(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023097419
(43)【公開日】2023-07-07
(54)【発明の名称】処理液供給ノズル及び基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20230630BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20230630BHJP
G03F 7/30 20060101ALI20230630BHJP
B05C 5/00 20060101ALI20230630BHJP
B05C 11/10 20060101ALI20230630BHJP
B05C 11/08 20060101ALN20230630BHJP
【FI】
H01L21/30 564C
H01L21/68 N
G03F7/30 501
B05C5/00 101
B05C11/10
B05C11/08
【審査請求】有
【請求項の数】20
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2022207780
(22)【出願日】2022-12-26
(31)【優先権主張番号】10-2021-0188973
(32)【優先日】2021-12-27
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】518162784
【氏名又は名称】セメス カンパニー,リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100114775
【弁理士】
【氏名又は名称】高岡 亮一
(74)【代理人】
【識別番号】100121511
【弁理士】
【氏名又は名称】小田 直
(74)【代理人】
【識別番号】100202751
【弁理士】
【氏名又は名称】岩堀 明代
(74)【代理人】
【識別番号】100208580
【弁理士】
【氏名又は名称】三好 玲奈
(74)【代理人】
【識別番号】100191086
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 香元
(72)【発明者】
【氏名】キム,ドヨン
(72)【発明者】
【氏名】イ,デフン
【テーマコード(参考)】
2H196
4F041
4F042
5F131
5F146
【Fターム(参考)】
2H196AA25
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(57)【要約】 (修正有)
【課題】基板を液処理する装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は基板を支持する基板支持ユニットと基板支持ユニットに支持された基板W上に減光液を塗布する液供給ユニットを含み、液供給ユニットは減光液を供給する塗布ノズルと、一側端部に塗布ノズルが位置されるノズルアーム844と、ノズルアームの他側端部に位置されてノズルアームを移動させる駆動部材を含み、塗布ノズルはノズルアームに支持されるノズルボディー1100と、ノズルボディーに連結され、減光液が吐出される内部流路を有し、静電気除去が可能な帯電防止表面を有するノズルチップと、ノズルチップがノズルボディーに固定されるようにノズルボディーの螺糸山に締結され、ノズルチップと接触されるノズルナット部材と、一端は前記ノズルナット部材と接触され、他端はノズルアームを通じて接地される接地部材1300を含むことができる。
【選択図】
図8
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に処理液を供給する処理液供給ノズルにおいて:
ノズルボディーと、
前記ノズルボディーに連結され、処理液が吐出される内部流路を有するノズルチップを含むが、
前記ノズルチップは静電気除去が可能な帯電防止表面を有する処理液供給ノズル。
【請求項2】
前記ノズルチップは、
サックバック確認が可能になるように透明な素材で提供され、
前記帯電防止表面はイオン注入処理された請求項1に記載の処理液供給ノズル。
【請求項3】
前記透明な素材は、
PFA(perfluoroalkoxy)を含む請求項2に記載の処理液供給ノズル。
【請求項4】
前記ノズルチップは、
サックバック確認が可能になるように透明な素材で提供され、
前記帯電防止表面は、
イオンビームで表面処理されて表面抵抗値が106~109Ωの導電性を有する請求項1に記載の処理液供給ノズル。
【請求項5】
前記ノズルチップが前記ノズルボディーに固定されるように前記ノズルボディーの螺糸山に締結され、前記ノズルチップと接触されるノズルナット部材をさらに含むが、
前記ノズルナット部材は伝導性素材または前記イオンビームで表面処理された導電性表面を有する請求項2に記載の処理液供給ノズル。
【請求項6】
一端は前記ノズルナット部材と接触され、他端は前記ノズルボディーが支持されるノズルアームを通じて接地される接地部材をさらに含む請求項5に記載の処理液供給ノズル。
【請求項7】
前記接地部材は、
前記ノズル締結部材と前記ノズルアームにそれぞれ接続されるリング型ターミナルを有する接地線を含む請求項6に記載の処理液供給ノズル。
【請求項8】
前記接地部材は、
前記ノズルボディーから前記ノズルアームまで連結される導電性テープまたは導電性パターンを含む請求項6に記載の処理液供給ノズル。
【請求項9】
前記帯電防止表面は、
前記ノズルチップの外周面と前記内部流路の一部領域を含む請求項1に記載の処理液供給ノズル。
【請求項10】
基板を支持する基板支持ユニットと、及び
前記基板支持ユニットに支持された基板上に減光液を塗布する液供給ユニットを含むが、
前記液供給ユニットは
減光液を供給する塗布ノズルと、
一側端部に前記塗布ノズルが位置されるノズルアームと、及び
前記ノズルアームの他側端部に位置されて前記ノズルアームを移動させる駆動部材を含んで、
前記塗布ノズルは、
前記ノズルアームに支持されるノズルボディーと、
前記ノズルボディーに連結され、減光液が吐出される内部流路を有する、そして、静電気除去が可能な帯電防止表面を有するノズルチップを含む基板処理装置。
【請求項11】
前記ノズルチップは、
サックバック確認が可能になるように透明な素材で提供され、
前記帯電防止表面はイオン注入処理された請求項10に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記透明な素材は、
PFA(perfluoroalkoxy)を含み、
前記帯電防止表面は、
表面抵抗値が106~109Ωの導電性を有する請求項11に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記ノズルチップが前記ノズルボディーに固定されるように前記ノズルボディーの螺糸山に締結され、前記ノズルチップと接触されるノズルナット部材をさらに含むが、
前記ノズルナット部材は伝導性素材または前記イオンビームで表面処理された導電性表面を有する請求項11に記載の基板処理装置。
【請求項14】
一端は前記ノズルナット部材と接触され、他端は前記ノズルボディーが支持されるノズルアームを通じて接地される接地部材をさらに含む請求項13に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記接地部材は、
前記ノズル締結部材と前記ノズルアームにそれぞれ接続されるリング型ターミナルを有する接地線を含む請求項14に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記接地部材は、
前記ノズルボディーから前記ノズルアームまで連結される導電性テープまたは導電性パターンを含む請求項14に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記帯電防止表面は、
前記ノズルチップの外周面と前記内部流路の一部領域を含み、
前記液供給ユニットは、
前処理液を塗布する前処理ノズルをさらに含んで、
前記塗布ノズルは複数個で提供され、
前記塗布ノズルらと前記前処理ノズルは上部から眺める時一方向に配列されるように前記ノズルボディーに支持される請求項10に記載の基板処理装置。
【請求項18】
基板を支持する基板支持ユニットと、及び
前記基板支持ユニットに支持された基板上に減光液を塗布する液供給ユニットを含むが、
前記液供給ユニットは、
減光液を供給する塗布ノズルと、
一側端部に前記塗布ノズルが位置されるノズルアームと、及び
前記ノズルアームの他側端部に位置されて前記ノズルアームを移動させる駆動部材を含んで、
前記塗布ノズルは、
前記ノズルアームに支持されるノズルボディーと、
前記ノズルボディーに連結され、減光液が吐出される内部流路を有する、そして、静電気除去が可能な帯電防止表面を有するノズルチップと、
