▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024100671
(43)【公開日】2024-07-26
(54)【発明の名称】積層型電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20240719BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201L
H01G4/30 201M
H01G4/30 201N
H01G4/30 515
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023146892
(22)【出願日】2023-09-11
(31)【優先権主張番号】10-2023-0006106
(32)【優先日】2023-01-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】權 亨純
(72)【発明者】
【氏名】金 亨旭
(72)【発明者】
【氏名】金 慶植
(72)【発明者】
【氏名】洪 智秀
(72)【発明者】
【氏名】白 承仁
(72)【発明者】
【氏名】崔 民英
(72)【発明者】
【氏名】朴 時澤
(72)【発明者】
【氏名】李 鐘煥
(72)【発明者】
【氏名】朴 宰成
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC04
5E001AC10
5E001AD04
5E001AE01
5E001AE02
5E001AE03
5E001AE04
5E001AH01
5E001AH05
5E001AH07
5E001AH09
5E001AJ02
5E082AA01
5E082AB03
5E082EE05
5E082EE23
5E082EE35
5E082FF05
5E082FG03
5E082FG26
5E082FG46
5E082GG10
5E082PP03
(57)【要約】
【課題】積層型電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記誘電体層は、Ｔｉ、 希土類元素を含む第１副成分元素、及びＭｎを含む第２副成分元素を含み、上記希土類元素は、Ｄｙ及びＴｂを含む第１希土類元素、及び上記第１希土類元素とは異なる希土類元素を含む第２希土類元素を含み、上記誘電体層に含まれた上記Ｔｉ１００モルに対する上記希土類元素のモル数をＲＥ、上記Ｄｙのモル数をＡ１、上記Ｔｂのモル数をＡ２と定義するとき、０．５モル≦ＲＥ≦０．９モル及び１＜Ａ２／Ａ１を満たし、上記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する上記第２副成分元素のモル数は０．２モル以上０．５モル以下であることができる。
【選択図】図７
【解決手段】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記誘電体層は、Ｔｉ、 希土類元素を含む第１副成分元素、及びＭｎを含む第２副成分元素を含み、上記希土類元素は、Ｄｙ及びＴｂを含む第１希土類元素、及び上記第１希土類元素とは異なる希土類元素を含む第２希土類元素を含み、上記誘電体層に含まれた上記Ｔｉ１００モルに対する上記希土類元素のモル数をＲＥ、上記Ｄｙのモル数をＡ１、上記Ｔｂのモル数をＡ２と定義するとき、０．５モル≦ＲＥ≦０．９モル及び１＜Ａ２／Ａ１を満たし、上記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する上記第２副成分元素のモル数は０．２モル以上０．５モル以下であることができる。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体層及び内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、Ｔｉ、希土類元素を含む第１副成分元素、及びＭｎを含む第２副成分元素を含み、
前記希土類元素は、Ｄｙ及びＴｂを含む第１希土類元素、及び前記第１希土類元素とは異なる希土類元素を含む第２希土類元素を含み、
前記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する前記希土類元素のモル数をＲＥ、前記Ｄｙのモル数をＡ１、前記Ｔｂのモル数をＡ２とするとき、０．５モル≦ＲＥ≦０．９モル及び１＜Ａ２／Ａ１を満たし、
前記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する前記第２副成分元素のモル数は０．２モル以上０．５モル以下である、積層型電子部品。
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、Ｔｉ、希土類元素を含む第１副成分元素、及びＭｎを含む第２副成分元素を含み、
前記希土類元素は、Ｄｙ及びＴｂを含む第１希土類元素、及び前記第１希土類元素とは異なる希土類元素を含む第２希土類元素を含み、
前記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する前記希土類元素のモル数をＲＥ、前記Ｄｙのモル数をＡ１、前記Ｔｂのモル数をＡ２とするとき、０．５モル≦ＲＥ≦０．９モル及び１＜Ａ２／Ａ１を満たし、
前記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する前記第２副成分元素のモル数は０．２モル以上０．５モル以下である、積層型電子部品。
【請求項2】
前記誘電体層は、Ｍｇを含む第３副成分元素をさらに含み、
前記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する前記第３副成分元素のモル数は０．０１モル以上０．３モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する前記第３副成分元素のモル数は０．０１モル以上０．３モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項3】
前記希土類元素は、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｙ、Ｅｒ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｔｍ、Ｌａ及びＹｂのうち一つ以上を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項4】
