特開 2024-100719 発光素子を含む表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024100719

(43)【公開日】2024-07-26

(54)【発明の名称】発光素子を含む表示装置

(51)【国際特許分類】

   H10K 50/858 20230101AFI20240719BHJP

   H10K 50/842 20230101ALI20240719BHJP

   H10K 59/126 20230101ALI20240719BHJP

   H10K 59/40 20230101ALI20240719BHJP

   H10K 59/80 20230101ALI20240719BHJP

   G02B 3/00 20060101ALI20240719BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240719BHJP

   H10K 50/80 20230101ALI20240719BHJP

【ＦＩ】

H10K50/858

H10K50/842 141

H10K59/126

H10K59/40

H10K59/80

G02B3/00 A

G09F9/30 349Z

G09F9/30 365

H10K50/80

【審査請求】有

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024001740

(22)【出願日】2024-01-10

(31)【優先権主張番号】10-2023-0006262

(32)【優先日】2023-01-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100094112

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 讓

(74)【代理人】

【識別番号】100106183

【弁理士】

【氏名又は名称】吉澤 弘司

(74)【代理人】

【識別番号】100114915

【弁理士】

【氏名又は名称】三村 治彦

(74)【代理人】

【識別番号】100125139

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 洋

(74)【代理人】

【識別番号】100209808

【弁理士】

【氏名又は名称】三宅 高志

(72)【発明者】

【氏名】陳 釉 ▲ヨン▼

(72)【発明者】

【氏名】李 榮 福

(72)【発明者】

【氏名】金 成 祐

(72)【発明者】

【氏名】李 京 鎭

(72)【発明者】

【氏名】李 龍 求

(72)【発明者】

【氏名】金 致 龍

(72)【発明者】

【氏名】李 源 植

(72)【発明者】

【氏名】呉 世 完

(72)【発明者】

【氏名】奇 ▲ソク▼ 鎬

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC05

3K107CC37

3K107EE27

3K107EE29

3K107EE46

3K107EE66

3K107FF06

3K107FF15

5C094AA07

5C094AA12

5C094BA03

5C094BA14

5C094BA27

5C094CA19

5C094DA13

5C094ED01

5C094ED15

5C094FA02

5C094FA03

5C094FA04

5C094FB15

5C094JA08

5C094JA13

(57)【要約】

【課題】発光素子の上に位置するブラックマトリックスの開口部を通過する光の量を増加させ得る表示装置を提供する。
【解決手段】各画素領域内には光を放出する発光素子が位置する。前記発光素子上には封止ユニットが位置する。前記封止ユニット上にはブラックマトリックスが位置する。前記ブラックマトリクスの開口部は、第１方向に前記発光素子と重なる。制御絶縁膜の上面には、前記基板方向にリセスされた領域である溝が形成される。光学レンズは、前記制御絶縁膜の前記溝の上に位置する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

画素領域を含む基板と、
前記基板の前記画素領域の内に位置し、光を放出する発光素子と、
前記発光素子の上に位置する封止ユニットと、
前記封止ユニットの上に位置し、第１方向に前記発光素子と重なる開口部を含む第１ブラックマトリクスと、
前記封止ユニットの上に位置し、上面に前記基板の方向に窪んだ領域である溝が形成され、前記第１方向に前記第１ブラックマトリクスの前記開口部と重なる絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記溝の上に位置する光学レンズとを含む表示装置。

【請求項2】

前記光学レンズの屈折率は、前記絶縁膜の屈折率よりも大きい請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第１ブラックマトリクスは前記絶縁膜上に位置し、前記溝は前記開口部内に位置する請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記絶縁膜上に位置する第２ブラックマトリクスは、前記第１方向に前記第１ブラックマトリクスの前記開口部及び前記発光素子と重なる第２開口部とを含み、
前記溝は前記第２開口部の内に位置する請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

前記光学レンズの少なくとも一部は、凸形状または半円形状を有する請求項１に記載の表示装置。

【請求項6】

前記窪んだ領域は前記光学レンズの少なくとも一部によって充填される請求項１に記載の表示装置。

【請求項7】

前記窪んだ領域は第２方向に傾斜した第１面及び前記第２方向とは異なる第３方向に傾斜した第２面とを含む請求項５に記載の表示装置。

【請求項8】

前記溝の前記窪んだ領域の形状は、円錐形状、ピラミッド形状、プリズム形状のうちの少なくとも１つである請求項１に記載の表示装置。

【請求項9】

前記発光素子は、第１電極、発光層及び第２電極を含み、
前記発光素子の前記第１電極、前記発光層及び前記第２電極が重なる発光領域の大きさは、前記第１ブラックマトリクスの前記開口部の大きさより大きい請求項１に記載の表示装置。

【請求項10】

前記窪んだ領域の大きさは前記第１ブラックマトリクスの前記開口部の大きさよりも小さく、前記光学レンズの端部は前記開口内の前記第１ブラックマトリクスの側面と接触する請求項１に記載の表示装置。

【請求項11】

前記溝の前記窪んだ領域の表面は曲がった請求項１に記載の表示装置。

【請求項12】

前記窪んだ領域の底面は平坦であり、前記窪んだ領域の側面は前記窪んだ領域の底面と垂直である請求項１に記載の表示装置。

【請求項13】

前記窪んだ領域は、第２方向に傾斜した第１面と、前記第２方向とは異なる第３方向に傾斜した第２面及び前記絶縁膜の上面に垂直な第３面とを含む請求項１に記載の表示装置。

【請求項14】

前記窪んだ領域は、光学絶縁膜で満たされ、前記光学レンズは前記光学絶縁膜上に位置し、前記光学絶縁膜の屈折率は前記光学レンズの屈折率と前記絶縁膜の屈折率との間である請求項１に記載の表示装置。

【請求項15】

前記光学レンズ上に位置するレンズ保護膜を含み、
前記レンズ保護膜の屈折率は、前記光学レンズの屈折率と同じまたは大きい請求項１に記載の表示装置。

【請求項16】

前記基板から第１の距離を有する前記溝の前記窪んだ領域は、前記基板から前記第１の距離よりも大きい第２距離を有する前記溝の前記窪んだ領域よりも広い幅を有する請求項１に記載の表示装置。

【請求項17】

前記光学レンズは、前記第１ブラックマトリクスの少なくとも一部に位置する請求項１に記載の表示装置。

【請求項18】

画素領域を含む基板と、
前記画素領域内に位置し、光を放出する発光素子と、
前記発光素子上に位置する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に位置し、少なくとも一部が開口部を形成したタッチ電極を含み、
前記絶縁膜の上面は、前記開口部内で前記基板の方向に窪んだ溝を含み、
前記開口部は光学レンズで覆われている表示装置。

【請求項19】

前記絶縁膜と前記タッチ電極との間に位置するブラックマトリクスをさらに含む請求項１８に記載の表示装置。

【請求項20】

前記光学レンズは、前記開口部内で前記タッチ電極の側面又は上面を覆う請求項１８に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は素子基板の画素領域の上に発光素子が位置する表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

一般的に表示装置はユーザーに映像を提供する。例えば、前記表示装置は多数の発光素子を含み得る。各発光素子は、特定の色を表す光を放出し得る。例えば、各発光素子は順に積層された第１電極、発光層及び第２電極を含み得る。

【0003】

表示装置によって再現された映像は、ユーザーの周囲の人々に認識されないこともある。例えば、表示装置は、各発光素子から放出された光の進行方向を制限するための視野角制御ユニットを含み得る。視野角制御ユニットは、少なくとも一層のブラックマトリックスを含み得る。ブラックマトリックスは、前記発光素子と重なる開口部を含み得る。各発光素子によって生成された光は、ブラックマトリックスの前記開口部の一つを通じて外部に放出され得る。

【0004】

しかし、表示装置では、ブラックマトリックスによって使用者に提供される光の量が減少し得る。すなわち、表示装置では各発光素子によって生成された光の抽出効率がブラックマトリックスによって低下し得る。これにより、表示装置では再現される映像の輝度が全体的に低下し得る。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明が解決しようとする課題は視野角を制限し、光の抽出効率を改善できる表示装置を提供することである。

【0006】

本発明が解決しようとする他の課題は、発光素子の上に位置するブラックマトリックスの開口部を通過する光の量を増加させ得る表示装置を提供することである。

【0007】

本発明が解決しようとする課題は、前述の課題に限定されない。ここで言及されていない課題は、以下の記載から通常の技術者に明確に理解されるだろう。

【課題を解決するための手段】

【0008】

前記解決しようとする課題を達成するための本発明の技術的思想による表示装置は素子基板を含む。素子の基板の上にはバンク絶縁膜および発光素子が位置する。バンク絶縁膜は発光領域を定義する。発光素子は発光領域の上に位置する。バンク絶縁膜および発光素子の上には封止ユニットが位置する。封止ユニットの上にはブラックマトリックスおよび制御絶縁膜が位置する。ブラックマトリックスは発光素子の上に位置する開口部を含む。制御絶縁膜はブラックマトリックスを覆う。制御絶縁膜の上には光学レンズが位置する。光学レンズは発光領域と重なる。光学レンズに向けた制御絶縁膜の上面には制御溝が位置する。制御溝は発光領域内に位置する。

