特開 2024-101287 電力増幅装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024101287

(43)【公開日】2024-07-29

(54)【発明の名称】電力増幅装置

(51)【国際特許分類】

   H03F 3/21 20060101AFI20240722BHJP

   H03F 3/19 20060101ALI20240722BHJP

【ＦＩ】

H03F3/21

H03F3/19

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023005186

(22)【出願日】2023-01-17

(71)【出願人】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(74)【代理人】

【識別番号】100126480

【弁理士】

【氏名又は名称】佐藤 睦

(72)【発明者】

【氏名】駒村 優作

【テーマコード（参考）】

5J500

【Ｆターム（参考）】

5J500AA01

5J500AA41

5J500AA62

5J500AA67

5J500AC02

5J500AC56

5J500AC86

5J500AH02

5J500AH33

5J500AK12

5J500AK29

5J500AM08

5J500AQ02

5J500AQ03

(57)【要約】

【課題】増幅特性の劣化及び信頼性の低下を抑制するとともに、サイズを小さくすることが可能な電力増幅装置を提供する。
【解決手段】電力増幅装置は、並列に接続された複数の第１単位トランジスタであって、無線周波数信号を増幅して出力するように構成された複数の第１単位トランジスタと、並列に接続された複数の第２単位トランジスタであって、前記複数の前記第１単位トランジスタの出力信号を増幅して出力するように構成された複数の第２単位トランジスタと、を備え、前記第１単位トランジスタのサイズは、前記第２単位トランジスタのサイズより小さい。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

並列に接続された複数の第１単位トランジスタであって、無線周波数信号を増幅して出力するように構成された複数の第１単位トランジスタと、
並列に接続された複数の第２単位トランジスタであって、前記複数の前記第１単位トランジスタの出力信号を増幅して出力するように構成された複数の第２単位トランジスタと、を備え、
前記第１単位トランジスタのサイズは、前記第２単位トランジスタのサイズより小さい、
電力増幅装置。

【請求項2】

請求項１に記載の電力増幅装置であって、
前記複数の前記第１単位トランジスタは、Ａ級動作をする、
電力増幅装置。

【請求項3】

請求項１に記載の電力増幅装置であって、
前記複数の前記第２単位トランジスタは、Ｆ級動作又は逆Ｆ級動作をする、
電力増幅装置。

【請求項4】

請求項１に記載の電力増幅装置であって、
前記電力増幅装置は、
第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向により規定される平面に平行な主面を有し、前記第１方向に沿って前記複数の前記第１単位トランジスタが形成された半導体チップと、
前記複数の前記第１単位トランジスタのエミッタ電極に電気的に接続され、前記第１方向及び前記第２方向と交わる第３方向に沿って前記半導体チップを平面視したときに、前記エミッタ電極と重なるストライプバンプと、をさらに備える、
電力増幅装置。

【請求項5】

請求項４に記載の電力増幅装置であって、
前記電力増幅装置は、
前記ストライプバンプを間に挟んで前記半導体チップが設けられる基板をさらに備え、
前記基板は、
前記基板の少なくとも一部を貫通するビアと、
前記ビアを通じて前記ストライプバンプに電気的に接続される電極と、を含む、
電力増幅装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電力増幅装置に関する。

【背景技術】

【0002】

複数の増幅段で構成され、各増幅段の間にインピーダンス整合回路が接続される高周波電力増幅回路がある（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００７―１５０６７６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載の高周波電力増幅回路では、初段の増幅段及び終段の増幅段はそれぞれＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）により構成されるが、ＦＥＴで発生した熱の排熱が考慮されていない。このため、大電力の増幅信号を得ようとすると、ＦＥＴの温度上昇によってＦＥＴの利得が低下したり、集積回路の信頼性が劣化したりする。

【0005】

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、増幅特性の劣化及び信頼性の低下を抑制するとともに、サイズを小さくすることが可能な電力増幅装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一側面に係る電力増幅装置は、並列に接続された複数の第１単位トランジスタであって、無線周波数信号を増幅して出力するように構成された複数の第１単位トランジスタと、並列に接続された複数の第２単位トランジスタであって、前記複数の前記第１単位トランジスタの出力信号を増幅して出力するように構成された複数の第２単位トランジスタと、を備え、前記第１単位トランジスタのサイズは、前記第２単位トランジスタのサイズより小さい。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、増幅特性の劣化及び信頼性の低下を抑制するとともに、サイズを小さくすることが可能な電力増幅装置を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、電力増幅回路１０１の回路図である。

【図2】図２は、電力増幅装置１１のｙｚ面に平行な断面を模式的に示す図である。

【図3】図３は、電力増幅装置１１に含まれる半導体チップ２１１を上側から見た平面図である。

【図4】図４は、単位トランジスタ２５１を上側から拡大して見た平面図である。

【図5】図５は、単位トランジスタ２５１の第１変形例である単位トランジスタ２５１ａを上側から拡大して見た平面図である。

【図6】図６は、単位トランジスタ２５１の第２変形例である単位トランジスタ２５１ｂを上側から拡大して見た平面図である。

【図7】図７は、単位トランジスタ２５１の第３変形例である単位トランジスタ２５１ｃを上側から拡大して見た平面図である。

【図8】図８は、電力増幅装置１２のｙｚ面に平行な断面を模式的に示す図である。

【図9】図９は、電力増幅装置１２に含まれる半導体チップ２１１を上側から見た平面図である。

【図10】図１０は、電力増幅装置１３に含まれる半導体チップ２１１を上側から見た平面図である。

【図11】図１１は、電力増幅装置１４に含まれる半導体チップ２１１を上側から見た平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を極力省略する。

【0010】

［第１実施形態］
第１実施形態に係る電力増幅回路１０１及び電力増幅装置１１について説明する。図１は、電力増幅回路１０１の回路図である。図１に示すように、電力増幅回路１０１は、入力端子３１に供給される信号ＲＦ１を増幅して、増幅信号ＲＦ３を出力端子３２から出力する２段の増幅回路である。信号ＲＦ１は、例えば無線周波数（Radio Frequency）信号である。出力端子３２の後段には、アンテナ等の負荷（図示しない）が接続される。

