特開 2023-90635 基板処理装置および方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023090635

(43)【公開日】2023-06-29

(54)【発明の名称】基板処理装置および方法

(51)【国際特許分類】

   B65G 51/03 20060101AFI20230622BHJP

   H01L 21/677 20060101ALI20230622BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20230622BHJP

【ＦＩ】

B65G51/03 E

H01L21/68 A

H01L21/30 562

【審査請求】有

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022172263

(22)【出願日】2022-10-27

(31)【優先権主張番号】10-2021-0181800

(32)【優先日】2021-12-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】598123150

【氏名又は名称】セメス株式会社

【氏名又は名称原語表記】ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】７７，４ｓａｎｄａｎ ５－ｇｉｌ，Ｊｉｋｓａｎ－ｅｕｐ，Ｓｅｏｂｕｋ－ｇｕ，Ｃｈｅｏｎａｎ－ｓｉ，Ｃｈｕｎｇｃｈｅｏｎｇｎａｍ－ｄｏ，３３１－８１４ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110000671

【氏名又は名称】ＩＢＣ一番町弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】オ，ヨン キュ

(72)【発明者】

【氏名】イ，ジュン ソ

(72)【発明者】

【氏名】ホン，チュン オ

(72)【発明者】

【氏名】ジョン，チャン ファ

【テーマコード（参考）】

5F131

5F146

【Ｆターム（参考）】

5F131BA11

5F131BA12

5F131BA13

5F131BA14

5F131BA37

5F131CA07

5F131CA24

5F131CA32

5F131CA53

5F131DC12

5F131DC14

5F131DC15

5F131DC22

5F131EA02

5F131EA06

5F131EA22

5F131EA23

5F131EB41

5F131EB55

5F146JA27

5F146KA07

5F146LA11

(57)【要約】      （修正有）

【課題】多様な種類の基板を安定的に搬送できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は基板を第１方向Ｘに搬送して、前記第１方向Ｘと異なる第２方向Ｙに配置された第１領域１１ａ、１１ｂと第２領域１２ａ、１２ｂ、１２ｃを含む浮上ステージと、前記第１領域１１ａ、１１ｂに設けられ、前記基板を搬送するための多数のローラ１１０と、前記第１領域１１ａ、１１ｂに設けられ、第１圧力で空気を吸い込む多数の第１真空孔１３１と、前記第２領域１２ａ、１２ｂ、１２ｃに設けられ、前記第１圧力と異なる第２圧力で空気を吸い込む多数の第２真空孔１３２を含む。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を第１方向に搬送して、前記第１方向と異なる第２方向に配置された第１領域と第２領域を含む浮上ステージと、
前記第１領域に設けられ、前記基板を搬送するための多数のローラと、
前記第１領域に設けられ、第１圧力で空気を吸い込む多数の第１真空孔と、
前記第２領域に設けられ、前記第１圧力と異なる第２圧力で空気を吸い込む多数の第２真空孔と、を含む、基板処理装置。

【請求項2】

前記第１圧力は、前記基板の厚さによって異なるように制御される、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記第２圧力は、前記基板上に形成された膜の種類によって制御される、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記第１領域は多数個であり、前記第２領域は多数個であり、前記多数の第１領域と前記多数の第２領域は前記第２方向に沿って交互に配置される、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記多数の第１領域に対応するように設けられた第１弁モジュールをさらに含み、
前記第１弁モジュールは互いに並列に配置される多数の第１弁ユニットを含み、
前記多数の第１弁ユニットのうちいずれか一つは前記基板が第１厚さであるとき使用され、他の一つは前記基板が第２厚さであるとき使用される、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記多数の第２領域それぞれに対応するように設けられた多数の第２弁モジュールをさらに含み、
前記第２弁モジュールは互いに並列に配置された多数の第２弁ユニットを含み、
前記多数の第２弁モジュールのうち少なくとも２個は、開閉量が互いに異なるように制御された、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記多数の第２弁モジュールに対応するように設けられた第３弁モジュールを含み、
前記第３弁モジュールは互いに並列に配置された多数の第３弁ユニットを含む、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記第１領域に設けられ、圧縮空気を噴射する多数の第１噴射孔と、
前記第２領域に設けられ、圧縮空気を噴射する多数の第２噴射孔をさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記浮上ステージは、
前記基板に引込まれるインステージ（ｉｎ－ｓｔａｇｅ）と、
前記引込まれた基板の工程が行われる精密ステージを含み、
前記第１領域と前記第２領域は前記インステージに設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項10】

