特開 2023-98682 圧電デバイス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023098682

(43)【公開日】2023-07-10

(54)【発明の名称】圧電デバイス

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/02 20060101AFI20230703BHJP

【ＦＩ】

H03H9/02 K

H03H9/02 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022206652

(22)【出願日】2022-12-23

(31)【優先権主張番号】P 2021214107

(32)【優先日】2021-12-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000006633

【氏名又は名称】京セラ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100135828

【弁理士】

【氏名又は名称】飯島 康弘

(72)【発明者】

【氏名】太田 正明

(72)【発明者】

【氏名】阿部 信孝

(72)【発明者】

【氏名】楠木 孝男

(72)【発明者】

【氏名】植田 貴博

(72)【発明者】

【氏名】後藤 正彦

【テーマコード（参考）】

5J108

【Ｆターム（参考）】

5J108AA03

5J108BB02

5J108CC04

5J108DD02

5J108EE03

5J108EE07

5J108EE18

5J108GG03

5J108GG15

5J108GG16

5J108GG17

(57)【要約】

【課題】計測温度を圧電体の温度に近づけることが容易化される圧電デバイスを提供する。
【解決手段】水晶振動子１は、水晶素子５と、実装基体１１と、感温素子１３と、を有している。実装基体１１は、凹部Ｒ１を有している。凹部Ｒ１の底面には水晶素子５が実装されている。感温素子１３は、凹部Ｒ１を気密封止している。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

圧電素子と、
凹部を有しており、前記凹部の底面に前記圧電素子が実装されている実装基体と、
前記凹部を気密封止している感温素子と、
を有している圧電デバイス。

【請求項2】

前記感温素子は、前記凹部の底面に沿う方向において前記実装基体と互いに当接していない
請求項１に記載の圧電デバイス。

【請求項3】

前記感温素子は、前記凹部の上端に嵌っている部分を有している
請求項１に記載の圧電デバイス。

【請求項4】

前記感温素子は、前記実装基体の上端を外周側から囲んでいる部分を有している
請求項１に記載の圧電デバイス。

【請求項5】

前記感温素子は、
素子本体と、
前記素子本体の外部に露出している２つの素子端子と、を有しており、
前記実装基体は、
前記凹部の底面を有している基板部と、
前記凹部の内周面を有している枠部と、
前記枠部の上端に位置しており、前記２つの素子端子に接合されている２つの接続電極と、を有しており、
前記素子本体と前記枠部の上端とは、前記枠部の上端に沿って環状に延びる封止領域において互いに接合されており、
前記２つの接続電極の少なくとも１つは、前記封止領域よりも内周側に位置している
請求項１に記載の圧電デバイス。

【請求項6】

前記感温素子は、
素子本体と、
前記素子本体の外部に露出している２つの素子端子と、を有しており、
前記実装基体は、
前記凹部の底面を有している基板部と、
前記凹部の内周面を有している枠部と、
前記枠部の上端に位置しており、前記２つの素子端子に接合されている２つの接続電極と、を有しており、
前記素子本体と前記枠部の上端とは、前記枠部の上端に沿って環状に延びる封止領域において互いに接合されており、
前記２つの接続電極の少なくとも１つは、前記封止領域よりも外周側に位置している
請求項１に記載の圧電デバイス。

【請求項7】

前記感温素子は、
素子本体と、
前記素子本体の外部に露出している２つの素子端子と、を有しており、
前記実装基体は、
前記凹部の底面を有している基板部と、
前記凹部の内周面を有している枠部と、
前記枠部の上端に位置しており、前記２つの素子端子に接合されている２つの接続電極と、
前記枠部の上端に位置しており、前記枠部の上端に沿って延びて環状を呈しており、前記素子本体と接合される封止用の金属層と、を有しており、
前記２つの接続電極のうち１つは、前記枠部の上端において前記金属層とつながっている
請求項１に記載の圧電デバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、圧電デバイスに関する。

【背景技術】

【0002】

水晶振動子及び水晶発振器等の圧電デバイスが知られている（例えば下記特許文献参照）。このような圧電デバイスは、圧電素子と、圧電素子を保持しているパッケージとを有している。圧電素子は、圧電体（例えば水晶ブランク）と、圧電体に重なる２つの励振電極と、２つの励振電極から引き出されている２つの引出電極とを有している。２つの引出電極は、例えば、パッケージが有しているパッドと導電性の接合材によって接合されることによって、パッケージに対する圧電素子の実装に寄与する。

【0003】

上記のような圧電デバイスとして、サーミスタ等の感温素子を有しているものが知られている。感温素子が検出した温度は、例えば、温度変化に起因する圧電素子の特性変化を補償することに利用される。

【0004】

感温素子は、パッケージに実装されている。例えば、特許文献１では、パッケージは、第１凹部と、当該第１凹部とは反対側に開口する第２凹部とを有している。圧電素子は、第１凹部に収容されて、第１凹部の底面に実装される。また、第１凹部は、蓋体によって塞がれて気密封止される。感温素子は、チップ型の部品であり、第２凹部に収容されて、第２凹部の底面に実装される。具体的には、感温素子の２つの端子と、第２凹部の底面に位置している２つのパッドとが導電性の接合材によって接合される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１１－２１１３４０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

例えば、計測温度を圧電体の温度に近づけることが容易化される圧電デバイスが提供されることが待たれる。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示の一態様に係る圧電デバイスは、圧電素子と、凹部を有しており、前記凹部の底面に前記圧電素子が実装されている実装基体と、前記凹部を気密封止している感温素子と、を有している。

【発明の効果】

【0008】

上記の構成によれば、例えば、計測温度を圧電体の温度に近づけることが容易化される。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】実施形態に係る水晶振動子を示す分解斜視図。

【図2】図１の水晶振動子を示す他の分解斜視図。

【図3】図１のIII－III線における断面図。

【図4】図４（ａ）及び図４（ｂ）は感温素子の素子端子に係る変形例を示す平面図。

【図5】感温素子の素子端子に係る他の変形例を示す平面図。

【図6】図６（ａ）及び図６（ｂ）は感温素子の形状に係る変形例を示す断面図。

【図7】図７（ａ）、図７（ｂ）及び図７（ｃ）は感温素子と実装基体との固定に係る変形例を示す断面図。

【図8】パッケージにおける配線の具体例を示す斜視図。

【図9】パッケージにおける配線の他の具体例を示す斜視図。

【図10】パッケージにおける配線の更に他の具体例を示す平面図。

【図11】実施形態に係る水晶振動子の利用例を示す模式図。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本開示に係る実施形態について、図面を参照して説明する。以下の説明で用いられる図は模式的なものである。従って、例えば、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。図面同士において同一の部材の寸法比率も一致しない。また、細部の図示が省略されることがあり、一部の形状が誇張されて図示されることがある。ただし、上記は、実際の寸法比率が図面のとおりとされてもよいこと、及び図面から形状及び寸法比率等の特徴が抽出されてよいことを否定するものではない。

【0011】

図面には、便宜上、直交座標系Ｄ１－Ｄ２－Ｄ３を付すことがある。実施形態に係る圧電デバイスは、いずれの方向が上下方向又は水平方向とされてもよい。ただし、便宜上、＋Ｄ３側を上方とした表現をすることがある。また、平面視又は平面透視は、特に断りが無い限り、Ｄ３方向に平行に見ることを指す。

【0012】

相対的に後に説明される態様（実施形態及び変形例）の説明においては、基本的に、先に説明された態様との相違点についてのみ述べる。特に言及が無い事項は、先に説明された態様と同様とされたり、類推されたりしてよい。先に説明された態様の説明は、矛盾等が生じない限り、後に説明される態様に援用されてよい。複数の態様において、互いに対応する部材については、便宜上、相違点があっても同一の符号を付すことがある。

【0013】

平面形状の縁部を指す用語としての「辺」は、一般に、多角形の縁部（換言すれば直線）を指すが、実施形態の説明では、便宜上、多角形でなくてもよい形状の縁部（例えば曲線状であってもよい縁部）に用いられることがある。同様に、「長辺」及び「短辺」は、一般に、長方形の辺を指すが、実施形態の説明では、便宜上、長方形でなくてもよい形状（ただし、４つの縁部を概念できる形状）の縁部若しくは縁部に類する部位に用いられることがある。「平行」は、通常、直線同士の距離が一定である関係を指すが、実施形態の説明では、便宜上、直線でなくてよい線（例えば曲線）同士の距離が一定である関係に用いられることがある。矩形又は矩形状というとき、特に断りが無い限り、角部が面取りされているなど、厳密に正方形又は狭義の長方形でなくてもよいものとする。矩形以外の多角形についても同様である。

【0014】

（水晶振動子の概要）
図１は、実施形態に係る水晶振動子１（以下、「水晶」の語を省略することがある。）の構成を示す分解斜視図である。図２は、図１とは反対側から水晶振動子１を見た分解斜視図である。図３は、図１のIII－III線における断面図である。

【0015】

振動子１は、例えば、表面実装されるチップ型の電子部品である。具体的には、振動子１の形状は、全体として、概略、薄型（Ｄ３方向の寸法がＤ１方向の寸法及びＤ２方向の寸法よりも小さい形状）の直方体状とされている。そして、直方体の下面には、４隅に層状の４つの端子３が設けられている。４つの端子３と、不図示の回路基板５３（後述する図１２参照）の不図示のパッドとが導電性の接合材（例えばはんだ）によって接合されることによって、振動子１は、回路基板５３に固定されるとともに電気的に接続される（すなわち、実装される。）。

【0016】

振動子１は、水晶素子５と、水晶素子５を保持するパッケージ９（符号は図３）とを有している。水晶素子５は、例えば、４つの端子３のうち２つを介して交流電圧が印加されることによって振動する。この振動は、例えば、信号の強度（例えば電圧又は電流）が一定の周波数で振動する発振信号の生成に利用される。発振信号の周波数は任意である。

【0017】

パッケージ９は、振動子１の外郭を構成しており、上述した端子３を有している。また、パッケージ９は、例えば、凹部Ｒ１を有している実装基体１１と、凹部Ｒ１を塞ぐ蓋体（１３の符号が付されている構成要素を参照）とを有している。水晶素子５は、凹部Ｒ１に収容される。そして、凹部Ｒ１の上面開口が蓋体（１３）によって塞がれることによって、気密封止空間が構成され、水晶素子５が封止される。気密封止空間は、真空状態とされている、又は、適宜なガス（例えば窒素）が封入されている。また、実装基体１１は、その下面に上述の４つの端子３を有している。水晶素子５は、凹部Ｒ１の底面に実装される。これにより、水晶素子５は、２つの端子３と電気的に接続されている。

【0018】

蓋体は、チップ型の感温素子１３によって構成されている。換言すれば、感温素子１３は、パッケージ９に保持されるのではなく、パッケージ９の一部を構成している。感温素子１３は、例えば、４つの端子３のうち他の２つを介して温度に応じた信号を出力する。この信号は、例えば、温度変化に対する水晶素子５の特性変化を補償することに利用される。

【0019】

ここで、パッケージ９は、その下面に位置する端子３によって回路基板５３（図１１）に実装される。従って、回路基板５３に実装されている他のデバイスの熱は、回路基板５３を介してパッケージ９の下面側から伝わりやすい。その結果、例えば、図示の例とは異なり、振動子１が有している感温素子が、凹部Ｒ１の底面に実装されるもの、又は実装基体１１の下面に実装されるものであると、計測温度が過剰に外部の熱の影響を受け、水晶素子５の温度から計測温度が乖離する可能性がある。しかし、本実施形態のように、感温素子１３が凹部Ｒ１を塞ぐ蓋体であると、感温素子１３が水晶素子５に対してパッケージ９の下面とは反対側に位置することによって、上記のような現象が生じる蓋然性を低減することが可能である。

