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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023095776
(43)【公開日】2023-07-06
(54)【発明の名称】電界発光表示装置
(51)【国際特許分類】
H05B 33/12 20060101AFI20230629BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20230629BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20230629BHJP
H05B 33/22 20060101ALI20230629BHJP
H05B 33/02 20060101ALI20230629BHJP
G02B 5/20 20060101ALI20230629BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20230629BHJP
【ＦＩ】
H05B33/12 B
H05B33/14 A
H01L27/32
H05B33/12 C
H05B33/22 Z
H05B33/12 E
H05B33/02
G02B5/20 101
G09F9/30 365
【審査請求】有
【請求項の数】30
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022178655
(22)【出願日】2022-11-08
(31)【優先権主張番号】10-2021-0186757
(32)【優先日】2021-12-24
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】501426046
【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100094112
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 讓
(74)【代理人】
【識別番号】100106183
【弁理士】
【氏名又は名称】吉澤 弘司
(74)【代理人】
【識別番号】100114915
【弁理士】
【氏名又は名称】三村 治彦
(74)【代理人】
【識別番号】100125139
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 洋
(74)【代理人】
【識別番号】100209808
【弁理士】
【氏名又は名称】三宅 高志
(72)【発明者】
【氏名】全 ▲ホン▼ 明
【テーマコード（参考）】
2H148
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
2H148BD01
2H148BG06
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC33
3K107CC45
3K107DD52
3K107DD72
3K107DD75
3K107DD77
3K107DD89
3K107DD94
3K107EE03
3K107EE22
3K107FF09
3K107FF15
5C094AA43
5C094AA44
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA13
5C094ED03
5C094FA02
(57)【要約】
【課題】溶液工程を利用しながらも、１つのサブ画素の発光スタックが他のサブ画素に流れるのを防止することができる電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】本開示は、第１方向に配列した第１サブ画素と第２サブ画素を含む基板を含み、前記基板上の第１サブ画素と第２サブ画素のそれぞれに設けられた第１電極、前記基板上の前記第１サブ画素と前記第２サブ画素の間の境界に設けられたバンク、前記第１電極および前記バンク上に設けられた発光スタック、および前記発光スタック上に設けられた第２電極を含んでなり、前記バンクは、第１バンクおよび前記第１バンク上に設けられた第２バンクを含んでなり、前記発光スタックは、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素のそれぞれに設けられた第１層および前記第１層上に具備され、前記第１サブ画素から前記第２サブ画素まで連続した第２層を含んでなり、前記第１バンクは、前記第２層の下に具備され、前記第２バンクは、前記第２層の上に設けられた電界発光表示装置を提供する。
【選択図】図２
【解決手段】本開示は、第１方向に配列した第１サブ画素と第２サブ画素を含む基板を含み、前記基板上の第１サブ画素と第２サブ画素のそれぞれに設けられた第１電極、前記基板上の前記第１サブ画素と前記第２サブ画素の間の境界に設けられたバンク、前記第１電極および前記バンク上に設けられた発光スタック、および前記発光スタック上に設けられた第２電極を含んでなり、前記バンクは、第１バンクおよび前記第１バンク上に設けられた第２バンクを含んでなり、前記発光スタックは、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素のそれぞれに設けられた第１層および前記第１層上に具備され、前記第１サブ画素から前記第２サブ画素まで連続した第２層を含んでなり、前記第１バンクは、前記第２層の下に具備され、前記第２バンクは、前記第２層の上に設けられた電界発光表示装置を提供する。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１方向に配列した第１サブ画素と第２サブ画素を含む基板と、
前記基板上で前記第１サブ画素と前記第２サブ画素のそれぞれに設けられた第１電極と、
前記基板上で前記第１サブ画素と前記第２サブ画素の境界に設けられたバンクと、
前記第１電極上に設けられた発光スタックと、
前記発光スタック上に設けられた第２電極とを含み、
前記バンクが、第１バンクおよび前記第１バンク上に設けられた第２バンクを含み、
前記発光スタックは、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素のそれぞれに設けられた第１層、および前記第１層上に設けられ、前記第１サブ画素から前記第２サブ画素まで連続した第２層を含み、
前記第１バンクは、前記第２層の下に設けられ、前記第２バンクは前記第２層の上に設けられた電界発光表示装置。
前記基板上で前記第１サブ画素と前記第２サブ画素のそれぞれに設けられた第１電極と、
前記基板上で前記第１サブ画素と前記第２サブ画素の境界に設けられたバンクと、
前記第１電極上に設けられた発光スタックと、
前記発光スタック上に設けられた第２電極とを含み、
前記バンクが、第１バンクおよび前記第１バンク上に設けられた第２バンクを含み、
前記発光スタックは、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素のそれぞれに設けられた第１層、および前記第１層上に設けられ、前記第１サブ画素から前記第２サブ画素まで連続した第２層を含み、
前記第１バンクは、前記第２層の下に設けられ、前記第２バンクは前記第２層の上に設けられた電界発光表示装置。
【請求項2】
前記第１バンクおよび前記第２バンクが、前記第２層を挟んで互いに接することなく上下に離隔している、請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項3】
前記発光スタックが、
前記第２層上に設けられ、前記第１サブ画素および前記第２サブ画素のそれぞれに設けられた第３層と、
前記第３層上に具備され、前記第１サブ画素から前記第２サブ画素まで連続した第４層とをさらに含む、請求項１に記載の電界発光表示装置。
前記第２層上に設けられ、前記第１サブ画素および前記第２サブ画素のそれぞれに設けられた第３層と、
前記第３層上に具備され、前記第１サブ画素から前記第２サブ画素まで連続した第４層とをさらに含む、請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項4】
前記第１サブ画素に設けられた第１層と前記第２サブ画素に設けられた第１層とは、前記第１バンクを挟んで互いに離隔し、
前記第１サブ画素に設けられた第３層と前記第２サブ画素に設けられた第３層とは、前記第２バンクを挟んで互いに離隔している、請求項３に記載の電界発光表示装置。
前記第１サブ画素に設けられた第３層と前記第２サブ画素に設けられた第３層とは、前記第２バンクを挟んで互いに離隔している、請求項３に記載の電界発光表示装置。
【請求項5】
