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特開2024-101546ジシアノメチリデン化合物、その製造法、電気光学用組成物、電気光学膜及び電気光学素子
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024101546
(43)【公開日】2024-07-29
(54)【発明の名称】ジシアノメチリデン化合物、その製造法、電気光学用組成物、電気光学膜及び電気光学素子
(51)【国際特許分類】
C07D 333/24 20060101AFI20240722BHJP
【ＦＩ】
C07D333/24 CSP
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023217540
(22)【出願日】2023-12-25
(31)【優先権主張番号】P 2023005424
(32)【優先日】2023-01-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000173762
【氏名又は名称】公益財団法人相模中央化学研究所
(72)【発明者】
【氏名】山縣 拓也
(57)【要約】 （修正有）
【課題】耐熱性の高い電気光学化合物として有用な化合物及びその製造方法、また、前記化合物を含む電気光学材料及び電気光学素子を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示されるジシアノメチリデン化合物である。
具体的には、例えば下記反応式の反応生成物が示される。
【選択図】なし
【解決手段】下記一般式（１）で示されるジシアノメチリデン化合物である。
具体的には、例えば下記反応式の反応生成物が示される。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
式（１）で表されるジシアノメチリデン化合物：
式（１）中、
Ａｒは炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又は炭素数３～１８のヘテロ芳香族基を表し、前記芳香族炭化水素基及び前記ヘテロ芳香族基は、各々独立に、重水素原子、炭素数１～８のアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１０の芳香族炭化水素基、炭素数２～６のアルケニル基、炭素数１～８のハロアルキル基、炭素数７～１２のアラルキル基、炭素数６～１０のアリールオキシ基及び炭素数７～１２のアラルキルオキシ基からなる群から選択される置換基で一つ以上置換されていてもよく、前記置換基はＡｒ分子内で隣接する２つの炭素原子と一体となって、五員環又は六員環を形成してもよい；
Ｒ１は水素原子、重水素原子、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１２のアリールオキシ基、炭素数７～１２のアラルキルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルカルボニルオキシ基、炭素数３～６のアルキニルオキシ基又はヒドロキシ基を表し、前記アルコキシ基、前記アリールオキシ基及び前記アラルキルオキシ基は、メタクリル基、ヒドロキシ基、エポキシ基及びブロモ基からなる群から選択される置換基で一つ以上置換されていてもよい；
Ｒ２は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、炭素数１～８のアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１２のアリールオキシ基、炭素数７～１２のアラルキルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基、炭素数３～６のアルケニルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルカルボニルオキシ基、炭素数３～６のアルキニルオキシ基又はヒドロキシ基を表し、ここで、２つのＲ２はフェニル基内の隣接する２つの炭素原子と一体となって、五員環又は六員環を形成してもよい；
Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素原子、重水素原子、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のハロアルキル基、炭素数１～１２のヒドロキシアルキル基、炭素数３～８のアシルオキシアルキル基、炭素数４～１３のトリアルキルシリルオキシアルキル基、炭素数１～１２のアミノアルキル基又は炭素数６～１８の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ３及びＲ４は結合する窒素原子と一体となって複素環を形成してもよく、前記Ｒ２及びＲ３又は前記Ｒ２及びＲ４は結合する炭素原子と一体となって、五～六員環を形成してもよい；
Ｒ５は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～４のアルキル基又は炭素数１～４のハロアルキル基を表す；
Ｒ６は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を表す；
ｋ及びｍは、各々独立に、１～３の整数を表す；
ｎは、０～２の整数を表す；
ｑは、１～３の整数を表す；
ｒは、０～２の整数を表す：
【化1】
Ａｒは炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又は炭素数３～１８のヘテロ芳香族基を表し、前記芳香族炭化水素基及び前記ヘテロ芳香族基は、各々独立に、重水素原子、炭素数１～８のアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１０の芳香族炭化水素基、炭素数２～６のアルケニル基、炭素数１～８のハロアルキル基、炭素数７～１２のアラルキル基、炭素数６～１０のアリールオキシ基及び炭素数７～１２のアラルキルオキシ基からなる群から選択される置換基で一つ以上置換されていてもよく、前記置換基はＡｒ分子内で隣接する２つの炭素原子と一体となって、五員環又は六員環を形成してもよい；
Ｒ１は水素原子、重水素原子、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１２のアリールオキシ基、炭素数７～１２のアラルキルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルカルボニルオキシ基、炭素数３～６のアルキニルオキシ基又はヒドロキシ基を表し、前記アルコキシ基、前記アリールオキシ基及び前記アラルキルオキシ基は、メタクリル基、ヒドロキシ基、エポキシ基及びブロモ基からなる群から選択される置換基で一つ以上置換されていてもよい；
Ｒ２は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、炭素数１～８のアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１２のアリールオキシ基、炭素数７～１２のアラルキルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基、炭素数３～６のアルケニルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルカルボニルオキシ基、炭素数３～６のアルキニルオキシ基又はヒドロキシ基を表し、ここで、２つのＲ２はフェニル基内の隣接する２つの炭素原子と一体となって、五員環又は六員環を形成してもよい；
Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素原子、重水素原子、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のハロアルキル基、炭素数１～１２のヒドロキシアルキル基、炭素数３～８のアシルオキシアルキル基、炭素数４～１３のトリアルキルシリルオキシアルキル基、炭素数１～１２のアミノアルキル基又は炭素数６～１８の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ３及びＲ４は結合する窒素原子と一体となって複素環を形成してもよく、前記Ｒ２及びＲ３又は前記Ｒ２及びＲ４は結合する炭素原子と一体となって、五～六員環を形成してもよい；
Ｒ５は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～４のアルキル基又は炭素数１～４のハロアルキル基を表す；
Ｒ６は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を表す；
ｋ及びｍは、各々独立に、１～３の整数を表す；
ｎは、０～２の整数を表す；
ｑは、１～３の整数を表す；
ｒは、０～２の整数を表す：
【請求項2】
Ａｒが、炭素数６～１２の芳香族炭化水素基又は炭素数３～１２のヘテロ芳香族基であり、前記芳香族炭化水素基及び前記ヘテロ芳香族基は、各々独立に、炭素数１～６のアルキル基及び炭素数１～６のアルコキシ基からなる群から選択される置換基で１つ以上置換されていてもよく、前記置換基はＡｒ分子内で隣接する２つの炭素原子と一体となって環を形成してもよい、請求項１に記載のジシアノメチリデン化合物。
【請求項3】
Ｒ１が、水素原子、炭素数１～６のアルコキシ基、ベンジルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基又はヒドロキシ基であり；
Ｒ２が、同一又は相異なって、水素原子、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ベンジルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基又はヒドロキシ基である、請求項１に記載のジシアノメチリデン化合物。
Ｒ２が、同一又は相異なって、水素原子、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ベンジルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基又はヒドロキシ基である、請求項１に記載のジシアノメチリデン化合物。
【請求項4】
Ｒ３及びＲ４が、各々独立に、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のハロアルキル基又は炭素数１～１２のヒドロキシアルキル基である、請求項１に記載のジシアノメチリデン化合物。
【請求項5】
Ｒ５が、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１～４のハロアルキル基であり；
Ｒ６が、同一又は相異なっていてもよく、水素原子又はハロゲン原子である、請求項１に記載のジシアノメチリデン化合物。
Ｒ６が、同一又は相異なっていてもよく、水素原子又はハロゲン原子である、請求項１に記載のジシアノメチリデン化合物。
【請求項6】
ｋ及びｍが、１であり；
ｎが、１であり；
ｑが、１であり；
ｒが、０である、請求項１に記載のジシアノメチリデン化合物。
ｎが、１であり；
ｑが、１であり；
ｒが、０である、請求項１に記載のジシアノメチリデン化合物。
【請求項7】
式（１）で示されるジシアノメチリデン化合物が下式（１－１）、（１－１０）、（１－６５）又は（１－７３）で表される、請求項１に記載のジシアノメチリデン化合物。
【化2】
【請求項8】
