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特開2023-95018積層セラミック電子部品

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023095018

(43)【公開日】2023-07-06

(54)【発明の名称】積層セラミック電子部品

(51)【国際特許分類】

H01G 4/30 20060101AFI20230629BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201N

H01G4/30 201L

H01G4/30 201K

H01G4/30 515

H01G4/30 512

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021210664

(22)【出願日】2021-12-24

(71)【出願人】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山修平

(72)【発明者】

【氏名】山根麻衣子

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AD02

5E001AE04

5E001AH01

5E001AH04

5E001AJ02

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC19

5E082EE04

5E082EE23

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG25

5E082FG26

5E082FG46

5E082GG10

5E082GG28

5E082PP08

5E082PP09

(57)【要約】

【課題】サイドマージン部による保護効果が損なわれにくい積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】積層セラミック電子部品は、積層体と、一対のサイドマージン部と、を具備する。上記積層体は、第１軸方向に積層された複数の内部電極と、上記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、上記複数の内部電極の上記第２軸方向の端部が上記第２軸方向に０．５μｍ以内に揃って位置する一対の側面と、を有する。上記一対のサイドマージン部は、セラミックスの多結晶体を主成分とし、上記多結晶体中に分散され、上記多結晶体に対する合計体積率が１％以上２０％以下である複数のガラス粒子を含み、上記一対の側面を被覆する。上記複数のガラス粒子のメディアン径は、０．２０μｍ以上０．７５μｍ未満であり、かつ上記多結晶体を構成する複数の結晶粒子のメディアン径の９０％以上である。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１軸方向に積層された複数の内部電極と、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が前記第２軸方向に０．５μｍ以内に揃って位置する一対の側面と、を有する積層体と、
セラミックスの多結晶体を主成分とし、前記多結晶体中に分散され、前記多結晶体に対する合計体積率が１％以上２０％以下である複数のガラス粒子を含み、前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部と、
を具備し、
前記複数のガラス粒子のメディアン径は、０．２０μｍ以上０．７５μｍ未満であり、かつ前記多結晶体を構成する複数の結晶粒子のメディアン径の９０％以上である
積層セラミック電子部品。

【請求項2】

請求項１に記載の積層セラミック電子部品であって、
前記一対のサイドマージン部の断面では、格子状に区画された１μｍ^２の複数の領域それぞれに観察されるガラス粒子の平均個数が１個以上２個以下である
積層セラミック電子部品。

【請求項3】

請求項１又は２に記載の積層セラミック電子部品であって、
前記一対のサイドマージン部の前記第２軸方向の寸法が２０μｍ以下である
積層セラミック電子部品。

【請求項4】

請求項１から３のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品であって、
前記多結晶体は、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造である
積層セラミック電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、サイドマージン部が後付けされる積層セラミック電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

積層セラミックコンデンサの製造過程においてサイドマージン部を後付けする技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。この技術は、薄いサイドマージン部によっても複数の内部電極の両測端部を確実に被覆することができるため、積層セラミックコンデンサの小型化及び大容量化に有利である。

【0003】

一例として、特許文献１に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法では、内部電極が印刷されたセラミックシートを積層した積層シートを切断し、内部電極が露出した切断面を側面とする複数の積層体を作製する。そして、積層体の側面でセラミックシートを打ち抜くことにより、積層体の両側面にサイドマージン部を形成する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１２－２０９５３９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、サイドマージン部が薄く形成された積層セラミックコンデンサでは、サイドマージン部の外面から発生したクラックが積層体の側面まで進展しやすくなる。これにより、積層セラミックコンデンサでは、水分がサイドマージン部を貫通したクラックを介して積層体の側面に侵入することで絶縁不良が発生しやすくなる。

