特開 2023-90650 基板処理装置および方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023090650

(43)【公開日】2023-06-29

(54)【発明の名称】基板処理装置および方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20230622BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20230622BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 569F

H01L21/30 569C

H01L21/304 651L

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022189444

(22)【出願日】2022-11-28

(31)【優先権主張番号】10-2021-0181340

(32)【優先日】2021-12-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】390019839

【氏名又は名称】三星電子株式会社

【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ－ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(71)【出願人】

【識別番号】518162784

【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(74)【代理人】

【識別番号】100135079

【弁理士】

【氏名又は名称】宮崎 修

(72)【発明者】

【氏名】辛 承▲みん▼

(72)【発明者】

【氏名】朴 相眞

(72)【発明者】

【氏名】崔 海圓

(72)【発明者】

【氏名】李 章晋

(72)【発明者】

【氏名】朴 智煥

(72)【発明者】

【氏名】李 根澤

(72)【発明者】

【氏名】アントン，コリアキン

(72)【発明者】

【氏名】元 俊皓

(72)【発明者】

【氏名】成 進榮

(72)【発明者】

【氏名】許 弼▲きゅん▼

【テーマコード（参考）】

5F146

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F146LA07

5F146LA12

5F146LA13

5F146LA14

5F146LA19

5F157AB33

5F157AB46

5F157AB48

5F157AB62

5F157CB27

5F157CF16

5F157CF34

5F157CF92

(57)【要約】

【課題】露光が行われた基板の移送過程で発生し得る工程欠陥を最小化できる基板処理装置を提供し、露光が行われた基板の移送過程で発生し得る工程欠陥を最小化できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】露光が行われた基板の移送過程で発生し得る工程欠陥を最小化できる基板処理装置が提供される。基板処理装置は、基板上に現像液を供給する、少なくとも一つの第１工程チャンバと、前記基板を超臨界流体を用いて処理する、少なくとも一つの第２工程チャンバと、前記少なくとも一つの第１工程チャンバから前記少なくとも一つの第２工程チャンバに前記基板を移送し、移送される前記基板には前記少なくとも一つの第１工程チャンバから供給された現像液が残留している状態である搬送チャンバと、前記搬送チャンバ内に恒温恒湿の第１気体を供給して、前記搬送チャンバの温湿度を管理する温湿度制御システムを含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上に現像液を供給する、少なくとも一つの第１工程チャンバと、
前記基板を超臨界流体を用いて処理する、少なくとも一つの第２工程チャンバと、
前記少なくとも一つの第１工程チャンバから前記少なくとも一つの第２工程チャンバに前記基板を移送し、移送される前記基板には前記少なくとも一つの第１工程チャンバから供給された現像液が残留している状態である、搬送チャンバと、
前記搬送チャンバ内に恒温恒湿の第１気体を供給して、前記搬送チャンバの温湿度を管理する、温湿度制御システムと、を含む、
基板処理装置。

【請求項2】

前記温湿度制御システムは、前記搬送チャンバの上面で恒温恒湿の第１気体を供給するように構成され、前記搬送チャンバ内でダウンフローが形成されるようにする、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記少なくとも一つの第１工程チャンバと前記少なくとも一つの第２工程チャンバとの間に弁ボックスをさらに含み、
前記温湿度制御システムは、
前記弁ボックスより下に位置して前記恒温恒湿の第１気体を提供する気体提供ユニットと、
前記気体提供ユニットと連結され、前記弁ボックスを通過して前記搬送チャンバの上部まで延びる、気体供給配管と、を含む、
請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記温湿度制御システムは、前記少なくとも一つの第１工程チャンバ内に恒温恒湿の第２気体を供給して、前記少なくとも一つの第１工程チャンバの温湿度を管理するように構成される、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記少なくとも一つの第１工程チャンバは、積層された多数の第１工程チャンバであり、
前記基板処理装置は、前記多数の第１工程チャンバの一側に弁ボックスが配置され、
前記温湿度制御システムは、
前記弁ボックスより下に位置して前記恒温恒湿の第２気体を提供する気体提供ユニットと、
前記気体提供ユニットと連結され、前記弁ボックスを通過するように延びた、メイン供給配管と、
前記メイン供給配管で分枝して、多数の第１工程チャンバそれぞれに連結された、多数のサブ供給配管と、を含む、
請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記少なくとも一つの第２工程チャンバの一側面には排気ボックスが設けられ、
前記排気ボックス内には負圧を用いて、前記少なくとも一つの第２工程チャンバ内で発生するフュームを排気するための少なくとも一つの排気ラインが設けられる、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記少なくとも一つの第２工程チャンバは、積層された多数の第２工程チャンバであり、
前記少なくとも一つの排気ラインは、前記多数の第２工程チャンバの積層方向に沿って延びる、
請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記少なくとも一つの排気ラインは、多数の排気ラインであり、
前記多数の排気ラインのうち第１排気ラインは、前記排気ボックスの第１側に配置され、前記多数の第２工程チャンバのうちいずれか一つで発生するフュームを排気するように構成され、
前記多数の排気ラインのうち第２排気ラインは、前記排気ボックスの第２側に配置され、前記多数の第２工程チャンバのうち他の一つで発生するフュームを排気するように構成される、
請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項9】

外部から前記基板の提供を受けて、バッファチャンバに提供するインデックスモジュールをさらに含み、
前記温湿度制御システムは、前記インデックスモジュール内に恒温恒湿の第２気体を供給して、前記インデックスモジュールの温湿度を管理するように構成される、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記少なくとも一つの第２工程チャンバで基板を処理した後に、前記基板をベークする第３工程チャンバをさらに含み、
前記温湿度制御システムは、前記第３工程チャンバ内に恒温恒湿の第２気体を供給して、前記第３工程チャンバの温湿度を管理するように構成される、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項11】

露光処理された基板の伝達を受けるインデックスモジュールと、
前記基板を処理するための工程モジュールであって、
前記基板上に現像液を供給する、少なくとも一つの第１工程チャンバと、
前記少なくとも一つの第１工程チャンバで処理された基板を第１超臨界流体を用いて乾燥する、少なくとも一つの第２工程チャンバと、
前記少なくとも一つの第２工程チャンバの少なくとも一部と向かい合うように配置され、前記少なくとも一つの第１工程チャンバで処理された基板を第２超臨界流体を用いて乾燥する、第３工程チャンバと、
前記少なくとも一つの第１工程チャンバの少なくとも一部と向かい合うように配置され、前記少なくとも一つの第２工程チャンバおよび前記第３工程チャンバで処理された基板をベークする、第４工程チャンバと、
前記少なくとも一つの第１工程チャンバと前記第４工程チャンバとの間と、前記少なくとも一つの第２工程チャンバと前記第３工程チャンバとの間とを横切るように配置される搬送チャンバと、を含む、
工程モジュールと、
前記搬送チャンバ内に恒温恒湿の第１気体を供給して、前記搬送チャンバの温湿度を管理する温湿度制御システムと、を含む、
基板処理装置。

