特開 2023-89827 縦型ウェハボート及びそれを用いたシリコンウェハの熱処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023089827

(43)【公開日】2023-06-28

(54)【発明の名称】縦型ウェハボート及びそれを用いたシリコンウェハの熱処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/673 20060101AFI20230621BHJP

   F27D 5/00 20060101ALI20230621BHJP

   F27D 3/12 20060101ALI20230621BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 V

F27D5/00

F27D3/12 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021204571

(22)【出願日】2021-12-16

(71)【出願人】

【識別番号】507182807

【氏名又は名称】クアーズテック株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100101878

【弁理士】

【氏名又は名称】木下 茂

(74)【代理人】

【識別番号】100187506

【弁理士】

【氏名又は名称】澤田 優子

(72)【発明者】

【氏名】岩本 直也

【テーマコード（参考）】

4K055

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K055AA06

4K055HA01

4K055HA12

4K055HA18

4K055HA23

4K055HA25

4K055NA05

5F131AA02

5F131BA02

5F131BA04

5F131CA09

5F131CA12

5F131DA05

5F131DA43

5F131EA04

5F131GA03

5F131GA33

5F131GA52

5F131GA55

5F131GA62

(57)【要約】

【課題】複数のウェハ支持部を備えた縦型ウェハボートにおいて、ウェハの撓み発生を抑え、ウェハを傷つけることなく歩留まり低下を抑制すること。
【解決手段】天板４と、前記天板に一端が固定され、他端が底板５に固定された複数の支柱２、３と、前記複数の支柱から径方向内側に突出するウェハ支持部２ａ、３ａとを有する縦型ウェハボート１であって、少なくとも１つの支柱に形成されるウェハ支持部３ａが、シリコンウェハの径方向に伸びる延伸部３ａ３と、前記延伸部の根元において上方に突起する根元部３ａ１と、前記延伸部の先端において上方に突起する先端部３ａ２とを有し、前記根元部はシリコンウェハの周縁部を支持し、前記先端部はシリコンウェハの下面中央部を支持する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

天板と、前記天板に一端が固定され、他端が底板に固定された複数の支柱と、前記複数の支柱から径方向内側に突出するウェハ支持部とを有する縦型ウェハボートであって、
少なくとも１つの支柱に形成されるウェハ支持部が、シリコンウェハの径方向に伸びる延伸部と、前記延伸部の根元において上方に突起する根元部と、前記延伸部の先端において上方に突起する先端部とを有し、
前記根元部はシリコンウェハの周縁部を支持し、前記先端部はシリコンウェハの下面中央部を支持することを特徴とする縦型ウェハボート。

【請求項2】

前記複数の支柱に形成されるウェハ支持部が、それぞれシリコンウェハの径方向に伸びる延伸部と、前記延伸部の根元において上方に突起する根元部と、前記延伸部の先端において上方に突起する先端部とを有し、
前記根元部はシリコンウェハの周縁部を支持し、前記先端部はシリコンウェハの下面中央部を支持し、
前記シリコンウェハの下面中央部は、ウェハ中心点を含む領域であることを特徴とする請求項１に記載された縦型ウェハボート。

【請求項3】

前記シリコンウェハの下面中央部は、シリコンウェハの径に対しウェハ中心点から１０％以内の領域であることを特徴とする請求項２に記載された縦型ウェハボート。

【請求項4】

前記延伸部の上面から前記根元部及び前記先端部の上面までの高さ寸法が１００μｍ以上３００μｍ以下に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された縦型ウェハボート。

【請求項5】

前記ウェハ支持部において、前記根元部及び前記先端部の上面の周縁部は面取り加工がされた状態であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載された縦型ウェハボート。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、縦型ウェハボート及びシリコンウェハの熱処理方法に関し、特に半導体デバイスの製造に使用されるシリコンウェハを熱処理工程において保持する縦型ウェハボート及びそれを用いたシリコンウェハの熱処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体製造プロセスでは、シリコンウェハ（以下、ウェハとも呼ぶ）に対し酸化や拡散、ＣＶＤ等の熱処理が行われる。この熱処理時に使用されるウェハボートとしては、垂直に立設した複数（例えば４本）のボート支柱に対し、水平方向にウェハ支持部（ウェハ格納用溝）が延設された縦型ウェハボートが知られている。
そして、このウェハ支持部にウェハを搭載し、所定の熱処理を行うことで、高スループットを実現し、ウェハの量産化を図っている。