前記第２層と前記第４層は、前記第２バンクを挟んで互いに接することなく上下に離隔している、請求項３に記載の電界発光表示装置。
【請求項6】
前記発光スタックは、
第１色相の光を放出する第１スタックと、
第２色相の光を放出する第２スタックと、
前記第１スタックと前記第２スタックの間に設けられた電荷生成層とを含み、
前記第１スタックは前記第１層を含み、
前記第２スタックは前記第３層を含むことを特徴とする、請求項３に記載の電界発光表示装置。
第１色相の光を放出する第１スタックと、
第２色相の光を放出する第２スタックと、
前記第１スタックと前記第２スタックの間に設けられた電荷生成層とを含み、
前記第１スタックは前記第１層を含み、
前記第２スタックは前記第３層を含むことを特徴とする、請求項３に記載の電界発光表示装置。
【請求項7】
前記第１スタックは、正孔注入層、第１正孔輸送層、第１発光スタック及び第１電子輸送層を含み、
前記第２スタックは、第２正孔輸送層、第２発光スタック、第２電子輸送層、および電子注入層を含み、
前記電荷生成層は、Ｎ型電荷生成層およびＰ型電荷生成層を含み、
前記第１層は、前記正孔注入層、前記第１正孔輸送層、および前記第１発光スタックを含み、
前記第２層は、前記第１電子輸送層、前記Ｎ型電荷生成層、および前記Ｐ型電荷生成層を含み、
前記第３層は、前記第２正孔輸送層、および前記第２発光スタックを含み、
前記第４層は、前記第２電子輸送層、および前記電子注入層を含む、請求項６に記載の電界発光表示装置。
前記第２スタックは、第２正孔輸送層、第２発光スタック、第２電子輸送層、および電子注入層を含み、
前記電荷生成層は、Ｎ型電荷生成層およびＰ型電荷生成層を含み、
前記第１層は、前記正孔注入層、前記第１正孔輸送層、および前記第１発光スタックを含み、
前記第２層は、前記第１電子輸送層、前記Ｎ型電荷生成層、および前記Ｐ型電荷生成層を含み、
前記第３層は、前記第２正孔輸送層、および前記第２発光スタックを含み、
前記第４層は、前記第２電子輸送層、および前記電子注入層を含む、請求項６に記載の電界発光表示装置。
【請求項8】
前記第１バンクの下部は、親水性特性を有し、
前記第１バンクの上面および前記第２バンクの上面は、疎水性特性を有する、請求項１に記載の電界発光表示装置。
前記第１バンクの上面および前記第２バンクの上面は、疎水性特性を有する、請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項9】
前記第１バンクの上面にはホームが設けられ、前記第２層は前記ホームの内側面に沿って延在し、前記第２バンクは前記ホームを埋めるように設けられた、請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項10】
前記第２バンクの上面の高さが、前記第２層の上面の高さよりも高くなるように設けられた、請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項11】
前記基板は、前記第１サブ画素と第２方向に隣接して配置されながら、前記第１サブ画素と同じ色相の光を放出する他の第１サブ画素をさらに含み、
前記第１サブ画素と前記他の第１サブ画素の境界には、第３バンクがさらに設けられている、請求項１に記載の電界発光表示装置。
前記第１サブ画素と前記他の第１サブ画素の境界には、第３バンクがさらに設けられている、請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項12】
前記第３バンクは、前記第１サブ画素と前記他の第１サブ画素の間の境界領域の中で、所定空間を除く領域に設けられている、請求項１１に記載の電界発光表示装置。
【請求項13】
前記発光スタックは、
前記第２層上に具備され、前記第１サブ画素および前記第２サブ画素のそれぞれに設けられた第３層と、
前記第３層上に具備され、前記第１サブ画素から前記第２サブ画素まで連続した第４層とをさらに含み、
前記第１サブ画素に設けられた第３層と前記他の第１サブ画素に設けられた第３層は、前記第３バンクを間に挟んで互いに離隔し、
前記第２層および前記第４層は、前記第３バンクを挟んで互いに接することなく上下に離隔している、請求項１１に記載の電界発光表示装置。
前記第２層上に具備され、前記第１サブ画素および前記第２サブ画素のそれぞれに設けられた第３層と、
前記第３層上に具備され、前記第１サブ画素から前記第２サブ画素まで連続した第４層とをさらに含み、
前記第１サブ画素に設けられた第３層と前記他の第１サブ画素に設けられた第３層は、前記第３バンクを間に挟んで互いに離隔し、
前記第２層および前記第４層は、前記第３バンクを挟んで互いに接することなく上下に離隔している、請求項１１に記載の電界発光表示装置。
【請求項14】
前記第１バンクは、前記第１サブ画素および別途の第１サブ画素の間の境界にさらに設けられ、
前記第１サブ画素および前記第２サブ画素の間の境界に設けられた第１バンクは、下部バンク層と上部バンク層を含み、
前記第１サブ画素および前記別途の第１サブ画素の間の境界に設けられた前記第１バンクは、前記下部バンク層のみを含む、請求項１１に記載の電界発光表示装置。
前記第１サブ画素および前記第２サブ画素の間の境界に設けられた第１バンクは、下部バンク層と上部バンク層を含み、
前記第１サブ画素および前記別途の第１サブ画素の間の境界に設けられた前記第１バンクは、前記下部バンク層のみを含む、請求項１１に記載の電界発光表示装置。
【請求項15】
複数の第１サブ画素よび複数の第２サブ画素を含む基板と、
前記複数の第１サブ画素および前記複数の第２サブ画素の間の境界、前記複数の第１サブ画素間の境界、および前記複数の第２サブ画素間の境界に設けられた第１バンクと、
前記複数の第１サブ画素および前記複数の第２サブ画素の間の境界に沿って設けられた第２バンクと、
前記複数の第１サブ画素間の境界、および前記複数の第２サブ画素の間の境界に不連続な直線構造で設けられた第３バンクとを含む、電界発光表示装置。
前記複数の第１サブ画素および前記複数の第２サブ画素の間の境界、前記複数の第１サブ画素間の境界、および前記複数の第２サブ画素間の境界に設けられた第１バンクと、
前記複数の第１サブ画素および前記複数の第２サブ画素の間の境界に沿って設けられた第２バンクと、
前記複数の第１サブ画素間の境界、および前記複数の第２サブ画素の間の境界に不連続な直線構造で設けられた第３バンクとを含む、電界発光表示装置。
【請求項16】
前記第３バンクは、前記複数の第１サブ画素間の境界領域の中の所定の空間を除く領域に設けられている、請求項１５に記載の電界発光表示装置。
【請求項17】
前記第３バンクは、前記所定の空間を挟んで前記第２バンクと離隔している、請求項１６に記載の電界発光表示装置。
【請求項18】
前記第３バンクは、前記第２バンクに接して前記第２バンクから延在している、請求項１６に記載の電界発光表示装置。
【請求項19】
順に積層された第１層、第２層、第３層、および第４層を含む発光スタックをさらに含み、
前記第１層および前記第３層は、前記複数の第１サブ画素及び前記複数の第２サブ画素のそれぞれにおいて連続せずに断絶するように設けられ、
前記第２層および前記第４層は、前記複数の第１サブ画素から前記複数の第２サブ画素まで連続するように設けられた、請求項１５に記載の電界発光表示装置。
前記第１層および前記第３層は、前記複数の第１サブ画素及び前記複数の第２サブ画素のそれぞれにおいて連続せずに断絶するように設けられ、
前記第２層および前記第４層は、前記複数の第１サブ画素から前記複数の第２サブ画素まで連続するように設けられた、請求項１５に記載の電界発光表示装置。
【請求項20】
前記第１バンクおよび前記第２バンクは、前記第２層を挟んで上下に離隔し、
前記第１バンクおよび前記第３バンクは、前記第２層を挟んで上下に離隔した、請求項１９に記載の電界発光表示装置。
前記第１バンクおよび前記第３バンクは、前記第２層を挟んで上下に離隔した、請求項１９に記載の電界発光表示装置。
【請求項21】
基板上に設けられた第１発光スタックの第１部分と、
前記第１発光スタックの第１部分と離隔し、前記基板上に設けられた前記第１発光スタックの第２部分と、
前記第１発光スタックの第１部分および前記第１発光スタックの第２部分の間に設けられた第１バンクと、
前記第１バンク、前記第１発光スタックの第１部分および前記第１発光スタックの第２部分上に設けられた導電層と、
前記導電層上に設けられた第２発光スタックの第１部分と、
前記第２発光スタックの第１部分と離隔し、前記導電層上に設けられた前記第２発光スタックの第２部分と、
前記導電層上に具備され、前記第２発光スタックの第１部分および前記第２発光スタックの第２部分の間に設けられた第２バンクとを含む、電界発光表示装置。