【0020】

以上が実施形態に係る振動子１の概要である。以下では、概略、下記の順で振動子１について説明する。
１．水晶素子５
２．実装基体１１（感温素子１３との接合に係る部分を除く）
３．感温素子１３
４．実装基体１１と感温素子１３との接合
５．変形例
６．実施形態及び変形例のまとめ

【0021】

（１．水晶素子）
水晶素子５は、例えば、水晶ブランク１５（換言すれば圧電体）と、水晶ブランク１５に重なっている２以上（図示の例では１対）の導体パターン１７（図示の例では第１導体パターン１７Ａ及び第２導体パターン１７Ｂの２つ）とを有している。１対の導体パターン１７によって水晶ブランク１５に電圧が印加されることによって水晶ブランク１５が振動する。これにより、水晶素子５は、既述の機能を発揮する。水晶素子５の具体的な構成は、種々のものとされてよい。例えば、水晶素子５の構成は、公知の種々のものとされてよい。

【0022】

なお、水晶ブランク１５は、エッチングによって作製される態様において、エッチングに対する水晶の異方性に起因して、側面等に傾斜面（別の観点では結晶面）を有していることがある。実施形態の説明では、そのような傾斜面の存在については基本的に無視する。寸法等の説明において、厳密性が要求される場合においては、その説明は、合理性を欠いたり、矛盾が生じたりしない限り、傾斜面を無視して運用されてもよいし、傾斜面を考慮して運用されてもよい。例えば、水晶ブランク１５のＤ１方向の長さというとき、当該長さは、水晶ブランク１５の上面又は下面の長さ（結晶面を除いた長さ）であってもよいし、平面透視における最大長さ（結晶面を考慮した長さ）であってもよい。

【0023】

図示の例では、水晶素子５は、いわゆるＡＴカット型の水晶素子とされている。ＡＴカット型の水晶素子５において、水晶ブランク１５は、概略、板状の形状を有している。また、１対の導体パターン１７は、板状の水晶ブランク１５の両方の主面（板形状の最も広い面。板形状の表裏。）に重なる１対の励振電極１９と、１対の励振電極１９から引き出されている１対の引出電極２１とを有している。

【0024】

１対の励振電極１９は、水晶ブランク１５に電圧を印加することに寄与する。ＡＴカット型においては、水晶ブランク１５に交流電圧が印加されることによって、いわゆる厚み滑り振動が生じる。１対の引出電極２１は、水晶素子５の実装に寄与する。より詳細には、図示の例では、１対の引出電極２１と後述する１対のパッド２５とが１対の接合材２９（図３）によって接合されることによって、水晶素子５は、パッケージ９に対して電気的に接続されるとともに固定され、さらに、片持ち梁状に支持される。

【0025】

図示の例以外の水晶素子としては、例えば、以下のものを挙げることができる。屈曲振動を利用する音叉型の素子。輪郭すべり振動を利用するＣＴカット若しくはＤＴカットの素子。厚み滑り振動を利用する、ＡＴカット以外のカット角（例えばＢＴカット）の素子。ＳＡＷ（surface acoustic wave）を利用する素子。なお、このような素子も、例えば、圧電体（例えば水晶）と、圧電体を励振する２以上の励振電極と、２以上の励振電極から引き出されている２以上の引出電極と、を有している。ＳＡＷを利用する素子においては、圧電体の層は、他の材料からなる層と重なっていてもよい。

【0026】

なお、本実施形態の説明では、便宜上、特に断り無く、水晶素子５がＡＴカット型のものであることを前提とした表現をすることがある。

【0027】

図示の例のように、板状の水晶ブランク１５と、水晶ブランク１５の両方の主面に重なる１対の励振電極１９と、１対の励振電極１９から引き出される１対の引出電極２１とを有する水晶素子５（ＡＴカット型とは限らない。）において、水晶ブランク１５、励振電極１９及び引出電極２１のより具体的な構成（平面形状等）は適宜に設定されてよい。

【0028】

例えば、水晶ブランク１５、励振電極１９及び引出電極２１の形状は、水晶素子５の両面のいずれが実装側（－Ｄ３側）とされてもよい構成とされていてもよいし、そのような構成とされていなくてもよい（図示の例）。例えば、水晶素子５は、Ｄ１方向（図示の例では水晶素子５の長手方向）に延びる不図示の中心線に対して概略１８０°回転対称の構成とされていてもよいし、そのような構成とされていなくてもよい（図示の例）。

【0029】

また、例えば、水晶ブランク１５の平面形状は、矩形状（図示の例）、円形状、楕円形状又は矩形以外の多角形とされてよい。また、水晶ブランク１５の平面形状は、多角形の任意の数の辺（例えば矩形状の１辺、２辺、３辺又は４辺）を外側に曲線状に膨らませた形状とされてもよい。また、水晶ブランク１５の平面形状は、一部に突起又は切欠きを有する形状であってもよい。また、例えば、水晶ブランク１５の平面形状は、Ｄ１方向を長手方向とする形状（Ｄ１方向の最大長さがＤ２方向の最大長さよりも長い形状）であってもよいし、そのような区別ができない形状であってもよい。

【0030】

また、例えば、水晶ブランク１５の厚さは、一定であってもよいし（図示の例）、一定でなくてもよい。後者の例としては、特に図示しないが、以下のものを挙げることができる。１対の励振電極１９と重なって励振される中央の領域（メサ部）が、その外周の領域よりも厚い、いわゆるメサ型。上記とは逆に、１対の励振電極１９と重なって励振される中央の領域（逆メサ部）が外周の領域よりも薄い、いわゆる逆メサ型。１対の励振電極１９と重なって励振される振動部と、当該振動部の縁部の一部（例えば１辺、２辺又は３辺）に隣接し、振動部よりも厚く、１対の引出電極２１が位置する固定部と、を有するもの。外周部において外周縁に近づくほど薄くなるベベル型。

【0031】

また、例えば、励振電極１９の平面形状は、水晶ブランク１５の平面形状（又は上述したメサ部、逆メサ部若しくは振動部の平面形状。本段落において、以下、同様。）に対して、類似する形状であってもよいし（図示の例）、そのような形状でなくてもよい。前者としては、例えば、水晶ブランク１５の平面形状－励振電極１９の平面形状が、矩形状－矩形状、円形状－円形状、又は楕円形状‐楕円形状である態様を挙げることができる。後者としては、例えば、水晶ブランク１５の平面形状－励振電極１９の平面形状が、矩形状－円形状、矩形状－楕円形状、又は楕円形状－矩形状である態様を挙げることができる。励振電極１９の平面形状が水晶ブランク１５の平面形状に類似するか否かに関わらず、水晶ブランク１５の平面形状についての既述の説明は、矛盾等が生じない限り、励振電極１９の平面形状に援用されてよい。

【0032】

また、例えば、１対の引出電極２１は、励振電極１９から水晶ブランク１５の一端側へ引き出されている。より詳細には、例えば、既に触れたように、特に符号を付さないが、各引出電極２１は、励振電極１９から延びる配線部と、配線部を介して励振電極１９と接続されているパッド状の端子部とを有している。端子部は、パッド２５に接合される部分である。

【0033】

厚み滑り振動を利用する水晶素子５においては、水晶ブランク１５の厚さ（本段落においては、特に断りがない限り、励振電極１９が重なっている部分における厚さ。）は、発振信号の周波数を決定する因子となっている。例えば、公知のように、ＡＴカットの水晶素子においては、基本的には、ｆ＝１．６７×ｎ／ｔの関係が成り立つ。ここで、ｆは周波数（ＭＨｚ）、ｎは利用される振動の次数、ｔ（ｍｍ）は厚さである。水晶素子５は、基本波モードを利用するものであってもよいし、オーバートーンモードを利用するものであってもよい。既述のように、発振信号の周波数は任意であり、ひいては、水晶ブランク１５の厚さも任意である。例えば、水晶ブランク１５の厚さは、５μｍ以上、１０μｍ以上、３０μｍ以上又は５０μｍ以上とされてよく、また、２００μｍ以下、１００μｍ以下、５０μｍ以下又は３０μｍ以下とされてよい。上記の下限と上限とは、矛盾が生じないように任意のもの同士が組み合わされてもよい。

【0034】

ＡＴカット型の水晶ブランク１５の最大厚さは、既述の説明から理解されるように、上記の周波数を規定する厚さと同じであってもよいし、異なっていてもよい。いずれにせよ、水晶ブランク１５の最大厚さは任意である。ＡＴカット型又は他の型の水晶ブランク（若しくは水晶素子）の最大厚さは、例えば、３０μｍ以上、５０μｍ以上又は１００μｍ以上とされてよく、また、３００μｍ以下、２００μｍ以下、１００μｍ以下又は５０μｍ以下とされてよい。上記の下限と上限とは、矛盾が生じないように任意のもの同士が組み合わされてもよい。

【0035】

導体パターン１７の材料は、例えば、金属とされてよい。金属としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）若しくは銀（Ａｇ）又はこれらの少なくとも１つを主成分とする合金を挙げることができる。導体パターン１７は、単一の材料からなる１層の導体層によって構成されていてもよいし、互いに異なる材料からなる複数の導体層が積層されて構成されていてもよい。導体パターン１７は、例えば、その面積全体に亘って材料の構成が同じであってもよいし、領域によって材料の構成が異なっていてもよい。

【0036】

（２．実装基体（感温素子との接合に係る部分を除く））
パッケージ９は、既述のように、振動子１の外郭を構成しており、その外形は、振動子１の外形の説明で述べたように、概ね薄型の直方体状である。パッケージ９（振動子１）の寸法は任意である。振動子１が比較的小さいものである場合の例を挙げると、平面視における長手方向又は短手方向（Ｄ１方向又はＤ２方向）の長さは、０．６ｍｍ以上２．０ｍｍ以下である。厚さ（Ｄ３方向の長さ）は、０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。

【0037】

パッケージ９は、既述のように、実装基体１１と、感温素子１３（蓋体）とを有している。実装基体１１は、例えば、絶縁基体２３と、絶縁基体２３に位置している種々の導体とを有している。種々の導体は、例えば、既述の端子３、水晶素子５が実装される２つのパッド２５（図１及び図３）、パッケージ９内の電気的接続に寄与する複数の配線２７（図３）を含んでいる。複数の配線２７は、例えば、２つのパッド２５と２つの端子３とを接続する２つの配線２７を含んでいる。

【0038】

以下における実装基体１１の説明は、概略、下記の順で行う。
２．１．絶縁基体２３
２．２．実装基体１１の導体
２．３．接合材２９

【0039】

（２．１．絶縁基体）
絶縁基体２３の形状、寸法及び材料は任意である。絶縁基体２３は、実装基体１１の大部分を構成しており、その外形（凹部Ｒ１を無視した形状）は、概略、薄型の直方体状である。凹部Ｒ１は、絶縁基体２３の上面（＋Ｄ３側の面）に開口している。特に図示しないが、平面視において、絶縁基体２３の角部は、平面又は曲面によって面取りされていたり、凹部（キャスタレーション）を有していたりしてもよい。

【0040】

絶縁基体２３は、凹部Ｒ１を有しているから、凹部Ｒ１の底面を構成している基板部２３ａと、凹部Ｒ１の壁部を構成している枠部２３ｂとを有していると捉えられてよい。なお、絶縁基体２３は、基板部２３ａと枠部２３ｂとを積層して作製されてもよいし、そのような製造方法とは異なる製造方法によって作製されてもよい。前者としては、例えば、枠部２３ｂとなる１層（又は２層以上）のセラミックグリーンシートに凹部Ｒ１となる開口を形成し、開口が形成された上記セラミックグリーンシートと、基板部２３ａとなる１層（又は２層以上）のセラミックグリーンシートとを積層して焼成する方法が挙げられる。後者としては、例えば、１層（又は２層以上）のセラミックグリーンシートにプレスによって凹部Ｒ１を形成して焼成する方法が挙げられる。後者の製造方法から理解されるように、基板部２３ａ及び枠部２３ｂ（別の観点では互いに異なる絶縁層）は、絶縁基体２３の形状及び／又は絶縁基体２３内の導体層に基づいて概念される便宜上のものであってよい。