前記ノズルチップが前記ノズルボディーに固定されるように前記ノズルボディーの螺糸山に締結され、前記ノズルチップと接触されるノズルナット部材と、
一端は前記ノズルナット部材と接触され、他端は前記ノズルアームを通じて接地される接地部材を含む基板処理装置。
【請求項19】
前記ノズルチップは、
サックバック確認が可能になるように透明な素材で提供され、
前記帯電防止表面は、
イオンビームで表面処理されて表面が導電性を有する請求項18に記載の基板処理装置。
【請求項20】
前記接地部材は、
前記ノズル締結部材と前記ノズルアームにそれぞれ接続されるリング型ターミナルを有する接地線または前記ノズルボディーから前記ノズルアームまで連結される導電性テープまたは導電性パターンを含む請求項18に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板を液処理する装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
半導体素子を製造するための半導体製造工程のうちで写真工程(photo-lithography process)は、ウェハー上に所望のパターンを形成させる工程である。写真工程は普通露光設備が連結されて塗布工程、露光工程、そして、現像工程を連続的に処理するスピナー(spinner local)設備で進行される。このようなスピナー設備はHMDS(Hexamethyl disilazane)工程、塗布工程、ベーク工程、そして、現像工程を順次または選択的に遂行する。
【0003】
ここで塗布工程は、基板の表面に減光液を塗布する工程として、減光液を塗布するノズルに静電気が発生された場合、極性汚染物質によってノズルが汚染されることが容易であるのでノズル洗滌周期が短くなって、減光液に静電気が誘導されて基板に直接パーティクルが吸着されることが容易である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】韓国特許公開第10-2016-0054143号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、処理液を噴射するノズルの静電気を除去することができる装置及び方法を提供するためのものである。
【0006】
本発明が解決しようとする課題は以上で言及された課題で制限されない。言及されなかった他の技術的課題らは以下の記載から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一側面によれば、ノズルボディーと、前記ノズルボディーに連結され、処理液が吐出される内部流路を有するノズルチップを含むが、前記ノズルチップは静電気除去が可能な帯電防止表面を有する処理液供給ノズルが提供されることができる。
【0008】
また、前記ノズルチップはサックバック確認が可能になるように透明な素材で提供され、前記帯電防止表面はイオン注入処理された表面であることができる。
【0009】
また、前記透明な素材はPFA(perfluoroalkoxy)を含むことができる。
【0010】
また、前記ノズルチップはサックバック確認が可能になるように透明な素材で提供され、前記帯電防止表面はイオンビームで表面処理されて表面抵抗値が106~109Ωの導電性を有することができる。
【0011】
また、前記ノズルチップが前記ノズルボディーに固定されるように前記ノズルボディーの螺糸山に締結され、前記ノズルチップと接触されるノズルナット部材をさらに含むが、前記ノズルナット部材は伝導性素材または前記イオンビームで表面処理された導電性表面を有することができる。
【0012】
また、一端は前記ノズルナット部材と接触され、他端は前記ノズルボディーが支持されるノズルアームを通じて接地される接地部材をさらに含むことができる。
【0013】
また、前記接地部材は前記ノズル締結部材と前記ノズルアームにそれぞれ接続されるリング型ターミナルを有する接地線を含むことができる。
【0014】
また、前記接地部材は前記ノズルボディーから前記ノズルアームまで連結される導電性テープまたは導電性パターンを含むことができる。
【0015】
また、前記帯電防止表面は前記ノズルチップの外周面と前記内部流路の一部領域を含むことができる。
【0016】
本発明の他の側面によれば、基板を支持する基板支持ユニットと、及び前記基板支持ユニットに支持された基板上に減光液を塗布する液供給ユニットを含むが、前記液供給ユニットは減光液を供給する塗布ノズルと、一側端部に前記塗布ノズルが位置されるノズルアームと、及び前記ノズルアームの他側端部に位置されて前記ノズルアームを移動させる駆動部材を含んで、前記塗布ノズルは前記ノズルアームに支持されるノズルボディーと、前記ノズルボディーに連結され、減光液が吐出される内部流路を有する、そして、静電気除去が可能な帯電防止表面を有するノズルチップを含む基板処理装置が提供されることができる。
【0017】
また、前記ノズルチップはサックバック確認が可能になるように透明な素材で提供され、前記帯電防止表面はイオン注入処理された表面であることができる。
【0018】
また、前記透明な素材はPFA(perfluoroalkoxy)を含み、前記帯電防止表面は表面抵抗値が106~109Ωの導電性を有することができる。
【0019】
また、前記ノズルチップが前記ノズルボディーに固定されるように前記ノズルボディーの螺糸山に締結され、前記ノズルチップと接触されるノズルナット部材をさらに含むが、前記ノズルナット部材は伝導性素材または前記イオンビームで表面処理された導電性表面を有することができる。
【0020】
また、一端は前記ノズルナット部材と接触され、他端は前記ノズルボディーが支持されるノズルアームを通じて接地される接地部材をさらに含むことができる。
【0021】
また、前記接地部材は前記ノズル締結部材と前記ノズルアームにそれぞれ接続されるリング型ターミナルを有する接地線を含むことができる。
【0022】
また、前記接地部材は前記ノズルボディーから前記ノズルアームまで連結される導電性テープまたは導電性パターンを含むことができる。
【0023】
また、前記帯電防止表面は前記ノズルチップの外周面と前記内部流路の一部領域を含み、前記液供給ユニットは前処理液を塗布する前処理ノズルをさらに含んで、前記塗布ノズルは複数個で提供され、前記塗布ノズルらと前記前処理ノズルは上部から眺める時一方向に配列されるように前記ノズルボディーに支持されることができる。
【0024】
本発明の他側面によれば、基板を支持する基板支持ユニットと、及び前記基板支持ユニットに支持された基板上に減光液を塗布する液供給ユニットを含むが、前記液供給ユニットは減光液を供給する塗布ノズルと、一側端部に前記塗布ノズルが位置されるノズルアームと、及び前記ノズルアームの他側端部に位置されて前記ノズルアームを移動させる駆動部材を含んで、前記塗布ノズルは前記ノズルアームに支持されるノズルボディーと、前記ノズルボディーに連結され、減光液が吐出される内部流路を有する、そして、静電気除去が可能な帯電防止表面を有するノズルチップと、前記ノズルチップが前記ノズルボディーに固定されるように前記ノズルボディーの螺糸山に締結され、前記ノズルチップと接触されるノズルナット部材と、一端は前記ノズルナット部材と接触され、他端は前記ノズルアームを通じて接地される接地部材を含む基板処理装置が提供されることができる。
【0025】
また、前記ノズルチップはサックバック確認が可能になるように透明な素材で提供され、前記帯電防止表面はイオンビームで表面処理されて表面が導電性を有することができる。
【0026】
また、前記接地部材は前記ノズル締結部材と前記ノズルアームにそれぞれ接続されるリング型ターミナルを有する接地線または前記ノズルボディーから前記ノズルアームまで連結される導電性テープまたは導電性パターンを含むことができる。
【発明の効果】
【0027】
本発明の実施例によれば、合成樹脂でなされたノズルチップ表面をイオン注入処理して伝導性を有するようにすることで、接地部材を通じてノズルチップに発生された静電気を容易に除去することができる、したがって、ノズルチップに静電気が存在することによって発生することができるノズルチップ部材の汚染、処理流体の汚染などの問題を防止することができる。
【0028】
本発明の効果は上述した効果らに制限されない。言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【
図1】本発明の実施例による基板処理設備の平面図である。
【
図2】
図1の設備をA-A方向から眺めた断面図である。
【
図3】
図1の設備をB-B方向から眺めた断面図である。
【
図4】
図1の設備をC-C方向から眺めた断面図である。
【
図5】
図1の基板処理装置を見せてくれる平面図である。