【0011】

電力増幅回路１０１は、入力整合回路２０と、段間整合回路２１と、出力整合回路２２と、インダクタ２６及び３６と、ドライバ段増幅器５１と、パワー段増幅器５２と、ドライバ段バイアス供給回路１５１と、パワー段バイアス供給回路１６１と、を備える。

【0012】

ドライバ段増幅器５１は、並列に接続された複数の単位トランジスタ２５１（第１単位トランジスタ）を含む。パワー段増幅器５２は、並列に接続された複数の単位トランジスタ２５２（第２単位トランジスタ）を含む。単位トランジスタ２５１の個数は、単位トランジスタ２５２の個数と同じであってもよいし、異なってもよい。

【0013】

本実施形態においては、単位トランジスタ２５１及び２５２などのトランジスタは、例えばヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ：Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のバイポーラトランジスタによって構成される。なお、当該トランジスタは、電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ：Ｍｅｔａｌ－ｏｘｉｄｅ－ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の他のトランジスタによって構成されていてもよい。その場合、ベース、コレクタ、及びエミッタを、それぞれ、ゲート、ドレイン、及びソースに読み替えればよい。

【0014】

ドライバ段増幅器５１に含まれる複数の単位トランジスタ２５１は、入力整合回路２０を通じて入力端子３１から供給される信号ＲＦ１を増幅し、増幅信号ＲＦ２を出力する。

【0015】

詳細には、入力整合回路２０は、入力端子３１とドライバ段増幅器５１との間に設けられ、入力端子３１の前段に設けられる回路（図示しない）とドライバ段増幅器５１とのインピーダンスを整合する。

【0016】

電源電圧供給端子１７５は、ドライバ段増幅器５１における複数の単位トランジスタ２５１を動作させるための電源電圧ＶＣＣ１を供給する。

【0017】

複数の単位トランジスタ２５１の各々は、インダクタ２６を通じて電源電圧供給端子１７５に接続され、かつ、段間整合回路２１の入力端子に接続されたコレクタと、入力整合回路２０を通じて入力端子３１に接続されたベースと、接地に接続されたエミッタと、を有する。

【0018】

具体的には、ドライバ段増幅器５１において、複数の単位トランジスタ２５１のそれぞれのベースは、互いに接続され、かつ、入力端子３１（或いは、ドライバ段増幅器５１の入力）に接続されている。また、ドライバ段増幅器５１において、複数の単位トランジスタ２５１のそれぞれのコレクタは、互いに接続され、かつ、段間整合回路２１の入力端子（或いは、ドライバ段増幅器５１の出力）に接続されている。さらに、ドライバ段増幅器５１において、複数の単位トランジスタ２５１のそれぞれのエミッタは、互いに接続され、かつ、接地に接続されている。つまり、複数の単位トランジスタ２５１は、互いに並列に接続されている。

【0019】

ドライバ段バイアス供給回路１５１は、ドライバ段増幅器５１における複数の単位トランジスタ２５１の各々のベースにバイアスを供給する。詳細には、ドライバ段バイアス供給回路１５１は、例えば、複数の単位トランジスタ２５１がＡ級動作するバイアスを供給する。

【0020】

段間整合回路２１は、ドライバ段増幅器５１の出力に接続された入力端子と、パワー段増幅器５２の入力に接続された出力端子と、を有し、ドライバ段増幅器５１とパワー段増幅器５２とのインピーダンスを整合する。

【0021】

パワー段増幅器５２に含まれる複数の単位トランジスタ２５２は、段間整合回路２１を通じてドライバ段増幅器５１から供給される増幅信号ＲＦ２（出力信号）を増幅し、増幅信号ＲＦ３を、出力整合回路２２を通じて出力端子３２へ出力する。

【0022】

詳細には、電源電圧供給端子１７６は、パワー段増幅器５２における複数の単位トランジスタ２５２を動作させるための電源電圧ＶＣＣ２を供給する。

【0023】

複数の単位トランジスタ２５２の各々は、インダクタ３６を通じて電源電圧供給端子１７６に接続され、かつ、出力整合回路２２を通じて出力端子３２に接続されたコレクタと、段間整合回路２１を通じて複数の単位トランジスタ２５１のコレクタに接続されたベースと、接地に接続されたエミッタと、を有する。

【0024】

具体的には、パワー段増幅器５２において、複数の単位トランジスタ２５２のそれぞれのベースは、互いに接続され、かつ、段間整合回路２１の出力端子（或いは、パワー段増幅器５２の入力）に接続されている。また、パワー段増幅器５２において、複数の単位トランジスタ２５２のそれぞれのコレクタは、互いに接続され、かつ、出力端子３２（或いは、パワー段増幅器５２の出力）に接続されている。さらに、パワー段増幅器５２において、複数の単位トランジスタ２５２のそれぞれのエミッタは、互いに接続され、かつ、接地に接続されている。つまり、複数の単位トランジスタ２５２は、互いに並列に接続されている。

【0025】

パワー段バイアス供給回路１６１は、パワー段増幅器５２における複数の単位トランジスタ２５２の各々のベースにバイアスを供給する。

【0026】

各図面には、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸を示すことがある。ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、右手系の３次元の直交座標を形成する。以下、ｘ軸の矢印方向をｘ軸＋側、矢印とは逆方向をｘ軸－側と呼ぶことがあり、その他の軸についても同様である。なお、ｚ軸＋側及びｚ軸－側を、それぞれ「上側」及び「下側」と呼ぶこともある。また、ｚ軸方向を「積層方向」と呼ぶこともある。また、ｘ軸、ｙ軸又はｚ軸にそれぞれ直交する面を、ｙｚ面、ｚｘ面又はｘｙ面と呼ぶことがある。ここで、上側から下側を見て時計回りに回転する方向を時計方向ｃｗと定義する。また、上側から下側を見て反時計回りに回転する方向を反時計方向ｃｃｗと定義する。

【0027】

図２は、電力増幅装置１１のｙｚ面に平行な断面を模式的に示す図である。図２に示すように、電力増幅装置１１は、半導体チップ２１１と、モジュール基板３１１と、実装部品４１１と、封止樹脂４４１と、を備える。半導体チップ２１１は、ドライバ段増幅器発熱部２１１ｂと、パワー段増幅器発熱部２１１ｃと、ストライプバンプ４２１及び４２２と、を含む。

