特開 2023-93404 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023093404

(43)【公開日】2023-07-04

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20230627BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20230627BHJP

   H05K 1/03 20060101ALI20230627BHJP

   H05K 3/14 20060101ALI20230627BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 339Z

H05K3/46 N

H05K3/46 B

H05K3/46 E

H05K1/03 630A

H05K1/03 630E

H05K3/14 A

G09F9/30 365

G09F9/30 348A

【審査請求】有

【請求項の数】24

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022204712

(22)【出願日】2022-12-21

(31)【優先権主張番号】10-2021-0185235

(32)【優先日】2021-12-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】キム， ヒグァン

【テーマコード（参考）】

5C094

5E316

5E343

【Ｆターム（参考）】

5C094AA10

5C094BA03

5C094BA27

5C094CA19

5C094DA13

5C094FA01

5C094FA02

5C094FB12

5C094FB15

5E316AA04

5E316AA32

5E316AA43

5E316BB02

5E316CC08

5E316CC10

5E316CC16

5E316CC18

5E316CC32

5E316CC34

5E316CC35

5E316CC37

5E316CC46

5E316DD16

5E316HH01

5E316HH40

5E343AA02

5E343AA07

5E343AA12

5E343AA26

5E343BB24

5E343BB28

5E343BB35

5E343BB38

5E343BB39

5E343BB44

5E343BB52

5E343DD23

5E343GG20

(57)【要約】      （修正有）

【課題】カソード電極の抵抗を減少させて低電位電源の上昇現象の発生を減少させ、表示装置の輝度バラツキ現象の発生を減少させる表示装置を提供する。
【解決手段】パッド部、ＴＦＴ部及び保持電極部を有する表示装置において、補助電極部は、基板１１０上にパッシベーション層１３０、オーバーコート層１４０、バンク層１６０、有機発光層１７０及びカソード電極１８０とを含む。補助電極２２６は、パッシベーション層、オーバーコート層及びバンク層を貫通する孔を介して、少なくとも一部分が露出する補助電極コンタクト部２２６ｃを含み、有機発光層とカソード電極は、補助電極コンタクト部まで延びるように配置される。補助電極コンタクト部を囲むオーバーコート層は、一対のオーバーコートひさし構造部を含み、有機発光層とカソード電極の蒸着特性の差を利用して、ひさし構造部を介してカソード電極を補助電極に接触させる。
【選択図】図３ｂ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に配置された補助電極と、
前記補助電極上に配置されて、前記補助電極の少なくとも一部分が露出する第１孔を含むパッシベーション層と、
前記パッシベーション層上に配置されて、前記補助電極の少なくとも一部分が露出する第２孔を含むオーバーコート層と、
前記オーバーコート層上に配置されて、前記補助電極の少なくとも一部分が露出する第３孔を含むバンク層と、を含み、
前記第１孔、前記第２孔、及び前記第３孔は、少なくとも一部分が互いに重畳するように配置され、
前記第１孔の第１方向の中心部は、前記第２孔の第２方向の中心部と重畳し、前記第１方向が前記第２方向と交差する、
表示装置。

【請求項2】

前記第１孔は、
第１中心部と、
前記第１方向に前記第１中心部の両側面に配置される一対のアンダーカット部とを含み、
前記オーバーコート層は、前記一対のアンダーカット部を覆うように配置されて、前記一対のアンダーカット部は、外部に露出しない、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記一対のアンダーカット部は、前記第１中心部を基準に、互いに対称である形態に配置される、
請求項２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第２孔は、
第２中心部と、
前記第２方向に前記第２中心部の両側面に配置される一対のパッシベーション露出部とを含み、
前記パッシベーション露出部は、前記パッシベーション層を露出させる、
請求項２に記載の表示装置。

【請求項5】

前記一対のパッシベーション露出部は、前記第２中心部を基準に、互いに対称である形態に配置される、
請求項４に記載の表示装置。

【請求項6】

前記バンク層上に配置された有機発光層と、
前記有機発光層上に配置されたカソード電極とをさらに含み、
前記有機発光層と前記カソード電極とは、少なくとも１つの前記パッシベーション露出部に沿って延びて、前記補助電極上に配置される、
請求項４に記載の表示装置。

【請求項7】

前記有機発光層と前記カソード電極とは、前記パッシベーション露出部に沿って少なくとも１つの前記アンダーカット部まで延び、
少なくとも１つの前記アンダーカット部に位置する前記カソード電極は、前記有機発光層よりもさらに長く延びて、前記補助電極と直接に接触する、
請求項６に記載の表示装置。

【請求項8】

前記第１孔、前記第２孔、及び前記第３孔は、前記補助電極に対応する領域の内側に位置する、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項9】

前記第１孔、前記第２孔、及び前記第３孔に対応する前記補助電極は、平坦化した面を有する、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項10】

前記第１孔と前記第２孔とのそれぞれは、前記第３孔に対応する領域の内側に位置する、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項11】

前記基板は、表示領域と非表示領域とを含み、
前記表示領域は、発光部と透過部とを含み、
前記補助電極は、前記透過部と重畳するように配置される、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項12】

前記発光部と重畳しないように、前記表示領域を通る低電位電源配線をさらに含み、
前記補助電極は、前記低電位電源配線から前記透過部の方向に突出している、
請求項１１に記載の表示装置。

【請求項13】

基板と、
前記基板上に配置された補助電極と、
前記補助電極上に配置されたパッシベーション層と、
前記パッシベーション層上に配置されたオーバーコート層と、
前記オーバーコート層上に配置されたバンク層と、
前記バンク層上に配置された有機発光層と、
前記有機発光層上に配置されたカソード電極と、を含み、
前記補助電極は、前記パッシベーション層、前記オーバーコート層、及び前記バンク層を貫通する孔を介して、少なくとも一部分が露出する補助電極コンタクト部を含み、
前記有機発光層と前記カソード電極とは、前記補助電極コンタクト部まで延びるように配置されて、
前記補助電極コンタクト部を囲む前記オーバーコート層は、一対のオーバーコートひさし構造部を含む、
表示装置。

【請求項14】

前記一対のオーバーコートひさし構造部の下部には、
前記パッシベーション層を部分的に除去することにより形成された一対のアンダーカット部がそれぞれ画定される、
請求項１３に記載の表示装置。

【請求項15】

前記一対のアンダーカット部は、互いに向かい合うように配置される、
請求項１４に記載の表示装置。

【請求項16】

前記オーバーコートひさし構造部上には、前記バンク層のバンク突出部が配置されて、
前記オーバーコートひさし構造部は、前記バンク突出部よりもさらに突出する、
請求項１３に記載の表示装置。

【請求項17】

前記補助電極コンタクト部を囲む前記オーバーコート層は、オーバーコート段差部を含み、
前記オーバーコート段差部の上部には、前記オーバーコート層を部分的に露出させるバンク段差部が配置され、
前記オーバーコート段差部の下部には、前記パッシベーション層を部分的に露出させるパッシベーション段差部が配置され、
前記バンク段差部、前記オーバーコート段差部、及び前記パッシベーション段差部に沿って前記有機発光層と前記カソード電極とが延びて、前記補助電極コンタクト部上に配置される、
請求項１３に記載の表示装置。

【請求項18】

前記バンク段差部、前記オーバーコート段差部、及び前記パッシベーション段差部は、それぞれ正テーパ状を有する、
請求項１７に記載の表示装置。

【請求項19】

前記バンク段差部、前記オーバーコート段差部、及び前記パッシベーション段差部は、この順に前記補助電極に近くなるように配置される、
請求項１７に記載の表示装置。

【請求項20】

前記補助電極コンタクト部上に配置される前記カソード電極は、少なくとも１つの前記アンダーカット部に対応する領域における前記補助電極と接触する、
請求項１７に記載の表示装置。

【請求項21】

前記オーバーコート層の下面は、前記パッシベーション層と直接に接触し、
前記オーバーコート層の上面は、前記バンク層と直接に接触する、
請求項１３に記載の表示装置。

【請求項22】

前記基板は、発光部と透過部とを含み、
前記第１方向は、前記発光部と前記透過部とが交互に配置される方向であり、
前記一対のアンダーカット部は、前記第１方向に沿って互いに向かい合うように配置される、
請求項２に記載の表示装置。

【請求項23】

前記基板は、複数の発光部と複数の透過部とを含み、
前記第２方向は、前記複数の発光部が連続して配置される方向、若しくは、前記複数の透過部が連続して配置される方向であり、
前記一対のパッシベーション露出部は、前記第２方向に沿って互いに向かい合うように配置される、
請求項２に記載の表示装置。

【請求項24】

基板と、
前記基板上に配置された補助電極と、
前記補助電極上に配置されて、前記補助電極の少なくとも一部分が露出する第１孔を含むパッシベーション層と、
前記パッシベーション層上に配置されて、前記補助電極の少なくとも一部分が露出する第２孔を含むオーバーコート層と、を含み、
前記第１孔、 及び前記第２孔は、少なくとも一部分が互いに重畳するように配置され、
前記第１孔の第１方向の中心部は、前記第２孔の第２方向の中心部と重畳し、前記第１方向が前記第２方向と交差する、
表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書は、輝度バラツキ現象を減少させることのできる表示装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

表示装置は、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＯＬＥＤ）、マイクロＬＥＤ表示装置（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）等のように、様々な形態に具現することができる。

【0003】

このうち、有機発光表示装置は、自体発光型素子である有機発光素子を含むため、別途光源が不要であり、表示装置の厚さと重さを大きく減らすことができる。

【0004】

有機発光表示装置は、アノード（Ａｎｏｄｅ）電極とカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）電極との間に光を出す有機発光素子を含む構造を有してもよい。

【0005】

有機発光素子がアノード電極及びカソード電極と接触する領域は、光を発光する発光部であってもよい。

【0006】

有機発光表示装置は、発光部で発光する光が、基板の配置された方向に出る背面発光型（Ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ＯＬＥＤ）、基板の配置された逆方向に出る上面発光型（Ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ＯＬＥＤ）、両方向に出る両面発光型又は透明発光型（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ＯＬＥＤ）等に区分することができる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

