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特開2024-100664複合金属材料、及びそれを含む高熱伝導率の低温はんだペースト
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024100664
(43)【公開日】2024-07-26
(54)【発明の名称】複合金属材料、及びそれを含む高熱伝導率の低温はんだペースト
(51)【国際特許分類】
B22F 1/00 20220101AFI20240719BHJP
B22F 1/17 20220101ALI20240719BHJP
B22F 1/052 20220101ALI20240719BHJP
B22F 1/065 20220101ALI20240719BHJP
B23K 35/26 20060101ALI20240719BHJP
B23K 35/363 20060101ALI20240719BHJP
C22C 9/06 20060101ALI20240719BHJP
C22C 9/00 20060101ALI20240719BHJP
C22C 9/02 20060101ALI20240719BHJP
C22C 12/00 20060101ALI20240719BHJP
B23K 35/30 20060101ALI20240719BHJP
B23K 1/00 20060101ALI20240719BHJP
【ＦＩ】
B22F1/00 L
B22F1/17
B22F1/052
B22F1/065
B23K35/26 310C
B23K35/26 310A
B23K35/363 C
B23K35/363 E
C22C9/06
C22C9/00
C22C9/02
C22C12/00
B23K35/30 310C
B23K1/00 330A
B23K1/00 310Z
【審査請求】有
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023132886
(22)【出願日】2023-08-17
(31)【優先権主張番号】202310064390.8
(32)【優先日】2023-01-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(71)【出願人】
【識別番号】523313702
【氏名又は名称】シアメン ジッシュウ ソルダー ペイスト カンパニー リミテッド
(71)【出願人】
【識別番号】504458976
【氏名又は名称】厦▲門▼大学
(74)【代理人】
【識別番号】110000671
【氏名又は名称】ＩＢＣ一番町弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】シューザン ジェン
(72)【発明者】
【氏名】ジハオ ザン
(72)【発明者】
【氏名】ジシエン シン
(72)【発明者】
【氏名】グワンシン ワン
(72)【発明者】
【氏名】シチン リ
【テーマコード（参考）】
4K018
【Ｆターム（参考）】
4K018BA02
4K018BA20
4K018BB03
4K018BB04
4K018BC22
4K018BD04
4K018BD10
4K018KA32
(57)【要約】 （修正有）
【課題】複合金属材料、及びそれを含む高熱伝導率の低温はんだペーストを提供する。
【解決手段】複合金属材料は、Ｃｕコア／Ａｇ中間層／Ｓｎシェル型金属粉末（Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎ）、又はＣｕコア／Ｎｉ中間層／Ｓｎシェル型金属粉末（Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎ）であり、その粒径が２０μｍ～６０μｍであり、該複合金属材料をＳｎ－Ｂｉ系合金粉末とフラックスと混合した後、高熱伝導率の低温はんだペーストが形成され、この低温はんだペーストは、数種の基板の溶接に適用でき、溶接温度が１５０℃以下の低温溶接に適合する。本発明に記載の複合金属材料は、プロセスがシンプルで、コストが低く、実用性が高く、現在市販されるはんだペーストの熱伝導率が低いため、電源デバイスのチップをボンディングした後の放熱性が悪いという問題を解決する。
【選択図】図３
【解決手段】複合金属材料は、Ｃｕコア／Ａｇ中間層／Ｓｎシェル型金属粉末（Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎ）、又はＣｕコア／Ｎｉ中間層／Ｓｎシェル型金属粉末（Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎ）であり、その粒径が２０μｍ～６０μｍであり、該複合金属材料をＳｎ－Ｂｉ系合金粉末とフラックスと混合した後、高熱伝導率の低温はんだペーストが形成され、この低温はんだペーストは、数種の基板の溶接に適用でき、溶接温度が１５０℃以下の低温溶接に適合する。本発明に記載の複合金属材料は、プロセスがシンプルで、コストが低く、実用性が高く、現在市販されるはんだペーストの熱伝導率が低いため、電源デバイスのチップをボンディングした後の放熱性が悪いという問題を解決する。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
コアがＣｕ、中間層がＡｇ又はＮｉ、シェル層がＳｎの３層のコアシェル構造であり、直径が２０μｍ～６０μｍの球形であることを特徴とする、複合金属材料。
【請求項2】
前記コアの直径は、１５μｍ～６０μｍであり、前記中間層の厚さは、０．５μｍ～２μｍであり、前記シェル層の厚さは、０．５μｍ～２μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の複合金属材料。
【請求項3】
重量部で、Ｃｕは、総重量の６０％～９８％を占め、Ａｇ又はＮｉは、総重量の１％～２０％を占め、Ｓｎは、総重量の１％～２０％を占めることを特徴とする、請求項１又は２に記載の複合金属材料。
【請求項4】
請求項１に記載の複合金属材料、Ｓｎ－Ｂｉ系合金粉末及びフラックスを含み、前記複合金属材料は、総重量の１０％～３０％を占め、前記Ｓｎ－Ｂｉ系合金粉末は、総重量の１０％～３０％を占めることを特徴とする、高熱伝導率の低温はんだペースト。
【請求項5】
前記フラックスは、中低温用無鉛ロジン系フラックスであり、
前記Ｓｎ－Ｂｉ系合金粉末は、粒径が２０μｍ～６０μｍの亜共晶Ｓｎ－Ｂｉ合金粉末、共晶Ｓｎ－５８Ｂｉ合金粉末及び過共晶Ｓｎ－Ｂｉ合金粉末のうちの少なくとも１つから選択されることを特徴とする、請求項４に記載の高熱伝導率の低温はんだペースト。
前記Ｓｎ－Ｂｉ系合金粉末は、粒径が２０μｍ～６０μｍの亜共晶Ｓｎ－Ｂｉ合金粉末、共晶Ｓｎ－５８Ｂｉ合金粉末及び過共晶Ｓｎ－Ｂｉ合金粉末のうちの少なくとも１つから選択されることを特徴とする、請求項４に記載の高熱伝導率の低温はんだペースト。
【請求項6】
初期融点が１３８～１４０℃、ピーク温度が１４０～１４５℃、熱伝導率が５０～５５Ｗ／（ｍ・Ｋ）の少なくとも一つを満たすことを特徴とする、請求項５に記載の高熱伝導率の低温はんだペースト。
【請求項7】
請求項４～６のいずれか一項に記載の高熱伝導率の低温はんだペーストで溶接することによって得られる、装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子溶接の技術分野に関し、複合金属材料、及びそれを含む高熱伝導率の低温はんだペーストに関するものである。
【背景技術】
【0002】
電子製品の超大規模集積化と小型化の進展に伴い、チップの配線密度は急激に増加し、この背景下、はんだペーストは表面実装技術（ＳＭＴ）における最も重要な接続材料となっている。しかし、高出力デバイスは発熱量が大きくて作動温度が高いため、チップボンディングに使用される針状材料の熱伝導率に新たな課題が生じている。従って、高熱伝導率の針状材料の開発は重要な研究課題となっている。
【0003】
従来のはんだペーストは、錫銀銅（ＳＡＣ）系合金を溶接材料として使用することが一般的であり、溶接温度は通常２４０℃以上である必要があり、電子デバイスの溶接プロセスではデバイスの変形などの問題が発生しやすくなり、従って、現在、Ｓｎ－Ｂｉ系合金を低温溶接材料として使用するはんだペーストが主流であり、ここで、共晶点Ｓｎ－５８Ｂｉ合金の融点は１３８℃である。Ｓｎ－Ｂｉ系合金中のＢｉの含有量は融点に大きな影響を与え、Ｂｉの含有量が５８ｗｔ％未満の場合、合金の融点は１３８℃よりも高くなるが、そうでない場合、合金の融点が１３８℃以下である。
【0004】
一方で、従来の該系の合金は凝固中に硬くて脆いＢｉを偏析させ、その結果、熱伝導率と引張強度が低くなり、機械的落下衝撃耐性も低下する。その一方で、Ｂｉの含有量を低減すると、熱伝導率が向上するが、合金の融点が上昇するため、銅管の溶接は、１４０℃以下で行う必要があり、図１に示すように、銅管と放熱装置ははんだでろう付けされるが、銅管の熱量を放熱装置に伝えて冷却するために、はんだの熱伝導率を高める必要があり、同時に、銅管の熱膨張の影響を受けるため、溶接温度は１５０℃以下である。銅管を放熱装置に溶接するために、はんだは、１４０℃以下で溶融する必要があり、そうでない場合、銅管内の液体は爆発する危険がある。
【0005】
従って、高熱伝導率の低温はんだの開発は非常に重要である。
【0006】
複合はんだとは、従来のはんだにマイクロ・ナノ粒子、希元素、及び多孔質金属などの材料を加え、性能を高めた新規なはんだである。近年、複合はんだバンプは、従来のはんだバンプにおける重要な特性、特にせん断強度、熱安定性、金属間化合物の成長、相核生成の観点から、学界と産業界の両方で大きな注目を集めている。揚州大学のＹａｎｇ Ｌｉｕらによる研究では、Ｓｎ５８Ｂｉ合金に多孔質のＣｕ発泡体シートを追加すると、Ｓｎ５８Ｂｉ合金の熱伝導率を４１．３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）に高めることができ、しかし、該方法で使用されるＣｕ発泡体のコストは高く、得られたシート構造をそのままはんだペーストの製造に使用することはできない（Ｌｉｕ， Ｙａｎｇ， ｅｔ ａｌ． Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ：Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ． ２０２０， ３１， ８２５８－８２６７．）。ハルビン理工大学のＨａｏ Ｚｈａｎｇらによる研究では、Ｓｎ５８Ｂｉはんだペーストには、５ｗｔ．％の直径５μｍのＣｕ粒子を加えると、Ｓｎ５８Ｂｉはんだ層の熱伝導率を１８．８９Ｗ／（ｍ・Ｋ）から２６．６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）まで高め、ＬＥＤパッケージの面では、熱学性能に優れた（Ｈａｏ Ｚｈａｎｇ， ｅｔ ａｌ． Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ：Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ． ２０１９， ３０：３４０-３４７）。ハルビン工業大学の陳広濤らは、Ｃｕ＠Ｓｎコアシェル構造のはんだを提供するＨｏｎｇｔａｏ Ｃｈｅｎ， Ｔｉａｎｑｉ Ｈｕ， ｅｔ ａｌ． ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｐｏｗｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ． ２０１７， ３２（１）： ４４１－５１．）。Ｃｕ粒子の表面にＳｎをメッキすることによってＣｕ＠Ｓｎコアシェル金属粒子形成し、次に、Ｃｕ＠Ｓｎコアシェル金属粒子を、Ｃｕ－Ｃｕ接続のために３０ＭＰａの圧力下で４００±２０μｍの複合はんだシートにプレスする。大量のＣｕコアが存在するため、複合はんだシートの熱伝導率は１２７．９９～１５４．２６Ｗ／（ｍ・Ｋ）に達する。しかし、該複合はんだシートは、Ｓｎ層を溶融させ、はんだ内のＣｕボールを相互に接続するために、２５０℃で溶接する必要があり、外層のＳｎは、高再溶融温度を持つＣｕ－Ｓｎ金属間化合物に変化し、その結果、溶接継目は高温に耐え、熱サイクルに耐える機能を備え、１５０℃の低温接続には適しない。従って、はんだペーストに適用する低融点、高熱伝導率のはんだの開発は十分に重要である。
【発明の概要】
【0007】