【0009】

制御絶縁膜の上面では、制御溝はブラックマトリックスの開口部と同じ大きさであり得る。

【0010】

制御絶縁膜と光学レンズとの間には光学部材が位置し得る。光学部材は制御溝を埋めることがある。光学部材の屈折率は制御絶縁膜の屈折率より大きく構成され得る。

【0011】

光学レンズは光学部材と他の物質を含み得る。

【0012】

素子基板に向けた制御溝の表面は、第１底面および第２底面を含み得る。第１底面は第１方向に傾斜し得る。第２底面は第２方向を傾斜させ得る。第２方向は第１方向と異なる場合がある。

【0013】

制御溝の大きさは素子基板方向に行くほど減少し得る。

【0014】

発光領域の中心部を基準に第２底面は第１底面と対称になり得る。

【0015】

発光領域はブラックマトリックスの開口部より大きい大きさであり得る。

【0016】

解決しようとする他の課題を達成するための本発明の技術的思想による表示装置は、素子基板を含む。素子の基板の上には発光素子および封止ユニットが位置する。発光素子は画素領域の上に位置する。封止ユニットは発光素子を覆う。封止ユニットの上には第１ブラックマトリックスが位置する。第１ブラックマトリックスは発光素子と重なる第１開口部を含む。第１ブラックマトリックスは制御絶縁膜によって覆われる。制御絶縁膜は発光素子の上に位置する制御溝を含む。制御絶縁膜の上には光学レンズが位置する。光学レンズは発光素子と重なる。光学レンズは制御溝内に位置する領域を含む。

【0017】

光学レンズの屈折率は制御絶縁膜の屈折率より大きく構成され得る。

【0018】

制御溝の側面は光学レンズに向けた制御絶縁膜の上面と垂直な方向に延長し得る。

【0019】

制御絶縁膜の上面では、制御溝はブラックマトリックスの開口部より小さく構成され得る。

【0020】

素子基板に向けた光学レンズの下面は、ブラックマトリックスの開口部より大きく構成され得る。

【0021】

制御絶縁膜の上面では、制御溝の平面は光学レンズの下面の平面と異なる形状を有し得る。

【0022】

制御絶縁膜の上には第２ブラックマトリックスが位置し得る。第２ブラックマトリックスは、第１ブラックマトリックスと重なり得る。第２ブラックマトリックスは、第２開口部を含み得る。第２開口部は第１開口部と重なり得る。制御溝は第２開口部内に位置し得る。

【0023】

第２開口部は第１開口部と同じ大きさであり得る。

【発明の効果】

【0024】

本発明の技術的思想による表示装置は、発光素子の上に位置するブラックマトリックス、ブラックマトリックスを覆う制御絶縁膜及び制御絶縁膜の上に位置する光学レンズを含むが、前記ブラックマトリックスが前記発光素子と重なる開口部を含み、前記制御絶縁膜が前記発光素子と光学レンズとの間に位置する制御溝を含むことができる。これにより、本発明の技術的思想による表示装置では、前記発光素子によって生成された光が前記制御溝によって前記光学レンズ方向に屈折することができる。すなわち、本発明の技術的思想による表示装置では、前記発光素子によって生成された光の抽出効率が向上することができる。したがって、本発明の技術的思想による表示装置では、使用者に提供される光の量が増加し得る。また、本発明の技術的思想による表示装置では、方位角による輝度偏差が緩和され得る。さらに、本発明の技術的思想による表示装置では、光の抽出改善により低電力駆動が可能であり、消費電力を低減できる。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】本発明の実施例による表示装置を概略的に示した図である。

【図2】本発明の実施例による表示装置で単位画素領域の回路を示した図である。

【図3】本発明の実施例による表示装置における画素領域の断面を示した図である。

【図4】図３のＫ１領域を拡大した図である。

【図5】本発明の実施例による表示装置の形成方法を順次示した図である。

【図6】本発明の実施例によるディスプレイ表示装置の形成方法を順次示した図である。

【図7】本発明の実施例によるディスプレイ表示装置の形成方法を順次示した図である。

【図8】本発明の実施例によるディスプレイ表示装置の形成方法を順次示した図である。

【図9】本発明の実施例によるディスプレイ表示装置の形成方法を順次示した図である。

【図10】本発明の他の実施例による表示装置を示した図である。

【図11】本発明の他の実施例による表示装置を示した図である。

【図12】本発明の他の実施例による表示装置を示した図である。

【図13】本発明の他の実施例による表示装置を示した図である。

【図14】本発明の他の実施例による表示装置を示した図である。

【図15】本発明の他の実施例による表示装置を示した図である。

【図16】本発明の他の実施例による表示装置を示した図である。

【図17】本発明の他の実施例による表示装置を示した図である。

【図18】本発明の他の実施例による表示装置を示した図である。

【図19】本発明の他の実施例による表示装置を示した図である。

【図20】本発明の他の実施例による表示装置を示した図である。

【図21】本発明の他の実施例による表示装置を示した図である。

【図22】本発明の他の実施例による表示装置を示した図である。

【図23】本発明の他の実施例による表示装置を示した図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

本発明の目的と技術的構成及びこれによる作用効果に関する詳細事項は、本発明の実施例を図示している図面を参照した以下の詳細な説明によって、さらに明確に理解されることである。ここで、本発明の実施例は当業者に本発明の技術的思想が十分に伝えられるようにするために提供されるものであるため、本発明は以下説明される実施例に限定されないよう他の形態で具体化できる。

【0027】

また、明細書全体にわたって同じ参照番号で表示された部分は同じ構成要素を意味し、図面において層または領域の長さと厚さは便宜のために誇張されて表現できる。なお、第１要素が第２要素「上」にあると記載されている場合、第１要素が第２要素と直接接触する上側に位置するだけでなく、第１要素と第２要素との間に第３要素が位置する場合も含む。

【0028】

ここで、第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するためのもので、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使われる。ただし、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲では、第１成分と第２成分は当業者の便宜によって任意に命名し得る。

【0029】

本発明の明細書で使用する用語は、単に特定の実施例を説明するために使用されるものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。例えば、単数で表現された要素は文脈上明らかに単数のみを意味しない場合、複数の要素を含む。また、本発明の明細書において、「含む」又は「有する」等の用語は、明細書の上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部分品又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴若しくは数字，ステップ，動作，構成要素，部分品若しくはこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性をあらかじめ排除しないものと理解しなければならない。

【0030】

なお、別に定義されない限り、技術的または科学的な用語を含めてここで使用されるすべての用語は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されるのと同じ意味がある。一般的に使用される辞書に定義されているような用語は、関連技術の文脈上有する意味と一致する意味があるものと解釈されなければならず、本発明の明細書で明確に定義しない限り、理想的または過度に形式的な意味では解釈されない。

【0031】

（実施例）
図１は、本発明の実施例による表示装置を概略的に示した図である。図２は、本発明の実施例による表示装置で単位画素領域の回路を示した図である。

【0032】

図１及び２を参照すると、本発明の実施例による表示装置は、表示パネルＤＰを含み得る。表示パネルＤＰは、ユーザーに提供する映像を生成し得る。

【0033】

例えば、表示パネルＤＰは多数の画素領域ＰＡを含み得る。
各画素領域ＰＡには信号配線ＧＬ、ＤＬ、ＰＬを通じて多様な信号が提供され得る。例えば、の信号配線ＧＬ、ＤＬ、ＰＬは各画素領域ＰＡにゲート信号を印加するゲートラインＧＬ、各画素領域ＰＡにデータ信号を印加するデータラインＤＬおよび各画素領域ＰＡに電源電圧を供給する電源電圧供給ラインＰＬを含み得る。ゲートラインＧＬはゲートドライバーＧＤと電気的に接続され、データラインＤＬはデータドライバーＤＤと電気的に接続され得る。ゲートドライバーＧＤおよびデータドライバーＤＤは、タイミングコントローラＴＣによって制御できる。例えば、ゲートドライバーＧＤはタイミングコントローラＴＣからクロック信号、リセット信号およびスタート信号を受け取り、データドライバーＤＤはタイミングコントローラＴＣからデジタルビデオデータおよびソースタイミング信号を受け取り得る。の電源電圧供給ラインＰＬは、電源ユニットＰＵと電気的に接続できる。

【0034】

表示パネルＤＰは、画素領域ＰＡが位置する表示領域ＡＡおよび表示領域ＡＡの外側に位置するベゼル領域ＢＺを含み得る。ゲートドライバーＧＤ、データドライバーＤＤ、タイミングコントローラＴＣおよび電源ユニットＰＵの少なくとも一つは、表示パネルＤＰのベゼル領域ＢＺの上に位置し得る。例えば、本発明の実施例による表示装置は、ゲートドライバーＧＤが表示パネルＤＰのベゼル領域ＢＺの上に形成された（ＧＩＰＧａｔｅ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ）タイプの表示装置であり得る。

