特開 2023-93185 半導体装置とその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023093185

(43)【公開日】2023-07-04

(54)【発明の名称】半導体装置とその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20230627BHJP

   B23K 26/53 20140101ALI20230627BHJP

   B23K 26/00 20140101ALI20230627BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 611Z

B23K26/53

B23K26/00 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021208658

(22)【出願日】2021-12-22

(71)【出願人】

【識別番号】000004260

【氏名又は名称】株式会社デンソー

(71)【出願人】

【識別番号】000003207

【氏名又は名称】トヨタ自動車株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】520124752

【氏名又は名称】株式会社ミライズテクノロジーズ

(71)【出願人】

【識別番号】000236436

【氏名又は名称】浜松ホトニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000110

【氏名又は名称】弁理士法人 快友国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】牛島 隆志

(72)【発明者】

【氏名】長屋 正武

(72)【発明者】

【氏名】河口 大祐

(72)【発明者】

【氏名】原 佳祐

【テーマコード（参考）】

4E168

5F057

【Ｆターム（参考）】

4E168AE01

4E168CB02

4E168JA13

4E168KA04

5F057AA05

5F057AA11

5F057BA11

5F057BB06

5F057CA14

5F057DA20

5F057DA22

5F057DA31

(57)【要約】

【課題】 レーザ照射後に半導体基板を分割する際に、分割面の形状を正確に制御する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、半導体基板（１２）の内部でレーザの焦点が移動するように前記半導体基板に前記レーザを照射する工程と、前記半導体基板を分割する工程、を有する。前記半導体基板が、前記半導体基板の表面（１２ａ）に平行な結晶面よりも劈開し易いとともに前記表面に対して傾斜している特定結晶面を有している。前記レーザを照射する前記工程では、前記焦点を前記特定結晶面に沿って移動させることによって前記特定結晶面に沿って伸びる特定改質層（１６）を形成する特定改質層形成処理を繰り返す。前記レーザを照射する前記工程では、複数の前記特定改質層が前記表面に平行な方向に沿って配列されるように複数の前記特定改質層を形成する。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体装置の製造方法であって、
半導体基板（１２）の内部でレーザの焦点が移動するように前記半導体基板に前記レーザを照射する工程と、
前記半導体基板を分割する工程、
を有し、
前記半導体基板が、前記半導体基板の表面（１２ａ）に平行な結晶面よりも劈開し易いとともに前記表面に対して傾斜している特定結晶面を有しており、
前記レーザを照射する前記工程では、前記焦点を前記特定結晶面に沿って移動させることによって前記特定結晶面に沿って伸びる特定改質層（１６）を形成する特定改質層形成処理を繰り返し、
前記レーザを照射する前記工程では、複数の前記特定改質層が前記表面に平行な方向に沿って配列されるように複数の前記特定改質層を形成し、
前記半導体基板を分割する前記工程では、複数の前記特定改質層に沿って前記半導体基板を分割する、
製造方法。

【請求項2】

前記レーザを照射する前記工程では、前記半導体基板の厚み方向に沿って見たときに、１つの前記特定改質層が隣接する他の前記特定改質層と部分的に重複するように、複数の前記特定改質層を形成する、請求項１に記載の製造方法。

【請求項3】

前記レーザを照射する前記工程では、２つの前記特定改質層形成処理の間において、先の前記特定改質層形成処理における前記焦点の終点位置から次の前記特定改質層形成処理における前記焦点の始点位置まで前記焦点を移動させることによって接続改質層（１８）を形成する処理を実施する、請求項２に記載の製造方法。

【請求項4】

前記接続改質層が、前記半導体基板の前記表面に対して、前記特定改質層とは反対側に傾斜している、
請求項３に記載の製造方法。

【請求項5】

前記特定結晶面が、第１特定結晶面であり、
前記半導体基板が、前記表面に平行な前記結晶面よりも劈開し易いとともに前記表面に対して傾斜している第２特定結晶面を有しており、
前記接続改質層が、前記第２特定結晶面に沿って伸びている、
請求項４に記載の製造方法。

