特開 2023-96291 縦型ウェハボート及びそれを用いたシリコンウェハの熱処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023096291

(43)【公開日】2023-07-07

(54)【発明の名称】縦型ウェハボート及びそれを用いたシリコンウェハの熱処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/673 20060101AFI20230630BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 V

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021211931

(22)【出願日】2021-12-27

(71)【出願人】

【識別番号】507182807

【氏名又は名称】クアーズテック株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100101878

【弁理士】

【氏名又は名称】木下 茂

(74)【代理人】

【識別番号】100187506

【弁理士】

【氏名又は名称】澤田 優子

(72)【発明者】

【氏名】木村 友和

【テーマコード（参考）】

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F131AA02

5F131BA02

5F131BA04

5F131BA22

5F131CA09

5F131CA12

5F131GA03

5F131GA33

5F131GA52

5F131GA69

(57)【要約】

【課題】シリコンウェハ下面における擦れを抑制して、パーティクル、及び傷の発生を防止し、歩留まり低下を抑制すること。
【解決手段】天板７と、前記天板に一端が固定され、他端が底板６に固定された複数の支柱２～５と、前記複数の支柱の側面から径方向内側に突出するウェハ支持部１２～１５とを有し、前記ウェハ支持部によりシリコンウェハの下面を支持する縦型ウェハボート１であって、前記ウェハ支持部の先端部に形成され、支持するシリコンウェハの径方向に直交する軸部２３と、前記軸部に対し前記シリコンウェハの径方向に回転自在に配設された円筒状のコロ２４とを備え、シリコンウェハは、前記コロを介して前記ウェハ支持部により支持される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

天板と、前記天板に一端が固定され、他端が底板に固定された複数の支柱と、前記複数の支柱の側面から径方向内側に突出するウェハ支持部とを有し、前記ウェハ支持部によりシリコンウェハの下面を支持する縦型ウェハボートであって、
前記ウェハ支持部の先端部に形成され、支持するシリコンウェハの径方向に直交する軸部と、
前記軸部に対し前記シリコンウェハの径方向に回転自在に配設された円筒状のコロとを備え、
シリコンウェハは、前記コロを介して前記ウェハ支持部により支持されることを特徴とする縦型ウェハボート。

【請求項2】

前記ウェハ支持部は、支持するシリコンウェハの周方向に延びる第１アームと、
前記第１アームの終端から径方向内側に延びる第２アームとを有し、
前記第２アームの先端部に前記コロが配設される軸部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載された縦型ウェハボート。

【請求項3】

前記ウェハ支持部により支持するシリコンウェハの中心と前記コロの頂部との径方向の距離は、シリコンウェハの径をＤとすると、０．６５×Ｄ以上０．８５×Ｄ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された縦型ウェハボート。

【請求項4】

前記コロの軸方向長さは、シリコンウェハの径をＤとすると、０．０３×Ｄ以上０．１×Ｄ以下の長さに形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された縦型ウェハボート。

【請求項5】

前記請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の縦型ウェハボートを用いたシリコンウェハの熱処理方法であって、
前記縦型ウェハボートが有する複数のウェハ支持部によりシリコンウェハの下面を支持する際、
前記ウェハ支持部の先端部において、シリコンウェハの径方向に直交する軸部に、径方向に回転自在に配設されたコロを介して前記シリコンウェハの下面を支持し、
前記縦型ウェハボートに支持されたシリコンウェハに対し熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェハの熱処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、縦型ウェハボート及びシリコンウェハの熱処理方法に関し、特に半導体デバイスの製造に使用されるシリコンウェハを熱処理工程において保持する縦型ウェハボート及びそれを用いたシリコンウェハの熱処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体製造プロセスでは、シリコンウェハ（以下、ウェハとも呼ぶ）に対し酸化や拡散、ＣＶＤ等の熱処理が行われる。この熱処理時に使用されるウェハボートとしては、垂直に立設した複数（例えば４本）のボート支柱に対し、水平方向にウェハ支持部（ウェハ格納用溝）が延設された縦型ウェハボートが知られている。
そして、このウェハ支持部にウェハを搭載し、所定の熱処理を行うことで、高スループットを実現し、ウェハの量産化を図っている。

