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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023098822
(43)【公開日】2023-07-11
(54)【発明の名称】有機発光表示パネル及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05B 33/02 20060101AFI20230704BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20230704BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20230704BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20230704BHJP
H05B 33/22 20060101ALI20230704BHJP
H10K 50/16 20230101ALI20230704BHJP
H10K 50/15 20230101ALI20230704BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20230704BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20230704BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20230704BHJP
【ＦＩ】
H05B33/02
H05B33/14 A
H01L27/32
H05B33/12 B
H05B33/22 Z
H05B33/22 B
H05B33/22 D
H05B33/12 C
H05B33/10
G09F9/30 365
G09F9/00 338
G09F9/30 349Z
【審査請求】有
【請求項の数】23
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022171890
(22)【出願日】2022-10-27
(31)【優先権主張番号】10-2021-0191875
(32)【優先日】2021-12-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】501426046
【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100094112
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 讓
(74)【代理人】
【識別番号】100106183
【弁理士】
【氏名又は名称】吉澤 弘司
(74)【代理人】
【識別番号】100114915
【弁理士】
【氏名又は名称】三村 治彦
(74)【代理人】
【識別番号】100125139
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 洋
(74)【代理人】
【識別番号】100209808
【弁理士】
【氏名又は名称】三宅 高志
(72)【発明者】
【氏名】金 剛 ▲ヒュン▼
(72)【発明者】
【氏名】金 世 振
(72)【発明者】
【氏名】林 熹 兌
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC06
3K107CC33
3K107CC45
3K107DD52
3K107DD71
3K107DD75
3K107DD78
3K107DD89
3K107DD97
3K107GG08
3K107GG24
3K107GG28
5C094AA43
5C094DA13
5C094FA02
5C094FB01
5C094GB01
5G435AA17
5G435BB05
5G435KK05
(57)【要約】
【課題】工程を簡素化して表示品質を向上させることができる有機発光表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】有機発光表示パネルは、多数のサブ画素領域が定義された基板上の各サブ画素領域に配置される第１電極と、各サブ画素領域の境界部上の前記基板に配置され、側面が親水化したバンク層と、前記バンク層と前記第１電極の上側とにわたって配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第１有機物質層と、前記バンク層の間の第１有機物質層上に配置される第２有機物質層と、前記第２有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって配置される第３有機物質層と、前記第３有機物質層上に配置される第２電極とを含む。
【選択図】 図２
【解決手段】有機発光表示パネルは、多数のサブ画素領域が定義された基板上の各サブ画素領域に配置される第１電極と、各サブ画素領域の境界部上の前記基板に配置され、側面が親水化したバンク層と、前記バンク層と前記第１電極の上側とにわたって配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第１有機物質層と、前記バンク層の間の第１有機物質層上に配置される第２有機物質層と、前記第２有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって配置される第３有機物質層と、前記第３有機物質層上に配置される第２電極とを含む。
【選択図】 図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
多数のサブ画素領域が定義された基板上の各サブ画素領域に配置される第１電極と、
各サブ画素領域の境界部上の前記基板に配置され、側面が親水化したバンク層と、
前記バンク層と前記第１電極の上側とにわたって配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第１有機物質層と、
前記バンク層の間の前記第１有機物質層上に配置される第２有機物質層と、
前記第２有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって配置される第３有機物質層と、
前記第３有機物質層上に配置される第２電極と、を含む、有機発光表示パネル。
各サブ画素領域の境界部上の前記基板に配置され、側面が親水化したバンク層と、
前記バンク層と前記第１電極の上側とにわたって配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第１有機物質層と、
前記バンク層の間の前記第１有機物質層上に配置される第２有機物質層と、
前記第２有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって配置される第３有機物質層と、
前記第３有機物質層上に配置される第２電極と、を含む、有機発光表示パネル。
【請求項2】
前記第１有機物質層は、正孔注入層及び正孔輸送層のうちの少なくとも一つを含み、
前記第２有機物質層は、発光層を含み、
前記第３有機物質層は、電子輸送層及び電子注入層のうちの少なくとも一つを含む、請求項１に記載の有機発光表示パネル。
前記第２有機物質層は、発光層を含み、
前記第３有機物質層は、電子輸送層及び電子注入層のうちの少なくとも一つを含む、請求項１に記載の有機発光表示パネル。
【請求項3】
赤色、緑色、及び青色サブ画素を備えた多数のサブ画素領域が定義された基板上の各サブ画素領域に配置される第１電極と、
各サブ画素領域の境界部上の前記基板に配置され、側面が親水化したバンク層と、
前記バンク層の上面及び側面と前記第１電極の上側とにわたって配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第１有機物質層と、
前記バンク層の間の前記第１有機物質層上に配置される第２有機物質層と、
前記第２有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって配置される第３有機物質層と、
前記第３有機物質層上に配置される第２電極と、を含み、
前記第２有機物質層は、前記バンク層の間の前記赤色サブ画素領域及び前記緑色サブ画素領域の前記第１有機物質層上にのみ配置される第１正孔輸送層と、前記赤色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記赤色サブ画素領域に配置される発光層とを含む、有機発光表示パネル。
各サブ画素領域の境界部上の前記基板に配置され、側面が親水化したバンク層と、
前記バンク層の上面及び側面と前記第１電極の上側とにわたって配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第１有機物質層と、
前記バンク層の間の前記第１有機物質層上に配置される第２有機物質層と、
前記第２有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって配置される第３有機物質層と、
前記第３有機物質層上に配置される第２電極と、を含み、
前記第２有機物質層は、前記バンク層の間の前記赤色サブ画素領域及び前記緑色サブ画素領域の前記第１有機物質層上にのみ配置される第１正孔輸送層と、前記赤色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記赤色サブ画素領域に配置される発光層とを含む、有機発光表示パネル。
【請求項4】
前記第１有機物質層は、正孔注入層及び第２正孔輸送層のうちの少なくとも一つを含み、
前記第３有機物質層は、電子輸送層及び電子注入層のうちの少なくとも一つを含む、請求項３に記載の有機発光表示パネル。
前記第３有機物質層は、電子輸送層及び電子注入層のうちの少なくとも一つを含む、請求項３に記載の有機発光表示パネル。
【請求項5】
多数のサブ画素領域が定義された基板上の各サブ画素領域に配置される第１電極と、
各サブ画素領域の境界部上の前記基板に配置され、側面が親水化したバンク層と、
前記バンク層の間の各サブ画素領域の前記第１電極上に配置される第１有機物質層と、
前記第１有機物質層と前記バンク層とにわたって配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第２有機物質層と、
前記バンク層の間の前記第２有機物質層上に配置される第３有機物質層と、
前記第３有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって配置される第４有機物質層と、
前記第４有機物質層上に配置される第２電極と、を含む、有機発光表示パネル。
各サブ画素領域の境界部上の前記基板に配置され、側面が親水化したバンク層と、
前記バンク層の間の各サブ画素領域の前記第１電極上に配置される第１有機物質層と、
前記第１有機物質層と前記バンク層とにわたって配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第２有機物質層と、
前記バンク層の間の前記第２有機物質層上に配置される第３有機物質層と、
前記第３有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって配置される第４有機物質層と、
前記第４有機物質層上に配置される第２電極と、を含む、有機発光表示パネル。
【請求項6】
前記第１有機物質層は、第１正孔輸送層及び第１発光層を含み、
前記第２有機物質層は、第１電子輸送層、ｎ型電荷生成層、ｐ型電荷生成層、及び正孔注入層を含み、
前記第３有機物質層は、第２正孔輸送層及び第２発光層を含み、
前記第４有機物質層は、第２電子輸送層及び電子注入層を含む、請求項５に記載の有機発光表示パネル。
前記第２有機物質層は、第１電子輸送層、ｎ型電荷生成層、ｐ型電荷生成層、及び正孔注入層を含み、
前記第３有機物質層は、第２正孔輸送層及び第２発光層を含み、
前記第４有機物質層は、第２電子輸送層及び電子注入層を含む、請求項５に記載の有機発光表示パネル。
【請求項7】
赤色、緑色、及び青色サブ画素を備えた多数のサブ画素領域が定義された基板上の各サブ画素領域に配置される第１電極と、
各サブ画素領域の境界部上の前記基板に配置され、側面が親水化したバンク層と、
前記バンク層の間の各サブ画素領域の前記第１電極上に配置される第１有機物質層と、
前記第１有機物質層と前記バンク層とにわたって配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第２有機物質層と、
前記バンク層の間の前記第２有機物質層上に配置される第３有機物質層と、
前記第３有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって配置される第４有機物質層と、
前記第４有機物質層上に配置される第２電極と、を含み、
前記第３有機物質層は、前記バンク層の間の前記赤色サブ画素領域及び前記緑色サブ画素領域の前記第２有機物質層上にのみ配置される第１正孔輸送層と、前記赤色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記赤色サブ画素領域に配置される第１発光層と、を含む、有機発光表示パネル。
各サブ画素領域の境界部上の前記基板に配置され、側面が親水化したバンク層と、
前記バンク層の間の各サブ画素領域の前記第１電極上に配置される第１有機物質層と、
前記第１有機物質層と前記バンク層とにわたって配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第２有機物質層と、
前記バンク層の間の前記第２有機物質層上に配置される第３有機物質層と、
前記第３有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって配置される第４有機物質層と、
前記第４有機物質層上に配置される第２電極と、を含み、
前記第３有機物質層は、前記バンク層の間の前記赤色サブ画素領域及び前記緑色サブ画素領域の前記第２有機物質層上にのみ配置される第１正孔輸送層と、前記赤色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記赤色サブ画素領域に配置される第１発光層と、を含む、有機発光表示パネル。
【請求項8】
前記第１有機物質層は、第２正孔輸送層及び第１発光層を含み、
前記第２有機物質層は、第１電子輸送層、ｎ型電荷生成層、ｐ型電荷生成層、及び第３正孔輸送層を含み、
前記第４有機物質層は、第２電子輸送層及び電子注入層を含む、請求項７に記載の有機発光表示パネル。
前記第２有機物質層は、第１電子輸送層、ｎ型電荷生成層、ｐ型電荷生成層、及び第３正孔輸送層を含み、
前記第４有機物質層は、第２電子輸送層及び電子注入層を含む、請求項７に記載の有機発光表示パネル。
【請求項9】
赤色、緑色、及び青色サブ画素を備えた多数のサブ画素領域が定義された基板上の各サブ画素領域に配置される第１電極と、
各サブ画素領域の境界部上の前記基板に配置され、側面が親水化したバンク層と、
前記バンク層と前記第１電極の上側とにわたって基板上に配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第１有機物質層と、
前記バンク層の間の各サブ画素領域の前記第１有機物質層上に配置される第２有機物質層と、
前記第２有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第３有機物質層と、
前記バンク層の間の前記第３有機物質層上に配置される第４有機物質層と、
前記第４有機物質層及び前記第３有機物質層上にわたって配置される第５有機物質層と、
前記第５有機物質層上に配置される第２電極と、を含み、
前記第４有機物質層は、前記バンク層の間の前記赤色サブ画素領域及び前記緑色サブ画素領域の前記第３有機物質層上にのみ配置される第１正孔輸送層と、前記赤色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記赤色サブ画素領域に配置される第１発光層と、を含む、有機発光表示パネル。
各サブ画素領域の境界部上の前記基板に配置され、側面が親水化したバンク層と、
前記バンク層と前記第１電極の上側とにわたって基板上に配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第１有機物質層と、
前記バンク層の間の各サブ画素領域の前記第１有機物質層上に配置される第２有機物質層と、
前記第２有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第３有機物質層と、
前記バンク層の間の前記第３有機物質層上に配置される第４有機物質層と、
前記第４有機物質層及び前記第３有機物質層上にわたって配置される第５有機物質層と、