請求項１～７のいずれか一項に記載のジシアノメチリデン化合物を含む、電気光学組成物。
【請求項9】
請求項１～７のいずれか一項に記載のジシアノメチリデン化合物と、前記化合物が分散されるホスト材料とを含有しており、前記ホスト材料は、前記ジシアノメチリデン化合物との間に共有結合を形成し得る反応性官能基を有する樹脂を含有し、前記化合物の少なくとも一部は、前記樹脂と結合している電気光学組成物。
【請求項10】
請求項１～７のいずれか一項に記載のジシアノメチリデン化合物によって形成される膜を有する電気光学素子。
【請求項11】
請求項１～７のいずれか一項に記載のジシアノメチリデン化合物によって形成される光導波路を有する電気光学素子。
【請求項12】
請求項１～７のいずれか一項に記載のジシアノメチリデン化合物を含む電気光学素子。
【請求項13】
請求項８に記載の電気光学組成物によって形成される膜を有する電気光学素子。
【請求項14】
請求項８に記載の電気光学組成物によって形成される光導波路を有する電気光学素子。
【請求項15】
請求項９に記載の電気光学組成物によって形成される膜を有する電気光学素子。
【請求項16】
請求項９に記載の電気光学組成物によって形成される光導波路を有する電気光学素子。
【請求項17】
一般式（２）で表されるアルキン化合物：
式（２）中、
Ａｒは炭素数６～１８の芳香族炭化水素基、又は炭素数３～１８のヘテロ芳香族基を表し、前記芳香族炭化水素基及び前記ヘテロ芳香族基は、各々独立に重水素原子、炭素数１～８のアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１０の芳香族炭化水素基、炭素数２～６のアルケニル基、炭素数１～８のハロアルキル基、炭素数７～１２のアラルキル基、炭素数６～１０のアリールオキシ基及び炭素数７～１２のアラルキルオキシ基からなる群から選択される置換基で１つ以上置換されていてもよく、前記置換基はＡｒ分子内で隣接する２つの炭素原子と一体となって、五員環又は六員環を形成してもよい；
Ｒ１は水素原子、重水素原子、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１２のアリールオキシ基、炭素数７～１２のアラルキルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルカルボニルオキシ基、炭素数３～６のアルキニルオキシ基又はヒドロキシ基を表し、前記アルコキシ基、前記アリールオキシ基及び前記アラルキルオキシ基は、メタクリル基、ヒドロキシ基、エポキシ基及びブロモ基からなる群から選択される置換基で一つ以上置換されていてもよい；
Ｒ２は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、炭素数１～８のアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１２のアリールオキシ基、炭素数７～１２のアラルキルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基、炭素数３～６のアルケニルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルカルボニルオキシ基、炭素数３～６のアルキニルオキシ基又はヒドロキシ基を表し、ここで、２つのＲ２はフェニル基内の隣接する２つの炭素原子と一体となって、五員環又は六員環を形成してもよい；
Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素原子、重水素原子、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のハロアルキル基、炭素数１～１２のヒドロキシアルキル基、炭素数３～８のアシルオキシアルキル基、炭素数４～１３のトリアルキルシリルオキシアルキル基、炭素数１～１２のアミノアルキル基又は炭素数６～１８の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ３及びＲ４は結合する窒素原子と一体となって複素環を形成してもよく、前記Ｒ２及びＲ３又は前記Ｒ２及びＲ４は結合する炭素原子と一体となって、五～六員環を形成してもよい；
Ｒ５は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～４のアルキル基又は炭素数１～４のハロアルキル基を表す；
ｋ及びｍは、各々独立に、１～３の整数を表す；
ｑは、１～３の整数を表す；
ｒは、０～２の整数を表す：
と、一般式（３）で表されるシアノオレフィン化合物：
式（３）中、
Ｒ６は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を表す；
ｎは、０～２の整数を表す：
と、を反応させることを特徴とする、一般式（１）
（式中、Ａｒ、Ｒ１～Ｒ６、ｋ、ｍ、ｎ、ｑ及びｒは、前記と同じ意味を表す。）で示されるジシアノメチリデン化合物の製造方法。
【化3】
Ａｒは炭素数６～１８の芳香族炭化水素基、又は炭素数３～１８のヘテロ芳香族基を表し、前記芳香族炭化水素基及び前記ヘテロ芳香族基は、各々独立に重水素原子、炭素数１～８のアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１０の芳香族炭化水素基、炭素数２～６のアルケニル基、炭素数１～８のハロアルキル基、炭素数７～１２のアラルキル基、炭素数６～１０のアリールオキシ基及び炭素数７～１２のアラルキルオキシ基からなる群から選択される置換基で１つ以上置換されていてもよく、前記置換基はＡｒ分子内で隣接する２つの炭素原子と一体となって、五員環又は六員環を形成してもよい；
Ｒ１は水素原子、重水素原子、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１２のアリールオキシ基、炭素数７～１２のアラルキルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルカルボニルオキシ基、炭素数３～６のアルキニルオキシ基又はヒドロキシ基を表し、前記アルコキシ基、前記アリールオキシ基及び前記アラルキルオキシ基は、メタクリル基、ヒドロキシ基、エポキシ基及びブロモ基からなる群から選択される置換基で一つ以上置換されていてもよい；
Ｒ２は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、炭素数１～８のアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１２のアリールオキシ基、炭素数７～１２のアラルキルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基、炭素数３～６のアルケニルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルカルボニルオキシ基、炭素数３～６のアルキニルオキシ基又はヒドロキシ基を表し、ここで、２つのＲ２はフェニル基内の隣接する２つの炭素原子と一体となって、五員環又は六員環を形成してもよい；
Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素原子、重水素原子、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のハロアルキル基、炭素数１～１２のヒドロキシアルキル基、炭素数３～８のアシルオキシアルキル基、炭素数４～１３のトリアルキルシリルオキシアルキル基、炭素数１～１２のアミノアルキル基又は炭素数６～１８の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ３及びＲ４は結合する窒素原子と一体となって複素環を形成してもよく、前記Ｒ２及びＲ３又は前記Ｒ２及びＲ４は結合する炭素原子と一体となって、五～六員環を形成してもよい；
Ｒ５は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～４のアルキル基又は炭素数１～４のハロアルキル基を表す；
ｋ及びｍは、各々独立に、１～３の整数を表す；
ｑは、１～３の整数を表す；
ｒは、０～２の整数を表す：
と、一般式（３）で表されるシアノオレフィン化合物：
【化4】
Ｒ６は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を表す；
ｎは、０～２の整数を表す：
と、を反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化5】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、耐熱性の高い電気光学化合物として有用なジシアノメチリデン化合物及びその製造方法に関するものである。また、前記化合物を含む電気光学材料及び電気光学素子に関するものである
【背景技術】
【0002】
光変調器、光スイッチ、光インターコネクト、光電子回路、波長変換、電界センサー、ＴＨｚ（テラヘルツ）波発生及び検出、光フェーズドアレイ等の光制御素子（光学素子）に適用できる電気光学（以下、「ＥＯ」と省略する場合がある。）材料として、従来、無機強誘電体電気光学材料が使用されている（例えば、特許文献１）。しかしながら、無機強誘電体電気光学材料は、高速性及び小型化・集積化の点において限界がある。そのため、次世代の超高速光通信を実現するために、高速動作が可能で、かつシリコンフォトニクスとハイブリッドが可能な材料が必要とされている。
【0003】
このような観点から、有機電気光学材料が注目されている。有機電気光学材料は、無機強誘電体電気光学材料に比べて大きな電気光学効果を示し、高速動作が可能であること、及びシリコンフォトニクスとのハイブリッドによって小型化・集積化が可能であることから、次世代の光通信を担う材料として期待されている。
【0004】
有機電気光学材料は、電気光学活性を有する化合物（以下に単に「電気光学化合物」という）を高分子材料等のホスト材料に分散又は結合させることによって得られる。
【0005】
電気光学化合物は、基本構造としてドナーとアクセプターとをπ共役ブリッジで連結した構造を有している。電気光学材料の電気光学係数を高めるためには、電子供与性の高いドナー及び電子吸引性の高いアクセプターを具え、長いπ共役ブリッジを有する電気光学化合物を選択するのが効果的なことが知られており、このような構造を有する電気光学化合物としては、種々の構造を有するものが報告されている（例えば、特許文献２～４、非特許文献１等）。
【0006】
また、電気光学材料によって光導波路が形成された電気光学素子を作製するに際しては、電気光学材料の２次のＥＯ活性を生じさせるためにＥＯ化合物に対して配向処理を施す場合がある。ＥＯ化合物の配向処理方法としては、一般に電界ポーリング法が用いられる。電界ポーリング法とは、ＥＯ材料に電界を印加し、ＥＯ化合物の双極子モーメントと印加電界とのクーロン力によって、ＥＯ化合物を印加電界方向に配向させる方法である。このような電界ポーリング法では、通常、ホスト材料のガラス転移温度付近の温度まで加熱し、ＥＯ化合物の分子運動を促進した状態で電界が印加される。したがって、優れたＥＯ性能を発揮するＥＯ素子を得るためには、ＥＯ化合物が優れたＥＯ特性を有することに加え、ＥＯ化合物が配向処理における加熱によって変質しない耐熱性を有することが要求される。
【0007】
