▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023099472
(43)【公開日】2023-07-13
(54)【発明の名称】積層型電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20230706BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201G
H01G4/30 201F
H01G4/30 201K
H01G4/30 201C
H01G4/30 513
H01G4/30 512
H01G4/30 516
【審査請求】未請求
【請求項の数】23
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022183886
(22)【出願日】2022-11-17
(31)【優先権主張番号】10-2021-0194277
(32)【優先日】2021-12-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2022-0102850
(32)【優先日】2022-08-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】キム、オグ スーン
(72)【発明者】
【氏名】リー、チェ ドン
(72)【発明者】
【氏名】キム、ヒェ ウォン
(72)【発明者】
【氏名】パク、ジュン ウォン
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AF06
5E001AH01
5E001AJ03
5E082AA01
5E082AB03
5E082BC19
5E082BC31
5E082EE04
5E082EE23
5E082EE35
5E082FF05
5E082FG04
5E082FG26
5E082FG46
5E082GG10
5E082GG12
5E082GG28
5E082PP03
5E082PP09
(57)【要約】 （修正有）
【課題】外部電極の浮き上がりや破裂不良を抑制する。
【解決手段】積層型電子部品の外部電極１３１、１３２は、導電性金属及び樹脂を含む導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂを含み、ＦＴ－ＩＲ分析により得られた導電性樹脂層の波数に対するスペクトル強度の関係線を示す２軸グラフ中、関係線において波数１４２０ｃｍ－１のスペクトル強度と波数１５２０ｃｍ－１のスペクトル強度とを繋ぐ基準直線Ｌａを引き、波数１４２０ｃｍ－１～１５２０ｃｍ－１の領域のうちＬａから関係線までのスペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＡ、関係線において波数３１００ｃｍ－１のスペクトル強度と波数３７００ｃｍ－１のスペクトル強度とを繋ぐ基準直線Ｌｃを引き、波数３１００ｃｍ－１～３７００ｃｍ－１の領域のうちＬｃから関係線までのスペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＣとするとき、ＡとＣは、０．３３７≦２×Ｃ／Ａ≦０．３６７を満たす。
【選択図】図２
【解決手段】積層型電子部品の外部電極１３１、１３２は、導電性金属及び樹脂を含む導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂを含み、ＦＴ－ＩＲ分析により得られた導電性樹脂層の波数に対するスペクトル強度の関係線を示す２軸グラフ中、関係線において波数１４２０ｃｍ－１のスペクトル強度と波数１５２０ｃｍ－１のスペクトル強度とを繋ぐ基準直線Ｌａを引き、波数１４２０ｃｍ－１～１５２０ｃｍ－１の領域のうちＬａから関係線までのスペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＡ、関係線において波数３１００ｃｍ－１のスペクトル強度と波数３７００ｃｍ－１のスペクトル強度とを繋ぐ基準直線Ｌｃを引き、波数３１００ｃｍ－１～３７００ｃｍ－１の領域のうちＬｃから関係線までのスペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＣとするとき、ＡとＣは、０．３３７≦２×Ｃ／Ａ≦０．３６７を満たす。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体層及び内部電極を含む本体、並びに前記本体上に配置される外部電極を含み、
前記外部電極は、導電性金属及び樹脂を含む導電性樹脂層を含み、
ＦＴ－ＩＲ分析により得られた前記導電性樹脂層の波数に対するスペクトル強度の関係線を示す２軸グラフ中、
前記関係線において波数１４２０ｃｍ－１のスペクトル強度と波数１５２０ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌａを引き、波数１４２０ｃｍ－１～１５２０ｃｍ－１の領域のうち前記Ｌａから前記関係線までのスペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＡ、
前記関係線において波数３１００ｃｍ－１のスペクトル強度と波数３７００ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌｃを引き、波数３１００ｃｍ－１～３７００ｃｍ－１の領域のうち前記Ｌｃから前記関係線までの前記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＣとするとき、
前記Ａ及びＣは、０．３３７≦２×Ｃ／Ａ≦０．３６７を満たす、積層型電子部品。
前記外部電極は、導電性金属及び樹脂を含む導電性樹脂層を含み、
ＦＴ－ＩＲ分析により得られた前記導電性樹脂層の波数に対するスペクトル強度の関係線を示す２軸グラフ中、
前記関係線において波数１４２０ｃｍ－１のスペクトル強度と波数１５２０ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌａを引き、波数１４２０ｃｍ－１～１５２０ｃｍ－１の領域のうち前記Ｌａから前記関係線までのスペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＡ、
前記関係線において波数３１００ｃｍ－１のスペクトル強度と波数３７００ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌｃを引き、波数３１００ｃｍ－１～３７００ｃｍ－１の領域のうち前記Ｌｃから前記関係線までの前記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＣとするとき、
前記Ａ及びＣは、０．３３７≦２×Ｃ／Ａ≦０．３６７を満たす、積層型電子部品。
【請求項2】
前記関係線において波数１６５０ｃｍ－１のスペクトル強度と波数１８００ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌｂを引き、波数１６５０ｃｍ－１～１８００ｃｍ－１の領域のうち前記Ｌｂから前記関係線までの前記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＢとするとき、
前記Ａ及びＢは、０．０４８≦Ｂ／Ａ≦０．１４を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記Ａ及びＢは、０．０４８≦Ｂ／Ａ≦０．１４を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項3】
前記導電性樹脂層は、ビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂を含む、請求項２に記載の積層型電子部品。
【請求項4】
前記ビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂の総含有量に対するビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂の含有量比率は、１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下である、請求項３に記載の積層型電子部品。
【請求項5】
前記外部電極は本体上に配置され、導電性金属及びガラスを含む電極層を含み、
前記導電性樹脂層は前記電極層上に配置される、請求項４に記載の積層型電子部品。
前記導電性樹脂層は前記電極層上に配置される、請求項４に記載の積層型電子部品。
【請求項6】
前記導電性樹脂層はＧＣ－ＭＳ分析時に、
ビスフェノール Ａ ピーク（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ ｐｅａｋ）が検出され、メチル－ビフェニル ピーク（Ｍｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ ｐｅａｋ）及びジメチル－ビフェニル ピーク（Ｄｉｍｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ ｐｅａｋ）のうち一つ以上が検出される、請求項２に記載の積層型電子部品。
