特開 2023-98566 積層セラミックキャパシタ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023098566

(43)【公開日】2023-07-10

(54)【発明の名称】積層セラミックキャパシタ

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20230703BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201N

H01G4/30 201L

H01G4/30 512

H01G4/30 515

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022107787

(22)【出願日】2022-07-04

(31)【優先権主張番号】10-2021-0190033

(32)【優先日】2021-12-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ジェオン、ジョン ミョン

(72)【発明者】

【氏名】リー、キ ヨン

(72)【発明者】

【氏名】キム、ジン ウー

(72)【発明者】

【氏名】チョイ、チャン ハク

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC10

5E001AE02

5E001AE03

5E001AE04

5E001AH01

5E001AH05

5E001AH06

5E001AH07

5E001AH09

5E001AJ01

5E082AB03

5E082BC19

5E082BC40

5E082EE04

5E082EE23

5E082EE26

5E082EE35

5E082FG04

5E082FG26

5E082FG54

5E082GG10

5E082GG26

5E082LL02

5E082LL03

5E082MM24

5E082PP03

5E082PP09

(57)【要約】      （修正有）

【課題】耐湿信頼性及び電気的特性を向上する積層セラミックキャパシタを提供する。
【解決手段】積層セラミックキャパシタ１００は、誘電体層１１１を含み、互いに対向する第１面及び第２面と、第１面１及び第２面２を連結する第３面３及び第４面４と、第１面～第４面と連結され、互いに対向する第５面５及び第６面６を含むセラミック本体１１０と、セラミック本体の内部に配置され、第１面及び第２面に露出し、第３面又は第４面に一端が露出する複数の内部電極１２１、１２２と、第１面及び第２面に露出した内部電極の端部上に配置された第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３と、を含む。セラミック本体は、誘電体層を間に挟んで互いに対向するように配置される複数の内部電極を含んで容量が形成される活性部と、を含み、活性部のサイドマージン部近傍領域における平均Ｓｎ含量は、活性部の中心領域における平均Ｓｎ含量より大きい。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層を含み、互いに対向する第１面及び第２面と、前記第１面及び第２面を連結する第３面及び第４面と、前記第１面～第４面と連結され、互いに対向する第５面及び第６面を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体の内部に配置され、前記第１面及び第２面に露出し、前記第３面又は第４面に一端が露出する複数の内部電極と、
前記第１面及び第２面に露出した前記内部電極の端部上に配置された第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部と、
前記セラミック本体は、前記誘電体層を間に挟んで互いに対向するように配置される複数の内部電極を含んで容量が形成される活性部と、を含み、
前記活性部のサイドマージン部近傍領域における平均Ｓｎ含量は、前記活性部の中心領域における平均Ｓｎ含量より大きい、積層セラミックキャパシタ。

【請求項2】

前記第１サイドマージン部から前記第２サイドマージン部までの最短距離をｔとするとき、
前記活性部の前記サイドマージン部近傍領域は、前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部のいずれか一つと、前記活性部との間の界面からｔ／１０となる地点までの領域を示し、
前記活性部の中心領域は、前記サイドマージン部近傍領域を除いた領域を示す、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項3】

前記活性部の前記サイドマージン部近傍領域における平均Ｄｙ含量は、前記活性部の中心領域における平均Ｄｙ含量より小さい、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項4】

前記活性部の前記サイドマージン部近傍領域におけるＤｙ／Ｓｎのモル比率は１．７４以下である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項5】

前記活性部の中心領域のうち、前記誘電体層における平均Ｓｎ含量は、前記誘電体層の主成分であるチタン酸バリウム１００モルに対して０．７５モル以上である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項6】

前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部はＳｎを含む、請求項１から５の何れか１つに記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項7】

第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部の平均厚さは２～１５μｍである、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項8】

前記第１サイドマージン部及び前記第２サイドマージン部における平均Ｓｎ含量は、前記第１サイドマージン部及び前記第２サイドマージン部の主成分であるチタン酸バリウム１００モルに対して１．０モル以上である、請求項６に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項9】

前記第１サイドマージン部及び前記第２サイドマージン部における平均Ｓｎ含量は、前記活性部の誘電体層における平均Ｓｎ含量に対して１～３倍である、請求項６に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項10】

前記第１サイドマージン部及び前記第２サイドマージン部における平均Ｓｎ含量は、前記活性部の誘電体層における平均Ｓｎ含量に対して１～１．５倍である、請求項６に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項11】

前記活性部の中心領域のうち、誘電体層におけるＳｎ及びＤｙの平均合計含量は、誘電体層の主成分であるチタン酸バリウム１００モルに対して２モル以上である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項12】

活性部の誘電体層における平均Ｓｎ含量は、誘電体層の主成分であるチタン酸バリウム１００モルに対して０．８モル以上である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項13】

下記関係式１を満たす、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
［関係式１］
Ｗ１＜Ｗ２＜Ｗ３
（前記関係式１において、前記第１サイドマージン部から前記第２サイドマージン部までの最短距離をｔとするとき、Ｗ１は、前記第１サイドマージン部及び前記第２サイドマージン部のいずれか一つと、前記活性部との間の界面からｔ／２となる地点におけるＳｎ含量を示す。また、Ｗ２は、前記第１サイドマージン部及び前記第２サイドマージン部のいずれか一つと、前記活性部との間の界面からｔ／１０となる地点におけるＳｎ含量を示す。また、Ｗ３は、前記第１サイドマージン部及び前記第２サイドマージン部のいずれか一つと前記活性部との間の界面におけるＳｎ含量を示す。）