本発明の目的は、従来技術の不足を克服するために、複合金属材料を提供することであり、該金属材料は、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末、又はＣｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末であり、還流過程では、Ｓｎシェル層は溶融せず、又は溶融の限りがあるため、Ｃｕコア及びＡｇ、Ｎｉ中間層は溶解せず、又は少量で溶解することを確保し、内層の高耐熱性の金属間化合物Ｃｕ６Ｓｎ５の生成を低減し、Ｓｎ－Ｂｉ系はんだの熱伝導率を８５℃で２１．４Ｗ／（ｍ・Ｋ）から５０．８２Ｗ／（ｍ・Ｋ）まで高めることができ、はんだの融点は１３８．９℃だけであり、低温溶接に適合し、はんだの高熱伝導率と低融点の矛盾を解決し、熱伝導率と低温溶融の両立を実現する。
【0008】
本発明は、上記の複合金属材料を含む高熱伝導率の低温はんだペーストを更に提供し、それは、実用性が高く、現在市販されるはんだペーストの熱伝導率が低いため、電源デバイスのチップをボンディングした後の放熱性が悪いという問題を解決する。
【0009】
具体的な技術的解決手段は、以下のとおりである。
【0010】
前記複合金属材料は、直径が２０μｍ～６０μｍの球形であり、また、コアがＣｕ、中間層がＡｇ又はＮｉ、シェル層がＳｎの３層のコアシェル構造である。特定の実施例では、複合金属材料は、完璧な球形であり、その直径は、２５～５５μｍ、例えば、３０μｍ、３５μｍ、４０μｍ、４２μｍ、４５μｍ、４８μｍ、５０μｍ、５２μｍ、５４μｍであり得る。上記の構造を有する複合金属材料は、良好な構造安定性を有し、はんだの面では、はんだの熱伝導率を向上させる役割を果たし、その結果、製品の熱伝導性を向上させる。
【0011】
更に、前記コアの直径は、１５μｍ～６０μｍ、好ましくは、２０～５０μｍであり、それは、２５μｍ、３０μｍ、３３μｍ、３５μｍ、３８μｍ、４０μｍ、４５μｍ、４８μｍであり得、前記中間層の厚さは、０．５μｍ～２μｍ、好ましくは、０．８～１．８μｍであり、それは、１．０μｍ、１．２μｍ、１．４μｍ、１．５μｍ、１．６μｍ、１．７μｍであり得、前記シェル層の厚さは、０．５μｍ～２μｍ、好ましくは、０．８～１．８μｍであり、それは、０．９μｍ、１．０μｍ、１．２μｍ、１．３μｍ、１．４μｍ、１．５μｍ、１．６μｍ、１．７μｍであり得る。３層の厚さで最適化された複合金属材料を使用すると、コアへの保護作用を効果的に果たすことができ、また、加熱時、Ｃｕ６Ｓｎ５の形成を効果的に防止し、その結果、はんだの熱伝導率を大幅に向上させる。
【0012】
更に、前記複合金属材料では、重量部で、Ｃｕは、総重量の６０％～９８％、好ましくは、総重量の６５－９５％を占め、それは、７０％、７３％、７５％、７６％、７８％、８０％、８２％、８５％、８８％、９０％であり得、Ａｇ又はＮｉは、総重量の１％～２０％、好ましくは、総重量の３～１８％を占め、それは、４％、６％、８％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％であり得、Ｓｎは、総重量の１％～２０％、好ましくは、総重量の３～１８％を占め、それは、４％、６％、８％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％であり得る。３種類の元素を重量部で配合することにより、はんだの熱伝導率を向上させながら、１３９℃の低温下で溶接を完了することができ、はんだの熱伝導率を向上させる。
【0013】
前記複合金属材料の製造方法も本発明の保護範囲に属し、前記複合金属材料は、Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコルシェル金属粉末であり、その製造プロセスは、
Ｃｕ粉末を取り出して酸洗浄し、蒸留水中に分散させて混合溶液Ａを形成するステップＳ１と、
還元剤及び安定剤を前記溶液Ａに加え、超音波分散した後にオレイルアミンを加えて混合溶液Ｂを得て、前記混合溶液Ｂを反応釜中に入れて加熱反応させ、反応生成物を収集し、前記反応生成物をすすぎ洗いし、次に、蒸留水中に分散させて混合溶液Ｃを得るステップＳ２と、
錯化剤、光沢剤、硝酸銀及びｐＨ調整剤を前記混合溶液Ｃ中に加え、均一に混合した後、混合溶液Ｄを得て、前記混合溶液Ｄを保温反応させ、反応生成物を収集し、すすぎ洗いし、次に、蒸留水中に分散させて混合溶液Ｅを得るステップＳ３と、
分散剤、配位剤及びＳｎ粉末を前記混合溶液Ｅ中に加え、撹拌反応させ、反応終了後、生成物を収集し、すすぎ洗いし、乾燥させると、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得るステップＳ４とを含む。
Ｃｕ粉末を取り出して酸洗浄し、蒸留水中に分散させて混合溶液Ａを形成するステップＳ１と、
還元剤及び安定剤を前記溶液Ａに加え、超音波分散した後にオレイルアミンを加えて混合溶液Ｂを得て、前記混合溶液Ｂを反応釜中に入れて加熱反応させ、反応生成物を収集し、前記反応生成物をすすぎ洗いし、次に、蒸留水中に分散させて混合溶液Ｃを得るステップＳ２と、
錯化剤、光沢剤、硝酸銀及びｐＨ調整剤を前記混合溶液Ｃ中に加え、均一に混合した後、混合溶液Ｄを得て、前記混合溶液Ｄを保温反応させ、反応生成物を収集し、すすぎ洗いし、次に、蒸留水中に分散させて混合溶液Ｅを得るステップＳ３と、
分散剤、配位剤及びＳｎ粉末を前記混合溶液Ｅ中に加え、撹拌反応させ、反応終了後、生成物を収集し、すすぎ洗いし、乾燥させると、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得るステップＳ４とを含む。
【0014】
更に、ステップＳ１では、粒径が１５μｍ～６０μｍのＣｕ粉末をふるいで選択し、超音波酸洗浄し、次に、蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、Ｃｕ粉末の濃度は、１ｇ／ｍＬ～３ｇ／ｍＬ、例えば、１．５ｇ／ｍＬ、２．０ｇ／ｍＬであり得、好ましくは、酸洗浄には、硝酸、塩酸又は硫酸のうちの任意の１つを使用し、質量濃度が２％～５％であり、
任意選択で、ステップＳ２における前記還元剤は、ギ酸ナトリウム、ギ酸カリウム及びギ酸カルシウムのうちの１つから選択されるギ酸塩であり、前記混合溶液Ｂ中の前記還元剤の濃度は、０．１ｇ／ｍＬ～０．２ｇ／ｍＬであり、前記安定剤は、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、グリセリン及びプロピレングリコールのうちの１つから選択され、前記安定剤の添加量は、前記混合溶液Ｂの体積の６０～８０％を占め、オレイルアミンの添加量は、前記混合溶液Ｂの体積の３～６％を占め、好ましくは、前記加熱反応は、１２０℃～２００℃で１０時間～２０時間保温し、保温中に１００周り／分間～５００周り／分間の速度で磁気撹拌することであり、前記すすぎ洗いは、蒸留水とエタノールで交互に２～３回すすぎ洗いすることであり、前記混合溶液Ｃの濃度は、５ｇ／ｍＬ～１０ｇ／ｍＬであり、
任意選択で、ステップＳ３における前記錯化剤は、Ｎ－β－ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、イミダゾール、クエン酸、酒石酸及びグルコン酸のうちの少なくとも１つから選択され、前記混合溶液Ｄ中の前記錯化剤の濃度は、０．０３ｇ／ｍＬ～０．０５ｇ／ｍＬであり、前記光沢剤は、グリセリン、エチレングリコール及びグリシンのうちの１つから選択され、前記混合溶液Ｄ中の前記光沢剤の濃度は、０．００３ｇ／ｍＬ～０．００５ｇ／ｍＬであり、前記混合溶液Ｄ中の硝酸銀の濃度は、０．００４ｇ／ｍＬ～０．００６ｇ／ｍＬであり、前記ｐＨ調整剤は、硝酸及び塩酸のうちの少なくとも１つから選択され、前記混合溶液ＤのｐＨを３～４に調整し、好ましくは、前記保温反応は、４０℃～７０℃で２分間～８分間保温し、保温中に１００周り／分間～２００周り／分間の速度で磁気撹拌することであり、前記混合溶液Ｅの濃度は、０．１ｇ／ｍＬ～０．３ｇ／ｍＬであり、
任意選択で、ステップＳ４では、前記分散剤は、パラフィン、ポリビニルピロリドン及びポリエチレングリコールのうちの少なくとも１つから選択され、前記混合溶液Ｅ中の前記分散剤の濃度は、１ｇ／ｍＬ～０．２ｇ／ｍＬであり、前記配位剤は、チオシアン酸アンモニウム、及びチオ尿素のうちの少なくとも１つから選択され、前記混合溶液Ｅ中の前記配位剤の濃度は、０．１ｇ／ｍＬ～０．２ｇ／ｍＬであり、前記混合溶液Ｅ中のＳｎ粉末の濃度は、０．０３ｇ／ｍＬ～０．０６ｇ／ｍＬであり、好ましくは、前記撹拌反応は、１００周り／分間～２００周り／分間の速度で室温で５～１０分間撹拌することであり、生成物を収集し、蒸留水で２～３回すすぎ洗いし、５０～７０℃で３０～６０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得る。
任意選択で、ステップＳ２における前記還元剤は、ギ酸ナトリウム、ギ酸カリウム及びギ酸カルシウムのうちの１つから選択されるギ酸塩であり、前記混合溶液Ｂ中の前記還元剤の濃度は、０．１ｇ／ｍＬ～０．２ｇ／ｍＬであり、前記安定剤は、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、グリセリン及びプロピレングリコールのうちの１つから選択され、前記安定剤の添加量は、前記混合溶液Ｂの体積の６０～８０％を占め、オレイルアミンの添加量は、前記混合溶液Ｂの体積の３～６％を占め、好ましくは、前記加熱反応は、１２０℃～２００℃で１０時間～２０時間保温し、保温中に１００周り／分間～５００周り／分間の速度で磁気撹拌することであり、前記すすぎ洗いは、蒸留水とエタノールで交互に２～３回すすぎ洗いすることであり、前記混合溶液Ｃの濃度は、５ｇ／ｍＬ～１０ｇ／ｍＬであり、
任意選択で、ステップＳ３における前記錯化剤は、Ｎ－β－ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、イミダゾール、クエン酸、酒石酸及びグルコン酸のうちの少なくとも１つから選択され、前記混合溶液Ｄ中の前記錯化剤の濃度は、０．０３ｇ／ｍＬ～０．０５ｇ／ｍＬであり、前記光沢剤は、グリセリン、エチレングリコール及びグリシンのうちの１つから選択され、前記混合溶液Ｄ中の前記光沢剤の濃度は、０．００３ｇ／ｍＬ～０．００５ｇ／ｍＬであり、前記混合溶液Ｄ中の硝酸銀の濃度は、０．００４ｇ／ｍＬ～０．００６ｇ／ｍＬであり、前記ｐＨ調整剤は、硝酸及び塩酸のうちの少なくとも１つから選択され、前記混合溶液ＤのｐＨを３～４に調整し、好ましくは、前記保温反応は、４０℃～７０℃で２分間～８分間保温し、保温中に１００周り／分間～２００周り／分間の速度で磁気撹拌することであり、前記混合溶液Ｅの濃度は、０．１ｇ／ｍＬ～０．３ｇ／ｍＬであり、
任意選択で、ステップＳ４では、前記分散剤は、パラフィン、ポリビニルピロリドン及びポリエチレングリコールのうちの少なくとも１つから選択され、前記混合溶液Ｅ中の前記分散剤の濃度は、１ｇ／ｍＬ～０．２ｇ／ｍＬであり、前記配位剤は、チオシアン酸アンモニウム、及びチオ尿素のうちの少なくとも１つから選択され、前記混合溶液Ｅ中の前記配位剤の濃度は、０．１ｇ／ｍＬ～０．２ｇ／ｍＬであり、前記混合溶液Ｅ中のＳｎ粉末の濃度は、０．０３ｇ／ｍＬ～０．０６ｇ／ｍＬであり、好ましくは、前記撹拌反応は、１００周り／分間～２００周り／分間の速度で室温で５～１０分間撹拌することであり、生成物を収集し、蒸留水で２～３回すすぎ洗いし、５０～７０℃で３０～６０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得る。
【0015】
本発明の別の態様として、前記複合金属材料は、Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコルシェル金属粉末であり、その製造プロセスは、
Ｃｕ粉末を取り出して酸洗浄し、蒸留水中に分散させて混合溶液Ａを形成するステップＰ１と、
還元剤及び安定剤を前記溶液Ａに加え、超音波分散した後にオレイルアミンを加えて混合溶液Ｂを得て、前記混合溶液Ｂを反応釜中に入れて加熱反応させ、反応生成物を収集し、前記反応生成物をすすぎ洗いし、生成物Ｃを得るステップＰ２と、
ニッケル塩、還元剤、安定剤、促進剤及びｐＨ調整剤を深共晶溶媒に加え、溶解した後にメッキ液Ｄを得るステップＰ３であって、前記深共晶溶媒は、水素結合受容体と水素結合供与体との混合物で構成されるステップＰ３と、
前記生成物Ｃを前記メッキ液Ｄ中に入れ、無電解ニッケルメッキし、メッキ終了後、生成物を収集し、すすぎ洗いし、次に、蒸留水中に分散させて混合溶液Ｆを得るステップＰ４と、
