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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023098668
(43)【公開日】2023-07-10
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20230703BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20230703BHJP
C23C 16/511 20060101ALI20230703BHJP
H05H 1/46 20060101ALI20230703BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101D
H01L21/31 C
C23C16/511
H05H1/46 B
【審査請求】有
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022204716
(22)【出願日】2022-12-21
(31)【優先権主張番号】10-2021-0190310
(32)【優先日】2021-12-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】518162784
【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド
(71)【出願人】
【識別番号】513281404
【氏名又は名称】プサン ナショナル ユニバーシティ インダストリー－ユニバーシティ コーポレーション ファウンデーション
(74)【代理人】
【識別番号】100114775
【弁理士】
【氏名又は名称】高岡 亮一
(74)【代理人】
【識別番号】100121511
【弁理士】
【氏名又は名称】小田 直
(74)【代理人】
【識別番号】100202751
【弁理士】
【氏名又は名称】岩堀 明代
(74)【代理人】
【識別番号】100208580
【弁理士】
【氏名又は名称】三好 玲奈
(74)【代理人】
【識別番号】100191086
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 香元
(72)【発明者】
【氏名】イ，サン ジョン
(72)【発明者】
【氏名】チョイ，ユン ソク
(72)【発明者】
【氏名】ジュン，サン ウク
(72)【発明者】
【氏名】リ，ホ－ジュン
(72)【発明者】
【氏名】キム，サン ウ
【テーマコード（参考）】
2G084
4K030
5F004
5F045
【Ｆターム（参考）】
2G084AA02
2G084AA03
2G084AA05
2G084BB05
2G084BB37
2G084CC14
2G084CC33
2G084DD19
2G084DD20
2G084DD44
2G084DD55
2G084DD62
2G084FF04
2G084FF38
4K030FA01
5F004AA01
5F004BB14
5F004BB18
5F004BB21
5F004BB22
5F004BB26
5F004BB28
5F004BB29
5F004BD04
5F045AA09
5F045BB02
5F045DP03
5F045EB03
5F045EF05
5F045EH02
5F045EH03
5F045EK07
5F045EM03
5F045EM04
(57)【要約】
【課題】本発明は、基板を処理する装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する装置は内部に処理空間を有する工程チャンバ、前記処理空間で基板を支持する支持ユニット、前記処理空間に処理ガスを供給するガス供給ユニット及び前記処理ガスにマイクロ波を印加してプラズマを発生させるマイクロ波印加ユニットを含むが、前記マイクロ波印加ユニットは前記支持ユニットの上部に配置され、前記処理空間に前記マイクロ波を放射させる透過板、前記透過板の上部に配置された第１導波管及び前記第１導波管に前記マイクロ波を印加する第１電源を含み、前記第１導波管はリング形状で提供されることができる。
【選択図】図１
【解決手段】基板を処理する装置は内部に処理空間を有する工程チャンバ、前記処理空間で基板を支持する支持ユニット、前記処理空間に処理ガスを供給するガス供給ユニット及び前記処理ガスにマイクロ波を印加してプラズマを発生させるマイクロ波印加ユニットを含むが、前記マイクロ波印加ユニットは前記支持ユニットの上部に配置され、前記処理空間に前記マイクロ波を放射させる透過板、前記透過板の上部に配置された第１導波管及び前記第１導波管に前記マイクロ波を印加する第１電源を含み、前記第１導波管はリング形状で提供されることができる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理する装置において、
内部に処理空間を有する工程チャンバと、
前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、
前記処理空間で処理ガスを供給するガス供給ユニットと、及び
前記処理ガスにマイクロ波を印加してプラズマを発生させるマイクロ波印加ユニットを含むが、
前記マイクロ波印加ユニットは、
前記支持ユニットの上部に配置され、前記処理空間に前記マイクロ波を放射させる透過板と、
前記透過板の上部に配置された第１導波管と、及び
前記第１導波管に前記マイクロ波を印加する第１電源を含み、
前記第１導波管はリング形状で提供される基板処理装置。
内部に処理空間を有する工程チャンバと、
前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、
前記処理空間で処理ガスを供給するガス供給ユニットと、及び
前記処理ガスにマイクロ波を印加してプラズマを発生させるマイクロ波印加ユニットを含むが、
前記マイクロ波印加ユニットは、
前記支持ユニットの上部に配置され、前記処理空間に前記マイクロ波を放射させる透過板と、
前記透過板の上部に配置された第１導波管と、及び
前記第１導波管に前記マイクロ波を印加する第１電源を含み、
前記第１導波管はリング形状で提供される基板処理装置。
【請求項2】
前記第１導波管は、
透過板の中心を基準で環形のリング形状で提供され、
上部から眺める時、前記透過板の中心から離隔された位置で前記第１電源と連結されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
透過板の中心を基準で環形のリング形状で提供され、
上部から眺める時、前記透過板の中心から離隔された位置で前記第１電源と連結されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記第１導波管は、
前記透過板の縁領域と対向されるように位置され、一部分が切断されたことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記透過板の縁領域と対向されるように位置され、一部分が切断されたことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記第１電源は、
前記第１導波管の切断面と隣接した前記第１導波管の一面に結合されることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