【
図6】
図1の基板処理装置を見せてくれる断面図である。
【
図7】
図6のノズル部材を拡大して見せてくれる図面である。
【
図8】
図7に示されたノズル部材を見せてくれる側面図である。
【
図9】
図7に示された塗布ノズルを説明するための断面図である。
【
図10】
図9に示された塗布ノズルの分解斜視図である。
【
図12】接地部材の他の例を見せてくれる図面である。
【発明を実施するための形態】
【0030】
以下、本発明の実施例を添付された図面を参照してさらに詳しく説明する。本発明の実施例はさまざまな形態で変形されることができるし、本発明の範囲が下の実施例らに限定されることで解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張された。
【0031】
本実施例の設備は半導体ウェハーまたは平板表示パネルのような基板に対してフォトリソグラフィ工程を遂行することに使用されることができる。特に、本実施例の設備は露光装置に連結されて基板に対して塗布工程及び現像工程を遂行することに使用されることができる。以下では基板でウェハーが使用された場合を例を挙げて説明する。
【0032】
以下、
図1乃至
図12を通じて本発明の基板処理設備を説明する。
【0033】
図1は、基板処理設備を上部から眺めた図面であり、
図2は
図1の設備をA-A方向から眺めた図面であり、
図3は
図1の設備をB-B方向から眺めた図面であり、
図4は
図1の設備をC-C方向から眺めた図面である。
【0034】
図1乃至
図4を参照すれば、基板処理設備1はロードポート100、インデックスモジュール200、第1バッファーモジュール300、塗布及び現像モジュール400、第2バッファーモジュール500、露光前後処理モジュール600、そして、インターフェースモジュール700を含む。
【0035】
ロードポート100、インデックスモジュール200、第1バッファーモジュール300、塗布及び現像モジュール400、第2バッファーモジュール500、露光前後処理モジュール600、そして、インターフェースモジュール700は順次に一方向に一列に配置される。
【0036】
以下、ロードポート100、インデックスモジュール200、第1バッファーモジュール300、塗布及び現像モジュール400、第2バッファーモジュール500、露光前後処理モジュール600、そして、インターフェースモジュール700が配置された方向を第1方向12と称して、上部から眺める時第1方向12と垂直な方向を第2方向14と称して、第1方向12及び第2方向14とそれぞれ垂直な方向を第3方向16と称する。
【0037】
基板(W)はカセット20内に収納された状態で移動される。この時カセット20は外部から密閉されることができる構造を有する。例えば、カセット20としては前方にドアを有する前面開放一体式ポッド(Front Open Unified Pod:FOUP)が使用されることがある。
【0038】
以下ではロードポート100、インデックスモジュール200、第1バッファーモジュール300、塗布及び現像モジュール400、第2バッファーモジュール500、露光前後処理モジュール600、そして、インターフェースモジュール700に対して詳しく説明する。
【0039】
ロードポート100は基板ら(W)が収納されたカセット20が置かれる載置台120を有する。載置台120は複数個が提供され、載置台ら200は第2方向14に沿って一列に配置される。
図1では4個の載置台120が提供された。
【0040】
インデックスモジュール200はロードポート100の載置台120に置かれたカセット20と第1バッファーモジュール300との間に基板(W)を移送する。インデックスモジュール200はフレーム210、インデックスロボット220、そして、ガイドレール230を有する。フレーム210は概して内部が空いた直方体の形状で提供され、ロードポート100と第1バッファーモジュール300の間に配置される。インデックスモジュール200のフレーム210は後述する第1バッファーモジュール300のフレーム310より低い高さで提供されることができる。インデックスロボット220とガイドレール230はフレーム210内に配置される。インデックスロボット220は基板(W)を直接ハンドリングするハンド221が第1方向12、第2方向14、第3方向16に移動可能で回転されることができるように4軸駆動が可能な構造を有する。インデックスロボット220はハンド221、アーム222、支持台223、そして、支柱224を有する。ハンド221はアーム222に固定設置される。アーム222は伸縮可能な構造及び回転可能な構造で提供される。支持台223はその長さ方向が第3方向16に沿って配置される。アーム222は支持台223に沿って移動可能になるように支持台223に結合される。支持台223は支柱224に固定結合される。ガイドレール230はその長さ方向が第2方向14に沿って配置されるように提供される。支柱224はガイドレール230に沿って直線移動可能になるようにガイドレール230に結合される。また、図示されなかったが、フレーム210にはカセット20のドアを開閉するドアオープナーがさらに提供される。
【0041】
第1バッファーモジュール300はフレーム310、第1バッファー320、第2バッファー330、冷却チャンバ350、そして、第1バッファーロボット360を有する。フレーム310は内部が空いた直方体の形状で提供され、インデックスモジュール200と塗布及び現像モジュール400との間に配置される。第1バッファー320、第2バッファー330、冷却チャンバ350、そして、第1バッファーロボット360はフレーム310内に位置される。冷却チャンバ350、第2バッファー330、そして、第1バッファー320は順次に下から第3方向16に沿って配置される。第1バッファー320は後述する塗布及び現像モジュール400の塗布モジュール401と対応される高さに位置され、第2バッファー330と冷却チャンバ350は後述する塗布及び現像モジュール400の現像モジュール402と対応される高さに位置される。第1バッファーロボット360は第2バッファー330、冷却チャンバ350、そして、第1バッファー320と第2方向14に一定距離離隔されるように位置される。
【0042】
第1バッファー320と第2バッファー330はそれぞれ複数の基板ら(W)を一時的に保管する。第2バッファー330はハウジング331と複数の支持台ら332を有する。支持台ら332はハウジング331内に配置され、お互いの間に第3方向16に沿って離隔されるように提供される。それぞれの支持台332には一つの基板(W)が置かれる。ハウジング331はインデックスロボット220、第1バッファーロボット360、そして、後述する現像モジュール402の現像部ロボット482がハウジング331乃至332に基板(W)を搬入または搬出することができるようにインデックスロボット220が提供された方向、第1バッファーロボット360が提供された方向、そして、現像部ロボット482が提供された方向に開口(図示せず)を有する。第1バッファー320は第2バッファー330と概して類似な構造を有する。但し、第1バッファー320のハウジング321には第1バッファーロボット360が提供された方向及び後述する塗布モジュール401に位置された塗布部ロボット432が提供された方向に開口を有する。第1バッファー320に提供された支持台322の数と第2バッファー330に提供された支持台332の数は同一であるか、または相異なことがある。一例によれば、第2バッファー330に提供された支持台332の数は第1バッファー320に提供された支持台322の数より多いことがある。
【0043】
第1バッファーロボット360は第1バッファー320と第2バッファー330との間に基板(W)を移送させる。第1バッファーロボット360はハンド361、アーム362、そして、支持台363を有する。ハンド361はアーム362に固定設置される。アーム362は伸縮可能な構造で提供され、ハンド361が第2方向14に沿って移動可能であるようにさせる。アーム362は支持台363に沿って第3方向16に直線移動可能になるように支持台363に結合される。支持台363は第2バッファー330に対応される位置から第1バッファー320に対応される位置まで延長された長さを有する。支持台363はこれより上または下の方向にさらに長く提供されることができる。第1バッファーロボット360は単純にハンド361が第2方向14及び第3方向16に沿った2軸駆動だけされるように提供されることができる。
【0044】