前記第１発光スタックの第１部分と離隔し、前記基板上に設けられた前記第１発光スタックの第２部分と、
前記第１発光スタックの第１部分および前記第１発光スタックの第２部分の間に設けられた第１バンクと、
前記第１バンク、前記第１発光スタックの第１部分および前記第１発光スタックの第２部分上に設けられた導電層と、
前記導電層上に設けられた第２発光スタックの第１部分と、
前記第２発光スタックの第１部分と離隔し、前記導電層上に設けられた前記第２発光スタックの第２部分と、
前記導電層上に具備され、前記第２発光スタックの第１部分および前記第２発光スタックの第２部分の間に設けられた第２バンクとを含む、電界発光表示装置。
【請求項22】
前記導電層は、電荷生成層である、請求項２１に記載の電界発光表示装置。
【請求項23】
前記第１発光スタックの第１部分は、第１サブ画素に含まれ、前記第１発光スタックの第２部分は、第１サブ画素に含まれる、請求項２１に記載の電界発光表示装置。
【請求項24】
前記第１発光スタックの第１部分上に設けられた第１カラーフィルタと、
前記第１発光スタックの第２部分上に設けられた第２カラーフィルタとをさらに含む、請求項２１に記載の電界発光表示装置。
前記第１発光スタックの第２部分上に設けられた第２カラーフィルタとをさらに含む、請求項２１に記載の電界発光表示装置。
【請求項25】
前記第２バンクが、前記導電層上に設けられた、請求項２１に記載の電界発光表示装置。
【請求項26】
前記第１バンクの高さは、前記第１発光スタックの前記第１部分の高さよりも高い、請求項２１に記載の電界発光表示装置。
【請求項27】
前記第１バンクは、ホームを含み、前記導電層は、前記ホームの内面に沿って延在する、請求項２１に記載の電界発光表示装置。
【請求項28】
前記基板上に設けられた薄膜トランジスタをさらに含み、前記第１発光スタックの前記第１部分が、前記薄膜トランジスタ上に設けられた、請求項２１に記載の電界発光表示装置。
【請求項29】
前記第１バンクは、絶縁物または疎水性物質の中の１つを含む、請求項２１に記載の電界発光表示装置。
【請求項30】
前記第１発光スタックの前記第１部分は、第１サブ画素内に設けられ、前記第１発光スタックの前記第２部分は、前記第１サブ画素と離隔した第２サブ画素内に設けられた、請求項２１に記載の電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電界発光表示装置に関するものであり、より詳細には溶液工程を用いて製造することができる電界発光表示装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
電界発光表示装置は、第１電極、第２電極および前記第１電極と前記第２電極の間に設けられた発光スタックを含んでなり、前記２つの電極間の電界によって前記発光スタックが発光することによって画像を表示する。
【0003】
前記発光スタックは、電子と正孔の再結合によって励起子が消滅しながら発光をする有機物を含んでなり得る。励起子は、静電気的に結合した電子とホールを含む電気的に中性の粒子である。前記有機物がそのバンドギャップより高いエネルギー光を吸収すると励起子が生成され、このとき価電子帯から伝導帯に電子を励起させる。励起子中の伝導帯電子が価電子帯のホールと再結合すると、前記励起子が消え、前記励起子のエネルギーが光に変換され得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
前記発光スタックは、真空蒸着工程で形成することができるが、この場合、高価な真空蒸着装置が必要となり製造コストが増加し得る、特に大型の電界発光表示装置の場合、パターン形成のためのマスク及び真空蒸着装置の大きさがさらに大きくなり、大量生産時に生産性が低下することになる。
【0005】
したがって、製造コストを低減するために、前記発光スタックをインクジェット装置等を用いて溶液工程で形成する方案が考案されたことがあった。
【0006】
しかし、溶液工程で前記発光スタックを形成する場合には、例として、赤色発光スタック形成のための溶液が赤色サブ画素からそれに隣接する緑色サブ画素に流れて、緑色サブ画素の画質が低下するという問題が生じることがある。
【0007】
本発明は、溶液工程を利用しながらも、１つのサブ画素の発光スタックが他のサブ画素に流れるのを防止することができる電界発光表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
前記目的を達成するために、本発明は、第１方向に配列された第１サブ画素と第２サブ画素を含む基板と、前記基板上の前記第１サブ画素と前記第２サブ画素のそれぞれに設けられた第１電極、前記基板上の前記第１サブ画素と前記第２サブ画素の境界に設けられたバンク、前記第１電極および前記バンク上に設けられた発光スタック、前記発光スタック上に設けられた第２電極を含んでなり、前記バンクは、第１バンクおよび前記第１バンク上に設けられた第２バンクを含んでなり、前記発光スタックは、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素のそれぞれに設けられた第１層、および前記第１層上に具備され、前記第１サブ画素から前記第２サブ画素まで連続した第２層を含んでなり、前記第１バンクは、前記第２層の下に具備され、前記第２バンクは、前記第２層の上に設けられた電界発光表示装置を提供する。
【0009】
本発明はまた、複数の第１サブ画素と複数の第２サブ画素を含む基板、前記複数の第１サブ画素と前記複数の第２サブ画素との境界、前記複数の第１サブ画素間の境界、および前記複数の第２サブ画素間の境界に設けられた第１バンク、前記複数の第１サブ画素と前記複数の第２サブ画素間との境界に沿って連続した直線構造で設けられた第２バンク、および前記複数の第１サブ画素間の境界と、および前記複数の第２サブ画素間の境界に不連続な直線構造で設けられた第３バンクを含んでなる電界発光表示装置を提供する。
【発明の効果】
【0010】
以上のような本発明によれば、次のような効果がある。
【0011】
本発明の一実施例によれば、サブ画素別に分離する必要がある発光スタックの第１層は、インクジェット工程などの溶液工程で形成されるが、第１バンクによってサブ画素別に断絶させることによって、隣接するサブ画素別に連続しなくなる。
【0012】
本発明の一実施例によれば、サブ画素別に分離する必要がない前記発光スタックの第２層および第４層は、蒸発法などの真空蒸着方法でマスクなしに形成することができる。
【0013】
本発明の一実施例によれば、発光スタックの第２層上に第２バンクをさらに形成することにより、サブ画素別に分離する必要がある発光スタックの第３層をインクジェット工程のような溶液工程で形成しながらも、前記第２バンクによって断絶され、隣接するサブ画素別に連続しなくなる。
【0014】
本発明の他の実施例によれば、同じ色相の光を放出する１つのサブ画素およびそれに隣接する他の１つのサブ画素との間の境界に第３バンクを形成するが、インクの移動のための所定の空間を確保することによって、発光スタックの流動性が向上し、特定のサブ画素にまだらが生じるという問題を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】本発明の一実施例による電界発光表示装置の概略平面図である。
【図3】本発明の一実施例による発光スタックの概略断面図である。
【図4】本発明の様々な実施例による電界発光表示装置の概略断面図であって、第１サブ画素と第２サブ画素の間の境界領域の一部を示す。
【図5】本発明の様々な実施例による電界発光表示装置の概略断面図であって、第１サブ画素と第２サブ画素の間の境界領域の一部を示す。
【図6】本発明の様々な実施例による電界発光表示装置の概略断面図であって、第１サブ画素と第２サブ画素の間の境界領域の一部を示す。
【図8】本発明の他の実施例による電界発光表示装置の概略平面図である。
【図10】本発明の様々な実施例による電界発光表示装置の概略平面図である。
【図11】本発明の様々な実施例による電界発光表示装置の概略平面図である。
【図12】本発明の様々な実施例による電界発光表示装置の概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
本発明の利点および特徴、およびそれらを達成する方法は、添付の図と共に詳細に後述されている実施例を参照することによって明らかになるであろう。しかし、本発明は以下に開示される実施例に限定されるものではなく、互いに異なる様々な形態で具現されるものであり、単に本実施例は、本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者に、発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、特許請求の範囲によってのみ定義される。