ビスフェノール Ａ ピーク（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ ｐｅａｋ）が検出され、メチル－ビフェニル ピーク（Ｍｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ ｐｅａｋ）及びジメチル－ビフェニル ピーク（Ｄｉｍｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ ｐｅａｋ）のうち一つ以上が検出される、請求項２に記載の積層型電子部品。
【請求項7】
前記外部電極は本体上に配置され、導電性金属及びガラスを含む電極層を含み、
前記導電性樹脂層は前記電極層上に配置される、請求項６に記載の積層型電子部品。
前記導電性樹脂層は前記電極層上に配置される、請求項６に記載の積層型電子部品。
【請求項8】
前記Ａ及びＣは、０．３４４≦２×Ｃ／Ａ≦０．３６７を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項9】
前記関係線において波数１６５０ｃｍ－１のスペクトル強度と波数１８００ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌｂを引き、波数１６５０ｃｍ－１～１８００ｃｍ－１の領域のうち前記Ｌｂから前記関係線までの前記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＢとするとき、
前記Ａ及びＢは、０．０４８≦Ｂ／Ａ≦０．１４を満たす、請求項８に記載の積層型電子部品。
前記Ａ及びＢは、０．０４８≦Ｂ／Ａ≦０．１４を満たす、請求項８に記載の積層型電子部品。
【請求項10】
前記外部電極は、前記本体上に配置される電極層及び前記導電性樹脂層上に配置されるめっき層をさらに含み、前記導電性樹脂層は電極層上に配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項11】
前記電極層は導電性金属及びガラスを含む、請求項１０に記載の積層型電子部品。
【請求項12】
前記導電性樹脂層は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含む、請求項１１に記載の積層型電子部品。
【請求項13】
前記導電性樹脂層に含まれた導電性金属は、複数の金属粒子及び金属間化合物を含む、請求項１１に記載の積層型電子部品。
【請求項14】
前記誘電体層の平均厚さは、前記内部電極の平均厚さより２倍以上大きい、請求項１から１３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項15】
前記内部電極の平均厚さは１μｍ未満であり、前記誘電体層の平均厚さは２．８μｍ未満である、請求項１４に記載の積層型電子部品。
【請求項16】
誘電体層及び内部電極を含む本体、並びに前記本体上に配置される外部電極を含み、
前記外部電極は前記本体上に配置され、導電性金属及びガラスを含む電極層及び前記電極層上に配置される導電性樹脂層を含み、
前記導電性樹脂層は、導電性金属、ビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂を含む、積層型電子部品。
前記外部電極は前記本体上に配置され、導電性金属及びガラスを含む電極層及び前記電極層上に配置される導電性樹脂層を含み、
前記導電性樹脂層は、導電性金属、ビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂を含む、積層型電子部品。
【請求項17】
前記導電性樹脂層はＧＣ－ＭＳ分析時に、
ビスフェノール Ａ ピーク（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ ｐｅａｋ）が検出され、メチル－ビフェニル ピーク（Ｍｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ ｐｅａｋ）及びジメチル－ビフェニル ピーク（Ｄｉｍｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ ｐｅａｋ）のうち一つ以上が検出される、請求項１６に記載の積層型電子部品。
ビスフェノール Ａ ピーク（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ ｐｅａｋ）が検出され、メチル－ビフェニル ピーク（Ｍｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ ｐｅａｋ）及びジメチル－ビフェニル ピーク（Ｄｉｍｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ ｐｅａｋ）のうち一つ以上が検出される、請求項１６に記載の積層型電子部品。
【請求項18】
ＦＴ－ＩＲ分析により得られた前記導電性樹脂層の波数に対するスペクトル強度の関係線を示す２軸グラフ中、
前記関係線において波数１４２０ｃｍ－１のスペクトル強度と波数１５２０ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌａを引き、波数１４２０ｃｍ－１～１５２０ｃｍ－１の領域のうち前記Ｌａから前記関係線までのスペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＡ、
前記関係線において波数３１００ｃｍ－１のスペクトル強度と波数３７００ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌｃを引き、波数３１００ｃｍ－１～３７００ｃｍ－１の領域のうち前記Ｌｃから前記関係線までの前記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＣとするとき、
前記Ａ及びＣは、０．３３７≦２×Ｃ／Ａ≦０．３６７を満たす、請求項１６に記載の積層型電子部品。
前記関係線において波数１４２０ｃｍ－１のスペクトル強度と波数１５２０ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌａを引き、波数１４２０ｃｍ－１～１５２０ｃｍ－１の領域のうち前記Ｌａから前記関係線までのスペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＡ、
前記関係線において波数３１００ｃｍ－１のスペクトル強度と波数３７００ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌｃを引き、波数３１００ｃｍ－１～３７００ｃｍ－１の領域のうち前記Ｌｃから前記関係線までの前記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＣとするとき、
前記Ａ及びＣは、０．３３７≦２×Ｃ／Ａ≦０．３６７を満たす、請求項１６に記載の積層型電子部品。
【請求項19】
前記関係線において波数１６５０ｃｍ－１のスペクトル強度と波数１８００ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌｂを引き、波数１６５０ｃｍ－１～１８００ｃｍ－１の領域のうち前記Ｌｂから前記関係線までの前記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＢとするとき、
前記Ａ及びＢは、０．０４８≦Ｂ／Ａ≦０．１４を満たす、請求項１８に記載の積層型電子部品。
前記Ａ及びＢは、０．０４８≦Ｂ／Ａ≦０．１４を満たす、請求項１８に記載の積層型電子部品。
【請求項20】
前記ビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂の総含有量に対するビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂の含有量比率は、１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下である、請求項１６から１９のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項21】
ＦＴ－ＩＲ分析により得られた前記導電性樹脂層の波数に対するスペクトル強度の関係線を示す２軸グラフ中、
前記関係線において波数１４２０ｃｍ－１のスペクトル強度と波数１５２０ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌａを引き、波数１４２０ｃｍ－１～１５２０ｃｍ－１の領域のうち前記Ｌａから前記関係線までのスペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＡ、
前記関係線において波数３１００ｃｍ－１のスペクトル強度と波数３７００ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌｃを引き、波数３１００ｃｍ－１～３７００ｃｍ－１の領域のうち前記Ｌｃから前記関係線までの前記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＣとするとき、
前記Ａ及びＣは、０．３４４≦２×Ｃ／Ａ≦０．３６７を満たす、請求項１６に記載の積層型電子部品。
