特開 2024-101505 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024101505

(43)【公開日】2024-07-29

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   H10K 50/816 20230101AFI20240722BHJP

   H10K 59/122 20230101ALI20240722BHJP

   H10K 50/818 20230101ALI20240722BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240722BHJP

   H10K 102/10 20230101ALN20240722BHJP

【ＦＩ】

H10K50/816

H10K59/122

H10K50/818

G09F9/30 365

H10K102:10

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023021707

(22)【出願日】2023-02-15

(31)【優先権主張番号】P 2023005111

(32)【優先日】2023-01-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】青木 逸

(72)【発明者】

【氏名】新田 淳

(72)【発明者】

【氏名】望月 真里奈

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC31

3K107CC45

3K107DD03

3K107DD23

3K107DD24

3K107DD46X

3K107DD89

3K107DD95

3K107EE07

3K107FF15

5C094AA02

5C094BA27

5C094DA13

5C094EA05

5C094EA06

5C094FB15

(57)【要約】

【課題】 表示品質が向上した表示装置を提供する。
【解決手段】 表示装置は、少なくとも第１画素及び第２画素を含む複数の画素と、隣り合う前記画素の間に設けられる、バンクと、を備え、前記複数の画素それぞれは、基材上に、反射電電極及び透明電極を含む陽極と、前記陽極上に設けられる、有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層の側面を覆って設けられる、保護層と、前記保護層及び前記バンクの開口部に設けられ、前記有機ＥＬ層に接して設けられる、陰極と、を備え、前記第１画素の第１陽極は、第１反射電極及び第１透明電極を有し、前記第２画素の第２陽極は、第２反射電極及び第２透明電極を有し、前記第１反射電極の端部及び前記第１透明電極の端部は一致し、前記第２透明電極は、前記第２反射電極を覆う。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

少なくとも第１画素及び第２画素を含む複数の画素と、
隣り合う前記画素の間に設けられる、バンクと、
を備え、
前記複数の画素それぞれは、
基材上に、
反射電電極及び透明電極を含む陽極と、
前記陽極上に設けられる、有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層の側面を覆って設けられる、保護層と、
前記保護層及び前記バンクの開口部に設けられ、前記有機ＥＬ層に接して設けられる、陰極と、
を備え、
前記第１画素の第１陽極は、第１反射電極及び第１透明電極を有し、
前記第２画素の第２陽極は、第２反射電極及び第２透明電極を有し、
前記第１反射電極の端部及び前記第１透明電極の端部は一致し、
前記第２透明電極は、前記第２反射電極を覆う、表示装置。

【請求項2】

前記第１透明電極及び前記第２透明電極は、インジウム錫酸化物又はインジウム亜鉛酸化物を含む、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記保護層は、酸化アルミニウムで形成される、請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第２陽極の幅は、前記第１陽極の幅より長い、請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

前記複数の画素は、さらに第３画素を含み、
前記第３画素の第３陽極は、第３反射電極及び第３透明電極を有し、
前記第３透明電極は、前記第３反射電極を覆う、請求項１に記載の表示装置。

【請求項6】

前記第３陽極の幅は、前記第１陽極の幅より長い、請求項５に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子との再結合時のエネルギーを利用して、発光を得る有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示装置が開発されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－１１０８３号公報

【特許文献2】国際公開第２０２２／１４４６６６号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本実施形態の目的は、表示品質が向上した表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

一実施形態に係る表示装置は、
少なくとも第１画素及び第２画素を含む複数の画素と、
隣り合う前記画素の間に設けられる、バンクと、
を備え、
前記複数の画素それぞれは、
基材上に、
反射電電極及び透明電極を含む陽極と、
前記陽極上に設けられる、有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層の側面を覆って設けられる、保護層と、
前記保護層及び前記バンクの開口部に設けられ、前記有機ＥＬ層に接して設けられる、陰極と、
を備え、
前記第１画素の第１陽極は、第１反射電極及び第１透明電極を有し、
前記第２画素の第２陽極は、第２反射電極及び第２透明電極を有し、
前記第１反射電極の端部及び前記第１透明電極の端部は一致し、
前記第２透明電極は、前記第２反射電極を覆う。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】図１は、実施形態の表示装置の全体斜視図である。

【図2】図２は、表示装置の概略的な構成の一例を示す部分平面図である。

【図3】図３は、図２に示す表示装置の線Ａ１－Ａ２に沿った断面図である。

【図4】図４は、実施形態の概略的な構成の一例を示す断面図である。

【図5】図５は、図４の示す画素の平面図である。

【図6】図６は、実施形態の概略的な構成の一例を示す断面図である。

【図7】図７は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図8】図８は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図9】図９は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図10】図１０は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図11】図１１は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図12】図１２は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図13】図１３は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図14】図１４は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図15】図１５は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図16】図１６は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図17】図１７は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図18】図１８は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図19】図１９は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図20】図２０は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図21】図２１は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図22】図２２は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図23】図２３は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図24】図２４は、比較例の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図25】図２５は、比較例の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図26】図２６は、比較例の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図27】図２７は、実施形態における表示装置の他の構成例を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0008】

本明細書で述べる実施形態は、一般的なものでなく、本発明の同一又は対応する特別な技術的特徴について説明する実施形態である。以下、図面を参照しながら一実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。

【0009】

本実施形態においては、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第３方向Ｚの矢印の先端に向かう方向を上又は上方と定義し、第３方向Ｚの矢印の先端に向かう方向とは反対側の方向を下又は下方と定義する。なお第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚを、それぞれ、Ｘ方向、Ｙ方向、及び、Ｚ方向と呼ぶこともある。

【0010】

また、「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。一方、「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は第１部材に接している。