さらに、電子回路の高速性の要求から電子回路間を光回路で接続することによる信号伝達の速度を向上させる取り組みが行われており、ＥＯ材料を用いたＥＯ素子を電気信号及び光信号の変換に用いることが検討されている。このとき、高速で動作する電子回路は高温となることから、非線形光学化合物の分子運動が盛んになり、配向が緩和してしまうおそれがある。そのため、ホスト材料としては、より高いガラス転移温度を有するものが要求され、それに伴いＥＯ化合物もより高い温度での耐熱性（熱安定性）が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特許７１３４３７８号公報
【特許文献2】特表２００４－５０１１５９号公報
【特許文献3】特許５９４５９０５号公報
【特許文献4】特開２０２２－９７４０７号公報
【非特許文献】
【0009】
【非特許文献1】Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００８年，１２０巻，６３７２－６３７７頁．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
従来のＥＯ化合物は耐熱性（熱安定性）が充分でなく、一定以上の高温条件で分解するため、素子化などの加工プロセス条件が限定されてしまうおそれがある。
【0011】
そこで、本発明は、耐熱性に優れる化合物を提供することを目的とする。また、本発明は、このような化合物を用いた電気光学膜、及び電気光学素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明者らは上記の課題に鑑み鋭意検討した結果、ドナー／π共役ブリッジ／アクセプター構造におけるアクセプター構造において、フェニルエチリデンマロノニトリル及び所定の構造を導入することで、耐熱性に優れるＥＯ化合物を与えることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0013】
即ち本発明は、
［１］
一般式（１）で表されるジシアノメチリデン化合物：
［１］
一般式（１）で表されるジシアノメチリデン化合物：
【0014】
【化1】
式（１）中、
Ａｒは炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又は炭素数３～１８のヘテロ芳香族基を表し、前記芳香族炭化水素基及び前記ヘテロ芳香族基は、各々独立に、重水素原子、炭素数１～８のアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１０の芳香族炭化水素基、炭素数２～６のアルケニル基、炭素数１～８のハロアルキル基、炭素数７～１２のアラルキル基、炭素数６～１０のアリールオキシ基及び炭素数７～１２のアラルキルオキシ基からなる群から選択される置換基で一つ以上置換されていてもよく、前記置換基はＡｒ分子内で隣接する２つの炭素原子と一体となって、五員環又は六員環を形成してもよい；
Ｒ１は水素原子、重水素原子、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１２のアリールオキシ基、炭素数７～１２のアラルキルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルカルボニルオキシ基、炭素数３～６のアルキニルオキシ基又はヒドロキシ基を表し、前記アルコキシ基、前記アリールオキシ基及び前記アラルキルオキシ基は、メタクリル基、ヒドロキシ基、エポキシ基及びブロモ基からなる群から選択される置換基で一つ以上置換されていてもよい；
Ｒ２は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、炭素数１～８のアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１２のアリールオキシ基、炭素数７～１２のアラルキルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基、炭素数３～６のアルケニルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルカルボニルオキシ基、炭素数３～６のアルキニルオキシ基又はヒドロキシ基を表し、ここで、２つのＲ２はフェニル基内の隣接する２つの炭素原子と一体となって、五員環又は六員環を形成してもよい；
Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素原子、重水素原子、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のハロアルキル基、炭素数１～１２のヒドロキシアルキル基、炭素数３～８のアシルオキシアルキル基、炭素数４～１３のトリアルキルシリルオキシアルキル基、炭素数１～１２のアミノアルキル基又は炭素数６～１８の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ３及びＲ４は結合する窒素原子と一体となって複素環を形成してもよく、前記Ｒ２及びＲ３又は前記Ｒ２及びＲ４は結合する炭素原子と一体となって、五～六員環を形成してもよい；
Ｒ５は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～４のアルキル基又は炭素数１～４のハロアルキル基を表す；
Ｒ６は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を表す；
ｋ及びｍは、各々独立に、１～３の整数を表す；
ｎは、０～２の整数を表す；
ｑは、１～３の整数を表す；
ｒは、０～２の整数を表す：
［２］
Ａｒが、炭素数６～１２の芳香族炭化水素基又は炭素数３～１２のヘテロ芳香族基であり、前記芳香族炭化水素基及び前記ヘテロ芳香族基は、各々独立に、炭素数１～６のアルキル基及び炭素数１～６のアルコキシ基からなる群から選択される置換基で１つ以上置換されていてもよく、前記置換基はＡｒ分子内で隣接する２つの炭素原子と一体となって環を形成してもよい、［１］に記載のジシアノメチリデン化合物。
［３］
Ｒ１が、水素原子、炭素数１～６のアルコキシ基、ベンジルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基又はヒドロキシ基であり；
Ｒ２が、同一又は相異なって、水素原子、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ベンジルオキシ基、シリルオキシ基又はヒドロキシ基である、［１］又は［２］に記載のジシアノメチリデン化合物。
［４］
Ｒ３及びＲ４が、各々独立に、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のハロアルキル基又は炭素数１～１２のヒドロキシアルキル基である、［１］～［３］のいずれか１項に記載のジシアノメチリデン化合物。
［５］
Ｒ５が、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１～４のハロアルキル基であり；
Ｒ６が、同一又は相異なっていてもよく、水素原子又はハロゲン原子である、［１］～［４］のいずれか１項に記載のジシアノメチリデン化合物。
［６］
ｋ及びｍが、１であり；
ｎが、１であり；
ｑが、１であり；
ｒが、０である、［１］～［５］のいずれか１項に記載のジシアノメチリデン化合物。
［７］
式（１）で示されるジシアノメチリデン化合物が下式（１－１）、（１－１０）、（１－６５）又は（１－７３）で表される、［１］～［６］のいずれか１項に記載のジシアノメチリデン化合物。
【0015】
【化2】
［１］～［７］のいずれか１項に記載のジシアノメチリデン化合物を含む、電気光学組成物。
［９］
［１］～［７］のいずれか１項に記載のジシアノメチリデン化合物と、前記ジシアノメチリデン化合物が分散されるホスト材料とを含有しており、前記ホスト材料は、前記ジシアノメチリデン化合物との間に共有結合を形成し得る反応性官能基を有する樹脂を含有し、前記化合物の少なくとも一部は、前記樹脂と結合している電気光学組成物。
［１０］
［１］～［７］のいずれか1項に記載のジシアノメチリデン化合物によって形成される膜を有する電気光学素子。
［１１］
［１］～［７］のいずれか1項に記載のジシアノメチリデン化合物によって形成される光導波路を有する電気光学素子。
［１２］
［１］～［７］のいずれか1項に記載のジシアノメチリデン化合物を含む電気光学素子。
［１３］
［８］に記載の電気光学組成物によって形成される膜を有する電気光学素子。
［１４］
［８］に記載の電気光学組成物によって形成される光導波路を有する電気光学素子。
［１５］
［９］に記載の電気光学組成物によって形成される膜を有する電気光学素子。
［１６］
［９］に記載の電気光学組成物によって形成される光導波路を有する電気光学素子。
［１７］
一般式（２）で表されるアルキン化合物：
【0016】
【化3】
Ａｒは炭素数６～１８の芳香族炭化水素基、又は炭素数３～１８のヘテロ芳香族基を表し、前記芳香族炭化水素基及び前記ヘテロ芳香族基は、各々独立に重水素原子、炭素数１～８のアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１０の芳香族炭化水素基、炭素数２～６のアルケニル基、炭素数１～８のハロアルキル基、炭素数７～１２のアラルキル基、炭素数６～１０のアリールオキシ基及び炭素数７～１２のアラルキルオキシ基からなる群から選択される置換基で１つ以上置換されていてもよく、前記置換基は隣接する２つの炭素原子と一体となって、五員環又は六員環を形成してもよい；
Ｒ１は水素原子、重水素原子、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１２のアリールオキシ基、炭素数７～１２のアラルキルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルカルボニルオキシ基、炭素数３～６のアルキニルオキシ基又はヒドロキシ基を表し、前記アルコキシ基、前記アリールオキシ基及び前記アラルキルオキシ基は、メタクリル基、ヒドロキシ基、エポキシ基及びブロモ基からなる群から選択される置換基で一つ以上置換されていてもよい；
Ｒ２は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、炭素数１～８のアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数６～１２のアリールオキシ基、炭素数７～１２のアラルキルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基、炭素数３～６のアルケニルオキシ基、炭素数２～６のアルケニルカルボニルオキシ基、炭素数３～６のアルキニルオキシ基又はヒドロキシ基を表し、ここで、２つのＲ２はフェニル基内の隣接する２つの炭素原子と一体となって、五員環又は六員環を形成してもよい；
Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素原子、重水素原子、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のハロアルキル基、炭素数１～１２のヒドロキシアルキル基、炭素数３～８のアシルオキシアルキル基、炭素数４～１３のトリアルキルシリルオキシアルキル基、炭素数１～１２のアミノアルキル基又は炭素数６～１８の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ３及びＲ４は結合する窒素原子と一体となって複素環を形成してもよく、前記Ｒ２及びＲ３又は前記Ｒ２及びＲ４は結合する炭素原子と一体となって、五～六員環を形成してもよい；
Ｒ５は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～４のアルキル基又は炭素数１～４のハロアルキル基を表す；