基板を第１方向に搬送して、前記第１方向と異なる第２方向に多数の第１領域と多数の第２領域が交互に配置された浮上ステージと、
前記第１領域に設けられ、前記基板を搬送するための多数のローラと、
前記第１領域に設けられ、第１圧力で空気を吸い込む多数の第１真空孔と、
前記第１領域に設けられ、圧縮空気を噴射する多数の第１噴射孔と、
前記第２領域に設けられ、第２圧力で空気を吸い込む多数の第２真空孔と、
前記第２領域に設けられ、圧縮空気を噴射する多数の第２噴射孔と、
前記基板の厚さによって前記第１圧力の大きさを制御し、前記基板上に形成された膜の種類によって前記第２圧力の大きさを制御する制御部と、を含む、基板処理装置。

【請求項11】

前記多数の第１領域に対応するように設けられた第１弁モジュールをさらに含み、前記第１弁モジュールは互いに並列に配置される多数の第１弁ユニットを含む、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記多数の第２領域それぞれに対応するように設けられた多数の第２弁モジュールと、前記多数の第２弁モジュールに対応するように設けられた第３弁モジュールを含み、前記第２弁モジュールは互いに並列に配置された多数の第２弁ユニットを含み、前記第３弁モジュールは互いに並列に配置された多数の第３弁ユニットを含む、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記基板のセンター領域がエッジ領域より上方向に反ると、
前記センター領域に対応する第２領域に設けられた多数の第２真空孔は、前記エッジ領域に対応する第２領域に設けられた多数の第２真空孔よりもより大きい圧力で空気を吸い込む、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項14】

前記基板のエッジ領域がセンター領域より上方向に反ると、
前記エッジ領域に対応する第２領域に設けられた多数の第２真空孔は、前記センター領域に対応する第２領域に設けられた多数の第２真空孔よりもより大きい圧力で空気を吸い込む、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項15】

前記浮上ステージは、
前記基板に引込まれるインステージ（ｉｎ－ｓｔａｇｅ）と、
前記引込まれた基板の工程が行われる精密ステージを含み、
前記多数の第１領域と前記多数の第２領域は前記インステージに設けられる、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項16】

前記制御部はインデクサ（ｉｎｄｅｘｅｒ）から前記基板の固有番号の提供を受けて、前記固有番号と関連して保存された前記基板の情報をリードして、前記第１圧力および前記第２圧力を制御する、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項17】

前記浮上ステージはエアーフローティングコーター（Ａｉｒ Ｆｌｏａｔｉｎｇ Ｃｏａｔｅｒ）内に設けられる、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項18】

幅方向に配置される第１領域と第２領域を含む浮上ステージと、前記第１領域に設けられ、基板を搬送するための多数のローラと、前記第１領域に設けられ、第１圧力で空気を吸い込む多数の第１真空孔と、前記第２領域に設けられ、第２圧力で空気を吸い込む多数の第２真空孔と、前記第１圧力および第２圧力を制御する制御部を含む基板処理装置が提供され、
前記基板の固有番号の提供を受け、
前記浮上ステージに基板が引込まれ、
前記固有番号に基づいて、前記基板の厚さと、前記基板上に形成された膜の種類に係る情報を取得し、
前記基板の厚さによって前記第１圧力の大きさを制御し、前記基板上に形成された膜の種類によって前記第２圧力の大きさを制御することを含む、基板処理方法。

【請求項19】

前記第１領域は多数個であり、前記第２領域は多数個であり、前記多数の第１領域と前記多数の第２領域は前記幅方向に沿って交互に配置され、
前記多数の第１領域に対応するように設けられた第１弁モジュールをさらに含み、前記第１弁モジュールは互いに並列に配置される多数の第１弁ユニットを含み、
前記多数の第１弁ユニットのうちいずれか一つは前記基板が第１厚さであるとき使用され、他の一つは前記基板が第２厚さであるとき使用される、請求項１８に記載の基板処理方法。

【請求項20】

前記多数の第２領域それぞれに対応するように設けられた多数の第２弁モジュールをさらに含み、前記第２弁モジュールは互いに並列に配置された多数の第２弁ユニットを含み、
前記多数の第２弁モジュールに対応するように設けられた第３弁モジュールを含み、前記第３弁モジュールは互いに並列に配置された多数の第３弁ユニットを含む、請求項１９に記載の基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は基板処理装置および方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ディスプレイ装置を製造する際には、写真、エッチング、アッシング、イオン注入、薄膜蒸着、洗浄など多様な工程が実施される。ここで、写真工程は塗布、露光、そして現像工程を含む。基板上に感光膜を形成し（すなわち、塗布工程）、感光膜が形成された基板上に回路パターンを露光して（すなわち、露光工程）、基板の露光処理された領域を選択的に現像する（すなわち、現像工程）。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