前記第５有機物質層上に配置される第２電極と、を含み、
前記第４有機物質層は、前記バンク層の間の前記赤色サブ画素領域及び前記緑色サブ画素領域の前記第３有機物質層上にのみ配置される第１正孔輸送層と、前記赤色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記赤色サブ画素領域に配置される第１発光層と、を含む、有機発光表示パネル。
【請求項10】
前記第１有機物質層は、第２正孔輸送層を含み、
前記第２有機物質層は、第２発光層を含み、
前記第３有機物質層は、第１電子輸送層、ｎ型電荷生成層、ｐ型電荷生成層、及び第３正孔輸送層を含み、
前記第５有機物質層は、第２電子輸送層及び電子注入層を含む、請求項９に記載の有機発光表示パネル。
前記第２有機物質層は、第２発光層を含み、
前記第３有機物質層は、第１電子輸送層、ｎ型電荷生成層、ｐ型電荷生成層、及び第３正孔輸送層を含み、
前記第５有機物質層は、第２電子輸送層及び電子注入層を含む、請求項９に記載の有機発光表示パネル。
【請求項11】
多数のサブ画素領域が定義された基板上の各サブ画素領域に第１電極を形成するステップと、
前記基板上の前記各サブ画素領域の境界部にバンク層を形成するステップと、
前記バンク層の側面及び前記第１電極の上部を第１プラズマ処理して各サブ画素領域の各第１電極上の有機残膜を除去し、前記バンク層の側面を親水化させるステップと、
インクジェットプリンティング工程で各第１電極上に有機物質層を形成するステップと、を含む、有機発光表示パネルの製造方法。
前記基板上の前記各サブ画素領域の境界部にバンク層を形成するステップと、
前記バンク層の側面及び前記第１電極の上部を第１プラズマ処理して各サブ画素領域の各第１電極上の有機残膜を除去し、前記バンク層の側面を親水化させるステップと、
インクジェットプリンティング工程で各第１電極上に有機物質層を形成するステップと、を含む、有機発光表示パネルの製造方法。
【請求項12】
多数のサブ画素領域が定義された基板上の各サブ画素領域に第１電極を形成するステップと、
前記基板上の前記各サブ画素領域の境界部にバンク層を形成するステップと、
前記バンク層の側面及び前記第１電極の上部を第１プラズマ処理して各サブ画素領域の各第１電極上の有機残膜を除去し、前記バンク層の側面を親水化させるステップと、
蒸着工程で前記第１電極及び前記バンク層にわたって第１有機物質層を形成するステップと、
第２プラズマ処理して前記バンク層の上側の前記第１有機物質層の上面を疎水化させるステップと、
インクジェットプリンティング工程で各サブ画素領域の前記第１有機物質層上に第２有機物質層を形成するステップと、
蒸着工程で前記第１有機物質層と前記第２有機物質層とにわたって第３有機物質層と第２電極を形成するステップと、を含む、有機発光表示パネルの製造方法。
前記基板上の前記各サブ画素領域の境界部にバンク層を形成するステップと、
前記バンク層の側面及び前記第１電極の上部を第１プラズマ処理して各サブ画素領域の各第１電極上の有機残膜を除去し、前記バンク層の側面を親水化させるステップと、
蒸着工程で前記第１電極及び前記バンク層にわたって第１有機物質層を形成するステップと、
第２プラズマ処理して前記バンク層の上側の前記第１有機物質層の上面を疎水化させるステップと、
インクジェットプリンティング工程で各サブ画素領域の前記第１有機物質層上に第２有機物質層を形成するステップと、
蒸着工程で前記第１有機物質層と前記第２有機物質層とにわたって第３有機物質層と第２電極を形成するステップと、を含む、有機発光表示パネルの製造方法。
【請求項13】
前記第１有機物質層は、正孔注入層及び正孔輸送層のうちの少なくとも一つを含み、
前記第２有機物質層は、発光層を含み、
前記第３有機物質層は、電子輸送層及び電子注入層のうちの少なくとも一つを含む、請求項１２に記載の有機発光表示パネルの製造方法。
前記第２有機物質層は、発光層を含み、
前記第３有機物質層は、電子輸送層及び電子注入層のうちの少なくとも一つを含む、請求項１２に記載の有機発光表示パネルの製造方法。
【請求項14】
前記多数のサブ画素領域は、赤色、緑色、及び青色サブ画素領域を備え、
前記第１有機物質層は、正孔注入層及び第１正孔輸送層のうちの少なくとも一つを含み、前記第３有機物質層は、電子輸送層及び電子注入層のうちの少なくとも一つを含み、
前記第２有機物質層を形成するステップは、
前記バンク層の間の前記赤色サブ画素領域及び前記緑色サブ画素領域の前記第１有機物質層上にのみ第２正孔輸送層を形成し、
前記赤色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記赤色サブ画素領域にそれぞれ発光層を形成する、請求項１２に記載の有機発光表示パネルの製造方法。
前記第１有機物質層は、正孔注入層及び第１正孔輸送層のうちの少なくとも一つを含み、前記第３有機物質層は、電子輸送層及び電子注入層のうちの少なくとも一つを含み、
前記第２有機物質層を形成するステップは、
前記バンク層の間の前記赤色サブ画素領域及び前記緑色サブ画素領域の前記第１有機物質層上にのみ第２正孔輸送層を形成し、
前記赤色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記赤色サブ画素領域にそれぞれ発光層を形成する、請求項１２に記載の有機発光表示パネルの製造方法。
【請求項15】
多数のサブ画素領域が定義された基板上の各サブ画素領域に第１電極を形成するステップと、
前記基板上の前記各サブ画素領域の境界部にバンク層を形成するステップと、
前記バンク層の側面及び前記第１電極の上部を第１プラズマ処理して各サブ画素領域の各第１電極上の有機残膜を除去し、前記バンク層の側面を親水化させるステップと、
インクジェットプリンティング工程で前記バンク層の間の各サブ画素領域の前記第１電極上に第１有機物質層を形成するステップと、
蒸着工程で前記第１有機物質層と前記バンク層とにわたって第２有機物質層を形成するステップと、
第２プラズマ処理して前記バンク層の上側の前記第２有機物質層の上面を疎水化させるステップと、
インクジェットプリンティング工程で前記バンク層の間の前記第２有機物質層上に第３有機物質層を形成するステップと、
蒸着工程で前記第３有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって第４有機物質層及び第２電極を形成するステップと、を含む、有機発光表示パネルの製造方法。
前記基板上の前記各サブ画素領域の境界部にバンク層を形成するステップと、
前記バンク層の側面及び前記第１電極の上部を第１プラズマ処理して各サブ画素領域の各第１電極上の有機残膜を除去し、前記バンク層の側面を親水化させるステップと、
インクジェットプリンティング工程で前記バンク層の間の各サブ画素領域の前記第１電極上に第１有機物質層を形成するステップと、
蒸着工程で前記第１有機物質層と前記バンク層とにわたって第２有機物質層を形成するステップと、
第２プラズマ処理して前記バンク層の上側の前記第２有機物質層の上面を疎水化させるステップと、
インクジェットプリンティング工程で前記バンク層の間の前記第２有機物質層上に第３有機物質層を形成するステップと、
蒸着工程で前記第３有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって第４有機物質層及び第２電極を形成するステップと、を含む、有機発光表示パネルの製造方法。
【請求項16】
前記第１有機物質層は、第１正孔輸送層及び第１発光層を含み、
前記第２有機物質層は、第１電子輸送層、ｎ型電荷生成層、ｐ型電荷生成層、及び正孔注入層を含み、
前記第３有機物質層は、第２正孔輸送層及び第２発光層を含み、
前記第４有機物質層は、第２電子輸送層及び電子注入層を含む、請求項１５に記載の有機発光表示パネルの製造方法。
前記第２有機物質層は、第１電子輸送層、ｎ型電荷生成層、ｐ型電荷生成層、及び正孔注入層を含み、
前記第３有機物質層は、第２正孔輸送層及び第２発光層を含み、
前記第４有機物質層は、第２電子輸送層及び電子注入層を含む、請求項１５に記載の有機発光表示パネルの製造方法。
【請求項17】
前記多数のサブ画素領域は、赤色、緑色、及び青色サブ画素領域を備え、
前記第１有機物質層は、第１正孔輸送層及び第１発光層を含み、
前記第２有機物質層は、第１電子輸送層、ｎ型電荷生成層、ｐ型電荷生成層、及び第２正孔輸送層を含み、
前記第４有機物質層は、第２電子輸送層及び電子注入層を含み、
前記第３有機物質層を形成するステップは、
前記バンク層の間の前記赤色サブ画素領域及び前記緑色サブ画素領域の前記第２有機物質層上にのみ第３正孔輸送層を形成するステップと、
前記赤色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記赤色サブ画素領域に第２発光層を形成するステップとを含む、請求項１５に記載の有機発光表示パネルの製造方法。
前記第１有機物質層は、第１正孔輸送層及び第１発光層を含み、
前記第２有機物質層は、第１電子輸送層、ｎ型電荷生成層、ｐ型電荷生成層、及び第２正孔輸送層を含み、
前記第４有機物質層は、第２電子輸送層及び電子注入層を含み、
前記第３有機物質層を形成するステップは、
前記バンク層の間の前記赤色サブ画素領域及び前記緑色サブ画素領域の前記第２有機物質層上にのみ第３正孔輸送層を形成するステップと、
前記赤色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記赤色サブ画素領域に第２発光層を形成するステップとを含む、請求項１５に記載の有機発光表示パネルの製造方法。
【請求項18】
多数のサブ画素領域が定義された基板上の各サブ画素領域に第１電極を形成するステップと、
前記基板上の前記各サブ画素領域の境界部にバンク層を形成するステップと、
前記バンク層の側面及び前記第１電極の上部を第１プラズマ処理して各サブ画素領域の各第１電極上の有機残膜を除去し、前記バンク層の側面を親水化させるステップと、
蒸着工程で前記バンク層と前記第１電極の上側とにわたって基板上に第１有機物質層を形成するステップと、
第２プラズマ処理して前記バンク層の上側の第２有機物質層の上面を疎水化させるステップと、
インクジェット工程で前記バンク層の間の各サブ画素領域の前記第１有機物質層上に第２有機物質層を形成するステップと、
蒸着工程で前記第２有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって第３有機物質層を形成するステップと、
前記第２プラズマ処理して前記バンク層の上側の前記第３有機物質層の上面を疎水化させるステップと、
インクジェット工程で前記バンク層の間の第３有機物質層上に第４有機物質層を形成するステップと、
蒸着工程で前記第４有機物質層及び前記第３有機物質層上にわたって第５有機物質層及び第２電極を形成するステップと、を含む、有機発光表示パネルの製造方法。
前記基板上の前記各サブ画素領域の境界部にバンク層を形成するステップと、
前記バンク層の側面及び前記第１電極の上部を第１プラズマ処理して各サブ画素領域の各第１電極上の有機残膜を除去し、前記バンク層の側面を親水化させるステップと、
蒸着工程で前記バンク層と前記第１電極の上側とにわたって基板上に第１有機物質層を形成するステップと、
第２プラズマ処理して前記バンク層の上側の第２有機物質層の上面を疎水化させるステップと、
インクジェット工程で前記バンク層の間の各サブ画素領域の前記第１有機物質層上に第２有機物質層を形成するステップと、
蒸着工程で前記第２有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって第３有機物質層を形成するステップと、
前記第２プラズマ処理して前記バンク層の上側の前記第３有機物質層の上面を疎水化させるステップと、
インクジェット工程で前記バンク層の間の第３有機物質層上に第４有機物質層を形成するステップと、
蒸着工程で前記第４有機物質層及び前記第３有機物質層上にわたって第５有機物質層及び第２電極を形成するステップと、を含む、有機発光表示パネルの製造方法。
【請求項19】
前記第１有機物質層は、第１正孔輸送層を含み、
前記第２有機物質層は、第１発光層を含み、
前記第３有機物質層は、第１電子輸送層、ｎ型電荷生成層、ｐ型電荷生成層、及び第２正孔輸送層を含み、
前記第４有機物質層は、第２発光層を含み、
前記第５有機物質層は、第２電子輸送層及び電子注入層を含む、請求項１８に記載の有機発光表示パネルの製造方法。
前記第２有機物質層は、第１発光層を含み、
前記第３有機物質層は、第１電子輸送層、ｎ型電荷生成層、ｐ型電荷生成層、及び第２正孔輸送層を含み、
前記第４有機物質層は、第２発光層を含み、
前記第５有機物質層は、第２電子輸送層及び電子注入層を含む、請求項１８に記載の有機発光表示パネルの製造方法。
【請求項20】
前記多数のサブ画素領域は、赤色、緑色、及び青色サブ画素領域を備え、
前記第１有機物質層は、第１正孔輸送層を含み、
前記第２有機物質層は、第１発光層を含み、
前記第３有機物質層は、第１電子輸送層、ｎ型電荷生成層、ｐ型電荷生成層、及び第２正孔輸送層を含み、
前記第４有機物質層を形成するステップは、
前記バンク層の間の前記赤色サブ画素領域及び前記緑色サブ画素領域の前記第３有機物質層上にのみ第３正孔輸送層を形成するステップと、
前記赤色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記赤色サブ画素領域に第２発光層を形成するステップと、を含む、請求項１８に記載の有機発光表示パネルの製造方法。
前記第１有機物質層は、第１正孔輸送層を含み、
前記第２有機物質層は、第１発光層を含み、
前記第３有機物質層は、第１電子輸送層、ｎ型電荷生成層、ｐ型電荷生成層、及び第２正孔輸送層を含み、
前記第４有機物質層を形成するステップは、
前記バンク層の間の前記赤色サブ画素領域及び前記緑色サブ画素領域の前記第３有機物質層上にのみ第３正孔輸送層を形成するステップと、
前記赤色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記赤色サブ画素領域に第２発光層を形成するステップと、を含む、請求項１８に記載の有機発光表示パネルの製造方法。
【請求項21】
前記第１プラズマ処理は、Ｏ２／Ｎ２／Ａｒガスを用い、第１方向に、隣接した２個のバンク層の上面の一部及び側面と前記第１電極の上部をスキャン方式で遂行することにより、前記バンク層の上部の一部を除去して前記バンク層に段差を形成し、前記段差部及び側面を親水化させる、請求項１１～２０のいずれか一項に記載の有機発光表示パネルの製造方法。
【請求項22】
前記第２プラズマ処理は、スキャン方式を用い、格子状のバンク層のうち第１方向のバンク層の上部の有機物質層のみを選択的にＣＦ４またはＳＦ６ガスプラズマ処理する、請求項１２～２０のいずれか一項に記載の有機発光表示パネルの製造方法。
【請求項23】
前記バンク層は、疎水性感光性有機物質で形成する、請求項１１～２０のいずれか一項に記載の有機発光表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は有機発光表示パネル及びその製造方法に関し、特に表示品質を向上させることができる有機発光表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
有機発光表示装置は、データライン、スキャンライン、及びデータラインとスキャンラインとの交差部に形成された多数のサブ画素を備える有機発光表示パネルと、スキャンラインにスキャン信号を供給するゲート駆動回路と、データラインにデータ電圧を供給するデータ駆動回路とを含む。
【0003】
有機発光表示パネルの各サブ画素は、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ；以下、「ＯＬＥＤ」という）と、有機発光ダイオードを独立的に駆動する画素回路とを含む。有機発光ダイオードはアノード電極とカソード電極との間に多数の有機化合物層を備える。最近には、多数の有機化合物層をインクジェットプリンティング（ｉｎｋｊｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）方式で製造している。すなわち、各サブ画素領域に発光素子の第１電極を形成する。そして、親水性を有する第１バンク物質をコーティングした後、第１バンク物質をパターニングして各サブ画素領域の境界部に第１バンクを形成する。第１バンクの上部に疎水性を有する第２バンクを形成した後、インクジェットプリンティング方式で第１電極上に多数の有機化合物層を形成する。
【0004】