【0035】

各画素領域ＰＡは特定の色を具現し得る。例えば、各画素領域ＰＡ内には発光素子３００と電気的に接続される画素駆動回路ＤＣが位置し得る。各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣは、素子基板１００の上に位置し得る。素子基板１００は絶縁性物質を含み得る。例えば、素子基板１００はガラスまたはプラスチックを含み得る。

【0036】

各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣは、ゲート信号によってデータ信号に対応する駆動電流を一フレームの間、該当画素領域ＰＡの発光素子３００に供給し得る。例えば、各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣは、第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２及びストレージキャパシタＣｓｔを含み得る。

【0037】

図３は、本発明の実施例による表示装置における画素領域の断面を示した図である。図４は図３のＫ１領域を拡大した図である。

【0038】

図２乃至図４を参照すると、の第１薄膜トランジスタＴ１は、第１半導体パターン、第１ゲート電極、第１ドレイン電極および第１ソース電極を含み得る。第１薄膜トランジスタＴ１は、ゲート信号によってデータ信号を第２薄膜トランジスタＴ２に伝達し得る。例えば、第１薄膜トランジスタＴ１はスイッチング薄膜トランジスタであり得る。第１ゲート電極は、ゲートラインＧＬのうち一つと電気的に接続され、第１ドレイン電極はデータラインＤＬのうち一つと電気的に接続され得る。

【0039】

第１半導体パターンは、半導体物質を含み得る。例えば、第１半導体パターンは非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）、多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）またはＩＧＺＯのような酸化物半導体を含み得る。の第１半導体パターンは、第１ドレイン領域、第１チャンネル領域および第１ソース領域を含み得る。第１チャンネル領域は、第１ドレイン領域と第１ソース領域との間に位置し得る。第１ドレイン領域の抵抗および第１ソース領域の抵抗は、第１チャンネル領域の抵抗より小さく構成され得る。例えば、第１ドレイン領域および第１ソース領域は、酸化物半導体の導体化領域を含み得る。第１チャンネル領域は酸化物半導体の導体化されていない領域であり得る。

【0040】

第１ゲート電極は導電性物質を含み得る。例えば、第１ゲート電極はアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）およびタングステン（Ｗ）などの金属を含み得る。第１ゲート電極は、第１半導体パターンの上に位置し得る。例えば、第１ゲート電極は、第１半導体パターンの第１チャンネル領域と重なり得る。
第１半導体パターンの第１ソース領域および第１ドレイン領域は、第１ゲート電極の外側に位置し得る。第１ゲート電極は、第１半導体パターンと絶縁され得る。例えば、第１半導体パターンの第１ソース領域は、ゲート信号によって第１半導体パターンの第１ドレイン領域と電気的に接続され得る。

【0041】

第１ドレイン電極は導電性物質を含み得る。例えば、第１ドレイン電極はアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）およびタングステン（Ｗ）などの金属を含み得る。第１ドレイン電極は、第１ゲート電極と他の物質を含み得る。第１ドレイン電極は、第１ゲート電極と異なる層の上に位置し得る。例えば、第１ドレイン電極は、第１ゲート電極と絶縁され得る。第１ドレイン電極は、第１半導体パターンの第１ドレイン領域と電気的に接続され得る。

【0042】

第１ソース電極は導電性物質を含み得る。例えば、第１ソース電極はアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）およびタングステン（Ｗ）などの金属を含み得る。第１ソース電極は、第１ゲート電極と他の物質を含み得る。第１ソース電極は、第１ゲート電極と異なる層の上に位置し得る。例えば、第１ソース電極は、第１ドレイン電極と同じ層の上に位置し得る。第１ソース電極は、第１ドレイン電極と同じ物質を含み得る。第１ソース電極は、第１ゲート電極と絶縁され得る。第１ソース電極は、第１半導体パターンの第１ソース領域と電気的に接続され得る。

【0043】

第２薄膜トランジスタＴ２は、第２半導体パターン２２１、第２ゲート電極２２３、第２ドレイン電極２２５および第２ソース電極２２７を含み得る。第２薄膜トランジスタＴ２は、データ信号に対応する駆動電流を生成し得る。例えば、第２薄膜トランジスタＴ２は駆動薄膜トランジスタであり得る。第２ゲート電極２２３は、第１ソース電極と電気的に接続され、第２ドレイン電極２２５は電圧ラインＰＬのうち一つと電気的に接続され得る。

【0044】

第２半導体パターン２２１は、半導体物質を含み得る。例えば、第２半導体パターン２２１は、非晶質シリコンａ－Ｓｉ、多結晶シリコンＰｏｌｙ－ＳｉまたはＩＧＺＯのような酸化物半導体を含み得る。第２半導体パターン２２１は、第２ドレイン領域と第２ソース領域との間に位置する第２チャンネル領域を含み得る。第２ドレイン領域および第２ソース領域は、第２チャネル領域より小さい抵抗であり得る。例えば、第２ドレイン領域および第２ソース領域は酸化物半導体の導体化領域を含み、第２チャンネル領域は酸化物半導体の導体化されていない領域であり得る。

【0045】

第２半導体パターン２２１は、第１半導体パターンと同じ物質を含み得る。第２半導体パターン２２１は、第１半導体パターンと同じ層の上に位置し得る。例えば、第２半導体パターン２２１は、第１半導体パターンと同時に形成し得る。第２チャンネル領域の抵抗は、第１チャンネル領域の抵抗と同一であり得る。

【0046】

第２ゲート電極２２３は導電性物質を含み得る。例えば、第２ゲート電極２２３はアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）およびタングステン（Ｗ）のような金属を含み得る。第２ゲート電極２２３は、第２半導体パターン２２１の上に位置し得る。例えば、第２ゲート電極２２３は、第２半導体パターン２２１の第２チャンネル領域と重なり得る。第２半導体パターン２２１の第２ドレイン領域および第２ソース領域は、第２ゲート電極２２３の外側に位置し得る。第２ゲート電極２２３は、第２半導体パターン２２１と絶縁され得る。例えば、第２半導体パターン２２１の第２チャンネル領域は、第２ゲート電極２２３に印加される電圧に対応する電気伝導度を有し得る。

【0047】

第２ゲート電極２２３は、第１ゲート電極と同じ物質を含み得る。第２ゲート電極２２３は、第１ゲート電極と同じ層の上に位置し得る。例えば、第２ゲート電極２２３は、第１ゲート電極と同時に形成され得る。

【0048】

第２ドレイン電極２２５は導電性物質を含み得る。例えば、第２ドレイン電極２２５はアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）およびタングステン（Ｗ）のような金属を含み得る。第２ドレイン電極２２５は、第２ゲート電極２２３とは異なる物質を含み得る。第２ドレイン電極２２５は、第２ゲート電極２２３とは異なる層の上に位置し得る。例えば、第２ドレイン電極２２５は、第２ゲート電極２２３と絶縁され得る。第２ドレイン電極２２５は、第２半導体パターン２２１の第２ドレイン領域と電気的に接続され得る。

【0049】

第２ドレイン電極２２５は、第１ドレイン電極と同じ層の上に位置し得る。第２ドレイン電極２２５は、第１ドレイン電極と同じ物質を含み得る。例えば、の第２ドレイン電極２２５は、第１ドレイン電極と同時に形成し得る。

【0050】

第２ソース電極２２７は導電性物質を含み得る。例えば、第２ソース電極２２７はアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）およびタングステン（Ｗ）のような金属を含み得る。第２ソース電極２２７は、第２ゲート電極２２３とは異なる物質を含み得る。第２ソース電極２２７は、第２ゲート電極２２３とは異なる層の上に位置し得る。例えば、第２ソース電極２２７は、第２ドレイン電極２２５と同じ層の上に位置し得る。第２ソース電極２２７は、第２ドレイン電極２２５と同じ物質を含み得る。第２ソース電極２２７は、第２ゲート電極２２３と絶縁され得る。第２ソース電極２２７は、第２半導体パターン２２１の第２ソース領域と電気的に接続され得る。

【0051】

第２ソース電極２２７は、第１ソース電極と同じ層の上に位置し得る。第２ソース電極２２７は、第１ソース電極と同じ物質を含み得る。例えば、第２ソース電極２２７は、第１ソース電極と同時に形成し得る。

【0052】

ストレージキャパシタＣｓｔは、第２薄膜トランジスタＴ２の第２ゲート電極２２３に印加される信号を一フレーム維持し得る。例えば、ストレージキャパシタＣｓｔは、第２薄膜トランジスタＴ２の第２ゲート電極２２３と第２ソース電極２２７との間に電気的に接続され得る。ストレージキャパシタＣｓｔは、キャパシタ電極の積層構造であり得る。ストレージキャパシタＣｓｔは、第１薄膜トランジスタＴ１および第２薄膜トランジスタＴ２の形成工程を利用して形成し得る。例えば、ストレージキャパシタＣｓｔは、第２ゲート電極２２３と同じ層の上に位置する第１キャパシタ電極および第２ソース電極２２７と同じ層の上に位置する第２キャパシタ電極を含み得る。

