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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024101651
(43)【公開日】2024-07-30
(54)【発明の名称】電気光学装置、および電子機器
(51)【国際特許分類】
G02F 1/1337 20060101AFI20240723BHJP
【ＦＩ】
G02F1/1337
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023005672
(22)【出願日】2023-01-18
(71)【出願人】
【識別番号】000002369
【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100179475
【弁理士】
【氏名又は名称】仲井 智至
(74)【代理人】
【識別番号】100216253
【弁理士】
【氏名又は名称】松岡 宏紀
(74)【代理人】
【識別番号】100225901
【弁理士】
【氏名又は名称】今村 真之
(72)【発明者】
【氏名】杉浦 幸大
【テーマコード（参考）】
2H290
【Ｆターム（参考）】
2H290AA33
2H290BA22
2H290BF04
2H290CA46
2H290CB22
(57)【要約】
【課題】表示品位の低下が抑制された電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、前記第１基板は、基板と、無機絶縁層と、互いに離間する第１画素電極および第２画素電極と、配向層とを有し、前記無機絶縁層と、前記第１画素電極および前記第２画素電極と、前記配向層とは、前記基板から前記電気光学層に向かってこの順に並び、前記配向層は、カバー層と、前記カバー層と前記電気光学層との間に設けられる配向膜とを有し、前記カバー層は、前記無機絶縁層のうち平面視で前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の領域を埋める第１部分を有し、前記配向膜は、前記第１部分に接触し、前記第１部分と反対の面が平坦面である第２部分を有する。
【選択図】図５
【解決手段】電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、前記第１基板は、基板と、無機絶縁層と、互いに離間する第１画素電極および第２画素電極と、配向層とを有し、前記無機絶縁層と、前記第１画素電極および前記第２画素電極と、前記配向層とは、前記基板から前記電気光学層に向かってこの順に並び、前記配向層は、カバー層と、前記カバー層と前記電気光学層との間に設けられる配向膜とを有し、前記カバー層は、前記無機絶縁層のうち平面視で前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の領域を埋める第１部分を有し、前記配向膜は、前記第１部分に接触し、前記第１部分と反対の面が平坦面である第２部分を有する。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、
前記第１基板は、基板と、無機絶縁層と、互いに離間する第１画素電極および第２画素電極と、配向層とを有し、
前記無機絶縁層と、前記第１画素電極および前記第２画素電極と、前記配向層とは、前記基板から前記電気光学層に向かってこの順に並び、
前記配向層は、カバー層と、前記カバー層と前記電気光学層との間に設けられる配向膜とを有し、
前記カバー層は、前記無機絶縁層のうち平面視で前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の領域を埋める第１部分を有し、
前記配向膜は、前記第１部分に接触し、前記第１部分と反対の面が平坦面である第２部分を有する、
ことを特徴とする電気光学装置。
前記第１基板は、基板と、無機絶縁層と、互いに離間する第１画素電極および第２画素電極と、配向層とを有し、
前記無機絶縁層と、前記第１画素電極および前記第２画素電極と、前記配向層とは、前記基板から前記電気光学層に向かってこの順に並び、
前記配向層は、カバー層と、前記カバー層と前記電気光学層との間に設けられる配向膜とを有し、
前記カバー層は、前記無機絶縁層のうち平面視で前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の領域を埋める第１部分を有し、
前記配向膜は、前記第１部分に接触し、前記第１部分と反対の面が平坦面である第２部分を有する、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項2】
前記カバー層は、前記無機絶縁層と接触し、無機材料を含む第１カバー膜と、前記第１カバー膜と前記配向膜との間に配置され、無機材料を含む第２カバー膜と、を有し、
前記第１カバー膜は、前記第１基板の板面の法線に対して傾斜する第１構造物を有し、
前記第２カバー膜は、前記法線に対して傾斜する第２構造物を有し、
前記第１構造物の方位角と、前記第２構造物の方位角とは、互いに異なる、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記第１カバー膜は、前記第１基板の板面の法線に対して傾斜する第１構造物を有し、
前記第２カバー膜は、前記法線に対して傾斜する第２構造物を有し、
前記第１構造物の方位角と、前記第２構造物の方位角とは、互いに異なる、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項3】
前記第１画素電極および前記第２画素電極を含み、互いに直交する第１方向および第２方向に沿って行列状に配置される複数の画素電極を備え、
前記第１構造物、および前記第２構造物の一方は、方位角が０°であり、
前記第１構造物、および前記第２構造物の他方は、方位角が９０°である、
請求項２に記載の電気光学装置。
前記第１構造物、および前記第２構造物の一方は、方位角が０°であり、
前記第１構造物、および前記第２構造物の他方は、方位角が９０°である、
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項4】
前記配向膜は、無機材料を含み、前記法線に対して傾斜する第３構造物を有し、
前記第３構造物は、方位角が４５°である、
請求項３に記載の電気光学装置。
前記第３構造物は、方位角が４５°である、
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項5】
前記配向膜の厚さは、前記カバー層の厚さよりも厚い、
請求項１に記載の電気光学装置。
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項6】
第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、
前記第１基板は、基板と、無機絶縁層と、互いに交差する第１方向および第２方向に沿った行列状に配置される複数の画素電極と、配向層とを有し、
前記無機絶縁層と、前記複数の画素電極と、前記配向層とは、前記基板から前記電気光学層に向かってこの順に並び、
前記配向層は、第１カバー膜と第２カバー膜と配向膜とをこの順に含み、