しかし、上述のように第１及び第２バンクを形成するとき、第１電極上に有機残膜が存在して有機発光ダイオードの特性が低下し、有機残膜を除去するためにＵＶまたはプラズマ処理を遂行すれば、第２バンクの疎水性が低下して、以後のインクジェットプリンティング工程が不可能になる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は工程を簡素化し、表示品質を向上させることができる有機発光表示パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上述の目的を達成するための本開示の実施例による有機発光表示パネルは、多数のサブ画素領域が定義された基板上の各サブ画素領域に配置される第１電極と、各サブ画素領域の境界部上の前記基板に配置され、側面が親水化したバンク層と、前記バンク層と前記第１電極の上側とにわたって配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第１有機物質層と、前記バンク層の間の第１有機物質層上に配置される第２有機物質層と、前記第２有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって配置される第３有機物質層と、前記第３有機物質層上に配置される第２電極とを含み、前記第１有機物質層は、正孔注入層及び正孔輸送層のうちの少なくとも一つを含み、前記第２有機物質層は、発光層を含み、前記第３有機物質層は、電子輸送層及び電子注入層のうちの少なくとも一つを含み得る。
【0007】
ここで、パイルアップ（Ｐｉｌｅ－ｕｐ）を改善するために、前記第２有機物質層は、前記バンク層の間の赤色サブ画素領域及び緑色サブ画素領域の前記第１有機物質層上にのみ配置される第１正孔輸送層と、赤色サブ画素領域、緑色サブ画素領域、及び赤色サブ画素領域に配置される発光層とを含み得る。
【0008】
前記のような目的を達成するための本開示の実施例による有機発光表示パネルは、多数のサブ画素領域が定義された基板上の各サブ画素領域に配置される第１電極と、各サブ画素領域の境界部上の前記基板に配置され、側面が親水化したバンク層と、前記バンク層の間の各サブ画素領域の前記第１電極上に配置される第１有機物質層と、前記第１有機物質層と前記バンク層とにわたって配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第２有機物質層と、前記バンク層の間の第２有機物質層上に配置される第３有機物質層と、前記第３有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって配置される第４有機物質層と、前記第４有機物質層上に配置される第２電極とを含み、前記第１有機物質層は、第１正孔輸送層及び第１発光層を含み、前記第２有機物質層は、第１電子輸送層、ｎ型電荷生成層、ｐ型電荷生成層、及び正孔注入層を含み、前記第３有機物質層は、第２正孔輸送層及び第２発光層を含み、前記第４有機物質層は、第２電子輸送層及び電子注入層を含み得る。
【0009】
パイルアップ（Ｐｉｌｅ－ｕｐ）を改善するために、本開示の実施例による有機発光表示パネルは、赤色、緑色、及び青色サブ画素を備えた多数のサブ画素領域が定義された基板上の各サブ画素領域に配置される第１電極と、各サブ画素領域の境界部上の前記基板に配置され、側面が親水化したバンク層と、前記バンク層の間の各サブ画素領域の前記第１電極上に配置される第１有機物質層と、前記第１有機物質層と前記バンク層とにわたって配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第２有機物質層と、前記バンク層の間の第２有機物質層上に配置される第３有機物質層と、前記第３有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって配置される第４有機物質層と、前記第４有機物質層上に配置される第２電極とを含み、前記第３有機物質層は、前記バンク層の間の前記赤色サブ画素領域及び前記緑色サブ画素領域の前記第２有機物質層上にのみ配置される第１正孔輸送層と、前記赤色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記赤色サブ画素領域に配置される第１発光層とを含み得る。
【0010】
前記のような目的を達成するための本開示の実施例による有機発光表示パネルは、赤色、緑色、及び青色サブ画素を備えた多数のサブ画素領域が定義された基板上の各サブ画素領域に配置される第１電極と、各サブ画素領域の境界部上の前記基板に配置され、側面が親水化したバンク層と、前記バンク層と前記第１電極の上側とにわたって基板上に配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第１有機物質層と、前記バンク層の間の各サブ画素領域の前記第１有機物質層状に配置される第２有機物質層と、前記第２有機物質層及び前記第１有機物質層上にわたって配置され、前記バンク層の上側の表面は疎水化した第３有機物質層と、前記バンク層の間の第３有機物質層上に配置される第４有機物質層と、前記第４有機物質層及び前記第３有機物質層上にわたって配置される第５有機物質層と、前記第５有機物質層上に配置される第２電極とを含み、前記第４有機物質層は、前記バンク層の間の前記赤色サブ画素領域及び前記緑色サブ画素領域の前記第３有機物質層上にのみ配置される第１正孔輸送層と、前記赤色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記赤色サブ画素領域に配置される第１発光層とを含み得る。
【0011】
また、前記のような目的を達成するための本開示の実施例による有機発光表示パネルの製造方法は、多数のサブ画素領域が定義された基板上の各サブ画素領域に第１電極を形成するステップと、前記基板上の前記各サブ画素領域の境界部にバンク層を形成するステップと、前記バンク層の側面及び前記第１電極の上部を第１プラズマ処理して各サブ画素領域の各第１電極上の有機残膜を除去し、前記バンク層の側面を親水化させるステップと、蒸着工程で前記第１電極及び前記バンク層にわたって第１有機物質層を形成するステップと、第２プラズマ処理して前記バンク層の上側の前記第１有機物質層の上面を疎水化させるステップと、インクジェットプリンティング工程で各サブ画素領域の前記第１有機物質層上に第２有機物質層を形成するステップと、蒸着工程で前記第１有機物質層と前記第２有機物質層とにわたって第３有機物質層と第２電極を形成するステップとを含み、前記第１有機物質層は、正孔注入層及び正孔輸送層のうちの少なくとも一つを含み、前記第２有機物質層は、発光層を含み、前記第３有機物質層は、電子輸送層及び電子注入層のうちの少なくとも一つを含み得る。
【0012】
ここで、パイルアップ（Ｐｉｌｅ－ｕｐ）を改善するために、前記第２有機物質層を形成するステップは、前記バンク層の間の赤色サブ画素領域及び緑色サブ画素領域の前記第１有機物質層上にのみ第２正孔輸送層を形成し、前記赤色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記赤色サブ画素領域にそれぞれ発光層を形成することができる。
【発明の効果】
【0013】
本開示による有機発光表示パネルの製造方法によれば以下の効果を奏することが可能である。
【0014】
第１に、バンク構造を単層にして工程を簡素化しながら第１電極上の有機残膜を除去することができる。
【0015】
第２に、蒸着及びインクジェットプリンティング工程を並行して発光素子を構成することができるので、各発光層の材料を多様に選択することができる。
【0016】
第３に、蒸着及びインクジェットプリンティング工程を多数回繰り返して発光層を多重スタックに構成することができるので、発光素子の発光特性を向上させることができる。
【0017】
第４に、本発明はインクジェットプリングティング工程及び蒸着工程を並行して発光素子を製造するので、パイルアップ（Ｐｉｌｅ－ｕｐ）を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】本発明による有機発光表示パネルのサブ画素の平面図である。
【図2】本発明の第１実施例による単一スタック構造を有する有機発光素子と各層別工程を示す構造図である。
【図3】本発明の第１実施例による有機発光表示パネルの構造を示す断面図である。
【図6】本発明の実施例によるバンク層の上側に疎水化プラズマ処理方法を説明するための平面図及び断面図である。
【図7】本発明の実施例によって疎水化プラズマ処理を遂行するときの有機物質層表面の化学構造の計略的な説明図である。
【図8】本発明の第２実施例による単一スタック構造を有する発光素子においてパイルアップ影響を排除することができる各層別工程を示す構造図である。
【図9】本発明の第２実施例による有機発光表示パネルの構造を示す断面図である。
【図11】本発明の第３実施例による多重スタック構造を有する発光素子と各層別工程を示す構造図である。
【図12】本発明の第３実施例による有機発光表示パネルの構造を示す断面図である。
【図14】本発明の第４実施例による多重スタック構造を有する発光素子と各層別工程を示す構造図である。
【図15】本発明の第４実施例による有機発光表示パネルの構造を示す断面図である。
【図17】本発明の第５実施例による多重スタック構造を有する発光素子と各層別工程を示す構造図である。
【図18】本発明の第５実施例による有機発光表示パネルの構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、上述のような特徴を有する本発明の好適な実施例による有機発光表示パネルを添付図面に基づいてより詳細に説明する。明細書全般にわたって同じ参照番号は実質的に同じ構成要素を意味する。
【0020】
図１は本発明による有機発光表示パネルのサブピクセルの平面図である。
【0021】
図１に示すように、本発明の実施例による有機発光表示パネルは、多数のサブ画素領域Ｐと、各サブ画素領域Ｐに配置された第１電極１１と、各サブ画素領域Ｐを取り囲んで格子状のバンク層２０とを含む。多数のサブ画素は、赤色（Ｒｅｄ）を発光する有機発光素子（ＯＬＥＤ）を備えた赤色サブ画素と、緑色（Ｇｒｅｅｎ）を発光する有機発光素子（ＯＬＥＤ）を備えた緑色サブ画素と、青色（Ｂｌｕｅ）を発光する有機発光素子（ＯＬＥＤ）を備えた青色サブ画素とを含む。
【0022】
本発明の第１実施例による有機発光表示パネルの構造及び製造方法を説明すれば次のようである。
【0023】
図２は本発明の第１実施例による単一スタック構造を有する有機発光素子と各層別工程を示す構造図である。
【0024】
本発明の第１実施例による発光素子は、図２に示すように、第１電極（Ａｎｏｄｅ）ＩＴＯと第２電極（Ｃａｔｈｏｄｅ）Ｍｅｔａｌとの間に、正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）ＨＩＬ、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）ＨＴＬ、発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ）ＥＭＬ、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）ＥＴＬ、及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）ＥＩＬが順に積層された単一スタック構造を有する。ここで、正孔注入層が形成されなくてもよい。
【0025】
ここで、正孔注入層ＨＩＬ及び正孔輸送層ＨＴＬは蒸着工程によって形成され、発光層ＥＭＬはインクジェットプリンティング工程（Ｓｏｌｕｂｌｅ工程）によって形成され、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬ、及び第２電極は蒸着工程によって形成され得る。
【0026】
図３は本発明の第１実施例による有機発光表示パネルの構造を示す断面図である。
【0027】
本発明の第１実施例による有機発光表示パネルは、図３に示すように、基板８０上の多数のサブ画素領域Ｐに薄膜トランジスタ７０及び有機発光素子を含む。
【0028】
基板８０は絶縁物質からなり得る。例えば、基板８０は、ガラス、ポリイミド（ＰＩ）などのようなプラスチック物質から構成され得る。
【0029】
基板８０上にバッファー層８１が配置される。バッファー層８１は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得る。ただ、バッファー層８１は必須な構成要素ではなく、基板８０の種類及び物質、薄膜トランジスタ７０の構造及びタイプなどによって省略されてもよい。
【0030】
バッファー層８１上に薄膜トランジスタ７０が配置される。薄膜トランジスタ７０は、アクティブ層７１、ゲート電極７２、ソース電極７３、及びドレイン電極７４を含む。
【0031】
薄膜トランジスタ７０のアクティブ層７１がバッファー層８１上に配置され、アクティブ層７１及びバッファー層８１上にゲート絶縁層８２が配置される。
【0032】
アクティブ層７１は、非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ、ａ－Ｓｉ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｉｃｏｎ、ｐｏｌｙ－Ｓｉ）、酸化物（ｏｘｉｄｅ）半導体または有機物（ｏｒｇａｎｉｃ）半導体などから形成され得る。
【0033】
ゲート絶縁層６２は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得るが、これに限定されるものではない。
【0034】
ゲート絶縁層８２にはソース電極７３及びドレイン電極７４のそれぞれがアクティブ層７１とコンタクトするためのコンタクトホールが形成される。
【0035】
ゲート電極７２はアクティブ層７１と重畳するようにゲート絶縁層８２上に配置される。ゲート電極７２は、導電性金属、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）など、またはこれらの合金からなり得るが、これに限定されるものではない。
【0036】
ゲート電極７２上に層間絶縁層８３が配置される。層間絶縁層８３は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得るが、これに限定されるものではない。層間絶縁層８３にはソース電極７３及びドレイン電極７４をアクティブ層７１とコンタクトするためのコンタクトホールが形成され得る。
【0037】
層間絶縁層８３上にはソース電極７３及びドレイン電極７４が配置される。ソース電極７３及びドレイン電極７４は導電性金属、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）など、またはこれらの合金から構成され得るが、これに限定されるものではない。ソース電極７３及びドレイン電極７４のそれぞれはコンタクトホールを介してアクティブ層７１に電気的に連結され得る。
【0038】
薄膜トランジスタ７０上にパッシベーション層８４が配置されることができる。パッシベーション層８４は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得るが、これに限定されるものではない。
【0039】
パッシベーション層８４には発光素子（ＯＬＥＤ）の第１電極１１が薄膜トランジスタ７０と連結されるためのコンタクトホールが形成され得る。パッシベーション層６４は必ずしも必要な構成要素ではなく、有機発光表示パネルの設計によって省略されてもよい。
【0040】
パッシベーション層８４上には平坦化層８５が配置される。平坦化層８５は有機物からなることができ、平坦化層８５には薄膜トランジスタ７０のドレイン電極７４を露出させるためのコンタクトホールが形成され得る。
【0041】
平坦化層８５上の各サブ画素領域に第１電極１１が配置され、第１電極１１の縁部と重畳するように各サブ画素領域Ｐの境界部上の基板１０にバンク層２０が配置される。
【0042】
垂直方向（第１方向）のバンク層２０の上面縁部及び側面は親水化し、各サブ画素領域に隣接した水平方向（第２方向）のバンク層２０の上面及び側面も親水化することができる。
【0043】
バンク層２０の上面及び側面と第１電極１１の上側とにわたって第１有機物質層５１が形成され、バンク層２０の上部の第１有機物質層５１は選択的に疎水化する。
バンク層２０の間の第１有機物質層５１上に第２有機物質層５３ａ～５３ｃが配置され、第２有機物質層５３ａ～５３ｃ及びバンク層２０の上側の第１有機物質層５１上に第３有機物質層５４が配置される。そして、第３有機物質層５４上に第２電極６０が配置される。
バンク層２０の間の第１有機物質層５１上に第２有機物質層５３ａ～５３ｃが配置され、第２有機物質層５３ａ～５３ｃ及びバンク層２０の上側の第１有機物質層５１上に第３有機物質層５４が配置される。そして、第３有機物質層５４上に第２電極６０が配置される。
【0044】