【0053】

素子基板１００の上には、各画素領域ＰＡ内で不要な電気的接続を防止するための多数の絶縁膜１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０が位置し得る。例えば、素子基板１００の上には素子バッファ膜１１０、ゲート絶縁膜１２０、層間絶縁膜１３０、素子保護膜１４０、平坦化膜１５０及びバンク絶縁膜１６０が位置し得る。

【0054】

素子バッファ膜１１０は、素子基板１００に近く位置し得る。素子バッファ膜１１０は、各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣを形成する工程で、素子基板１００による汚染を防止し得る。例えば、各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣに向けた素子基板１００の上面は、素子バッファ膜１１０によって完全に覆われることがある。素子バッファ膜１１０は絶縁性物質を含み得る。例えば、素子バッファ膜１１０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）およびシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質を含み得る。素子バッファ膜１１０は多重層構造であり得る。
例えば、素子バッファ膜１１０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）からなる無機絶縁膜とシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）からなる無機絶縁膜の積層構造を有し得る。

【0055】

ゲート絶縁膜１２０は、素子バッファ膜１１０の上に位置し得る。ゲート絶縁膜１２０は、各画素領域ＰＡのゲート電極２２３を該当半導体パターン２２１と絶縁し得る。例えば、ゲート絶縁膜１２０は、各画素領域ＰＡの第１半導体パターン及び第２半導体パターン２２１を覆い得る。各画素領域ＰＡの第１ゲート電極および第２ゲート電極２２３は、ゲート絶縁膜１２０の上に位置し得る。ゲート絶縁膜１２０は絶縁性物質を含み得る。例えば、ゲート絶縁膜１２０はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）のような無機絶縁物質を含み得る。

【0056】

層間絶縁膜１３０は、ゲート絶縁膜１２０の上に位置し得る。各画素領域ＰＡのドレイン電極２２５およびソース電極２２３は、層間絶縁膜１３０によって該当ゲート電極２２３と絶縁され得る。例えば、層間絶縁膜１３０は、各画素領域ＰＡの第１ゲート電極および第２ゲート電極２２３を覆い得る。各画素領域ＰＡの第１ドレイン電極、第１ソース電極、第２ドレイン電極２２５および第２ソース電極２２７は層間絶縁膜１３０の上に位置し得る。層間絶縁膜１３０は絶縁性物質を含み得る。例えば、層間絶縁膜１３０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）およびシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質を含み得る。

【0057】

素子保護膜１４０は、層間絶縁膜１３０の上に位置し得る。素子保護膜１４０は、外部水分及び衝撃による各画素領域ＰＡ内に位置する画素駆動回路ＤＣの損傷を防止できる。例えば、各画素領域ＰＡの第１ドレイン電極、第１ソース電極、第２ドレイン電極２２５および第２ソース電極２２７は、素子保護膜１４０によって覆われることがある。素子保護膜１４０は絶縁性物質を含み得る。例えば、素子保護膜１４０はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）およびシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質を含み得る。

【0058】

平坦化膜１５０は、素子保護膜１４０の上に位置し得る。平坦化膜１５０は、各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣによる段差を除去し得る。例えば、素子基板１００と対向する平坦化膜１５０の上面は平らな平面であり得る。平坦化膜１５０は絶縁性物質を含み得る。平坦化膜１５０は、素子保護膜１４０と他の物質を含み得る。例えば、平坦化膜１５０は有機絶縁物質を含み得る。

【0059】

各画素領域ＰＡの発光素子３００は、平坦化膜１５０の上に位置し得る。各画素領域ＰＡの発光素子３００は、特定の色を表す光を放出し得る。例えば、各画素領域ＰＡの発光素子３００は、当該画素領域ＰＡの平坦化膜１５０の上に順に積層された第１電極３１０、発光層３２０及び第２電極３３０を含み得る。

【0060】

第１電極３１０は導電性物質を含み得る。第１電極３１０は相対的に高い反射率を有する物質を含み得る。例えば、第１電極３１０はアルミニウム（Ａｌ）および銀（Ａｇ）のような金属を含み得る。第１電極３１０は多重層構造であり得る。例えば、第１電極３１０はＩＴＯおよびＩＺＯのような透明な導電性物質からなる透明電極との間に金属からなる反射電極が位置する構造であり得る。

【0061】

発光層３２０は、第１電極３１０と第２電極３３０との間の電圧差に対応する輝度の光を生成し得る。例えば、発光層３２０は発光物質を含む発光物質層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｌａｙｅｒ； ＥＭＬ）を含み得る。発光物質は有機物質、無機物質またはハイブリッド物質を含み得る。例えば、本発明の実施例による表示装置は、有機発光物質を含む有機発光表示装置であり得る。

【0062】

発光層３２０は多重層構造であり得る。例えば、発光層３２０は、正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）のうち少なくとも一つを含み得る。これにより、本発明の実施例による表示装置では、発光層３２０の発光効率が向上し得る。

【0063】

第２電極３３０は導電性物質を含み得る。第２電極３３０は、第１電極３１０とは異なる物質を含み得る。第２電極３３０の透過率は、第１電極３１０の透過率より大きく構成され得る。

【0064】

例えば、第２電極３３０はＩＴＯおよびＩＺＯのような透明な導電性物質からなる透明電極またはＡｇおよびＭｇのような金属が薄く形成された半透明電極であり得る。これにより、本発明の実施例による表示装置では、発光層３２０によって生成された光が第２電極３３０を通じて外部に放出され得る。

【0065】

各画素領域ＰＡの発光素子３００は、該当画素領域ＰＡ内に位置する画素駆動回路ＤＣの第２薄膜トランジスタＴ２と電気的に接続され得る。例えば、各画素領域ＰＡの第２ソース電極２２７は、該当画素領域ＰＡの第１電極３１０と電気的に接続され得る。

【0066】

素子保護膜１４０および平坦化膜１５０は、各画素領域ＰＡの第２ソース電極２２７を部分的に露出する電極コンタクトホールを含み得る。各画素領域ＰＡの第１電極３１０は、電極コンタクトホールの一つを通じて該当画素領域ＰＡの第２ソース電極２２７と直接接触し得る。各画素領域ＰＡの第１電極３１０は、平坦化膜１５０の上面と直接接触し得る。これにより、本発明の実施例による表示装置では、各発光素子３００から放出される光の生成位置による輝度偏差を低減できる。

【0067】

バンク絶縁膜１６０は、平坦化膜１５０の上に位置し得る。バンク絶縁膜１６０は、各画素領域ＰＡ内に発光領域ＥＡを定義し得る。例えば、バンク絶縁膜１６０は、各画素領域ＰＡ内に位置する第１電極３１０の端を覆い得る。各画素領域ＰＡの発光層３２０および第２電極３３０は、バンク絶縁膜１６０によって露出された該当第１電極３１０の一部領域の上に順に積層され得る。バンク絶縁膜１６０は絶縁性物質を含み得る。例えば、バンク絶縁膜１６０は有機絶縁物質を含み得る。バンク絶縁膜１６０は、平坦化膜１５０と他の物質を含み得る。各画素領域ＰＡの第１電極３１０は、バンク絶縁膜１６０によって隣接した画素領域ＰＡの第１電極３１０と絶縁され得る。

【0068】

各画素領域ＰＡは、隣接する画素領域ＰＡとは異なる色を再現し得る。例えば、各画素領域ＰＡの発光層３２０は、隣接する画素領域ＰＡの発光層３２０から離間して配置され得る。各画素領域ＰＡの発光層３２０は、バンク絶縁膜１６０の上に位置する端部を含み得る。各画素領域ＰＡの発光層３２０は個別に形成され得る。例えば、各画素領域ＰＡの発光層３２０は、微細金属マスク（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ；ＦＭＭ）で形成し得る。バンク絶縁膜１６０の上にはスペーサが位置し得る。スペーサは、微細金属マスクによるバンク絶縁膜１６０及び隣接した画素領域ＰＡ内に位置する発光層３２０の損傷を防止し得る。スペーサは絶縁性物質を含み得る。例えば、スペーサは有機絶縁物質を含み得る。スペーサは、バンク絶縁膜１６０と同じ物質を含み得る。例えば、バンク絶縁膜１６０およびスペーサは、ハーフトーンマスクを利用したパターニング工程によって同時に形成され得る。各画素領域ＰＡ内に位置する発光層３２０の端部はスペーサとＶＡできる。