【0041】

基板部２３ａは、例えば、概略、平板状である。換言すれば、基板部２３ａは、第１基板面２３ｃと、その反対側に面している第２基板面２３ｄとを有しており、両面は互いに平行な平面状である。第１基板面２３ｃは、凹部Ｒ１の底面を構成している。第２基板面２３ｄは、パッケージ９の下面を構成している。基板部２３ａの平面形状は、例えば、絶縁基体２３の外形が直方体状であることに対応して矩形状である。すなわち、基板部２３ａは、平面視において、互いに対向する１対の長辺と、互いに対向する１対の短辺とを有している。なお、長辺と短辺との長さの比は任意である。基板部２３ａの厚さも任意である。

【0042】

枠部２３ｂは、例えば、基板部２３ａの上面の縁部に沿って延びている。枠部２３ｂの平面視における外縁の形状は、例えば、基板部２３ａの外縁と概ね一致する形状である。枠部２３ｂの内縁の形状（平面視における凹部Ｒ１の形状）は、例えば、枠部２３ｂの外縁の４辺と概ね平行な４辺を有する矩形状である。枠部２３ｂは、例えば、一定の厚さを有している。枠部２３ｂの外周面及び内周面は、例えば、Ｄ３方向に概ね平行である。ただし、図示の例とは異なり、例えば、枠部２３ｂの内周面は、上方（＋Ｄ３側）ほど凹部Ｒ１の径が大きくなるように傾斜していてもよい。なお、そのような傾斜の有無に関わらず、実施形態の説明で言及される平面視における凹部Ｒ１の形状及び寸法は、特に断りが無い限り、また、矛盾等が生じない限り、凹部Ｒ１の上面開口（枠部２３ｂの上面（枠部上面２３ｅ）の内縁）のものであってもよいし、凹部Ｒ１の底面のものであってもよい。

【0043】

枠部２３ｂの厚さ（凹部Ｒ１の深さ）、又は第１基板面２３ｃから感温素子１３の後述する本体下面１３ｃまでの高さは、例えば、水晶素子５の厚さ等に応じて適宜に設定されてよい。これらの寸法は、例えば、従来の振動子１と同様とされて構わない。

【0044】

枠部２３ｂの幅（内周面から外周面までの長さ）は任意である。本実施形態においては、後に詳述するように、感温素子１３と電気的に接続される接続電極３１（図１及び図３）が枠部２３ｂの上面（枠部上面２３ｅ）に設けられる。従って、枠部２３ｂ（及び／又は枠部上面２３ｅ）の幅は、従来のパッケージに比較して、広くされていてもよい。また、当該幅は、従来と同様の大きさとされていてもよい。この場合は、例えば、枠部上面２３ｅに重なる封止材３３（符号は図３）の幅を従来よりも狭くすることによって、枠部上面２３ｅに接続電極３１を配置するための領域が確保されてよい。

【0045】

枠部２３ｂ及び／又は枠部上面２３ｅの幅（一定でない場合は、最大幅若しくは接続電極３１が位置する辺の幅）は、例えば、基板部２３ａの長手方向又は短手方向の長さに対して、１／２０以上、１／１０以上又は１／５以上とされてよく、また、１／３以下、１／４以下又は１／５以下とされてよい。上記の下限と上限とは、矛盾が生じないように任意のもの同士が組み合わされてもよい。

【0046】

凹部Ｒ１の平面視における大きさは、例えば、水晶素子５の平面視における大きさを考慮して適宜に設定されてよい。必要に応じて、感温素子１３の平面視における大きさが考慮されてもよい。例えば、平面視において、凹部Ｒ１の長手方向（Ｄ１方向）の径（高さ方向の位置等によって異なる場合は例えば最大径）は、水晶素子５の長手方向の径（例えば最大径）に対して、１．０５倍以上、１．１倍以上、１．２倍以上又は１．５倍以上とされてよく、また、２倍以下、１．５倍以下又は１．３倍以下とされてよい。上記の下限と上限とは、矛盾が生じないように任意のもの同士が組み合わされてもよい。

【0047】

なお、凹部Ｒ１の平面視における形状は、図示の例とは異なり、矩形状でなくてもよい。別の観点では、枠部上面２３ｅにおいて、内縁は外縁に平行でなくてもよい。例えば、水晶素子が振動用の腕又は実装用の腕を有する態様を想定する。このとき、平面視において、枠部上面２３ｅは、腕と水晶素子の他の部位との間に挿入される凸部を有していてもよい。このような凸部は、例えば、感温素子１３に接続される接続電極３１の配置領域を確保することに寄与し得る。

【0048】

絶縁基体２３（基板部２３ａ及び枠部２３ｂ）の材料は任意であり、例えば、セラミックとされてよい。セラミックの具体的な種類は任意であり、例として、酸化アルミニウム（アルミナ、Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、及びＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）を挙げることができる。もちろん、絶縁基体２３の材料は、セラミック以外の材料であってもよいし、複数種類の材料を含む複合材料であってもよい。

【0049】

（２．２．実装基体の導体）
既述のように、実装基体１１は、４つの端子３、２つのパッド２５及び配線２７を有している。

【0050】

４つの端子３は、例えば、基板部２３ａの第２基板面２３ｄに重なる層状（パッド状）の導体（例えば金属）によって構成されている。端子３の位置、形状及び寸法は任意である。例えば、４つの端子３は、第２基板面２３ｄの４隅に位置している。なお、このようにいうとき、平面視において、各端子３は、第２基板面２３ｄの互いに交差する２つの縁部（長辺及び短辺）から離れていてもよいし、離れていなくてもよい（図示の例）。また、４隅に位置しているか否かは、基板部２３ａの寸法、端子３の寸法、基板部２３ａの縁部と端子３の縁部との距離等に基づいて合理的に判断されてよい。後述するパッド２５等についても同様である。

【0051】

水晶素子５に接続される２つの端子３と、感温素子１３に接続される２つの端子３との位置関係は任意である。例えば、前者の２つの端子３は、基板部２３ａの長手方向の一方側（－Ｄ１側）に位置し、後者の２つの端子３は、基板部２３ａの長手方向の他方側（＋Ｄ１側）に位置してよい。また、例えば、前者の２つの端子３は、１対の対角に位置し、後者の２つの端子３は、他の１対の対角に位置してよい。

【0052】

２つのパッド２５は、例えば、基板部２３ａの第１基板面２３ｃに重なる層状（パッド状）の導体（例えば金属）によって構成されている。パッド２５の位置、形状及び寸法は任意である。例えば、２つのパッド２５は、基板部２３ａの中央よりも基板部２３ａの長手方向の一端側（－Ｄ１側）に位置しているとともに、基板部２３ａの短手方向に並んでいる。より詳細には、２つのパッド２５は、凹部Ｒ１の底面の４隅のうち、長手方向の一方側に位置する２つの隅に位置している。

【0053】

複数の配線２７のそれぞれは、適宜な構成とされてよい。例えば、各配線２７は、以下のいずれか１つを含んでいてよい。絶縁基体２３（基板部２３ａ及び／又は枠部２３ｂ）を厚さ方向（Ｄ３方向）に貫通するビア導体。絶縁基体２３（基板部２３ａ及び／又は枠部２３ｂ）の表面（上面、下面及び／又は側面）に重なる層状導体（層状配線）。絶縁基体２３の内部（例えば基板部２３ａと枠部２３ｂとの境界）に位置し、Ｄ１－Ｄ２平面（第１基板面２３ｃ）に沿っている（例えば平行な）層状導体。なお、絶縁基体２３の側面に重なる層状導体は、キャスタレーション（凹部）の内面に配置された層状導体を含む。

【0054】

図３に例示されているパッド２５と端子３とを接続する配線２７は、基板部２３ａを貫通するビア導体のみによって構成されている。水晶素子５（２つのパッド２５）と接続される２つの端子３の双方が基板部２３ａの長手方向の一方側に位置する態様において、図３に示されていないパッド２５と端子３とを接続する配線２７も同様とされてよい。また、水晶素子５と接続される２つの端子３が基板部２３ａの１対の対角に位置するか否かに関わらず、水晶素子５と接続される２つの配線２７は、図示以外の態様とされて構わない。

【0055】

なお、ビア導体と導体層（配線２７を構成するものだけでなく、パッド２５、端子３、接続電極３１等を含む。）との接続部において、材料等の観点から見たときに、導体層の上面又は下面とビア導体の下端面又は上端面とが接合されていてもよいし、ビア導体が導体層を貫通していてもよいし、そのような区別が不可能であってもよい。以下では、便宜上、いずれの態様であっても、ビア導体が導体層の上面又は下面に接合されているという捉え方を前提とした表現をすることがある。

【0056】

導体層（端子３、パッド２５及び配線２７）は、単一の材料からなる１層の導体層によって構成されていてもよいし、互いに異なる材料からなる複数の導体層が積層されて構成されていてもよい。また、導体層は、領域によって材料の構成が異なっていてもよい。

【0057】

ビア導体（配線２７）の具体的な構成は、種々の構成とされてよい。例えば、ビア導体は、中実（内部に空洞がない態様）であってもよいし（図示の例）、中空状であってもよい。また、ビア導体は、その全体が同じ材料によって構成されていてもよいし、内部と外周面とが異なる材料によって構成されていてもよい。また、例えば、ビア導体は、直柱状であってもよいし、テーパ状であってもよいし、適宜な位置にフランジを有していてもよい。

【0058】

上述した各種の導体（導体層、ビア導体、端子３、パッド２５及び配線２７）の材料は、例えば、金属とされてよい。金属としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）若しくはプラチナ（Ｐｔ）又はこれらの少なくとも１つを主成分とする合金を挙げることができる。

【0059】

（２．３．接合材）
水晶素子５とパッド２５とを接合する導電性の接合材２９は、例えば、導電性接着剤である。導電性接着剤は、特に図示しないが、絶縁性のバインダーと、当該バインダーに分散されている導電性フィラー（導電性粉末）とを有している。バインダーは、有機材料（例えば樹脂、より詳細には熱硬化性樹脂）であってもよいし、無機材料であってもよい。樹脂は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂とされてよい。導電性フィラーの材料は、例えば、金属とされてよい。金属は、例えば、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル若しくは鉄、又はこれらの１つ以上を主成分とする合金とされてよい。

【0060】

（３．感温素子）
感温素子１３の種類（別の観点では温度の検出原理）は任意である。例えば、感温素子１３は、サーミスタ、測温抵抗体、熱電対又はダイオードであってよい。また、例えば、感温素子１３のうち、温度の検出に直接に寄与する機能部（例えばサーミスタでは抵抗体（狭義のサーミスタ））は、外部（凹部Ｒ１内の空間）に露出していてもよいし、封止部によって覆われていてもよい。封止部の材料は任意であり、例えば、ガラス、セラミック又は樹脂等の絶縁材料とされてよい。

【0061】

図示の例では、感温素子１３は、素子本体１３ａと、１対の素子端子１３ｂとを有している。素子本体１３ａは、例えば、２つの素子端子１３ｂを介して電圧が印加される。また、別の観点では、素子本体１３ａは、温度に応じた強度の信号を２つの素子端子１３ｂの少なくとも一方から出力する。

【0062】

素子本体１３ａは、先の説明から理解されるように、例えば、少なくとも機能部を含み、さらに、機能部を覆う封止部を有していてもよい。素子本体１３ａの形状は、例えば、概略、薄型の直方体状（より詳細には図示の例では板形状）とされてよい。

【0063】

２つの素子端子１３ｂは、例えば、素子本体１３ａの外部（より詳細には実装基体１１側（－Ｄ３側））に露出している。このようにいうとき、素子端子１３ｂは、例えば、素子本体１３ａの－Ｄ３側の面（本体下面１３ｃということがある。）に重なる層状導体であってもよいし、少なくとも本体下面１３ｃにおいて露出している部分を有する導体（必ずしも層状導体とは限らない。）であってもよい。素子端子１３ｂの材料は任意であり、例えば、実装基体１１の種々の導体の材料の説明は、素子端子１３ｂの材料に援用されてよい。