【0011】

また、第３方向Ｚの矢印の先端側に表示装置を観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。第１方向Ｘ及び第３方向Ｚによって規定されるＸ－Ｚ平面、あるいは第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ－Ｚ平面における表示装置の断面を見ることを断面視という。

【0012】

［実施形態］
図１は、実施形態の表示装置の全体斜視図である。表示装置ＤＳＰは、基板ＳＵＢ１に表示領域ＤＡ及び表示領域ＤＡの周辺に設けられた周辺領域ＦＡが設けられている。表示装置ＤＳＰは、表示領域ＤＡ内に配置された、複数の画素ＰＸを有している。表示装置ＤＳＰでは、裏面からの光ＬＴが表面に透過し、逆もまた然りである。

【0013】

表示領域ＤＡの上面には封止材としての基板ＳＵＢ２が設けられている。基板ＳＵＢ２は表示領域ＤＡを囲むシール材（非表示）によって、基板ＳＵＢ１に固定されている。基板ＳＵＢ１に形成された表示領域ＤＡは、封止材である基板ＳＵＢ２とシール材によって大気に晒されないように封止されている。

【0014】

基板ＳＵＢ１の端部の領域ＥＡは、基板ＳＵＢ２の外側に配置されている。領域ＥＡには、配線基板ＰＣＳが設けられている。配線基板ＰＣＳには、映像信号や駆動信号を出力する駆動素子ＤＲＶが設けられている。駆動素子ＤＲＶからの信号は、配線基板ＰＣＳを介して、表示領域ＤＡの画素ＰＸに入力される。映像信号及び各種制御信号に基づいて、画素ＰＸが発光する。

【0015】

図２は、表示装置の概略的な構成の一例を示す部分平面図である。複数の画素ＰＸは、赤色を発光する画素ＰＸＲ、緑色を発光する画素ＰＸＧ、青色を発光する画素ＰＸＢを有している。画素ＰＸＲ、画素ＰＸＧ、画素ＰＸＢを、それぞれ、第１画素、第２画素、第３画素ともいう。画素ＰＸＲは、画素ＰＸＢと、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿って隣り合って配置される。画素ＰＸＧは、画素ＰＸＢと、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿って隣り合って配置される。画素ＰＸＢは、画素ＰＸＲと第１方向に沿って隣り合って配置され、画素ＰＸＧと第２方向Ｙに沿って隣り合って配置されている。

【0016】

図３は、図２に示す表示装置の線Ａ１－Ａ２に沿った断面図である。
基材ＢＡ１は、例えばガラスや、樹脂材料で構成される樹脂材料で構成される基材が挙げられる。樹脂材料としては、例えばアクリル、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等を用いればよく、いずれかの単層又は複数層の積層で形成してもよい。

【0017】

基材ＢＡ１上には、絶縁層ＵＣ１が設けられている。絶縁層ＵＣ１は、例えば酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜を単層又は積層して形成される。

【0018】

絶縁層ＵＣ１上に、トランジスタＴｒと重畳して、遮光層ＢＭが設けられてもよい。遮光層ＢＭは、トランジスタＴｒのチャネル裏面からの光の侵入等によるトランジスタ特性の変化を抑制する。遮光層ＢＭが導電層で形成される場合は、所定の電位を与えることで、トランジスタＴｒにバックゲート効果を与えることも可能である。

【0019】

絶縁層ＵＣ１及び遮光層ＢＭを覆って、絶縁層ＵＣ２が設けられている。絶縁層ＵＣ２の材料としては、絶縁層ＵＣ１と同様の材料を用いることができる。絶縁層ＵＣ２は、絶縁層ＵＣ１と異なる材料であってもよい。例えば、絶縁層ＵＣ１は酸化シリコン、絶縁層ＵＣ２は窒化シリコンを用いることができる。絶縁層ＵＣ１及びＵＣ２を併せて、絶縁層ＵＣとする。

【0020】

絶縁層ＵＣ上に、トランジスタＴｒが設けられる。トランジスタＴｒは、半導体層ＳＣ、絶縁層ＧＩ、ゲート電極ＧＥ（走査線）、絶縁層ＩＬＩ、ソース電極ＳＥ（信号線）、ドレイン電極ＤＥを有している。

【0021】

半導体層ＳＣとして、アモルファスシリコン、ポリシリコン、又は酸化物半導体を用いる。
絶縁層ＧＩとして、例えば、酸化シリコン又は窒化シリコンを単層又は積層して設ける。

【0022】

ゲート電極ＧＥとして、例えば、モリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）を用いる。ゲート電極ＧＥは、走査線ＧＬと一体形成されていてもよい。

【0023】

半導体層ＳＣ及びゲート電極ＧＥを覆って、絶縁層ＩＬＩが設けられている。絶縁層ＩＬＩは、例えば酸化シリコン層又は窒化シリコン層を単層又は積層して形成される。

【0024】

絶縁層ＩＬＩ上には、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが設けられている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、それぞれ、絶縁層ＩＬＩ及び絶縁層ＧＩに設けられたコンタクトホールを介して、半導体層ＳＣのソース領域及びドレイン領域に接続される。ソース電極ＳＥは、信号線と一体形成されていてもよい。

【0025】

ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及び絶縁層ＩＬＩを覆って、絶縁層ＰＡＳが設けられる。絶縁層ＰＡＳを覆って、絶縁層ＰＬＬが設けられる。

【0026】

絶縁層ＰＡＳは、無機絶縁材料を用いて形成する。無機絶縁材料は、例えば酸化シリコン又は窒化シリコンを単層又は積層してものが挙げられる。絶縁層ＰＬＬは、有機絶縁材料を用いて形成する。有機絶縁材料は、例えば、感光性アクリル、ポリイミド等の有機材料が挙げられる。絶縁層ＰＬＬを設けることにより、トランジスタＴｒによる段差を平坦化することができる。