【0003】

従来の縦型ウェハボートにウェハを載置するとき、図６に示すようにウェハは縦型ウェハボート５０に立設された複数のボート支柱５１～５４の溝６０内に置かれて保持される。この溝６０はボートの支柱５１～５４の延在方向に対して直交方向に形成されている。
前記ボートの溝６０にウェハを水平に積載する場合、ウェハをその外周の数点（例えば４点）で保持する。ここで、ウェハを水平に保持した場合、ウェハの自重により、下方にくぼむ撓みが生ずる。
この結果、図７に示すように、ウェハＷはボートの溝６０の角と、点或いは線で接触することになる。

【0004】

ウェハＷの中央が撓み、その周縁部とボートの溝６０の角とが、点或いは線接触した場合、ウェハ周縁部が擦れ、パーティクルが発生する、或いはウェハ周縁部に傷が生じる虞が高くなる。即ち、パーティクルやウェハ周縁部の傷が生じると、それが歩留まりの悪化等の原因となるという課題があった。
前記ウェハ周縁部の擦れは、前記ボートの溝６０の角にＲ面加工を施すことにより、ある程度抑制することができる。しかしながら、大型のシリコンウェハＷの場合、熱処理中においてウェハ中央が下方に撓み、ウェハ周縁部が反り上がるように変形すると、溝６０の角がＲ面加工されていても、位置固定された角のＲ面に対し接触するウェハ周縁部が大きく移動し、摩擦抵抗が発生してスリップ転位の原因になる虞があった。

【0005】

このような課題を解決するものとして、特許文献１には、図８（ａ）に斜視図で示すように支柱７０の径方向内側に突出する凸部７１の上面に、円筒状のコロ７２を配置し、図８（ｂ）に示すように、コロ７２の上にシリコンウェハＷの周縁部を載置する縦型ウェハボートが開示されている。
このようにすれば、シリコンウェハＷは、コロ７２を介して凸部７１により支持されるため、ウェハ周縁部における擦れを防止することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開平９－１２９５６７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

特許文献１に開示された縦型ウェハボートにあっては、熱処理によるシリコンウェハＷの変形に伴い、コロ７２が凸部７１上で径方向に移動するため、コロ７２によるウェハ支持位置が変化する。
しかしながら、大型のシリコンウェハＷの場合には、コロ７２が径方向外側に押し出されて、シリコンウェハＷの周縁部が凸部７１の上面７１ａに落下し、ウェハ周縁部に傷が生じる虞があった。また、コロ７２が径方向外側に押し出されて大きく動いた場合、凸部７１上から転がり落ち、下方のシリコンウェハＷを傷つける虞があった。

【0008】

本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、複数のウェハ支持部を備えた縦型ウェハボートにおいて、シリコンウェハを熱処理する際に、シリコンウェハ下面における擦れを抑制して、パーティクル、及び傷の発生を防止し、歩留まり低下を抑制することのできる縦型ウェハボート及びそれを用いたシリコンウェハの熱処理方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

前記課題を解決するためになされた、本発明に係る縦型ウェハボートは、天板と、前記天板に一端が固定され、他端が底板に固定された複数の支柱と、前記複数の支柱の側面から径方向内側に突出するウェハ支持部とを有し、前記ウェハ支持部によりシリコンウェハの下面を支持する縦型ウェハボートであって、前記ウェハ支持部の先端部に形成され、支持するシリコンウェハの径方向に直交する軸部と、前記軸部に対し前記シリコンウェハの径方向に回転自在に配設された円筒状のコロとを備え、シリコンウェハは、前記コロを介して前記ウェハ支持部により支持されることに特徴を有する。
尚、前記ウェハ支持部は、支持するシリコンウェハの周方向に延びる第１アームと、前記第１アームの終端から径方向内側に延びる第２アームとを有し、前記第２アームの先端部に前記コロが配設される軸部が形成されていることが望ましい。
また、前記ウェハ支持部により支持するシリコンウェハの中心と前記コロの頂部との径方向の距離は、シリコンウェハの径をＤとすると、０．６５×Ｄ以上０．８５×Ｄ以下であることが望ましい。
また、前記コロの軸方向長さは、シリコンウェハの径をＤとすると、０．０３×Ｄ以上０．１×Ｄ以下の長さに形成されていることが望ましい。