前記第２希土類元素は、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｓｍ及びＹのうち一つ以上を含む、請求項３に記載の積層型電子部品。
【請求項5】
前記第２副成分元素は、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ及びＺｎのうち一つ以上をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項6】
前記誘電体層は、Ｓｉを含む第４副成分元素をさらに含み、
前記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する前記第４副成分元素のモル数は１．０モル以上５．０モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する前記第４副成分元素のモル数は１．０モル以上５．０モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項7】
前記誘電体層は複数の誘電体層を含み、前記複数の誘電体層のうち少なくとも一つの平均厚さは０．４５μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項8】
前記内部電極は複数の内部電極を含み、前記複数の内部電極のうち少なくとも一つの平均厚さは０．４５μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項9】
前記積層型電子部品は、－５５℃～１０５℃の温度範囲でのＴＣＣ（キャパシタンス温度係数）が－２２％以上＋２２％以下である特性を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項10】
前記本体は、前記誘電体層及び前記誘電体層と積層方向に交互に配置される前記内部電極を含む容量形成部と、前記容量形成部の前記積層方向の両端面に配置されるカバー部とを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項11】
前記カバー部の前記積層方向の平均厚さは２０μｍ以下である、請求項１０に記載の積層型電子部品。
【請求項12】
前記外部電極が配置される方向を長さ方向とするとき、
前記本体の幅方向の両端面に配置されるサイドマージン部を含む、請求項１０に記載の積層型電子部品。
前記本体の幅方向の両端面に配置されるサイドマージン部を含む、請求項１０に記載の積層型電子部品。
【請求項13】
前記サイドマージン部の前記幅方向の平均幅は２０μｍ以下である、請求項１２に記載の積層型電子部品。
【請求項14】
前記外部電極は、前記本体上に配置されて前記内部電極と連結される電極層、及び前記電極層上に配置されるめっき層を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項15】
ＲＥ２を、前記誘電体層に含まれるＴｉ１００モルに対する第２希土類元素のモル数とするとき、ＲＥ＝Ａ１＋Ａ２＋ＲＥ２を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ‐Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）等の映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話等の様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のキャパシタである。
【0003】
このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。コンピュータ、モバイル機器等、各種の電子機器が小型化、高出力化するにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求が増大している。
【0004】
現在、ＭＬＣＣの誘電体には希土類元素（ｒａｒｅ ｅａｒｔｈ ｅｌｅｍｅｎｔ）が添加されている。希土類元素がＢａＴｉＯ３に添加される場合、Ｂａ位置を置換して電子が生成され、酸素空孔欠陥（ｖａｃａｎｃｙ ｏｘｙｇｅｎ ｄｅｆｅｃｔ）を効果的に減少させ、信頼性の改善に効果的であると知られているためである。しかし、希土類元素がＢａ位置を置換すると、ＢａＴｉＯ３の正方晶系（ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ）構造を不安定にし、立方（ｃｕｂｉｃ）構造への相転移がさらに容易になることによって、キュリー温度（Ｃｕｒｉｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ、Ｔｃ）が低温に移動するようになり、温度特性が低下する傾向がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】韓国公開特許第１０－２００７－００８５２０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、Ｘ６Ｓ温度特性を満たす積層型電子部品を提供することである。
【0007】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、高温信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。
【0008】
但し、本発明が解決しようとするいくつかの課題は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記誘電体層は、Ｔｉ、希土類元素を含む第１副成分元素、及びＭｎを含む第２副成分元素を含み、上記希土類元素は、Ｄｙ及びＴｂを含む第１希土類元素、及び上記第１希土類元素とは異なる希土類元素を含む第２希土類元素を含み、上記誘電体層に含まれた上記Ｔｉ１００モルに対する上記希土類元素のモル数をＲＥ、上記Ｄｙのモル数をＡ１、上記Ｔｂのモル数をＡ２と定義するとき、０．５モル≦ＲＥ≦０．９モル及び１＜Ａ２／Ａ１を満たし、上記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する上記第２副成分元素のモル数は０．２モル以上０．５モル以下であることができる。
【発明の効果】
【0010】
本発明の様々な効果の一つは、積層型電子部品がＸ６Ｓ容量温度特性を満たすことである。