前記関係線において波数１４２０ｃｍ－１のスペクトル強度と波数１５２０ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌａを引き、波数１４２０ｃｍ－１～１５２０ｃｍ－１の領域のうち前記Ｌａから前記関係線までのスペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＡ、
前記関係線において波数３１００ｃｍ－１のスペクトル強度と波数３７００ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌｃを引き、波数３１００ｃｍ－１～３７００ｃｍ－１の領域のうち前記Ｌｃから前記関係線までの前記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＣとするとき、
前記Ａ及びＣは、０．３４４≦２×Ｃ／Ａ≦０．３６７を満たす、請求項１６に記載の積層型電子部品。
【請求項22】
前記関係線において波数１６５０ｃｍ－１のスペクトル強度と波数１８００ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌｂを引き、波数１６５０ｃｍ－１～１８００ｃｍ－１の領域のうち前記Ｌｂから前記関係線までの前記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＢとするとき、
前記Ａ及びＢは、０．０７≦Ｂ／Ａ≦０．１４を満たす、請求項１８に記載の積層型電子部品。
前記Ａ及びＢは、０．０７≦Ｂ／Ａ≦０．１４を満たす、請求項１８に記載の積層型電子部品。
【請求項23】
前記ビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂の総含有量に対するビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂の含有量比率は、１０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下である、請求項１６から１９のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話などの様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。
【0003】
積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）製品群は大きくＩＴ用と電装用とに分けられる。
【0004】
電装用ＭＬＣＣの場合、ＩＴ用ＭＬＣＣと同様にコンデンサの役割を果たすことは同じであるが、電装用ＭＬＣＣは、外部電極と基板間の実装部分に応力が集中する環境に晒されやすく、このような応力を解消するために曲げ強度に優れることが求められる。
【0005】
優れた曲げ強度を確保するために、従来の電極層で構成される外部電極を電極層及び導電性樹脂層の二層構造に変更する方案が提案されている。
【0006】
電極層及び導電性樹脂層の二層構造は、電極層上に導電性物質を含有する樹脂組成物を塗布して外部衝撃を吸収し、めっき液の浸透を防ぎ、信頼性を向上させることができる。
【0007】
しかし、導電性樹脂層の樹脂が酸化するにつれてセラミック本体と電極層との接着力が減少することがあり、当該過程で発生したガス副産物（水素、二酸化炭素など）が電極層と導電性樹脂層との間に分布することにより外部電極の浮き上がりや破裂不良が発生するおそれがあった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明のいくつかの目的の一つは、外部電極が導電性樹脂層を含む場合に発生する外部電極の浮き上がりや破裂不良を抑制することにある。
【0009】
本発明のいくつかの目的の一つは、導電性樹脂層の固着強度を確保することにある。
【0010】
本発明のいくつかの目的の一つは、導電性樹脂層の酸化を抑制することにある。
【0011】
但し、本発明の目的は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体、並びに上記本体上に配置される外部電極を含み、上記外部電極は、導電性金属及び樹脂を含む導電性樹脂層を含み、ＦＴ－ＩＲ分析により得られた上記導電性樹脂層の波数に対するスペクトル強度の関係線を示す２軸グラフ中、上記関係線において波数１４２０ｃｍ－１のスペクトル強度と波数１５２０ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌａを引き、波数１４２０ｃｍ－１～１５２０ｃｍ－１の領域のうち上記Ｌａから上記関係線までの上記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＡ、上記関係線において、波数３１００ｃｍ－１のスペクトル強度と波数３７００ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌｃを引き、波数３１００ｃｍ－１～３７００ｃｍ－１の領域のうち上記Ｌｃから上記関係線までの上記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＣとするとき、上記Ａ及びＣは、０．３３７≦２×Ｃ／Ａ≦０．３６７を満たすことができる。
【0013】
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体、並びに上記本体上に配置される外部電極を含み、上記外部電極は上記本体上に配置され、導電性金属及びガラスを含む電極層及び上記電極層上に配置される導電性樹脂層を含み、上記導電性樹脂層は、導電性金属、ビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂を含むことができる。
【発明の効果】
【0014】
本発明の様々な効果の一つは、ＦＴ－ＩＲ分析により得られた導電性樹脂層の波数に対するスペクトル強度の関係線で測定されるピークの比率を制御することにより、外部電極の浮き上がりや破裂不良を抑制したことである。
【0015】
本発明の様々な効果の一つは、導電性樹脂層にビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂を同時に含むことで、外部電極の浮き上がり及び破裂不良を抑制したことである。
【0016】
但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品を示す斜視図である。
【図4】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の本体を分解して示す分解斜視図である。
【図5】ＦＴ－ＩＲ分析のために本体の第３面上に配置された導電性樹脂層を露出させた積層型電子部品の斜視図である。
【図6】ＦＴ－ＩＲ分析により得られた関係線でＡ及びＢを測定する方法を説明するためのグラフである。
【図7】ＦＴ－ＩＲ分析により得られた関係線でＣを測定する方法を説明するためのグラフである。
【図8】外部電極の浮き上がり不良が発生したチップ（サンプル１及び２）と、外部電極の浮き上がり不良が発生していないチップ（サンプル３）に対するＴＧＡ分析結果である。
【図9】外部電極の浮き上がり不良が発生したチップ（サンプル１及び２）と、外部電極の浮き上がり不良が発生していないチップ（サンプル３）に対するＥＧＡ－ＭＳ分析結果である。
【図10】ＤＧＥＢＡの構造式である。
【図11】アルコール基の酸化反応を示した式である。
【図12】ビフェニル系樹脂の構造式である。
【図13】導電性樹脂層に含まれた樹脂がビスフェノールＡ系樹脂である場合（実験例１）、導電性樹脂層に含まれた樹脂がビスフェノールＡ系樹脂５０ｗｔ％及びビフェニル系樹脂５０ｗｔ％を含む場合（実験例２）、及び導電性樹脂層に含まれた樹脂がビフェニル系樹脂である場合（実験例３）、ＦＴ－ＩＲ分析時に得られた各関係線を比較するために一つのグラフに示したものである。
【図14】ビスフェノールＡ系樹脂（実験例１）、ビフェニル系樹脂（実験例３）及びそれらの混合物（実験例２）に対するＧＣ－ＭＳ分析結果である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために誇張されてもよく、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。
【0019】
そして、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、図面に示された各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示したものであるため、本発明は必ずしも図示されたものに限定されるものではない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素については、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは、特に反対となる記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。
【0020】
図面において、第１方向は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。
【0021】