前記第１カバー膜は、前記第１基板の板面の法線に対して傾斜する第１構造物を有し、
前記第２カバー膜は、前記法線に対して傾斜する第２構造物を有し、
前記配向膜は、前記法線に対して傾斜する第３構造物を有し、
前記第１構造物、および前記第２構造物の一方は、方位角が０°であり、
前記第１構造物、および前記第２構造物の他方は、方位角が９０°であり、
前記第３構造物は、方位角が４５°である、
ことを特徴とする電気光学装置。
前記第１基板は、基板と、無機絶縁層と、互いに交差する第１方向および第２方向に沿った行列状に配置される複数の画素電極と、配向層とを有し、
前記無機絶縁層と、前記複数の画素電極と、前記配向層とは、前記基板から前記電気光学層に向かってこの順に並び、
前記配向層は、第１カバー膜と第２カバー膜と配向膜とをこの順に含み、
前記第１カバー膜は、前記第１基板の板面の法線に対して傾斜する第１構造物を有し、
前記第２カバー膜は、前記法線に対して傾斜する第２構造物を有し、
前記配向膜は、前記法線に対して傾斜する第３構造物を有し、
前記第１構造物、および前記第２構造物の一方は、方位角が０°であり、
前記第１構造物、および前記第２構造物の他方は、方位角が９０°であり、
前記第３構造物は、方位角が４５°である、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項7】
前記第１構造物、前記第２構造物、および前記第３構造物のそれぞれは、柱状である。
請求項６に記載の電気光学装置。
請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項8】
前記第１カバー膜および前記第２カバー膜は、前記無機絶縁層の前記第３構造物の成長への悪影響を排除する、
請求項６に記載の電気光学装置。
請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項9】
請求項１に記載の電気光学装置と、
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電気光学装置、および電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
プロジェクター等の電子機器には、例えば、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶表示装置等の電気光学装置が用いられる。当該電気光学装置の例として、特許文献１に記載の液晶装置が知られている。
【0003】
特許文献１に記載の液晶装置は、素子基板と、対向基板と、これら基板の間に配置され、液晶分子を含む液晶層とを備える。当該素子基板は、画素ごとに設けられた画素電極と、画素電極を覆う配向膜とを有する。配向膜は、例えば、無機材料を斜方蒸着して成膜された無機配向膜であり、液晶層に含まれる液晶分子にプレチルトを付与する。
【0004】
また、当該液晶装置は、垂直配向モードの液晶装置である。垂直配向モードの液晶装置では、画素サイズが小さくなると、隣り合う画素電極同士で横電界の影響により、液晶分子の配向不良が発生し易くなる。特許文献１に記載の液晶装置では、横電界による液晶分子の配向不良を抑制するよう、画素電極の配置を工夫している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１６－９５４４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
画素電極上に斜方蒸着により配向膜を形成する際、画素電極の段差の陰になり、隣り合う画素電極同士の間に蒸着ムラまたは蒸着されない領域が発生してしまう。画素電極間に蒸着ムラまたは蒸着されない領域があると、画素電極間において液晶分子の配向不良が生じるおそれがある。このため、特許文献１に記載のように画素電極の配置を工夫しても、画素電極間での配向不良が画素内の液晶分子の配向に影響を及ぼし、画素内において液晶分子の配向不良が生じるおそれがある。特に、製造時等において電気光学装置が吸湿すると、配向膜の配向規制力が低下してしまい、横電界による配向不良が生じた場合、電界印加時のみならず、電界印加後も当該配向不良が継続してしまう。この配向不良により、表示品位が低下してしまうおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の電気光学装置の一態様は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、前記第１基板は、基板と、無機絶縁層と、互いに離間する第１画素電極および第２画素電極と、配向層とを有し、前記無機絶縁層と、前記第１画素電極および前記第２画素電極と、前記配向層とは、前記基板から前記電気光学層に向かってこの順に並び、前記配向層は、カバー層と、前記カバー層と前記電気光学層との間に設けられる配向膜とを有し、前記カバー層は、前記無機絶縁層のうち平面視で前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の領域を埋める第１部分を有し、前記配向膜は、前記第１部分に接触し、前記第１部分と反対の面が平坦面である第２部分を有する。
【0008】
本発明の電気光学装置の一態様は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、前記第１基板は、基板と、無機絶縁層と、互いに交差する第１方向および第２方向に沿った行列状に配置される複数の画素電極と、配向層とを有し、前記無機絶縁層と、前記複数の画素電極と、前記配向層とは、前記基板から前記電気光学層に向かってこの順に並び、前記配向層は、第１カバー膜と第２カバー膜と配向膜とをこの順に含み、前記第１カバー膜は、前記第１基板の板面の法線に対して傾斜する第１構造物を有し、前記第２カバー膜は、前記法線に対して傾斜する第２構造物を有し、前記配向膜は、前記法線に対して傾斜する第３構造物を有し、前記第１構造物、および前記第２構造物の一方は、方位角が０°であり、前記第１構造物、および前記第２構造物の他方は、方位角が９０°であり、前記第３構造物は、方位角が４５°である。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】実施形態に係る電気光学装置の平面図である。
【図10】第１構造物、第２構造物、および第３構造物の他の各方位角を示す図である。
【図12】第１構造物、第２構造物、および第３構造物の他の各方位角を示す図である。
【図14】第１構造物、第２構造物、および第３構造物の他の各方位角を示す図である。
【図16】電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。
【図17】電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。
【図18】電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。
【0011】
１．電気光学装置
１Ａ．基本構成
