特開 2023-99324 基板処理液提供装置およびそれを含む基板処理システム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023099324

(43)【公開日】2023-07-12

(54)【発明の名称】基板処理液提供装置およびそれを含む基板処理システム

(51)【国際特許分類】

   B05C 5/00 20060101AFI20230705BHJP

   B05C 11/10 20060101ALI20230705BHJP

   B05D 1/26 20060101ALI20230705BHJP

   B05D 3/00 20060101ALI20230705BHJP

【ＦＩ】

B05C5/00 101

B05C11/10

B05D1/26 Z

B05D3/00 B

【審査請求】有

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022206267

(22)【出願日】2022-12-23

(31)【優先権主張番号】10-2021-0193208

(32)【優先日】2021-12-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(31)【優先権主張番号】10-2022-0072768

(32)【優先日】2022-06-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】598123150

【氏名又は名称】セメス株式会社

【氏名又は名称原語表記】ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】７７，４ｓａｎｄａｎ ５－ｇｉｌ，Ｊｉｋｓａｎ－ｅｕｐ，Ｓｅｏｂｕｋ－ｇｕ，Ｃｈｅｏｎａｎ－ｓｉ，Ｃｈｕｎｇｃｈｅｏｎｇｎａｍ－ｄｏ，３３１－８１４ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110000671

【氏名又は名称】ＩＢＣ一番町弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ヨン，ダイ ジョン

(72)【発明者】

【氏名】リ，ソ ホン

(72)【発明者】

【氏名】リ，トン ファ

(72)【発明者】

【氏名】キム，ジ ヒョン

(72)【発明者】

【氏名】リ，ソン ファ

(72)【発明者】

【氏名】キム，テ スン

【テーマコード（参考）】

4D075

4F041

4F042

【Ｆターム（参考）】

4D075AC06

4D075AC84

4D075BB16X

4D075CB38

4D075DA06

4D075DC24

4D075EA10

4D075EA33

4F041AA02

4F041AA05

4F041AB01

4F041BA01

4F041BA10

4F041BA13

4F041BA32

4F042AA02

4F042AA06

4F042AB00

4F042CA01

4F042CA04

4F042CA06

4F042CB02

(57)【要約】      （修正有）

【課題】内部攪拌流動性の確保と揺れ回復の相関関係において、最適の構造を有する基板処理液提供装置およびそれを含む基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理液提供装置は、基板処理液を貯蔵する貯蔵タンクと、貯蔵タンクの内部に設置され、貯蔵タンクの内部空間を分割する隔壁を含み、基板処理液を基板上に吐出する基板処理装置と連結されて基板処理液を基板処理装置に提供し、隔壁は一面と他面を貫通して形成される複数のホールを含む。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板処理液を貯蔵する貯蔵タンクと、前記貯蔵タンクの内部に設置され、前記貯蔵タンクの内部空間を分割する隔壁を含み、前記基板処理液を基板上に吐出する基板処理装置と連結されて前記基板処理液を前記基板処理装置に提供し、前記隔壁は一面と他面を貫通して形成される複数のホールを含む、基板処理液提供装置。

【請求項2】

前記貯蔵タンクと前記基板処理装置の間で循環する前記基板処理液を前記貯蔵タンクの内部に流入させる第１チューブをさらに含む、請求項１に記載の基板処理液提供装置。

【請求項3】

前記ホールは、前記第１チューブの流入口と同じ高さまで形成されるか、または前記流入口より下位の高さまで形成される、請求項２に記載の基板処理液提供装置。

【請求項4】

前記貯蔵タンクに貯蔵されている前記基板処理液を前記基板処理装置に排出させる第２チューブをさらに含み、前記第１チューブの流入口は、前記第２チューブの排出口より上位に配置される、請求項２に記載の基板処理液提供装置。

【請求項5】

前記ホールは、前記第２チューブの排出口と同じ高さまで形成されるか、または、前記排出口より上位の高さまで形成される、請求項４に記載の基板処理液提供装置。

【請求項6】

前記隔壁は複数であり、複数の隔壁は、前記貯蔵タンクの内側の一端部から他端部方向に形成される、請求項１に記載の基板処理液提供装置。

【請求項7】

前記複数の隔壁のうち少なくとも一部の隔壁は、前記他端部に接触しない、請求項６に記載の基板処理液提供装置。

【請求項8】

前記複数の隔壁のうち少なくとも一部の隔壁は、他の隔壁と異なる方向に形成される、請求項６に記載の基板処理液提供装置。

【請求項9】

前記複数の隔壁のうち少なくとも一部の隔壁は、他の隔壁と交差する、請求項６に記載の基板処理液提供装置。

【請求項10】

前記隔壁は、前記貯蔵タンクの上部を覆う蓋と結合される、請求項１に記載の基板処理液提供装置。

【請求項11】

前記隔壁の材質は、前記基板処理液の種類によって異なる、請求項１に記載の基板処理液提供装置。

【請求項12】

前記隔壁の大きさは、前記貯蔵タンクの内径や面積によって異なる、請求項１に記載の基板処理液提供装置。

【請求項13】

前記貯蔵タンクの内部に貯蔵された前記基板処理液を攪拌させる第１ポンプと、前記基板処理液を前記貯蔵タンクと前記基板処理装置の間で循環させる第２ポンプをさらに含む、請求項１に記載の基板処理液提供装置。

【請求項14】

前記第２ポンプは、前記第１ポンプより下部に配置される、請求項１３に記載の基板処理液提供装置。

【請求項15】

前記第１ポンプは、磁気浮上方式で作動するマグネチックポンプである、請求項１３に記載の基板処理液提供装置。

【請求項16】

前記第１ポンプは、前記基板処理液が一定の大きさ以上の粒子を含む場合に作動する、請求項１３に記載の基板処理液提供装置。

【請求項17】

前記隔壁は複数であり、複数の隔壁は等間隔に配置される、請求項１に記載の基板処理液提供装置。

【請求項18】

前記隔壁は、前記ホールが形成されていないマージン領域を含む、請求項１に記載の基板処理液提供装置。

【請求項19】

基板処理液を基板上に吐出して前記基板を処理する基板処理装置と、前記基板処理装置と連結され、前記基板処理液を前記基板処理装置に提供する基板処理液提供装置と、前記基板処理装置と前記基板処理液提供装置を制御する制御装置を含み、前記基板処理液提供装置は、前記基板処理液を貯蔵する貯蔵タンクと、前記貯蔵タンクの内部に設置され、前記貯蔵タンクの内部空間を分割する隔壁を含み、前記隔壁は一面と他面を貫通して形成される複数のホールを含む、基板処理システム。

【請求項20】

第１ポンプを用いて貯蔵タンクの内部に貯蔵された基板処理液を攪拌させる段階と、第２ポンプを用いて前記基板処理液を前記貯蔵タンクと基板処理装置の間で循環させる段階と、前記基板処理装置を用いて基板を処理する段階を含む基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理液提供装置およびそれを含む基板処理システムに関する。より詳細には、インクジェット設備に適用できる基板処理液提供装置およびそれを含む基板処理システムに関する。