ｋ及びｍは、各々独立に、１～３の整数を表す；
ｑは、１～３の整数を表す；
ｒは、０～２の整数を表す：
と、一般式（３）で表されるシアノオレフィン化合物：
【0017】
【化4】
Ｒ６は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を表す；
ｎは、０～２の整数を表す：
と、を反応させることを特徴とする、一般式（１）
【0018】
【化5】
【0019】
本発明のジシアノメチリデン化合物（１）におけるＡｒ、Ｒ１～Ｒ６、ｋ、ｍ、ｎ、ｑ及びｒの定義について説明する。
【0020】
Ａｒで表される炭素数６から１８の芳香族炭化水素基としては、単環、連結、又は縮環のいずれでもよく、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、アントニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオレニル基、トリフェニレニル基などを例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の収率が良い点で、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
【0021】
Ａｒで表される炭素数６から１８のヘテロ芳香族基としては、単環、連結、又は縮環のいずれでもよく、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリル基、ナジチリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナントリジニル基、ピロリル基、インドリル基、インドリジニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ベンゾカルバゾリル基、ベンゾカルボリニル基、フラニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾジフラニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾジチエニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアザリル基などを例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の性能が良い点で、フラニル基、ベンゾジフラニル基、チエニル基又はベンゾジチエニルが好ましく、フラニル基又はチエニル基がより好ましく、チエニル基がさらに好ましい。
【0022】
Ａｒで表される炭素数６から１８の芳香族炭化水素基及び炭素数６から１８のヘテロ芳香族基は、炭素数１～８のアルキル基で置換されていてもよい。前記炭素数１から８のアルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状アルキル基のいずれでもよく、メチル基、シクロヘキシルメチル基、エチル基、２－シクロペンチルエチル基、プロピル基、２－メチルプロピル基、２，２－ジメチルプロピル基、３－シクロプロピルプロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、２－メチルブチル基、３－メチルブチル基、２－ブチル基、３－メチルブタン－２－イル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、２－メチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、２－ペンチル基、２－メチルペンタン－２－イル基、４，４－ジメチルペンタン－２－イル基、３－ペンチル基、３－エチルペンタン－３－イル基、シクロペンチル基、２，５－ジメチルシクロペンチル基、３－エチルシクロペンチル基、ヘキシル基、２－メチルヘキシル基、３，３－ジメチルヘキシル基、４－エチルヘキシル基、２－ヘキシル基、２－メチルヘキサン－２－イル基、５，５－ジメチルヘキサン－２－イル基、３－ヘキシル基、２，４－ジメチルヘキサン－３－イル基、シクロヘキシル基、４－エチルシクロヘキシル基、４，４－ジメチルシクロヘキシル基、ヘプチル基、２－ヘプチル基、３－ヘプチル基、４－ヘプチル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、オクチル基、２－オクチル基、３－オクチル基、４－オクチル基、シクロオクチル基、ビシクロ［２．２．２］オクチル基などを例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の合成が容易な点でメチル基又はヘキシル基が好ましく、メチル基がより好ましい。前記置換基はＡｒ分子内で隣接する２つの炭素原子と一体となって、五員環又は六員環を形成してもよい。前記五員環又は六員環は、シクロヘキシル環やベンゼン環などを例示することができる。
【0023】
Ａｒで表される炭素数６から１８の芳香族炭化水素基及び炭素数６から１８のヘテロ芳香族基は、炭素数１～８のアルコキシ基で置換されていてもよい。前記炭素数１～８のアルコキシ基は、直鎖状または分岐状のアルコキシ基のいずれでもよく、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、イソプロポキシ基、２－メチルプロピルオキシ基、２－ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基などを例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の合成が容易な点で、メトキシ基が好ましい。前記置換基はＡｒ分子内で隣接する２つの炭素原子と一体となって、五員環又は六員環を形成してもよい。五員環又は六員環は、ジオキサン環などを例示することができる。
【0024】
Ａｒで表される炭素数６から１８の芳香族炭化水素基及び炭素数６から１８のヘテロ芳香族基は、炭素数６～１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。前記炭素数６～１０の芳香族炭化水素基は、単環、連結、又は縮環のいずれでもよく、フェニル基、ナフチル基などを例示することができる。
【0025】
Ａｒで表される炭素数６から１８の芳香族炭化水素基及び炭素数６から１８のヘテロ芳香族基は、炭素数２～６のアルケニル基で置換されていてもよい。前記炭素数２～６のアルケニル基は、直鎖状または分岐状のアルケニル基のいずれでもよく、エテニル基、２－プロペニル基、１－メチル－２－プロペニル基、２－メチル－２－プロペニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－メチル－２－ブテニル基、１－メチル－２－ブテニル基、３－ブテニル基、１－ペンテニル基、２－ペンテニル基、１－ヘキセニル基、５－ヘキセニル基などを例示することができる。
【0026】
Ａｒで表される炭素数６から１８の芳香族炭化水素基及び炭素数６から１８のヘテロ芳香族基は、炭素数１～８のハロアルキル基で置換されていてもよい。前記炭素数１～８のハロアルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状ハロアルキル基のいずれでもよく、具体的には、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２－トリフルオロエチル基、１，１－ジフルオロエチル基、２，２－ジフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル基、２，２，３，３－テトラフルオロプロピル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基、１，１－ジフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、２，２，２－トリフルオロ－１－（トリフルオロメチル）エチル基、ペルフルオロシクロプロピル基、２，２，３，３－テトラフルオロシクロプロピル基、ペルフルオロブチル基、２，２，３，３，４，４，４－ヘプタフルオロブチル基、３，３，４，４，４－ペンタフルオロブチル基、４，４，４－トリフルオロブチル基、１，２，２，３，３，３－ヘキサフルオロ－１－（トリフルオロメチル）プロピル基、１－（トリフルオロメチル）プロピル基、１－メチル－３，３，３－トリフルオロプロピル基、ペルフルオロシクロブチル基、２，２，３，３，４，４－ヘキサフルオロシクロブチル基、ペルフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５－ノナフルオロペンチル基、３，３，４，４，５，５，５－ヘプタフルオロペンチル基、４，４，５，５，５－ペンタフルオロペンチル基、５，５，５－トリフルオロペンチル基、１，２，２，３，３，３－ヘキサフルオロ－１－（ペルフルオロエチル）プロピル基、２，２，３，３，３－ペンタフルオロ－１－（ペルフルオロエチル）プロピル基、ペルフルオロシクロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，６－ウンデカフルオロヘキシル基、３，３，４，４，５，５，６，６，６－ノナフルオロヘキシル基、４，４，５，５，６，６，６－ヘプタフルオロヘキシル基、５，５，６，６，６－ペンプタフルオロヘキシル基、６，６，６－トリフルオロヘキシル基、ペルフルオロシクロヘキシル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、ヨードメチル基、２－クロロエチル基、３－ブロモプロピル基などを例示することができる。
【0027】
Ａｒで表される炭素数６から１８の芳香族炭化水素基及び炭素数６から１８のヘテロ芳香族基は、炭素数７～１２のアラルキル基で置換されていてもよい。前記炭素数７～１２のアラルキル基としては、ベンジル基、フェニルエチル基などを例示することができる。
【0028】
Ａｒで表される炭素数６から１８の芳香族炭化水素基及び炭素数６から１８のヘテロ芳香族基は、炭素数６～１０のアリールオキシ基で置換されていてもよい。前記炭素数６～１０のアリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、トリルオキシ基、ナフチルオキシ基などを例示することができる。
【0029】
Ａｒで表される炭素数６から１８の芳香族炭化水素基及び炭素数６から１８のヘテロ芳香族基は、炭素数７～１２のアラルキルオキシ基で置換されていてもよい。前記炭素数７～１２のアラルキルオキシ基としては、ベンジルオキシ基、α－メチルベンジルオキシ基、α，α－ジメチルベンジルオキシ基などを例示することができる。
【0030】
Ａｒは、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の合成が容易な点で、炭素数６～１２の芳香族炭化水素基又は炭素数３～１２のヘテロ芳香族基であり、前記芳香族炭化水素基及び前記ヘテロ芳香族基は、各々独立に、炭素数１～６のアルキル基及び炭素数１～６のアルコキシ基からなる群から選択される置換基で１つ以上置換されていてもよく、前記置換基はＡｒ分子内で隣接する２つの炭素原子と一体となって環を形成してもよい、のが好ましく、チオフェン又はチエノチオフェンがより好ましく、チオフェンがさらに好ましい。
【0031】