一方、上面発光型又は両面発光型の場合、発光部で発光した光を上部方向に発光させるために、有機発光素子の上部に配置された上部電極であるカソード電極の透過率を高めることができる。

【0008】

例えば、カソード電極は、透過電極又は半透過電極として用いることができる。

【0009】

発光部と透過部を含む透明発光型の場合も、透過部の具現のためカソード電極を透明に近い透過電極で形成することができる。

【0010】

これによって、カソード電極は、透過率の高い物質で形成することができるが、通常、透過率の高い物質は、電気的抵抗が高い。

【0011】

また、透過率向上のためカソード電極の厚さを薄く形成することができるが、カソード電極の厚さが減少するようになると、カソード電極の電気的抵抗も増加する。

【0012】

このように、カソード電極の抵抗が増加すると、低電位電源の上昇（ＶＳＳ Ｒｉｓｉｎｇ）現象により、表示装置の輝度バラツキ現象が発生し得る。

【0013】

これによって、本明細書の発明者らは、種々の実験を通じて、低電位電源の上昇（ＶＳＳ Ｒｉｓｉｎｇ）現象を減少して、輝度バラツキ現象の発生を減少させることのできる表示装置を発明した。

【0014】

本明細書の実施形態による解決すべき課題は、輝度バラツキ現象の発生を減少させることのできる表示装置を提供することである。

【0015】

本明細書の実施形態による解決すべき課題は、カソード電極と補助電極の接触領域において、各層の変形や剥がれ不良又は浮き不良が発生することを減少させることのできる表示装置を提供することである。

【0016】

本明細書の実施形態による解決すべき課題は、カソード電極と補助電極の接触領域において、洗浄などのような工程に容易な構造を有する表示装置を提供することである。

【0017】

本明細書の実施形態による解決すべき課題は、カソード電極と補助電極の接触領域において、静電気不良の発生を減少させることのできる表示装置を提供することである。

【0018】

本明細書の実施形態による解決すべき課題は、工程上、基板の移動性と方向性に影響を受けず、カソード電極と補助電極の接触不良を減少させることのできる表示装置を提供することである。

【0019】

本明細書の実施形態による解決すべき課題は、カソード電極と補助電極の接触領域において、カソード電極の接触を容易にすることのできる補助電極構造を形成できる表示装置を提供することである。

【0020】

本明細書の実施形態による解決すべき課題は、以上に言及した課題に制限されず、言及していないさらに他の課題は、下記の記載から当業者にとって明確に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0021】

本明細書の実施形態による表示装置は、基板と、基板上に配置された補助電極と、補助電極上に配置されて、補助電極の少なくとも一部分が露出する第１孔を含むパッシベーション層と、パッシベーション層上に配置されて、補助電極の少なくとも一部分が露出する第２孔を含むオーバーコート層と、オーバーコート層上に配置されて、補助電極の少なくとも一部分が露出する第３孔を含むバンク層と、を含む。

【0022】

この場合、第１孔、第２孔、及び第３孔は、少なくとも一部分が互いに重畳するように配置されて、第１孔と前記第２孔は、中心部を基準に、それぞれ第１方向と第２方向に交差するように配置される。第１方向は、補助電極が長く延びた方向と平行な方向であってもよい。第２方向は、第１方向に垂直であってもよい。

【0023】

また、本明細書の実施形態による表示装置は、基板と、基板上に配置された補助電極と、補助電極上に配置されたパッシベーション層と、パッシベーション層上に配置されたオーバーコート層と、オーバーコート層上に配置されたバンク層と、バンク層上に配置された有機発光層と、有機発光層上に配置されたカソード電極と、を含む。

【0024】

この場合、補助電極は、パッシベーション層、オーバーコート層、及びバンク層を貫通する孔を介して、少なくとも一部分が露出する補助電極コンタクト部を含み、有機発光層とカソード電極は、補助電極コンタクト部まで延びるように配置されて、補助電極コンタクト部を囲むオーバーコート層は、一対のオーバーコートひさし構造部を含む。

【発明の効果】

【0025】

本明細書の実施形態によれば、有機発光層とカソード電極の蒸着特性の差を利用して、ひさし構造部を介してカソード電極を補助電極に接触させるため、カソード電極の抵抗を減少させることができる。

【0026】

これによって、本明細書の実施形態によれば、カソード電極の抵抗を減少して、低電位電源の上昇現象の発生を減少させるため、表示装置の輝度バラツキ現象の発生を減少させることができる。

【0027】

また、本明細書の実施形態によれば、カソード電極と補助電極を接触させるためのひさし構造部を形成する場合、パッシベーション層、オーバーコート層、及びバンク層が順次積層されて、オーバーコート層が一対のオーバーコートひさし構造部を含むことができ、オーバーコートひさし構造部上には、バンク突出部が配置されてもよい。

【0028】

これによって、本明細書の実施形態によれば、バンク層ではないオーバーコート層がパッシベーション層上に配置されるため、バンク層とパッシベーション層との間の接着性問題による剥がれ不良の発生を減少させることができ、オーバーコート層上にバンク層が配置されるため、オーバーコート層がストレスによって変形するか、オーバーコートひさし構造部の浮き現象が発生することを減少させることができる。

【0029】

また、本明細書の実施形態によれば、カソード電極と補助電極を接触させるためのひさし構造部を形成する場合、ひさし構造部をオーバーコート層で形成して、オーバーコート層上にバンク層を形成することから、実際にひさし構造部の厚さを増加させることができるため、洗浄などのような工程に容易かつ剛健な構造を形成することができる。

【0030】

また、本明細書の実施形態によれば、カソード電極と補助電極を接触させるためのひさし構造部を形成する場合、ひさし構造部を非伝導性物質から構成されるオーバーコート層で形成して、オーバーコート層上にバンク層を形成するため、該領域で発生し得る静電気不良の発生を減少させることができる。

【0031】

また、本明細書の実施形態によれば、カソード電極と補助電極を接触させるためのひさし構造部を形成する場合、パッシベーション層の孔が中心部を基準に、両側面に一対のアンダーカット部を対称構造として含むため、有機発光層を形成する工程において、基板の移動方向による不良発生可能性を減少させることができる。

【0032】

また、本明細書の実施形態によれば、パッシベーション層の孔、オーバーコート層の孔、及びバンク層の孔は、平坦化した面を有する補助電極の内側に位置することから、アンダーカット部も補助電極の平坦化した面上に位置することができるため、アンダーカット部領域の屈曲を減少して、カソード電極が切れることなく、補助電極と接触できるようにすることができる。

【0033】

本明細書の効果は、以上に言及した効果に制限されず、言及していないさらに他の効果は、下記の記載から当業者にとって明確に理解することができる。

【図面の簡単な説明】

【0034】

【図1】本明細書の実施形態による表示装置の平面図。

【図2】本明細書の実施形態による発光部と透過部を含む表示装置の拡大平面図。

【図3a】本明細書の実施形態による表示装置の一部領域に対応する断面図。

【図3b】補助電極部に対応する領域の拡大断面図。

【図3c】補助電極部に対応する領域の拡大平面図。

【図4】表示装置の基板の移送方向による補助電極とカソード電極との間の接触正常部と不良部を比較する図。

【図5】本明細書の他の実施形態による発光部と透過部を含む表示装置の拡大平面図。

【図6a】本明細書の他の実施形態による表示装置の一部領域に対応する断面図。

【図6b】補助電極部に対応する領域の拡大断面図。

【図6c】補助電極部に対応する領域の拡大平面図。

【図7a】本明細書の他の実施形態による表示装置の一部領域に対応する断面図。

【図7b】補助電極部に対応する領域の拡大断面図。

【図7c】補助電極部に対応する領域の拡大平面図。

【図8a】バンク層のひさし構造部の剥がれ現象が発生していない正常部を示す図。

【図8b】バンク層のひさし構造部の剥がれ現象が発生している不良部を示す図。

【図9a】オーバーコート層のひさし構造部の浮き現象が発生していない正常部を示す図。

【図9b】オーバーコート層のひさし構造部の浮き現象が発生している不良部を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0035】

本明細書の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すれば明確になる。しかしながら、本明細書は、以下に開示の実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる様々な形態に具現されるものである。ただ、本実施形態は、本明細書の開示を完全にして、本明細書の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本明細書は、請求項の範疇によって定義されるだけである。

【0036】

本明細書の実施形態を説明するため図面に開示の形状、大きさ、比率、角度、本数等は、例示的なものであり、本明細書に示された事項に限定されるものではない。全明細書における同じ参照符号は、同じ構成要素を称する。また、本明細書を説明することにおいて、関連する公知技術に対する具体的な説明が、本明細書の要旨を曖昧にすると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。本明細書上に言及されている「含む」、「有する」、「なる」などが使われる場合、「～のみ」が使われていない限り、他の部分を加えてもよい。構成要素を単数で表現した場合、別に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合も含む。

【0037】

構成要素を解釈することにおいて、別途明示的記載がなくても、誤差範囲を含むものと解釈する。

【0038】

位置関係に関する説明の場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～側に」などと、両部分の位置関係を説明する場合、「直ぐに」又は「直接」が使われていない限り、両部分の間に一以上の他の部分が位置してもよい。

【0039】

時間関係に関する説明の場合、例えば、「～後に」、「～に次いで」、「～次に」、「～前に」などと、時間的先後関係を説明する場合、「直ぐに」又は「直接」が使われていない限り、連続的でない場合も含むことができる。

【0040】

第１、第２などは、様々な構成要素を述べるために使われるものの、これら構成要素は、これら用語によって制限されない。これら用語は、単に一構成要素を他の構成要素と区別するために使うものである。よって、以下に言及する第１構成要素は、本明細書の技術思想内における第２構成要素であってもよい。

【0041】

本明細書の複数の実施形態の個々の特徴は、部分的に又は全体的に互いに結合若しくは組み合わせが可能であり、技術的に様々な連動及び駆動が可能であり、各実施形態を互いに独立して実施することができ、連関関係をもって共に実施することもできる。

