特開 2024-100662 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024100662

(43)【公開日】2024-07-26

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20240719BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201L

H01G4/30 512

H01G4/30 515

H01G4/30 201K

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023127169

(22)【出願日】2023-08-03

(31)【優先権主張番号】10-2023-0006101

(32)【優先日】2023-01-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】尹 秉吉

(72)【発明者】

【氏名】尹 碩▲ヒュン▼

(72)【発明者】

【氏名】金 珍友

(72)【発明者】

【氏名】田 仁浩

(72)【発明者】

【氏名】具 本亨

(72)【発明者】

【氏名】金 世容

(72)【発明者】

【氏名】張 ▲ミン▼禎

(72)【発明者】

【氏名】金 建會

(72)【発明者】

【氏名】李 孝柱

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC04

5E001AC10

5E001AD04

5E001AE01

5E001AE02

5E001AE03

5E001AE04

5E001AF06

5E001AH01

5E001AH05

5E001AH07

5E001AH09

5E001AJ02

5E082AA01

5E082AB03

5E082EE04

5E082EE05

5E082EE18

5E082EE23

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG03

5E082FG04

5E082FG26

5E082FG46

5E082PP03

5E082PP09

(57)【要約】

【課題】常温誘電率、高圧印加時の誘電率、Ｘ７Ｓ特性及び高温高圧印加時のＭＴＴＦが改善された積層型電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記誘電体層は、上記内部電極との界面に隣接した領域である界面部を含み、上記界面部は、原子比率１．０％≦Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦１．５％を満たす領域を含むことができる。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層及び内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置されている外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、前記内部電極との界面に隣接した領域である界面部を含み、
前記界面部は、原子比率１．０％≦Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦１．５％を満たす領域を含む、積層型電子部品。

【請求項2】

前記界面部は、前記内部電極との界面から３０ｎｍ以内の領域である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記誘電体層は、ＢａＴｉＯ_３系主成分及び副成分を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記副成分は、原子価可変アクセプタ元素を含む第１副成分を含み、
前記原子価可変アクセプタ元素は、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち一つ以上を含み、
前記第１副成分に含まれた元素のモル数は、Ｔｉ１００モルに対して０．４モル以上０．５５モル以下である、請求項３に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記副成分は、Ｍｇを含む第２副成分を含み、
前記第２副成分に含まれた元素のモル数は、Ｔｉ１００モルに対して０．３モル以上０．６モル以下である、請求項３に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記副成分は、希土類元素を含む第３副成分を含み、
前記希土類元素は、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｍ、Ｌａ及びＹｂのうち一つ以上を含み、
前記第３副成分に含まれた元素のモル数は、Ｔｉ１００モルに対して１．３モル以上１．５モル以下である、請求項３に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記副成分は、Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも一つを含む第４副成分を含み、
前記第４副成分に含まれた元素のモル数は、Ｔｉ１００モルに対して２．１５モル以上３．１５モル以下である、請求項３に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記誘電体層は、複数の誘電体結晶粒を含み、
前記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも一つは、内側のコア部及び前記コア部の少なくとも一部をカバーするシェル部を含むコア－シェル構造を含み、
前記コア部は、原子比率０％＜Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦０．５％を満たす領域を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記シェル部は、原子比率０．５％＜Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦５．０％を満たす領域を含む、請求項８に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記コア－シェル構造の誘電体結晶粒のうち少なくとも一つのコア部のサイズは、１２０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下である、請求項８に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記複数の誘電体結晶粒の平均サイズは、１４０ｎｍ以上２６０ｎｍ以下である、請求項８に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記誘電体層は、複数の誘電体層を含み、
前記複数の誘電体層のうち少なくとも一つの厚さは、２．１μｍ以上２．５μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

常温誘電率≧３０００、７Ｖ／μｍでのＤＣ－ｂｉａｓ誘電率≧１０００、－５５℃以上１２５℃以下の温度範囲でのＴＣＣ≦±２２％、及び温度１５０℃で電界４２Ｖ／μｍを印加する加速試験条件におけるＭＴＴＦ≧１００時間のうち少なくとも一つの特性を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

複数の誘電体層及び複数の内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置されている外部電極と、を含み、
前記誘電体層は複数の誘電体結晶粒を含み、前記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも一つは、内側のコア部及び前記コア部の少なくとも一部をカバーするシェル部を含むコア－シェル構造を含み、
前記シェル部は、原子比率０．５％＜Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦５．０％を満たす領域を含み、
前記複数の誘電体層のうち少なくとも一つの厚さは、２．１μｍ以上２．５μｍ以下である、積層型電子部品。

【請求項15】

前記誘電体層は、前記内部電極との界面に隣接した領域である界面部を含み、
前記界面部は、原子比率１．０％≦Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦１．５％を満たす領域を含む、請求項１４に記載の積層型電子部品。

【請求項16】

前記界面部は、前記内部電極との界面から３０ｎｍ以内の領域である、請求項１５に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）等の映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話等の様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。

【0003】

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用され得る。コンピュータ、モバイル機器等、各種の電子機器が小型化、高出力化するにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求が増大している。

【0004】

近年、高信頼性を要求する電装用ＭＬＣＣ市場が拡大するにつれて、これに対する需要が急増している。このような電装用ＭＬＣＣは微細電流の制御が重要であり、高温、高湿、外部からの衝撃や振動などの過酷な環境で駆動するために、同一容量に比べて高い定格電圧及び高信頼性が要求される。

【0005】

このようなＭＬＣＣを実現するために様々な添加剤元素を投入しており、添加剤元素の中で原子価固定アクセプタ、原子価可変アクセプタ、希土類が信頼性に多くの影響を及ぼすことが知られている。すなわち、添加剤元素の添加組成比を最適化して信頼性に優れたチップ（ｃｈｉｐ）を作製することがＭＬＣＣ分野の課題解決と見なすことができる。さらに、同じ誘電体組成であっても、微細構造、元素の固溶程度及び分布、並びに工程条件によって特性のばらつきが非常に大きいことが知られており、最適な組成設計に対する重要度は高いといえる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】韓国公開特許公報第１０－２０２２－０１５６２６９号

