特開 2024-101426 電子部品およびチップバリスタ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024101426

(43)【公開日】2024-07-29

(54)【発明の名称】電子部品およびチップバリスタ

(51)【国際特許分類】

   H01C 7/10 20060101AFI20240722BHJP

【ＦＩ】

H01C7/10

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023005396

(22)【出願日】2023-01-17

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100124062

【弁理士】

【氏名又は名称】三上 敬史

(72)【発明者】

【氏名】篠沢 恒樹

(72)【発明者】

【氏名】内田 雅幸

【テーマコード（参考）】

5E034

【Ｆターム（参考）】

5E034DA07

5E034DC01

(57)【要約】

【課題】端面電極間の距離を確保しつつ側面電極のカバー性を高めることができる電子部品およびチップバリスタを提供する。
【解決手段】チップバリスタ１においては、第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂの第２部分２４の突出長さＤ１が、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第１部分２１の突出長さＤ３より短くなっている。第２部分２４の突出長さＤ１が相対的に短くなっていることで側面１０ｃ、１０ｄにおける第一電極２０Ａと第二電極２０Ｂとの間の距離が確保され、それによりショート等の抑制が図られている。一方、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第１部分２１の突出長さＤ３を相対的に長くすることで、第１部分２１が幅広となり、第三電極２０Ｃ、２０Ｄが設けられた側面１０ｃ、１０ｄにおいて露出する第三導体３０Ｃの各端部３１のカバー性が高まり、第三導体３０Ｃと第三電極２０Ｃ、２０Ｄとの接続性の向上が図られている。
【選択図】図８

【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに平行であるとともに一方が実装面を構成する一対の主面と、該主面に対して交差する方向に延びるとともに互いに平行な一対の端面と、前記主面および前記端面に対して交差する方向に延びるとともに互いに平行な一対の側面とを有する素体と、
前記素体内に設けられ、前記側面において露出する端部を有するとともに該端部が前記側面において前記主面と平行に延びる側面露出電極と、
前記一対の端面にそれぞれ設けられ、前記端面と前記端面に近接する部分の前記側面および前記主面とを一体的に覆い、前記端面を覆う第１部分と前記側面を覆う第２部分と前記主面を覆う第３部分とをそれぞれ有する一対の端面電極と、
前記側面に設けられ、前記側面と前記側面に近接する部分の前記主面とを一体的に覆い、前記側面を覆って該側面に露出した前記側面露出電極の端部と接続される第１部分と前記主面を覆う第２部分とを有する側面電極と
を備え、
前記素体の前記主面と前記側面とで画成される稜線上における前記端面電極の先端位置同士を結ぶ仮想線を基準とした前記端面電極の前記第２部分の突出長さが、前記稜線上における前記側面電極の端部位置同士を結ぶ仮想線を基準とした前記側面電極の前記第１部分の突出長さより短い、電子部品。

【請求項2】

前記側面に直交する断面における前記側面電極の先端の角度が、前記側面に直交する断面における前記端面電極の前記第２部分の先端の角度より狭い、請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記素体の前記主面と前記側面とで画成される稜線を基準とした前記側面電極の前記主面を覆う部分の突出長さが、前記稜線上における前記側面電極の端部位置同士を結ぶ仮想線を基準とした前記側面電極の突出長さより長い、請求項１に記載の電子部品。

【請求項4】

前記素体の前記主面と前記側面とで画成される稜線上における前記端面電極の先端位置同士を結ぶ仮想線を基準とした前記第３部分の突出長さが、該稜線を基準とした前記側面電極の前記主面を覆う部分の突出長さより長い、請求項１に記載の電子部品。

【請求項5】

請求項１に記載された電子部品であって、前記素体の内部にバリスタ構造が形成されている、チップバリスタ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子部品およびチップバリスタに関する。

【背景技術】

【0002】

従来より、素体の一対の端面にそれぞれ端面電極が設けられるとともに一対の側面にそれぞれ側面電極が設けられた構成を有する電子部品として、キャパシタ（下記特許文献１）やチップバリスタ（下記特許文献２）が知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５－８４３９９号公報

【特許文献2】特開２０１７－２０４５４７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述した構成を有する電子部品においては、電子機器の小型化に伴い、小型化や低背化に対する要求が高まっている。電子部品の小型化や低背化に伴って端面電極同士が近づくと、端面電極間におけるショートや部品特性の変動リスクが生じやすくなるため、十分な電極間距離を確保する必要がある。一方、素体の側面に設けられた側面電極が十分に確保できないと、側面に引き出される内部電極のカバー性が低下してしまう。

【0005】

発明者らは、端面電極および側面電極の構成について研究を重ね、その結果、端面電極間の距離を確保しつつ側面電極のカバー性を高めることができる技術を新たに見出した。

【0006】

本発明は、端面電極間の距離を確保しつつ側面電極のカバー性を高めることができる電子部品およびチップバリスタを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一形態に係る電子部品は、互いに平行であるとともに一方が実装面を構成する一対の主面と、該主面に対して交差する方向に延びるとともに互いに平行な一対の端面と、主面および端面に対して交差する方向に延びるとともに互いに平行な一対の側面とを有する素体と、素体内に設けられ、側面において露出する端部を有するとともに該端部が前記側面において主面と平行に延びる側面露出電極と、一対の端面にそれぞれ設けられ、端面と端面に近接する部分の側面および主面とを一体的に覆い、端面を覆う第１部分と側面を覆う第２部分と主面を覆う第３部分とをそれぞれ有する一対の端面電極と、側面に設けられ、側面と側面に近接する部分の主面とを一体的に覆い、側面を覆って該側面に露出した側面露出電極の端部と接続される第１部分と主面を覆う第２部分とを有する側面電極とを備え、素体の主面と側面とで画成される稜線上における端面電極の先端位置同士を結ぶ仮想線を基準とした端面電極の第２部分の突出長さが、稜線上における側面電極の端部位置同士を結ぶ仮想線を基準とした側面電極の第１部分の突出長さより短い。