【0003】

従来の縦型ウェハボートにウェハを載置するとき、図７に示すようにウェハは縦型ウェハボート５０に立設された複数のボート支柱５１～５４の溝６０内に置かれて保持される。この溝６０はボートの支柱５１～５４の延在方向に対して直交方向に形成されている。
前記ボートの溝６０にウェハを水平に積層する場合、ウェハをその外周の数点（例えば４点）で保持する。ここで、ウェハを水平に保持した場合、ウェハの自重により、下方にくぼむ撓みが生ずる。
この結果、図８に示すように、ウェハＷはボートの溝６０の角と、点或いは線で接触することになる。

【0004】

ウェハＷの中央が撓み、その周縁部とボートの溝６０の角とが、点或いは線接触した場合、ウェハ周縁部が擦れ、パーティクルが発生する、或いはウェハ周縁部に傷が生じる虞が高くなる。即ち、パーティクルやウェハ周縁部の傷が生じると、それが歩留まりの悪化等の原因となるという課題があった。

【0005】

このような課題を解決するものとして、特許文献１には、図９（ａ）に平面図で示すように支柱７０の径方向内側に突出し、シリコンウェハＷの周縁部を保持する凸部７１、７５を備え、その先端を球状部７２に形成した縦型ウェハボートが開示されている。この縦型ウェハボートにおいて、例えば１つの凸部７５については、その長さを径方向に沿って、例えばウェハ中央まで長く形成することが記載されている。
このようにすれば、凸部７１先端が球状部７２であるため、ウェハ周縁部における擦れがなくなり、また、１つの凸部７５でウェハ中央を支持することでウェハ中央の撓み発生を抑制することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開平２－１８９２９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

しかしながら、特許文献１に開示された縦型ウェハボートにあっては、図９（ｂ）に示すように先端が球状部７２に形成された凸部７５がウェハ中央部まで径方向に延伸されている場合、その凸部７５に対向するウェハ周縁部Ｗ１が下方に撓むため、凸部７５の延伸部分７５ａがウェハ下面に接触し、そのウェハ下面の接触部分において傷が生じる虞があった。
そして、ウェハの下面に傷が生じると、その後のデバイス製造工程において、その傷が問題となることがあった。例えば、デバイス製造工程において、ピンチャック式のステッパを用いる場合、ピンチャックのピンの上にウェハの下面の傷が乗ったときに、デフォーカス（焦点不良）が生じる虞があった。
そのため、傷のあるウェハ下面の領域は製品に使用できず、歩留まりが低下するという課題があった。

【0008】

本発明は、複数のウェハ支持部を備えた縦型ウェハボートにおいて、シリコンウェハを熱処理する際に、シリコンウェハを撓ませずに支持することで、パーティクル、及び傷の発生を抑制し、歩留まり低下を抑制することのできる縦型ウェハボート及びそれを用いたシリコンウェハの熱処理方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

前記課題を解決するためになされた、本発明に係る縦型ウェハボートは、天板と、前記天板に一端が固定され、他端が底板に固定された複数の支柱と、前記複数の支柱から径方向内側に突出するウェハ支持部とを有する縦型ウェハボートであって、少なくとも１つの支柱に形成されるウェハ支持部が、シリコンウェハの径方向に伸びる延伸部と、前記延伸部の根元において上方に突起する根元部と、前記延伸部の先端において上方に突起する先端部とを有し、前記根元部はシリコンウェハの周縁部を支持し、前記先端部はシリコンウェハの下面中央部を支持することに特徴を有する。
尚、前記複数の支柱に形成されるウェハ支持部が、それぞれシリコンウェハの径方向に伸びる延伸部と、前記延伸部の根元において上方に突起する根元部と、前記延伸部の先端において上方に突起する先端部とを有し、前記根元部はシリコンウェハの周縁部を支持し、前記先端部はシリコンウェハの下面中央部を支持し、前記シリコンウェハの下面中央部は、ウェハ中心点を含む領域であることが望ましい。また、前記シリコンウェハの下面中央部は、シリコンウェハの径に対しウェハ中心点から１０％以内の位置に形成されていることが望ましい。
また、前記延伸部の上面から前記根元部及び前記先端部の上面までの高さ寸法が１００μｍ以上３００μｍ以下に形成されていることが望ましい。
また、前記ウェハ支持部において、前記根元部及び前記先端部の上面の周縁部は面取り加工がされた状態であることが望ましい。その場合、前記根元部及び前記先端部の上面の周縁部はＲ面に加工がされた状態でもよい。