ここで、第１有機物質層は正孔注入層ＨＩＬ及び正孔輸送層ＨＴＬを含むことができ、第２有機物質層は発光層ＥＭＬを含むことができ、第３有機物質層は電子輸送層ＥＴＬ及び電子注入層ＥＩＬを含み得る。
【0045】
図３のような構造を有する本発明の第１実施例による有機発光表示パネルの製造方法を説明すれば次のようである。
【0046】
図４ａ～図４ｇは本発明の第１実施例による図１のＩ－Ｉ’線についての有機発光表示パネルの工程断面図であり、図５ａ～図５ｂは本発明の第１実施例による図１のＩＩ－ＩＩ’線についての有機発光表示パネルの工程断面図である。
【0047】
図４ａ～図４ｇ及び図５ａ及び図５ｂでは、図３の構造断面図の薄膜トランジスタ７０の製造工程を説明せず、発光素子の工程のみを示した。よって、図４ａ～図４ｇ及び図５ａ及び図５ｂに示した基板１０は、図３に示した基板８０、薄膜トランジスタ７０、及び平坦化層８５までを全部含むものである。
【0048】
図４ａ及び図５ａに示すように、多数のサブ画素領域Ｐを含む基板１０上の各サブ画素領域Ｐに多数の第１電極１１を形成する。第１電極１１が形成された基板１０上に疎水性（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）有機絶縁物質をコーティングし、選択的に除去することにより、第１電極１１の縁部と重畳するように各サブ画素領域の境界部に格子状のバンク層２０を形成する。バンク層２０を形成するために疎水性有機絶縁物質を選択的に除去するとき、第１電極１１の表面には有機残膜２０ａが存在することができる。
【0049】
図４ｂ及び図５ｂに示すように、垂直方向のバンク層２０の上部縁部及び側面と、水平方向の一部のバンク層２０の上面及び側面と、第１電極１１の表面とを選択的にプラズマプリンティング（Ｐｌａｓｍａ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）処理することにより、第１電極１１の表面に残っている有機残膜２０ａを除去するとともにバンク層２０の上面の一部、上面縁部及び側面を親水化（ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｉｚａｔｉｏｎ）させる。より具体的に説明すれば次のようである。
【0050】
プラズマプリンティング処理は、Ｏ２／Ｎ２／Ａｒガスを用い、スキャン方式を用いて選択的にプラズマプリンティングを遂行する。すなわち、図１で、プラズマプリンティング方向を「３０」で表示した。格子状のバンク層２０のうち隣接した２個の垂直方向のバンク層２０の上面縁部と重畳するように垂直方向のサブ画素に沿ってスキャン方式でプラズマプリンティングを遂行する。
【0051】
したがって、隣接した２個の垂直方向のバンク層２０の上面縁部が所定の深さに除去されて段差が形成され、図５ｂに示すように、格子状のバンク層２０のうちサブ画素領域に隣接した水平方向のバンク層２０の上面も所定の深さに除去される。そして、垂直方向のバンク層２０の段差が形成された部分と垂直方向のバンク層２０の側面と水平方向のバンク層２０の上面及び側面とが親水化する。
【0052】
図４ｃに示すように、第１電極１１及びバンク層２０を含む基板１０の全面に蒸着工程で第１有機物質層５１を形成する。第１有機物質層５１は、図２に示した正孔注入層ＨＩＬ及び正孔輸送層ＨＴＬを含み得る。もちろん、正孔注入層が形成されなくてもよい。
【0053】
したがって、図４ｃでは第１有機物質層５１が単一層として示されているが、これに限定されず、第１有機物質層５１は正孔注入層ＨＩＬ及び正孔輸送層ＨＴＬを含む多層から構成されてもよい。
【0054】
図４ｄに示すように、バンク層２０の上側の第１有機物質層５１の表面をＣＦ４またはＳＦ６ガスプラズマ処理することにより、バンク層２０の上側の第１有機物質層５１の表面を疎水化（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）させる。より具体的に説明すれば次のようである。
【0055】
図６は本発明の実施例によるバンク層の上側の疎水化プラズマ処理方法を説明するための平面図及び断面図であり、図７は本発明の実施例によって疎水化プラズマ処理するとき、有機物質層の表面の化学構造の計略的な説明図である。
【0056】
図６に示すように、スキャン方式を用いて格子状のバンク層２０のうち垂直方向（第１方向）のバンク層２０の上部の第１有機物質層５１にのみ選択的にＣＦ４またはＳＦ６ガスプラズマ処理を遂行する。
【0057】
図７に示すように、ＣＦ４またはＳＦ６ガスプラズマ処理の前には、第１有機物質層５１の表面は炭素（Ｃ）に末端基（Ｘ）が結合される化学構造を有する。図６で説明したように、スキャン方式を用いてバンク層２０の上部の第１有機物質層５１にのみ選択的にＣＦ４またはＳＦ６ガスプラズマ処理を遂行すれば、ＣＦ４またはＳＦ６ガスプラズマ処理された第１有機物質層５１の表面は末端基（Ｘ）がホウ素（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ）に置換されて炭素（Ｃ）に結合される化学構造を有する。
【0058】
したがって、バンク層２０の上部の第１有機物質層５１の表面にのみ選択的にＣＦ４またはＳＦ６ガスプラズマ処理を遂行すれば、バンク層２０の上部の第１有機物質層５１の表面は疎水化する。
【0059】
図４ｅに示すように、バンク層２０の上側の第１有機物質層５１を疎水化させた後、各サブ画素領域Ｐの第１有機物質層５１上にそれぞれ第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃを滴下（ドロッピング）する。
【0060】
ここで、第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃの拡散性は、第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃの表面張力、滴下された第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃと接触する各サブ画素領域Ｐに配置された第１電極１１の表面エネルギー及び各サブ画素領域Ｐの境界部に配置されたバンク層２０の表面エネルギーによって決定される。
【0061】
すなわち、第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃの表面張力が小さいほど第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃの拡散性がよくなり、滴下された第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃと接触する面の表面エネルギーが大きくなるほど拡散性がよくなる。
【0062】
一方、表面張力の小さい第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃは乾燥過程で不均一に乾燥して第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃを構成する各層の厚さ均一性（ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を低下させることができる。したがって、表面張力が比較的大きい第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃを使うことができる。また、滴下された第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃは、第１電極１１の上面だけでなくバンク層２０の上面にも存在することができる。
【0063】
本発明の第１実施例による有機発光表示パネルでは、垂直方向のバンク層２０の上側の第１有機物質層５１の上面は疎水性を有し、垂直方向のバンク層２０の上側の第１有機物質層５１の表面エネルギーが減少する。したがって、各サブ画素領域Ｐに滴下された第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃは水平方向に隣接した各サブ画素領域Ｐに滴下された第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃと互いに混合されることを防止することができる。
【0064】
ここで、水平方向のバンク層２０の上側の第１有機物質層５１は疎水化しなかったので、垂直方向に隣接した各サブ画素領域には同じ第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃが滴下されることができる。
【0065】
図４ｆに示すように、滴下された第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃを乾燥させる工程を遂行して第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃの溶媒を蒸発させ、第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃの溶質のみを第１有機物質層５１上に残すことにより、第１有機物質層５１上に第２有機物質層５３ａ～５３ｃを形成する。
【0066】
第２有機物質層５３ａ～５３ｃは図２に示した発光層ＥＭＬを含み得る。例えば、各サブ画素領域Ｐの第１有機物質層５１上に第２有機物質溶液５２ａ～５２ｃとして、赤色発光物質溶液５２ａ、緑色発光物質溶液５２ｂ、及び青色発光物質溶液５２ｃを滴下して乾燥することにより、赤色発光層５３ａ、緑色発光層５３ｂ、及び青色発光層５３ｃを形成することができる。
【0067】
図４ｇに示すように、第２有機物質層５３ａ～５３ｃが形成された基板１０上に蒸着工程で第３有機物質層５４を形成する。第３有機物質層５４は、図２に示した電子輸送層ＥＴＬ及び電子注入層ＥＩＬを含み得る。よって、図５ｇでは第３有機物質層５４が単一層として示されたが、これに限定されず、第３有機物質層５４は多層からなり得る。そして、第３有機物質層５４が形成された基板１０上に蒸着工程で第２電極６０を形成する。
【0068】
一方、図２で説明したような単一スタック構造の発光素子においても、赤色、緑色、及び青色サブ画素別にキャビティ（Ｃａｖｉｔｙ）の差によって、サブ画素別に正孔注入層の厚さと正孔輸送層の厚さとの間に差があり得る。
【0069】
また、インクジェットプリンティング工程のようなソリュブル（Ｓｏｌｕｂｌｅ）溶液工程の場合、厚さ増加の際にパイルアップ（Ｐｉｌｅ－ｕｐ）領域が拡張する可能性があり、特に相対的に厚さが大きい赤色サブ画素に対するパイルアップ（Ｐｉｌｅ－ｕｐ）リスク（Ｒｉｓｋ）影響が大きい。したがって、インクジェットプリンティング工程と蒸着工程とを並行してパイルアップ影響を排除することができる。
【0070】
パイルアップ影響を排除することができる本発明の第２実施例による有機発光表示パネル及びその製造方法を説明すれば次のようである。
【0071】
図８は本発明の第２実施例による単一スタック構造を有する発光素子においてパイルアップ影響を排除することができる各層別の工程を示す構造図である。
本発明の第２実施例による発光素子は、図８に示すように、第１電極（Ａｎｏｄｅ）ＩＴＯと第２電極（Ｃａｔｈｏｄｅ）Ｍｅｔａｌとの間に正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）ＨＩＬ、第１正孔輸送層ＨＴＬ１、第２正孔輸送層ＨＴＬ２、発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ）ＥＭＬ、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）が順に積層された単一スタック構造を有する。ここで、正孔注入層が形成されなくてもよい。
本発明の第２実施例による発光素子は、図８に示すように、第１電極（Ａｎｏｄｅ）ＩＴＯと第２電極（Ｃａｔｈｏｄｅ）Ｍｅｔａｌとの間に正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）ＨＩＬ、第１正孔輸送層ＨＴＬ１、第２正孔輸送層ＨＴＬ２、発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ）ＥＭＬ、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）が順に積層された単一スタック構造を有する。ここで、正孔注入層が形成されなくてもよい。
【0072】
ここで、正孔注入層ＨＩＬ及び第１正孔輸送層ＨＴＬ１は蒸着工程によって形成され、第２正孔輸送層ＨＴＬ２及び発光層ＥＭＬはインクジェットプリンティング工程（Ｓｏｌｕｂｌｅ工程）によって形成され、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬ及び第２電極は蒸着工程によって形成され得る。
【0073】
単一スタック構造を有する発光素子において、パイルアップ影響を排除することができる本発明の第２実施例の有機発光表示パネルの構造は次のようである。
【0074】
図９は本発明の第２実施例による有機発光表示パネルの構造を示す断面図である。本発明の第２実施例による有機発光表示パネルは、図９に示すように、基板８０上の赤色、緑色、及び青色サブ画素領域Ｒ、Ｇ、Ｂにそれぞれ薄膜トランジスタ７０及び有機発光素子を含む。
【0075】
基板８０は絶縁物質からなり得る。例えば、基板８０は、ガラス、ポリイミド（ＰＩ）などのようなプラスチック物質からなり得る。
【0076】
基板８０上にバッファー層８１が配置される。バッファー層８１は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得る。ただ、バッファー層８１は必須な構成要素ではなく、基板８０の種類及び物質、薄膜トランジスタ７０の構造及びタイプなどによって省略されることもできる。
【0077】
バッファー層８１上に薄膜トランジスタ７０が配置される。薄膜トランジスタ７０は、アクティブ層７１、ゲート電極７２、ソース電極７３、及びドレイン電極７４を含む。
【0078】
薄膜トランジスタ７０のアクティブ層７１がバッファー層８１上に配置され、アクティブ層７１及びバッファー層８１上にゲート絶縁層８２が配置される。
【0079】
アクティブ層７１は、非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ、ａ－Ｓｉ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｉｃｏｎ、ｐｏｌｙ－Ｓｉ）、酸化物（ｏｘｉｄｅ）半導体または有機物（ｏｒｇａｎｉｃ）半導体などから形成されることができる。
【0080】
ゲート絶縁層６２は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得るが、これに限定されるものではない。ゲート絶縁層８２にはソース電極７３及びドレイン電極７４のそれぞれがアクティブ層７１とコンタクトするためのコンタクトホールが形成される。
【0081】
ゲート電極７２はアクティブ層７１と重畳するようにゲート絶縁層８２上に配置される。ゲート電極７２は、導電性金属、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）など、またはこれらの合金からなり得るが、これに限定されるものではない。
【0082】
ゲート電極７２上に層間絶縁層８３が配置される。層間絶縁層８３は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得るが、これに限定されるものではない。層間絶縁層８３にはソース電極７３及びドレイン電極７４をアクティブ層７１とコンタクトするためのコンタクトホールが形成され得る。
【0083】
層間絶縁層８３上にはソース電極７３及びドレイン電極７４が配置される。ソース電極７３及びドレイン電極７４は、導電性金属、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）など、またはこれらの合金からなり得るが、これに限定されるものではない。ソース電極７３及びドレイン電極７４のそれぞれはコンタクトホールを介してアクティブ層７１に電気的に連結されることができる。
【0084】
薄膜トランジスタ７０上にパッシベーション層８４が配置されることができる。パッシベーション層８４は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得るが、これに限定されるものではない。
【0085】
パッシベーション層８４には発光素子（ＯＬＥＤ）の第１電極１１が薄膜トランジスタ７０と連結されるためのコンタクトホールが形成され得る。パッシベーション層６４は必ずしも必要な構成要素ではなく、有機発光表示パネルの設計によって省略されてもよい。