分散剤、配位剤及びＳｎ粉末を前記混合溶液Ｆ中に加え、撹拌反応させ、反応終了後、生成物を収集し、すすぎ洗いし、乾燥させると、Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得るステップＰ５とを含む。
Ｃｕ粉末を取り出して酸洗浄し、蒸留水中に分散させて混合溶液Ａを形成するステップＰ１と、
還元剤及び安定剤を前記溶液Ａに加え、超音波分散した後にオレイルアミンを加えて混合溶液Ｂを得て、前記混合溶液Ｂを反応釜中に入れて加熱反応させ、反応生成物を収集し、前記反応生成物をすすぎ洗いし、生成物Ｃを得るステップＰ２と、
ニッケル塩、還元剤、安定剤、促進剤及びｐＨ調整剤を深共晶溶媒に加え、溶解した後にメッキ液Ｄを得るステップＰ３であって、前記深共晶溶媒は、水素結合受容体と水素結合供与体との混合物で構成されるステップＰ３と、
前記生成物Ｃを前記メッキ液Ｄ中に入れ、無電解ニッケルメッキし、メッキ終了後、生成物を収集し、すすぎ洗いし、次に、蒸留水中に分散させて混合溶液Ｆを得るステップＰ４と、
分散剤、配位剤及びＳｎ粉末を前記混合溶液Ｆ中に加え、撹拌反応させ、反応終了後、生成物を収集し、すすぎ洗いし、乾燥させると、Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得るステップＰ５とを含む。
【0016】
更に、ステップＰ１では、粒径が１５μｍ～６０μｍのＣｕ粉末をふるいで選択し、超音波酸洗浄し、次に、蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、Ｃｕ粉末の濃度は、１ｇ／ｍＬ～３ｇ／ｍＬであり、好ましくは、酸洗浄には、硝酸、塩酸又は硫酸のうちの任意の１つを使用し、質量濃度が２％～５％であり、
任意選択で、ステップＳ２における前記還元剤は、ギ酸ナトリウム、ギ酸カリウム及びギ酸カルシウムのうちの１つから選択されるギ酸塩であり、前記混合溶液Ｂ中の前記還元剤の濃度は、０．１ｇ／ｍＬ～０．２ｇ／ｍＬであり、前記安定剤は、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、グリセリン及びプロピレングリコールのうちの１つから選択され、前記安定剤の添加量は、前記混合溶液Ｂの体積の６０～８０％を占め、オレイルアミンの添加量は、前記混合溶液Ｂの体積の３～６％を占め、好ましくは、前記加熱反応は、１２０℃～２００℃で１０時間～２０時間保温し、保温中に１００周り／分間～５００周り／分間の速度で磁気撹拌することであり、前記すすぎ洗いは、蒸留水とエタノールで交互に２～３回すすぎ洗いすることであり、前記混合溶液Ｃの濃度は、５ｇ／ｍＬ～１０ｇ／ｍＬであり、
任意選択で、ステップＰ３における前記ニッケル塩は、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、酢酸ニッケル及びスルファミン酸ニッケルのうちの１つ以上の組み合わせであり、濃度範囲は、５～５０ｇ／Ｌであり、前記還元剤は、ヒドラジン、次亜リン酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム及びジメチルアミンボランのうちの１つから選択され、濃度範囲は、１～３０ｇ／Ｌであり、前記安定剤は、ホウ酸、クエン酸、乳酸、酒石酸カリウムナトリウム及びエデト酸二ナトリウムのうちの１つ以上であり、濃度範囲は０．５～１５ｇ／Ｌであり、前記促進剤は、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ－メチルジエタノールアミン及びＮ，Ｎ－ジメチルエタノールアミンのうちの１つ以上であり、濃度範囲は５～２０ｇ／Ｌであり、前記ｐＨ調整剤は、５ｗｔ％水酸化ナトリウム－エチレングリコール溶液であり、そのｐＨ範囲は、７．０～１４．０であり、好ましくは、前記深共晶溶媒中の前記水素結合受容体は、塩化コリン、塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム及びそれらの誘導体のうちの１つ以上の組み合わせであり、前記水素結合供与体は、ポリオール、アミド及びカルボン酸のうちの１つ又は２つの組み合わせであり、前記水素結合受容体と前記水素結合供与体とのモル比は、１：１～１：５であり、両者を混合した後、６０～９０℃で２～４時間撹拌し、前記深共晶溶媒を得て、
任意選択で、ステップＰ４における前記無電解ニッケルメッキ処理のメッキ温度は、６０℃～１５０℃であり、メッキのｐＨは、７．０～１４．０であり、メッキ期間は、０．５～４．０時間であり、メッキ中に１００周り／分間～２００周り／分間の速度で磁気撹拌し、反応終了後に生成物を収集し、蒸留水で２～３回すすぎ洗いする。すすぎ洗い後の生成物を蒸留水に分散させて混合溶液Ｆを得て、前記混合溶液Ｆの濃度は、０．１ｇ／ｍＬ～０．３ｇ／ｍＬであり、
任意選択で、ステップＰ５では、前記分散剤は、パラフィン、ポリビニルピロリドン及びポリエチレングリコールのうちの少なくとも１つから選択され、前記混合溶液Ｆ中の前記分散剤の濃度は、１ｇ／ｍＬ～０．２ｇ／ｍＬであり、前記配位剤は、チオシアン酸アンモニウム、及びチオ尿素のうちの少なくとも１つから選択され、前記混合溶液Ｆ中の前記配位剤の濃度は、０．１ｇ／ｍＬ～０．２ｇ／ｍＬであり、前記混合溶液Ｆ中のＳｎ粉末の濃度は、０．０３ｇ／ｍＬ～０．０６ｇ／ｍＬであり、前記撹拌反応は、１００周り／分間～２００周り／分間の速度で室温で５～１０分間撹拌することであり、生成物を収集し、蒸留水で２～３回すすぎ洗いし、５０～７０℃で３０～６０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得る。
任意選択で、ステップＳ２における前記還元剤は、ギ酸ナトリウム、ギ酸カリウム及びギ酸カルシウムのうちの１つから選択されるギ酸塩であり、前記混合溶液Ｂ中の前記還元剤の濃度は、０．１ｇ／ｍＬ～０．２ｇ／ｍＬであり、前記安定剤は、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、グリセリン及びプロピレングリコールのうちの１つから選択され、前記安定剤の添加量は、前記混合溶液Ｂの体積の６０～８０％を占め、オレイルアミンの添加量は、前記混合溶液Ｂの体積の３～６％を占め、好ましくは、前記加熱反応は、１２０℃～２００℃で１０時間～２０時間保温し、保温中に１００周り／分間～５００周り／分間の速度で磁気撹拌することであり、前記すすぎ洗いは、蒸留水とエタノールで交互に２～３回すすぎ洗いすることであり、前記混合溶液Ｃの濃度は、５ｇ／ｍＬ～１０ｇ／ｍＬであり、
任意選択で、ステップＰ３における前記ニッケル塩は、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、酢酸ニッケル及びスルファミン酸ニッケルのうちの１つ以上の組み合わせであり、濃度範囲は、５～５０ｇ／Ｌであり、前記還元剤は、ヒドラジン、次亜リン酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム及びジメチルアミンボランのうちの１つから選択され、濃度範囲は、１～３０ｇ／Ｌであり、前記安定剤は、ホウ酸、クエン酸、乳酸、酒石酸カリウムナトリウム及びエデト酸二ナトリウムのうちの１つ以上であり、濃度範囲は０．５～１５ｇ／Ｌであり、前記促進剤は、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ－メチルジエタノールアミン及びＮ，Ｎ－ジメチルエタノールアミンのうちの１つ以上であり、濃度範囲は５～２０ｇ／Ｌであり、前記ｐＨ調整剤は、５ｗｔ％水酸化ナトリウム－エチレングリコール溶液であり、そのｐＨ範囲は、７．０～１４．０であり、好ましくは、前記深共晶溶媒中の前記水素結合受容体は、塩化コリン、塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム及びそれらの誘導体のうちの１つ以上の組み合わせであり、前記水素結合供与体は、ポリオール、アミド及びカルボン酸のうちの１つ又は２つの組み合わせであり、前記水素結合受容体と前記水素結合供与体とのモル比は、１：１～１：５であり、両者を混合した後、６０～９０℃で２～４時間撹拌し、前記深共晶溶媒を得て、
任意選択で、ステップＰ４における前記無電解ニッケルメッキ処理のメッキ温度は、６０℃～１５０℃であり、メッキのｐＨは、７．０～１４．０であり、メッキ期間は、０．５～４．０時間であり、メッキ中に１００周り／分間～２００周り／分間の速度で磁気撹拌し、反応終了後に生成物を収集し、蒸留水で２～３回すすぎ洗いする。すすぎ洗い後の生成物を蒸留水に分散させて混合溶液Ｆを得て、前記混合溶液Ｆの濃度は、０．１ｇ／ｍＬ～０．３ｇ／ｍＬであり、
任意選択で、ステップＰ５では、前記分散剤は、パラフィン、ポリビニルピロリドン及びポリエチレングリコールのうちの少なくとも１つから選択され、前記混合溶液Ｆ中の前記分散剤の濃度は、１ｇ／ｍＬ～０．２ｇ／ｍＬであり、前記配位剤は、チオシアン酸アンモニウム、及びチオ尿素のうちの少なくとも１つから選択され、前記混合溶液Ｆ中の前記配位剤の濃度は、０．１ｇ／ｍＬ～０．２ｇ／ｍＬであり、前記混合溶液Ｆ中のＳｎ粉末の濃度は、０．０３ｇ／ｍＬ～０．０６ｇ／ｍＬであり、前記撹拌反応は、１００周り／分間～２００周り／分間の速度で室温で５～１０分間撹拌することであり、生成物を収集し、蒸留水で２～３回すすぎ洗いし、５０～７０℃で３０～６０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得る。
【0017】
前記複合金属材料を含む高熱伝導率の低温はんだペーストも本発明の保護範囲に属し、前記高熱伝導率の低温はんだペーストは、前記複合金属材料、Ｓｎ－Ｂｉ系合金粉末及びフラックスを含み、前記複合金属材料は、総重量の１０％～３０％、好ましくは、総重量の１２～２８％を占め、それは、例えば、１４％、１６％、１８％、１９％、２０％、２１％、２３％、２５％、２６％であり得、前記Ｓｎ－Ｂｉ系合金粉末は、総重量の１０％～３０％、好ましくは、総重量の１２～２８％を占め、それは、例えば、１４％、１６％、１８％、１９％、２０％、２１％、２３％、２５％、２６％であり得る。
【0018】
更に、前記フラックスは、中低温用ロジン系フラックスであり、ここで、低温は、はんだの溶接温度が１５０℃よりも低いことを意味し、具体的には、はんだの融点が１３８～１４０℃であることを意味し、ロジン系フラックスは、ロジンをキャリアとして使用し、有機溶媒によってロジンと有機酸を溶解し、チキソ剤で製造されたペーストを意味し、それは、本分野で一般的なロジン系フラックスであり得、
任意選択で、前記Ｓｎ－Ｂｉ系合金粉末は、粒径が２０μｍ～６０μｍの亜共晶Ｓｎ－Ｂｉ合金粉末、共晶Ｓｎ－５８Ｂｉ合金粉末及び過共晶Ｓｎ－Ｂｉ合金粉末のうちの少なくとも１つから選択され、好ましくは、粒径は、２５μｍ～５５μｍであり、それは、例えば、２８μｍ、３０μｍ、３２μｍ、３５μｍ、３８μｍ、４０μｍ、４１μｍ、４２μｍ、４５μｍ、４８μｍ、５０μｍ、５３μｍであり得る。
任意選択で、前記Ｓｎ－Ｂｉ系合金粉末は、粒径が２０μｍ～６０μｍの亜共晶Ｓｎ－Ｂｉ合金粉末、共晶Ｓｎ－５８Ｂｉ合金粉末及び過共晶Ｓｎ－Ｂｉ合金粉末のうちの少なくとも１つから選択され、好ましくは、粒径は、２５μｍ～５５μｍであり、それは、例えば、２８μｍ、３０μｍ、３２μｍ、３５μｍ、３８μｍ、４０μｍ、４１μｍ、４２μｍ、４５μｍ、４８μｍ、５０μｍ、５３μｍであり得る。
【0019】
任意選択で、前記高熱伝導率の低温はんだペーストは、初期融点が１３８～１４０℃、ピーク温度が１４０～１４５℃、熱伝導率が５０～５５Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。特定の実施例では、前記高熱伝導率の低温はんだペーストは、初期融点が１３８．５℃、１３９．０℃、１３９．５℃又は１３９．８℃、ピーク温度が１４０．５℃、１４１．０℃、１４１．５℃、１４２．０℃、１４２．５℃、１４３．０℃、１４３．５℃又は１４４℃、熱伝導率が５０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、５１．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、５１．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、５２．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、５２．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、５３．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、５４．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）又は５４．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。