【0010】

このように本発明は、シリコンウェハの周縁部を複数のウェハ支持部で支持する構成であって、少なくとも１本の支柱に形成されるウェハ支持部が、ウェハ径方向に伸びる延伸部を有し、延伸部の根元に上方に突起する根元部が形成され、延伸部の先端に上方に突起する先端部が形成される。そして、２つのウェハ支持部と根元部によりウェハ周縁部を支持するとともに、先端部によりウェハの下面中央部を支持する。
これによりシリコンウェハに熱処理を施した際に、シリコンウェハを撓ませずに支持することができ、パーティクル、及び傷の発生を抑制し、歩留まり低下を抑制することができる。

【0011】

また、前記課題を解決するためになされた、本発明に係るシリコンウェハの熱処理方法は、前記縦型ウェハボートを用いたシリコンウェハの熱処理方法であって、前記縦型ウェハボートが有する複数の第１のウェハ支持部によりシリコンウェハの周縁部を支持するとともに、前記縦型ウェハボートが有する少なくとも１つの第２のウェハ支持部により前記シリコンウェハの周縁部と下面中央部とを支持し、前記縦型ウェハボートに支持されたシリコンウェハに対し熱処理を施すことに特徴を有する。

【0012】

このような方法によれば、シリコンウェハに熱処理を施した際に、シリコンウェハを撓ませずに支持することができ、パーティクル、及び傷の発生を抑制し、歩留まり低下を抑制することができる。

【発明の効果】

【0013】

本発明によれば、複数のウェハ支持部を備えた縦型ウェハボートにおいて、シリコンウェハを熱処理する際に、シリコンウェハを撓ませずに支持することで、パーティクル、及び傷の発生を抑制し、歩留まり低下を抑制することのできる縦型ウェハボート及びそれを用いたシリコンウェハの熱処理方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】図１は、本実施形態に係る縦型ウェハボートの全体を示す正面図である。

【図2】図２は、図１に示した縦型ウェハボートが有する一組のウェハ支持部のウェハ支持位置を示す平面図である。

【図3】図３は、図１に示した縦型ウェハボートが有する一ウェハ支持部のウェハ支持位置を示す側面図である。

【図4】図４は、ウェハ支持部を拡大して示す斜視図である。

【図5】図５は、他のウェハ支持部を拡大して示す斜視図である。

【図6】図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の変形例を示す平面図である。

【図7】図７は、従来の縦型ウェハボートの全体を模式的に示す正面図である。

【図8】図８は、従来の縦型ウェハボートにおけるシリコンウェハの載置例を示す側面図である。

【図9】図９（ａ）、（ｂ）は、従来の縦型ウェハボートの他の構成を示す平面図及び側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、本発明に係る縦型ウェハボート及びそれを用いたシリコンウェハの熱処理方法の実施形態について図面に基づき説明する。図１は、本実施形態に係る縦型ウェハボートの全体を示す正面図である。図２は、図１に示した縦型ウェハボートが有する一組のウェハ支持部のウェハ支持位置を示す平面図である。また、図３は、図１に示した縦型ウェハボートが有する一ウェハ支持部のウェハ支持位置を示す側面図である。

【0016】

図１に示すように、縦型ウェハボート１は、ウェハ挿入方向の始端側に配された２本の支柱２と、ウェハ挿入方向の終端側に配された１本の支柱３とを具備している。前記各支柱２、３の下端部は、円板形状の底板５に立設（固定）され、さらに各支柱２の上端部は、円板状の天板４によって支持（固定）されている。

【0017】

図１に示すように前記各支柱２、３には、それぞれ多数のシリコンウェハＷを支持するために複数の板状のウェハ支持部２ａ、３ａが形成されている。各支柱２、３におけるウェハ支持部２ａ、３ａは、縦方向に５０～１５０個、多段に形成されている。

【0018】

図２、図３に示すようにウェハ支持部３ａは、ウェハ径方向に例えば直線状に延びる延伸部３ａ３を有し、延伸部３ａ３の根元に上方に突起する根元部３ａ１が形成され、延伸部３ａ３の先端に上方に突起する先端部３ａ２が形成されている。図示するように根元部３ａ１と先端部３ａ２の上面がウェハＷ下面に接するように形成されている。また、ウェハＷを支持した際に、図３に示すように延伸部３ａ３とウェハＷとの間には空隙部Ｓが形成される。