【0064】

なお、実施形態における感温素子１３の位置、形状及び寸法に係る説明は、特に断りが無い限り、また、矛盾等が生じない限り、素子本体１３ａの位置、形状及び寸法に援用されてよい。さらに、素子本体１３ａが機能部のみからなるにせよ、機能部以外の部位（例えば封止部）を有するにせよ、感温素子１３の位置、形状及び寸法に係る説明は、特に断りが無い限り、また、矛盾等が生じない限り、機能部の位置、形状及び寸法に援用されてよい。

【0065】

感温素子１３の形状及び寸法は、凹部Ｒ１を塞ぐことができる限り、任意である。図示の例では、感温素子１３（より詳細には素子本体１３ａ）は、概略、平板状の部材である。その平面形状は、概略、枠部２３ｂの平面形状と同じであり、すなわち、矩形状である。別の観点では、感温素子１３の外縁は、枠部２３ｂに沿って（例えば平行に）延びている。平面透視において、感温素子１３の外縁は、例えば、その全体が枠部２３ｂ（より詳細には枠部上面２３ｅ）の内縁に対して外側に位置している。また、平面透視において、感温素子１３の外縁の一部又は全部は、枠部２３ｂの外縁に対して、一致していてもよいし（図示の例）、内側に位置していてもよいし、外側に位置していてもよい。

【0066】

感温素子１３の厚さは任意である。例えば、感温素子１３の厚さ（厚さが一定でない場合は、例えば、最小厚、平均厚又は最大厚）は、水晶素子５（又は水晶ブランク１５）の厚さ（厚さが一定でない場合は、例えば、励振電極１９の領域における厚さ、最小厚又は最大厚）に対して、薄くてもよいし、同等でもよいし、厚くてもよい。

【0067】

（４．実装基体と感温素子との接合）
実装基体１１と感温素子１３とは、凹部Ｒ１を気密封止するために接合されるとともに、感温素子１３の２つの素子端子１３ｂと実装基体１１の２つの端子３とを電気的に接続するために接合される。以下の説明では、概略、下記の順に説明する。
４．１．封止のための接合
４．２．電気的接続のための接合

【0068】

（４．１．封止のための接合）
封止のための接合は、凹部Ｒ１を気密封止できる限り、種々の方法とされてよい。図示の例では、実装基体１１と感温素子１３との間に封止材３３（符号は図３）が介在して両者を接合している。より詳細には、図示の例では、封止材３３は、枠部２３ｂの上面に重なっている第１金属層３５と、導電性の感温素子１３の下面に重なっている第２金属層３７とを有している。そして、例えば、第１金属層３５及び第２金属層３７が互いに重なっている状態で、これらの金属層が加熱及び加圧されることによって（換言すれば金属層が加熱及び加圧されることによって）両者が溶接される。

【0069】

なお、封止材３３は、その一部又は全部が実装基体１１又は感温素子１３の一部と捉えられても構わない。例えば、第１金属層３５は、実装基体１１の一部と捉えられてもよい。第２金属層３７は、感温素子１３の一部として捉えられてもよい。実施形態の説明では、便宜上、主として、実装基体１１及び感温素子１３とは別個の部材として封止材３３を捉えた表現をする。ただし、特に断り無く、封止材３３を実装基体１１又は感温素子１３の一部として捉えた表現をすることもある。

【0070】

導電性の封止材３３（第１金属層３５及び／又は第２金属層３７。以下、本段落において同様。）は、特に図示しないが、基準電位が付与される端子３に対して配線２７を介して接続されてよい。基準電位が付与される端子３は、例えば、感温素子１３と接続される２つの端子３の１つであってよい。封止材３３と端子３とを接続する経路と、感温素子１３と端子３とを接続する経路とは少なくとも一部同士が共用されてよい。なお、感温素子１３は、基準電位を利用しないものであってもよい。この場合において、導電性の封止材３３は、例えば、電気的に浮遊状態とされたり、基準電位用の不図示の端子３が追加されることによって基準電位が付与されたりしてよい。

【0071】

第１金属層３５及び第２金属層３７の材料は任意である。例えば、第２金属層３７の材料は、ろう材とされ、第１金属層３５は、第２金属層３７の濡れ性を向上させる材料とされてよい。このような態様における具体的な材料も任意である。例えば、第２金属層３７の材料は、銀ロウ又は金錫とされてよい。第１金属層３５の材料は、例えば、タングステン又はモリブデンからなる層の表面にニッケルメッキ及び金メッキが順次施された構成とされてよい。

【0072】

実装基体１１と感温素子１３との接合方法は、上記以外の種々の方法とされてもよい。

【0073】

例えば、封止材３３は、金属（別の観点では導電材料）に限定されず、絶縁材料であってもよい。そのような材料としては、例えば、ガラスが挙げられる。換言すれば、ガラス封止が行われてもよい。ガラスの具体的な種類としては、例えば、鉛系若しくは鉛フリー系の低融点ガラスが挙げられる。鉛フリー系としては、例えば、ビスマス系又は錫系が挙げられる。低融点ガラスのガラス転移温度は、例えば、２００℃以上５００℃以下である。

【0074】

また、例えば、溶接及びろう付けとは異なり、溶融を伴わずに接合が行われてもよい。別の観点では、第２金属層３７は、ろう材でなくてよい。例えば、第１金属層３５と第２金属層３７との接合は、拡散接合（別の表現では金属間直接接合）であってもよい。より詳細には、例えば、第１金属層３５及び第２金属層３７の互いに重なる面に所定の処理（例えば研磨及び／又は活性化処理）を施し、これらの金属層を融点未満の温度条件化で加圧してよい。加熱は、行われてもよいし、行われなくてもよい。

【0075】

導電性又は絶縁性の封止材３３を加熱する方法は、種々の方法とされてよい。例えば、加熱は、振動子１を炉に配置することによって行われてもよいし、超音波の照射によって行われてもよいし、レーザー光の照射によって行われてもよいし、これらの組み合わせによって行われてもよい。

【0076】

封止材３３（別の観点では第１金属層３５及び／又は第２金属層３７。以下、特に断りが無い限り、本段落及び次段落において同様。）の平面視における形状及び寸法は、平面透視において枠部上面２３ｅとの重複領域が枠状（環状）をなすように設定されている。例えば、封止材３３は、平面透視において、枠部上面２３ｅに収まる形状及び寸法を有している。図示の例では、封止材３３（別の観点では第１金属層３５）の外縁は、枠部上面２３ｅの外縁に一致している。また、封止材３３（別の観点では第２金属層３７）の外縁は、本体下面１３ｃの外縁に一致している。ただし、封止材３３の外縁の一部又は全部は、枠部上面２３ｅ及び／又は本体下面１３ｃの外縁に一致していなくてもよい。

【0077】

既述のように、枠部上面２３ｅには感温素子１３と接続される接続電極３１が設けられる。従って、少なくとも接続電極３１の配置位置においては、封止材３３は、基本的には（第１金属層３５の＋Ｄ１側の部分を除いて）、枠部上面２３ｅの内縁から離れている。別の観点では、例えば、少なくとも接続電極３１の配置位置においては、封止材３３の幅（内縁から外縁までの長さ）は、基本的には、枠部上面２３ｅの幅よりも狭くされている。接続電極３１の配置位置以外においては、封止材３３の内縁は、枠部上面２３ｅの内縁から離れていてもよいし（図示の例）、枠部上面２３ｅの内縁に一致していてもよい。換言すれば、接続電極３１の配置位置以外においては、封止材３３の幅は、枠部上面２３ｅの幅に対して、狭くてもよいし、同等であってもよい。

【0078】

封止材３３が導電性の場合においては、封止材３３は、例えば、基本的に（第１金属層３５の＋Ｄ１側の部分を除いて）、２つの接続電極３１から離れている。ただし、封止材３３は、２つの接続電極３１のうち１つ（図示の例では＋Ｄ１側の接続電極３１）と枠部上面２３ｅ上においてつながっていてもよい。この場合、２つの接続電極３１のうち１つ（別の観点では感温素子１３の２つの素子端子１３ｂの１つ）は、例えば、基準電位が付与されるものであってよい。また、絶縁性の封止材３３は、２つの接続電極３１の一方又は双方に対して接触していてよい。

【0079】

１つの接続電極３１と導電性の封止材３３（例えば第１金属層３５）とがつながっている態様において、両者は、互いに異なる材料によって構成されていてもよいし、互いに同一の材料によって一体的に形成されていてもよい。後者の態様において、１つの接続電極３１及び第１金属層３５は、その厚さ及び平面形状から区別可能でなくてもよい。例えば、第１金属層３５が、平面透視において、枠部上面２３ｅの１辺の全長かつ全幅に重なっており、その一部の領域が１つの接続電極３１として利用されてもよい。

【0080】

これまでの説明からも理解されるように、封止材３３は、全周に亘って一定の幅で延びていてもよいし（図示の例）、幅を変化させながら延びていてもよい。後者の態様としては、例えば、枠部上面２３ｅが有する４辺のうち、各辺においては幅が一定で、辺同士で幅が異なる態様が挙げられる。この場合、例えば、接続電極３１が配置される辺における封止材３３の幅が、接続電極３１が配置されない辺における封止材３３の幅よりも狭くされてよい。また、封止材３３が幅を変化させながら延びる他の態様としては、例えば、各辺において、幅が変化する態様が挙げられる。より具体的には、例えば、接続電極３１の配置領域及びその周囲においてのみ幅が狭くなる態様が挙げられる。

【0081】

封止材３３の幅の具体的な大きさは任意である。例えば、封止材３３の幅（例えば最小幅）は、枠部上面２３ｅの幅（上記の封止材３３の幅と同じ位置における幅）に対して、１／１０以上、１／５以上、１／３以上又は１／２以上とされてよく、また、４／５以下、３／４以下、２／３以下又は１／２以下とされてよい。上記の下限と上限とは、矛盾が生じないように任意のもの同士が組み合わされてよい。また、枠部上面２３ｅの幅に関して先に例示した下限及び／又は上限の任意のものと、封止材３３の幅に関する上記の下限及び／又は上限の任意のものとが組み合わされてもよい。

【0082】

封止材３３の厚さは、例えば、その全周に亘って一定である。封止材３３の厚さの具体的な値は任意である。例えば、封止材３３の厚さは、水晶素子５（又は水晶ブランク１５）の厚さ（最小厚又は最大厚）に対して、薄くてもよいし、同等でもよいし、厚くてもよい。第１金属層３５の厚さは、例えば、１０μｍ以上３０μｍ以下とされてよく、また、当該範囲よりも厚くされても構わない。第２金属層３７の厚さは、例えば、１０μｍ以上４０μｍ以下とされてよく、また、当該範囲よりも厚くされても構わない。

【0083】

（４．２．電気的接続のための接合）
１対の素子端子１３ｂは、例えば、感温素子１３のうち、平面透視において枠部上面２３ｅと重複する領域に位置している。これにより、感温素子１３が凹部Ｒ１に被せられた状態で、１対の素子端子１３ｂと、枠部上面２３ｅに位置する１対の接続電極３１とが対向し、両者が接続される。

【0084】

平面透視において、１対の素子端子１３ｂは、枠部上面２３ｅ内の任意の領域に位置してよい。例えば、各素子端子１３ｂは、枠部上面２３ｅの４辺のうち、１辺に収まっていてもよいし（図示の例）、２辺以上に亘って延びていてもよい。なお、以下の説明では、特に断りが無い限り、また、矛盾等が生じない限り、１つの素子端子１３ｂは、１辺に収まっていると捉えられてよい。