【請求項12】

前記温湿度制御システムは、前記搬送チャンバの上面で恒温恒湿の第１気体を供給するように構成され、前記搬送チャンバ内でダウンフローが形成されるようにする、請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記温湿度制御システムは、前記少なくとも一つの第１工程チャンバ、第４工程チャンバおよびインデックスモジュールに、それぞれ恒温恒湿の気体を供給するように構成される、請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項14】

前記温湿度制御システムは、前記少なくとも一つの第２工程チャンバおよび前記第３工程チャンバに、それぞれ恒温恒湿の気体を追加で供給するようにさらに構成される、請求項１３に記載の基板処理装置。

【請求項15】

前記少なくとも一つの第１工程チャンバと前記少なくとも一つの第２工程チャンバとの間に弁ボックスをさらに含み、
前記温湿度制御システムは、前記弁ボックスより下に位置して前記恒温恒湿の第１気体を提供する気体提供ユニットを含む、
請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項16】

前記温湿度制御システムは、
前記気体提供ユニットと連結され、前記弁ボックスを通過するように配置される、メイン供給配管と、
前記メイン供給配管で分枝した第１サブ供給配管と第２サブ供給配管とをさらに含み、
前記第１サブ供給配管は、前記工程チャンバの前端部に前記恒温恒湿の第１気体を供給するように構成され、前記第２サブ供給配管は、前記工程チャンバの後端部に前記恒温恒湿の第１気体を供給するように構成される、
請求項１５に記載の基板処理装置。

【請求項17】

前記少なくとも一つの第１工程チャンバは、積層された多数の第１工程チャンバであり、
前記温湿度制御システムは、
前記気体提供ユニットと連結され、前記弁ボックスを通過するように延びる、メイン供給配管と、
前記メイン供給配管で分枝して、多数の第１工程チャンバそれぞれに連結される、多数のサブ供給配管と、を含む、
請求項１５に記載の基板処理装置。

【請求項18】

前記少なくとも一つの第２工程チャンバの一側面には排気ボックスが設けられ、
前記排気ボックス内には負圧を用いて、前記少なくとも一つの第２工程チャンバ内で発生するフュームを排気するための少なくとも一つの排気ラインが設けられる、
請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項19】

前記少なくとも一つの第２工程チャンバは、積層された多数の第２工程チャンバであり、
前記少なくとも一つの排気ラインは、多数の排気ラインであり、
前記多数の排気ラインのうちの第１排気ラインは、前記排気ボックスの第１側に配置され、前記多数の第２工程チャンバのうちのいずれか一つで発生するフュームを排気するように構成され、
前記多数の排気ラインのうちの第２排気ラインは、前記排気ボックスの第２側に配置され、前記多数の第２工程チャンバのうちの他の一つで発生するフュームを排気するように構成される、
請求項１８に記載の基板処理装置。

【請求項20】

第１工程チャンバで、露光処理された基板に現像液を供給して前記基板を現像処理し、
搬送チャンバを介して、前記第１工程チャンバから供給された現像液が前記基板に残留している状態で、前記基板を第２工程チャンバに移動させ、
前記第２工程チャンバで、超臨界流体を用いて前記基板を乾燥処理し、
前記搬送チャンバを介して、前記第２工程チャンバで乾燥処理された基板を第３工程チャンバに移動させ、
前記第３工程チャンバで、前記基板をベークし、
前記搬送チャンバには恒温恒湿の気体を供給することによって、前記搬送チャンバの温湿度が管理されることを含む、
基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は基板処理装置および方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置またはディスプレイ装置を製造する際には、写真、エッチング、アッシング、イオン注入、薄膜蒸着、洗浄など多様な工程が実施される。ここで、写真工程は塗布、露光、そして現像工程を含む。基板上に感光膜を形成して（すなわち、塗布工程）、感光膜が形成された基板上に回路パターンを露光して（すなわち、露光工程）、基板の露光処理された領域を選択的に現像する（すなわち、現像工程）。以後、現像工程で使用された現像液を乾燥させる。なお、現像液をスピン方式で乾燥させると、感光膜リーニング（ｌｅａｎｉｎｇ）、ブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）、ホッピング（ｈｏｐｉｎｇ）などの問題が発生し得る。また、露光が行われた基板が装備内で複数回移動できるが、露光が行われた基板は水分、有機フューム（ｆｕｍｅ）などによる欠陥発生に脆弱である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】米国登録特許ＵＳ７，０６０，４２２ Ｂ２（2006.6.13公告）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明が解決しようとする技術的課題は、露光が行われた基板の移送過程で発生し得る工程欠陥を最小化できる基板処理装置を提供することにある。

【0005】

本発明が解決しようとする他の技術的課題は、露光が行われた基板の移送過程で発生し得る工程欠陥を最小化できる基板処理方法を提供することにある。

【0006】

本発明の技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は以下の記載から当業者に明確に理解されることができる。

【課題を解決するための手段】

【0007】

前記技術的課題を達成するための本発明の基板処理装置の一面（ａｓｐｅｃｔ）は、基板上に現像液を供給する、少なくとも一つの第１工程チャンバと、基板を超臨界流体を用いて処理する、少なくとも一つの第２工程チャンバと、少なくとも一つの第１工程チャンバから少なくとも一つの第２工程チャンバに基板を移送し、移送される基板には少なくとも一つの第１工程チャンバから供給された現像液が残留している状態である搬送チャンバと、搬送チャンバ内に恒温恒湿の第１気体を供給して、搬送チャンバの温湿度を管理する温湿度制御システムを含む。

【0008】

前記技術的課題を達成するための本発明の基板処理装置の他の面は、露光処理された基板の伝達を受けるインデックスモジュールと、基板を処理するための工程モジュールであって、基板上に現像液を供給する、少なくとも一つの第１工程チャンバと、少なくとも一つの第１工程チャンバで処理された基板を第１超臨界流体を用いて乾燥する、少なくとも一つの第２工程チャンバと、少なくとも一つの第２工程チャンバの少なくとも一部と向かい合うように配置され、少なくとも一つの第１工程チャンバで処理された基板を第２超臨界流体を用いて乾燥する第３工程チャンバと、少なくとも一つの第１工程チャンバの少なくとも一部と向かい合うように配置され、少なくとも一つの第２工程チャンバおよび第３工程チャンバで処理された基板をベークする第４工程チャンバと、少なくとも一つの第１工程チャンバと第４工程チャンバの間と、少なくとも一つの第２工程チャンバと第３工程チャンバの間を横切るように配置された搬送チャンバを含む工程モジュールと、搬送チャンバ内に恒温恒湿の第１気体を供給して、搬送チャンバの温湿度を管理する温湿度制御システムを含む。