一方、このような工程を行う際、浮上ステージを用いて基板を浮上させて搬送することができる。浮上ステージを用いて、多様な種類の基板（例えば、厚さが異なる基板、前段階の工程によって反り現象（ｗａｒｐａｇｅ）が発生した基板など）を搬送することにより、搬送不良（例えば、基板スリップ（ｓｌｉｐ）、整列ずれなど）がしばしば発生する。

【0004】

本発明が解決しようとする課題は、多様な種類の基板を安定的に搬送できる基板処理装置を提供することにある。

【0005】

本発明が解決しようとする他の課題は、多様な種類の基板を安定的に搬送できる基板処理方法を提供することにある。

【0006】

本発明の課題は以上で言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は以下の記載から当業者に明確に理解されるものである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

前記課題を達成するための本発明の基板処理装置の一面（ａｓｐｅｃｔ）は、基板を第１方向に搬送して、前記第１方向と異なる第２方向に配置された第１領域と第２領域を含む浮上ステージと、前記第１領域に設けられ、前記基板を搬送するための多数のローラと、前記第１領域に設けられ、第１圧力で空気を吸い込む多数の第１真空孔と、前記第２領域に設けられ、前記第１圧力と異なる第２圧力で空気を吸い込む多数の第２真空孔と、を含む。

【0008】

前記課題を達成するための本発明の基板処理装置の他の面は、基板を第１方向に搬送して、前記第１方向と異なる第２方向に多数の第１領域と多数の第２領域が交互に配置された浮上ステージと、前記第１領域に設けられ、前記基板を搬送するための多数のローラと、前記第１領域に設けられ、第１圧力で空気を吸い込む多数の第１真空孔と、前記第１領域に設けられ、圧縮空気を噴射する多数の第１噴射孔と、前記第２領域に設けられ、第２圧力で空気を吸い込む多数の第２真空孔と、前記第２領域に設けられ、圧縮空気を噴射する多数の第２噴射孔と、前記基板の厚さによって前記第１圧力の大きさを制御して、前記基板上に形成された膜の種類によって前記第２圧力の大きさを制御する制御部と、を含む。

【0009】

前記他の課題を達成するための本発明の基板処理方法の一面は、幅方向に配置される第１領域と第２領域を含む浮上ステージと、前記第１領域に設けられ、基板を搬送するための多数のローラと、前記第１領域に設けられ、第１圧力で空気を吸い込む多数の第１真空孔と、前記第２領域に設けられ、第２圧力で空気を吸い込む多数の第２真空孔と、前記第１圧力および第２圧力を制御する制御部を含む基板処理装置が提供され、前記基板の固有番号の提供を受け、前記浮上ステージに基板が引込まれ、前記固有番号に基づいて、前記基板の厚さと、前記基板上に形成された膜の種類に係る情報を取得し、前記基板の厚さによって前記第１圧力の大きさを制御し、前記基板上に形成された膜の種類によって前記第２圧力の大きさを制御することを含む。

【0010】

その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の第１実施形態による基板処理装置を説明するための斜視図である。

【図2】図１の第１領域および第２領域を説明するための平面図である。

【図3】図１のＩＩＩ－ＩＩＩに沿って切断した断面図である。

【図4】図３に示す第１弁モジュールを具体的に示す図である。

【図5】図３に示す第２弁モジュールを具体的に示す図である。

【図6】本発明の第１実施形態による基板処理装置の第１動作を説明するための図である。

【図7】本発明の第１実施形態による基板処理装置の第１動作を説明するための図である。

【図8】本発明の第１実施形態による基板処理装置の第２動作を説明するための概念図である。

【図9】本発明の第２実施形態による基板処理装置を説明するための図である。

【図10】本発明の第３実施形態による基板処理装置を説明するための平面図である。

【図11】本発明の第４実施形態による基板処理装置を説明するための図である。

【図12】本発明のいくつかの実施形態による基板処理方法を説明するためのフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、添付する図面を参照して本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施形態を参照することで明確になる。しかし、本発明は以下に開示される実施形態に限定されるものではなく互いに異なる多様な形態で実現することができ、本実施形態は単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を指すものとする。

【0013】

空間的に相対的な用語である「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」などは図面に示されているように一つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために使用される。空間的に相対的な用語は図面に示されている方向に加えて使用時または動作時の素子の互いに異なる方向を含む用語として理解しなければならない。例えば、図面に示されている素子をひっくり返す場合、他の素子の「下（ｂｅｌｏｗ）」または「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」と記述された素子は他の素子の「上（ａｂｏｖｅ）」に置かれ得る。したがって、例示的な用語の「下」は下と上の方向をすべて含むことができる。素子は他の方向に配向されてもよく、そのため空間的に相対的な用語は配向によって解釈されることができる。