【0017】
本発明の実施例を説明するための図に開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものであり、本発明が図に示した事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって、同じ参照番号は同じ構成要素を指す。また、本発明の説明において、関連する公知技術に対する具体的な説明が、本発明の要旨を不必要に曖昧にし得ると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本明細書上で言及される「含む」、「有する」、「からなる」などが使用される場合、「～のみ」が使用されない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現した場合に、特に明示的な記載事項がない限り複数を含む場合を含む。
【0018】
構成要素を解釈するにおいて、別途の明示的記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。
【0019】
位置関係の説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～隣に」などで２つの部分の位置関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されない限り、２つの部分の間に１つ以上の他の部分が位置することもできる。
【0020】
時間関係の説明である場合、例えば、「～後に」、「～に続いて」、「～の次に」、「～前に」などで時間的前後関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されていない限り、連続的でない場合も含むことができる
【0021】
第１、第２などが様々な構成要素を説明するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって限定されない。これらの用語は、単に1つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であり得る。
【0022】
本出願のいくつかの例のそれぞれの特徴は、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に様々な連動および駆動が可能であり、各実施例は互いに対して独立して実施可能であり、関連して一緒に実施することもできる。
【0023】
以下、図を参照して本発明の好ましい実施例について詳細に説明する。
【0024】
図１は、本発明の一実施例による電界発光表示装置の概略平面図である。
【0025】
図１から分かるように、本発明の一実施例による電界発光表示装置は、基板１００、前記基板１００上に設けられた複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）、及び前記複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）のそれぞれに設けられた第１電極３００、および前記複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間の境界領域に設けられたバンク４１０、４２０を含んでなる。
【0026】
前記複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）は、第１方向、例えばＸ軸方向に配列された第１サブ画素（ＳＰ１）、第２サブ画素（ＳＰ２）、及び第３サブ画素（ＳＰ３）を含んでなり得る。
【0027】
前記第１サブ画素（ＳＰ１）では第１色相の光が放射され、前記第２サブ画素（ＳＰ２）では第２色相の光が放出され、前記第３サブ画素（ＳＰ３）では第３色相の光が放出され得る。
【0028】
複数の第１サブ画素（ＳＰ１）は、第１方向と交差する第２方向、例えばＹ軸方向に配列することができ、同様に、複数の第２サブ画素（ＳＰ２）および複数の第３サブ画素（ＳＰ３）も前記第２方向に配列することができる。
【0029】
このような複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）の配列構造は、当業界に公知の様々な形態に変更することができる。
【0030】
前記第１電極３００は、電界発光表示装置のアノードとして機能することができ、前記複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）のそれぞれにパターン形成されており、前記バンク４１０、４２０によって囲むことができる。
【0031】
前記バンク４１０、４２０は、前記複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間の境界領域に具備され、個別にサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）領域を定義することができる。
【0032】
前記バンク４１０、４２０は、第１バンク４１０および第２バンク４２０を含んでなる。
【0033】
前記第１バンク４１０は、前記複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間の境界領域にメッシュ構造で形成することができる。詳細には、前記第１バンク４１０は、前記第１方向に配列された第１サブ画素（ＳＰ１）、第２サブ画素（ＳＰ２）、及び第３サブ画素（ＳＰ３）間の境界領域に形成されるとともに、第２方向に配列された前記複数の第１サブ画素（ＳＰ１）間の境界領域、複数の第２サブ画素（ＳＰ２）間の境界領域、及び複数の第３サブ画素（ＳＰ３）間の境界領域にも形成することができる。
【0034】
前記第２バンク４２０は、前記第１バンク４１０とは異なるパターンで形成することができる。詳細には、前記第２バンク４２０は、前記第１方向に配列された第１サブ画素（ＳＰ１）、第２サブ画素（ＳＰ２）、及び第３サブ画素（ＳＰ３）間の境界領域に形成されるが、前記第２方向に配列された複数の第１サブ画素（ＳＰ１）間の境界領域、複数の第２サブ画素（ＳＰ２）間の境界領域、及び複数の第３サブ画素（ＳＰ３）間の境界領域には、形成されないことがあり得る。したがって、前記第２バンク４２０は、前記第２方向に長く延長されて前記第１方向に所定の間隔で離隔したストライプ構造に形成することができる。
【0035】
図２は、本発明の一実施例による電界発光表示装置の概略断面図であり、これは図１のＡ－Ｂ線の断面に該当する。すなわち、図２は、互いに異なる色相の光を放出する第１サブ画素（ＳＰ１）、第２サブ画素（ＳＰ２）、および第３サブ画素（ＳＰ３）間の境界領域を含んだ断面図である。
【0036】
図２から分かるように、本発明の一実施例による電界発光表示装置は、基板１００、回路素子層２００、第１電極３００、バンク４１０、４２０、発光スタック５００、第２電極６００、封止層７００、カラーフィルタ８００、遮光層８５０、および保護層９００を含んでなる。
【0037】
前記基板１００は、ガラスまたは透明なプラスチックからなり得るが、必ずしもそれに限定されるわけではなく、シリコンウエハなどの半導体材料からなることもできる。本発明の一実施例による電界発光表示装置が上部発光（Ｔｏｐ Ｅｍｉｓｉｓｏｎ）方式からなる場合には、前記基板１００の材料として透明な材料だけでなく不透明な材料を用いることもできる。ただし、本発明の一実施例に係る電界発光表示装置が発光した光が下部発光（Ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｉｓｏｎ）方式からなる場合には、前記基板１００の材料として透明な材料が用いられる。
【0038】
前記回路素子層２００は、基板１００上に形成されている。
【0039】
前記回路素子層２００は、駆動薄膜トランジスタを含んでなる。
【0040】
前記駆動薄膜トランジスタは、前記基板１００上に設けられたアクティブ層２１０、前記アクティブ層２１０上に設けられたゲート絶縁膜２２０、前記ゲート絶縁膜２２０上に設けられたゲート電極２３０、前記ゲート電極２３０上に設けられた層間絶縁膜２４０、及び前記層間絶縁膜２４０上に具備され、前記層間絶縁膜２４０と前記ゲート絶縁膜２２０に設けられたホールを介して、前記アクティブ層２１０と連結するソース電極２５１およびドレイン電極２５２を含んでなる。図には、ゲート電極２３０がアクティブ層２１０上に設けられた上部ゲート（Ｔｏｐ Ｇａｔｅ）構造の駆動薄膜トランジスタを示しているが、本発明は、ゲート電極２３０がアクティブ層２１０の下に設けられた下部ゲート（Ｂｏｔｔｏｍ Ｇａｔｅ）構造の駆動薄膜トランジスタを含むことができる。