【0019】

ここで、ウェハ支持部３ａの先端部３ａ２は、ウェハＷの中央部Ｃ（破線で示す領域）の下面を支持するように、ウェハ支持部３ａの長さが形成されている。また、ウェハ支持部３ａの根元部３ａ１は、ウェハＷの周縁部を支持する。そのため、２つのウェハ支持部２ａと併せて、従来の３箇所のウェハ周縁部支持の構成に加え、ウェハＷの下面の中央部Ｃを支持する構成となり、ウェハＷの中央及び周縁部の撓みを抑制することができる。
前記ウェハＷの中央部Ｃは、ウェハ中心点を含む領域であり、シリコンウェハＷの径に対しウェハ中心点から１０％以内の位置に形成されている。前記中央部ＣがシリコンウェハＷの径に対しウェハ中心点から１０％を超える位置に形成されている場合、ウェハ中央の撓みが大きくなりすぎる虞がある。

【0020】

また、図３に示すようにウェハ支持部３ａにおいて、延伸部３ａ３の上面から根元部３ａ１及び先端部３ａ２の上面までの高さ寸法、即ち空隙部Ｓの高さ寸法ｄは、１００μｍ以上３００μｍ以下に形成されている。空隙部Ｓの高さ寸法ｄが１００μｍ未満の場合、延伸部３ａ３がウェハＷの下面に接触する虞がある。また、空隙部Ｓの高さ寸法ｄが３００μｍより大きい場合、ウェハ保持部の強度が低下する。

【0021】

図４は、ウェハ支持部３ａを拡大して示す斜視図である。根元部３ａ１の上面側において、前端部及び左右両側端部は、シリコンウェハＷを載置する際の接触により根元部３ａ１の欠けやウェハＷへの傷つけ、パーティクルの発生等を防止するために、面取りされたＲ面３ａ１ａが形成されている。
同様に、先端部３ａ２の上面側において、前後端部及び左右両側端部には、シリコンウェハＷを載置する際の接触により先端部３ａ２の欠けやウェハＷへの傷つけ、パーティクルの発生等を防止するために、面取りされたＲ面３ａ２ａが形成されている。

【0022】

また、図５は、ウェハ支持部２ａを拡大して示す斜視図である。ウェハ支持部２ａの上面側において、前端部及び左右両側端部は、シリコンウェハＷを載置する際の接触によりウェハ支持部２ａの欠けやウェハＷへの傷つけ、パーティクルの発生等を防止するために、面取りされたＲ面２ａ１が形成されている。

【0023】

また、図４、図５に示すように上下に隣り合うウェハ支持部２ａ、３ａのピッチｔ１は、例えば１２ｍｍに形成され、各ウェハ支持部２ａ、根元部３ａ１、先端部３ａ３の厚さｔ２は、例えば８ｍｍに形成されている。
また、ウェハ支持部２ａ、根元部３ａ１、先端部３ａ３の上面の径方向長さｔ３は、例えば８ｍｍに形成されている。ウェハ支持部２ａ、根元部３ａ１、先端部３ａ３の上面の周方向幅（横幅）ｔ４は、例えば１５ｍｍに形成されている。

【0024】

また、この縦型ウェハボート１は、ＳｉＣ質基材により形成されるが、基材内部から外方への不純物の拡散を抑制するために、その表面にＳｉＣ膜を被覆させることが望ましい。前記ＳｉＣ質基材としては、反応焼結ＳｉＣすなわちカーボン成分を含むＳｉＣ焼成体にＳｉを含浸し、前記カーボン成分とＳｉの一部とが反応し、ＳｉＣ化されたＳｉ－ＳｉＣであることが好ましい。或いは、ＳｉＣの成形体を高温で熱処理した再結晶質ＳｉＣ、焼結助剤を添加し焼結した自焼結ＳｉＣ等でもよい。また、前記ＳｉＣ膜としては、高純度で結晶質のＳｉＣ膜を形成することのできるＣＶＤによるＳｉＣ膜が好ましい。

【0025】

このような縦型ウェハボート１は次のようにして製造することができる。
まず、ＳｉＣ質基材を支柱２、３、天板４、底板５を所定の形状に機械加工して製作する。ウェハ支持部３ａの形成においては、延伸部３ａ３の長さをウェハＷの径によって決定する。即ち、延伸部３ａ３の先端に形成する先端部３ａ２の上面がウェハＷの下面中央（中央部Ｃ）に位置するように延伸部３ａ３の長さを決定し形成する。