【0014】

第１、第２などが多様な素子、構成要素および／またはセクションを叙述するために使われるが、これらの素子、構成要素および／またはセクションはこれらの用語によって制限されないのはもちろんである。これらの用語は単に一つの素子、構成要素またはセクションを他の素子、構成要素またはセクションと区別するために使用する。したがって、以下で言及する第１素子、第１構成要素または第１セクションは本発明の技術的思想内で第２素子、第２構成要素または第２セクションであり得るのはもちろんである。以下、「多数」には、例えば「複数」が含まれ得る。

【0015】

以下、添付する図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。、添付図面を参照して説明するにあたり図面符号に関係なく同一であるかまたは対応する構成要素は同じ参照番号を付与し、これに係る重複する説明は省略する。

【0016】

図１は本発明の第１実施形態による基板処理装置を説明するための斜視図である。

【0017】

図１を参照すると、本発明の第１実施形態による基板処理装置は第１方向（例えば、Ｘ方向）に延びた浮上ステージ１を含む。

【0018】

浮上ステージ１は基板が引込まれるインステージ（ｉｎ－ｓｔａｇｅ，１０）、引込まれた基板の工程が行われる精密ステージ２０、工程が完了した基板が退出するアウトステージ（ｏｕｔ－ｓｔａｇｅ，３０）を含む。

【0019】

精密ステージ２０で基板の工程が行われるので、基板の位置を正確に制御する必要がある。したがって、精密ステージ２０には基板を浮上させるために圧縮空気を噴射するエアホールと、空気を吸い込んで基板を正確に位置させる真空孔が設けられることができる。ここで、工程は基板上に感光膜または光反射防止膜を塗布する工程であり得るが、これに限定されない。

【0020】

後述するが、インステージ１０は多数の第１領域１１と、多数の第２領域１２を含む。多数の第１領域１１と多数の第２領域１２は、第１方向（例えば、Ｘ方向）と異なる第２方向（例えば、Ｙ方向）に配置される。また、多数の第１領域１１と多数の第２領域１２は交互に配置される。図１では２個の第１領域１１と３個の第２領域１２を示したが、これに限定されない。すなわち、第１領域１１は３個以上であり得、隣接する第１領域１１の間に第２領域１２が配置される。

【0021】

図２は図１の第１領域および第２領域を説明するための平面図である。図３は図１のＩＩＩ－ＩＩＩに沿って切断した断面図である。図４は図３に示す第１弁モジュールを具体的に示す図である。図５は図３に示す第２弁モジュールを具体的に示す図である。

【0022】

図２および図３を参照すると、多数の第１領域１１ａ，１１ｂと多数の第２領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃは第２方向（例えば、Ｙ方向）に配置される。第２方向に沿って、第２領域１２ｂ、第１領域１１ａ、第２領域１２ａ、第１領域１１ｂ、第２領域１２ｃ順に配置される。

【0023】

ベースプレート１９には、多数の貫通孔１１８、多数の第１真空孔１３１、多数の第１噴射孔１４１、多数の第２真空孔１３２および多数の第２噴射孔１４２が形成されている。

【0024】

第１領域１１ａ，１１ｂには、基板を搬送するための多数のローラ１１０が配置される。多数のローラ１１０は第３方向に（すなわち、Ｚ方向に）貫通孔１１８を貫通して、ベースプレート１９の上面に露出する。多数のローラ１１０は駆動シャフト１２０と連結され、駆動シャフト１２０は駆動モータ１２１と連結される。したがって、駆動モータ１２１が提供する回転力によって駆動シャフト１２０は回転し、そのため多数のローラ１１０が回転する。

【0025】

また、第１領域１１ａ，１１ｂには、多数の第１噴射孔１４１と多数の第１真空孔１３１がさらに配置される。

【0026】

多数の第１噴射孔１４１で圧縮空気を噴射し、基板とベースプレート１９の間の距離を制御する。図３において、多数の第１噴射孔１４１と、多数の第１噴射孔１４１を制御するための弁モジュールは図示しない。

【0027】

多数の第１真空孔１３１は第１圧力で空気を吸い込むためのものである。第１圧力で空気を吸い込むことによって、基板がローラ１１０と接触することができるようにする。したがって、ローラ１１０の回転に伴い、基板Ｇが第１方向に容易に搬送されるようにする。特に、第１圧力の大きさは基板の厚さによって調節することができる。