冷却チャンバ350はそれぞれ基板(W)を冷却する。冷却チャンバ350はハウジング351と冷却プレート352を有する。冷却プレート352は基板(W)が置かれる上面及び基板(W)を冷却する冷却手段353を有する。冷却手段353としては、冷却水による冷却や熱電素子を利用した冷却など多様な方式が使用されることができる。また、冷却チャンバ350には基板(W)を冷却プレート352上に位置させるリフトピンアセンブリー(図示せず)が提供されることができる。ハウジング351はインデックスロボット220及び後述する現像モジュール402に提供された現像部ロボット482が冷却プレート352に基板(W)を搬入または搬出することができるようにインデックスロボット220が提供された方向及び現像部ロボット482が提供された方向に開口(図示せず)を有する。また、冷却チャンバ350には上述した開口を開閉するドアら(図示せず)が提供されることができる。
【0045】
塗布及び現像モジュール400は露光工程前に基板(W)上にフォトレジストを塗布する工程及び露光工程後に基板(W)を現像する工程を遂行する。塗布及び現像モジュール400は概して直方体の形状を有する。塗布及び現像モジュール400は塗布モジュール401と現像モジュール402を有する。塗布モジュール401と現像モジュール402はお互いの間に層で区画されるように配置される。一例によれば、塗布モジュール401は現像モジュール402の上部に位置される。
【0046】
塗布モジュール401は基板(W)に対してフォトレジストのような減光液を塗布する工程及びレジスト塗布工程前後に基板(W)に対して加熱及び冷却のような熱処理工程を含む。塗布モジュール401はレジスト塗布チャンバ410、ベークチャンバ420、そして、返送チャンバ430を有する。レジスト塗布チャンバ410、ベークチャンバ420、そして、返送チャンバ430は第2方向14に沿って順次に配置される。したがって、レジスト塗布チャンバ410とベークチャンバ420は返送チャンバ430を間に置いて第2方向14にお互いに離隔されるように位置される。レジスト塗布チャンバ410は複数個が提供され、第1方向12及び第3方向16にそれぞれ複数個ずつ提供される。図面では6個のレジスト塗布チャンバ410が提供された例が示された。ベークチャンバ420は第1方向12及び第3方向16にそれぞれ複数個ずつ提供される。図面では6個のベークチャンバ420が提供された例が示された。しかし、これと異なりベークチャンバ420はさらに多い数で提供されることができる。
【0047】
返送チャンバ430は第1バッファーモジュール300の第1バッファー320と第1方向12に並んで位置される。返送チャンバ430内には塗布部ロボット432とガイドレール433が位置される。返送チャンバ430は概して直四角の形状を有する。塗布部ロボット432はベークチャンバら420、レジスト塗布チャンバら400、第1バッファーモジュール300の第1バッファー320、そして、後述する第2バッファーモジュール500の第1冷却チャンバ520との間に基板(W)を移送する。ガイドレール433はその長さ方向が第1方向12と並んでいるように配置される。ガイドレール433は塗布部ロボット432が第1方向12で直線移動されるように案内する。塗布部ロボット432はハンド434、アーム435、支持台436、そして、支柱437を有する。ハンド434はアーム435に固定設置される。アーム435は伸縮可能な構造で提供されてハンド434が水平方向に移動可能にさせる。支持台436はその長さ方向が第3方向16に沿って配置されるように提供される。アーム435は支持台436に沿って第3方向16に直線移動可能になるように支持台436に結合される。支持台436は支柱437に固定結合され、支柱437はガイドレール433に沿って移動可能になるようにガイドレール433に結合される。
【0048】
レジスト塗布チャンバら410はすべて同一な構造を有する。但し、それぞれのレジスト塗布チャンバ410で使用されるフォトレジストの種類はお互いに相異なことがある。一例としてフォトレジストとしては、化学増幅型レジスト(chemical amplification resist)が使用されることがある。レジスト塗布チャンバ410は基板(W)上にフォトレジストを塗布する基板処理装置で提供される。基板処理装置800は液塗布工程が遂行される。
【0049】
図5は、
図1の基板処理装置を見せてくれる平面図であり、
図6は
図1の基板処理装置を見せてくれる断面図である。
【0050】
図5及び
図6を参照すれば、基板処理装置800はハウジング810、気流提供ユニット820、基板支持ユニット830、処理容器850、昇降ユニット890、液供給ユニット840、そして、制御機880を含む。
【0051】
ハウジング810は内部に処理空間812を有する直四角の桶形状で提供される。ハウジング810の一側には開口(図示せず)が形成される。開口は基板(W)が搬出口される入口で機能する。開口にはドア(図示せず)が設置され、ドアは開口を開閉する。ドアは基板処理工程が進行されると、開口を遮断してハウジング810の処理空間812を密閉する。ハウジング810の下部面には内側排気口814及び外側排気口816が形成される。ハウジング810内に形成された気流は内側排気口814及び外側排気口816を通じて外部に排気される。一例によれば、処理容器850内に流入された気流は内側排気口814を通じて排気され、処理容器850の外側に提供された気流は外側排気口816を通じて排気されることができる。
【0052】
気流提供ユニット820はハウジング810の処理空間812に下降気流を形成する。気流提供ユニット820は気流供給ライン822、ファン824、そして、フィルター826を含む。気流供給ライン822はハウジング810に連結される。気流供給ライン822は外部の清浄エアをハウジング810に供給する。フィルター826は気流供給ライン822から提供される清浄エアをフィルタリングする。フィルター826はエアに含まれた不純物を除去する。ファン824はハウジング810の上部面に設置される。ファン824はハウジング810の上部面で中央領域に位置される。ファン824はハウジング810の処理空間812に下降気流を形成する。気流供給ライン822からファン824に清浄エアが供給されると、ファン824は下の方向に清浄エアを供給する。一例によれば、ファン824は基板処理段階によってお互いに相異な流速の気流を処理空間に供給することができる。
【0053】
基板支持ユニット830はハウジング810の処理空間812で基板(W)を支持する。基板支持ユニット830は基板(W)を回転させる。基板支持ユニット830はスピンチャック832、回転軸834、そして、駆動機836を含む。スピンチャック832は基板を支持する基板支持部材832で提供される。スピンチャック832は円形の板形状を有するように提供される。スピンチャック832の上面には基板(W)が接触する。スピンチャック832は基板(W)より小さな直径を有するように提供される。一例によれば、スピンチャック832は基板(W)を真空吸入して基板(W)をチャッキングすることができる。選択的に、スピンチャック832は静電気を利用して基板(W)をチャッキングする静電チャックで提供されることができる。また、スピンチャック832は基板(W)を物理的力でチャッキングすることができる。
【0054】
回転軸834及び駆動機836はスピンチャック832を回転させる回転駆動部材834、836で提供される。回転軸834はスピンチャック832の下でスピンチャック832を支持する。回転軸834はその長さ方向が上下方向を向けるように提供される。回転軸834はその中心軸を中心に回転可能になるように提供される。駆動機836は回転軸834が回転されるように駆動力を提供する。例えば、駆動機836は回転軸の回転速度を可変可能なモータであることができる。回転駆動部材834、836は基板処理段階によってスピンチャック832をお互いに相異な回転速度で回転させることができる。
【0055】
処理容器850はハウジング810の処理空間812に位置される。処理容器850は基板支持ユニット830をくるむように提供する。処理容器850は上部が開放されたコップ形状を有するように提供される。処理容器850は内側コップ852及び外側コップ862を含む。
【0056】
内側コップ852は回転軸834をくるむ円形のコップ形状で提供される。上部から眺める時内側コップ852は内側排気口814と重畳されるように位置される。上部から眺める時内側コップ852の上面はその外側領域と内側領域それぞれがお互いに相異な角度で傾くように提供される。一例によれば、内側コップ852の外側領域は基板支持ユニット830から遠くなるほど下向き傾いた方向を向けて、内側領域は基板支持ユニット830から遠くなるほど上向き傾いた方向を向けるように提供される。内側コップ852の外側領域と内側領域がお互いに会う支点は基板(W)の側端部と上下方向に対応されるように提供される。内側コップ852の上面外側領域はラウンドになるように提供される。内側コップ852の上面外側領域は下に凹に提供される。内側コップ852の上面外側領域は処理液が流れる領域に提供されることができる。