【0042】

以下では、輝度バラツキ現象を減少させることのできる表示装置の様々な構成について詳説することとする。

【0043】

図１は、本明細書の実施形態による表示装置の平面図である。

【0044】

以下では、透過部を含み、有機発光素子によって発光する透明有機発光表示装置（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ：ＯＬＥＤ）を一例として説明するものの、本明細書の実施形態による表示装置がこれに限定されるものではない。

【0045】

表示装置１は、基板１１０を含み、基板１１０は、表示領域（ＤＡ）と、表示領域（ＤＡ）を囲むように配置される非表示領域（ＮＤＡ）とを含むことができる。

【0046】

表示領域（ＤＡ）は、マトリックス状に配列された１つ以上の発光部（ＥＡ）と、１つ以上の透過部（ＴＡ）とを含むことができる。

【0047】

例えば、発光部（ＥＡ）は、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、及び青（Ｂ）を具現する第１サブ画素（ＳＰ１）、第２サブ画素（ＳＰ２）、及び第３サブ画素（ＳＰ３）を含むか、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、及び白（Ｗ）を具現する第１サブ画素（ＳＰ１）、第２サブ画素（ＳＰ２）、第３サブ画素（ＳＰ３）、及び第４サブ画素（ＳＰ４）を含むことができる。

【0048】

非表示領域（ＮＤＡ）には、表示領域（ＤＡ）の発光部（ＥＡ）に各種信号を印加するデータ駆動部、若しくは、ゲート駆動部が連結され得る１つ以上のデータパッド部（ＤＰＡＤ）とゲートパッド部（ＧＰＡＤ）が配置されてもよい。

【0049】

以下では、図２、図３ａ～図３ｃを参照して説明することとする。

【0050】

図２は、本明細書の実施形態による発光部と透過部を含む表示装置の拡大平面図である。具体的に図２は、図１のＡ領域の拡大平面図である。

【0051】

図３ａは、本明細書の実施形態による表示装置の一部領域に対応する断面図であり、特に、図３ａは、図１のI－I’ライン、図２のII－II’及びIII－III’ラインに沿う断面図である。図３ｂは、補助電極部に対応する領域の拡大断面図であり、特に、図３ｂは、図３ａのIII－III’の断面図の拡大図である。図３ｃは、補助電極部に対応する領域の拡大平面図である。

【0052】

基板１１０は、表示装置１のベース基板であり、ガラス材質の基板を用いることができるものの、これに限定されるものではなく、柔軟な性質を有するポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）基板を用いることもできる。

【0053】

基板１１０上にパッド部（ＰＡＤ部）、薄膜トランジスタ部（ＴＦＴ部）、及び補助電極部が形成されてもよい。

【0054】

薄膜トランジスタ部（ＴＦＴ部）は、発光部（ＥＡ）を含むことができる。

【0055】

薄膜トランジスタ部（ＴＦＴ部）には、基板１１０上にアクティブ層１２１、ゲート電極１２４、第１電極１２６ａ、及び第２電極１２６ｂを含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が配置されてもよい。

【0056】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と基板１１０との間には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアクティブ層１２１に光が入射することを防止できる遮光層１１１が配置されてもよい。

【0057】

遮光層１１１と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）との間には、バッファ層１１３が配置されてもよい。

【0058】

アクティブ層１２１とゲート電極１２４との間には、アクティブ層１２１とゲート電極１２４を絶縁させることのできるゲート絶縁層１２３が配置されてもよい。

【0059】

アクティブ層１２１と同じ層に遮光層１１１と重畳するように配置されて、キャパシタを形成するキャパシタ電極１２２が配置されてもよい。

【0060】

アクティブ層１２１とゲート電極１２４上には、層間絶縁層１２５が配置されて、層間絶縁層１２５に形成されるコンタクト孔を介して、第１電極１２６ａと第２電極１２６ｂは、それぞれアクティブ層１２１と電気的に連結されてもよい。

【0061】

第１電極１２６ａは、ソース電極であり、第２電極１２６ｂは、ドレイン電極であってもよい。

【0062】

第２電極１２６ｂは、層間絶縁層１２５とバッファ層１１３に形成されるコンタクト孔を介して遮光層１１１と電気的に連結されてもよい。

【0063】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と電気的に連結されたアノード電極１５０、有機発光層１７０、及びカソード電極１８０を含む発光素子が配置されてもよい。

【0064】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とアノード電極１５０との間には、無機絶縁物質からなるパッシベーション層１３０が配置されてもよい。

【0065】

また、パッシベーション層１３０とアノード電極１５０との間には、有機絶縁物質からなるオーバーコート層１４０が配置されてもよい。

【0066】

オーバーコート層１４０は、平坦化層として機能することができ、上部に配置される電極、層が、平坦化した面に均一に形成されるようにすることができる。

【0067】

アノード電極１５０は、パッシベーション層１３０とオーバーコート層１４０に形成されるコンタクト孔を介して、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の第２電極１２６ｂと電気的に連結されてもよい。

【0068】

アノード電極１５０、有機発光層１７０、及びカソード電極１８０が重畳する領域における光が発散され得、アノード電極１５０、有機発光層１７０、及びカソード電極１８０が重畳する領域を発光部（ＥＡ）と定義することができる。

【0069】

有機発光層１７０は、例えば、白光のように、画素別に同じ色の光を発光するように具現されるか、赤、緑、又は青の光のように、画素別に相違する色を発光するように具現されてもよい。

【0070】

各々の発光部（ＥＡ）間の境界にはバンク層１６０が配置されて、互いに異なる色相を表示する発光部（ＥＡ）の色相が混色することを減少させることができる。

【0071】

バンク層１６０は、有機絶縁物質からなってもよく、オーバーコート層１４０と異なる有機絶縁物質からなってもよいものの、これに限定されるものではない。

【0072】

発光素子上には、密封層（不図示)がさらに配置されて、有機発光層１７０へ外部からの水分と異物が浸透することを減少させることができる。

【0073】

パッド部（ＰＡＤ部）は、ゲートパッド部（ＧＰＡＤ）を一例として説明する。

【0074】

パッド部（ＰＡＤ部）には、基板１１０上にバッファ層１１３が配置されて、バッファ層１１３上にパッド電極３２４が配置されてもよい。パッド電極３２４は、ゲート電極１２４と同じ物質で形成されてもよい。

【0075】

パッド電極３２４上には、層間絶縁層１２５のコンタクト孔を介して電気的に連結されるパッド連結電極３２６が配置されてもよい。

【0076】

パッド連結電極３２６は、第１電極１２６ａ及び第２電極１２６ｂと同じ物質で形成されてもよい。

【0077】

パッド連結電極３２６上には、パッシベーション層１３０のコンタクト孔を介して電気的に連結されるパッド接触電極３５０が配置されてもよい。

【0078】

パッド接触電極３５０は、アノード電極１５０と同じ物質で形成されてもよい。

【0079】

以下では、補助電極部について説明することとする。

【0080】

本明細書の実施形態による表示装置１の場合、有機発光層１７０で発光する光は、基板１１０の配置された方向の逆方向である、カソード電極１８０の配置された方向に発散されてもよい。

【0081】

よって、カソード電極１８０は、透過率を高めるために厚さを減少させることができる。

【0082】

カソード電極１８０は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等のような透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ：ＴＣＯ）で形成して、透過率の高い透過電極又は半透過電極で形成することができる。

【0083】

ただ、カソード電極１８０の厚さを減少させる場合、電気的抵抗が増加するようになり、透過率の高い物質からなる場合、高い電気的抵抗を有するようになり得る。

【0084】

このように、カソード電極１８０の抵抗が増加するようになると、低電位電源の上昇（ＶＳＳ Ｒｉｓｉｎｇ）現象により、表示装置の輝度バラツキ現象が発生し得る。

【0085】

これによって、本明細書の実施形態による表示装置１は、カソード電極１８０に補助電極２２６を電気的に連結して、カソード電極１８０の抵抗を減少させることができる。

【0086】

補助電極部は、補助電極２２６が配置される領域を意味し得る。例えば、補助電極部は、カソード電極１８０と補助電極２２６が直接に接触する領域を含むことができる。

【0087】

カソード電極１８０の側面又は端部１８１は、補助電極２２６の上面２２７と直接に接触する。カソード電極１８０の側面１８１と、補助電極２２６の上面２２７との間の十分な接触は、カソード電極１８０の電気抵抗を減少させる。これはカソード電極１８０の構成要素である。図３Ａ、３Ｂ及び図４を参照すると、「正常部の場合」におけるカソード電極１８０の側面１８１と補助電極２２６の上面２２７とが、十分接触していることが分かる。しかし、「不良部の場合」では、カソード電極１８０の側面１８１と補助電極２２６の上面２２７とが依然として接触して、カソード電極１８０の電気抵抗を減らすために電気的に連結される。しかし、示されたように、カソード電極１８０の側面１８１が補助電極２２６の上面２２７と接触する接触面積は、「正常部の場合」に比べて減少する。これによって、物理的接触不良及び／又は電気的接触不良が発生し得て、カソード電極１８０に対する接触の電気抵抗が増加し得る。

【0088】

一部の実施例において、補助電極２２６の上面２２７と接触するカソード電極１８０の側面１８１の距離（Ｄ１）又は長さ（Ｄ１）で設定され得るカソード電極１８０の側面１８１と補助電極２２６の上面２２７との間の十分な接触は、カソード電極１８０の厚さ（Ｔｈ）以上であってもよい。これは十分な接触の一例であるものの、本発明がこれに限定されるものではない。図４を参照すると、不良部の場合、補助電極２２６の上面２２７と接触するカソード電極１８０の側面１８１の距離（Ｄ２）又は長さ（Ｄ２）が、カソード電極１８０の厚さ（Ｔｈ）よりも小さい。図４に示されたように、長さ（Ｄ２）は、カソード電極１８０の厚さ（Ｔｈ）よりも顕著に小さく、接触面積は、正常部の場合よりも顕著に小さい。

【0089】

補助電極部の基板１１０上には、バッファ層１１３及び層間絶縁層１２５が配置されてもよい。

【0090】

層間絶縁層１２５上には、補助電極２２６が配置されてもよい。

【0091】

補助電極２２６は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の第１電極１２６ａ及び第２電極１２６ｂと同じ層に配置されてもよく、同じ物質で形成されてもよい。