図１は、実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＡ－Ａ線の断面図である。なお、図１では、第２基板３の図示が省略される。また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。また、Ｙ１方向は「第１方向」の例示である。Ｘ１方向は「第２方向」の例示である。また、Ｘ―Ｙ平面に沿った方向が「水平方向」とし、Ｚ１方向またはＺ２方向が「垂直方向」とする。
１Ａ．基本構成
図１は、実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＡ－Ａ線の断面図である。なお、図１では、第２基板３の図示が省略される。また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。また、Ｙ１方向は「第１方向」の例示である。Ｘ１方向は「第２方向」の例示である。また、Ｘ―Ｙ平面に沿った方向が「水平方向」とし、Ｚ１方向またはＺ２方向が「垂直方向」とする。
【0012】
また、本明細書において、「要素α上の要素β」とは、要素βが要素αの上方に位置することを意味する。したがって、「要素α上の要素β」とは、要素βが要素αに直接的に接触している場合のみならず、要素αと要素βとが離間している場合も含む。また、要素αと要素βとの「電気的な接続」は、要素αと要素βとが直接的に接合されることで導通する構成のほか、要素αと要素βとが他の導電体を介して間接的に導通する構成も含まれる。
【0013】
図１および図２に示す電気光学装置１００は、アクティブマトリクス駆動方式の透過型の電気光学装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、第１基板２と、第２基板３と、枠状のシール部材４と、液晶層５とを有する。図２に示すように、第１基板２、液晶層５および第２基板３は、この順にＺ１方向に並ぶ。なお、これらの重なる方向であるＺ１方向またはＺ２方向から見ることを「平面視」とする。また、図１に示す電気光学装置１００の平面視での形状は四角形であるが、四角形以外の多角形または円形であってもよい。
【0014】
図２に示す第１基板２は、透光性を有する基板２１と、透光性を有する無機絶縁層２２と、透光性を有する複数の画素電極２４と、透光性を有する第１配向層２０とを有する。第１配向層２０は、「配向層」の例示である。無機絶縁層２２、複数の画素電極２４および第１配向層２０は、基板２１から液晶層５に向かってこの順に並ぶ。なお、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。また、図２には、第１基板２の下面である板面２ｓの法線Ａ１が図示される。
【0015】
基板２１は、透光性および絶縁性を有する平板であり、例えばガラス基板または石英基板で構成される。無機絶縁層２２は、透光性を有する複数の無機絶縁膜の積層体である。また、無機絶縁層２２には、スイッチング素子、および各種配線等が設けられる。各画素電極２４は、液晶層５に電界を印加するための電極である。各画素電極２４は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料を含む。なお、図示はしないが、第１基板２は、複数の画素電極２４を平面視で囲む複数のダミー画素電極を有する。また、第１配向層２０は、透光性および絶縁性を有する。第１配向層２０は、液晶層５が有する液晶分子５０を配向させる。第１配向層２０は、複数の画素電極２４を覆う。第１配向層２０は、例えば、酸化ケイ素等の無機材料を含み、斜方蒸着により形成される。
【0016】
第２基板３は、第１基板２に対向する。第２基板３は、透光性を有する基板３１と、透光性を有する無機絶縁層３２と、透光性を有する共通電極３３と、透光性を有する第２配向層３４とを有する。無機絶縁層３２、共通電極３３および第２配向層３４は、基板３１から液晶層５に向かってこの順に並ぶ。また、図示はしないが、第２基板３は、平面視で複数の画素電極２４を囲む遮光性の見切りを有する。なお、「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは１０％以下であることをいう。
【0017】
基板３１は、透光性および絶縁性を有する平板であり、例えばガラス基板または石英基板で構成される。無機絶縁層３２は、透光性および絶縁性を有しており、例えば酸化ケイ素等のケイ素を含む無機材料で形成される。共通電極３３は、複数の画素電極２４に対して液晶層５を介して配置される対向電極であり、複数の画素電極２４とともに液晶層５に電界を印加するための電極である。共通電極３３は、透光性および導電性を有する。共通電極３３は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料を含む。第２配向層３４は、透光性および絶縁性を有する。第２配向層３４は、液晶層５が有する液晶分子を配向させる。第２配向層３４の材料は、酸化ケイ素等である。第２配向層３４は、例えば、酸化ケイ素等の無機材料を含み、斜方蒸着により形成される。
【0018】
シール部材４は、第１基板２と第２基板３との間に配置される。シール部材４は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材４は、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含んでもよい。
【0019】
液晶層５は、第１基板２、第２基板３およびシール部材４によって囲まれる領域内に配置される。液晶層５は、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。液晶層５は、例えば、誘電異方性が負のネマチック液晶を含む。液晶層５が含む液晶分子５０の配向は、液晶層５に印加される電圧に応じて変化する。
【0020】
図１に示すように、第１基板２には、複数の走査線駆動回路１１と信号線駆動回路１２と複数の外部端子１３とが配置される。複数の外部端子１３の一部は、走査線駆動回路１１または信号線駆動回路１２から引き回される図示省略された配線に接続される。また、複数の外部端子１３は、定電位Ｖｃｏｍが印加させる端子を含む。当該端子は、図示省略された配線および導通材を介して、第２基板３の共通電極３３に電極的に接続される。
【0021】
かかる電気光学装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、平面視で表示領域Ａ１０の外側に位置する周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。複数の画素Ｐに対して複数の画素電極２４が１対１で配置される。前述の共通電極３３は、複数の画素Ｐで共通に設けられる。また、周辺領域Ａ２０は、平面視で表示領域Ａ１０を囲む。周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２が配置される。
【0022】
本実施形態では、電気光学装置１００は透過型である。具体的には、図２に示すように、光ＬＬが第２基板３に入射した後、第１基板２から出射される間に変調することにより、画像が表示される。なお、第１基板２に入射した光が第２基板３から出射される間に変調することにより、画像が表示されてもよい。
【0023】