【0011】
本発明の様々な効果の一つは、積層型電子部品の高温信頼性を向上させることである。
【0012】
但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の 具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示す。
【図2】内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示す。
【図5】（ａ）～（ｃ）は比較例及び実施例のＨＡＬＴ評価グラフである。
【図6】（ａ）～（ｄ）は比較例及び実施例のＨＡＬＴ評価グラフである。
【図7】（ａ）～（ｃ）は比較例及び実施例のＨＡＬＴ評価グラフである。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさ等は、より明確な説明のために誇張されることがあり、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。
【0015】
そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素に対しては、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。
【0016】
図面において、第１方向は積層方向又は厚さＴ方向、第２方向は長さ（サイズ）Ｌ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。
【0017】
積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ’線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿った断面図を概略的に示すものである。
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ’線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿った断面図を概略的に示すものである。
【0018】
以下、図１～図４を参照して、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として、積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は、誘電体組成物を用いる様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、又はサーミスタなどにも適用することができる。
【0019】
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記誘電体層１１１は、Ｔｉ、希土類元素を含む第１副成分元素、及びＭｎを含む第２副成分元素を含み、上記希土類元素は、Ｄｙ及びＴｂを含む第１希土類元素、及び上記第１希土類元素とは異なる希土類元素を含む第２希土類元素を含み、上記誘電体層１１１に含まれた上記Ｔｉ１００モルに対する上記希土類元素のモル数をＲＥ、上記Ｄｙのモル数をＡ１、上記Ｔｂのモル数をＡ２と定義するとき、０．５モル≦ＲＥ≦０．９モル及び１＜Ａ２／Ａ１を満たし、上記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する上記第２副成分元素のモル数は０．２モル以上０．５モル以下であることができる。
【0020】
本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。
【0021】
より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。
【0022】
本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。
【0023】
本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１面１及び第２面２、第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに対向する第３面３及び第４面４、第１～第４面（１、２、３、４）と連結され、第３方向に互いに対向する第５面５及び第６面６を有することができる。
【0024】
本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。
【0025】
誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り限定されない。一般的に、ペロブスカイト（ＡＢＯ３）系材料を使用することができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ３系セラミック粉末を含むことができ、セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。
【0026】
また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末に、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。
【0027】
一方、ＩＴ用ＭＬＣＣだけでなく、自動車電装用ＭＬＣＣの市場が拡大するにつれて、同一容量帯で定格電圧が高く信頼性に優れた製品の需要が増加している。ＭＬＣＣ誘電体組成物の添加剤元素の中で、原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）、原子価可変アクセプタ（ｖａｒｉａｂｌｅ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）である遷移金属元素、そして希土類元素（ｒａｒｅ ｅａｒｔｈ ｅｌｅｍｅｎｔ）が信頼性に与える影響は既に広く知られており、一般的に、これらを含む誘電体添加元素組成比の最適化によって、信頼性が良好な条件を選定することになる。ＢＭＥ（Ｂａｓｅ Ｍｅｔａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ、卑金属電極）ＭＬＣＣが産業化される間、信頼性を向上させるための組成の最適化作業が持続的に進められてきた。しかしながら、同じ誘電体組成であっても、微細構造、添加剤元素の分布及び固溶程度、並びに工程条件によって信頼性に大きな差があり得る。