【0086】
パッシベーション層８４上には平坦化層８５が配置される。平坦化層８５は有機物からなることができ、平坦化層８５には薄膜トランジスタ７０のドレイン電極７４を露出させるためのコンタクトホールが形成されることができる。
【0087】
平坦化層８５上の赤色、緑色、及び青色サブ画素Ｒ、Ｇ、Ｂを含む多数のサブ画素領域Ｐが定義された基板１０上の各サブ画素領域に第１電極１１が配置され、第１電極１１の縁部と重畳するように各サブ画素領域Ｐの境界部上の基板１０にバンク層２０が配置される。
【0088】
垂直方向（第１方向）のバンク層２０の上面縁部及び側面は親水化し、各サブ画素領域に隣接した水平方向（第２方向）のバンク層２０の上面及び側面も親水化することができる。バンク層２０の上面及び側面と第１電極１１の上側とにわたって第１有機物質層９１が形成され、バンク層２０の上部の第１有機物質層９１は選択的に疎水化する。
【0089】
バンク層２０を除いた赤色サブ画素領域Ｒ及び緑色サブ画素領域Ｇの第１有機物質層９１上には第２正孔輸送層９３ａ、９３ｂ及び発光層９５ａ、９５ｂが積層されて配置され、赤色サブ画素領域Ｂの第１有機物質層９１上には発光層９５ｃのみが配置される。
【0090】
発光層９５ａ～９５ｃ及びバンク層２０の上側の第１有機物質層９１上に第３有機物質層９６が配置され、第３有機物質層９６上に第２電極６０が配置される。ここで、第１有機物質層は正孔注入層ＨＩＬ及び第１正孔輸送層ＨＴＬ１を含むことができ、第３有機物質層は電子輸送層ＥＴＬ及び電子注入層ＥＩＬを含み得る。
【0091】
図９のような構造を有する本発明の第２実施例による有機発光表示パネルの製造方法を説明すれば次のようである。
図１０ａ～図１０ｈは本発明の第２実施例による図１のＩ－Ｉ’線についての有機発光表示パネルの工程断面図である。図１０ａ～図１０ｉでは、図９の構造断面図の薄膜トランジスタ７０の製造工程を説明せずに発光素子の工程のみを示した。よって、図１０ａ～図１０ｉに示した基板１０は、図９に示した基板８０、薄膜トランジスタ７０及び平坦化層８５までを全部含むものである。
図１０ａ～図１０ｈは本発明の第２実施例による図１のＩ－Ｉ’線についての有機発光表示パネルの工程断面図である。図１０ａ～図１０ｉでは、図９の構造断面図の薄膜トランジスタ７０の製造工程を説明せずに発光素子の工程のみを示した。よって、図１０ａ～図１０ｉに示した基板１０は、図９に示した基板８０、薄膜トランジスタ７０及び平坦化層８５までを全部含むものである。
【0092】
図１０ａに示すように、多数のサブ画素領域Ｐを含む基板１０上の各サブ画素領域Ｐに多数の第１電極１１を形成する。そして、第１電極１１が形成された基板１０上に絶縁物質を蒸着して選択的に除去することにより、各サブ画素領域の境界部に格子状のバンク層２０を形成する。バンク層２０は有機物質で形成するか無機物質で形成することができる。ここで、バンク層２０を形成するために疎水性有機絶縁物質を選択的に除去するとき、第１電極１１の表面には有機残膜２０ａが存在することができる。バンク層２０を形成するために疎水性有機絶縁物質を選択的に除去するとき、第１電極１１の表面には有機残膜２０ａが存在することができる。
【0093】
図１０ｂ及び図５ｂに示すように、垂直方向のバンク層２０の上部の縁部及び側面と、水平方向の一部のバンク層２０の上面及び側面と、第１電極１１の表面とを選択的にプラズマプリンティング（Ｐｌａｓｍａ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）処理することにより、第１電極１１の表面に残っている有機残膜２０ａを除去するとともにバンク層２０の上面の一部、上面縁部及び側面を親水化（ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｉｚａｔｉｏｎ）させる。より具体的に説明すれば次のようである。
【0094】
プラズマプリンティング処理は、Ｏ２／Ｎ２／Ａｒガスを用い、スキャン方式を用いて選択的にプラズマプリンティングする。すなわち、図１で、プラズマプリンティング方向を「３０」で表示した。
【0095】
格子状のバンク層２０のうち隣接した２個の垂直方向のバンク層２０の上面縁部と重畳するように垂直方向のサブ画素に沿ってスキャン方式でプラズマプリンティングを遂行する。
【0096】
したがって、隣接した２個の垂直方向のバンク層２０の上面縁部が所定の深さに除去されて段差が形成され、図５ｂに示すように、格子状のバンク層２０のうちサブ画素領域に隣接した水平方向のバンク層２０の上面も所定の深さに除去される。そして、垂直方向のバンク層２０の段差が形成された部分と垂直方向のバンク層２０の側面と水平方向のバンク層２０の上面及び側面とが親水化する。
【0097】
図１０ｃに示すように、第１電極１１及びバンク層２０を含む基板１０の全面に蒸着工程で第１有機物質層９１を形成する。第１有機物質層９１は、図８に示した正孔注入層ＨＩＬ及び第１正孔輸送層ＨＴＬ１を含み得る。もちろん、正孔注入層が形成されなくてもよい。したがって、図１０ｃでは第１有機物質層９１が単一層として示されたが、これに限定されず、第１有機物質層９１は正孔注入層ＨＩＬ及び第１正孔輸送層ＨＴＬ１を含む多層からなり得る。
【0098】
図１０ｄに示すように、バンク層２０の上側の第１有機物質層５１の表面をＣＦ４またはＳＦ６ガスプラズマ処理することにより、バンク層２０の上側の第１有機物質層９１の表面を疎水化（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）させる。
【0099】
ここで、第１有機物質層９１が正孔注入層ＨＩＬ及び第１正孔輸送層ＨＴＬ１を含む場合、バンク層２０の上側の第１正孔輸送層ＨＴＬ１の表面をＣＦ４またはＳＦ６ガスプラズマ処理することにより、第１正孔輸送層ＨＴＬ１の表面を疎水化（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）させる。具体的な説明は図６及び図７で説明したので、省略する。
【0100】
図１０ｅに示すように、各サブ画素領域Ｐを、赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂと仮定すれば、赤色サブ画素領域Ｒ及び緑色サブ画素領域Ｇの第１有機物質層９１上に第２正孔輸送物質溶液９２ａ、９２ｂを滴下し、青色サブ画素領域Ｂには第２正孔輸送物質溶液を滴下しない。
【0101】
図１０ｆに示すように、滴下された第２正孔輸送物質溶液９２ａ、９２ｂを乾燥させる工程を遂行する。すなわち、第２正孔輸送物質溶液９２ａ、９２ｂの溶媒を蒸発させ、第２正孔輸送物質溶液９２ａ、９２ｂの溶質のみが第１有機物質層９１上に残るようにする。したがって、赤色サブ画素領域Ｒ及び緑色サブ画素領域Ｇの第１有機物質層９１上に第２正孔輸送層９３ａ、９３ｂを形成する。青色サブ画素領域Ｂには第２正孔輸送層が形成されない。
【0102】
図１０ｇに示すように、赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂのそれぞれに赤色発光物質溶液９４ａ、緑色発光物質溶液９４ｂ、及び青色発光物質溶液９４ｃを滴下する。
【0103】
図１０ｈに示すように、滴下された赤色発光物質溶液９４ａ、緑色発光物質溶液９４ｂ、及び青色発光物質溶液９４ｃを乾燥させる工程を遂行する。すなわち、赤色発光物質溶液９４ａ、緑色発光物質溶液９４ｂ、及び青色発光物質溶液９４ｃの溶媒を蒸発させ、赤色発光物質溶液９４ａ、緑色発光物質溶液９４ｂ、及び青色発光物質溶液９４ｃの溶質のみが各サブ画素領域に残るようにする。したがって、赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂのそれぞれに赤色発光層９５ａ、緑色発光層９５ｂ、及び青色発光層９５ｃを形成する。
【0104】
図１０ｅ～図１０ｈで説明したように、赤色サブ画素領域Ｒ及び緑色サブ画素領域Ｇは第１及び第２正孔輸送層ＨＴＬ１、ＨＴＬ２が形成されるが、青色サブ画素領域Ｂには第１正孔輸送層ＨＴＬ１のみが形成されるので、パイルアップ影響を排除することができる。
【0105】
図１０ｉに示すように、発光層９５ａ～９５ｃが形成された基板１０上に蒸着工程で第３有機物質層９６を形成する。第３有機物質層９６は、図８に示した電子輸送層ＥＴＬ及び電子注入層ＥＩＬを含み得る。よって、図１０ｉでは第３有機物質層９６が単一層として示されたが、これに限定されず、第３有機物質層９６は多層からなり得る。そして、第３有機物質層９６が形成された基板１０上に蒸着工程で第２電極６０を形成する。一方、インクジェットプリンティング工程と蒸着工程とを並行して多重スタック構造の発光素子を製造することができる。
【0106】
図１１は本発明の第３実施例による多重スタック構造を有する発光素子と各層別工程を示す構造図である。
【0107】
本発明の第３実施例による発光素子は、図１１に示すように、第１電極（Ａｎｏｄｅ）ＩＴＯと第２電極（Ｃａｔｈｏｄｅ）Ｍｅｔａｌとの間に、第１正孔輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭＬ１、第１電子輸送層ＥＴＬ１、ｎ型電荷生成層（ｎ ｔｙｐｅ Ｃｈａｒｇｅ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ｎ－ＣＧＬ）、ｐ型電荷生成層（ｐ ｔｙｐｅ Ｃｈａｒｇｅ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ｐ－ＣＧＬ）、正孔注入層ＨＩＬ、第２正孔輸送層ＨＴＬ２、第２発光層ＥＭＬ２、第２電子輸送層ＥＴＬ２、及び電子注入層ＥＩＬが順に積層された多重スタック構造を有する。
【0108】
ここで、第１スタックＳｔａｃｋ１は、第１正孔輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭＬ１、及び第１電子輸送層ＥＴＬ１を含んでなり、第２スタックＳｔａｃｋ２は、正孔注入層ＨＩＬ、第２正孔輸送層ＨＴＬ２、第２発光層ＥＭＬ２、第２電子輸送層ＥＴＬ２、及び電子注入層ＥＩＬを含んでなる。よって、第１及び第２スタックの間に電荷生成層が位置する。
【0109】
第１正孔輸送層ＨＴＬ１及び第１発光層ＥＭＬ１はインクジェットプリンティング工程（Ｓｏｌｕｂｌｅ工程）によって形成されることができる。第１電子輸送層ＥＴＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、及び正孔注入層ＨＩＬは蒸着工程で形成されることができる。
【0110】
第２正孔輸送層ＨＴＬ２及び第２発光層ＥＭＬ２はインクジェットプリンティング工程（Ｓｏｌｕｂｌｅ工程）によって形成されることができる。第２電子輸送層ＥＴＬ２、電子注入層ＥＩＬ、及び第２電極は蒸着工程によって形成されることができる。多重スタック構造を有する本発明の第３実施例の有機発光表示パネルの構造は次のようである。
【0111】
図１２は本発明の第３実施例による有機発光表示パネルの構造を示す断面図である。
【0112】
本発明の第３実施例による有機発光表示パネルの構造は、図１２に示すように、基板８０上の多数のサブ画素領域Ｐに薄膜トランジスタ７０及び有機発光素子を含む。基板８０は絶縁物質からなり得る。例えば、基板８０は、ガラス、ポリイミド（ＰＩ）などのようなプラスチック物質からなり得る。
【0113】
基板８０上にバッファー層８１が配置される。バッファー層８１は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得る。ただ、バッファー層８１は必須な構成要素ではなく、基板８０の種類及び物質、薄膜トランジスタ７０の構造及びタイプなどによって省略されることもできる。
【0114】
バッファー層８１上に薄膜トランジスタ７０が配置される。薄膜トランジスタ７０は、アクティブ層７１、ゲート電極７２、ソース電極７３、及びドレイン電極７４を含む。薄膜トランジスタ７０のアクティブ層７１がバッファー層８１上に配置され、アクティブ層７１及びバッファー層８１上にゲート絶縁層８２が配置される。
【0115】
アクティブ層７１は、非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ、ａ－Ｓｉ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｉｃｏｎ、ｐｏｌｙ－Ｓｉ）、酸化物（ｏｘｉｄｅ）半導体または有機物（ｏｒｇａｎｉｃ）半導体などから形成されることができる。
【0116】
ゲート絶縁層６２は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得るが、これに限定されるものではない。ゲート絶縁層８２にはソース電極７３及びドレイン電極７４のそれぞれがアクティブ層７１とコンタクトするためのコンタクトホールが形成される。
【0117】
ゲート電極７２はアクティブ層７１と重畳するようにゲート絶縁層８２上に配置される。ゲート電極７２は、導電性金属、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）など、またはこれらの合金からなり得るが、これに限定されるものではない。
【0118】
ゲート電極７２上に層間絶縁層８３が配置される。層間絶縁層８３は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得るが、これに限定されるものではない。層間絶縁層８３にはソース電極７３及びドレイン電極７４をアクティブ層７１とコンタクトするためのコンタクトホールが形成され得る。
【0119】
層間絶縁層８３上にはソース電極７３及びドレイン電極７４が配置される。ソース電極７３及びドレイン電極７４は、導電性金属、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）など、またはこれらの合金からなり得るが、これに限定されるものではない。ソース電極７３及びドレイン電極７４のそれぞれはコンタクトホールを介してアクティブ層７１に電気的に連結され得る。
【0120】
薄膜トランジスタ７０上にパッシベーション層８４が配置されることができる。パッシベーション層８４は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得るが、これに限定されるものではない。
パッシベーション層８４には発光素子（ＯＬＥＤ）の第１電極１１が薄膜トランジスタ７０と連結されるためのコンタクトホールが形成され得る。パッシベーション層６４は必ずしも必要な構成要素ではなく、有機発光表示パネルの設計によって省略されてもよい。
パッシベーション層８４には発光素子（ＯＬＥＤ）の第１電極１１が薄膜トランジスタ７０と連結されるためのコンタクトホールが形成され得る。パッシベーション層６４は必ずしも必要な構成要素ではなく、有機発光表示パネルの設計によって省略されてもよい。
【0121】
パッシベーション層８４上には平坦化層８５が配置される。平坦化層８５は有機物からなることができ、平坦化層８５には薄膜トランジスタ７０のドレイン電極７４を露出させるためのコンタクトホールが形成されることができる。
【0122】
平坦化層８５上の各サブ画素領域に第１電極１１が配置され、第１電極１１の縁部と重畳するように各サブ画素領域Ｐの境界部上の基板１０にバンク層２０が配置される。垂直方向（第１方向）のバンク層２０の上面縁部及び側面は親水化し、各サブ画素領域に隣接した水平方向（第２方向）のバンク層２０の上面及び側面も親水化することができる。
バンク層２０の間の第１電極１１上に第１有機物質層１１２ａ～１１２ｃが配置される。
バンク層２０の間の第１電極１１上に第１有機物質層１１２ａ～１１２ｃが配置される。
【0123】
第１有機物質層１１２ａ～１１２ｃとバンク層２０の上側とにわたって第２有機物質層１１３が配置され、バンク層２０の上部の第２有機物質層１１３は選択的に疎水化する。バンク層２０の間の第２有機物質層１１３上に第３有機物質層１１５ａ～１１５ｃが配置され、第３有機物質層１１５ａ～１１５ｃ及びバンク層２０の上側の第１有機物質層５１上にわたって第４有機物質層１１６が配置される。
【0124】
そして、第４有機物質層１１６上に第２電極６０が配置される。ここで、第１有機物質層１１２ａ～１１２ｃは、第１正孔輸送層ＨＴＬ１及び第１発光層ＥＭＬ１を含むことができ、第２有機物質層１１３は、第１電子輸送層ＥＨＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、及び正孔注入層ＨＩＬを含み得る。
【0125】
第３有機物質層１１５ａ～１１５ｃは、第２正孔輸送層ＨＴＬ２及び第２発光層ＥＭＬ２を含むことができ、第４有機物質層１１６は、第２電子輸送層ＥＴＬ２及び電子注入層ＥＩＬを含み得る。
【0126】