【請求項6】

前記接続改質層と前記表面の間の角度が、前記特定改質層と前記表面の間の角度と等しい、請求項４に記載の製造方法。

【請求項7】

前記表面が、第１表面（１２ａ）であり、
前記半導体基板が、前記第１表面の反対側に位置する第２表面（１２ｂ）を有し、
前記レーザを照射する前記工程では、前記第２表面側から前記半導体基板に前記レーザを照射し、
前記各特定改質層形成処理では、前記焦点を前記特定結晶面に沿って前記第２表面から前記第１表面に向かって移動させる、
請求項１～６のいずれか一項に記載の製造方法。

【請求項8】

前記各特定改質層形成処理では、前記焦点の始点位置から前記焦点を移動させるときに、前記焦点の移動に伴って前記レーザのエネルギーを増加させる、請求項７に記載の製造方法。

【請求項9】

前記半導体基板が、窒化ガリウムによって構成されており、
前記半導体基板の前記表面が、ｃ面に平行であり、
前記特定結晶面が、（１１－２８）面である、
請求項１～７のいずれか一項に記載の製造方法。

【請求項10】

前記半導体基板が、窒化ガリウムによって構成されており、
前記半導体基板の前記表面が、ｃ面に平行であり、
前記特定結晶面が、ｍ面に沿う断面において前記ｃ面に対して２１．８度の角度で傾斜している、
請求項１～７のいずれか一項に記載の製造方法。

【請求項11】

半導体装置であって、
表面と前記表面の反対側に位置する裏面を有する半導体基板を有し、
前記半導体基板が、前記表面に平行な結晶面よりも劈開し易いとともに前記表面に対して傾斜している特定結晶面を有しており、
前記裏面が、複数の凸部を備える凹凸形状を有しており、
前記各凸部が、前記特定結晶面に沿って伸びる傾斜面を有する、
半導体装置。

【請求項12】

前記半導体基板が、窒化ガリウムによって構成されており、
前記半導体基板の前記表面が、ｃ面に平行であり、
前記特定結晶面が、（１１－２８）面である、
請求項１１に記載の半導体装置。

【請求項13】

前記半導体基板が、窒化ガリウムによって構成されており、
前記半導体基板の前記表面が、ｃ面に平行であり、
前記特定結晶面が、ｍ面に沿う断面において前記ｃ面に対して２１．８度の角度で傾斜している、
請求項１１に記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書に開示の技術は、半導体装置とその製造方法に関する。

【0002】

特許文献１には、半導体基板を分割する方法が開示されている。この方法は、レーザ照射工程と分割工程を有している。レーザ照射工程では、半導体基板の内部でレーザの焦点が半導体基板の表面に沿って移動するように半導体基板にレーザが照射される。これによって、半導体基板の内部に改質層が形成される。分割工程では、改質層に沿って半導体基板が分割される。その結果、厚みが薄い半導体基板が得られる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－１２６８４４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

一般に、半導体基板は、特定結晶面において他の結晶面よりも劈開が生じ易い特性を有している。特許文献１のようにレーザの照射によって半導体基板の内部に改質層を形成するときに、半導体基板の内部で応力が発生する。その結果、改質層が形成されるときに、改質層から特定結晶面に沿ってクラックが発生する。このため、半導体基板を分割するときに、半導体基板が一部の領域でクラックに沿って分割される場合があり、分割面に大きい凹凸が形成される場合があった。本明細書では、レーザ照射後に半導体基板を分割する際に、分割面の形状を正確に制御できる技術を提案する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本明細書に開示の半導体装置の製造方法は、半導体基板の内部でレーザの焦点が移動するように前記半導体基板に前記レーザを照射する工程と、前記半導体基板を分割する工程、を有する。前記半導体基板が、前記半導体基板の表面に平行な結晶面よりも劈開し易いとともに前記表面に対して傾斜している特定結晶面を有している。前記レーザを照射する前記工程では、前記焦点を前記特定結晶面に沿って移動させることによって前記特定結晶面に沿って伸びる特定改質層を形成する特定改質層形成処理を繰り返す。前記特定改質層はレーザの焦点において形成される改質層と、焦点の間を繋ぐように生じた改質層を含んでもよい。前記レーザを照射する前記工程では、複数の前記特定改質層が前記表面に平行な方向に沿って配列されるように複数の前記特定改質層を形成する。前記半導体基板を分割する前記工程では、複数の前記特定改質層に沿って前記半導体基板を分割する。