【0020】
前記高熱伝導率の低温はんだペーストで溶接することによって得られた装置も本発明の保護範囲に属する。
【発明の効果】
【0021】
１．本発明は、まず、多層無電解メッキプロセスを使用し、Ｃｕ粉末の表面には、Ａｇ又はＮｉ中間装置及びＳｎシェル層を被覆し、外形に優れたＣｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル構造の粒子及びＣｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル構造の粒子を得る。それは、現在のＣｕ粉末が空気中で酸化しやすく、保存しにくいという欠点を解決するだけでなく、Ａｇ及びＮｉ中間層、Ｓｎシェル層は、Ｃｕコア、Ａｇ及びＮｉ中間層が溶解せず、又は少量で溶解するように効果的に保護でき、内層の高耐熱性の金属間化合物Ｃｕ６Ｓｎ５の生成を低減し、はんだの熱伝導率を効果的に向上させ、
２．Ｓｎ－Ｂｉ系のはんだペーストに比べて、本発明によって製造された高熱伝導率の低温はんだペーストは、８５℃で、熱伝導率が２１．４Ｗ／（ｍ・Ｋ）から５０．８２Ｗ／（ｍ・Ｋ）まで向上し、はんだの融点が１３８．９℃だけであり、低温溶接に適合し、現在市販されるはんだペーストの熱伝導率が低いため、電源デバイスのチップをボンディングした後の放熱性が悪いという問題を解決し、
３．本発明によって製造された高熱伝導率の低温はんだペーストは、還流過程では、接続 を形成し、それは、プロセスがシンプルであり、大面積チップのボンディング時間を大幅に短縮し、
４．本発明は、プロセスがシンプルで、コストが低く、実用性が高く、実際の使用環境に応じて粒径及び被覆量が異なる金属粉末を選択して針状材料を製造することができる。
２．Ｓｎ－Ｂｉ系のはんだペーストに比べて、本発明によって製造された高熱伝導率の低温はんだペーストは、８５℃で、熱伝導率が２１．４Ｗ／（ｍ・Ｋ）から５０．８２Ｗ／（ｍ・Ｋ）まで向上し、はんだの融点が１３８．９℃だけであり、低温溶接に適合し、現在市販されるはんだペーストの熱伝導率が低いため、電源デバイスのチップをボンディングした後の放熱性が悪いという問題を解決し、
３．本発明によって製造された高熱伝導率の低温はんだペーストは、還流過程では、接続 を形成し、それは、プロセスがシンプルであり、大面積チップのボンディング時間を大幅に短縮し、
４．本発明は、プロセスがシンプルで、コストが低く、実用性が高く、実際の使用環境に応じて粒径及び被覆量が異なる金属粉末を選択して針状材料を製造することができる。
【0022】
要するに、本発明は、外形に優れたＣｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粒子及びＣｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粒子を得ることができ、Ａｇ及びＮｉ中間層、Ｓｎシェル層は、Ｃｕコア、Ａｇ及びＮｉ中間層が溶解せず、又は少量で溶解するように効果的に保護でき、内層の高耐熱性の金属間化合物Ｃｕ６Ｓｎ５の生成を低減し、はんだの熱伝導率を効果的に向上させる。
【図面の簡単な説明】
【0023】
本発明の技術的解決手段をより明確に説明するために、以下、図面を簡単に紹介し、明らかに、以下の説明における図面は本発明のいくつかの実施例に過ぎず、本発明を限定しない。
【図1】本発明の背景技術によって提供された溶接の現物図である。
【図2】本発明の実施例３によって提供されたＣｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の現物図及びＸ線回折図である。
【図3】本発明の実施例３によって提供されたＣｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粒子の走査型電子顕微鏡写真である。
【図4】本発明の実施例３によって提供されたＣｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粒子のエネルギースペクトル面走査図である。
【図5】本発明の実施例３によって提供されたＣｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粒子の横断面のエネルギースペクトル線走査図である。
【図6】本発明の実施例７によって提供された高熱伝導率の低温はんだペーストの現物図である。
【図7】本発明の実施例７によって提供された高熱伝導率の低温はんだペーストのＤＳＣ曲線図である。
【図8】本発明の実施例７で製造された高熱伝導率の低温はんだペーストの熱伝導率の図である。
【発明を実施するための形態】
【0024】
以下、本発明の好ましい実施例をより詳細に説明する。以下、本発明の好ましい実施形態を説明するが、本発明は、様々な形態で具現化することができ、本明細書に記載の実施形態によって限定されるわけではないことを理解されたい。実施例には、特定の技術若しくは条件が示されない場合、本分野の文献に記載の技術若しくは条件、又は製品仕様書に従って実施する。使用された試薬又は器具には、製造元が示されない場合、市場で購入できる通常の製品である。以下の実施例では、明記されない限り、「％」はいずれも重量百分率を意味する。
【0025】
以下、低温用無鉛ロジン系フラックスは、厦門及時雨▲かん▼料有限公司のハロゲンフリーフラックスＳ８である。
（実施例１）
Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の製造
ステップＳ１、粒径が２０μｍのＣｕ粉末の２０ｇをふるいで選択し、質量分率が２％の塩酸で５分間超音波酸洗浄し、次に、２０ｍＬの蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、
ステップＳ２、１．２ｇのギ酸ナトリウム及び７２ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを混合溶液Ａ中に加え、３分間超音波分散した後、８ｍＬのオレイラミンを加え、混合溶液Ｂを得る。次に、混合溶液Ｂを高圧反応釜中に入れ、１５０℃で１８時間保温し、保温中に２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応生成物を収集し、蒸留水とエタノールで交互に３回すすぎ洗いする。すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｃを得て、
ステップＳ３、混合溶液Ｃ中には、６ｇのＮ－β－ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、６ｇのエタノール、８ｇの硝酸銀を加え、質量分率が３８％の塩酸でｐＨを４に調整し、均一に混合した後、混合溶液Ｄを得る。混合溶液Ｄを５０℃で８分間保温し、保温中に１００周り／分間の速度で磁気撹拌する。保温終了後、反応生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いし、すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｅを得て、
ステップＳ４、混合溶液Ｅには、２０ｇのパラフィン、２０ｇのチオシアン酸アンモニウム、６ｇの純Ｓｎ粉末を加え、十分に反応させるために、室温で１００周り／分間の速度で８分間磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。最後に、６０℃で４０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得ることができる。
（実施例２）
Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の製造
ステップＳ１、粒径が２０μｍのＣｕ粉末の２０ｇをふるいで選択し、質量分率が２％の塩酸で５分間超音波酸洗浄し、次に、２０ｍＬの蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、
ステップＳ２、１．２ｇのギ酸ナトリウム及び７２ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを混合溶液Ａ中に加え、３分間超音波分散した後、８ｍＬのオレイラミンを加え、混合溶液Ｂを得る。次に、混合溶液Ｂを高圧反応釜中に入れ、１５０℃で１８時間保温し、保温中に２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応生成物を収集し、蒸留水とエタノールで交互に３回すすぎ洗いする。すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｃを得て、
ステップＳ３、混合溶液Ｃ中には、１０ｇのＮ－β－ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、１０ｇのエタノール、１２ｇの硝酸銀を加え、質量分率が３８％の塩酸でｐＨを４に調整し、均一に混合した後、混合溶液Ｄを得る。混合溶液Ｄを５０℃で８分間保温し、保温中に１００周り／分間の速度で磁気撹拌する。保温終了後、反応生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いし、すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｅを得て、
ステップＳ４、混合溶液Ｅには、２０ｇのパラフィン、２０ｇのチオシアン酸アンモニウム、６ｇの純Ｓｎ粉末を加え、十分に反応させるために、室温で１００周り／分間の速度で８分間磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。最後に、６０℃で４０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得ることができる。
（実施例３）
Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の製造
ステップＳ１、粒径が２０μｍのＣｕ粉末の２０ｇをふるいで選択し、質量分率が２％の塩酸で５分間超音波酸洗浄し、次に、２０ｍＬの蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、
ステップＳ２、１．２ｇのギ酸ナトリウム及び７２ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを混合溶液Ａ中に加え、３分間超音波分散した後、８ｍＬのオレイラミンを加え、混合溶液Ｂを得る。次に、混合溶液Ｂを高圧反応釜中に入れ、１５０℃で１８時間保温し、保温中に２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応生成物を収集し、蒸留水とエタノールで交互に３回すすぎ洗いする。すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｃを得て、
ステップＳ３、混合溶液Ｃ中には、６ｇのＮ－β－ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、６ｇのエタノール、８ｇの硝酸銀を加え、質量分率が３８％の塩酸でｐＨを４に調整し、均一に混合した後、混合溶液Ｄを得る。混合溶液Ｄを５０℃で８分間保温し、保温中に１００周り／分間の速度で磁気撹拌する。保温終了後、反応生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いし、すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｅを得て、
ステップＳ４、混合溶液Ｅには、４０ｇのパラフィン、４０ｇのチオシアン酸アンモニウム、１２ｇの純Ｓｎ粉末を加え、十分に反応させるために、室温で１００周り／分間の速度で８分間磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。最後に、６０℃で４０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得ることができる。