【0028】
現在のＸ５Ｒ、Ｘ７Ｒ、Ｘ８Ｒ、Ｙ５Ｖなどの高容量ＢＭＥ ＭＬＣＣの誘電体は、ＢａＴｉＯ３母材、或いはＣａ、Ｚｒなどが一部固溶した（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｃａ）Ｏ３、（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３及びＢａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３などの母材に、Ｍｇ、Ａｌなどのような原子価固定アクセプタとＹ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒなどのようなドナー（ｄｏｎｏｒ）としての役割を果たす希土類元素とを共にドーピング（ｃｏ‐ｄｏｐｉｎｇ）し、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒのような原子価可変アクセプタ、及び余分なＢａ、並びにＳｉＯ２或いはこれを含む焼結助剤などの添加剤をさらに添加して焼結された材料に基づいている。還元雰囲気で焼成する場合に高容量ＭＬＣＣの正常な容量及び絶縁特性を実現するためには、粒成長の抑制及び耐還元性を実現しなければならず、Ｍｇのような原子価固定アクセプタを適正量添加することにより、この２つの効果を実現できると知られている。しかし、Ｍｇのような原子価固定アクセプタのみを添加する場合には、誘電体の耐電圧特性と信頼性が良くなく、Ｍｎ及びＶのような原子価可変アクセプタである遷移金属元素と希土類元素とを共に添加することで、耐電圧及び信頼性の向上効果が得られるようになる。これらの元素のほとんどは共にドーピング（ｃｏ‐ｄｏｐｉｎｇ）されており、ＢａＴｉＯ３母材結晶粒のシェル（ｓｈｅｌｌ）領域に固溶してコアシェル（ｃｏｒｅ‐ｓｈｅｌｌ）構造を形成し、ＭＬＣＣの温度による安定した容量特性及び信頼性を実現することができる。したがって、これらの添加剤元素が二次相に含まれたまま偏析（ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ）せずにシェル（ｓｈｅｌｌ）領域のＢａＴｉＯ３結晶格子によく固溶した場合にのみ信頼性が良好であると予想できる。
【0029】
このように現在のＭＬＣＣ誘電体には、希土類元素（ｒａｒｅ ｅａｒｔｈ ｅｌｅｍｅｎｔ）が添加されている。希土類元素がＢａＴｉＯ３ に添加される場合、Ｂａ位置を置換して電子を生成するものの、酸素空孔欠陥（ｖａｃａｎｃｙ ｏｘｙｇｅｎ ｄｅｆｅｃｔ）を効果的に減少させ、信頼性の改善に効果的であると知られているためである。しかし、希土類元素がＢａ位置を置換すると、ＢａＴｉＯ３の正方晶系（ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ）構造を不安定にし、立方（ｃｕｂｉｃ）構造への相転移がさらに容易になることによって、キュリー温度（Ｃｕｒｉｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ、Ｔｃ）が低温に移動するようになり、温度特性が低下する傾向がある。
【0030】
よって、本発明の一実施形態において、誘電体層１１１は、希土類元素を含む第１副成分元素及びチタン（Ｔｉ）を含むことができ、希土類元素はＤｙ及びＴｂを含む第１希土類元素、及び上記第１希土類元素とは異なる希土類元素を含む第２希土類元素を含むことができる。このとき、誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する希土類元素のモル数をＲＥ、ジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数をＡ１及びテルビウム（Ｔｂ）のモル数をＡ２と定義するとき、０．５モル≦ＲＥ≦０．９モル及び１＜Ａ２／Ａ１を満たすことができる。
【0031】
本発明において、希土類元素はＧｄ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｙ、Ｅｒ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｔｍ、Ｌａ及びＹｂのうち一つ以上を含むことができる。
【0032】
より具体的に、Ｄｙ及びＴｂを含む第１希土類元素と、上記第１希土類元素とは異なる希土類元素を含む第２希土類元素とを含むことができる。
【0033】
ここで、第２希土類元素は、ジスプロシウム（Ｄｙ）とイオン半径が類似している元素を含むことができ、ＢａＴｉＯ３を含むＡＢＯ３ペロブスカイト系誘電体物質において、Ａ－ｓｉｔｅ又はＢ－ｓｉｔｅ位置の両方に置換され得る元素が好ましい。例えば、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｓｍ及びＹのうち一つ以上を含むことができるが、特にこれらに限定されるものではない。
【0034】
言い換えれば、第１希土類元素はＧｄ、Ｈｏ、Ｓｍ及びＹを含まなくてもよく、第２希土類元素はＤｙ及びＴｂを含まなくてもよい。
【0035】
一方、誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する第１副成分元素のモル数（ＲＥ）が０．５モル以上０．９モル以下である場合、ＴＣＣ温度特性（Ｘ６Ｓ）及び高温信頼性を同時に達成することができる。
【0036】
ここで、第１副成分元素が複数個の場合、第１副成分元素のモル数は、複数の第１副成分元素の総モル数を意味することができる。
【0037】
誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する第１副成分元素のモル数（ＲＥ）が０．９モル超である場合、信頼性の面では有利であるが、キュリー温度Ｔｃが常温に移動することでＸ６Ｓ温度特性を満たさなくなるおそれがある。チタン（Ｔｉ）１００モルに対する第１副成分元素のモル数（ＲＥ）が０．５モル未満である場合は、Ｘ６Ｓ温度特性は満たすことができるものの、高温信頼性が劣化するおそれがある。
【0038】
このとき、誘電体層１１１は、チタン（Ｔｉ）１００モルを基準に、ジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数（Ａ１）に対するテルビウム（Ｔｂ）のモル数（Ａ２）に関する比率（Ａ２／Ａ１）が１＜Ａ２／Ａ１を満たすことができる。言い換えれば、チタン（Ｔｉ）１００モルに対するテルビウム（Ｔｂ）のモル数（Ａ２）は、チタン（Ｔｉ）１００モルに対するジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数（Ａ１）より多くてもよい。