【0009】

前記他の技術的課題を達成するための本発明の基板処理方法の一面は、第１工程チャンバで、露光処理された基板に現像液を供給して基板を現像処理し、搬送チャンバを介して、第１工程チャンバから供給された現像液が基板に残留している状態で、基板を第２工程チャンバに移動させ、第２工程チャンバで、超臨界流体を用いて基板を乾燥処理し、搬送チャンバを介して、第２工程チャンバで乾燥処理された基板を第３工程チャンバに移動させ、第３工程チャンバで、基板をベークし、搬送チャンバには恒温恒湿の気体を供給することによって、搬送チャンバの温湿度が管理されることを含む。

【0010】

その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の第１実施形態による基板処理装置を説明するための図である。

【図2】図１に示す第１工程チャンバの例を示す図である。

【図3】図１に示す第２工程チャンバの例を示す図である。

【図4】図１に示す搬送チャンバの例を示す図である。

【図5】本発明の第２実施形態による基板処理装置を説明するための概念図である。

【図6】図５に示す基板処理装置の搬送チャンバに恒温恒湿気体を供給する例示的な図である。

【図7】図５に示す基板処理装置の第１工程チャンバに恒温恒湿気体を供給する例示的な図である。

【図8】図５に示す基板処理装置の第４工程チャンバに恒温恒湿気体を供給する例示的な図である。

【図9】図５に示す基板処理装置の排気ボックスのドアをオープンした場合を示す図である。

【図10】排気ボックスの動作を説明するための概念図である。

【図11】排気ボックス内に設けられた排気ラインを示す正面図である。

【図12】本発明の第３実施形態による基板処理装置を説明するための概念図である。

【図13】図１２に示す基板処理装置の第２工程チャンバに恒温恒湿気体を供給する例示的な図である。

【図14】本発明の第４実施形態による基板処理装置を説明するための概念図である。

【図15】本発明のいくつかの実施形態による基板処理方法を説明するための流れ図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下では添付する図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図面上の同じ構成要素については同じ参照符号を使用して、これらに対する重複する説明は省略する。

【0013】

図１は本発明の第１実施形態による基板処理装置を説明するための図である。図２は図１に示す第１工程チャンバの例を示す図である。図３は図１に示す第２工程チャンバの例を示す図である。図４は図１に示す搬送チャンバの例を示す図である。

【0014】

まず、図１を参照すると、本発明の第１実施形態による基板処理装置１は第１工程チャンバ３１０、第２工程チャンバ３２０、搬送チャンバ４００および温湿度制御システム９００などを含む。

【0015】

第１工程チャンバ３１０は基板Ｗに現像液を供給して現像処理をする。

【0016】

基板Ｗは露光処理された基板であり得る。すなわち、基板Ｗ上には露光処理された感光膜が形成された状態である。感光膜はネガティブ感光膜（ＮＴＤ，Ｎｅｇａｔｉｖｅ Ｔｏｎｅ Ｄｅｖｅｌｏｐ）であり、かつ化学増幅型感光膜（ＣＡＲ，Ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｒｅｓｉｓｔ）であり得るが、これに限定されない。

【0017】

現像液はネガティブ感光膜用現像液であって、例えばｎ－ブチルアセテート（ｎＢＡ，ｎ－ｂｕｔｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）であり得るが、これに限定されない。

【0018】

第２工程チャンバ３２０は超臨界流体を用いて基板Ｗの乾燥処理をする。すなわち、超臨界流体を用いて基板Ｗに残っている現像液を除去する。超臨界流体は例えば、超臨界状態の二酸化炭素であり得る。超臨界流体は高い浸透性を有しており、感光膜パターンの間に残っている現像液を効果的に除去することができる。

【0019】

搬送チャンバ４００は基板Ｗを移送する役割をする。例えば、搬送チャンバ４００は基板Ｗを第１工程チャンバ３１０に移送させるか、第１工程チャンバ３１０で現像された基板Ｗを第２工程チャンバ３２０に移送させるか、第２工程チャンバ３２０で乾燥された基板Ｗを他のチャンバ（図示せず）に移送させる。

【0020】

温湿度制御システム９００は搬送チャンバ４００内に恒温恒湿気体ＣＧを供給して搬送チャンバ４００の温湿度を管理する。

【0021】

温湿度制御システム９００は恒温恒湿気体ＣＧを提供する気体提供ユニット９１０と、気体提供ユニット９１０と連結されて恒温恒湿気体ＣＧを伝達するメイン供給配管９２０と、メイン供給配管９２０と搬送チャンバ４００を連結するための連結部９０１を含むことができる。

【0022】

実施形態によれば、気体提供ユニット９１０は一つ以上の気体を提供するように構成された少なくとも一つのボディ（ｂｏｄｙ）を含むことができる。例えば、気体提供ユニット９１０はメイン供給配管９２０に一つ以上の気体を提供するように構成された、タンク（ら）、パイプ（ら）、弁（ら）そしてポンプ（ら）から少なくとも一つを含むことができる。

【0023】

ここで、気体提供ユニット９１０は例えば、搬送チャンバ４００より下に位置するか、搬送チャンバ４００と実質的に同じレベル（または高さ）に位置するか、搬送チャンバ４００より高く位置することもできる。気体提供ユニット９１０の位置によって、メイン供給配管９２０の位置および構成が変わる。

【0024】

温湿度制御システム９００が搬送チャンバ４００の温湿度を管理する理由は次のとおりである。

【0025】

第１工程チャンバ３１０から第２工程チャンバ３２０に移送される基板Ｗは、第１工程チャンバ３１０から供給された現像液が残留されている状態であり得る。

【0026】

現像液が残留する状態（すなわち、基板Ｗがぬれた状態）に移動させる理由は、移動する間に基板Ｗが乾かないようにするためである。基板Ｗが乾いた状態で移動すると、基板Ｗ上に異物が落ちて欠陥（ｄｅｆｅｃｔ）が生じ得、弱い衝撃にも感光膜または被エッチング膜が損傷し得るからである（すなわち、破れ防止）。

【0027】

反面、現像液が残留する状態で移動させると、基板Ｗ上の現像液、感光膜などから発生する有機パーティクルがチャンバを逆汚染させることもある。

【0028】

温湿度制御システム９００は恒温恒湿気体ＣＧを搬送チャンバ４００に供給して、有機パーティクルによる逆汚染を防止する。温湿度制御システム９００は搬送チャンバ４００の上面から恒温恒湿気体ＣＧが供給され、ダウンフロー（ｄｏｗｎｆｌｏｗ）が形成される。搬送チャンバ４００の底面でダウンフローされた恒温恒湿気体ＣＧは排気する。このようにすることで、チャンバの逆汚染を防止することができる。