【背景技術】

【0002】

ＬＣＤパネル、ＰＤＰパネル、ＬＥＤパネルなどのディスプレイ装置を製造するために透明基板上に印刷工程（例えば、ＲＧＢパターニング（ＲＧＢ Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ））を行う場合、インクジェットヘッドユニット（Ｉｎｋｊｅｔ Ｈｅａｄ Ｕｎｉｔ）を備える印刷装備が用いられる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

リザーバー（Ｒｅｓｅｒｖｏｉｒ）は、インクジェットヘッドユニットに提供する処理液（すなわち、インク）を貯蔵する装置であり、インクジェットヘッドユニットは、リザーバーから処理液の供給を受けて基板上に吐出することができる。

【0004】

リザーバーは、処理液がその内部で揺れることを防止するために、デッドゾーンを含む構造を有することができる。しかし、リザーバーのこのような構造は、内部攪拌の面で処理液の流動性低下を引き起こし得、処理液が多量の粒子を含む場合は粒子間の凝集（Ａｇｇｒｅｇａｔｉｏｎ）、沈降、浮遊、相分離などの問題を発生させ得る。

【0005】

本発明で解決しようとする技術的課題は、内部攪拌流動性の確保と揺れ回復の相関関係において、最適の構造を有する基板処理液提供装置およびそれを含む基板処理システムを提供することにある。

【0006】

本発明の技術的課題は上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていない別の技術的課題は、以下の記載から当業者に明確に理解されるものである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

前記の技術的課題を達成するための本発明の基板処理液提供装置の一面（Ａｓｐｅｃｔ）は、基板処理液を貯蔵する貯蔵タンクと、前記貯蔵タンクの内部に設置され、前記貯蔵タンクの内部空間を分割する隔壁を含み、前記基板処理液を基板上に吐出する基板処理装置と連結されて前記基板処理液を前記基板処理装置に提供し、前記隔壁は一面と他面を貫通して形成される複数のホールを含む。

【0008】

前記基板処理液提供装置は、前記貯蔵タンクと前記基板処理装置の間で循環する前記基板処理液を前記貯蔵タンクの内部に流入させる第１チューブをさらに含み得る。

【0009】

前記ホールは、前記第１チューブの流入口と同じ高さまで形成されるか、または、前記流入口より下位の高さまで形成され得る。

【0010】

前記基板処理液提供装置は、前記貯蔵タンクに貯蔵されている前記基板処理液を前記基板処理装置に排出させる第２チューブをさらに含み、前記第１チューブの流入口は前記第２チューブの排出口より上位に配置され得る。

【0011】

前記ホールは、前記第２チューブの排出口と同じ高さまで形成されるか、または、前記排出口より上位の高さまで形成され得る。

【0012】

前記隔壁は複数であり、複数の隔壁は、前記貯蔵タンクの内側の一端部から他端部方向に形成され得る。

【0013】

前記複数の隔壁のうち少なくとも一部の隔壁は、前記他端部に接触しなくてもよい。

【0014】

前記複数の隔壁のうち少なくとも一部の隔壁は、他の隔壁と異なる方向に形成され得る。

【0015】

前記複数の隔壁のうち少なくとも一部の隔壁は、他の隔壁と交差し得る。

【0016】

前記隔壁は、前記貯蔵タンクの上部を覆う蓋と結合され得る。

【0017】

前記隔壁の材質は、前記基板処理液の種類によって異なってよい。

【0018】

前記隔壁の大きさは、前記貯蔵タンクの内径や面積によって異なってよい。

【0019】

前記基板処理液提供装置は、前記貯蔵タンクの内部に貯蔵された前記基板処理液を攪拌させる第１ポンプと、前記基板処理液を前記貯蔵タンクと前記基板処理装置の間で循環させる第２ポンプをさらに含み得る。

【0020】

前記第２ポンプは、前記第１ポンプより下部に配置され得る。

【0021】

前記第１ポンプは、磁気浮上方式で作動するマグネチックポンプであり得る。

【0022】

前記第１ポンプは、前記基板処理液が一定の大きさ以上の粒子を含む場合に作動し得る。

【0023】

前記隔壁は複数であり、複数の隔壁は等間隔に配置され得る。

【0024】

前記隔壁は、前記ホールが形成されていないマージン領域を含み得る。

【0025】

また、前記の技術的課題を達成するための本発明の基板処理液提供装置の他の面は、基板処理液を基板上に吐出する基板処理装置と連結されて前記基板処理液を前記基板処理装置に提供し、前記基板処理液を貯蔵する貯蔵タンクと、前記貯蔵タンクの内部に設置され、前記貯蔵タンクの内部空間を分割し、一面と他面を貫通して形成される複数のホールを含む隔壁と、前記貯蔵タンクと前記基板処理装置の間で循環する前記基板処理液を前記貯蔵タンクの内部に流入させる第１チューブと、前記貯蔵タンクに貯蔵されている前記基板処理液を前記基板処理装置に排出させる第２チューブを含み、前記第１チューブの流入口は前記第２チューブの排出口より上位に配置され、前記隔壁の高さは前記第１チューブの流入口と前記第２チューブの排出口の間で決定され、前記ホールは前記第１チューブの流入口と前記第２チューブの排出口のうち少なくとも一つの地点を基準として選択される領域に形成される。

【0026】

また、前記の技術的課題を達成するための本発明の基板処理システムの一面は、基板処理液を基板上に吐出して前記基板を処理する基板処理装置と、前記基板処理装置と連結され、前記基板処理液を前記基板処理装置に提供する基板処理液提供装置と、前記基板処理装置と前記基板処理液提供装置を制御する制御装置を含み、前記基板処理液提供装置は、前記基板処理液を貯蔵する貯蔵タンクと、前記貯蔵タンクの内部に設置され、前記貯蔵タンクの内部空間を分割する隔壁を含み、前記隔壁は一面と他面を貫通して形成される複数のホールを含む。

【0027】

前記基板処理装置はインクジェットヘッドユニットを含み、前記インクジェットヘッドユニットを用いて基板処理液を基板上に吐出し得る。
前記基板処理液は、量子ドットインクであり得る。

【0028】

また、前記の技術的課題を達成するための本発明の基板処理方法の一面は、第１ポンプを用いて貯蔵タンクの内部に貯蔵された基板処理液を攪拌させる段階と、第２ポンプを用いて前記基板処理液を前記貯蔵タンクと基板処理装置の間で循環させる段階と、前記基板処理装置を用いて基板を処理する段階を含む。

【0029】

その他実施形態の具体的な内容は、詳細な説明および図面に含まれている。

【図面の簡単な説明】

【0030】

【図1】本発明の一実施形態による基板処理システムの内部構成を概略的に示すブロック図である。

【図2】本発明の一実施形態による基板処理システムを構成する基板処理装置の構造を概略的に示す図である。

【図3】基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンクの内部構造を概略的に示す例示図である。

【図4】本発明の一実施形態による基板処理システムを構成する基板処理液提供装置の内部構造を概略的に示す第１例示図である。

【図5】基板処理液提供装置が第１例示による内部構造を有する場合の効果を説明するための参照図である。

【図6】基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンクの内部構造を概略的に示す第１例示図である。