前記第１導波管の切断面と隣接した前記第１導波管の一面に結合されることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記第１導波管の下面には複数個の第１スロットが形成され、
前記第１スロットは、
前記第１導波管の周り方向に沿ってお互いに離隔されるように配置されたことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
前記第１スロットは、
前記第１導波管の周り方向に沿ってお互いに離隔されるように配置されたことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記第１スロットは、
前記第１導波管を正断面から眺める時、複数の列で配置されたことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
前記第１導波管を正断面から眺める時、複数の列で配置されたことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記マイクロ波印加ユニットは、
前記透過板の上部で、前記透過板の中心を含む領域に配置された第２導波管と、及び
前記第２導波管に前記マイクロ波を印加する第２電源をさらに含み、
前記第２導波管の下面には少なくとも一つ以上の第２スロットが形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記透過板の上部で、前記透過板の中心を含む領域に配置された第２導波管と、及び
前記第２導波管に前記マイクロ波を印加する第２電源をさらに含み、
前記第２導波管の下面には少なくとも一つ以上の第２スロットが形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記第１電源から前記第１導波管に印加されるマイクロ波の強さと前記第２電源から前記第２導波管に印加されるマイクロ波の強さは相異なことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記透過板には前記処理ガスが流動するガスチャンネルが形成され、
前記ガスチャンネルは、
上部から眺める時、前記第１導波管及び前記第２導波管と重畳されない位置に形成されることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
前記ガスチャンネルは、
上部から眺める時、前記第１導波管及び前記第２導波管と重畳されない位置に形成されることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記第１導波管は、
前記透過板の上部縁領域一部を囲むように提供され、
前記マイクロ波印加ユニットは、
前記透過板の上部縁領域の他の一部を囲むように提供されて前記第１導波管とお互いに組合されて環形のリング形状を形成し、下面に複数個の第３スロットが形成された第３導波管と、及び
前記第３導波管に前記マイクロ波を印加する第３電源をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
前記透過板の上部縁領域一部を囲むように提供され、
前記マイクロ波印加ユニットは、
前記透過板の上部縁領域の他の一部を囲むように提供されて前記第１導波管とお互いに組合されて環形のリング形状を形成し、下面に複数個の第３スロットが形成された第３導波管と、及び
前記第３導波管に前記マイクロ波を印加する第３電源をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記第１導波管は金属の材質で提供され、
前記透過板は石英(Quartz)を含む材質で提供されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記透過板は石英(Quartz)を含む材質で提供されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項12】
基板を処理する装置において、
内部に処理空間が形成されたチャンバと、
前記処理空間内で基板を支持する支持ユニットと、及び
前記処理空間に供給された処理ガスにマイクロ波を印加してプラズマを発生させるマイクロ波印加ユニットを含むが、
前記マイクロ波印加ユニットは、
前記支持ユニットの上部に配置されて前記処理空間に第１マイクロ波を伝達する透過板と、
前記透過板の上部に配置されて内部に前記第１マイクロ波が流動する第１導波管と、及び
前記第１導波管に前記第１マイクロ波を印加する第１電源を含み、
前記第１導波管の下面には前記透過板に前記第１マイクロ波が流動する複数個の第１スロットが形成され、
前記第１スロットは前記第１導波管の周り方向に沿ってお互いに離隔されるように配置されることを特徴とする基板処理装置。
内部に処理空間が形成されたチャンバと、
前記処理空間内で基板を支持する支持ユニットと、及び
前記処理空間に供給された処理ガスにマイクロ波を印加してプラズマを発生させるマイクロ波印加ユニットを含むが、
前記マイクロ波印加ユニットは、
前記支持ユニットの上部に配置されて前記処理空間に第１マイクロ波を伝達する透過板と、
前記透過板の上部に配置されて内部に前記第１マイクロ波が流動する第１導波管と、及び
前記第１導波管に前記第１マイクロ波を印加する第１電源を含み、
前記第１導波管の下面には前記透過板に前記第１マイクロ波が流動する複数個の第１スロットが形成され、
前記第１スロットは前記第１導波管の周り方向に沿ってお互いに離隔されるように配置されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項13】
前記第１スロットは複数のリング形状で配置されたことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記第１導波管は、
前記透過板の縁領域と対向されるように位置され、一部分が切断されて非連続的なリング形状で提供されることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
前記透過板の縁領域と対向されるように位置され、一部分が切断されて非連続的なリング形状で提供されることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記マイクロ波印加ユニットは、
前記透過板の上部で、前記透過板の中心を含む領域に配置された第２導波管と、及び
前記第２導波管に第２マイクロ波を印加する第２電源をさらに含み、
前記第２導波管の下面には少なくとも一つ以上のスロットが形成されたことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
前記透過板の上部で、前記透過板の中心を含む領域に配置された第２導波管と、及び
前記第２導波管に第２マイクロ波を印加する第２電源をさらに含み、
前記第２導波管の下面には少なくとも一つ以上のスロットが形成されたことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記第１導波管は、
前記透過板の上部縁領域の一部を囲むように提供され、
前記マイクロ波印加ユニットは、
前記透過板の上部縁領域の他の一部を囲むように提供され、前記第１導波管とお互いに組合されて環形のリング形状を形成し、下面に複数個の第３スロットが形成された第３導波管と、及び
前記第３導波管に第３マイクロ波を印加する第３電源をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。
前記透過板の上部縁領域の一部を囲むように提供され、