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層セラミックキャパシタに関するものである。

【背景技術】

【0002】

積層電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、ＭＬＣＣ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話など、様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。

【0003】

このような積層セラミックキャパシタは、電子機器の電子回路内でブロッキング（ｂｌｏｃｋｉｎｇ）、カップリング（ｃｏｕｐｌｉｎｇ）、デカップリング（ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ）、電流分離及びエネルギー貯蔵など、様々な役割を果たす素子であって、小型化及び高性能化の要求が多く、技術的な競争が深化している。

【0004】

様々な役割を果たす積層セラミックキャパシタは、小型化及び高性能化しながらも、より安定した動作を必要とする。したがって、上述の要求を満たすために耐湿信頼性及び電気的特性の向上した積層セラミックキャパシタの開発が必要な実情であるが、これまでにこのような高度な要求を全て満たす技術は開発されていなかった。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明のいくつかの目的の一つは、積層セラミックキャパシタの耐湿信頼性及び電気的特性を向上させることである。ただし、本発明の目的は、上述の内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一実施形態は、誘電体層を含み、互いに対向する第１面及び第２面と、上記第１面及び第２面を連結する第３面及び第４面と、上記第１面～第４面と連結され、互いに対向する第５面及び第６面を含むセラミック本体と、
上記セラミック本体の内部に配置され、上記第１面及び第２面に露出し、上記第３面又は第４面に一端が露出する複数の内部電極と、
上記第１面及び第２面に露出した上記内部電極の端部上に配置された第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部と、
上記セラミック本体は、上記誘電体層を間に挟んで互いに対向するように配置される複数の内部電極を含んで容量が形成される活性部と、を含み、
上記活性部の上記サイドマージン部近傍領域における平均Ｓｎ含量は、上記活性部の中心領域における平均Ｓｎ含量より大きい、積層セラミックキャパシタを提供する。

【発明の効果】

【0007】

本発明のいくつかの効果の一つは、耐湿信頼性及び電気的特性に優れた積層型電子部品を提供することである。ただし、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。

【図2】図１のセラミック本体の外観を示す斜視図である。

【図3】図２のセラミック本体の焼成前のセラミックグリーンシート積層本体を示す斜視図である。

【図4】図２のＩ－Ｉ'線に沿った断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下では、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために誇張することができ、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。

【0010】

そして、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、複数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示しており、同一の思想の範囲内での機能が同一である構成要素については同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0011】

図面において、Ｌ方向は第１方向又は長さ方向、Ｗ方向は第２方向又は幅方向、Ｔ方向は第３方向、厚さ方向又は積層方向と理解することができるが、これに限定されるものではない。

【0012】

積層セラミックキャパシタ
図１は、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図であり、図２は、図１のセラミック本体の外観を示す斜視図であり、図３は、図２のセラミック本体の焼成前のセラミックグリーンシート積層本体を示す斜視図であり、図４は、図２のＩ－Ｉ'線に沿った断面図である。

【0013】

以下では、図１～図４を参照して、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタについて詳細に説明する。

【0014】

本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ１００は、セラミック本体１１０、セラミック本体１１０の内部に形成される複数の内部電極１２１、１２２及びセラミック本体１１０の外表面に形成される外部電極１３１、１３２を含む。

【0015】

上記セラミック本体１１０は、互いに対向する第１面１及び第２面２と、上記第１面及び第２面を連結する第３面３及び第４面４と、上記第１面～第４面と連結され、互いに対向する第５面５及び第６面６とを含む。第１面１及び第２面２は、セラミック本体１１０の幅方向Ｗに相対する面と定義することができ、第３面３及び第４面４は長さ方向Ｌに相対する面と定義することができ、第５面５及び第６面６は厚さ方向Ｔに相対する面と定義することができる。

【0016】

セラミック本体１１０の具体的な形状に特に限定はないが、図示のように、セラミック本体１１０は、六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程でセラミック本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、セラミック本体１１０は、完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

【0017】

セラミック本体１１０は、複数の内部電極１２１、１２２及び上記複数の内部電極の間に配置された誘電体層１１１を含む。上記本体において、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２は交互に積層されている。セラミック本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１の間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

【0018】

本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り特に限定されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。上記チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３又はＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３等が挙げられる。

【0019】

上記誘電体層１１１を形成する材料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などのパウダーに、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。

【0020】

内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と厚さ方向（Ｚ方向）に交互に配置されてもよい。内部電極は、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができる。第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４に第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の一端がそれぞれ露出することができる。第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、互いに異なる極性を有する第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を一対とすることができる。

【0021】

図３を参照すると、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出し、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。すなわち、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、それぞれ本体の長さ方向（Ｘ方向）の両端面である第３面３及び第４面４に交番して露出し、セラミック本体１１０の第３面３には第１外部電極１３１が形成されて、第１内部電極１２１と電気的に連結されることができる。また、セラミック本体１１０の第４面４には第２外部電極１３２が形成されて、第２内部電極１２２と電気的に連結されることができる。

【0022】

したがって、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２と連結される。したがって、第１内部電極１２１は第４面４から一定距離離隔して形成され、第２内部電極１２２は第３面３から一定距離離隔して形成される。このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されてもよい。