【0027】

絶縁層ＰＬＬ上に、陽極ＡＤが設けられる。陽極ＡＤは、絶縁層ＰＡＳ及びＰＬＬに設けられたコンタクトホールを介して、ドレイン電極ＤＥに接続されている。画素ＰＸＲに設けられる陽極を陽極ＡＤＲ、画素ＰＸＢに設けられる陽極を陽極ＡＤＢ、画素ＰＸＧに設けられる陽極を陽極ＡＤＧとする。陽極ＡＤＲ、陽極ＡＤＧ、陽極ＡＤＢを区別する必要がない場合は、単に陽極ＡＤと呼ぶ。

【0028】

陽極ＡＤの構成及び材料の詳細は、後述する。
本実施形態では、基材ＢＡ１から絶縁層ＰＬＬまでの構成を、バックプレインＢＰＳとする。

【0029】

隣り合う陽極ＡＤとの間に、バンクＢＫ（凸部、リブともいう）が設けられる。バンクＢＫの材料として、絶縁層ＰＬＬの材料と同様の有機材料が用いられる。バンクＢＫは、陽極ＡＤの一部を露出するように開口される。

【0030】

画素ＰＸＲに設けられる開口部を、開口部ＯＰＲ、画素ＰＸＢに設けられる開口部を、開口部ＯＰＢ、画素ＰＸＧに設けられる開口部を、開口部ＯＰＧ、とする。開口部ＯＰＲ、開口部ＯＰＢ、開口部ＯＰＧを区別する必要がない場合は、単に開口部ＯＰと呼ぶ。

【0031】

開口部ＯＰの端部は、断面視でなだらかなテーパ形状となることが好ましい。開口部ＯＰの端部が急峻な形状となっていると、後に形成される有機ＥＬ層ＥＬＹにカバレッジ不良が生じる。

【0032】

陽極ＡＤと重畳して、隣り合うバンクＢＫとの間に、有機ＥＬ層ＥＬＹが設けられている。詳細は後述するが、有機ＥＬ層ＥＬＹは、正孔注入層ＨＩＬと、正孔輸送層ＨＴＬと、発光層ＥＭＬと、電子輸送層ＥＴＹと、電子注入層ＥＩＬと、を含んでいる。有機ＥＬ層ＥＬＹは、必要であれば、電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層、をさらに含んでいてもよい。

【0033】

画素ＰＸＲに設けられる有機ＥＬ層を、有機ＥＬ層ＥＬＹＲ、画素ＰＸＢに設けられる有機ＥＬ層を、有機ＥＬ層ＥＬＹＢ、画素ＰＸＧに設けられる有機ＥＬ層を、有機ＥＬ層ＥＬＹＧとする。有機ＥＬ層ＥＬＹＲ、有機ＥＬ層ＥＬＹＧ、有機ＥＬ層ＥＬＹＢを区別する必要がない場合は、単に有機ＥＬ層ＥＬＹと呼ぶ。

【0034】

有機ＥＬ層ＥＬＹ上に、陰極ＣＤが設けられている。陰極ＣＤは、例えば、マグネシウム－銀合金（ＭｇＡｇ）膜や、銀（Ａｇ）の単層膜や、銀（Ａｇ）と透明導電材料の積層膜等を用いて形成する。当該透明導電材料は、例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）や、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ ＺＩｎｃ Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）等を用いればよい。

【0035】

陰極ＣＤを覆って、絶縁層ＳＥＹが設けられる。絶縁層ＳＥＹは、外部から水分が有機ＥＬ層ＥＬＹに侵入することを防止する機能を有している。絶縁層ＳＥＹとしてはガスバリア性の高いものが好適である。絶縁層ＳＥＹとして、例えば、有機絶縁層を、窒素を含む無機絶縁層２層で挟持した絶縁層が挙げられる。当該有機絶縁層の材料としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。当該窒素を含む無機絶縁層の材料としては、例えば、窒化シリコン、窒化アルミニウムが挙げられる。

【0036】

絶縁層ＳＥＹ上に、基材ＢＡ２が設けられている。基材ＢＡ２は、基材ＢＡ１と同様の材料で形成されている。基材ＢＡ２及び絶縁層ＳＥＹとの間に、透光性を有する無機絶縁層や有機絶縁層が設けられていてもよい。有機絶縁層が絶縁層ＳＥＹと基材ＢＡ２を接着する機能を有していてもよい。

【0037】

有機ＥＬ層ＥＬＹで生じた発光は、陰極ＣＤを介して、上方に取り出される。すなわち、本実施形態の表示装置ＤＳＰは、トップエミッション構造を有している。

【0038】

図４は、実施形態の概略的な構成の一例を示す断面図である。図４に示す表示装置ＤＳＰでは、有機ＥＬ層ＥＬＹの近傍の構成のみを示ししている。図４では、バックプレインＢＰＳ上に、陽極ＡＤ（陽極ＡＤＲ、陽極ＡＤＧ、陽極ＡＤＢ）が設けられている。

【0039】

陽極ＡＤは、反射電極ＲＤ及び透明電極ＴＤを有している。反射電極ＲＤ及び透明電極ＴＤは、第３方向Ｚに沿って、この順に積層されている。

【0040】

反射電極ＲＤは、反射率の高い導電材料、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）を用いて形成されている。透明電極ＴＤは、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を用いて形成されている。

【0041】

陽極ＡＤＲは、反射電極ＲＤＲ及び透明電極ＴＤＲを有している。反射電極ＲＤＲは、端部ＥＲＲ１及び端部ＥＲＲ２を有している。端部ＥＲＲ１及び端部ＥＲＲ２は、互いに対向している。透明電極ＴＤＲは、端部ＥＴＲ１及び端部ＥＴＲ２を有している。端部ＥＴＲ１及び端部ＥＴＲ２は、互いに対向している。