【0039】
より具体的に、チタン（Ｔｉ）１００モルに対する第１副成分元素のモル数（ＲＥ）が０．５モル以上０．９モル以下の含量範囲内で、ジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数（Ａ１）に対するテルビウム（Ｔｂ）のモル数（Ａ２）が相対的に多く添加される場合、信頼性の面でより優れることができる。
【0040】
また、誘電体層１１１は、原子価可変アクセプタ元素を含む第２副成分元素をさらに含むことができ、誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する第２副成分元素のモル数は０．２モル以上０．５モル以下であることができる。
【0041】
上述したように、希土類元素の含量が多くなるほどＴＣＣ（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｃａｐａｃｉｅｔａｎｃｅ、キャパシタンス温度係数）温度特性は向上するものの、信頼性は低下するおそれがある。このような信頼性の低下を補償するために、原子価可変アクセプタ元素を添加することができる。
【0042】
ここで、原子価可変アクセプタ元素は、例えば、Ｍｎが好ましいが、これに限定されるものではなく、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＺｎのうちの一つ以上を含むことができる。
【0043】
チタン（Ｔｉ）１００モルに対する第２副成分元素のモル数が０．２モル以上０．５モル以下である場合、Ｘ６Ｓ温度特性と高温信頼性を同時に満たすことができる。
【0044】
チタン（Ｔｉ）１００モルに対する第２副成分元素のモル数が０．５モル超である場合、容量エージング（Ａｇｉｎｇ）が加速化するという問題点が発生することがあり、第２副成分元素の分散性が良くないため、凝集現象が発生することがあり、信頼性が大きく向上しない可能性がある。チタン（Ｔｉ）１００モルに対する第２副成分元素のモル数が０．２モル未満である場合、高温信頼性が低下するおそれがある。
【0045】
ここで、容量エージング（Ａｇｉｎｇ）とは、経時的な積層型電子部品の容量減少を意味し、エージング率（Ａｇｉｎｇ ｒａｔｅ）で計算することができる。エージング率（Ａｇｉｎｇ ｒａｔｅ）は、広く知られている通常の方法で計算することができ、通常の技術者であれば容易に分かる方法で計算できるものであり、計算結果によるエージング率（Ａｇｉｎｇ ｒａｔｅ）は一般に広く知られている勾配に該当することができる。
【0046】
本発明の一実施形態において、誘電体層１１１は、マグネシウム（Ｍｇ）を含む第３副成分元素をさらに含むことができ、誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する第３副成分元素のモル数は０．０１モル以上０．３モル以下であることができる。
【0047】
誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する第３副成分元素のモル数が０．０１モル以上０．３モル以下である場合、適正含量の酸素空孔（ｏｘｙｇｅｎ ｖａｃａｎｃｙ）が発生し、Ｘ６Ｓ温度特性及び高温信頼性が改善されることができる。
【0048】
第３副成分元素のモル数が０．３モル超である場合、酸素空孔が過度に発生することによって、誘電体物質、例えば、ＢａＴｉＯ３の正方晶系（ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ）構造を不安定にするため、キュリー温度（Ｔｃ）が低下するなど、高温信頼性が劣化するおそれがある。
【0049】
本発明の一実施形態において、誘電体層１１１は、ケイ素（Ｓｉ）を含む第４副成分元素をさらに含むことができ、誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する第４副成分元素のモル数は１．０モル以上５．０モル以下であることができる。
【0050】
誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する第４副成分元素のモル数が１．０モル以上５．０モル以下である場合、焼成緻密度を向上させて誘電特性を向上させる役割を果たすことができる。
【0051】
チタン（Ｔｉ）１００モルに対する第４副成分元素のモル数が１．０モル未満である場合、焼成緻密度が低下して誘電特性が低下する可能性があり、第４副成分元素のモル数が５．０モル超である場合は、焼結を過度に抑制して誘電特性が現れないおそれがある。
【0052】
誘電体層１１１の厚さｔｄは特に限定する必要はない。
【0053】
但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために誘電体層１１１の厚さは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４５μｍ以下であってもよい。
【0054】
ここで、誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１内部電極１２１と第２内部電極１２２との間に配置される誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。
【0055】
一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向のサイズを意味することができる。なお、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズを意味することができる。
【0056】
誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ‐ｓｅｃｔｉｏｎ）を倍率１万倍の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの誘電体層１１１の第１方向の平均サイズとは、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層１１１を第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。
【0057】