前記マイクロ波印加ユニットは、
前記透過板の上部縁領域の他の一部を囲むように提供され、前記第１導波管とお互いに組合されて環形のリング形状を形成し、下面に複数個の第３スロットが形成された第３導波管と、及び
前記第３導波管に第３マイクロ波を印加する第３電源をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記透過板の上面と前記第１導波管、前記第２導波管、そして、前記第３導波管はそれぞれ面接することを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項18】
前記透過板には前記処理ガスが流動するガスチャンネルが形成され、
前記ガスチャンネルは、
上部から眺める時、前記第１導波管、前記第２導波管、そして、前記第３導波管とお互いに重畳されない位置に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
前記ガスチャンネルは、
上部から眺める時、前記第１導波管、前記第２導波管、そして、前記第３導波管とお互いに重畳されない位置に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項19】
基板を処理する装置において、
内部に処理空間が形成された工程チャンバと、
前記処理空間内で基板を支持する支持ユニットと、
前記処理空間に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、
前記支持ユニットの上部に配置される透過板と、
前記透過板の上部に配置され、下面に複数個の第１スロットが形成された第１導波管と、
前記透過板の上部で、前記透過板の中心を含む領域に配置され、下面に少なくとも一つ以上の第２スロットが形成された第２導波管と、
前記第１導波管に第１マイクロ波を印加する第１電源と、及び
前記第２導波管に第２マイクロ波を印加する第２電源を含むが、
前記第１導波管は、
一部分が切断された環形のリング形状を有することを特徴とする基板処理装置。
内部に処理空間が形成された工程チャンバと、
前記処理空間内で基板を支持する支持ユニットと、
前記処理空間に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、
前記支持ユニットの上部に配置される透過板と、
前記透過板の上部に配置され、下面に複数個の第１スロットが形成された第１導波管と、
前記透過板の上部で、前記透過板の中心を含む領域に配置され、下面に少なくとも一つ以上の第２スロットが形成された第２導波管と、
前記第１導波管に第１マイクロ波を印加する第１電源と、及び
前記第２導波管に第２マイクロ波を印加する第２電源を含むが、
前記第１導波管は、
一部分が切断された環形のリング形状を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項20】
前記透過板には前記処理ガスが流動するガスチャンネルが形成され、
前記ガスチャンネルは、
上部から眺める時、前記第１導波管及び前記第２導波管と重畳されない位置に形成されることを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
前記ガスチャンネルは、
上部から眺める時、前記第１導波管及び前記第２導波管と重畳されない位置に形成されることを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置に関するものであり、より詳細には、基板をプラズマ処理する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
プラズマはイオンやラジカル、そして、電子などでなされたイオン化されたガス状態を言う。プラズマは非常に高い温度、強い電界、または、高周波電子系(RF Electromagnetic Fields)によって生成される。半導体素子製造工程はプラズマを利用して多様な工程を遂行する。
【0003】
図１は、マイクロ波を利用して基板を処理する一般な基板処理装置を概略的に見せてくれる図面である。図１を参照すれば、工程チャンバ１０００の処理空間１００１内に基板(W)が支持され、処理空間１００１内に供給された処理ガスをマイクロ波を利用して励起させてプラズマを発生させることで、基板(W)を処理する。基板(W)の上部領域にはスロット１１０２が形成されたアンテナ板１１００が提供される。アンテナ板１１００の上部には誘電板１２００が配置され、アンテナ板１１００の下部には透過板１３００が配置される。アンテナ板１１００にマイクロ波が印加されれば、マイクロ波はアンテナ板１１００の半径方向に沿って伝播された以後、スロット１１０２及び透過板１３００を経って処理空間１００１に伝達される。
【0004】
図１のような構造の基板処理装置を使用する場合、処理空間１００１の上部に配置された構成らの構造的複雑性が隋伴される。処理空間１００１の上部領域に対する空間の制約が多い。また、アンテナ板１１００、誘電板１２００、そして、透過板１３００で構成された構造によって、処理空間１００１の上部で処理ガスを供給することができない。これに、処理空間１００１内に処理ガスが円滑に供給されることができなくて処理空間１００１内に形成されるプラズマの均一性を害する。
【0005】
また、アンテナ板１１００はマイクロ波を透過板１３００を向けて円滑に伝達するために薄い厚さを有する。アンテナ板１１００に伝達されるマイクロ波はスロット１１０２を通過しながら電流を発生させる。電流が発生されることによって、アンテナ板１１００が加熱されて上部構造に熱的変形を引き起こす。発熱現象を抑制するために冷却構造をさらに設置する場合上部空間の構造的複雑性を増大させる。発熱現象を抑制しない場合、薄い厚さで提供されたアンテナ板１１００が変形されて処理空間１００１にマイクロ波を円滑に伝達することができない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、基板を効率的に処理することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0007】
また、本発明は、基板処理装置の構造的複雑性を最小化することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0008】
また、本発明はマイクロ波を伝達する過程で発生される熱による部材の変形を最小化することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0009】
また、本発明は、基板に処理される処理空間に処理ガスを均一に供給することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0010】
本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載らから通常の技術者が明確に理解されることができるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明は、基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は内部に処理空間を有する工程チャンバ、前記処理空間で基板を支持する支持ユニット、前記処理空間に処理ガスを供給するガス供給ユニット及び前記処理ガスにマイクロ波を印加してプラズマを発生させるマイクロ波印加ユニットを含むが、前記マイクロ波印加ユニットは前記支持ユニットの上部に配置され、前記処理空間に前記マイクロ波を放射させる透過板、前記透過板の上部に配置された第１導波管及び前記第１導波管に前記マイクロ波を印加する第１電源を含み、前記第１導波管はリング形状で提供されることができる。