【0042】

反射電極ＲＥＲの端部ＥＲＲ１及び透明電極ＴＤＲの端部ＥＴＲ１は、第３方向Ｚに沿って一致している。反射電極ＲＥＲの端部ＥＲＲ２及び透明電極ＴＤＲの端部ＥＴＲ２は、第３方向Ｚに沿って一致している。

【0043】

陽極ＡＤＧは、反射電極ＲＤＧ及び透明電極ＴＤＧを有している。反射電極ＲＤＧは、端部ＥＲＧ１及び端部ＥＲＧ２を有している。端部ＥＲＧ１及び端部ＥＲＧ２は、互いに対向している。透明電極ＴＤＧは、平坦部ＦＴＧ、側壁ＳＴＧ１、及び側壁ＳＴＧ２を有している。側壁ＳＴＧ１及び側壁ＳＴＧ２は、平坦部ＦＴＧから第３方向Ｚと逆方向に延伸している。

【0044】

透明電極ＴＤＧの側壁ＳＴＧ１は、反射電極ＲＤＧの端部ＥＲＧ１を覆っている。透明電極ＴＤＧの側壁ＳＴＧ２は、反射電極ＲＤＧの端部ＥＲＧ２を覆っている。透明電極ＴＤＧの端部ＥＴＧ１と反射電極ＲＤＧの端部ＥＲＧ１は、一致しない。透明電極ＴＤＧの端部ＥＴＧ２と反射電極ＲＤＧの端部ＥＲＧ２は、一致しない。

【0045】

陽極ＡＤＢは、反射電極ＲＤＢ及び透明電極ＴＤＢを有している。反射電極ＲＤＢは、端部ＥＲＢ１及び端部ＥＲＢ２を有している。端部ＥＲＢ１及び端部ＥＲＢ２は、互いに対向している。透明電極ＴＤＢは、平坦部ＦＴＢ、側壁ＳＴＢ１、及び側壁ＳＴＢ２を有している。側壁ＳＴＢ１及び側壁ＳＴＢ２は、平坦部ＦＴＢから第３方向Ｚと逆方向に延伸している。

【0046】

透明電極ＴＤＢの側壁ＳＴＢ１は、反射電極ＲＤＢの端部ＥＲＢ１を覆っている。透明電極ＴＤＢの側壁ＳＴＢ２は、反射電極ＲＤＢの端部ＥＲＢ２を覆っている。透明電極ＴＤＢの端部ＥＴＢ１と反射電極ＲＤＧの端部ＥＲＧ１は、一致しない。透明電極ＴＤＧの端部ＥＴＢ２と反射電極ＲＤＧの端部ＥＲＧ２は、一致しない。

【0047】

陽極ＡＤ上には、有機ＥＬ層ＥＬＹが設けられている。陽極ＡＤＲ上には、有機ＥＬ層ＥＬＹＲが設けられている。陽極ＡＤＢ上には、有機ＥＬ層ＥＬＹＢが設けられている。陽極ＡＤＧ上には、有機ＥＬ層ＥＬＹＧが設けられている。

【0048】

陽極ＡＤＲ、陽極ＡＤＧ、陽極ＡＤＢ、有機ＥＬ層ＥＬＹＲ、有機ＥＬ層ＥＬＹＧ、及び有機ＥＬ層ＥＬＹＢそれぞれの側面を覆って、保護層ＡＯＬが設けられている。保護層ＡＯＬは、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）で形成されている。

【0049】

保護層ＡＯＬ上に、また、隣り合う有機ＥＬ層ＥＬＹ間に、バンクＢＫが設けられている。隣り合うバンクＢＫの間には、開口部ＯＰ（開口部ＯＰＲ、開口部ＯＰＢ、開口部ＯＰＧ）が設けられる。図４には示さないが、バンクＢＫ、有機ＥＬ層ＥＬＹ、保護層ＡＯＬを覆って、陰極ＣＤが設けられる。

【0050】

図５は、図４の示す画素の平面図である。画素ＰＸＲにおいて、有機ＥＬ層ＥＬＹＲと、反射電極ＲＤＲと、透明電極ＴＤＲと、のみを示している。画素ＰＸＧにおいて、有機ＥＬ層ＥＬＹＧと、反射電極ＲＤＧと、透明電極ＴＤＧと、のみを示している。画素ＰＸＢにおいて、有機ＥＬ層ＥＬＹＢと、反射電極ＲＤＢと、透明電極ＴＤＢと、のみを示している。

【0051】

第１方向Ｘに沿った、有機ＥＬ層ＥＬＹＲの長さ（幅）を長さＤｅｒ、反射電極ＲＤＲの長さ（幅）を長さＤｒｒ、透明電極ＴＤＲの長さ（幅）を長さＤｔｒとする。第１方向Ｘに沿った、有機ＥＬ層ＥＬＹＧの長さ（幅）を長さＤｅｇ、反射電極ＲＤＧの長さ（幅）を長さＤｒｇ、透明電極ＴＤＧの長さ（幅）を長さＤｔｇとする。第１方向Ｘに沿った、有機ＥＬ層ＥＬＹＢの長さ（幅）を長さＤｅｂ、反射電極ＲＤＢの長さ（幅）を長さＤｒｂ、透明電極ＴＤＢの長さ（幅）を長さＤｔｂとする。

【0052】

例えば、長さＤｅｒ、長さＤｅｇ、及び長さＤｅｂは等しい（Ｄｅｒ＝Ｄｅｇ＝Ｄｅｂ）。長さＤｒｒ及び長さＤｔｒは等しい（Ｄｒｒ＝Ｄｔｒ）。長さＤｒｒ及び長さＤｔｒは、長さＤｅｒより長い（Ｄｒｒ＝Ｄｔｒ＞Ｄｅｒ）。