【0008】

上記電子部品においては、端面電極の第２部分の突出長さが相対的に短くなっていることで端面電極間の距離が確保され、それによりショート等の抑制が図られている。一方、側面電極の第１部分の突出長さを相対的に長くすることで側面に露出する側面露出電極のカバー性が高められている。

【0009】

他の形態に係る電子部品では、側面に直交する断面における側面電極の先端の角度が、側面に直交する断面における端面電極の第２部分の先端の角度より狭い。

【0010】

他の形態に係る電子部品では、素体の主面と側面とで画成される稜線を基準とした側面電極の主面を覆う部分の突出長さが、稜線上における側面電極の端部位置同士を結ぶ仮想線を基準とした側面電極の突出長さより長い。

【0011】

他の形態に係る電子部品では、素体の主面と側面とで画成される稜線上における端面電極の先端位置同士を結ぶ仮想線を基準とした第３部分の突出長さが、該稜線を基準とした側面電極の主面を覆う部分の突出長さより長い。

【0012】

本発明の一形態に係るチップバリスタは、上記記載の電子部品であって、素体の内部にバリスタ構造が形成されている。

【発明の効果】

【0013】

本発明によれば、端面電極間の距離を確保しつつ側面電極のカバー性を高めることができる電子部品およびチップバリスタを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】実施形態に係る電子部品を示す概略斜視図である。

【図2】図１に示した素体の内部の各導体を示した斜視図である。

【図3】図１に示した素体の内部の各導体を示した断面図である。

【図4】第一導体および第二導体のみを示した図である。

【図5】第三導体と第三電極との位置関係を示した図である。

【図6】各導体の位置関係を示した断面図である。

【図7】各導体の位置関係を示した断面図である。

【図8】素体の側面を示した側面図である。

【図9】素体の主面を示した底面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

【0016】

まず、図１～図３を参照して、電子部品の一種であるチップバリスタ１の構成について説明する。

【0017】

チップバリスタ１は、多端子型の積層チップバリスタであり、素体１０と４つの端子電極２０Ａ～２０Ｄとを備えて構成されている。チップバリスタ１は、略直方体形状の外形を有し、いわゆる２０１２サイズ（長手方向長さが２．０ｍｍ、短手方向長さが１．２５ｍｍ、高さが０．８ｍｍ）である。

【0018】

素体１０は、略直方体形状の外形を有する積層構造体である。素体１０は、長手方向において互いに対向する長方形状の一対の端面１０ａ、１０ｂと、端面１０ａ、１０ｂに直交する長方形状の一対の側面１０ｃ、１０ｄおよび一対の主面１０ｅ、１０ｆとを有する。一対の側面１０ｃ、１０ｄおよび一対の主面１０ｅ、１０ｆは、端面１０ａ，１０ｂ間を連結するように延びている。

【0019】

一対の端面１０ａ、１０ｂは、いずれも素体１０の積層方向に対して平行に延在しており、互いに平行である。一対の側面１０ｃ、１０ｄは、いずれも素体１０の積層方向に対して平行に延在しており、互いに平行であるとともに短手方向において互いに対向している。一対の主面１０ｅ、１０ｆは、素体１０の積層方向に対して直交するように延在しており、互いに平行であるとともに素体１０の積層方向において互いに対向している。本実施形態では、一方の主面１０ｆが、チップバリスタ１が実装される基板と対向する実装面を構成している。

【0020】

素体１０は、隣り合う面１０ａ～１０ｆによって画成される１２本の稜線１２ａ～１２ｈを有する。具体的には、素体１０は、各端面１０ａ、１０ｂと各側面１０ｃ、１０ｄとで画成される４本の稜線１２ａ～１２ｄと、各端面１０ａ、１０ｂと各主面１０ｅ、１０ｆとで画成される４本の稜線１２ｅ～１２ｈと、各側面１０ｃ、１０ｄと各主面１０ｅ、１０ｆとで画成される４本の稜線１２ｉ～１２ｌとを有する。

【0021】

素体１０は、バリスタ特性を発現する焼結体（半導体セラミック）からなる。素体１０は、バリスタ特性を発現する焼結体からなる複数の層からなる積層構造体である。実際の素体１０では、構成する各層は、その間の境界が視認できない程度に一体化されている。素体１０は、ＺｎＯ（酸化亜鉛）を主成分として含むと共に、副成分としてＣｏ、希土類金属元素、ＩＩＩｂ族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、アルカリ金属元素（Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）及びアルカリ土類金属元素（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）などの金属単体やこれらの酸化物を含む。素体１０の表面がガラス質で構成される場合には素体１０の表面は高い濡れ性を有する。本実施形態において、素体１０は、副成分としてＣｏ、Ｐｒ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｋ、及びＡｌを含んでいる。素体１０におけるＺｎＯの含有量は、特に限定されないが、素体１０を構成する全体の材料を１００質量％とした場合に、通常、９９．８～６９．０質量％である。希土類金属元素（たとえば、Ｐｒ）は、バリスタ特性を発現させる物質として作用する。素体１０における希土類金属元素の含有量は、たとえば０．０１～１０原子％程度に設定される。