【0069】

各画素領域ＰＡの第２電極３３０に印加される電圧は、隣接する画素領域ＰＡの第２電極３３０に印加される電圧と同一であり得る。例えば、各画素領域ＰＡの第２電極３３０は、隣接する画素領域ＰＡの第２電極３３０と電気的に接続され得る。各画素領域ＰＡの第２電極３３０は、隣接する画素領域ＰＡの第２電極３３０と同じ物質を含み得る。例えば、各画素領域ＰＡの第２電極３３０は、隣接する画素領域ＰＡの第２電極３３０と同時に形成され得る。各画素領域ＰＡの第２電極３３０は、隣接する画素領域ＰＡの第２電極３３０と直接接触し得る。例えば、各画素領域ＰＡの第２電極３３０は、バンク絶縁膜１６０の上に延長し得る。これにより、本発明の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡ内に第２電極３３０を形成する工程が単純化できる。また、本発明の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣに印加されるデータ信号によって、該当画素領域ＰＡの発光素子３００から放出される光の輝度を調節できる。

【0070】

各画素領域ＰＡの発光素子３００の上には、封止ユニット４００が位置し得る。封止ユニット４００は、外部水分及び衝撃による発光素子３００の損傷を防止し得る。例えば、各画素領域ＰＡの発光素子３００は、封止ユニット４００によって完全に覆われることがある。封止ユニット４００は、多重層構造を有し得る。例えば、の封止ユニット４００は、順に積層された第１袋層４１０、第２袋層４２０及び第３袋層４３０を含み得る。第１袋層４１０、第２袋層４２０及び第３袋層４３０は絶縁性物質を含み得る。第２袋層４２０は、第１袋層４１０および第３袋層４３０と異なる物質を含み得る。例えば、第１袋層４１０及び第３袋層４３０は無機絶縁物質からなる無機絶縁膜であり、第２袋層４２０は有機絶縁物質からなる有機絶縁膜であり得る。これにより、本発明の実施例による表示装置では、外部水分及び衝撃による発光素子３００の損傷が効果的に防止できる。

【0071】

封止ユニット４００の上には視野角制御ユニット５００が位置し得る。視野角制御ユニット５００は、各画素領域ＰＡの発光素子３００から放出された光の進行方向を制限し得る。例えば、視野角制御ユニット５００は、第１ブラックマトリックス５１０及び第１ブラックマトリックス５１０の上に位置する第２ブラックマトリックス５２０を含み得る。

【0072】

第２ブラックマトリックス５２０は、第１ブラックマトリックス５１０と重なり得る。例えば、第１ブラックマトリックス５１０は、封止ユニット４００と第２ブラックマトリックス５２０との間に位置し得る。第１ブラックマトリックス５１０および第２ブラックマトリックス５２０は、それぞれ各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡと重なる開口部５１０ｈ、５２０ｈを含み得る。本発明の一実施形態による表示装置では、発光領域ＥＡが光を放射するために、第１電極３１０、発光層３２０及び第２電極３３０が重なる領域に対応し得る。本発明の一実施形態による表示装置では、各開口部５１０ｈ、５２０ｈは、発光する方向に発光素子３００と重畳し得る。例えば、第１ブラックマトリックス５１０は、バンク絶縁膜１６０によって定義された各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡと重畳する第１開口部５１０ｈを含み、第２ブラックマトリックス５２０は第１開口部５１０ｈと重畳する第２開口部５２０ｈを含み得る。各画素領域ＰＡの発光素子３００によって生成された光は、第１開口部５１０ｈのうち一つ及び第２開口部５２０ｈのいずれかを通じて外部に放出され得る。各画素領域ＰＡの発光素子３００から当該発光領域ＥＡの外側方向に放出された光は、第１ブラックマトリックス５１０及び第２ブラックマトリックス５２０によって遮断され得る。これにより、本発明の実施例による表示装置によって具現された画像は、第１ブラックマトリックス５１０及び第２ブラックマトリックス５２０によって使用者の周囲の人々に認識されない。すなわち、本発明の実施例による表示装置では、狭視野角を実現し得る。

【0073】

各画素領域ＰＡの上に位置する第１開口部５１０ｈの大きさ５００ｗは、該当画素領域ＰＡ内に定義された発光領域ＥＡの大きさと同一であり得る。各画素領域ＰＡの第２開口部５２０ｈは、該当画素領域ＰＡの第１開口部５１０ｈと同じ大きさ５００ｗであり得る。例えば、各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡは、第１ブラックマトリックス５１０及び第２ブラックマトリックス５２０の外側に位置し得る。第１ブラックマトリックス５１０および第２ブラックマトリックス５２０は、バンク絶縁膜１６０と重なり得る。第１ブラックマトリックス５１０および第２ブラックマトリックス５２０は、各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡと重畳しないことがある。

【0074】

視野角制御ユニット５００は、第１ブラックマトリックス５１０と第２ブラックマトリックス５２０との間に位置する制御絶縁膜５３０を含み得る。例えば、制御絶縁膜５３０は、第１ブラックマトリックス５１０を覆い得る。第２ブラックマトリックス５２０は、制御絶縁膜５３０の上に位置し得る。制御絶縁膜５３０は、発光領域ＥＡと重なる領域を含み得る。例えば、各画素領域ＰＡの第１開口部５１０ｈを通過した光は、制御絶縁膜５３０を通過して該当画素領域ＰＡの第２開口部５２０ｈに進行し得る。

【0075】

制御絶縁膜５３０は、高い透過率を有する物質を含み得る。

【0076】

制御絶縁膜５３０は絶縁性物質を含み得る。例えば、制御絶縁膜５３０は有機絶縁物質を含み得る。第１ブラックマトリックス５１０による段差は、制御絶縁膜５３０によって除去され得る。素子基板１００に向けた第２ブラックマトリックス５２０の下面は、制御絶縁膜５３０と直接接触し得る。例えば、第２ブラックマトリックス５２０の下面は平らであり得る。これにより、本発明の実施例による表示装置では、第１ブラックマトリックス５１０による第２ブラックマトリックス５２０の位置偏差が防止される。すなわち、本発明の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡ内に位置する第２ブラックマトリックス５２０の第２開口部５２０ｈと素子基板１００との距離が実質的に同一であり得る。したがって、本発明の実施例による表示装置では、第２ブラックマトリックス５２０の位置偏差による視野角および／または方位角による輝度偏差を低減できる。

【0077】

視野角制御ユニット５００の上には光学ユニット６００が位置し得る。光学ユニット６００は、多数の光学レンズ６１０を含み得る。光学レンズ６１０は、視野角制御ユニット５００の上に並んで位置し得る。例えば、各光学レンズ６１０は画素領域ＰＡの一つの上に位置し得る。

【0078】

光学レンズ６１０は、各画素領域ＰＡの発光素子３００から放出された光を集光し得る。例えば、素子基板１００に対向する各光学レンズ６１０の表面は半円形であり得る。各画素領域ＰＡの上に位置する光学レンズ６１０は、該当画素領域ＰＡ内に定義された発光領域ＥＡと重なり得る。例えば、各画素領域ＰＡの光学レンズ６１０は、該当画素領域ＰＡの第１開口部５１０ｈおよび第２開口部５２０ｈと重なり得る。例えば、各画素領域ＰＡの第１開口部５１０ｈおよび第２開口部５２０ｈを通過した光は、該当画素領域ＰＡの光学レンズ６１０によって集光され得る。

【0079】

各画素領域ＰＡの光学レンズ６１０は、該当画素領域ＰＡ内に定義された発光領域ＥＡより大きいサイズであり得る。例えば、第２ブラックマトリックス５２０は、制御絶縁膜５３０と各光学レンズ６１０の端との間に位置する領域を含み得る。各画素領域ＰＡの上に位置する光学レンズ６１０の大きさは、該当画素領域ＰＡの上に位置する第２開口部５２０ｈの大きさより大きく構成され得る。これにより、本発明の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの第２開口部５２０ｈを通過したすべての光が該当画素領域ＰＡの光学レンズ６１０によって集光され得る。したがって、本発明の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの正面輝度及び光の抽出効率が向上し得る。

【0080】

光学ユニット６００は、光学レンズ６１０の上に位置するレンズ保護膜６２０を含み得る。レンズ保護膜６２０は、外部衝撃による光学レンズ６１０の損傷を防止し得る。例えば、各光学レンズ６１０は、レンズ保護膜６２０によって完全に覆われることがある。各光学レンズ６１０の半円形を有する表面は、レンズ保護膜６２０と直接接触し得る。レンズ保護膜６２０は絶縁性物質を含み得る。例えば、レンズ保護膜６２０は有機絶縁物質を含み得る。光学レンズ６１０による段差は、レンズ保護膜６２０によって除去できる。例えば、素子基板１００と対向するレンズ保護膜６２０の上面は平らな平面であり得る。

【0081】

レンズ保護膜６２０は、各光学レンズ６１０と同一または大きな屈折率を有し得る。これにより、本発明の実施例による表示装置では、各光学レンズ６１０とレンズ保護膜６２０の屈折率差によって該当光学レンズ６１０を通過した光の反射が防止される。例えば、本発明の実施例による表示装置では、各光学レンズ６１０を通過した光が該当光学レンズ６１０とレンズ保護膜６２０の境界面で素子基板１００方向に反射されないことがある。したがって、本発明の実施例による表示装置では屈折率差による光の抽出効率の低下を防止できる。