図１２のような構造を有する本発明の第３実施例による有機発光表示パネルの製造方法を説明すれば次のようである。
【0127】
図１３ａ～図１３ｉは本発明の第３実施例による図１のＩ－Ｉ’線についての有機発光表示パネルの工程断面図である。図１３ａ～図１３ｉでは図１２の構造断面図の薄膜トランジスタ７０の製造工程を説明せずに発光素子の工程のみを示した。よって、図１３ａ～図１３ｉに示した基板１０は、図１２に示した基板８０、薄膜トランジスタ７０、及び平坦化層８５までを全部含むものである。
【0128】
図１３ａに示すように、多数のサブ画素領域Ｐを含む基板１０上の各サブ画素領域Ｐに多数の第１電極１１を形成する。そして、第１電極１１が形成された基板１０上に疎水性（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）有機絶縁物質をコーティングして選択的に除去することにより、各サブ画素領域の境界部に格子状のバンク層２０を形成する。ここで、バンク層２０を形成するために疎水性有機絶縁物質を選択的に除去するとき、第１電極１１の表面には有機残膜２０ａが存在することができる。
【0129】
図１３ｂ及び図５ｂに示すように、垂直方向のバンク層２０の上部の縁部及び側面と、水平方向の一部のバンク層２０の上面及び側面と、第１電極１１の表面とを選択的にプラズマプリンティング（Ｐｌａｓｍａ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）処理することにより、第１電極１１の表面に残っている有機残膜２０ａを除去するとともにバンク層２０の上面の一部、上面縁部及び側面を親水化（ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｉｚａｔｉｏｎ）させる。より具体的に説明すれば次のようである。
【0130】
プラズマプリンティング処理は、Ｏ２／Ｎ２／Ａｒガスを用い、スキャン方式を用いて選択的にプラズマプリンティングを遂行する。すなわち、図１で、プラズマプリンティング方向を「３０」で表示した。
【0131】
格子状のバンク層２０のうち隣接した２個の垂直方向のバンク層２０の上面縁部と重畳するように垂直方向のサブ画素に沿ってスキャン方式でプラズマプリンティングを遂行する。したがって、隣接した２個の垂直方向のバンク層２０の上面縁部が所定の深さに除去されて段差が形成され、図５ｂに示すように、格子状のバンク層２０のうちサブ画素領域に隣接した水平方向のバンク層２０の上面も所定の深さに除去される。そして、垂直方向のバンク層２０の段差が形成された部分と垂直方向のバンク層２０の側面と水平方向のバンク層２０の上面及び側面とが親水化する。
【0132】
図１３ｃに示すように、インクジェットプリンティング（Ｉｎｋｊｅｔ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）方式（ｓｏｌｕｂｌｅ工程）で各サブ画素領域Ｐの第１電極１１の上部に第１有機物質溶液１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃを滴下（ｄｒｏｐｐｉｎｇ）する。
ここで、垂直方向のバンク層２０の上面は疎水性を有しているので、バンク層２０の上面の表面エネルギーが減少し、水平方向に隣接した各サブ画素領域Ｐに滴下された第１有機物質溶液１１１ａ～１１１ｃは互いに混合されない。また、水平方向のバンク層２０の上側は親水化したので、垂直方向に隣接した各サブ画素領域には同じ第１有機物質溶液５２ａ～５２ｃが滴下され得る。
ここで、垂直方向のバンク層２０の上面は疎水性を有しているので、バンク層２０の上面の表面エネルギーが減少し、水平方向に隣接した各サブ画素領域Ｐに滴下された第１有機物質溶液１１１ａ～１１１ｃは互いに混合されない。また、水平方向のバンク層２０の上側は親水化したので、垂直方向に隣接した各サブ画素領域には同じ第１有機物質溶液５２ａ～５２ｃが滴下され得る。
【0133】
図１３ｄに示すように、滴下された第１有機物質溶液１１１ａ～１１１ｃを乾燥させる工程を遂行して、第１有機物質溶液１１１ａ～１１１ｃの溶媒を蒸発させ、第１有機物質溶液１１１ａ～１１１ｃの溶質のみが第１電極１１上に残るようにすることにより、第１電極１１上に第１有機物質層１１２ａ～１１２ｃを形成する。
ここで、第１有機物質層１１２ａ～１１２ｃは、図１１に示した第１正孔輸送層ＨＴＬ１及び第１発光層ＥＭＬ１を含み得る。
ここで、第１有機物質層１１２ａ～１１２ｃは、図１１に示した第１正孔輸送層ＨＴＬ１及び第１発光層ＥＭＬ１を含み得る。
【0134】
したがって、図１３ｄでは第１有機物質層１１２ａ～１１２ｃが単一層として示されたが、これに限定されず、第１有機物質層１１２ａ～１１２ｃは多層からなり得る。
【0135】
仮に、第１有機物質層１１２ａ～１１２ｃが第１正孔ＨＴＬ１及び第１発光層ＥＭＬ１を含む場合、次のように遂行することができる。
【0136】
図１３ｃ及び１３ｄで説明したように、正孔輸送物質溶液を各サブ画素領域Ｐの第１電極１１の上部に滴下し、乾燥することにより、第１電極１１の上部に第１正孔輸送層ＨＴＬ１を形成する。各サブ画素領域Ｐを赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂと仮定する。
【0137】
図１３ｃのように、赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂのそれぞれの第１正孔輸送層上に赤色発光物質溶液、緑色発光物質溶液、及び青色発光物質溶液を滴下し、図１３ｄで説明したように、滴下された赤色発光物質溶液、緑色発光物質溶液、及び青色発光物質溶液を乾燥させることにより、赤色発光層、緑色発光層、及び青色発光層を形成する。
【0138】
図１３ｅに示すように、第１有機物質層１１２ａ～１１２ｃ及びバンク層２０を含む基板１０の全面に蒸着工程で第２有機物質層１１３を形成する。第１有機物質層５１は、図１１に示した第１電子輸送層ＥＴＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、及び正孔注入層ＨＩＬを含み得る。
【0139】
すなわち、第１有機物質層１１２ａ～１１２ｃ及びバンク層２０を含む基板１０の全面に第１電子輸送層ＥＴＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、及び正孔注入層ＨＩＬを順に蒸着する。
【0140】
したがって、図１３ｅでは第２有機物質層１１３が単一層として示されたが、これに限定されず、第２有機物質層１１３は第１電子輸送層ＥＴＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、及び正孔注入層ＨＩＬを含む多層からなり得る。
【0141】
図１３ｆに示すように、バンク層２０の上側の第２有機物質層１１３の表面をＣＦ４またはＳＦ６ガスプラズマ処理することにより、バンク層２０の上側の第２有機物質層１１３の表面を疎水化（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）させる。
【0142】
すなわち、第２有機物質層１１３において最上側に形成された正孔注入層ＨＩＬのうちバンク層２０の上側に位置する正孔注入層ＨＩＬの表面をＣＦ４またはＳＦ６ガスプラズマ処理することにより、バンク層２０の上側の正孔注入層ＨＩＬの表面を疎水化（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）させる。より具体的な疎水化プラズマ処理方法は図６及び図７で説明したので、省略する。
【0143】
図１３ｇに示すように、各サブ画素領域Ｐの第２有機物質層１１３上にそれぞれ第３有機物質溶液１１４ａ～１１４ｃを滴下する。ここで、バンク層２０の上部の第２有機物質層１１３は疎水性を有しているので、バンク層２０の上側の第２有機物質層１１３の表面エネルギーが減少し、各サブ画素領域Ｐに滴下された第３有機物質溶液１１４ａ～１１４ｃが互いに混合されることを防止することができる。
【0144】
図１３ｈに示すように、滴下された第３有機物質溶液１１４ａ～１１４ｃを乾燥させる工程を遂行して、第３有機物質溶液１１４ａ～１１４ｃの溶媒を蒸発させ、第３有機物質溶液１１４ａ～１１４ｃの溶質のみが第２有機物質層１１３上に残るようにすることにより、第２有機物質層１１３上に第２有機物質層１１５ａ～１１５ｃを形成する。
【0145】
第３有機物質層１１５ａ～１１５ｃは、図１０に示した第２正孔輸送層ＨＴＬ２、及び第２発光層ＥＭＬ２を含み得る。例えば、各サブ画素領域Ｐの第２有機物質層１１３上に第３有機物質溶液１１４ａ～１１４ｃとして第２正孔輸送物質溶液を滴下して乾燥することによって第２正孔輸送層ＨＴＬ２を形成する。
【0146】
そして、それぞれの赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂの第２正孔輸送層ＨＴＬ２上に第３有機物質溶液１１４ａ～１１４ｃとして、赤色発光物質溶液、緑色発光物質溶液、及び青色発光物質溶液を滴下して乾燥することにより、赤色発光層、緑色発光層、及び青色発光層を形成することができる。
【0147】
図１３ｉに示すように、第３有機物質層１１５ａ～１１５ｃが形成された基板１０上に蒸着工程で第４有機物質層１１６を形成する。第４有機物質層１１６は、図１１に示した第２電子輸送層ＥＴＬ２、及び電子注入層ＥＩＬを含み得る。よって、図１３ｉでは第４有機物質層１１６が単一層として示されたが、これに限定されず、第４有機物質層１１６は多層からなり得る。そして、第４有機物質層１１６が形成された基板１０上に蒸着工程で第２電極６０を形成する。
【0148】
一方、多重スタック構造の発光素子において、インクジェットプリンティング工程と蒸着工程とを並行してパイルアップ影響を排除することができる。以下で、多重スタック構造においてパイルアップ影響を排除することができる製造方法を説明する。
【0149】
図１４は本発明の第４実施例による多重スタック構造を有する発光素子と各層別工程を示す構造図である。
本発明の第４実施例による発光素子は、図１４に示すように、第１電極（Ａｎｏｄｅ）ＩＴＯと第２電極（Ｃａｔｈｏｄｅ）Ｍｅｔａｌとの間に、第１正孔輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭＬ１、第１電子輸送層ＥＴＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、第２正孔輸送層ＨＴＬ２、第３正孔輸送層ＨＴＬ３、第２発光層ＥＭＬ２、第２電子輸送層ＥＴＬ２、及び電子注入層ＥＩＬが順に積層された多重スタック構造を有する。
本発明の第４実施例による発光素子は、図１４に示すように、第１電極（Ａｎｏｄｅ）ＩＴＯと第２電極（Ｃａｔｈｏｄｅ）Ｍｅｔａｌとの間に、第１正孔輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭＬ１、第１電子輸送層ＥＴＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、第２正孔輸送層ＨＴＬ２、第３正孔輸送層ＨＴＬ３、第２発光層ＥＭＬ２、第２電子輸送層ＥＴＬ２、及び電子注入層ＥＩＬが順に積層された多重スタック構造を有する。
【0150】
ここで、第１スタックＳｔａｃｋ１は、第１正孔輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭＬ１、及び第１電子輸送層ＥＴＬ１を含んでなり、第２スタックＳｔａｃｋ２は、第２正孔輸送層ＨＴＬ２、第３正孔輸送層ＨＴＬ３、第２発光層ＥＭＬ２、第２電子輸送層ＥＴＬ２、及び電子注入層ＥＩＬを含んでなる。よって、第１及び第２スタックの間に電荷生成層が位置する。
【0151】
第１正孔輸送層ＨＴＬ１及び第１発光層ＥＭＬ１はインクジェットプリンティング工程（Ｓｏｌｕｂｌｅ工程）によって形成され得る。第１電子輸送層ＥＴＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、及び第２正孔輸送層ＨＴＬ２は蒸着工程によって形成され得る。
【0152】
第３正孔輸送層ＨＴＬ３及び第２発光層ＥＭＬ２はインクジェットプリンティング工程（Ｓｏｌｕｂｌｅ工程）によって形成され得る。第２電子輸送層ＥＴＬ２、電子注入層ＥＩＬ、及び第２電極は蒸着工程によって形成されることができる。
【0153】
上述のように、多重スタック構造を有する発光素子においてパイルアップ影響を排除することができる本発明の第４実施例の有機発光表示パネルの構造は次のようである。
図１５は本発明の第４実施例による有機発光表示パネルの構造を示す断面図である。本発明の第４実施例による有機発光表示パネルは、図１５に示すように、基板８０上の多数のサブ画素領域Ｐに薄膜トランジスタ７０及び有機発光素子を含む。
図１５は本発明の第４実施例による有機発光表示パネルの構造を示す断面図である。本発明の第４実施例による有機発光表示パネルは、図１５に示すように、基板８０上の多数のサブ画素領域Ｐに薄膜トランジスタ７０及び有機発光素子を含む。
【0154】
基板８０は絶縁物質からなり得る。例えば、基板８０は、ガラス、ポリイミド（ＰＩ）などのようなプラスチック物質からなり得る。基板８０上にバッファー層８１が配置される。バッファー層８１は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得る。ただ、バッファー層８１は必須な構成要素ではなく、基板８０の種類及び物質、薄膜トランジスタ７０の構造及びタイプなどによって省略されることもできる。
【0155】
バッファー層８１上に薄膜トランジスタ７０が配置される。薄膜トランジスタ７０は、アクティブ層７１、ゲート電極７２、ソース電極７３、及びドレイン電極７４を含む。
【0156】
薄膜トランジスタ７０のアクティブ層７１がバッファー層８１上に配置され、アクティブ層７１及びバッファー層８１上にゲート絶縁層８２が配置される。
【0157】
アクティブ層７１は、非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ、ａ－Ｓｉ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｉｃｏｎ、ｐｏｌｙ－Ｓｉ）、酸化物（ｏｘｉｄｅ）半導体または有機物（ｏｒｇａｎｉｃ）半導体などから形成されることができる。
【0158】
ゲート絶縁層６２は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得るが、これに限定されるものではない。
【0159】
ゲート絶縁層８２にはソース電極７３及びドレイン電極７４のそれぞれがアクティブ層７１とコンタクトするためのコンタクトホールが形成される。
【0160】
ゲート電極７２はアクティブ層７１と重畳するようにゲート絶縁層８２上に配置される。ゲート電極７２は、導電性金属、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）など、またはこれらの合金からなり得るが、これに限定されるものではない。
【0161】
ゲート電極７２上に層間絶縁層８３が配置される。層間絶縁層８３は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得るが、これに限定されるものではない。層間絶縁層８３にはソース電極７３及びドレイン電極７４をアクティブ層７１とコンタクトするためのコンタクトホールが形成されることができる。
【0162】
層間絶縁層８３上にはソース電極７３及びドレイン電極７４が配置される。ソース電極７３及びドレイン電極７４は、導電性金属、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）など、またはこれらの合金からなり得るが、これに限定されるものではない。ソース電極７３及びドレイン電極７４のそれぞれはコンタクトホールを介してアクティブ層７１に電気的に連結されることができる。
【0163】
薄膜トランジスタ７０上にパッシベーション層８４が配置されることができる。パッシベーション層８４は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得るが、これに限定されるものではない。
【0164】
パッシベーション層８４には発光素子（ＯＬＥＤ）の第１電極１１が薄膜トランジスタ７０と連結されるためのコンタクトホールが形成されることができる。パッシベーション層６４は必ずしも必要な構成要素ではなく、有機発光表示パネルの設計によって省略されることもできる。
【0165】
パッシベーション層８４上には平坦化層８５が配置される。平坦化層８５は有機物からなることができ、平坦化層８５には薄膜トランジスタ７０のドレイン電極７４を露出させるためのコンタクトホールが形成されることができる。