【0006】

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、サイドマージン部による保護効果が損なわれにくい積層セラミック電子部品を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る積層セラミック電子部品は、積層体と、一対のサイドマージン部と、を具備する。
上記積層体は、第１軸方向に積層された複数の内部電極と、上記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、上記複数の内部電極の上記第２軸方向の端部が上記第２軸方向に０．５μｍ以内に揃って位置する一対の側面と、を有する。
上記一対のサイドマージン部は、セラミックスの多結晶体を主成分とし、上記多結晶体中に分散され、上記多結晶体に対する合計体積率が１％以上２０％以下である複数のガラス粒子を含み、上記一対の側面を被覆する。
上記複数のガラス粒子のメディアン径は、０．２０μｍ以上０．７５μｍ未満であり、かつ上記多結晶体を構成する複数の結晶粒子のメディアン径の９０％以上である。

【0008】

この構成では、サイドマージン部において多結晶体を構成する結晶粒子と同等以上の大きさのガラス粒子が多結晶体に分散されていることで、サイドマージン部に発生したクラックの進展がガラス粒子によって阻まれやすくなる。これにより、サイドマージン部では、大きいクラックが発生しにくくなるため、積層体の側面を保護する効果が損なわれにくい。

【0009】

上記一対のサイドマージン部の断面では、格子状に区画された１μｍ^２の複数の領域それぞれに観察されるガラス粒子の平均個数が１個以上２個以下であってもよい。
上記一対のサイドマージン部の上記第２軸方向の寸法が２０μｍ以下であってもよい。
上記多結晶体は、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造であってもよい。

【発明の効果】

【0010】

以上述べたように、本発明によれば、サイドマージン部による保護効果が損なわれにくい積層セラミック電子部品を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの斜視図である。

【図2】上記積層セラミックコンデンサの図１のＡ－Ａ'線に沿った断面図である。

【図3】上記積層セラミックコンデンサの図１のＢ－Ｂ'線に沿った断面図である。

【図4】上記積層セラミックコンデンサのサイドマージン部の微細組織を模式的に示す部分断面図である。

【図5】比較例に係るサイドマージン部の微細組織を模式的に示す部分断面図である。

【図6】上記積層セラミックコンデンサのサイドマージン部におけるガラス粒子の分布状態を模式的に示す部分断面図である。

【図7】上記積層セラミックコンデンサのサイドマージン部におけるガラス粒子の分布状態を模式的に示す部分断面図である。

【図8】上記積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。

【図9】上記製造方法のステップＳ０１で準備される未焼成の積層体の斜視図である。

【図10】上記製造方法のステップＳ０２で得られる未焼成のセラミック素体の斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０について説明する。なお、図面には、適宜、相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、積層セラミックコンデンサ１０に対して固定された固定座標系を規定する。

【0013】

［積層セラミックコンデンサ１０の構成］
図１～３は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０を示す図である。図１は、積層セラミックコンデンサ１０の斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１０の図１のＡ－Ａ'線に沿った断面図である。図３は、積層セラミックコンデンサ１０の図１のＢ－Ｂ'線に沿った断面図である。

【0014】

積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック素体１１と、第１外部電極１４と、第２外部電極１５と、を備える。セラミック素体１１は、Ｘ軸と直交する一対の端面と、Ｙ軸と直交する一対の側面と、Ｚ軸と直交する一対の主面と、を有する６面体として構成される。外部電極１４，１５は、セラミック素体１１の一対の端面を被覆している。

【0015】

セラミック素体１１の一対の端面、一対の側面、及び一対の主面はいずれも、平坦面として構成される。本実施形態に係る平坦面とは、全体的に見たときに平坦と認識される面であれば厳密に平面でなくてもよく、例えば、表面の微小な凹凸形状や、所定の範囲に存在する緩やかな湾曲形状などを有する面も含まれる。

【0016】

外部電極１４，１５は、セラミック素体１１を挟んで相互にＸ軸方向に対向している。外部電極１４，１５はそれぞれ、セラミック素体１１の各端面から主面及び側面に延出している。これにより、外部電極１４，１５では、Ｘ－Ｚ平面に平行な断面、及びＸ－Ｙ平面に平行な断面がいずれもＵ字状となっている。