【0023】

第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を形成する材料は特に限定されず、例えば、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム－銀（Ｐｄ－Ａｇ）合金等の貴金属材料、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）のうち一つ以上の物質からなる導電性ペーストを使用して形成することができる。上記導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができ、本発明はこれに限定されるものではない。

【0024】

本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ１００は、上記セラミック本体１１０の内部に配置され、上記第１面１及び第２面２に露出し、上記第３面３又は第４面４に一端が露出する複数の内部電極１２１、１２２と、上記第１面１及び第２面２に露出した上記内部電極の端部上に配置された第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３と、を含む。

【0025】

セラミック本体１１０の内部には複数の内部電極１２１、１２２が形成されており、複数の内部電極１２１、１２２の各末端はセラミック本体１１０の幅方向Ｗの面である第１面１及び第２面２に露出し、露出した端部上に第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３がそれぞれ配置される。すなわち、セラミック本体１１０は、複数の誘電体層１１１が積層された積層体と、上記積層体の幅方向Ｗの両側面に配置される第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３で構成されることができる。

【0026】

本発明の一実施形態によると、セラミック本体１１０の長さは、セラミック本体の第３面３から第４面４までの距離に該当する。これに限定されるものではないが、セラミック本体の長さは３００～１４００μｍであってもよい。上記誘電体層１１１上に内部電極１２１、１２２が形成されることができ、内部電極１２１、１２２は焼結によって一誘電体層を間に挟んで、セラミック本体１１０の内部に形成されることができる。

【0027】

図３を参照すると、誘電体層１１１上に第１内部電極１２１が形成されている。上記第１内部電極１２１は、誘電体層の長さ方向Ｌに対しては全体的に形成されない。すなわち、第１内部電極１２１の一端はセラミック本体の第４面４から所定の間隔をおいて形成されることができ、第１内部電極１２１の他端は第３面３まで形成されて第３面３に露出することができる。

【0028】

セラミック本体１１０の第３面３に露出した第１内部電極１２１の端部は第１外部電極１３１と連結される。第１内部電極とは逆に、第２内部電極１２２の一端は第３面３から所定の間隔をおいて形成され、第２内部電極１２２の他端は第４面４に露出して第２外部電極１３２と連結される。上記内部電極は、高容量の積層セラミックキャパシタを実現するために２００層以上積層されてもよいが、必ずしもこれに限定されるものではない。

【0029】

上記誘電体層１１１は、第１内部電極１２１の幅と同じ幅を有することができる。すなわち、上記第１内部電極１２１は、誘電体層１１１の幅方向Ｗに対しては全体的に形成されることができる。これに限定されるものではないが、本発明の一実施形態によると、誘電体層の幅及び内部電極の幅は１００～９００μｍであってもよい。

【0030】

このようなセラミック本体１１０は、キャパシタの容量形成に寄与する部分として、活性部Ａを含む。すなわち、上記活性部は、上記誘電体層を間に挟んで互いに対向するように配置される複数の内部電極を含んで容量が形成される。また、セラミック本体１１０は、上述した活性部Ａとともに、上部カバー部１４１及び下部カバー部１４２で構成されることができる。

【0031】

上部カバー部１４１及び下部カバー部１４２は、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を活性部の積層方向Ｔに上下面にそれぞれ積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。したがって、上部カバー部１４１及び下部カバー部１４２は、内部電極を含まないことを除いては、誘電体層１１１と同じ材料及び構成を有することができる。

【0032】

すなわち、上部カバー部１４１及び下部カバー部１４２はセラミック材料を含むことができ、一例としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。なお、上部カバー部１４１及び下部カバー部１４２は、それぞれ２０μｍ以下の厚さを有してもよいが、必ずしもこれに限定されるものではない。

【0033】

一方、近年、小型化及び高容量化の要求が深化するにつれて、積層セラミックキャパシタは安定した性能を実現することが重要な課題となった。そこで、本発明者らは、積層セラミックキャパシタの耐湿信頼性に加えて、電気的特性までも改善すべく鋭意研究を重ねた結果、積層セラミックキャパシタの活性部Ａ内のＳｎ成分の挙動が重要な要素であることを見出し、本発明を完成するに至った。

【0034】

具体的に、一つの誘電体内のグレイン（ｇｒａｉｎ）においてもＳｎの拡散が行われるが、本発明では、セラミック本体の容量形成に寄与する部分である活性部ＡにおいてＳｎ成分の全般的な拡散挙動が積層セラミックキャパシタの特性に重要な影響を及ぼすことが分かった。また、上述した活性部ＡへのＳｎの添加に加えて、第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３にもＳｎを添加したとき、耐湿信頼性及びＩＲ散布が改善されることによって、全般的な積層セラミックキャパシタ内でＳｎ拡散挙動の変化は電気的特性及び信頼性の変化を引き起こすことを確認した。

【0035】

まず、活性部Ａ内におけるＳｎ成分の拡散挙動について説明する。本発明の一実施形態によると、上記活性部Ａは、図４に示すように、サイドマージン部近傍領域Ａｉと、活性部の中心領域Ａｃとを含む。この際、上記第１サイドマージン部１１２から上記第２サイドマージン部１１３までの最短距離をｔとするとき、上記活性部の上記サイドマージン部近傍領域Ａｉは上記第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３のいずれか一つと、上記活性部Ａとの間の界面からｔ／１０となる地点までの領域を意味することができる。