内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層されてもよい。
【0058】
内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は本体１１０を構成する誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出することができる。
【0059】
より具体的に、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出することができ、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体１１０の第３面３には、第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には、第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。
【0060】
すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。
【0061】
一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。
【0062】
内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に限定されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。
【0063】
また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0064】
一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。
【0065】
但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４５μｍ以下であってもよい。
【0066】
ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向のサイズを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズを意味することができる。
【0067】
内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ‐ｓｅｃｔｉｏｎ）を倍率１万倍の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの内部電極の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極を第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値であり得る。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。
【0068】
一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ‐ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されたカバー部１１２、１１３を含むことができる。
【0069】
より具体的に、容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。
【0070】
上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0071】
上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【0072】
一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは特に限定する必要はない。
【0073】
但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。
【0074】
ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向のサイズ又は積層方向のサイズを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味することができ、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズを意味することができる。
【0075】
カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面を倍率１万倍の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのカバー部をスキャンしたイメージにおいて、第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値であり得る。
【0076】
また、上述した方法で測定したカバー部の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ‐ｓｅｃｔｉｏｎ）において、カバー部の第１方向の平均サイズと実質的に同じサイズを有することができる。
【0077】
一方、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ‐ｓｕｒｆａｃｅ）上にはサイドマージン部１１４、１１５が配置されてもよい。
【0078】
より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４、及び第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。すなわち、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ‐ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されることができる。
【0079】
サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ‐ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の第３方向の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。