かかる電気光学装置１００は、電圧を印加していなときに透過率が低くなって黒表示となり、電圧を印加したときに透過率が上昇する、所謂ノーマリーブラック方式である。また、電気光学装置１００の駆動方式は、所謂ＶＡ（Vertical Alignment）方式である。電気光学装置１００は、負の誘電異方性をもった液晶分子５０を、第１配向層２０および第２配向層３４を用いて電圧を印加しているときにほぼ垂直方向に配向させ、電圧を印加したときには水平方向に配向させる。
【0024】
また、電気光学装置１００は、例えば、後述するパーソナルコンピューターおよびスマートフォン等のカラー表示を行う表示装置に適用される。当該表示装置に適用される場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが適宜用いられる。また、電気光学装置１００は、例えば、後述する投射型のプロジェクターに適用される。この場合、電気光学装置１００は、ライトバルブとして機能する。なお、この場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが省略される。
【0025】
１Ｂ．第１基板２の電気的な構成
図３は、図１の第１基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、第１基板２は、複数のトランジスター２３とｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とｎ本の定電位線２４３とを有する。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２との各交差に対応してトランジスター２３が配置される。各トランジスター２３は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴ（Thin Film Transistor）である。各トランジスター２３は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。
図３は、図１の第１基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、第１基板２は、複数のトランジスター２３とｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とｎ本の定電位線２４３とを有する。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２との各交差に対応してトランジスター２３が配置される。各トランジスター２３は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴ（Thin Film Transistor）である。各トランジスター２３は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。
【0026】
ｎ本の走査線２４１のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の走査線２４１はＹ１方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４１のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のゲートに電気的に接続される。ｎ本の走査線２４１は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１～ｎ本の走査線２４１には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。
【0027】
図３に示すｍ本の信号線２４２のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｍ本の信号線２４２はＸ１方向に等間隔で並ぶ。ｍ本の信号線２４２のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のソースに電気的に接続される。ｍ本の信号線２４２は、図１に示す信号線駆動回路１２に電気的に接続される。１～ｍ本の信号線２４２には、信号線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。
【0028】
図３に示すｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視で格子状に配置される。隣り合う２つの走査線２４１と隣り合う２つの信号線２４２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。画素Ｐごとにトランジスター２３、画素電極２４および蓄積容量２９が設けられる。画素電極２４は、トランジスター２３に対して１対１で設けられる。各画素電極２４は、対応するトランジスター２３のドレインに電気的に接続される。
【0029】
ｎ本の定電位線２４３のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の定電位線２４３はＹ１方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の定電位線２４３は、ｎ本の走査線２４１およびｍ本の信号線２４２に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔をもって配置される。各定電位線２４３には、定電位Ｖｃｏｍが印加される。ｎ本の定電位線２４３のそれぞれは、対応する蓄積容量２９が有する２つの電極のうちの一方に電気的に接続される。各蓄積容量２９は、画素電極２４の電位を保持するための保持容量である。蓄積容量２９は、トランジスター２３に対して１対１で設けられる。また、各蓄積容量２９が有する２つの電極のうちの他方は、対応する画素電極２４に電気的に接続される。したがって、蓄積容量２９の一方の電極には定電位Ｖｃｏｍが印加され、他方の電極はトランジスター２３のドレインに電気的に接続される。
【0030】
走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４１が順次選択されると、選択される走査線２４１に接続されるトランジスター２３がオン状態となる。オン状態になると、ｍ本の信号線２４２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍに対応する電流が、選択される走査線２４１に対応する画素電極２４に供給される。これにより、画素電極２４と図２に共通電極３３との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子５０の配向が変化する。このような液晶分子５０の配向の変化によって光ＬＬの透過率が変化する。
【0031】
１Ｃ．表示領域Ａ１０
図４は、図２に示す無機絶縁層２２と複数の画素電極２４の一部を示す平面図である。図４に示すように、各画素電極２４の平面形状は、四角形である。複数の画素電極２４は、互いに離間し、平面視でＸ１方向およびＹ１方向に並ぶ行列状に配置される。複数の画素電極２４のうち、例えば、任意の１つの画素電極２４を第１画素電極２４ａとした場合、第１画素電極２４ａに隣接する任意の１つの画素電極２４を第２画素電極２４ｂとする。図４の例では、図４中の左下の画素電極２４を第１画素電極２４ａとし、その右隣の画素電極２４を第２画素電極２４ｂとする。