【0028】

モジュール基板３１１は、例えば、ｚ軸方向に誘電体層及び配線層が積層された積層基板である。モジュール基板３１１は、ビア３２１及び３２２と、モジュール裏面電極３３１及び３３２と、を含む。

【0029】

モジュール基板３１１は、ストライプバンプ４２１及び４２２を間に挟んで半導体チップ２１１が設けられる。詳細には、半導体チップ２１１は、半導体チップ２１１の上側の面（以下、主面２１１ａと称することがある。）がモジュール基板３１１と対向するように、ストライプバンプ４２１及び４２２を通じてモジュール基板３１１の下側の面にフリップチップ接続される。

【0030】

モジュール裏面電極３３１及び３３２は、モジュール基板３１１の上側の面から露出する電極である。モジュール裏面電極３３１及び３３２は、例えば、基準電位が供給される電極、言い換えると接地に接続された電極である。

【0031】

また、モジュール裏面電極３３１及び３３２は、半導体チップ２１１におけるドライバ段増幅器発熱部２１１ｂ及びパワー段増幅器発熱部２１１ｃにおいて発生した熱をそれぞれ放熱するヒートシンクとしても機能する。

【0032】

ビア３２１及び３２２は、ｚ軸方向と略平行に延び、モジュール基板３１１を貫通する。ビア３２１及び３２２の上側の端面は、それぞれモジュール裏面電極３３１及び３３２に接続される。ビア３２１及び３２２の下側の端面は、それぞれストライプバンプ４２１及び４２２に接続される。

【0033】

モジュール基板３１１の下側の面には実装部品４１１が取り付けられる。また、モジュール基板３１１の下側の面には、半導体チップ２１１及び実装部品４１１を覆うように封止樹脂４４１が設けられる。

【0034】

図３は、電力増幅装置１１に含まれる半導体チップ２１１を上側から見た平面図である。図４は、単位トランジスタ２５１を上側から拡大して見た平面図である。図５は、単位トランジスタ２５１の第１変形例である単位トランジスタ２５１ａを上側から拡大して見た平面図である。図６は、単位トランジスタ２５１の第２変形例である単位トランジスタ２５１ｂを上側から拡大して見た平面図である。図７は、単位トランジスタ２５１の第３変形例である単位トランジスタ２５１ｃを上側から拡大して見た平面図である。

【0035】

図２～図７に示すように、半導体チップ２１１の主面２１１ａには、複数の単位トランジスタ２５１と、整合回路領域２６１と、複数の単位トランジスタ２５２と、が設けられる。

【0036】

半導体チップ２１１の主面２１１ａ側には、ｘ軸方向（第１方向）に沿って複数の単位トランジスタ２５１が形成される。本実施形態では、６個の単位トランジスタ２５１がｘ軸方向に略平行に形成される。なお、半導体チップ２１１の主面２１１ａ側には、２個以上５個以下又は７個以上の単位トランジスタ２５１が形成されてもよい。

【0037】

図４に示す単位トランジスタ２５１は、１つのベース電極２５１Ｂと、２つのコレクタ電極２５１Ｃと、２つのエミッタ電極２５１Ｅと、を含む。単位トランジスタ２５１は、ドライバ段増幅器５１を構成する最小のトランジスタとして定義される。

【0038】

各単位トランジスタ２５１は、並列に接続される。詳細には、複数の単位トランジスタ２５１の各々のベース電極２５１Ｂは、配線等（図示しない）によって互いに電気的に接続される。複数の単位トランジスタ２５１の各々のエミッタ電極２５１Ｅは、配線等（図示しない）によって互いに電気的に接続される。複数の単位トランジスタ２５１の各々のコレクタ電極２５１Ｃは、前段コレクタ配線２３１によって互いに電気的に接続される。

【0039】

ドライバ段増幅器５１に含まれる単位トランジスタ２５１の個数は、ベース電極２５１Ｂの個数によって定まる。つまり、単位トランジスタ２５１は、ベース電極２５１Ｂを１つだけ含む。

【0040】

単位トランジスタ２５１は、例えば、下側から上側に向かってコレクタ層、ベース層及びエミッタ層の順に半導体チップ２１１の主面２１１ａに向かって積層された基部をさらに含む。また、単位トランジスタ２５１では、コレクタ電極２５１Ｃ、ベース電極２５１Ｂ、及びエミッタ電極２５１Ｅは、例えば、コレクタ層、ベース層及びエミッタ層のそれぞれと電気的に接続され、かつ、コレクタ層、ベース層及びエミッタ層のそれぞれの上側に設けられる。

【0041】

単位トランジスタ２５１を上側から見たときに、ベース電極２５１Ｂ及び２つのエミッタ電極２５１Ｅは、２つのコレクタ電極２５１Ｃの間に設けられる。

【0042】

互いに隣り合う２つの単位トランジスタ２５１においては、コレクタ電極２５１Ｃが共有される。詳細には、ｘ軸－側に位置する単位トランジスタ２５１におけるｘ軸＋側のコレクタ電極２５１Ｃと、ｘ軸＋側に位置する単位トランジスタ２５１におけるｘ軸－側のコレクタ電極２５１Ｃとは、これら２つの単位トランジスタ２５１において共有される。

【0043】

図５に示す単位トランジスタ２５１ａは、１つのベース電極２５１Ｂと、２つのコレクタ電極２５１Ｃと、１つのエミッタ電極２５１Ｅと、を含む。

【0044】

図６に示す単位トランジスタ２５１ｂは、１つのベース電極２５１Ｂと、２つのコレクタ電極２５１Ｃと、２つのエミッタ電極２５１Ｅと、を含む。単位トランジスタ２５１と、単位トランジスタ２５１ｂとは、ベース電極２５１Ｂの形状が異なる。具体的に、単位トランジスタ２５１ｂにおけるベース電極２５１ＢはＴ字形状であり、単位トランジスタ２５１におけるベース電極２５１Ｂは概ねＷ字形状である。

【0045】

図７に示す単位トランジスタ２５１ｃは、１つのベース電極２５１Ｂと、２つのコレクタ電極２５１Ｃと、３つのエミッタ電極２５１Ｅと、を含む。単位トランジスタ２５１と、単位トランジスタ２５１ｃとは、ベース電極２５１Ｂの形状が異なり、かつ、エミッタ電極２５１Ｅの個数が異なる。