【0041】
前記回路素子層２００は、駆動薄膜トランジスタ上に設けられたパッシベーション層２６０および平坦化層２７０をさらに含むことができる。前記パッシベーション層２６０は、前記ソース電極２５１および前記ドレイン電極２５２上に具備されていて、前記平坦化層２７０は、前記パッシベーション層２６０上に具備されている。
【0042】
前記パッシベーション層２６０および平坦化層２７０は、コンタクトホールを備え、前記コンタクトホールを介して第１電極３００がドレイン電極２５２と連結することができる。場合によって、前記コンタクトホールを介して第１電極３００をソース電極２５１に連結することもできる。
【0043】
一方、前記回路素子層２００は、駆動薄膜トランジスタの他に、ゲート配線、データ配線、電源配線及び基準配線を含む様々な信号配線、スイッチング薄膜トランジスタとセンシング薄膜トランジスタを含む各種薄膜トランジスタ、及びコンデンサなどをさらに含むことができる。
【0044】
前記スイッチング薄膜トランジスタは、前記ゲート配線に供給されるゲート信号によってスイッチングし、前記データ配線から供給されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスタに供給する役割をする。
【0045】
前記駆動薄膜トランジスタは、前記スイッチング薄膜トランジスタから供給されるデータ電圧によってスイッチングし、前記電源配線で供給される電源からデータ電流を生成して前記第１電極３００に供給する役割をする。
【0046】
前記センシング薄膜トランジスタは、画質低下の原因となる前記駆動薄膜トランジスタのしきい値電圧偏差をセンシングする役割をするものであり、前記ゲート配線又は別途のセンシング配線から供給されるセンシング制御信号に応答して、前記駆動薄膜トランジスタの電流を前記基準配線に供給する。
【0047】
前記キャパシタは、前記駆動薄膜トランジスタに供給されるデータ電圧を１フレーム間、維持する役割をするものであり、前記駆動薄膜トランジスタのゲート端子およびソース端子にそれぞれ連結する。
【0048】
前記スイッチング薄膜トランジスタ、駆動薄膜トランジスタ及びセンシング薄膜トランジスタのそれぞれは、ボトムゲート（Ｂｏｔｔｏｍ Ｇａｔｅ）構造又はトップゲート（Ｔｏｐ Ｇａｔｅ）構造など、当業界で公知の様々な構造に変更することができる。
【0049】
また、前記回路素子層２００は、前記スイッチング薄膜トランジスタ、駆動薄膜トランジスタ及びセンシング薄膜トランジスタを保護するためのパッシベーション層、およびパッシベーシャ層上に設けられた平坦化層をさらに含むことができる。
【0050】
前記第１電極３００は、前記回路素子層２００上にサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）別に形成されている。前記第１電極３００は、電界発光表示装置の陽極（アノード）として機能することができる。このような第１電極３００は、本発明に係る電界発光表示装置が下部発光方式の場合には透明電極を含んでなり、本発明に係る電界発光表示装置が上部発光方式の場合には反射電極を含んでなり得る。
【0051】
前記バンク４１０、４２０は、前記回路素子層２００上に具備され、第１バンク４１０及び第２バンク４２０を含んでなる。
【0052】
前記第１バンク４１０は、前記回路素子層２００上で前記第１電極３００の両端を覆うように形成され、複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間の境界に形成される。
【0053】
前記第１バンク４１０は、下部バンク層４１０ａおよび上部バンク層４１０ｂの２層構造で形成することができる。
【0054】
前記下部バンク層４１０ａは、前記第１電極３００および前記回路素子層２００と接するように形成することができる。前記下部バンク層４１０ａは、前記上部バンク層４１０ｂよりも薄い厚さで形成され、前記上部バンク層４１０ｂよりも広い幅で形成することができる。前記下部バンク層４１０ａは、親水性物質からなり得るが、必ずしもそれに限定されるものではなく、場合によっては疎水性物質からなることもある。
【0055】
前記上部バンク層４１０ｂは、前記下部バンク層４１０ａ上にパターン形成されている。前記上部バンク層４１０ｂは、前記第１サブ画素（ＳＰ１）と第２サブ画素（ＳＰ２）の間の境界及び前記第２サブ画素（ＳＰ２）と第３サブ画素（ＳＰ３）と間の境界には形成される。後述する図７から分かるように、複数の第１サブ画素（ＳＰ１）間の境界、複数の第２サブ画素（ＳＰ２）間の境界、及び複数の第３サブ画素（ＳＰ３）間の境界には、形成されないことがあり得る。
【0056】
前記上部バンク層４１０ｂは、親水性を有する有機絶縁物にフッ素などの疎水性物質を混合した溶液を塗布した後、フォトリソグラフィ工程によってパターン形成することができる。前記フォトリソグラフィ工程時に照射される光により、前記フッ素のような疎水性物質が上部バンク層４１０ｂの上部側に移動することができ、それにより前記上部バンク層４１０ｂの上部は疎水性性質を有するようになり、その他の部分は親水性特性を有するようになり得る。すなわち、前記下部バンク層４１０ａと接する前記上部バンク層４１０ｂの下部は親水性性質を有し、前記上部バンク層４１０ｂの上部は疎水性性質を有することができる。ただし、必ずしもそれに限定されるものではなく、前記上部バンク層４１０ｂの全体部分が疎水性性質を有するように具備することもできる。このように、前記疎水性性質を有する上部バンク層４１０ｂの上部によって前記発光スタック５００、特に第１層５１０を形成するための溶液が、互いに隣接するサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間に広がって混合する問題を防止することができる。
【0057】
前記第２バンク４２０は、前記第１バンク４１０の上側の複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間の境界に形成される。前記第２バンク４２０と前記第１バンク４１０の間には、前記発光スタック５００の第２層５２０が具備され、したがって、前記第２バンク４２０は、前記第１バンク４１０と接触しないように具備される。前記第２バンク４２０の幅は、前記第１バンク４１０の幅より小さく形成することができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。前記発光スタック５００は、互いに異なる物質からなる複数の層を含むことができ、そのうちのいくつかの層は発光し、そのうちのいくつかの層は発光しないことがあり得るが、前記発光スタック５００内の他の層によって発光を容易にすることができる。一例として、前記発光スタック５００は、１つ以上の有機発光スタックを含むことができる。また、前記発光スタック５００は、正孔注入層、正孔輸送層、電荷生成層、電子輸送層および／または電子注入層のうちの少なくとも１つの層を含むことができる。
【0058】
前記第２バンク４２０は、前記上部バンク層４１０ｂと同じ材料で同じ工程を介して形成することができ、それによって前記第２バンク４２０の下部は親水性性質を有し、前記第２バンク４２０の上部は疎水性性質を有することができる。また、前記第２バンク４２０の全体部分が疎水性性質を有するように具備することもできる。このように、疎水性性質を有する前記第２バンク４２０の上部によって、前記発光スタック５００の第３層５３０を形成するための溶液が、互いに隣接するサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間に広がって混合する問題を防止することができる。
【0059】
前記発光スタック５００は、前記第１電極３００及び前記バンク４１０、４２０上に形成されている。前記発光スタック５００は、順に積層した第１層５１０、第２層５２０、第３層５３０、および第４層５４０を含んでなる。
【0060】
前記第１層５１０は、第１電極３００上にインクジェット装置などを用いた溶液工程で形成される。前記第１層５１０は、発光を引き起こす有機物質の発光層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）を含んでなる。
【0061】