【0036】

また、活性部の中心領域Ａｃは、上記サイドマージン部近傍領域Ａｉを除いた領域を示すことができる。したがって、活性部の中心領域Ａｃは、上記第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３のいずれか一つからｔ／１０となる地点から、９ｔ／１０となる地点までの領域を意味することができる。

【0037】

一方、積層セラミックキャパシタの誘電体内にＳｎを添加すると、グレイン（ｇｒａｉｎ）内にＳｎとＤｙの高濃度シェル（ｓｈｅｌｌ）層が存在するようになる。このようなシェル層に存在するＳｎ及びＤｙ等は、全般的な誘電体の粒成長制御によって、粒界（ｇｒａｉｎ ｂｏｎｄａｒｙ）の量を増加させて粒界抵抗を高め、ＢａＴｉＯ_３として存在するコア層と、Ｓｎ及びＤｙがドーピングされたＢａＴｉＯ_３であるシェル層におけるショットキー障壁の大きさの増加により信頼性を向上させる。

【0038】

ところで、第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部へのＳｎの添加は、積層セラミックキャパシタの活性部におけるＳｎ成分の拡散挙動を変化させ、これは、活性部内のＳｎ含量を一定レベル以上に保持させることによって、信頼性及びＩＲ散布を改善させる。

【0039】

本発明者らは鋭意研究を行った結果、サイドマージン部１１２、１１３に隣接した活性部内のサイドマージン部近傍領域ＡｉにおいてＳｎ含量が高いとき、耐湿信頼性が向上することを見出した。具体的に、Ｓｎをサイドマージン部形成のための母材であるギャップシート（ｇａｐ ｓｈｅｅｔ）に添加する場合、サイドマージン部からＳｎが活性部に拡散し、活性部の中心領域Ａｃから活性部の上記サイドマージン部近傍領域Ａｉに向かうほど、Ｓｎ含量が漸進的に増加する形態の濃度勾配が生じる。

【0040】

このように、活性部内の幅方向Ｗに、中心領域Ａｃからサイドマージン部近傍領域Ａｉに向かうほど、Ｓｎ含量が漸進的に増加する濃度勾配が形成されることにより、格子定数の差も漸進的に増加して界面の歪み（ｓｔｒａｉｎ）が大きくならないように制御される。さらに、Ｓｎは粒成長制御効果を有するため、粒界が多く生成され、これによる歪みの減少の影響により、活性部とサイドマージン部との結合が良好に形成される。これにより、積層セラミックキャパシタ内の水分浸透経路が減少し、耐湿信頼性が向上すると判断される。

【0041】

これに対し、相対的にサイドマージン部にＳｎを添加しない場合、前述のサイドマージン部にＳｎを添加した場合とは活性部内での位置別Ｓｎ含量が異なる様相を示すが、これはＳｎの拡散挙動が逆に作用するためである。したがって、サイドマージン部形成のための母材であるギャップシートにＳｎを添加しない場合には、ギャップシートへのＳｎ添加時とは逆に、活性部の中心領域Ａｃからサイドマージン部近傍領域Ａｉに向かうほど、漸進的にＳｎ含量が減少するようになる。

【0042】

このように、活性部の幅方向Ｗに、中心領域Ａｃからサイドマージン部近傍領域Ａｉに向かうほど、Ｓｎ含量が漸進的に減少すると、活性部とサイドマージン部との界面領域で相対的にＤｙがＳｎに比べて多量を占めることで、格子定数の差が発生するようになる。したがって、相対的に粒成長が多くなされるため、粒界の数が減少し、これによる歪み緩和（ｓｔｒａｉｎ ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ）の効果も少なくなる。これにより、積層セラミックキャパシタ内の水分浸透経路が相対的に多く生成され、耐湿信頼性が良くないと判断される。

【0043】

さらに、ＩＲ散布の観点から見ても、サイドマージン部にＳｎを添加すると同時に、活性部へのＳｎ拡散を一定レベル以上に保持するように制御することにより、シェル層においてＳｎがショットキー障壁を一定レベルに保持させるため散布が少なくなる。

【0044】

これに対し、サイドマージン部にＳｎを添加しなかった場合には、活性部内の誘電体のＳｎがサイドマージン部側方向に一定レベルに拡散し、内部電極の界面側にも拡散するため、誘電体内のＳｎ含量が減少してシェル層においてＳｎの影響性が減少するため、散布が大きくなる。

【0045】

したがって、本発明では、活性部内でのＳｎ含量を一定レベル以上に制御することを特徴としており、具体的には、活性部Ａの上記サイドマージン部近傍領域Ａｉにおける平均Ｓｎ含量を上記活性部の中心領域Ａｃにおける平均Ｓｎ含量より大きく制御する。このように、サイドマージン部１１２、１１３にＳｎを添加するほかにも、活性部Ａ内でのＳｎ拡散挙動を制御することで、耐湿信頼性だけでなく、ＩＲ散布までも同時に改善可能である。

【0046】

一方、本発明の一実施形態によると、上記積層セラミックキャパシタは、下記関係式１を満たすことができる。下記関係式１のように、活性部内で、幅方向Ｗに中心領域Ａｃからサイドマージン部近傍領域Ａｉに向かうほど、Ｓｎ含量が漸進的に高く示されることによって、前述と同様の機作により、耐湿信頼性と同時に、ＩＲ散布を改善することができる。

