特開 2024-100196 多層プリント基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024100196

(43)【公開日】2024-07-26

(54)【発明の名称】多層プリント基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240719BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

H05K3/46 Z

H05K3/46 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023004011

(22)【出願日】2023-01-13

(71)【出願人】

【識別番号】000004260

【氏名又は名称】株式会社デンソー

(74)【代理人】

【識別番号】110000578

【氏名又は名称】名古屋国際弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】真田 圭

(72)【発明者】

【氏名】家壽 英里子

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA32

5E316AA35

5E316AA43

5E316BB02

5E316BB04

5E316BB06

5E316BB13

5E316BB16

5E316EE01

5E316FF01

5E316GG15

5E316GG28

5E316HH03

(57)【要約】

【課題】多層プリント基板において、インナービアホール（ＩＶＨ）のインピーダンスが表層の配線パターンと整合していなくても、その配線パターンからレーザビアホール（ＬＶＨ）を介してＩＶＨに至る信号経路で生じる伝送信号の反射を低減できるようにする。
【解決手段】多層プリント基板１の内層側で２つ以上の誘電体層Ｄ３－Ｄ５を貫通し、この誘電体層を挟むパターン層Ｐ３、Ｐ５に形成された配線パターン１６－１８同士を導通させるＩＶＨ２６と、ＩＶＨよりも表層側の誘電体層Ｄ１、Ｄ２に設けられ、その表裏面に積層されたパターン層Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の配線パターン１２－１４、１４－１６同士を導通させるＬＶＨ２２、２４とを備え、ＬＶＨの両端のパターン層において、ＬＶＨと周囲のグラウンドパターンとの間のクリアランスは、表層側に比べて内層側の方が小さい。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の誘電体層（Ｄ１～Ｄ７）と複数のパターン層（Ｐ１～Ｐ８）が交互に積層された多層プリント基板であって、
前記多層プリント基板の内層側で２つ以上の前記誘電体層を貫通し、該２つ以上の前記誘電体層を挟む２つの前記パターン層に形成された配線パターン（１６－１８）同士を導通させるインナービアホール（２６）と、
前記多層プリント基板において前記インナービアホールよりも表層側の前記誘電体層に設けられ、該誘電体層の表裏面に積層された前記パターン層の前記配線パターン（１２－１４、１４－１６）同士を導通させて、前記多層プリント基板の表層側の前記配線パターンと前記インナービアホールとの間の信号経路を形成するレーザビアホール（２２、２４）と、
を備え、前記レーザビアホールの両端に配置される複数の前記パターン層において、前記レーザビアホールの周囲のグラウンドパターンと前記レーザビアホールとの間のクリアランスは、前記レーザビアホールの表層側に比べて内層側が小さくなっている、多層プリント基板。

【請求項2】

請求項１に記載の多層プリント基板であって、
前記インナービアホールの前記レーザビアホールとは反対側に接続される前記配線パターンのインピーダンスは、前記インナービアホールのインピーダンスと整合されている、多層プリント基板。

【請求項3】

請求項１又は請求項２に記載の多層プリント基板であって、
前記レーザビアホールの内層側に接続される前記配線パターンのインピーダンスは、当該配線パターンの両端に接続される２つのビアホールのインピーダンスの中間に設定されている、多層プリント基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、多層プリント基板に関する。

【背景技術】

【0002】

車両に搭載される電子制御装置は、放射エミッションの要求が厳しいことから、内層配線を利用できる多層プリント基板を用いて構成される。この種の多層プリント基板は、より多層化が進み、より高密度の配線が行われるだけでなく、数ＧＨｚを超える高速な信号伝送も要求されている。