【0092】

補助電極２２６は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、又はこれに対する合金から構成することができるものの、これに限定されない。

【0093】

補助電極２２６上には、第１孔１３０ｈを含むパッシベーション層１３０が配置されてもよい。

【0094】

パッシベーション層１３０上には、第２孔１４０ｈを含むオーバーコート層１４０が配置されてもよい。

【0095】

第２孔１４０ｈは、第１孔１３０ｈよりも広い面積を有するように形成されてもよく、第１孔１３０ｈは、第２孔１４０ｈの内側に位置することができる。

【0096】

また、パッシベーション層１３０上には、アノードひさし構造部１５１を含むアノード電極１５０が配置されてもよい。

【0097】

補助電極部のアノード電極１５０は、発光部（ＥＡ）のアノード電極１５０から延びた電極であってもよいものの、これに限定されるものではなく、発光部（ＥＡ）のアノード電極１５０と離隔して配置される別の電極であってもよい。

【0098】

補助電極部のアノード電極１５０と、発光部（ＥＡ）のアノード電極１５０は、同じ物質かつ同様の工程で形成されて、同じ層に配置されてもよい。

【0099】

補助電極部のアノード電極１５０は、パッシベーション層１３０の第１孔１３０ｈよりも所定の距離が内側に突出するアノードひさし構造部１５１を含むことができる。

【0100】

図３Ｂにおいて、アノード電極１５０は、補助電極２２６の上面２２７と接触する第１部分を含む。第１部分は、補助電極２２６と電気的に連結されるアノード電極１５０のトレンチ状の部分又は陥没部を称する。また、アノード電極１５０は、補助電極２２６の上面２２７と離隔した第２部分を含む。第２部分は、アノードひさし構造部１５１とも言う。一番目の部分と二番目の部分は、連続的であり、互いに隣接する。

【0101】

アノード電極１５０のアノードひさし構造部１５１の下部に対応するパッシベーション層１３０には、アンダーカット部１３０ｕが形成されてもよい。

【0102】

アンダーカット部１３０ｕは、第１孔１３０ｈの内側に形成されるため、パッシベーション層１３０の除去された領域に対応することができる。

【0103】

アノードひさし構造部１５１は、パッシベーション層１３０の内側方向に突出しているため、アンダーカット部１３０ｕは、上部方向から見るとき、アノードひさし構造部１５１によって外部に露出しない領域であってもよい。

【0104】

パッシベーション層１３０の第１孔１３０ｈは、第１中心部１３０ｃと、第１中心部１３０ｃの両側面に配置される一対のアンダーカット部１３０ｕとを含むことができる。

【0105】

一対のアンダーカット部１３０ｕは、第１中心部１３０ｃを基準に、互いに向かい合うように配置されて、互いに対称する位置に配置されるか隣接して配置されてもよい。例えば、一対のアンダーカット部１３０ｕは、第１中心部１３０ｃの中心を基準に対称に配置されてもよい。

【0106】

また、一対のアンダーカット部１３０ｕは、第１中心部１３０ｃを基準に、互いに対称する形態を有するように、互いに同様の形態に形成されてもよい。

【0107】

アノード電極１５０とオーバーコート層１４０上には、第３孔１６０ｈを含むバンク層１６０が配置されてもよい。

【0108】

第３孔１６０ｈは、第１孔１３０ｈと第２孔１４０ｈよりも広い面積を有するように形成されてもよく、第１孔１３０ｈと第２孔１４０ｈは、第３孔１６０ｈの内側に位置することができる。

【0109】

バンク層１６０の第３孔１６０ｈは、補助電極部のアノードひさし構造部１５１を覆わずに、外部に露出させることができる。

【0110】

一対のアンダーカット部１３０ｕが形成されていない領域には、パッシベーション段差部１３０ｓ、オーバーコート段差部１４０ｓ、及びバンク段差部１６０ｓが順次積層されるように形成されてもよい。

【0111】

例えば、パッシベーション段差部１３０ｓを含むパッシベーション層１３０上には、パッシベーション段差部１３０ｓを露出させて、オーバーコート段差部１４０ｓを含むオーバーコート層１４０が配置され、オーバーコート段差部１４０ｓを含むオーバーコート層１４０上には、オーバーコート段差部１４０ｓを露出させて、バンク段差部１６０ｓを含むバンク層１６０が配置されてもよい。

【0112】

パッシベーション段差部１３０ｓ、オーバーコート段差部１４０ｓ、及びバンク段差部１６０ｓは、補助電極２２６の上部に順に積層されてもよい。

【0113】

すなわち、パッシベーション段差部１３０ｓが補助電極２２６と最も近く配置されて、バンク段差部１６０ｓが補助電極２２６と最も遠く配置されてもよい。

【0114】

また、バンク段差部１６０ｓ、オーバーコート段差部１４０ｓ、及びパッシベーション段差部１３０ｓは、いずれも正テーパ状を有するように形成されて、階段式積層形態を有してもよい。

【0115】

バンク層１６０上には有機発光層１７０が形成されて、有機発光層１７０上にはカソード電極１８０が形成されてもよい。

【0116】

補助電極２２６は、第１孔１３０ｈによって露出する面が、補助電極コンタクト部２２６ｃであってもよい。

【0117】

補助電極コンタクト部２２６ｃ上には、有機発光層１７０及びカソード電極１８０が形成されて、互いに接触することができる。

【0118】

補助電極２２６は、表示領域（ＤＡ）を通る低電位電源配線（ＶＳＳＬ）と電気的に連結されてもよい。

【0119】

例えば、補助電極２２６は、低電位電源配線（ＶＳＳＬ）と一体型に形成されて、補助電極２２６は、低電位電源配線（ＶＳＳＬ）から透過部（ＴＡ）の方向に突出するように形成されてもよい。

【0120】

低電位電源配線（ＶＳＳＬ）は、発光部（ＥＡ）及び透過部（ＴＡ）と重畳しないように、バンク層１６０と重畳するように配置され、発光部（ＥＡ）と電気的に連結されて、低電位電源（ＶＳＳ）を供給することができる。

【0121】

このように、低電位電源配線（ＶＳＳＬ）が発光部（ＥＡ）及び透過部（ＴＡ）と重畳せず、バンク層１６０と重畳するように配置されるため、低電位電源配線（ＶＳＳＬ）によって発光領域と透過領域が損失することを減少させることができる。

【0122】

本明細書の実施形態によれば、補助電極２２６とカソード電極１８０を補助電極コンタクト部２２６ｃにおいて電気的に連結させるために、有機発光層１７０とカソード電極１８０の互いに異なる蒸着特性とひさし構造を有するアノードひさし構造部１５１を用いることができる。

【0123】

有機発光層１７０とカソード電極１８０は、蒸着工程を用いて形成することができるが、有機発光層１７０とカソード電極１８０は、バンク段差部１６０ｓ、オーバーコート段差部１４０ｓ、及びパッシベーション段差部１３０ｓに沿って延びるように形成され、補助電極コンタクト部２２６ｃ上に形成されてもよい。

【0124】

有機発光層１７０は、蒸着時、直進性が強いため、アノードひさし構造部１５１の下部領域であるアンダーカット部１３０ｕまで浸透する距離は短いものの、カソード電極１８０は、直進性が強くないため、アノードひさし構造部１５１の下部領域であるアンダーカット部１３０ｕまで浸透する距離が長くなり得る。

【0125】

よって、カソード電極１８０は、アンダーカット部１３０ｕにおける補助電極コンタクト部２２６ｃと直接に接触できるようになり、カソード電極１８０は、補助電極２２６と電気的に連結されてもよい。

【0126】

アノードひさし構造部１５１は、下部の補助電極２２６と所定距離離隔しているため、アノードひさし構造部１５１上に形成される有機発光層１７０とカソード電極１８０は、補助電極コンタクト部２２６ｃまで延びることができず、アノードひさし構造部１５１における連結が切れる。

【0127】

以上のように、本明細書の実施形態によれば、有機発光層１７０とカソード電極１８０の蒸着特性の差を利用して、ひさし構造部を介してカソード電極１８０を補助電極２２６に接触させるため、カソード電極１８０の抵抗を減少させることができる。

【0128】

これによって、本明細書の実施形態によれば、カソード電極１８０の抵抗を減少して、低電位電源の上昇現象の発生を減少させるため、表示装置の輝度バラツキ現象の発生を減少させることができる。

【0129】

また、本明細書の実施形態によれば、カソード電極１８０と補助電極２２６を接触させるためのひさし構造部を形成する場合、パッシベーション層１３０の第１孔１３０ｈは、第１中心部１３０ｃを基準に、両側面に一対のアンダーカット部１３０ｕを対称構造として含むため、有機発光層１７０を形成する工程において、基板の移動方向による不良発生可能性を減少させることができる。

【0130】

図４を参照すれば、補助電極２２６上にパッシベーション層１３０が配置され、パッシベーション層１３０上にアノードひさし構造部１５１を含むアノード電極１５０が突出するように配置されて、下部にアンダーカット部１３０ｕを形成する構造において、有機発光素子の蒸着工程中に基板の移送による補助電極２２６とカソード電極１８０の接触不良有無を比較して示したものである。

【0131】

アノードひさし構造部１５１を含むアノード電極１５０上に有機発光層１７０を形成する場合、基板を一方向に移送しつつ、有機発光素子を蒸着する工程で形成することができる。

【0132】

この場合、基板は、一方向に移動するため、有機発光素子の蒸着方向も基板の移動方向に影響を受けて、斜め方向に蒸着され得る。

【0133】

例えば、図４の正常部に示されたように、アンダーカット部１３０ｕが基板の移送方向側に位置する場合、有機発光素子の蒸着方向を基準に、アンダーカット部１３０ｕは、アノードひさし構造部１５１によって露出しなくてもよい。

【0134】

これによって、正常部の場合、アンダーカット部１３０ｕ上に位置するアノードひさし構造部１５１により、有機発光素子がアンダーカット部１３０ｕの内側に深く蒸着することを妨げられうる。