【0012】
一実施例によれば、前記第１導波管は透過板の中心を基準で環形のリング形状で提供され、上部から眺める時、前記透過板の中心から離隔された位置で前記第１電源と連結されることができる。
【0013】
一実施例によれば、前記第１導波管は前記透過板の縁領域と対向されるように位置され、一部分が切断されることがある。
【0014】
一実施例によれば、前記第１電源は前記第１導波管の切断面と隣接した前記第１導波管の一面に結合されることができる。
【0015】
一実施例によれば、前記第１導波管の下面には複数個の第１スロットが形成され、前記第１スロットは前記第１導波管の周り方向に沿ってお互いに離隔されるように配置されることができる。
【0016】
一実施例によれば、前記第１スロットは前記第１導波管を正断面から眺める時、複数の列で配置されることができる。
【0017】
一実施例によれば、前記マイクロ波印加ユニットは前記透過板の上部で、前記透過板の中心を含む領域に配置された第２導波管及び前記第２導波管に前記マイクロ波を印加する第２電源をさらに含み、前記第２導波管の下面には少なくとも一つ以上の第２スロットが形成されることができる。
【0018】
一実施例によれば、前記第１電源から前記第１導波管に印加されるマイクロ波の強さと前記第２電源から前記第２導波管に印加されるマイクロ波の強さは相異なことがある。
【0019】
一実施例によれば、前記透過板には前記処理ガスが流動するガスチャンネルが形成され、前記ガスチャンネルは上部から眺める時、前記第１導波管及び前記第２導波管と重畳されない位置に形成されることができる。
【0020】
一実施例によれば、前記第１導波管は前記透過板の上部縁領域一部を囲むように提供され、前記マイクロ波印加ユニットは前記透過板の上部縁領域の他の一部を囲むように提供されて前記第１導波管とお互いに組合されて環形のリング形状を形成し、下面に複数個の第３スロットが形成された第３導波管及び前記第３導波管に前記マイクロ波を印加する第３電源をさらに含むことができる。
【0021】
一実施例によれば、前記第１導波管は金属の材質で提供され、前記透過板は石英(Quartz)を含む材質で提供されることができる。
【0022】
また、本発明は、基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は内部に処理空間が形成されたチャンバ、前記処理空間内で基板を支持する支持ユニット及び前記処理空間に供給された処理ガスにマイクロ波を印加してプラズマを発生させるマイクロ波印加ユニットを含むが、前記マイクロ波印加ユニットは前記支持ユニットの上部に配置されて前記処理空間に第１マイクロ波を伝達する透過板、前記透過板の上部に配置されて内部に前記第１マイクロ波が流動する第１導波管及び前記第１導波管で前記第１マイクロ波を印加する第１電源を含み、前記第１導波管の下面には前記透過板で前記第１マイクロ波が流動する複数個の第１スロットが形成され、前記第１スロットは前記第１導波管の周り方向に沿ってお互いに離隔されるように配置されることができる。
【0023】
一実施例によれば、前記第１スロットは複数のリング形状で配置されることができる。
【0024】
一実施例によれば、前記第１導波管は前記透過板の縁領域と対向されるように位置され、一部分が切断されて非連続的なリング形状で提供されることができる。
【0025】
一実施例によれば、前記マイクロ波印加ユニットは前記透過板の上部で、前記透過板の中心を含む領域に配置された第２導波管及び前記第２導波管に第２マイクロ波を印加する第２電源をさらに含み、前記第２導波管の下面には少なくとも一つ以上のスロットが形成されることができる。
【0026】
一実施例によれば、前記第１導波管は前記透過板の上部縁領域の一部を囲むように提供され、前記マイクロ波印加ユニットは前記透過板の上部縁領域の他の一部を囲むように提供され、前記第１導波管とお互いに組合されて環形のリング形状を形成し、下面に複数個の第３スロットが形成された第３導波管及び前記第３導波管に第３マイクロ波を印加する第３電源をさらに含むことができる。
【0027】
一実施例によれば、前記透過板の上面と前記第１導波管、前記第２導波管、そして、前記第３導波管はそれぞれ面接することができる。
【0028】
一実施例によれば、前記透過板には前記処理ガスが流動するガスチャンネルが形成され、前記ガスチャンネルは上部から眺める時、前記第１導波管、前記第２導波管、そして、前記第３導波管とお互いに重畳されない位置に形成されることができる。
【0029】
また、本発明は、基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は内部に処理空間が形成された工程チャンバ、前記処理空間内で基板を支持する支持ユニット、前記処理空間に処理ガスを供給するガス供給ユニット、前記支持ユニットの上部に配置される透過板、前記透過板の上部に配置され、下面に複数個の第１スロットが形成された第１導波管、前記透過板の上部で、前記透過板の中心を含む領域に配置され、下面に少なくとも一つ以上の第２スロットが形成された第２導波管、前記第１導波管に第１マイクロ波を印加する第１電源及び前記第２導波管に第２マイクロ波を印加する第２電源を含むが、前記第１導波管は一部分が切断された環形のリング形状を有することができる。
【0030】
一実施例によれば、前記透過板には前記処理ガスが流動するガスチャンネルが形成され、前記ガスチャンネルは上部から眺める時、前記第１導波管及び前記第２導波管と重畳されない位置に形成されることができる。
【発明の効果】
【0031】
本発明の一実施例によれば、基板を効率的に処理することができる。
【0032】
また、本発明の一実施例によれば、基板処理装置の構造的複雑性を最小化することができる。
【0033】
また、本発明の一実施例によれば、マイクロ波を伝達する過程で発生される熱による部材の変形を最小化することができる。
【0034】
また、本発明の一実施例によれば、基板に処理される処理空間に処理ガスを均一に供給することができる。
【0035】
本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面らから本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0036】
【図1】一般な基板処理装置を概略的に見せてくれる図面である。
【図2】本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる図面である。
【図8】本発明の他の実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる図面である。
【発明を実施するための形態】
【0037】
以下、本発明の実施例を添付された図面らを参照してより詳細に説明する。本発明の実施例はさまざまな形態で変形されることができるし、本発明の範囲が下で敍述する実施例によって限定されることで解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での構成要素の形状などはより明確な説明を強調するために誇張されたものである。
【0038】