【0003】

この要求に応えるためには、各層の配線パターンとその配線パターン同士を接続するビアホールとのインピーダンスを整合させて、伝送信号の反射を抑制する必要がある。このため、特許文献１に記載のように、ビアホールの周囲にグラウンドビアを設け、ビアホールと周囲のグラウンドパターンとの間のクリアランスを調整することで、ビアホールのインピーダンスを配線パターンと整合させることが提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特許第６５３５５４６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ところで、多層プリント基板の一つであるビルドアップ基板の場合、レーザビアホール（以下、ＬＶＨ）及びインナービアホール（以下、ＩＶＨ）を用いて各層の配線パターン同士の接続が行われる。そして、ＬＶＨ及びＩＶＨは、各層の配線パターンと比較してインピーダンスが低くなる。

【0006】

特に、ＩＶＨは、ビアの径と絶縁層厚みの比率によりグラウンドとの電磁界結合が強く、ＬＶＨなどの他のビアホールに比べインピーダンスが小さくなる。このため、特許文献１に記載の手法では、配線制約が大きい割にインピーダンス向上効果が薄く、ＩＶＨを表層の配線パターンのインピーダンスと整合させるのが難しいという問題があった。

【0007】

本開示の１つの局面は、多層プリント基板において、ＩＶＨのインピーダンスが表層の配線パターンと整合していなくても、その配線パターンからＬＶＨを介してＩＶＨに至る信号経路で生じる伝送信号の反射を低減できるようにすること、を目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本開示の一局面の多層プリント基板は、複数の誘電体層（Ｄ１～Ｄ７）と複数のパターン層（Ｐ１～Ｐ８）が交互に積層されており、ＩＶＨ（２６）と、ＬＶＨ（２２、２４）とを備える。なお、上述の通り、ＩＶＨは、インナービアホール（Inner Via Hole）を表し、ＬＶＨは、レーザビアホール（Laser Via Hole）を表す。

【0009】

ＩＶＨは、多層プリント基板の内層側で２つ以上の誘電体層を貫通し、その２つ以上の誘電体層を挟む２つのパターン層に形成された配線パターン（１６－１８）同士を導通させる。つまり、ＩＶＨは、所謂インタースティシャルビアホールのうち、内層と内層とを接続するベリードビアホールとも呼ばれるビアホールである。

【0010】

ＬＶＨは、ＩＶＨよりも表層側の誘電体層に設けられ、その誘電体層の表裏面に積層されたパターン層の配線パターン（１２－１４、１４－１６）同士を導通させて、多層プリント基板の表層側の配線パターンとＩＶＨとの間の信号経路を形成する。

【0011】

そして、ＬＶＨの両端に配置される複数のパターン層において、ＬＶＨの周囲のグラウンドパターンとＬＶＨとの間のクリアランスは、ＬＶＨの表層側に比べて内層側が小さくなっている。

【0012】

このため、本開示の多層プリント基板においては、ＬＶＨの表層側の入力部のインピーダンスを高く維持したまま、反対側の出力部のインピーダンスを低くすることができる。従って、表層の配線パターン－ＬＶＨ間、及び、ＬＶＨ－ＩＶＨ間での伝送信号の反射を抑制することができる。

【0013】

つまり、本開示の多層プリント基板によれば、表層側の配線パターンからＩＶＨに至る信号経路で、インピーダンス変化が緩やかになり、その信号経路で生じる伝送信号の反射損失を低減することができる。

【0014】

よって、本開示の多層プリント基板によれば、ＩＶＨのインピーダンスが表層側の配線パターンのインピーダンスと整合されていない状態でも、伝送信号の反射損失を低減することができる。従って、特許文献１に記載の多層プリント基板に比べて、製造条件や周辺配線の制約を緩くし、多層プリント基板設計時の自由度を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】実施形態の多層プリント基板の構成を表す断面図である。