前記第１層５１０は、複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）内にパターン形成され、複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間で連続せずに断絶している。すなわち、第１サブ画素（ＳＰ１）内の第１層５１０、第２サブ画素（ＳＰ２）内の第１層５１０、及び第３サブ画素（ＳＰ３）内の第１層５１０は、互いに連結せずに断絶して、それによってサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間の境界領域に発光が発生することが防止される。
【0062】
前記上部バンク層４１０ｂの上部が疎水性性質を有するため、前記第１層５１０は前記上部バンク層４１０ｂの上部に広がれなくなり、複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）内で連続せずに断絶した状態でパターン形成されるものである。
【0063】
前記第１層５１０は、第１バンク４１０の下部バンク層４１０ａと接するように形成されるが、詳細には図に示さなかったが、第１バンク４１０の上部バンク層４１０ｂに延びて上部バンク層４１０ｂの側面とも接することができる。
【0064】
前記第２層５２０は、前記第１層５１０上に蒸発法などの蒸着工程で形成することができる。前記第２層５２０は、発光を起こす有機物質の発光スタックを含まず、その代わりに電子を注入または輸送する機能層または電荷を発生させる機能層を含んでなり得る。
【0065】
前記第２層５２０は、複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）の内部領域およびその境界領域全体で断線することなく連続するように形成することができる。したがって、第１サブ画素（ＳＰ１）内の第２層５２０、第２サブ画素（ＳＰ２）内の第２層５２０、および第３サブ画素（ＳＰ３）内の第２層５２０は、互いに断絶せずに連結している。言い換えれば、前記第２層５２０は、前記第１サブ画素（ＳＰ１）から前記第３サブ画素（ＳＰ３）まで連続している。前記第２層５２０によって、前記第１バンク４１０の上面全体を覆うことができる。
【0066】
前記第３層５３０は、前記第２層５２０上にインクジェット装置などを用いた溶液工程で形成される。前記第３層５３０は、発光を引き起こす有機物質の発光スタック（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）を含んでなる。
【0067】
前記第３層５３０は、複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）内にパターン形成され、複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間で連続せずに断絶している。すなわち、第１サブ画素（ＳＰ１）内の第３層５３０、第２サブ画素（ＳＰ２）内の第３層５３０、及び第３サブ画素（ＳＰ３）内の第３層５３０は、互いに連結せずに断絶し、それによって、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間の境界領域に発光が発生することが防止される。
【0068】
本発明の一実施例によれば、前記第３層５３０が複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間で連続せずに断絶するようにするために、前記第３層５３０の形成以前に、前記第２層５２０の上面に前記第２バンク４２０をさらに形成する。
【0069】
詳細に説明すると、前記第２層５２０が複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間の境界領域で連続するように形成されているが、前記第２層５２０の上面は疎水性特性を有することができない。したがって、前記第２バンク４２０をさらに形成せずに、前記第２層５２０の上面に前記第３層５３０を溶液工程で形成すると、前記第３層５３０が複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間の境界領域に流れ出ることが起こり得る。その場合、前記第３層５３０が隣接するサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間で連続するように形成されることにより、複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間の境界領域で発光が起こる問題が起こり得る。
【0070】
したがって、本発明の一実施例では、前記第２層５２０の上面上に前記第２バンク４２０をさらに形成するが、前記第２バンク４２０の上部が疎水性特性を有するようにすることで、前記第３層５３０をインクジェット工程などの溶液工程で形成するとき、前記第３層５３０が第２バンク４２０の上面に広がることができなくなる。これにより、前記第３層５３０が複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）内で連続せずに断絶した状態でパターン形成され、複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間の境界領域で発光が起こる問題を防止することができる。
【0071】
前記第４層５４０は、前記第３層５３０上に蒸発法などの蒸着工程で形成することができる。前記第４層５４０は、発光を引き起こす有機物質の発光スタックを含まず、その代わりに電子を注入または輸送する機能層を含んでなり得る。前記第４層５４０は、複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）の内部領域及びその境界領域全体で断絶することなく連続するように形成され得る。したがって、第１サブ画素（ＳＰ１）内の第４層５４０、第２サブ画素（ＳＰ２）内の第４層５４０、および第３サブ画素（ＳＰ３）内の第４層５４０は、互いに断絶せずに連結している。言い換えれば、前記第４層５４０は、前記第１サブ画素（ＳＰ１）から前記第３サブ画素（ＳＰ３）まで連続している。前記第４層５４０によって、前記第２バンク４２０の上面全体を覆うことができる。
【0072】
図３は、本発明の一実施例による発光スタック５００の概略断面図である。前記発光スタック５００は、互いに異なる前記複数のスタックおよびサブスタックのみならず、複数の層を含むことができる。前記発光スタック５００の様々な実施例を、以下に説明する。
【0073】
図３から分かるように、本発明の一実施例による発光スタック５００は、第１色相の光を放出する第１スタック（１ｓｔ Ｓｔａｃｋ）、第２色相の光を放出する第２スタック（２ｎｄ Ｓｔａｃｋ）、および前記第１スタックと前記第２スタックの間に設けられた電荷生成層（Ｎ－ＣＧＬ、Ｐ－ＣＧＬ）を含んでなる。前記第１スタック（１ｓｔ Ｓｔａｃｋ）から放出された第１色相の光と前記第２スタック（２ｎｄ Ｓｔａｃｋ）から放出された第２色相の光が混合して、前記発光スタック５００から白色の光が放出され得る。
【0074】
前記第１スタック（１ｓｔ Ｓｔａｃｋ）は、正孔注入層（ＨＩＬ）、第１正孔輸送層（１ｓｔ ＨＴＬ）、第１発光スタック（１ｓｔ ＥＭＬ）及び第１電子輸送層（１ｓｔ ＥＴＬ）を含んでなり、前記２スタック（２ｎｄ Ｓｔａｃｋ）は、第２正孔輸送層（２ｎｄ ＨＴＬ）、第２発光スタック（２ｎｄ ＥＭＬ）、第２電子輸送層（２ｎｄ ＥＴＬ）、及び電子注入層（ＥＩＬ）を含んでなり得る。
【0075】
前記第１発光スタック（１ｓｔ ＥＭＬ）は青色（Ｂｌｕｅ）光を発光し、第２発光スタック（２ｎｄ ＥＭＬ）は黄緑色光を発光することができる。また、前記第１発光スタック（１ｓｔ ＥＭＬ）が黄緑色光を発光し、第２発光スタック（２ｎｄ ＥＭＬ）が青色光を発光することができる。
【0076】
前記電荷生成層（Ｎ－ＣＧＬ、Ｐ－ＣＧＬ）は、Ｎ型電荷生成層（Ｎ－ＣＧＬ）およびＰ型電荷生成層（Ｐ－ＣＧＬ）を含んでなる。前記Ｎ型電荷生成層（Ｎ－ＣＧＬ）は、前記第１スタック（１ｓｔ Ｓｔａｃｋ）上に形成され、前記第１スタック（１ｓｔ Ｓｔａｃｋ）に電子を提供し、前記Ｐ型電荷生成層（Ｐ－ＣＧＬ）は、前記Ｎ型電荷生成層（Ｎ－ＣＧＬ）上に形成され、前記第２スタック（２ｎｄ Ｓｔａｃｋ）に正孔を提供する。
【0077】
上述した図２を参照すると、前記溶液工程で形成される第１層５１０は、前記第１スタック（１ｓｔ Ｓｔａｃｋ）の一部の層を含んでなり得、詳細には、前記正孔注入層（ＨＩＬ）、前記第１正孔輸送層（１ｓｔ ＨＴＬ）、および前記第１発光スタック（１ｓｔ ＥＭＬ）を含むことができる。
【0078】
前記蒸着工程で形成する第２層５２０は、前記第１スタック（１ｓｔ Ｓｔａｃｋ）の残りの層および前記電荷生成層（Ｎ－ＣＧＬ、Ｐ－ＣＧＬ）を含んでなり得、詳細には、第１電子輸送層（１ｓｔ ＥＴＬ）、Ｎ型電荷生成層（Ｎ－ＣＧＬ）及びＰ型電荷生成層（Ｐ－ＣＧＬ）を含んでなり得る。
【0079】