【0047】

［関係式１］
Ｗ１＜Ｗ２＜Ｗ３
（上記関係式１において、上記第１サイドマージン部から上記第２サイドマージン部までの最短距離をｔとするとき、Ｗ１は、上記第１サイドマージン部１１２及び上記第２サイドマージン部のいずれか一つと、上記活性部との間の界面からｔ／２となる地点におけるＳｎ含量を示す。また、Ｗ２は、上記第１及び第２サイドマージン部のいずれか一つと、上記活性部との間の界面からｔ／１０となる地点におけるＳｎ含量を示す。また、Ｗ３は、上記第１サイドマージン部１１２及び上記第２サイドマージン部のいずれか一つと活性部との間の界面におけるＳｎ含量を示す。）

【0048】

本発明の一実施形態によると、上記活性部の上記サイドマージン部近傍領域Ａｉにおける平均Ｄｙ含量は、上記活性部の中心領域Ａｃにおける平均Ｄｙ含量より小さくてもよい。一方、本発明者らは、特に限定するものではないが、活性部の幅方向ＷにＤｙの拡散挙動がＳｎと反対の様相を示すことが分かった。すなわち、活性部の中心領域Ａｃから活性部の上記サイドマージン部近傍領域Ａｉに向かうほど、Ｄｙ含量が漸進的に減少し、これを満たすことで耐湿信頼性及び電気的特性をより改善することができる。

【0049】

また、本発明の一実施形態によると、本発明者らは更なる研究を行い、積層セラミックキャパシタの性能改善のために、活性部の上記サイドマージン部近傍領域Ａｉにおける前述のＳｎとＤｙの比率を制御することも重要な要素であることが更に分かった。すなわち、活性部Ａのサイドマージン部近傍領域ＡｉにおけるＤｙ／Ｓｎのモル比率は１．７４以下（あるいは、０超過１．７４以下）であってもよい。

【0050】

また、本発明の一実施形態によると、上記活性部の中心領域Ａｃのうち、上記誘電体層における平均Ｓｎ含量は、上記誘電体層の主成分であるチタン酸バリウム１００モルに対して０．７５モル以上（又は、０．７５～１．４モル）であってもよい。あるいは、上記活性部の中心領域Ａｃのうち、誘電体層におけるＳｎ及びＤｙの平均合計含量は、誘電体層の主成分であるチタン酸バリウム１００モルに対して２モル以上であってもよい。これを満たすことにより、ＩＲ散布が減少し、電気的特性をより改善することができる。

【0051】

一般的な積層セラミックキャパシタの場合には、内部電極が互いに重なって容量を形成する活性部と、内部電極が重ならないか又は内部電極未形成部であるマージン部とを含むセラミック本体を作製する。したがって、活性部及び内部電極未形成部について、同じ誘電体組成を有するセラミックグリーンシートを積層して形成するため、活性部の誘電体組成とマージン部の誘電体組成とが同一であることが一般的である。

【0052】

そのため、このような従来の積層セラミックキャパシタの場合、同じ誘電体組成を有するセラミックグリーンシートを積層して活性部とマージン部を含むセラミック本体を作製するため、両領域の誘電体組成が異なるように適用することができない構造である。

【0053】

ところで、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを実現するためには、積層セラミックキャパシタの製造において、図３に示すように、内部電極が本体の幅方向に露出するように設計することにより、マージンのない設計を通じて内部電極の幅方向Ｗの面積を極大化する。ただし、本発明による積層セラミックキャパシタを製造する際、このようなチップ作製後、焼成前の段階でチップの幅方向Ｗの電極露出面にマージン部１１２、１１３を別途に付着して完成する方法を適用する。

【0054】

しかし、上述したように、積層セラミックキャパシタを作製する場合、従来は、サイドマージン部形成用誘電体組成をセラミック本体の誘電体組成と差別化せずに、セラミック本体の誘電体組成物をそのまま使用していた。したがって、従来技術では、サイドマージン部とセラミック本体の両領域において誘電体組成は同一であり、異なるように適用されていなかった。

【0055】

あるいは、サイドマージン部形成用誘電体組成は異なるように適用しても、従来技術では活性部の誘電体層はＳｎを含まないか、含んだとしても極少量のみを含んでいた。しかし、本発明者らは、従来技術のように、活性部の誘電体層がＳｎを含まないか、極小量を含む場合には、確保可能な信頼性レベルにおいて限界があることが分かった。

【0056】

そこで、本発明では、サイドマージン部だけでなく、活性部の中心領域Ａｃのうち、誘電体層においてもＳｎを０．６モル以上に多量含むように積極的に制御することにより、むしろ耐湿信頼性だけでなく、電気的特性までも改善することができる。

【0057】

上記第１面１及び第２面２に露出した上記内部電極１２１、１２２の端部上に第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３が配置されることができる。したがって、内部電極１２１、１２２の末端の露出したセラミック本体１１０の幅方向Ｗの一側面である第１面１に第１サイドマージン部１１２が配置されることができ、幅方向Ｗのさらに他の一側面である第２面２に第２サイドマージン部１１３が配置されることができる。

【0058】

第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３は、図４に示すように、セラミック本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面において、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の両端とセラミック本体１１０の境界面の間の領域を意味することができる。

【0059】

第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。このような第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３の形成方法としては、内部電極１２１、１２２と誘電体層１１１を積層した後、内部電極１２１、１２２がセラミック本体の第１及び第２面１、２に露出するように切断する。次いて、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を活性部の両側面に幅方向Ｗに積層して第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３を形成することができる。したがって、本発明の一実施形態において、内部電極と誘電体層は同時に切断されて形成されるため、内部電極の幅と誘電体層の幅は同様に形成されることができる。