【図2】配線パターンを介してＩＶＨに接続されるＬＶＨの両端のパターン層の形状を表す説明図である。

【図3】図２に示すＬＶＨの両端のパターン層におけるＬＶＨとグラウンドパターンとの間のクリアランスを表す斜視図である。

【図4】ＬＶＨ周囲のクリアランスの大きさを表す説明図である。

【図5】表層の配線パターンとＬＶＨとＩＶＨとの接続の一例を表す説明図である。

【図6】図５に示す配線パターン、ＬＶＨ、ＩＶＨのインピーダンスと反射損失との関係を表す説明図である。

【図7】実施形態のＬＶＨの表裏面でのクリアランスを同一にした場合のインピーダンスの変化を表す説明図である。

【図8】実施形態のＬＶＨの表裏面でのクリアランスを変化させた場合のインピーダンスの変化を表す説明図である。

【図9】実施形態の多層プリント基板の表層からＩＶＨに至る伝送経路で生じる反射損失を表す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、図面を参照しながら、本開示の実施形態を説明する。
［構成］
図１に示すように、本実施形態の多層プリント基板１は、Ｎ層の誘電体層Ｄ１～ＤＮとＮ＋１層のパターン層Ｐ１～ＰＮ＋１とを有するビルドアップ基板である。ビルドアップ基板は、コアとなるプリント基板の上に、誘電体層Ｄとパターン層Ｐとを交互に積み上げることで製造される基板である。なお、本実施形態では、Ｎ＝７の場合を例示する。

【0017】

図１に示すように、多層プリント基板１の表層となるパターン層Ｐ１には、電子部品１０が実装されている。また、多層プリント基板１の内層側のパターン層Ｐ６には、電子部品１０との間で高周波信号を送受信して信号処理を行う回路を構成する配線パターン１８が形成されている。

【0018】

また、多層プリント基板１には、表層の電子部品１０と内層の配線パターン１８とを接続して、高周波信号の伝送経路を構成するために、ＬＶＨ２２、２４及びＩＶＨ２６が用いられる。

【0019】

ＩＶＨ２６は、多層プリント基板１の内層で、２つ以上の誘電体層、具体的には、誘電体層Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５を貫通するように設けられている。そして、ＩＶＨ２６は、これら複数の誘電体層Ｄ３～Ｄ５の外層側及び内層側のパターン層Ｐ３、Ｐ６にそれぞれ形成された配線パターン１６、１８同士を導通させる。

【0020】

ＬＶＨ２２、２４は、ＩＶＨ２６の表層側の誘電体層Ｄ１、Ｄ２をそれぞれ貫通し、各誘電体層Ｄ１、Ｄ２の表裏面に積層されたパターン層Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３に形成されている、信号伝送用の配線パターン１２－１４、１４－１６同士をそれぞれ導通させる。

【0021】

なお、ＬＶＨは、１つの誘電体層Ｄを貫通し、その誘電体層Ｄを挟んで隣接する２つのパターン層Ｐ間を接続する埋め込みビアであり、穴開けにレーザが用いられる、周知のものである。

【0022】

このため、表層の電子部品１０から出力された高周波信号は、表層の配線パターン１２、ＬＶＨ２２、配線パターン１４、ＬＶＨ２４、配線パターン１６、ＩＶＨ２６を順に通って、内層の配線パターン１８まで伝送される。

【0023】

この伝送経路で生じる高周波信号の反射を抑制して、高周波信号を低損失で伝送するには、伝送経路を構成する配線パターン１２、１４、１６、ＬＶＨ２２、２４、及び、ＩＶＨ２６と、配線パターン１８のインピーダンスを、揃えるようにすればよい。

【0024】

しかし、ＩＶＨ２６は、複数の誘電体層Ｄを挟むように設けられることから、ビアの径と複数の誘電体層Ｄにて構成される絶縁層の厚みの比率により、ＬＶＨ２２、２４に比べてインピーダンスが小さくなる。