図４は、図２に示す無機絶縁層２２と複数の画素電極２４の一部を示す平面図である。図４に示すように、各画素電極２４の平面形状は、四角形である。複数の画素電極２４は、互いに離間し、平面視でＸ１方向およびＹ１方向に並ぶ行列状に配置される。複数の画素電極２４のうち、例えば、任意の１つの画素電極２４を第１画素電極２４ａとした場合、第１画素電極２４ａに隣接する任意の１つの画素電極２４を第２画素電極２４ｂとする。図４の例では、図４中の左下の画素電極２４を第１画素電極２４ａとし、その右隣の画素電極２４を第２画素電極２４ｂとする。
【0032】
無機絶縁層２２は、各画素電極２４が設けられている画素領域Ａ１１と、複数の画素電極２４が設けられていない非画素領域Ａ１２とを有する。画素領域Ａ１１は、光を透過する領域である。非画素領域Ａ１２には、図示しないが、トランジスター２３および各種配線等が設けられており、非画素領域Ａ１２は、遮光性を有する。また、非画素領域Ａ１２は、平面視で複数の画素電極２４の間に位置する領域であって、第１画素電極２４ａと第２画素電極２４ｂとの間の領域を含む。
【0033】
図５は、図４中のａ－ａ線断面に相当する図である。図６は、図４中のｂ－ｂ線断面に相当する図である。図５および図６に示す無機絶縁層２２は、酸化ケイ素および酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料で形成される複数の無機絶縁膜を含む。なお、無機絶縁層２２は、液晶分子５０を配向させる配向規制力を有さない。また、無機絶縁層２２上には、複数の画素電極２４が配置される。各画素電極２４は、平面視で四角形状であり、各辺に沿った段差２４９を有する。
【0034】
各画素電極２４上には第１配向層２０が配置される。図２に示すように、第１配向層２０は、複数に画素電極２４と液晶層５との間に配置され、液晶層５に接触する。第１配向層２０は、液晶分子５０の配列状態を制御する。図５および図６に示すように、第１配向層２０は、前述の複数の画素領域Ａ１１および非画素領域Ａ１２に設けられる。
【0035】
第１配向層２０は、カバー層２５と配向膜２６とを含む。カバー層２５は、複数の画素電極２４と接触する。配向膜２６は、カバー層２５と液晶層５との間に配置され、これらに接触する。カバー層２５および配向膜２６は、例えば、酸化ケイ素等の無機材料を含み、斜方蒸着により形成される。また、カバー層２５と配向膜２６とは、例えば互いに異なる蒸着方向からの蒸着により形成される。
【0036】
カバー層２５は、複数の画素電極２４および無機絶縁層２２を覆うカバーである。カバー層２５は、配向膜２６の下地層であり、無機絶縁層２２の配向膜２６への影響を排除するために設けられる。カバー層２５が設けられることで、後述の配向膜２６が有する第３構造物２６ｓの成長に悪影響が及ぶことが抑制される。カバー層２５は、液晶分子５０を配向させる配向規制力を有することが好ましい。カバー層２５は、非画素領域Ａ１２に設けられる第１部分２５０を有する。第１部分２５０は、非画素領域Ａ１２と同様、平面視で格子状をなし、隣り合う画素電極２４間を埋める。第１部分２５０が設けられていることで、無機絶縁層２２と液晶分子５０との接触が回避される。このため、配向規制力を有さない無機絶縁層２２が液晶分子５０に接触することによる液晶分子５０の配向不良の発生を抑制することができる。
【0037】
カバー層２５は、第１カバー膜２５１と第２カバー膜２５２とを含む。第１カバー膜２５１は、複数の画素電極２４に接触する。第２カバー膜２５２は、主に、第１カバー膜２５１と配向膜２６との間に配置される。また、第１カバー膜２５１と第２カバー膜２５２のそれぞれは、複数の画素領域Ａ１１および非画素領域Ａ１２に設けられる。第１カバー膜２５１と第２カバー膜２５２のそれぞれは、後述の配向膜２６の第３構造物２６ｓの核となる島状構造を含んでもよい。当該島状構造は、薄膜形成時の初期段階に形成される。したがって、第１カバー膜２５１と第２カバー膜２５２のそれぞれは、部分的に厚さが薄い部分を含んでもよい。
【0038】
第１カバー膜２５１、および第２カバー膜２５２は、斜方蒸着により形成される。このため、各画素電極２４の段差２４９の陰により、第１カバー膜２５１と第２カバー膜２５２のそれぞれは、非画素領域Ａ１２のうちの一部に設けられる。また、後で詳述するが、第１カバー膜２５１、および第２カバー膜２５２は、互いに異なる蒸着方向からの蒸着により形成される。このため、第１カバー膜２５１、および第２カバー膜２５２は、非画素領域Ａ１２のうち設けられていない領域が互いに異なる。非画素領域Ａ１２のうち第１カバー膜２５１が設けられていない領域に第２カバー膜２５２の一部が設けられる。よって、第２カバー膜２５２は、無機絶縁層２２に直接的に接触する部分を有しており、第１部分２５０の上面２５０ｓは、段差２５９を有する。
【0039】
配向膜２６は、第１配向層２０のうち最も液晶層５に近い。配向膜２６は、液晶分子５０に直接的に接触し、液晶分子５０の配向を制御する。配向膜２６は、複数の画素領域Ａ１１および非画素領域Ａ１２に設けられる。配向膜２６は、非画素領域Ａ１２に設けられる第２部分２６０を有する。第２部分２６０は、第１部分２５０に接触する。第２部分２６０は、第１部分２５０の全域を覆っておらず、よって、第１部分２５０の上面２５０ｓには、配向膜２６が設けられていない領域Ａ０が存在する。非画素領域Ａ１２における領域Ａ０の比率は、５０％以下である。
【0040】
また、第２部分２６０の上面２６０ｓ、すなわち第２部分２６０の第１部分２５０とは反対の面は、平坦面である。平坦面とは、段差のない平面をいい、好ましくは表面粗さＲａが、３００Å未満のものをいう。ただし、上面２６０ｓは、配向規制力を発揮するための表面凹凸を有する。
【0041】
配向膜２６は、斜方蒸着により形成される。このため、各画素電極２４の段差２４９の陰により、配向膜２６は、非画素領域Ａ１２のうち設けられていない領域Ａ０が存在する。領域Ａ０は、Ｙ１方向に並ぶ２つの画素電極２４のＸ１方向に沿った線分よりもＹ２方向と、Ｘ１方向に並ぶ２つの画素電極２４のＹ１方向に沿った線分よりもＸ２方向と、に存在する。また、後で詳述するが、配向膜２６は、第１カバー膜２５１および第２カバー膜２５２の各蒸着方向とは異なる蒸着方向からの蒸着により形成される。
【0042】
前述のように、電気光学装置１では、複数の画素電極２４上に「配向層」としての第１配向層２０が設けられる。そして、第１配向層２０は、カバー層２５と配向膜２６とを備える。カバー層２５は、非画素領域Ａ１２を埋める第１部分２５０を有する。
【0043】
かかる電気光学装置１によれば、非画素領域Ａ１２を埋めるカバー層２５を備えることで、配向規制力が働かない無機絶縁層２２をカバー層２５で覆うことができる。配向規制力が働かない無機絶縁層２２がカバー層２５で覆われることで、複数の画素電極２４同士の間の非画素領域Ａ１２における配向不良を抑制することができる。このため、当該配向不良に起因する画素領域Ａ１１での配向不良が生じるおそれを抑制することができる。また、製造時等において電気光学装置１が吸湿した状態であると、配向規制力が低下してしまい、電界印加時のみならず、電界印加後も当該配向不良が継続してしまうおそれがある。しかし、本実施形態では、配向規制力が働かない無機絶縁層２２がカバー層２５で覆われていることで、非画素領域Ａ１２における配向不良が抑制されているため、吸湿による配向不良の継続のおそれが抑制される。よって、表示品位の低下を抑制することができる。