第１、第２などの用語は多様な構成要素らを説明することに使用されることができるが、前記構成要素らは前記用語らによって限定されてはいけない。前記用語らは一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま第１構成要素は第２構成要素で命名されることができるし、類似に第２構成要素も第１構成要素で命名されることができる。
【0039】
【0040】
図２は、本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる図面である。図２を参照すれば、基板処理装置１０は基板(W)を処理する。基板処理装置１０はプラズマを利用して基板(W)を処理することができる。例えば、基板処理装置１０はプラズマを利用して基板(W)上の薄膜を除去するエッチング(Etching)工程、フォトレジスト膜を除去するアッシング(Ashing)工程、基板(W)上に薄膜を形成する蒸着工程、またはドライクリーニング工程を遂行することができる。
【0041】
選択的に、基板処理装置１０は水素プラズマを利用して基板(W)に対してアニール工程を遂行することができる。但し、これに限定されないで、基板処理装置１０で遂行するプラズマ処理工程は公知されたプラズマ処理工程で多様に変形されることができる。基板処理装置１０に搬入される基板(W)は処理工程が一部遂行された基板(W)が搬入されることができる。例えば、基板処理装置１０に搬入される基板(W)は蝕刻工程または写真工程などが遂行された基板(W)であることがある。
【0042】
基板処理装置１０は工程チャンバ１００、支持ユニット２００、マイクロ波印加ユニット３００、そして、ガス供給ユニット４００を含むことができる。
【0043】
工程チャンバ１００はボディー１１０とカバー１２０を含むことができる。ボディー１１０は上面が開放され、内部空間を有することができる。例えば、ボディー１１０は内部空間を有して、上面が開放された円筒形状を有することができる。カバー１２０はボディー１１０の上端に置かれることができる。カバー１２０はボディー１１０の開放された上面を密閉することができる。例えば、カバー１２０は下面が開放された円筒形状で提供されることができる。ボディー１１０とカバー１２０はお互いに組合されて工程チャンバ１００を定義することができる。カバー１２０は上部空間が下部空間よりさらに大きい半径を有するように下端部内側が段差になるように提供されることができる。カバー１２０の下端部内側の段差になった部分には後述する透過板３１０の外側端部が配置されることができる。
【0044】
工程チャンバ１００は内部に処理空間１０１を有する。処理空間１０１はボディー１１０、カバー１２０、そして、後述する透過板３１０がお互いに組合されて形成された空間に提供される。処理空間１０１は基板(W)が処理される空間を提供する。
【0045】
但し、前述した例と異なり、本発明の一実施例による工程チャンバ１００にはカバー１２０が提供されないこともある。例えば、ボディー１１０と透過板３１０がお互いに組合されて処理空間１０１を提供することができる。ボディー１１０は開放された上面を有して、透過板３１０はボディー１１０の開放された上面を密閉することができる。ボディー１１０の外側上端に透過板３１０の外側端部が結合されて処理空間１０１を定義することができる。
【0046】
工程チャンバ１００の側壁には基板(W)が処理空間１０１から搬出されるか、または、処理空間１０１に基板(W)が搬入される開口(図示せず)が形成される。開口(図示せず)はドア(図示せず)によって選択的に遮蔽されることができる。例えば、開口(図示せず)はボディー１１０の一側壁に形成されることができる。工程チャンバ１００の内側壁はコーティングされることができる。例えば、工程チャンバ１００の内側壁は石英(Quartz)を含む素材でコーティングされることができる。
【0047】
工程チャンバ１００の底面には排気ホール１３０が形成される。例えば、排気ホール１３０はボディー１１０の底面に形成されることができる。排気ホール１３０は排気ライン１４０と連結されることができる。排気ライン１４０は処理空間１０１を流動するパーティクル、工程副産物などを排出する。排気ライン１４０の一端は排気ホール１３０と連結され、排気ライン１４０の他端は図示されない陰圧を提供する減圧ユニットに連結される。減圧ユニット(図示せず)はポンプであることがある。しかし、これに限定されるものではなくて、減圧ユニット(図示せず)は陰圧を提供する公知された装置で多様に変形されて提供されることができる。
【0048】
支持ユニット２００は処理空間１０１内部に位置する。支持ユニット２００は処理空間１０１内で基板(W)を支持する。一例によれば、支持ユニット２００は静電気力(Electrostatic force)を利用して基板(W)をチャッキング(Chucking)することができるESCであることがある。選択的に、支持ユニット２００は機械的クランピングによって基板(W)を物理的に支持することができる。選択的に、支持ユニット２００は基板(W)を固定する手段を提供しないで、基板(W)は支持ユニット２００上に置かれることがある。
【0049】
支持ユニット２００は胴体２１０とヒーター２２０を含むことがある。胴体２１０は基板(W)を支持する。胴体２１０の上面は基板(W)を支持する支持面に提供されることができる。胴体２１０の上面には基板(W)が安着される。胴体２１０は誘電体(Dielectric substance)に提供されることができる。胴体２１０は概して円板形状の誘電板で提供されることができる。一例によれば、胴体２１０の上面の直径は基板(W)の直径より相対的に大きく提供されることができる。
【0050】
ヒーター２２０は基板(W)を加熱する。ヒーター２２０は胴体２１０の上面に支持された基板(W)を加熱することができる。ヒーター２２０は胴体２１０の温度を上昇させて基板(W)を加熱する。例えば、ヒーター２２０は印加される電流に抵抗して発熱する発熱体で提供されることができる。ヒーター２３０はタングステンのような発熱体であることができる。但し、ヒーター２３０の種類はこれに限定されるものではなくて、公知された発熱体で多様に変形されて提供されることができる。
【0051】
発生された熱は胴体２１０を通じて基板(W)に伝達される。ヒーター２２０で発生された熱によって基板(W)は工程に要求される設定温度で維持されることができる。また、ヒーター２２０は基板(W)が処理されるうちに基板(W)から分離される不純物(例えば、酸化膜)が基板(W)に再付着されることを防止できるように、胴体２１０の温度を高めることができる。
【0052】
たとえ図示されなかったが、一実施例によれば、ヒーター２２０は螺旋形状のコイルで複数個が提供されることができる。ヒーター２２０は胴体２１０のお互いに異なる領域にそれぞれ提供されることができる。例えば、胴体２１０の中央領域を加熱するヒーター２２０と胴体２１０の縁領域を加熱するヒーター２２０がそれぞれ提供されることができるし、これらヒーター２２０らはお互いの間に独立的に発熱程度を調節することができる。
【0053】
図３は、図２の一実施例による透過板と第１導波管を概略的に見せてくれる斜視図である。図４は図３の透過板と第１導波管を上部から眺めた姿を概略的に見せてくれる図面である。以下では、図２乃至図４を参照して本発明の一実施例によるマイクロ波印加ユニットに対して詳しく説明する。
【0054】
マイクロ波印加ユニット３００は処理空間１０１にプラズマを発生させる。マイクロ波印加ユニット３００は処理空間１０１に供給された処理ガスにマイクロ波を印加して処理空間１０１内の処理ガスを励起させることができる。マイクロ波印加ユニット３００は透過板３１０、導波管３２０、そして、電源３６０を含むことができる。