【0080】
サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0081】
サイドマージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成される箇所を除き、導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ‐ｓｕｒｆａｃｅ）に第３方向に積層して形成することもできる。
【0082】
第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【0083】
一方、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは特に限定する必要はない。
【0084】
但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。
【0085】
ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５のそれぞれの第３方向のサイズ又は幅方向のサイズを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味することができ、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができる。
【0086】
サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ‐ｓｅｃｔｉｏｎ）を倍率１万倍の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのサイドマージン部をスキャンしたイメージにおいて、第１方向に等間隔である１０個の地点で第３方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。
【0087】
本発明の一実施形態において、セラミック電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。
【0088】
外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結されてもよい。
【0089】
より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は、本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。
【0090】
外部電極１３１、１３２は、金属などのように、電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに、多層構造を有してもよい。
【0091】
例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ及び電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置されるめっき層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。
【0092】
電極層１３１ａ、１３２ａに対するより具体的な例を挙げると、電極層１３１ａ、１３２ａは、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であってもよく、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。
【0093】
また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であってもよい。
【0094】
また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されてもよく、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。
【0095】
電極層１３１ａ、１３２ａに使用される導電性金属は、静電容量の形成のために、上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結できる材質であれば、特に限定されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粉末にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することにより形成することができる。
【0096】
めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、実装特性を向上させる役割を果たすことができる。
【0097】
めっき層１３１ｂ、１３２ｂの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｂ、１３２ｂであってもよく、複数の層で形成されてもよい。
【0098】
めっき層１３１ｂ、１３２ｂに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｂ、１３２ｂはＮｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層１３１ａ、１３２ａ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層、及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含むこともできる。
【0099】
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００のサイズは特に限定されない。
【0100】
但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化を同時に達成するために、１００５（長さ×幅＝１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）サイズ以下の積層型電子部品１００において、本発明の効果がより優れることができる。
【0101】
以上のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。
【0102】
以下、実施例を挙げて本発明についてさらに詳細に説明するが、これは本発明の具体的な理解を助けるためのものであり、本発明の範囲が実施例によって限定されるものではない。
