られるように、中間熱処理を実施した。次に、表１，２に記載された条件にて上前圧延工程を実施した。次に、表１，２に記載された条件にて機械的表面処理工程を実施した。次に、２５０℃で１分保持の条件で仕上げ熱処理を実施した。また、表３，４に記載の厚みｔが得られるように、仕上加工工程を実施した。さらに、表３，４に記載の板幅Ｗが得られるように形状付与加工工程と角部処理を実施した。また、長さは２００ｍｍから６００ｍｍとした。
【0079】
得られたエッジワイズ曲げ加工用銅条について、以下の項目について評価を実施した。その結果を表１～４に示す。
【0080】
（組成分析）
得られた鋳塊から測定試料を採取し、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒは誘導結合プラズマ発光分光分析法で、その他の元素はグロー放電質量分析装置（ＧＤ－ＭＳ）を用いて測定した。また、Ｈの分析は、熱伝導度法で行い、Ｏ，Ｓ，Ｃの分析は、赤外線吸収法で行った。Ｃｕ量は銅電解重量法（ＪＩＳ Ｈ １０５１）を用いて測定した。なお、試料中央部と幅方向端部の２カ所で測定を行い、含有量の多い方をそのサンプルの含有量とした。
得られた鋳塊から測定試料を採取し、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒは誘導結合プラズマ発光分光分析法で、その他の元素はグロー放電質量分析装置（ＧＤ－ＭＳ）を用いて測定した。また、Ｈの分析は、熱伝導度法で行い、Ｏ，Ｓ，Ｃの分析は、赤外線吸収法で行った。Ｃｕ量は銅電解重量法（ＪＩＳ Ｈ １０５１）を用いて測定した。なお、試料中央部と幅方向端部の２カ所で測定を行い、含有量の多い方をそのサンプルの含有量とした。
【0081】
（導電率）
エッジワイズ曲げ加工用銅条から幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍの試験片を採取し、４端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向がエッジワイズ曲げ加工用銅条の圧延方向に対して平行になるように採取した。
エッジワイズ曲げ加工用銅条から幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍの試験片を採取し、４端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向がエッジワイズ曲げ加工用銅条の圧延方向に対して平行になるように採取した。
【0082】
（板厚中心の平均結晶粒径）
得られたエッジワイズ曲げ加工用銅条から幅２０ｍｍ×長さ２０ｍｍのサンプルを切り出し、ＳＥＭ－ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｐａｔｔｅｒｎｓ）測定装置によって、板厚中心の平均結晶粒径を測定した。
圧延の幅方向に対して垂直な面、すなわちＴＤ面(Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を観察面として、耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った。次いで、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行って測定用サンプルを得た。その後、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．７．３．１）を用いて、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１００００μｍ２以上の測定面積にて、０．２５μｍの測定間隔のステップで観察面をＥＢＳＤ法により測定した。
得られたエッジワイズ曲げ加工用銅条から幅２０ｍｍ×長さ２０ｍｍのサンプルを切り出し、ＳＥＭ－ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｐａｔｔｅｒｎｓ）測定装置によって、板厚中心の平均結晶粒径を測定した。
圧延の幅方向に対して垂直な面、すなわちＴＤ面(Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を観察面として、耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った。次いで、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行って測定用サンプルを得た。その後、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．７．３．１）を用いて、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１００００μｍ２以上の測定面積にて、０．２５μｍの測定間隔のステップで観察面をＥＢＳＤ法により測定した。
【0083】