【0044】
さらに、前述のように、配向膜２６は、第１部分２５０と液晶層５との間に配置される第２部分２６０を有しており、第２部分２６０の上面２６０ｓは、連続した平坦面を有する。このため、配向膜２６の上面２６０ｓは蒸着ムラによる凹凸または欠損を有さない。よって、蒸着ムラによる配向不良を抑制することができる。よって、表示品位の低下を抑制することができる。また、第２部分２６０は、第１部分２５０のうち第１カバー膜２５１と第２カバー膜２５２とが積層される部分上に配置される。このため、第２部分２６０は、第１部分２５０の上面２５０ｓうちの平坦な部分上に配置される。よって、第２部分
【0045】
また、配向膜２６の平均厚さは、カバー層２５の平均厚さよりも厚い。このため、配向膜２６の平均厚さがカバー層２５の平均厚さ以下である場合に比べ、液晶分子５０が配向膜２６の下地となるカバー層２５の表面形状の影響を受け難い。よって、表示領域Ａ１０において、複数の液晶分子５０の配向方向が揃い易い。
【0046】
液晶分子５０の配向は、第１配向層２０の最表面の形状により規制される。カバー層２５と配向膜２６とは、互いに蒸着方向が異なるため、互いに上面の表面形状が異なる。よって、カバー層２５と配向膜２６とでは、液晶分子５０を配向させる方向が異なる。このため、配向膜２６の平均厚さがカバー層２５の平均厚さ以下である場合、液晶分子５０がカバー層２５の表面形状の影響を受け易い。これに対し、配向膜２６の平均厚さをカバー層２５の平均厚さよりも厚くすることで、液晶分子５０がカバー層２５の表面形状の影響を受け難くなる。
【0047】
配向膜２６の平均厚さは、例えば、３００Å以上５００Å未満であることが好ましく、３６０Å以上４００Å未満であることが好ましい。上記範囲であることで上記範囲外である場合に比べ、液晶分子５０がカバー層２５の表面形状の影響を受け難く、かつ、配向膜２６の形成に過度な時間を要さない。
【0048】
カバー層２５の平均厚さは、例えば、２８０Å以上４００Å未満であることが好ましく、３２０Å以上３６０Å未満であることがより好ましい。上記下限値以上であることで、非画素領域Ａ１２を一様に埋め易く、よって、配向規制力を有さない無機絶縁層２２の影響を特に効果的に抑制し易い。また、上記上限値未満であることで、過度な成膜時間を要さない。また、第１カバー膜２５１および第２カバー膜２５２の各平均厚さは、１４０Å以上２００Å未満であることが好ましく、１６０Å以上１８０Å未満であることがより好ましい。各平均厚さが上記範囲内であることで、範囲外である場合に比べ、非画素領域Ａ１２を一様に埋め易く、上面２５０ｓの平坦性を高めることができる。
【0049】
また、第１カバー膜２５１、および第２カバー膜２５２の各材料は、特に限定されないが、無機材料であることが好ましく、具体的には例えば、ＳｉＮ、ＡｌＯ、ＳｉＯｘ、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３等が挙げられる。なお、ＳｉＯｘのｘは、２以上である。配向膜２６の材料は、無機材料であることが好ましく、具体的には例えば、ＳｉＯ２等である。無機材料を用いることで、斜方蒸着により第１配向層２０を形成できるので、複数の画素電極２４の画素ピッチが小さくなっても、第１配向層２０が設けられていない領域が発生するおそれを抑制することができる。
【0050】
第１カバー膜２５１、第２カバー膜２５２および配向膜２６の各材料は、ＳｉＯ２であることが特に好ましい。ＳｉＯ２であることで、第１配向層２０の透光性を確保しつつ、所望の膜厚の第１配向層２０を形成し易い。
【0051】
１－Ｄ．第１配向層２０および第２配向層３４
図７は、図２に示す第１配向層２０および第２配向層３４を説明するための図である。図７に示す第２配向層３４は、例えば、無機材料を含み、斜方蒸着により形成される。第２配向層３４は、複数の構造物３４ｓを含む。構造物３４ｓは、無機材料の柱状結晶体である。構造物３４ｓは、斜方蒸着の蒸着方向に平行な線分に沿って柱状に成長する。
図７は、図２に示す第１配向層２０および第２配向層３４を説明するための図である。図７に示す第２配向層３４は、例えば、無機材料を含み、斜方蒸着により形成される。第２配向層３４は、複数の構造物３４ｓを含む。構造物３４ｓは、無機材料の柱状結晶体である。構造物３４ｓは、斜方蒸着の蒸着方向に平行な線分に沿って柱状に成長する。
【0052】
第１配向層２０は、複数の第１構造物２５１ｓ、複数の第２構造物２５２ｓ、および複数の第３構造物２６ｓを含む。具体的には、第１カバー膜２５１は、複数の第１構造物２５１ｓを含む。第２カバー膜２５２は、複数の第２構造物２５２ｓを含む。配向膜２６は、複数の第３構造物２６ｓを含む。第１カバー膜２５１、第２カバー膜２５２、および配向膜２６のそれぞれは、前述のように、例えば、無機材料を含み、斜方蒸着により形成される。複数の第１構造物２５１ｓ、複数の第２構造物２５２ｓ、および複数の第３構造物２６ｓのそれぞれは、無機材料の柱状結晶体である。複数の第１構造物２５１ｓ、複数の第２構造物２５２ｓ、および複数の第３構造物２６ｓのそれぞれは、斜方蒸着の蒸着方向に平行な線分に沿って柱状に成長する。ただし、複数の第１構造物２５１ｓ、および複数の第２構造物２５２ｓは、前述の島状構造を含んでもよい。第１カバー膜２５１、および第２カバー膜２５２のそれぞれは、島状構造を含む程度の厚さであってもよい。また、各第３構造物２６ｓは、柱状である。このため、液晶分子５０を配向させる。
【0053】
第２配向層３４、および配向膜２６の各表面形状による配向規制力によって、液晶分子５０の配向が制御される。液晶分子５０は、棒状構造である。液晶分子５０は、電圧が印加されていない状態において液晶分子５０の長軸が法線Ａ１に対してプレチルト角θで若干傾斜した状態でほぼ垂直配向する。プレチルト角θは、液晶分子５０の長軸と法線Ａ１とのなす角度である。プレチルト角θは、複数の構造物３４ｓ、および複数の第３構造物２６ｓの各傾斜方向に依存する。プレチルト角θが所望の角度になるよう、複数の構造物３４ｓおよび複数の第３構造物２６ｓの法線Ａ１に対する角度が設定される。
【0054】
１－Ｅ．第１配向層２０
図８は、図７に示す第１配向層２０の蒸着方向を説明するための図である。第１カバー膜２５１、第２カバー膜２５２、および配向膜２６は、互いに異なる蒸着方向から斜方蒸着により形成される。図８に示すように、第１構造物２５１ｓを形成するための蒸着方向Ａ０１と画素電極２４の表面とのなす角度θ０１は、例えば、４０°以上５０°以下である。第２構造物２５２ｓを形成するための蒸着方向Ａ０２と画素電極２４の表面とのなす角度θ０２は、例えば、４０°以上５０°以下である。第３構造物２６ｓを形成するための蒸着方向Ａ０３と画素電極２４の表面とのなす角度θ０３は、例えば、４０°以上５０°以下である。したがって、角度θ０１、θ０２およびθ０３は、互いに等しい。なお、画素電極２４の表面は、図２に示す第１基板２の板面２ｓと平行である。