【0135】

よって、有機発光層１７０の蒸着後にカソード電極１８０を蒸着する場合、正常部では、カソード電極１８０が有機発光層１７０よりもアンダーカット部１３０ｕの内側にさらに深く蒸着して、補助電極２２６と正常的に接触することができる。

【0136】

これに反して、図４の不良部に示されたように、アンダーカット部１３０ｕが基板の移送方向と逆方向側に位置する場合、有機発光素子の蒸着方向を基準に、アンダーカット部１３０ｕは、露出し得る。

【0137】

これによって、不良部の場合、アンダーカット部１３０ｕ上に位置するアノードひさし構造部１５１により、有機発光素子がアンダーカット部１３０ｕの内側に深く蒸着することを妨げられない。

【0138】

また、不良部の場合、基板の移動方向による有機発光素子の蒸着方向が、アンダーカット部１３０ｕの内側に深く蒸着しやすい斜め方向となるため、アンダーカット部１３０ｕの内側に深く有機発光層１７０が形成されてもよい。

【0139】

よって、有機発光層１７０の蒸着後にカソード電極１８０を蒸着する場合、有機発光層１７０により、アンダーカット部１３０ｕにおけるカソード電極１８０と補助電極２２６が接触し得るコンタクト面積が減少するようになり、接触不良が発生し得る。

【0140】

よって、本明細書の実施形態によれば、カソード電極１８０と補助電極２２６を接触させるためのひさし構造部を形成する場合、パッシベーション層１３０の第１孔１３０ｈは、第１中心部１３０ｃを基準に、両側面に一対のアンダーカット部１３０ｕを対称構造として含むため、移動方向によって、１つのアンダーカット部１３０ｕは、不良が発生するとしても、他の１つのアンダーカット部１３０ｕは、正常なコンタクト領域を形成することができる。

【0141】

よって、一対のアンダーカット部１３０ｕは、有機発光層１７０を形成する工程において、基板の移動方向に沿って配列されてもよい。

【0142】

これによって、有機発光層１７０を形成する工程において、基板の移動方向がどの方向に進めるのかに影響を受けず、アンダーカット部１３０ｕにおけるカソード電極１８０と補助電極２２６の接触不良が発生する可能性を減少させることができる。

【0143】

図４を参照すると、有機発光層１７０は、アノードひさし構造部１５１の上面１５１Ｔと接しているが、アノードひさし構造部１５１の側面１５１Ｓと接していないと示されている。カソード電極１８０は、側面１８０Ｓを含み、カソード電極１８０の側面１８０Ｓは、アノードひさし構造部１５１の側面１５１Ｓと接触する。ここで、カソード電極１８０は、アノードひさし構造部１５１の上面１５１Ｔと接触していない。

【0144】

また、本明細書の実施形態によれば、パッシベーション層１３０の第１孔１３０ｈ、オーバーコート層１４０の第２孔１４０ｈ、及びバンク層１６０の第３孔１６０ｈは、平坦化した面を有する補助電極２２６の内側に位置することから、アンダーカット部１３０ｕも補助電極２２６の平坦化した面上に位置することができるため、アンダーカット部１３０ｕ領域の屈曲を減少して、カソード電極１８０が切れることなく、補助電極２２６と接触できるようにすることができる。ここで、「アンダーカット部１３０ｕの曲率」とは、アンダーカット部１３０ｕに対応する領域における補助電極２２６の上面曲率を意味し得る。例えば、図３ｂを参照すると、「アンダーカット部１３０ｕの曲率」とは、アノード電極１５０と重畳する領域における補助電極２２６の上面曲率を意味し得る。

【0145】

以下では、図５と図６ａ～図６ｃを参考して、本明細書の他の実施形態による表示装置について説明することとする。

【0146】

図５は、本明細書の他の実施形態による発光部と透過部を含む表示装置の拡大平面図である。

【0147】

図６ａは、本明細書の他の実施形態による表示装置の一部領域に対応する断面図であり、特に、図６ａは、図１のI－I’ライン、図５のII－II’及びIII－III’ラインに沿う断面図である。図６ｂは、補助電極部に対応する領域の拡大断面図であり、特に、図６ｂは、図６ａのIII－III’の断面図の拡大図である。図６ｃは、補助電極部に対応する領域の拡大平面図である。

【0148】

ただ、図２と図３ａ～図３ｃを参考して前述した、本明細書の実施形態による表示装置と説明が重複する内容については省略し、相違する構成を中心に説明することとし、省略した説明は、本明細書の他の実施形態にもそのまま適用することができる。

【0149】

よって、パッド部（ＰＡＤ部）と薄膜トランジスタ部（ＴＦＴ部）については、さらに説明することなく、補助電極部を中心に詳説することとする。

【0150】

本明細書の実施形態による表示装置１は、基板１１０と、基板１１０上に配置された補助電極２２６とを含むことができる。

【0151】

補助電極２２６上には、補助電極２２６の少なくとも一部分が露出する第１孔１３０ｈを含むパッシベーション層１３０が配置されてもよい。

【0152】

パッシベーション層１３０上には、補助電極２２６の少なくとも一部分が露出する第２孔１４０ｈを含むオーバーコート層１４０が配置されてもよい。

【0153】

オーバーコート層１４０上には、補助電極２２６の少なくとも一部分が露出する第３孔１６０ｈを含むバンク層１６０が配置されてもよい。

【0154】

オーバーコート層１４０の下面は、パッシベーション層１３０と直接に接触し、オーバーコート層１４０の上面は、バンク層１６０と直接に接触することができる。

【0155】

第１孔１３０ｈ、第２孔１４０ｈ、及び第３孔１６０ｈは、少なくとも一部分が互いに重畳するように配置され、第１孔１３０ｈの第１方向の中心部は第２孔１４０ｈの第２方向の中心部と重畳し、前記第１方向が前記第２方向と交差してもよい。第１方向は、補助電極２２６が長く延びた方向と平行な方向であってもよい。第２方向は、第１方向に垂直であってもよい。

【0156】

本明細書における第１孔１３０ｈと第２孔１４０ｈが互いに交差するということは、第１孔１３０ｈと第２孔１４０ｈが各々、いずれかに完全に含まれるように配置されるものではなく、中心部を基準に重畳するものの、互いに行き違う個々の方向に互いに重畳しない部分があり得ることを意味する。

【0157】

例えば、第１孔１３０ｈと第２孔１４０ｈは、互いに垂直に交差することができるものの、これに限定されるものではなく、孔の形状によって異なってくる。

【0158】

第１孔１３０ｈと第２孔１４０ｈは、第３孔１６０ｈの内側に位置することができる。

【0159】

補助電極２２６は、パッシベーション層１３０、オーバーコート層１４０、及びバンク層１６０を貫通する孔である第１孔１３０ｈ、第２孔１４０ｈ、及び第３孔１６０ｈを介して、少なくとも一部分が露出する補助電極コンタクト部２２６ｃを含むことができる。

【0160】

有機発光層１７０とカソード電極１８０は、補助電極コンタクト部２２６ｃまで延びるように配置されて、補助電極コンタクト部２２６ｃを囲むオーバーコート層１４０は、一対のオーバーコートひさし構造部１４１を含むことができる。

【0161】

一対のオーバーコートひさし構造部１４１の下部には、パッシベーション層１３０の除去された一対のアンダーカット部１３０ｕが配置されてもよい。

【0162】

よって、パッシベーション層１３０の第１孔１３０ｈは、第１中心部１３０ｃと、第１方向に第１中心部１３０ｃの両側面に配置される一対のアンダーカット部１３０ｕとを含み、オーバーコート層１４０は、一対のアンダーカット部１３０ｕを覆うように配置されて、一対のアンダーカット部１３０ｕは、外部に露出しなくてもよい。

【0163】

一対のアンダーカット部１３０ｕは、第１中心部１３０ｃを基準に、互いに向かい合うように配置されて、互いに対称する位置に配置されるか隣接して配置されてもよい。例えば、一対のアンダーカット部１３０ｕは、第１中心部１３０ｃの中心を基準に対称に配置されてもよい。

【0164】

また、一対のアンダーカット部１３０ｕは、第１中心部１３０ｃを基準に、互いに対称する形態を有するように、互いに同様の形態に形成されてもよい。

【0165】

図５を参照すれば、第１方向は、発光部（ＥＡ）と透過部（ＴＡ）が交互に配置される方向であってもよい。

【0166】

例えば、第１方向を基準に、１つの発光部（ＥＡ）は、互いに異なる透過部（ＴＡ）の間に配置され、１つの透過部（ＴＡ）は、互いに異なる発光部（ＥＡ）の間に配置されてもよい。

【0167】

よって、一対のアンダーカット部１３０ｕは、発光部（ＥＡ）と透過部（ＴＡ）が交互に配置される方向に沿って、互いに向かい合うように配置されてもよい。

【0168】

第２孔１４０ｈは、第２中心部１４０ｃと、第２方向に第２中心部１４０ｃの両側面に配置される一対のパッシベーション露出部１４０ｅとを含み、パッシベーション露出部１４０ｅは、パッシベーション層１３０を露出させることができる。

【0169】

一対のパッシベーション露出部１４０ｅは、第２中心部１４０ｃを基準に、互いに向かい合うように配置されて、互いに対称する位置に配置されるか隣接して配置されてもよい。例えば、一対のパッシベーション露出部１４０ｅは、第２中心部１４０ｃの中心を基準に対象に配置されてもよい。

【0170】

また、一対のパッシベーション露出部１４０ｅは、第２中心部１４０ｃを基準に、互いに対称する形態を有するように、互いに同様の形態に形成されてもよい。

【0171】

図５を参照すれば、第２方向は、複数の発光部（ＥＡ）が連続して配置される方向、若しくは、複数の透過部（ＴＡ）が連続して配置される方向であってもよい。

【0172】

例えば、第２方向を基準に、１つの発光部（ＥＡ）は、互いに異なる発光部（ＥＡ）の間に配置され、１つの透過部（ＴＡ）は、互いに異なる透過部（ＴＡ）の間に配置されてもよい。