【0053】

長さＤｔｇは、長さＤｒｇより長く、長さＤｒｇは、長さＤｅｇより長い（Ｄｔｇ＞Ｄｒｇ＞Ｄｅｇ）。長さＤｔｂは、長さＤｒｂより長く、長さＤｒｂは、長さＤｅｂより長い（Ｄｔｂ＞Ｄｒｂ＞Ｄｅｂ）。

【0054】

長さＤＲｒ、長さＤｒｇ及び長さＤｒｂは、同じであってもよいし、違っていてもよい。長さＤｔｇ及び長さＤｔｂは、同じであってもよいし、違っていてもよい。

【0055】

長さＤｔｇ及び長さＤｔｂは、長さＤｔｒより長い（Ｄｒｇ，Ｄｒｂ＞Ｄｒｒ）。上述の通り、透明電極ＴＤＧ及び透明電極ＴＤＢが、反射電極ＲＤＧ及び反射電極ＲＤＢを覆っているのに対し、反射電極ＲＤＲ及び透明電極ＴＤＲの端部は、一致しているからである。

【0056】

図６は、実施形態の概略的な構成の一例を示す断面図である。図６は、図４の部分拡大図である。図６に示すように、陽極ＡＤ及び陰極ＣＤの間には、第３方向Ｚに沿って、有機ＥＬ層ＥＬＹが設けられている。有機ＥＬ層ＥＬＹは、第３方向Ｚに沿って積層された、正孔注入層ＨＩＬと、正孔輸送層ＨＴＬと、発光層ＥＭＬと、電子輸送層ＥＴＬと、電子注入層ＥＩＬと、を含んでいる。

【0057】

なお本実施形態の表示装置ＤＳＰでは、陽極ＡＤ、有機ＥＬ層ＥＬＹ、陰極ＣＤの順に、第３方向Ｚに沿って積層されている。有機ＥＬ層ＥＬＹは、第３方向Ｚに沿って、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬが積層されている。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態の表示装置ＤＳＰでは、陰極ＣＤ、有機ＥＬ層ＥＬＹ、陽極ＡＤの順に、積層されていてもよい。また、有機ＥＬ層ＥＬＹは、電子注入層ＥＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ、発光層ＥＭＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、正孔注入層ＨＩＬの順で積層されていてもよい。

【0058】

図６には図示しないが、陰極ＣＤ上に、光取り出し層と、封止層と、が設けられていてもよい。例えば、図３に示す絶縁層ＳＥＹが、封止層として機能する。

【0059】

図７乃至図２３は、実施形態の表示装置の製造方法を示す断面図である。図７乃至図２３では、画素ＰＸＲ、画素ＰＸＧ、及び画素ＰＸＢのうちの１つである第１画素を、画素ＰＸ１とし、別の１つである第２画素を、画素ＰＸ２とする。図７乃至図２３では、第１画素（画素ＰＸ１）、第２画素（画素ＰＸ２）の順番で形成される。図示しないが、画素ＰＸＲ、画素ＰＸＧ、及び画素ＰＸＢのうちの他の１つである第３画素（画素ＰＸ３とする）は、第１画素及び第２画素と同様に形成される。

【0060】

まず、基材ＢＡ１に、陽極ＡＤ１及び陽極ＡＤ２が形成される（図７参照）。陽極ＡＤ１は、画素ＰＸ１の陽極であり、陽極ＡＤ２は、画素ＰＸ２の陽極である。陽極ＡＤ１は、反射電極ＲＤ１及び透明電極ＴＤ１を有している。陽極ＡＤ２は、反射電極ＲＤ２及び透明電極ＴＤ２を有している。

【0061】

基材ＢＡ１、陽極ＡＤ１、及び陽極ＡＤ２を覆って、有機ＥＬ層ＥＬＭ１、犠牲層ＡＯＭ１，犠牲層ＭＷＭ１を形成する（図８参照）。有機ＥＬ層ＥＬＭ１は、画素ＰＸ１に対応する有機ＥＬ層である。ただし、有機ＥＬ層ＥＬＭ１は、図６に示す、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び電子注入層ＥＩＬのうち、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、及び電子輸送層ＥＴＬを含んでいるものとする。

【0062】

犠牲層ＡＯＭ１は、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）で形成されている。酸化アルミニウムは、原子堆積法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＡＬＤ）により成膜すればよい。

【0063】

犠牲層ＭＷＭ１は、例えば、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）で形成されている。モリブデンタングステンは、スパッタ法により成膜すればよい。

【0064】

陽極ＡＤ１に対向し、犠牲層ＭＷＭ１上に、レジストマスクＲＥＳ１を形成する（図９参照）。陽極ＡＤ２上には、レジストマスクは形成されない。レジストマスクＲＥＳ１の第１方向Ｘに沿う長さを、陽極ＡＤ１の長さより短くする。陽極ＡＤ及びレジストマスクＲＥＳ１の貼り合わせを考慮すると、後に形成される有機ＥＬ層ＥＬＹ１の第１方向Ｘに沿う長さを、陽極ＡＤ１（反射電極ＲＤ１及び透明電極ＴＤ１）の長さより短くすることが好ましい。

【0065】

レジストマスクＲＥＳ１を用い、犠牲層ＭＷＭ１を、エッチングにより、部分的に除去する。これにより、陽極ＡＤ１に対向し、犠牲層ＡＯＭ１を挟んで、島状に犠牲層ＭＷＹ１が形成される（図１０参照）。