【0017】

なお、外部電極１４，１５の形状は、図１に示すものに限定されない。例えば、外部電極１４，１５は、セラミック素体１１の両端面から一方の主面のみに延び、Ｘ－Ｚ平面に平行な断面がＬ字状となっていてもよい。また、外部電極１４，１５は、いずれの主面及び側面にも延出していなくてもよい。

【0018】

外部電極１４，１５は、電気の良導体により形成されている。外部電極１４，１５を形成する電気の良導体としては、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などを主成分とする金属又は合金が挙げられる。なお、本実施形態で主成分とは最も含有比率の高い成分を言うものとする。

【0019】

セラミック素体１１は、積層体１６と、一対のサイドマージン部１７と、を有する。積層体１６は、セラミック素体１１の一対の主面及び一対の端面を構成し、Ｙ軸に垂直な一対の側面Ｆを有する。一対のサイドマージン部１７はそれぞれ、積層体１６の一対の側面Ｆを被覆し、セラミック素体１１の一対の側面を構成する。

【0020】

積層体１６は、Ｘ－Ｙ平面に沿って延びる平板状の複数のセラミック層がＺ軸方向に積層された構成を有する。積層体１６は、容量形成部１８と、一対のカバー部１９と、を有する。一対のカバー部１９は、容量形成部１８をＺ軸方向上下から被覆しており、セラミック素体１１の一対の主面を構成している。

【0021】

容量形成部１８は、複数のセラミック層の間に配置され、Ｘ－Ｙ平面に沿って延びるシート状の複数の第１及び第２内部電極１２，１３を有する。内部電極１２，１３は、Ｚ軸方向に沿って交互に配置されている。つまり、容量形成部１８では、内部電極１２，１３がセラミック層を挟んでＺ軸方向に対向している。

【0022】

第１内部電極１２は、第１外部電極１４に覆われた端面に引き出されている。一方、第２内部電極１３は第２外部電極１５に覆われた端面に引き出されている。これにより、第１内部電極１２は第１外部電極１４のみに接続され、第２内部電極１３は第２外部電極１５のみに接続されている。

【0023】

内部電極１２，１３は、容量形成部１８のＹ軸方向の全幅にわたって形成され、そのＹ軸方向の両端部が積層体１６の両側面Ｆ上に位置している。これにより、セラミック素体１１では、複数の内部電極１２，１３のＹ軸方向の端部の位置が積層体１６の両側面Ｆ上においてＹ軸方向に０．５μｍ以内の範囲で揃っている。

【0024】

内部電極１２，１３は、電気の良導体により形成されている。内部電極１２，１３を形成する電気の良導体としては、典型的にはニッケル（Ｎｉ）が挙げられ、この他にも銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などを主成分とする金属又は合金が挙げられる。

【0025】

このような構成により、積層セラミックコンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間に電圧が印加されると、第１内部電極１２と第２内部電極１３との間の複数のセラミック層に電圧が加わる。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間の電圧に応じた電荷が蓄えられる。

【0026】

積層セラミックコンデンサ１０のセラミック素体１１では、容量形成部１８を構成する複数のセラミック層、一対のカバー部１９、及び一対のサイドマージン部１７がいずれも誘電体セラミックスの多結晶体を主成分としている。セラミック素体１１では、上記のいずれの部分を構成するセラミックスも同一の組成系であることが好ましい。

【0027】

セラミック素体１１では、容量形成部１８の各セラミック層の容量を大きくするため、高誘電率の誘電体セラミックスが用いられる。高誘電率の誘電体セラミックスとしては、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）に代表される、バリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むペロブスカイト構造の材料が挙げられる。