【0010】

このように本発明によれば、ウェハ支持部の先端部に形成され、支持するシリコンウェハの径方向に直交する軸部と、前記軸部に対しシリコンウェハの径方向に回転自在に配設された円筒状のコロとを備え、シリコンウェハは、前記コロを介して前記ウェハ支持部により支持される。
これにより熱処理中にシリコンウェハの中央が下方に撓み、ウェハ周縁部が上方に反り上がるように変形しても、ウェハ下面に接するコロは位置を変えることなく径方向に回転するため、シリコンウェハの下面の擦れが防止される。
したがって、シリコンウェハに熱処理を施した際に、パーティクル、及び傷の発生を抑制し、歩留まり低下を抑制することができる。

【0011】

また、前記課題を解決するためになされた、本発明に係るシリコンウェハの熱処理方法は、前記縦型ウェハボートを用いたシリコンウェハの熱処理方法であって、前記縦型ウェハボートが有する複数のウェハ支持部によりシリコンウェハの下面を支持する際、前記ウェハ支持部の先端部において、シリコンウェハの径方向に直交する軸部に、径方向に回転自在に配設されたコロを介して前記シリコンウェハの下面を支持し、前記縦型ウェハボートに支持されたシリコンウェハに対し熱処理を施すことに特徴を有する。

【0012】

このような熱処理方法によれば、シリコンウェハに熱処理を施した際に、パーティクル、及び傷の発生を抑制し、歩留まり低下を抑制することができる。

【発明の効果】

【0013】

本発明によれば、複数のウェハ支持部を備えた縦型ウェハボートにおいて、シリコンウェハを熱処理する際に、シリコンウェハ下面における擦れを抑制して、パーティクル、及び傷の発生を防止し、歩留まり低下を抑制することのできる縦型ウェハボート及びそれを用いたシリコンウェハの熱処理方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】図１は、本実施形態に係る縦型ウェハボートの全体を示す正面図である。

【図2】図２は、図１に示した縦型ウェハボートが有する一組のウェハ支持部のウェハ支持位置を示す平面図である。

【図3】図３は、図１に示した縦型ウェハボートが有する一ウェハ支持部を拡大して示す平面図である。

【図4】図４は、ウェハ支持部の先端部を拡大して示す斜視図である。

【図5】図５は、ウェハ支持部の先端部を拡大して示す側面図である。

【図6】図６は、従来の縦型ウェハボートの全体を模式的に示す正面図である。

【図7】図７は、従来の縦型ウェハボートにおけるシリコンウェハの載置例を示す側面図である。

【図8】図８（ａ）、（ｂ）は、従来の縦型ウェハボートの他の構成を示す斜視図及び側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、本発明に係る縦型ウェハボート及びそれを用いたシリコンウェハの熱処理方法の実施形態について図面に基づき説明する。図１は、本実施形態に係る縦型ウェハボートの全体を示す正面図である。図２は、図１に示した縦型ウェハボートが有する一組のウェハ支持部のウェハ支持位置を示す平面図である。

【0016】

図１、図２に示すように、縦型ウェハボート１は、ウェハ挿入方向の前側に配された２本の支柱２、３と、ウェハ挿入方向の後側に配された２本の支柱４、５とを具備している。前記各支柱２～５の下端部は、円板形状の底板６に立設（固定）され、さらに各支柱２～５の上端部は、円板状の天板７によって支持（固定）されている。
また、このように合計４本の支柱２～５を設ける場合、支持するシリコンウェハＷの中心を基点として９０°間隔に配置することが好ましい。それにより支持するシリコンウェハＷからの荷重を周方向において均等に受け止めることができる。

【0017】

図１に示すように前記各支柱２～５には、それぞれ多数のシリコンウェハＷを支持するために複数のアーム状のウェハ支持部１２、１３、１４、１５が設けられている。各支柱２～５におけるウェハ支持部１２～１５は、縦方向に５０～１５０個、多段に形成されている。上下方向のウェハ支持部１２～１５の間隔ｈ１は、３ｍｍ以上７ｍｍ以下に形成されている。これにより、熱処理においてシリコンウェハＷの周縁部が反り上がった際に、ウェハ周縁部が上方のウェハ支持部１２～１５に接触しないようになされている。