前記溶液工程で形成する第３層５３０は、前記第２スタック（２ｎｄ Ｓｔａｃｋ）の一部層を含んでなり得、詳細には、前記第２正孔輸送層（２ｎｄ ＨＴＬ）及び前記第２発光スタック（２ｎｄ ＥＭＬ）を含んでなり得る。
【0080】
前記蒸着工程で形成する第４層５４０は、前記第２スタック（２ｎｄ Ｓｔａｃｋ）の残りの層を含んでなり得、詳細には、第２電子輸送層（２ｎｄ ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を含んでなり得る。
【0081】
前記第１発光スタック（１ｓｔ ＥＭＬ）の上層を溶液工程で形成する場合、溶液中の溶媒によって前記第１発光スタック（１ｓｔ ＥＭＬ）が悪影響を受け得るため、前記第１発光スタック（１ｓｔ ＥＭＬ）の上層は、蒸着工程で形成することが好ましいことがある。同様に、前記第２発光スタック（２ｎｄ ＥＭＬ）の上層も、蒸着工程で形成することが好ましいことがあり得る。このような理由で、前記第２層５２０と第４層５４０は、溶液工程の代わりに蒸着工程で形成することができる。
【0082】
図２を再び参照すると、前記第２電極６００は、前記発光スタック５００上に形成されている。前記第２電極６００は、複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）の内部領域およびその境界領域全体で断絶せずに連続するように形成することができる。前記第２電極６００は、電界発光表示装置の陰極として機能することができる。このような第２電極６００は、本発明による電界発光表示装置が上部発光方式の場合は、透明電極または半透明電極で構成し、本発明による電界発光表示装置が下部発光方式の場合は、反射電極で構成することができる。
【0083】
前記封止層７００は、前記第２電極６００上に形成され、外部の水分または酸素が前記発光スタック５００に浸透するのを防止する役割をする。
【0084】
前記カラーフィルタ８００および遮光層８５０は、前記封止層７００上に形成することができる。前記カラーフィルタ８００は、第１サブ画素（ＳＰ１）に設けられた赤色（Ｒ）カラーフィルタ、第２サブ画素（ＳＰ２）に設けられた緑色（Ｇ）カラーフィルタ、及び第３サブ画素（ＳＰ３）に設けられた青色（Ｂ）カラーフィルタを含んでなり得る。前記遮光層８５０は、前記赤色（Ｒ）カラーフィルタ、緑色（Ｇ）カラーフィルタおよび青色（Ｂ）カラーフィルタ間の領域、すなわち複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間の境界領域に形成することができる。
【0085】
本発明の一実施例による電界発光表示装置が上部発光方式の場合、図に示すように、前記カラーフィルタ８００および遮光層８５０を封止層７００の上面上に形成することができる。ただし、本発明の一実施例による電界発光表示装置が下部発光方式である場合には、前記カラーフィルタ８００及び前記遮光層８５０を前記発光スタック５００の下方、例えば、前記回路素子層２００内に形成することができる。
【0086】
前記保護層９００は、前記カラーフィルタ８００および前記遮光層８５０上に形成され、外部の衝撃から内部の構成要素を保護する役割をすることができる。
【0087】
【0088】
【0089】
図４から分かるように、第１バンク４１０の上部バンク層４１１ｂの上面には、ホーム（Ｈ）が具備されている。これにより、前記上部バンク層４１１ｂ上に形成される発光スタック５００の第２層５２１が、ホーム（Ｈ）の内側面に沿って延びており、前記第２層５２１上に形成される第２バンク４２１の下部が、前記ホーム（Ｈ）を満たすように具備されている。前記第２層５２１は、蒸着工程によって形成される。
【0090】
図４の構造によれば、蒸着工程によって導電層である本実施例のアノードが形成され、そのすぐ上にインクジェット印刷工程により有機発光スタックが形成され、そのすぐ上に第２導電層が蒸着工程により形成され、そのすぐ上にインクジェット印刷工程によって第２の有機発光スタックを形成することができる。
【0091】
図４のような構造によれば、前記上部バンク層４１１ｂの上面に形成されたホーム（Ｈ）によって、前記発光スタック５００の第２層５２１の電流パスが増加し、前記第３サブ画素（ＳＰ３）と第２サブ画素（ＳＰ２）の間の漏れ電流の発生が減少するという利点がある。
【0092】
【0093】
上述した図４によれば、上部バンク層４１１ｂの上面に形成されたホーム（Ｈ）が上部バンク層４１１ｂを貫通することなく形成され、それによって発光スタック５００の第２層５２１が前記ホーム（Ｈ）に対応する領域で上部バンク層４１１ｂと接するだけで、その下の下部バンク層４１０ａとは接しない。
【0094】
それに対して、図５によれば、上部バンク層４１２ｂの上面に形成したホーム（Ｈ）が前記上部バンク層４１２ｂを貫通するように形成し、それによって発光スタック５００の第２層５２２が前記ホーム（Ｈ）に対応する領域で前記下部バンク層４１０ａと接し、前記第２層５２２上に形成した第２バンク４２２の下部が前記ホーム（Ｈ）を満たすように具備されている。
【0095】
図５による構造は、図４による構造と比較して、前記ホーム（Ｈ）領域における前記発光スタック５００の第２層５２２の電流パス（ｃｕｒｒｅｎｔ ｐａｔｈ）が増加し、前記第３サブ画素（ＳＰ３）と第２サブ画素（ＳＰ２）の間の漏れ電流の発生が減少するという利点がある。
【0096】
【0097】
上述した図５によれば、第２バンク４２２の上面を、前記第２層５２２の上面よりも高い高さに具備した構造からなる。
【0098】
これに対して、図６によれば、第２バンク４２３の上面は、前記第２層５２２の上面と同じ高さに具備した構造からなる。前記第２バンク４２３の上面を前記第２層５２２の上面と同じ高さに具備していても、前記第２バンク４２３の上面は疎水性特性を有するため、溶液工程で第３層５３０を形成するとき、前記第３層５３０を前記第２バンク４２３の上面で連続しないで断絶させることができる。
【0099】
図７は、本発明の一実施例による電界発光表示装置の概略断面図であり、これは、図１のＣ－Ｄ線の断面に該当する。すなわち、図７は、互いに同じ色相の光を放出する１つの第１サブ画素（ＳＰ１）、およびそれと隣接する他の１つの第１サブ画素（ＳＰ１）間の境界領域を含む断面図である。
【0100】
図７から分かるように、本発明の一実施例による電界発光表示装置は、基板１００、回路素子層２００、第１電極３００、下部バンク層４１０ａ、発光スタック５００、第２電極６００、封止層７００、カラーフィルタ８００、遮光層８５０、および保護層９００を含んでなる。
【0101】
前記基板１００、回路素子層２００、第１電極３００、第２電極６００、封止層７００、カラーフィルタ８００、遮光層８５０、及び保護層９００の構成は、上述した図２と同様であるので、繰り返しの説明は省略することにする。
【0102】
本発明の一実施例によれば、１つの第１サブ画素（ＳＰ１）およびそれに隣接する他の１つの第１サブ画素（ＳＰ１）間の境界領域に、第１バンク４１０の下部バンク層４１０ａのみを形成し、第１バンク４１０の上部バンク層４１０ｂおよび第２バンク４２０は形成しない。
【0103】
１つの第１サブ画素（ＳＰ１）およびそれに隣接する他の１つの第１サブ画素（ＳＰ１）では、互いに同じ色相の光が放出されるので、発光スタック５００の第１層５１０と発光スタック５００の第３層５３０が、１つの第１サブ画素（ＳＰ１）と他の１つの第１サブ画素（ＳＰ１）の間で連続したとしても、画像の品質に大きな悪影響が生じない。したがって、１つの第１サブ画素（ＳＰ１）およびそれに隣接する他の１つの第１サブ画素（ＳＰ１）の境界領域で、上部バンク層４１０ｂおよび第２バンク４２０を省略することができる。
【0104】
それによって、１つの第１サブ画素（ＳＰ１）と他の１つの第１サブ画素（ＳＰ１）間の境界領域において、発光スタック５００の第２層５２０が下部バンク層４１０ａの上面全体と接するようになる。また、１つの第１サブ画素（ＳＰ１）と他の１つの第１サブ画素（ＳＰ１）間の境界領域において、発光スタック５００の第４層５４０が、発光スタック５００の第２層５２０の上面に接するようになる。前記第４層５４０は、スパッタリングなどの蒸着工程で形成することができる。
【0105】
図８は、本発明の他の実施例による電界発光表示装置の概略平面図である。図８は、第３バンク４３０をさらに具備した点を除いて、上述した図１に係る電界発光表示装置と同様であり、したがって、以下では異なる構成についてのみ説明することにする。
【0106】