【0046】

ストライプバンプ４２１は、ｚ軸方向（第３方向）に沿って半導体チップ２１１を平面視したときに、複数の単位トランジスタ２５１のエミッタ電極２５１Ｅと重なる。

【0047】

本実施形態では、ストライプバンプ４２１は、ｘ軸方向に沿って延びる形状を有し、単位トランジスタ２５１のｙ軸方向（第２方向）の幅より大きい幅を有する。ｚ軸方向に沿って半導体チップ２１１を平面視したときに、ストライプバンプ４２１の外形の内側に、複数の単位トランジスタ２５１が位置する。

【0048】

ストライプバンプ４２１は、複数の単位トランジスタ２５１のエミッタ電極２５１Ｅに電気的に接続される。本実施形態では、ストライプバンプ４２１は、エミッタ電極２５１Ｅの上側に形成されたエミッタ配線（図示しない）を通じて複数の単位トランジスタ２５１のエミッタ電極２５１Ｅに電気的に接続される。

【0049】

ストライプバンプ４２１は、ビア３２１を通じてモジュール裏面電極３３１に電気的に接続される（図２参照）。例えば、単位トランジスタ２５１におけるエミッタ層は、ドライバ段増幅器発熱部２１１ｂに相当する。

【0050】

つまり、複数の単位トランジスタ２５１の各々において、エミッタ層から発生した熱を、エミッタ電極２５１Ｅ、ストライプバンプ４２１、及びビア３２１を通じてモジュール裏面電極３３１に移動させやすくすることができる。モジュール裏面電極３３１では、ドライバ段増幅器発熱部２１１ｂから移動してきた熱が放熱される。

【0051】

半導体チップ２１１の主面２１１ａ側には、複数の単位トランジスタ２５１のｙ軸－側において、ｘ軸方向に沿って複数の単位トランジスタ２５２が形成される（図３参照）。本実施形態では、１１個の単位トランジスタ２５２が形成される。なお、半導体チップ２１１の主面２１１ａ側には、２個以上１０個以下又は１２個以上の単位トランジスタ２５２が形成されてもよい。

【0052】

単位トランジスタ２５２は、１つのベース電極２５２Ｂと、２つのコレクタ電極２５２Ｃと、エミッタ電極２５２Ｅと、を含む。単位トランジスタ２５２は、パワー段増幅器５２を構成する最小のトランジスタとして定義される。

【0053】

各単位トランジスタ２５２は、並列に接続される。詳細には、複数の単位トランジスタ２５２のベース電極２５２Ｂの各々は、後段ベース配線２３２によって互いに電気的に接続される。複数の単位トランジスタ２５２のエミッタ電極２５２Ｅの各々は、配線等（図示しない）によって互いに電気的に接続される。複数の単位トランジスタ２５２のコレクタ電極２５２Ｃの各々は、後段コレクタ配線２３３によって互いに電気的に接続される。

【0054】

パワー段増幅器５２に含まれる単位トランジスタ２５２の個数は、ベース電極２５２Ｂの個数によって定まる。つまり、単位トランジスタ２５２は、ベース電極２５２Ｂを１つだけ含む。

【0055】

単位トランジスタ２５２は、例えば、下側から上側に向かってコレクタ層、ベース層及びエミッタ層の順に半導体チップ２１１の主面２１１ａに向かって積層された基部をさらに含む、また、単位トランジスタ２５２では、コレクタ電極２５２Ｃ、ベース電極２５２Ｂ、及びエミッタ電極２５２Ｅは、例えば、コレクタ層、ベース層及びエミッタ層のそれぞれと電気的に接続され、かつ、コレクタ層、ベース層及びエミッタ層のそれぞれの上側に設けられる。

【0056】

単位トランジスタ２５１のサイズは、単位トランジスタ２５２のサイズより小さい。ここで、単位トランジスタ２５１のサイズとは、例えば、エミッタ電極２５１Ｅの断面の面積であって、エミッタ電流が流れる方向と略垂直な断面の面積である。本実施形態では、単位トランジスタ２５１のサイズは、ｚ軸方向に沿って半導体チップ２１１を平面視したときの２つのエミッタ電極２５１Ｅの面積の和である。

【0057】

単位トランジスタ２５２のサイズは、単位トランジスタ２５１のサイズと同様に、ｚ軸方向に沿って半導体チップ２１１を平面視したときの２つのエミッタ電極２５２Ｅの面積の和である。

【0058】

単位トランジスタ２５２は、サイズが異なるが、単位トランジスタ２５１と同様の形状を有する。なお、単位トランジスタ２５２の形状が単位トランジスタ２５１の形状と異なってもよい。例えば、単位トランジスタ２５２は、単位トランジスタ２５１ａ、２５１ｂ又は２５１ｃと同様の形状を有してもよい。

【0059】

ストライプバンプ４２２は、ｘ軸方向に沿って延びる形状を有し、単位トランジスタ２５２のｙ軸方向の幅より大きい幅を有する。ｚ軸方向に沿って半導体チップ２１１を平面視したときに、ストライプバンプ４２２の外形の内側に、複数の単位トランジスタ２５２が位置する。

【0060】

ストライプバンプ４２２は、エミッタ電極２５２Ｅの上側に形成されたエミッタ配線（図示しない）を通じて複数の単位トランジスタ２５２のエミッタ電極２５２Ｅに電気的に接続される。

【0061】

ストライプバンプ４２２は、ビア３２２を通じてモジュール裏面電極３３２に電気的に接続される（図２参照）。例えば、単位トランジスタ２５２におけるエミッタ層は、パワー段増幅器発熱部２１１ｃに相当する。

【0062】

つまり、複数の単位トランジスタ２５２の各々において、エミッタ層から発生した熱を、エミッタ電極２５２Ｅ、ストライプバンプ４２２及びビア３２２を通じてモジュール裏面電極３３２に移動させやすくすることができる。モジュール裏面電極３３２では、パワー段増幅器発熱部２１１ｃから移動してきた熱が放熱される。