【0018】

図３は、各ウェハ支持部１２～１５を拡大して示す平面図である。図２、図３に示すようにウェハ支持部１２～１５は、支柱２～５から周方向に延びる第１アーム２１と、第１アーム２１の終端から径方向内側に延びる第２アーム２２とを有する。
更に、第２アーム２２の先端側方には、周方向に直線状に延びる軸部２３が形成されており、この軸部２３には、円筒状のコロ２４が回転自在に支持されている。コロ２４の軸方向はウェハ径方向に直交するように配置されている。

【0019】

図１、図２に示すようにシリコンウェハＷは、コロ２４を介して各ウェハ支持部１２～１５により保持される。ここで、前記のように各ウェハ支持部１２～１５が周方向に延びる第１アーム２１と、その終端から径方向内側に延びる第２アーム２２とを有し、その先端部でシリコンウェハＷを支持する。各ウェハ支持部１２～１５は、周方向に均等に配置され、ウェハ中心に向かって延びる４本の第２アーム２２の先端は、周方向に均等となる位置でシリコンウェハＷを支持するようになっている。また、各ウェハ支持部１２～１５が第１アーム２１と第２アーム２２とによりＬ字状に形成されているため、各ウェハ支持部１２～１５を単に径方向に延びる凸部で形成するよりも弾性がより高くなり、シリコンウェハＷの重量を４つのウェハ支持部１２～１５で均等に受けることができる。

【0020】

尚、各ウェハ支持部１２～１５において、図３に示す第１アーム２１の長さＬ１は、４０ｍｍ以上５０ｍｍ以下、第２アーム２２の長さＬ２は、６５ｍｍ以上７５ｍｍ以下が好ましい。
また、図２に示すようにシリコンウェハＷを支持した際に、ウェハ中心Ｃとコロ２４頂部との径方向の距離ｄ１は、ウェハ径をＤとすると、ｄ１は０．６５×Ｄ以上０．８５×Ｄ以下が好ましい。これによりコロ２４頂部を境に、ウェハ径方向の内側と外側の面積がほぼ等しくなる為、ウェハ径方向の内側と外側の重量が等しくなり、ウェハの熱変形などが小さくなる。

【0021】

また、図４に示すように各ウェハ支持部１２～１５において、第２アーム２２先端側方から円柱状の軸部２３が突出するように延設され、この軸部２３にコロ２４が回転可能に支持されるが、軸部２３の先端部に径をより大きく形成した拡径部２３ａを設け、コロ２４の落下を防止するようになされている。
筒状体の前記コロ２４は、ＳｉＣ質基材により形成され、筒の外周面及び内周面の表面粗さは０．４μｍ以下に形成されている。これにより、シリコンウェハＷが接した際に応力集中によるスリップを低減することができる。表面粗さが０．４μｍより大きいと、応力集中によるスリップ発生の虞がある。

【0022】

また、図５に示す筒状体であるコロ２４の外径ｄ２は、４ｍｍ以上６ｍｍ以下に形成され、内径ｄ３は、２ｍｍ以上４ｍｍ以下に形成されている。外径ｄ２が４ｍｍより小さいと、軸部が細くなり強度低下により破損する虞があり、６ｍｍより大きいとコロが回らない虞がある。
また、コロ２４の軸方向長さＬ３は、ウェハ径Ｄに対し、０．０３×Ｄ以上０．１×Ｄ以下の長さに形成されている。コロ２４の軸方向長さＬ３が０．０３×Ｄより小さいと、接触面積が小さくコロ表面とシリコンウェハＷの設置面で動いてしまい、ウェハが擦れる虞がある。また、コロ２４の軸方向長さＬ３が０．１×Ｄより大きいと、シリコンウェハＷの変形による応力ではコロが回らない虞がある。