【0057】
外側コップ862は基板支持ユニット830及び内側コップ852をくるむコップ形状を有するように提供される。外側コップ862は底壁864、側壁866、上壁870、そして、傾斜壁870を有する。底壁864は中空を有する円形の板形状を有するように提供される。底壁864には回収ライン865が形成される。回収ライン865は基板(W)上に供給された処理液を回収する。回収ライン865によって回収された処理液は外部の液再生システムによって再使用されることができる。側壁866は基板支持ユニット830をくるむ円形の桶形状を有するように提供される。側壁866は底壁864の側端から垂直な方向に延長される。側壁866は底壁864から上に延長される。
【0058】
傾斜壁870は側壁866の上端から外側コップ862の内側方向に延長される。傾斜壁870は上に行くほど基板支持ユニット830に近くなるように提供される。傾斜壁870はリング形状を有するように提供される。傾斜壁870の上端は基板支持ユニット830に支持された基板(W)より高く位置される。
【0059】
昇降ユニット890は内側コップ852及び外側コップ862をそれぞれ昇降移動させる。昇降ユニット890は内側移動部材892及び外側移動部材894を含む。内側移動部材892は内側コップ852を昇降移動させ、外側移動部材894は外側コップ862を昇降移動させる。
【0060】
液供給ユニット840は基板(W)上に減光液及び前処理液を供給する。液供給ユニット840は移動部材846及びノズル部材1000を含む。
【0061】
移動部材846はノズル部材1000を工程位置にまたは、待機位置に移動させる。ここで、工程位置はノズル部材1000が基板支持ユニット830に支持された基板(W)と見合わせる位置であり、待機位置は工程位置を脱した位置である。例えば、工程位置にはノズル部材1000と基板(W)が垂直な上下方向に対向されるように位置されることができる。
【0062】
移動部材846はノズル部材1000を一方向に移動させる。一例によれば、移動部材846はノズル部材1000を一方向に直線移動させることができる。一方向は第1方向12と平行な方向であることがある。移動部材846はガイドレール842及びアーム844を含む。ガイドレール842は長さ方向が水平方向を向けるように提供される。ガイドレール842は第1方向12を向ける長さ方向を有することができる。ガイドレール842は処理容器850の一側に位置される。ガイドレール842にはアーム844が設置される。アーム844はガイドレール842内に提供された駆動部材(図示せず)によって移動される。例えば、駆動部材はリニアモータであることができる。アーム844は上部から眺める時ガイドレール842と垂直な長さ方向を有するバー形状で提供される。アーム844の末端底面にはノズル部材1000が設置される。ノズル部材1000はアーム844とともに移動される。
【0063】
図7は、
図6のノズル部材を拡大して見せてくれる図面であり、
図8は
図7に示されたノズル部材を見せてくれる側面図である。
【0064】
図7及び
図8を参照すれば、ノズル部材1000は減光液及び前処理液を滴下方式で吐出する複数のノズルらを有する吐出部材1200と吐出部材1200を支持するノズルボディー1100、そして、接地部材1300を含むことができる。ノズルらは前処理ノズル1240、そして、塗布ノズル1260を含んで、これらは同一な構成で提供されることができる。ノズルボディー1100はノズルアーム844に支持されることができる。ノズルボディー1100は合成樹脂材質であることができるし、ノズルアーム844は導電性を有するアルミニウムのような金属材質であることができる。
【0065】
各ノズルは吐出口が垂直な下の方向を向けるように提供される。上部から眺める時前処理ノズル1240、そして、塗布ノズル1260はノズル部材1000の移動方向と平行な方向に配列される。一例によれば、前処理ノズル1240、そして、塗布ノズル1260は移動方向である一方向に沿って一列に配列されることができる。一方向に対して塗布ノズル1260は複数個で提供されることができる。前処理ノズル1240は複数個の塗布ノズル1260らの間に配列されることができる。前処理ノズル1240は前処理液を滴下方式で吐出することができる。前処理液は親水性と疎水性のうちで減光液に近い性質を含む液で提供されることができる。減光液が疎水性性質を有する場合には前処理液がシンナー(Thinner)で提供されることができる。前処理液は基板(W)と減光液との間に接着力を高めることができる。
【0066】
複数個の塗布ノズル1260らは減光液を吐出することができる。それぞれの塗布ノズル1260は等しい流量の減光液を吐出する。一例によれば、塗布ノズル1260らは前処理ノズル1240を基準で、前処理ノズル1240の一側に複数個が提供され、これと反対される他側に複数個が提供されることができる。前処理ノズル1240の両側それぞれには等しい個数の塗布ノズル1260らが対称されるように配列されることができる。それぞれの塗布ノズル1260らはお互いに相異な種類の減光液を吐出することができる。例えば、単一の基板(W)を処理する工程中には複数個の塗布ノズル1260らのうちで一つの塗布ノズル1260が減光液を吐出することができる。前処理ノズル1240は塗布ノズル1260らに比べて吐出端が高く位置される。これは減光液が吐出される中に飛散されて前処理ノズル1240に付着されることを防止するためである。
【0067】
図9は、
図7に示された塗布ノズルを説明するための断面図であり、
図10は
図9に示された塗布ノズルの分解斜視図であり、
図11はノズルチップの断面斜視図である。
【0068】
図9乃至
図11を参照すれば、塗布ノズル1260はノズルチップ1270とノズルナット部材1290を含むことができる。
【0069】
ノズルボディー1100は減光液供給源と連結されて処理流体が通過する第1流路1102を含むことができる。ノズルボディー1100の底面にはノズルチップ1270が連結される連結部1104とノズルナット部材1290が締結される締結部1106を含むことができる。
【0070】
ノズルチップ1270はノズルボディーの第1流路1102と連通される第2流路1272と、第2流路1272と連通されて外部に露出される吐出口1274を含む。ノズルチップ1270はノズルボディーの連結部1104に連結される連結端1276を具備する。例えば、連結端1276は連結部513に挟まれるように形成されることができる。このために、連結部1104は所定の長さを有する溝の形態で形成されることができるし、連結端1276は所定の長さを有する突起の形態で形成されることができる。但し、本発明はこのような構成に限定されない。ノズルチップ1270の連結端1276が連結部1104に挟まれることによって流路1102及び第2流路1272がお互いに連通されることができる。
【0071】
ノズルナット部材1290はノズルボディーの締結部1106に締結される。ノズルナット部材1290はナット形態で形成されることができる。ノズルナット部材1290の内側面には雌ネジ山1292が形成され、締結部1106には雌ネジ山が形成されてお互いにねじ連結されることができる。他の例として、締結部材は締結部に締り嵌め合わせ、クランプ、ラッチなどの多様な方式を通じてお互いに締結されることができる。ノズルナット部材1290はノズルチップ1270が貫通する貫通ホール1299を具備することができる。これによって、ノズルチップ1270の一部が締結部材1290の貫通ホール1299を通じて、これによって、ノズルチップ1270の吐出口1274が外部に露出されることができる。ノズルチップ1270の吐出口1274が外部に露出されるので、ノズルチップ1270の吐出口1274から吐出される処理流体の吐出形態、処理流体の吐出が中断されたかの如何などの処理流体の特性を容易に測定することができる。一方、ノズルナット部材1290は伝導性素材またはイオンビームで表面処理された導電性表面を有することができる。
【0072】
一方、ノズルチップ1270は静電気除去が可能な帯電防止表面1271を有する。
図11でのように帯電防止表面1271(ドットでハッチング処理された表面)はノズルチップ1270の外周面と第2流路の一部を含むことができる。ノズルチップ1272はサックバック確認が可能になるように透明な素材で提供されることができる。透明な素材はPFA(perfluoroalkoxy)を含むことができる。このような透明なPFA(perfluoroalkoxy)素材のノズルチップ1270はプラズマイオン処理をしても半透明であるためにビジョンカメラでノズル内部を確認することができる。帯電防止表面1271はプラズマイオン注入方法によって表面処理されることができる。一例で、帯電防止表面は表面抵抗値が10