【0066】

島状に形成された犠牲層ＭＷＹ１をマスクとして、犠牲層ＡＯＭ１及び有機ＥＬ層ＥＬＭ１を、エッチングにより、部分的に除去する。これにより、陽極ＡＤ１及び犠牲層ＭＷＹ１の間に、有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び犠牲層の上層ＡＯＵ１が、島状に形成される（図１１参照）。陽極ＡＤ２上の犠牲層ＡＯＭ１及び有機ＥＬ層ＥＬＭ１は、除去される。

【0067】

陽極ＡＤ１、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、上層ＡＯＵ１、犠牲層ＭＷＹ１の側面に接して、側壁ＡＯＳ１を形成する。側壁ＡＯＳ１は、犠牲層ＡＯＭ１と同じ材料で形成されている。上層ＡＯＵ１及び側壁ＡＯＳ１を併せて、犠牲層ＡＯＹ１とする（図１２参照）。

【0068】

側壁ＡＯＳ１を形成するには、まず、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、上層ＡＯＵ１、及び犠牲層ＭＷＹ１の積層体を覆って、側壁ＡＯＳ１となる材料膜を形成する。その後、当該材料膜を異方性エッチングして、当該積層体の側面接する領域のみを残し、その他の領域を除去する。

【0069】

異方性エッチングの際、陽極ＡＤ２の透明電極ＴＤ２が、エッチングされてしまう恐れがある。側壁ＡＯＳ１となる材料膜も透明電極ＴＤ２も、金属酸化物を含む材料で形成されている。このような金属酸化物をエッチングする際に、選択比が取れないエッチングガスを使用する必要がある場合がある。選択比が取れないエッチングガスを使用すると、上述のように、透明電極ＴＤ２がエッチングされ、透明電極ＴＤ２が消滅、または、透明電極ＴＤ２の膜厚が薄くなる恐れが生じる。

【0070】

そこで、反射電極ＲＤ２を覆って、再度、透明電極ＴＤ２を形成する（図１３参照）。再度形成された透明電極ＴＤ２は、反射電極ＲＤ２の側面を覆っている。反射電極ＲＤ２及び透明電極ＴＤ２は、陽極ＡＤ２を構成する。透明電極ＴＤ２の第１方向Ｘに沿う長さは、反射電極ＲＤ１の第１方向Ｘに沿う長さより長い（図４及び図５参照）。

【0071】

図１３の工程で形成される透明電極ＴＤ２の材料は、図７で示される透明電極ＴＤ２の材料と異なっていてもよい。例えば、図７に示す透明電極ＴＤ２をインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）で形成し、図１３で示す透明電極ＴＤ２をインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）で形成してもよい。インジウム錫酸化物は、焼成工程が必要であるが、有機ＥＬ層ＥＬＹ１は当該焼成の温度で影響を受ける恐れがある。そのため、図１３で示す透明電極ＴＤ２は、焼成の必要がないインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）が好適である。つまり、陽極ＡＤ２は、反射電極ＲＤ及びインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）で形成される透明電極ＴＤ２であってもよい。また図７に示す透明電極ＴＤ２のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が、異方性エッチングで膜厚が薄くなるが残存した場合では、図１３に示す透明電極ＴＤ２は、当該膜厚の薄いインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）及び新たに形成したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）の積層であってもよい。

【0072】

基材ＢＡ１、犠牲層ＡＯＹ１、犠牲層ＭＷＹ１、及び陽極ＡＤ２を覆って、有機ＥＬ層ＥＬＭ２、犠牲層ＡＯＭ２、及び犠牲層ＭＷＭ２が形成される（図１４参照）。有機ＥＬ層ＥＬＭ２は、画素ＰＸ２に対応する有機ＥＬ層である。ただし、有機ＥＬ層ＥＬＭ２は、有機ＥＬ層ＥＬＭ１と同様に、図６に示す、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び電子注入層ＥＩＬのうち、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、及び電子輸送層ＥＴＬを含んでいるものとする。

【0073】

陽極ＡＤ２に対向し、犠牲層ＭＷＭ２上に、レジストマスクＲＥＳ２を形成する。レジストマスクＲＥＳ２を用い、犠牲層ＭＷＭ２を、エッチングにより、部分的に除去する。これにより、陽極ＡＤ２に対向し、犠牲層ＡＯＭ２を挟んで、島状に犠牲層ＭＷＹ２が形成される（図１５参照）。

【0074】

レジストマスクＲＥＳ２の第１方向Ｘに沿う長さを、陽極ＡＤ２、特に反射電極ＲＤ２の長さより短くする。これにより、後に形成される有機ＥＬ層ＥＬＹ２の第１方向Ｘに沿う長さを、陽極ＡＤ２（反射電極ＲＤ２及び透明電極ＴＤ２）の長さより短くすることができる。
次いで、レジストマスクＲＥＳ２を除去する（図１６参照）。

【0075】

島状に形成された犠牲層ＭＷＹ２をマスクとして、犠牲層ＡＯＭ２及び有機ＥＬ層ＥＬＭ２を、エッチングにより、部分的に除去する。これにより、陰極ＣＤ２及び犠牲層ＭＷＹ２の間に、有機ＥＬ層ＥＬＹ２及び犠牲層の上層ＡＯＵ２が、島状に形成される（図１７参照）。

【0076】

陽極ＡＤ２、有機ＥＬ層ＥＬＹ２、上層ＡＯＵ２、犠牲層ＭＷＹ２の側面に接して、側壁ＡＯＳ２を形成する。側壁ＡＯＳ２は、犠牲層ＡＯＭ２と同じ材料で形成されている。上層ＡＯＵ２及び側壁ＡＯＳ２を併せて、犠牲層ＡＯＹ２とする（図１８参照）。