【0029】

ここで図２を参照すると、第１工程チャンバ３１０はハウジング３１１０、カップ３１５０、支持ユニット３１６０、液供給ユニット３１３０、駆動ユニット３１８０などを含む。

【0030】

支持ユニット３１６０はハウジング３１１０内に配置される。支持ユニット３１６０は基板Ｗを支持または固定させる。支持ユニット３１６０は駆動ユニット３１８０によって回転するか、上下方向に昇降および下降することができる。

【0031】

カップ３１５０は支持ユニット３１６０の周辺を囲むように形成される。すなわち、カップ３１５０は上部が開放された処理空間を有する。カップ３１５０は工程に使用された薬液を回収するためのものであり、カップ３１５０に集まった薬液は回収ライン３１４を通じて回収される。

【0032】

液供給ユニット３１３０は支持ユニット３１６０上に配置された基板Ｗに薬液（すなわち、現像液）を供給する。別に図示していないが、液供給ユニット３１３０は薬液を貯蔵する貯蔵タンク、貯蔵タンクと連結された配管、配管に設けられて薬液の供給量および供給するかどうかを決定する多数の弁、薬液を吐出するノズルなどを含むことができる。

【0033】

図面では一つの薬液を使用する場合を例に挙げて、一つのノズル、一つのカップだけを示したが、これに限定されない。二つ以上の薬液を使用する場合には、二つ以上のノズルと、二つ以上のカップが設けられることができる。例えば、基板Ｗ上に現像液を供給する前に、基板Ｗ上に洗浄液を供給して基板Ｗを洗浄することができる。また、基板Ｗ上に現像液を供給して現像を行った後、過度な現像を防止するために基板Ｗ上に残っている現像液を他の薬液（例えば、リンス液）に置き換えることもできる。このような場合には、二つ以上のノズルと、二つ以上のカップが設けられることができる。

【0034】

ここで、図３を参照すると、第２工程チャンバ３２０はボディ３２１０、ヒータ３２７０、流体供給ライン３２３０、排気ライン３２４０などを含む。

【0035】

ボディ３２１０は乾燥工程が行われる内部空間３２５０を提供する。ボディ３２１０は上体（３２１０ａ、ｕｐｐｅｒ ｂｏｄｙ）と下体（３２１０ｂ、ｌｏｗｅｒ ｂｏｄｙ）を有して、上体３２１０ａと下体３２１０ｂは互いに組み合わせて内部空間３２５０を提供する。上体３２１０ａはその位置が固定され、下体３２１０ｂはシリンダーのような駆動部材３２８０により昇下降することができる。下体３２１０ｂが上体３２１０ａから離隔すると内部空間３２５０が開放され、このとき、基板Ｗが搬入または搬出される。工程進行の際には下体３２１０ｂが上体３２１０ａに密着して内部空間３２５０が外部から密閉される。第２工程チャンバ３２０はヒータ３２７０を有する。例えば、ヒータ３２７０はボディ３２１０の壁内部に位置する。ヒータ３２７０はボディ３２１０の内部空間３２５０内に供給された流体が超臨界状態を維持するようにボディ３２１０の内部空間３２５０を加熱する。上体３２１０ａに連結された流体供給ライン３２３０を通じて超臨界流体（例えば、二酸化炭素）が内部空間３２５０に供給される。下体３２１０ｂに連結された排気ライン３２４０を通じて、使用された超臨界流体が外部に排気する。

【0036】

ここで、図４を参照すると、搬送チャンバ４００は一方向に長く延びたガイドレール４０１と、ガイドレール４０１に沿って移動する搬送ロボット４０５を含む。搬送ロボット４０５はアームとハンドを含むことができる。搬送ロボット４０５はガイドレール４０１に沿って移動しながら、基板Ｗを第１工程チャンバ３１０または第２工程チャンバ３２０に移送する。

【0037】

一方、搬送チャンバ４００の上面には連結部９０１が設けられ、連結部９０１は温湿度制御システム９００のメイン供給配管９２０と連結される。恒温恒湿気体ＣＧは連結部９０１を介して搬送チャンバ４００内に供給され、恒温恒湿気体ＣＧのダウンフローが形成される。

【0038】

搬送チャンバ４００の下面には、多数の排気口（図示せず）および排気ライン９０５が設けられ、ダウンフローされた恒温恒湿気体ＣＧが外部に排気することができる。

【0039】

図５は本発明の第２実施形態による基板処理装置について説明するための概念図である。説明の便宜上図１ないし図４を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。

【0040】

図５を参照すると、露光処理された感光膜が形成された基板が基板処理装置２内に搬送される。基板処理装置２内で、現像液を使用した現像処理、超臨界流体を使用した乾燥処理およびベーク処理が順次に行われる。

【0041】

このような本発明のいくつかの実施形態による基板処理装置は、ロードポート１００、インデックスモジュール２００、工程モジュール３００および温湿度制御システム９００を含む。

【0042】

ロードポート１００、インデックスモジュール２００および工程モジュール３００は第１方向Ｘに沿って配置される。

【0043】

ロードポート１００は多数の基板が収納された容器が置かれる載置台を含む（ＬＰ１～ＬＰ４参照）。多数の基板は露光処理された基板であり得る。容器は例えば、前面開放一体型ポッド（ＦＯＵＰ：ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）であり得るが、これに限定されない。多数の載置台は第２方向Ｙに沿って配置されることができる。図５では例示的に４個の載置台が設けられた場合を図示した。

【0044】

インデックスモジュール２００はロードポート１００と工程モジュール３００の間に配置される。例えば、インデックスモジュール２００はインデックスチャンバ２１０内に設けられたレールと、前記レールに沿って移動するインデックスロボットを含む。インデックスロボットはアームとハンドを含み、ロードポート１００に位置する基板をピックアップしてバッファチャンバ３０５に移送する。

【0045】

工程モジュール３００はバッファチャンバ３０５、搬送チャンバ４００、第１工程チャンバ３１０、第２工程チャンバ３２０、第３工程チャンバ３３０、第４工程チャンバ３４０、弁ボックス３５０、第１制御ボックス５１０、第２制御ボックス５２０、第１排気ボックス６１０、第２排気ボックス６２０、電装ボックス３６０などを含む。

【0046】

バッファチャンバ３０５はインデックスモジュール２００のインデックスロボットが伝達した基板を一時的に貯蔵する。また、少なくとも一つの工程チャンバ３１０，３２０，３３０，３４０で既に設定された工程が完了した基板を一時的に貯蔵することもできる。