【0060】

本実施形態において、誘電体層の幅は内部電極の幅と同様に形成され、これによりセラミック本体１１０の幅方向の第１面及び第２面１、２に内部電極１２１、１２２の末端が露出することができる。

【0061】

一方、本発明の一実施形態によると、上記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部はＳｎを含むことができる。上述したように、活性部Ａ内での幅方向ＷへのＳｎ拡散挙動には、サイドマージン部１１２、１１３へのＳｎ添加の有無が重要な要素である。したがって、本発明の一実施形態では、製造過程中に、サイドマージン部形成用母材であるギャップシートにＳｎを添加することにより、サイドマージン部１１２、１１３にＳｎを含むことができる。

【0062】

本発明の一実施形態によると、上記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部における平均Ｓｎ含量は、上記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部の主成分であるチタン酸バリウム１００モルに対して１．０モル以上（あるいは、１．０～３．０モル）であってもよい。サイドマージン部１１２、１１３へのＳｎ添加は、活性部内のＳｎ拡散挙動に影響を及ぼすため、目的とする耐湿信頼性及び電気的特性の改善のために上述の適正範囲に制御することができる。

【0063】

また、本発明の一実施形態によると、活性部Ａの誘電体層における平均Ｓｎ含量は、誘電体層の主成分であるチタン酸バリウム１００モルに対して１．０モル以上であってもよい。これを満たすことにより、積層セラミックキャパシタの電気的信頼性をより改善することができる。このとき、活性部Ａの誘電体層における平均Ｓｎ含量は、活性部の全領域のうち誘電体層におけるＳｎ含量の平均値を意味する。

【0064】

したがって、活性部Ａの誘電体層における平均Ｓｎ含量を測定する際には、活性部の中心領域Ａｃや活性部の上記サイドマージン部近傍領域Ａｉのいずれか一つのみに限定されず、活性部の中心領域Ａｃ及び活性部の上記サイドマージン部近傍領域Ａｉを共に含む全領域におけるＳｎ含量の平均値を求めることができる。

【0065】

したがって、一例として、活性部Ａの誘電体層における平均Ｓｎ含量の測定は、積層セラミックキャパシタの活性部が観察されるように、幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面において、全長さｔを基準に幅方向Ｗの同一線上の等間隔で１０個の地点でＳｎ含量を測定し、Ｓｎ含量の平均値を求めることができる。

【0066】

本発明の一実施形態によると、上記第１サイドマージン部及び上記第２サイドマージン部における平均Ｓｎ含量は、上記活性部の誘電体層における平均Ｓｎ含量に対して１～３倍であってもよい。これを満たすことにより、電気的信頼性及び耐湿信頼性をより強化することができる。

【0067】

あるいは、本発明の一実施形態によると、上記積層セラミックキャパシタにおいて、誘電体層が４００ｎｍ以下の薄膜型である場合には、上記第１サイドマージン部１１２及び上記第２サイドマージン部における平均Ｓｎ含量は、上記活性部Ａのうち誘電体層における平均Ｓｎ含量に対して１～１．５倍であるとき、電気的安定性及びＩＲ散布改善の電気的特性が強化し、耐湿信頼性も向上することができる。

【0068】

これに限定されるものではないが、第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３の平均厚さは１５μｍ以下であってもよい。第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３の平均厚さが小さいほど、相対的にセラミック本体内に形成される内部電極の重なり面積が広くなることができる。したがって、上述した第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３の平均厚さの範囲を満たすことで、容量を形成する内部電極の重なり面積を最大に確保することにより、高容量及び小型の積層セラミックキャパシタを実現することができる。

【0069】

第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３の平均厚さの下限は、セラミック本体１１０の側面に露出する内部電極のショートを防止可能な平均厚さを有すれば特に限定されないが、例えば、第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３の平均厚さは２μｍ以上であってもよい。

【0070】

一方、上記第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３の平均厚さは、図４のように、セラミック本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した後、第１面及び第２面に垂直な方向に測定された上記第１サイドマージン部１１２及び上記第２サイドマージン部の厚さの平均値を意味することができる。

【0071】

積層セラミックキャパシタの容量を極大化するために誘電体層を薄膜化する方法、薄膜化した誘電体層を高積層化する方法、内部電極のカバレッジを向上させる方法、あるいは容量を形成する内部電極の重なり面積を向上させる方法などが考えられている。これらのうち、内部電極の重なり面積を向上させるためには、内部電極が形成されていないマージン部領域を最小化しなければならない。特に、積層セラミックキャパシタが小型化するほど、内部電極の重なり領域を増やすためにはマージン部領域を最小化する必要がある。

【0072】

したがって、本実施形態によると、誘電体層の幅方向全体に内部電極が形成され、サイドマージン部の厚さが１５μｍ以下に設定されて内部電極の重なり面積が広いという特徴を有する。一般に、誘電体層が高積層化するほど、誘電体層及び内部電極の厚さは薄くなる。したがって、内部電極がショートする現象が頻繁に発生する可能性がある。また、誘電体層の一部にのみ内部電極が形成される場合、内部電極による段差が発生して絶縁抵抗の加速寿命や信頼性が低下する可能性がある。