【図7】本発明の一実施形態による基板処理システムを構成する基板処理液提供装置の内部構造を概略的に示す第２例示図である。

【図8】本発明の一実施形態による基板処理システムを構成する基板処理液提供装置の内部構造を概略的に示す第３例示図である。

【図9】本発明の一実施形態による基板処理システムを構成する基板処理液提供装置の内部構造を概略的に示す第４例示図である。

【図10】基板処理液提供装置を構成する第２ポンプの役割を説明するための参照図である。

【図11】基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンクの内部構造を概略的に示す第２例示図である。

【図12】基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンクの内部構造を概略的に示す第３例示図である。

【図13】基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンクの内部構造を概略的に示す第４例示図である。

【図14】基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンクの内部構造を概略的に示す第５例示図である。

【図15】基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンク内に設置される隔壁の構造を説明するための第１例示図である。

【図16】基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンクの内部構造を概略的に示す第６例示図である。

【図17】基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンクの内部構造を概略的に示す第７例示図である。

【図18】基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンク内に設置される隔壁の構造を説明するための第２例示図である。

【図19】基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンク内に設置される隔壁の構造を説明するための第３例示図である。

【図20】基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンク内に設置される隔壁の構造を説明するための第４例示図である。

【図21】基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンク内に設置される隔壁の構造を説明するための第５例示図である。

【図22】本発明の一実施形態による基板処理システムの基板処理方法を順に示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0031】

以下では添付する図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。図面上の同じ構成要素については同じ参照符号を使用し、これらについての重複する説明は省略する。

【0032】

インクジェットヘッドユニットを用いて基板上に基板処理液を吐出する基板処理システムの場合、不良弾着を最小化するために基板処理液の循環構造が要求されており、それに伴い基板処理液提供装置に対しては、基板処理液の内部攪拌流動を円滑にしながら揺れも防止できる構造が要求される。本発明では、内部攪拌流動性の確保と揺れ回復の相関関係において最適の構造を有する基板処理液提供装置とそれを含む基板処理システムを提供する。以下では図面などを参照して本発明を詳細に説明する。

【0033】

図１は、本発明の一実施形態による基板処理システムの内部構成を概略的に示すブロック図である。図１によれば、基板処理システム１００は、基板処理装置１１０、基板処理液提供装置１２０、および制御装置（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）１３０を含んで構成されることができる。

【0034】

基板処理装置１１０は、ディスプレイ装置を製造するのに用いられる基板Ｇ（例えば、ガラス基板（Ｇｌａｓｓ））を処理するものである。このような基板処理装置１１０は、インクジェットヘッドユニット（Ｉｎｋｊｅｔ Ｈｅａｄ Ｕｎｉｔ）を用いて基板Ｇ上に基板処理液を吐出（Ｊｅｔｔｉｎｇ）して基板Ｇを印刷するインクジェット設備として設けられることができる。

【0035】

基板処理装置１１０は、基板処理液としてインクを使用することができる。ここで、基板処理液は、基板Ｇを印刷処理するのに用いられる薬液をいう。基板処理液は、例えば、超微細半導体粒子を含む量子ドット（ＱＤ；Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）インクであり得、基板処理装置１１０は、例えば、量子ドット（ＱＤ）インクを使用してカラーフィルタ（ＣＦ；Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）を基板Ｇ上に形成させるインクジェット設備として設けられることができる。基板処理装置１１０は、基板処理液を用いて基板Ｇにピクセル印刷（Ｐｉｘｅｌ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）をすることができ、基板処理液によってノズル（Ｎｏｚｚｌｅ）が詰まることを防止するために循環系インクジェット設備として設けられることができる。

【0036】

図２は、本発明の一実施形態による基板処理システムを構成する基板処理装置の構造を概略的に示す図である。図２によれば、基板処理装置１１０は、工程処理ユニット２１０、メンテナンスユニット（Ｍａｉｎｔｅｎａｎｃｅ Ｕｎｉｔ）２２０、ガントリーユニット（Ｇａｎｔｒｙ Ｕｎｉｔ）２３０、およびインクジェットヘッドユニット２４０を含んで構成されることができる。

【0037】

工程処理ユニット２１０は、基板Ｇに対してＰＴ動作が行われる間、基板Ｇを支持するものである。ここで、ＰＴ動作は、基板処理液を用いて基板Ｇを印刷（Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）処理することをいう。

【0038】

工程処理ユニット２１０は、非接触方式を用いて基板Ｇを支持することができる。工程処理ユニット２１０は、例えば、エアー（Ａｉｒ）を用いて基板Ｇを空中に浮上させて基板Ｇを支持することができる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。工程処理ユニット２１０は、接触方式を用いて基板Ｇを支持することも可能である。工程処理ユニット２１０は、例えば、上部に安着面が設けられた支持部材を用いて基板Ｇを支持することもできる。

【0039】

工程処理ユニット２１０は、エアーを用いて基板Ｇを支持した状態で基板Ｇを移動させることができる。工程処理ユニット２１０は、例えば、第１ステージ（１ｓｔ Ｓｔａｇｅ）２１１、およびエアホール（Ａｉｒ Ｈｏｌｅ）２１２を含んで構成されることができる。

【0040】

第１ステージ２１１はベース（Ｂａｓｅ）であって、その上部に基板Ｇが安着できるように提供されるものである。エアホール２１２は、このような第１ステージ２１１の上部表面を貫通して形成されることができ、第１ステージ２１１上のプリンティング領域（Ｐｒｉｎｔｉｎｇ Ｚｏｎｅ）内に複数形成されることができる。

【0041】

エアホール２１２は、第１ステージ２１１の上部方向（第３方向）３０にエアーを噴射することができる。エアホール２１２は、これにより第１ステージ２１１上に安着される基板Ｇを空中に浮上させることができる。

【0042】

図２には示されていないが、工程処理ユニット２１０は把持部（Ｇｒｉｐｐｅｒ）とガイドレール（Ｇｕｉｄｅ Ｒａｉｌ）をさらに含むことができる。把持部は、基板Ｇが第１ステージ２１１の長手方向（第１方向）１０に沿って移動する場合、基板Ｇを把持して基板Ｇが第１ステージ２１１上から離脱することを防止するものである。把持部は、基板Ｇが移動する場合、基板Ｇを把持した状態でガイドレールに沿って基板Ｇと同じ方向に移動することができる。把持部とガイドレールは、第１ステージ２１１の外側に設けられることができる。

【0043】

メンテナンスユニット２２０は、基板Ｇ上における基板処理液の吐出位置（すなわち、打点）、基板処理液の吐出の有無などを測定するものである。メンテナンスユニット２２０は、インクジェットヘッドユニット２４０に備えられる複数のノズルそれぞれに対して、基板処理液の吐出位置、基板処理液の吐出の有無などを測定することができ、このように取得された測定結果が制御装置１３０に提供されるようにすることができる。

【0044】

メンテナンスユニット２２０は、例えば、第２ステージ（２ｎｄ Ｓｔａｇｅ）２２１、第３ガイドレール（３ｒｄ Ｇｕｉｄｅ Ｒａｉｌ）２２２、第１プレート（１ｓｔ Ｐｌａｔｅ）２２３、キャリブレーションボード（Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ Ｂｏａｒｄ）２２４、およびビジョンモジュール（Ｖｉｓｉｏｎ Ｍｏｄｕｌｅ）２２５を含んで構成されることができる。