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品を示す斜視図であり、図２は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図であり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図であり、図４は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の本体を分解して示す分解斜視図であり、図５は、ＦＴ－ＩＲ分析のために本体の第３面上に配置された導電性樹脂層を露出させた積層型電子部品の斜視図であり、図６は、ＦＴ－ＩＲ分析により得られた関係線でＡ及びＢを測定する方法を説明するためのグラフであり、図７は、ＦＴ－ＩＲ分析により得られた関係線でＣを測定する方法を説明するためのグラフである。
【0022】
【0023】
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０、並びに上記本体上に配置される外部電極１３１、１３２を含み、上記外部電極は、導電性金属及び樹脂を含む導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂを含み、ＦＴ－ＩＲ分析により得られた上記導電性樹脂層の波数に対するスペクトル強度の関係線を示す２軸グラフ中、上記関係線において波数１４２０ｃｍ－１のスペクトル強度と波数１５２０ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌａを引き、波数１４２０ｃｍ－１～１５２０ｃｍ－１の領域のうち上記Ｌａから上記関係線までの上記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＡ、上記関係線において波数３１００ｃｍ－１のスペクトル強度と波数３７００ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌｃを引き、波数３１００ｃｍ－１～３７００ｃｍ－１の領域のうち上記Ｌｃから上記関係線までの上記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズをＣとするとき、上記Ａ及びＣは、０．３３７≦２×Ｃ／Ａ≦０．３６７を満たすことができる。
【0024】
外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されることができる。
【0025】
外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結された第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。
【0026】
本実施形態では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変わることができる。
【0027】
優れた曲げ強度を確保するために、外部電極１３１、１３２に導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂを含ませる構造が提案されており、外部電極の導電性樹脂層に含まれる樹脂は一般にビスフェノールＡ（ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ、ＢＰＡ）系樹脂を使用している。
【0028】
外部電極の導電性樹脂層に含まれるビスフェノールＡ系樹脂の代表的な例としては、ＤＧＥＢＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ ｄｉｇｌｙｃｉｄｙｌ ｅｔｈｅｒ）がある。ＤＧＥＢＡ構造を示す図１０を参照すると、ＤＧＥＢＡは高分子の末端にエポキシ基（Ｃ－Ｏ－Ｃ）を保有しており、接着性及び反応性を高めるために高分子の骨格（ｂａｃｋ ｂｏｎｅ）構造内に多量のアルコール基（－ＯＨ）を保有している。アルコール基は、水素結合を介して接着性を形成するだけでなく、酸素が有する共有電子対であって化学反応基としても使用することができる。しかし、図１１のように金属触媒及び高温環境でアルコール基の酸化反応が起こる場合、アルコール基の数が減少することで本体と電極層との接着力が減少することがあり、当該過程で発生する水素、二酸化炭素など、ガス副生成物が電極層と導電性樹脂層との間に分布することによって、外部電極の浮き上がり及び破裂不良が発生する可能性があった。このとき、金属触媒は、導電性樹脂層組成物に含まれた導電性金属粒子であることができ、高温環境とは２００℃～４００℃を意味することができる。
【0029】
そこで、本発明では、導電性樹脂層のＦＴ－ＩＲ（Ｆｏｕｒｉｅｒ ｔｒａｎｓｆｏｒｍ ｉｎｆｒａｒｅｄ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析時に観察されるＡｒｏｍａｔｉｃ ｒｉｎｇ ｐｅａｋ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙとアルコール（－ＯＨ）ｐｅａｋ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙの比を制御することにより、導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂの酸化を抑制して外部電極１３１、１３２の浮き上がり及び破裂不良を抑制しながらも、優れた固着強度を確保しようとした。
【0030】
ＦＴ－ＩＲ分析により得られた導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂの波数に対するスペクトル強度の関係線を示す２軸グラフで観察されるピークとしては、Ａｒｏｍａｔｉｃ ｒｉｎｇ ｐｅａｋ、アルコール（－ＯＨ）ｐｅａｋ、カルボニル（Ｃ＝Ｏ）ｐｅａｋなどがある。ＦＴ－ＩＲは、Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ－ＩｎｆｒａＲｅｄの略字であって、フーリエ変換赤外線分光器を意味する。このとき、導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂが外部電極の内部に配置される場合、破壊分析（Ｄｅｓｔｒａｃｔｉｖｅ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ、ＤＰＡ）によって本体の第３面上に配置された導電性樹脂層１３１ｂを図５のように露出させた後、ＦＴ－ＩＲ装備で露出した導電性樹脂層１３１ｂを分析することができ、ＦＴ－ＩＲ装備のＳｐｅｃｔｒａｌ ｒａｎｇｅは４０００～６５０ｃｍ－１と指定することができる。
【0031】
図６を参照すると、Ａｒｏｍａｔｉｃ ｒｉｎｇ ｐｅａｋ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙは、波数１４２０ｃｍ－１のスペクトル強度と波数１５２０ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌａを引き、波数１４２０ｃｍ－１～１５２０ｃｍ－１の領域のうち上記Ｌａから上記関係線までの上記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズと定義することができ、以下「Ａ」とする。また、カルボニル（Ｃ＝Ｏ）ｐｅａｋ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙは、波数１６５０ｃｍ－１のスペクトル強度と波数１８００ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌｂを引き、波数１６５０ｃｍ－１～１８００ｃｍ－１の領域のうち上記Ｌｂから上記関係線までの上記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズと定義することができ、以下「Ｂ」とする。
【0032】
図７を参照すると、アルコール（－ＯＨ）ｐｅａｋ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙは、波数３１００ｃｍ－１のスペクトル強度と波数３７００ｃｍ－１のスペクトル強度とをつなぐ基準直線Ｌｃを引き、波数３１００ｃｍ－１～３７００ｃｍ－１の領域のうち上記Ｌｃから上記関係線までの上記スペクトル強度軸と平行な方向への最大サイズと定義することができ、以下「Ｃ」とする。
【0033】
【0034】
本発明の一実施形態によれば、外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置され、導電性金属及び樹脂を含む導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂを含み、ＦＴ－ＩＲ分析により得られた上記導電性樹脂層の波数に対するスペクトル強度の関係線を示す２軸グラフにおいて、上記Ａ及びＣが０．３３７≦２×Ｃ／Ａ≦０．３６７を満たすことによって、外部電極の浮き上がり及び破裂不良を抑制しながらも、優れた固着強度を確保することができる。
【0035】
２×Ｃ／Ａが０．３６７を超える場合には、外部電極の浮き上がり及び破裂不良が発生するおそれがある。これに対し、２×Ｃ／Ａが０．３３７未満である場合には、外部電極の固着強度が低下するおそれがあり、２×Ｃ／Ａは０．３３７以上であることが好ましく、より優れた固着強度を確保するためには、２×Ｃ／Ａが０．３４４以上であることがより好ましいと言える。