【0006】

この製造方法では、レーザ照射工程において、半導体基板の内部でレーザの焦点を特定結晶面に沿って移動させる特定改質層形成処理を繰り返す。レーザの焦点を特定結晶面に沿って移動させると、特定改質層が形成されるときに特定結晶面に沿ってクラックが発生し難い。レーザ照射工程では、複数の特定改質層が半導体基板の表面に平行な方向に沿って配列されるように複数の特定改質層を形成する。したがって、その後の分割工程では、半導体基板の表面に沿って半導体基板を分割することができる。レーザ照射工程でクラックが発生し難いので、半導体基板の分割面における大きい凹凸の発生を抑制できる。すなわち、この製造方法によれば、分割面の形状を正確に制御できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】半導体基板の平面図。

【図2】図１のＩＩ－ＩＩ線における半導体基板の断面図。

【図3】素子構造形成工程後の半導体基板の断面図。

【図4】実施例１のレーザ照射工程を示す断面図。

【図5】実施例１のレーザ照射工程におけるレーザの焦点の軌跡を示す平面図。

【図6】実施例１のレーザ照射工程を示す断面図。

【図7】実施例１の基板分割工程を示す断面図。

【図8】実施例１の基板分割工程を示す断面図。

【図9】比較例のレーザ照射工程を示す断面図。

【図10】比較例の基板分割工程を示す断面図。

【図11】実施例１のレーザ照射工程を示す断面図。

【図12】実施例１の変形例のレーザ照射工程を示す断面図。

【図13】レーザの焦点を往復移動させる場合の軌跡を示す平面図。

【図14】実施例２のレーザ照射工程を示す断面図。

【図15】実施例２のレーザ照射工程を示す断面図。

【図16】実施例３のレーザ照射工程を示す断面図。

【図17】実施例４のレーザ照射工程を示す断面図。

【図18】実施例４において、ｍ面における特定改質層と接続改質層の傾斜角度を示す断面図。

【図19】実施例４の基板分割工程を示す断面図。

【図20】実施例５のレーザ照射工程におけるレーザのエネルギーの変化を示すグラフ。

【図21】実施例５の変形例のレーザ照射工程におけるレーザのエネルギーの変化を示すグラフ。

【図22】実施例５の変形例のレーザ照射工程におけるレーザのエネルギーの変化を示すグラフ。

【図23】実施例５の変形例のレーザ照射工程におけるレーザのエネルギーの変化を示すグラフ。

【発明を実施するための形態】

【0008】

上述した製造方法において、前記レーザを照射する前記工程では、前記半導体基板の厚み方向に沿って見たときに、１つの前記特定改質層が隣接する他の前記特定改質層と部分的に重複するように、複数の前記特定改質層を形成してもよい。

【0009】

この構成によれば、レーザの焦点の位置でクラックが発生した場合に、クラックが既に形成済の特定改質層と交差し易い。クラックが特定改質層と交差すると、特定改質層の位置でクラックの進展が停止し易い。このため、この構成によれば、深いクラックの発生を抑制できる。

【0010】

上述した製造方法において、前記レーザを照射する前記工程では、２つの前記特定改質層形成処理の間において、先の前記特定改質層形成処理における前記焦点の終点位置から次の前記特定改質層形成処理における前記焦点の始点位置まで前記焦点を移動させることによって接続改質層を形成する処理を実施してもよい。