【0077】

犠牲層ＭＷＹ１及び犠牲層ＭＷＹ２を除去する（図１９参照）。このとき、犠牲層ＡＯＹ１の上層ＡＯＵ１及び犠牲層ＡＯＹ２の上層ＡＯＵ２が平坦化される。

【0078】

犠牲層ＡＯＹ１の上層ＡＯＵ１及び側壁ＡＯＳ１、並びに、犠牲層ＡＯＹ２の上層ＡＯＵ２及び側壁ＡＯＳ２を覆って、これら犠牲層と同じ材料、すなわち、犠牲層ＡＯＭ１及び犠牲層ＡＯＭ２と同じ材料で、犠牲層を形成する。これにより、上層ＡＯＵ１、側壁ＡＯＳ１、上層ＡＯＵ２、側壁ＡＯＳ２、及び新たに形成された犠牲層は一体化し、犠牲層ＡＯＴが形成される（図２０参照）。

【0079】

これにより、上層ＡＯＵ１の厚さｔｕ１及び上層ＡＯＵ２の厚さｔｕ２は、側壁ＡＯＳ１の厚さｔｓ１及び側壁ＡＯＳ２の厚さｔｓ２より厚くなる。犠牲層ＡＯＴのうち、基材ＢＡ１に接する領域を、領域ＡＯＢとする。領域ＡＯＢの厚さｔｂは、厚さｔｓ１及び厚さｔｓ２と同じ厚さであればよい。

【0080】

犠牲層ＡＯＴに接して、有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２の間に、バンクＢＫを形成する。有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２それぞれの上方には、バンクＢＫが形成されていない。すなわち、有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２の上方には、それぞれ、開口部ＯＰ１及び開口部ＯＰ２が設けられている（図２１参照）。

【0081】

開口部ＯＰ１及び開口部ＯＰ２中の犠牲層ＡＯＴを除去する。これにより、バンクＢＫ及び犠牲層ＡＯＴに設けられた、開口部ＯＰ１及び開口部ＯＰ２内で、有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２が露出する（図２２参照）。

【0082】

露出した有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２、並びに、バンクＢＫを覆って、陰極ＣＤ、絶縁層ＩＮＳ、絶縁層ＰＣＬを形成する。絶縁層ＰＣＬ上には、基材ＢＡ２を設ける。なお図示しないが、陰極ＣＤに接して、電子注入層ＥＩＬが形成されてもよい。

【0083】

開口部ＯＰ１及び開口部ＯＰ２において、それぞれ、有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２上に、陰極ＣＤが設けられている。以上により、実施形態の表示装置ＤＳＰが形成される（図２３参照）。

【0084】

絶縁層ＩＮＳは、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）により形成する。絶縁層ＩＮＳは、外部から水分が有機ＥＬ層に侵入するのを防ぐ。絶縁層ＰＣＬは、例えば、樹脂絶縁材料により形成する。絶縁層ＰＣＬは、表面を平坦化する機能を有する。基材ＢＡ２は、基材ＢＡ１と同様の材料を用いればよい。

【0085】

第３画素である画素ＰＸ３の陽極及び有機ＥＬ層を形成するには、図１８に示す工程終了後に、図１４と同様に、画素ＰＸ３の陽極を覆って、有機ＥＬ層及び犠牲層２層を形成すればよい。図１８と同様に、画素ＰＸ３の犠牲層の側壁形成後に、図１９に示す工程に進めばよい。

【0086】

犠牲層ＡＯＴ（犠牲層ＡＯＹ１、犠牲層ＡＯＹ２、側壁ＡＯＳ１、側壁ＡＯＳ２、及び領域ＡＯＢ）は、図４に示す保護層ＡＯＬに相当する。酸化アルミニウムによって形成される保護層ＡＯＬ（犠牲層ＡＯＴ）が有機ＥＬ層の側面を覆うことにより、当該有機ＥＬ層を保護することができる。

【0087】

図２４乃至図２６は、比較例の表示装置の製造方法を示す断面図である。比較例の表示装置ＤＳＰｒを製造するには、まず、基材ＢＡ１上に、陽極ＡＤ１及び陽極ＡＤ２を形成する（図２４参照）。比較例における陽極ＡＤ１及び陽極ＡＤ２は、金属酸化物で形成される透明電極であるとする。このような金属酸化物としては、上述のインジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物が挙げられる。図２４に示す工程は、図７に示す工程に対応している。

【0088】

図８乃至図１０に示す工程を経て、陽極ＡＤ１上に、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、犠牲層の上層ＡＯＵ１、犠牲層ＭＷＹ１が形成される。陽極ＡＤ２上には、犠牲層が除去されている（図２５参照）。図２５に示す工程は、図１１に示す工程に対応している。

【0089】

次いで、図１２と同様に、陽極ＡＤ１、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、上層ＡＯＵ１、犠牲層ＭＷＹ１の側面に接して、側壁ＡＯＳ１を形成する（図２５参照）。上述と同様に、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、上層ＡＯＵ１、犠牲層ＭＷＹ１の積層体を覆って、側壁ＡＯＳ１となる材料膜を形成する。その後、当該材料膜を異方性エッチングして、当該積層体の側面接する領域のみを残し、その他の領域を除去することにより、側壁ＡＯＳ１が形成される。

【0090】

側壁ＡＯＳ１の材料は、犠牲層ＡＯＭ１と同じ材料であり、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）である。一方、陽極ＡＤ１及び陽極ＡＤ２は、例えば、上述のように、金属酸化物で形成される。

【0091】

すなわち、側壁ＡＯＳ１、並びに、陽極ＡＤ１及び陽極ＡＤ２は、金属酸化物を含む材料で形成されている。このような金属酸化物をエッチングする際に、選択比が取れないエッチングガスを使用する必要がある場合がある。

【0092】

この場合、側壁ＡＯＳ１を形成するためのエッチングで、陽極ＡＤ２が一緒に除去される恐れがある（図２６参照）。陽極が除去されてしまうと、その画素は正常に発光しない。このような表示装置では、表示品質が低下してしまう。