【0045】

第２ステージ２２１は、第１ステージ２１１と同様にベースであって、第１ステージ２１１と並んで配置されることができる。このような第２ステージ２２１は、その上部にメンテナンス領域（Ｍａｉｎｔｅｎａｎｃｅ Ｚｏｎｅ）を含むことができる。第２ステージ２２１は、第１ステージ２１１と同じ大きさで設けられることができるが、第１ステージ２１１より小さいか、あるいはより大きい大きさを有するように設けられることも可能である。

【0046】

第３ガイドレール２２２は、第１プレート２２３の移動経路をガイドするものである。このような第３ガイドレール２２２は、第２ステージ２２１上に第２ステージ２２１の長手方向（第１方向）１０に沿って少なくとも一つのラインで設けられることができる。第３ガイドレール２２２は、例えば、ＬＭガイドシステム（Ｌｉｎｅａｒ Ｍｏｔｏｒ Ｇｕｉｄｅ Ｓｙｓｔｅｍ）で具現されることができる。

【0047】

図２には示されていないが、メンテナンスユニット２２０は、第４ガイドレールをさらに含むことができる。第４ガイドレールは、第３ガイドレール２２２と同様に第１プレート２２３の移動経路をガイドするものであって、第２ステージ２２１上に第２ステージ２２１の幅方向（第２方向）２０に沿って少なくとも一つのラインで設けられることができる。

【0048】

第１プレート２２３は、第３ガイドレール２２２および／または第４ガイドレールに沿って第２ステージ２２１上で移動するものである。第１プレート２２３は、第３ガイドレール２２２に沿って基板Ｇと並んで移動することができ、第４ガイドレールに沿って基板Ｇに接近するか、または基板Ｇから遠ざかることもできる。

【0049】

キャリブレーションボード２２４は、基板Ｇ上における基板処理液の吐出位置を測定するためのものである。このようなキャリブレーションボード２２４は、アラインマーク（Ａｌｉｇｎ Ｍａｒｋ）、ルーラーなどを含んで第１プレート２２３上に設置されることができ、第１プレート２２３の長手方向（第１方向）１０に沿って設けられることができる。

【0050】

ビジョンモジュール２２５は、カメラモジュール（Ｃａｍｅｒａ Ｍｏｄｕｌｅ）を含み、基板Ｇについてのイメージ情報を取得するものである。ビジョンモジュール２２５により取得される基板Ｇのイメージ情報には、基板処理液の吐出の有無、基板処理液の吐出位置、基板処理液の吐出量、基板処理液の吐出面積などについての情報が含まれ得る。一方、ビジョンモジュール２２５は、基板処理液が吐出された基板Ｇについてのイメージ情報とともに、キャリブレーションボード２２４についての情報も取得して提供することができる。

【0051】

ビジョンモジュール２２５は、基板Ｇを処理する場合に基板Ｇについてのイメージ情報をリアルタイムで取得することができる。ビジョンモジュール２２５は、基板Ｇを長手方向（第１方向）１０で撮影してイメージ情報を取得することができ、この場合ビジョンモジュール２２５は、ラインスキャンカメラ（Ｌｉｎｅ Ｓｃａｎ Ｃａｍｅｒａ）を含んで構成されることができる。また、ビジョンモジュール２２５は、基板Ｇを所定の大きさの領域別に撮影してイメージ情報を取得することもできる。この場合、ビジョンモジュール２２５は、エリアスキャンカメラ（Ａｒｅａ Ｓｃａｎ Ｃａｍｅｒａ）を含んで構成されることができる。

【0052】

ビジョンモジュール２２５は、基板処理液が吐出された基板Ｇのイメージ情報を取得するためにガントリーユニット２３０の底面や側面に取付けられることができる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。ビジョンモジュール２２５は、インクジェットヘッドユニット２４０の側面に取付けられることも可能である。一方、ビジョンモジュール２２５は、基板処理装置１１０内に少なくとも一つ設けられることができ、固定設置されるか、または移動可能に設置されることができる。

【0053】

ガントリーユニット２３０は、インクジェットヘッドユニット２４０を支持するものである。このようなガントリーユニット２３０は、インクジェットヘッドユニット２４０が基板Ｇ上に基板処理液を吐出することができるように第１ステージ２１１および第２ステージ２２１の上部に設けられることができる。

【0054】

ガントリーユニット２３０は、第１ステージ２１１および第２ステージ２２１の幅方向（第２方向）２０を長手方向として第１ステージ２１１および第２ステージ２２１上に設けられることができる。ガントリーユニット２３０は、第１ガイドレール（１ｓｔ Ｇｕｉｄｅ Ｒａｉｌ）２７０ａおよび第２ガイドレール（２ｎｄ Ｇｕｉｄｅ Ｒａｉｌ）２７０ｂに沿って第１ステージ２１１および第２ステージ２２１の長手方向（第１方向）１０に移動することができる。一方、第１ガイドレール２７０ａおよび第２ガイドレール２７０ｂは、第１ステージ２１１および第２ステージ２２１の長手方向（第１方向）１０に沿って第１ステージ２１１および第２ステージ２２１の外側に設けられることができる。

【0055】

一方、図２には示されていないが、基板処理装置１１０は、ガントリー移動ユニットをさらに含むことができる。ガントリー移動ユニットは、第１ガイドレール２７０ａおよび第２ガイドレール２７０ｂに沿ってガントリーユニット２３０をスライディング移動させるものである。ガントリー移動ユニットは、ガントリーユニット２３０の内部に設置されることができる。

【0056】

インクジェットヘッドユニット２４０は、基板Ｇ上に液滴（Ｄｒｏｐｌｅｔ）形態で基板処理液を吐出するものである。このようなインクジェットヘッドユニット２４０は、ガントリーユニット２３０の側面かその底面に設置されることができる。

【0057】

インクジェットヘッドユニット２４０は、ガントリーユニット２３０に少なくとも一つ設置されることができる。インクジェットヘッドユニット２４０がガントリーユニット２３０に複数設置される場合、複数のインクジェットヘッドユニット２４０は、ガントリーユニット２３０の長手方向（第２方向）２０に沿って一列に配置されることができる。また、複数のインクジェットヘッドユニット２４０は、それぞれ独立して作動することができ、これとは反対に統一的に作動することも可能である。

【0058】

インクジェットヘッドユニット２４０は、基板Ｇ上で所望する地点に位置するために、ガントリーユニット２３０の長手方向（第２方向）２０に沿って移動することができる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。インクジェットヘッドユニット２４０は、ガントリーユニット２３０の高さ方向（第３方向）３０に沿って移動することができ、時計回りまたは反時計回りに回転することも可能である。

【0059】

一方、インクジェットヘッドユニット２４０は、ガントリーユニット２３０に固定されるよう設置されることも可能である。この場合、ガントリーユニット２３０が移動可能に提供されることができる。