【0023】

図５に示すようにコロ２４が軸部２３により軸支された状態で、第２アーム２２上面と、コロ２４頂部との距離ｈ２（即ち、第２アーム２２上面とシリコンウェハＷの下面までの距離）は、１ｍｍ以上２ｍｍ以下に形成されている。距離ｈ２が１ｍｍより小さいと、熱処理によりシリコンウェハＷが撓んだ際に、シリコンウェハＷの下面が第２アーム２２上面に接触する虞がある。距離ｈ２が２ｍｍより大きいと、コロ肉厚が大きくなり回転しない虞がある。

【0024】

また、この縦型ウェハボート１は、コロ２４を含め、すべてＳｉＣ質基材により形成されるが、基材内部から外方への不純物の拡散を抑制するために、その表面にＳｉＣ膜を被覆させることが望ましい。前記ＳｉＣ質基材としては、反応焼結ＳｉＣすなわちカーボン成分を含むＳｉＣ焼成体にＳｉを含浸し、前記カーボン成分とＳｉの一部とが反応し、ＳｉＣ化されたＳｉ－ＳｉＣであることが好ましい。或いは、ＳｉＣの成形体を高温で熱処理した再結晶質ＳｉＣ、焼結助剤を添加し焼結した自焼結ＳｉＣ等でもよい。また、前記ＳｉＣ膜としては、高純度で結晶質のＳｉＣ膜を形成することのできるＣＶＤによるＳｉＣ膜が好ましい。

【0025】

このような縦型ウェハボート１は次のようにして製造することができる。
まず、ＳｉＣ質基材を支柱２～５、天板７、底板６を所定の形状に機械加工して製作する。ウェハ支持部１２～１５の形成においては、第２アーム２２の長さをウェハＷの径Ｄによって決定する。即ち、第２アーム２２の先端に配置するコロ２４の頂部とウェハ中心Ｃとの径方向の距離ｄ１が０．６５×Ｄ以上０．８５×Ｄ以下となるように形成する。
また、ウェハ支持部１２～１５の形成において、第２アーム２２の先端部に形成した軸部２３にコロ２４を回転自在に配設する。

【0026】

その後、支柱２～５、天板７、底板６を組み立てる。この際、４本の支柱２～５は、支持するシリコンウェハＷの中心を基点として９０°間隔になるように配置する。
上記組み立て後、ボート表面にＳｉＣ被覆膜をＣＶＤ法により形成し、本発明の縦型ウェハボート１が得られる。

【0027】

このように製造された縦型ウェハボート１を用いて、シリコンウェハＷの熱処理を行う場合、支柱２～５の各段に形成されたウェハ支持部１２～１５により、コロ２４を介してシリコンウェハＷの下面を支持する。
ここで、ウェハ中心Ｃとコロ２４頂部との径方向の距離ｄ１は、ウェハ径をＤとすると、ｄ１は０．６５×Ｄ以上０．８５×Ｄ以下となる。
また、第２アーム２２上面と、コロ２４頂部との距離ｈ２（第２アーム２２上面とシリコンウェハＷの下面までの距離）は、１ｍｍ以上２ｍｍ以下となる。

【0028】

同様にして、複数のシリコンウェハＷを支柱２～５の各段に形成されたウェハ支持部１２～１５により保持した後、縦型ウェハボート１を炉内に配置し、所定の熱処理を実施する。
ここで、シリコンウェハＷは、径方向に回転自在なコロ２４を介して支持されるため、熱処理によって変形したシリコンウェハＷの動きに伴ってコロ２４が回転し、シリコンウェハＷとウェハ支持部１２～１５との擦れが防止され、ウェハ裏面の傷やパーティクルの発生が抑制される。
また、熱処理によりシリコンウェハＷの周縁部が反り上がるが、上下方向のウェハ支持部１２～１５の間隔ｈ１は、３ｍｍ以上７ｍｍ以下に形成されているため、ウェハ周縁部と上方のウェハ支持部１２～１５との接触が防止される。

【0029】

以上のように本発明に係る実施の形態によれば、ウェハ支持部１２～１５の先端部に形成され、支持するシリコンウェハＷの径方向に直交する軸部２３と、軸部２３に対しシリコンウェハＷの径方向に回転自在に配設された円筒状のコロ２４とを備え、シリコンウェハＷは、コロ２４を介して前記ウェハ支持部１２～１５により支持される。
これにより熱処理中にシリコンウェハＷの中央が下方に撓み、ウェハ周縁部が上方に反り上がるように変形しても、ウェハ下面に接するコロ２４は位置を変えることなく径方向に回転するため、シリコンウェハＷの下面の擦れが防止される。
したがって、シリコンウェハＷに熱処理を施した際に、パーティクル、及び傷の発生を抑制し、歩留まり低下を抑制することができる。