【0063】

前段コレクタ配線２３１と後段ベース配線２３２との間には、段間整合回路２１が電気的に接続される。段間整合回路２１に含まれる各部品の少なくとも一部（図示しない）は、複数の単位トランジスタ２５１と、複数の単位トランジスタ２５２との間に位置する整合回路領域２６１に設けられる。

【0064】

複数の単位トランジスタ２５１、複数の単位トランジスタ２５２及び整合回路領域２６１は、例えば、ｙｚ面と平行な対称面ＳＰに対して略対称に形成される。

【0065】

複数の単位トランジスタ２５１が形成される領域のｘ軸方向の大きさは、複数の単位トランジスタ２５２が形成される領域のｘ軸方向の大きさより小さい。このため、整合回路領域２６１の形状は、ｙ軸＋側及びｙ軸－側がそれぞれ短い底辺及び長い底辺となる台形である。

【0066】

整合回路領域２６１のｙ軸＋側の短い底辺は、頂点２６１ａと、頂点２６１ｂと、を結ぶ辺である。ここで、頂点２６１ａは、前段コレクタ配線２３１のｘ軸－側かつｙ軸－側の角に位置する。頂点２６１ｂは、前段コレクタ配線２３１のｘ軸＋側かつｙ軸－側の角に位置する。なお、ここでいう「角」とは端部であればよく、必ずしも角度を有している必要はない。具体的に、前段コレクタ配線２３１のｘ軸－側（或いは、ｘ軸＋側）かつｙ軸－側の端部の外縁が角を有していない曲線形状になっていた場合、当該端部の外縁のうち最も外側に張り出している点が頂点２６１ａ、或いは、頂点２６１ｂとなる。

【0067】

整合回路領域２６１のｙ軸－側の長い底辺は、頂点２６１ｃと、頂点２６１ｄと、を結ぶ辺である。ここで、頂点２６１ｃは、最もｘ軸＋側の単位トランジスタ２５２のコレクタ層に接続された外側のコレクタ電極２５２Ｃにおけるｘ軸＋側かつｙ軸＋側の角に位置する。頂点２６１ｄは、最もｘ軸－側の単位トランジスタ２５２のコレクタ層に接続された外側のコレクタ電極２５２Ｃにおけるｘ軸－側かつｙ軸＋側の角に位置する。なお、ここでいう「角」とは端部であればよく、必ずしも角度を有している必要はない。具体的に、コレクタ電極２５２Ｃのｘ軸＋側（或いは、ｘ軸－側）かつｙ軸＋側の端部の外縁が角を有していない曲線形状になっていた場合、当該端部の外縁のうち最も外側に張り出している点が頂点２６１ｃ、或いは、頂点２６１ｄとなる。

【0068】

すなわち、整合回路領域２６１は、頂点２６１ａ、２６１ｂ、２６１ｃ及び２６１ｄによって定まる台形に含まれる。整合回路領域２６１におけるｙ軸－側の長い底辺の両端の角度α及びβは、４５度以上９０度以下が好ましい。

【0069】

詳細には、パワー段増幅器５２のサイズは、電力増幅回路１０１としての出力電力に応じて決定される。ドライバ段増幅器５１のサイズは、パワー段増幅器５２の利得を考慮して設定されるが、一般的にパワー段増幅器５２のサイズは、ドライバ段増幅器５１のサイズと比べて十分に大きい。

【0070】

このため、仮に、単位トランジスタ２５１のサイズを単位トランジスタ２５２のサイズと同じにした場合、パワー段増幅器５２における複数の単位トランジスタ２５２が設けられる領域のｘ軸方向の大きさが、ドライバ段増幅器５１における複数の単位トランジスタ２５１が設けられる領域のｘ軸方向の大きさより十分大きくなる。

【0071】

この場合、整合回路領域２６１における角度α及びβが、図３に示す角度より小さくなり、単位トランジスタ２５１と単位トランジスタ２５２との間の距離のばらつきが大きくなる。

【0072】

すなわち、対称面ＳＰの近傍に位置する単位トランジスタ２５１及び２５２の間の距離と、ｘ軸＋側又はｘ軸－側の端に位置する単位トランジスタ２５１及び２５２の間の距離と、が大きく異なる。このため、対称面ＳＰの近傍で伝送される信号と、ｘ軸＋側又はｘ軸－側の端の近傍で伝送される信号との間で位相差が大きくなるので、インピーダンスの整合が困難となる。

【0073】

これに対して、単位トランジスタ２５１のサイズを単位トランジスタ２５２のサイズより小さくし、小サイズによるドライバ段増幅器５１の出力電力の低下を補うために単位トランジスタ２５１の個数を増加させる構成により、ドライバ段増幅器５１における複数の単位トランジスタ２５１が設けられる領域のｘ軸方向の大きさを大きくすることができるので、角度α及びβを大きくすることができる。

【0074】

これにより、対称面ＳＰの近傍で伝送される信号と、ｘ軸＋側又はｘ軸－側の端の近傍で伝送される信号との間の位相差を小さくすることができるので、インピーダンスの整合を簡易にすることができる。

【0075】

また、単位トランジスタ２５１のサイズを単位トランジスタ２５２のサイズより小さくする構成により、個々の発熱部（エミッタ電極２５１Ｅに接続されたエミッタ層）のサイズ（発熱部のｙ軸方向に沿った大きさ）を小さくする代わりに個数（発熱部がｘ軸方向に並ぶ数）を増やすことができる。

【0076】

詳細には、単位トランジスタ２５１の各エミッタ層の面積を足し合わせた総面積は、ドライバ段増幅器５１に必要な出力電力に応じて決まる。つまり、ドライバ段増幅器５１に必要な利得が予め決まっている場合、ドライバ段増幅器５１を構成する単位トランジスタ２５１のサイズを小さくすると、当該単位トランジスタ２５１の個数を増やす必要がある。