【0028】

なお、セラミック層は、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３）、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉＯ_３）、ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３）、チタン酸ジルコン酸カルシウム（Ｃａ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３）、ジルコン酸バリウム（ＢａＺｒＯ_３）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）などの組成系で構成してもよい。

【0029】

また、セラミック素体１１では、サイドマージン部１７が複数のガラス粒子Ｇを含む。ガラス粒子Ｇは、主に非晶質で構成された粒子であり、典型的にはシリコン（Ｓｉ）を主成分として含有する。なお、セラミック素体１１では、積層体１６にもサイドマージン部１７よりも少量のガラス粒子Ｇが含まれていてもよい。

【0030】

図４は、サイドマージン部１７の微細組織を模式的に示す部分断面図である。図４には、多結晶体を構成する複数の結晶粒子Ｃが低密度のドットパターンで示され、ガラス粒子Ｇが高密度のドットパターンで示されている。サイドマージン部１７は、ガラス粒子Ｇが結晶粒子Ｃと比較して同等以上に大きい特徴的な微細組織を有する。

【0031】

図４には、サイドマージン部１７に発生したクラックが太矢印で示す方向に進展しようとしている状態が示されている。図４に示すクラックの進展経路には、ガラス粒子Ｇが存在する。したがって、図４に示す状態では、クラックの進展の推進力となるエネルギがガラス粒子Ｇに対して加わる。

【0032】

粘性の高いガラス粒子Ｇは、クラックから加わるエネルギを吸収する作用を有する。特に、サイドマージン部１７では、ガラス粒子Ｇが大きいため、クラックから加わるエネルギを充分に吸収することができる。このため、サイドマージン部１７では、クラックがガラス粒子Ｇにおいて推進力を失うことでクラックの進展が止まる。

【0033】

図５は、本実施形態の比較例に係るサイドマージン部１７ａの微細組織を模式的に示す部分断面図である。サイドマージン部１７ａでは、本実施形態に係るサイドマージン部１７とは異なり、結晶粒子Ｃに比べてガラス粒子Ｇが大幅に小さく、ガラス粒子Ｇが結晶粒子Ｃの結晶粒界ないし粒界三重点に存在する。

【0034】

サイドマージン部１７ａでは、小さいガラス粒子Ｇによってクラックから加わるエネルギを充分に吸収することができず、ガラス粒子Ｇを介してその周囲の結晶粒子Ｃ及び結晶粒界にエネルギが加わる。これにより、サイドマージン部１７ａでは、クラックの進展がガラス粒子Ｇで止まらずに、クラックがガラス粒子Ｇを超えて進展しやすい。

【0035】

このように、本実施形態に係るサイドマージン部１７では、ガラス粒子Ｇが結晶粒子Ｃと同等以上の大きさを有する構成によって、比較例に係るサイドマージン部１７ａとは異なり、ガラス粒子Ｇによるクラックの進展を止める作用が有効に得られる。これにより、サイドマージン部１７では、大きいクラックの発生を抑制することができる。

【0036】

サイドマージン部１７では、ガラス粒子Ｇのメディアン径が０．２０μｍ以上であり、かつ多結晶体を構成する結晶粒子Ｃのメディアン径の９０％以上であることが必要である。これにより、サイドマージン部１７では、ガラス粒子Ｇによってクラックの持つエネルギを吸収する作用を充分に得ることができる。

【0037】

メディアン径は、断面における所定の視野内に存在する粒子の粒径の中央値として定義され、例えば、サイドマージン部１７の断面における３０μｍ×４０μｍの矩形の視野において求めることができる。各粒子の粒径は、当該粒子の断面と面積が等しくなる円の直径として算出される円相当径として得ることができる。

【0038】

なお、サイドマージン部１７では、ガラス粒子Ｇが大きすぎると、柔軟性が高くなりすぎることで製造過程において外面の平坦性が損なわれるなど正常な形状を保つことが難しくなる。このため、サイドマージン部１７では、ガラス粒子Ｇのメディアン径を０．７５μｍ未満に留めることが好ましい。