【0047】

搬送チャンバ４００は第１方向Ｘに沿って長く延びるように配置される。搬送チャンバ４００は内部にガイドレールと、前記ガイドレールに沿って移動する搬送ロボットが設けられる。

【0048】

搬送チャンバ４００を中心に、第２方向Ｙに一側には第１工程チャンバ３１０、弁ボックス３５０、第２工程チャンバ３２０、第１制御ボックス５１０、第１排気ボックス６１０が順に配置される。また、搬送チャンバ４００を中心に、第２方向Ｙに他側には電装ボックス３６０、第４工程チャンバ３４０、第３工程チャンバ３３０、第２制御ボックス５２０、第２排気ボックス６２０が順に配置される。すなわち、搬送チャンバ４００は第１工程チャンバ３１０と第４工程チャンバ３４０の間と、第２工程チャンバ３２０と第３工程チャンバ３３０の間を横切るように配置される。

【0049】

第１工程チャンバ３１０は基板に現像液を供給して現像処理をする。基板上には露光処理された感光膜が形成された状態であり得る。現像液はネガティブ感光膜用現像液であって、例えばｎ－ブチルアセテート（ｎＢＡ，ｎ－ｂｕｔｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）であり得るが、これに限定されない。

【0050】

第２工程チャンバ３２０は超臨界流体を用いて基板を乾燥処理をする。すなわち、超臨界流体を用いて基板Ｗに残っている現像液を除去する。超臨界流体は例えば、超臨界状態の二酸化炭素であり得る。

【0051】

第３工程チャンバ３３０は第２工程チャンバ３２０と同じ種類のチャンバであり得る。すなわち、第３工程チャンバ３３０は超臨界流体を用いて基板を乾燥処理をする。第３工程チャンバ３３０は第２工程チャンバ３２０の少なくとも一部と向かい合うように配置されることができる。

【0052】

第４工程チャンバ３４０は第２工程チャンバ３２０または第３工程チャンバ３３０で乾燥された基板をベークする。第４工程チャンバ３４０でベークが行われることにより、基板Ｗに残存する薬液（または水分）を除去する。第４工程チャンバ３４０は第１工程チャンバ３１０の少なくとも一部と向かい合うように配置される。

【0053】

弁ボックス３５０は少なくとも一つの工程チャンバ３１０，３２０，３３０に薬液（例えば、現像液、洗浄液、リンス液の少なくとも一つ）および／または超臨界流体（例えば、二酸化炭素）を供給するための配管と弁が設けられる空間である。

【0054】

第１制御ボックス５１０は多数の工程チャンバ（例えば、３１０，３２０）および／または弁ボックス３５０などを制御するための制御器（すなわち、コンピューティング装置）が設けられる空間である。

【0055】

第２制御ボックス５２０は多数の工程チャンバ（例えば、３３０，３４０）などを制御するための制御器（すなわち、コンピューティング装置）が設けられる空間である。

【0056】

電装ボックス３６０は多数の電気装置が設けられる空間であり得る。例えば、電装ボックス３６０は隣接して配置された第４工程チャンバ３４０と関連する電気装置が設けられるが、これに限定されない。

【0057】

また、第１排気ボックス６１０は第２工程チャンバ３２０の一側面（例えば、第１方向Ｘに一側面）に配置されることができる。後述するが、第１排気ボックス６１０内には負圧を用いて、第２工程チャンバ３２０内で発生するフューム（ｆｕｍｅ）および／または熱気を排気するための排気ラインが設けられる。

【0058】

第２排気ボックス６２０も、第３工程チャンバ３３０の一側面（例えば、第１方向Ｘに一側面）に配置されることができる。後述するが、第２排気ボックス６２０は第１排気ボックス６１０と類似の構造を有し、第２排気ボックス６２０は負圧を用いて、第３工程チャンバ３３０内で発生するフュームおよび／または熱気を排気するための排気ラインが設けられる。

【0059】

一方、本発明の第２実施形態による基板処理装置で、温湿度制御システム９００は搬送チャンバ４００、第１工程チャンバ３１０、第４工程チャンバ３４０、インデックスモジュール２００の少なくとも一つに恒温恒湿気体ＣＧ１～ＣＧ４を供給することができる。

【0060】

具体的には、温湿度制御システム９００は気体提供ユニット９１０を含み、気体提供ユニット９１０は例えば、搬送チャンバ４００より下に位置するか、搬送チャンバ４００と実質的に同じレベル（または高さ）に位置するか、搬送チャンバ４００より高く位置することもできる。

【0061】

温湿度制御システム９００は搬送チャンバ４００内に恒温恒湿気体ＣＧ１を供給して、搬送チャンバ４００の温湿度を管理する。例えば、搬送チャンバ４００の上面で恒温恒湿気体ＣＧ１を供給して、搬送チャンバ４００内でダウンフローが形成されるようにする。

【0062】

また、温湿度制御システム９００は第１工程チャンバ３１０内に恒温恒湿気体ＣＧ２を供給して、第１工程チャンバ３１０の温湿度を管理する。後述するが、気体提供ユニット９１０と連結された供給配管は弁ボックス３５０を通過して第１工程チャンバ３１０と連結されることができる。

【0063】

また、温湿度制御システム９００は第４工程チャンバ３４０内に恒温恒湿気体ＣＧ３を供給して、第４工程チャンバ３４０の温湿度を管理する。後述するが、気体提供ユニット９１０と連結された供給配管は電装ボックス３６０を通過して第４工程チャンバ３４０と連結されることができる。

【0064】

また、温湿度制御システム９００はインデックスモジュール２００内に恒温恒湿気体ＣＧ４を供給して、インデックスモジュール２００の温湿度を管理する。温湿度制御システム９００は気流供給ボックス２２１，２２２を介して、インデックスモジュール２００内に恒温恒湿気体ＣＧ４を供給する。気流供給ボックス２２１，２２２はインデックスモジュール２００の少なくとも一側面（例えば、第２方向Ｙに一側面）に設けられる。気体提供ユニット９１０と連結された供給配管は気流供給ボックス２２１，２２２の上面と連結されてインデックスモジュール２００の上面で恒温恒湿気体ＣＧ４が供給されるので、搬送チャンバ４００内でダウンフローが形成されることができる。

【0065】

以下では、本発明の第２実施形態による基板処理装置の動作を説明する。

【0066】

露光処理された基板が収納された容器がロードポート１００の載置台に置かれる。インデックスモジュール２００のインデックスロボットは基板をピックアップしてバッファチャンバ３０５に伝達する。

【0067】

搬送チャンバ４００の搬送ロボットは、バッファチャンバ３０５で基板をピックアップして第１工程チャンバ３１０に伝達する。第１工程チャンバ３１０で現像液によって現像される。搬送チャンバ４００の搬送ロボットは、基板を第１工程チャンバ３１０から第２工程チャンバ３２０または第３工程チャンバ３３０に伝達する。特に、第１工程チャンバ３１０から供給された現像液が残留する状態で、第２工程チャンバ３２０または第３工程チャンバ３３０に伝達される。