【特許文献2】韓国公開特許公報第１０－２０２２－０１０３６０１号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、常温誘電率、高圧印加時の誘電率、Ｘ７Ｓ特性及び高温高圧印加時のＭＴＴＦが改善された積層型電子部品を提供することである。

【0008】

但し、本発明が解決しようとするいくつかの課題は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記誘電体層は、上記内部電極との界面に隣接した領域である界面部を含み、上記界面部は、原子比率１．０％≦Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦１．５％を満たす領域を含むことができる。

【0010】

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、複数の誘電体層及び複数の内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記誘電体層は複数の誘電体結晶粒を含み、上記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも一つは、内側のコア部及び上記コア部の少なくとも一部をカバーするシェル部を含むコア－シェル構造を含み、上記シェル部は、原子比率０．５％＜Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦１．０％を満たす領域を含み、上記複数の誘電体層のうち少なくとも一つの厚さは２．１μｍ以上２．５μｍ以下であり得る。

【発明の効果】

【0011】

本発明のいくつかの効果の一つは、常温誘電率が向上したことである。

【0012】

本発明のいくつかの効果の一つは、高圧印加時の誘電率が向上したことである。

【0013】

本発明のいくつかの効果の一つは、Ｘ７Ｓ温度特性を満たすことである。

【0014】

本発明のいくつかの効果の一つは、高温高圧印加時のＭＴＴＦが改善されることである。

【0015】

但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示す。

【図2】内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示す。

【図3】図１のＩ－Ｉ’線に沿った断面図を概略的に示す。

【図4】図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿った断面図を概略的に示す。

【図5】図３のＰ領域の拡大図を概略的に示す。

【図6】誘電体結晶粒の構造を概略的に示す。

【図7】（ａ）は、本発明の一実施形態の誘電体結晶粒にラインプロファイルを実施した領域を表したイメージであり、（ｂ）は、ラインプロファイルを実施した領域のＳｎ含量を示すグラフである。

【図8】（ａ）は、本発明の一実施形態の誘電体結晶粒にラインプロファイルを実施した領域を表したイメージであり、（ｂ）及び（ｃ）は、ラインプロファイルを実施した領域のＳｎ含量を示すグラフである。

【図9】本発明の一実施形態の誘電体層をＳＥＭで撮影したイメージである。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさ等は、より明確な説明のために誇張されることがあり、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。

【0018】

図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されるものではない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素に対しては、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。

【0019】

図面において、第１方向は積層方向又は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。

【0020】

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ’線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図５は、図３のＰ領域の拡大図を概略的に示すものであり、図６は、誘電体結晶粒の構造を概略的に示すものであり、図７（ａ）は、本発明の一実施形態の誘電体結晶粒にラインプロファイルを実施した領域を表したイメージであり、図７（ｂ）は、ラインプロファイルを実施した領域のＳｎ含量を示すグラフであり、図８（ａ）は、本発明の一実施形態の誘電体結晶粒にラインプロファイルを実施した領域を表したイメージであり、図８（ｂ）及び図８（ｃ）は、ラインプロファイルを実施した領域のＳｎ含量を示すグラフであり、図９は、本発明の一実施形態の誘電体層をＳＥＭで撮影したイメージである。

【0021】

以下、図１～図９を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として、積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は、誘電体組成物を利用する様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、又はサーミスタなどにも適用することができる。

【0022】

本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、誘電体層１１１は、内部電極１２１、１２２との界面に隣接した領域である界面部１１１ｂを含み、界面部１１１ｂは１．０％≦Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦１．５％を満たす領域を含むことができる。

【0023】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。

【0024】

より具体的には、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。

【0025】

本体１１０の具体的な形状に特に限定はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

【0026】

本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１及び第２面１、２、第１及び第２面１、２と連結され、第２方向に互いに対向する第３及び第４面３、４、第１～第４面１、２、３、４と連結され、第３方向に互いに対向する第５及び第６面５、６を有することができる。

【0027】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

【0028】

誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り限定されない。一般的に、ペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系材料を使用することができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。

【0029】

また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粉末に、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。

【0030】

一方、ＩＴ用ＭＬＣＣだけでなく、自動車電装用ＭＬＣＣの市場が拡大するにつれて、同一容量帯で定格電圧が高く信頼性に優れた製品の需要が増加している。最近、高信頼性を要求する電装用ＭＬＣＣ市場が拡大し、これに対する需要が急増している。このような電装用ＭＬＣＣは、微細電流の制御が重要であり、高温、高湿、外部からの衝撃や振動などの過酷な環境で駆動するために、同一容量に比べて高い定格電圧及び高信頼性が要求される。

【0031】

一般的に、結晶粒のサイズが小さく粒界が多いほど、誘電体の信頼性が向上することが知られている。ＭＬＣＣ誘電体組成物の添加剤元素の中で、原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）、原子価可変アクセプタ（ｖａｒｉａｂｌｅ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）である遷移金属元素、そして希土類元素（ｒａｒｅ ｅａｒｔｈ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）が信頼性に与える影響は既に広く知られており、一般的に、これらを含む誘電体添加元素組成比の最適化によって信頼性が良好な条件を選定することになる。ＢＭＥ（Ｂａｓｅ Ｍｅｔａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）ＭＬＣＣが産業化される間、信頼性を向上させるための組成の最適化作業が継続的に進められてきた。しかし、同じ誘電体組成であっても、微細構造、添加剤元素の分布と固溶の程度、並びに工程条件によって信頼性に大きな差が生じることがある。