【0055】
透過板３１０は支持ユニット２００上部に配置される。透過板３１０はボディー１１０、そして、カバー１２０と組合されて処理空間１０１を定義することができる。透過板３１０は処理空間１０１の上部壁で機能する。透過板３１０は板形状で提供されることができる。例えば、透過板３１０は概して円板形状で提供されることができる。透過板３１０の外側下端部はカバー１２０の段差になった空間に配置されることができる。透過板３１０の上下面は平たく提供されることができる。但し、これに限定されるものではなくて、透過板３１０の上面は平たく提供され、透過板３１０の下面の中央領域は平たく提供され、透過板３１０の下面、縁領域は下に向ける方向に突き出されるように形成されることができる。
【0056】
透過板３１０はマイクロ波を通過させることができる材質で提供される。透過板３１０は処理空間１０１でマイクロ波を放射させる材質で提供される。一例で、透過板３１０は石英(Quartz)材質で提供されることができる。選択的に、透過板３１０は酸化アルミニウム(Al２O３)、窒化アルミニウム(AlN)、サファイア、または窒化シリコン(SiN)などのセラミックスのような誘電体材質で提供されることができる。
【0057】
透過板３１０の内部にはガスチャンネル３１２が形成される。ガスチャンネル３１２は透過板３１０の上端から下端まで貫通するグルーブ(Groove)で提供されることができる。ガスチャンネル３１２は後述するガスライン４４０と連通されることができる。後述するガス供給ユニット４００から供給される処理ガスはガスライン４４０、そして、ガスチャンネル３１２を順次に通過して処理空間１０１に供給されることができる。
【0058】
ガスチャンネル３１２は複数個提供されることができる。複数個のガスチャンネル３１２らは透過板３１０の中心を含む領域と透過板３１０の縁領域に形成されることができる。複数個のガスチャンネル３１２らは透過板３１０の周り方向に沿ってお互いに離隔されるように形成されることができる。複数個のガスチャンネル３１２らは上部から眺める時、後述する導波管３２０とお互いに重畳されない位置に形成される。
【0059】
導波管３２０は透過板３１０の上部に配置される。導波管３２０は透過板３１０と接触されるように位置される。例えば、導波管３２０の下面は透過板３１０の上面と面接することがある。導波管３２０は金属材質で提供されることができる。例えば、導波管３２０は銅またはアルミニウムを含む材質で提供されることができる。導波管３２０の内側面は導体で提供される。一例で、導波管３２０の内側面は金または銀で提供されることができる。導波管３２０はその断面が多角形である管形状で提供されることができる。導波管３２０は内部に通路が形成される。後述する電源３６０から印加されるマイクロ波は導波管３２０の内部通路を通じて透過板３１０に伝達されることができる。
【0060】
導波管３２０は第１導波管３３０を含むことができる。第１導波管３３０は第１部分３３１、第２部分３３２、そして、第３部分３３３を有することができる。第１部分３３１、第２部分３３２、そして、第３部分３３３は一体に形成されることができる。
【0061】
第１部分３３１はリング形状で提供されることができる。第１部分３３１は透過板３１０の中心を基準で環形のリング形状を有することができる。第１部分３３１は上部から眺める時、透過板３１０の縁領域と対向される位置に配置されることができる。第１部分３３１は一部分が切断されるように形成される。第１部分３３１は非連続的なリング形状で形成されることができる。
【0062】
第１部分３３１の底面には第１スロット３３５が形成される。第１スロット３３５は第１部分３３１の底面を貫通する貫通スリットで提供されることができる。選択的に、第１スロット３３５はマイクロ波を伝達する物質で満たされることができる。第１スロット３３５の長さ方向は第１部分３３１の一側面でこれと見合わせる他の側面を向ける方向に形成されることができる。
【0063】
第１スロット３３５は複数個で提供されることができる。複数個の第１スロット３３５らは第１部分３３１の周り方向に沿ってお互いに離隔されるように配置されることができる。複数個の第１スロット３３５らは第１部分３３１の正断面から眺める時、複数の列で配置されることができる。これによって、複数個の第１スロット３３５らは第１部分３３１で複数のリング形状で配列されることができる。図示されたところと異なり、複数個の第１スロット３３５らは透過板３１０の中心を基準でお互いに異なる角度を有して配列されることができる。
【0064】
第２部分３３２は第１部分３３１から延長されることができる。例えば、第２部分３３２は第１部分３３１の上面から上に向ける方向に延長されることができる。第２部分３３２は第１部分３３１に形成された切断面と隣接した位置で第１部分３３１の上面と結合されることができる。
【0065】
第３部分３３３は第２部分３３２から延長されることができる。例えば、第３部分３３３は第２部分３３２の上面から水平方向に延長されることができる。第３部分３３３は後述する第１電源３７０と連結されることができる。
【0066】
電源３６０は第１電源３７０と第１マッチングネットワーク３７２を含むことができる。第１電源３７０は第１マイクロ波を発生させる。例えば、第１電源３７０で発生された第１マイクロ波はおおよそ２．３GHz乃至２．５GHzの周波数を有することができる。第１電源３７０は第１導波管３３０に連結されることができる。第１マッチングネットワーク３７２は第３部分３３３に提供される。第１マッチングネットワーク３７２は第１電源３７０と第２部分３３２との間に提供される。第１マッチングネットワーク３７２は第１電源３７０を通じて伝播される第１マイクロ波を所定の周波数でマッチングさせることができる。
【0067】
図５aと図５bは、図３の第１導波管と透過板でマイクロ波が流動する姿を概略的に見せてくれる図面である。図５aと図５bを参照すれば、第１電源３７０で発生された第１マイクロ波は第１導波管３３０に伝達されることができる。第１電源３７０で発生された第１マイクロ波は第１マッチングネットワーク３７２、第１導波管３３０の第３部分３３３、第２部分３３２を経って第１部分３３１に伝播されることができる。第１部分３３１に供給された第１マイクロ波はリング形状で形成された第１部分３３１に沿って第１部分３３１の切断された部分まで伝播されることができる。第１マイクロ波は第１部分３３１の内部空間に伝播されて第１部分３３１の下面に形成された第１スロット３３５を通過して透過板３１０に伝播される。第１マイクロ波は透過板３１０で放射されて処理空間１０１に伝播されることができる。
【0068】
本発明の一実施例によれば、マイクロ波印加ユニット３００は処理空間１０１の上部に配置される透過板３１０、透過板３１０の上部に配置される導波管３２０、そして、導波管３２０にマイクロ波を伝達する電源３６０を含むように提供されることができる。これに、導波管３２０が電源３６０から印加されるマイクロ波を透過板３１０に直接的に伝達することで、マイクロ波印加ユニット３００が配置される処理空間１０１の上部領域の構造的複雑性を最小化することができる。すなわち、別途のアンテナ部材を設置しないで、一体型に形成されて処理空間１０１にマイクロ波を伝達するマイクロ波印加ユニット３００を提供することができる。また、図１を参照して説明した一般な基板処理装置と異なり、薄い厚さで提供される既存のアンテナ板の役割を導波管３２０の下面に形成された第１スロット３３５と透過板３１０が同時に遂行されることで、アンテナ板に発生する発熱を最小化することができる。これに、マイクロ波が伝達される過程で発生される熱によるマイクロ波印加ユニット３００の熱的変形を最小化することができる。これによって、処理空間１０１にマイクロ波が均一に伝達されることができるし、処理空間１０１にプラズマが均一に形成されることができる。