【0022】

チップバリスタ１は、素体１０内に複数の導体を備えており、具体的には第一導体３０Ａ、第二導体３０Ｂおよび第三導体３０Ｃを備えている。第一導体３０Ａ、第二導体３０Ｂおよび第三導体３０Ｃは、導電材を含んでいる。各導体３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃに含まれる導電材としては、特に限定されないが、ＰｄまたはＡｇ－Ｐｄ合金からなることが好ましい。各導体３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃの厚み（積層方向長さ）は、たとえば０．１～１０μｍ程度である。

【0023】

第一導体３０Ａは、均一幅を有する帯状の形状を有し、素体１０を構成する層内おいて、端面１０ａ、１０ｂの対向方向に沿って延在している。第一導体３０Ａは、一方の端部３０ａが端面１０ａに露出するとともに他方の端部３０ｂが素体１０内に位置している。第一導体３０Ａの幅は、たとえば０．４ｍｍである。

【0024】

第二導体３０Ｂは、均一幅を有する帯状の形状を有し、第一導体３０Ａが形成された層とは異なる層内おいて、端面１０ａ、１０ｂの対向方向に沿って延在している。第二導体３０Ｂは、一方の端部３０ａが端面１０ｂに露出するとともに他方の端部３０ｂが素体１０内に位置している。第二導体３０Ｂの幅は、第一導体３０Ａの幅と同じになるように設計されており、たとえば０．４ｍｍである。

【0025】

図３および図４に示すように、第一導体３０Ａと第二導体３０Ｂとは素体１０の積層方向から見て互いに位置合わせされており、素体１０内に位置する端部３０ｂ同士が積層方向において完全に重なっている。第一導体３０Ａの端部３０ｂと第二導体３０Ｂの端部３０ｂとが重なって形成された重畳部４０は、積層方向から見て、長辺方向が端面１０ａ、１０ｂの対向方向に平行な長方形状を呈する。

【0026】

第三導体３０Ｃ（側面露出電極）は、側面１０ｃ、１０ｄの対向方向に沿って延びる形状を有し、側面１０ｃから側面１０ｄに亘って延びている。図５に示すように、第三導体３０Ｃは、一対の端部３１、本体部３２および一対の拡幅部３３を有する。

【0027】

第三導体３０Ｃの各端部３１は、側面１０ｃ、１０ｄの近傍に位置しており、側面１０ｃ、１０ｄから露出している。側面１０ｃ、１０ｄから露出した各端部３１の形状（端面形状）は、側面１０ｃ、１０ｄにおいて主面１０ｅ、１０ｆと平行（すなわち、端面１０ａ、１０ｂの対面方向）に延びる形状を呈する。各端部３１は、均一な幅Ｗ１（端面１０ａ、１０ｂの対向方向に関する長さ）を有し、幅Ｗ１は一例として０．１ｍｍである。

【0028】

第三導体３０Ｃの本体部３２は、両端部３１の間であって第三導体３０Ｃの中央に位置しており、第一導体３０Ａおよび第二導体３０Ｂと交差している（本実施形態においては直交している）。本体部３２は、第一導体３０Ａおよび第二導体３０Ｂの重畳部４０と素体１０の積層方向において重なる部分である機能部３４を有する。第三導体３０Ｃは、第一導体３０Ａとは重畳部４０においてのみ重なり、第二導体３０Ｂとも重畳部４０においてのみ重なる。そのため、機能部３４の面積は、第三導体３０Ｃと第一導体３０Ａとの重畳面積と一致し、かつ、第三導体３０Ｃと第二導体３０Ｂとの重畳面積とも一致する。本体部３２は、均一な幅Ｗ２を有し、本体部３２の幅Ｗ２は端部３１の幅Ｗ１より広くなるように設計されている（Ｗ２＞Ｗ１）。本体部３２の幅Ｗ２は一例として０．２ｍｍである。機能部３４の幅は、本体部３２の幅Ｗ２と一致しており、機能部３４の幅に応じて、ＥＳＤ耐量が調整される（たとえば高められる）。

【0029】

両端部３１と本体部３２との間には、それぞれ拡幅部３３が介在している。拡幅部３３は、端部３１から本体部３２に向かって漸次幅が拡がる部分である。

【0030】

図６および図７に示すように、第三導体３０Ｃは、第一導体３０Ａと第二導体３０Ｂとの中間に位置する層内に延在している。そのため、素体１０の積層方向に関し、第三導体３０Ｃと第一導体３０Ａとの離間距離は、第三導体３０Ｃと第二導体３０Ｂとの離間距離と実質的に同一である。機能部３４は、第一導体３０Ａの端部３０ｂとの間に第一機能層４２を形成する。第一機能層４２は、機能部３４と第一導体３０Ａの端部３０ｂとで挟まれた素体部分である。第一機能層４２は、たとえば２０～５０ｐＦ程度の静電容量を有する。また、機能部３４は、第二導体３０Ｂの端部３０ｂとの間に第二機能層４４を形成する。第二機能層４４は、機能部３４と第二導体３０Ｂの端部３０ｂとで挟まれた素体部分である。上述したとおり、第三導体３０Ｃは、第一導体３０Ａおよび第二導体３０Ｂと実質的に同じ距離だけ離間しており、かつ、第一導体３０Ａおよび第二導体３０Ｂと重畳面積が実質的に同じであるため、第二機能層４４は、第一機能層４２の静電容量と実質的に同じ静電容量を有する。