図８は、図７に示す第１配向層２０の蒸着方向を説明するための図である。第１カバー膜２５１、第２カバー膜２５２、および配向膜２６は、互いに異なる蒸着方向から斜方蒸着により形成される。図８に示すように、第１構造物２５１ｓを形成するための蒸着方向Ａ０１と画素電極２４の表面とのなす角度θ０１は、例えば、４０°以上５０°以下である。第２構造物２５２ｓを形成するための蒸着方向Ａ０２と画素電極２４の表面とのなす角度θ０２は、例えば、４０°以上５０°以下である。第３構造物２６ｓを形成するための蒸着方向Ａ０３と画素電極２４の表面とのなす角度θ０３は、例えば、４０°以上５０°以下である。したがって、角度θ０１、θ０２およびθ０３は、互いに等しい。なお、画素電極２４の表面は、図２に示す第１基板２の板面２ｓと平行である。
【0055】
図９は、図７の第１構造物２５１ｓ、第２構造物２５２ｓ、および第３構造物２６ｓの各方位角を示す図である。前述のように、第１カバー膜２５１、第２カバー膜２５２、および配向膜２６は、互いに異なる蒸着方向から斜方蒸着により形成される。このため、図９に示すように、第１構造物２５１ｓ、第２構造物２５２ｓ、および第３構造物２６ｓは、互いに方位角が異なる。方位角とは、平面視におけるＹ１方向に沿った基準線Ａｘに対する時計回りでの各構造物の角度をいう。なお、以下では、反時計回りの角度がマイナスで表される。
【0056】
第１構造物２５１ｓ、および第２構造物２５２ｓの各方位角が互いに異なるため、第１カバー膜２５１、および第２カバー膜２５２は、非画素領域Ａ１２のうち設けられていない領域が互いに異なる。第１カバー膜２５１を斜方蒸着により形成すると、段差２４９の陰になり、非画素領域Ａ１２において第１カバー膜２５１が設けられない領域が形成される。しかし、第２カバー膜２５２を第１カバー膜２５１とは異なる方向から斜方蒸着で形成することにより、第１カバー膜２５１が設けられない領域を第２カバー膜２５２で埋めることができる。このため、無機絶縁層２２の露出を回避することができるので、無機絶縁層２２と液晶分子５０との接触が回避される。それゆえ、配向規制力を有さない無機絶縁層２２が液晶分子５０に接触することによる液晶分子５０の配向不良の発生を抑制することができる。
【0057】
本実施形態では、第１構造物２５１ｓの第１方位角θ１は、０°である。第２構造物２５２ｓの第２方位角θ２は、９０°である。第３構造物２６ｓの第３方位角θ３は、４５°である。したがって、第３方位角方向に対する第１方位角方向の角度は、－４５°である。第３方位角方向に対する第２方位角方向の角度は、４５°である。また、方位角方向は、平面視での蒸着方向と等しい。このため、配向膜２６の蒸着方向に対する第１カバー膜２５１の蒸着方向の角度は、－４５°であり、配向膜２６の蒸着方向に対する第２カバー膜２５２の蒸着方向の角度は、４５°である。また、第１カバー膜２５１の蒸着方向は、信号線２４２に沿い、第２カバー膜２５２の蒸着方向は、走査線２４１に沿う。また別の言い方をすると、第１カバー膜２５１および第２カバー膜２５２の各蒸着方向は、複数の画素電極２４の行方向または列方向に沿う。
【0058】
前述のように、各画素電極２４の平面視形状は四角形であり、複数の画素電極２４は、Ｘ１方向およびＹ１方向に沿って行列状に配置される。かかる複数の画素電極２４の配置において、第１方位角θ１が０°であり、第２方位角θ２が９０°であることで、第１カバー膜２５１と第２カバー膜２５２とが互いに設けられていない領域が平面視で重なり合うことを抑制することができる。よって、非画素領域Ａ１２において、第１カバー膜２５１が設けられていない領域に第２カバー膜２５２の一部を設けることができる。それゆえ、２つのカバー膜である第１カバー膜２５１および第２カバー膜２５２により非画素領域Ａ１２を埋めることができる。このため、カバー層２５がカバー膜を３つ以上有していなくても、非画素領域Ａ１２を効率良く埋めることができる。よって、カバー層２５の積層数が増えることによる透光性の低下を抑制することができる。それゆえ、表示品位の低下を効果的に抑制することができる。
【0059】
なお、第１構造物２５１ｓの第１方位角θ１が９０°であり、第２構造物２５２ｓの第２方位角θ２が０°であってもよい。また、方位角が０°とは、前述の効果を損なわない範囲で製造誤差等を含むものであり、方位角が－２°以上２°以下も含まれる。同様に、方位角が９０°とは、前述の効果を損なわない範囲で製造誤差等を含むものであり、方位角が８８°以上９２°以下も含まれる。
【0060】
また、前述のように、第３構造物２６ｓの第３方位角θ３は、４５°である。配向膜２６は、液晶分子５０の配向を制御する。前述のように電気光学装置１はＶＡ方式であり、液晶分子５０は、電圧が印加されていない状態において方位角４５°でほぼ垂直方向になる。よって、ＶＡ方式では、液晶分子５０のプレチルト角θの方位角は、４５°である。プレチルト角θの方位角とは、平面視における基準線Ａｘに対する液晶分子５０の方位角である。
【0061】
第３構造物２６ｓの第３方位角θ３が４５°であるＶＡ方式において、第１方位角θ１が０°であり、かつ第２方位角θ２が９０°であることで、図５および図６に示すように、第１カバー膜２５１と第２カバー膜２５２とが積層される部分上に配向膜２６を設けることができる。よって、配向膜２６の上面２６０ｓの平坦性を最も高めることができる。なお、第１構造物２５１ｓの第１方位角θ１が９０°であり、第２構造物２５２ｓの第１方位角θ１が０°である場合も同様の効果が得られる。
【0062】
図１０は、第１構造物２５１ｓ、第２構造物２５２ｓ、および第３構造物２６ｓの他の各方位角を示す図である。図１０に示す例では、第１構造物２５１ｓの第１方位角θ１は、２２．５°である。第２構造物２５２ｓの第２方位角θ２は、６７．５°である。第３構造物２６ｓの第３方位角θ３は、４５°である。したがって、第３方位角方向に対する第１方位角方向の角度は、－２２．５°である。第３方位角方向に対する第２方位角方向の角度は、２２．５°である。
【0063】
図１１は、図１０に対応する第１配向層２０の断面図である。図１１は、図４のａ－ａ線断面に対応している。図１１に示す例では、第１カバー膜２５１は、第１方位角θ１が２２．５°である第１構造物２５１ｓを含む。第２カバー膜２５２は、第２方位角θ２が６７．５°である第２構造物２５２ｓを含む。配向膜２６は、第３方位角θ３が４５°である第３構造物２６ｓを含む。図１１に示す例では、非画素領域Ａ１２のうち第１配向層２０が形成されていない領域Ａ９が発生してしまう。このため、配向規制力を有さない無機絶縁層２２と液晶分子５０が接触し、配向不良が生じるおそれがある。
【0064】
図１２は、第１構造物２５１ｓ、第２構造物２５２ｓ、および第３構造物２６ｓの他の各方位角を示す図である。図１２に示す例では、第１構造物２５１ｓの第１方位角θ１は、－４５°すなわち３１５°である。第２構造物２５２ｓの第２方位角θ２は、１３５°である。第３構造物２６ｓの第３方位角θ３は、４５°である。したがって、第３方位角方向に対する第１方位角方向の角度は、－９０°である。第３方位角方向に対する第２方位角方向の角度は、９０°である。
【0065】