【0069】
再び図２を参照すれば、ガス供給ユニット４００は処理空間１０１に処理ガスを供給する。ガス供給ユニット４００はガス供給源４２０とガスライン４４０を含むことができる。ガス供給源４２０は処理ガスを貯蔵及び/または供給することができる。処理ガスは水素を含むことができる。ガスライン４４０はガス供給源４２０及びガスチャンネル３１２と連結される。ガスライン４４０の一端はガス供給源４２０と連結され、ガスラインの他端はガスチャンネル３１２と連通されることができる。ガス供給源４２０から供給された処理ガスはガスライン４４０とガスチャンネル３１２を通じて処理空間１０１に供給されることができる。例えば、処理ガスは支持ユニット２００に支持された基板(W)の上部に向けて供給されることができる。
【0070】
前述した例ではガスライン４４０の他端が透過板３１０に形成されたガスチャンネル３１２と連通されることを例を挙げて説明した。但し、これに限定されないで、ガスライン４４０の他端は分岐されることができる。分岐されたガスライン４４０の他端はそれぞれガスチャンネル３１２及び工程チャンバ１００の一側壁と結合されることができる。工程チャンバ１００の一側壁と結合されたガスチャンネル３１２の他端は処理空間１０１の側面で処理空間１０１を向けて処理ガスを供給することができる。ガスチャンネル３１２の他端は工程チャンバ１００の一側壁の周り方向に沿って複数の支点に結合されることができる。
【0071】
前述した本発明の一例によれば、処理ガスが透過板３１０に形成されたガスチャンネル３１２に沿って処理空間１０１の上部に向けて供給されることができる。これに、処理空間１０１内で基板(W)で作用するプラズマを効率的に発生させ、基板(W)の処理効率を向上させることができる。
【0072】
図６と図７は、図２の他の実施例による第１導波管を上部から眺めた姿を概略的に見せてくれる図面である。以下で説明する一例による第１導波管は追加的に説明する場合を除いて、図２乃至図４を参照して説明した第１導波管と大部分類似な構造で提供される。これに、重複される構成に対してはその説明を略する。
【0073】
図６を参照すれば、第１部分３３１の底面には第１スロット３３５が形成される。第１スロット３３５は第１部分３３１の上下面を貫通する貫通スリットで提供されることができる。選択的に、第１スロット３３５はマイクロ波を通過する物質で満たされることができる。第１スロット３３５の長さ方向は第１部分３３１の一側面でこれと見合わせる他の側面と平行な方向に形成されることができる。第１スロット３３５は複数個で提供されることができる。複数個の第１スロット３３５らは第１部分３３１の周り方向に沿ってお互いに離隔されるように配置されることができる。図示されたところと異なり、複数個の第１スロット３３５らは透過板３１０の中心を基準でお互いに異なる角度を有して配列されることができる。
【0074】
図７を参照すれば、第１部分３３１の底面に形成された第１スロット３３５の長さ方向は第１部分３３１の周り方向に沿って形成されることができる。例えば、第１スロット３３５は第１部分３３１の一側面と平行な方向に長さ方向を有することができる。第１スロット３３５らは複数個で提供されることができる。複数個の第１スロット３３５らは第１部分３３１の周り方向に沿ってお互いに離隔されるように配置されることができる。複数個の第１スロット３３５らは第１部分３３１の正断面から眺める時、複数の列で配置されることができる。これによって、複数個の第１スロット３３５らは第１部分３３１で複数のリング形状で配列されることができる。図示されたところの異なり、複数個の第１スロット３３５らは透過板３１０の中心を基準でお互いに異なる角度を有して配列されることができる。
【0075】
図８は、本発明の他の実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる図面である。図９は図８の一実施例による透過板と導波管を概略的に見せてくれる斜視図である。図１０は図９の透過板と導波管を上部から眺めた姿を概略的に見せてくれる図面である。以下では、図８乃至図１０を参照して本発明の他の実施例による基板処理装置に対して詳しく説明する。
【0076】
導波管３２０は第１導波管３３０、第２導波管３４０、そして、第３導波管３５０を含むことができる。第１導波管３３０は第１部分３３１、第２部分３３２、そして、第３部分３３３を有することができる。第１部分３３１、第２部分３３２、そして、第３部分３３３は一体に形成されることができる。
【0077】
第１部分３３１は概してリング形状で提供されることができる。第１部分３３１は切断されたリング形状で提供されることができる。第１部分３３１は透過板３１０の中心を基準で、透過板３１０の縁領域と対向される位置に半円形状で提供されることができる。例えば、第１部分３３１は透過板３１０の上部縁領域の一部を囲むように提供されることができる。第２部分３３２は第１部分３３１から延長され、第３部分３３３は第２部分３３２から延長される。第２部分３３２と第３部分３３３は図２乃至図４を参照して説明した第２部分３３２及び第３部分３３３に対する説明と大部分類似に提供されるので、これに対する説明は略する。
【0078】
第２導波管３４０は透過板３１０の中心を含む領域に配置されることができる。例えば、第２導波管３４０は透過板３１０の中心を含む領域の上面に配置されることができる。第２導波管３４０は第１導波管３３０及び後述する第３導波管３５０とお互いに離隔されるように配置されることができる。第１導波管３３０、第２導波管３４０、そして、第３導波管３５０がお互いに離隔されて配置された間の空間にはガスライン４４０が配置されることができる。これに、第１導波管３３０、第２導波管３４０、そして、第３導波管３５０がお互いに離隔された位置と対向される透過板３１０の上面にはガスチャンネル３１２が形成されることができる。これに、上部から眺める時、ガスチャンネル３１２は第１導波管３３０、第２導波管３４０、そして、第３導波管３５０とお互いに重畳されない位置に形成されることができる。
【0079】
第２導波管３４０の下面は透過板３１０の上面と面接することができる。第２導波管３４０の下面には第２スロット３４５が形成される。第２スロット３４５は第２導波管３４０の下面を貫通することができる。選択的に、第２スロット３４５は後述する第２マイクロ波が通過する物質で満たされることができる。第２スロット３４５は少なくとも一つ以上が提供されることができる。第２スロット３４５は上部から眺める時、支持ユニット２００に支持された基板(W)の中心と重畳される位置に提供されることができる。
【0080】
第３導波管３５０は第１部分３５１、第２部分３５２、そして、第３部分３５３を有することができる。第１部分３５１、第２部分３５２、そして、第３部分３５３は一体に形成されることができる。第１部分３５１は概してリング形状で提供されることができる。第１部分３５１は切断されたリング形状で提供されることができる。第１部分３５１は透過板３１０の中心を基準で、透過板３１０の縁領域と対向される位置に半円形状で提供されることができる。例えば、第１部分３５１は透過板３１０の上部縁領域の他の一部を囲むように提供されることができる。
【0081】