【0031】

４つの端子電極２０Ａ～２０Ｄのうちの第三電極２０Ｃ、２０Ｄ（側面電極）は、対をなしており、素体１０の側面１０ｃ側および側面１０ｄ側にそれぞれ配置されている。第三電極２０Ｃ、２０Ｄは、素体１０の側面１０ｃ、１０ｄに露出した第三導体３０Ｃの両端部３１をそれぞれ覆うように形成されており、第三電極２０Ｃ、２０Ｄは、第三導体３０Ｃと直接接続されている。一対の第三電極２０Ｃ、２０Ｄと第三導体３０Ｃとは対称的に配置されているため、均一な放電を実現することができる。本実施形態において、第三電極２０Ｃ、２０Ｄは略紡錘状の全体形状を有する。

【0032】

第三電極２０Ｃは、積層方向に延びて主面１０ｅと主面１０ｆに回り込んで、側面１０ｃと主面１０ｅ、１０ｆとを一体的に覆っている。本実施形態では、第三電極２０Ｃは、長方形状を有する側面１０ｃの長辺の中間位置において積層方向に延びて主面１０ｅと主面１０ｆに回り込んでいるが、長辺の中間位置からある程度ズレた態様であってもよい。第三電極２０Ｃは、より詳しくは、側面１０ｃと主面１０ｅおよび主面１０ｆとの稜線１２ｋ、１２ｌの間にわたって延びる第１部分２１と、第１部分２１から一体的に延びて素体１０の主面１０ｅ、１０ｆのそれぞれに回り込んだ第２部分２２とを含んで構成されている。素体１０の側面１０ｃに設けられた第三電極２０Ｃの第１部分２１は、素体１０の積層方向における中間位置において最大幅ｗ１となり、側面１０ｃと主面１０ｅ、１０ｆとの稜線１２ｋ、１２ｌ（最小幅ｗ２）に向けてその側縁が樽状に湾曲するように漸次幅狭となっている。本実施形態に係る第三電極２０Ｃの第１部分２１は、側面１０ｃにおける積層方向に関する中間位置を基準に線対称（上下対称）の形状を呈する。そのため、側面１０ｃと主面１０ｅとの稜線１２ｋにおける幅ｗ２と、側面１０ｃと主面１０ｆとの稜線１２ｌにおける幅ｗ２とは同じである。素体１０の稜線１２ｋ、１２ｌ付近に位置する第三電極２０Ｃの第１部分２１の四隅はいずれも鈍角となっている。素体１０の主面１０ｅ、１０ｆにそれぞれ設けられた第三電極２０Ｃの第２部分２２は、主面１０ｅ、１０ｆと側面１０ｃとの稜線１２ｋ、１２ｌから離れる従ってその側縁が略半円状に湾曲するように漸次幅狭となっている。

【0033】

同様に、第三電極２０Ｄも、積層方向に延びて主面１０ｅ、１０ｆに回り込んで、側面１０ｄと主面１０ｅ、１０ｆとを一体的に覆っている。本実施形態では、第三電極２０Ｄは、長方形状を有する側面１０ｄの長辺の中間位置において積層方向に延びて主面１０ｅと主面１０ｆに回り込んでいるが、長辺の中間位置からある程度ズレた態様であってもよい。第三電極２０Ｄは、より詳しくは、側面１０ｄと主面１０ｅおよび主面１０ｆとの稜線１２ｉ、１２ｊの間にわたって延びる第１部分２１と、第１部分２１から一体的に延びて素体１０の主面１０ｅ、１０ｆのそれぞれに回り込んだ第２部分２２とを含んで構成されている。素体１０の側面１０ｄに設けられた第三電極２０Ｄの第１部分２１は、素体１０の積層方向における中間位置において最大幅ｗ１となり、側面１０ｄと主面１０ｅ、１０ｆとの稜線１２ｉ、１２ｊ（最小幅ｗ２）に向けてその側縁が樽状に湾曲するように漸次幅狭となっている。本実施形態に係る第三電極２０Ｄの第１部分２１は、側面１０ｄにおける積層方向に関する中間位置を基準に線対称（上下対称）の形状を呈する。そのため、側面１０ｄと主面１０ｅとの稜線１２ｉにおける幅ｗ２と、側面１０ｄと主面１０ｆとの稜線１２ｊにおける幅ｗ２とは同じである。素体１０の稜線１２ｉ、１２ｊ付近に位置する第三電極２０Ｄの第１部分２１の四隅はいずれも鈍角となっている。素体１０の主面１０ｅ、１０ｆにそれぞれ設けられた第三電極２０Ｄの第２部分２２は、主面１０ｅ、１０ｆと側面１０ｄとの稜線１２ｉ、１２ｊにから離れる従ってその側縁が略半円状に湾曲するように漸次幅狭となっている。

【0034】

すなわち、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第１部分２１の幅は、素体１０の側面１０ｃ、１０ｄにおける積層方向に関する中間位置において最大幅であるｗ１となっている。素体１０の側面１０ｃ、１０ｄにおける積層方向に関する中間位置は、第三導体３０Ｃの各端部３１が露出する位置であり、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第１部分２１は第三導体３０Ｃの各端部３１が露出する位置において最大幅ｗ１となっている。また、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第１部分２１の幅は、側面１０ｃ、１０ｄと主面１０ｅ、１０ｆとの稜線１２ｉ～１２ｌにおいて最小幅であるｗ２となっている。