【0028】

具体的に説明すると、第１弁モジュール１５０は多数の第１領域１１ａ，１１ｂに対応するように設けられる。すなわち、第１弁モジュール１５０は多数の第１領域１１ａ，１１ｂに設けられた多数の第１真空孔１３１と流体的に（ｆｌｕｉｄｌｙ）連結される。第１弁モジュール１５０は制御部１９０の制御に従って、多数の第１真空孔１３１に提供する第１圧力の大きさを調節することができる。

【0029】

メモリ１９２は、例えば、基板の厚さと対応する第１圧力の大きさを保存することができる。したがって、制御部１９０は基板の厚さに基づいて、メモリ１９２から対応する第１圧力の大きさを算出することができる。制御部１９０は算出された第１圧力の大きさを考慮して、第１弁モジュール１５０を制御する。

【0030】

ここで、図４を参照すると、第１弁モジュール１５０は互いに並列に配置された多数の第１弁ユニット１５１，１５２を含む。図４では例示的に２個の第１弁ユニット１５１，１５２を示したが、これに限定されない。

【0031】

第１弁ユニット１５１は例えば、ソレノイド弁１５１１と、流量調節弁１５１２を含む。第１弁ユニット１５２は例えば、ソレノイド弁１５２１と、流量調節弁１５２２を含む。２個の流量調節弁１５１２，１５２２は互いに異なる流量にあらかじめ設定されている。すなわち、２個の流量調節弁１５１２，１５２２は開閉量が互いに異なるようにあらかじめ設定されることができる。２個のソレノイド弁１５１１，１５２１は制御部１９０の制御に従ってオン／オフされる。

【0032】

このような構成において、基板の厚さが第１厚さであれば、制御部１９０はソレノイド弁１５１１をターンオンして、流量調節弁１５１２により設定された第１大きさの第１圧力が多数の第１真空孔１３１に提供される。

【0033】

また、基板Ｇの厚さが第２厚さであれば、制御部１９０はソレノイド弁１５２１をターンオンして、流量調節弁１５２２により設定された第２大きさの第１圧力が多数の第１真空孔１３１に提供される。

【0034】

再び図２および図３を参照すると、第２領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃには、多数の第２噴射孔１４２と多数の第２真空孔１３２が配置される。

【0035】

多数の第２噴射孔１４２で圧縮空気を噴射して、基板とベースプレート１９の間の距離を制御する。図３において、多数の第２噴射孔１４２と、多数の第２噴射孔１４２を制御するための弁モジュールは図示しない。

【0036】

多数の第２真空孔１３２は第２圧力で空気を吸い込むためのものである。第２圧力は基板上に形成された膜の種類によって制御することができる。これについては図８を用いて後述する。第２圧力は第１圧力とは別に、第１圧力と異なるように制御することができる。

【0037】

また、多数の第２領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃそれぞれに提供される第２圧力の大きさは互いに異なってもよい。具体的に説明すると、多数の第２領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃそれぞれに対応するように多数の第２弁モジュール１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃが設けられる。例えば、第２弁モジュール１６０ａは第２領域１２ａに設けられた多数の第２真空孔１３２と流体的に連結され、第２弁モジュール１６０ｂは第２領域１２ｂに設けられた多数の第２真空孔１３２と流体的に連結され、第２弁モジュール１６０ｃは第２領域１２ｃに設けられた多数の第２真空孔１３２と流体的に連結される。第２弁モジュール１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃは制御部１９０の制御に従って、第２圧力の大きさを調節することができる。

【0038】

メモリ１９２は、例えば、基板上に形成された膜の種類と対応する第２圧力の大きさを保存することができる。したがって、制御部１９０は基板上に形成された膜の種類に基づいて、メモリ１９２から対応する第２圧力の大きさを算出することができる。制御部１９０は算出された第２圧力の大きさを考慮して、第２弁モジュール１６０ａ、１６０ｂ，１６０ｃを制御する。例えば、第２弁モジュール１６０ａを介して提供される第２圧力は第３大きさを有し、第２弁モジュール１６０ｂ，１６０ｃを介して提供される第２圧力は第３大きさより大きい第４大きさを有することができる。逆に、第２弁モジュール１６０ａを介して提供される第２圧力は第４大きさを有し、第２弁モジュール１６０ｂ，１６０ｃを介して提供される第２圧力は第４大きさより小さい第３大きさを有することができる。

【0039】

ここで、図５を参照すると、第２弁モジュール１６０ａは互いに並列に配置された多数の第２弁ユニット１６１，１６２を含む。図５では例示的に２個の第２弁ユニット１６１，１６２を示したが、これに限定されない。