【0025】

このため、ＩＶＨ２６のインピーダンスを、特許文献１に記載のように調整しても、表層の配線パターン１２とインピーダンスを整合させることは難しい。
そこで、本実施形態では、ＩＶＨ２６のインピーダンスを調整するのではなく、ＩＶＨ２６のインピーダンスが低いことを前提として、表層の配線パターン１２からＩＶＨ２６に至る伝送経路で生じる反射を低減するようにしている。つまり、表層の配線パターン１２とＩＶＨ２６との間に配置されるＬＶＨ２２、２４のインピーダンスを緩やかに変化させることで、その伝送経路で生じる反射を低減するのである。

【0026】

そして、このために、本実施形態では、ＬＶＨ２２、２４の両端側に配置されるパターン層Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３において、ＬＶＨ２２、２４とその周囲のグラウンドパターンとの間のクリアランスが、内層側ほど小さくなるように調整されている。

【0027】

例えば、図２、図３は、パターン層Ｐ２、Ｐ３におけるＬＶＨ２４とその周囲のグラウンドパターン３２、３３を表している。この図から明らかなように、ＬＶＨ２４とその周囲のグラウンドパターン３２、３３との間のアンチパッドＡＰ１、ＡＰ２の大きさが、外装側のアンチパッドＡＰ１に比べて、内層側のアンチパッドＡＰ２が小さくなるように調整されている。

【0028】

具体的には、各パターン層Ｐ２、Ｐ３において、ＬＶＨ２４の中心からグラウンドパターン３２、３３までのアンチパッドＡＰ１、ＡＰ２の径Φap1、Φap2が、Φap1＞Φap2となるように設定されている。

【0029】

なお、図２、図３は、パターン層Ｐ２、Ｐ３におけるＬＶＨ２４とその周囲のグラウンドパターン３２、３３を表しているが、パターン層Ｐ１、Ｐ２におけるＬＶＨ２２とその周囲のグラウンドパターンとの間のアンチパッドについても、同様に設定される。

【0030】

つまり、これらのアンチパッドの径は、パターン層Ｐ１のアンチパッドの方が、パターン層Ｐ２のアンチパッドよりも大きくなるように設定されている。
以下、このようにパターン層Ｐ１－Ｐ２、Ｐ２－Ｐ３において、ＬＶＨ２２、ＬＶＨ２４の周囲のアンチパッドの径を、表層側よりも内層側の方を小さくして、グラウンドパターンとの間のクリアランスの大きさを調整する理由について説明する。

【0031】

まず、ＬＶＨによって形成される層間線路のインピーダンスＺｏは、ＬＶＨのインダクタンスをＬ、ＬＶＨとグラウンドとの間の結合容量をＣとすると、（１）式で表される。また、結合容量Ｃは、図４に示すように、ＬＶＨとグラウンドパターンとの距離をｄとすると、（２）式で表される。

【0032】

【数1】

【0033】

なお、（２）式において、距離ｄは、図４に示すように、パターン層におけるＬＶＨの径をΦvp、ＬＶＨ周囲のアンチパッドＡＰの径をΦapとすると、「ｄ＝Φap－Φvp／２」として算出される。また、εは、誘電体層の比誘電率を表し、Ｓは、ＬＶＨの端部パターンの面積を表す。

【0034】

そして、（１）、（２）式から、アンチパッドＡＰの径Φapが小さくなると、距離ｄが小さくなり、結合容量Ｃが大きくなって、インピーダンスが小さくなることがわかる。
一方、図５に示すように、表層の配線パターンのインピーダンスをＺ１、ＬＶＨのインピーダンスをＺ２、ＩＶＨのインピーダンスをＺ３とした場合、各インピーダンスＺ１、Ｚ２、Ｚ３が不整合であると、接続部分で高周波信号の反射が生じる。

【0035】

この場合の反射係数γは、（３）式で表される。なお、（３）式は、表層の配線パターンとＬＶＨとの接続部分での反射係数を表しているが、ＬＶＨとＩＶＨとの接続部分での反射係数も同様に算出できる。