Ｒ１で表される炭素数１～８のアルコキシ基としては、Ａｒで例示した炭素数１～８のアルコキシ基と同様のものを例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の性能が良い点で、炭素数１～６のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基がより好ましい。
【0032】
Ｒ１で表される炭素数６～１２のアリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、トリルオキシ基、ナフチルオキシ基などを例示することができる。
【0033】
Ｒ１で表される炭素数７～１２のアラルキルオキシ基としては、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基などを例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の性能が良い点で、ベンジルオキシ基が好ましい。
【0034】
Ｒ１で表される炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基としては、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリプロピルシリルオキシ基、トリイソプロピルシリルオキシ基、トリブチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリルオキシ基などを例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の合成が容易な点で、トリメチルシリルオキシ基又はｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリルオキシ基が好ましい。
【0035】
Ｒ１で表される炭素数２～６のアルケニルオキシ基としては、アリルオキシ基、２－ブテニルオキシ基、３－ブテニルオキシ基、４－ペンテニルオキシ基、５－ヘキセニルオキシ基などを例示することができる。
【0036】
Ｒ１で表される炭素数２～６のアルケニルカルボニルオキシ基としては、エテニルカルボニルオキシ基、１－プロペニルカルボニルオキシ基、２－プロペニルカルボニルオキシ基、１－メチル－１－エテニルカルボニルオキシ基、１－ブテニルカルボニルオキシ基、２－ブテニルカルボニルオキシ基、３－ブテニルカルボニルオキシ基、シクロブテニルカルボニルオキシ基などを例示することができる。
【0037】
Ｒ１で表される炭素数３～６のアルキニルオキシ基としては、プロパルギルオキシ基、１－ブチン－３－イルオキシ基、２－ブチニルオキシ基、３－ブチニルオキシ基、２－ペンチニルオキシ基、３－ペンチニルオキシ基、４－ペンチニルオキシ基、２－ヘキシニルオキシ基、３－ヘキシニルオキシ基、４－ヘキシニルオキシ基、５－ヘキシニルオキシ基などを例示することができる。
【0038】
Ｒ１は、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の性能が良い点で、水素原子、炭素数１～６のアルコキシ基、ベンジルオキシ基、炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基又はヒドロキシ基が好ましく、メトキシ基又はベンジルオキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
【0039】
Ｒ２で表される炭素数１～８のアルキル基としては、Ａｒで例示した炭素数１～８のアルキル基と同様のものを例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の合成が容易な点で、炭素数１～６のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
【0040】
Ｒ２で表される炭素数１～８のアルコキシ基としては、Ａｒで例示した炭素数１～８のアルコキシ基と同様のものを例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の性能が良い点で、炭素数１～６のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基がより好ましい。
【0041】
Ｒ２で表される炭素数６～１２のアリールオキシ基としては、Ｒ１で例示した炭素数６～１２のアリールオキシ基と同様のものを例示することができる。
【0042】
Ｒ２で表される炭素数７～１２のアラルキルオキシ基としては、Ｒ１で例示した炭素数７～１２のアラルキルオキシ基と同様のものを例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の性能が良い点で、ベンジルオキシ基が好ましい。
【0043】
Ｒ２で表される炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基としては、Ｒ１で例示した炭素数３～１２のトリアルキルシリルオキシ基と同様のものを例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の合成が容易な点で、トリメチルシリルオキシ基又はｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリルオキシ基が好ましい。
【0044】
Ｒ２で表される炭素数２～６のアルケニルオキシ基としては、Ｒ１で例示した炭素数２～６のアルケニルオキシ基と同様のものを例示することができる。
【0045】
Ｒ２で表される炭素数２～６のアルケニルカルボニルオキシ基としては、Ｒ１で例示した炭素数２～６のアルケニルカルボニルオキシ基と同様のものを例示することができる。
【0046】
Ｒ２で表される炭素数３～６のアルキニルオキシ基としては、Ｒ１で例示した炭素数３～６のアルキニルオキシ基と同様のものを例示することができる。
【0047】
２つのＲ２は隣接する２つの炭素原子と一体となって、五員環又は六員環を形成してもよく、前記五員環又は六員環としては、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、ベンゼン環などを例示することができ、得られる化合物（１）の収率が良い点でベンゼン環が好ましい。
【0048】
Ｒ２は、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の合成が容易な点で、水素原子、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ベンジルオキシ基、シリルオキシ基又はヒドロキシ基が好ましく、水素原子がより好ましい。
【0049】
Ｒ３及びＲ４で表される炭素数１～１２のアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状アルキル基のいずれでもよく、メチル基、シクロヘキシルメチル基、エチル基、２－シクロペンチルエチル基、プロピル基、２－メチルプロピル基、２，２－ジメチルプロピル基、３－シクロプロピルプロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、２－メチルブチル基、３－メチルブチル基、２－ブチル基、３－メチルブタン－２－イル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、２－メチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、２－ペンチル基、２－メチルペンタン－２－イル基、４，４－ジメチルペンタン－２－イル基、３－ペンチル基、３－エチルペンタン－３－イル基、シクロペンチル基、２，５－ジメチルシクロペンチル基、３－エチルシクロペンチル基、ヘキシル基、２－メチルヘキシル基、３，３－ジメチルヘキシル基、４－エチルヘキシル基、２－ヘキシル基、２－メチルヘキサン－２－イル基、５，５－ジメチルヘキサン－２－イル基、３－ヘキシル基、２，４－ジメチルヘキサン－３－イル基、シクロヘキシル基、４－エチルシクロヘキシル基、４，４－ジメチルシクロヘキシル基、ヘプチル基、２－ヘプチル基、３－ヘプチル基、４－ヘプチル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、オクチル基、２－オクチル基、３－オクチル基、４－オクチル基、シクロオクチル基又はビシクロ［２．２．２］オクチル基、ドデシル基などを例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の合成が容易な点で、メチル基、ブチル基、ヘキシル基又はオクチル基が好ましく、メチル基又はブチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
【0050】
Ｒ３及びＲ４で表される炭素数１～１２のハロアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状ハロアルキル基のいずれでもよく、具体的には、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２－トリフルオロエチル基、１，１－ジフルオロエチル基、２，２－ジフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル基、２，２，３，３－テトラフルオロプロピル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基、１，１－ジフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、２，２，２－トリフルオロ－１－（トリフルオロメチル）エチル基、ペルフルオロシクロプロピル基、２，２，３，３－テトラフルオロシクロプロピル基、ペルフルオロブチル基、２，２，３，３，４，４，４－ヘプタフルオロブチル基、３，３，４，４，４－ペンタフルオロブチル基、４，４，４－トリフルオロブチル基、１，２，２，３，３，３－ヘキサフルオロ－１－（トリフルオロメチル）プロピル基、１－（トリフルオロメチル）プロピル基、１－メチル－３，３，３－トリフルオロプロピル基、ペルフルオロシクロブチル基、２，２，３，３，４，４－ヘキサフルオロシクロブチル基、ペルフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５－ノナフルオロペンチル基、３，３，４，４，５，５，５－ヘプタフルオロペンチル基、４，４，５，５，５－ペンタフルオロペンチル基、５，５，５－トリフルオロペンチル基、１，２，２，３，３，３－ヘキサフルオロ－１－（ペルフルオロエチル）プロピル基、２，２，３，３，３－ペンタフルオロ－１－（ペルフルオロエチル）プロピル基、ペルフルオロシクロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，６－ウンデカフルオロヘキシル基、３，３，４，４，５，５，６，６，６－ノナフルオロヘキシル基、４，４，５，５，６，６，６－ヘプタフルオロヘキシル基、５，５，６，６，６－ペンプタフルオロヘキシル基、６，６，６－トリフルオロヘキシル基、ペルフルオロシクロヘキシル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、ヨードメチル基、２－クロロエチル基、３－ブロモプロピル基などを例示することができる。
【0051】