【0077】

上記のように、個々の発熱部の面積を小さくし、かつ、発熱部の個数を増加した場合、発熱部がストライプバンプ４２１が配置される領域に、より分散して配置されるため、ドライバ段増幅器５１の全体から発生する熱を、点在する複数の発熱部からそれぞれ小さく分割して発生させることができるので、熱の集中を緩和し、ドライバ段増幅器５１において発生した熱を効果的に逃がすことが可能となる。これにより、発熱部の温度上昇すなわち単位トランジスタ２５１の温度上昇を抑制することができる。従って、電力増幅装置１１に関して、特に比較的大きな出力電力が必要となるＡ級動作を行うドライバ段増幅器５１を備える構成においても、熱による増幅特性の劣化及び信頼性の劣化を抑制することができる。

【0078】

さらに、前述のとおり、パワー段増幅器５２に必要な出力電力（サイズ）を考慮すると、単位トランジスタ２５２のサイズを単位トランジスタ２５１のサイズと同じにした場合、パワー段増幅器５２のｘ軸方向に占める大きさが、ドライバ段増幅器５１のｘ軸方向の大きさより十分大きくなってしまう。従って、単位トランジスタ２５２のサイズを単位トランジスタ２５１のサイズに比べて大きくする構成により、パワー段増幅器５２のｘ軸方向の占有面積が過剰に増加することを防ぎ、電力増幅装置１１の小型化を実現することができる。

【0079】

［第２実施形態］
第２実施形態に係る電力増幅装置１２について説明する。第２実施形態以降では第１実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

【0080】

図８は、電力増幅装置１２のｙｚ面に平行な断面を模式的に示す図である。図９は、電力増幅装置１２に含まれる半導体チップ２１１を上側から見た平面図である。図８及び図９に示すように、第２実施形態に係る電力増幅装置１２は、ボンディングワイヤによって半導体チップ２１１とモジュール基板３１１とが電気的に接続される点で第１実施形態に係る電力増幅装置１１と異なる。

【0081】

電力増幅装置１２では、半導体チップ２１１は、主面２１１ａが下側に向いた状態で接着層４５１によってモジュール基板３１１に取り付けられる。半導体チップ２１１とモジュール基板３１１とは、ボンディングワイヤ４３１を通じて電気的に接続される。

【0082】

モジュール裏面電極３３１及びビア３２１は、電力増幅装置１２をｚ軸方向に沿って平面視したときに、ドライバ段増幅器発熱部２１１ｂと重なるように設けられる。

【0083】

これにより、ドライバ段増幅器発熱部２１１ｂにおいて発生した熱を、半導体チップ２１１、接着層４５１及びビア３２１を通じてモジュール裏面電極３３１に移動させやすくすることができる。モジュール裏面電極３３１では、ドライバ段増幅器発熱部２１１ｂから移動してきた熱が放熱される。

【0084】

モジュール裏面電極３３２及びビア３２２は、電力増幅装置１２をｚ軸方向に沿って平面視したときに、パワー段増幅器発熱部２１１ｃと重なるように設けられる。

【0085】

これにより、パワー段増幅器発熱部２１１ｃにおいて発生した熱を、半導体チップ２１１、接着層４５１及びビア３２２を通じてモジュール裏面電極３３２に移動させやすくすることができる。モジュール裏面電極３３２では、パワー段増幅器発熱部２１１ｃから移動してきた熱が放熱される。

【0086】

また、ドライバ段増幅器発熱部２１１ｂ及びパワー段増幅器発熱部２１１ｃにおいて発生した熱は、封止樹脂４４１を通じても放熱される。

【0087】

［第３実施形態］
第３実施形態に係る電力増幅装置１３について説明する。図１０は、電力増幅装置１３に含まれる半導体チップ２１１を上側から見た平面図である。図１０に示すように、第３実施形態に係る電力増幅装置１３は、パワー段増幅器５２がＦ級動作又は逆Ｆ級動作する点で第１実施形態に係る電力増幅装置１１と異なる。

【0088】

電力増幅装置１３では、複数の単位トランジスタ２５２は、Ｆ級動作又は逆Ｆ級動作する。詳細には、パワー段増幅器５２の負荷インピーダンスを制御し、瞬時電流が存在しているときには瞬時電圧が存在せず、かつ、瞬時電圧が存在しているときには瞬時電流が存在しないという条件を実現することで、パワー段増幅器５２が理想的にＦ級動作又は逆Ｆ級動作する。

【0089】

パワー段増幅器５２にＦ級動作をさせる場合、パワー段増幅器５２の出力端子から見た負荷インピーダンスが、偶数次高調波でショートとなり、かつ、奇数次高調波でオープンとなるように出力整合回路２２を設計する必要がある。

【0090】

一方、パワー段増幅器５２に逆Ｆ級動作をさせる場合、パワー段増幅器５２の出力端子から見た負荷インピーダンスが、偶数次高調波でオープンとなり、かつ、奇数次高調波でショートとなるように出力整合回路２２を設計する必要がある。

【0091】

本実施形態では、複数の単位トランジスタ２５２の各々のコレクタ電極２５２Ｃに接続された後段コレクタ配線２３３の近傍に、出力整合回路２２に含まれるインダクタ及びキャパシタとしてそれぞれ機能する部品を設けることで、高調波の周波数帯の負荷インピーダンス制御が行われる。

【0092】

具体的には、インダクタ電極２３４ａ及び２３４ｂは、複数の単位トランジスタ２５２のｘ軸－側及びｘ軸＋側にそれぞれ設けられる。

【0093】

インダクタ電極２３４ａは、最もｘ軸－側の単位トランジスタ２５２のコレクタ層に接続された外側のコレクタ電極２５２Ｃのｘ軸－側の端部に接続された第１端と、第２端と、を有する。インダクタ電極２３４ａは、第１端から第２端まで、ｘｙ面内において反時計方向ｃｃｗへ１／４回転以上３／４回転未満巻き回される。

【0094】

インダクタ電極２３４ｂは、最もｘ軸＋側の単位トランジスタ２５２のコレクタ層に接続された外側のコレクタ電極２５２Ｃのｘ軸＋側の端部に接続された第１端と、第２端と、を有する。インダクタ電極２３４ｂは、第１端から第２端まで、ｘｙ面内において時計方向ｃｗへ１／４回転以上３／４回転未満巻き回される。

【0095】

インダクタ電極２３４ａ及び２３４ｂは、出力整合回路２２に含まれるインダクタとして機能する部品である。当該インダクタのインダクタンスは、配線パターンの形状及び長さなどによって調整される。