【0040】

第２弁ユニット１６１は例えば、ソレノイド弁１６１１と流量調節弁１６１２を含む。第２弁ユニット１６２は例えば、ソレノイド弁１６２１と流量調節弁１６２２を含む。２個の流量調節弁１６１２，１６２２は互いに異なる流量にあらかじめ設定されている。すなわち、２個の流量調節弁１６１２，１６２２は開閉量が互いに異なるようにあらかじめ設定されることができる。２個のソレノイド弁１６１１，１６２１は制御部１９０の制御に従ってオン／オフされる。

【0041】

このような構成において、基板上に形成された膜の種類が第１種類である場合（例えば、非金属膜、絶縁膜）、制御部１９０はソレノイド弁１６１１をターンオンして、流量調節弁１６１２により設定された第４大きさの第２圧力が多数の第２真空孔１３２に提供される。

【0042】

また、基板上に形成された膜の種類が第２種類（例えば、金属膜）である場合、制御部１９０はソレノイド弁１６２１をターンオンして、流量調節弁１６２２により設定された第３大きさの第２圧力が多数の第２真空孔１３２に提供される。

【0043】

第２弁モジュール１６０ｂ，１６０ｃの構成も、図５に示す構成と実質的に同一である。

【0044】

図６および図７は本発明の第１実施形態による基板処理装置の第１動作を説明するための図である。

【0045】

まず、図６を参照すると、基板Ｇ１の厚さが第１厚さｔ１であると仮定する。

【0046】

多数の第１噴射孔１４１は圧縮空気を噴射して、基板Ｇ１を浮上させる。

【0047】

多数の第１真空孔１３１は第１大きさの第１圧力で空気を吸い込んで（図面符号１３１１を参照）、基板Ｇ１が多数のローラ１１０と接触するようにする（図面符号１１９を参照）。

【0048】

多数の第１真空孔１３１がないと、基板Ｇ０と多数のローラ１１０の間にギャップ（例えば、１００～２００μｍ）があり得る。したがって、ローラ１１０の回転力が基板Ｇ０に伝達されない。

【0049】

一方、本発明では、多数の第１真空孔１３１が第１大きさの第１圧力で空気を吸い込むので、ローラ１１０の回転力が基板Ｇ０に安定的に伝達されることができる。

【0050】

反面、多数の第１真空孔１３１が第１大きさより大きい第２大きさの第１圧力で空気を吸い込む場合、基板Ｇ１がベースプレート１９方向に過度に強く引っ張られて基板Ｇ１がよく動かなくなる。

【0051】

次に、図７を参照すると、基板Ｇ３の厚さが第１厚さｔ１より大きい第２厚さｔ２であると仮定する。

【0052】

多数の第１真空孔１３１は第１大きさより大きい第２大きさの第１圧力で空気を吸い込んで（図面符号１３１２を参照）、基板Ｇ３が多数のローラ１１０と接触するようにする。

【0053】

多数の第１真空孔１３１がないと、基板Ｇ２と多数のローラ１１０の間にギャップがあり得る。また、多数の第１真空孔１３１が第２大きさでない第１大きさの第１圧力で空気を吸い込む場合、基板Ｇ２はローラ１１０に接触できない。すなわち、基板Ｇ２が厚くなると、多数の第１真空孔１３１はより大きい圧力で空気を吸い込まなければならない。

【0054】

図６および図７を参照してまとめると、基板Ｇ１，Ｇ３の厚さによって第１真空孔１３１から提供される圧力の大きさも変わる（図面符号１３１１，１３１２を参照）。すなわち、基板Ｇ１，Ｇ３の厚さが厚くなると、第１真空孔１３１から提供される圧力は大きくなる。このように制御することによって、安定的にローラ１１０を用いて基板Ｇを搬送することができる。

【0055】

図８は本発明の第１実施形態による基板処理装置の第２動作を説明するための概念図である。

【0056】

図８を参照すると、基板Ｇ上に膜Ｆが形成されている。膜Ｆの種類によって、基板Ｇの反りの方向は変わる。

【0057】

例えば、非金属膜Ｆ１が基板Ｇ上に形成されると、基板Ｇのセンター領域がエッジ領域より上方向に反る。非金属膜Ｆ１によって、基板に圧縮応力（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ ｓｔｒｅｓｓ）が加えられるからである。

【0058】

逆に、金属膜Ｆ２が基板Ｇ上に形成されると、基板Ｇのエッジ領域がセンター領域より上方向に反る。金属膜Ｆ２によって、基板に引張応力（ｔｅｎｓｉｌｅ ｓｔｒｅｓｓ）が加えられるからである。