（実施例４）
Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の製造
ステップＰ１、粒径が２０μｍのＣｕ粉末の２０ｇをふるいで選択し、質量分率が２％の塩酸で５分間超音波酸洗浄し、次に、２０ｍＬの蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、
ステップＰ２、１．２ｇのギ酸ナトリウム及び７２ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを混合溶液Ａ中に加え、３分間超音波分散した後、８ｍＬのオレイラミンを加え、混合溶液Ｂを得る。次に、混合溶液Ｂを高圧反応釜中に入れ、１５０℃で１８時間保温し、保温中に２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応生成物を収集し、蒸留水とエタノールで交互に３回すすぎ洗いし、生成物Ｃを得て、
ステップＰ３、２５ｇ／Ｌの塩化ニッケル、１５ｇ／Ｌの次亜リン酸ナトリウム、１０ｇ／Ｌのクエン酸、１０ｇ／Ｌのトリエタノールアミンを、塩化コリンとエチレングリコールとのモル比が１：２の深共晶溶媒中に溶解し、５ｗｔ％のＮａＯＨ－エチレングリコール溶液でｐＨを９．０に調整し、撹拌して溶解した後、無電解メッキのメッキ液Ｄを得る。
（実施例１）
Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の製造
ステップＳ１、粒径が２０μｍのＣｕ粉末の２０ｇをふるいで選択し、質量分率が２％の塩酸で５分間超音波酸洗浄し、次に、２０ｍＬの蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、
ステップＳ２、１．２ｇのギ酸ナトリウム及び７２ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを混合溶液Ａ中に加え、３分間超音波分散した後、８ｍＬのオレイラミンを加え、混合溶液Ｂを得る。次に、混合溶液Ｂを高圧反応釜中に入れ、１５０℃で１８時間保温し、保温中に２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応生成物を収集し、蒸留水とエタノールで交互に３回すすぎ洗いする。すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｃを得て、
ステップＳ３、混合溶液Ｃ中には、６ｇのＮ－β－ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、６ｇのエタノール、８ｇの硝酸銀を加え、質量分率が３８％の塩酸でｐＨを４に調整し、均一に混合した後、混合溶液Ｄを得る。混合溶液Ｄを５０℃で８分間保温し、保温中に１００周り／分間の速度で磁気撹拌する。保温終了後、反応生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いし、すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｅを得て、
ステップＳ４、混合溶液Ｅには、２０ｇのパラフィン、２０ｇのチオシアン酸アンモニウム、６ｇの純Ｓｎ粉末を加え、十分に反応させるために、室温で１００周り／分間の速度で８分間磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。最後に、６０℃で４０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得ることができる。
（実施例２）
Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の製造
ステップＳ１、粒径が２０μｍのＣｕ粉末の２０ｇをふるいで選択し、質量分率が２％の塩酸で５分間超音波酸洗浄し、次に、２０ｍＬの蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、
ステップＳ２、１．２ｇのギ酸ナトリウム及び７２ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを混合溶液Ａ中に加え、３分間超音波分散した後、８ｍＬのオレイラミンを加え、混合溶液Ｂを得る。次に、混合溶液Ｂを高圧反応釜中に入れ、１５０℃で１８時間保温し、保温中に２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応生成物を収集し、蒸留水とエタノールで交互に３回すすぎ洗いする。すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｃを得て、
ステップＳ３、混合溶液Ｃ中には、１０ｇのＮ－β－ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、１０ｇのエタノール、１２ｇの硝酸銀を加え、質量分率が３８％の塩酸でｐＨを４に調整し、均一に混合した後、混合溶液Ｄを得る。混合溶液Ｄを５０℃で８分間保温し、保温中に１００周り／分間の速度で磁気撹拌する。保温終了後、反応生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いし、すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｅを得て、
ステップＳ４、混合溶液Ｅには、２０ｇのパラフィン、２０ｇのチオシアン酸アンモニウム、６ｇの純Ｓｎ粉末を加え、十分に反応させるために、室温で１００周り／分間の速度で８分間磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。最後に、６０℃で４０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得ることができる。
（実施例３）
Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の製造
ステップＳ１、粒径が２０μｍのＣｕ粉末の２０ｇをふるいで選択し、質量分率が２％の塩酸で５分間超音波酸洗浄し、次に、２０ｍＬの蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、
ステップＳ２、１．２ｇのギ酸ナトリウム及び７２ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを混合溶液Ａ中に加え、３分間超音波分散した後、８ｍＬのオレイラミンを加え、混合溶液Ｂを得る。次に、混合溶液Ｂを高圧反応釜中に入れ、１５０℃で１８時間保温し、保温中に２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応生成物を収集し、蒸留水とエタノールで交互に３回すすぎ洗いする。すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｃを得て、
ステップＳ３、混合溶液Ｃ中には、６ｇのＮ－β－ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、６ｇのエタノール、８ｇの硝酸銀を加え、質量分率が３８％の塩酸でｐＨを４に調整し、均一に混合した後、混合溶液Ｄを得る。混合溶液Ｄを５０℃で８分間保温し、保温中に１００周り／分間の速度で磁気撹拌する。保温終了後、反応生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いし、すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｅを得て、
ステップＳ４、混合溶液Ｅには、４０ｇのパラフィン、４０ｇのチオシアン酸アンモニウム、１２ｇの純Ｓｎ粉末を加え、十分に反応させるために、室温で１００周り／分間の速度で８分間磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。最後に、６０℃で４０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得ることができる。
（実施例４）
Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の製造
ステップＰ１、粒径が２０μｍのＣｕ粉末の２０ｇをふるいで選択し、質量分率が２％の塩酸で５分間超音波酸洗浄し、次に、２０ｍＬの蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、
ステップＰ２、１．２ｇのギ酸ナトリウム及び７２ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを混合溶液Ａ中に加え、３分間超音波分散した後、８ｍＬのオレイラミンを加え、混合溶液Ｂを得る。次に、混合溶液Ｂを高圧反応釜中に入れ、１５０℃で１８時間保温し、保温中に２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応生成物を収集し、蒸留水とエタノールで交互に３回すすぎ洗いし、生成物Ｃを得て、
ステップＰ３、２５ｇ／Ｌの塩化ニッケル、１５ｇ／Ｌの次亜リン酸ナトリウム、１０ｇ／Ｌのクエン酸、１０ｇ／Ｌのトリエタノールアミンを、塩化コリンとエチレングリコールとのモル比が１：２の深共晶溶媒中に溶解し、５ｗｔ％のＮａＯＨ－エチレングリコール溶液でｐＨを９．０に調整し、撹拌して溶解した後、無電解メッキのメッキ液Ｄを得る。
【0026】
ステップＰ４、生成物Ｃをメッキ液Ｄに入れ、メッキ温度が６０℃、メッキ期間が２時間である。その期間、十分に反応させるために、１００周り／分間～２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。すすぎ洗い後の生成物を蒸留水に分散させて混合溶液Ｆを得て、その濃度は、０．２ｇ／ｍＬであり、
ステップＰ５、混合溶液Ｆには、４０ｇのパラフィン、４０ｇのチオシアン酸アンモニウム、１２ｇの純Ｓｎ粉末を加え、十分に反応させるために、室温で１００周り／分間の速度で８分間磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。最後に、６０℃で４０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得ることができる。
（実施例５）
はんだペーストの製造
前述の実施例１によって製造されたＣｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末と市販の直径４５μｍの共晶Ｓｎ－５８Ｂｉ合金粉末を１：８の質量比で混合した後、低温用無鉛ロジン系フラックスと混合する。混合プロセスは、室温で、撹拌しながら金属粉末を徐々に加え、ペーストにするまで行われ、混合比例は、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末がはんだの総質量の１０％、フラックスが１０％を占めることであり、それにより、高熱伝導率の低温はんだペーストを得る。
（実施例６）
はんだペーストの製造
前述の実施例２によって製造されたＣｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末と市販の直径４５μｍの共晶Ｓｎ－５８Ｂｉ合金粉末を２：７の質量比で混合した後、低温用無鉛ロジン系フラックスと混合する。混合プロセスは、室温で、撹拌しながら金属粉末を徐々に加え、ペーストにするまで行われ、混合比例は、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末がはんだの総質量の２０％、フラックスが１０％を占めることであり、それにより、高熱伝導率の低温はんだペーストを得る。
（実施例７）
はんだペーストの製造
前述の実施例３によって製造されたＣｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末と市販の直径４５μｍの共晶Ｓｎ－５８Ｂｉ合金粉末を３：６の質量比で混合した後、低温用無鉛ロジン系フラックスと混合する。混合プロセスは、室温で、撹拌しながら金属粉末を徐々に加え、ペーストにするまで行われ、混合比例は、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末がはんだの総質量の３０％、フラックスが１０％を占めることであり、それにより、高熱伝導率の低温はんだペーストを得る。