6~10
9Ωの導電性を有することが望ましい。
【0073】
接地部材1300の一端はノズルナット部材1290と接触されるように締結部1106に隣接した一面に提供されることができる。接地部材1300の他端はノズルボディー1100が支持されるノズルアーム844に連結される。接地部材1300はノズルボディー1100からノズルアーム844まで連結される導電性ライン(導電テープまたは導電性パターン)形態で提供されることができる。
【0074】
前記のような構造を有する塗布ノズル1260は減光液吐出過程で発生した静電気がノズルチップとノズルナット部材、そして、接地部材を通じて除去されることができる。よって、既存の塗布ノズルの形態及び材質を変更しないで、表面にイオン注入を通じて導電性表面を形成し、接地する。
【0075】
図12は、接地部材の他の例を見せてくれる図面である。
【0076】
図12でのように、接地部材1300aはノズルナット部材1290とノズルアーム844にそれぞれ接続されるリング型ターミナル1320を有する接地線1310を含むことができる。ノズルナット部材とそれぞれ接続されるリング型ターミナルらは接地線によって相互連結されることができる。
【0077】
一方、図示されなかったが、接地部材はボルトをノズルナット部材に貫通させてノズルチップ外周面に接触されるようにして、ボルトに接地線を連結する方式でノズルチップの静電気を除去することができる。
【0078】
再び
図1乃至
図4を参照すれば、ベークチャンバ420は基板(W)を熱処理する。例えば、ベークチャンバら420はフォトレジストを塗布する前に基板(W)を所定の温度で加熱して基板(W)表面の有機物や水分を除去するプリベーク(prebake)工程やフォトレジストを基板(W)上に塗布した後に行うソフトベーク(soft bake)工程などを遂行し、それぞれの加熱工程以後に基板(W)を冷却する冷却工程などを遂行する。ベークチャンバ420は冷却プレート421または加熱プレート422を有する。冷却プレート421には冷却水または熱電素子のような冷却手段423が提供される。また、加熱プレート422には熱線または熱電素子のような加熱手段424が提供される。冷却プレート421と加熱プレート422は一つのベークチャンバ420内にそれぞれ提供されることができる。選択的にベークチャンバ420らのうちで一部は冷却プレート421のみを具備し、他の一部は加熱プレート422のみを具備することができる。
【0079】
現像モジュール402は基板(W)上にパターンを得るために現像液を供給してフォトレジストの一部を除去する現像工程、及び現像工程前後に基板(W)に対して遂行される加熱及び冷却のような熱処理工程を含む。現像モジュール402は現象チャンバ460、ベークチャンバ470、そして、返送チャンバ480を有する。現象チャンバ460、ベークチャンバ470、そして、返送チャンバ480は第2方向14に沿って順次に配置される。したがって、現象チャンバ460とベークチャンバ470は返送チャンバ480を間に置いて第2方向14にお互いに離隔されるように位置される。現象チャンバ460は複数個が提供され、第1方向12及び第3方向16にそれぞれ複数個ずつ提供される。図面では6個の現象チャンバ460が提供された例が示された。ベークチャンバ470は第1方向12及び第3方向16にそれぞれ複数個ずつ提供される。図面では6個のベークチャンバ470が提供された例が示された。しかし、これと異なりベークチャンバ470はさらに多い数で提供されることができる。
【0080】
返送チャンバ480は第1バッファーモジュール300の第2バッファー330と第1方向12に並んで位置される。返送チャンバ480内には現像部ロボット482とガイドレール483が位置される。返送チャンバ480は概して直四角の形状を有する。現像部ロボット482はベークチャンバら470、現象チャンバら460、第1バッファーモジュール300の第2バッファー330と冷却チャンバ350、そして、第2バッファーモジュール500の第2冷却チャンバ540の間に基板(W)を移送する。ガイドレール483はその長さ方向が第1方向12と並んでいるように配置される。ガイドレール483は現像部ロボット482が第1方向12に直線移動されるように案内する。現像部ロボット482はハンド484、アーム485、支持台486、そして、支柱487を有する。ハンド484はアーム485に固定設置される。アーム485は伸縮可能な構造で提供されてハンド484が水平方向に移動可能にさせる。支持台486はその長さ方向が第3方向16に沿って配置されるように提供される。アーム485は支持台486に沿って第3方向16に直線移動可能になるように支持台486に結合される。支持台486は支柱487に固定結合される。支柱487はガイドレール483に沿って移動可能になるようにガイドレール483に結合される。
【0081】
現象チャンバら460はすべて同一な構造を有する。但し、それぞれの現象チャンバ460で使用される現像液の種類はお互いに相異なことがある。現象チャンバ460は基板(W)上のフォトレジストのうちで光が照射された領域を除去する。この時、保護膜のうちで光が照射された領域もともに除去される。選択的に使用されるフォトレジストの種類によってフォトレジスト及び保護膜の領域らのうちで光が照射されない領域だけが除去されることができる。
【0082】
現象チャンバ460は容器461、支持プレート462、そして、ノズル463を有する。容器461は上部が開放されたコップ形状を有する。支持プレート462は容器461内に位置され、基板(W)を支持する。支持プレート462は回転可能に提供される。ノズル463は支持プレート462に置かれた基板(W)上に現像液を供給する。ノズル463は円形の管形状を有して、基板(W)の中心に現像液を供給することができる。選択的にノズル463は基板(W)の直径に相応する長さを有して、ノズル463の吐出口はスリットで提供されることができる。また、現象チャンバ460には追加的に現像液が供給された基板(W)表面を洗浄するために脱イオン水のような洗浄液を供給するノズル464がさらに提供されることができる。
【0083】
ベークチャンバ470は基板(W)を熱処理する。例えば、ベークチャンバら470は現像工程が遂行される前に基板(W)を加熱するポストベーク工程及び現像工程が遂行された後に基板(W)を加熱するハードベーク工程及びそれぞれのベーク工程以後に加熱された基板(W)を冷却する冷却工程などを遂行する。ベークチャンバ470は冷却プレート471または加熱プレート472を有する。冷却プレート471には冷却水または熱電素子のような冷却手段473が提供される。または、加熱プレート472には熱線または熱電素子のような加熱手段474が提供される。冷却プレート471と加熱プレート472は一つのベークチャンバ470内にそれぞれ提供されることができる。選択的にベークチャンバ470らのうちで一部は冷却プレート471のみを具備し、他の一部は加熱プレート472のみを具備することができる。
【0084】
前述したところのように塗布及び現像モジュール400で塗布モジュール401と現像モジュール402はお互いの間に分離されるように提供される。また、上部から眺める時塗布モジュール401と現像モジュール402は等しいチャンバ配置を有することができる。
【0085】
第2バッファーモジュール500は塗布及び現像モジュール400と露光前後処理モジュール600との間に基板(W)が運搬される通路として提供される。また、第2バッファーモジュール500は基板(W)に対して冷却工程やエッジ露光工程などのような所定の工程を遂行する。第2バッファーモジュール500はフレーム510、バッファー520、第1冷却チャンバ530、第2冷却チャンバ540、エッジ露光チャンバ550、そして、第2バッファーロボット560を有する。フレーム510は直方体の形状を有する。バッファー520、第1冷却チャンバ530、第2冷却チャンバ540、エッジ露光チャンバ550、そして、第2バッファーロボット560はフレーム510内に位置される。バッファー520、第1冷却チャンバ530、そして、エッジ露光チャンバ550は塗布モジュール401に対応する高さに配置される。第2冷却チャンバ540は現像モジュール402に対応する高さに配置される。バッファー520、第1冷却チャンバ530、そして、第2冷却チャンバ540は順次に第3方向16に沿って一列に配置される。上部から眺める時バッファー520は塗布モジュール401の返送チャンバ430と第1方向12に沿って配置される。エッジ露光チャンバ550はバッファー520または、第1冷却チャンバ530と第2方向14に一定距離離隔されるように配置される。
【0086】