【0035】

図５に示すように、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第２部分２２は、素体１０の積層方向から見て、第三導体３０Ｃの拡幅部３３の少なくとも一部と重なっている。図５に示した形態では、第三電極２０Ｄの第２部分２２は、素体１０の積層方向から見て、第三導体３０Ｃの拡幅部３３の全部と重なっている。

【0036】

第三電極２０Ｃ、２０Ｄは、導電性ペーストを素体１０の表面に付与することにより形成される。導電性ペーストには、金属（たとえば、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｇ－Ｐｄ合金など）からなる粉末に、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を混合したものが用いられている。導電性ペーストを素体１０の表面に付与した後、乾燥処理等によってバインダ成分が除かれる。第三電極２０Ｃ、２０Ｄは、単層構造であっても複数層構造であってもよい。たとえば、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの表面をめっき層で構成することができ、第三電極２０Ｃ、２０ＤはＮｉめっき層と、当該Ｎｉめっき層上に形成されたＳｎめっき層とを含んでいてもよい。

【0037】

４つの端子電極２０Ａ～２０Ｄの一つである第一電極２０Ａ（端面電極）は、素体１０の端面１０ａ側に配置されている。第一電極２０Ａは、端面１０ａと、端面１０ａに近接する部分の側面１０ｃ、１０ｄおよび主面１０ｅ、１０ｆとを一体的に覆うように形成されている。第一電極２０Ａは、素体１０の端面１０ａに露出した第一導体３０Ａの一方の端部３０ａを覆うようにも形成されており、第一電極２０Ａは、第一導体３０Ａと直接接続されている。４つの端子電極２０Ａ～２０Ｄの一つである第二電極２０Ｂ（端面電極）は、素体１０の端面１０ｂ側に配置されている。第二電極２０Ｂは、端面１０ｂと、端面１０ｂに近接する部分の側面１０ｃ、１０ｄおよび主面１０ｅ、１０ｆとを一体的に覆うように形成されている。第二電極２０Ｂは、素体１０の端面１０ｂに露出した第二導体３０Ｂの一方の端部３０ａを覆うようにも形成されており、第二電極２０Ｂは、第二導体３０Ｂと直接接続されている。

【0038】

第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂは、より詳しくは、端面１０ａ、１０ｂを覆う第１部分２３と、素体１０の側面１０ｃ、１０ｄに回り込んで側面１０ｃ、１０ｄにおける端面１０ａ、１０ｂ側の縁を覆う第２部分２４と、素体１０の主面１０ｅ、１０ｆに回り込んで主面１０ｅ、１０ｆにおける端面１０ａ、１０ｂ側の縁を覆う第３部分２５とを含んで構成されている。本実施形態では、第２部分２４は側面１０ｃ、１０ｄにおける端面１０ａ、１０ｂ側の全縁を覆っており、第３部分２５は主面１０ｅ、１０ｆにおける端面１０ａ、１０ｂ側の全縁を覆っている。素体１０の側面１０ｃ、１０ｄに設けられた第２部分２４は、その幅が、素体１０の積層方向における中間位置において最大幅ｗ３となり、かつ、側面１０ｃ、１０ｄと主面１０ｅ、１０ｆとの稜線１２ｉ～１２ｌにおいて最小幅ｗ４となり、素体１０の積層方向における中間位置から稜線１２ｉ～１２ｌに向けてその側縁がＤ字状に湾曲するように漸次幅狭となっている。第２部分２４および第３部分２５の形状は、たとえば、Ｄ字状、半円状、半楕円状であってもよい。第２部分２４は、側面１０ｃ、１０ｄにおける積層方向に関する中間位置を基準に線対称（上下対称）の形状を呈する。そのため、側面１０ｃ、１０ｄと主面１０ｅとの稜線１２ｉ、１２ｋにおける幅ｗ４と、側面１０ｃ、１０ｄと主面１０ｆとの稜線１２ｊ、１２ｌにおける幅ｗ４とは同じである。素体１０の稜線１２ｉ～１２ｌ付近に位置し、かつ、第三電極２０Ｃ、２０Ｄと対向する第２部分２４の隅はいずれも鈍角となっている。主面１０ｅに設けられた第３部分２５と主面１０ｆに設けられた第３部分２５とは、同一形状であってもよく、異なる形状であってもよい。

【0039】

ここで、図８に示すように、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第１部分２１と第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂの第２部分２４との距離は、素体１０の側面１０ｃ、１０ｄにおける積層方向に関する中間位置において、最小距離であるｄ１となっている。また、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第１部分２１と第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂの第２部分２４との距離は、素体１０の側面１０ｃ、１０ｄと主面１０ｅ、１０ｆとの稜線１２ｉ～１２ｌにおいて、最大距離であるｄ２となっている。素体１０の稜線１２ｉ～１２ｌにおける距離ｄ２は、側面１０ｃ、１０ｄにおける積層方向に関する中間位置における距離ｄ１より長い。第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第１部分２１と第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂの第２部分２４との距離は、側面１０ｃ、１０ｄにおける積層方向に関する中間位置から稜線１２ｉ～１２ｌへ向かうに従い、漸次長くなっている。