Ｒ３及びＲ４で表される炭素数１～１２のヒドロキシアルキル基としては、ヒドロキシメチル基、２－ヒドロキシエチル基、３－ヒドロキシプロピル基、４－ヒドロキシブチル基、６－ヒドロキシヘキシル基、８－ヒドロキシオクチル基、１０－ヒドロキシデシル基、１２－ヒドロキシドデシル基などを例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の分散性が良い点で、ヒドロキシメチル基、２－ヒドロキシエチル基、４－ヒドロキシブチル基、６－ヒドロキシヘキシル基が好ましく、ヒドロキシメチル基、２－ヒドロキエチル基又は４－ヒドロキブチル基がより好ましく、２－ヒドロキシエチル基又は４－ヒドロキシブチル基がさらに好ましく、４－ヒドロキシブチル基が特に好ましい。
【0052】
Ｒ３及びＲ４で表される炭素数３～８のアシルオキシアルキル基としては、２－アセトキシエチル基、３－アセトキシ－ｎ－プロピル基、４－アセトキシ－ｎ－ブチル基、５－アセトキシ－ｎ－ペンチル基、６－アセトキシ－ｎ－ヘキシル基、２－プロピオニルオキシエチル基、３－プロピオニルキシ－ｎ－プロピル基、４－プロピオニルキシ－ｎ－ブチル基などを例示することができ、得られる化合物（１）の合成が容易な点で炭素数３～６のアシルオキシアルキル基が好ましい。
【0053】
Ｒ３及びＲ４で表される炭素数４～１３のトリアルキルシリルオキシアルキル基としては、トリメチルシリルオキシメチル基、トリメチルシリルオキシメチル基、トリメチルシリルオキシエチル基、トリメチルシリルオキシプロピル基などを例示することができる。
【0054】
Ｒ３及びＲ４で表される炭素数１～１２のアミノアルキル基としては、アミノメチル基、２－アミノエチル基、３－アミノプロピル基、４－アミノブチル基、（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）メチル基、２－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）エチル基、３－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）プロピル基、４－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）ブチル基、（Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノ）メチル基、２－（Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノ）エチル基、３－（Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノ）プロピル基、４－（Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノ）ブチル基などを例示することができる。
【0055】
Ｒ３及びＲ４で表される炭素数６～１８の芳香族炭化水素基としては、Ａｒで例示した炭素数６～１８の芳香族炭化水素基と同様のものを例示することができ、得られる化合物（１）の合成が容易な点で、フェニル基が好ましい。
【0056】
Ｒ３及びＲ４は、結合する窒素原子と一体となって、複素環を形成してもよく、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環としては、カルバゾールなどを例示することができる。前記Ｒ２及びＲ３又は前記Ｒ２及びＲ４は結合する炭素原子と一体となって、五～六員環を形成してもよい；
Ｒ２及びＲ３又は前記Ｒ２及びＲ４は結合する炭素原子と一体となって、五～六員環を形成してもよく、ジュロリジンなどを例示することができる。
Ｒ２及びＲ３又は前記Ｒ２及びＲ４は結合する炭素原子と一体となって、五～六員環を形成してもよく、ジュロリジンなどを例示することができる。
【0057】
Ｒ３及びＲ４は、得られる化合物（１）の合成が容易な点で、各々独立に、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のハロアルキル基又は炭素数１～１２のヒドロキシアルキル基が好ましく、メチル基、ブチル基、ヒドロキシブチル基、ヒドロキシエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
【0058】
Ｒ５で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の性能が良い点でフッ素原子が好ましい。
【0059】
Ｒ５で表される炭素数１～４のアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状アルキル基のいずれでもよく、具体的には、メチル基、シクロヘキシルメチル基、エチル基、２－シクロペンチルエチル基、プロピル基、２－メチルプロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、２－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロブチル基などを例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の合成が容易な点でメチル基が好ましい。
【0060】
Ｒ５で表される炭素数１～４のハロアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状ハロアルキル基のいずれでもよく、具体的には、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２－トリフルオロエチル基、１，１－ジフルオロエチル基、２，２－ジフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル基、２，２，３，３－テトラフルオロプロピル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基などを例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の性能が良い点でトリフルオロメチル基が好ましい。
【0061】
Ｒ５は、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の合成が容易な点で、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～４のハロアルキル基が好ましく、水素原子又はフッ素原子がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
【0062】
Ｒ６で表されるハロゲン原子としては、Ｒ５で例示したハロゲン原子と同様のものを例示することができ、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の合成が容易な点で、フッ素原子が好ましい。
【0063】
Ｒ６は、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の合成が容易な点で、水素原子又はハロゲン原子が好ましく、水素原子又はフッ素原子がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
【0064】
ｋ及びｍは、各々独立に、１～３の整数を表し、得られる化合物（１）の合成が容易な点で、１又は２が好ましく、１がより好ましい。
【0065】
ｎは、０～２の整数を表し、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の合成が容易な点で、０又は１が好ましく、１がより好ましい。
【0066】
ｑは、１～３の整数を表し、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の合成が容易な点で、１又は２が好ましく、１がより好ましい。
【0067】
ｒは、０～２の整数を表し、得られるジシアノメチリデン化合物（１）の合成が容易な点で、０又は１が好ましく、０がより好ましい。
【0068】
本発明の化合物（１）としては、特に限定するものではなく、以下の１－１～１－７５に示す構造の化合物を具体的に例示することができる。
【0069】
【化6】
【0070】
【化7】
【0071】
【化8】
【0072】
【化9】
【0073】
【化10】
【0074】
本発明のジシアノメチリデン化合物（１）としては、合成が容易な点で１－１～１－１１、１－２６～１－２８、１－３０、１－３３、１－５１、１－５９～１－６１、又は１－６７～１－７５で表される化合物が好ましく、１－１～１－６、１－１０、１－２６、１－３０、１－５９、１－６０、１－６１、１－６５、１－６７、又は１－７０～１－７３で表される化合物がより好ましく、１－１、１－１０、１－６５又は１－７３で表される化合物がさらに好ましく、１－１、１－１０又は１－７３で表される化合物が特に好ましい。
【0075】
次に、本発明のジシアノメチリデン化合物（１）の製造法（以下、本発明の製造方法と称する。）について説明する。
【0076】
本発明のジシアノメチリデン化合物（１）は、次の反応式に示される工程１により製造することができる。
【0077】
【化11】
Ｒ５は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～４のアルキル基又は炭素数１～４のハロアルキル基を表す；Ｒ６は、同一又は相異なっていてもよく、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を表す；ｋ及びｍは、各々独立に、１～３の整数を表す；ｎは、０～２の整数を表す；ｑは、１～３の整数を表す；ｒは、０～２の整数を表す。）
工程１は、アルキン化合物（２）とシアノオレフィン化合物（３）とを反応させ、本発明のジシアノメチリデン化合物（１）を製造する工程である。
【0078】
工程１に用いるアルキン化合物（２）としては、例えば、以下の２－１から２－９に示す構造の化合物を具体的に示すことができる。
【0079】
【化12】
【0080】
工程１に用いるシアノオレフィン化合物（３）としては、例えば、以下の３－１から３－３に示す構造の化合物を具体的に示すことができる。
【0081】
【化13】
【0082】
工程１で用いるアルキン化合物（２）とシアノオレフィン化合物（３）とのモル比に特に制限はなく、収率がよい点でアルキン化合物（２）：シアノオレフィン化合物（３）のモル比が１０：１から１：１０の範囲にあることが好ましく、２：１から１：２の範囲にあることがより好ましく、１：１であることがさらに好ましい。
【0083】
工程１は溶媒中で実施することができる。用いることのできる溶媒に特に制限はなく、反応を阻害しない溶媒であればよい。このような溶媒としては、具体的には、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル（ＣＰＭＥ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２－メチルテトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ニトロベンゼン、アニソール、テトラリン等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２－ジクロロエタン、１，１，２，２－テトラクロロエタン、ジクロロベンゼン、クロロベンゼン、トリクロロベンゼン、１－クロロナフタレン等のハロゲン化炭化水素、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、４－フルオロエチレンカーボネート等の炭酸エステル、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、γ－ラクトン等のエステル、アセトニトリル、プロピオニトリル、バレロニトリル、グルタロニトリル、アジポニトリル、メトキシアセトニトリル、３－メトキシプロピオニトリル等のニトリル、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、オクタノール等のアルコール、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）等のアミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルウレア（ＴＭＵ）、Ｎ，Ｎ’－ジメチルプロピレンウレア（ＤＭＰＵ）等のウレア、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）を例示することができ、これらを任意の比で混合して用いてもよい。溶媒の使用量に特に制限はない。本発明の化合物（１）の反応収率がよい点でトルエン、キシレン、ジクロロエタン、又はジクロロメタンが好ましく、トルエンがより好ましい。