（実施例８）
前述の実施例４によって製造されたＣｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末と市販の直径４５μｍの共晶Ｓｎ－５８Ｂｉ合金粉末を１：８の質量比で混合した後、低温用無鉛ロジン系フラックスと混合する。混合プロセスは、室温で、撹拌しながら金属粉末を徐々に加え、ペーストにするまで行われ、混合比例は、Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末がはんだの総質量の１０％、フラックスが１０％を占めることであり、それにより、高熱伝導率の低温はんだペーストを得る。
（実施例９）
Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の製造
ステップＳ１、粒径が５０μｍのＣｕ粉末の２０ｇをふるいで選択し、質量分率が２％の塩酸で５分間超音波酸洗浄し、次に、２０ｍＬの蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、
ステップＳ２、１．５ｇのギ酸ナトリウム及び７２ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを混合溶液Ａ中に加え、３分間超音波分散した後、８ｍＬのオレイラミンを加え、混合溶液Ｂを得る。次に、混合溶液Ｂを高圧反応釜中に入れ、２００℃で１０時間保温し、保温中に２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応生成物を収集し、蒸留水とエタノールで交互に３回すすぎ洗いする。すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｃを得て、
ステップＳ３、混合溶液Ｃ中には、５ｇのイミダゾール、７ｇのエタノール、７ｇの硝酸銀を加え、質量分率が３８％の塩酸でｐＨを４に調整し、均一に混合した後、混合溶液Ｄを得る。混合溶液Ｄを５０℃で８分間保温し、保温中に１００周り／分間の速度で磁気撹拌する。保温終了後、反応生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いし、すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｅを得て、
ステップＳ４、混合溶液Ｅには、２５ｇのポリエチレングリコール、２５ｇのチオシアン酸アンモニウム、５ｇの純Ｓｎ粉末を加え、十分に反応させるために、室温で１００周り／分間の速度で８分間磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。最後に、６０℃で４０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得ることができる。
（実施例１０）
Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の製造
ステップＳ１、粒径が３０μｍのＣｕ粉末の２０ｇをふるいで選択し、質量分率が２％の塩酸で５分間超音波酸洗浄し、次に、２０ｍＬの蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、
ステップＳ２、１．２ｇのギ酸ナトリウム及び８０ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを混合溶液Ａ中に加え、３分間超音波分散した後、８ｍＬのオレイラミンを加え、混合溶液Ｂを得る。次に、混合溶液Ｂを高圧反応釜中に入れ、１２０℃で２０時間保温し、保温中に２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応生成物を収集し、蒸留水とエタノールで交互に３回すすぎ洗いする。すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｃを得て、
ステップＳ３、混合溶液Ｃ中には、６ｇの酒石酸、６ｇのグリセリン、８ｇの硝酸銀を加え、質量分率が３８％の塩酸でｐＨを４に調整し、均一に混合した後、混合溶液Ｄを得る。混合溶液Ｄを５０℃で８分間保温し、保温中に１００周り／分間の速度で磁気撹拌する。保温終了後、反応生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いし、すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｅを得て、
ステップＳ４、混合溶液Ｅには、２０ｇのポリビニルピロリドン、２０ｇのチオ尿素、８ｇの純Ｓｎ粉末を加え、十分に反応させるために、室温で１００周り／分間の速度で８分間磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。最後に、６０℃で４０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得ることができる。
（実施例１１）
Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の製造
ステップＰ１、粒径が５０μｍのＣｕ粉末の２０ｇをふるいで選択し、質量分率が２％の塩酸で５分間超音波酸洗浄し、次に、２０ｍＬの蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、
ステップＰ２、１．０ｇのギ酸カリウム及び８０ｍＬのプロピレングリコールを混合溶液Ａ中に加え、３分間超音波分散した後、８ｍＬのオレイラミンを加え、混合溶液Ｂを得る。次に、混合溶液Ｂを高圧反応釜中に入れ、２００℃で１０時間保温し、保温中に２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応生成物を収集し、蒸留水とエタノールで交互に３回すすぎ洗いし、生成物Ｃを得て、
ステップＰ３、１５ｇ／Ｌの酢酸ニッケル、１５ｇ／Ｌのジメチルアミンボラン、１０ｇ／Ｌのクエン酸、１０ｇ／ＬのＮ－メチルジエタノールアミンを、塩化コリンとエチレングリコールとのモル比が１：２の深共晶溶媒中に溶解し、５ｗｔ％のＮａＯＨ－エチレングリコール溶液でｐＨを９．０に調整し、撹拌して溶解した後、無電解メッキのメッキ液Ｄを得る。
ステップＰ５、混合溶液Ｆには、４０ｇのパラフィン、４０ｇのチオシアン酸アンモニウム、１２ｇの純Ｓｎ粉末を加え、十分に反応させるために、室温で１００周り／分間の速度で８分間磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。最後に、６０℃で４０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得ることができる。
（実施例５）
はんだペーストの製造
前述の実施例１によって製造されたＣｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末と市販の直径４５μｍの共晶Ｓｎ－５８Ｂｉ合金粉末を１：８の質量比で混合した後、低温用無鉛ロジン系フラックスと混合する。混合プロセスは、室温で、撹拌しながら金属粉末を徐々に加え、ペーストにするまで行われ、混合比例は、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末がはんだの総質量の１０％、フラックスが１０％を占めることであり、それにより、高熱伝導率の低温はんだペーストを得る。
（実施例６）
はんだペーストの製造
前述の実施例２によって製造されたＣｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末と市販の直径４５μｍの共晶Ｓｎ－５８Ｂｉ合金粉末を２：７の質量比で混合した後、低温用無鉛ロジン系フラックスと混合する。混合プロセスは、室温で、撹拌しながら金属粉末を徐々に加え、ペーストにするまで行われ、混合比例は、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末がはんだの総質量の２０％、フラックスが１０％を占めることであり、それにより、高熱伝導率の低温はんだペーストを得る。
（実施例７）
はんだペーストの製造
前述の実施例３によって製造されたＣｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末と市販の直径４５μｍの共晶Ｓｎ－５８Ｂｉ合金粉末を３：６の質量比で混合した後、低温用無鉛ロジン系フラックスと混合する。混合プロセスは、室温で、撹拌しながら金属粉末を徐々に加え、ペーストにするまで行われ、混合比例は、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末がはんだの総質量の３０％、フラックスが１０％を占めることであり、それにより、高熱伝導率の低温はんだペーストを得る。
（実施例８）
前述の実施例４によって製造されたＣｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末と市販の直径４５μｍの共晶Ｓｎ－５８Ｂｉ合金粉末を１：８の質量比で混合した後、低温用無鉛ロジン系フラックスと混合する。混合プロセスは、室温で、撹拌しながら金属粉末を徐々に加え、ペーストにするまで行われ、混合比例は、Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末がはんだの総質量の１０％、フラックスが１０％を占めることであり、それにより、高熱伝導率の低温はんだペーストを得る。
（実施例９）
Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の製造
ステップＳ１、粒径が５０μｍのＣｕ粉末の２０ｇをふるいで選択し、質量分率が２％の塩酸で５分間超音波酸洗浄し、次に、２０ｍＬの蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、
ステップＳ２、１．５ｇのギ酸ナトリウム及び７２ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを混合溶液Ａ中に加え、３分間超音波分散した後、８ｍＬのオレイラミンを加え、混合溶液Ｂを得る。次に、混合溶液Ｂを高圧反応釜中に入れ、２００℃で１０時間保温し、保温中に２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応生成物を収集し、蒸留水とエタノールで交互に３回すすぎ洗いする。すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｃを得て、
ステップＳ３、混合溶液Ｃ中には、５ｇのイミダゾール、７ｇのエタノール、７ｇの硝酸銀を加え、質量分率が３８％の塩酸でｐＨを４に調整し、均一に混合した後、混合溶液Ｄを得る。混合溶液Ｄを５０℃で８分間保温し、保温中に１００周り／分間の速度で磁気撹拌する。保温終了後、反応生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いし、すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｅを得て、
ステップＳ４、混合溶液Ｅには、２５ｇのポリエチレングリコール、２５ｇのチオシアン酸アンモニウム、５ｇの純Ｓｎ粉末を加え、十分に反応させるために、室温で１００周り／分間の速度で８分間磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。最後に、６０℃で４０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得ることができる。
（実施例１０）
Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の製造
ステップＳ１、粒径が３０μｍのＣｕ粉末の２０ｇをふるいで選択し、質量分率が２％の塩酸で５分間超音波酸洗浄し、次に、２０ｍＬの蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、