【0060】

図２には示されていないが、基板処理装置１１０は、インクジェットヘッド移動ユニットをさらに含むことができる。インクジェットヘッド移動ユニットは、インクジェットヘッドユニット２４０を直線移動させたり回転させるものである。

【0061】

図２には示されていないが、インクジェットヘッドユニット２４０は、ノズルプレート、複数のノズル、圧電素子などを含んで構成されることができる。ノズルプレートは、インクジェットヘッドユニット２４０の本体を構成するものである。複数（例えば、１２８個、２５６個など）のノズルは、このようなノズルプレートの下部に一定の間隔を置いて多行多列で提供されることができ、圧電素子は、ノズルプレート内にノズルの個数に対応する個数だけ設けられることができる。インクジェットヘッドユニット２４０は、このように構成される場合、圧電素子の作動によりノズルを介して基板Ｇ上に基板処理液を吐出することができる。

【0062】

一方、インクジェットヘッドユニット２４０は、圧電素子に印加される電圧によってそれぞれのノズルを介して提供される基板処理液の吐出量を独立して調節することも可能である。

【0063】

以下、図１および図２を参照して説明する。

【0064】

基板処理液提供装置１２０は、基板処理装置１１０のインクジェットヘッドユニット２４０に基板処理液（例えば、インク）を提供するリザーバー（Ｒｅｓｅｒｖｏｉｒ）である。このような基板処理液提供装置１２０は、図２に示すように、基板処理装置１１０のガントリーユニット２３０に設置されることができ、貯蔵タンク３１０および圧力制御モジュール３２０を含んで構成されることができる。

【0065】

貯蔵タンク３１０は、基板処理液を貯蔵するものであり、圧力制御モジュール３２０は、貯蔵タンク３１０の内部圧力を調節するものである。貯蔵タンク３１０は、圧力制御モジュール３２０により提供される圧力に基づきインクジェットヘッドユニット２４０に適正量の基板処理液を供給することができる。

【0066】

制御装置１３０は、基板処理装置１１０を構成するそれぞれのユニットと基板処理液提供装置１２０の全体作動を制御するものである。制御装置１３０は、例えば、工程処理ユニット２１０のエアホール２１２と把持部、メンテナンスユニット２２０のビジョンモジュール２２５、ガントリーユニット２３０、インクジェットヘッドユニット２４０、基板処理液提供装置１２０の圧力制御モジュール３２０等の作動を制御することができる。

【0067】

制御装置１３０は、プロセスコントローラ、制御プログラム、入力モジュール、出力モジュール（または表示モジュール）、メモリモジュールなどを含んでコンピュータやサーバなどで具現されることができる。前記で、プロセスコントローラは、基板処理装置１１０を構成するそれぞれの構成に対して制御機能を実行するマイクロプロセッサを含むことができ、制御プログラムは、プロセスコントローラの制御により基板処理装置１１０の各種処理を実行することができる。メモリモジュールは、各種データおよび処理条件に応じて基板処理装置１１０の各種処理を実行させるためのプログラム、すなわち処理レシピが保存されるものである。

【0068】

一方、制御装置１３０は、インクジェットヘッドユニット２４０に対してメンテナンスを行わせる役割もすることができる。制御装置１３０は、例えば、メンテナンスユニット２２０の測定結果に基づき、インクジェットヘッドユニット２４０に備えられるそれぞれのノズルの基板処理液の吐出位置を補正したり、複数のノズルのうちから不良ノズル（すなわち基板処理液を吐出しないノズル）を検出して、不良ノズルに対してクリーニング作業が行われるようにすることができる。

【0069】

前で説明したが、インクジェットヘッドユニット２４０を用いて基板Ｇを処理する基板処理装置１１０の場合、基板処理液が基板Ｇ上に不良弾着することを防止するために、基板処理液を循環させる構造を有することができる。この場合、基板処理装置１１０と連携される基板処理液提供装置１２０は、インクジェットヘッドユニット２４０の移動に伴って基板処理液がその内部で揺れることを防止するために、デッドゾーン（Ｄｅａｄ Ｚｏｎｅ）を含む構造を有することができる。

【0070】

基板処理液提供装置１２０は、内部での揺れを防止するための構造を有する場合、図３に示すように、貯蔵タンク３１０の内部に上下方向（第３方向）３０に交差設置される複数の隔壁３５０ａ，３５０ｂを含むことができる。ここで、第１隔壁３５０ａは、貯蔵タンク３１０の内側上端部から下の方向（負の第３方向）－３０に長く設置されることができ、第２隔壁３５０ｂは貯蔵タンク３１０の内側下端部から上の方向（正の第３方向）＋３０に長く設置されることができる。第１隔壁３５０ａと第２隔壁３５０ｂは、貯蔵タンク３１０の内部に少なくとも一つ設置されることができ、貯蔵タンク３１０の内部で一方向（第１方向１０または第２方向２０）にジグザグ状に配置されることができる。図３は、基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンクの内部構造を概略的に示す例示図である。

【0071】

貯蔵タンク３１０の内部に、上記のように、複数の隔壁３５０ａ，３５０ｂが交差設置されると、基板処理液提供装置１２０は、基板処理液の供給および揺れの部分で十分に抑制可能な構造を有することができる。しかし、基板処理液提供装置１２０のこのような構造は、内部攪拌の面で基板処理液の流動性を低下させる問題を引き起こし得る。

【0072】

また、最近になって基板Ｇを処理するのに使用されるインクの多変性により、インク内に多数の粒子が含まれている。しかし、このように基板処理液が多量の粒子を含むようになると、粒子間の凝集（Ａｇｇｒｅｇａｔｉｏｎ）、沈降、浮遊、相分離など多くの問題を誘発させ得る。

【0073】

したがって、本発明では、このような問題を解決するために、基板処理液の貯蔵タンク３１０内部での攪拌流動を円滑にしながら揺れも防止できる構造を備えた基板処理液提供装置１２０について提供する。特に、本発明では内部攪拌流動性の確保と揺れ回復の相関関係において最適の構造を備えた基板処理液提供装置１２０について提供する。

【0074】

以下、本発明で提供する基板処理液提供装置１２０の構造について詳しく説明する。

【0075】

図４は、本発明の一実施形態による基板処理システムを構成する基板処理液提供装置の内部構造を概略的に示す第１例示図である。図４によれば、基板処理液提供装置１２０は、貯蔵タンク３１０、圧力制御モジュール３２０、および第１ポンプ３３０を含んで構成されることができる。

【0076】

貯蔵タンク３１０および圧力制御モジュール３２０については、図２を参照して前述したため、ここではその詳しい説明を省略する。

【0077】

第１ポンプ３３０は、貯蔵タンク３１０の内部に貯蔵された基板処理液を攪拌させるためにポンピング（Ｐｕｍｐｉｎｇ）の役割をするものである。基板処理液提供装置１２０は、第１ポンプ３３０のこのような作用により、貯蔵タンク３１０の内部に貯蔵された基板処理液に対して攪拌流動性を確保することができる。

【0078】

基板処理液提供装置１２０は、インクジェットヘッドユニット２４０と一体型のモジュールで構成されることができる。したがって、本実施形態では、インクジェットヘッドユニット２４０がガントリーユニット２３０上で移動するときに、基板処理液提供装置１２０も共に移動することができる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。基板処理液提供装置１２０は、インクジェットヘッドユニット２４０と分離型で構成されることも可能である。