【0026】

また、ウェハ支持部３ａにおいて、延伸部３ａ３の上面と、根元部３ａ１及び先端部３ａ２の上面との高さ方向長さの差、即ち空隙部Ｓの高さ（深さ）ｄが、１００μｍ以上３００μｍ以下となるように形成する。
また、各ウェハ支持部２ａ、根元部３ａ１、及び先端部３ａ２の上面側の周縁部は面取り加工を施す。ここで、図４、図５に示したようにＲ面取り加工を施すことが好ましいが、単に上面縁部の鋭角部を斜めにカットするようにしてもよい（Ｃ面取り加工を施してもよい）。

【0027】

その後、支柱２、３、天板４、底板５を組み立てる。この際、シリコンウェハＷの下面中央（中央部Ｃ）に、ウェハ支持部３ａの先端部３ａ２が位置するように支柱３を配置する。また、ウェハ支持部２ａをウェハＷ側に向けて２本の支柱２を配置する。
上記組み立て後、ボート表面にＳｉＣ被覆膜をＣＶＤ法により形成し、本発明の縦型ウェハボート１が得られる。

【0028】

このように製造された縦型ウェハボート１を用いて、シリコンウェハＷの熱処理を行う場合、支柱２、３の各段に形成されたウェハ支持部２ａ（第１のウェハ支持部）、及びウェハ支持部３ａ（第２のウェハ支持部）において、シリコンウェハＷの周縁部を２つのウェハ支持部２ａと、１つのウェハ支持部３ａの根元部３ａ１とにより保持する。
さらに、前記ウェハ支持部３ａの先端部３ａ２によりシリコンウェハＷの下面中央（中央部Ｃ）を支持する。即ち、ウェハ支持部３ａにおいて、延伸部３ａ３の根元側に形成された根元部３ａ１の上面によりウェハ周縁部を支持するとともに、延伸部３ａ３の先端側に形成された先端部３ａ２の上面によりウェハ下面中央（中央部Ｃ）を支持する。

【0029】

同様にして、複数のシリコンウェハＷを支柱２、３の各段に形成されたウェハ支持部２ａ、３ａにより保持した後、縦型ウェハボート１を炉内に配置し、所定の熱処理を実施する。
ここで、ウェハ支持部３ａは、その先端部３ａ２によりウェハ下面中央部Ｃを支持するため、ウェハ中央の下方への撓みが抑制される。さらに、ウェハ支持部３ａにおいて、延伸部３ａ３の根元部３ａ１によりウェハ周縁部を支持するため、ウェハ周縁部が下方に撓むことがなく、延伸部３ａ３とウェハ下面との接触が防止される。

【0030】

以上のように本発明に係る実施の形態によれば、シリコンウェハＷの周縁部を複数のウェハ支持部２ａ、３ａで支持する構成であって、１本の支柱３に形成されるウェハ支持部３ａが、ウェハＷ径方向に伸びる延伸部３ａ３を有し、延伸部３ａ３の根元に上方に突起する根元部３ａ１が形成され、延伸部３ａ３の先端に上方に突起する先端部３ａ２が形成される。そして、２つのウェハ支持部２ａと根元部３ａ１によりウェハＷ周縁部を支持するとともに、先端部３ａ２によりウェハＷの下面中央を支持する。
これによりシリコンウェハＷに熱処理を施した際に、シリコンウェハＷを撓ませずに支持することができ、パーティクル、及び傷の発生を抑制し、歩留まり低下を抑制することができる。

【0031】

尚、前記実施の形態においては、３本の支柱２、３に形成されたウェハ支持部２ａ、３ａによりシリコンウェハＷを支持する構成としたが、本発明にあっては、その構成に限定されるものではない。
例えば、４本の支柱に形成されたウェハ支持部によりシリコンウェハＷを支持するようにしてもよい。その場合、図６（ａ）に示すように支柱２を２本、支柱３を２本の構成とし、２つの先端部３ａ２によりシリコンウェハＷの下面中央部Ｃを支持するようにしてもよい。或いは、図６（ｂ）に示すように支柱２を３本、支柱３を１本の構成としてもよい。

【0032】

また、前記実施の形態においては、ウェハ支持部３ａの先端部３ａ２によりウェハ下面中央（中央部Ｃ）を支持するものとしたが、これはシリコンウェハＷの中心点を支持する構成に限らず、破線で示したウェハ中央部Ｃの領域内であれば、先端部２ａ２の支持位置がウェハ中心点よりも前後或いは左右に前後してもよい。