【0085】

また、例えば、１つの素子端子１３ｂは、枠部上面２３ｅの４辺のうち、長辺及び短辺のいずれに位置していてもよい。また、２つの素子端子１３ｂは、互いに同じ１辺に位置していてもよいし、互いに異なる２辺に位置していてもよい（図示の例）。上記の互いに異なる２辺は、互いに対向する２辺であってもよいし（図示の例）、互いに交差する２辺であってもよい。

【0086】

また、例えば、枠部上面２３ｅの１辺に収まる１つの素子端子１３ｂは、１辺の長さ方向の任意の領域に位置してよい。例えば、１つの素子端子１３ｂは、１辺の全体に位置してもよいし（図示の例）、１辺の一部に位置してもよい。後者の態様において、１つの素子端子１３ｂは、１辺の端部側に位置してもよいし、１辺の中央側に位置してもよい。

【0087】

平面透視したとき、１対の素子端子１３ｂは、例えば、封止材３３（別の観点では第２金属層３７）よりも内側に位置している。より詳細には、例えば、１対の素子端子１３ｂは、例えば、導電性の封止材３３（別の観点では第１金属層３５及び／又は第２金属層３７）から離れている。ただし、１対の素子端子１３ｂの１つ（図示の例では＋Ｄ１側の素子端子１３ｂ）は、本体下面１３ｃ（枠部上面２３ｅ）において導電性の封止材３３とつながっていてもよい。この場合、上記１つの素子端子１３ｂは、例えば、基準電位が付与されるものであってよい。また、１対の素子端子１３ｂの１つ又は双方は、絶縁性の封止材３３に対して、接触していてもよいし、非接触であってもよい。

【0088】

１つの素子端子１３ｂと導電性の封止材３３（例えば第２金属層３７）とがつながっている態様において、両者は、互いに異なる材料によって構成されていてもよいし、互いに同一の材料によって一体的に形成されていてもよい。後者の態様において、１つの素子端子１３ｂ及び第２金属層３７は、その厚さ及び平面形状から区別可能でなくてもよい。例えば、第２金属層３７が平面透視で枠部上面２３ｅの１辺の全長かつ全幅に亘る広さを有しており、その一部の領域が１つの素子端子１３ｂとして利用されてもよい。

【0089】

平面透視したとき、１対の素子端子１３ｂは、上記のように封止材３３よりも内側に位置している限り、枠部上面２３ｅ内において、幅方向（内縁から外縁への方向）の任意の領域に位置してよい。例えば、１対の素子端子１３ｂは、枠部上面２３ｅの幅方向中央よりも内側に位置していてもよいし、幅方向中央に重なっていてもよいし、枠部上面２３ｅの内縁に重なっていてもよいし、枠部上面２３ｅの内縁から外側に離れていてもよい。素子端子１３ｂは、枠部上面２３ｅの内縁よりも内側に位置する部分を有していてもよい。

【0090】

既述の位置の説明からも理解されるように、平面視における素子端子１３ｂの形状及び寸法は任意である。例えば、素子端子１３ｂの平面形状は、枠部上面２３ｅの１辺に位置する矩形状であってもよいし（図示の例）、枠部上面２３ｅの４辺のうちの２辺に沿う概略Ｌ字状であってもよいし、枠部上面２３ｅの４辺のうちの３辺に沿う概略Ｕ字状であってもよい。また、１辺に位置する素子端子１３ｂの形状は、矩形状に限定されず、他の形状（例えば、円形状、楕円形状又は矩形以外の多角形状等）であってもよい。

【0091】

また、例えば、枠部上面２３ｅの内縁の１辺の長さに対する１つの素子端子１３ｂの長さは、１／２未満であってもよいし、１／２以上であってもよい。また、例えば、枠部上面２３ｅの幅に対する素子端子１３ｂの幅は、１／３未満であってもよいし、１／３以上であってもよい。

【0092】

素子端子１３ｂの厚さは任意である。ただし、図１～図３の例では、平面状の本体下面１３ｃと平面状の枠部上面２３ｅとの間にて、接続電極３１と素子端子１３ｂとが互いに対向して接合されるから、素子端子１３ｂの厚さは、封止材３３の厚さ未満である。ただし、枠部上面２３ｅにおいて、接続電極３１の配置領域を第１金属層３５の配置領域よりも低くすることなどによって、素子端子１３ｂの厚さを封止材３３の厚さ以上とすることも可能である。図１～図３の例において、素子端子１３ｂの厚さは、第２金属層３７の厚さよりも薄くてもよいし、同等でもよいし、厚くてもよい。本段落における素子端子１３ｂの厚さの説明は、接続電極３１の厚さに援用されてよい。このとき、第２金属層３７の語は、第１金属層３５の語に置換されてよい。

【0093】

既に触れたように、実装基体１１は、２つの素子端子１３ｂと接続される接続電極３１を有している。接続電極３１と素子端子１３ｂとは互いに対向して接合される。平面透視したとき、接続電極３１と素子端子１３ｂとは概ね一致してもよいし、重複しつつも互いにずれていてもよい。いずれにせよ、平面透視における素子端子１３ｂの位置、形状及び寸法に関する既述の説明は、矛盾等が生じない限り、平面透視における接続電極３１の位置、形状及び寸法に援用されてよい。

【0094】

２つの接続電極３１は、２つの配線２７を介して２つの端子３と電気的に接続されている。配線２７が種々の構成とされてよいことについては既に述べた。図３の例では、実装基体１１の長手方向においてパッド２５とは反対側（＋Ｄ１側）に位置している接続電極３１と端子３とを接続する配線２７は、枠部２３ｂ及び基板部２３ａを貫通するビア導体のみによって構成されている。また、パッド２５側（－Ｄ１側）に位置している接続電極３１は、枠部２３ｂを貫通するビア導体と、枠部２３ｂの下面に位置する導体層と、基板部２３ａを貫通する不図示のビア導体とによって構成されている。

【0095】

接続電極３１の材料も任意である。例えば、接続電極３１の材料は、実装基体１１の種々の導体（３、２５及び／又は２７）の材料と同じであってもよいし、封止材３３（例えば第１金属層３５）の材料と同じであってもよい。いずれにせよ、実装基体１１の種々の導体の材料及び／又は封止材３３の材料の説明は、接続電極３１の材料に援用されてよい。

【0096】

素子端子１３ｂと接続電極３１との接合方法は種々の方法とされてよい。例えば、両者は、その間に介在する導電性の接合材（不図示）によって接合されてよい。導電性の接合材は、導電性接着剤であってもよいし、金属材料であってもよい。金属材料は、はんだ（鉛フリーはんだを含む。以下、同様。）であってもよいし、ろう材であってもよい。また、素子端子１３ｂ及び接続電極３１は、金属間直接接合によって接合されてもよい。接続電極３１及び素子端子１３ｂの接合方法は、第１金属層３５及び第２金属層３７の接合方法と同じであってもよいし、異なっていてもよい。

【0097】

素子端子１３ｂと接続電極３１との接合は、例えば、封止材３３によって実装基体１１と感温素子１３とを接合する封止工程の前に行われてよい。封止工程において素子端子１３ｂ及び接続電極３１（並びに接合材が介在する場合は接合材）における温度は、例えば、両者を接合する導電性接着剤の耐熱温度未満、又は両者を接続する金属材料（はんだ若しくはろう材。素子端子１３ｂ自体及び／又は接続電極３１自体であってもよい。次段落において同様。）の溶融温度未満とされる。ただし、金属材料は、溶融して再度接着されても構わない。

【0098】

上記とは異なり、素子端子１３ｂと接続電極３１との接合は、封止材３３によって実装基体１１と感温素子１３とを接合する封止工程と同時に行われてもよい。例えば、封止工程のときの熱によって、素子端子１３ｂと接続電極３１との間の導電性接着剤が硬化したり、素子端子１３ｂと接続電極３１との間の金属材料（素子端子１３ｂ及び接続電極３１の少なくとも一方に接合されていない状態のもの）が溶融されたりしてもよい。また、第２金属層３７の材料と同一の材料によって第２金属層３７と一体的に形成される素子端子１３ｂが封止工程において接続電極３１と接合されてよいことは明らかである。

【0099】

なお、封止工程の後に、素子端子１３ｂと接続電極３１とを接合することも可能である。例えば、封止工程において素子端子１３ｂ及び接続電極３１における温度は、例えば、両者を接続する金属材料の溶融温度未満とされる。その後、超音波の照射等によって素子端子１３ｂ及び接続電極３１を加熱したり、適宜な器具によって感温素子１３を局所的に加圧したりしてよい。

【0100】

（５．変形例）
以下、変形例について、概略、下記の順で説明を行う。
５．１．接続電極３１に係る変形例（図４（ａ）～図５）
５．２．素子本体１３ａに係る変形例（図６（ａ）～図７（ｃ））

【0101】

（５．１．接続電極に係る変形例）
図４（ａ）、図４（ｂ）及び図５は、変形例に係る実装基体１１Ａ、１１Ｂ及び１１Ｃの平面図である。これらの図では、水晶素子５も図示されている。

【0102】

既述のように、接続電極３１（別の観点では素子端子１３ｂ）の位置、形状及び寸法は種々のものとされてよい。図４（ａ）、図４（ｂ）及び図５は、図１～図３に例示した接続電極３１の位置、形状及び寸法とは異なる例を示す図となっている。具体的には、以下のとおりである。なお、特に図示しないが、変形例に係る接続電極３１と接続される素子端子１３ｂの位置、形状及び寸法は、変形例に係る接続電極３１の位置、形状及び寸法と概略同様である。

【0103】

図４（ａ）に示す例では、２つの接続電極３１は、実施形態とは逆に、第１金属層３５（別の観点では封止材３３）よりも外側に位置している。ただし、１つの接続電極３１（＋Ｄ１側の接続電極３１）は、第１金属層３５とつながっている。この場合、既述のように、両者は、異なる材料によって形成されていてもよいし、同一の材料によって一体的に形成されていてもよい。

【0104】

実施形態における接続電極３１、素子端子１３ｂ、封止材３３（第１金属層３５及び／又は第２金属層３７）の位置、形状及び寸法の説明は、矛盾等が生じない限り、図４（ａ）に示す変形例に援用されてよい。ただし、内縁と外縁との語を適宜に置換するなどの読み替えが合理的に行われてよい。

【0105】

例えば、実施形態の説明では、封止材３３の外縁は、その全部が枠部上面２３ｅの外縁に一致していてもよいし、一部及び全部が枠部上面２３ｅの外縁から離れていてもよいことを述べた。図４（ａ）の例では、封止材３３の内縁は、その全部が枠部上面２３ｅの内縁に一致していてもよいし、一部及び全部が枠部上面２３ｅの内縁から離れていてもよい。

【0106】

また、例えば、実施形態の説明では、封止材３３の内縁は、少なくとも接続電極３１の配置領域において、枠部上面２３ｅの内縁から離れていることを述べた（ただし、１つの接続電極３１が第１金属層３５の一部とみなせる部分を除く。）。図４（ａ）の例では、封止材３３の外縁は、少なくとも接続電極３１の配置領域において、枠部上面２３ｅの外縁から離れている（ただし、１つの接続電極３１が第１金属層３５の一部とみなせる部分を除く。）。

【0107】

図４（ａ）の例では、第１金属層３５（封止材３３）は、接続電極３１が位置している辺（図示の例では短辺）において、その内縁を枠部上面２３ｅの内縁に一致させている。接続電極３１が位置していない辺（図示の例では長辺）において、第１金属層３５（封止材３３）は、その外縁を枠部上面２３ｅの外縁に一致させ、また、枠部上面２３ｅの幅よりも狭い幅を有している。これまでの説明からも明らかなように、第１金属層３５（封止材３３）の位置及び幅は図示の態様に限定されない。例えば、第１金属層３５（封止材３３）は、接続電極３１が位置していない辺において、枠部上面２３ｅの幅と同等の幅を有していてもよい。