【0036】

【数2】

【0037】

この場合、接続部分での反射を抑制するには、ＬＶＨ、ＩＶＨのインピーダンスＺ２、Ｚ３を、表層の配線パターンのインピーダンスＺ１と整合させればよい。表層側のＬＶＨのインピーダンスＺ２は、図２に示すように、ＬＶＨの周囲にグラウンドビアホール４４を設けたり、ＬＶＨとグラウンドパターンとの距離を調整することで、表層の配線パターと整合させることができる。

【0038】

しかし、更に内層側のＩＶＨのインピーダンスＺ２の周囲には、層毎にグラウンドパターンが存在することから、そのグラウンドパターンとの電磁界結合が強く、ＬＶＨに比べてインピーダンスが小さくなってしまう。

【0039】

このため、ＬＶＨのインピーダンスＺ２を、表層の配線パターンのインピーダンスＺ１と同じ８５Ωに設定させることができたとしても、図６の上段に示すように、ＩＶＨのインピーダンスＺ３は、インピーダンスＺ１と整合させることができない。

【0040】

この場合、ＩＶＨのインピーダンスＺ３が５５Ωであるとすると、ＬＶＨとの接続部分での反射係数γは、０．２１４となり、配線パターンへの入力信号Ｖinが１０００ｍＶである場合、接続部分での反射信号Ｖｒは、２１４ｍＶとなる。

【0041】

これに対し、ＬＶＨのインピーダンスＺ２を、表層の配線パターンのインピーダンスＺ１とＩＶＨのインピーダンスＺ３との間の中間値、例えば７０Ωに設定すると、表層の配線パターンとＬＶＨとの接続部分でも反射が生じるようになる。

【0042】

そして、この場合、図６の下段に示すように、表層の配線パターンとＬＶＨとの接続部分での反射係数γ１は０．０９６となり、その接続部分での反射信号Ｖr1は、９６ｍＶとなる。また、ＬＶＨとＩＶＨとの接続部分での反射係数γ２は０．１２となり、その接続部分での反射信号Ｖr2は、１０８ｍＶとなる。

【0043】

従って、この場合、表層の配線パターンからＬＶＨを介してＩＶＨに至る伝送経路で生じる入力信号Ｖinの伝送損失は、Ｖr1＋Ｖr2＝２０４ｍＶとなり、ＬＶＨのインピーダンスＺ２を表層の配線パターンと整合させた場合に比べて、小さくなる。

【0044】

そこで、本実施形態では、ＬＶＨ２２、２４のインピーダンスが、表層の配線パターン１２のインピーダンスとＩＶＨ２６のインピーダンスとの間の中間値で、しかも、表層側のＬＶＨ２２に比べて内蔵側のＬＶＨ２４の方が小さくなるように設定される。

【0045】

但し、この場合、パターン層Ｐ１－Ｐ２、Ｐ２－Ｐ３において、それぞれ、ＬＶＨ２２、２４の両端部分の径と、周囲のアンチパッドＡＰの径を一致させると、図７に示すように、表層の配線パターンからＩＶＨに至る伝送経路でインピーダンスが階段状に変化する。

【0046】

そこで、更に、本実施形態では、パターン層Ｐ１－Ｐ２、Ｐ２－Ｐ３において、ＬＶＨ２２、２４の両端部分の径に対し、周囲のアンチパッドＡＰの径が、表層側から内層側にかけて段階的に小さくなるように設定される。

【0047】

つまり、パターン層Ｐ１－Ｐ２、Ｐ２－Ｐ３において、ＬＶＨ２２、２４と周囲のグラウンドパターンとの間のクリアランスが、表層側から内層側にかけて段階的に小さくなるように設定するのである。

【0048】

この結果、図８に示すように、表層の配線パターン１２からＩＶＨ２６に至る伝送経路では、インピーダンスが、階段状に変化することなく、緩やかに変化するようになり、この伝送経路での高周波信号の反射を、より低減できるようになる。