【0084】
工程１を実施する際の反応温度には特に制限はなく、通常は０から２３０℃から適宜選択された温度にて実施することができ、本発明のジシアノメチリデン化合物（１）の反応収率が良い点で６０から１１０℃から適宜選択された温度にて実施することが好ましい。
【0085】
工程１を実施する際の反応時間には特に制限はなく、通常は１から７２時間から適宜選択された時間にて実施することができ、本発明のジシアノメチリデン化合物（１）の反応収率が良い点で６から２４時間から適宜選択された時間にて実施することが好ましい。
【0086】
本発明のジシアノメチリデン化合物（１）は、工程１の反応の終了後に通常の処理を行うことで得ることができる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー、昇華又は分取ＨＰＬＣ等で精製してもよい。
【0087】
次に、本発明のジシアノメチリデン化合物（１）を含む、電気光学用組成物、電気光学膜、電気光学素子（以下、それぞれ「本発明のＥＯ用組成物、本発明のＥＯ膜、本発明のＥＯ素子」と称する。）について説明する。
【0088】
本実施形態のＥＯ用組成物、ＥＯ膜、及びＥＯ素子は、公知の方法（例えば、Ｏｈ ｅｔ ａｌ．，ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｔｏｐｉｃｓ ｉｎＱｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｖｏｌ．７，Ｎｏ．５，ｐｐ．８２６－８３５，Ｓｅｐｔ．／Ｏｃｔ．２００１；Ｄａｌｔｏｎ ｅｔ ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９９９，９，ｐｐ．１９０５－１９２０；戒能俊邦、電子情報通信学会論文誌，Ｃ Ｖｏｌ．Ｊ８４－Ｃ，Ｎｏ．９，ｐｐ．７４４－７５５，２００１年９月；Ｍａ ｅｔ ａｌ．，Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．１４，Ｎｏ．１９，２００２，ｐｐ．１３３９－１３６５等に記載の方法）によって製造することができる。
【0089】
本実施形態のＥＯ用組成物は、本発明のジシアノメチリデン化合物（１）をＥＯ化合物として含む。本実施形態のＥＯ用組成物は、ジシアノメチリデン化合物（１）を分散させることが可能なホスト材料をさらに含んでいてもよい。一般に、優れたＥＯ特性を示すためには、ＥＯ化合物がホスト材料中に高濃度で均一に分散されていることが重要である。そのため、ホスト材料は、ＥＯ化合物と高い相溶性を示すことが好ましい。本実施形態のＥＯ用組成物は、ＥＯ膜を形成するため、又は、ＥＯ素子を形成するために好適に用いることができる。すなわち、本実施形態のＥＯ用組成物は、ＥＯ膜形成用組成物又はＥＯ素子形成用組成物であり得る。
【0090】
本発明のＥＯ用組成物に用いるホスト材料の例としては、例えば、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）等のポリ（メタ）アクリレート、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂などの樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、ジシアノメチリデン化合物（１）との相溶性に優れており、ＥＯ素子として用いる場合においては、透明性及び成形性も優れる傾向にある。
【0091】
ジシアノメチリデン化合物（１）をホスト材料に分散させる方法としては、例えば、ジシアノメチリデン化合物（１）とホスト材料とを適切な混合比で有機溶媒中に溶解させる方法等が挙げられる。
【0092】
ホスト材料は、ジシアノメチリデン化合物（１）との間に共有結合を形成し得る反応性官能基を有する樹脂を含んでいてもよい。さらに、ジシアノメチリデン化合物（１）の少なくとも一部が、前記反応性官能基を有する樹脂と結合していることが好ましい。このようなホスト材料を含むことにより、ジシアノメチリデン化合物（１）を高密度でホスト材料中に分散させることが可能であり、高いＥＯ特性を達成することができる。
【0093】
反応性官能基としては、例えば、ハロアルキル基、ハロゲン化アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヒドロキシ基、アミノ基、イソシアネート基、エポキシ基、カルボキシ基等が挙げられる。前記反応性官能基は、ジシアノメチリデン化合物（１）中の、例えば、ヒドロキシ基、アミノ基、アルコキシカルボニル基等と反応して共有結合を形成することができる。
【0094】
本実施形態のＥＯ膜は、上記ＥＯ用組成物を用いて形成することができる。ＥＯ膜は、例えば、ＥＯ用組成物の有機溶媒溶液を、スピンコートによって基板上に塗布する工程と、得られた塗膜を加熱乾燥させる工程とを含む方法によって得ることができる。
【0095】
ＥＯ膜の厚さは、例えば、０．０１～１００μｍであってよい。
【0096】
本実施形態のＥＯ素子は、上記ＥＯ膜を備える。上述のとおり、ＥＯ化合物は、高い超分極率を有しながらも耐熱性に優れることから、本実施形態のＥＯ素子は、優れたＥＯ特性と長期間の使用に耐え得る優れた耐久性を有するものとなる。
【0097】
本実施形態のＥＯ素子の用途は、上記ＥＯ膜を有するものであれば、光変調器に限定されない。本実施形態のＥＯ素子は、光変調器（超高速用途、光インターコネクト用途、光信号処理用途等）に加えて、例えば、光スイッチ、光メモリー、波長変換器、マイクロ波、ミリ波、テラヘルツ波等の電界センサー、筋電、脳波等の生体電位センサー、光空間変調器、光スキャナなどに用いることができ、さらには、電子回路との組み合わせによって電子回路間の光による信号伝達等にも用いることができる。
【発明の効果】
【0098】
本発明によれば、耐熱性に優れるジシアノメチリデン化合物が提供される。そのため、前記ジシアノメチリデン化合物をＥＯ素子の製造に用いることによって、ポーリング時の高温プロセス、膜配向固定のための熱硬化プロセス、実装時の高温プロセス等に必要とされる耐熱性を向上させることができ、素子製造のプロセス自由度を高くすることができる。また、本発明によれば、このような化合物を用いた電気光学用組成物、電気光学膜、及び電気光学素子が提供される。
【実施例0099】
以下、実施例、参考例及び比較例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定して解釈されるものではない。
［１Ｈ－ＮＭＲ測定］
１Ｈ－ＮＭＲの測定には、Ｂｒｕｋｅｒ ＡＳＣＥＮＤ ４００（４００ＭＨｚ；ＢＲＵＫＥＲ社製）を用いた。１Ｈ－ＮＭＲは、重クロロホルム（ＣＤＣｌ３）又は重ＤＭＳＯを測定溶媒とし、内部標準物質としてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いて測定した。
［ＴＧ／ＤＴＡ測定］
５％重量減少温度及び分解温度の測定は株式会社リガク製 示差走査熱量計 Ｔｈｅｒｍｏ ｐｌｕｓ ＥＶＯ２ ＤＳＣｖｅｓｔａを用いた。窒素ガス気流下（０．５Ｌ／分）、１０℃／分の速度で温度を上昇させて、測定を行った。
［ＤＳＣ測定（ガラス転移温度、結晶化温度、融点）］
ガラス転移温度、結晶化温度、及び融点の測定は株式会社リガク製 試料観察型示差熱-熱重量同時測定装置 Ｔｈｅｒｍｏ ｐｌｕｓ ＥＶＯ２ ＴＧ－ＤＴＡ８１２２／Ｃを用いて行った。ＤＳＣ測定におけるリファレンスは酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を使用した。
［１Ｈ－ＮＭＲ測定］
１Ｈ－ＮＭＲの測定には、Ｂｒｕｋｅｒ ＡＳＣＥＮＤ ４００（４００ＭＨｚ；ＢＲＵＫＥＲ社製）を用いた。１Ｈ－ＮＭＲは、重クロロホルム（ＣＤＣｌ３）又は重ＤＭＳＯを測定溶媒とし、内部標準物質としてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いて測定した。
［ＴＧ／ＤＴＡ測定］
５％重量減少温度及び分解温度の測定は株式会社リガク製 示差走査熱量計 Ｔｈｅｒｍｏ ｐｌｕｓ ＥＶＯ２ ＤＳＣｖｅｓｔａを用いた。窒素ガス気流下（０．５Ｌ／分）、１０℃／分の速度で温度を上昇させて、測定を行った。
［ＤＳＣ測定（ガラス転移温度、結晶化温度、融点）］
ガラス転移温度、結晶化温度、及び融点の測定は株式会社リガク製 試料観察型示差熱-熱重量同時測定装置 Ｔｈｅｒｍｏ ｐｌｕｓ ＥＶＯ２ ＴＧ－ＤＴＡ８１２２／Ｃを用いて行った。ＤＳＣ測定におけるリファレンスは酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を使用した。
【0100】
試料を３０℃から１０℃／分の速度で温度を上昇させ、ガラス転移温度、結晶化温度、及び融点を測定した。
［質量分析］
質量分析はＢｒｕｋｅｒ ｃｏｍｐａｃｔ ＱＴＯＦを使用して測定を行った。
［質量分析］
質量分析はＢｒｕｋｅｒ ｃｏｍｐａｃｔ ＱＴＯＦを使用して測定を行った。
【0101】
試薬類は市販品を用いた。
【0102】
実施例－１
【0103】
【化14】
アルゴン雰囲気下で３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチル－４－［（１Ｅ）－２－［５－（２－フェニルエチニル）チオフェン－２－イル］エテニル］アニリン（２１６ｍｇ、０．６ｍｍｏｌ）と７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン（１２５ｍｇ、０．６ｍｍｏｌ）をトルエン（３２ｍＬ）に溶解させ、８０℃で１６時間撹拌した。ＮＭＲ、ＴＬＣによる反応追跡で目的物の生成を確認後、反応を停止させ、溶媒留去を行った。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム：メタノール＝９８：２）で精製し、さらにメタノールで洗浄することで暗褐色の粉末結晶状の目的物を収率５９％で得た（１－１ａ，２００ｍｇ）。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ６）：δ７．８２－７．３８（ｍ，１２Ｈ）、７．１６（ｄ，Ｊ＝９．４Ｈｚ，２Ｈ）、６．４６（ｄｄ，Ｊ＝８．８，１．７Ｈｚ，１Ｈ）、６．２６（ｄ，Ｊ＝１．７Ｈｚ，１Ｈ）、３．９１（ｓ，３Ｈ）、３．０９（ｓ，６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ，ｍ／ｚ，［Ｍ＋Ｎａ］＋）：Ｃａｌｃｄ．Ｆｏｒ Ｃ３５Ｈ２５Ｎ５ＯＳＮａ：５８６．１６７２，Ｆｏｕｎｄ：５８６．１６６９
得られた化合物（１－１ａ、１０．２ｍｇ）のＴＧ／ＤＴＡを測定した結果、分解温度は２５８℃であった。