【0032】

より具体的には、現在のＸ５Ｒ、Ｘ７Ｒ、Ｘ８Ｒ、Ｙ５Ｖなどの高容量ＢＭＥ ＭＬＣＣの誘電体は、ＢａＴｉＯ_３母材、或いはＣａ、Ｚｒなどが一部固溶した（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｃａ）Ｏ_３、（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ_３及びＢａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ_３などの母材に、Ｍｇ、Ａｌなどのような原子価固定アクセプタと、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒなどのようなドナー（ｄｏｎｏｒ）としての役割を果たす希土類元素とを共にドーピング（ｃｏ－ｄｏｐｉｎｇ）し、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒのような原子価可変アクセプタ、及び余分なＢａ、並びにＳｉＯ_２或いはこれを含む焼結助剤などの添加剤をさらに添加して焼結した材料に基づいている。還元雰囲気で焼成する場合に高容量ＭＬＣＣの正常な容量及び絶縁特性を実現するためには、粒成長の抑制及び耐還元性を実現しなければならず、Ｍｇのような原子価固定アクセプタを適正量添加することにより、この２つの効果を実現できることが知られている。しかし、Ｍｇのような原子価固定アクセプタのみを添加する場合には、誘電体の耐電圧特性及び信頼性が不十分であり、Ｍｎ及びＶのような原子価可変アクセプタである遷移金属元素と希土類元素とを共に添加することで、耐電圧及び信頼性の向上効果が得られるようになる。前述のように、これらの元素のほとんどは共にドーピング（ｃｏ－ｄｏｐｉｎｇ）されており、ＢａＴｉＯ_３母材結晶粒のシェル（ｓｈｅｌｌ）領域に固溶してコア－シェル（ｃｏｒｅ－ｓｈｅｌｌ）構造を形成し、ＭＬＣＣの温度による安定した容量特性及び信頼性を実現することができる。したがって、これらの添加剤元素が二次相に含まれたまま偏析（ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ）せずにシェル（ｓｈｅｌｌ）領域のＢａＴｉＯ_３結晶格子によく固溶した場合にのみ信頼性が良好であるものと予想できる。

【0033】

本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、優れたＤＣ－ｂｉａｓ特性及び高信頼性が要求される電装用ＭＬＣＣの開発において、副効果を引き起こし得る添加剤の固溶を最小化しながら優れた特性を有する誘電体組成物を提供することができる。

【0034】

本発明の一実施形態において、誘電体層１１１は、内部電極１２１、１２２との界面に隣接した領域である界面部１１１ｂを含むことができる。

【0035】

より具体的には、図５を参照して説明すると、誘電体層１１１は、内部電極１２１、１２２との界面に隣接した領域である界面部１１１ｂと、内部電極１２１、１２２との界面に隣接していない領域である中央部１１１ａとを含むことができる。言い換えれば、誘電体層１１１は、中央部１１１ａと界面部１１１ｂとを含むことができる。

【0036】

このとき、界面部１１１ｂは、原子比率１．０％≦Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦１．５％を満たす領域を含むことができる。

【0037】

ここで、Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）において、それぞれのＢａ、Ｔｉ及びＳｎは、通常の測定方法で検出可能な元素のモル数又はＥＤＳ測定による元素の原子百分率（ａｔ％）の値を代入した結果であり得る。

【0038】

これにより、本発明の目標特性である、常温誘電率≧３０００、７Ｖ／μｍでのＤＣ－ｂｉａｓ誘電率≧１０００、－５５℃以上１２５℃以下の温度範囲でのＴＣＣ≦±２２％、及び温度１５０℃で電界４２Ｖ／μｍを印加する加速試験条件におけるＭＴＴＦ≧１００時間を満たすことができる。

【0039】

界面部１１１ｂは、内部電極１２１、１２２との界面から３０ｎｍ以内の領域を意味することができる。

【0040】

より具体的には、第１内部電極１２１と第２内部電極１２２との間に誘電体層１１１が配置された場合において、誘電体層１１１のうち第１内部電極１２１との界面から誘電体層１１１の中心方向に３０ｎｍ以内の領域を第１界面部と定義することができ、誘電体層１１１のうち第２内部電極１２２との界面から誘電体層１１１の中心方向に３０ｎｍ以内の領域を第２界面部と定義することができる。

【0041】

本発明において、特に事情がない限り、界面部１１１ｂに対する説明は、第１界面部及び第２界面部に対する説明を含むものとする。

【0042】

すなわち、誘電体層１１１のうち、内部電極１２１、１２２との界面から３０ｎｍ以内に、原子比率１．０％≦Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦１．５％を満たす領域が存在することができ、つまり、界面部は、原子比率１．０％≦Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦１．５％を満たす領域を含むことができる。

【0043】

本発明の一実施形態である図８を参照して説明すると、誘電体層と隣接した内部電極との界面でＴＥＭによってラインプロファイル分析したとき、誘電体層方向に３０ｎｍ以内の領域に原子比率１．０％≦Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦１．５％を満たす地点が存在することが確認できる。

【0044】

より具体的に、図８（ａ）のＬｉｎｅ＃１領域にＴＥＭによってラインプロファイル分析を行った図８（ｂ）を参照すると、内部電極と誘電体層との界面に該当するＬｉｎｅ＃１の中央地点（０ｎｍ）を起点として、－１００ｎｍ～０ｎｍの領域は内部電極であり、０ｎｍ～＋１００ｎｍの領域は誘電体層に該当し、界面部である０ｎｍ～＋３０ｎｍの領域に原子比率１．０％≦Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦１．５％を満たすピーク（ｐｅａｋ）形態が存在することが確認できる。

【0045】

同様に、図８（ａ）のＬｉｎｅ＃２の領域にＴＥＭによってラインプロファイル分析を行った図８（ｃ）を参照すると、誘電体層と内部電極との界面に該当するＬｉｎｅ＃２の中心地点（０ｎｍ）を起点として、－１００ｎｍ～０ｎｍの領域は誘電体層であり、０ｎｍ～＋１００ｎｍの領域は内部電極に該当し、界面部である－３０ｎｍ～０ｎｍの領域に原子比率１．０％≦Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦１．５％を満たすピーク（ｐｅａｋ）形態が存在することが確認できる。

【0046】

一方、誘電体層１１１は、複数の誘電体結晶粒を含むことができ、複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも一つは、内側のコア部１１及びコア部１１の少なくとも一部をカバーするシェル部１２を含むコア－シェル構造を含むことができる。

【0047】

言い換えれば、誘電体結晶粒は、コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒１０と、コア－シェル構造を有さない誘電体結晶粒１０’とを含むことができる。