ステップＳ２、１．２ｇのギ酸ナトリウム及び８０ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを混合溶液Ａ中に加え、３分間超音波分散した後、８ｍＬのオレイラミンを加え、混合溶液Ｂを得る。次に、混合溶液Ｂを高圧反応釜中に入れ、１２０℃で２０時間保温し、保温中に２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応生成物を収集し、蒸留水とエタノールで交互に３回すすぎ洗いする。すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｃを得て、
ステップＳ３、混合溶液Ｃ中には、６ｇの酒石酸、６ｇのグリセリン、８ｇの硝酸銀を加え、質量分率が３８％の塩酸でｐＨを４に調整し、均一に混合した後、混合溶液Ｄを得る。混合溶液Ｄを５０℃で８分間保温し、保温中に１００周り／分間の速度で磁気撹拌する。保温終了後、反応生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いし、すすぎ洗い後の生成物を２００ｍＬの蒸留水に分散させて混合溶液Ｅを得て、
ステップＳ４、混合溶液Ｅには、２０ｇのポリビニルピロリドン、２０ｇのチオ尿素、８ｇの純Ｓｎ粉末を加え、十分に反応させるために、室温で１００周り／分間の速度で８分間磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。最後に、６０℃で４０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得ることができる。
（実施例１１）
Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の製造
ステップＰ１、粒径が５０μｍのＣｕ粉末の２０ｇをふるいで選択し、質量分率が２％の塩酸で５分間超音波酸洗浄し、次に、２０ｍＬの蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、
ステップＰ２、１．０ｇのギ酸カリウム及び８０ｍＬのプロピレングリコールを混合溶液Ａ中に加え、３分間超音波分散した後、８ｍＬのオレイラミンを加え、混合溶液Ｂを得る。次に、混合溶液Ｂを高圧反応釜中に入れ、２００℃で１０時間保温し、保温中に２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応生成物を収集し、蒸留水とエタノールで交互に３回すすぎ洗いし、生成物Ｃを得て、
ステップＰ３、１５ｇ／Ｌの酢酸ニッケル、１５ｇ／Ｌのジメチルアミンボラン、１０ｇ／Ｌのクエン酸、１０ｇ／ＬのＮ－メチルジエタノールアミンを、塩化コリンとエチレングリコールとのモル比が１：２の深共晶溶媒中に溶解し、５ｗｔ％のＮａＯＨ－エチレングリコール溶液でｐＨを９．０に調整し、撹拌して溶解した後、無電解メッキのメッキ液Ｄを得る。
【0027】
ステップＰ４、生成物Ｃをメッキ液Ｄに入れ、メッキ温度が１２０℃、メッキ期間が２時間である。その期間、十分に反応させるために、１００周り／分間～２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。すすぎ洗い後の生成物を蒸留水に分散させて混合溶液Ｆを得て、その濃度は、０．１ｇ／ｍＬであり、
ステップＰ５、混合溶液Ｆには、５０ｇのポリエチレングリコール、４０ｇのチオシアン酸アンモニウム、１６ｇの純Ｓｎ粉末を加え、十分に反応させるために、室温で１００周り／分間の速度で８分間磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。最後に、６０℃で４０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得ることができる。
（実施例１２）
Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の製造
ステップＰ１、粒径が４０μｍのＣｕ粉末の２０ｇをふるいで選択し、質量分率が２％の塩酸で５分間超音波酸洗浄し、次に、２０ｍＬの蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、
ステップＰ２、１．５ｇのギ酸カルシウム及び７０ｍＬのプロピレングリコールを混合溶液Ａ中に加え、３分間超音波分散した後、８ｍＬのオレイラミンを加え、混合溶液Ｂを得る。次に、混合溶液Ｂを高圧反応釜中に入れ、１２０℃で２０時間保温し、保温中に２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応生成物を収集し、蒸留水とエタノールで交互に３回すすぎ洗いし、生成物Ｃを得て、
ステップＰ３、２０ｇ／Ｌの硫酸ニッケル、１２ｇ／Ｌの水素化ホウ素ナトリウム、１５ｇ／Ｌのホウ酸、１５ｇ／Ｌのジエタノールアミンを、塩化コリンとエチレングリコールとのモル比が１：２の深共晶溶媒中に溶解し、５ｗｔ％のＮａＯＨ－エチレングリコール溶液でｐＨを９．０に調整し、撹拌して溶解した後、無電解メッキのメッキ液Ｄを得る。
ステップＰ５、混合溶液Ｆには、５０ｇのポリエチレングリコール、４０ｇのチオシアン酸アンモニウム、１６ｇの純Ｓｎ粉末を加え、十分に反応させるために、室温で１００周り／分間の速度で８分間磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。最後に、６０℃で４０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得ることができる。
（実施例１２）
Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末の製造
ステップＰ１、粒径が４０μｍのＣｕ粉末の２０ｇをふるいで選択し、質量分率が２％の塩酸で５分間超音波酸洗浄し、次に、２０ｍＬの蒸留水中に均一に分散させて混合溶液Ａを形成し、
ステップＰ２、１．５ｇのギ酸カルシウム及び７０ｍＬのプロピレングリコールを混合溶液Ａ中に加え、３分間超音波分散した後、８ｍＬのオレイラミンを加え、混合溶液Ｂを得る。次に、混合溶液Ｂを高圧反応釜中に入れ、１２０℃で２０時間保温し、保温中に２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応生成物を収集し、蒸留水とエタノールで交互に３回すすぎ洗いし、生成物Ｃを得て、
ステップＰ３、２０ｇ／Ｌの硫酸ニッケル、１２ｇ／Ｌの水素化ホウ素ナトリウム、１５ｇ／Ｌのホウ酸、１５ｇ／Ｌのジエタノールアミンを、塩化コリンとエチレングリコールとのモル比が１：２の深共晶溶媒中に溶解し、５ｗｔ％のＮａＯＨ－エチレングリコール溶液でｐＨを９．０に調整し、撹拌して溶解した後、無電解メッキのメッキ液Ｄを得る。
【0028】
ステップＰ４、生成物Ｃをメッキ液Ｄに入れ、メッキ温度が１００℃、メッキ期間が２時間である。その期間、十分に反応させるために、１００周り／分間～２００周り／分間の速度で磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。すすぎ洗い後の生成物を蒸留水に分散させて混合溶液Ｆを得て、その濃度は、０．３ｇ／ｍＬであり、
ステップＰ５、混合溶液Ｆには、４５ｇのポリビニルピロリドン、３５ｇのチオ尿素、１５ｇの純Ｓｎ粉末を加え、十分に反応させるために、室温で１００周り／分間の速度で８分間磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。最後に、６０℃で４０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得ることができる。
（比較例１）
Ｓｎ５８Ｂｉ合金に多孔質のＣｕ発泡体シートを添加
多孔質のＣｕ発泡体シートを溶融したＳｎ５８Ｂｉはんだに浸漬し、複合はんだシートを製造し、次に、その熱伝導率を試験する（Ｌｉｕ， Ｙａｎｇ， ｅｔ ａｌ． Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ：Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ． ２０２０， ３１， ８２５８－８２６７．を参照）。具体的なステップは、以下のとおりである。
ステップＰ５、混合溶液Ｆには、４５ｇのポリビニルピロリドン、３５ｇのチオ尿素、１５ｇの純Ｓｎ粉末を加え、十分に反応させるために、室温で１００周り／分間の速度で８分間磁気撹拌する。反応終了後、生成物を収集し、蒸留水で３回すすぎ洗いする。最後に、６０℃で４０分間乾燥させると、Ｃｕ＠Ｎｉ＠Ｓｎコアシェル金属粉末を得ることができる。
（比較例１）
Ｓｎ５８Ｂｉ合金に多孔質のＣｕ発泡体シートを添加
多孔質のＣｕ発泡体シートを溶融したＳｎ５８Ｂｉはんだに浸漬し、複合はんだシートを製造し、次に、その熱伝導率を試験する（Ｌｉｕ， Ｙａｎｇ， ｅｔ ａｌ． Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ：Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ． ２０２０， ３１， ８２５８－８２６７．を参照）。具体的なステップは、以下のとおりである。
【0029】
ステップＳ１、１インチあたり５００個の孔（５００ｐｐｉ）、孔隙率８５％、厚さ０．０５ｍｍの多孔質のＣｕ発泡体を選択し、
ステップＳ２、多孔質のＣｕ発泡体を２５０℃の溶融したＳｎ５８Ｂｉはんだ中に７秒間浸漬し、取り出し、室温で冷却し、複合はんだシートを得て、
ステップＳ３、複合はんだシートを、直径１２．７ｍｍ、厚さ２ｍｍの円形サンプルに製造し、次に、ＮＥＴＺＳＣＨ ＬＦＡ ４４７を使用してその熱伝導率を試験する。
該方法によって製造された多孔質のＣｕ発泡体シートをＳｎ５８Ｂｉに浸漬する複合はんだシートの熱伝導率は、４１．３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。従来方法に比べて、本願の実施例７によって製造されたた高熱伝導率の低温はんだペーストの熱伝導率は、５０．８２Ｗ／（ｍ・Ｋ）に達する。
（比較例２）
Ｓｎ５８Ｂｉはんだペースト中にＣｕ粒子を添加
Ｓｎ５８Ｂｉはんだペースト中に５ｗｔ．％のＣｕ粒子を加え、複合はんだペーストを製造し、次に、その熱伝導率を試験する（Ｈａｏ Ｚｈａｎｇ， ｅｔ ａｌ． Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ：Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ． ２０１９， ３０：３４０-３４７を参照）。具体的なステップは、以下のとおりである。
ステップＳ２、多孔質のＣｕ発泡体を２５０℃の溶融したＳｎ５８Ｂｉはんだ中に７秒間浸漬し、取り出し、室温で冷却し、複合はんだシートを得て、
ステップＳ３、複合はんだシートを、直径１２．７ｍｍ、厚さ２ｍｍの円形サンプルに製造し、次に、ＮＥＴＺＳＣＨ ＬＦＡ ４４７を使用してその熱伝導率を試験する。
該方法によって製造された多孔質のＣｕ発泡体シートをＳｎ５８Ｂｉに浸漬する複合はんだシートの熱伝導率は、４１．３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。従来方法に比べて、本願の実施例７によって製造されたた高熱伝導率の低温はんだペーストの熱伝導率は、５０．８２Ｗ／（ｍ・Ｋ）に達する。
（比較例２）
Ｓｎ５８Ｂｉはんだペースト中にＣｕ粒子を添加
Ｓｎ５８Ｂｉはんだペースト中に５ｗｔ．％のＣｕ粒子を加え、複合はんだペーストを製造し、次に、その熱伝導率を試験する（Ｈａｏ Ｚｈａｎｇ， ｅｔ ａｌ． Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ：Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ． ２０１９， ３０：３４０-３４７を参照）。具体的なステップは、以下のとおりである。
【0030】
ステップＳ１、平均直径５μｍのＣｕ粒子と４５μｍのＳｎ５８Ｂｉ粒子を選択し、混合した後、フラックスを加え、３０分間機械撹拌し、複合はんだペーストを得て、
ステップＳ２、複合はんだペーストを銅パッドと回路を備えたアルミニウム基板に塗布し、次に、３５３５ ＬＥＤランプを置き、ピーク温度が１７０℃になるまで加熱し、３５３５ ＬＥＤランプを基板に溶接し、はんだバンプを形成し、
ステップＳ３、Ｔ３Ｓｔｅｒにより、溶接されたＬＥＤランプの熱挙動とＳｎ５８Ｂｉ－５ｗｔ．％のＣｕはんだ層の熱伝導率を評価する。
ステップＳ２、複合はんだペーストを銅パッドと回路を備えたアルミニウム基板に塗布し、次に、３５３５ ＬＥＤランプを置き、ピーク温度が１７０℃になるまで加熱し、３５３５ ＬＥＤランプを基板に溶接し、はんだバンプを形成し、