【0166】
平坦化層８５上の各サブ画素領域に第１電極１１が配置され、第１電極１１の縁部と重畳するように各サブ画素領域Ｐの境界部上の基板１０にバンク層２０が配置される。垂直方向（第１方向）のバンク層２０の上面縁部及び側面は親水化し、各サブ画素領域に隣接した水平方向（第２方向）のバンク層２０の上面及び側面も親水化することができる。
【0167】
バンク層２０の間の第１電極１１上に第１有機物質層１３２ａ～１３２ｃが配置される。第１有機物質層１３２ａ～１３２ｃとバンク層２０の上側とにわたって第２有機物質層１３３が配置され、バンク層２０の上部の第２有機物質層１３３は選択的に疎水化する。
【0168】
バンク層２０の間の第２有機物質層１３３上に第３有機物質層１３５ａ、１３５ｂ、１３７ａ～１３７ｃが配置され、第３有機物質層１３５ａ、１３５ｂ、１３７ａ～１３７ｃ及びバンク層２０の上側の第２有機物質層１３３上にわたって第４有機物質層１３８が配置される。そして、第４有機物質層１３８上に第２電極６０が配置される。
【0169】
ここで、第１有機物質層１３２ａ～１３２ｃは、第１正孔輸送層ＨＴＬ１及び第１発光層ＥＭＬ１を含むことができ、第２有機物質層１３３は、第１電子輸送層ＥＨＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、及び第２正孔輸送層ＨＴＬ２を含み得る。
【0170】
第３有機物質層１３５ａ、１３５ｂ、１３７ａ～１３７ｃは、赤色サブ画素領域Ｒと緑色サブ画素領域Ｇにのみ形成される第３正孔輸送層１３５ａ、１３５ｂ、赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂに形成される赤色発光層１３７ａ、緑色発光層１３７ｂ、及び青色発光層１３７ｃを含み得る。
【0171】
第４有機物質層１１６は、第２電子輸送層ＥＴＬ２及び電子注入層ＥＩＬを含み得る。上述のように、多重スタック構造を有する発光素子においてパイルアップ影響を排除することができる本発明の第４実施例の発光素子の製造方法を説明すれば次のようである。
【0172】
【0173】
図１６ａ～図１６ｋでは、図１５の構造断面図の薄膜トランジスタ７０の製造工程を説明せずに発光素子の工程のみを示した。よって、図１６ａ～図１６ｋに示した基板１０は、図１５に示した基板８０、薄膜トランジスタ７０、及び平坦化層８５までを全部含むものである。
【0174】
図１６ａに示すように、多数のサブ画素領域Ｐを含む基板１０上の各サブ画素領域Ｐに多数の第１電極１１を形成する。そして、第１電極１１が形成された基板１０上に疎水性（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）有機絶縁物質をコーティングして選択的に除去することにより、各サブ画素領域の境界部に格子状のバンク層２０を形成する。
【0175】
ここで、バンク層２０を形成するために疎水性有機絶縁物質を選択的に除去するとき、第１電極１１の表面には有機残膜２０ａが存在することができる。
【0176】
図１６ｂ及び図５ｂに示すように、垂直方向のバンク層２０の上部の縁部及び側面と、水平方向の一部のバンク層２０の上面及び側面と、第１電極１１の表面とを選択的にプラズマプリンティング（Ｐｌａｓｍａ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）処理することにより、第１電極１１の表面に残っている有機残膜２０ａを除去するとともにバンク層２０の上面の一部、上面縁部及び側面を親水化（ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｉｚａｔｉｏｎ）させる。より具体的に説明すれば次のようである。
【0177】
前ラズマプリンティング処理はＯ２／Ｎ２／Ａｒガスを用い、スキャン方式で選択的にプラズマプリンティングする。すなわち、図１で、プラズマプリンティング方向を「３０」で表示した。格子状のバンク層２０のうち隣接した２個の垂直方向のバンク層２０の上面縁部と重畳するように垂直方向のサブ画素に沿ってスキャン方式でプラズマプリンティングを遂行する。
【0178】
したがって、隣接した２個の垂直方向のバンク層２０の上面縁部が所定の深さに除去されて段差が形成され、図５ｂに示すように、格子状のバンク層２０のうちサブ画素領域に隣接した水平方向のバンク層２０の上面も所定の深さに除去される。そして、垂直方向のバンク層２０の段差が形成された部分と垂直方向のバンク層２０の側面と水平方向のバンク層２０の上面及び側面とが親水化する。
【0179】
図１６ｃに示すように、インクジェットプリンティング（Ｉｎｋｊｅｔ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）方式（ｓｏｌｕｂｌｅ工程）で各サブ画素領域Ｐの第１電極１１の上部に第１有機物質溶液１３１ａ～１３１ｃを滴下（ｄｒｏｐｐｉｎｇ）する。
【0180】
ここで、バンク層２０の上面は疎水性を有しているので、バンク層２０の上面の表面エネルギーが減少して各サブ画素領域Ｐに滴下された第１有機物質溶液１３１ａ～１３１ｃが互いに混合されることを防止することができる。
【0181】
ここで、垂直方向のバンク層２０の上面は疎水性を有しているので、バンク層２０の上面の表面エネルギーが減少して水平方向に隣接した各サブ画素領域Ｐに滴下された第１有機物質溶液１３１ａ～１３１ｃは互いに混合されない。
【0182】
また、水平方向のバンク層２０の上側は親水化したので、垂直方向に隣接した各サブ画素領域には同じ第１有機物質溶液１３１ａ～１３１ｃが滴下されることができる。
【0183】
図１６ｄに示すように、滴下された第１有機物質溶液１３１ａ～１３１ｃを乾燥させる工程を遂行して、第１有機物質溶液１３１ａ～１３１ｃの溶媒を蒸発させ、第１有機物質溶液１３１ａ～１３１ｃの溶質のみが第１電極１１上に残るようにすることにより、第１電極１１上に第１有機物質層１３２ａ～１３２ｃを形成する。
【0184】
ここで、第１有機物質層１３２ａ～１３２ｃは、図１４に示した第１正孔輸送層ＨＴＬ１及び第１発光層ＥＭＬ１を含み得る。したがって、図１６ｄでは第１有機物質層１３２ａ～１３２ｃが単一層として示されたが、これに限定されず、第１有機物質層１３２ａ～１３２ｃは多層からなり得る。仮に、第１有機物質層１３２ａ～１３２ｃが第１正孔ＨＴＬ１及び第１発光層ＥＭＬ１を含む場合、次のように遂行することができる。
【0185】
【0186】
各サブ画素領域Ｐを、赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂと仮定すれば、赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂのそれぞれの第１正孔輸送層ＨＴＬ１上に赤色発光物質溶液、緑色発光物質溶液、及び青色発光物質溶液を滴下し、滴下された赤色発光物質溶液、緑色発光物質溶液、及び青色発光物質溶液を乾燥させて、赤色発光層、緑色発光層、及び青色発光層を形成する。
【0187】
図１６ｅに示すように、第１有機物質層１３２ａ～１３２ｃ及びバンク層２０を含む基板１０の全面に蒸着工程で第２有機物質層１３３を形成する。第２有機物質層１３３は、図１４に示した第１電子輸送層ＥＴＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、及び第２正孔輸送層ＨＴＬ２を含み得る。
【0188】
すなわち、第１有機物質層１３２ａ～１３２ｃ及びバンク層２０を含む基板１０の全面に第１電子輸送層ＥＴＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、及び第２正孔輸送層ＨＴＬ２を順に蒸着する。
【0189】
したがって、図１６ｅでは第２有機物質層１３３が単一層として示されたが、これに限定されず、第２有機物質層１３３は、第１電子輸送層ＥＴＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、及び第２正孔輸送層ＨＴＬ２を含む多層からなり得る。
【0190】
図１６ｆに示すように、バンク層２０の上側の第２有機物質層１３３の表面をＣＦ４またはＳＦ６ガスプラズマ処理して、バンク層２０の上側の第２有機物質層１３３の表面を疎水化（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）させる。
【0191】
すなわち、第２有機物質層１３３において最上側に形成された第２正孔輸送層ＨＴＬ２のうちバンク層２０の上側に位置する第２正孔輸送層ＨＴＬ２の表面をＣＦ４またはＳＦ６ガスプラズマ処理して、バンク層２０の上側の第２正孔輸送層ＨＴＬ２の表面を疎水化（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）させる。より具体的な疎水化プラズマ処理方法は図６及び図７で説明したので、省略する。
【0192】
図１６ｇに示すように、各サブ画素領域Ｐを、赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂと仮定すれば、赤色サブ画素領域Ｒ及び緑色サブ画素領域Ｇの第２有機物質層１３３上にのみ第３正孔輸送物質溶液１３４ａ、１３４ｂを滴下し、青色サブ画素領域Ｂには第３正孔輸送物質溶液を滴下しない。
【0193】
図１６ｈに示すように、滴下された第３正孔輸送物質溶液１３４ａ、１３４ｂを乾燥させる工程を遂行する。すなわち、第３正孔輸送物質溶液１３４ａ、１３４ｂの溶媒を蒸発させ、第３正孔輸送物質溶液１３４ａ、１３４ｂの溶質のみが第２有機物質層１３３上に残るようにする。
【0194】
したがって、赤色サブ画素領域Ｒ及び緑色サブ画素領域Ｇの第２有機物質層１３３上に第３正孔輸送層１３５ａ、１３５ｂを形成する。青色サブ画素領域Ｂには第３正孔輸送層が形成されない。
【0195】
図１６ｉに示すように、赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂのそれぞれに赤色発光物質溶液１３６ａ、緑色発光物質溶液１３６ｂ、及び青色発光物質溶液１３６ｃを滴下する。
【0196】
図１６ｊに示すように、滴下された赤色発光物質溶液１３６ａ、緑色発光物質溶液１３６ｂ、及び青色発光物質溶液１３６ｃを乾燥させる工程を遂行して、赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂのそれぞれに赤色発光層１３７ａ、緑色発光層１３７ｂ、及び青色発光層１３７ｃを形成する。ここで、第３正孔輸送層１３５ａ、１３５ｂ、赤色発光層１３７ａ、緑色発光層１３７ｂ、及び青色発光層１３７ｃを第３有機物質層と言う。
【0197】
したがって、図１６ｅ～図１６ｊで説明したように、赤色サブ画素領域Ｒ及び緑色サブ画素領域Ｇには第２及び第３正孔輸送層ＨＴＬ２、ＨＴＬ３が形成されるが、青色サブ画素領域Ｂには第１正孔輸送層ＨＴＬ１のみが形成されるので、パイルアップ影響を排除することができる。
【0198】
図１６ｋに示すように、赤色発光層１３７ａ、緑色発光層１３７ｂ、及び青色発光層１３７ｃが形成された基板１０上に蒸着工程で第４有機物質層１３８を形成する。
【0199】
第４有機物質層１３８は、図１４に示した第２電子輸送層ＥＴＬ２及び電子注入層ＥＩＬを含み得る。よって、図１６ｋでは第４有機物質層１３８が単一層として示されたが、これに限定されず、第４有機物質層１３８は多層からなり得る。
【0200】
そして、第４有機物質層１３８が形成された基板１０上に蒸着工程で第２電極６０を形成する。
【0201】
一方、多重スタック構造の発光素子において、インクジェットプリンティング工程と蒸着工程とを並行しながらも、インクジェットプリンティング工程と蒸着工程の順を変えることでパイルアップ影響を排除することができる。以下で、インクジェットプリンティング工程と蒸着工程の順を変えてパイルアップ影響を排除することができる有機発光表示パネルの構造及び製造方法を説明する。
【0202】
図１７は本発明の第５実施例による多重スタック構造を有する発光素子と各層別工程を示す構造図である。
【0203】
本発明の第５実施例による発光素子は、図１７に示すように、第１電極（Ａｎｏｄｅ）ＩＴＯと第２電極（Ｃａｔｈｏｄｅ）Ｍｅｔａｌとの間に、第１正孔輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭＬ１、第１電子輸送層ＥＴＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、第２正孔輸送層ＨＴＬ２、第３正孔輸送層ＨＴＬ３、第２発光層ＥＭＬ２、第２電子輸送層ＥＴＬ２、及び電子注入層ＥＩＬが順に積層された多重スタック構造を有する。
【0204】
ここで、第１スタックＳｔａｃｋ１は、第１正孔輸送層ＨＴＬ１、第１発光層ＥＭＬ１、及び第１電子輸送層ＥＴＬ１を含んでなり、第２スタックＳｔａｃｋ２は、第２正孔輸送層ＨＴＬ２、第３正孔輸送層ＨＴＬ３、第２発光層ＥＭＬ２、第２電子輸送層ＥＴＬ２、及び電子注入層ＥＩＬを含んでなる。よって、第１及び第２スタックの間に電荷生成層が位置する。
【0205】
第１正孔輸送層ＨＴＬ１は蒸着工程によって形成され、第１発光層ＥＭＬ１はインクジェットプリンティング工程（Ｓｏｌｕｂｌｅ工程）によって形成されることができる。第１電子輸送層ＥＴＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、及び第２正孔輸送層ＨＴＬ２は蒸着工程によって形成されることができる。
【0206】
第３正孔輸送層ＨＴＬ３及び第２発光層ＥＭＬ２は、インクジェットプリンティング工程（Ｓｏｌｕｂｌｅ工程）によって形成されることができる。第２電子輸送層ＥＴＬ２、電子注入層ＥＩＬ、及び第２電極は蒸着工程によって形成されることができる。
上述のように、多重スタック構造を有する発光素子において、パイルアップ影響を排除することができる本発明の第５実施例の有機発光表示パネルの構造は次のようである。
上述のように、多重スタック構造を有する発光素子において、パイルアップ影響を排除することができる本発明の第５実施例の有機発光表示パネルの構造は次のようである。
【0207】
図１８は本発明の第５実施例による有機発光表示パネルの構造を示す断面図である。本発明の第５実施例による有機発光表示パネルの構造は、図１８に示すように、基板８０上の多数のサブ画素領域Ｐに薄膜トランジスタ７０及び有機発光素子を含む。
【0208】
基板８０は絶縁物質からなり得る。例えば、基板８０は、ガラス、ポリイミド（ＰＩ）などのようなプラスチック物質からなり得る。
【0209】
基板８０上にバッファー層８１が配置される。バッファー層８１は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得る。ただ、バッファー層８１は必須な構成要素ではなく、基板８０の種類及び物質、薄膜トランジスタ７０の構造及びタイプなどによって省略されることもできる。
【0210】
バッファー層８１上に薄膜トランジスタ７０が配置される。薄膜トランジスタ７０は、アクティブ層７１、ゲート電極７２、ソース電極７３、及びドレイン電極７４を含む。
【0211】
薄膜トランジスタ７０のアクティブ層７１がバッファー層８１上に配置され、アクティブ層７１及びバッファー層８１上にゲート絶縁層８２が配置される。アクティブ層７１は、非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ、ａ－Ｓｉ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｉｃｏｎ、ｐｏｌｙ－Ｓｉ）、酸化物（ｏｘｉｄｅ）半導体または有機物（ｏｒｇａｎｉｃ）半導体などから形成されることができる。
【0212】
ゲート絶縁層６２は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得るが、これに限定されるものではない。
【0213】
ゲート絶縁層８２にはソース電極７３及びドレイン電極７４のそれぞれがアクティブ層７１とコンタクトするためのコンタクトホールが形成される。ゲート電極７２はアクティブ層７１と重畳するようにゲート絶縁層８２上に配置される。ゲート電極７２は、導電性金属、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）など、またはこれらの合金からなり得るが、これに限定されるものではない。
【0214】
ゲート電極７２上に層間絶縁層８３が配置される。層間絶縁層８３は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得るが、これに限定されるものではない。層間絶縁層８３にはソース電極７３及びドレイン電極７４をアクティブ層７１とコンタクトするためのコンタクトホールが形成されることができる。
【0215】