【0039】

更に、本実施形態に係るサイドマージン部１７では、充分な量のガラス粒子Ｇを多結晶体中に均一に分散させることで、クラックの進展経路にガラス粒子Ｇが存在する確率を各段に高めることができる。これにより、サイドマージン部１７に発生したクラックの進展をガラス粒子Ｇによってより確実に阻むことができる。

【0040】

特に、サイドマージン部１７では、外面から発生したクラックがＹ軸方向に貫通することで積層体１６の側面Ｆまで到達することを防止することができる。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、水分がサイドマージン部１７のクラックを介して積層体１６の側面Ｆに侵入することによる絶縁不良の発生を防止することができる。

【0041】

積層セラミックコンデンサ１０では、Ｙ軸方向の寸法が小さいサイドマージン部１７ほどＹ軸方向に貫通するクラックが発生しやすい。したがって、積層セラミックコンデンサ１０では、サイドマージン部１７のＹ軸方向の寸法が２０μｍ以下の構成において、絶縁不良の発生を防止する効果がより有効に得られる。

【0042】

具体的に、本実施形態に係るサイドマージン部１７では、多結晶体の存在する部分の合計体積に対するガラス粒子Ｇが存在する部分の合計体積の割合（合計体積率）が１％以上であることが必要である。これにより、サイドマージン部１７では、クラックの進展経路にガラス粒子Ｇが存在する確率を充分に高めることができる。

【0043】

サイドマージン部１７における多結晶体に対するガラス粒子Ｇの合計体積率は、サイドマージン部１７の断面における所定の視野内に存在するガラス粒子Ｇの粒径から推測することができ、例えば、サイドマージン部１７の断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）によって３０μｍ×４０μｍの矩形の視野を撮像した写真において求めることができる。

【0044】

具体的に、サイドマージン部１７の断面写真から、最大径が０．０５μｍ以上のガラス粒子Ｇそれぞれについて測定した面積を用いて各ガラス粒子Ｇの直径を円相当径として算出し、得られた直径から各ガラス粒子Ｇの球体相当の体積を算出する。これにより、ガラス粒子Ｇの平均体積が得られる。次に、面積が１μｍ^２の正方形の領域中のガラス粒子Ｇの個数からサイドマージン部１７全体におけるガラス粒子Ｇの個数を概算で得ることができる。これにより、ガラス粒子Ｇについて平均体積と個数とを積算することで合計体積が求められる。そして、ガラス粒子Ｇの合計体積率は、サイドマージン部１７の全体積からガラス粒子Ｇの合計体積を引いて得られる多結晶体の体積に対するガラス粒子Ｇの合計体積の比率として求めることができる。

【0045】

なお、サイドマージン部１７では、多結晶体に対するガラス粒子Ｇの合計体積率が大きすぎると、柔軟性が高くなりすぎることで製造過程において外面の平坦性が損なわれるなど正常な形状を保つことが難しくなる。このため、サイドマージン部１７では、多結晶体に対するガラス粒子Ｇの合計体積の割合は２０％以下に留めることが好ましい。

【0046】

図６，７は、サイドマージン部１７におけるガラス粒子Ｇの存在する頻度の評価方法を説明するための図である。図６には、サイドマージン部１７の断面上に格子状に区画された複数の正方形の領域Ｒが示されている。各領域Ｒの面積は１μｍ^２である。複数の領域Ｒは、例えば、４行７列に配列することができる。

【0047】

図７には、図６と同様の視野において各領域Ｒで観察されるガラス粒子Ｇの個数が示されている。なお、各領域Ｒでは、ガラス粒子Ｇの一部のみが観察される場合にも１個としてカウントするものとする。本実施形態では、サイドマージン部１７におけるガラス粒子Ｇの存在する頻度を複数の領域Ｒにおけるガラス粒子Ｇの平均個数で評価する。