【0082】

光学ユニット６００に向けた制御絶縁膜５３０の上面には、多数の制御溝５３０ｇが位置し得る。本発明の一実施形態による表示装置では、各制御溝５３０ｇが制御絶縁膜５３０または発光素子３００上に積層された絶縁膜のうちの１つが、素子基板１００の方向に窪んだ領域（ｒｅｃｅｓｓｅｄ ｐｏｒｔｉｏｎ）であってもよい。例えば、各制御溝５３０の窪んだ領域は当該絶縁膜に凹状に形成され得る。

【0083】

各制御溝５３０ｇは、光学レンズ６１０のいずれかと重なり得る。例えば、制御溝５３０ｇは発光領域ＥＡと重なり得る。各制御溝５３０ｇは、第２開口部５２０ｈのうち一つ内に位置し得る。例えば、制御絶縁膜５３０の上面で各画素領域ＰＡの制御溝５３０ｇは、該当画素領域ＰＡの第２開口部５２０ｈと同じ大きさであり得る。素子基板１００に向けた各制御溝５３０ｇの表面は、第１方向に傾斜した第１底面５３１ｂｓ及び第２方向に傾斜した第２底面５３２ｂｓを含み得る。第２方向は、の第１方向とは異なる方向であり得る。例えば、各画素領域ＰＡの上に位置する制御溝５３０ｇの第２底面５３２ｂｓは、当該画素領域ＰＡ内に定義された発光領域ＥＡの中心部を基準に、当該制御溝５３０ｇの第１底面５３１ｂｓと対称となり得る。各制御溝５３０ｇの大きさは、素子基板１００方向に行くほど減少し得る。例えば、素子基板１００と第１距離を有する制御溝５３０ｇの凹部領域は、素子基板１００と第１距離よりも大きい第２距離を有する制御溝５３０ｇの窪んだ領域より広い幅を有し得る。

【0084】

各制御溝５３０ｇは、光学レンズ６１０のいずれかの一部によって充填し得る。例えば、各画素領域ＰＡの光学レンズ６１０は、該当画素領域ＰＡの制御溝５３０ｇ内に位置する領域を含み得る。これにより、本発明の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの第１開口部５１０ｈを通過した光Ｌが当該画素領域ＰＡの上に位置する制御溝５３０ｇの第１底面５３１ｂｓまたは第２底面５３２ｂｓによって当該画素領域ＰＡ内に定義された発光領域ＥＡの中心方向に屈折し得る。例えば、本発明の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの第１開口部５１０ｈを通過した光Ｌが当該画素領域ＰＡの制御溝５３０ｇと光学レンズ６１０との境界面で１次屈折し、当該画素領域ＰＡの光学レンズ６１０とレンズ保護膜６２０との境界面で２次屈折し得る。したがって、本発明の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの第２開口部５２０ｈを通過する光の量が増加し得る。また、本発明の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの第１開口部５１０ｈを通過した光Ｌの放出位置による輝度偏差が該当画素領域ＰＡの上に位置する制御溝５３０ｇの第１底面５３１ｂｓ及び第２底面５３２ｂｓによって緩和できる。すなわち、本発明の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡ内に位置する発光素子３００と視野角制御ユニット５００の誤整列による視野角および／または方位角による輝度偏差が緩和される。

【0085】

各光学レンズ６１０は、制御絶縁膜５３０とは異なる屈折率であり得る。例えば、各光学レンズ６１０の屈折率は、制御絶縁膜５３０の屈折率より大きく構成され得る。これにより、本発明の実施例による表示装置では、制御絶縁膜５３０と各画素領域ＰＡとの光学レンズ６１０の屈折率差によって、該当画素領域ＰＡの第１開口部５１０ｈを通過した光の反射が防止される。例えば、本発明の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの第１開口部５１０ｈを通過した光が当該画素領域ＰＡの光学レンズ６１０と制御絶縁膜５３０との境界面で素子基板１００方向に反射されないことがある。したがって、本発明の実施例による表示装置では屈折率差による光の抽出効率の低下を防止できる。

【0086】

図５乃至図９は、本発明の実施例による表示装置の形成方法を順次示した図である。

【0087】

図３乃至図９を参照して、本発明の実施例による表示装置の形成方法を説明する。

【0088】

まず、図５に示すように、本発明の実施例による表示装置の形成方法は、素子基板１００の各画素領域ＰＡの上に第２薄膜トランジスタＴ２を含む画素駆動回路を形成するステップであり、各画素領域ＰＡの画素駆動回路を覆う平坦化膜１５０を形成するステップである。各画素領域ＰＡの平坦化膜１５０の上に当該画素領域ＰＡの第２ソース電極２２７と電気的に接続される第１電極３１０を形成するステップ、平坦化膜１５０の上に位置する電極３１０を覆うステップである、バンク絶縁膜１６０によって定義された各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡの上に発光層３２０を形成するステップ、各画素領域ＰＡの発光層３２０の上に第２電極３３０を形成するステップ、各画素領域ＰＡの第２電極３３０の上に封止ユニット４００を形成するステップ及び封止ユニット４００の上に第１開口部５１０ｈを含む第１ブラックマトリックス５１０を形成するステップを含み得る。

【0089】

各第１開口部５１０ｈは、画素領域ＰＡのいずれかの発光領域ＥＡの上に位置し得る。例えば、第１ブラックマトリックス５１０を形成するステップは、封止ユニット４００の上に遮光物質からなる遮光層を形成するステップ及び遮光層をパターニングして各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡを露出する第１開口部５１０ｈを形成するステップを含み得る。

【0090】

図６に示すように、本発明の実施例による表示装置の形成方法は、第１ブラックマトリックス５１０を覆う制御絶縁膜５３０を形成するステップ及び制御絶縁膜５３０の上面に制御溝５３０ｇを形成するステップを含み得る。

【0091】

制御溝５３０ｇは、第１ブラックマトリックス５１０の第１開口部５１０ｈと重なり得る。例えば、各制御溝５３０ｇは、画素領域ＰＡのいずれかの発光領域ＥＡ内に形成され得る。制御絶縁膜５３０の上面で各画素領域ＰＡの制御溝５３０ｇは、該当画素領域ＰＡの第１開口部５１０ｈと同じ大きさに形成され得る。

【0092】

素子基板１００に向けた各制御溝５３０ｇの表面は、傾斜して形成され得る。例えば、各制御溝５３０ｇは、第１方向に傾斜した第１床面５３１ｂｓおよび第１方向と異なる第２方向に傾斜した第２床面５３２ｂｓを有するように形成され得る。各制御溝５３０ｇの大きさは、素子基板１００方向に行くほど減少し得る。例えば、各画素領域ＰＡの制御溝５３０ｇは、該当画素領域ＰＡ内に定義された発光領域ＥＡの中心部を基準に対称な形状で形成できる。

【0093】

図７に示すように、本発明の実施例による表示装置の形成方法は、制御絶縁膜５３０の上に第２開口部５２０ｈを含む第２ブラックマトリックス５２０を形成するステップを含み得る。

【0094】

各第２開口部５２０ｈは、画素領域ＰＡのうち一つの発光領域ＥＡの上に位置し得る。各画素領域ＰＡの第２開口部５２０ｈは、該当画素領域ＰＡの制御溝５３０ｇを露出し得る。各画素領域ＰＡの第２開口部５２０ｈは、制御絶縁膜５３０の上面で該当画素領域ＰＡの制御溝５３０ｇと同じ大きさに形成できる。例えば、第２ブラックマトリックス５２０は、制御溝５３０ｇの外側に形成し得る。第２ブラックマトリックス５２０は、第１ブラックマトリックス５１０と同じ工程で形成できる。例えば、第２ブラックマトリックス５２０を形成するステップは、制御絶縁膜５３０の上に遮光物質からなる遮光層を形成するステップ及び遮光層をパターニングして各画素領域ＰＡの制御溝５３０ｇを露出する第２開口部５１０ｈを形成するステップを含み得る。

【0095】

図８に示すように、本発明の実施例による表示装置の形成方法は、第２ブラックマトリックス５２０が形成された素子基板１００の上に制御溝５３０ｇと重なる光学パターン６１０ｐを形成するステップを含み得る。

【0096】

光学パターン６１０ｐは、第２ブラックマトリックス５２０の第２開口部５２０ｈ内で制御絶縁膜５３０と直接接触し得る。例えば、各制御溝５３０ｇは、光学パターン６１０ｐによって充填し得る。各光学パターン６１０ｐは隣接した光学パターン６１０ｐと同時に形成できる。例えば、光学パターン６１０ｐを形成するステップは、第２ブラックマトリックス５２０が形成された素子基板１００の上に制御溝５３０ｇを満たす光学物質層を形成するステップ及び光学物質層をパターニングするステップを含み得る。

【0097】

光学物質層は、制御絶縁膜５３０とは異なる屈折率の物質で形成され得る。例えば、各光学パターン６１０ｐの屈折率は、制御絶縁膜５３０の屈折率より大きく構成され得る。これにより、本発明の実施例による表示装置の形成方法では、各光学パターン６１０ｐと制御絶縁膜５３０との境界面を通過する光は屈折し得る。