【0048】

ここで、コア部１１は、原子比率０％≦Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦０．５％を満たす領域、より好ましくは、原子比率０％＜Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦０．５％を満たす領域と定義することができる。

【0049】

シェル部１２は、原子比率０．５％＜Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦５．０％を満たす領域、より好ましくは、シェル部１２は原子比率０．５％＜Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦１．０％を満たす領域と定義することができる。

【0050】

図６を参照して、コア部１１及びシェル部１２に含まれた各元素の原子百分率（ａｔ％）を測定する方法について説明すると、任意の一つの誘電体結晶粒１０において、誘電体結晶粒１０の一結晶粒界（ｇｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｙ）と他の結晶粒界とを結ぶ直線のうち、最も長さの長い直線を引いた後、等間隔で９個の点（Ｐ１～Ｐ９）をつけて、Ｐ１～Ｐ９の各点における元素含量をＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いて分析して測定することができる。

【0051】

より具体的に、本発明の一実施形態である図７を参照して説明すると、任意の一つの誘電体結晶粒１０において、一結晶粒界と他の結晶粒界とを結ぶ最も長い直線上に存在する等間隔である９個の点（Ｐ１～Ｐ９）に含まれた元素の原子百分率（ａｔ％）をＳＴＥＭ－ＥＤＳ装置で測定することができる。このとき、原子比率０％≦Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦０．５％を満たす地点であるＰ２～Ｐ７をコア部１１と定義することができ、原子比率０．５％＜Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦５．０％を満たす地点であるＰ１、Ｐ８、Ｐ９をシェル部１２と定義することができる。

【0052】

コア部１１が原子比率０％≦Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦０．５％を満たすか、又はシェル部１２が原子比率０．５％＜Ｓｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）≦５．０％を満たすことにより、本発明の目標特性である、常温誘電率≧３０００、７Ｖ／μｍでのＤＣ－ｂｉａｓ誘電率≧１０００、－５５℃以上１２５℃以下の温度範囲でのＴＣＣ≦±２２％、及び温度１５０℃で電界４２Ｖ／μｍを印加する加速試験条件におけるＭＴＴＦ≧１００時間を満たすことができる効果がある。

【0053】

一方、誘電体結晶粒の平均サイズは特に限定されないが、例えば、１４０ｎｍ以上２６０ｎｍ以下であってもよい。

【0054】

誘電体結晶粒の平均サイズが１４０ｎｍ以上２６０ｎｍ以下である場合、誘電特性に優れることができ、焼結及び粒成長の制御が容易であり得る。

【0055】

ここで、誘電体結晶粒の平均サイズは、誘電体層の任意の領域、例えば、任意の３μｍ×４μｍ（横×縦）の領域をＳＥＭで観察したとき、当該領域に存在する誘電体結晶粒のサイズを測定して平均した値であることができる。このとき、誘電体結晶粒のサイズは、一結晶粒界から他の結晶粒界まで最も長い直線のサイズに該当することができ、前述の方法で測定した誘電体結晶粒のサイズを平均して誘電体結晶粒の平均サイズを計算することができる。

【0056】

より具体的には、本発明の一実施形態である図９を参照して説明すると、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、中央部に位置する任意の一つの誘電体層の中心をＳＥＭによって３μｍ×４μｍサイズのイメージを得た後、当該領域に存在する誘電体結晶粒のサイズを測定し、これらの平均値を計算して求めることができる。前述の方法で測定した誘電体結晶粒の平均サイズは１９４．４８ｎｍであり、最大結晶粒サイズは３９７．７５ｎｍ、最小結晶粒サイズは８１．５０ｎｍであり、標準偏差（Ｓｔｄｅｖ）値は６３．００ｎｍと測定された。標準偏差値を平均値で除した変動係数（ＣＶ：ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｖａｒｉａｔｉｏｎ）値（標準偏差／平均）は０．３２２０であって、これは、誘電体結晶粒のサイズ分布が比較的均一であるものと解釈することができる。

【0057】

誘電体結晶粒のサイズ分布が比較的均一であることにより、信頼性の高い積層型電子部品の提供が可能になる。

【0058】

誘電体結晶粒のサイズ分布が均一であることは、ＢａＴｉＯ_３母材粒子の表面にＳｎをコーティングすることにより、粒成長の制御が容易になった結果であり得、Ｓｎの添加によって信頼性が向上する効果を奏する。

【0059】

また、コア部１１のサイズは特に限定されないが、例えば、１２０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であってもよい。

【0060】

コア部のサイズは、一結晶粒界から他の結晶粒界まで最も長い直線のサイズに該当することができる。

【0061】

一般的に、コア部１１のサイズは、その基礎となる焼成前の母材粉末であるＢａＴｉＯ_３の誘電体粒子サイズに影響を受けることが知られており、１００ｎｍ級の粒子サイズを有するＢａＴｉＯ_３の誘電体粒子を用いる場合、粒成長の制御が容易であり、目標とする誘電特性、電気的特性など、高信頼性を同時に満たすことができる。

【0062】

また、母材粉末の表面にＳｎをコーティングしても、コア部１１の内部への拡散が容易ではないため、誘電特性を低下させることなく、シェル部１２の適正なＳｎ含量を制御して信頼性を向上させることができる。

【0063】

本発明の一実施形態において、誘電体層１１１は誘電体組成物を用いて形成することができ、誘電体組成物はＢａＴｉＯ_３系主成分及び副成分を含むことができる。

【0064】

ここで、誘電体組成物は焼成前の誘電体物質を意味することができ、誘電体層１１１は焼成後の誘電体物質を意味することができる。

【0065】

以下では、誘電体組成物に含まれ得る副成分について具体的に説明する。ここで説明する副成分は、焼成前の添加剤の酸化物又は炭酸塩の投入含量を基準に説明するが、誘電体組成物を焼成した後には、酸化物又は炭酸塩の形態ではない、誘電体物質、例えば、ＢａＴｉＯ_３に固溶又は元素位置（ｓｉｔｅ）を置換した形態で存在することができる。焼成前後の元素基準の含量は、特別な事情がない限り、大きな誤差値を有さないことがあり、焼成後のチップ（ｃｈｉｐ）の状態における元素の含量は、ＳＥＭ－ＥＤＳ又はＴＥＭ－ＥＤＳなどの様々な方法で測定できることは、通常の技術者に自明であるといえる。