【0049】

従って、図９に例示するように、伝送信号の波長がλである場合、表層の配線パターン１２からＩＶＨ２６に至る伝送経路の長さを「ｎ×λ／２＋λ／４」に設定することにより、伝送信号の反射損失を抑制して、伝送信号を低損失で伝送することが可能となる。

【0050】

なお、図９において、点線で示す反射特性は、比較例として、ＬＶＨ２２、２４の両端部分周囲のクリアランスを同一にした場合の反射特性であり、本実施形態によれば、伝送信号の反射損失を５ｄＢ以上改善できることがわかる。

【0051】

ところで、本実施形態では、パターン層Ｐ１－Ｐ２、Ｐ２－Ｐ３において、ＬＶＨ２２、２４の周囲のクリアランスを調整することで、ＩＶＨ２６までの伝送経路で生じる反射を抑制するが、伝送信号の反射はＩＶＨ２６と配線パターン１８との接続部分でも発生する。

【0052】

そして、図８に点線で示すように、配線パターン１８のインピーダンスが、表層の配線パターン１２と一致するように設定されていると、ＶＨ２６と配線パターン１８との接続部分で生じる反射が大きくなる。

【0053】

そこで、更に、本実施形態では、配線パターン１８のインピーダンスが、ＩＶＨ２６のインピーダンスと整合するように、調整されている。
つまり、図２～図４に示すように、本実施形態の多層プリント基板１において、ＬＶＨ２２、２４及びＩＶＨ２６を介して接続される配線パターン１２、１４、１６、１８は、２本のマイクロストリップラインを平行に配置した、平衡伝送用の配線パターンである。そして、この平衡伝送用の配線パターンの差動インピーダンスは、２つのマイクロストリップラインの線幅と、配線間隔とを変化させることにより調整できる。

【0054】

このため、内層の配線パターン１８の差動インピーダンスは、各マイクロストリップラインの線幅及び配線間隔を調整することにより、各マイクロストリップラインが接続される２つのＩＶＨ２６の差動インピーダンスと一致するように設定されている。

【0055】

この結果、本実施形態の多層プリント基板１においては、表層の配線パターン１２からＩＶＨ２６までの伝送経路で生じる反射を抑制することができるだけでなく、ＩＶＨ２６と配線パターン１８との間で生じる反射についても抑制することができるようになる。

【0056】

［効果］
以上説明したように、本実施形態の多層プリント基板１によれば、パターン層Ｐ１～Ｐ３において、ＬＶＨ２２、２４と周囲のグラウンドパターンとの間のクリアランスが、内層側ほど小さくなるように設定される。また、内層の配線パターン１８の差動インピーダンスは、この配線パターン１８を構成する２本のマイクロストリップラインが接続される２つのＩＶＨの差動インピーダンスと整合するように調整されている。

【0057】

このため、本実施形態の多層プリント基板１においては、表層の配線パターン１２から内層の配線パターン１８に至る伝送経路で伝送信号が反射するのを抑制して、伝送信号の伝送特性を改善することができる。

【0058】

また、この伝送経路での反射損失を低減するために、ＬＶＨ２２、２４及びＩＶＨ２６のインピーダンスが表層側の配線パターンのインピーダンスと整合されていない状態であっても、伝送信号の反射損失を低減することができる。このため、本実施形態によれば、多層プリント基板１の製造条件や周辺配線の制約を緩くし、設計の自由度を高めることができる。

【0059】

［他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されることなく、種々変形して実施することができる。

【0060】

（ａ）例えば、上記実施形態の多層プリント基板１においては、パターン層Ｐ２、Ｐ３に、ＬＶＨ２２とＬＶＨ２４、及び、ＬＶＨ２４とＩＶＨ２６をそれぞれ接続する２つの配線パターン１４、１６が設けられている。