【0033】

また、前記実施の形態においては、ウェハボート１は、ＳｉＣ基材の表面にＳｉＣ膜を形成したものとしたが、本発明にあっては、その構成に限定されず、例えば、ＳｉＣ基材のみで形成されたものでもよい。

【実施例0034】

本発明に係る縦型ウェハボートについて、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、前記実施の形態に示した縦型ウェハボートを製造し、得られた縦型ウェハボートを用いてウェハの熱処理を行うことによりその性能を検証する実験を行った。

【0035】

（実験１）
実験１では、縦型ウェハボートに直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、４回の操業を連続して実施し、ウェハ上におけるパーティクル、傷の発生を観察した。

【0036】

（実施例１）
実施例１では、図１乃至図５に示した縦型ウェハボート１（直径３００ｍｍのシリコンウェハ用）を製造し、この縦型ウェハボート１に直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、４回の操業を連続して実施し、ウェハ上におけるパーティクル、傷の発生を観察した。

【0037】

（比較例１）
比較例１では、従来のように３本の支柱に形成されたウェハ支持部でシリコンウェハの周縁部を支持する縦型ウェハボート（直径３００ｍｍのシリコンウェハ用）を製造し、この縦型ウェハボートに直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、４回の操業を連続して実施し、ウェハ上におけるパーティクル、傷の発生を観察した。

【0038】

表１に実験１の結果を示す。尚、表１において、○は傷なし、△は傷が４箇所以下、×は傷が５箇所以上を示す。
表１に示すように実施例１では、４回の操業のうち、いずれもパーティクル発生数はゼロとなり、ウェハ下面の傷も確認されなかった。
一方、比較例１では、いずれの操業でも２０個以上のパーティクルが確認され、更にウェハ下面の傷が確認された。

【0039】

【表1】

【0040】

（実験２）
実験２では、図１乃至図５に示した構成の縦型ウェハボートにおいて、空隙部Ｓの高さｄについて最適値を検証した。

【0041】

（実施例２）
実施例２では、空隙部Ｓの高さｄを１００μｍとした縦型ウェハボート（直径３００ｍｍのシリコンウェハ用）を製造し、この縦型ウェハボートに直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、１回の操業を連続して実施し、ウェハ上におけるパーティクル、傷を観察した。

【0042】

（実施例３）
実施例３では、空隙部Ｓの高さｄを３００μｍとした縦型ウェハボート（直径３００ｍｍのシリコンウェハ用）を製造し、この縦型ウェハボートに直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、１回の操業を連続して実施し、ウェハ上におけるパーティクル、傷を観察した。

【0043】

（比較例２）
比較例２では、空隙部Ｓの高さｄを９５μｍとした縦型ウェハボート（直径３００ｍｍのシリコンウェハ用）を製造し、この縦型ウェハボートに直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、１回の操業を連続して実施し、ウェハ上におけるパーティクル、傷を観察した。

【0044】

（比較例３）
比較例３では、空隙部Ｓの高さｄを３１０μｍとした縦型ウェハボートを製造し、この縦型ウェハボートに直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、１回の操業を連続して実施し、ウェハ上におけるパーティクル、傷を観察した。

【0045】

実験２の結果を表２に示す。尚、表２において、○は傷なし、△は傷が４箇所以下、×は傷が５箇所以上を示す。
表２に示すように実施例２、３では、パーティクル発生数はゼロとなり、ウェハ下面の傷も確認されなかった。
一方、比較例２、３では、２０個以上のパーティクルが確認され、更にウェハ下面の傷が確認された。

【0046】

【表2】

【0047】

本実施例の結果、空隙部の深さｄを１００μｍ以上３００μｍ以下に形成した本発明の構成により、熱処理においてシリコンウェハを撓ませることなく支持し、パーティクルや傷の発生を抑えることができることを確認した。

【符号の説明】

【0048】

１ ウェハボート
２ 支柱
２ａ ウェハ支持部（第１のウェハ支持部）
２ａ１ Ｒ面
３ 支柱
３ａ ウェハ支持部（第２のウェハ支持部）
３ａ１ 根元部
３ａ１ａ Ｒ面
３ａ２ 先端部
３ａ２ａ Ｒ面
３ａ３ 延伸部
４ 天板
５ 底板
Ｃ 中央部（下面中央部）
Ｓ 間隙
Ｗ シリコンウェハ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】