第2バッファーロボット560はバッファー520、第1冷却チャンバ530、そして、エッジ露光チャンバ550の間に基板(W)を運搬する。第2バッファーロボット560はエッジ露光チャンバ550とバッファー520との間に位置される。第2バッファーロボット560は第1バッファーロボット360と類似な構造で提供されることができる。第1冷却チャンバ530とエッジ露光チャンバ550は塗布モジュール401で工程が遂行された基板ら(W)に対して後続工程を遂行する。第1冷却チャンバ530は塗布モジュール401で工程が遂行された基板(W)を冷却する。第1冷却チャンバ530は第1バッファーモジュール300の冷却チャンバ350と類似な構造を有する。エッジ露光チャンバ550は第1冷却チャンバ530で冷却工程が遂行された基板ら(W)に対してその縁を露光する。バッファー520はエッジ露光チャンバ550で工程が遂行された基板ら(W)が後述する前処理モジュール601に運搬される前に基板(W)を一時的に保管する。第2冷却チャンバ540は後述する後処理モジュール602で工程が遂行された基板ら(W)が現像モジュール402に運搬される前に基板ら(W)を冷却する。第2バッファーモジュール500は現像モジュール402と対応される高さに加えられたバッファーをさらに有することができる。この場合、後処理モジュール602で工程が遂行された基板ら(W)は加えられたバッファーに一時的に保管された後現像モジュール402に運搬されることができる。
【0087】
露光前後処理モジュール600は、露光装置900が液浸露光工程を遂行する場合、液浸露光時に基板(W)に塗布されたフォトレジスト膜を保護する保護膜を塗布する工程を処理することができる。また、露光前後処理モジュール600は露光以後に基板(W)を洗浄する工程を遂行することができる。また、化学増幅型レジストを使用して塗布工程が遂行された場合、露光前後処理モジュール600は露光後ベーク工程を処理することができる。
【0088】
露光前後処理モジュール600は前処理モジュール601と後処理モジュール602を有する。前処理モジュール601は露光工程を遂行前に基板(W)を処理する工程を遂行し、後処理モジュール602は露光工程以後に基板(W)を処理する工程を遂行する。前処理モジュール601と後処理モジュール602はお互いの間に層で区画されるように配置される。一例によれば、前処理モジュール601は後処理モジュール602の上部に位置される。前処理モジュール601は塗布モジュール401と等しい高さに提供される。後処理モジュール602は現像モジュール402と等しい高さに提供される。前処理モジュール601は保護膜塗布チャンバ610、ベークチャンバ620、そして、返送チャンバ630を有する。保護膜塗布チャンバ610、返送チャンバ630、そして、ベークチャンバ620は第2方向14に沿って順次に配置される。したがって、保護膜塗布チャンバ610とベークチャンバ620は返送チャンバ630を間に置いて第2方向14にお互いに離隔されるように位置される。保護膜塗布チャンバ610は複数個が提供され、お互いに層を成すように第3方向16に沿って配置される。選択的に保護膜塗布チャンバ610は第1方向12及び第3方向16にそれぞれ複数個ずつ提供されることができる。ベークチャンバ620は複数個が提供され、お互いに層を成すように第3方向16に沿って配置される。選択的にベークチャンバ620は第1方向12及び第3方向16にそれぞれ複数個ずつ提供されることができる。
【0089】
返送チャンバ630は第2バッファーモジュール500の第1冷却チャンバ530と第1方向12に並んで位置される。返送チャンバ630内には前処理ロボット632が位置される。返送チャンバ630は概して正四角または直四角の形状を有する。前処理ロボット632は保護膜塗布チャンバら610、ベークチャンバら620、第2バッファーモジュール500のバッファー520、そして、後述するインターフェースモジュール700の第1バッファー720の間に基板(W)を移送する。前処理ロボット632はハンド633、アーム634、そして、支持台635を有する。ハンド633はアーム634に固定設置される。アーム634は伸縮可能な構造及び回転可能な構造で提供される。アーム634は支持台635に沿って第3方向16に直線移動可能になるように支持台635に結合される。
【0090】
保護膜塗布チャンバ610は液浸露光時にレジスト膜を保護する保護膜を基板(W)上に塗布する。保護膜塗布チャンバ610はハウジング611、支持プレート612、そして、ノズル613を有する。ハウジング611は上部が開放されたコップ形状を有する。支持プレート612はハウジング611内に位置され、基板(W)を支持する。支持プレート612は回転可能に提供される。ノズル613は支持プレート612に置かれた基板(W)上に保護膜形成のための保護液を供給する。ノズル613は円形の管形状を有して、基板(W)の中心に保護液を供給することができる。選択的にノズル613は基板(W)の直径に相応する長さを有して、ノズル613の吐出口はスリットで提供されることができる。この場合、支持プレート612は固定された状態で提供されることができる。保護液は発泡性材料を含む。保護液はフォトレジスター及び水との親和力が低い材料が使用されることができる。例えば、保護液はフッ素系の溶剤を含むことができる。保護膜塗布チャンバ610は支持プレート612に置かれた基板(W)を回転させながら基板(W)の中心領域に保護液を供給する。
【0091】
ベークチャンバ620は保護膜が塗布された基板(W)を熱処理する。ベークチャンバ620は冷却プレート621または加熱プレート622を有する。冷却プレート621には冷却水または熱電素子のような冷却手段623が提供される。または、加熱プレート622には熱線または熱電素子のような加熱手段624が提供される。加熱プレート622と冷却プレート621は一つのベークチャンバ620内にそれぞれ提供されることができる。選択的にベークチャンバら620のうちで一部は加熱プレート622のみを具備し、他の一部は冷却プレート621のみを具備することができる。
【0092】
後処理モジュール602は洗浄チャンバ660、露光後ベークチャンバ670、そして、返送チャンバ680を有する。洗浄チャンバ660、返送チャンバ680、そして、露光後ベークチャンバ670は第2方向14に沿って順次に配置される。したがって、洗浄チャンバ660と露光後ベークチャンバ670は返送チャンバ680を間に置いて第2方向14にお互いに離隔されるように位置される。洗浄チャンバ660は複数個が提供され、お互いに層を成すように第3方向16に沿って配置されることができる。選択的に洗浄チャンバ660は第1方向12及び第3方向16にそれぞれ複数個ずつ提供されることができる。露光後ベークチャンバ670は複数個が提供され、お互いに層を成すように第3方向16に沿って配置されることができる。選択的に露光後ベークチャンバ670は第1方向12及び第3方向16にそれぞれ複数個ずつ提供されることができる。
【0093】
返送チャンバ680は上部から眺める時第2バッファーモジュール500の第2冷却チャンバ540と第1方向12に並んで位置される。返送チャンバ680は概して正四角または直四角の形状を有する。返送チャンバ680内には後処理ロボット682が位置される。後処理ロボット682は洗浄チャンバら660、露光後ベークチャンバら670、第2バッファーモジュール500の第2冷却チャンバ540、そして、後述するインターフェースモジュール700の第2バッファー730の間に基板(W)を運搬する。後処理モジュール602に提供された後処理ロボット682は前処理モジュール601に提供された前処理ロボット632と同一な構造で提供されることができる。
【0094】
洗浄チャンバ660は露光工程以後に基板(W)を洗浄する。洗浄チャンバ660はハウジング661、支持プレート662、そして、ノズル663を有する。ハウジング661は上部が開放されたコップ形状を有する。支持プレート662はハウジング661内に位置され、基板(W)を支持する。支持プレート662は回転可能に提供される。ノズル663は支持プレート662に置かれた基板(W)上に洗浄液を供給する。洗浄液としては、脱イオン水のような水が使用されることができる。洗浄チャンバ660は支持プレート662に置かれた基板(W)を回転させながら基板(W)の中心領域に洗浄液を供給する。選択的に基板(W)が回転されるうちにノズル663は基板(W)の中心領域から縁領域まで直線移動または回転移動することができる。
【0095】
露光後ベークチャンバ670は遠紫外線を利用して露光工程が遂行された基板(W)を加熱する。露光後ベーク工程は基板(W)を加熱して露光によってフォトレジストに生成された酸(acid)を増幅させてフォトレジストの性質変化を完成させる。露光後ベークチャンバ670は加熱プレート672を有する。加熱プレート672には熱線または熱電素子のような加熱手段674が提供される。露光後ベークチャンバ670はその内部に冷却プレート671をさらに具備することができる。冷却プレート671には冷却水または熱電素子のような冷却手段673が提供される。また、選択的に冷却プレート671のみを有したベークチャンバがさらに提供されることができる。