【0108】

図４（ｂ）に示す例では、２つの接続電極３１は、図４（ａ）に示す例と同様に、第１金属層３５よりも外側に位置している。ただし、いずれの接続電極３１も第１金属層３５から離れている。図４（ｂ）の例においても、図４（ａ）の例と同様に、内縁と外縁とを置換するなどしつつ、実施形態における接続電極３１、素子端子１３ｂ、封止材３３（第１金属層３５及び／又は第２金属層３７）の位置、形状及び寸法の説明が援用されてよい。

【0109】

図４（ｂ）の例では、第１金属層３５（封止材３３）は、接続電極３１が位置している辺（図示の例では短辺）において、図４（ａ）の例と同様に、その内縁を枠部上面２３ｅの内縁に一致させている。接続電極３１が位置していない辺（図示の例では長辺）において、第１金属層３５（封止材３３）は、図４（ａ）と同様に、枠部上面２３ｅの幅よりも狭い幅を有している。ただし、図４（ａ）の例とは異なり、第１金属層３５（封止材３３）は、その内縁を枠部上面２３ｅの内縁に一致させている。これまでの説明からも明らかなように、第１金属層３５（封止材３３）の位置及び幅は図示の態様に限定されない。例えば、第１金属層３５（封止材３３）は、接続電極３１が位置していない辺において、枠部上面２３ｅの幅と同等の幅を有していてもよい。

【0110】

図５に示す例では、２つの接続電極３１は、図１～図３に示す例と同様に、第１金属層３５よりも内側に位置している。ただし、いずれの接続電極３１も第１金属層３５から離れている。

【0111】

特に図示しないが、１つの接続電極３１が第１金属層３５よりも内側に位置し、かつ１つの接続電極３１が第１金属層３５よりも外側に位置していてもよい。

【0112】

図１～図３では、１つの接続電極３１が第１金属層３５とつながっており、２つの素子端子７ｂの双方が第２金属層３７とつながっていない態様が例示された。ただし、第１金属層３５とつながっている１つの接続電極３１と接合される１つの素子端子７ｂも第２金属層３７とつながっていてよい。また、図示の例とは逆に、２つの接続電極３１の双方が第１金属層３５とつながっておらず、１つの素子端子７ｂが第２金属層３７とつながっていてもよい。また、２つの接続電極３１の双方が第１金属層３５とつながっておらず、２つの素子端子７ｂの双方が第２金属層３７とつながっていなくてもよい。上記のことは、少なくとも１つの接続電極３１が封止材３３に対して内側に位置する態様、及び少なくとも１つの接続電極３１が封止材３３に対して外側に位置する態様のいずれにおいても成立してよい。

【0113】

（５．２．素子本体に係る変形例）
図６（ａ）、図６（ｂ）、図７（ａ）、図７（ｂ）及び図７（ｃ）は、変形例に係る水晶振動子１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ及び１Ｈの一部を示す断面図である。これらの図は、図３の上方部分に対応している。なお、これらの図面においては、平面視における接続電極３１等の配置に関して、実施形態の配置を例に取っている。ただし、平面視における接続電極３１等の配置は、図４（ａ）～図５を参照して説明した変形例のものであっても構わない。

【0114】

図６（ａ）に示す例では、感温素子１３Ｄ（素子本体１３ａ）の形状は、平板状以外の形状とされている。具体的には、感温素子１３Ｄは、凹部Ｒ１に対向する領域が他の領域に対して凹部Ｒ１側に厚くなっている。このような構成により、例えば、水晶素子５に近い位置で素子本体１３ａの体積を確保したり、素子本体１３ａを水晶素子５に近づけたりできる。別の観点では、素子本体１３ａの枠部上面２３ｅに重なる領域を薄くすることによって、パッケージ９Ｄを薄型化できる。

【0115】

感温素子１３Ｄにおいて、厚くされている領域の広さ及び厚さは任意である。図示の例では、厚くされている領域は、平面視において凹部Ｒ１よりも小さく、また、凹部Ｒ１の中央側に位置している。従って、厚くされている領域は、凹部Ｒ１の内周面から離れている。ただし、厚くされている領域は、凹部Ｒ１と同等の広さを有していたり、任意の方向において凹部Ｒ１と同等の径を有したりすることによって、凹部Ｒ１に嵌っていてもよい。また、厚くされている領域の厚さは、例えば、枠部上面２３ｅに重なっている領域の厚さに対して、１．２倍以上、１．５倍以上又は２倍以上とされてよい。感温素子１３Ｄが水晶素子５に接触しない限り、上限は特に制限されない。

【0116】

図６（ｂ）に示す例では、感温素子１３Ｅ（素子本体１３ａ）の形状は、図６（ａ）の例と同様に、平板状以外の形状とされている。ただし、感温素子１３Ｅは、図６（ａ）の例とは逆に、枠部上面２３ｅに重なる領域（枠状の領域）が他の領域に対して枠部上面２３ｅ側に厚くなっている。このような構成により、例えば、感温素子１３Ｅの強度を確保できる。また、感温素子１３Ｅを全体的に厚くした場合に比較して、パッケージ９Ｅ内の空間の容積を確保することができる。

【0117】

感温素子１３Ｅにおいて、厚くされている領域の広さは、図示の例のように、枠部上面２３ｅの広さと同等であってもよいし、さらに凹部Ｒ１側に広がっていてもよい。この場合、例えば、平面透視において、厚くされている領域の内縁は、水晶素子５の外縁よりも外側であってよい。また、感温素子１３Ｅにおいて、厚くされている領域の厚さは任意である。例えば、厚くされている領域の厚さは、凹部Ｒ１に対向している領域の厚さに対して、１．２倍以上、１．５倍以上又は２倍以上とされてよい。上限は特に制限されない。

【0118】

図１～図３、図６（ａ）及び図６（ｂ）の例では、感温素子（１３等）は、実装基体１１に対して、凹部Ｒ１の底面に沿う方向（Ｄ１－Ｄ２平面に沿う方向）において当接していない。例えば、感温素子（１３等）は、実装基体１１に対して、凹部Ｒ１内において、及び実装基体１１の外周面において、当接していない。一方、図７（ａ）～図７（ｃ）に示す例は、感温素子（１３等）が実装基体（１１Ｆ等）にＤ１－Ｄ２平面に沿う方向において当接する態様の例となっている。具体的には、以下のとおりである。

【0119】

図７（ａ）に示すパッケージ９Ｆにおいて、感温素子１３は、平面視において、枠部２３ｂの外縁よりも内側に収まる広さとされている。また、枠部２３ｂの上面において、感温素子１３と対向する領域は、その外側の領域（枠状の領域）よりも低くされている。そして、感温素子１３は、枠部２３ｂの上端の内部（凹部Ｒ１の上端）に嵌っている。封止のための接合、及び感温素子１３と実装基体１１Ｆとの電気的接続のための接合は、例えば、実施形態と同様に、感温素子１３と枠部２３ｂの上面との互いに重なる領域において行われてよい。

【0120】

枠部２３ｂにおいて、相対的に低くされている領域の幅（内縁から外縁までの長さ）、及び相対的に高くされている領域の幅の大きさは任意であり、例えば、両者は、互いに同等であってもよいし、一方が他方よりも大きくてもよい。また、枠部２３ｂにおいて、相対的に低くされている領域と相対的に高くされている領域との高さの差も任意である。例えば、両者の高さの差に関連して、感温素子１３の上面の高さ（Ｄ３方向の位置）は、枠部２３ｂの相対的に高くされている領域の高さ（Ｄ３方向の位置）に対して、低くてもよいし、同等でもよいし（図示の例）、高くてもよい。

【0121】

なお、枠部２３ｂにおいて、上面のうちの第１領域を第２領域よりも低くする方法は種々の方法とされてよい。例えば、凹部Ｒ１の形成と同様に、第２領域にセラミックグリーンシートが積層されることによって第２領域が相対的に高くされたり、又は第１領域がプレスによって相対的に低くされたりしてよい。また、第１領域に対して研磨、研削、切削又はレーザー加工を施すことによって第１領域が相対的に低くされてもよい。他の変形例においても同様である。

【0122】

図７（ｂ）に示すパッケージ９Ｇにおいて、枠部２３ｂの上面は、内縁側の領域（枠状の領域）が外縁側の領域よりも低くされている。一方、感温素子１３Ｇは、上記の内縁側の領域に対向する領域（枠状の領域）に亘って、枠部２３ｂ側に突出する凸部１３ｇを有している。そして、凸部１３ｇは、枠部２３ｂの上端の内部（凹部Ｒ１の上端）に嵌っている。

【0123】

凸部１３ｇの幅（内縁から外縁までの長さ）及び突出量（Ｄ３方向の長さ）は任意である。例えば、凸部１３ｇの幅は、枠部２３ｂの幅に対して、１／２未満であってもよいし、１／２程度であってもよいし、１／２以上であってもよい。また、凸部１３ｇの突出量は、感温素子１３の、凸部１３ｇの配置領域以外の領域の厚さに対して、小さくてもよいし、同等でもよいし、大きくてもよい。本段落における説明は、後述する凸部１３ｈ（図７（ｃ））に援用されてよい。

【0124】

図７（ｂ）の例では、封止のための接合、及び感温素子１３Ｇと実装基体１１Ｇとの電気的接続のための接合は、例えば、凸部１３ｇの外側の領域において行われている。ただし、封止のための接合及び電気的接続のための接合の少なくとも一方は、凸部１３ｇにおいて行われてもよい。

【0125】

図７（ｃ）に示すパッケージ９Ｈにおいて、枠部２３ｂの上面は、図７（ｂ）の例とは逆に、外縁側の領域（枠状の領域）が内縁側の領域よりも低くされている。一方、感温素子１３Ｈは、上記の外縁側の領域に対向する領域（枠状の領域）に亘って、枠部２３ｂ側に突出する凸部１３ｈを有している。そして、凸部１３ｈは、枠部２３ｂの上端を囲んでいる。

【0126】

図７（ｃ）の例では、封止のための接合、及び感温素子１３Ｈと実装基体１１Ｈとの電気的接続のための接合は、例えば、凸部１３ｈの内側の領域において行われている。ただし、封止のための接合及び電気的接続のための接合の少なくとも一方は、凸部１３ｈにおいて行われてもよい。

【0127】

図７（ａ）～図７（ｃ）では、枠部２３ｂの上面のうち＋Ｄ３側に面している領域にて封止のための接合及び電気的接続のための接合が行われている。ただし、当該接合に代えて、又は加えて、枠部２３ｂの上面のうち段差の内周側又は外周側に面している領域にて封止のための接合及び／又は電気的接続のための接合が行われてもよい。

【0128】

以上の実施形態及び変形例は適宜に組み合わされて構わない。例えば、図６（ａ）の感温素子１３Ｄの一部の領域（例えば凹部Ｒ１の内周面から離れている領域）が厚くされる構成は、図７（ａ）、図７（ｂ）及び図７（ｃ）の変形例に組み合わされてもよい。

【0129】

（６．実施形態及び変形例のまとめ）
以上のとおり、圧電デバイス（水晶振動子１）は、圧電素子（水晶素子５）と、実装基体１１と、感温素子１３と、を有している。実装基体１１は、凹部Ｒ１を有している。凹部Ｒ１の底面には水晶素子５が実装されている。感温素子１３は、凹部Ｒ１を気密封止している。