【0079】

基板処理液提供装置１２０とインクジェットヘッドユニット２４０が一体型のモジュールで構成される場合、貯蔵タンク３１０は、インクジェットヘッドユニット２４０より上位水準に配置されることができる。貯蔵タンク３１０、第１ポンプ３３０、およびインクジェットヘッドユニット２４０は、ガントリーユニット２３０の前面に配置されることができ、貯蔵タンク３１０とインクジェットヘッドユニット２４０を連結する配管の長さによって、貯蔵タンク３１０と第１ポンプ３３０が、インクジェットヘッドユニット２４０とガントリーユニット２３０の前面と後面に分けられて配置されることも可能である。

【0080】

前に説明したが、基板処理装置１１０が基板Ｇを処理するのに使用される基板処理液はインクであり得る。ディスプレイ装置を製造するのに使用されるこのようなディスプレイ素子用インクは、有機素材、無機素材、金属素材などを含むことができ、前記素材を溶媒または溶質で構成してインク化することによって製造されることができる。

【0081】

ディスプレイ素子用インクは、多数の粒子を含むことができる。ここで、多数の粒子はナノサイズ（Ｎａｎｏ Ｓｉｚｅ）を有するか、マイクロサイズ（Ｍｉｃｒｏ Ｓｉｚｅ）を有するか、または、マクロサイズ（Ｍａｃｒｏ Ｓｉｚｅ）を有することができる。しかし、このような粒子分散型インクの場合、時間が経過するにつれて粒子の沈降が発生し得、これは粒子の貯蔵タンク３１０下部への沈殿と粒子分布の不均衡を引き起こし得る。

【0082】

したがって本実施形態では、インク内の粒子の分布が均一に維持され得るように、基板処理液提供装置１２０が内部循環攪拌システムを備えることができる。すなわち、基板処理液提供装置１２０は、ポンピング力によって貯蔵タンク３１０内で基板処理液を攪拌させることができる第１ポンプ３３０を含むことができる。

【0083】

第１ポンプ３３０は、基板処理液提供装置１２０が基板処理装置１１０に基板処理液を提供する間、貯蔵タンク３１０の内部にポンピング力を提供することができる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。第１ポンプ３３０は、基板処理液提供装置１２０が基板処理装置１１０に基板処理液を提供する間だけでなく、基板処理液提供装置１２０が基板処理装置１１０に基板処理液を提供しない間も貯蔵タンク３１０の内部にポンピング力を提供し続けることも可能である。

【0084】

第１ポンプ３３０は、貯蔵タンク３１０の内部にポンピング力を提供するために、貯蔵タンク３１０の下端部に連結されることができる。第１ポンプ３３０がこのように設置されると、図５に示すように、貯蔵タンク３１０の内部底面からその上の方向にポンピング力４１０を伝達できるようになり、ポンピング力４１０によって基板処理液４２０を円滑に攪拌流動させる効果を得ることができる。図５は、基板処理液提供装置が第１例示による内部構造を有する場合の効果を説明するための参照図である。

【0085】

第１ポンプ３３０は、貯蔵タンク３１０の内部にポンピング力を提供するために、貯蔵タンク３１０の側部に連結されることもできる。基板処理液提供装置１２０が基板処理装置１１０内に設置される場合、基板処理液提供装置１２０は、ガントリーユニット２３０の側面に取付けられるように設置されることができる。基板処理液提供装置１２０がこのように設置される場合、貯蔵タンク３１０は、図６に示すように、幅方向（第１方向１０または、第２方向２０）より長手方向（第３方向）３０で大きい値を有するように形成されることができる。すなわち、貯蔵タンク３１０の高さＨが貯蔵タンク３１０の幅Ｗより大きい値を有することができる（Ｈ＞Ｗ）。

【0086】

本実施形態において、貯蔵タンク３１０は、図６に示すように直六面体形状を有することができる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。貯蔵タンク３１０は、円柱、多角柱などの柱形状を有したり、円錐、三角錐などの錐形状を有したり、または、球形状を有することも可能である。図６は、基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンクの内部構造を概略的に示す第１例示図である。

【0087】

貯蔵タンク３１０が前記のような構造を有する場合、第１ポンプ３３０は、基板処理液の攪拌流動性を増加させるために、貯蔵タンク３１０の側面に対して傾斜して連結されることができる（０°＜θ＜９０°）。この場合、第１ポンプ３３０は、図７に示すように上向きに傾斜して連結されることができ、図８に示すように下向きに傾斜して連結されることも可能である。図７は、本発明の一実施形態による基板処理システムを構成する基板処理液提供装置の内部構造を概略的に示す第２例示図であり、図８は、本発明の一実施形態による基板処理システムを構成する基板処理液提供装置の内部構造を概略的に示す第３例示図である。

【0088】

一方、第１ポンプ３３０は、貯蔵タンク３１０の上端部に連結されて貯蔵タンク３１０の内部上面からその下の方向へポンピング力を提供することも可能である。

【0089】

第１ポンプ３３０は、貯蔵タンク３１０内の基板処理液の自己循環および攪拌のために、マグネチックポンプで設けられることができる。例えば、第１ポンプ３３０は、磁気浮上の方式で作動する磁気浮上ポンプで設けられることができる。第１ポンプ３３０がこのように設けられると、基板処理液提供装置１２０は、駆動軸に固定されているインペラ攪拌機や磁石攪拌機の物理的割れ現象などの問題を解消する効果を得ることができる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。第１ポンプ３３０は、磁気浮上方式のマグネチックポンプの他に別の方式で作動するポンプで設けられることも可能である。例えば、第１ポンプ３３０は、機械的エネルギーを圧力エネルギーに変換して適用できる油圧ポンプで設けられることができる。

【0090】

基板処理液提供装置１２０は、複数のポンプを含むことができる。ここで、複数のポンプは同じ機能を行うことができるが（例えば、第１ポンプ３３０と同じく基板処理液を攪拌させる役割ができるが）、互いに異なる機能を行うことも可能である。以下では複数のポンプが互いに異なる機能を行う場合について説明することにする。

【0091】

図９は、本発明の一実施形態による基板処理システムを構成する基板処理液提供装置の内部構造を概略的に示す第４例示図である。図９によれば、基板処理液提供装置１２０は、貯蔵タンク３１０、圧力制御モジュール３２０、第１ポンプ３３０、および第２ポンプ３４０を含んで構成されることができる。

【0092】

貯蔵タンク３１０および圧力制御モジュール３２０については、前に図２を参照して説明し、第１ポンプ３３０については前に図４ないし図８を参照して説明したところ、ここではその詳しい説明を省略する。