【0011】

この構成によれば、改質層が連続的に形成されるので、分割工程において半導体基板を分割し易い。

【0012】

上述した製造方法において、前記接続改質層が、前記半導体基板の前記表面に対して、前記特定改質層とは反対側に傾斜していてもよい。

【0013】

また、接続改質層を形成する場合には、上述した製造方法は、以下の構成を有していてもよい。前記特定結晶面が、第１特定結晶面であってもよい。前記半導体基板が、前記表面に平行な前記結晶面よりも劈開し易いとともに前記表面に対して傾斜している第２特定結晶面を有していてもよい。前記接続改質層が、前記第２特定結晶面に沿って伸びていてもよい。

【0014】

この構成では、劈開し易い第２特定結晶面に沿って接続改質層が形成されるので、接続改質層の形成時にクラックが発生し難い。

【0015】

また、接続改質層を形成する場合には、前記接続改質層と前記表面の間の角度が、前記特定改質層と前記表面の間の角度と等しくてもよい。この構成によれば、接続改質層の形成時にクラックが発生し難い。

【0016】

上述した製造方法において、前記表面が第１表面であってもよい。前記半導体基板が、前記第１表面の反対側に位置する第２表面を有していてもよい。前記レーザを照射する前記工程では、前記第２表面側から前記半導体基板に前記レーザを照射してもよい。前記各特定改質層形成処理では、前記焦点を前記特定結晶面に沿って前記第２表面から前記第１表面に向かって移動させてもよい。

【0017】

この構成によれば、レーザの焦点の位置から第２表面に向かって伸びるクラックの発生をより効果的に抑制できる。

【0018】

前記焦点を前記特定結晶面に沿って前記第２表面から前記第１表面に向かって移動させる製造方法において、前記各特定改質層形成処理では、前記焦点の始点位置から前記焦点を移動させるときに、前記焦点の移動に伴って前記レーザのエネルギーを増加させてもよい。

【0019】

この構成によれば、レーザの焦点の位置から第２表面に向かって伸びるクラックの発生をより効果的に抑制できる。

【0020】

上述した製造方法において、前記半導体基板が、窒化ガリウムによって構成されていてもよい。前記半導体基板の前記表面が、ｃ面に平行であってもよい。前記特定結晶面が、（１１－２８）面であってもよい。

【0021】

上述した製造方法において、前記半導体基板が、窒化ガリウムによって構成されていてもよい。前記半導体基板の前記表面が、ｃ面に平行であってもよい。前記特定結晶面が、ｍ面に沿う断面において前記ｃ面に対して２１．８度の角度で傾斜していてもよい。

【実施例0022】

図１は、加工対象の半導体基板１２を示している。半導体基板１２は、窒化ガリウムの単結晶により構成されており、六方晶の結晶構造を有している。各図の符号ａ１、ａ２、ａ３、及び、ｃは、六方晶のａ１軸、ａ２軸、ａ３軸、及び、ｃ軸を示している。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線における断面を示している。すなわち、図２に示す断面は、ｍ面（すなわち、（１－１００）面）を表している。図２に示すように、半導体基板１２は、主面として第１表面１２ａと第２表面１２ｂを有している。第１表面１２ａは、ｃ面（すなわち、（０００１）面）によって構成されている。第２表面１２ｂは、第１表面１２ａの反対側に位置しており、第１表面１２ａに対して平行である。また、図２の破線は、［１１－２８］方向に対して垂直な（１１－２８）面を示している。図２の角度θ１は、（１１－２８）面の第１表面１２ａに対する傾斜角度を示している。角度θ１は、２１．８度である。（１１－２８）面は、ｃ面よりも劈開し易い結晶面である。

【0023】

（素子構造形成工程）
実施例１の製造方法では、まず、素子構造形成工程を実施する。素子構造形成工程では、図３に示すように、半導体基板１２の第１表面１２ａ側の領域に、半導体素子構造を形成する。例えば、第１表面１２ａ近傍の半導体領域にドーパントの拡散層を形成する。また、第１表面１２ａに、電極１３を形成する。