【0036】
一実施形態において、Ａ及びＢはＢ／Ａ≦０．１４を満たすことができる。より好ましくは、Ａ及びＢは０．０４８≦Ｂ／Ａ≦０．１４を満たすことができ、より好ましくは０．０７≦Ｂ／Ａ≦０．１４を満たすことができる。
【0037】
カルボニルｐｅａｋ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ（Ｂ）の場合、導電性樹脂層を硬化する前には観察されないが、導電性樹脂層を硬化した後に外部電極の浮き上がり及び破裂不良が発生した場合、導電性樹脂層をＦＴ－ＩＲ分析すると、カルボニルｐｅａｋ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ（Ｂ）が観察される。カルボニル（Ｃ＝Ｏ）ｐｅａｋは導電性樹脂層内の樹脂が硬化過程で酸化しながら発生でき、樹脂の酸化はＣＯ２が発生する主な原因となる。
【0038】
図８は、外部電極の浮き上がり不良が発生したチップ（サンプル１及び２）と外部電極の浮き上がり不良が発生していないチップ（サンプル３）に対するＴＧＡ分析結果であり、図９は、外部電極の浮き上がり不良が発生したチップ（サンプル１及び２）と外部電極の浮き上がり不良が発生していないチップ（サンプル３）に対するＥＧＡ－ＭＳ分析結果である。図８を参照すると、外部電極の浮き上がり不良が発生したチップ（サンプル１及び２）の場合、３００℃以前に熱分解が始まり、浮き上がり不良が発生していないチップ（サンプル３）より熱分解の開始温度が早いことが確認でき、図９を参照すると、サンプル１及び２が３００℃付近でＣＯ２が多量に発生することが確認できる。したがって、カルボニルｐｅａｋ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ（Ｂ）が小さいほど樹脂の酸化が抑制され、ＣＯ２の発生量を減少させることにより、外部電極の浮き上がり及び破裂不良を抑制することができる。
【0039】
Ｂ／Ａが０．１４を超える場合には、樹脂の酸化が多量に発生し、外部電極の浮き上がり及び破裂不良が発生することがあるため、Ｂ／Ａは０．１４以下であることがより好ましいと言える。これに対し、Ｂ／Ａが０．０４８未満である場合には、外部電極の固着強度が低下するおそれがあり、Ｂ／Ａは０．０４８以上であることが好ましく、より優れた固着強度を確保するためには、Ｂ／Ａが０．０７以上であることがより好ましいと言える。
【0040】
一実施形態において、導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂは、ビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂を含むことができる。
【0041】
ビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）は、一般に、ＢＰＡと呼ばれる分子式Ｃ１５Ｈ１６Ｏ２、化学構造式（ＣＨ３）２Ｃ（Ｃ６Ｈ４ＯＨ）２であるジフェニルメタン系列の化合物を意味する。ビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂とは、ビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）の重合反応によって生成される高分子化合物を意味する。ビスフェノールＡ系の代表的な樹脂としてはＤＧＥＢＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ ｄｉｇｌｙｃｉｄｙｌ ｅｔｈｅｒ）がある。ＤＧＥＢＡ構造を示す図１０を参照すると、ＤＧＥＢＡは高分子の末端にエポキシ基（Ｃ－Ｏ－Ｃ）を保有しており、接着性及び反応性を高めるために高分子の骨格（ｂａｃｋ ｂｏｎｅ）構造内にアルコール基（－ＯＨ）を保有している。
【0042】
ビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）は、ジフェニル（ｄｉｐｈｅｎｙｌ）とも呼ばれ、化学式Ｃ１２Ｈ１０、フェニル基－Ｃ６Ｈ５の２つが互いに結合した構造を有する。ビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂とは、ビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）の重合反応によって生成される高分子化合物を意味する。ビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂としては、４，４'－ｄｉｇｌｙｃｉｄｙｌ ｂｉｐｈｅｎｙｌ ｎｏｖｏｌａｃ ｅｐｏｘｙを例として挙げることができる。ビフェニル系樹脂構造を示す図１２を参照すると、骨格（ｂａｃｋ ｂｏｎｅ）構造内にアルコールが存在せず、高分子の末端にエポキシ基（Ｃ－Ｏ－Ｃ）を保有している。このようなビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂を混合することにより、高分子樹脂内のアルコール基の数を調節し、樹脂の酸化を抑制しながらも接着性及び反応性を確保して、固着強度を確保することができる。
【0043】
図１３は、導電性樹脂層に含まれた樹脂がビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂である場合（実験例１）、導電性樹脂層に含まれた樹脂がビスフェノールＡ系樹脂５０ｗｔ％及びビフェニル系樹脂５０ｗｔ％を含む場合（実験例２）、及び導電性樹脂層に含まれた樹脂がビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂である場合（実験例３）、ＦＴ－ＩＲ分析時に得られた各関係線を比較するために、一つのグラフに示したものである。なお、下記表１は、各関係線を分析してＡ（Ａｒｏｍａｔｉｃ ｒｉｎｇ ｐｅａｋ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）、Ｂ（カルボニルｐｅａｋ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）、Ｃ（アルコールｐｅａｋ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）、２×Ｃ／Ａ及びＢ／Ａを測定して記載したものである。
【0044】
【表1】
【0045】
図１３及び表１を参照すると、樹脂の種類及び混合の有無に応じてＡ、Ｂ及びＣの値が異なることが確認でき、ビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂を混合した場合に、Ａ及びＣが０．３３７≦２×Ｃ／Ａ≦０．３６７を満たし、Ａ及びＢはＢ／Ａ≦０．１４を満たすことが確認できる。
【0046】
したがって、導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂがビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂を含む場合、外部電極の浮き上がり及び破裂不良を抑制しながらも、優れた固着強度を確保することができる。
【0047】
このとき、導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂに含まれたビスフェノールＡ（ＢｉｓｐｈｅｎｏｌＡ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂の総含有量に対するビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂の含有量比率は、１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であり得る。
【0048】
ビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂の含有量比率が１０ｗｔ％未満である場合には、樹脂の酸化を抑制する効果が不十分である可能性があり、外部電極の浮き上がり及び破裂不良が発生することがある。
【0049】
これに対し、ビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂の含有量比率が５０ｗｔ％を超える場合には、導電性樹脂層内のアルコール基（－ＯＨ）の数が少なく、接着力不足により外部電極の固着強度が低下するおそれがある。したがって、ビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂の含有量比率は５０ｗｔ％以下であることが好ましく、より優れた固着強度を確保するためには、ビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂の含有量比率が４０ｗｔ％以下であることがより好ましいと言える。
【0050】