【0096】

後段コレクタ配線２３３のｙ軸－側には、キャパシタ領域２６２ａ及び２６２ｂがｘ軸に沿って設けられる。キャパシタ領域２６２ｂは、キャパシタ領域２６２ａのｘ軸＋側に位置する。キャパシタ領域２６２ａ及び２６２ｂには、出力整合回路２２に含まれるキャパシタとして機能する部品が設けられる。

【0097】

キャパシタ領域２６２ａのｘ軸－側の端部及びｘ軸＋側の端部は、インダクタ電極２３４ａの第２端及び接地にそれぞれ接続される。

【0098】

キャパシタ領域２６２ｂのｘ軸－側の端部及びｘ軸＋側の端部は、接地及びインダクタ電極２３４ｂの第２端にそれぞれ接続される。

【0099】

［第４実施形態］
第４実施形態に係る電力増幅装置１４について説明する。図１１は、電力増幅装置１４に含まれる半導体チップ２１１を上側から見た平面図である。図１１に示すように、第４実施形態に係る電力増幅装置１４は、インダクタ電極の形状が異なる点で第３実施形態に係る電力増幅装置１３と異なる。

【0100】

電力増幅装置１４では、後段コレクタ配線２３３のｙ軸－側に、インダクタ電極２３５ａ及び２３５ｂがｘ軸に沿って設けられる。インダクタ電極２３５ｂは、インダクタ電極２３５ａのｘ軸＋側に位置する。

【0101】

インダクタ電極２３５ａ及び２３５ｂは、上側から見たときにｘ軸方向及びｙ軸方向がそれぞれ長辺及び短辺となる矩形の電極である。インダクタ電極２３５ａ及び２３５ｂの各々のｙ軸＋側の端部は、後段コレクタ配線２３３のｙ軸－側の端部に接続される。

【0102】

インダクタ電極２３５ａ及び２３５ｂのｙ軸－側には、キャパシタ領域２６２ａ及び２６２ｂがそれぞれ位置する。

【0103】

キャパシタ領域２６２ａのｙ軸＋側の端部及びキャパシタ領域２６２ｂのｙ軸＋側の端部は、それぞれインダクタ電極２３５ａのｙ軸－側の端部及びインダクタ電極２３５ｂのｙ軸－側の端部に接続される。

【0104】

キャパシタ領域２６２ａとキャパシタ領域２６２ｂとの間には、インダクタ電極２３６が設けられる。インダクタ電極２３６は、上側から見たときにｘ軸方向及びｙ軸方向がそれぞれ長辺及び短辺となる矩形の電極である。

【0105】

インダクタ電極２３６は、キャパシタ領域２６２ａのｘ軸＋側の端部に接続された第１端と、キャパシタ領域２６２ｂのｘ軸－側の端部に接続された第２端と、を有する。インダクタ電極２３６の第１端及び第２端間の中点は、接地に接続される。

【0106】

インダクタ電極２３５ａ、２３５ｂ及び２３６は、出力整合回路２２に含まれるインダクタとして機能する部品である。当該インダクタのインダクタンスは、配線パターンの形状及び長さなどによって調整される。

【0107】

なお、電力増幅装置１１～１４では、複数の単位トランジスタ２５１がｘ軸方向に沿って直線状に設けられる構成について説明したが、これに限定するものではない。複数の単位トランジスタ２５１は、任意の配置で半導体チップ２１１の主面２１１ａ側に設けられる構成であってもよい。

【0108】

また、電力増幅装置１１～１４では、複数の単位トランジスタ２５２がｘ軸方向に沿って直線状に設けられる構成について説明したが、これに限定するものではない。複数の単位トランジスタ２５２は、任意の配置で半導体チップ２１１の主面２１１ａ側に設けられる構成であってもよい。

【0109】

また、電力増幅装置１１～１４では、モジュール裏面電極３３１及び３３２がモジュール基板３１１の上側の面に露出する構成について説明したが、これに限定するものではない。モジュール裏面電極３３１及び３３２は、モジュール基板３１１の上側の面に露出しない構成であってもよい。

【0110】

以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。一般的に、トランジスタ動作に伴う発熱によってトランジスタの温度が上昇すると、ベース及びエミッタ間の閾値電圧Ｖｂｅが低下する。このため、ベースに供給されるベースバイアス電圧を一定に保つ場合においても、ベース電流が増大する。その結果、コレクタ電流が増大し、コレクタ損失が増え、トランジスタの利得も低下してしまう。

【0111】

これに対して、電力増幅装置１１、１２、１３及び１４では、複数の単位トランジスタ２５１は、並列に接続され、かつ、信号ＲＦ１を増幅して出力するように構成される。複数の単位トランジスタ２５２は、並列に接続され、かつ、複数の単位トランジスタ２５１の増幅信号ＲＦ２を増幅して出力するように構成される。そして、単位トランジスタ２５１のサイズは、単位トランジスタ２５２のサイズより小さい。

【0112】

このように、単位トランジスタ２５１のサイズを単位トランジスタ２５２のサイズより小さくする構成により、仮に、単位トランジスタ２５１のサイズと単位トランジスタ２５２のサイズとを同じにする場合と比べて、単位トランジスタ２５１の個数を増やしてドライバ段増幅器５１全体のサイズを同じにすることができる。これにより、ドライバ段増幅器５１の全体から発生する熱を、点在する複数の単位トランジスタ２５１からそれぞれ小さく分割して発生させることができるので、熱の集中を緩和し、単位トランジスタ２５１の温度上昇を抑制することができる。単位トランジスタ２５１の温度上昇が抑制されるので、利得を低下させずに大電力の増幅信号ＲＦ２を出力することができ、また、熱による劣化が抑えられ、ドライバ段増幅器５１の信頼性の低下を抑制することができる。ところで、パワー段増幅器５２のサイズはドライバ段増幅器５１のサイズより一般的に大きいので、仮に、単位トランジスタ２５１のサイズと単位トランジスタ２５２のサイズとを同じにする場合、単位トランジスタ２５２の個数が多くなり、多数の単位トランジスタ２５２が点在することでパワー段増幅器５２のサイズが大きくなってしまう。これに対して、単位トランジスタ２５２のサイズを単位トランジスタ２５１のサイズより大きくする構成により、単位トランジスタ２５２の個数が少なくなり、パワー段増幅器５２のサイズが大きくなることを抑制することができる。したがって、増幅特性の劣化及び信頼性の低下を抑制するとともに、サイズを小さくすることが可能な電力増幅装置を提供することができる。