【0068】

第２工程チャンバ３２０または第３工程チャンバ３３０で、基板は超臨界流体によって乾燥される。搬送チャンバ４００の搬送ロボットは、乾燥された基板を第２工程チャンバ３２０または第３工程チャンバ３３０から第４工程チャンバ３４０に伝達する。

【0069】

第４工程チャンバ３４０で、基板はベークされる。搬送チャンバ４００の搬送ロボットは、ベークされた基板を第４工程チャンバ３４０からバッファチャンバ３０５に伝達する。

【0070】

インデックスモジュール２００のインデックスロボットは基板をピックアップしてロードポート１００の容器内に伝達する。

【0071】

一方、温湿度制御システム９００はインデックスモジュール２００、搬送チャンバ４００、第１工程チャンバ３１０および第４工程チャンバ３４０に恒温恒湿気体ＣＧ１～ＣＧ４を提供することができる。このようにすることで、基板処理装置２は全般的に温湿度が管理される。

【0072】

インデックスモジュール２００、搬送チャンバ４００、第１工程チャンバ３１０および第４工程チャンバ３４０それぞれが別に管理されず、インデックスモジュール２００、搬送チャンバ４００、第１工程チャンバ３１０および第４工程チャンバ３４０は恒温恒湿気体ＣＧ１～ＣＧ４によって全体的に温度／湿度が管理されることができる。

【0073】

搬送チャンバ４００は現像液が残留する状態の基板を移送するが、基板Ｗ上の現像液、感光膜などから発生する有機パーティクルがチャンバを逆汚染させることもある。温湿度制御システム９００は恒温恒湿気体ＣＧ１を搬送チャンバ４００に供給して、有機パーティクルによる逆汚染を防止する。

【0074】

また、インデックスモジュール２００、搬送チャンバ４００、第１工程チャンバ３１０および第４工程チャンバ３４０の湿度を既に設定された湿度（例えば、４０～４５％）に維持し、温度を既に設定された温度に維持することができる。感光膜と現像液（有機現像液）を使用するフォト工程では温度／湿度の変化による凝集パーティクルが発生し得る。しかし、本発明では恒温恒湿気体ＣＧ２，ＣＧ３，ＣＧ４に第１工程チャンバ３１０、第４工程チャンバ３４０およびインデックスモジュール２００の温度／湿度が一定に維持されるので、凝集パーティクルが発生しない。

【0075】

追加的に、温湿度制御システム９００は第２工程チャンバ３２０および第３工程チャンバ３３０にも恒温恒湿気体を供給して、第２工程チャンバ３２０および第３工程チャンバ３３０の温湿度を管理することができる。

【0076】

図６は図５に示す基板処理装置の搬送チャンバに恒温恒湿気体を供給する例示的な図である。説明の便宜上図１ないし図５を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。

【0077】

図６を参照すると、第１工程チャンバ３１１，３１２，３１３は多数個であり、多数の第１工程チャンバ３１１，３１２，３１３は第３方向Ｚに積層される。

【0078】

第２工程チャンバ３２１，３２２，３２３は多数個であり、多数の第２工程チャンバ３２１，３２２，３２３は第３方向Ｚに積層される。

【0079】

弁ボックス３５０は多数の第１工程チャンバ３１１，３１２，３１３の積層方向、多数の第２工程チャンバ３２１，３２２，３２３の積層方向に沿って長く形成される。

【0080】

制御ボックス５１０は多数の第２工程チャンバ３２１，３２２，３２３の積層方向に沿って長く形成される。

【0081】

第１排気ボックス６１０は多数の排気ボックス６１１，６１２，６１３を含み、多数の排気ボックス６１１，６１２，６１３は第３方向Ｚに積層される。多数の排気ボックス６１１，６１２，６１３の内部は互いに区分されず、連通された状態であり得る。

【0082】

別に図示していないが、気体提供ユニット（図５の９１０参照）は搬送チャンバ４００（および／または弁ボックス３５０）より下に位置することができる。例えば、気体提供ユニット９１０はロードポート１００、インデックスモジュール２００および工程モジュール３００を支持している製造工場の床面の下に位置することができる。

【0083】

このような場合に、温湿度制御システム（図５の９００参照）の供給配管構造はメイン供給配管９２０およびサブ供給配管９２１，９２２を含む。メイン供給配管９２０は弁ボックス３５０を通過する。すなわち、メイン供給配管９２０は弁ボックス３５０の下から上面まで延びるように設けられる。メイン供給配管９２０は連結部９０１を介して第１サブ配管９２１、第２サブ配管９２２に分枝する。

【0084】

第１サブ配管９２１は搬送チャンバ４００の一部（前半部）に恒温恒湿気体を供給し、第２サブ配管９２２は搬送チャンバ４００の他の一部（後半部）に恒温恒湿気体を供給することができる。

【0085】

搬送チャンバ４００は第１方向Ｘに沿って長く延びているので、少なくとも２個以上のサブ配管９２１，９２２を介して恒温恒湿気体を供給する。例えば、３個のサブ配管を用いて搬送チャンバ４００の前半部、中央、後半部それぞれに恒温恒湿気体を供給することができる。このようにすることで、第１方向Ｘに沿って長く延びた搬送チャンバ４００の温湿度を全体的に管理することができる。

【0086】

一方、前述したこととは異なり、気体提供ユニット９１０はロードポート１００、インデックスモジュール２００および工程モジュール３００と離隔して配置されて製造工場の床面の上に設けられる場合にも、気体提供ユニット９１０は製造工場の床面の下に設けられた連結配管（図示せず）を通じてメイン供給配管９２０と連結されることができる。

【0087】

図７は図５に示す基板処理装置の第１工程チャンバに恒温恒湿気体を供給する例示的な図である。説明の便宜上図１ないし図６を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。

【0088】

図７を参照すると、第１工程チャンバ３１１，３１２，３１３は多数個であり、多数の第１工程チャンバ３１１，３１２，３１３は第３方向Ｚに積層される。弁ボックス３５０は多数の第１工程チャンバ３１１，３１２，３１３の積層方向に沿って長く形成される。

【0089】

温湿度制御システム９００の気体提供ユニット９１０は搬送チャンバ４００より下に位置し得る。例えば、気体提供ユニット９１０はロードポート１００、インデックスモジュール２００および工程モジュール３００を支持している製造工場の床面９９の下に位置し得る。