一実施形態において、導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂは、ＧＣ－ＭＳ分析時に、Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ ｐｅａｋ（ビスフェノール Ａ ピーク）が検出され、Ｍｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ ｐｅａｋ（メチル－ビフェニル ピーク）及びＤｉｍｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ ｐｅａｋ（ジメチル－ビフェニル ピーク）のうち一つ以上が検出されることができる。ＧＣ－ＭＳは、Ｇａｓ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ－Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ（ガスクロマトグラフ質量分析計）を意味する。
【0051】
図１４を参照すると、ビスフェノールＡ系樹脂の場合、Ｒｅｔｅｎｔｉｏｎ ｔｉｍｅ（滞留時間） ２２．５～２５．０ｍｉｎの間にＢｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ ｐｅａｋ（ビスフェノール Ａ ピーク）が検出され、ビフェニル系樹脂は、Ｒｅｔｅｎｔｉｏｎ ｔｉｍｅ（滞留時間） １５～１８ｍｉｎの間にＭｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ ｐｅａｋ（メチル－ビフェニル ピーク）及びＤｉｍｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ ｐｅａｋ（ジメチル－ビフェニル ピーク）が検出されることが分かる。ビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂が混合された場合には、Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ ｐｅａｋ（ビスフェノール Ａ ピーク）、Ｍｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｉｌ ｐｅａｋ（メチル－ビフェニル ピーク）及びＤｉｍｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｉｌ ｐｅａｋ（ジメチル－ビフェニル ピーク）がいずれも観察されることが確認できる。図１４において、Ｘ軸はＲｅｔｅｎｔｉｏｎ ｔｉｍｅ（滞留時間）（ｍｉｎ）であり、Ｙ軸はＡｂｓｏｌｕｔｅ ｕｎｉｔ（絶対単位）である。
【0052】
但し、Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ ｐｅａｋ（ビスフェノール Ａ ピーク）及びＭｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ ｐｅａｋ（メチル－ビフェニル ピーク）及びＤｉｍｅｔｈｙｌ－ｂｉｐｈｅｎｙｌ ｐｅａｋ（ジメチル－ビフェニル ピーク）の他にも、ビスフェノールＡ系樹脂にのみ現れる固有のピーク、及びビフェニル系樹脂にのみ現れる固有のピークが同時に検出される場合、導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂにビスフェノールＡ系樹脂及びビフェニル系樹脂の両方が含まれていることを立証することができる。
【0053】
導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を使用することができるが、特に限定されない。例えば、導電性金属としては、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
【0054】
導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、球状粒子及びフレーク状粒子のうち１以上を含むことができる。すなわち、導電性金属はフレーク状粒子のみからなってもよく、球状粒子のみからなってもよく、フレーク状粒子と球状粒子とが混合した形態であってもよい。ここで、球状粒子は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下である形態を含むことができる。フレーク状粒子とは、平たい且つ細長い形態を有する粒子を意味し、特に制限されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．９５以上であってもよい。上記球状粒子及びフレーク状粒子の長軸と短軸の長さは、セラミック電子部品の第３方向の中央部で切断した第１方向及び第２方向の断面（Ｌ－Ｔ断面）を走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）でスキャンして得られたイメージから測定することができる。
【0055】
また、導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属は、複数の金属粒子及び金属間化合物を含むことができる。すなわち、導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂは、複数の金属粒子、金属間化合物及び樹脂を含むことができる。上記金属間化合物を含むことにより、電極層１３１ａ、１３２ａとの電気的連結性をより向上させることができる。上記金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を取り囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。
【0056】
このとき、上記金属間化合物は、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、上記金属間化合物が樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を取り囲むようになる。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。
【0057】
例えば、２１３～２２０℃の融点を有するＳｎを含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ、Ｎｉ又はＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象により湿らせ、Ａｇ、Ｎｉ又はＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ４、Ｃｕ６Ｓｎ５、Ｃｕ３Ｓｎなどの金属間化合物を形成するようになる。反応に関与しなかったＡｇ、Ｎｉ又はＣｕは金属粒子の形態で残るようになる。
【0058】
したがって、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち一つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ４、Ｃｕ６Ｓｎ５及びＣｕ３Ｓｎのうち一つ以上を含むことができる。
【0059】
一実施形態において、外部電極１３１、１３２は、導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂだけでなく、本体１１０上に配置される電極層１３１ａ、１３２ａを含むことができ、上記導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂは上記電極層上に配置されることができる。
【0060】
外部電極１３１、１３２の浮き上がり不良は、電極層１３１ａ、１３２ａと導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂとの間の界面で主に発生し得るため、電極層１３１ａ、１３２ａ上に導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂが配置される構造を有する場合、本発明の浮き上がり不良を抑制する効果がより顕著になり得る。
【0061】
電極層１３１ａ、１３２ａは、導電性金属及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極であってもよい。電極層１３１ａ、１３２ａが導電性金属及びガラスを含む場合、本体と外部電極間の結合力を向上させることができ、本発明の浮き上がり不良を抑制する効果がさらに顕著になり得る。
【0062】
電極層１３１ａ、１３２ａに使用される導電性金属は、静電容量の形成のために上記内部電極と電気的に連結できる材質であれば特に制限されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粉末にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することにより形成できる。
【0063】
但し、電極層１３１ａ、１３２ａを、ガラスを含むものに限定しようとする意図ではなく、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよく、めっきで形成されたものであってもよい。
【0064】
一実施形態において、導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂ上にめっき層１３１ｃ、１３２ｃが配置されることができる。