【0073】

しかし、本実施形態によると、薄膜の内部電極及び誘電体層を形成しても、内部電極が誘電体層の幅方向に対して全体的に形成されるため、内部電極の重なり面積が大きくなって積層セラミックキャパシタの容量を大きくすることができる。また、内部電極による段差を減少させて絶縁抵抗の加速寿命が向上し、容量特性に優れながらも信頼性に優れた積層セラミックキャパシタを提供することができる。

【0074】

外部電極１３１、１３２はセラミック本体１１０に配置され、内部電極１２１、１２２と連結される。図３に示すように、セラミック本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結された第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。

【0075】

本実施形態では、積層セラミックキャパシタ１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

【0076】

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに、多層構造を有してもよい。

【0077】

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層及び電極層上に形成されためっき層を含むことができる。すなわち、電極層は、導電性金属及びガラスを含むことができ、具体的に、導電性金属及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極であってもよく、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。

【0078】

また、電極層は、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であってもよい。また、電極層は、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、又は焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。電極層に含まれる導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を使用することができるが、特に限定されない。例えば、導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）及びそれらの合金のうち一つ以上であってもよい。

【0079】

めっき層は実装特性を向上させる役割を果たす。めっき層の種類は特に限定されず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ及びこれらの合金のうち一つ以上を含むめっき層であってもよく、複数の層で形成されてもよい。

【0080】

めっき層に対するより具体的な例を挙げると、めっき層は、Ｎｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、特にＳｎめっき層であってもよい。あるいは、めっき層は、電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよい。また、めっき層は、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含んでもよい。

【0081】

積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。ただし、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、０４０２（長さ×幅、０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品１００であるとき、本発明による信頼性向上効果がより顕著になることができる。

【0082】

したがって、製造誤差、外部電極のサイズなどを考慮すると、積層型電子部品１００の長さが０．４４ｍｍ以下、幅が０．２２ｍｍ以下である場合、本発明による信頼性向上効果がより顕著になることができる。ここで、積層型電子部品１００の長さは、積層型電子部品１００の第２方向の最大サイズを意味し、積層型電子部品１００の幅は、積層型電子部品１００の第３方向の最大サイズを意味することができる。

【0083】

以下では、実施形態によって本発明をより具体的に説明する。ただし、下記の実施形態は、例示を通じて本発明を説明するためのものであり、本発明の権利範囲を限定するためのものではないことに留意する必要がある。本発明の権利範囲は、特許請求の範囲に記載された事項及びこれにより合理的に類推される事項によって決定されるものであるからである。

【0084】

（実験例１）
Ｓｎを含むセラミックペーストを形成し、これを用いてＰＥＴフィルム上にセラミックグリーンシートを形成し、このようなセラミックグリーンシート上にＮｉ内部電極ペーストを印刷して交互に積層して積層体を形成した。上記積層体において、内部電極がセラミック本体の第１面及び第２面に露出するように切断した。次いで、Ｓｎの添加の有無が異なるギャップシート（ｇａｐ ｓｈｅｅｔ）を製造した後、上記露出した切断面上に（すなわち、幅方向Ｗに両側面上に）積層した。

【0085】

その後、焼成の時間及び強度を制御し、下記表１の条件を満たすように調節することにより、積層セラミックキャパシタを製造した。次いて、図４のように、積層セラミックキャパシタを幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向の断面が観察されるように切断した断面試片を製造し、上記断面試片に対する下記表１の値を測定して記載した。

【0086】

このとき、各試片について、誘電体層の主成分であるチタン酸バリウム１００モルに対する活性部の誘電体層（Ａｃ及びＡｉ領域を共に含む）における平均Ｓｎ含量は、上記断面試片の活性部の幅方向の誘電体層全体において、幅方向（Ｗ方向）に同一線上に等間隔で１０個の地点におけるＳｎ含量をＴＥＭ－ＥＤＳを用いて測定した後、平均値を求めた。

【0087】

また、各試片について、第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部の主成分であるチタン酸バリウム１００モルに対する第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部における平均Ｓｎ含量は、上記断面試片の第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部に対して、幅方向（Ｗ方向）に同一線上に等間隔で１０個の地点におけるＳｎ含量をＴＥＭ－ＥＤＳを用いて測定した後、平均値を求めた。

【0088】

なお、各試片について、誘電体層の主成分であるチタン酸バリウム１００モルに対する活性部の中心領域Ａｃにおける平均Ｓｎ含量及び平均Ｄｙ含量は、上記断面試片の活性部の中心領域Ａｃ（第１サイドマージン部１１２から第２サイドマージン部１１３までの最短距離をｔとするとき、上記第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３のいずれか一つからｔ／１０となる地点から、９ｔ／１０となる地点までの領域）のうち、誘電体層において幅方向Ｗに同一線上に等間隔で１０個の地点におけるＳｎ及びＤｙの各成分に対する含量をＴＥＭ－ＥＤＳを用いて測定した後、平均値を求めた。

【0089】

また、各試片について、誘電体層の主成分であるチタン酸バリウム１００モルに対する活性部の上記サイドマージン部近傍領域Ａｉにおける平均Ｓｎ含量及びＤｙ含量は、上記断面試片の活性部の上記サイドマージン部近傍領域Ａｉ（第１サイドマージン部１１２から第２サイドマージン部１１３までの最短距離をｔとするとき、第１サイドマージン部１１２及び第２サイドマージン部１１３のいずれか一つと、上記活性部Ａとの間の界面からｔ／１０となる地点までの領域）のうち、誘電体層において幅方向Ｗに同一線上に等間隔で１０個の地点における各成分Ｓｎ及びＤｙに対する含量をＴＥＭ－ＥＤＳを用いて測定した後、平均値を求めた。