【0093】

第２ポンプ３４０は、貯蔵タンク３１０とインクジェットヘッドユニット２４０の間で基板処理液を循環させるためにポンピングの役割をするものである。貯蔵タンク３１０に貯蔵されている基板処理液は、図１０に示すように、第２ポンプ３４０の制御によりインクジェットヘッドユニット２４０に移動し、インクジェットヘッドユニット２４０は基板処理液を基板Ｇ上に吐出して基板Ｇが処理されるようにできる。このとき、一部の基板処理液は、インクジェットヘッドユニット２４０を介して基板Ｇ上に吐出されず残ることがあるが、このように残った基板処理液は、第２ポンプ３４０の制御により再び貯蔵タンク３１０に移動することができる。したがって、第２ポンプ３４０は、前記のような作動により、貯蔵タンク３１０とインクジェットヘッドユニット２４０の間で基板処理液を循環させる役割がすることができる。図１０は、基板処理液提供装置を構成する第２ポンプの役割を説明するための参照図である。

【0094】

第２ポンプ３４０は、基板処理液を循環させる役割をするために貯蔵タンク３１０の一面に連結されることができる。この場合、第１ポンプ３３０と第２ポンプ３４０は、貯蔵タンク３１０の同じ面にそれぞれ連結されることができるが、貯蔵タンク３１０の互いに異なる面にそれぞれ連結されることも可能である。図９の例示は、第１ポンプ３３０と第２ポンプ３４０が貯蔵タンク３１０の同じ面、すなわち、貯蔵タンク３１０の下端部にそれぞれ連結される場合の例示である。

【0095】

第２ポンプ３４０は、貯蔵タンク３１０とインクジェットヘッドユニット２４０の間で基板処理液を循環させるために、第１ポンプ３３０よりさらに大きい圧力を貯蔵タンク３１０に提供することができる。また、第２ポンプ３４０は、第１ポンプ３３０より下部に配置されることができる。第１ポンプ３３０および第２ポンプ３４０により提供される圧力値や、第１ポンプ３３０と第２ポンプ３４０の間の配置構造は、本実施形態で必ずしも前記に限定されず、基板処理液提供装置１２０の形状や大きさ、構造などにより多様に変形できるのはもちろんである。

【0096】

ヘッド－リザーバーモジュール概念における設備（すなわち、本発明の場合のように基板処理液提供装置１２０とインクジェットヘッドユニット２４０を使用するインクジェット設備）では、ヘッド軸が動くとき、リザーバー内部の揺れが発生する。このとき、揺れを防止するために、リザーバーの内部に隔壁構造を適用すれば、内部体積を分割して揺れの程度を減少させることができ、揺れ回復の時間を短縮させることができる。

【0097】

しかし、このような揺れの抑制および回復構造は、リザーバー内部の攪拌流動を妨げる要素でもある。本発明は、トレードオフ（Ｔｒａｄｅ Ｏｆｆ）関係にある二つの要素を最適化して、攪拌流動が妨げられないながらも揺れを抑制し、揺れ回復の時間を短縮できる隔壁構造を提供することを特徴とする。

【0098】

図１１は、基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンクの内部構造を概略的に示す第２例示図である。図１１によれば、貯蔵タンク３１０は、ハウジング５１０とその内部に設置される複数の隔壁５２０を含んで構成されることができる。

【0099】

ハウジング５１０は、貯蔵タンク３１０の本体を構成するものであって、その内部に空いた空間が形成され、前記空間に基板処理液を貯蔵することができる。ハウジング５１０は、前に説明したとおり、直六面体形状を有することができ、その他に円柱、多角柱などの柱形状を有するか、円錐、三角錐など錐形状を有するか、または、球形状を有することも可能である。

【0100】

隔壁５２０は、ハウジング５１０の内部空間を分割する役割をすることができる。隔壁５２０は、ハウジング５１０の内部空間に単数個または複数個配置されることができ、その一端部がハウジング５１０の蓋部に結合されて設置されることができる。複数の隔壁５２０がハウジング５１０の内部空間に配置される場合、複数の隔壁５２０は一定間隔（例えば、１ｍｍ～５ｍｍ）を置いて配置されることができ、等間隔に配置されることができる。

【0101】

隔壁５２０は、ハウジング５１０の内側一端部と他端部にそれぞれ接するように長く形成できる。例えば、隔壁５２０は、図１１に示すように、ハウジング５１０の内側上端部と下端部にそれぞれ接するように形成されることができる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。隔壁５２０は、図１２に示すように、ハウジング５１０の両側部にそれぞれ接するように形成されることも可能であり、図１３に示すようにハウジング５１０の内側上端部との側面にそれぞれ接するように形成されるか、図１４に示すようにハウジング５１０の内側下端部との側面にそれぞれ接するように形成されることも可能である。図１２は、基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンクの内部構造を概略的に示す第３例示図であり、図１３は、基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンクの内部構造を概略的に示す第４例示図であり、図１４は、基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンクの内部構造を概略的に示す第５例示図である。

【0102】

一方、隔壁５２０は、ハウジング５１０の内側一端部に接して他端部には接しないように形成されることも可能であり、例えば複数の隔壁５２０は、図３に示すように、ジグザグ形状でハウジング５１０の内部に配置されることができる。

【0103】

隔壁５２０には、基板処理液のハウジング５１０内の流動および攪拌を考慮して複数の穿孔ホール５３０が形成されることができる。穿孔ホール５３０は、図１５に示すように隔壁５２０の一部分に形成されるが、隔壁５２０の全面にわたって形成されることもできる。図１５は、基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンク内に設置される隔壁の構造を説明するための第１例示図である。

【0104】

本実施形態において、基板処理液提供装置１２０は、揺れを防止してインクジェットヘッドユニット２４０から流入するバブルを除去するために、貯蔵タンク３１０の内部に穿孔隔壁構造を含むことができる。このような穿孔隔壁構造は、所定の大きさ（例えば、０．５～２ｍｍ）を有するホールやスリットタイプが一定の間隔で配置されて形成されることができる。前記でホールは、円形や正多角形状を有することができ、スリットは楕円形や直多角形状を有することができる。スリットは、楕円形ホールや直多角形ホールを介して設けられることもできる。

【0105】

穿孔隔壁構造は、単一型、交差型、複合型など多様な構造が貯蔵タンク３１０の形状に合わせて適用することができる。ここで、交差型は、図１１ないし図１４を参照して説明した単一型のうち、少なくとも二つの単一型が混合された場合をいい、例えば隔壁５２０ａ，５２０ｂが、図１６および図１７に示すように、交差するように配置される場合をいう。そして、複合型は、単一型と交差型が混合された場合であって、複数の隔壁５２０中に一部は交差型で設けられ、その他残りは単一型で設けられる場合をいう。一方、図１１ないし図１４を参照して説明した単一型のうち、少なくとも二つの単一型が混合されても、複数の隔壁５２０は互いに交差しないように形成されることもできる。図１６は、基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンクの内部構造を概略的に示す第６例示図であり、図１７は、基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンクの内部構造を概略的に示す第７例示図である。

【0106】

一方、穿孔隔壁構造の材質は、金属、テフロン（登録商標）樹脂系などインクによって多様化されることができる。

【0107】

穿孔隔壁構造は、互いにトレードオフ（Ｔｒａｄｅ Ｏｆｆ）関係にある揺れ防止および回復速度－循環攪拌条件で最適の条件を適用することができる。穿孔ホール５３０が形成された隔壁５２０の大きさは、貯蔵タンク３１０の内径や面積の大きさに応じて変わることができ、隔壁５２０の高さは、流入口と排出口の間で決定することができる。前記で、流入口は、貯蔵タンク３１０とインクジェットヘッドユニット２４０の間で循環する基板処理液が貯蔵タンク３１０に流入する部分、すなわち、リザーバーの自己循環流入チューブをいい、排出口は、基板処理液が貯蔵タンク３１０から排出される部分、すなわち下部循環出口チューブをいう。