【0030】

尚、前記実施の形態においては、４本の支柱２～５に形成されたウェハ支持部１２～１５によりシリコンウェハＷを支持する構成としたが、本発明にあっては、その構成に限定されるものではない。
例えば、３本の支柱に形成されたウェハ支持部によりシリコンウェハＷを支持するようにしてもよい。その場合、支持するシリコンウェハＷの中心を基点として１２０°間隔（３６０°÷支柱本数）に配置することが好ましい。それにより支持するシリコンウェハＷからの荷重を周方向において均等に受け止めることができる。
或いは、５本以上の支柱によりシリコンウェハＷを支持するようにしてもよく、その場合は、シリコンウェハＷからの荷重を周方向において均等に受け止めるために、支持するシリコンウェハＷの中心を基点として、３６０°÷支柱本数の角度間隔に支柱を配置することが好ましい。

【0031】

また、前記実施の形態においては、ウェハ支持部１２～１５は、第１アーム２１と第２アーム２２とによりＬ字状を形成するものとしたが、本発明にあってはウェハ支持部１２～１５の形状は限定されるものではない。例えば、支柱２～５から直線状のアームを径方向内側に延ばし、その先端にコロ２４を配置する構成でもよい。

【0032】

また、前記実施の形態においては、ウェハボート１は、ＳｉＣ基材の表面にＳｉＣ膜を形成したものとしたが、本発明にあっては、その構成に限定されず、例えば、ＳｉＣ基材のみで形成されたものでもよい。

【実施例0033】

本発明に係る縦型ウェハボートについて、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、前記実施の形態に示した縦型ウェハボートを製造し、得られた縦型ウェハボートを用いてウェハの熱処理を行うことによりその性能を検証する実験を行った。

【0034】

（実験１）
実験１では、縦型ウェハボートに直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハを保持し、炉内温度１１００℃にて５時間、４回の操業を連続して実施し、ウェハ上におけるパーティクル、及び傷の発生を観察した。

【0035】

（実施例１）
実施例１では、図１乃至図５に示した縦型ウェハボート１（直径３０４ｍｍのシリコンウェハ用）を製造し、この縦型ウェハボート１に直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハを保持し、炉内温度１１００℃にて５時間、４回の操業を連続して実施し、ウェハ上におけるパーティクル、及び傷の発生を観察した。

【0036】

（比較例１）
比較例１では、従来のように３本の支柱に形成されたウェハ支持部でシリコンウェハの周縁部を支持する縦型ウェハボート（直径３０４ｍｍのシリコンウェハ用）を製造し、この縦型ウェハボートに直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハを保持し、炉内温度１１００℃にて５時間、４回の操業を連続して実施し、ウェハ上におけるパーティクル、及び傷の発生を観察した。

【0037】

表１に実験１の結果を示す。尚、表１において、○はパーティクル、及び傷なし、△はパーティクル、及び傷が４箇所以下、×はパーティクル、及び傷が５箇所以上を示す。
表１に示すように実施例１では、４回の操業のうち、いずれもパーティクル発生数はゼロとなり、ウェハ下面の傷も確認されなかった。
一方、比較例１では、いずれの操業でも４個以上のパーティクル、及び傷が確認され、更にウェハ下面の傷が確認された。

【0038】

【表1】

【0039】

本実施例の結果、本発明の構成によれば、熱処理においてシリコンウェハとの擦れを抑制し、パーティクルや傷の発生を抑えることができることを確認した。

【符号の説明】

【0040】

１ ウェハボート
２ 支柱
３ 支柱
４ 支柱
５ 支柱
６ 底板
７ 天板
１２ ウェハ支持部
１３ ウェハ支持部
１４ ウェハ支持部
１５ ウェハ支持部
２１ 第１アーム
２２ 第２アーム
２３ 軸部
２４ コロ
Ｗ シリコンウェハ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】