【0040】

第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂは、第３部分２５の突出長さＤ２が第２部分２４の突出長さＤ１より長くなっている。第２部分２４の突出長さＤ１は、図８に示すように、主面１０ｅ、１０ｆと側面１０ｃ、１０ｄとで画成される稜線１２ｉ～１２ｌ上における第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂの先端位置Ｐ同士を側面１０ｃ、１０ｄ上において結ぶ仮想線Ｌ１を基準とした長さ（すなわち仮想線Ｌ１からの離間距離）の最大値である。第一電極２０Ａの突出長さＤ１と第二電極２０Ｂの突出長さＤ１とは、同じであってもよく異なっていてもよい。第３部分２５の突出長さＤ２は、図９に示すように、主面１０ｅ、１０ｆと側面１０ｃ、１０ｄとで画成される稜線１２ｉ～１２ｌ上における第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂの先端位置Ｐ同士を主面１０ｅ、１０ｆ上において結ぶ仮想線Ｌ２を基準とした長さ（すなわち仮想線Ｌ２からの離間距離）の最大値である。第一電極２０Ａの突出長さＤ２と第二電極２０Ｂの突出長さＤ２とは、同じであってもよく異なっていてもよい。本実施形態に係る仮想線Ｌ１、Ｌ２は、いずれも端面１０ａ、１０ｂに対して平行に延在しているが、端面１０ａ、１０ｂに対して所定角度だけ傾いている態様であってもよい。

【0041】

第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂは、たとえば焼付電極であり、導電性ペーストを素体１０の表面に付与して焼き付けることにより形成される。導電性ペーストには、金属（たとえば、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｇ－Ｐｄ合金など）からなる粉末に、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を混合したものが用いられている。このような焼付電極上に、めっき層を形成することもできる。めっき層は、Ｎｉめっき層と、当該Ｎｉめっき層上に形成されたＳｎめっき層とを含んでいてもよい。第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂは、単層構造であっても複数層構造であってもよい。

【0042】

第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂの形成時に、導電性ペーストを素体１０の表面に付与する際、第２部分２４が形成される側面１０ｃ、１０ｄを導電性ペーストに対する親和性が低い表面状態（疎水性表面）にしておくことで、側面１０ｃ、１０ｄにおける導電性ペーストの濡れ性が低下し、第２部分２４の突出長さＤ１を短くすることができる。疎水性表面は、たとえば素体表面に樹脂を付与することで実現することができ、一例として、樹脂フィルムを素体表面に接触させることで実現することができる。本実施形態においては、第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂとなるべき導電性ペーストを素体１０の表面に付与する際に、側面１０ｃ、１０ｄのみに選択的に樹脂を付与することで、側面１０ｃ、１０ｄが疎水性表面となり、かつ、端面１０ａ、１０ｂおよび主面１０ｅ、１０ｆが導電性ペーストに対する親和性が相対的に高い表面状態（親水性表面）となる。このとき、導電性ペーストの濡れ性により、主面１０ｅ、１０ｆに直交する断面における第３部分２５の先端の角度は、側面１０ｃ、１０ｄに直交する断面における第２部分２４の先端の角度より狭くなる。

【0043】

第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第１部分２１の突出長さＤ３は、第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂの第２部分２４の突出長さＤ１より長くなっている。第１部分２１の突出長さＤ３は、図８に示すように、側面１０ｃ、１０ｄと主面１０ｅ、１０ｆとで画成される稜線１２ｉ～１２ｌ上における第三電極２０Ｃｈｉｃ、２０Ｄの端部位置Ｑ同士を側面１０ｃ、１０ｄ上において結ぶ仮想線Ｌ３を基準とした長さ（すなわち仮想線Ｌ３からの離間距離）の最大値である。第一電極２０Ａ側の突出長さＤ３と第二電極２０Ｂ側の突出長さＤ３とは、同じであってもよく異なっていてもよい。側面１０ｃに設けられた第三電極２０Ｃの突出長さＤ３と、側面１０ｄに設けられた第三電極２０Ｄの突出長さＤ３とは、同じであってもよく異なっていてもよい。第三電極２０Ｃ、２０Ｄの突出長さＤ３を同じにすることで、高い寸法精度を実現することができ、また、第三電極２０Ｃ、２０Ｄ間の特性ばらつきが抑えられる。第三電極２０Ｃ、２０Ｄの一方の突出長さＤ３を他方の突出長さＤ３より長くした場合、突出長さＤ３を長くしたほうの第三電極２０Ｃ、２０Ｄが設けられた側面１０ｃ、１０ｄを実装面として実装して、実装性を高めることができる。端子電極２０Ａ～２０Ｄの形成時に、導電性ペーストを素体１０の表面に付与する際、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第１部分２１が形成される領域の側面１０ｃ、１０ｄを部分的に親水性表面としつつ、第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂの第２部分２４が形成される領域の側面１０ｃ、１０ｄを部分的に疎水性表面にしておくことで、第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂとなる導電性ペーストの側面１０ｃ、１０ｄにおける濡れ性が低下し、第２部分２４の突出長さＤ１を相対的に短く（逆に、第１部分２１の突出長さＤ３を相対的に長く）することができる。このとき、導電性ペーストの濡れ性により、側面１０ｃ、１０ｄに直交する断面における第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第１部分２１の先端の角度は、側面１０ｃ、１０ｄに直交する断面における第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂの第２部分２４の先端の角度より狭くなる。