【0048】

具体的に、本実施形態に係るサイドマージン部１７では、配列されたすべての領域Ｒにおけるガラス粒子Ｇの平均個数が１μｍ^２あたり１個以上２個以下であることが好ましい。また、サイドマージン部１７では、配列されたすべての領域Ｒのガラス粒子Ｇの１μｍ^２あたりの個数の標準偏差が０．３０以下であることが好ましい。

【0049】

これにより、サイドマージン部１７では、結晶粒子Ｃで構成される多結晶体中において、ガラス粒子Ｇの高い分散性が得られ、ガラス粒子Ｇの存在する頻度が適切な構成となる。このため、サイドマージン部１７では、ガラス粒子Ｇによる柔軟性の上昇を抑えつつ、クラックの進展経路にガラス粒子Ｇが存在する確率を充分に高めることができる。

【0050】

［積層セラミックコンデンサ１０の製造方法］
図８は、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を示すフローチャートである。図９，１０は積層セラミックコンデンサ１０の製造過程を示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について、図８に沿って、図９，１０を適宜参照しながら説明する。

【0051】

（ステップＳ０１：積層体準備）
ステップＳ０１では、図９に示す未焼成の積層体１６を準備する。未焼成の積層体１６は、大判の複数のセラミックシートがＺ軸方向に積層された積層シートを用いて作製することができる。容量形成部１８に対応するセラミックシートには内部電極１２，１３を形成するための導電性ペーストがパターニングされる。

【0052】

未焼成の積層体１６は、上記の積層シートをＸ－Ｚ平面及びＹ－Ｚ平面に沿って切り分けることで得られる。積層シートの切断には、例えば、押し切り刃や回転刃などを備えた切断装置を用いることができる。これにより、積層体１６では、内部電極１２，１３のＹ軸方向の両端部が揃って位置する切断面として一対の側面Ｆが得られる。

【0053】

（ステップＳ０２：サイドマージン部形成）
ステップＳ０２では、ステップＳ０１で作製した未焼成の積層体１６の一対の側面Ｆにそれぞれ未焼成の一対のサイドマージン部１７を設ける。これにより、図６に示すように、未焼成のサイドマージン部１７によって一対の側面が構成される未焼成のセラミック素体１１が得られる。

【0054】

未焼成のサイドマージン部１７には、ガラス粒子Ｇを形成するための添加剤が混合されたセラミックスラリーを用いることができる。セラミックスラリーに添加する添加剤の量によって、焼成後のサイドマージン部１７における多結晶体に対するガラス粒子Ｇの合計体積率を制御することができる。

【0055】

セラミックスラリーに添加する添加剤としては、例えば、ガラス粉末やガラスフリットを用いることができる。セラミックスラリーに添加する添加剤として用いるガラス粉末やガラスフリットの粒径によって、焼成後のサイドマージン部１７におけるガラス粒子Ｇの粒径を調整することが可能である。

【0056】

サイドマージン部１７は、任意の方法で形成可能である。サイドマージン部１７は、例えば、セラミックスラリーをシート状に成形したセラミックシートを用いて形成することができる。この場合、セラミックシートは、例えば、積層体１６の側面Ｆで打ち抜くことや、予め切断して積層体１６の側面Ｆに貼り付けることができる。

【0057】

また、サイドマージン部１７を形成するために、予めシート状に成形されたセラミックシートではなく、成形されていないセラミックスラリーをそのまま用いることもできる。この場合、セラミックスラリーは、例えば、積層体１６の側面Ｆを浸漬させることで、積層体１６の側面Ｆに塗布することができる。

【0058】

（ステップＳ０３：焼成）
ステップＳ０３では、ステップＳ０２で得られたセラミック素体１１を焼成することにより、図１～３に示す積層セラミックコンデンサ１０のセラミック素体１１を作製する。ステップＳ０３では、例えば焼成温度によって、焼成後のサイドマージン部１７におけるガラス粒子Ｇの粒径やガラス粒子Ｇの分散性を調整することができる。