【0024】

（レーザ照射工程）
次に、レーザ照射工程を実施する。図４に示すように、レーザ照射工程では、半導体基板１２に対して第２表面１２ｂ側からレーザＬを照射する。半導体基板１２は、光透過性を有する。ここでは、半導体基板１２の内部で焦点Ｓが形成されるように、半導体基板１２にレーザＬを照射する。焦点Ｓの位置では、半導体基板１２が加熱されて分解される。これによって、焦点Ｓの位置に結晶性が低下した改質層１４が形成される。例えば、改質層１４は、窒化ガリウムの分解によって析出したガリウム等によって構成されている。ここでは、焦点Ｓをａ３方向に移動させることで、第１表面１２ａに沿って伸びる改質層１４を形成する。また、ここでは、図５において矢印で示すように、焦点Ｓをａ３方向に移動させる処理を、［１－１００］方向に間隔を開けながら繰り返し実行する。これによって、ｃ軸に沿って半導体基板１２を見たときに半導体基板１２の略全域に改質層１４を形成する。

【0025】

図６は、焦点Ｓをａ３方向に移動させる工程の詳細の説明図であり、改質層１４を拡大して示している。図６において矢印で示すように、焦点Ｓをａ３方向に移動させる工程では、焦点Ｓをａ３方向に平行に移動させるのではなく、焦点Ｓをａ３方向に対して傾斜した（１１－２８）面に沿って移動させる処理を繰り返す。焦点Ｓを（１１－２８）面に沿って移動させることで、（１１－２８）面に沿って伸びる特定改質層１６が形成される。以下では、焦点Ｓを（１１－２８）面に沿って移動させる各処理を、特定改質層形成処理という。ここでは、ａ３方向に移動しながら特定改質層形成処理を繰り返し実施する。すなわち、１つの特定改質層形成処理が完了したらａ３方向にシフトした位置で再度特定改質層形成処理を実行する。このように特定改質層形成処理を繰り返すことによって、（１１－２８）面に沿って伸びる複数の特定改質層１６を形成する。このように複数の特定改質層１６を形成すると、複数の特定改質層１６がａ３方向に沿って配列されるように形成される。上述した改質層１４は、複数の特定改質層１６の集合体である。

【0026】

各特定改質層形成処理では、焦点Ｓを（１１－２８）面に沿って第２表面１２ｂ側から第１表面１２ａ側に向かって移動させる。すなわち、各特定改質層１６の第２表面１２ｂ側の端部１６ｂが特定改質層形成処理における焦点Ｓの始点位置であり、各特定改質層１６の第１表面１２ａ側の端部１６ａが特定改質層形成処理における焦点Ｓの終点位置である。各特定改質層形成処理では、焦点Ｓの始点位置から終点位置まで、焦点Ｓの移動軌跡に沿って特定改質層１６が形成される。終点位置まで焦点Ｓを移動させたら、レーザＬの照射を停止した状態でレーザＬのターゲット点を次の特定改質層形成処理の始点位置まで移動させ、次の特定改質層形成処理を開始する。したがって、２つの特定改質層１６の間（すなわち、１つの特定改質層１６の端部１６ａと隣の特定改質層１６の端部１６ｂの間）には改質層が形成されていない。また、各特定改質層形成処理において、レーザＬのエネルギーは略一定に維持される。

【0027】

（基板分割工程）
次に、基板分割工程を実施する。基板分割工程では、図７、８に示すように、改質層１４（すなわち、複数の特定改質層１６）に沿って半導体基板１２を分割する。すなわち、素子構造部１２ｓ（すなわち、半導体基板１２の第１表面１２ａ側の部分（言い換えると、半導体素子構造が形成されている部分））を基部１２ｔ（すなわち、半導体基板１２の第２表面１２ｂ側の部分）から剥離する。例えば、第１表面１２ａを第１支持板に固定し、第２表面１２ｂを第２支持板に固定し、第１支持板を第２支持板から離間させることで、素子構造部１２ｓを基部１２ｔから剥離することができる。以下では、素子構造部１２ｓ側の分割面を分割面１２ｄ－１といい、基部１２ｔ側の分割面を分割面１２ｄ－２という。