【0098】

図９に示すように、本発明の実施例による表示装置の形成方法は、第２ブラックマトリックス５２０の第２開口部５２０ｈの上に光学レンズ６１０を形成するステップを含み得る。

【0099】

光学レンズ６１０は、光学パターン６１０ｐを利用して形成し得る。例えば、光学レンズ６１０を形成するステップは、光学パターン６１０ｐをリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）するステップを含み得る。素子基板１００に向けた各光学レンズ６１０の下面は円形であり得る。素子基板１００に対向する各光学レンズ６１０の表面は半円状であり得る。これにより、本発明の実施例による表示装置の形成方法では、各画素領域ＰＡの光学レンズ６１０が同時に形成され得る。すなわち、本発明の実施例による表示装置の形成方法では、各画素領域ＰＡの上に光学レンズ６１０を形成する工程が単純化できる。したがって、本発明の実施例による表示装置の形成方法では、工程効率を向上することができる。光学パターン６１０ｐをリフローするステップにおいて、光学パターン６１０ｐの熱処理によって光学パターン６１０ｐの粘度は減少され得る。また、光学パターン６１０ｐの流動性は高めることがある。制御溝５３０ｇは、各光学レンズ６１０が形成すべき位置に対応する光学パターン６１０ｐを形成されるので、工程効率をさらに向上させることができる。

【0100】

図３及び図４に示すように、本発明の実施例による表示装置の形成方法では、光学レンズ６１０を覆うレンズ保護膜６２０を形成するステップを含み得る。

【0101】

レンズ保護膜６２０は、光学レンズ６１０を完全に覆うように形成され得る。例えば、レンズ保護膜６２０を形成するステップは、光学レンズ６１０が形成された素子基板１００の上にレンズ保護膜６２０の形成のための有機絶縁物質を塗布するステップを含み得る。

【0102】

結果として、本発明の実施例による表示装置は、各画素領域ＰＡの発光素子３００を覆う封止ユニット４００、封止ユニット４００の上に位置する視野角制御ユニット５００及び視野角制御ユニット５００の上に位置する光学レンズ６１０とを含むが、視野角制御ユニット５００が第１ブラックマトリクス５１０と第２ブラックマトリクス５２０との間に位置する制御絶縁膜５３０とを含み、各画素領域ＰＡの制御絶縁膜５３０が当該画素領域ＰＡの第１開口部５１０ｈと第２開口部５２０ｈとの間に位置する制御溝５３０ｇを含む、各画素領域ＰＡの光学レンズ６１０が第１方向に傾斜した第１底面５３１ｂｓ及び第２方向に傾斜した第２底面５３２ｂｓを含む該当制御溝５３０ｇの内側に位置する領域を含み得る。これにより、本発明の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの第１開口部５１０ｈを通過した光Ｌが当該画素領域ＰＡの制御溝５３０ｇと光学レンズ６１０との間の境界面及び当該画素領域ＰＡの光学レンズ６１０とレンズ保護膜６２０との間の境界面で屈折した後、放出され得る。したがって、本発明の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの第２開口部５２０ｈを通じて放出される光の量が増加し得る。すなわち、本発明の実施例による表示装置では、光の抽出効率が向上し得る。また、本発明の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの発光素子３００と視野角制御ユニット５００の誤整列による輝度偏差が低減される。

【0103】

本発明の実施例による表示装置は、各制御溝５３０ｇが形成された領域が互いに対応する方向に傾いた第１底面５３１ｂｓおよび第２底面５３２ｂｓを含むものと説明した。しかし、本発明の他の実施例による表示装置では、各制御溝５３０ｇの窪んだ領域が多様な形状で形成され得る。例えば、図１０に示すように、本発明の他の実施例による表示装置では、各制御溝５３０ｇが傾斜面５３０ｂｓを有する円錐状で形成され得る。

【0104】

本発明の他の実施例による表示装置では、制御絶縁膜５３０の上面で各制御溝５３０ｇの平面が各光学レンズ６１０の下面と異なる形状を有し得る。例えば、図１１に示すように、本発明の他の実施例による表示装置では、各制御溝５３０ｇを四角錐状に形成し得る。これにより、本発明の他の実施例による表示装置では、各制御溝５３０ｇの形状に対する自由度が向上し得る。

【0105】

本発明の他の実施例による表示装置では、各制御溝５３０ｇの断面が多様な形状を有し得る。例えば、図１２に示すように、本発明の他の実施例による表示装置では、各制御溝５３０ｇがプリズム状であり得る。これにより、本発明の他の実施例による表示装置では、第３方向に各制御溝５３０ｇの断面が第３方向と異なる第４方向に各制御溝５３０ｇの断面と異なる形状を有し得る。したがって、本発明の他の実施例による表示装置では、各制御溝５３０ｇの形状に対する自由度がさらに向上し得る。

【0106】

本発明の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡが当該画素領域ＰＡの上に位置する第１開口部５１０ｈ及び第２開口部５２０ｈと同じ大きさを有するものと説明した。しかし、図１３に示すように、本発明の他の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡが当該画素領域ＰＡの上に位置する第１開口部５１０ｈ及び第２開口部５２０ｈより大きい大きさでことがある。例えば、各発光領域ＥＡは、第１ブラックマトリックス５１０の端および第２ブラックマトリックス５２０の端と重なり得る。これにより、本発明の他の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの第１開口部５１０ｈを通過して該当画素領域ＰＡの制御溝５３０ｇと光学レンズ６１０との境界面で屈折される光の量が増加し得る。すなわち、本発明の他の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡ内に位置する発光素子３００の動作のための消費電力を低減できる。したがって、本発明の他の実施例による表示装置では、各発光素子３００の寿命を延ばすことができる。

【0107】

本発明の実施例による表示装置は、制御絶縁膜５３０の上面で各画素領域ＰＡの制御溝５３０ｇが当該画素領域ＰＡの第２開口部５２０ｈと同じ大きさであるものと説明した。しかし、本発明の他の実施例による表示装置では、制御絶縁膜５３０の上面で各画素領域ＰＡの上に位置する制御溝５３０ｇの大きさが当該画素領域ＰＡの上に位置する第２開口部５２０ｈの大きさと異なってもよい。例えば、図１４に示すように、本発明の他の実施例による表示装置では、制御絶縁膜５３０の上面で各画素領域ＰＡの制御溝５３０ｇが当該画素領域ＰＡの第２開口部５２０ｈより小さい大きさを有し得る。
各画素領域ＰＡの上に位置する光学レンズ６１０は、該当画素領域ＰＡの第２開口部５２０ｈ内に位置し得る。例えば、各画素領域ＰＡの上に位置する光学レンズ６１０の端は、該当画素領域ＰＡの上に位置する第２開口部５２０ｈの側面と直接接触できる。すなわち、本発明の他の実施例による表示装置では、光学レンズ６１０の形成位置が第２ブラックマトリックス５２０の第２開口部５２０ｈによって定義され得る。光学レンズ６１０の表面または端部は、第２の開口部５２０ｈのうちの１つによって露出されたブラックマトリックス５２０の側面と接触することができる。これにより、本発明の他の実施例による表示装置では、光学レンズ６１０の大きさの偏差を低減することができる。

【0108】

本発明の実施例による表示装置では、素子基板１００に向けた各制御溝５３０ｇの窪んだ領域の底面が傾斜面５３１ｂｓ、５３２ｂｓであると説明される。しかし、図１５に示すように、本発明の他の実施例による表示装置では、各制御溝５３０ｇの底面が一定の曲率を有する曲面であり得る。これにより、本発明の他の実施例による表示装置では、各制御溝５３０ｇの底面に入射する光が入射位置によって異なる方向に屈折することができる。したがって、本発明の他の実施例による表示装置では、各制御溝５３０ｇによって一次屈折された光の輝度偏差が緩和されることができる。すなわち、本発明の他の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡ内に位置する発光素子３００と視野角制御ユニット５００の誤整列による視野角および／または方位角による輝度偏差が効果的に緩和される。

【0109】

本発明の他の実施例による表示装置では、各制御溝５３０ｇの底面が制御絶縁膜５３０の上面と平行でも実質的に平らでもよい。例えば、図１６及び図１７に示すように、本発明の他の実施例による表示装置では、各制御溝５３０ｇが制御絶縁膜５３０の上面または制御溝５３０ｇの底面と垂直な方向に延長する側面５３０ｇｓを含み得る。各制御溝５３０ｇを満たす光学レンズ６１０の屈折率は、制御絶縁膜５３０の屈折率より大きく構成され得る。これにより、本発明の他の実施例による表示装置では、各制御溝５３０ｇの側面５３０ｇｓ方向に進行した光が該当制御溝５３０ｇを満たす光学レンズ６１０と制御絶縁膜５３０の屈折率差によって反射され得る。すなわち、本発明の他の実施例による表示装置では、各制御溝５３０ｇの側面５３０ｇｓに入射した光が該当制御溝５３０ｇの内側方向に反射され得る。したがって、本発明の他の実施例による表示装置では、光の抽出効率が効果的に向上し得る。また、本発明の他の実施例による表示装置では、誤整列による輝度偏差が効果的に緩和され得る。