【0096】
前述したところのように露光前後処理モジュール600で前処理モジュール601と後処理モジュール602はお互いの間に完全に分離されるように提供される。また、前処理モジュール601の返送チャンバ630と後処理モジュール602の返送チャンバ680は等しい大きさで提供され、上部から眺める時お互いの間に完全に重畳されるように提供されることができる。また、保護膜塗布チャンバ610と洗浄チャンバ660はお互いに等しい大きさで提供されて上部から眺める時お互いの間に完全に重畳されるように提供されることができる。また、ベークチャンバ620と露光後ベークチャンバ670は等しい大きさで提供され、上部から眺める時お互いの間に完全に重畳されるように提供されることができる。
【0097】
インターフェースモジュール700は露光前後処理モジュール600、及び露光装置900の間に基板(W)を移送する。インターフェースモジュール700はフレーム710、第1バッファー720、第2バッファー730、そして、インターフェースロボット740を有する。第1バッファー720、第2バッファー730、そして、インターフェースロボット740はフレーム710内に位置される。第1バッファー720と第2バッファー730はお互いの間に一定距離離隔され、お互いに積層されるように配置される。第1バッファー720は第2バッファー730より高く配置される。第1バッファー720は前処理モジュール601と対応される高さに位置され、第2バッファー730は後処理モジュール602に対応される高さに配置される。上部から眺める時第1バッファー720は前処理モジュール601の返送チャンバ630と第1方向12に沿って一列に配置され、第2バッファー730は後処理モジュール602の返送チャンバ630と第1方向12に沿って一列に配置されるように位置される。
【0098】
インターフェースロボット740は第1バッファー720及び第2バッファー730と第2方向14に離隔されるように位置される。インターフェースロボット740は第1バッファー720、第2バッファー730、そして、露光装置900の間に基板(W)を運搬する。インターフェースロボット740は第2バッファーロボット560と概して類似な構造を有する。
【0099】
第1バッファー720は前処理モジュール601で工程が遂行された基板ら(W)が露光装置900に移動される前にこれらを一時的に保管する。そして、第2バッファー730は露光装置900で工程が完了された基板ら(W)が後処理モジュール602に移動される前にこれらを一時的に保管する。第1バッファー720はハウジング721と複数の支持台ら722を有する。支持台ら722はハウジング721内に配置され、お互いの間に第3方向16に沿って離隔されるように提供される。それぞれの支持台722には一つの基板(W)が置かれる。ハウジング721はインターフェースロボット740及び前処理ロボット632がハウジング721内に支持台722に基板(W)を搬入または搬出することができるようにインターフェースロボット740が提供された方向及び前処理ロボット632が提供された方向に開口(図示せず)を有する。第2バッファー730は第1バッファー720と概して類似な構造を有する。但し、第2バッファー730のハウジング4531にはインターフェースロボット740が提供された方向及び後処理ロボット682が提供された方向に開口(図示せず)を有する。インターフェースモジュールには基板(W)に対して所定の工程を遂行するチャンバの提供なしに上述したところのようにバッファーら及びロボットだけ提供されることができる。
【0100】
次には上述した基板処理設備1を利用して工程を遂行する事例を説明する。
【0101】
基板ら(W)が収納されたカセット20はロードポート100の載置台120に置かれる。ドアオープナーによってカセット20のドアが開放される。インデックスロボット220はカセット20から基板(W)を取り出して第2バッファー330に運搬する。
【0102】
第1バッファーロボット360は第2バッファー330に保管された基板(W)を第1バッファー320に運搬する。塗布部ロボット432は第1バッファー320から基板(W)を取り出して塗布モジュール401のベークチャンバ420に運搬する。ベークチャンバ420はプリベーク及び冷却工程を順次に遂行する。塗布部ロボット432はベークチャンバ420から基板(W)を取り出してレジスト塗布チャンバ410に運搬する。レジスト塗布チャンバ410は基板(W)上にフォトレジストを塗布する。以後、基板(W)上にフォトレジストが塗布されると、塗布部ロボット432は基板(W)をレジスト塗布チャンバ410からベークチャンバ420に運搬する。ベークチャンバ420は基板(W)に対してソフトベーク工程を遂行する。
【0103】
塗布部ロボット432はベークチャンバ420から基板(W)を取り出して第2バッファーモジュール500の第1冷却チャンバ530に運搬する。第1冷却チャンバ530から基板(W)に対して冷却工程が遂行される。第1冷却チャンバ530で工程が遂行された基板(W)は、第2バッファーロボット560によってエッジ露光チャンバ550に運搬される。エッジ露光チャンバ550は基板(W)の縁領域を露光する工程を遂行する。エッジ露光チャンバ550で工程が完了された基板(W)は第2バッファーロボット560によってバッファー520に運搬される。
【0104】
前処理ロボット632はバッファー520から基板(W)を取り出して前処理モジュール601の保護膜塗布チャンバ610に運搬する。保護膜塗布チャンバ610は基板(W)上に保護膜を塗布する。以後、前処理ロボット632は基板(W)を保護膜塗布チャンバ610からベークチャンバ620に運搬する。ベークチャンバ620は基板(W)に対して加熱及び冷却などのような熱処理を遂行する。
【0105】
前処理ロボット632はベークチャンバ620から基板(W)を取り出してインターフェースモジュール700の第1バッファー720に運搬する。インターフェースロボット740は第1バッファー720から露光装置900に基板(W)を運搬する。露光装置900は基板(W)の処理面に対して露光工程、例えば、液浸露光工程を遂行する。露光装置900から基板(W)に対して露光工程が完了すれば、インターフェースロボット740は露光装置900から基板(W)を第2バッファー730に運搬する。
【0106】
後処理ロボット682は第2バッファー730から基板(W)を取り出して後処理モジュール602の洗浄チャンバ660に運搬する。洗浄チャンバ660は基板(W)の表面に洗浄液を供給して洗浄工程を遂行する。洗浄液を利用した基板(W)の洗浄が完了すれば、後処理ロボット682は直ちに洗浄チャンバ660から基板(W)を取り出して露光後ベークチャンバ670に基板(W)を運搬する。露光後ベークチャンバ670の加熱プレート672から基板(W)の加熱によって基板(W)上に付着した洗浄液が除去され、これと同時にフォトレジストに生成された酸(acid)を増幅させてフォトレジストの性質変化が完成される。後処理ロボット682は露光後ベークチャンバ670から基板(W)を第2バッファーモジュール500の第2冷却チャンバ540に運搬する。第2冷却チャンバ540から基板(W)の冷却が遂行される。
【0107】
現像部ロボット482は第2冷却チャンバ540から基板(W)を取り出して現像モジュール402のベークチャンバ470に運搬する。ベークチャンバ470はポストベーク及び冷却工程を順次に遂行する。現像部ロボット482はベークチャンバ470から基板(W)を取り出して現象チャンバ460に運搬する。現象チャンバ460は基板(W)上に現像液を供給して現像工程を遂行する。以後、現像部ロボット482は基板(W)を現象チャンバ460からベークチャンバ470に運搬する。ベークチャンバ470は基板(W)に対してハードベーク工程を遂行する。
【0108】
現像部ロボット482はベークチャンバ470から基板(W)を取り出して第1バッファーモジュール300の冷却チャンバ350に運搬する。冷却チャンバ350は基板(W)を冷却する工程を遂行する。インデックスロボット360は冷却チャンバ350から基板(W)をカセット20に運搬する。これと異なり、現像部ロボット482はベークチャンバ470から基板(W)を取り出して第1バッファーモジュール300の第2バッファー330に運んで、以後インデックスロボット360によってカセット20に運搬されることができる。
【符号の説明】
【0109】
1100 洗浄部材
1120 第1前処理ノズル
1140 締結部材
1200 塗布部材
1220 支持ボディー
1240 第2前処理ノズル
1260 塗布ノズル