層間絶縁層８３上にはソース電極７３及びドレイン電極７４が配置される。ソース電極７３及びドレイン電極７４は、導電性金属、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）など、またはこれらの合金からなり得るが、これに限定されるものではない。ソース電極７３及びドレイン電極７４のそれぞれはコンタクトホールを介してアクティブ層７１に電気的に連結されることができる。
【0216】
薄膜トランジスタ７０上にパッシベーション層８４が配置されることができる。パッシベーション層８４は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得るが、これに限定されるものではない。
【0217】
パッシベーション層８４には発光素子（ＯＬＥＤ）の第１電極１１が薄膜トランジスタ７０と連結されるためのコンタクトホールが形成されることができる。パッシベーション層６４は必ずしも必要な構成要素ではなく、有機発光表示パネルの設計によって省略されることもできる。
【0218】
パッシベーション層８４上には平坦化層８５が配置される。平坦化層８５は有機物からなることができ、平坦化層８５には薄膜トランジスタ７０のドレイン電極７４を露出させるためのコンタクトホールが形成されることができる。
【0219】
平坦化層８５上の各サブ画素領域に第１電極１１が配置され、第１電極１１の縁部と重畳するように各サブ画素領域Ｐの境界部上の基板１０にバンク層２０が配置される。バンク層２０及び第１電極１１の上側にわたって基板上に第１有機物質層１５１が配置され、バンク層２０の上部の第１有機物質層１５１は選択的に疎水化する。
バンク層２０の間の第１有機物質層１５１上に第２有機物質層１５３ａ～１５３ｃが配置される。
バンク層２０の間の第１有機物質層１５１上に第２有機物質層１５３ａ～１５３ｃが配置される。
【0220】
第２有機物質層１５３ａ～１５３ｃ及び第１有機物質層１５１上にわたって第３有機物質層１５４が配置され、バンク層２０の上部の第３有機物質層１５４は選択的に疎水化する。
【0221】
バンク層２０の間の第３有機物質層１５４上に第４有機物質層１５６ａ～１５６ｂ、１５８ａ～１５８ｃが配置され、第４有機物質層１５６ａ～１５６ｂ、１５８ａ～１５８ｃ及びバンク層２０の上側の第３有機物質層１５４上にわたって第５有機物質層１５９が配置される。
【0222】
そして、第５有機物質層１５９上に第２電極６０が配置される。ここで、第１有機物質層１５１は第１正孔輸送層ＨＴＬ１を含み、第２有機物質層１５３ａ～１５３ｃは第１発光層ＥＭＬ１を含み得る。
【0223】
第３有機物質層１５４は、第１電子輸送層ＥＨＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、及び第２正孔輸送層ＨＴＬ２を含み得る。
【0224】
第４有機物質層１５６ａ～１５６ｂ、１５８ａ～１５８ｃは、赤色サブ画素領域Ｒ及び緑色サブ画素領域Ｇにのみ形成される第３正孔輸送層１３５ａ、１３５ｂと、赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂに形成される赤色発光層１５８ａ、緑色発光層１５８ｂ、及び青色発光層１５８ｃとを備えた第２発光層とを含み得る。
【0225】
第５有機物質層１５９は、第２電子輸送層ＥＴＬ２及び電子注入層ＥＩＬを含み得る。上述のように、多重スタック構造を有する発光素子においてパイルアップ影響を排除することができる本発明の第５実施例の発光素子の製造方法を説明すれば次のようである。
【0226】
【0227】
図１９ａ～図１９ｍでは、図１８の構造断面図の薄膜トランジスタ７０の製造工程を説明せずに発光素子の工程のみを示した。よって、図１９ａ～図１９ｍに示した基板１０は、図１８に示した基板８０、薄膜トランジスタ７０、及び平坦化層８５までを全部含むものである。
【0228】
図１９ａに示すように、多数のサブ画素領域Ｐを含む基板１０上の各サブ画素領域Ｐに多数の第１電極１１を形成する。そして、第１電極１１が形成された基板１０上に疎水性（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）有機絶縁物質をコーティングして選択的に除去することにより、各サブ画素領域の境界部に格子状のバンク層２０を形成する。
【0229】
ここで、バンク層２０を形成するために疎水性有機絶縁物質を選択的に除去するとき、第１電極１１の表面には有機残膜２０ａが存在することができる。
【0230】
図１９ｂ及び図５ｂに示すように、垂直方向のバンク層２０の上部の縁部及び側面と、水平方向の一部のバンク層２０の上面及び側面と、第１電極１１の表面とを選択的にプラズマプリンティング（Ｐｌａｓｍａ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）処理することにより、第１電極１１の表面に残っている有機残膜２０ａを除去するとともにバンク層２０の上面の一部、上面縁部及び側面を親水化（ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｉｚａｔｉｏｎ）させる。より具体的に説明すれば次のようである。
【0231】
プラズマプリンティング処理はＯ２／Ｎ２／Ａｒガスを用い、スキャン方式で選択的にプラズマプリンティングする。すなわち、図１で、プラズマプリンティング方向を「３０」で表示した。格子状のバンク層２０のうち隣接した２個の垂直方向のバンク層２０の上面縁部と重畳するように垂直方向のサブ画素に沿ってスキャン方式でプラズマプリンティングを遂行する。
【0232】
したがって、隣接した２個の垂直方向のバンク層２０の上面縁部が所定の深さに除去されて段差が形成され、図５ｂに示すように、格子状のバンク層２０のうちサブ画素領域に隣接した水平方向のバンク層２０の上面も所定の深さに除去される。そして、垂直方向のバンク層２０の段差が形成された部分と垂直方向のバンク層２０の側面と水平方向のバンク層２０の上面及び側面とが親水化する。
【0233】
【0234】
図１９ｄに示すように、バンク層２０の上側の第１有機物質層１５１の表面をＣＦ４またはＳＦ６ガスプラズマ処理することにより、バンク層２０の上側の第１有機物質層１５１の表面を疎水化（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）させる。より具体的な疎水化プラズマ処理方法は図６及び図７で説明したので、省略する。
【0235】
図１９ｅに示すように、インクジェットプリンティング（Ｉｎｋｊｅｔ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）方式（ｓｏｌｕｂｌｅ工程）で赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂの第１有機物質層１５１の上部に赤色発光物質溶液１５２ａ、緑色発光物質溶液１５２ｂ、及び青色発光物質溶液１５２ｃを滴下（ｄｒｏｐｐｉｎｇ）する。
【0236】
ここで、垂直方向バンク層２０の上側の第１有機物質層１５１の上面は疎水性を有しているので、水平方向に隣接した各サブ画素領域Ｐに滴下された赤色発光物質溶液１５２ａ、緑色発光物質溶液１５２ｂ、及び青色発光物質溶液１５２ｃが互いに混合されない。
【0237】
また、水平方向のバンク層２０の上側の第１有機物質層１５１の上面は疎水化しなかったので、垂直方向に隣接した各サブ画素領域には同じ赤色発光物質溶液１５２ａ、緑色発光物質溶液１５２ｂ、及び青色発光物質溶液１５２ｃが滴下され得る。
【0238】
図１９ｆに示すように、滴下された赤色発光物質溶液１５２ａ、緑色発光物質溶液１５２ｂ、及び青色発光物質溶液１５２ｃを乾燥させる工程を遂行する。すなわち、赤色発光物質溶液１５２ａ、緑色発光物質溶液１５２ｂ、及び青色発光物質溶液１５２ｃの溶媒を蒸発させ、赤色発光物質溶液１５２ａ、緑色発光物質溶液１５２ｂ、及び青色発光物質溶液１５２ｃの溶質のみが第１有機物質層１５１上に残るようにする。
【0239】
したがって、第１有機物質層１５１上に、赤色発光層１５３ａ、緑色発光層１５３ｂ、及び青色発光層１５３ｃを形成する。ここで、赤色発光層１５３ａ、緑色発光層１５３ｂ、及び青色発光層１５３ｃを第２有機物質層と表現する。
【0240】
図１９ｇに示すように、第２有機物質層１５３ａ～１５３ｃ及び第１有機物質層１５１を含む基板１０の全面に蒸着工程で第３有機物質層１５４を形成する。第３有機物質層１５４は、図１７に示した第１電子輸送層ＥＴＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、及び第２正孔輸送層ＨＴＬ２を含み得る。
【0241】
すなわち、第１有機物質層１５１及び第２有機物質層１５３ａ～１５３ｃを含む基板１０の全面に、第１電子輸送層ＥＴＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、及び第２正孔輸送層ＨＴＬ２を順に蒸着する。
【0242】
したがって、図１９ｇでは第３有機物質層１５４が単一層として示されたが、これに限定されず、第３有機物質層１５４は、第１電子輸送層ＥＴＬ１、ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬ、ｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬ、及び第２正孔輸送層ＨＴＬ２を含む多層からなり得る。
【0243】
図１９ｈに示すように、バンク層２０の上側の第３有機物質層１５４の表面をＣＦ４またはＳＦ６ガスプラズマ処理することにより、バンク層２０の上側の第３有機物質層１５４の表面を疎水化（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）させる。すなわち、第３有機物質層１５４において最上側に形成された第２正孔輸送層ＨＴＬ２のうちバンク層２０の上側に位置する第２正孔輸送層ＨＴＬ２の表面をＣＦ４またはＳＦ６ガスプラズマ処理することにより、バンク層２０の上側の第２正孔輸送層ＨＴＬ２の表面を疎水化（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）させる。より具体的な疎水化プラズマ処理方法は図６及び図７で説明したので、省略する。
【0244】
図１９ｉに示すように、各サブ画素領域Ｐにおいて赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂのうち、赤色サブ画素領域Ｒ及び緑色サブ画素領域Ｇの第３有機物質層１５４上にのみ第３正孔輸送物質溶液１５５ａ、１５５ｂを滴下し、青色サブ画素領域Ｂには第３正孔輸送物質溶液を滴下しない。
【0245】
図１９ｊに示すように、滴下された第３正孔輸送物質溶液１５５ａ、１５５ｂを乾燥させる工程を遂行することにより、赤色サブ画素領域Ｒ及び緑色サブ画素領域Ｇの第２有機物質層１３３上に第３正孔輸送層１５６ａ、１５６ｂを形成する。青色サブ画素領域Ｂには第３正孔輸送層が形成されない。
【0246】
図１９ｋに示すように、赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂのそれぞれに赤色発光物質溶液１５７ａ、緑色発光物質溶液１５７ｂ、及び青色発光物質溶液１５７ｃを滴下する。
【0247】
図１９ｌに示すように、滴下された赤色発光物質溶液１５７ａ、緑色発光物質溶液１５７ｂ、及び青色発光物質溶液１５７ｃを乾燥させる工程を遂行することにより、赤色サブ画素領域Ｒ、緑色サブ画素領域Ｇ、及び青色サブ画素領域Ｂのそれぞれに赤色発光層１５８ａ、緑色発光層１５８ｂ、及び青色発光層１５８ｃを形成する。ここで、第３正孔輸送層１５６ａ、１５６ｂ、赤色発光層１５８ａ、緑色発光層１５８ｂ、及び青色発光層１５８ｃを第４有機物質層と言う。
【0248】
したがって、図１９ｉ～図１９ｌで説明したように、赤色サブ画素領域Ｒ及び緑色サブ画素領域Ｇは第２及び第３正孔輸送層ＨＴＬ２、ＨＴＬ３が形成されるが、青色サブ画素領域Ｂには第２正孔輸送層ＨＴＬ２のみが形成されるので、パイルアップ影響を排除することができる。
【0249】
図１９ｍに示すように、赤色発光層１３７ａ、緑色発光層１３７ｂ、及び青色発光層１３７ｃが形成された基板１０の全面に蒸着工程で第５有機物質層１５９を形成する。
【0250】
第５有機物質層１５９は、図１７に示した第２電子輸送層ＥＴＬ２及び電子注入層ＥＩＬを含み得る。よって、図１９ｍでは第５有機物質層１５９が単一層として示されたが、これに限定されず、第５有機物質層１５９は多層からなり得る。
そして、第５有機物質層１５９が形成された基板１０上に蒸着工程で第２電極６０を形成する。
そして、第５有機物質層１５９が形成された基板１０上に蒸着工程で第２電極６０を形成する。
【0251】
【0252】
以上で説明したように、本発明の実施例による有機発光表示パネルの製造方法は、蒸着工程及びインクジェットプリンティング工程を多数回繰り返して発光層を多重スタックに構成することができるので、発光素子の発光特性を向上させることができる。
【0253】
また、第２、第４及び第５実施例のように、本発明はインクジェットプリングティング工程と蒸着工程とを並行して発光素子を製造するので、パイルアップ（Ｐｉｌｅ－ｕｐ）影響を排除することができる。
【0254】
以上の説明は本発明を例示的に説明したものに過ぎなく、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様な変形が可能であろう。したがって、本発明の明細書に開示された実施例は本発明を限定するものではない。本発明の範囲は以降の特許請求範囲によって解釈されなければならなく、それと均等な範囲内にあるすべての技術も本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならないであろう。
【符号の説明】
【0255】
１０ 基板
１１ 第１電極
２０ バンク層
６０ 第２電極
４０ａ～４０ｃ、５２ａ～５２ｃ、９２ａ～９２ｃ、１１１ａ～１１１ｃ、１１４ａ～１１４ｃ、１３１ａ～１３１ｃ、７５ａ～７５ｃ 有機物質溶液
９４ａ、１３６ａ、１５２ａ、１５７ａ 赤色発光物質溶液
９４ｂ、１３６ｂ、１５２ｂ、１５７ｂ 緑色発光物質溶液
９４ｃ、１３６ｃ、１５２ｃ、１５７ｃ 青色発光物質溶液
９５ａ、１３７ａ、１５３ａ、１５８ａ 赤色発光層
９５ｂ、１３７ｂ、１５３ｂ、１５８ｂ 緑色発光層
９５ｃ、１３７ｃ、１５３ｃ、１５８ｃ 青色発光層
１３４ａ～１３４ｂ、１５５ａ～１５５ｂ 第３正孔輸送物質溶液
１３５ａ～１３５ｂ、１５６ａ～１５６ｂ 第３正孔輸送層
５１、５３ａ～５３ｃ、５４、９１、９３ａ～９３ｃ、９６、１１２ａ～１１２ｃ、１１３、１１５ａ～１１５ｃ、１１６、１３２ａ～１３２ｃ、１３３、１３８、１５１、１５４、１５９ 有機物質層
１１ 第１電極
２０ バンク層
６０ 第２電極
４０ａ～４０ｃ、５２ａ～５２ｃ、９２ａ～９２ｃ、１１１ａ～１１１ｃ、１１４ａ～１１４ｃ、１３１ａ～１３１ｃ、７５ａ～７５ｃ 有機物質溶液
９４ａ、１３６ａ、１５２ａ、１５７ａ 赤色発光物質溶液
９４ｂ、１３６ｂ、１５２ｂ、１５７ｂ 緑色発光物質溶液
９４ｃ、１３６ｃ、１５２ｃ、１５７ｃ 青色発光物質溶液
９５ａ、１３７ａ、１５３ａ、１５８ａ 赤色発光層
９５ｂ、１３７ｂ、１５３ｂ、１５８ｂ 緑色発光層
９５ｃ、１３７ｃ、１５３ｃ、１５８ｃ 青色発光層
１３４ａ～１３４ｂ、１５５ａ～１５５ｂ 第３正孔輸送物質溶液
１３５ａ～１３５ｂ、１５６ａ～１５６ｂ 第３正孔輸送層
５１、５３ａ～５３ｃ、５４、９１、９３ａ～９３ｃ、９６、１１２ａ～１１２ｃ、１１３、１１５ａ～１１５ｃ、１１６、１３２ａ～１３２ｃ、１３３、１３８、１５１、１５４、１５９ 有機物質層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4a】
【図4b】
【図4c】
【図4d】
【図4e】
【図4f】
【図4g】
【図5a】
【図5b】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10a】
【図10b】
【図10c】
【図10d】
【図10e】
【図10f】
【図10g】
【図10h】
【図10i】
【図11】
【図12】
【図13a】
【図13b】
【図13c】
【図13d】
【図13e】
【図13f】
【図13g】
【図13h】
【図13i】
【図14】
【図15】
【図16a】
【図16b】
【図16c】
【図16d】
【図16e】
【図16f】
【図16g】
【図16h】
【図16i】
【図16j】
【図16k】
【図17】
【図18】
【図19a】
【図19b】
【図19c】
【図19d】
【図19e】
【図19f】
【図19g】
【図19h】
【図19i】
【図19j】
【図19k】
【図19l】
【図19m】