【0173】

よって、一対のパッシベーション露出部１４０ｅは、複数の発光部（ＥＡ）が連続して配置される方向、若しくは、複数の透過部（ＴＡ）が連続して配置される方向に沿って、互いに向かい合うように配置されてもよい。

【0174】

オーバーコート層１４０上には、バンク層１６０が配置されてもよい。

【0175】

バンク層１６０は、バンク突出部１６１を含むことができ、バンク突出部１６１は、オーバーコートひさし構造部１４１上に配置されてもよい。

【0176】

オーバーコートひさし構造部１４１は、バンク突出部１６１よりもさらに突出するように形成されてもよい。

【0177】

バンク層１６０上には有機発光層１７０が配置されて、有機発光層１７０上にはカソード電極１８０が配置されてもよく、有機発光層１７０とカソード電極１８０は、少なくとも１つのパッシベーション露出部１４０ｅに沿って延びて、補助電極２２６上に配置されてもよい。

【0178】

有機発光層１７０とカソード電極１８０は、少なくとも１つのパッシベーション露出部１４０ｅに沿って少なくとも１つのアンダーカット部１３０ｕまで延び、少なくとも１つのアンダーカット部１３０ｕに位置するカソード電極１８０は、有機発光層１７０よりもさらに長く延びて、補助電極２２６と直接に接触することができる。

【0179】

一対のアンダーカット部１３０ｕが形成されていない領域には、パッシベーション段差部１３０ｓ、オーバーコート段差部１４０ｓ、及びバンク段差部１６０ｓが順次積層されるように形成されてもよい。

【0180】

パッシベーション段差部１３０ｓは、パッシベーション露出部１４０ｅに対応することができ、パッシベーション段差部１３０ｓ、オーバーコート段差部１４０ｓ、及びバンク段差部１６０ｓは、第２方向に沿って配置されてもよい。

【0181】

例えば、パッシベーション段差部１３０ｓを含むパッシベーション層１３０上には、パッシベーション段差部１３０ｓを露出させて、オーバーコート段差部１４０ｓを含むオーバーコート層１４０が配置され、オーバーコート段差部１４０ｓを含むオーバーコート層１４０上には、オーバーコート段差部１４０ｓを露出させて、バンク段差部１６０ｓを含むバンク層１６０が配置されてもよい。

【0182】

よって、補助電極コンタクト部２２６ｃを囲むオーバーコート層１４０は、オーバーコート段差部１４０ｓを含み、オーバーコート段差部１４０ｓの上部には、オーバーコート層１４０を露出させるバンク段差部１６０ｓが配置され、オーバーコート段差部１４０ｓの下部には、パッシベーション層１３０を露出させるパッシベーション段差部１３０ｓが配置されてもよい。

【0183】

パッシベーション段差部１３０ｓ、オーバーコート段差部１４０ｓ、及びバンク段差部１６０ｓは、補助電極２２６の上部に順に積層されてもよい。

【0184】

すなわち、パッシベーション段差部１３０ｓが補助電極２２６と最も近く配置され、バンク段差部１６０ｓが補助電極２２６と最も遠く配置されてもよい。

【0185】

また、バンク段差部１６０ｓ、オーバーコート段差部１４０ｓ、及びパッシベーション段差部１３０ｓは、いずれも正テーパ状を有するように形成されて、階段式積層形態を有してもよい。

【0186】

バンク段差部１６０ｓ、オーバーコート段差部１４０ｓ、及びパッシベーション段差部１３０ｓに沿って有機発光層１７０とカソード電極１８０が延びて、補助電極コンタクト部２２６ｃ上に配置されてもよい。

【0187】

補助電極コンタクト部２２６ｃ上に配置されるカソード電極１８０は、アンダーカット部１３０ｕに対応する領域における補助電極２２６と接触することができる。

【0188】

第１孔１３０ｈ、第２孔１４０ｈ、及び第３孔１６０ｈは、補助電極２２６の内側に位置することができる。

【0189】

この場合、第１孔１３０ｈ、第２孔１４０ｈ、及び第３孔１６０ｈに対応する補助電極２２６は、平坦化した面を有してもよい。

【0190】

基板１１０は、表示領域（ＤＡ）と非表示領域（ＮＤＡ）を含み、表示領域（ＤＡ）は、発光部（ＥＡ）と透過部（ＴＡ）を含むことができ、補助電極２２６は、透過部（ＴＡ）と重畳するように配置されてもよい。

【0191】

補助電極２２６は、発光部（ＥＡ）と重畳しないように、表示領域（ＤＡ）を通る低電位電源配線（ＶＳＳＬ）から透過部（ＴＡ）の方向に突出するように形成されてもよい。

【0192】

本明細書の実施形態によれば、補助電極２２６とカソード電極１８０を補助電極コンタクト部２２６ｃにおいて電気的に連結させるために、有機発光層１７０とカソード電極１８０の互いに異なる蒸着特性とひさし構造を有するオーバーコートひさし構造部１４１を用いることができる。

【0193】

有機発光層１７０とカソード電極１８０は、蒸着工程を用いて形成することができるが、有機発光層１７０とカソード電極１８０は、バンク段差部１６０ｓ、オーバーコート段差部１４０ｓ、及びパッシベーション段差部１３０ｓに沿って延びるように形成されて、補助電極コンタクト部２２６ｃ上に形成されてもよい。

【0194】

この場合、有機発光層１７０は、蒸着時、直進性が強いため、オーバーコートひさし構造部１４１の下部領域であるアンダーカット部１３０ｕまで浸透する距離は短いものの、カソード電極１８０は、直進性が強くないため、オーバーコートひさし構造部１４１の下部領域であるアンダーカット部１３０ｕまで浸透する距離が長くなり得る。

【0195】

よって、カソード電極１８０は、アンダーカット部１３０ｕにおける補助電極コンタクト部２２６ｃと直接に接触することができるようになり、カソード電極１８０は、補助電極２２６と電気的に連結されてもよい。

【0196】

オーバーコートひさし構造部１４１は、下部の補助電極２２６と所定距離離隔しているため、オーバーコートひさし構造部１４１上に形成される有機発光層１７０とカソード電極１８０は、補助電極コンタクト部２２６ｃまで延びることができず、オーバーコートひさし構造部１４１における連結が切れる。

【0197】

図６Ｂを参照すると、パッシベーション層１３０は、補助電極２２６の上面２２６ＥＴＳを露出させる。オーバーコート層１４０は、パッシベーション層１３０上にある。オーバーコート層１４０は、オーバーコートひさし構造部１４１を含み、オーバーコートひさし構造部１４１は、補助電極２２６の露出した上面２２６ＥＴＳと重畳する。オーバーコートひさし構造部１４１の上面１４１ＴＳは、有機発光層１７０によって覆われる。

【0198】

図６Ｂの右側に示されたように、オーバーコート層１４０は、パッシベーション層１３０の上面１３０ＴＳを露出させる。同様、バンク層１６０は、オーバーコート層１４０の上面１４０ＴＳを露出させる。有機発光層１７０は、オーバーコート層１４０の露出した上面１４０ＴＳと、パッシベーション層１３０の露出した上面１３０ＴＳ及びパッシベーション層１３０の側面１３０ＳＳを覆う。

【0199】

以上のように、本明細書の実施形態によれば、有機発光層１７０とカソード電極１８０の蒸着特性の差を利用して、オーバーコートひさし構造部１４１を介してカソード電極１８０を補助電極２２６に接触させるため、カソード電極１８０の抵抗を減少させることができる。

【0200】

これによって、本明細書の実施形態によれば、カソード電極１８０の抵抗を減少して、低電位電源の上昇現象の発生を減少させるため、表示装置の輝度バラツキ現象の発生を減少させることができる。

【0201】

また、本明細書の実施形態によれば、カソード電極１８０と補助電極２２６を接触させるためのひさし構造部を形成する場合、パッシベーション層１３０、オーバーコート層１４０、及びバンク層１６０が順次積層されて、オーバーコート層１４０は、一対のオーバーコートひさし構造部１４１を含むことができ、オーバーコートひさし構造部１４１上には、バンク突出部１６１が配置されてもよい。

【0202】

本明細書の実施形態によれば、バンク層１６０ではないオーバーコート層１４０がパッシベーション層１３０上に配置されるため、バンク層１６０とパッシベーション層１３０との間の接着性問題による剥がれ不良の発生を減少させることができる。

【0203】

また、オーバーコート層１４０上にバンク層１６０が配置されるため、オーバーコート層１４０がストレスによって変形するか、オーバーコートひさし構造部１４１の浮き現象が発生することを減少させることができる。

【0204】

図７ａは、本明細書の他の実施形態による表示装置の一部領域に対応する断面図であり。 図７ｂは、補助電極部に対応する領域の拡大断面図であり。図７ｃは、補助電極部に対応する領域の拡大平面図である。

【0205】

ただ、 図６ａ～図６ｃを参考して前述した、本明細書の実施形態による表示装置と説明が重複する内容については省略し、相違する構成を中心に説明することとし、省略した説明は、本明細書の他の実施形態にもそのまま適用することができる。

【0206】

よって、パッド部（ＰＡＤ部）と薄膜トランジスタ部（ＴＦＴ部）については、さらに説明することなく、補助電極部を中心に詳説することとする。

【0207】

本明細書の実施形態による表示装置１は、基板１１０と、基板１１０上に配置された補助電極２２６とを含むことができる。

【0208】

補助電極２２６上には、補助電極２２６の少なくとも一部分が露出する第１孔１３０ｈを含むパッシベーション層１３０が配置されてもよい。

【0209】

パッシベーション層１３０上には、補助電極２２６の少なくとも一部分が露出する第２孔１４０ｈを含むオーバーコート層１４０が配置されてもよい。

【0210】

第１孔１３０ｈ、 及び第２孔１４０ｈは、少なくとも一部分が互いに重畳するように配置され、第１孔１３０ｈの第１方向の中心部は第２孔１４０ｈの第２方向の中心部と重畳し、前記第１方向が前記第２方向と交差してもよい。第１方向は、補助電極２２６が長く延びた方向と平行な方向であってもよい。第２方向は、第１方向に垂直であってもよい。