【0065】
めっき層１３１ｃ、１３２ｃは実装特性を向上させる役割を果たす。めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定されず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ及びこれらの合金のうち一つ以上を含むめっき層であってもよく、複数の層で形成されてもよい。
【0066】
めっき層１３１ｃ、１３２ｃに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｃ、１３２ｃはＮｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含むこともできる。
【0067】
本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。
【0068】
本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。
【0069】
本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１面１及び第２面２、上記第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに対向する第３面３及び第４面４、第１面１及び第２面１、２と連結され、第３面３及び第４面４と連結され、第３方向に互いに対向する第５面５及び第６面６を有することができる。
【0070】
一実施形態において、本体１１０は、第１面と第３面を連結する第１－３コーナー、上記第１面と第４面を連結する第１－４コーナー、上記第２面と第３面を連結する第２－３コーナー、上記第２面と第４面を連結する第２－４コーナーを含み、上記第１－３コーナー及び第２－３コーナーは、上記第３面に近づくほど、上記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、上記第１－４コーナー及び第２－４コーナーは、上記第４面に近づくほど、上記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有することができる。
【0071】
誘電体層１１１上に内部電極１２１、１２２が配置されていないマージン領域が重なることによって、内部電極１２１、１２２の厚さによる段差が発生し、第１面と第３～第５面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３～第５面を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準としてみたとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。あるいは、本体の焼結過程における収縮挙動により、第１面１と第３～第６面３、４、５、６を連結するコーナー及び／又は第２面２と第３～第６面３、４、５、６を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準としてみたとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。あるいは、チッピング不良などを防止するために本体１１０の各面を連結する角を別途の工程を行ってラウンド処理することにより、第１面と第３～第６面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３～第６面を連結するコーナーは、ラウンド形状を有することができる。
【0072】
上記コーナーは、第１面と第３面を連結する第１－３コーナー、第１面と第４面を連結する第１－４コーナー、第２面と第３面を連結する第２－３コーナー、第２面と第４面を連結する第２－４コーナーを含むことができる。また、コーナーは、第１面と第５面を連結する第１－５コーナー、第１面と第６面を連結する第１－６コーナー、第２面と第５面を連結する第２－５コーナー、第２面と第６面を連結する第２－６コーナーを含むことができる。本体１１０の第１～第６面は、概して平坦な面であることができ、平坦でない領域をコーナーと見なすことができる。以下、各面の延長線とは、各面の平坦な部分を基準に延びた線を意味することができる。
【0073】
このとき、外部電極１３１、１３２のうち、本体１１０のコーナー上に配置された領域をコーナー部、本体１１０の第３面及び第４面上に配置された領域を接続部、本体の第１面及び第２面上に配置された領域をバンド部とすることができる。
【0074】
一方、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成する場合には、第１面と第５面及び第６面を連結する部分、並びに、第２面と第５面及び第６面を連結する部分が収縮した形態を有していなくてもよい。
【0075】
本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。
【0076】
本発明の一実施形態によれば、上記誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り、特に制限されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。上記チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例として、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）等が挙げられる。
【0077】
また、上記誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などのパウダーに、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。
【0078】
本体１１０は本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量が形成される容量形成部Ａｃと、上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部及び下部に形成されたカバー部１１２、１１３とを含むことができる。
【0079】
また、上記容量形成部Ａｃは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であって、誘電体層１１１を間に挟んで複数の第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を繰り返し積層して形成することができる。
【0080】
カバー部１１２、１１３は、上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２、及び上記容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。
【0081】
上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0082】
上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は内部電極を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。
【0083】
すなわち、上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【0084】
また、上記容量形成部Ａｃの側面にはマージン部１１４、１１５が配置されることができる。
【0085】
マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１マージン部１１４と、第６面６に配置された第２マージン部１１５とを含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、上記本体１１０の幅方向の両端面（ｅｎｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ）に配置されることができる。
【0086】
マージン部１１４、１１５は、図３に示すように、上記本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。
【0087】
マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0088】
マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成される箇所を除き、導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することにより形成されたものであってもよい。
【0089】
また、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成することもできる。
【0090】
内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に配置されることができる。内部電極１２１、１２２は、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができる。第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出することができる。