【0044】

第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第２部分２２の突出長さＤ４は、第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂの第３部分２５の突出長さＤ２より長くなっている。第２部分２２の突出長さＤ４は、図９に示すように、側面１０ｃ、１０ｄと主面１０ｅ、１０ｆとで画成される稜線１２ｉ～１２ｌを基準とした第２部分２２の主面１０ｅ、１０ｆにおける突出長さの最大値である。第三電極２０Ｃの突出長さＤ４と第三電極２０Ｄの突出長さＤ４とは、同じであってもよく異なっていてもよい。第三電極２０Ｃ、２０Ｄの形成時に、導電性ペーストを素体１０の表面に付与する際、主面１０ｅ、１０ｆを導電性ペーストに対する親和性が比較的高い表面状態（疎水性表面）としておくことで、主面１０ｅ、１０ｆにおける導電性ペーストの十分な濡れ性を確保し、第２部分２２の突出長さＤ４を長くすることができる。このとき、導電性ペーストの濡れ性により、主面１０ｅ、１０ｆに直交する断面における第２部分２２の先端の角度は、側面１０ｃ、１０ｄに直交する断面における第２部分２４の先端の角度より狭くなる。

【0045】

上述したとおり、チップバリスタ１においては、第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂの第２部分２４の突出長さＤ１が、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第１部分２１の突出長さＤ３より短くなっている。第２部分２４の突出長さＤ１が相対的に短くなっていることで側面１０ｃ、１０ｄにおける第一電極２０Ａと第二電極２０Ｂとの間の距離が確保され、それによりショート等の抑制が図られている。一方、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第１部分２１の突出長さＤ３を相対的に長くすることで、第１部分２１が幅広となり、第三電極２０Ｃ、２０Ｄが設けられた側面１０ｃ、１０ｄにおいて露出する第三導体３０Ｃの各端部３１のカバー性が高まり、第三導体３０Ｃと第三電極２０Ｃ、２０Ｄとの接続性の向上が図られている。

【0046】

チップバリスタ１においては、第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂの第３部分２５の突出長さＤ２が第２部分２４の突出長さＤ１より長くなっている。実装面を構成する主面１０ｆに位置する第３部分２５の突出長さＤ２が相対的に長いことで、たとえばチップバリスタ１をはんだ実装する際に実装面におけるはんだの形成領域が広くなり、実装性が高められる。たとえば、十分な量のはんだを第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂに付与することができ、それにより接合強度が向上する。一方、実装面を構成しない側面１０ｃ、１０ｄに位置する第２部分２４の突出長さＤ１が相対的に短いことで、第一電極２０Ａと第二電極２０Ｂとの間の距離が確保され、それにより第一電極２０Ａと第二電極２０Ｂとの間におけるショート等の抑制が図られている。

【0047】

また、チップバリスタ１においては、その駆動時に、端子電極２０Ａ～２０Ｄ間における角部同士で電界集中が生じ得る。ただし、チップバリスタ１では、側面１０ｃ、１０ｄにおいて第三電極２０Ｃ、２０Ｄと第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂとの距離が長くなるように設計されており、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第１部分２１と第一電極２０Ａおよび第二電極２０Ｂの第１部分２３との距離が素体１０の稜線１２ｉ～１２ｌにおいて最大距離ｄ２となっているため、素体１０の稜線付近に位置する第三電極２０Ｃ、２０Ｄの角部と第一電極２０Ａのおよび第二電極２０Ｂの角部との間における電界集中が抑制されている。それにより、電界集中に起因する各端子電極２０Ａ～２０Ｃの劣化が抑制されている。

【0048】

さらに、端子電極２０Ａ～２０Ｄは、素体１０の側面１０ｃ、１０ｄの稜線１２ｉ～１２ｌにおいて幅狭（すなわち、最小幅ｗ２、ｗ４）となり、その隅が鈍角となっているため、端子電極２０Ａ～２０Ｄそれぞれにおいて角部の電界集中が抑制されている。

【0049】

また、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの幅Ｗ３は、第三導体３０Ｃの端部３１の幅Ｗ１より広くなるように設計されている（Ｗ３＞Ｗ１）。また、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの幅Ｗ３は、第三導体３０Ｃの本体部３２の幅Ｗ２より広くなるように設計されている（Ｗ３＞Ｗ２）。第三電極２０Ｃ、２０Ｄの幅Ｗ３は一例として０．５ｍｍである。本実施形態において、第三電極２０Ｃの幅Ｗ３と第三電極２０Ｄの幅Ｗ３とは同一である。第三電極２０Ｃの幅Ｗ３と第三電極２０Ｄの幅Ｗ３とは異なっていてもよい。

【0050】

チップバリスタ１においては、第三導体３０Ｃの機能部３４の幅Ｗ２を拡げることで、ＥＳＤ耐量が高められる。第三導体３０Ｃの端部３１の幅Ｗ１は、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの幅Ｗ３より短く（Ｗ３＞Ｗ１）、かつ、第三導体３０Ｃの機能部３４の幅Ｗ２より短い（Ｗ２＞Ｗ１）。そのため、たとえば第三電極２０Ｃ、２０Ｄを形成する際、端面１０ａ、１０ｂの対向方向に関する第三電極２０Ｃ、２０Ｄと第三導体３０Ｃとの相対位置ズレがある場合でも、第三導体３０Ｃの一部が第三電極２０Ｃ、２０Ｄに覆われない事態が生じにくい。すなわち、第三導体３０Ｃと第三電極２０Ｃ、２０Ｄとの相対位置ズレが生じても、第三導体３０Ｃと第三電極２０Ｃ、２０Ｄとの接続領域の大きさが変わらず、良好な接続を実現することができる。