【0110】

図１８に示すように、本発明の他の実施例による表示装置では、各制御溝５３０ｇが傾斜した底面および制御絶縁膜５３０の上面と垂直な方向に延長する側面を全て含み得る。したがって、本発明の他の実施例による表示装置では視野角が制限され、光の抽出効率が効果的に改善できる。

【0111】

本発明の実施例による表示装置は、各画素領域ＰＡの制御溝５３０ｇが当該画素領域ＰＡの光学レンズ６１０によって満たされるものと説明される。しかし、本発明の他の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの制御溝５３０ｇが多様な方式で満たされ得る。例えば、図１９に示すように、本発明の他の実施例による表示装置では、視野角制御ユニット５００が制御溝５３０ｇを充填する光学絶縁膜５４０を含み得る。光学絶縁膜５４０は絶縁性物質を含み得る。光学絶縁膜５４０は透明な物質を含み得る。学絶縁膜５４０は、制御絶縁膜５３０とは異なる屈折率であり得る。例えば、各光学絶縁膜５４０の屈折率は、制御絶縁膜５３０の屈折率と各光学レンズ６１０の屈折率の間であり得る。光学絶縁膜５４０は、光学レンズ６１０とは異なる物質を含み得る。これにより、本発明の他の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの第１開口部５１０ｈを通過した光が制御絶縁膜５３０とその制御溝５３０ｇ内に位置する光学絶縁膜５４０との境界面で一次屈折され、当該画素領域ＰＡの光学絶縁膜５４０と光学レンズ６１０との境界面で二次屈折し、当該画素領域ＰＡの光学レンズ６１０とレンズ保護膜６２０との境界面で３次屈折し得る。したがって、本発明の他の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡの第２開口部５２０ｈを通過する光の量が大きく増加し得る。すなわち、本発明の他の実施例による表示装置では、光の抽出効率が大きく向上することができる。

【0112】

本発明の他の実施例による表示装置は、使用者および／またはツールのタッチを感知し得る。例えば、図２０乃至図２３に示すように、本発明の他の実施例による表示装置はタッチセンサＣｍを含み得る。タッチセンサＣｍは、相互静電容量（Ｍｕｔｕａｌ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）の変化を通じてタッチ有無およびタッチ位置を感知し得る。例えば、タッチセンサＣｍはタッチ駆動信号が印加される駆動タッチライン７１０及びタッチセンシング信号が印加されるセンシングタッチライン７２０を含むことができる。

【0113】

各駆動タッチライン７１０は、第１タッチ電極７１１および第１ブリッジ電極７１２を含み得る。第１ブリッジ電極７１２は、第１タッチ電極７１１の間を電気的に接続し得る。例えば、各駆動タッチライン７１０は、第１ブリッジ電極７１２によって一側方向に接続された第１タッチ電極７１１を含み得る。

【0114】

各センシングタッチライン７２０は、第２タッチ電極７２１および第２ブリッジ電極７２２を含み得る。

【0115】

第２タッチ電極７２１は、第１タッチ電極７１１との間に位置し得る。例えば、第１タッチ電極７１１及び第２タッチ電極７１２は互いに交錯して配置し得る。これにより、本発明の他の実施例による表示装置は、駆動タッチライン７１０およびセンシングタッチライン７２０を利用して使用者および／またはツールのタッチを感知し得る。

【0116】

第２ブリッジ電極７２２は、第２タッチ電極７２１の間を電気的に接続し得る。第２タッチ電極７２１は、第２ブリッジ電極７２２によって第１タッチ電極７１１と垂直な方向に接続され得る。例えば、各センシングタッチライン７２０は、駆動タッチライン７１０と交差し得る。各第２ブリッジ電極７２２は、第１ブリッジ電極７１２のいずれかと交差し得る。第２ブリッジ電極７２２は、第１ブリッジ電極７１２とは異なる層の上に位置し得る。

【0117】

タッチセンサＣｍは、封止ユニット４００と光学ユニット６００との間に位置し得る。例えば、本発明の他の実施例による表示装置では、視野角制御ユニット５００が第１ブラックマトリクス５１０及び第１ブラックマトリクス５１０を覆う制御絶縁膜５２０とを含み、第２ブリッジ電極７２２が制御絶縁膜５２０の上に位置し、第２ブリッジ電極７２２を覆うタッチ絶縁膜７５０の上に第１タッチ電極７１１、第２タッチ電極７２１及び第１ブリッジ電極７１２が位置し得る。タッチ絶縁膜７５０は絶縁性物質を含み得る。例えば、タッチ絶縁膜７５０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）およびシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質を含み得る。

【0118】

第１タッチ電極７１１、第１ブリッジ電極７１２、第２タッチ電極７２１及び第２ブリッジ電極７２２は導電性物質を含み得る。第１タッチ電極７１１、第１ブリッジ電極７１２、第２タッチ電極７２１及び第２ブリッジ電極７２２は相対的に低い抵抗を有する物質を含み得る。例えば、第１タッチ電極７１１、第１ブリッジ電極７１２、第２タッチ電極７２１及び第２ブリッジ電極７２２は銅Ｃｕ、モリブデンＭｏ、チタンＴｉ及びタンタルＴａのような金属を含み得る。

【0119】

タッチセンサＣｍの第１タッチ電極７１１、第１ブリッジ電極７１２、第２タッチ電極７２１および第２ブリッジ電極７２２は表示領域ＡＡ内に位置し得る。バンク絶縁膜１６０によって定義された各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡは、第１タッチ電極７１１、第１ブリッジ電極７１２、第２タッチ電極７２１および第２ブリッジ電極７２２との間に位置し得る。例えば、第１タッチ電極７１１、第１ブリッジ電極７１２、第２タッチ電極７２１及び第２ブリッジ電極７２２はバンク絶縁膜１６０と重なり得る。第１ブラックマトリックス５１０は、第１タッチ電極７１１、第１ブリッジ電極７１２、第２タッチ電極７２１および第２ブリッジ電極７２２と重なり得る。

【0120】

各第１タッチ電極７１１の平面および各第２タッチ電極７２１の平面は、各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡと重なる開口部を含むメッシュ（ｍｅｓｈ）状を有し得る。タッチ電極、例えば、第１タッチ電極７１１および／または第２タッチ電極７２１の少なくとも一部は、第１ブラックマトリックス５１０の開口部および発光素子３００と光が放出される方向に重なる開口部を含み得る。これにより、本発明の他の実施例による表示装置では、タッチセンサＣｍを利用したタッチ感知の正確度が向上し、駆動タッチライン７１０及びセンシングタッチライン７２０による光の抽出効率の低下が減少または最小化される。また、本発明の他の実施例による表示装置では、発光領域ＥＡの外側に位置する駆動タッチライン７１０及びセンシングタッチライン７２０によって各発光素子３００から放出される光の進行方向が制限され得る。例えば、タッチ絶縁膜７５０は、各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡと重なる制御溝７５０ｇを含み、光学ユニット６００の各光学レンズ６１０はタッチ絶縁膜７５０の制御溝７５０ｇのうち一つを満たすことがある。したがって、本発明の他の実施例による表示装置では、使用者および／またはツールのタッチが正確に感知され、狭い視野角の映像が実現され、光の抽出効率が効果的に向上することができる。

【0121】

図２３に示すように、本発明の他の実施形態による表示装置は、タッチセンサＣｍが封止ユニット４００と光学ユニット６００との間に配置され得る。発光素子３００上に位置する制御絶縁膜５３０は、ブラックマトリクス５１０を選択的に覆い得る。タッチ絶縁膜７５０は、制御絶縁膜５３０上に位置することができる。タッチ絶縁膜７５０は絶縁性材料を含み得る。例えば、タッチ絶縁膜７５０は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）および窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁材料を含み得る。

【0122】

第２ブリッジ電極７２２は、制御絶縁膜５３０上に位置し、第１タッチ電極７１１、第２タッチ電極７２１及び第１ブリッジ電極７１２は、タッチ絶縁膜７５０上に配置し得る。タッチ絶縁膜７５０は絶縁性材料を含み得る。本発明の他の実施形態による表示装置は、ブラックマトリックス５２０がタッチ電極７１１、７２１と光学ユニット６００との間に配置され得る。これにより、タッチ電極、例えば第１タッチ電極７１１及び／又は第２タッチ電極７２１の少なくとも一部とブラックマトリクス５２０に光が放出される方向に発光素子３００と重なる開口部を形成し得る。光学レンズ６１０は、タッチ電極、例えば第１タッチ電極７１１または第２タッチ電極７２１の少なくとも一部に位置し得る。

【符号の説明】

【0123】

１００ 素子基板
３００ 発光素子
４００ 封止ユニット
５００ 視野角制御ユニット
５３０ 制御平坦化膜
５３０ｇ 制御溝
６１０ 光学レンズ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】