【0061】

この配線パターン１４、１６の長さは、極めて短くすることができる。しかし、この配線パターン１４、１６の差動インピーダンスが、各配線パターン１４、１６が接続されるＬＶＨ２２、２４及びＩＶＨ２６の端部の差動インピーダンスから乖離していると、伝送信号の反射が大きくなってしまう。

【0062】

このため、配線パターン１４の差動インピーダンスは、ＬＶＨ２２のパターン層Ｐ２側端部の差動インピーダンスと、ＬＨＶ２４のパターン層Ｐ２側端部の差動インピーダンスとの間の中間値となるように設定されてもよい。

【0063】

同様に、配線パターン１６の差動インピーダンスは、ＬＶＨ２４のパターン層Ｐ３側端部の差動インピーダンスと、ＩＨＶ２６のパターン層Ｐ３側端部の差動インピーダンスとの間の中間値となるように設定されてもよい。

【0064】

このようにすれば、配線パターン１４、１６で生じる伝送信号の反射損失についても低減できるようになり、多層プリント基板１において、高周波信号である伝送信号をより低損失で伝送することができるようになる。

【0065】

なお、配線パターン１４、１６の差動インピーダンスの調整は、各配線パターン１４、１６を構成する２本のマイクロストリップラインの間隔を調整することにより行うことができる。

【0066】

（ｂ）また、図１に示すように、配線パターン１８のＩＶＨ２６との接続部分とは異なる箇所には、ＩＶＨと２つのＬＨＶを介して、配線パターン１２とは異なる表層の配線パターンが接続されることがある。

【0067】

このように、配線パターン１８に、表層の配線パターンと接続するためのＩＶＨと２つのＬＨＶが接続される場合には、各パターン層Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３におけるＬＨＶ周囲のアンチパッドの径及びＩＶＨのインピーダンスを、上記と同様に設定すればよい。

【0068】

つまり、このようにすれば、内層の配線パターンから表層の配線パターンに至る伝送経路で生じる伝送信号の反射損失を低減することができる。
（ｃ）上記実施形態では、配線パターン１２～１８は、平衡伝送用の配線パターンであるものとして説明したが、配線パターン１２～１８は、一本のマイクロストリップラインにて構成される不平衡伝送用の配線パターンであってもよい。

【0069】

この場合、各配線パターン１２～１８に接続されるＬＶＨ２２、２４及びＩＶＨ２６は、それぞれ１つ設けられることになり、ＬＶＨ２２、２４及びＩＶＨ２６を構成する２つのビアホールの間隔を調整する必要がないので、設計が容易になる。

【0070】

（ｄ）上記実施形態では、表層の配線パターン１２とＩＶＨ２６との間には、２つのＬＶＨ２２、２４が設けられるものとして説明したが、配線パターン１２とＩＶＨ２６とを接続する、各層毎のＬＶＨの数は、１つであっても、３つ以上であってもよい。

【0071】

（ｅ）上記実施形態における１つの構成要素が有する複数の機能を、複数の構成要素によって実現したり、１つの構成要素が有する１つの機能を、複数の構成要素によって実現したりしてもよい。また、複数の構成要素が有する複数の機能を、１つの構成要素によって実現したり、複数の構成要素によって実現される１つの機能を、１つの構成要素によって実現したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加又は置換してもよい。

【0072】

（ｆ）上述した多層プリント基板の他、当該多層プリント基板を構成要素とするシステム、多層プリント基板のインピーダンス調整方法など、種々の形態で本開示を実現することもできる。

【符号の説明】

【0073】

１…多層プリント基板、１０…電子部品、１２～１８…配線パターン、２２，２４…ＬＶＨ（レーザビアホール）、２６…ＩＶＨ（インナービアホール）、３２，３３…グラウンドパターン、Ｄ１～Ｄ７…誘電体層、Ｐ１～Ｐ８…パターン層。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】