図１３は、図１２に対応する第１配向層２０の断面図である。図１３は、図４のａ－ａ線断面に対応している。図１３に示す例では、第１カバー膜２５１は、第１方位角θ１が－４５°である第１構造物２５１ｓを含む。第２カバー膜２５２は、第２方位角θ２が１３５°である第２構造物２５２ｓを含む。配向膜２６は、第３方位角θ３が４５°である第３構造物２６ｓを含む。図１３に示す例では、非画素領域Ａ１２のうち第１配向層２０が形成されていない領域Ａ９が発生してしまう。このため、配向規制力を有さない無機絶縁層２２と液晶分子５０が接触し、配向不良が生じるおそれがある。さらに、図１３に示す例では、配向膜２６を貫通する溝Ｈ９が形成されてしまう。このため、配向膜２６の上面２６０ｓの平坦性が損なわれている。溝Ｈ９が存在することにより、配向不良が生じるおそれがある。
【0066】
図１４は、第１構造物２５１ｓ、第２構造物２５２ｓ、および第３構造物２６ｓの他の各方位角を示す図である。図１４に示す例では、第１構造物２５１ｓの第１方位角θ１は、－９０すなわち２７０°である。第２構造物２５２ｓの第２方位角θ２は、１８０°である。第３構造物２６ｓの第３方位角θ３は、４５°である。したがって、第３方位角方向に対する第１方位角方向の角度は、－１３５°である。第３方位角方向に対する第２方位角方向の角度は、１３５°である。
【0067】
図１５は、図１３に対応する第１配向層２０の断面図である。図１５は、図４のａ－ａ線断面に対応している。図１５に示す例では、第１カバー膜２５１は、第１方位角θ１が－９０°である第１構造物２５１ｓを含む。す第２カバー膜２５２は、第２方位角θ２が１８０°である第２構造物２５２ｓを含む。配向膜２６は、第３方位角θ３が４５°である第３構造物２６ｓを含む。図１５に示す例では、配向膜２６を貫通する溝Ｈ９が形成されてしまう。このため、配向膜２６の上面２６０ｓの平坦性が損なわれている。溝Ｈ９が存在することにより、配向不良が生じるおそれがある。
【0068】
また、図１４に示す例では、第１カバー膜２５１を斜方蒸着により形成する際の蒸着方向は、Ｘ２方向に沿い、第２カバー膜２５２を斜方蒸着により形成する際の蒸着方向は、Ｙ２方向に沿う。したがって、第１カバー膜２５１および第２カバー膜２５２をそれぞれ斜方蒸着により形成する際の蒸着方向は、複数の画素電極２４の行方向または列方向に沿う。図１４に示す例では、カバー層２５により非画素領域Ａ１２を埋めることができるが、配向膜２６の上面２６０ｓの平坦性を確保することが難しい。
【0069】
なお、非画素領域Ａ１２を埋め、かつ上面２６０ｓが平坦面を有するためには、第１方位角θ１または第２方位角θ２のいずれか一方が９０°であり、他方が０°であり、第３方位角θ３が４５°であることが好ましい。ただし、複数の画素電極２４の形状および配置によって当該角度は異なる。したがって、非画素領域Ａ１２を埋め、かつ上面２６０ｓが平坦面を有するよう、第１方位角θ１、第２方位角θ２および第３方位角θ３が設定される。また、カバー層２５が３つ目のカバー膜を有す場合、非画素領域Ａ１２を埋め、かつ上面２６０ｓが平坦面を有するよう、第１方位角θ１、第２方位角θ２、３つ目のカバー膜の方位角、および第３方位角θ３が設定される。
【0070】
２．変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。
【0071】
前述の各実施形態では、アクティブマトリクス方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置１００の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス方式等でもよい。
【0072】
前述の実施形態では、第１配向層２０が有する第１カバー膜２５１、第２カバー膜２５２および配向膜２６が斜方蒸着により形成された。しかし、カバー層２５が非画素領域Ａ１２を埋め、かつ、配向膜２６の上面２６０ｓが平坦であれば、斜方蒸着以外の方法で第１配向層２０が形成されてもよい。例えば、第１カバー膜２５１、または第２カバー膜２５２は、光配向処理が施された膜であってもよい。
【0073】
３．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。
【0074】
図１６は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。
【0075】
図１７は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す平面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。
【0076】
図１８は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。
【0077】
照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。
【0078】
以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。前述の電気光学装置１００は表示品位の低下が抑制されている。このため、電気光学装置１００を備えることで、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品位を高めることができる。
【0079】
なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【0080】
以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶表示装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。
【符号の説明】
【0081】
１…電気光学装置、１ｂ…電気光学装置、１ｇ…電気光学装置、１ｒ…電気光学装置、２…第１基板、２ｓ…板面、３…第２基板、４…シール部材、５…液晶層、１１…走査線駆動回路、１２…信号線駆動回路、１３…外部端子、２０…第１配向層、２１…基板、２２…無機絶縁層、２３…トランジスター、２４…画素電極、２４ａ…第１画素電極、２４ｂ…第２画素電極、２５…カバー層、２６…配向膜、２６ｓ…第３構造物、２９…蓄積容量、３１…基板、３２…無機絶縁層、３３…共通電極、３４…第２配向層、３４ｓ…構造物、５０…液晶分子、２４１…走査線、２４２…信号線、２４３…定電位線、２４９…段差、２５０…第１部分、２５０ｓ…上面、２５１…第１カバー膜、２５１ｓ…第１構造物、２５２…第２カバー膜、２５２ｓ…第２構造物、２５９…段差、２６０…第２部分、２６０ｓ…上面、２０００…パーソナルコンピューター、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２００３…制御部、２０１０…本体部、３０００…スマートフォン、３００１…操作ボタン、３００２…制御部、４０００…投射型表示装置、４００１…照明光学系、４００２…照明装置、４００３…投射光学系、４００４…投射面、４００５…制御部、Ａ０…領域、Ａ０１…蒸着方向、Ａ０２…蒸着方向、Ａ０３…蒸着方向、Ａ１…法線、Ａ１０…表示領域、Ａ１１…画素領域、Ａ１２…非画素領域、Ａ２０…周辺領域、Ａ９…領域、Ａｘ…基準線、Ｈ９…溝、ＬＬ…光、Ｐ…画素、Ｇ１…走査信号、Ｇ２…走査信号、Ｓ１…画像信号、Ｓ２…画像信号、θ…プレチルト角、θ０１…角度、θ０２…角度、θ０３…角度、θ１…第１方位角、θ２…第２方位角、θ３…第３方位角。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】