【0066】

ａ）第１副成分
本発明の一実施形態によれば、誘電体組成物は、原子価可変アクセプタ元素の酸化物又は炭酸塩のうち一つ以上を含む第１副成分をさらに含み、原子価可変アクセプタ元素は、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＺｎのうち一つ以上を含み、第１副成分に含まれた元素のモル数は、Ｔｉ１００モルに対して０．４モル以上０．５５モル以下であり得る。

【0067】

第１副成分に含まれた原子価可変アクセプタ元素は、誘電体組成物が適用された積層型電子部品の焼成温度の低下及び高温耐電圧特性を向上させる役割を果たすことができる。

【0068】

第１副成分に含まれた元素のモル数が０．４モル未満である場合、温度特性がＸ７Ｓを満たさない可能性があり、ＭＴＴＦも１００時間以下となる可能性がある。第１副成分に含まれた元素のモル数が０．５５モル超過である場合、誘電率が３０００以下に低下するおそれがある。

【0069】

ｂ）第２副成分
本発明の一実施形態によれば、誘電体組成物は、Ｍｇの酸化物又は炭酸塩のうち一つ以上を含む第２副成分をさらに含み、第２副成分に含まれた元素のモル数は、Ｔｉ１００モルに対して０．３モル以上０．６モル以下であり得る。

【0070】

第２副成分のＭｇは高温特性を高める役割を果たすことができる。

【0071】

第２副成分に含まれた元素のモル数が０．３モル未満である場合、ＭＴＴＦが１００時間以下となる可能性がある。第２副成分に含まれた元素のモル数が０．６モル超過である場合、温度特性がＸ７Ｓを満たさない可能性がある。

【0072】

ｃ）第３副成分
本発明の一実施形態によれば、誘電体組成物は、希土類元素の酸化物及び炭酸塩のうち一つ以上を含む第３副成分をさらに含み、希土類元素は、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｍ、Ｌａ及びＹｂのうち一つ以上を含み、第３副成分に含まれた元素のモル数は、Ｔｉ１００モルに対して１．３モル以上１．５モル以下であり得る。このとき、第３副成分に含まれた元素が２種以上である場合、２種以上の元素のモル数を合計した値を意味することができる。

【0073】

第３副成分に含まれた希土類元素は、高温耐電圧特性を向上させる役割を果たすことができる。

【0074】

第３副成分に含まれた元素のモル数が１．３モル未満である場合、ＭＴＴＦが１００時間以下に減少する可能性がある。第３副成分に含まれた元素のモル数が１．５モル超過である場合、誘電率が３０００以下に低下する可能性がある。

【0075】

ｅ）第４副成分
本発明の一実施形態によれば、誘電体組成物は、Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも一つの酸化物又は炭酸塩、及びＳｉを含むガラスのうち一つ以上を含む第４副成分をさらに含み、第４副成分に含まれた元素のモル数は、Ｔｉ１００モルに対して２．１５モル以上３．１５モル以下であり得る。

【0076】

第４副成分に含まれたＳｉ及びＡｌは、焼成緻密度を向上させ、誘電率及びＤｃ－ｂｉａｓ特性を向上させる役割を果たすことができる。

【0077】

第４副成分に含まれた元素のモル数が０．４モル未満である場合、温度特性がＸ７Ｓを満たさない可能性がある。第４副成分に含まれた元素のモル数が０．５５モル超過である場合、誘電率が３０００以下となる可能性がある。

【0078】

以下では、誘電体層１１１に含まれた各元素の含量を測定する方法について説明するが、これに特に限定されるものではない。

【0079】

非破壊工法の場合、ＴＥＭ－ＥＤＳを用いて、チップの中央部で誘電体結晶粒内部の成分を分析することができる。焼結が完了した本体の断面のうち誘電体層を含む領域で集束イオンビーム（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）装置を用いて薄片化された分析試料を準備する。そして、薄片化された試料をＡｒイオンミリングを用いて表面のダメージ層を除去し、その後ＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いて得られたイメージで各成分のマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）と定量分析を行う。この場合、各成分の定量分析グラフは、各元素の質量分率（ｗｔ％）で得られることができるが、これを原子百分率（ａｔ％）又はモル分率（ｍｏｌ％）に換算して表すことができる。

【0080】

また、破壊工法の場合、チップを粉砕して内部電極を除去した後、誘電体層部分を選別し、このように選別された誘電体層を誘導結合プラズマ分光分析器（ＩＣＰ－ＯＥＳ）、誘導結合プラズマ質量分析器（ＩＣＰ－ＭＳ）などの装置を用いて誘電体の成分を分析することができる。

【0081】

誘電体層１１１の厚さｔｄは特に限定する必要はない。

【0082】

但し、積層型電子部品の高容量化を達成するために、誘電体層１１１の厚さは３．０μｍ以下であってもよく、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、誘電体層１１１の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、好ましくは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。

【0083】

ここで、誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。

【0084】

一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向のサイズを意味することができる。また、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0085】

誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層１１１を第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

【0086】

内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層されてもよい。

【0087】

内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１及び第２内部電極１２１、１２２は本体１１０を構成する誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ露出することができる。

【0088】

より具体的には、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出することができ、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体１１０の第３面３には、第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には、第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0089】

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。

【0090】

一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。

【0091】

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に限定されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

【0092】

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法等を使用することができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【0093】

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。

【0094】

但し、積層型電子部品の高容量化を達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。

【0095】

ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向のサイズを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズを意味することがきる。

【0096】

内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの内部電極の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極を第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値であることができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

【0097】

一方、本発明の一実施形態において、複数の誘電体層１１１のうち少なくとも一つの平均厚さｔｄと、複数の内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つの平均厚さｔｅは、２×ｔｅ＜ｔｄを満たすことができる。