ステップＳ３、Ｔ３Ｓｔｅｒにより、溶接されたＬＥＤランプの熱挙動とＳｎ５８Ｂｉ－５ｗｔ．％のＣｕはんだ層の熱伝導率を評価する。
【0031】
該方法によって製造されたＳｎ５８Ｂｉ－５ｗｔ．％のＣｕ複合はんだの溶接ピーク温度は１７０℃、Ｓｎ５８Ｂｉ－５ｗｔ．％のＣｕはんだ層の熱伝導率は２６．６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。従来方法に比べて、本願の実施例７によって製造されたた高熱伝導率の低温はんだペーストは、融点が１３８．９℃、溶接温度が１５０℃以下、熱伝導率が５０．８２Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。
（比較例３）
Ｃｕ＠Ｓｎ複合はんだシート
Ｃｕ粒子の表面にＳｎをメッキすることによってＣｕ＠Ｓｎコアシェル金属粒子形成し、次に、Ｃｕ＠Ｓｎコアシェル金属粒子を、３０ＭＰａの圧力下で４００±２０μｍの複合はんだシートにプレスし、次に、その熱伝導率を試験する（Ｈｏｎｇｔａｏ Ｃｈｅｎ， Ｔｉａｎｑｉ Ｈｕ， ｅｔ ａｌ． ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｐｏｗｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ． ２０１７， ３２（１）： ４４１－５１．）。具体的なステップは、以下のとおりである。
（比較例３）
Ｃｕ＠Ｓｎ複合はんだシート
Ｃｕ粒子の表面にＳｎをメッキすることによってＣｕ＠Ｓｎコアシェル金属粒子形成し、次に、Ｃｕ＠Ｓｎコアシェル金属粒子を、３０ＭＰａの圧力下で４００±２０μｍの複合はんだシートにプレスし、次に、その熱伝導率を試験する（Ｈｏｎｇｔａｏ Ｃｈｅｎ， Ｔｉａｎｑｉ Ｈｕ， ｅｔ ａｌ． ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｐｏｗｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ． ２０１７， ３２（１）： ４４１－５１．）。具体的なステップは、以下のとおりである。
【0032】
ステップＳ１、室温で、チオ尿素（０．６５ｍｏｌ／Ｌ）、ＥＤＴＡ（０．００１４ｍｏｌ／Ｌ）、ハイドロキノン（０．００３６ｍｏｌ／Ｌ）及び次亜リン酸ナトリウム（０．２ｍｏｌ／Ｌ）を８０ｍＬの脱イオン水中に溶解し、次に、メタンスルフォン酸（０．００４２ｍｏｌ／Ｌ）及びエチレングリコール（１５ｍＬ／Ｌ）を加え、材料が完全に溶解するまで溶液を穏やかに撹拌し、混合溶液Ａを得て、
ステップＳ２、２ｇの塩化第一スズを１ｍＬの塩酸溶液に溶解し、混合溶液Ｂを得て、
ステップＳ３、平均直径３５μｍのＣｕ粒子粉末の２ｇを５％の塩酸を含有するエタノール溶液に滴下し、溶液を超音波洗浄し、Ｃｕ粒子外の表面汚染物質及び酸化層を除去し、最後に、脱イオン水でＣｕ粒子を４回洗浄し、
ステップＳ４、溶液Ｂを溶液Ａ中に入れ、溶液が均一に混合されるまで連続して撹拌する。次に、酸洗浄後のＣｕ粒子を混合溶液中に迅速に加える。室温で、３時間連続して撹拌し、濾過すると、Ｃｕ＠Ｓｎコアシェル粒子を得て、
ステップＳ５、Ｃｕ＠Ｓｎコアシェル金属粒子を３０ＭＰａの圧力下で１分間保持し、４００±２０μｍの複合はんだシートにプレスし、
ステップＳ６、ＮＥＴＺＳＣＨ ４７７、ＮＥＴＺＳＣＨ ＳＴＡ ４４９Ｆ３によって複合はんだシートの熱拡散係数及び比熱をそれぞれ試験し、最後に、得られた熱拡散係数、比熱及び密度を乗算すると、複合はんだシートの熱伝導率を得ることができる。
ステップＳ２、２ｇの塩化第一スズを１ｍＬの塩酸溶液に溶解し、混合溶液Ｂを得て、
ステップＳ３、平均直径３５μｍのＣｕ粒子粉末の２ｇを５％の塩酸を含有するエタノール溶液に滴下し、溶液を超音波洗浄し、Ｃｕ粒子外の表面汚染物質及び酸化層を除去し、最後に、脱イオン水でＣｕ粒子を４回洗浄し、
ステップＳ４、溶液Ｂを溶液Ａ中に入れ、溶液が均一に混合されるまで連続して撹拌する。次に、酸洗浄後のＣｕ粒子を混合溶液中に迅速に加える。室温で、３時間連続して撹拌し、濾過すると、Ｃｕ＠Ｓｎコアシェル粒子を得て、
ステップＳ５、Ｃｕ＠Ｓｎコアシェル金属粒子を３０ＭＰａの圧力下で１分間保持し、４００±２０μｍの複合はんだシートにプレスし、
ステップＳ６、ＮＥＴＺＳＣＨ ４７７、ＮＥＴＺＳＣＨ ＳＴＡ ４４９Ｆ３によって複合はんだシートの熱拡散係数及び比熱をそれぞれ試験し、最後に、得られた熱拡散係数、比熱及び密度を乗算すると、複合はんだシートの熱伝導率を得ることができる。
【0033】
該方法によって製造されたＣｕ＠Ｓｎ複合はんだシートの熱伝導率は、３０℃で１５４．２６Ｗ／（ｍ・Ｋ）、１５０℃で１３０．６４Ｗ／（ｍ・Ｋ）、２５０℃で１２７．９９Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、溶接を実現するための還流温度は、２５０℃であるため、１５０℃以下の低温溶接に適用できない。従来方法に比べて、本願の実施例７によって製造されたた高熱伝導率の低温はんだペーストは、融点が１３８．９℃、溶接温度が１５０℃以下、熱伝導率が５０．８２Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。
【0034】
性能検出
（１）複合材料の外形
実施例３によって製造された金属複合材料を取って分析する。図２は、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎ金属粉末及びＸＲＤ図であり、Ａｇ元素、Ｓｎ元素、及びＡｇ原子とＳｎ原子によって形成された化合物Ａｇ３Ｓｎを見え、それは、Ｃｕ粒子の表面がＡｇ層とＳｎ層をうまく被覆することを示す。
（１）複合材料の外形
実施例３によって製造された金属複合材料を取って分析する。図２は、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎ金属粉末及びＸＲＤ図であり、Ａｇ元素、Ｓｎ元素、及びＡｇ原子とＳｎ原子によって形成された化合物Ａｇ３Ｓｎを見え、それは、Ｃｕ粒子の表面がＡｇ層とＳｎ層をうまく被覆することを示す。
【0035】
図３及び図４はそれぞれＣｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粒子の走査型電子顕微鏡写真及びエネルギースペクトル面走査図であり、その結果から分かるように、Ｃｕ粒子にＡｇ及びＳｎを無電解メッキした後、Ａｇ及びＳｎ原子の厚いメッキ層がＣｕ粒子の表面に堆積し、形成されたＣｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粒子の表面は粗くなり、くぼみがある。
【0036】
図５は、Ｃｕ＠Ａｇ＠Ｓｎコアシェル金属粒子の横断面の局所的なエネルギースペクトル線走査図であり、その図面から分かるように、２回の無電解メッキが行われた後のＡｇ中間層とＳｎ外層はＣｕコアに密着し、隙間がなく、エネルギースペクトル線走査の結果は、異なるメッキ層においてＡｇ元素及びＳｎ元素の強度が交互に変動することを示し、それは、メッキ層がそれぞれＡｇ層及びＳｎ層であることを実証する。
【0037】
（２）融点
実施例７によって製造されたはんだペーストを取り、その現物図は、図７に示され、その融点を試験する。具体的な方法は、以下とおりである。はんだペーストをＡｌ３Ｏ２セラミック基板に置き、１５０℃で５分間加熱して還流し、溶融したはんだ及びＡｌ３Ｏ２セラミックには、湿り気がないため、表面張力の作用下で、はんだは、ボール形に収縮し、冷却して固化した後、はんだ合金ボールを製造し、次に、はんだボールを研磨してつや出しし、直径１２．５０～１２．９０ｍｍ、厚さ１～５ｍｍのはんだ合金シートを製造する。次に、ＤＳＣ ２０４ Ｆ１示差走査熱量計によってはんだ合金のＤＳＣ曲線を試験する。試験結果は、図７に示され、はんだ合金のピーク温度は、１４６．０℃であり、標準化委員会ＩＣＴＡのルールによれば、ＤＳＣ曲線における前基準線の延長線とピークの前縁の最大傾きの接線との交点は、融点を表し、即ち、該はんだ合金の融点は、１３８．９℃である。
実施例７によって製造されたはんだペーストを取り、その現物図は、図７に示され、その融点を試験する。具体的な方法は、以下とおりである。はんだペーストをＡｌ３Ｏ２セラミック基板に置き、１５０℃で５分間加熱して還流し、溶融したはんだ及びＡｌ３Ｏ２セラミックには、湿り気がないため、表面張力の作用下で、はんだは、ボール形に収縮し、冷却して固化した後、はんだ合金ボールを製造し、次に、はんだボールを研磨してつや出しし、直径１２．５０～１２．９０ｍｍ、厚さ１～５ｍｍのはんだ合金シートを製造する。次に、ＤＳＣ ２０４ Ｆ１示差走査熱量計によってはんだ合金のＤＳＣ曲線を試験する。試験結果は、図７に示され、はんだ合金のピーク温度は、１４６．０℃であり、標準化委員会ＩＣＴＡのルールによれば、ＤＳＣ曲線における前基準線の延長線とピークの前縁の最大傾きの接線との交点は、融点を表し、即ち、該はんだ合金の融点は、１３８．９℃である。
【0038】
（３）熱伝導率
実施例７によって製造されたはんだペーストを取り、その熱伝導率を試験する。具体的な方法は、以下とおりである。はんだペーストをＡｌ３Ｏ２セラミック基板に置き、１５０℃で５分間加熱して還流し、溶融したはんだ及びＡｌ３Ｏ２セラミックには、湿り気がないため、表面張力の作用下で、はんだは、ボール形に収縮し、冷却して固化した後、はんだ合金ボールを製造し、次に、はんだボールを研磨してつや出しし、直径１２．５０～１２．９０ｍｍ、厚さ１～５ｍｍのはんだ合金シートを製造する。次に、ＢＳ２１０Ｓ電子密度天びん計、ＬＦＡ４４７レーザー射出熱伝導率分析計、ＤＳＣ ２０４ Ｆ１示差走査熱量計によってはんだ合金シートの密度、熱拡散係数及び比熱をそれぞれ試験し、最後に、得られた熱拡散係数、比熱及び密度を乗算すると、複合はんだシートの熱伝導率を得ることができる。試験結果は、図８に示され、本はんだ合金の熱伝導率は、２５℃で４０．５９Ｗ／（ｍ・Ｋ）、４０℃で４２．３９Ｗ／（ｍ・Ｋ）、５５℃で４３．８４Ｗ／（ｍ・Ｋ）、７０℃で４５．４４Ｗ／（ｍ・Ｋ）、８５℃で５０．８２Ｗ／（ｍ・Ｋ）、１００℃で５２．５１Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。
実施例７によって製造されたはんだペーストを取り、その熱伝導率を試験する。具体的な方法は、以下とおりである。はんだペーストをＡｌ３Ｏ２セラミック基板に置き、１５０℃で５分間加熱して還流し、溶融したはんだ及びＡｌ３Ｏ２セラミックには、湿り気がないため、表面張力の作用下で、はんだは、ボール形に収縮し、冷却して固化した後、はんだ合金ボールを製造し、次に、はんだボールを研磨してつや出しし、直径１２．５０～１２．９０ｍｍ、厚さ１～５ｍｍのはんだ合金シートを製造する。次に、ＢＳ２１０Ｓ電子密度天びん計、ＬＦＡ４４７レーザー射出熱伝導率分析計、ＤＳＣ ２０４ Ｆ１示差走査熱量計によってはんだ合金シートの密度、熱拡散係数及び比熱をそれぞれ試験し、最後に、得られた熱拡散係数、比熱及び密度を乗算すると、複合はんだシートの熱伝導率を得ることができる。試験結果は、図８に示され、本はんだ合金の熱伝導率は、２５℃で４０．５９Ｗ／（ｍ・Ｋ）、４０℃で４２．３９Ｗ／（ｍ・Ｋ）、５５℃で４３．８４Ｗ／（ｍ・Ｋ）、７０℃で４５．４４Ｗ／（ｍ・Ｋ）、８５℃で５０．８２Ｗ／（ｍ・Ｋ）、１００℃で５２．５１Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。
【0039】
前述の内容は、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明するが、本発明は、上記実施形態の詳細に限定されるものではなく、本発明の技術的概念の範囲内で、本発明の技術的解決手段に対して様々な簡単な変更を行うことができ、これらの簡単な変更は全て本発明の保護範囲に属する。
【0040】
なお、説明すべきものとして、上記の特定の実施形態で説明された各具体的な技術的特徴は、矛盾しない限り、任意の適切な方式で組み合わせることができる。不必要な繰り返しを回避するために、様々な可能な組み合わせは、本発明では説明されない。
【0041】
また、本発明の様々な実施形態は、本発明の趣旨に反しない限り、任意に組み合わせることができ、それらも本発明に開示された内容と見なされるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