【0028】

その後、素子構造部１２ｓを複数のチップに分割することで、半導体装置が製造される。また、基部１２ｔは、分割面１２ｄ－２を研磨した後に、他の半導体装置の製造に利用される。

【0029】

実施例１の製造方法によれば、半導体基板１２の分割面１２ｄ－１、１２ｄ－２での意図しない凹凸の発生を抑制できる。以下に、実施例１の製造方法について、比較例の製造方法と比較しながら説明する。

【0030】

図９は、比較例の製造方法におけるレーザ照射工程を示している。比較例のレーザ照射工程では、半導体基板１２の第１表面１２ａと平行な結晶面（すなわち、ｃ面）と平行に焦点Ｓを移動させる。したがって、改質層１４がｃ面と平行に形成される。上述したように、実施例１では、図６に示すように微小範囲を拡大視したときに、改質層１４（すなわち、各特定改質層１６）が（１１－２８）面と平行に形成される。これに対し、比較例では、図９に示すように微小範囲を拡大視したときに、改質層１４がｃ面と平行に形成される。このように、実施例１と比較例では、微小範囲を拡大視したときに改質層１４が伸びる方向が異なる。レーザ照射工程では、焦点Ｓにおいて半導体基板１２が高温まで加熱されるので、焦点Ｓの周辺に高い応力が発生する。また、上述したように、半導体基板１２は、（１１－２８）面に沿って劈開し易い。図９に示すように、比較例のレーザ照射工程では、焦点Ｓで高い応力が発生することによって、改質層１４から（１１－２８）面に沿って深いクラック９０が発生し易い。このように、比較例では、改質層１４からその周辺に深いクラック９０が発生し易い。このため、図１０に示すように、比較例の基板分割工程では、改質層１４に沿って半導体基板１２を分割するときに、半導体基板１２がクラック９０に沿って割れ易い。その結果、分割面１２ｄ－１、１２ｄ－２に大きい凹凸が発生し易い。また、クラック９０が意図せず発生するために、分割面１２ｄ－１、１２ｄ－２の凹凸形状を制御することが困難である。また、分割面１２ｄ－１、１２ｄ－２に深いクラック９０が残存する。このため、分割工程後に、分割面１２ｄ－１、１２ｄ－２を多量に研磨して、クラック９０を除去する必要がある。

【0031】

これに対し、実施例１のレーザ照射工程では、図６に示すように各特定改質層１６が（１１－２８）面に沿って伸びるように形成される。劈開が生じ易い（１１－２８）面に沿って各特定改質層１６を形成すると、クラック９０が生じ難い。したがって、基板分割工程では、改質層１４に沿って正確に半導体基板１２が分割され易い。このため、図７に示すように、分割面１２ｄ－１、１２ｄ－２に大きい凹凸が発生し難い。なお、図７に示すように、実施例１の製造方法では、分割面１２ｄ－１、１２ｄ－２に改質層１４に沿って凹凸が形成されるが、この凹凸はクラックによって発生する凹凸に比べて小さい。したがって、実施例１の製造方法によれば、分割面１２ｄ－１、１２ｄ－２に大きい凹凸が生じることを抑制できる。また、実施例１の製造方法では、改質層１４に沿って半導体基板１２が分割され易いので、分割面１２ｄ－１、１２ｄ－２の凹凸形状を制御し易い。また、実施例１の製造方法では、分割面１２ｄ－１、１２ｄ－２にクラック９０が存在し難い。したがって、クラック９０を除去するために分割面１２ｄ－１、１２ｄ－２を研磨するときの研磨量が少なくてよい。また、クラック９０の影響がほとんどない場合には、分割面１２ｄ－１または１２ｄ－２を研磨しなくてもよい。