【0098】

言い換えれば、一つの誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、一つの内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりも大きいことができる。好ましくは、複数の誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、複数の内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりも大きくてもよい。

【0099】

一般的に、高電圧電装用電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧（ＢＤＶ：Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）の低下による信頼性の問題が主要な問題点である。

【0100】

したがって、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下を防止するために、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりもさらに大きくすることにより、内部電極間の距離である誘電体層の厚さを増加させることができ、絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。

【0101】

誘電体層１１１の平均厚さｔｄが内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍以下である場合には、内部電極間の距離である誘電体層の平均厚さが薄いため、絶縁破壊電圧が低下することがあり、内部電極間の短絡が発生する可能性がある。

【0102】

高電圧電子部品において、内部電極の平均厚さｔｅは１μｍ以下であってもよく、誘電体層の平均厚さｔｄは３．０μｍ以下であってもよいが、必ずしもこれに限定されるものではない。

【0103】

一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。

【0104】

より具体的には、容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

【0105】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0106】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0107】

一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは特に限定する必要はない。

【0108】

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。

【0109】

ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味することができ、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0110】

カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、一つのカバー部をスキャンしたイメージにおいて、第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。

【0111】

また、前述の方法で測定したカバー部の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、カバー部の第１方向の平均サイズと実質的に同じサイズを有することができる。

【0112】

一方、積層型電子部品１００は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるサイドマージン部１１４、１１５を含むことができる。

【0113】

より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４及び本体１１０の第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。

【0114】

サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、第１及び第２内部電極１２１、１２２の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

【0115】

サイドマージン部１１４、１１５は、容量形成部Ａｃに適用されるセラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成される箇所を除き、導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に第３方向に積層して形成することもできる。

【0116】

サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0117】

第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0118】

一方、第１及び第２サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは特に限定する必要はない。

【0119】

但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するためにサイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。

【0120】

ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向のサイズを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味することができ、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができる。

【0121】

サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのサイドマージン部をスキャンしたイメージにおいて、第１方向に等間隔である１０個の地点で第３方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。

【0122】

本発明の一実施形態では、セラミック電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

【0123】

外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結されることができる。

【0124】

より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結される第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0125】

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに、多層構造を有してもよい。

【0126】

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ及び電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ上に配置されるめっき層１３１ｃ、１３２ｃを含むことができる。

【0127】

電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに対するより具体的な例を挙げると、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１導電性金属及びガラスを含む焼成電極であってもよく、第２導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。

【0128】

ここで、第１導電性金属は第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれた導電性金属を意味することができ、第２導電性金属は第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属を意味することができる。このとき、第１導電性金属及び第２導電性金属は同一又は異なってもよく、同じ金属物質を含んでもよいが、特にこれに限定されるものではない。

【0129】

また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であってもよい。

【0130】

また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されてもよく、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

【0131】

電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属としては、電気伝導性に優れた材料を使用することができ、例えば、導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、特にこれらに限定されない。

【0132】

本発明の一実施形態において、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含む２層構造を有することができ、これにより、外部電極１３１、１３２は、導電性金属及びガラスを含む第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び上記第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置され、導電性金属及び樹脂を含む第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0133】

第１電極層１３１ａ、１３２ａは、ガラスを含むことにより本体１１０との接合性を向上させる役割を果たし、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは樹脂を含むことにより曲げ強度を向上させる役割を果たすことができる。

【0134】

第１電極層１３１ａ、１３２ａに使用される導電性金属は、静電容量の形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結できる材質であれば、特に限定されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。第１電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粉末にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することにより形成することができる。

【0135】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されるようにする役割を果たすことができる。

【0136】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結できる材質であれば、特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。

【0137】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、球状粒子及びフレーク状粒子のうち１以上を含むことができる。すなわち、導電性金属はフレーク状粒子のみからなるか、又は球状粒子のみからなることができ、フレーク状粒子と球状粒子とが混合された形態であってもよい。ここで、球状粒子は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粒子とは、平たいかつ細長い形態を有する粒子を意味し、特に限定されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．９５以上であってもよい。球状粒子及びフレーク状粒子の長軸と短軸の長さは、セラミック電子部品の第３方向の中央部で切断した第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして得られたイメージから測定することができる。

【0138】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性の確保及び衝撃吸収の役割を果たす。第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性及び衝撃吸収性を有し、導電性金属粉末と混合してペーストを作製できるものであれば、特に限定されず、例えば、エポキシ系樹脂を含むことができる。

【0139】

また、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、複数の金属粒子、金属間化合物及び樹脂を含むことができる。金属間化合物を含むことにより、第１電極層１３１ａ、１３２ａとの電気的連結性をより向上させることができる。金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。

【0140】

このとき、金属間化合物は、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、金属間化合物が樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を囲むようになる。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。

【0141】

例えば、２１３～２２０℃の融点を有するＳｎを含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ、Ｎｉ又はＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象により湿らせ、Ａｇ、Ｎｉ又はＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、Ｃｕ_３Ｓｎなどの金属間化合物を形成するようになる。反応に関与しなかったＡｇ、Ｎｉ又はＣｕは金属粒子の形態で残る。

【0142】

したがって、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち一つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５及びＣｕ_３Ｓｎのうち一つ以上を含むことができる。

【0143】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃは実装特性を向上させる役割を果たす。

【0144】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｃ、１３２ｃであってもよく、複数の層で形成されてもよい。

【0145】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｃ、１３２ｃはＮｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含むこともできる。

【0146】

以上のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これらも本発明の範囲に属するといえる。

【0147】

以下、実施例を挙げて本発明についてより詳細に説明するが、これは本発明の具体的な理解を助けるためのものであり、本発明の範囲が実施例によって限定されるものではない。

【0148】

（実施例）
主成分母材としては、平均粒子サイズが１００ｎｍであるＢａＴｉＯ_３粉末（パウダー）を使用し、パウダーの表面にＳｎをドーピングして作製した。Ｓｎドーピングは、主成分であるＢａＴｉＯ_３を１００モルとしたとき、０～２．０モルの範囲内で含量を異ならせて様々なサンプルチップを製造できるようにした。