【0093】

本実施形態の表示装置ＤＳＰでは、陽極は、反射電極及び透明電極で形成されている。最初に形成される第１の画素ＰＸ１では、反射電極ＲＤ１及び透明電極ＴＤ１の端部は一致している。次に形成される第２の画素ＰＸ２では、透明電極ＴＤ２は反射電極ＲＤ２を覆っている。図７乃至図２３には示していないが、第３の画素以降の画素は、第２の画素ＰＸ２と同様に形成される。本実施形態の表示装置ＤＳＰは、図７乃至図２３に示す製造工程において、陽極を消失させることなく、製造することができる。よって、画素が正常に発光しないということが起こらず、表示装置ＤＳＰの表示品質が低下することを防ぐことが可能である。

【0094】

＜構成例１＞
図２７は、実施形態における表示装置の他の構成例を示す平面図である。図２７に示した構成例では、図２に示した構成例と比較して、青色を発光する画素の大きさが、赤色及び緑色を発光する画素の大きさより大きい、という点で異なっている。

【0095】

図２７において、画素ＰＸＲは、第１方向Ｘに沿って、画素ＰＸＢと隣り合って配置されている。画素ＰＸＲは、第２方向Ｙに沿って、画素ＰＸＧと隣り合って配置されている。

【0096】

画素ＰＸＧは、第１方向Ｘに沿って、画素ＰＸＢと隣り合って配置されている。画素ＰＸＧは、第２方向Ｙに沿って、画素ＰＸＲと隣り合って配置されている。

【0097】

画素ＰＸＢは、第１方向Ｘに沿って、画素ＰＸＲ及び画素ＰＸＧと隣り合って配置されている。画素ＰＸＢは、第２方向Ｙに沿って、別の画素ＰＸＢと隣り合って配置されている。

【0098】

画素ＰＸＲは、反射電極ＲＤＲ、透明電極ＴＤＲ、及び有機ＥＬ層ＥＬＹＲを有している。反射電極ＲＤＲ及び透明電極ＴＤＲは、陽極ＡＤＲを構成している。

【0099】

画素ＰＸＧは、反射電極ＲＤＧ、透明電極ＴＤＧ、及び有機ＥＬ層ＥＬＹＧを有している。反射電極ＲＤＧ及び透明電極ＴＤＧは、陽極ＡＤＧを構成している。

【0100】

画素ＰＸＢは、反射電極ＲＤＢ、透明電極ＴＤＢ、及び有機ＥＬ層ＥＬＹＢを有している。反射電極ＲＤＢ及び透明電極ＴＤＢは、陽極ＡＤＢを構成している。

【0101】

図２７に示す画素ＰＸＲ及び画素ＰＸＢの構成要素の大きさは、図５と同様である。画素ＰＸＢの構成要素それぞれにおいて、第１方向Ｘに沿う長さは、図５と同様である。一方、画素ＰＸＢの有機ＥＬ層ＥＬＹＢ並びに陽極ＡＤＢ（反射電極ＴＤＢ及び透明電極ＴＤＢ）において、第２方向Ｙに沿うそれぞれの長さは、画素ＰＸＲ及び画素ＰＸＧの対応する構成要素の長さより長い。

【0102】

画素ＰＸＲの有機ＥＬ層ＥＬＹＲ、反射電極ＲＤＲ、及び透明電極ＴＤＲの第２方向に沿う長さを、それぞれ、長さＨｅｒ、長さＨｒｒ、及び長さＨｔｒとする。画素ＰＸＧの有機ＥＬ層ＥＬＹＧ、反射電極ＲＤＧ、及び透明電極ＴＤＧの第２方向に沿う長さを、それぞれ、長さＨｅｇ、長さＨｒｇ、及び長さＨｔｇとする。画素ＰＸＢの有機ＥＬ層ＥＬＹＢ、反射電極ＲＤＢ、及び透明電極ＴＤＢの第２方向に沿う長さを、それぞれ、長さＨｅｂ、長さＨｒｂ、及び長さＨｔｂとする。

【0103】

有機ＥＬ層ＥＬＹＲの長さＨｅｒ及び有機ＥＬ層ＥＬＹＧの長さＨｅｇは、同じであればよい（Ｈｅｒ＝Ｈｅｇ）。有機ＥＬ層ＥＬＹＢの長さＨｅｂは、長さＨｅｒ及び長さＨｅｇより長い（Ｈｅｂ＞Ｈｅｒ、Ｈｅｇ）。

【0104】

画素ＰＸＲの反射電極ＲＤＲの長さＨｒｒ及び透明電極ＴＤＲの長さＨｔｒは、同じである（Ｈｒｒ＝Ｈｔｒ）。画素ＰＸＲの反射電極ＲＤＲの長さＨｒｒ、画素電極ＰＸＧの反射電極ＲＤＧの長さＨｒｇ、画素ＰＸＢの反射電極ＲＤＢの長さＨｒｂは、この順に長い（Ｈｒｒ＜Ｈｒｇ＜Ｈｒｂ）。

【0105】

画素ＰＸＲの透明電極ＴＤＲの長さＨｔｒ、画素電極ＰＸＧの透明電極ＴＤＧの長さＨｔｇ、画素ＰＸＢの透明電極ＴＤＢの長さＨｔｂは、この順に長い（Ｈｔｒ＜Ｈｔｇ＜Ｈｔｂ）。
本構成例においても、実施形態と同様の効果を奏する。

【0106】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0107】

ＡＤ…陽極、ＡＯＬ…保護層、ＡＯＹ１…犠牲層、ＣＤ…陰極、ＤＳＰ…表示装置、ＥＬＹ…有機ＥＬ層、ＰＸ…画素、ＲＤ…反射電極、ＴＤ…透明電極。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】