【0108】

例えば、穿孔ホール５３０が形成された隔壁５２０は、図１８に示すように、貯蔵タンク３１０の内側上端部から流入口５４０が位置する部分まで形成されることができ、図１９に示すように、貯蔵タンク３１０の内側上端部から排出口５５０が位置する部分まで形成されることもできる。または、穿孔ホール５３０が形成された隔壁５２０は、図２０に示すように、流入口５４０と排出口５５０の間の部分まで形成されることもできる。図１８は、基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンク内に設置される隔壁の構造を説明するための第２例示図であり、図１９は基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンク内に設置される隔壁の構造を説明するための第３例示図であり、図２０は基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンク内に設置される隔壁の構造を説明するための第４例示図である。

【0109】

一方、隔壁５２０の高さは、流入口５４０と排出口５５０の間で決定されず、下部ヘッド供給チューブ側から決定されることも可能である。例えば、穿孔ホール５３０が形成された隔壁５２０は、図２１に示すように、貯蔵タンク３１０の内側上端部から流入口５４０が位置する部分より高く形成されることができる。図２１は、基板処理液提供装置を構成する貯蔵タンク内に設置される隔壁の構造を説明するための第５例示図である。

【0110】

前に説明したが、隔壁５２０には複数の穿孔ホール５３０が形成されるが、図１５に示すように、穿孔ホール５３０が所定の大きさのマージン領域（Ｍａｒｇｉｎ Ｒｅｇｉｏｎ）５６０を置いて隔壁５２０の一部分に形成されることができる。ここで、穿孔ホール５３０が形成されないマージン領域５６０の大きさＳは、貯蔵タンク３１０に満たされる基板処理液の量によって変わり得る。すなわち、基板処理液が貯蔵タンク３１０の内部空間に５０％程度満たされる場合、穿孔ホール５３０は隔壁５２０の下端部から高さ方向３０に５０％水準まで形成されることができ、基板処理液が貯蔵タンク３１０の内部空間に８０％程度満たされる場合、穿孔ホール５３０は隔壁５２０の下端部から高さ方向３０に８０％水準まで形成されることができる。

【0111】

貯蔵タンク３１０に満たされる基板処理液の量に関係なく、隔壁５２０全体に穿孔ホール５３０が形成されることも可能である。しかし、貯蔵タンク３１０内で平常時に基板処理液に浸からない穿孔ホール５３０が存在することになると、該当ホールに詰まった基板処理液が汚染される問題が発生し得る。したがって、本実施形態では、穿孔ホール５３０全てが平常時に基板処理液に浸ることができるように、貯蔵タンク３１０に満たされる基板処理液の量を考慮して、隔壁５２０でのマージン領域５６０の大きさを決めることができる。

【0112】

一方、貯蔵タンク３１０とその内部の穿孔隔壁のサイズは限定されず、攪拌と揺れ防止および回復の側面で最適の条件を適用することを基本とする。

【0113】

インクジェットヘッドユニット２４０に基板処理液を供給する基板処理液提供装置１２０は、インクジェット設備のＸ軸とＹ軸のうちどちらか一つの軸に固定されてプリンティング中に速度／加速度環境に置かれる。前記プリンティング環境で、貯蔵タンク３１０の内部に充填されているインクの揺れは、インクジェットヘッドのメニスカス不均衡を引き起こし得、これによる揺れの安定化待期時間の遅延は、総工程時間の遅延に影響を与え得る。また、インクジェットプリンティング工程中にヘッド吐出後に生じる空いた空間から引き起こされたバブル流入は、管路内で成長してヘッド詰まりを誘発し得る。

【0114】

本発明は、スリットタイプの揺れ回復構造および循環攪拌構造を有するインク供給装置、すなわち、基板処理液提供装置１２０に関するもので、前記基板処理液提供装置１２０は、ヘッド軸の移動にともなう揺れに対する抑制／回復構造を有することができる。

【0115】

また、基板処理液提供装置１２０は、攪拌のために自己ポンプ循環システムを含んだサプライリザーバーモジュール内部のバブルトラップ機能を有する揺れ回復構造を有することができ、揺れの回復と内部攪拌の流動性の確保の相関関係において、最適構造を有する穿孔スリットが適用されたサプライリザーバーとして設けられることができる。

【0116】

また、基板処理液提供装置１２０は、インクタンク、回転用インペラ、インペラを回転させる電磁石、電磁石に電源を供給する電場ボックス、水位計測センサ、揺れ防止および揺れ回復構造を含むことができ、リザーバー内部の隔壁を介して体積分割をして内部インクの揺れを抑制するか揺れ回復の時間を短縮することができる。また、基板処理液提供装置１２０は、内部インクの揺れを抑制しながら攪拌流動を阻害しない構造を有するために、穿孔あるいはスリットを限定された大きさで配置する構造を有することができる。

【0117】

次に、貯蔵タンク３１０、第１ポンプ３３０および第２ポンプ３４０を含む基板処理液提供装置１２０とインクジェットヘッドユニット２４０を用いて基板を処理する方法について概略的に説明する。

【0118】

図２２は、本発明の一実施形態による基板処理システムの基板処理方法を順に示すフローチャートである。以下、説明は図２２を参照する。

【0119】

外部に別途に設けられたタンクから貯蔵タンク３１０に基板処理液が供給されると、第１ポンプ３３０を作動させて貯蔵タンク３１０内の基板処理液を攪拌させる（Ｓ６１０）。

【0120】

その後、工程処理ユニット２１０の第１ステージ２１１上に処理対象基板Ｇが配置されると、第２ポンプ３４０を作動させて基板処理液が貯蔵タンク３１０とインクジェットヘッドユニット２４０を循環するようにする（Ｓ６２０）。

【0121】

その後、基板処理液が貯蔵タンク３１０とインクジェットヘッドユニット２４０の間で循環するようになると、インクジェットヘッドユニット２４０は、貯蔵タンク３１０から提供される基板処理液を基板Ｇ上に吐出して基板Ｇが処理されるようにする（Ｓ６３０）。

【0122】

以上、添付の図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で製造されることができ、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須の特徴を変更せず他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態は、全ての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。

【符号の説明】

【0123】

１００ 基板処理システム
１１０ 基板処理装置
１２０ 基板処理液提供装置
１３０ 制御装置
２１０ 工程処理ユニット
２２０ メンテナンスユニット
２３０ ガントリーユニット
２４０ インクジェットヘッドユニット
３１０ 貯蔵タンク
３２０ 圧力制御モジュール
３３０ 第１ポンプ
３４０ 第２ポンプ
４１０ ポンピング力
４２０ 基板処理液
５１０ ハウジング
５２０ 隔壁
５３０ 穿孔
５４０ 流入口
５５０ 排出口。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】