第３導波管３５０の第１部分３５１は第１導波管３３０の第１部分３３１とお互いに組合されて透過板３１０の上部でリング形状を形成することができる。第３導波管３５０の第１部分３５１の一端は第１導波管３３０の第１部分３３１の一端と一定距離で離隔されて見合わせるように配置されることができる。また、第３導波管３５０の第１部分３５１の他端は、第１導波管３３０の第１部分３３１の他端と一定距離で離隔されて見合わせるように配置されることができる。
【0082】
第１部分３５１の下面には第３スロット３５５が形成される。第３スロット３５５は第１部分３５１の底面を貫通する貫通スリットで提供されることができる。選択的に第３スロット３５５は後述する第３マイクロ波を伝達する物質で満たされることができる。第３スロット３５５の長さ方向、配置、及び/または形状は第１スロット３３５と大部分類似に提供されることができる。これに、重複される内容の説明を避けるために第３スロット３５５の長さ方向、配置、及び/または形状に対する説明は略する。
【0083】
第２部分３５２は第１部分３５１から延長されることができる。例えば、第２部分３５２は第１部分３５１の上面から上に向ける方向に延長されることができる。第２部分３５２は透過板３１０の中心を通過する仮想の直線上に位置することができる。例えば、第１導波管３３０の第２部分３３２は第３導波管３５０の第２部分３５２と仮想の直線上で対向されるように位置することができる。
【0084】
第３部分３５３は第２部分３５２から延長されることができる。例えば、第３部分３５３は第２部分３５２の上面から垂直方向に延長されることができる。第３部分３５３は後述する第３電源３９０と連結されることができる。
【0085】
電源３６０は第１電源３７０、第１マッチングネットワーク３７２、第２電源３８０、第２マッチングネットワーク３８２、第３電源３９０、そして、第３マッチングネットワーク３９２を含むことができる。第１電源３７０と第１マッチングネットワーク３７２は図２乃至図４を参照して説明した構成と類似に提供される。
【0086】
第２電源３８０は第２マイクロ波を発生させる。第２電源３８０は第２導波管３４０に連結されることができる。例えば、第２電源３８０で発生された第２マイクロ波はおおよそ０．８GHz乃至１．２GHzの周波数を有することができる。第２マッチングネットワーク３８２は第２導波管３４０に提供される。第２マッチングネットワーク３８２は第２電源３８０と第２導波管３４０との間に提供される。第２マッチングネットワーク３８２は第２電源３８０を通じて伝播される第２マイクロ波を所定の周波数でマッチングさせることができる。
【0087】
第３電源３９０は第３マイクロ波を生成する。第３電源３９０は第３導波管３５０に連結されることができる。例えば、第３電源３９０で発生された第３マイクロ波はおおよそ２．３GHz乃至２．５GHzの周波数を有することができる。第３マッチングネットワーク３９２は第３導波管３５０に提供される。第３マッチングネットワーク３９２は第３電源３９０と第３導波管３５０との間に提供される。第３マッチングネットワーク３９２は第３電源３９０を通じて伝播される第３マイクロ波を所定の周波数でマッチングさせることができる。
【0088】
第１電源３７０で発生された第１マイクロ波は第１強さを有することができる。第２電源３８０で発生される第２マイクロ波は第２強さを有することができる。また、第３電源３９０で発生される第３マイクロ波は第３強さを有することができる。第１強さ、第２強さ、そして、第３強さはお互いに異なる大きさを有することができる。選択的に、第１強さと第３強さはお互いに対応される大きさを有することができるし、第２強さは第１強さ及び第３強さより小さな大きさを有することができる。
【0089】
前述した本発明の一実施例によれば、透過板３１０の上側縁領域にお互いに異なる第１導波管３３０と第３導波管３５０を配置し、透過板３１０の中心を含む領域に第２導波管３４０を配置することで、それぞれの導波管３２０から処理空間１０１にマイクロ波を均一に伝達することができる。また、第１導波管３３０、第２導波管３４０、そして、第３導波管３５０にそれぞれ独立的なマイクロ波ソース(例えば、第１電源３７０、第２電源３８０、そして、第３電源３９０が連結されることによって、処理空間１０１の領域別に形成されるプラズマの大きさによってお互いに異なる大きさのマイクロ波を供給するように調節して処理空間１０１内でのプラズマの均一度を償うことができる。
【0090】
【0091】
第１導波管３３０は第１部分３３１、第２部分３３２、そして、第３部分３３３を有することができる。第１部分３３１、第２部分３３２、そして、第３部分３３３は一体に形成されることができる。第１部分３３１はリング形状で提供されることができる。第１部分３３１は透過板３１０の中心を基準で環形のリング形状を有することができる。第１部分３３１は上部から眺める時、透過板３１０の縁領域と対向される位置に配置されることができる。第１部分３３１は一部分が切断されるように形成される。第１部分３３１は非連続的なリング形状で形成されることができる。
【0092】
第２部分３３２は第１部分３３１から延長されることができる。例えば、第２部分３３２は第１部分３３１の上面から上に向ける方向に延長されることができる。第２部分３３２は第１部分３３１に形成された切断面と隣接した位置で第１部分３３１の上面と結合されることができる。
【0093】
第３部分３３３は第２部分３３２から延長されることができる。例えば、第３部分３３３は第２部分３３２の上面から水平方向に延長されることができる。第３部分３３３は第１電源３７０と連結されることができる。
【0094】
第２導波管３４０は透過板３１０の中心を含む領域に配置されることができる。例えば、第２導波管３４０は透過板３１０の中心を含む領域の上面に配置されることができる。第２導波管３４０は第１導波管３３０とお互いに離隔されるように配置されることができる。第１導波管３３０と第２導波管３４０がお互いに離隔されて配置された間の空間にはガスライン４４０が配置されることができる。これに、第１導波管３３０と第２導波管３４０がお互いに離隔された位置と対向される透過板３１０の上面にはガスチャンネル３１２が形成されることができる。これに、上部から眺める時、ガスチャンネル３１２は第１導波管３３０及び第２導波管３４０とお互いに重畳されない位置に形成されることができる。
【0095】
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。
【符号の説明】
【0096】
１００ 工程チャンバ
１０１ 処理空間
１１０ ボディー
１２０ カバー
２００ 支持ユニット
３００ マイクロ波印加ユニット
３１０ 透過板３
１２ ガスチャンネル
３２０ 導波管
３３０ 第１導波管
３４０ 第２導波管
３５０ 第３導波管
３６０ 電源
３７０ 第１電源
３８０ 第２電源
３９０ 第３電源
３３５ 第１スロット
３４５ 第２スロット
３５５ 第３スロット
４００ ガス供給ユニット
１０１ 処理空間
１１０ ボディー
１２０ カバー
２００ 支持ユニット
３００ マイクロ波印加ユニット
３１０ 透過板３
１２ ガスチャンネル
３２０ 導波管
３３０ 第１導波管
３４０ 第２導波管
３５０ 第３導波管
３６０ 電源
３７０ 第１電源
３８０ 第２電源
３９０ 第３電源
３３５ 第１スロット
３４５ 第２スロット
３５５ 第３スロット
４００ ガス供給ユニット
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