【0130】

従って、例えば、既述のように、感温素子１３が凹部Ｒ１の底面側からの熱の影響を過剰に受ける蓋然性が低減される。その結果、計測温度が水晶素子５の温度に追従することが期待される。また、例えば、感温素子１３が蓋体に兼用されていることから、振動子１の小型化に有利である。振動子１の製造過程においては、水晶素子５を実装基体１１に実装した後、かつ凹部Ｒ１を塞ぐ前に、実装基体１１を介して水晶素子５の検査を行ったり、周波数特性の調整のためにレーザー光によって励振電極１９を削ったりすることがある。このような場合において、感温素子１３は、実装基体１１の内部に実装されるものではないから、検査によって水晶素子５及び実装基体１１が不良品と判定されたときに感温素子１３が無駄にならない。また、例えば、レーザー光によって感温素子１３が削られることがない。感温素子と蓋体とが別であると、レーザー光等によって周波数調整をした後、感温素子を実装基体１１に固定したときと、蓋体を実装基体１１に固定したときとの双方において周波数特性が変化する可能性があり、ひいては、周波数特性の変化が大きくなる可能性がある。しかし、両者の固定が共になされることから、周波数特性の変化が低減されることが期待される。以上のように周波数調整が容易化されることによって、例えば、生産性が向上する。

【0131】

感温素子１３は、実装基体１１に対して凹部Ｒ１の底面に沿う方向（Ｄ１－Ｄ２平面に沿う方向）において互いに当接していなくてよい（図１～図３、図６（ａ）及び図６（ｂ）参照）。例えば、感温素子（１３等）は、実装基体１１に対して、凹部Ｒ１内において、及び実装基体１１の外周面において、当接していない。

【0132】

この場合、例えば、感温素子１３の外周部と実装基体１１の枠部２３ｂとを接合するときに、Ｄ１－Ｄ２平面に沿う方向において両者の相対変位が許容される。その結果、感温素子１３と実装基体１１との間に生じる熱応力が低減されることが期待される。

【0133】

感温素子１３は、凹部Ｒ１の上端に嵌っている部分を有していてよい（図７（ａ）及び図７（ｂ）参照）。

【0134】

この場合、例えば、感温素子１３と実装基体１１との位置決め精度が向上する。その結果、例えば、素子端子１３ｂと導電性の封止材３３との意図されていない短絡が生じる蓋然性が低減される。また、例えば、素子本体１３ａと水晶素子５との相対位置の精度が向上し、ひいては、計測温度の精度が向上する。また、例えば、断面視において、感温素子１３と実装基体１１との境界面が平面状でなくなり、屈曲部を有するから、封止性が向上する。また、例えば、図６（ａ）の説明で述べたように、感温素子１３Ｄの凹部Ｒ１に重複する領域の全体を厚くして凹部Ｒ１の上端に感温素子１３Ｄを嵌めた場合においては、感温素子１３Ｄの体積を確保することが容易化されるなどの効果が奏される。

【0135】

感温素子１３は、実装基体１１の上端を外周側から囲んでいる部分を有していてよい（図７（ｃ）参照）。

【0136】

この場合、例えば、上記の感温素子１３が凹部Ｒ１の上端に嵌る部分を有している態様と同様に、感温素子１３と実装基体１１との位置決め精度が向上させることができ、また、感温素子１３と実装基体１１との境界面を屈曲させて封止性を向上させることができる。また、例えば、感温素子１３の縁部の強度が補強されることによって、縁部から亀裂が生じる蓋然性が低減される。

【0137】

感温素子１３は、素子本体１３ａと、素子本体１３ａの外部に露出している２つの素子端子１３ｂと、を有していてよい。実装基体１１は、基板部２３ａと、枠部２３ｂと、２つの接続電極３１と、を有してよい。基板部２３ａは、凹部Ｒ１の底面を有していてよい。枠部２３ｂは、凹部Ｒ１の内周面を有していてよい。２つの接続電極３１は、枠部２３ｂの上端に位置してよく、２つの素子端子１３ｂに接合されてよい。素子本体１３ａと枠部２３ｂの上端とは、枠部２３ｂの上端に沿って環状に延びる封止領域（封止材３３の配置領域）において互いに接合されていてよい。２つの接続電極３１の少なくとも１つは、上記封止領域（封止材３３）よりも内周側に位置していてよい（図１～図３及び図５参照）。

【0138】

この場合、例えば、封止材３３よりも内周側に位置する接続電極３１は、水晶素子５と共に封止されて保護される。その結果、例えば、振動子１の耐久性が向上する。また、例えば、素子端子１３ｂ及び接続電極３１の接合と、封止のための接合とは、いずれも枠部２３ｂの上面において行われるから、両者を共に行うことが可能である。

【0139】

また、２つの接続電極３１の少なくとも１つは、上記封止領域（封止材３３）よりも外周側に位置していてもよい（図４（ａ）及び図４（ｂ）参照）。

【0140】

この場合、例えば、素子端子１３ｂを素子本体１３ａの端部に位置させやすい。一方、一般的な感温素子は、両端に素子端子を有している。従って、既に流通されている感温素子を感温素子１３として利用したり、又は従来の感温素子から感温素子１３への設計変更を低減したりできる。

【0141】

実装基体１１は、第１金属層３５を有してよい。第１金属層３５は、枠部２３ｂの上端に位置してよく、枠部２３ｂの上端に沿って延びて環状を呈してよく、素子本体１３ａと（直接的に又は第２金属層３７を介して間接的に）接合される封止用のものであってよい。２つの接続電極３１のうち１つは、枠部２３ｂの上端において第１金属層３５とつながっていてよい。

【0142】

この場合、例えば、第１金属層３５、及び／又は第１金属層３５と接続される接続電極３１の面積を確保することが容易である。なお、１つの接続電極３１が第１金属層３５とつながっている態様は、１つの接続電極３１が第１金属層３５に含まれている態様を含んでよい。

【0143】

＜パッケージにおける配線の具体例＞
これまでに述べたとおり、パッド２５及び接続電極３１の平面視における配置位置は任意であり、また、パッド２５に接続される端子３と接続電極３１に接続される端子３との平面視における位置関係も任意である。配線２７は、パッド２５、接続電極３１及び端子３の配置に応じて種々の構成とされてよく、さらに、パッド２５、接続電極３１及び端子３の配置が特定のものである場合においても、種々の構成とされてよい。以下では、パッド２５、接続電極３１及び端子３の配置が特定のものである場合における配線２７の構成の具体例を示す。なお、以下の説明で参照する図面では、便宜上、層状導体に隠れて見えないビア導体を、点線で示さずに、実線で示すことがある。

【0144】

図８は、配線２７の具体例を示す斜視図である。

【0145】

図８の例では、２つの接続電極３１（別の観点では２つの素子端子１３ｂ）は、実施形態とは異なり、実装基体１１の枠部上面２３ｅ（感温素子１３）の１つの短辺に共に位置している。２つのパッド２５に接続される２つの端子３が第２基板面２３ｄの２つの対角に位置しているとともに、２つの接続電極３１に接続される２つの端子３が他の２つの対角に位置している。また、図８の例では、図１の例と同様に、２つのパッド２５は、第１基板面２３ｃの長手方向の一方側（－Ｄ１側）に位置し、短手方向（Ｄ２方向）に並んでいる。２つの接続電極３１は、第１基板面２３ｃの長手方向の他方側（＋Ｄ１側）に位置し、短手方向（Ｄ２方向）に並んでいる。

【0146】

２つのパッド２５のうち一方（図８の例では－Ｄ１側かつ－Ｄ２側のパッド２５Ａ）と端子３とを接続する配線２７Ａは、基板部２３ａを厚さ方向に貫通するビア導体２７ｂによって構成されている。ビア導体２７ｂは、一端がパッド２５Ａに接続され、他端が、－Ｄ１側かつ－Ｄ２側に位置する端子３に接続されている。２つのパッド２５のうち他方（図８の例では－Ｄ１側かつ＋Ｄ２側のパッド２５Ｂ）と端子３とを接続する配線２７Ｂは、パッド２５Ｂから長手方向の他方側（＋Ｄ１側）へ延びる層状導体２７ａと、層状導体２７ａに重なる位置にて基板部２３ａを厚さ方向に貫通するビア導体２７ｂによって構成されている。層状導体２７ａは、第１基板面２３ｃに重なっている。ビア導体２７ｂは、一端が層状導体２７ａに接続され、他端が、＋Ｄ１側かつ＋Ｄ２側に位置する端子３に接続されている。このような２つの配線２７によって、２つのパッド２５は、２つの対角に位置している端子３に接続されている。

【0147】

２つの接続電極３１のうち一方（図８の例では＋Ｄ１側かつ－Ｄ２側の接続電極３１Ａ）と端子３とを接続する配線２７Ｃは、基板部２３ａ及び枠部２３ｂを厚さ方向に貫通するビア導体２７ｄによって構成されている。このビア導体２７ｄは、一端が接続電極３１Ａに接続され、他端が、＋Ｄ１側かつ－Ｄ２側に位置する端子３に接続されている。２つの接続電極３１のうち他方（図８の例では＋Ｄ１側かつ＋Ｄ２側の接続電極３１Ｂ）と端子３とを接続する配線２７Ｄは、接続電極３１から第１金属層３５（別の観点では封止材３３。以下、図８～図１０の説明において、矛盾等が生じない限り、同様。）へ延びる層状導体２７ｃと、第１金属層３５と、第１金属層３５に重なる位置にて基板部２３ａ及び枠部２３ｂを厚さ方向に貫通するビア導体２７ｄによって構成されている。層状導体２７ｃは、枠部上面２３ｅに重なっている。ビア導体２７ｄは、一端が第１金属層３５に接続され、他端が、－Ｄ１側かつ＋Ｄ２側に位置する端子３に接続されている。このような２つの配線２７によって、２つの接続電極３１は、２つの対角に位置している端子３に接続されている。

【0148】

なお、配線２７Ｂの層状導体２７ａは、一部又は全部が枠部２３ｂと重なっていても構わない（基板部２３ａと枠部２３ｂとの間に位置していても構わない。）。配線２７Ｄの層状導体２７ｃが延びる方向及び形状等は任意である。図８の例では、層状導体２７ｃは、＋Ｄ１側（枠部２３ｂの外縁の短辺側）に延びている。図示の例とは異なり、層状導体２７ｃは、例えば、＋Ｄ２側（枠部２３ｂの外縁の長辺側）へ延びてもよい。また、層状導体２７ｃは、接続電極３１のＤ２方向の長さと同じ長さを有しつつ、＋Ｄ１側へ延びてもよい。層状導体２７ｃの材料及び／又は厚さは、接続電極３１及び／又は第１金属層３５の材料及び／又は厚さと同じであってもよいし、異なっていてもよい。層状導体２７ｃは、材料、厚さ及び平面形状等の観点において、接続電極３１及び／又は第１金属層３５と、明瞭に区別できなくても構わない。配線２７Ｄのビア導体２７ｄに加えて、又は代えて、キャスタレーションの内面に配置された層状導体が用いられてもよい。

【0149】

接続電極３１Ｂと接続される端子３は、例えば、基準電位が付与されるものとされてよい。もちろん、接続電極３１Ｂは、基準電位以外の電位が付与されても構わない。

【0150】

図９は、配線２７の他の具体例を示す斜視図である。この図は、図８と同様の図である。

【0151】

図９の例では、配線２７Ｄの構成のみが図８の例と異なっている。配線２７Ｄは、第１金属層３５を含んでいない。別の観点では、接続電極３１Ｂは、第１金属層３５と電気的に接続されていない。具体的には、配線２７Ｄは、接続電極３１Ｂから－Ｄ１側へ延びる層状導体２７ｃと、層状導体２７ｃに重なるビア導体２７ｄとによって構成されている。ビア導体２７ｂは、一端が層状導体２７ｃに接続され、他端が、－Ｄ１側かつ＋Ｄ２側に位置する端子３に接続されている。

【0152】

図８及び図９の配線２７の具体例によれば、例えば、平面視において電位が変化する配線２７を封止材３３よりも内側に位置させることが容易である。その結果、例えば、配線２７を封止したり、配線２７を電磁気的にシールドしたりすることが容易化される。