【0032】

なお、分割面１２ｄ－１を研磨しない場合には、凹凸を有する分割面１２ｄ－１が半導体装置の裏面となる。すなわち、裏面に複数の凸部を有し、各凸部が（１１－２８）面に沿って伸びる傾斜面を有する構造を備えた半導体装置が得られる。なお、この場合、凹凸を有する分割面１２ｄ－１に電極を形成すれば、電極と分割面１２ｄ－１の密着性を向上させることができる。

【0033】

なお、第２表面１２ｂ側からレーザＬを照射する場合、改質層１４よりも第２表面１２ｂ側の半導体領域（すなわち、基部１２ｔ）が、改質層１４よりも第１表面１２ａ側の半導体領域（すなわち、素子構造部１２ｓ）よりも高温になり易い。このため、例えば図９に示すように、改質層１４から第２表面１２ｂ側に深いクラック９０が発生し易い場合がある。この場合、実施例１（すなわち、図６）のように、各特定改質層形成処理において焦点Ｓを（１１－２０）面に沿って第２表面１２ｂ側から第１表面１２ａ側に向かって移動させると、クラック９０の発生をより効果的に抑制できる。例えば、図１１は、実施例１の特定改質層形成処理の途中の状態を示している。特定改質層形成処理の途中の状態においては、焦点Ｓから見て（１１－２８）面に沿って第２表面１２ｂ側に向かう方向（図１１の矢印１００の方向）には、特定改質層１６が存在している。特定改質層１６は結晶性が低下した領域であるので、特定改質層１６ではクラックが生じ難い。したがって、焦点Ｓの位置から（１１－２８）面に沿って第２表面１２ｂ側に向かってクラックが生じることが抑制される。

【0034】

なお、第２表面１２ｂ側へのクラック９０の発生がそれほど問題にならない場合等には、焦点Ｓを動かす向きは図６の逆であってもよい。すなわち、図１２の矢印で示すように、端部１６ａから端部１６ｂに向かって焦点Ｓを移動させてもよい。また、図６と図１２の移動方法を組み合わせて、図１３に示すように焦点Ｓを往復移動させてもよい。

【実施例0035】

実施例２の製造方法では、レーザ照射工程が実施例１の製造方法とは異なる。実施例２の製造方法のその他の構成は、実施例１の製造方法と等しい。

【0036】

実施例２では、図１４に示すように、半導体基板１２の厚み方向（すなわち、ｃ方向）に沿って見たときに、隣接する特定改質層１６どうしが部分的に重複するように複数の特定改質層１６が形成される。すなわち、図１４において、半導体基板１２の厚み方向に沿って見たときに、各特定改質層１６の端部１６ａ近傍の部分１６ａｘが、隣接する特定改質層１６の端部１６ｂ近傍の部分１６ｂｘと重複している。

【0037】

実施例２の製造方法によれば、以下に説明するように、各特定改質層１６の端部１６ｂ近傍でのクラック９０の発生をより効果的に抑制できる。上述したように、端部１６ｂは、各特定改質層形成処理における焦点Ｓの始点位置である。焦点Ｓの始点位置は、特定改質層１６内の結晶欠陥が最初に形成される位置であり、クラック９０が発生し易い。実施例２のように各特定改質層１６の部分１６ａｘが隣接する特定改質層１６の部分１６ｂｘと重複していると、図１５のように焦点Ｓの始点位置近傍（すなわち、端部１６ｂ近傍）から下方向に向かってクラック９０が発生したときに、クラック９０が他の特定改質層１６にぶつかる。すると、特定改質層１６の結晶性が低いので、特定改質層１６とクラック９０の交差部においてクラック９０の進展が停止する。これによって、深いクラック９０の発生が抑制される。したがって、実施例２の製造方法によれば、端部１６ｂ近傍でのクラック９０の発生を効果的に抑制できる。