【0103】
（実施例）
以下で説明するサンプルチップは１００５サイズを使用し、各試験例当たり４０個のサンプルチップを作製して評価した。
以下で説明するサンプルチップは１００５サイズを使用し、各試験例当たり４０個のサンプルチップを作製して評価した。
【0104】
まず、図５は、比較例及び実施例それぞれのサンプルチップ４０個に対して超加速寿命評価（ＨＡＬＴ：Ｈｉｇｈｌｙ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｌｉｆｅ Ｔｅｓｔ）を行ったグラフである。
【0105】
より具体的に、図５（ａ）は、第１希土類元素Ｄｙを０．５モル以上０．９モル以下添加したときのＨＡＬＴグラフであり、図５（ｂ）は、第１希土類元素Ｄｙ及びＴｂを０．５モル以上０．９モル以下添加したときのＨＡＬＴグラフであり、図５（ｃ）は、第１希土類元素Ｄｙ、Ｔｂ及び第２希土類元素を０．５モル以上０．９モル以下添加したときのＨＡＬＴグラフである。
【0106】
ＨＡＬＴ評価は、温度条件８５℃、電圧条件２０Ｖｒで１２時間の間行い、初期絶縁抵抗（ＩＲ０）を基準に、絶縁抵抗（ＩＲ）値において短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生した場合を不良と評価した。
【0107】
【0108】
このことから、第１希土類元素であるＤｙ及び／又はＴｂだけでなく、第２希土類元素をさらに添加する場合、高温信頼性に優れることが分かる。
【0109】
次に、下記表１は、第１希土類元素であるＤｙ及びＴｂのモル数と第２希土類元素のモル数（ＲＥ２）との和によるＸ６Ｓ温度特性の満足の有無を評価したものである。
【0110】
Ｘ６Ｓ温度特性の評価は、２５℃の容量を基準に、－５５℃～１０５℃での容量変化率（％）が－２２％以上＋２２％以下を満たす場合、○と評価し、満たさない場合を×と評価した。
【0111】
【表1】
【0112】
Ｄｙ＋Ｔｂ＋ＲＥ２のモル数が０．５モル以上０．９モル以下である場合、Ｘ６Ｓ温度特性を満たすことが確認できるが、Ｄｙ＋Ｔｂ＋ＲＥ２のモル数が１．１モルである場合、Ｘ６Ｓ温度特性を満たさないことが確認できる。
【0113】
このことから、Ｄｙ＋Ｔｂ＋ＲＥ２のモル数が０．５モル以上０．９モル以下である場合、Ｘ６Ｓ温度特性を満たすことが分かる。
【0114】
次に、図６は、比較例及び実施例それぞれのサンプルチップ４０個に対して超加速寿命評価（ＨＡＬＴ）を行ったグラフである。
【0115】
より具体的に、図６（ａ）は、Ｄｙ＋Ｔｂ＋ＲＥ２のモル数が０．５モル未満であり、このとき１＜Ｔｂ／Ｄｙを満たす。図６（ｂ）～図６（ｄ）は、Ｄｙ＋Ｔｂ＋ＲＥ２のモル数が０．５モル以上０．９モル以下を満たし、図６（ｂ）はＴｂ／Ｄｙ＜１を満たし、図６（ｃ）はＴｂ／Ｄｙ＝１を満たし、図６（ｄ）は１＜Ｔｂ／Ｄｙを満たす。
【0116】
ＨＡＬＴ評価は、温度条件１０５℃、電圧条件１５Ｖｒで７２時間の間行い、初期絶縁抵抗（ＩＲ０）を基準に、絶縁抵抗（ＩＲ）値において短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生した場合を不良と評価した。
【0117】
図６（ｂ）～図６（ｄ）を参照すると、Ｄｙ＋Ｔｂ＋ＲＥ２のモル数が０．５モル以上０．９モル以下を満たす場合において、Ｔｂ／Ｄｙの比率が高くなるほど、短絡発生時間が増加することが確認できる。より具体的に、Ｔｂ／Ｄｙ＜１の場合、全てのサンプルチップに対して４０時間前に不良が発生し、Ｔｂ／Ｄｙ＝１の場合、全てのサンプルチップに対して７２時間前に不良が発生し、１＜Ｔｂ／Ｄｙの場合、ＨＡＬＴ評価の進行中にサンプルチップのうち不良が発生していないチップが存在することが確認できる。また、１＜Ｔｂ／Ｄｙを満たすものの、Ｄｙ＋Ｔｂ＋ＲＥ２モル未満である図６（ａ）を参照すると、全てのサンプルチップに対して５０時間前に不良が発生したことが確認できる。
【0118】
このことから、０．５モル≦Ｄｙ＋Ｔｂ＋ＲＥ２≦０．９モル及び１＜Ｔｂ／Ｄｙを満たす場合、高温信頼性が向上することが分かる。
【0119】
次に、図７は、比較例及び実施例それぞれのサンプルチップ４０個に対して超加速寿命評価（ＨＡＬＴ）を行ったグラフである。
【0120】
より具体的には、図７（ａ）～図７（ｃ）は、０．５モル≦Ｄｙ＋Ｔｂ＋ＲＥ２≦０．９モル及び１＜Ｔｂ／Ｄｙを満たす場合において、図７（ａ）は、Ｍｎのモル数が０．２モル未満であり、図７（ｂ）は、Ｍｎのモル数が０．２モル以上０．５モル以下であり、図７（ｃ）は、Ｍｎのモル数が０．５モル超である。
【0121】
ＨＡＬＴ評価は、温度条件１０５℃、電圧条件１５Ｖｒで７２時間の間行い、初期絶縁抵抗（ＩＲ０）を基準に、絶縁抵抗（ＩＲ）値において短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生した場合を不良と評価した。
【0122】
【0123】
エージング率（Ａｇｉｎｇ ｒａｔｅ）とは、経時的な容量減少率を意味し、絶対値の大きさが大きいほど、経時的な容量減少率が大きいと評価することができ、劣った特性を示す指標の一つに該当する。
【0124】
Ｍｎの添加量が高いほど、エージング率（Ａｇｉｎｇ ｒａｔｅ）が大きくなることが測定されたが、Ｍｎのモル数が０．２モル未満である場合、エージング率（Ａｇｉｎｇ ｒａｔｅ）には優れるものの、ＨＡＬＴ評価では劣った結果を示し、高温信頼性が低下することが確認できる。また、０．５＜Ｍｎの場合、エージング率（Ａｇｉｎｇ ｒａｔｅ）が最も低下し、ＨＡＬＴ評価時の短絡不良時間の散布が良くないため、信頼性が低下すると評価することができる。
【0125】
言い換えれば、０．５モル≦Ｄｙ＋Ｔｂ＋ＲＥ２≦０．５及び１＜Ｔｂ／Ｄｙを満たす場合において、０．２モル≦Ｍｎ≦０．５モルである場合、高温信頼性及び経時的な容量減少率が向上することが確認できる。
【0126】
本明細書で使用される「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態に説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明と理解することができる。
【0127】
本明細書で使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0128】
１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