【0113】

また、電力増幅装置１１、１２、１３及び１４では、複数の単位トランジスタ２５１は、Ａ級動作をする。

【0114】

大容量通信のための増幅器では、送信帯域幅が最大２００ＭＨｚまで規格化されているところ、上記の構成により、広帯域な信号用途で優れた線形性を確保することができる。一方、ドライバ段増幅器５１をＡ級動作させるほどの高いベースバイアス電圧が供給される場合、発熱要因となる電流密度が増大するが、単位トランジスタ２５１のサイズを単位トランジスタ２５２のサイズより小さくする構成により、熱の集中を緩和し、単位トランジスタ２５１の温度上昇を抑制することができる。

【0115】

また、電力増幅装置１３及び１４では、複数の単位トランジスタ２５２は、Ｆ級動作又は逆Ｆ級動作をする。

【0116】

このような構成により、複数の単位トランジスタ２５２の効率を向上させることができる。

【0117】

また、電力増幅装置１１、１３及び１４では、半導体チップ２１１は、ｘ軸方向及びｘ軸方向に交差するｙ軸方向により規定される平面に平行な主面２１１ａを有し、ｘ軸方向に沿って複数の単位トランジスタ２５１が形成される。ストライプバンプ４２１は、複数の単位トランジスタ２５１のエミッタ電極２５１Ｅに電気的に接続され、ｘ軸方向及びｙ軸方向と交わるｚ軸方向に沿って半導体チップ２１１を平面視したときに、エミッタ電極２５１Ｅと重なる。

【0118】

このような構成により、複数の単位トランジスタ２５１とストライプバンプ４２１との間の距離を小さくすることができるので、エミッタ電極２５１Ｅに接続されたエミッタ層において発生した熱をストライプバンプ４２１へ迅速に移動させることができる。また、ストライプバンプ４２１を帯状にする構成により、ストライプバンプ４２１のサイズを大きくすることができるので、ストライプバンプ４２１の熱容量を大きくすることができる。これにより、複数の単位トランジスタ２５１の温度上昇を効果的に抑制することができる。

【0119】

また、電力増幅装置１１、１３及び１４では、モジュール基板３１１は、ストライプバンプ４２１を間に挟んで半導体チップ２１１が設けられる。モジュール基板３１１は、モジュール基板３１１の少なくとも一部を貫通するビア３２１と、ビア３２１を通じてストライプバンプ４２１に電気的に接続されるモジュール裏面電極３３１と、を含む。

【0120】

このような構成により、ストライプバンプ４２１における熱を、ビア３２１を通じてモジュール裏面電極３３１に迅速に移動させることができるので、ストライプバンプ４２１の温度上昇を抑制し、ひいては、複数の単位トランジスタ２５１の温度上昇をより効果的に抑制することができる。

【0121】

なお、以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素及びその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。

【0122】

＜１＞
並列に接続された複数の第１単位トランジスタであって、無線周波数信号を増幅して出力するように構成された複数の第１単位トランジスタと、
並列に接続された複数の第２単位トランジスタであって、前記複数の前記第１単位トランジスタの出力信号を増幅して出力するように構成された複数の第２単位トランジスタと、を備え、
前記第１単位トランジスタのサイズは、前記第２単位トランジスタのサイズより小さい、
電力増幅装置。

【0123】

＜２＞
＜１＞に記載の電力増幅装置であって、
前記複数の前記第１単位トランジスタは、Ａ級動作をする、
電力増幅装置。

【0124】

＜３＞
＜１＞又は＜２＞に記載の電力増幅装置であって、
前記複数の前記第２単位トランジスタは、Ｆ級動作又は逆Ｆ級動作をする、
電力増幅装置。

【0125】

＜４＞
＜１＞から＜３＞のいずれか１つに記載の電力増幅装置であって、
前記電力増幅装置は、
第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向により規定される平面に平行な主面を有し、前記第１方向に沿って前記複数の前記第１単位トランジスタが形成された半導体チップと、
前記複数の前記第１単位トランジスタのエミッタ電極に電気的に接続され、前記第１方向及び前記第２方向と交わる第３方向に沿って前記半導体チップを平面視したときに、前記エミッタ電極と重なるストライプバンプと、をさらに備える、
電力増幅装置。

【0126】

＜５＞
＜４＞に記載の電力増幅装置であって、
前記電力増幅装置は、
前記ストライプバンプを間に挟んで前記半導体チップが設けられる基板をさらに備え、
前記基板は、
前記基板の少なくとも一部を貫通するビアと、
前記ビアを通じて前記ストライプバンプに電気的に接続される電極と、を含む、
電力増幅装置。

【符号の説明】

【0127】

１１、１２、１３、１４…電力増幅装置
２０…入力整合回路
２１…段間整合回路
２２…出力整合回路
３１…入力端子
３２…出力端子
５１…ドライバ段増幅器
５２…パワー段増幅器
１０１…電力増幅回路
２１１…半導体チップ
２１１ａ…主面
２１１ｂ…ドライバ段増幅器発熱部
２１１ｃ…パワー段増幅器発熱部
２３１…前段コレクタ配線
２３２…後段ベース配線
２３３…後段コレクタ配線
２３４ａ、２３４ｂ、２３５ａ、２３５ｂ、２３６…インダクタ電極
２５１、２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ…単位トランジスタ
２５１Ｅ…エミッタ電極
２５１Ｃ…コレクタ電極
２５１Ｂ…ベース電極
２５２…単位トランジスタ
２５２Ｅ…エミッタ電極
２５２Ｃ…コレクタ電極
２５２Ｂ…ベース電極
２６１…整合回路領域
２６２ａ、２６２ｂ…キャパシタ領域
３１１…モジュール基板
３２１、３２２…ビア
３３１、３３２…モジュール裏面電極
４１１…実装部品
４２１、４２２…ストライプバンプ
４３１…ボンディングワイヤ
４４１…封止樹脂
４５１…接着層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】