【0059】

図３および図８を参照すると、多数の第２領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃそれぞれに提供される第２圧力の大きさは互いに異なってもよい。

【0060】

例えば、基板Ｇ上に形成された膜の種類が非金属膜Ｆ１である場合、基板Ｇのセンター領域に対応する第２領域１２ａから提供される第２圧力の大きさ（すなわち、第４大きさ）が、基板Ｇのエッジ領域に対応する第２領域１２ｂ，１２ｃから提供される第２圧力の大きさ（すなわち、第３大きさ）より大きい。

【0061】

このようにすることで、多数の第２領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃが基板Ｇのセンター領域をエッジ領域より強く引き寄せる。

【0062】

例えば、基板Ｇ上に形成された膜の種類が金属膜Ｆ２である場合、基板Ｇのエッジ領域に対応する第２領域１２ｂ，１２ｃから提供される第２圧力の大きさ（すなわち、第４大きさ）が、基板Ｇのセンター領域に対応する第２領域１２ａから提供される第２圧力の大きさ（すなわち、第３大きさ）より大きい。

【0063】

このようにすることで、多数の第２領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃが基板Ｇのエッジ領域をセンター領域より強く引き寄せる。

【0064】

まとめると、本発明の第１実施形態による基板処理装置で、基板Ｇの厚さによってローラ１１０に隣接する多数の第１真空孔１３１が提供する第１圧力の大きさを異なるように制御する。また、基板Ｇ上に形成された膜の種類によって多数の第２真空孔１３２が提供される第２圧力の大きさを異なるように制御する。このように制御することで、基板Ｇの吸着力を最適化することができる。したがって、浮上ステージ１上で基板Ｇの搬送不良を最小化することができる。

【0065】

図９は本発明の第２実施形態による基板処理装置を説明するための図である。説明の便宜上、図１ないし図８を用いて説明した内容は省略する。

【0066】

図９を参照すると、本発明の第２実施形態による基板処理装置は、多数の第２領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃそれぞれに対応するように設けられた多数の第２弁モジュール１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃと、多数の第２弁モジュール１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃに対応するように第３弁モジュール１６０ｄを含む。すなわち、第２領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃの多数の第２真空孔１３２を、２段階の弁モジュール１６０ａ～１６０ｄを用いて制御する。

【0067】

前述したように、多数の第２弁モジュール１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃそれぞれは、互いに並列に配置された多数の第２弁ユニット（図５の１６１，１６２を参照）を含むことができる。多数の第２弁ユニット（図５の１６１，１６２を参照）の開閉量が互いに異なるように設定される。

【0068】

別に図示していないが、第３弁モジュール１６０ｄも、第２弁モジュール１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃの構成と同様に、互いに並列に配置された多数の第３弁ユニットを含むことができる。多数の第３弁ユニットの開閉量が互いに異なるように設定される。

【0069】

このように２段階で弁モジュール１６０ａ～１６０ｄを構成すると、多数の第２領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃの第２真空孔１３２に提供される圧力を多様に制御することができる。例えば、第２弁モジュール１６０ａが２個の開閉量のうち一つを選択するように設定され、第３弁モジュール１６０ｄが２個の開閉量のうち一つを選択するように設定されていると、第２領域１２ａの第２真空孔１３２に提供される圧力は４個の開閉量のうち一つを選択することができる（∵２×２＝４）。

【0070】

基板上に形成された膜の種類は非常に多様である。例えば、非金属膜（図８のＦ１参照）も酸化物、窒化物、ｈｉｇｈ－ｋ物質などを含むことができる。基板上にいかなる非金属膜が形成されているかによって圧縮応力（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ ｓｔｒｅｓｓ）の大きさが変わり、そのため基板の反りの程度も変わる。金属膜（図８のＦ２を参照）も銅、アルミニウム、チタンなどを含むことができる。基板上にいかなる金属膜が形成されているかによって引張応力（ｔｅｎｓｉｌｅ ｓｔｒｅｓｓ）の大きさが変わり、そのため基板の反りの程度も変わる。したがって、第２領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃの第２真空孔１３２に３個以上の多様な圧力を提供する必要がある。

【0071】

本発明の第２実施形態による基板処理装置では、弁モジュール１６０ａ～１６０ｄを２段以上配置して、第２真空孔１３２に３個以上の多様な圧力を提供することができる。

【0072】

図１０は本発明の第３実施形態による基板処理装置を説明するための平面図である。説明の便宜上、図１ないし図８を用いて説明した内容は省略する。

【0073】

図１０を参照すると、本発明の第３実施形態による基板処理装置は、多数の第１領域１１ａ，１１ｂと多数の第２領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃは第２方向（例えば、Ｙ方向）に配置される。