【0090】

このような場合に、温湿度制御システム９００の供給配管構造はメイン供給配管９２０およびサブ供給配管９３１，９３２，９３３を含む。メイン供給配管９２０は弁ボックス３５０を通過する。すなわち、メイン供給配管９２０は弁ボックス３５０の下から上面まで延びるように設けられる。多数のサブ供給配管９３１，９３２，９３３はメイン供給配管９２０で分枝して、積層された多数の第１工程チャンバ３１１，３１２，３１３それぞれに連結される。多数のサブ供給配管９３１，９３２，９３３は対応する第１工程チャンバ３１１，３１２，３１３の天井を通過して供給され得る。例えば、サブ供給配管９３１は１層と２層に設けられた第１工程チャンバ３１１，３１２の間の空間を通過して、第１工程チャンバ３１１に恒温恒湿気体を供給することができる。サブ供給配管９３２は２層と３層に設けられた第１工程チャンバ３１２，３１３の間の空間を通過して、第１工程チャンバ３１２に恒温恒湿気体を供給することができる。サブ供給配管９３３は３層に設けられた第１工程チャンバ３１３上部の空間を通過して、第１工程チャンバ３１３に恒温恒湿気体を供給することができる。

【0091】

図８は図５に示す基板処理装置の第４工程チャンバに恒温恒湿気体を供給する例示的な図である。説明の便宜上図１ないし図７を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。

【0092】

図８を参照すると、第４工程チャンバ３４１，３４２，３４３は多数個であり、多数の第４工程チャンバ３４１，３４２，３４３は第３方向Ｚに積層される。電装ボックス３６０は多数の第４工程チャンバ３４１，３４２，３４３の積層方向に沿って長く形成される。

【0093】

温湿度制御システム９００の気体提供ユニット９１０は電装ボックス３６０より下に位置し得る。例えば、気体提供ユニット９１０は製造工場の床面９９の下に位置し得る。

【0094】

このような場合に、温湿度制御システム９００の供給配管構造はメイン供給配管９２０およびサブ供給配管９４１，９４２，９４３を含む。メイン供給配管９２０は電装ボックス３６０を通過する。すなわち、メイン供給配管９２０は電装ボックス３６０の下から上面まで延びるように設けられる。多数のサブ供給配管９４１，９４２，９４３は積層された多数の第４工程チャンバ３４１，３４２，３４３それぞれに連結される。多数のサブ供給配管９４１，９４２，９４３は対応する第４工程チャンバ３４１，３４２，３４３の側壁を介して供給されることもでき、対応する第４工程チャンバ３４１，３４２，３４３の上面を介して供給されることもできる。

【0095】

図９ないし図１１は図５に示す基板処理装置の排気ボックスを説明するための図である。図９は図５に示す基板処理装置の排気ボックスのドアをオープンした場合を示す図である。図１０は排気ボックスの動作を説明するための概念図である。図１１は排気ボックス内に設けられた排気ラインを示す正面図である。説明の便宜上図１ないし図８を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。

【0096】

まず、図９を参照すると、第１排気ボックス６１０は第２工程チャンバ３２１，３２２，３２３の積層方向に沿って長く形成される。第１排気ボックス６１０は多数の排気ボックス６１１，６１２，６１３を含み、多数の排気ボックス６１１，６１２，６１３は第３方向Ｚに積層され得る。多数の排気ボックス６１１，６１２，６１３の内部は互いに区分されず、連通された状態であり得る。多数の排気ボックス６１１，６１２，６１３それぞれにはオープン可能なドア６１２ａが形成され得る。

【0097】

ここで、図１０に図示するように、制御ボックス５１０の一側面には対応する排気ボックス６１２が配置され、制御ボックス５１０の一側面には孔５１０ａが形成され得る。排気ボックス６１２内には負圧を提供する第２排気ライン６５２が配置され得る。

【0098】

第２工程チャンバ３２２で発生した有機フュームおよび熱気は制御ボックス５１０に流れ込む。有機フュームおよび熱気は孔５１０ａを通じて排気ボックス６１２内に入り、負圧を提供する排気ライン６５２を通じて排気する。

【0099】

図１１を参照すると、第１排気ボックス６１０内には多数の排気ライン６５１，６５２，６５３が設けられる。

【0100】

第１排気ライン６５１は第１排気ボックス６１０の第１側（例えば、右側）に配置される。第１排気ライン６５１の一端は３層に位置した排気ボックス６１３（すなわち、第２工程チャンバ３２３に対応する高さ）まで延びて、第１排気ライン６５１の他端６５１ｂは第１排気ボックス６１０の下まで延びる。このような第１排気ライン６５１は多数の第２工程チャンバ３２１，３２２，３２３のいずれか一つ（例えば、３２３）で発生するフュームを排気することができる。第１排気ライン６５１には負圧を提供するための多数の排気孔６５１ａが設けられる。

【0101】

第２排気ライン６５２は第１排気ボックス６１０の第２側（例えば、左側）に配置される。第２排気ライン６５２の一端は２層に位置する排気ボックス６１２（すなわち、第２工程チャンバ３２２に対応する高さ）まで延びて、第２排気ライン６５２の他端６５２ｂは第１排気ボックス６１０の下まで延びる。このような第２排気ライン６５２は多数の第２工程チャンバ３２１，３２２，３２３のうち他の一つ（例えば、３２２）で発生するフュームを排気することができる。第２排気ライン６５２には負圧を提供するための多数の排気孔６５２ａが設けられる。

【0102】

第３排気ライン６５３は第１排気ボックス６１０の第３側（例えば、下側）に配置される。第３排気ライン６５３の一端は１層に位置する排気ボックス６１１（すなわち、第２工程チャンバ３２１に対応する高さ）に配置され、第３排気ライン６５３の他端６５３ｂは第１排気ボックス６１０の下まで延びる。このような第３排気ライン６５３は多数の第２工程チャンバ３２１，３２２，３２３のうちまた他の一つ（例えば、３２１）で発生するフュームを排気することができる。第３排気ライン６５３には負圧を提供するための多数の排気孔６５３ａが設けられる。

【0103】

第１排気ライン６５１の他端６５１ｂ、第２排気ライン６５２の他端６５２ｂおよび第３排気ライン６５３の他端６５３ｂは、第１排気ボックス６１０の下で別途の外部排気ラインと連結されて排出される。

【0104】

一方、このように第１排気ライン６５１、第２排気ライン６５２および第３排気ライン６５３を使用すると、多数の第２工程チャンバ３２１，３２２，３２３で発生したヒュームが基板処理装置の外に流出しないようにすることができる。

【0105】

仮に、このような排気ラインがないか、単に冷却ファンを用いると、多数の第２工程チャンバ３２１，３２２，３２３で発生したヒュームが基板処理装置の外に流出するしかない。

【0106】

図１２は本発明の第３実施形態による基板処理装置を説明するための概念図である。説明の便宜上図５ないし図１１を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。