【0211】

本明細書における第１孔１３０ｈと第２孔１４０ｈが互いに交差するということは、第１孔１３０ｈと第２孔１４０ｈが各々、いずれかに完全に含まれるように配置されるものではなく、中心部を基準に重畳するものの、互いに行き違う個々の方向に互いに重畳しない部分があり得ることを意味する。

【0212】

例えば、第１孔１３０ｈと第２孔１４０ｈは、互いに垂直に交差することができるものの、これに限定されるものではなく、孔の形状によって異なってくる。

【0213】

補助電極２２６は、パッシベーション層１３０、 及びオーバーコート層１４０を貫通する孔である第１孔１３０ｈ、 及び第２孔１４０ｈを介して、少なくとも一部分が露出する補助電極コンタクト部２２６ｃを含むことができる。

【0214】

有機発光層１７０とカソード電極１８０は、補助電極コンタクト部２２６ｃまで延びるように配置されて、補助電極コンタクト部２２６ｃを囲むオーバーコート層１４０は、一対のオーバーコートひさし構造部１４１を含むことができる。

【0215】

一対のオーバーコートひさし構造部１４１の下部には、パッシベーション層１３０の除去された一対のアンダーカット部１３０ｕが配置されてもよい。

【0216】

よって、パッシベーション層１３０の第１孔１３０ｈは、第１中心部１３０ｃと、第１方向に第１中心部１３０ｃの両側面に配置される一対のアンダーカット部１３０ｕとを含み、オーバーコート層１４０は、一対のアンダーカット部１３０ｕを覆うように配置されて、一対のアンダーカット部１３０ｕは、外部に露出しなくてもよい。

【0217】

一対のアンダーカット部１３０ｕは、第１中心部１３０ｃを基準に、互いに向かい合うように配置されて、互いに対称する位置に配置されるか隣接して配置されてもよい。例えば、 一対のアンダーカット部１３０ｕは、第１中心部１３０ｃの中心を基準に対称に配置されてもよい。

【0218】

また、一対のアンダーカット部１３０ｕは、第１中心部１３０ｃを基準に、互いに対称する形態を有するように、互いに同様の形態に形成されてもよい。

【0219】

例えば、第１方向を基準に、１つの発光部（ＥＡ）は、互いに異なる透過部（ＴＡ）の間に配置され、１つの透過部（ＴＡ）は、互いに異なる発光部（ＥＡ）の間に配置されてもよい。

【0220】

よって、一対のアンダーカット部１３０ｕは、発光部（ＥＡ）と透過部（ＴＡ）が交互に配置される方向に沿って、互いに向かい合うように配置されてもよい。

【0221】

第２孔１４０ｈは、第２中心部１４０ｃと、第２方向に第２中心部１４０ｃの両側面に配置される一対のパッシベーション露出部１４０ｅとを含み、パッシベーション露出部１４０ｅは、パッシベーション層１３０を露出させることができる。

【0222】

一対のパッシベーション露出部１４０ｅは、第２中心部１４０ｃを基準に、互いに向かい合うように配置されて、互いに対称する位置に配置されるか隣接して配置されてもよい。例えば、一対のパッシベーション露出部１４０ｅは、第２中心部１４０ｃの中心を基準に対称に配置されてもよい。

【0223】

また、一対のパッシベーション露出部１４０ｅは、第２中心部１４０ｃを基準に、互いに対称する形態を有するように、互いに同様の形態に形成されてもよい。

【0224】

例えば、第２方向を基準に、１つの発光部（ＥＡ）は、互いに異なる発光部（ＥＡ）の間に配置され、１つの透過部（ＴＡ）は、互いに異なる透過部（ＴＡ）の間に配置されてもよい。

【0225】

よって、一対のパッシベーション露出部１４０ｅは、複数の発光部（ＥＡ）が連続して配置される方向、若しくは、複数の透過部（ＴＡ）が連続して配置される方向に沿って、互いに向かい合うように配置されてもよい。

【0226】

オーバーコート層１４０上には有機発光層１７０が配置されて、有機発光層１７０上にはカソード電極１８０が配置されてもよく、有機発光層１７０とカソード電極１８０は、少なくとも１つのパッシベーション露出部１４０ｅに沿って延びて、補助電極２２６上に配置されてもよい。有機発光層１７０の下面は、オーバーコート層１４０と直接接触することができる。

【0227】

図８ａは、バンク層のひさし構造部によって補助電極が露出する正常部の一例を示したものである。

【0228】

例えば、正常部は、パッシベーション層上にバンク層が直接接触するように形成され、バンク層によりひさし構造部が形成される場合における正常例に関する図面である。

【0229】

図８ｂは、バンク層のひさし構造部によって補助電極が露出する不良部の一例を示したものである。

【0230】

例えば、不良部は、パッシベーション層上にバンク層が直接接触するように形成され、バンク層によりひさし構造部が形成される場合におけるひさし構造部の剥がれ現象が発生する不良例に関する図面である。

【0231】

パッシベーション層上にバンク層が直接接触するように形成し、バンク層によりひさし構造部を形成する場合、パッシベーション層とバンク層との接着性問題によりひさし構造部の剥がれ問題が発生し得る。

【0232】

しかしながら、本明細書の実施形態によれば、パッシベーション層上にパッシベーション層と、接着性に優れるオーバーコート層をパッシベーション層と直接接触するように形成して、オーバーコート層によりひさし構造部を形成するため、ひさし構造部の剥がれ問題の発生を減少させることができる。

【0233】

一方、図９ａは、オーバーコート層のひさし構造部によって補助電極が露出する正常部の一例を示したものである。

【0234】

例えば、正常部は、パッシベーション層上にオーバーコート層が直接接触するように形成され、オーバーコート層上に有機発光層が形成され、オーバーコート層によりひさし構造部が形成される場合における正常例に関する図面である。

【0235】

図８ｂは、オーバーコート層のひさし構造部によって補助電極が露出する不良部の一例を示したものである。

【0236】

例えば、不良部は、パッシベーション層上にオーバーコート層が直接接触するように形成され、オーバーコート層上に有機発光層が形成され、オーバーコート層によりひさし構造部が形成される場合におけるひさし構造部の浮き現象が発生する不良例に関する図面である。

【0237】

オーバーコート層のみでひさし構造部を形成する場合、オーバーコート層がストレスによって変形するか、オーバーコート層のひさし構造部の浮き現象が発生し得る。

【0238】

しかしながら、本明細書の実施形態によれば、オーバーコート層上にバンク層が接触して形成され、オーバーコートひさし構造部上にバンク突出部が形成されるため、バンク層は、オーバーコート層がストレスによって変形するか、オーバーコートひさし構造部の浮き現象が発生することを減少させることができる。

【0239】

すなわち、オーバーコート層は、パッシベーション層間の接着力を向上させる役割を担い、バンク層は、オーバーコート層の変形を抑制する役割を担うため、パッシベーション層上にオーバーコート層又はバンク層が単独形成されることに備えて、オーバーコート層とバンク層の二重層構造は、オーバーコート層とバンク層の長所をいずれも含み、短所を互いに補うことができる。

【0240】

また、本明細書の実施形態によれば、カソード電極１８０と補助電極２２６を接触させるためのひさし構造部を形成する場合、ひさし構造部を伝導性画素電極の代わりに、絶縁層であるオーバーコート層１４０で形成して、オーバーコート層１４０上にバンク層１６０を形成することから、実際にひさし構造部の厚さを増加させることができるため、洗浄などのような工程に容易かつ剛健な構造を形成することができる。

【0241】

例えば、ひさし構造部を、相対的に薄厚を有する画素電極であるアノード電極で形成する場合、洗浄などのような工程によりひさし構造部が損傷し得るが、オーバーコート層１４０とバンク層１６０を用いて、実際にひさし構造部の厚さを増加させると、さらに剛健な構造を形成することができる。

【0242】

また、本明細書の実施形態によれば、カソード電極１８０と補助電極２２６を接触させるためのひさし構造部を形成する場合、ひさし構造部を伝導性画素電極の代わりに、非伝導性物質から構成されるオーバーコート層１４０で形成して、オーバーコート層１４０上にバンク層１６０を形成するため、該領域で発生し得る静電気不良の発生を減少させることができる。

【0243】

また、本明細書の実施形態によれば、カソード電極１８０と補助電極２２６を接触させるためのひさし構造部を形成する場合、パッシベーション層１３０の第１孔１３０ｈは、第１中心部１３０ｃを基準に、両側面に一対のアンダーカット部１３０ｕを対称構造として含むため、有機発光層１７０を形成する工程において、基板の移動方向による不良発生可能性を減少させることができる。

【0244】

ひさし構造部上に有機発光層１７０を形成する場合、基板を移送する工程中に有機発光素子を蒸着して形成することができる。

【0245】

基板は、一方向に移動するため、有機発光素子の蒸着方向も基板の移動方向に影響を受けて、斜め方向であってもよい。

【0246】

この場合、アンダーカット部１３０ｕが基板の移送方向に位置する場合、有機発光素子の蒸着方向を基準に、アンダーカット部１３０ｕは、オーバーコートひさし構造部１４１によって露出しなくてもよい。

【0247】

これによって、アンダーカット部１３０ｕ上に位置するオーバーコートひさし構造部１４１によって、有機発光素子がアンダーカット部１３０ｕの内側に深く蒸着することを妨げられうる。

【0248】

よって、有機発光層１７０の蒸着後にカソード電極１８０を蒸着する場合、カソード電極１８０が有機発光層１７０よりもアンダーカット部１３０ｕの内側にさらに深く蒸着して、補助電極２２６と正常に接触することができる。

【0249】

しかし、基板の移送方向は、工程によって変化し得るため、基板の移送方向と関係なく、アンダーカット部１３０ｕにおけるカソード電極１８０と補助電極２２６の接触を容易にするために、アンダーカット部１３０ｕは、中心部を基準に、互いに向かい合うように対称する位置に配置して、対称する形態に配置することができる。

【0250】

これによって、本明細書の実施形態によれば、有機発光層１７０の蒸着時、工程の方向性に影響されることを減少させることができるところ、有機発光層１７０を形成する工程において、基板の移動方向がどの方向に進めるのかに影響を受けず、アンダーカット部１３０ｕにおけるカソード電極１８０と補助電極２２６の接触不良が発生する可能性を減少させることができる。