【0104】
また得られた化合物（１－１ａ，７．４ｍｇ）のガラス転移温度は１８２℃、分解温度は２６１℃であり、融点及び結晶化温度は検出されなかった。
【0105】
実施例－２
【0106】
【化15】
アルゴン雰囲気下で、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチル－４－［（１Ｅ）－２－［５－（２－フェニルエチニル）チオフェン－２－イル］エテニル］アニリン（０．１０１ｇ，０．２８１ｍｍｏｌ）とテトラシアノエチレン（０．０３８ｇ，０．２９７ｍｍｏｌ）をトルエン（１６ｍＬ）に溶解させ、８０℃で２４時間反応させた。溶媒を減圧除去した後にシリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム）による精製を行い、目的物（１－６５，６０ｍｇ）を収率４３％で得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．７８－７．７６（ｍ，２Ｈ），７．６８－７．６３（ｍ，２Ｈ），７．５８－７．５２（ｍ，３Ｈ），７．４０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ、１Ｈ），７．１８－７．１２（ｍ，２Ｈ），６．３３（ｄｄ，Ｊ＝８．８，２．４Ｈｚ，１Ｈ），６．１３（ｄ，Ｊ＝２．３Ｈｚ，１Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．０７（ｓ，６Ｈ）．
実施例－３
【0107】
【化16】
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．７７－７．７２（ｍ，３Ｈ），７．５３－７．４６（ｍ，６Ｈ），７．３８（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ），７．１２（ｄ，Ｊ＝１５．７Ｈｚ，２Ｈ），７．０７（ｄ，Ｊ＝４．４Ｈｚ，１Ｈ），６．３４（ｄｄ，Ｊ＝９．０，２．１Ｈｚ，１Ｈ），６．１６（ｄ，Ｊ＝２．２Ｈｚ，１Ｈ），３．９２（ｓ，３Ｈ），３．８１（ｔ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，２Ｈ），３．５５（ｔ，Ｊ＝５．８Ｈｚ，２Ｈ），３．０９（ｓ，３Ｈ），０．８８（ｓ，９Ｈ），０．０３（ｓ，６Ｈ）．
ＨＲＭＳ（ＡＰＣＩ）ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ４２Ｈ４１Ｎ５Ｏ２ＳＳｉ［Ｍ］：７０７．２７５０，ｆｏｕｎｄ：７０７．２８２１．
実施例－４
【0108】
【化17】
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．６５（ｂｒｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ），７．６２－７．５８（ｍ，２Ｈ），７．５３－７．３８（ｍ，８Ｈ），７．１２（ｄ，Ｊ＝１６．０Ｈｚ，２Ｈ），７．０７（ｄ，Ｊ＝４．４Ｈｚ，１Ｈ），６．４０（ｄｄ，Ｊ＝８．８，２．４Ｈｚ，１Ｈ），６．２５（ｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，１Ｈ），３．９２（ｓ，３Ｈ），３．９０－３．８７（ｍ，２Ｈ），３．５９（ｔ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，２Ｈ），３．１０（ｓ，３Ｈ）．
ＨＲＭＳ（ＡＰＣＩ）ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ３６Ｈ２７Ｎ５Ｏ２Ｓ［Ｍ］：５９３．１８８５，ｆｏｕｎｄ：５９３．１９７７．
参考例―１
【0109】
【化18】
アルゴン雰囲気下でテトラヒドロフラン（２０ｍＬ）中にフェニルリチウム（３．５ｍＬ、７ｍｍｏｌ）を加え０℃にした後、［（５－ブロモチオフェン－２－イル）メチル］トリフェニルホスホニウムブロミド（２．３ｇ、４．５ｍｍｏｌ）を加え撹拌し、溶解させた。そこにアルゴン雰囲気下で４－（ジメチルアミノ）－２－メトキシベンズアルデヒド（８００ｍｇ、４．５ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（３ｍＬ）溶液を加え、０℃で１．５時間撹拌し、さらに室温に昇温し２時間撹拌を行った。ＮＭＲ、ＴＬＣによる反応追跡で目的物の生成を確認後、反応を停止させ、氷冷した水を加えクロロホルムで抽出した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加え撹拌した。硫酸マグネシウムをろ別後、溶媒留去を行い、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム：ヘキサン＝２：１）による精製を行うことにより、粗収率６４％でＥ／Ｚ混合体（Ｅ／Ｚ比＝０．５７：０．４３）の目的物を得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．３５（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，０．５７Ｈ）、７．２２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，０．４３Ｈ）、７．０７（ｄ，Ｊ＝１６．２Ｈｚ，０．５７Ｈ）、６．９８（ｄ，Ｊ＝１６．０Ｈｚ，０．５７Ｈ）、６．８９（ｄ，Ｊ＝３．８Ｈｚ，０．５７Ｈ）、６．８３（ｄ，Ｊ＝３．８Ｈｚ，０．４３Ｈ）、６．７２（ｄ，Ｊ＝３．８Ｈｚ，０．４３Ｈ）、６．６９（ｄ，Ｊ＝３．８Ｈｚ，０．５７Ｈ）、６．５３（ｄ，Ｊ＝１１．９Ｈｚ，０．４３Ｈ）、６．４８（ｄ，Ｊ＝１１．５Ｈｚ，０．４３Ｈ）、６．３０（ｄｄ，Ｊ＝１６．５Ｈｚ、２．４Ｈｚ，０．５７Ｈ）、０．６３（ｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，０．４３Ｈ）、６．２５（ｄ，Ｊ＝２．３Ｈｚ，０．４３Ｈ）、６．２０（ｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，０．５７Ｈ）、３．８８（ｓ，１．７１Ｈ）、３．８２（ｓ，１．２９Ｈ）、３．０１（ｓ，２．５８Ｈ）、３．００（ｓ，３．４２Ｈ）．
参考例―２
【0110】
【化19】
アルゴン雰囲気下で、４－［２－（５－ブロモチオフェン－２－イル）ビニル］－３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン（７６２ｍｇ、２．３ｍｍｏｌ）、フェニルプロピオル酸（３９６ｍｇ、２．７ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム（８８０ｍｇ、２．７ｍｍｏｌ）、Ｘ－Ｐｈｏｓ（２１ｍｇ、４５μｍｏｌ）、酢酸パラジウム（５ｍｇ、２３μｍｏｌ）をＴＨＦ（２５ｍＬ）に溶解させ、８０℃に昇温し終夜攪拌を行った。１０時間後、ＮＭＲ、ＴＬＣより原料がなくなったことを確認し、反応を停止した。反応溶液の有機層をクロロホルムで抽出し、飽和食塩水で洗浄を行い、硫酸ナトリウムを加え撹拌を行った。硫酸ナトリウムをろ別後、溶媒留去を行い、シリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム：ヘキサン＝２：１）で精製し、収率６２％で目的物を得た（５０６ｍｇ）。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．５１－７．４９（ｍ，２Ｈ）、７．３８（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ）、７．３６－７．３０（ｍ，３Ｈ）、７．１９（ｄ，Ｊ＝１６．２Ｈｚ，１Ｈ）、７．１３（ｄ，Ｊ＝３．８Ｈｚ，１Ｈ）、７．０５（ｄ，Ｊ＝１６．０Ｈｚ，１Ｈ）、６．８６（ｄ，Ｊ＝３．８Ｈｚ，１Ｈ）、６．３２（ｄｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ、２．４Ｈｚ，１Ｈ）、６．２０（ｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，１Ｈ）、３．８９（ｓ，３Ｈ）、３．０１（ｓ，６Ｈ）．
参考例―３
【0111】
【化20】
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．３２（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，１Ｈ），７．０６（ｄ，Ｊ＝１６．２Ｈｚ，１Ｈ），６，９７（ｄ，Ｊ＝１６．２Ｈｚ，１Ｈ），６．８９（ｄ，Ｊ＝３．８Ｈｚ，１Ｈ），６．２９（ｄｄ，Ｊ＝８．６，２．４Ｈｚ，１Ｈ），６．１８（ｄ，Ｊ＝２．３Ｈｚ，１Ｈ）３．８６（ｓ，３Ｈ），３．７８（ｔ，Ｊ＝６．１８，２Ｈ），３．４９（ｔ，Ｊ＝６．１８，２Ｈ），３．０２（ｓ，３Ｈ）０．８８（ｓ，９Ｈ），０．０３（ｓ，６Ｈ）．
ＨＲＭＳ（ＡＰＣＩ）ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ２２Ｈ３２ＮＯ２ＳＳｉ ［Ｍ＋Ｈ＋］：４８２．１１８０，ｆｏｕｎｄ：４８２．１１７７．
参考例―４
【0112】
【化21】
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．５１－７．４９（ｍ，２Ｈ），７．３７－７．３１（ｍ，４Ｈ），７．１８（ｄ，Ｊ＝１６．２Ｈｚ，１Ｈ），７．１３（ｄ，Ｊ＝３．８Ｈｚ，１Ｈ），７．０４（ｄ，Ｊ＝１６．２Ｈｚ，１Ｈ），６．８５（ｄ，Ｊ＝３．８Ｈｚ，１Ｈ），６．３０（ｄｄ，Ｊ＝８．７，２．４Ｈｚ，１Ｈ），６．１９（ｄ，Ｊ＝２．３Ｈｚ，１Ｈ），３．８８（ｓ，３Ｈ），３．７９（ｔ，Ｊ＝６．１Ｈｚ，２Ｈ），３．５０（ｔ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，２Ｈ），３．０３（ｓ，３Ｈ），０．８９（ｓ，９Ｈ），０．０３（ｓ，６Ｈ）．
ＨＲＭＳ（ＡＰＣＩ）ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ３０Ｈ３７ＮＯ２ＳＳｉ［Ｍ］：５０３．２３１４，ｆｏｕｎｄ：５０３．２３７０．
比較例―１
化合物ＮＥＯ－８２３の評価
【0113】
【化22】
【0114】
またＮＥＯ－８２３（８．７ｍｇ）のガラス転移温度は１７８℃、融点は１９６℃であり、分解温度は２０８℃であり、結晶化温度は測定されなかった。
【0115】
以上の結果より、本発明のジシアノメチリデン化合物（１）は、比較例－１で得られた従来公知の有機電気光学材料と比べて高いガラス転移温度及び分解温度を有することから、優れた耐熱性を有することがわかった。さらに、本発明のジシアノメチリデン化合物（１）はその骨格の特徴から結晶性が低く、結晶化温度が検出されないか若しくは高い結晶化温度を有することがわかった。従ってジシアノメチリデン化合物（１）は薄膜形成時に高いアモルファス性が期待でき、ジシアノメチリデン化合物（１）を用いたＥＯ素子を作製した際に高い駆動安定性を発揮すると推測される。
【産業上の利用可能性】
【0116】
本発明のジシアノメチリデン化合物（１）は、光変調器（超高速用途、光インターコネクト用途、光信号処理用途等）に加えて、例えば、光スイッチ、光メモリー、波長変換器、マイクロ波、ミリ波、テラヘルツ波等の電界センサー、筋電、脳波等の生体電位センサー、光空間変調器、光スキャナなどに用いることができ、さらには、電子回路との組み合わせによって電子回路間の光による信号伝達等にも用いることができる。