【0090】

また、各試片について、第１サイドマージン部から第２サイドマージン部までの最短距離をｔとするとき、Ｗ１（第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部のいずれか一つと、上記活性部Ａとの間の界面からｔ／２となる地点におけるＳｎ含量）、Ｗ２（第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部のいずれか一つと、上記活性部Ａとの間の界面からｔ／１０となる地点におけるＳｎ含量）及びＷ３（第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部のいずれか一つと活性部の間の界面におけるＳｎ含量）をＴＥＭ－ＥＤＳを用いて測定した。

【0091】

このようにして得られたＷ１、Ｗ２、Ｗ３の値に基づいて、関係式１［Ｗ１＜Ｗ２＜Ｗ３］を満たすか否かを評価し、満たす場合を「○」、満たさない場合を「×」と下記表１に示した。その後、各試片に対する電気的特性及び耐湿信頼性を以下の方法で評価した。

【0092】

＜電気的特性＞
温度１１５℃の高温で初期ＩＲと特定時間以降の後期ＩＲを測定し、各ＩＲの標準偏差を平均で除するＣＶ（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｖａｒａｔｉｏｎ）値を求め、下記基準に従って評価した。
大きい：ＣＶ値が０．２２以上
小さい：ＣＶ値が０．２２未満

【0093】

＜耐湿信頼性＞
各試片に対してそれぞれ同じサンプルチップ１００個を準備した後、温度８５℃及び８５％の湿度で３時間処理し、チップ特性が有効であることをテストして通過できなかったチップが存在する場合を「×」と、全て通過した場合を「○」と評価した。

【0094】

【表1】

【0095】

上記表１の実験結果から分かるように、試片Ｎｏ．１は、活性部のサイドマージン部近傍領域における平均Ｓｎ含量が活性部の中心領域における平均Ｓｎ含量より小さい場合であって、ＩＲ散布が大きくて電気的特性が劣ることを確認した。これに対し、試片Ｎｏ．２は、活性部のサイドマージン部近傍領域における平均Ｓｎ含量が活性部の中心領域における平均Ｓｎ含量より大きい場合であって、耐湿信頼性に優れるだけでなく、ＩＲ散布も小さくて電気的特性に優れることを確認した。

【0096】

特に、上記試片Ｎｏ．１では、Ｓｎが第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部側に多く拡散するにつれて、活性部のサイドマージン部近傍領域ＡｉにおけるＤｙ／Ｓｎのモル比率が１．７５レベルであり、他の領域に比べて高いことが確認できた。また、Ｓｎの過度な拡散により、上記活性部の中心領域Ａｃのうち、誘電体層におけるＳｎ及びＤｙの平均合計含量は、誘電体層の主成分であるチタン酸バリウム１００モルに対して２モル未満であった。これに対し、上記試片Ｎｏ．２では、活性部のサイドマージン部近傍領域ＡｉにおけるＤｙ／Ｓｎのモル比率が１．７４以下を満たし、上記活性部の中心領域Ａｃのうち、誘電体層におけるＳｎ及びＤｙの平均合計含量も２モル以上を満たしている。

【0097】

（実験例２）
上記実験例１の試片Ｎｏ．２について、活性部の誘電体層の平均厚さを４００ｎｍ以下の薄膜型に変更し、活性部の誘電体層における平均Ｓｎ含量を下記表２のように変更した以外は、実験例１と同様の方法で試片を製造した。また、活性部の誘電体層における平均Ｓｎ含量も実験例１と同様の方法で測定した。次いで、各試片についてそれぞれ同じサンプルチップ１００個を準備した後、温度１１５℃、電圧７．５６Ｖで一定時間処理した後、チップ故障（ｆａｉｌ）の個数を数えて電気的信頼性を評価し、その結果を下記表２に示した。

【0098】

【表2】

【0099】

上記表２の実験結果から分かるように、活性部の誘電体層における平均Ｓｎ含量が薄膜化した活性部の誘電体層における平均Ｓｎ含量は、電気的信頼性の結果に大きな影響を及ぼし、活性部の誘電体層における平均Ｓｎ含量が１モル％のとき、最も優れた効果を奏した。

【0100】

（実験例３）
上記実験例１の試片Ｎｏ．２について、活性部の誘電体層全体における平均Ｓｎ含量及び上記第１及び第２サイドマージン部における平均Ｓｎ含量を下記のように変更した以外は、実験例１と同様に評価した。

【0101】

【表3】

【0102】

上記表３の実験によって、上記第１サイドマージン部及び上記第２サイドマージン部における平均Ｓｎ含量と、上記活性部の誘電体層における平均Ｓｎ含量との比率が１：１である試片Ｎｏ．５の場合においても、電気的信頼性及び耐湿信頼性を実験例１と同様に実験したとき、試片Ｎｏ．２と同様に優れることを確認した。

【0103】

以上のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。

【符号の説明】

【0104】

１００：積層セラミックキャパシタ
１１０：セラミック本体
１１１：誘電体層
１１２：第１サイドマージン部
１１３：第２サイドマージン部
１２１：第１内部電極
１２２：第２内部電極
１３１：第１外部電極
１３２：第２外部電極
１４１：上部カバー部
１４２：下部カバー部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】