【0059】

例えば、表１には、共通の構成の未焼成のセラミック素体１１について焼成温度を変化させた場合の、焼成後のサイドマージン部１７における結晶粒子Ｃ及びガラス粒子Ｇのメディアン径、結晶粒子Ｃに対するガラス粒子Ｇのメディアン径の比率、並びに複数の領域Ｒにおけるガラス粒子Ｇの１μｍ^２あたりの平均個数が示されている。

【0060】

【表1】

【0061】

表１に示すとおり、焼成温度を変化させることによって、焼成後のサイドマージン部１７における、結晶粒子Ｃ及びガラス粒子Ｇのメディアン径と、結晶粒子Ｃに対するガラス粒子Ｇのメディアン径の比率と、複数の領域Ｒにおけるガラス粒子Ｇの１μｍ^２あたりの平均個数と、をそれぞれ異ならせることができることがわかる。

【0062】

（ステップＳ０４：外部電極形成）
ステップＳ０４では、ステップＳ０３で焼成されたセラミック素体１１のＸ軸方向両端部に外部電極１４，１５を形成することにより、図１～３に示す積層セラミックコンデンサ１０を作製する。ステップＳ０４における外部電極１４，１５の形成方法は、公知の方法から任意に選択可能である。

【0063】

以上により、図１～３に示す積層セラミックコンデンサ１０が完成する。この製造方法では、内部電極１２，１３が露出した積層体１６の側面Ｆにサイドマージン部１７が形成されるため、セラミック素体１１における複数の内部電極１２，１３のＹ軸方向の端部の位置が、Ｙ軸方向に０．５μｍ以内の範囲で揃う。

【0064】

［実施例及び比較例］
上記実施形態の実施例及び比較例として、サイドマージン部の構成が異なる積層セラミックコンデンサのサンプルを作製した。実施例１～３及び比較例１～５に係るサンプルのサイズはいずれも、Ｘ軸方向の寸法が０．６ｍｍで、Ｙ軸方向の寸法が０．３ｍｍで、Ｚ軸方向の寸法が０．３ｍｍである０６０３サイズとした。

【0065】

実施例１～３及び比較例１～５について作製したサンプルのサイドマージン部について、結晶粒子Ｃ及びガラス粒子Ｇのメディアン径と、結晶粒子Ｃに対するガラス粒子Ｇのメディアン径の比率と、多結晶体に対するガラス粒子Ｇの合計体積率と、複数の領域Ｒにおけるガラス粒子Ｇの平均個数と、を求めた。表２は、この結果を示している。

【0066】

【表2】

【0067】

実施例１～３はいずれも、上記実施形態の構成である。一方、比較例１，２は結晶粒子Ｃに対するガラス粒子Ｇのメディアン径の比率が９０％未満であり、比較例１，３は多結晶体に対するガラス粒子Ｇの合計体積率が１％未満であり、比較例４，５は多結晶体に対するガラス粒子Ｇの合計体積率が２０％を超える点で、それぞれ上記実施形態の構成と異なる。

【0068】

実施例１～３及び比較例１～５に係るサンプルについてそれぞれ、外観及び絶縁不良率の評価を行った。外観については、各実施例及び比較例に係るサンプルについてサイドマージン部の形状が正常であるか否かを目視にて観察し、正常であるサンプルを「Ａ」と評価し、正常でないサンプルを「Ｂ」と評価した。

【0069】

絶縁不良率の評価では、各実施例及び比較例に係るサンプル各１００個について、温度８５℃、湿度８５％の環境で１００時間保持する耐湿試験を行った。そして、各実施例及び比較例について、１００個のサンプルのうち耐湿試験後の絶縁抵抗が１ＭΩ未満となったサンプルの比率を絶縁不良率とした。表３は、これらの結果を示している。

【0070】

【表3】