図８から分かるように、第３バンク４３０は、互いに同じ色相の光を発する１つの第１サブ画素（ＳＰ１）およびそれに隣接する他の１つの第１サブ画素（ＳＰ１）間の境界領域に形成される。また、前記第３バンク４３０は、互いに同じ色相の光を放射する１つの第２サブ画素（ＳＰ２）およびそれと隣接する他の１つの第２サブ画素（ＳＰ２）間の境界領域に形成される。また、前記第３バンク４３０は、互いに同じ色相の光を放出する１つの第３サブ画素（ＳＰ３）およびそれに隣接する他の１つの第３サブ画素（ＳＰ３）間の境界領域に形成される。
【0107】
したがって、前記第３バンク４３０は、前記第１方向、例えばＸ軸方向に延びる直線構造からなる。ここで、前記第３バンク４３０は、前記第１方向に連続した直線構造ではなく、前記第１方向に不連続な直線構造からなる。すなわち、互いに隣接する２つの第１サブ画素（ＳＰ１）間の境界に設けられた第３バンク４３０は、互いに隣接する２つの第２サブ画素（ＳＰ２）間の境界に設けられた第３バンク４３０と連結しない。前記第３バンク４３０は、互いに分離した一部分および他の部分を含んで不連続的になり得る。この例は、図８～図１２によって理解されよう。
【0108】
また、前記第３バンク４３０は、前記第２バンク４２０と連結していない。それによって、前記第３バンク４３０は、所定空間（Ｓ１）を挟んでその一側（例えば左側）および他側（例えば右側）において、前記第２バンク４２０と離隔している。言い換えれば、一側と他側の２つの第２バンク４２０間の領域に該当しながら、互いに隣接する２つの第１サブ画素（ＳＰ１）間の境界領域のうち、所定空間（Ｓ１）を除いた領域に前記第３バンク４３０が形成される。
【0109】
前記第３バンク４３０は、前記第２バンク４２０と同じ物質からなり得るが、必ずしもそれに限定されるものではなく、前記第２バンク４２０と異なる物質からもなり得る。
【0110】
図９は、本発明の他の実施例による電界発光表示装置の概略断面図であり、これは図８のＥ－Ｆ線の断面に該当する。すなわち、図９は、互いに同じ色相の光を放出する１つの第１サブ画素（ＳＰ１）およびそれと隣接する他の１つの第１サブ画素（ＳＰ１）間の境界領域を含む断面図である。
【0111】
図９から分かるように、本発明の他の実施例による電界発光表示装置は、基板１００、回路素子層２００、第１電極３００、下部バンク層４１０ａ、第３バンク４３０、発光スタック５００、第２電極６００、封止層７００、カラーフィルタ８００、遮光層８５０、及び保護層９００を含んでなる。
【0112】
前記基板１００、回路素子層２００、第１電極３００、第２電極６００、封止層７００、カラーフィルタ８００、遮光層８５０、及び保護層９００の構成は、上述した図７と同様であるので、繰り返しの説明は省略することにする。
【0113】
本発明の他の実施例によれば、１つの第１サブ画素（ＳＰ１）およびそれと隣接する他の１つの第１サブ画素（ＳＰ１）間の境界領域に、第１バンク４１０の下部バンク層４１０ａおよび第３バンク４３０が形成されている。
【0114】
ここで、前記第３バンク４３０は、上述した第２バンク４２０と同様に、発光スタック５００の第２層５２０と第４層５４０の間に設けられている。
【0115】
それによって、１つの第１サブ画素（ＳＰ１）およびそれと隣接する他の１つの第１サブ画素（ＳＰ１）間の境界領域において、発光スタック５００の第２層５２０が下部バンク層４１０ａの上面全体と接するようになる。また、１つの第１サブ画素（ＳＰ１）およびそれに隣接する他の１つの第１サブ画素（ＳＰ１）間の境界領域において、発光スタック５００の第４層５４０が前記第３バンク４３０の上面に接するようになる。
【0116】
したがって、１つの第１サブ画素（ＳＰ１）に形成される発光スタック５００の第３層５３０は、前記第３バンク４３０によってそれに隣接する他の１つの第１サブ画素（ＳＰ１）に広がり出ることを防止することができる。このために、前記第３バンク４３０の上面は、疎水性特性を有することができる。ただし、前記第３バンク４３０の上面が、親水性を有するように形成することも可能である。
【0117】
図８を再度参照すると、本発明の他の実施例によれば、前記第３バンク４３０は、所定空間（Ｓ１）を挟んで前記第２バンク４２０と離隔するように構成されるが、これは、前記発光スタック５００の第３層５３０を形成する溶液工程時に、前記所定空間（Ｓ１）を介して溶液が円滑に移動することにより、まだら生成を防止できるからである。
【0118】
より詳細に説明すると、前記第３バンク４３０を形成することによって、前記発光スタック５００の第３層５３０が、互いに隣接する２つの第１サブ画素（ＳＰ１）間で分離され得る。ここで、前記第３バンク４３０を前記第２バンク４２０に接しながら第１方向に連続した直線構造に形成するようになると、前記発光スタック５００の第３層５３０を形成するための溶液が、各第１サブ画素（ＳＰ１）内に閉じ込められ、隣り合う第１サブ画素（ＳＰ１）間に移動できなくなる。この場合、インクジェットから噴射される溶液の量が精密に調整できない場合、特定の第１サブ画素（ＳＰ１）において溶液の量が多いか少なくなり、まだらが発生する可能性がある。
【0119】
本発明の他の実施例では、前記第３バンク４３０が所定空間（Ｓ１）を挟んで前記第２バンク４２０と離間するように構成することで、前記まだら発生の問題を防止することができる。詳細には、たとえインクジェットで噴射される溶液の量が正確に調整できないとしても、前記所定空間（Ｓ１）を介して互いに隣接する第１サブ画素（ＳＰ１）間に溶液が移動できるようになり、特定の第１サブ画素（ＳＰ１）において溶液の量が多いか少なくなる問題が解消され、それによってまだら生成の問題を防止できるようになる。
【0120】
【0121】
上述した図８と同様に、図１０～図１２の場合も、一側と他側の２つの第２バンク４２０間の領域に該当しながら、互いに隣接する２つの第１サブ画素（ＳＰ１）間の境界領域のうち、所定空間（Ｓ２）を除く領域に前記第３バンク４３０が形成される。
【0122】
ここで、図１０によれば、一側（例えば左側）の第３バンク４３０ａが一側（例えば左側）の第２バンク４２０から他側方向（例えば右側方向）に延び、他側（例えば右側）の第３バンク４３０ｂが他側（例えば右側）の第２バンク４２０から一側方向（例えば左側方向）に延び、前記一側の第３バンク４３０ａは、前記他側の第３バンク４３０ｂと所定空間（Ｓ）を挟んで離隔する。
【0123】
図１１によれば、複数の第３バンク４３０が所定空間（Ｓ３）を挟んで互いに離隔し、また、最も一側（例えば左側）及び最も他側（例えば右側）に配置された第３バンク４３０は、所定空間（Ｓ４）を挟んで第２バンク４２０と離隔する。
【0124】
図１２によれば、第３バンク４３０が一側（例えば左側）の第２バンク４２０から他側方向（例えば右側方向）に延び、前記第３バンク４３０は、他側（例えば右側）の第２バンク４２０とは連結せず、所定空間（Ｓ５）を挟んで離隔する。
【0125】
以上のように、互いに隣接する２つの第１サブ画素（ＳＰ１）間の境界領域における前記所定空間（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５）の位置は、様々に変更することができる。
【0126】
以上、添付の図を参照して本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想から逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。したがって、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するものではなく説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。したがって、前記で説明した実施例はすべての点で例示的なものであり、限定的なものではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈されなければならず、それと同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
【符号の説明】
【0127】
１００：基板
２００：回路素子層
３００：第１電極
４１０：第１バンク
４２０：第２バンク
４３０：第３バンク
５００：発光スタック
５１０、５２０、５３０、５４０：第１、第２、第３、第４層
６００：第２電極
７００：封止層
８００：カラーフィルタ
８５０：遮光層
９００：保護層
２００：回路素子層
３００：第１電極
４１０：第１バンク
４２０：第２バンク
４３０：第３バンク
５００：発光スタック
５１０、５２０、５３０、５４０：第１、第２、第３、第４層
６００：第２電極
７００：封止層
８００：カラーフィルタ
８５０：遮光層
９００：保護層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