【0074】

第１領域１１ａ，１１ｂ内に、基板を搬送するための多数のローラ１１０と、第１圧力で空気を吸い込む多数の第１真空孔１３１が形成される。第１領域１１ａ，１１ｂ内には多数の第１噴射孔は形成されない。

【0075】

第２領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃ内に、第２圧力で空気を吸い込む多数の第２真空孔１３２と、圧縮空気を噴射する多数の第２噴射孔１４２が形成される。

【0076】

図１１は本発明の第４実施形態による基板処理装置を説明するための図である。
図１１を参照すると、本発明の第４実施形態による基板処理装置で、インデクサ（ｉｎｄｅｘｅｒ，９１）、洗浄モジュール９２、ベークモジュール９３、コーティングモジュール９４、ドライモジュール９５などが順次配置される。搬送部材によって前記モジュール９１～９５に順次伝達され、各モジュール９１～９５で対応する工程が進行されることができる。

【0077】

基板がインデクサ９１に引込まれると、インデクサ９１は基板の固有番号ＧＩＤを認識する。認識された固有番号ＧＩＤは制御部１９０に提供される。

【0078】

次に、基板は洗浄モジュール９２に伝達され、基板は洗浄液によって洗浄される。

【0079】

次に、基板はベークモジュール９３に伝達され、基板をベークすることによって基板に残っている洗浄液を除去する。

【0080】

次に、基板はコーティングモジュール９４に伝達される。コーティングモジュール９４はエアーフローティングコーター（Ａｉｒ Ｆｌｏａｔｉｎｇ Ｃｏａｔｅｒ）であり得る。コーティングモジュール９４は図１ないし図１０を用いて説明した基板処理装置の少なくとも一つが適用されることができる。

【0081】

具体的には、基板が浮上ステージ（図１の１参照）に引込まれる。制御部１９０は固有番号ＧＩＤに基づいて、メモリ１９２から基板の厚さと、基板上に形成された膜の種類に係る情報を取得する。制御部１９０は基板の厚さに基づいて第１領域（図３の１１ａ、１１ｂ）の第１真空孔（図３の１３１）に提供する第１圧力の大きさを調節することができる。また、制御部１９０は基板上に形成された膜の種類に基づいて、第２領域（図３の１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）の第２真空孔（図３の１３２）に提供する第２圧力の大きさを調節することができる。

【0082】

次に、基板はドライモジュール９５に伝達される。基板上にコートされた膜をドライする。

【0083】

図１２は本発明のいくつかの実施形態による基板処理方法を説明するためのフローチャートである。説明の便宜上、図１ないし図８を用いて説明した内容は省略する。

【0084】

図１ないし図３および図１２を参照すると、基板処理装置が提供される（Ｓ１０）。具体的には、基板処理装置は幅方向に配置される第１領域１１ａ，１１ｂと第２領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃを含む浮上ステージ１と、第１領域１１ａ，１１ｂに設けられ、基板を搬送するための多数のローラ１１０と、第１領域１１ａ，１１ｂに設けられ、第１圧力で空気を吸い込む多数の第１真空孔１３１と、第２領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃに設けられ、第２圧力で空気を吸い込む多数の第２真空孔１３２と、第１圧力および第２圧力を制御する制御部１９０を含む。

【0085】

次に、基板の固有番号（図１１のＧＩＤ参照）の提供を受ける（Ｓ２０）。具体的には、制御部１９０はインデクサ（図１１の９１参照）から基板の固有番号ＧＩＤの提供を受ける。

【0086】

次に、浮上ステージ１に基板が引込まれる（Ｓ３０）。
次に、固有番号ＧＩＤに基づいて、基板の厚さと、基板上に形成された膜の種類に係る情報を取得する（Ｓ４０）。すなわち、制御部１９０は固有番号ＧＩＤに基づいて、メモリ１９２から基板の厚さと、基板上に形成された膜の種類に係る情報を取得する。
次に、基板の厚さによって第１圧力の大きさを制御して、基板上に形成された膜の種類によって第２圧力の大きさを制御する（Ｓ５０）。具体的には、制御部１９０は基板の厚さに基づいて第１領域１１ａ，１１ｂの第１真空孔１３１に提供する第１圧力の大きさを調節することができる。また、制御部１９０は基板上に形成された膜の種類に基づいて、第２領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃの第２真空孔１３２に提供する第２圧力の大きさを調節することができる。

【0087】

以上と添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更せず他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】