【0153】

図１０は、配線２７の更に他の具体例を示す平面図である。この図は、図４（ａ）と同様の図である。

【0154】

図１０の例においても、図８の例と同様に、２つのパッド２５に接続される２つの端子３が第２基板面２３ｄの２つの対角に位置しているとともに、２つの接続電極３１に接続される２つの端子３が他の２つの対角に位置している。２つのパッド２５及び２つの接続電極３１の位置は、図４（ａ）等を参照して説明したとおりである。図１０の例において、配線２７Ａ及び２７Ｂは、図８の例におけるものと同様である。

【0155】

２つの接続電極３１のうち一方（図１０の例では－Ｄ１側に位置する接続電極３１Ｃ）と端子３とを接続する配線２７Ｃは、基板部２３ａ及び枠部２３ｂを厚さ方向に貫通するビア導体２７ｄによって構成されている。このビア導体２７ｄは、一端が接続電極３１Ｃに接続され、他端が、－Ｄ１側かつ＋Ｄ２側に位置する端子３に接続されている。２つの接続電極３１のうち他方（図１０の例では＋Ｄ１側に位置する接続電極３１Ｄ）と端子３とを接続する配線２７Ｃは、基板部２３ａ及び枠部２３ｂを厚さ方向に貫通するビア導体２７ｄによって構成されている。このビア導体２７ｄは、一端が接続電極３１Ｄに接続され、他端が、＋Ｄ１側かつ－Ｄ２側に位置する端子３に接続されている。このような２つの配線２７によって、２つの接続電極３１は、２つの対角に位置している端子３に接続されている。

【0156】

なお、図１０の例では、接続電極３１Ｄと第１金属層３５とが接続されている。従って、配線２７Ｄのビア導体２７ｄの上端は、接続電極３１Ｄと共に第１金属層３５に接続されていてもよいし（図示の例）、接続電極３１Ｄのみに接続されていてもよいし、第１金属層３５のみに接続されていてもよい。配線２７Ｃ及び／又は２７Ｄのビア導体２７ｄに加えて、又は代えて、キャスタレーションの内面に配置された層状導体が用いられてもよい。接続電極３１Ｄと接続される端子３は、例えば、基準電位が付与されるものとされてよい。もちろん、これまでにも述べたように、接続電極３１Ｄは、基準電位以外の電位が付与されても構わない。

【0157】

図１０の配線２７の具体例によれば、例えば、電位が異なる配線２７が交差することを避けやすい。その結果、配線２７同士の電気的な干渉が低減される。ひいては、振動子の特性が向上する。

【0158】

＜水晶振動子の利用例＞
図１１は、水晶振動子１の利用例を示す模式図である。なお、便宜上、実施形態の符号を用いるが、ここでの説明は、変形例に適用されてよい。

【0159】

図１１の下段の断面図に示すように、振動子１は、例えば、回路基板５３に実装されて利用される。より詳細には、既述のとおり、互いに対向する端子３と回路基板５３の上面の不図示のパッドとが両者の間の導電性の接合材（符号省略）によって接合される。なお、振動子１は、回路基板５３以外の基体に実装されても構わない。例えば、振動子１は、基板の概念からは乖離した形状を有する基体（例えばパッケージを構成する基体）に実装されてもよい。なお、ここでの説明において、回路基板５３の語は、矛盾等が生じない限り、その上位概念としての基体の語に置換されてよい。

【0160】

回路基板５３に実装された振動子１は、絶縁性の封止材５５によって封止されていてもよいし（図示の例）、封止されていなくてもよい。封止材５５の材料としては、例えば、樹脂が挙げられる。樹脂には絶縁性（あるいは導電性）のフィラーが混ぜられていてもよい。封止材５５の物性（例えば断熱性及び剛性）は適宜に設定されてよい。封止材５５は、例えば、振動子１の上面及び側面を覆いつつ、回路基板５３の上面に接合されている。封止材５５は、振動子１と回路基板５３との間に介在していていもよいし、介在していなくてもよい。封止材５５は、図示の例とは異なり、振動子１の上面を覆っていなくてもよい。封止材５５は、振動子１と共に、回路基板５３に実装された他の電子部品を封止していてもよい。

【0161】

回路基板５３は、例えば、配線板（例えばプリント配線板）と、配線板に実装又は内蔵された１以上の電子要素とを有している。電子要素としては、例えば、集積回路素子（ＩＣ：Integrated Circuit）、キャパシタ、インダクタ及び抵抗体が挙げられる。そして、回路基板５３は、図１１の上段に示すように、１以上の電子要素によって構成された種々の回路（５３ａ～５３ｄ）を有している。なお、便宜上、「回路」と称するが、種々の回路の一部又は全部は、プロセッサがプログラムを実行することによって実現されても構わない。回路基板５３が有している回路は、例えば、以下のとおりである。

【0162】

発振回路５３ａは、交流電流を水晶素子５に印加して発振信号を生成する。温度補償回路５３ｂ（図１１では「補償回路」と略して表記）は、感温素子７が検出した検出温度に応じた信号を発振回路５３ａに入力することによって、温度に起因する水晶素子５の周波数特性の変化を補償する。より詳細には、感温素子７は、温度に応じた信号レベル（例えば電圧又は電流）を有するアナログ信号を出力する。Ａ／Ｄ回路５３ｄは、感温素子７からのアナログ信号をデジタル信号に変換して出力する。換算回路５３ｃは、Ａ／Ｄ回路５３ｄからのデジタル信号の値を温度に換算して補償回路５３ｂに出力する。なお、振動子１と回路基板５３（別の観点では回路基板５３が有する回路のうち少なくとも発振回路５３ａ）との組み合わせは、発振器５３として捉えられてよい。

【0163】

以上の実施形態及び変形例において、水晶振動子１、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ及び１Ｈそれぞれは、圧電デバイスの一例である。水晶素子５は圧電素子の一例である。

【0164】

本開示に係る技術は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

【0165】

圧電体は、水晶に限定されない。例えば、圧電体は、他の単結晶であってもよいし、多結晶からなるもの（例えばセラミック）であってもよい。なお、水晶に適宜なドーパントが添加されたものは水晶の一種であるものとする。

【0166】

圧電デバイスは、水晶振動子（圧電振動子）に限定されない。例えば、圧電デバイスは、圧電素子（例えば水晶素子）に加えて、圧電素子に電圧を印加して発振信号を生成する集積回路素子（ＩＣ：Integrated Circuit）を有する発振器であってもよい。また、圧電デバイスは、発振信号の生成に寄与するものではなくてもよい。例えば、圧電デバイスは、ジャイロセンサであってもよい。また、圧電デバイスは、圧電素子、感温素子及びＩＣ以外の電子素子を備えていてもよい。

【0167】

上記から理解されるように、圧電デバイスが有するパッド（例えばパッド２５及び接続電極３１）の数及び外部端子（例えば端子３）の数は任意であり、また、複数のパッド及び複数の外部端子の接続関係も任意である。例えば、発振器においては、圧電素子及び感温素子は、圧電デバイスの外部端子ではなく、ＩＣに電気的に接続されてよい。

【0168】

圧電デバイスにおいて、圧電素子をパッケージングするパッケージの構造は、適宜な構成とされてよい。例えば、パッケージは、上面及び下面に凹部を有する断面Ｈ型のものであってもよい。この場合、下面の凹部には、例えば、上記のＩＣが実装されてよい。また、パッケージは、恒温槽を有していてもよい。また、圧電デバイスは、表面実装されるものでなくてもよく、例えば、スルーホール実装されるものであってもよい。圧電デバイスが表面実装型か否かに関わらず、パッケージの外部端子（実施形態では端子３）は、層状でなくてもよく、例えば、ピン状とされてよい。

【0169】

感温素子は、実装基体（別の観点では端子３）と電気的に接続されていなくてもよい。例えば、感温素子の上面（凹部とは反対側の面）に素子端子を設け、ボンディングワイヤによって、素子端子と、圧電デバイスが実装される回路基板５３とを電気的に接続してもよい。

【0170】

圧電素子の実装基体に対する実装態様は、種々のものとされてよい。例えば、圧電素子は、２つの引出電極に接合される２つの導電性の接合材によって両端支持されてもよい。また、例えば、圧電素子は、１つの引出電極に導電性の接合材が接合されるとともに、１つの引出電極にボンディングワイヤが接合されてもよい。また、圧電素子の一端又は両端を支持するための接合材として、引出電極の領域とは異なる領域に接合される絶縁性（導電性とすることも可能）の接合材が用いられてもよい。

【0171】

感温素子は、チップ型の素子の概念に必ずしも当てはまらなくてもよい。例えば、従来の圧電デバイスの蓋体と同様又は類似した蓋体の、実装基体側の面に感温膜（例えば薄膜サーミスタ）を設けることによって、蓋体及び感温膜からなる感温素子が構成されてもよい。

【0172】

実施形態の説明では、感温素子が圧電素子に対して凹部の底面とは反対側に位置することによって、凹部の底面側の温度が計測温度に及ぼす影響が低減され、計測温度が圧電素子の温度に追従しやすくなる効果について特に着目した。ただし、そのような効果は、必ずしも奏されなくてもよい。そのような効果が奏されなくても、感温素子が凹部を塞ぐ構成によって種々の効果が奏され得る。例えば、既述のように、感温素子が蓋体に兼用されることになり、圧電デバイスが小型化される。圧電素子を実装基体に実装した後、かつ凹部を塞ぐ前の検査又は加工が感温素子に及ぼす影響が低減される。

【0173】

本開示からは以下の概念を抽出可能である。
（概念１）
圧電素子と、
凹部を有しており、前記凹部の底面に前記圧電素子が実装されている実装基体と、
前記凹部を気密封止している感温素子と、
を有している圧電デバイス。
（概念２）
前記感温素子は、前記凹部の底面に沿う方向において前記実装基体と互いに当接していない
概念１に記載の圧電デバイス。
（概念３）
前記感温素子は、前記凹部の上端に嵌っている部分を有している
概念１に記載の圧電デバイス。
（概念４）
前記感温素子は、前記実装基体の上端を外周側から囲んでいる部分を有している
概念１に記載の圧電デバイス。
（概念５）
前記感温素子は、
素子本体と、
前記素子本体の外部に露出している２つの素子端子と、を有しており、
前記実装基体は、
前記凹部の底面を有している基板部と、
前記凹部の内周面を有している枠部と、
前記枠部の上端に位置しており、前記２つの素子端子に接合されている２つの接続電極と、を有しており、
前記素子本体と前記枠部の上端とは、前記枠部の上端に沿って環状に延びる封止領域において互いに接合されており、
前記２つの接続電極の少なくとも１つは、前記封止領域よりも内周側に位置している
概念１～４のいずれか１つに記載の圧電デバイス。
（概念６）
前記感温素子は、
素子本体と、
前記素子本体の外部に露出している２つの素子端子と、を有しており、
前記実装基体は、
前記凹部の底面を有している基板部と、
前記凹部の内周面を有している枠部と、
前記枠部の上端に位置しており、前記２つの素子端子に接合されている２つの接続電極と、を有しており、
前記素子本体と前記枠部の上端とは、前記枠部の上端に沿って環状に延びる封止領域において互いに接合されており、
前記２つの接続電極の少なくとも１つは、前記封止領域よりも外周側に位置している
概念１～５のいずれか１つに記載の圧電デバイス。
（概念７）
前記感温素子は、
素子本体と、
前記素子本体の外部に露出している２つの素子端子と、を有しており、
前記実装基体は、
前記凹部の底面を有している基板部と、
前記凹部の内周面を有している枠部と、
前記枠部の上端に位置しており、前記２つの素子端子に接合されている２つの接続電極と、
前記枠部の上端に位置しており、前記枠部の上端に沿って延びて環状を呈しており、前記素子本体と接合される封止用の金属層と、を有しており、
前記２つの接続電極のうち１つは、前記枠部の上端において前記金属層とつながっている
概念１～６のいずれか１つに記載の圧電デバイス。

【符号の説明】

【0174】

１…水晶振動子（圧電デバイス）、５…水晶素子（圧電素子）、１１…実装基体、１３…感温素子、Ｒ１…凹部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】