【0107】

図１２を参照すると、本発明の第３実施形態による基板処理装置３で、温湿度制御システム９００は、工程モジュール３００のうち第２工程チャンバ３２０および第３工程チャンバ３３０にも恒温恒湿気体ＣＧ５が供給される。

【0108】

すなわち、温湿度制御システム９００は搬送チャンバ４００に恒温恒湿気体ＣＧ１を提供し、第１工程チャンバ３１０に恒温恒湿気体ＣＧ２を提供し、第４工程チャンバ３４０に恒温恒湿気体ＣＧ３を提供し、インデックスモジュール２００に恒温恒湿気体ＣＧ４を提供し、第２および第３工程チャンバ３２０，３３０にも恒温恒湿気体ＣＧ５を提供する。

【0109】

このように恒温恒湿気体ＣＧ１～ＣＧ５を供給することによって、露光処理された基板が基板処理装置３での全体過程（すなわち、現像、乾燥およびベーク工程）の間、恒温恒湿気体ＣＧ１～ＣＧ５により温湿度が制御される。

【0110】

図１３は図１２に示す基板処理装置の第２工程チャンバに恒温恒湿気体を供給する例示的な図である。

【0111】

図１３を参照すると、第２工程チャンバ３２１，３２２，３２３は多数個であり、多数の第２工程チャンバ３２１，３２２，３２３は第３方向Ｚに積層され得る。弁ボックス３５０は多数の第２工程チャンバ３２１，３２２，３２３の積層方向に沿って長く形成される。

【0112】

気体提供ユニット９１０は弁ボックス３５０より下に位置する。例えば、気体提供ユニット９１０は製造工場の床面９９の下に位置し得る。

【0113】

このような場合に、温湿度制御システム９００の供給配管構造はメイン供給配管９２０およびサブ供給配管９５１，９５２，９５３を含む。メイン供給配管９２０は弁ボックス３５０を通過する。多数のサブ供給配管９５１，９５２，９５３は積層された多数の第２工程チャンバ３２１，３２２，３２３それぞれに連結される。

【0114】

図１４は本発明の第４実施形態による基板処理装置を説明するための概念図である。

【0115】

図１４を参照すると、本発明の第４実施形態による基板処理装置４で、気体提供ユニット９１０は工程モジュール（図５の３００参照）と離隔して配置され、気体提供ユニット９１０は製造工場の床面の上に設けられる。

【0116】

気体提供ユニット９１０は第１分岐部９１１で分岐する多数の配管を通じて、搬送チャンバ４００、第１工程チャンバ３１０および気流供給ボックス２２１（すなわち、インデックスチャンバ２１０）に恒温恒湿気体を供給する。このような配管は工程モジュール３００の上部で配置される。

【0117】

また、気体提供ユニット９１０は第２分岐部９１２で分岐する多数の配管を通じて、搬送チャンバ４００、第４工程チャンバ３４０および気流供給ボックス２２２（すなわち、インデックスチャンバ２１０）に恒温恒湿気体を供給する。このような配管は工程モジュール３００の上部で配置される。

【0118】

第１分岐部９１１および第２分岐部９１２は工程モジュール３００の上部に配置される。

【0119】

前述したように、搬送チャンバ４００は第１方向Ｘに沿って長く延びているので、搬送チャンバ４００の前半部と後半部それぞれに、別途の配管を通じて恒温恒湿気体を供給することができる。

【0120】

別に図示していないが、気体提供ユニット９１０は第２および第３工程チャンバ３２０，３３０にも恒温恒湿気体を供給することができる。

【0121】

図１５は本発明のいくつかの実施形態による基板処理方法を説明するための流れ図である。

【0122】

図１２および図１５を参照すると、露光処理された基板が収納された容器（ＦＯＵＰ）がロードポート１００の載置台に置かれる（Ｓ９１０）。

【0123】

次に、インデックスモジュール２００のインデックスロボットは前記基板をピックアップしてバッファチャンバ３０５に伝達する（Ｓ９２０）。

【0124】

次に、搬送チャンバ４００の搬送ロボットは、バッファチャンバ３０５で基板をピックアップして第１工程チャンバ３１０に伝達する（Ｓ９３０）。

【0125】

次に、第１工程チャンバ３１０で現像液によって現像される（Ｓ９４０）。

【0126】

次に、搬送チャンバ４００の搬送ロボットは、基板を第１工程チャンバ３１０から第２工程チャンバ３２０または第３工程チャンバ３３０に伝達する（Ｓ９５０）。特に、第１工程チャンバ３１０から供給された現像液が残留する状態で、第２工程チャンバ３２０または第３工程チャンバ３３０に伝達される。

【0127】

次に、第２工程チャンバ３２０または第３工程チャンバ３３０で、基板は超臨界流体によって乾燥される（Ｓ９６０）。

【0128】

次に、搬送チャンバ４００の搬送ロボットは、乾燥された基板を第２工程チャンバ３２０または第３工程チャンバ３３０から第４工程チャンバ３４０に伝達する（Ｓ９７０）。

【0129】

次に、第４工程チャンバ３４０で、基板はベークされる（Ｓ９８０）。

【0130】

次に、搬送チャンバ４００の搬送ロボットは、ベークされた基板を第４工程チャンバ３４０からバッファチャンバ３０５に伝達する（Ｓ９９０）。

【0131】

次に、インデックスモジュール２００のインデックスロボットは基板をピックアップしてロードポート１００の容器（ＦＯＵＰ）内に伝達する（Ｓ９９１，Ｓ９９２）．

【0132】

前述したように、温湿度制御システム９００はインデックスモジュール２００、工程チャンバ３１０，３２０，３３０，３４０、搬送チャンバ４００すべてに恒温恒湿気体ＣＧ１～ＣＧ５が供給される。このように恒温恒湿気体ＣＧ１～ＣＧ５を供給することによって、露光処理された基板が基板処理装置３での全体過程（すなわち、現像、乾燥およびベーク工程（図１５のＡ参照））の間、恒温恒湿気体ＣＧ１～ＣＧ５により温湿度が制御される。

【0133】

以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく互いに異なる多様な形態で製造することができ、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想はや必須の特徴を変更せず他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。

【符号の説明】

【0134】

２２１，２２２ 気流供給ボックス
３１０，３１１，３１２，３１３ 第１工程チャンバ
３２０，３２１，３２２，３２３ 第２工程チャンバ
３３０，３３１，３３２，３３３ 第３工程チャンバ
３４０，３４１，３４２，３４３ 第４工程チャンバ
３５０ 弁ボックス
５１０ 第１制御ボックス
５２０ 第２制御ボックス
６１０ 第１排気ボックス
６２０ 第２排気ボックス
４００ 搬送チャンバ
９００ 温湿度制御システム
９１０ 気体供給ユニット

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】