【0051】

もし、第三導体３０Ｃの端部３１の幅Ｗ１が第三電極２０Ｃ、２０Ｄの幅Ｗ３以上である場合（Ｗ３≦Ｗ１）、端面１０ａ、１０ｂの対向方向に関する第三電極２０Ｃ、２０Ｄと第三導体３０Ｃとの相対位置ズレがあると、第三導体３０Ｃの一部が第三電極２０Ｃ、２０Ｄに覆われず、第三導体３０Ｃの端部３１が第三電極２０Ｃ、２０Ｄから露出する事態が生じ得る。第三導体３０Ｃの端部３１が第三電極２０Ｃ、２０Ｄから露出した場合、製品不良となり得る。または、第三導体３０Ｃと第三電極２０Ｃ、２０Ｄとの接続領域の大きさが製品ごとに変わって、製品ごとの特性ズレが生じ得る。

【0052】

また、チップバリスタ１では、図５に示すとおり、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの幅Ｗ３が、第三導体３０Ｃの本体部３２の幅Ｗ２より広い（Ｗ３＞Ｗ２）。このように、第三電極２０Ｃ、２０Ｄを幅広とすることで、上述の相対位置ズレが大きい場合であっても、第三導体３０Ｃと第三電極２０Ｃ、２０Ｄとの良好な接続を実現することができる。

【0053】

また、上述したチップバリスタ１においては、第三導体３０Ｃが拡幅部３３を有するため、端部３１と本体部３２との幅が異なる場合であっても、端部３１と本体部３２との境界における応力集中が抑制され、クラック等の欠陥が生じる事態が抑制される。

【0054】

さらに、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第２部分２２が、素体１０の積層方向から見て、第三導体３０Ｃの拡幅部３３の少なくとも一部と重なる程度まで素体１０の稜線１２ｉ～１２ｌから長く延びているため、素体１０内（たとえば第三導体３０Ｃ）において発生した熱を、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの第２部分２２から外部に効率よく放出することができる。素体１０内において発生した熱は、素体１０内部を通って第２部分２２に直接的に伝わる場合や、第１部分２１を介して第２部分２２に間接的に伝わる場合が考えられる。

【0055】

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。たとえば、電子部品は、素体の内部にバリスタ構造が形成されたチップバリスタに限らず、素体の内部にキャパシタ構造が形成されたキャパシタ等であってもよい。また、第三電極の数は１つであってもよく、この場合、第三電極は一対の側面のいずれか一方に設けられ得る。さらに、第三電極は、側面と一対の主面の両方とを一体的に覆う態様であってもよく、側面と一対の主面のいずれか一方とを一体的に覆う態様であってもよい。

【0056】

上述の記載から把握されるとおり、本明細書は下記を開示している。
［付記１］
互いに平行であるとともに一方が実装面を構成する一対の主面と、該主面に対して交差する方向に延びるとともに互いに平行な一対の端面と、前記主面および前記端面に対して交差する方向に延びるとともに互いに平行な一対の側面とを有する素体と、
前記素体内に設けられ、前記側面において露出する端部を有するとともに該端部が前記側面において前記主面と平行に延びる側面露出電極と、
前記一対の端面にそれぞれ設けられ、前記端面と前記端面に近接する部分の前記側面および前記主面とを一体的に覆い、前記端面を覆う第１部分と前記側面を覆う第２部分と前記主面を覆う第３部分とをそれぞれ有する一対の端面電極と、
前記側面に設けられ、前記側面と前記側面に近接する部分の前記主面とを一体的に覆い、前記側面を覆って該側面に露出した前記側面露出電極の端部と接続される第１部分と前記主面を覆う第２部分とを有する側面電極と
を備え、
前記素体の前記主面と前記側面とで画成される稜線上における前記端面電極の先端位置同士を結ぶ仮想線を基準とした前記端面電極の前記第２部分の突出長さが、前記稜線上における前記側面電極の端部位置同士を結ぶ仮想線を基準とした前記側面電極の前記第１部分の突出長さより短い、電子部品。
［付記２］
前記側面に直交する断面における前記側面電極の先端の角度が、前記側面に直交する断面における前記端面電極の前記第２部分の先端の角度より狭い、付記１に記載の電子部品。
［付記３］
前記素体の前記主面と前記側面とで画成される稜線を基準とした前記側面電極の前記主面を覆う部分の突出長さが、前記稜線上における前記側面電極の端部位置同士を結ぶ仮想線を基準とした前記側面電極の突出長さより長い、付記１または２に記載の電子部品。
［付記４］
前記素体の前記主面と前記側面とで画成される稜線上における前記端面電極の先端位置同士を結ぶ仮想線を基準とした前記第３部分の突出長さが、該稜線を基準とした前記側面電極の前記主面を覆う部分の突出長さより長い、付記１～３のいずれか一つに記載の電子部品。
［付記５］
付記１～４のいずれか一つに記載された電子部品であって、前記素体の内部にバリスタ構造が形成されている、チップバリスタ。

【符号の説明】

【0057】

１…チップバリスタ、１０…素体、１０ａ、１０ｂ…端面、１０ｃ、１０ｄ…側面、１０ｅ、１０ｆ…主面、２０Ａ…第一電極、２０Ｂ…第二電極、２０Ｃ、２０Ｄ…第三電極。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】