測定結果をデータ解析ソフトＯＩＭにより解析して各測定点のＣＩ値を得た。ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、データ解析ソフトＯＩＭにより各結晶粒の方位差の解析を行った。そして、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間の境界を大角粒界とし、隣接する測定点間の方位差が１５°未満となる測定点間の境界を小角粒界とした。この際、双晶境界も大角粒界とした。また、各サンプルで１００個以上の結晶粒が含まれるように測定範囲を調整した。得られた方位解析の結果から大角粒界を用いて結晶粒界マップを作成した。ＪＩＳ Ｈ ０５０１の切断法に準拠し、結晶粒界マップに対して、縦、横の所定長さの線分を５本ずつ引き、完全に切られる結晶粒の数を数え、その切断長さ（結晶粒界で切り取られた線分の長さ）の合計を結晶粒の数で割り平均値を得た。この平均値を平均結晶粒径とした。なお、板厚中心は、板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域である。
【0084】
（バリ寸法ａ）
ＪＩＳ Ｂ ００５１に規定されるバリの寸法ａ（μｍ）を測定した。また、各寸法は任意の３か所測定した平均値になる。
ＪＩＳ Ｂ ００５１に規定されるバリの寸法ａ（μｍ）をＳＥＭ観察にて測定した。また、各寸法は任意の５か所をそれぞれ長さ１ｍｍ（合計５ｍｍ）にわたって測定し、その最大値である。求めたバリの寸法ａ及び板厚中心部の平均結晶粒径Ｄから、ａ＜（１００－Ｄ／２）を満たすものを「〇」とし、ａ＜（１００－Ｄ／２）を満たさないものを「×」とした。
ＪＩＳ Ｂ ００５１に規定されるバリの寸法ａ（μｍ）を測定した。また、各寸法は任意の３か所測定した平均値になる。
ＪＩＳ Ｂ ００５１に規定されるバリの寸法ａ（μｍ）をＳＥＭ観察にて測定した。また、各寸法は任意の５か所をそれぞれ長さ１ｍｍ（合計５ｍｍ）にわたって測定し、その最大値である。求めたバリの寸法ａ及び板厚中心部の平均結晶粒径Ｄから、ａ＜（１００－Ｄ／２）を満たすものを「〇」とし、ａ＜（１００－Ｄ／２）を満たさないものを「×」とした。
【0085】
（エッジワイズ曲げ加工性）
表３，４に記載の曲げ半径Ｒと板幅Ｗの比Ｒ／Ｗになるようにエッジワイズ曲げ加工を実施した。
エッジワイズ曲げの外側となる端面にしわがないものを「Ａ」（ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ）と評価し、エッジワイズ曲げの外側となる端面にしわがあるものを「Ｂ」（ｇｏｏｄ）と評価し、エッジワイズ曲げの外側となる端面に小さな割れがあるものを「Ｃ」（ｆａｉｒ）と評価し、エッジワイズ曲げの外側となる端面が破断し、エッジワイズ曲げが出来なかったものを「Ｄ」（ｐｏｏｒ）と評価した。なお、評価結果Ａ～Ｃまでを「厳しい条件でもエッジワイズ曲げが可能」と判断した。
表３，４に記載の曲げ半径Ｒと板幅Ｗの比Ｒ／Ｗになるようにエッジワイズ曲げ加工を実施した。
エッジワイズ曲げの外側となる端面にしわがないものを「Ａ」（ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ）と評価し、エッジワイズ曲げの外側となる端面にしわがあるものを「Ｂ」（ｇｏｏｄ）と評価し、エッジワイズ曲げの外側となる端面に小さな割れがあるものを「Ｃ」（ｆａｉｒ）と評価し、エッジワイズ曲げの外側となる端面が破断し、エッジワイズ曲げが出来なかったものを「Ｄ」（ｐｏｏｒ）と評価した。なお、評価結果Ａ～Ｃまでを「厳しい条件でもエッジワイズ曲げが可能」と判断した。
【0086】
【表1】
【0087】
【表2】
【0088】
【表3】
【0089】
【表4】
【0090】
比較例１においては、スリット加工後にサンドペーパーでバリ処理したが、少なくとも長手方向に延在する片側の端面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）を満足しておらず、大きなバリがある端面を外側にしてエッジワイズ曲げを実施した際に破断し、曲げ加工性が「Ｄ」となった。
【0091】
比較例２においては、スリット加工後にバリ処理を行っていないために大きなバリが存在し、少なくとも長手方向に延在する片側の端面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）を満足しておらず、図４Ａ，図４Ｂに示すように、大きなバリがある端面を外側にしてエッジワイズ曲げを実施した際に破断し、曲げ加工性が「Ｄ」となった。
【0092】
これに対して、本発明例１－３５においては、少なくとも長手方向に延在する片側の端面におけるバリの寸法ａ（μｍ）が、板厚中心部の平均結晶粒径Ｄ（μｍ）に対して、ａ＜（１００－Ｄ／２）を満足しており、曲げ加工性が「Ａ～Ｃ」となっており、図４（ｃ），（ｄ）に示すように、エッジワイズ曲げ特性に優れていた。
【0093】
以上のことから、本発明例によれば、厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能なエッジワイズ曲げ加工用銅条を得られることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【0094】
厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能なエッジワイズ曲げ加工用銅条、このエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造された電子・電気機器用部品、バスバーを提供することが可能となる。
【符号の説明】
【0095】
１０ バスバー
１３ エッジワイズ曲げ部
１５ めっき層
１７ 絶縁被覆部
２０ エッジワイズ曲げ加工用銅条
１３ エッジワイズ曲げ部
１５ めっき層
１７ 絶縁被覆部
２０ エッジワイズ曲げ加工用銅条
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