【0251】

例えば、カソード電極１８０と補助電極２２６を接触させるためのひさし構造部を形成する場合、パッシベーション層１３０の第１孔１３０ｈは、第１中心部１３０ｃを基準に、両側面に一対のアンダーカット部１３０ｕを対称構造として含むため、移動方向に沿って１つのアンダーカット部１３０ｕが不良が発生するとしても、他の１つのアンダーカット部１３０ｕが正常なコンタクト領域を形成することができる。

【0252】

よって、一対のアンダーカット部１３０ｕは、有機発光層１７０を形成する工程における基板の移動方向に沿って配列することができる。

【0253】

これによって、有機発光層１７０を形成する工程において、基板の移動方向がどの方向に進めるのかに影響を受けず、アンダーカット部１３０ｕにおけるカソード電極１８０と補助電極２２６の接触不良が発生する可能性を減少させることができる。

【0254】

また、本明細書の実施形態によれば、パッシベーション層１３０の第１孔１３０ｈ、オーバーコート層１４０の第２孔１４０ｈ、及びバンク層１６０の第３孔１６０ｈは、平坦化した面を有する補助電極２２６の内側に位置することから、アンダーカット部１３０ｕも補助電極２２６の平坦化した面上に位置することができるため、アンダーカット部１３０ｕ領域の屈曲を減少して、カソード電極１８０が切れることなく、補助電極２２６と接触できるようにすることができる。

【0255】

例えば、補助電極２２６は、第１孔１３０ｈ、第２孔１４０ｈ、及び第３孔１６０ｈよりも広く配置されるため、補助電極上に配置される層の屈曲を減少して、平坦化することができるところ、パッシベーション層１３０、オーバーコート層１４０、及びバンク層１６０の正テーパ状を容易に形成することができ、カソード電極１８０と補助電極２２６が切れることなく、良く接触できるようにすることができる。

【0256】

本明細書の実施形態による表示装置は、下記のように説明することができる。

【0257】

本明細書の実施形態による表示装置は、基板と、前記基板上に配置された補助電極と、前記補助電極上に配置されて、前記補助電極の少なくとも一部分が露出する第１孔を含むパッシベーション層と、前記パッシベーション層上に配置されて、前記補助電極の少なくとも一部分が露出する第２孔を含むオーバーコート層と、前記オーバーコート層上に配置されて、前記補助電極の少なくとも一部分が露出する第３孔を含むバンク層と、を含むことができる。

【0258】

前記第１孔、前記第２孔、及び前記第３孔は、少なくとも一部分が互いに重畳するように配置され、前記第１孔の第１方向の中心部は、前記第２孔の第２方向の中心部と重畳し、前記第１方向が前記第２方向と交差してもよい。

【0259】

前記第１孔は、第１中心部と、前記第１方向に前記第１中心部の両側面に配置される一対のアンダーカット部とを含み、前記オーバーコート層は、前記一対のアンダーカット部を覆うように配置されて、前記一対のアンダーカット部は、外部に露出しなくてもよい。

【0260】

前記一対のアンダーカット部は、前記第１中心部を基準に、互いに対称である形態に配置されてもよい。

【0261】

前記第２孔は、第２中心部と、前記第２方向に前記第２中心部の両側面に配置される一対のパッシベーション露出部とを含み、前記パッシベーション露出部は、前記パッシベーション層を露出させることができる。

【0262】

前記一対のパッシベーション露出部は、前記第２中心部を基準に、互いに対称である形態に配置されてもよい。

【0263】

本明細書の実施形態による表示装置は、前記バンク層上に配置された有機発光層と、前記有機発光層上に配置されたカソード電極をさらに含み、前記有機発光層と前記カソード電極は、前記パッシベーション露出部に沿って延びて、前記補助電極上に配置されてもよい。

【0264】

前記有機発光層と前記カソード電極は、前記パッシベーション露出部に沿って前記アンダーカット部まで延び、前記アンダーカット部に位置する前記カソード電極は、前記有機発光層よりもさらに長く延びて、前記補助電極と直接に接触することができる。

【0265】

前記第１孔、前記第２孔、及び前記第３孔は、前記補助電極の内側に位置することができる。

【0266】

前記第１孔、前記第２孔、及び前記第３孔に対応する前記補助電極は、平坦化した面を有してもよい。

【0267】

前記第１孔と前記第２孔は、前記第３孔の内側に位置することができる。

【0268】

前記基板は、表示領域と非表示領域を含み、前記表示領域は、発光部と透過部を含み、前記補助電極は、前記透過部と重畳するように配置されてもよい。

【0269】

前記発光部と重畳しないように、前記表示領域を通る低電位電源配線をさらに含み、前記補助電極は、前記低電位電源配線から前記透過部の方向に突出している。

【0270】

本明細書の実施形態による表示装置は、基板と、前記基板上に配置された補助電極と、前記補助電極上に配置されたパッシベーション層と、前記パッシベーション層上に配置されたオーバーコート層と、前記オーバーコート層上に配置されたバンク層と、前記バンク層上に配置された有機発光層と、前記有機発光層上に配置されたカソード電極と、を含むことができる。

【0271】

前記補助電極は、前記パッシベーション層、前記オーバーコート層、及び前記バンク層を貫通する孔を介して、少なくとも一部分が露出する補助電極コンタクト部を含み、前記有機発光層と前記カソード電極は、前記補助電極コンタクト部まで延びるように配置されて、前記補助電極コンタクト部を囲む前記オーバーコート層は、一対のオーバーコートひさし構造部を含むことができる。

【0272】

前記一対のオーバーコートひさし構造部の下部には、前記パッシベーション層の除去された一対のアンダーカット部が配置されてもよい。

【0273】

前記一対のアンダーカット部は、互いに向かい合うように配置されてもよい。

【0274】

前記オーバーコートひさし構造部上には、前記バンク層のバンク突出部が配置されて、前記オーバーコートひさし構造部は、前記バンク突出部よりもさらに突出してもよい。

【0275】

前記補助電極コンタクト部を囲む前記オーバーコート層は、オーバーコート段差部を含み、前記オーバーコート段差部の上部には、前記オーバーコート層を露出させるバンク段差部が配置され、前記オーバーコート段差部の下部には、前記パッシベーション層を露出させるパッシベーション段差部が配置され、前記バンク段差部、前記オーバーコート段差部、及び前記パッシベーション段差部に沿って前記有機発光層と前記カソード電極が延びて、前記補助電極コンタクト部上に配置されてもよい。

【0276】

前記バンク段差部、前記オーバーコート段差部、及び前記パッシベーション段差部は、いずれも正テーパ状を有してもよい。

【0277】

前記バンク段差部、前記オーバーコート段差部、及び前記パッシベーション段差部は、この順に前記補助電極に近くなるように配置されてもよい。

【0278】

前記補助電極コンタクト部上に配置される前記カソード電極は、前記アンダーカット部に対応する領域における前記補助電極と接触することができる。

【0279】

前記オーバーコート層の下面は、前記パッシベーション層と直接に接触し、前記オーバーコート層の上面は、前記バンク層と直接に接触することができる。

【0280】

前記基板は、発光部と透過部を含み、前記第１方向は、前記発光部と前記透過部が交互に配置される方向であり、前記一対のアンダーカット部は、前記第１方向に沿って互いに向かい合うように配置されてもよい。

【0281】

前記基板は、発光部と透過部を含み、前記第２方向は、複数の前記発光部が連続して配置される方向、若しくは、複数の前記透過部が連続して配置される方向であり、前記一対のパッシベーション露出部は、前記第２方向に沿って互いに向かい合うように配置されてもよい。

【0282】

以上、添付の図面を参照して、本明細書の実施形態をさらに詳説したが、本明細書は、必ずしもこれら実施形態に限るものではなく、本明細書の技術思想を外れない範囲内における様々な変形を実施することができる。よって、本明細書に開示の実施形態は、本明細書の技術思想を限定するためではなく、説明するためのものであり、これら実施形態によって本明細書の技術思想の範囲が限定されるものではない。よって、上述した実施形態は、全ての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解すべきである。本明細書の保護範囲は、下記の請求範囲によって解釈すべきであり、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は、本明細書の権利範囲に含まれるものと解釈すべきである。

【符号の説明】

【0283】

１ 表示装置
１１０ 基板
１１１ 遮光層
１１３ バッファ層
１２１ アクティブ層
１２２ キャパシタ電極
１２３ ゲート絶縁層
１２４ ゲート電極
１２５ 層間絶縁層
１２６ａ 第１電極
１２６ｂ 第２電極
１３０ パッシベーション層
１３０ｈ 第１孔
１３０ｃ 第１中心部
１３０ｕ アンダーカット部
１３０ｓ パッシベーション段差部
１４０ オーバーコート層
１４０ｈ 第２孔
１４０ｅ パッシベーション露出部
１４０ｃ 第２中心部
１４０ｓ オーバーコート段差部
１４１ ひさし構造部
１５０ アノード電極
１５１ アノードひさし構造部
１６０ バンク層
１６１ バンク突出部
１６０ｈ 第３孔
１６０ｓ バンク段差部
１７０ 有機発光層
１８０ カソード電極
２２６ 補助電極
２２６ｃ 補助電極コンタクト部
３２４ パッド電極
３２６ パッド連結電極
３５０ パッド接触電極
ＤＡ 表示領域
ＮＤＡ 非表示領域
ＧＰＡＤ ゲートパッド部
ＤＰＡＤ データパッド部
ＳＰ１ 第１サブ画素
ＳＰ２ 第２サブ画素
ＳＰ３ 第３サブ画素
ＳＰ４ 第４サブ画素
ＥＡ 発光部
ＴＡ 透過部
ＶＳＳＬ 低電位電源配線

【図1】

【図2】

【図3a】

【図3b】

【図3c】

【図4】

【図5】

【図6a】

【図6b】

【図6c】

【図7a】

【図7b】

【図7c】

【図8a】

【図8b】

【図9a】

【図9b】