【0091】
図２を参照すると、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出し、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体の第３面３には第１下地電極層１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体の第４面４には第２下地電極層１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。
【0092】
すなわち、第１内部電極１２１は第２下地電極層１３１とは連結されず、第１下地電極層１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１下地電極層１３１とは連結されず、第２下地電極層１３１と連結される。したがって、第１内部電極１２１は第４面４において一定距離離隔して形成され、第２内部電極１２２は第３面３において一定距離離隔して形成されることができる。
【0093】
このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。
【0094】
本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。
【0095】
内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。
【0096】
また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0097】
誘電体層１１１の平均厚さｔｄ及び内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは特に限定する必要はない。
【0098】
但し、一実施形態において、誘電体層１１１の平均厚さｔｄと上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅはｔｄ＞２×ｔｅを満たすことができる。すなわち、一実施形態によれば、上記誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅよりも２倍以上大きいことを特徴とすることができる。
【0099】
一般に、高電圧電装用電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下による信頼性の問題が主なイシューである。一実施形態に係る積層型電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下を防ぐために、上記誘電体層１１１の平均厚さｔｄを上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりも大きくして、内部電極間の距離である誘電体層の厚さを増加させることにより、絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。上記誘電体層１１１の平均厚さｔｄが上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍以下である場合には、内部電極間の距離である誘電体層の厚さが薄くなり、絶縁破壊電圧が低下する可能性がある。このとき、内部電極の平均厚さｔｅは１μｍ未満であってもよく、上記誘電体層の平均厚さｔｄは２．８μｍ未満であってもよいが、必ずしもこれに制限されるものではない。
【0100】
誘電体層１１１の平均厚さｔｄ及び内部電極の平均厚さｔｅは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層の内部電極を長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定し、平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層及び内部電極に拡張して平均値を測定すると、誘電体層の平均厚さ及び内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。
【0101】
（実施例）
下記表２は、導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂに含まれたビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂の混合比率による２×Ｃ／Ａ及びＢ／Ａ、固着強度不良の個数及び浮き上がり不良の個数を測定して記載したものである。
下記表２は、導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂに含まれたビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂の混合比率による２×Ｃ／Ａ及びＢ／Ａ、固着強度不良の個数及び浮き上がり不良の個数を測定して記載したものである。
【0102】
まず、焼成電極が形成されたサンプルチップを用意した後、下記表２の樹脂の混合比率を満たすペーストを塗布し、乾燥を行う。その後、２００℃以上３００℃以下で硬化熱処理を行って導電性樹脂層を形成したサンプルチップを設けた。
【0103】
２×Ｃ／Ａ及びＢ／Ａは、各サンプルチップの導電性樹脂層をＦＴ－ＩＲ分析して得られた波数に対するスペクトル強度の関係線から求め、Ｓｐｅｃｔｒａｌ ｒａｎｇｅ（スペクトル範囲）は４０００～６５０ｃｍ－１と指定した。
【0104】
固着強度不良の個数は、各試験番号当たり２０個のサンプルを基板に実装し、プレスツールで１８Ｎのせん断応力（ｓｈｅａｒ ｓｔｒｅｓｓ）を６０秒間加えてサンプルが基板から分離されたり、サンプルにせん断が発生した場合を不良と判断し、不良のサンプルの個数を記載した。
【0105】
浮き上がり不良の個数は、各試験番号当たり２０個のサンプルを基板に実装し、当該基板を２６０℃以上のリフローオーブンに投入し、これを３回以上繰り返した。その後、サンプルが実装された基板をＸ－ｒａｙ（Ｘ線）により分析し、サンプルの電極層と導電性樹脂層の界面が広がった場合、浮き上がり不良が発生したと判断し、不良のサンプルの個数を記載した。
【0106】
【表2】
【0107】
試験番号２～４の場合、２×Ｃ／Ａが０．３３７以上０．３６７以下を満たし、固着強度に優れ、浮き上がり不良も発生していないことが確認できる。
【0108】
試験番号１は２×Ｃ／Ａが０．３６７超過であって、浮き上がり不良が多数発生し、試験番号５は２×Ｃ／Ａが０．３３７未満であって、浮き上がり不良は発生していないが、固着強度の不良が多数発生していた。
【0109】
したがって、浮き上がり不良を抑制しながらも、優れた固着強度を確保するためには、樹脂層をＦＴ－ＩＲ分析して得られた波数に対してスペクトル強度の関係線における２×Ｃ／Ａが０．３３７以上０．３６７以下を満たさなければならないことが確認できる。
【0110】
一方、試験番号４の場合、固着強度の不良が１０％以下と良好であったが、より優れた固着強度を確保するためには、試験番号２及び３のように２×Ｃ／Ａが０．３４４以上０．３６７以下を満たすことがより好ましいことが分かる。
【0111】
なお、ビスフェノールＡ（Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ）系樹脂及びビフェニル（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）系樹脂が混合された試験番号２～４は、２×Ｃ／Ａが０．３３７以上０．３６７以下を満たしている。
【0112】
また、ビフェニル系樹脂の含有量比率が増加するにつれて２×Ｃ／Ａ減少し、これは、浮き上がり不良は抑制されるものの、固着強度は低下する傾向を確認することができる。
【0113】
以上のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。
【0114】
また、本発明で使用される「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態で説明した事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明と理解することができる。
【0115】
本発明で使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであって、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0116】
１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１３１ａ、１３２ａ：電極層
１３１ｂ、１３２ｂ：導電性樹脂層
１３１ｃ、１３２ｃ：めっき層
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１３１ａ、１３２ａ：電極層
１３１ｂ、１３２ｂ：導電性樹脂層
１３１ｃ、１３２ｃ：めっき層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