【0149】

ジルコニアビーズ（ｂｅａｄｓ）を混合／分散媒介体（ｍｅｄｉａ）として用い、表１に明示された組成に該当する副成分が含まれた添加剤の原料粉末とＳｎが表面にドーピングされたＢａＴｉＯ_３パウダーを、エタノール／トルエン溶媒、そして分散剤と共に混合して１０時間の間ミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）し、バインダーを混合した後、１０時間の追加ミリングを行った。このようにして製造されたスラリーを使用して、シート製造用成形機を用いて３．０μｍ、３．１μｍ、３．２μｍ、３．３μｍの厚さの成形シートを製造した。成形シートにＮｉ内部電極の印刷を行った。上下部のカバー部は３．０μｍ厚のカバー用シートを３６層積層して作製し、シートの厚さ別に４１５層（厚さ３．１μｍ）、４１０層（厚さ３．２μｍ）、４０５層（厚さ３．３μｍ）の印刷された活性シートを加圧し、積層して圧着されたバー（ｂａｒ）を作製した。圧着バーを、切断機を用いて２０１２（長さ×幅、２．０ｍｍ×１．２ｍｍ）サイズのチップ（ｃｈｉｐ）に切断した。作製が完了した２０１２サイズのＭＬＣＣチップは、仮焼（ｃａｌｃｉｎａｔｉｏｎ）を行った後、還元雰囲気０．３％Ｈ_２／９９．７％Ｎ_２（Ｈ_２Ｏ／Ｈ_２／Ｎ_２雰囲気）で１１５０～１２００℃の温度で保持時間２時間の条件で焼成を行った後、１０６０℃のＮ_２雰囲気で３時間の間再酸化を行った。ここで、０．３％Ｈ_２濃度は酸素分圧測定器で起電力７４１ｍＶの条件に該当する。焼成されたチップにＣｕペーストでターミネーション工程及び電極焼成を経て外部電極を完成した。これにより、焼成後の誘電体の厚さが約２．１～２．５μｍで、誘電体層の数が４１５～４０５層である２０１２サイズのＭＬＣＣチップを作製した。

【0150】

ＭＬＣＣチップの常温静電容量（Ｃ、Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）及び誘電損失（ＤＦ：ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ ｆａｃｔｏｒ）は、ＬＣＲメーターを用いて１ｋＨｚ、ＡＣ０．５Ｖ／μｍの条件で容量を測定した。静電容量とＭＬＣＣチップの誘電体の厚さ、内部電極の面積、積層数からＭＬＣＣチップ誘電体の誘電率を計算した。常温絶縁抵抗は１０個ずつサンプルを取り、ＤＣ１０Ｖ／μｍを印加した状態で６０秒経過後に測定した。温度による静電容量の変化は、－５５℃～１２５℃の温度範囲で測定された。加速寿命評価（ＨＡＬＴ：Ｈｉｇｈｌｙ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｌｉｆｅ Ｔｉｍｅ Ｔｅｓｔ）は、各種類あたり４０個の試験片に対して１５０℃で電界４２Ｖ／μｍに該当する電圧を印加し、故障が発生する時間を測定して平均時間（ＭＴＴＦ： Ｍｅａｎ Ｔｉｍｅ ｔｏ Ｆａｉｌｕｒｅ）を算出した。表２、４、６は、表１、３、５に明示された実施例に該当するプロトタイプチップの特性を示す。

【0151】

本実施例では、Ｎｉ内部電極を適用できる還元雰囲気の焼成条件において、高い容量とＸ７Ｓ容量－温度（ＴＣＣ）特性、そして高い高温信頼性など、これら全ての特性を実現できる誘電体及びこれを適用したＭＬＣＣチップを実現することを目標とする。

【0152】

このための特性判定基準として、常温誘電率≧３０００、７Ｖ／μｍでのＤＣ－ｂｉａｓ誘電率≧１０００、－５５℃以上１２５℃以下の温度範囲でのＴＣＣ≦±２２％、及び温度１５０℃で電界４２Ｖ／μｍを印加する加速試験条件におけるＭＴＴＦ≧１００時間である特性を目標とし、上記特性を全て満たす場合、特性評価においてＯと表記し、特性の一つでも満たしていない場合にはＸと表記した。

【0153】

各元素の添加含量はモル数を基準として表し、ＢａＴｉＯ_３母材１００モルに対して添加された元素のモル数を意味する。例えば、実施例１－１において、第１副成分であるＭｎ、Ｖはそれぞれ０．２ｍｏｌ、０．２５ｍｏｌと記載されているが、これはＢａＴｉＯ_３１００モルに対して、すなわち、Ｔｉに換算すると、Ｔｉ１００モルに対してＭｎを０．２モル、Ｔｉ１００モルに対してＶを０．２モル添加したことを意味する。

【0154】

Ｓｎ含量は、原子比率であるＳｎ／（Ｂａ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）の値を意味し、界面部は、誘電体層のうち内部電極との界面から３０ｎｍ以内の領域を意味する。

【0155】

界面部のＳｎ含量が１．０～１．５％を満たす場合はＯと表記し、満たさない場合はＸと表記した。また、シェル部のＳｎ含量が０．５超過１．０％以下を満たす場合はＯと表記し、満たさない場合はＸと表記した。

【0156】

【表1】

【0157】

【表2】

【0158】

表の実施例１－１、１－２、１－３は、主成分が１００ｍｏｌのＢａＴｉＯ_３であり、母材ＢａＴｉＯ_３の表面にＳｎをそれぞれ０、１、２ｍｏｌドーピングしたものと、第１副成分の元素Ｍｎの含量が０．２ｍｏｌ、元素Ｖの含量が０．２５ｍｏｌ、第２副成分の元素Ｍｇの含量が０．６ｍｏｌ、第４副成分の元素Ｄｙの含量が０．９ｍｏｌ、Ｔｂの含量が０．５ｍｏｌ、第５副成分の元素Ｓｉの含量が１．６５ｍｏｌ、Ａｌの含量が０．４ｍｏｌである試料を焼成雰囲気ＥＭＦ６８０ｍＶ（水素濃度０．１％）で焼成した実施例を示す。表２の１－１、１－２、１－３は、本実施例に該当する試料の特性を示す。ＳｎをＢａＴｉＯ_３の表面にドーピングしていない１－１は、誘電体誘電率が３０００以上であり、Ｘ７Ｓを満たしているが、ＭＴＴＦが１００時間以下と目標特性を満たしていない。実施例１－２は、Ｓｎ１ｍｏｌをＢａＴｉＯ_３の表面にドーピングして作製したものであって、誘電率が３０００以上であり、Ｘ７Ｓを満たし、ＭＴＴＦが１００時間以上となり、目標値を達成することができる。しかし、それを超えたＳｎドーピングでは、特性の実現が不可能である。実施例１－３は、Ｓｎ２ｍｏｌをＢａＴｉＯ_３の表面にドーピングして作製したものであって、誘電率は実施例１－１及び１－２に比べて上昇するものの、Ｘ７ＳとＭＴＴＦを満たしていない。

【0159】

これと同様に、実施例２－３、３－３は、ＢａＴｉＯ_３の表面にＳｎ２ｍｏｌをドーピングして焼成雰囲気ＥＭＦ７４１ｍＶ（水素濃度０．３％）、７６０ｍＶ（水素濃度０．５％）で焼成したものであって、誘電率は目標を満たしているものの、Ｘ７Ｓ及びＭＴＴＦを満たしていない。このことから、目標を達成するために適切なＳｎドーピング（１ｍｏｌ）が必要であることが確認できる。

【0160】

特に、実施例２－２の場合には、ＢａＴｉＯ_３の表面にＳｎ１ｍｏｌをドーピングし、焼成雰囲気ＥＭＦ７４１ｍＶ（水素濃度０．３％）で焼成した試料であって、誘電率は目標を満たしており、Ｘ７Ｓ特性も満し、ＭＴＴＦに最も優れている。

【0161】

【表3】

【0162】

【表4】

【0163】

表３の実施例４－１、４－２、４－３は、Ｓｎを１ｍｏｌドーピングしたＢａＴｉＯ_３を用いてシートの厚さ３．１μｍで作製した後、焼成雰囲気ＥＭＦ７４１ｍＶ（水素濃度０．３％）、焼成温度１１６０～１１７８℃の範囲で焼成した例を示している。作製されたチップの誘電体層の厚さは２．２～２．２５μｍである。これらのサンプルは、誘電率が３２００以上、ＤＣ７Ｖ／μｍでの誘電率が１０００以上、Ｘ７Ｓを満たすものの、ＭＴＴＦが１００時間に至らない。しかし、シートの厚さ３．２、３．３μｍで作製して焼成後の誘電体の厚さが２．２９～２．４６μｍである実施例５－１～５－３、６－１～６－３の場合は誘電率が３０００以上であり、ＤＣ７Ｖ／μｍでの誘電率が１０００以上、Ｘ７Ｓを満たし、ＭＴＴＦが１００時間以上と、目標特性を満たしている。これにより、適切な誘電体層の厚さが特性の実現に必要であることが確認できる。

【0164】

実施例４－１～６－３の内部電極の厚さは１．０μｍ以下を満たし、内部電極の連結性は９０％以上に該当する。具体的には、内部電極の厚さは、実施例４－１が０．７８１μｍ、実施例４－２が０．７９１μｍ、実施例４－３が０．８２３μｍ、実施例５－１が０．８２７μｍ、実施例５－２が０．８０１μｍ、実施例５－３が０．７７１μｍ、実施例６－１が０．８１４μｍ、実施例６－２が０．７８７μｍ、実施例６－３が０．８２４μｍに該当する。

【0165】

【表5】

【0166】

【表6】

【0167】

表５の実施例８－１～８－３、９－１～９－３、１０－１～１０－３、１１－１～１１－３は、主成分ＢａＴｉＯ_３１００ｍｏｌにＳｎを１ｍｏｌドーピングしており、それぞれ第１副成分、第２副成分、第３副成分及び第４副成分の含量変化による実施例を示し、これらの実施例に該当するサンプルの特性を表６に表している。

【0168】

実施例８－１～８－３は、第１副成分であるＭｎ、Ｖの総含量を変更して評価したものであって、合計が０．３８３～０．５４ｍｏｌの範囲である。この結果から、第１副成分の含量範囲は０．４０５～０．５４ｍｏｌの範囲で目標特性の実現が可能である。

【0169】

実施例９－１～９－３は、第２副成分であるＭｇの含量を０．３～０．７５ｍｏｌに変更して評価したものであって、０．７５ｍｏｌでＭＴＴＦ及びその他の目標特性は実現されるもの、Ｘ７Ｓを満たしていない。しかし、０．３～０．６ｍｏｌの範囲では目標特性の実現が可能である。

【0170】

実施例１０－１～１０－３は、第３副成分である希土類元素の総含量が１．４ｍｏｌとなるようにＴｂとＤｙの比率を調節して評価しており、Ｄｙ／Ｔｂが０．５／０．９＝０．５６においてＭＴＴＦが１００時間未満であり、Ｘ７Ｓを満たしておらず、目標特性が実現されない。しかし、Ｄｙ／Ｔｂが０．７／０．７＝１及び０．９／０．５＝１．８では目標特性の実現が可能である。

【0171】

実施例１１－１～１１－３は、第４副成分であるＳｉ含量が１．６５～２．６５ｍｏｌの範囲で評価し、誘電率が３０００以上であり、ＤＣ７Ｖ／μｍでの誘電率が１０００以上、Ｘ７Ｓを満たし、ＭＴＴＦが１００時間以上と、目標特性の実現が可能であることが確認できる。

【0172】

本発明において使用された「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態に説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明と理解することができる。

【0173】

本発明において使用された用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0174】

１０、１０’：誘電体結晶粒
１１：コア部
１２：シェル部
１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】